JP2007207544A - Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device - Google Patents

Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device Download PDF

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JP2007207544A
JP2007207544A JP2006024166A JP2006024166A JP2007207544A JP 2007207544 A JP2007207544 A JP 2007207544A JP 2006024166 A JP2006024166 A JP 2006024166A JP 2006024166 A JP2006024166 A JP 2006024166A JP 2007207544 A JP2007207544 A JP 2007207544A
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organic layer
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organic
inert gas
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JP2006024166A
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Masahiro Uchida
昌宏 内田
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic electroluminescence device which can achieve a long service life of the organic electroluminescence device. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the organic electroluminescence device comprises: a first step for forming an organic layer on a substrate, a second step for heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere, and a third step for irradiating the organic layer formed on the substrate 1 with a predetermined light in a predetermined atmosphere. The third step is performed at least before or after the second step. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL:electroluminescence)装置の製造
方法及び製造装置に関するものである。
The present invention relates to a method and apparatus for manufacturing an organic electroluminescence (EL) device.

有機EL装置は、発光可能な発光層を含む有機層を陽極及び陰極で挟んだ構成の発光素
子(有機EL素子)を有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された
電子とを発光層内で再結合し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して所望の
光を発光する。有機EL装置には、例えば高輝度であることや長寿命であることなど、種
々の性能が求められており、その性能を実現するために、有機EL装置を製造する際の製
造方法にも様々な工夫が施されている。下記特許文献1、2には、基板上に有機層を成膜
した後、その成膜後の有機層に所定の処理を施す技術の一例が開示されている。
特開2002−313567号公報 特開2005−005159号公報
The organic EL device has a light emitting element (organic EL element) having a structure in which an organic layer including a light emitting layer capable of emitting light is sandwiched between an anode and a cathode, and holes injected from the anode side and injected from the cathode side. The emitted electrons are recombined in the light emitting layer, and desired light is emitted by utilizing the phenomenon of light emission when the electrons are lost from the excited state. The organic EL device is required to have various performances such as high brightness and long life, and various methods for manufacturing the organic EL device are required to realize the performance. Are devised. Patent Documents 1 and 2 below disclose an example of a technique in which an organic layer is formed on a substrate and then a predetermined treatment is performed on the organic layer after the film formation.
JP 2002-31567 A JP 2005-005159 A

特許文献1の技術は、基板上に成膜後の有機層を焼成する際の焼成条件を調整すること
によって、有機層の隣接層との界面に凹凸を形成しているが、その凹凸の形成とともにピ
ンホールが形成されることが懸念される。ピンホールが多数形成された場合、発光効率の
低下や寿命の低下が予想される。また、有機層は水分により劣化するため、特許文献2の
技術のように、基板上に成膜後の有機層を水の蒸発温度以上の温度で焼成して水分を除去
することは有効であるが、未だ十分な発光寿命を得られていないのが現状である。そのた
め、有機EL素子の長寿命化を実現できる製造方法及び製造装置の案出が望まれる。
In the technique of Patent Document 1, irregularities are formed at the interface with the adjacent layer of the organic layer by adjusting the firing conditions when firing the organic layer after film formation on the substrate. At the same time, there is concern about the formation of pinholes. When a large number of pinholes are formed, a decrease in luminous efficiency and a decrease in lifetime are expected. In addition, since the organic layer is deteriorated by moisture, it is effective to remove the moisture by baking the organic layer after film formation on the substrate at a temperature equal to or higher than the evaporation temperature of water as in the technique of Patent Document 2. However, the present situation is that a sufficient light emission lifetime is not yet obtained. Therefore, it is desired to devise a manufacturing method and a manufacturing apparatus that can realize a long lifetime of the organic EL element.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、長寿命化を実現することができる有機エレ
クトロルミネッセンス装置の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
This invention is made | formed in view of the said situation, and it aims at providing the manufacturing method and manufacturing apparatus of an organic electroluminescent apparatus which can implement | achieve lifetime improvement.

上記の課題を解決するため、本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス装置の製造方法において、基板上に前記有機層を成膜する第1工程と、前記基
板上に成膜された前記有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱する第2工程と、前記基板上に
成膜された前記有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射する第3工程とを有し、前記
第3工程を、前記第2工程の前及び後の少なくとも一方で行う有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法を提供する。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a method for manufacturing an organic electroluminescence device having an organic layer capable of emitting light, a first step of forming the organic layer on a substrate, and a film formed on the substrate. A second step of heating the organic layer in an inert gas atmosphere, and a third step of irradiating the organic layer formed on the substrate with a predetermined light in a predetermined gas atmosphere, Provided is a method for manufacturing an organic electroluminescence device, wherein the third step is performed at least one of before and after the second step.

本発明者は、基板上に成膜された有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱する前及び後の少
なくとも一方で、基板上に成膜された有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射するこ
とにより、有機EL装置の発光寿命が延びることを見出した。そこで、本発明によれば、
基板上に成膜された有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱する前及び後の少なくとも一方で
、基板上に成膜された有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射することによって、有
機EL装置の長寿命化を実現することができる。
The present inventor has obtained a predetermined light in a predetermined gas atmosphere before and / or after heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere. It has been found that the emission life of the organic EL device is extended by irradiation. So, according to the present invention,
By irradiating a predetermined light in a predetermined gas atmosphere to the organic layer formed on the substrate at least one of before and after heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere, The lifetime of the organic EL device can be increased.

前記第1工程は、前記基板上に形成された第1電極上に前記有機層を成膜し、前記第2
工程及び前記第3工程が完了した後、前記有機層上に第2電極を形成する構成を採用する
ことができる。
In the first step, the organic layer is formed on the first electrode formed on the substrate, and the second step is performed.
After the step and the third step are completed, a configuration in which the second electrode is formed on the organic layer can be adopted.

すなわち、本発明者は、基板上に形成された第1電極上に有機層を成膜した後、その基
板上の第1電極上に成膜された有機層に対して、第2工程及び第3工程のいずれか一方を
行った後、他方を行い、それら第2工程及び第3工程が完了した後、その有機層上に第2
電極を形成することによって、有機EL装置の長寿命化を実現することができることを見
出した。
That is, the inventor forms an organic layer on the first electrode formed on the substrate, and then performs the second step and the second step on the organic layer formed on the first electrode on the substrate. After performing any one of the three steps, the other is performed, and after the second step and the third step are completed, the second layer is formed on the organic layer.
It has been found that the lifetime of the organic EL device can be increased by forming the electrode.

前記第3工程は、前記有機層に大気雰囲気中で白色光を照射する構成を採用することが
できる。
The third step may employ a configuration in which the organic layer is irradiated with white light in an air atmosphere.

すなわち、本発明者は、有機層に大気雰囲気中で白色光を照射することで、有機EL装
置の長寿命化を実現することができることを見出した。
That is, the present inventor has found that the organic EL device can have a long lifetime by irradiating the organic layer with white light in an air atmosphere.

前記第3工程は、前記有機層に大気雰囲気中で紫外光を照射する構成を採用することが
できる。
The third step may employ a configuration in which the organic layer is irradiated with ultraviolet light in an air atmosphere.

すなわち、本発明者は、有機層に大気雰囲気中で紫外光を照射することで、有機EL装
置の長寿命化を実現することができることを見出した。
That is, the present inventor has found that the organic EL device can have a long lifetime by irradiating the organic layer with ultraviolet light in an air atmosphere.

前記第3工程は、前記有機層に不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射する構成を採用する
ことができる。
The third step may employ a configuration in which the organic layer is irradiated with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.

すなわち、本発明者は、有機層に不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射することで、有機
EL装置の長寿命化を実現することができることを見出した。
That is, the present inventor has found that the organic EL device can have a long lifetime by irradiating the organic layer with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.

前記不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素、ネオン、キセノン、及びクリプトンの
少なくとも1つを含む構成を採用することができる。
The inert gas may employ a configuration including at least one of helium, argon, nitrogen, neon, xenon, and krypton.

これにより、第2工程中における有機層の劣化を防止できる。   Thereby, deterioration of the organic layer during the second step can be prevented.

前記第1工程は、前記有機層を形成するための材料を含む液体材料を液滴吐出法に基づ
いて前記基板上に吐出することを含む構成を採用することができる。
The first step may employ a configuration including discharging a liquid material including a material for forming the organic layer onto the substrate based on a droplet discharge method.

これにより、有機層を効率良く成膜することができる。   Thereby, an organic layer can be formed efficiently.

また本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装
置において、基板上に成膜された前記有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱可能な第1処理
装置と、基板上に成膜された前記有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射可能な第2
処理装置と、前記基板上に成膜された前記有機層を前記第1処理装置で処理する前及び後
の少なくとも一方で、前記有機層を前記第2処理装置で処理する制御装置とを備えた有機
エレクトロルミネッセンス装置の製造装置を提供する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a manufacturing apparatus for an organic electroluminescence device having an organic layer capable of emitting light, a first processing apparatus capable of heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere; The second organic layer can be irradiated with predetermined light in a predetermined gas atmosphere.
A processing apparatus; and a control apparatus for processing the organic layer with the second processing apparatus at least before and after the organic layer formed on the substrate is processed with the first processing apparatus. An apparatus for manufacturing an organic electroluminescence device is provided.

本発明によれば、基板上に成膜された有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱する前及び後
の少なくとも一方で、基板上に成膜された有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射す
ることができ、有機EL装置の長寿命化を実現することができる。
According to the present invention, the organic layer formed on the substrate is heated in the inert gas atmosphere before and after the organic layer formed on the substrate is subjected to the predetermined light in the predetermined gas atmosphere. The life of the organic EL device can be extended.

前記有機層が成膜された前記基板を収容可能な第1空間を形成する第1収容装置と、前
記第1空間を不活性ガス雰囲気及び大気雰囲気のいずれか一方に調整可能な調整装置とを
備え、前記第1処理装置は、前記不活性ガス雰囲気にされた前記第1空間に収容された前
記基板上に成膜された前記有機層を加熱して焼成する加熱装置を含み、前記第2処理装置
は、前記不活性ガス雰囲気及び前記大気雰囲気のいずれか一方にされた前記第1空間に収
容された前記基板上に成膜された前記有機層に白色光及び紫外光のいずれか一方を照射す
る照射装置を含む構成を採用することができる。
A first storage device that forms a first space in which the substrate on which the organic layer is formed can be stored; and an adjustment device that can adjust the first space to one of an inert gas atmosphere and an air atmosphere. The first processing apparatus includes a heating apparatus that heats and bakes the organic layer formed on the substrate housed in the first space in the inert gas atmosphere, and the second processing apparatus includes: The processing apparatus applies either one of white light and ultraviolet light to the organic layer formed on the substrate accommodated in the first space in the inert gas atmosphere or the air atmosphere. A configuration including an irradiation device for irradiation can be employed.

これにより、第1空間において、有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱することと、大気
雰囲気中もしくは不活性ガス雰囲気中で有機層に白色光もしくは紫外光を照射することを
行うことができ、処理効率を向上できる。
Thereby, in the first space, the organic layer can be heated in an inert gas atmosphere, and the organic layer can be irradiated with white light or ultraviolet light in an air atmosphere or an inert gas atmosphere. Processing efficiency can be improved.

前記基板上に前記有機層を成膜するために、該有機層を形成するための材料を含む液体
材料を前記基板上に吐出する液滴吐出装置を備えた構成を採用することができる。
In order to form the organic layer on the substrate, a configuration including a droplet discharge device that discharges a liquid material including a material for forming the organic layer onto the substrate can be employed.

これにより、有機層を効率良く成膜することができる。   Thereby, an organic layer can be formed efficiently.

前記液滴吐出装置は、前記基板上に形成された第1電極上に前記有機層を成膜し、前記
第1処理装置及び前記第2処理装置の処理が完了した後、前記有機層上に第2電極を形成
する電極形成装置を備えた構成を採用することができる。
The droplet discharge device forms the organic layer on the first electrode formed on the substrate, and after the processing of the first processing device and the second processing device is completed, on the organic layer The structure provided with the electrode formation apparatus which forms a 2nd electrode is employable.

これにより、基板上に形成された第1電極上に有機層を成膜することができる。そして
、その基板上の第1電極上に成膜された有機層に対して、第2処理装置及び第3処理装置
のいずれか一方を用いた処理を行った後、他方を用いた処理を行い、それらの処理が完了
した後、その有機層上に第2電極を形成することによって、有機EL装置の長寿命化を実
現することができる。
Thereby, an organic layer can be formed on the first electrode formed on the substrate. Then, the organic layer formed on the first electrode on the substrate is processed using one of the second processing apparatus and the third processing apparatus, and then processed using the other. After these processes are completed, the lifetime of the organic EL device can be extended by forming the second electrode on the organic layer.

前記電極形成装置は第2空間を有し、前記第2空間に前記有機層が成膜された前記基板
を収容して蒸着により前記第2電極を形成する構成を採用することができる。
The electrode forming apparatus has a second space, and can adopt a configuration in which the second electrode is formed by vapor deposition by accommodating the substrate on which the organic layer is formed in the second space.

これにより、有機層が処理される第1空間とは別の第2空間で、第1空間で処理された
有機層上に、蒸着によって第2電極を円滑に形成することができる。
Accordingly, the second electrode can be smoothly formed by vapor deposition on the organic layer processed in the first space in the second space different from the first space in which the organic layer is processed.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関
係について説明する。そして、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内において
X軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(
すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。更には、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転方向
をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, and a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is a direction orthogonal to the Y-axis direction, the X-axis direction, and the Y-axis direction (
That is, the vertical direction) is taken as the Z-axis direction. Furthermore, the rotation directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は第1実施形態に係る有機EL装置を示す側断面
図である。図1において、有機EL装置Sは、基板1と、基板1上に設けられた発光素子
(有機EL素子)2と、基板1に接続され、発光素子2を覆う封止部材20とを備えてい
る。発光素子2は基板1の表面(能動面)1Aに設けられている。また、有機EL装置S
は、発光素子2を駆動するための不図示の駆動素子(チップ)を備えている。駆動素子は
、例えば封止部材20によって形成される封止空間10の外部に設けられる。そして、基
板1の表面1Aには、発光素子2と駆動素子とを電気的に接続する接続部材(配線)が設
けられている。封止部材20は、基板1との間に発光素子2を配置するための封止空間1
0を形成しつつ、基板1に接着剤8を介して接続されている。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a side sectional view showing an organic EL device according to the first embodiment. In FIG. 1, the organic EL device S includes a substrate 1, a light emitting element (organic EL element) 2 provided on the substrate 1, and a sealing member 20 connected to the substrate 1 and covering the light emitting element 2. Yes. The light emitting element 2 is provided on the surface (active surface) 1A of the substrate 1. Organic EL device S
Includes a driving element (chip) (not shown) for driving the light emitting element 2. The drive element is provided outside the sealing space 10 formed by the sealing member 20, for example. A connecting member (wiring) for electrically connecting the light emitting element 2 and the driving element is provided on the surface 1A of the substrate 1. The sealing member 20 has a sealing space 1 for disposing the light emitting element 2 between the sealing member 20 and the substrate 1.
0 is formed and connected to the substrate 1 via an adhesive 8.

封止部材20は断面視下向きコ状に形成されており、基板1との間で封止空間10を形
成している。封止部材20は、基板1の第1領域41と貼り合わせられる第2領域42を
有している。第1領域41は、基板1の表面1Aのうち発光素子2が設けられている部分
の外側に設定されている。第2領域42は、封止部材20の下端面に設定されており、第
1領域41と対向している。そして、第1領域41と第2領域42とが接着剤8を介して
貼り合わせられることによって、平板状の基板1と封止部材20との間で、発光素子2を
封止する封止空間10が形成される。
The sealing member 20 is formed in a U shape that is downwardly viewed in cross section, and forms a sealing space 10 with the substrate 1. The sealing member 20 has a second region 42 that is bonded to the first region 41 of the substrate 1. The first region 41 is set outside the portion of the surface 1A of the substrate 1 where the light emitting element 2 is provided. The second region 42 is set on the lower end surface of the sealing member 20 and faces the first region 41. A sealing space for sealing the light emitting element 2 between the flat substrate 1 and the sealing member 20 by bonding the first region 41 and the second region 42 via the adhesive 8. 10 is formed.

発光素子2は、基板1の表面1Aに形成された陽極3と、発光可能な有機層11と、陰
極7とを備えている。陽極3及び陰極7は、有機層11を挟むように設けられている。有
機層11は、正孔注入層4と、正孔輸送性中間層5と、発光層6とを含む。正孔注入層4
及び正孔輸送性中間層5は、発光層6と陽極3との間に設けられた層である。
The light emitting element 2 includes an anode 3 formed on the surface 1A of the substrate 1, an organic layer 11 capable of emitting light, and a cathode 7. The anode 3 and the cathode 7 are provided so as to sandwich the organic layer 11. The organic layer 11 includes a hole injection layer 4, a hole transporting intermediate layer 5, and a light emitting layer 6. Hole injection layer 4
The hole transporting intermediate layer 5 is a layer provided between the light emitting layer 6 and the anode 3.

封止空間10に設けられた発光素子2の陽極3は、駆動素子と接続部材(配線)を介し
て電気的に接続されている。また不図示ではあるが、発光素子2の陰極7も駆動素子と電
気的に接続されている。発光素子2の陽極3及び陰極7には、駆動素子より駆動信号を含
む電力(電流)が供給される。また、封止空間10にはゲッター剤と呼ばれる乾燥剤9が
設けられている。乾燥剤9は、封止部材20のうち、基板1の表面1Aと対向する天井面
20Bに設けられている。乾燥剤9により、発光素子2の水分等による劣化が抑制され、
良好な封止性能を長期間維持することができる。
The anode 3 of the light emitting element 2 provided in the sealed space 10 is electrically connected to the driving element via a connection member (wiring). Although not shown, the cathode 7 of the light emitting element 2 is also electrically connected to the driving element. Power (current) including a drive signal is supplied from the drive element to the anode 3 and the cathode 7 of the light emitting element 2. Further, a desiccant 9 called a getter agent is provided in the sealed space 10. The desiccant 9 is provided on the ceiling surface 20 </ b> B of the sealing member 20 facing the surface 1 </ b> A of the substrate 1. The desiccant 9 suppresses deterioration of the light emitting element 2 due to moisture, etc.
Good sealing performance can be maintained for a long time.

封止部材20は、外部空間から封止空間10に対して、水分及び酸素等を含む大気が侵
入することを遮断するものである。封止部材20を形成するための形成材料としては、所
望の封止性能を有していれば特に限定されず、例えばガラスや石英、合成樹脂、あるいは
金属など水分透過率の小さい材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、ソー
ダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガ
ラスなどを用いることができる。合成樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポ
リアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などを用
いることができる。金属としては、アルミニウムやステンレス等を用いることができる。
The sealing member 20 blocks the intrusion of air including moisture and oxygen from the external space into the sealing space 10. The forming material for forming the sealing member 20 is not particularly limited as long as it has a desired sealing performance. For example, a material having a low moisture permeability such as glass, quartz, synthetic resin, or metal is used. Can do. As the glass, for example, soda lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, silica glass and the like can be used. As the synthetic resin, a transparent synthetic resin such as polyolefin, polyester, polyacrylate, polycarbonate, polyether ketone, or the like can be used. As the metal, aluminum, stainless steel, or the like can be used.

乾燥剤9としては、封止空間10において所望の乾燥機能(吸湿機能)を有していれば
特に限定されないが、例えば、シリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化カルシウム、酸化
ゲルマニウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、五酸化リン、塩化カルシウムなどを用
いることができる。
The desiccant 9 is not particularly limited as long as it has a desired drying function (moisture absorption function) in the sealed space 10. For example, silica gel, zeolite, activated carbon, calcium oxide, germanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, Phosphorus pentoxide, calcium chloride, or the like can be used.

接着剤8は、第1領域41(又は第2領域42)の全域に設けられる。接着剤8として
は、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定され
ない。本実施形態の接着剤8には、紫外光(UV)の照射により硬化する光硬化性エポキ
シ樹脂が用いられている。なお、接着剤8としては、光硬化性材料に限られず、熱硬化性
材料でもよいし、互いに異なる2種類以上の材料を混合することによって硬化させるもの
であってもよい。
The adhesive 8 is provided over the entire first region 41 (or the second region 42). The adhesive 8 is not particularly limited as long as it can maintain a stable adhesive strength and has good airtightness. For the adhesive 8 of this embodiment, a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet light (UV) is used. Note that the adhesive 8 is not limited to a photocurable material, and may be a thermosetting material, or may be cured by mixing two or more different materials.

本実施形態の有機EL装置Sは、発光素子2からの発光を基板1側から装置外部に取り
出す形態、所謂ボトム・エミッションである。基板1は、光を透過可能な透明あるいは半
透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などによって形
成されている。
The organic EL device S of the present embodiment is a so-called bottom emission mode in which light emitted from the light emitting element 2 is extracted from the substrate 1 side to the outside of the device. The substrate 1 is formed of a transparent or translucent material that can transmit light, for example, transparent glass, quartz, sapphire, or a transparent synthetic resin such as polyester, polyacrylate, polycarbonate, or polyetherketone.

陽極3は、印加された電圧によって正孔を正孔注入層4に注入するものであり、例えば
、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)などの透明導電膜により形成されて
いる。
The anode 3 injects holes into the hole injection layer 4 by an applied voltage, and is formed of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide).

正孔注入層4は、陽極3の正孔を発光層6に輸送・注入するためのものであり、陽極3
上に設けられている。正孔注入層4としては、公知の材料を用いることができ、例えば、
ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロールなどを用いることができる。更に具体的に
は、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/
PSS)などを用いることができる。
The hole injection layer 4 is for transporting and injecting holes of the anode 3 to the light emitting layer 6.
It is provided above. As the hole injection layer 4, a known material can be used, for example,
Polythiophene, polyaniline, polypyrrole, etc. can be used. More specifically, 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT /
PSS) or the like can be used.

正孔輸送性中間層5は、正孔注入層4と発光層6との間に設けられており、陽極3から
発光層6に対する正孔の輸送性(注入性)を向上するために設けられている。また、正孔
輸送性中間層5は、電子をブロックすることで発光層内に電子をとどめる機能を有してい
てもよい。正孔輸送性中間層5は、例えば正孔輸送性の良好なトリフェニルアミン系ポリ
マーを含んで構成されている。
The hole transporting intermediate layer 5 is provided between the hole injection layer 4 and the light emitting layer 6 and is provided to improve the hole transportability (injection property) from the anode 3 to the light emitting layer 6. ing. The hole transporting intermediate layer 5 may have a function of retaining electrons in the light emitting layer by blocking electrons. The hole transporting intermediate layer 5 includes, for example, a triphenylamine-based polymer having a good hole transporting property.

発光層6は、陽極3から正孔注入層4を経て注入された正孔と、陰極7から注入された
電子とを結合して蛍光を発生させる機能を有する。発光層6を形成する材料としては、蛍
光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。例えば、
ポリフルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポ
リフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバ
ゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)など
のポリシラン系などを用いることができる。
The light emitting layer 6 has a function of generating fluorescence by combining holes injected from the anode 3 through the hole injection layer 4 and electrons injected from the cathode 7. As a material for forming the light emitting layer 6, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. For example,
Such as polyfluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethylphenylsilane (PMPS), etc. Polysilane or the like can be used.

また、発光層6と陰極7との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層は、発光層6
に電子を注入する役割を果たすものである。電子輸送層を形成する材料としては、オキサ
ジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体
、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラ
キノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びそ
の誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体な
どを用いることができる。
Further, an electron transport layer may be provided between the light emitting layer 6 and the cathode 7. The electron transport layer is the light emitting layer 6
It plays the role of injecting electrons. Materials for forming the electron transport layer include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives , Diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, and the like can be used.

陰極7は、発光層6へ効率的に電子注入を行うことができる仕事関数の低い金属、例え
ばアルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、銀(Ag)又はカルシウ
ム(Ca)等の金属材料から形成されている。
The cathode 7 is a metal having a low work function that can efficiently inject electrons into the light emitting layer 6, such as aluminum (Al), magnesium (Mg), gold (Au), silver (Ag), calcium (Ca), and the like. It is made of a metal material.

そして、駆動素子より発光素子2に駆動信号が供給されると、陽極3と陰極7との間に
電流が流れ、発光素子2が発光して透明な基板1の外面側に光が射出される。
When a driving signal is supplied from the driving element to the light emitting element 2, a current flows between the anode 3 and the cathode 7, the light emitting element 2 emits light, and light is emitted to the outer surface side of the transparent substrate 1. .

次に、上述した構成を有する有機EL装置Sの製造方法について、図2に示すフローチ
ャート図を参照しながら説明する。有機EL装置Sは、後述するような液滴吐出装置IJ
及び処理装置Tを含む製造装置によって製造される。
Next, a method for manufacturing the organic EL device S having the above-described configuration will be described with reference to the flowchart shown in FIG. The organic EL device S is a droplet discharge device IJ as described later.
And a manufacturing apparatus including the processing apparatus T.

図2に示すように、本実施形態における有機EL装置Sの製造方法は、基板1上に上述
の発光層6を含む有機層11を成膜する第1工程SP1と、基板1上に成膜された有機層
11に大気雰囲気中で白色光を照射する第2工程SP2と、基板1上に成膜された有機層
11を不活性ガス雰囲気中で加熱する第3工程SP3とを有する。なお、正孔注入層4、
正孔輸送性中間層5、及び発光層6を含む有機層11を成膜する前には、基板1上に陽極
3を形成する工程が行われ、第1工程SP1においては、その基板1上に形成された陽極
3上に有機層11が成膜される。
As shown in FIG. 2, the manufacturing method of the organic EL device S according to the present embodiment includes a first step SP <b> 1 for forming the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1, and a film formation on the substrate 1. A second step SP2 for irradiating the organic layer 11 with white light in an air atmosphere; and a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The hole injection layer 4,
Before the organic layer 11 including the hole transporting intermediate layer 5 and the light emitting layer 6 is formed, a step of forming the anode 3 on the substrate 1 is performed. In the first step SP1, on the substrate 1 An organic layer 11 is formed on the anode 3 formed in the above.

図3に示すように、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4、及び正
孔輸送性中間層5がこの順で設けられる。これら各層を設ける場合には、例えばフォトリ
ソグラフィ法や液滴吐出法等、公知の所定の手法を用いることができる。なお、図3には
不図示であるが、基板1の表面1Aには既に配線(接続部材)等が形成されている。
As shown in FIG. 3, on the surface (active surface) 1A of the substrate 1, an anode 3, a hole injection layer 4, and a hole transporting intermediate layer 5 are provided in this order. When these layers are provided, a known predetermined method such as a photolithography method or a droplet discharge method can be used. Although not shown in FIG. 3, wiring (connection member) and the like are already formed on the surface 1 </ b> A of the substrate 1.

図3において、発光層6を形成するための材料を含む液体材料が液滴吐出法(インクジ
ェット法)に基づいて基板1上に設けられた正孔輸送性中間層5上に吐出される。液滴吐
出法とは、形成しようとする材料層を形成するための形成材料を液体材料にし、その液体
材料をディスペンサやインクジェット装置などの液滴吐出装置を用いて定量的に吐出する
ことによって、所望領域に前記形成材料を塗布する方法である。すなわち、液滴吐出ヘッ
ド(インクジェットヘッド)301に設けられたノズル325と基板1とを対向させた状
態でノズル325と基板1とを相対移動させつつ、ノズル325から1滴あたりの液量が
制御された液体材料の液滴を吐出することによって、基板1上(正孔輸送性中間層5上)
に液体材料による所望形状の膜パターンが形成される。こうして、基板1上(正孔輸送性
中間層5上)に発光層6が成膜される。
In FIG. 3, a liquid material containing a material for forming the light emitting layer 6 is discharged onto a hole transporting intermediate layer 5 provided on the substrate 1 based on a droplet discharge method (inkjet method). In the droplet discharge method, a forming material for forming a material layer to be formed is a liquid material, and the liquid material is quantitatively discharged using a droplet discharge device such as a dispenser or an inkjet device. In this method, the forming material is applied to a desired region. That is, the amount of liquid per droplet from the nozzle 325 is controlled while the nozzle 325 and the substrate 1 are relatively moved while the nozzle 325 provided in the droplet discharge head (inkjet head) 301 is opposed to the substrate 1. On the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) by discharging a droplet of the liquid material formed
A film pattern having a desired shape is formed on the liquid material. Thus, the light emitting layer 6 is formed on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5).

図4は、液滴吐出法(インクジェット法)に用いられる液滴吐出装置(インクジェット
装置)IJの概略構成を示す斜視図である。この液滴吐出装置IJは、基板1上に発光層
6を含む有機層11を成膜するために、その有機層11を形成するための材料を含む液体
材料を基板1上に液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッド)301のノズル325から吐
出するものである。液滴吐出装置IJは、基台309と、基台309上に設けられ、基板
1を支持するステージ307と、基台309上でステージ307をY軸方向に駆動するY
軸方向駆動モータ303と、ステージ307のY軸方向への移動をガイドするY軸方向ガ
イド軸305と、ステージ307に支持された基板1上に対して液体材料を吐出する液滴
吐出ヘッド301と、液滴吐出ヘッド301をX軸方向に駆動するX軸方向駆動モータ3
02と、液滴吐出ヘッド301のX軸方向への移動をガイドするX軸方向ガイド軸304
と、クリーニング機構308と、液滴吐出装置IJの動作を制御する制御装置C1とを備
えている。
FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a droplet discharge device (inkjet device) IJ used in a droplet discharge method (inkjet method). In this droplet discharge device IJ, in order to form the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1, a liquid material including a material for forming the organic layer 11 is applied to the droplet discharge head on the substrate 1. (Inkjet head) The ink is discharged from the nozzle 325 of the 301. The droplet discharge device IJ is provided on a base 309, a base 309, a stage 307 that supports the substrate 1, and a Y that drives the stage 307 in the Y-axis direction on the base 309.
An axial drive motor 303, a Y-axis guide shaft 305 that guides the movement of the stage 307 in the Y-axis direction, and a droplet discharge head 301 that discharges a liquid material onto the substrate 1 supported by the stage 307 X-axis direction drive motor 3 for driving the droplet discharge head 301 in the X-axis direction
02 and an X-axis direction guide shaft 304 that guides the movement of the droplet discharge head 301 in the X-axis direction.
And a cleaning mechanism 308 and a control device C1 for controlling the operation of the droplet discharge device IJ.

ステージ307は、基板1を支持するものであって、基板1を基準位置に固定する不図
示の固定機構を備えている。Y軸方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないよ
うに固定されている。ステージ307は、Y軸方向駆動モータ303を備えている。Y軸
方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置C1からY軸方向の駆動
信号が供給されると、ステージ307をY軸方向に移動する。
The stage 307 supports the substrate 1 and includes a fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate 1 at a reference position. The Y-axis direction guide shaft 305 is fixed so as not to move with respect to the base 309. The stage 307 includes a Y-axis direction drive motor 303. The Y-axis direction drive motor 303 is a stepping motor or the like, and moves the stage 307 in the Y-axis direction when a drive signal in the Y-axis direction is supplied from the control device C1.

液滴吐出ヘッド301は、複数のノズル325を備えたマルチノズルタイプの液滴吐出
ヘッドであり、その長手方向とX軸方向とが一致している。複数のノズル325は、液滴
吐出ヘッド301の下面にX軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド
301のノズル325からは、ステージ307に支持されている基板1に対して液体材料
の液滴が吐出される。X軸方向ガイド軸304には、X軸方向駆動モータ302が接続さ
れている。X軸方向駆動モータ302はステッピングモータ等であり、制御装置C1から
X軸方向の駆動信号が供給されると、X軸方向ガイド軸304を回転させる。X軸方向ガ
イド軸304が回転すると、液滴吐出ヘッド301はX軸方向に移動する。
The droplet discharge head 301 is a multi-nozzle type droplet discharge head provided with a plurality of nozzles 325, and the longitudinal direction thereof coincides with the X-axis direction. The plurality of nozzles 325 are provided on the lower surface of the droplet discharge head 301 along the X-axis direction at regular intervals. A liquid material droplet is discharged from the nozzle 325 of the droplet discharge head 301 to the substrate 1 supported by the stage 307. An X-axis direction drive motor 302 is connected to the X-axis direction guide shaft 304. The X-axis direction drive motor 302 is a stepping motor or the like, and rotates the X-axis direction guide shaft 304 when a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device C1. When the X-axis direction guide shaft 304 rotates, the droplet discharge head 301 moves in the X-axis direction.

制御装置C1は、液滴吐出ヘッド301に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、
X軸方向駆動モータ302に液滴吐出ヘッド301のX軸方向の移動を制御する駆動パル
ス信号を、Y軸方向駆動モータ303にステージ307のY軸方向の移動を制御する駆動
パルス信号を供給する。
The control device C1 supplies a droplet discharge control voltage to the droplet discharge head 301. Also,
A drive pulse signal for controlling movement of the droplet discharge head 301 in the X-axis direction is supplied to the X-axis direction drive motor 302, and a drive pulse signal for controlling movement of the stage 307 in the Y-axis direction is supplied to the Y-axis direction drive motor 303. .

クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。ク
リーニング機構308には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY
軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構308は、Y軸方向ガイド軸305
に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置C1により制御される。
The cleaning mechanism 308 is for cleaning the droplet discharge head 301. The cleaning mechanism 308 includes a Y-axis direction drive motor (not shown). This Y
The cleaning mechanism 308 moves the Y-axis direction guide shaft 305 by driving the axial drive motor.
Move along. The movement of the cleaning mechanism 308 is also controlled by the control device C1.

図5は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの概略
構成図である。図5において、液体材料を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子3
22が設置されている。液体室321には、供給系323を介して液体材料が供給される
。ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピ
エゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させて液体室321を弾性変形
させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル325から液体材料の液
滴が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピ
エゾ素子322の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させる
ことにより、ピエゾ素子322の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液
滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a droplet discharge head for explaining the principle of discharging a liquid material by a piezo method. In FIG. 5, the piezo element 3 is adjacent to the liquid chamber 321 for containing the liquid material.
22 is installed. A liquid material is supplied to the liquid chamber 321 through a supply system 323. The piezo element 322 is connected to a drive circuit 324, and a voltage is applied to the piezo element 322 via the drive circuit 324 to deform the piezo element 322 and elastically deform the liquid chamber 321. Then, a droplet of the liquid material is ejected from the nozzle 325 by the change in the internal volume during the elastic deformation. In this case, the amount of distortion of the piezo element 322 can be controlled by changing the value of the applied voltage. In addition, the strain rate of the piezo element 322 can be controlled by changing the frequency of the applied voltage. Since the droplet discharge by the piezo method does not apply heat to the material, it has an advantage of hardly affecting the composition of the material.

発光層6を液滴吐出法を用いて成膜することにより、製造コストを低減することができ
る。すなわち、液滴吐出法では、基板1上の所望の局所領域に材料を配置することが可能
であるから、フォトリソグラフィ法等に比べて膜形成のプロセスが簡素であるとともに使
用材料に無駄が少ない。
Manufacturing cost can be reduced by forming the light emitting layer 6 using the droplet discharge method. In other words, since the material can be disposed in a desired local region on the substrate 1 in the droplet discharge method, the film formation process is simple and the use material is less wasteful than the photolithography method or the like. .

なおここでは、液滴吐出法を用いて発光層6を成膜するように説明したが、もちろん、
正孔注入層4や正孔輸送性中間層5を液滴吐出装置IJを用いて成膜するようにしてもよ
い。
In addition, although demonstrated here that the light emitting layer 6 was formed into a film using the droplet discharge method, of course,
The hole injection layer 4 and the hole transporting intermediate layer 5 may be formed using the droplet discharge device IJ.

また、本実施形態においては、正孔注入層4、正孔輸送性中間層5、及び発光層6を含
む有機層11を成膜する第1工程SP1は、大気雰囲気中で行われる。本実施形態におい
ては、大気雰囲気(大気状態)とは、例えば温度が15℃以上、湿度が20%以上、酸素
濃度が18%以上の雰囲気(状態)を含む。
In the present embodiment, the first step SP1 for forming the organic layer 11 including the hole injection layer 4, the hole transporting intermediate layer 5, and the light emitting layer 6 is performed in an air atmosphere. In the present embodiment, the atmospheric atmosphere (air condition) includes, for example, an atmosphere (state) in which the temperature is 15 ° C. or higher, the humidity is 20% or higher, and the oxygen concentration is 18% or higher.

なお、有機層11を成膜する第1工程SP1を、不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。
不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、窒素、ネオン、キセノン、及びクリプトンの
少なくとも1つを用いることができる。また、本実施形態においては、不活性ガス雰囲気
(不活性ガス状態)とは、酸素濃度及び水分濃度のそれぞれが、1ppm以下である雰囲
気(状態)を含む。
Note that the first step SP1 for forming the organic layer 11 may be performed in an inert gas atmosphere.
As the inert gas, at least one of helium, argon, nitrogen, neon, xenon, and krypton can be used. In the present embodiment, the inert gas atmosphere (inert gas state) includes an atmosphere (state) in which each of the oxygen concentration and the water concentration is 1 ppm or less.

液滴吐出法に基づいて基板1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基
板1上に成膜された発光層6(有機層11)に対して大気雰囲気中で白色光を照射する処
理が施される。図6は、基板1上に成膜された有機層11を処理する処理装置Tを示す模
式図である。
After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on the droplet discharge method, the atmosphere is applied to the light emitting layer 6 (organic layer 11) formed on the substrate 1. A process of irradiating white light in an atmosphere is performed. FIG. 6 is a schematic diagram showing a processing apparatus T that processes the organic layer 11 formed on the substrate 1.

図6において、処理装置Tは、有機層11が成膜された基板1を収容可能な第1空間5
6を形成する第1収容装置50と、第1空間56とは別に設けられ、有機層11が成膜さ
れた基板1を収容可能な第2空間66を形成する第2収容装置60と、第1空間56を不
活性ガス雰囲気にするための不活性ガス供給装置51と、第1空間56を大気雰囲気にす
るための大気供給装置52と、基板1上に成膜された有機層11を加熱可能な加熱装置5
3と、基板1上に成膜された有機層11に所定の光を照射可能な照射装置68と、第2収
容装置60に設けられ、第2空間66に有機層11が成膜された基板1を収容して、有機
層11(発光層6)上に陰極7を蒸着により形成可能な電極形成装置63と、第1空間5
6と第2空間66との間で基板1を搬送可能な搬送装置57と、処理装置Tの動作を制御
する制御装置C2とを備えている。
In FIG. 6, the processing apparatus T includes a first space 5 that can accommodate the substrate 1 on which the organic layer 11 is formed.
A second storage device 60 that forms a second space 66 that is provided separately from the first space 56 and that can accommodate the substrate 1 on which the organic layer 11 is formed, An inert gas supply device 51 for making the first space 56 an inert gas atmosphere, an air supply device 52 for making the first space 56 an air atmosphere, and heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 Possible heating device 5
3, an irradiation device 68 capable of irradiating the organic layer 11 formed on the substrate 1 with predetermined light, and a substrate on which the organic layer 11 is formed in the second space 66. 1 and an electrode forming device 63 capable of forming a cathode 7 on the organic layer 11 (light emitting layer 6) by vapor deposition, and a first space 5
6 and a second space 66, a transfer device 57 capable of transferring the substrate 1 and a control device C2 for controlling the operation of the processing device T are provided.

第1空間56と第2空間66とは通路59を介して接続されており、搬送装置57は通
路59を移動可能である。また、第1空間56と通路59との間には扉58Aが設けられ
、第2空間66と通路59との間には扉58Bが設けられている。制御装置C2は、扉5
8A、58Bを用いて、通路59を閉じることにより、第1空間56と第2空間66との
間でのガスの出入りを防止している。
The first space 56 and the second space 66 are connected via a passage 59, and the transfer device 57 can move in the passage 59. A door 58 </ b> A is provided between the first space 56 and the passage 59, and a door 58 </ b> B is provided between the second space 66 and the passage 59. Control device C2 is door 5
8A and 58B are used to close the passage 59, thereby preventing gas from entering and leaving between the first space 56 and the second space 66.

不活性ガス供給装置51には流路51Aの一端が接続され、大気供給装置52には流路
52Aの一端が接続されている。流路51Aの他端及び流路52Aの他端のそれぞれには
バルブを含む流路切替機構54が接続されている。また、流路切替機構54と第1空間5
6とは流路55を介して接続されている。制御装置C2は、流路切替機構54を制御する
ことにより、不活性ガス供給装置51と第1空間56とを流路51A及び流路55を介し
て接続可能である。そして、不活性ガス供給装置51と第1空間56とが流路51A及び
流路55を介して接続されているときには、流路切替機構54によって、大気供給装置5
2と第1空間56とを接続する流路52A及び流路55の途中が遮断される。同様に、制
御装置C2は、流路切替機構54を制御することにより、大気供給装置52と第1空間5
6とを流路52A及び流路55を介して接続可能である。そして、大気供給装置52と第
1空間56とが流路52A及び流路55を介して接続されているときには、流路切替機構
54によって、不活性ガス供給装置51と第1空間56とを接続する流路51A及び流路
55の途中が遮断される。すなわち、制御装置C2は、不活性ガス供給装置51から流路
51A及び流路55を介して第1空間56に不活性ガスを供給可能な状態においては、大
気供給装置52から流路52A及び流路55を介して第1空間56に大気を供給不能な状
態にする。また、制御装置C2は、大気供給装置52から流路52A及び流路55を介し
て第1空間56に活性ガスを供給可能な状態においては、不活性ガス供給装置51から流
路51A及び流路55を介して第1空間56に不活性ガスを供給不能な状態にする。
One end of a flow path 51A is connected to the inert gas supply device 51, and one end of a flow path 52A is connected to the atmospheric supply device 52. A flow path switching mechanism 54 including a valve is connected to each of the other end of the flow path 51A and the other end of the flow path 52A. Further, the flow path switching mechanism 54 and the first space 5
6 is connected via a flow path 55. The control device C2 can connect the inert gas supply device 51 and the first space 56 via the flow channel 51A and the flow channel 55 by controlling the flow channel switching mechanism 54. When the inert gas supply device 51 and the first space 56 are connected via the flow channel 51A and the flow channel 55, the air supply device 5 is operated by the flow channel switching mechanism 54.
The middle of the flow path 52 </ b> A and the flow path 55 that connect 2 and the first space 56 is blocked. Similarly, the control device C2 controls the flow path switching mechanism 54, so that the air supply device 52 and the first space 5 are controlled.
6 can be connected via the flow path 52A and the flow path 55. When the air supply device 52 and the first space 56 are connected via the flow channel 52A and the flow channel 55, the inert gas supply device 51 and the first space 56 are connected by the flow channel switching mechanism 54. The middle of the flow path 51A and the flow path 55 is blocked. In other words, the control device C2 can supply the inert gas from the inert gas supply device 51 to the first space 56 via the flow channel 51A and the flow channel 55, and then the flow channel 52A and the flow from the atmospheric supply device 52. Air cannot be supplied to the first space 56 via the path 55. Further, the control device C2 can supply the active gas to the first space 56 from the air supply device 52 via the flow channel 52A and the flow channel 55, and then the flow channel 51A and the flow channel from the inert gas supply device 51. The inert gas cannot be supplied to the first space 56 via 55.

不活性ガス供給装置51は、第1空間56に対して不活性ガスを供給することにより、
第1空間56を不活性ガス雰囲気にする。上述のように、不活性ガスとしては、ヘリウム
、アルゴン、窒素、ネオン、キセノン、及びクリプトンの少なくとも1つを用いることが
できる。本実施形態においては、不活性ガス供給装置51は第1空間56に対して窒素を
供給する。制御装置C2は、不活性ガス供給装置51を用いることにより、第1空間56
の不活性ガス濃度(不活性ガスと大気(活性ガス)との割合)を調整することができる。
本実施形態においては、制御装置C2は、第1空間56における酸素濃度が1ppm以下
となるように、第1空間56を窒素で満たす。また、制御装置C2は、不活性ガス供給装
置51を用いることにより、第1空間56における水分濃度が1ppm以下となるように
、第1空間56を窒素で満たす。
The inert gas supply device 51 supplies an inert gas to the first space 56,
The first space 56 is set to an inert gas atmosphere. As described above, as the inert gas, at least one of helium, argon, nitrogen, neon, xenon, and krypton can be used. In the present embodiment, the inert gas supply device 51 supplies nitrogen to the first space 56. The control device C2 uses the inert gas supply device 51, so that the first space 56 is obtained.
The inert gas concentration (the ratio of the inert gas to the atmosphere (active gas)) can be adjusted.
In the present embodiment, the control device C2 fills the first space 56 with nitrogen so that the oxygen concentration in the first space 56 is 1 ppm or less. Further, the control device C2 uses the inert gas supply device 51 to fill the first space 56 with nitrogen so that the moisture concentration in the first space 56 is 1 ppm or less.

また、大気供給装置52は、第1空間56に対して大気を供給することにより、第1空
間56を大気雰囲気(酸素濃度が約20%、窒素濃度が約80%の雰囲気)にする。
The air supply device 52 supplies the air to the first space 56 to make the first space 56 an air atmosphere (an atmosphere having an oxygen concentration of about 20% and a nitrogen concentration of about 80%).

このように、本実施形態においては、制御装置C2は、不活性ガス供給装置51、大気
供給装置52、及び流路切替機構54などを用いて、第1空間56を、不活性ガス雰囲気
及び大気雰囲気のいずれか一方に調整可能である。
Thus, in the present embodiment, the control device C2 uses the inert gas supply device 51, the air supply device 52, the flow path switching mechanism 54, and the like to divide the first space 56 into the inert gas atmosphere and the atmosphere. It can be adjusted to either one of the atmospheres.

加熱装置53は、例えばホットプレート、又はオーブンを含む。本実施形態においては
、加熱装置53はホットプレートを備え、基板1を保持する保持面を有している。加熱装
置53は、保持面で基板1を保持した状態で、基板1及びその基板1上に成膜された発光
層6を含む有機層11を加熱することができる。また、加熱装置53は、所定の温度で基
板1上に成膜された有機層11を加熱することにより、その有機層11を焼成することが
できる。
The heating device 53 includes, for example, a hot plate or an oven. In the present embodiment, the heating device 53 includes a hot plate and has a holding surface for holding the substrate 1. The heating device 53 can heat the organic layer 11 including the substrate 1 and the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 in a state where the substrate 1 is held by the holding surface. In addition, the heating device 53 can fire the organic layer 11 by heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 at a predetermined temperature.

照射装置68は、第1収容装置50に設けられており、第1空間56に配置された基板
1上に成膜された有機層11(発光層6)に所定の光を照射する。本実施形態においては
、照射装置68は、有機層11に白色光を照射する。照射装置68としては、白色光を射
出可能な例えば蛍光灯が用いられる。
The irradiation device 68 is provided in the first housing device 50 and irradiates the organic layer 11 (light emitting layer 6) formed on the substrate 1 disposed in the first space 56 with predetermined light. In the present embodiment, the irradiation device 68 irradiates the organic layer 11 with white light. As the irradiation device 68, for example, a fluorescent lamp capable of emitting white light is used.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、大気供給装置52を用いて、基板1が収容された第1空間56を大気雰囲気に
するとともに、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含む有機層11
に白色光を所定時間照射する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機
層11に、大気雰囲気中で白色光を所定時間照射する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the atmospheric supply device 52 to change the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated. The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 by using the irradiation device 68 while making the atmosphere.
Is irradiated with white light for a predetermined time. As described above, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with white light in the air atmosphere for a predetermined time.

本実施形態においては、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲
気中で、常温(例えば25℃)で白色光を約60分間照射する。このように、処理装置T
は、大気雰囲気にされた第1空間56に収容された基板1上に成膜された有機層11に白
色光を所定時間照射する。
In the present embodiment, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with white light at normal temperature (for example, 25 ° C.) for about 60 minutes in the air atmosphere. Thus, the processing device T
Irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 accommodated in the first space 56 in an air atmosphere with white light for a predetermined time.

なお、第1空間56において有機層11に対して処理が行われている間は、扉58A、
58Bが閉じられているとともに、搬送装置57は通路59に配置されている。
Note that while the processing is being performed on the organic layer 11 in the first space 56, the door 58A,
While 58 </ b> B is closed, the transfer device 57 is disposed in the passage 59.

次に、制御装置C2は、流路切替機構54を駆動し、第1空間56に対して不活性ガス
供給装置51より不活性ガスを供給する。不活性ガス供給装置51は、第1空間56に対
して不活性ガスを供給することにより、第1空間56を不活性ガス雰囲気(窒素ガス雰囲
気)にする。
Next, the control device C <b> 2 drives the flow path switching mechanism 54 and supplies the inert gas from the inert gas supply device 51 to the first space 56. The inert gas supply device 51 makes the first space 56 an inert gas atmosphere (nitrogen gas atmosphere) by supplying an inert gas to the first space 56.

制御装置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56
を不活性ガス雰囲気にするとともに、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された発光
層6を含む有機層11を加熱して焼成する。このように、制御装置C2は、基板1上に成
膜された有機層11を、不活性ガス雰囲気中で加熱する。
The control device C2 uses the inert gas supply device 51, and the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated.
The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is heated and baked using the heating device 53. As described above, the control device C2 heats the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere.

制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱する際
、その有機層11を100℃以上で所定時間加熱する。本実施形態においては、制御装置
C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス中で、約130℃で約60分間加
熱して焼成する。このように、処理装置Tは、不活性ガス雰囲気にされた第1空間56に
収容された基板1上に成膜された有機層11を加熱して焼成する。
When heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere, the control device C2 heats the organic layer 11 at 100 ° C. or higher for a predetermined time. In the present embodiment, the control device C2 heats and bakes the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas at about 130 ° C. for about 60 minutes. As described above, the processing apparatus T heats and bakes the organic layer 11 formed on the substrate 1 accommodated in the first space 56 in an inert gas atmosphere.

なお、第1空間56において有機層11に対して処理が行われている間は、扉58A、
58Bが閉じられているとともに、搬送装置57は通路59に配置されている。
Note that while the processing is being performed on the organic layer 11 in the first space 56, the door 58A,
While 58 </ b> B is closed, the transfer device 57 is disposed in the passage 59.

第2工程SP2及び第3工程SP3が完了した後、制御装置C2は、電極形成装置63
を用いて、有機層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。制御装置C2は、第1空間
56における有機層11に対する処理が完了した後、扉58Aを開けて搬送装置57を第
1空間56に進入させ、搬送装置57を用いて第1空間56から基板1を搬出する。搬送
装置57を用いて第1空間56から基板1を搬出した後、制御装置C2は扉58Aを閉じ
る。制御装置C2は扉58Aを閉じた後、扉58Bを開け、基板1を保持した搬送装置5
7を第2空間66に進入させる。そして、制御装置C2は、基板1を第2空間66に設け
られた不図示の保持部材に載置した後、搬送装置57を通路59に移動し、扉58Bを閉
じる。これにより、第2空間66に有機層11が成膜された基板1が収容されたことにな
る。
After the completion of the second step SP2 and the third step SP3, the control device C2 uses the electrode forming device 63.
Is used to form the cathode 7 on the organic layer 11 (light emitting layer 6). After the processing for the organic layer 11 in the first space 56 is completed, the control device C2 opens the door 58A to enter the transport device 57 into the first space 56, and uses the transport device 57 to move the substrate 1 from the first space 56. Unload. After unloading the substrate 1 from the first space 56 using the transfer device 57, the control device C2 closes the door 58A. After the control device C2 closes the door 58A, the control device C2 opens the door 58B and holds the substrate 1.
7 enters the second space 66. Then, after placing the substrate 1 on a holding member (not shown) provided in the second space 66, the control device C2 moves the transfer device 57 to the passage 59 and closes the door 58B. As a result, the substrate 1 on which the organic layer 11 is formed is accommodated in the second space 66.

第2収容装置60の第2空間66に設けられている電極形成装置63は蒸着装置を含み
、制御装置C2は、第1空間56での処理が完了し、第2空間66に収容された基板1上
に成膜された有機層11(発光層6)上に、蒸着により陰極7を形成する。本実施形態に
おいては、電極形成装置63は、有機層11上にアルミニウムを蒸着する。また、有機層
11上にアルミニウムを蒸着するとき、制御装置C2は第2空間66を真空にして、真空
蒸着する。これにより、有機層11上にはアルミニウムからなる陰極7が形成される。以
上により、基板1上には、陽極3、有機層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成さ
れる。
The electrode forming device 63 provided in the second space 66 of the second storage device 60 includes a vapor deposition device, and the control device C2 completes the processing in the first space 56 and is stored in the second space 66. A cathode 7 is formed on the organic layer 11 (light emitting layer 6) formed on 1 by vapor deposition. In the present embodiment, the electrode forming device 63 deposits aluminum on the organic layer 11. Moreover, when vapor-depositing aluminum on the organic layer 11, the control device C2 makes the second space 66 a vacuum and vapor-deposits it. Thereby, the cathode 7 made of aluminum is formed on the organic layer 11. Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

なお、第1空間56から第2空間66に基板1を搬送するとき、第1空間56、通路5
9、及び第2空間66の大気(酸素、水分を含む)は十分に低減されており、制御装置C
2は、焼成工程である第3工程SP3が完了した後、有機層11を大気に触れされること
なく、第2空間66に収容して、真空蒸着することができる。
When the substrate 1 is transferred from the first space 56 to the second space 66, the first space 56, the passage 5
9 and the atmosphere (including oxygen and moisture) in the second space 66 are sufficiently reduced, and the control device C
2, after completion of the third step SP3 which is a baking step, the organic layer 11 can be accommodated in the second space 66 without being exposed to the atmosphere and vacuum-deposited.

また、第2空間66において有機層11に対して処理が行われている間は、扉58A、
58Bが閉じられているとともに、搬送装置57は通路59に配置されている。
Further, while the processing is being performed on the organic layer 11 in the second space 66, the door 58A,
While 58 </ b> B is closed, the transfer device 57 is disposed in the passage 59.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布される
。接着剤8を基板1上に塗布する際には、液滴吐出法を用いることができる。基板1の第
1領域41に接着剤8が塗布された後、基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部
材20の第2領域42とが接着剤8を介して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として
光硬化性接着剤が用いられている場合には、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫
外光)が照射される。この場合、接着剤8を硬化させるための光が発光素子2に照射され
ないように、所定位置に光を遮るマスクを配置することができる。このように、基板1に
封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2を配
置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1. When the adhesive 8 is applied on the substrate 1, a droplet discharge method can be used. After the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1, the first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 including the desiccant 9 are bonded together via the adhesive 8. It is done. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). In this case, a mask that blocks light can be disposed at a predetermined position so that the light emitting element 2 is not irradiated with light for curing the adhesive 8. Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, a sealing space 10 for arranging the light emitting element 2 is formed between the substrate 1 and the sealing member 20. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加
熱して焼成する前に、大気雰囲気中で白色光を照射することによって、発光素子2(有機
EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the organic layer 11 formed on the substrate 1 is inactivated. The light emission lifetime of the light emitting element 2 (organic EL device S) could be extended by irradiating white light in the air atmosphere before heating and baking in the gas atmosphere.

これは、発光層6を含む有機層11に大気雰囲気中で白色光を照射することにより、有
機層11に残留していた酸素成分が有機物と反応し、製造後の有機EL装置Sの駆動時(
有機層11に対する電力の印加時)における酸化還元反応が抑制されることが一因である
と考えられる。すなわち、有機層11を形成するための材料を含む液体材料の溶媒に溶解
している酸素などに起因して、第1工程SP1において成膜された有機層11に酸素が存
在している可能性がある。その酸素を放置しておくと、製造後の有機EL装置Sの駆動時
(有機層11に対する電力の印加時)に酸化還元反応が発生し、その酸化還元反応によっ
て、有機層11が劣化して、発光寿命が低下する可能性がある。本実施形態においては、
第1工程SP1において成膜された有機層11に酸素が存在していても、第1工程SP1
の後、陰極7を形成するまでの間に、有機層11に大気雰囲気中で白色光を照射し、有機
層11に存在する酸素を有機物と反応させることにより、製造後の有機EL装置Sの駆動
時(有機層11に対する電力の印加時)における酸化還元反応を抑制することができる可
能性がある。
This is because when the organic layer 11 including the light-emitting layer 6 is irradiated with white light in an air atmosphere, the oxygen component remaining in the organic layer 11 reacts with the organic substance, and the organic EL device S after manufacture is driven. (
It is considered that one reason is that the oxidation-reduction reaction during the application of power to the organic layer 11 is suppressed. That is, there is a possibility that oxygen is present in the organic layer 11 formed in the first step SP1 due to oxygen or the like dissolved in the solvent of the liquid material including the material for forming the organic layer 11. There is. If the oxygen is allowed to stand, an oxidation-reduction reaction occurs when the organic EL device S after manufacture is driven (when power is applied to the organic layer 11), and the organic layer 11 deteriorates due to the oxidation-reduction reaction. , There is a possibility that the light emission life is reduced. In this embodiment,
Even if oxygen is present in the organic layer 11 formed in the first step SP1, the first step SP1
After that, until the cathode 7 is formed, the organic layer 11 is irradiated with white light in the air atmosphere, and oxygen present in the organic layer 11 is reacted with an organic substance, whereby the organic EL device S after manufacture is manufactured. There is a possibility that the oxidation-reduction reaction during driving (when power is applied to the organic layer 11) can be suppressed.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気中で白色光を照射
した後、不活性ガス雰囲気中で加熱して焼成することにより、発光素子2(有機EL装置
S)の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is irradiated with white light in an air atmosphere, and then heated and fired in an inert gas atmosphere, whereby the light-emitting element 2 (organic EL device). The light emission life of S) can be extended.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第1実施形態と同
一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図7は第2実施形態に係る有機EL装置Sの製造方法を説明するためのフローチャート
図である。図7に示すように、本実施形態における有機EL装置Sの製造方法は、基板1
上に上述の発光層6を含む有機層11を成膜する第1工程SP1と、基板1上に成膜され
た有機層11に大気雰囲気中で白色光を照射する第2工程SP2と、基板1上に成膜され
た有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱する第3工程SP3とを有しており、第3工程
SP3は、第1工程SP1の後、且つ第2工程SP2の前に設けられている。すなわち、
第2実施形態の製造方法は、上述の第1実施形態の製造方法に比べて、第2工程SP2と
第3工程SP3との順番が入れ替わっている。
FIG. 7 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic EL device S according to the second embodiment. As shown in FIG. 7, the manufacturing method of the organic EL device S in the present embodiment includes a substrate 1
A first step SP1 for forming the organic layer 11 including the above-described light emitting layer 6 thereon, a second step SP2 for irradiating the organic layer 11 formed on the substrate 1 with white light in an air atmosphere, and a substrate And a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The third step SP3 is performed after the first step SP1 and before the second step SP2. Is provided. That is,
In the manufacturing method of the second embodiment, the order of the second step SP2 and the third step SP3 is switched compared to the manufacturing method of the first embodiment described above.

上述の第1実施形態と同様、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4
、正孔輸送性中間層5、及び発光層6がこの順で設けられる。液滴吐出法などに基づいて
基板1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基板1上に成膜された発光
層6(有機層11)に対して不活性ガス雰囲気中で加熱処理が施される。
Similar to the first embodiment described above, an anode 3 and a hole injection layer 4 are formed on the surface (active surface) 1A of the substrate 1.
The hole transporting intermediate layer 5 and the light emitting layer 6 are provided in this order. After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on a droplet discharge method or the like, the light emitting layer 6 (organic layer 11) formed on the substrate 1 is formed. Heat treatment is performed in an inert gas atmosphere.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56を不活性
ガス雰囲気にするとともに、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含
む有機層11を加熱して焼成する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された
有機層11を、不活性ガス雰囲気中で加熱する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the inert gas supply device 51 and the first space in which the substrate 1 is accommodated. The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is heated and baked by using the heating device 53 while making 56 an inert gas atmosphere. As described above, the control device C2 heats the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere.

上述の第1実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性
ガス雰囲気中で、約130℃で約60分間加熱して焼成する。
As in the first embodiment, the control device C2 heats and burns the organic layer 11 formed on the substrate 1 at about 130 ° C. for about 60 minutes in an inert gas atmosphere.

次に、制御装置C2は、流路切替機構54を駆動し、第1空間56に対して大気供給装
置52より大気を供給する。大気供給装置52は、第1空間56に対して大気を供給する
ことにより、第1空間56を大気雰囲気にする。
Next, the control device C <b> 2 drives the flow path switching mechanism 54 to supply air from the air supply device 52 to the first space 56. The air supply device 52 makes the first space 56 an air atmosphere by supplying air to the first space 56.

制御装置C2は、大気供給装置52を用いて、基板1が収容された第1空間56を大気
雰囲気にするとともに、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含む有
機層11に白色光を照射する。
The control device C2 uses the air supply device 52 to make the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated an air atmosphere, and includes the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 using the irradiation device 68. The organic layer 11 is irradiated with white light.

上述の第1実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に大気雰
囲気中で、白色光を約60分間照射する。
As in the first embodiment described above, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with white light for about 60 minutes in an air atmosphere.

第3工程SP3及び第2工程SP2が完了した後、制御装置C2は、搬送装置57を用
いて第1空間56から第2空間66へ基板1を搬送し、電極形成装置63を用いて、有機
層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。以上により、基板1上には、陽極3、有機
層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成される。
After the third step SP3 and the second step SP2 are completed, the control device C2 uses the transfer device 57 to transfer the substrate 1 from the first space 56 to the second space 66, and uses the electrode forming device 63 to perform organic processing. A cathode 7 is formed on the layer 11 (light emitting layer 6). Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布され、
基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部材20の第2領域42とが接着剤8を介
して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として光硬化性接着剤が用いられている場合に
は、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫外光)が照射される。このように、基板
1に封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2
を配置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1,
The first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 provided with the desiccant 9 are bonded together with the adhesive 8. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, the light emitting element 2 is interposed between the substrate 1 and the sealing member 20.
A sealing space 10 is formed for placing the. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加
熱して焼成した後に、大気雰囲気中で白色光を照射することによって、発光素子2(有機
EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the organic layer 11 formed on the substrate 1 is inactivated. After heating and baking in a gas atmosphere, the light emission lifetime of the light-emitting element 2 (organic EL device S) could be extended by irradiating with white light in the air atmosphere.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱し
た後、大気雰囲気中で白色光を照射することによっても、発光素子2(有機EL装置S)
の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is heated in an inert gas atmosphere, and then irradiated with white light in the air atmosphere, so that the light emitting element 2 (organic EL device S)
The light emission life can be extended.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。図8は第3実施形態に係る有機EL装置Sの製
造方法を説明するためのフローチャート図である。図8に示すように、本実施形態におけ
る有機EL装置Sの製造方法は、基板1上に上述の発光層6を含む有機層11を成膜する
第1工程SP1と、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気中で紫外光を照射する
第2工程SP2aと、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱する
第3工程SP3とを有しており、第2工程SP2aは、第1工程SP1の後、且つ第3工
程SP3の前に行われる。本実施形態においては、照射装置68として、紫外光を射出可
能なUV照射装置が用いられる。本実施形態においては、照射装置68は、例えば50m
W/cm以下で、波長365nm又は254nm近傍にピークを有する紫外光を照射す
る。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. FIG. 8 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic EL device S according to the third embodiment. As shown in FIG. 8, the manufacturing method of the organic EL device S according to the present embodiment includes a first step SP <b> 1 for forming the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1, and a film formation on the substrate 1. A second step SP2a for irradiating the formed organic layer 11 with ultraviolet light in an air atmosphere, and a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The second step SP2a is performed after the first step SP1 and before the third step SP3. In the present embodiment, a UV irradiation device capable of emitting ultraviolet light is used as the irradiation device 68. In the present embodiment, the irradiation device 68 is, for example, 50 m.
Irradiate with ultraviolet light having a peak at a wavelength of 365 nm or 254 nm at W / cm 2 or less.

上述の実施形態と同様、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4、正
孔輸送性中間層5、及び発光層6がこの順で設けられる。液滴吐出法などに基づいて基板
1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基板1上に成膜された発光層6
(有機層11)に対して大気雰囲気中で紫外光を照射する処理が施される。
Similar to the above-described embodiment, on the surface (active surface) 1A of the substrate 1, the anode 3, the hole injection layer 4, the hole transporting intermediate layer 5, and the light emitting layer 6 are provided in this order. After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on a droplet discharge method or the like, the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is formed.
The (organic layer 11) is subjected to a process of irradiating with ultraviolet light in an air atmosphere.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、大気供給装置52を用いて、基板1が収容された第1空間56を大気雰囲気に
するとともに、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含む有機層11
に紫外光を照射する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に
、大気雰囲気中で紫外光を照射する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the atmospheric supply device 52 to change the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated. The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 by using the irradiation device 68 while making the atmosphere.
Is irradiated with ultraviolet light. As described above, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light in the air atmosphere.

本実施形態においては、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲
気中で、紫外光を約1分間照射する。
In the present embodiment, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light for about 1 minute in an air atmosphere.

次に、制御装置C2は、流路切替機構54を駆動し、第1空間56に対して不活性ガス
供給装置51より不活性ガスを供給する。不活性ガス供給装置51は、第1空間56に対
して不活性ガスを供給することにより、第1空間56を不活性ガス雰囲気にする。
Next, the control device C <b> 2 drives the flow path switching mechanism 54 and supplies the inert gas from the inert gas supply device 51 to the first space 56. The inert gas supply device 51 makes the first space 56 an inert gas atmosphere by supplying an inert gas to the first space 56.

制御装置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56
を不活性ガス雰囲気にするとともに、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された発光
層6を含む有機層11を加熱して焼成する。
The control device C2 uses the inert gas supply device 51, and the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated.
The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is heated and baked using the heating device 53.

上述の第1実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性
ガス雰囲気中で、約130℃で約60分間加熱して焼成する。
As in the first embodiment, the control device C2 heats and burns the organic layer 11 formed on the substrate 1 at about 130 ° C. for about 60 minutes in an inert gas atmosphere.

第2工程SP2a及び第3工程SP3が完了した後、制御装置C2は、搬送装置57を
用いて第1空間56から第2空間66へ基板1を搬送し、電極形成装置63を用いて、有
機層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。以上により、基板1上には、陽極3、有
機層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成される。
After the second step SP2a and the third step SP3 are completed, the control device C2 uses the transfer device 57 to transfer the substrate 1 from the first space 56 to the second space 66, and uses the electrode forming device 63 to perform organic processing. A cathode 7 is formed on the layer 11 (light emitting layer 6). Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布され、
基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部材20の第2領域42とが接着剤8を介
して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として光硬化性接着剤が用いられている場合に
は、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫外光)が照射される。このように、基板
1に封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2
を配置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1,
The first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 provided with the desiccant 9 are bonded together with the adhesive 8. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, the light emitting element 2 is interposed between the substrate 1 and the sealing member 20.
A sealing space 10 is formed for placing the. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気中で紫外光を
照射した後に、不活性ガス雰囲気中で加熱して焼成することによって、発光素子2(有機
EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the atmosphere is applied to the organic layer 11 formed on the substrate 1. After irradiating with ultraviolet light, heating and baking in an inert gas atmosphere enabled the light emission lifetime of the light-emitting element 2 (organic EL device S) to be extended.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気中で紫外光を照射
した後、不活性ガス雰囲気中で加熱することによっても、発光素子2(有機EL装置S)
の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is irradiated with ultraviolet light in the air atmosphere, and then heated in an inert gas atmosphere, so that the light-emitting element 2 (organic EL device S)
The light emission life can be extended.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。図9は第4実施形態に係る有機EL装置Sの製
造方法を説明するためのフローチャート図である。図9に示すように、本実施形態におけ
る有機EL装置Sの製造方法は、基板1上に上述の発光層6を含む有機層11を成膜する
第1工程SP1と、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気中で紫外光を照射する
第2工程SP2aと、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱する
第3工程SP3とを有しており、第3工程SP3は、第1工程SP1の後、且つ第2工程
SP2aの前に行われる。すなわち、第4実施形態の製造方法は、上述の第3実施形態の
製造方法に比べて、第2工程SP2aと第3工程SP3との順番が入れ替わっている。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. FIG. 9 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic EL device S according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 9, the manufacturing method of the organic EL device S according to the present embodiment includes a first step SP <b> 1 for forming the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1, and a film formation on the substrate 1. A second step SP2a for irradiating the formed organic layer 11 with ultraviolet light in an air atmosphere, and a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The third step SP3 is performed after the first step SP1 and before the second step SP2a. That is, in the manufacturing method of the fourth embodiment, the order of the second step SP2a and the third step SP3 is switched compared to the manufacturing method of the third embodiment described above.

上述の実施形態と同様、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4、正
孔輸送性中間層5、及び発光層6がこの順で設けられる。液滴吐出法などに基づいて基板
1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基板1上に成膜された発光層6
(有機層11)に対して不活性ガス雰囲気中で加熱処理が施される。
Similar to the above-described embodiment, on the surface (active surface) 1A of the substrate 1, the anode 3, the hole injection layer 4, the hole transporting intermediate layer 5, and the light emitting layer 6 are provided in this order. After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on a droplet discharge method or the like, the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is formed.
(Organic layer 11) is subjected to heat treatment in an inert gas atmosphere.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56を不活性
ガス雰囲気にするとともに、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含
む有機層11を加熱して焼成する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された
有機層11を、不活性ガス雰囲気中で加熱する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the inert gas supply device 51 and the first space in which the substrate 1 is accommodated. The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is heated and baked by using the heating device 53 while making 56 an inert gas atmosphere. As described above, the control device C2 heats the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere.

上述の実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス
雰囲気中で、約130℃で約60分間加熱して焼成する。
As in the above-described embodiment, the control device C2 heats and bakes the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere at about 130 ° C. for about 60 minutes.

次に、制御装置C2は、流路切替機構54を駆動し、第1空間56に対して大気供給装
置52より大気を供給する。大気供給装置52は、第1空間56に対して大気を供給する
ことにより、第1空間56を大気雰囲気にする。
Next, the control device C <b> 2 drives the flow path switching mechanism 54 to supply air from the air supply device 52 to the first space 56. The air supply device 52 makes the first space 56 an air atmosphere by supplying air to the first space 56.

制御装置C2は、大気供給装置52を用いて、基板1が収容された第1空間56を大気
雰囲気にするとともに、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含む有
機層11に紫外光を照射する。
The control device C2 uses the air supply device 52 to make the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated an air atmosphere, and includes the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 using the irradiation device 68. The organic layer 11 is irradiated with ultraviolet light.

上述の実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に大気雰囲気
中で、紫外光を約1分間照射する。
Similar to the above-described embodiment, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light for about 1 minute in an air atmosphere.

第3工程SP3及び第2工程SP2aが完了した後、制御装置C2は、搬送装置57を
用いて第1空間56から第2空間66へ基板1を搬送し、電極形成装置63を用いて、有
機層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。以上により、基板1上には、陽極3、有
機層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成される。
After the third step SP3 and the second step SP2a are completed, the control device C2 uses the transfer device 57 to transfer the substrate 1 from the first space 56 to the second space 66, and uses the electrode forming device 63 to perform organic processing. A cathode 7 is formed on the layer 11 (light emitting layer 6). Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布され、
基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部材20の第2領域42とが接着剤8を介
して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として光硬化性接着剤が用いられている場合に
は、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫外光)が照射される。このように、基板
1に封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2
を配置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1,
The first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 provided with the desiccant 9 are bonded together with the adhesive 8. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, the light emitting element 2 is interposed between the substrate 1 and the sealing member 20.
A sealing space 10 is formed for placing the. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加
熱して焼成した後に、大気雰囲気中で紫外光を照射することによって、発光素子2(有機
EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the organic layer 11 formed on the substrate 1 is inactivated. After heating and baking in a gas atmosphere, the emission life of the light-emitting element 2 (organic EL device S) could be extended by irradiating with ultraviolet light in the air atmosphere.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱し
た後、大気雰囲気中で紫外光を照射することによっても、発光素子2(有機EL装置S)
の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is heated in an inert gas atmosphere, and then irradiated with ultraviolet light in the air atmosphere, whereby the light emitting element 2 (organic EL device S).
The light emission life can be extended.

<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。図10は第5実施形態に係る有機EL装置Sの
製造方法を説明するためのフローチャート図である。図10に示すように、本実施形態に
おける有機EL装置Sの製造方法は、基板1上に上述の発光層6を含む有機層11を成膜
する第1工程SP1と、基板1上に成膜された有機層11に不活性ガス雰囲気中で紫外光
を照射する第2工程SP2bと、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中
で加熱する第3工程SP3とを有しており、第2工程SP2bは、第1工程SP1の後、
且つ第3工程SP3の前に行われる。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. FIG. 10 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic EL device S according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 10, the manufacturing method of the organic EL device S in the present embodiment includes a first step SP <b> 1 for forming the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1, and a film formation on the substrate 1. A second step SP2b for irradiating the formed organic layer 11 with ultraviolet light in an inert gas atmosphere, and a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The second step SP2b is performed after the first step SP1,
And it is performed before the third step SP3.

上述の実施形態と同様、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4、正
孔輸送性中間層5、及び発光層6がこの順で設けられる。液滴吐出法などに基づいて基板
1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基板1上に成膜された発光層6
(有機層11)に対して不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射する処理が施される。
Similar to the above-described embodiment, on the surface (active surface) 1A of the substrate 1, the anode 3, the hole injection layer 4, the hole transporting intermediate layer 5, and the light emitting layer 6 are provided in this order. After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on a droplet discharge method or the like, the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is formed.
(Organic layer 11) is irradiated with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56を不活性
ガス雰囲気にするとともに、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含
む有機層11に紫外光を照射する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された
有機層11に、不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the inert gas supply device 51 and the first space in which the substrate 1 is accommodated. While making 56 an inert gas atmosphere, the irradiation device 68 is used to irradiate the organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 with ultraviolet light. As described above, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.

本実施形態においては、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に不活性ガ
ス雰囲気中で、紫外光を約3分間照射する。
In the present embodiment, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light in an inert gas atmosphere for about 3 minutes.

次に、制御装置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空
間56の不活性ガス雰囲気を維持しつつ、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された
発光層6を含む有機層11を加熱して焼成する。
Next, the controller C2 uses the inert gas supply device 51 to maintain the inert gas atmosphere in the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated, and uses the heating device 53 to form the substrate 1 on the substrate 1. The organic layer 11 including the formed light emitting layer 6 is heated and baked.

上述の実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス
雰囲気中で、約130℃で約60分間加熱して焼成する。
As in the above-described embodiment, the control device C2 heats and bakes the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere at about 130 ° C. for about 60 minutes.

第2工程SP2b及び第3工程SP3が完了した後、制御装置C2は、搬送装置57を
用いて第1空間56から第2空間66へ基板1を搬送し、電極形成装置63を用いて、有
機層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。以上により、基板1上には、陽極3、有
機層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成される。
After the completion of the second step SP2b and the third step SP3, the control device C2 uses the transfer device 57 to transfer the substrate 1 from the first space 56 to the second space 66, and uses the electrode forming device 63 to perform organic processing. A cathode 7 is formed on the layer 11 (light emitting layer 6). Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布され、
基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部材20の第2領域42とが接着剤8を介
して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として光硬化性接着剤が用いられている場合に
は、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫外光)が照射される。このように、基板
1に封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2
を配置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1,
The first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 provided with the desiccant 9 are bonded together with the adhesive 8. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, the light emitting element 2 is interposed between the substrate 1 and the sealing member 20.
A sealing space 10 is formed for placing the. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11に不活性ガス雰囲気中で紫
外光を照射した後に、不活性ガス雰囲気中で加熱して焼成することによって、発光素子2
(有機EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the organic layer 11 formed on the substrate 1 is inactive. After irradiation with ultraviolet light in a gas atmosphere, the light-emitting element 2 is heated and fired in an inert gas atmosphere.
The light emission life of (organic EL device S) could be extended.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11に不活性ガス雰囲気中で紫外光
を照射した後、不活性ガス雰囲気中で加熱することによっても、発光素子2(有機EL装
置S)の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is irradiated with ultraviolet light in an inert gas atmosphere and then heated in the inert gas atmosphere, whereby the light emitting element 2 (organic EL device) The light emission life of S) can be extended.

<第6実施形態>
次に、第6実施形態について説明する。図11は第6実施形態に係る有機EL装置Sの
製造方法を説明するためのフローチャート図である。図11に示すように、本実施形態に
おける有機EL装置Sの製造方法は、基板1上に上述の発光層6を含む有機層11を成膜
する第1工程SP1と、基板1上に成膜された有機層11に不活性ガス雰囲気中で紫外光
を照射する第2工程SP2bと、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中
で加熱する第3工程SP3とを有しており、第3工程SP3は、第1工程SP1の後、且
つ第2工程SP2bの前に行われる。すなわち、第6実施形態の製造方法は、上述の第5
実施形態の製造方法に比べて、第2工程SP2bと第3工程SP3との順番が入れ替わっ
ている。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment will be described. FIG. 11 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic EL device S according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 11, in the method for manufacturing the organic EL device S in the present embodiment, the first step SP <b> 1 for forming the organic layer 11 including the light emitting layer 6 on the substrate 1 and the film formation on the substrate 1 are performed. A second step SP2b for irradiating the formed organic layer 11 with ultraviolet light in an inert gas atmosphere, and a third step SP3 for heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere. The third step SP3 is performed after the first step SP1 and before the second step SP2b. That is, the manufacturing method according to the sixth embodiment is the same as the fifth method described above.
Compared with the manufacturing method of the embodiment, the order of the second step SP2b and the third step SP3 is switched.

上述の実施形態と同様、基板1の表面(能動面)1Aには、陽極3、正孔注入層4、正
孔輸送性中間層5、及び発光層6がこの順で設けられる。液滴吐出法などに基づいて基板
1上(正孔輸送性中間層5上)に発光層6を成膜した後、基板1上に成膜された発光層6
(有機層11)に対して不活性ガス雰囲気中で加熱処理が施される。
Similar to the above-described embodiment, on the surface (active surface) 1A of the substrate 1, the anode 3, the hole injection layer 4, the hole transporting intermediate layer 5, and the light emitting layer 6 are provided in this order. After forming the light emitting layer 6 on the substrate 1 (on the hole transporting intermediate layer 5) based on a droplet discharge method or the like, the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is formed.
(Organic layer 11) is subjected to heat treatment in an inert gas atmosphere.

発光層6を含む有機層11が成膜された基板1が第1空間56に収容された後、制御装
置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空間56を不活性
ガス雰囲気にするとともに、加熱装置53を用いて、基板1上に成膜された発光層6を含
む有機層11を加熱して焼成する。このように、制御装置C2は、基板1上に成膜された
有機層11を、不活性ガス雰囲気中で加熱する。
After the substrate 1 on which the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed is accommodated in the first space 56, the control device C <b> 2 uses the inert gas supply device 51 and the first space in which the substrate 1 is accommodated. The organic layer 11 including the light emitting layer 6 formed on the substrate 1 is heated and baked by using the heating device 53 while making 56 an inert gas atmosphere. As described above, the control device C2 heats the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere.

上述の実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス
雰囲気中で、約130℃で約60分間加熱して焼成する。
As in the above-described embodiment, the control device C2 heats and bakes the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere at about 130 ° C. for about 60 minutes.

次に、制御装置C2は、不活性ガス供給装置51を用いて、基板1が収容された第1空
間56の不活性ガス雰囲気を維持しつつ、照射装置68を用いて、基板1上に成膜された
発光層6を含む有機層11に紫外光を照射する。
Next, the control device C2 uses the inert gas supply device 51 to maintain the inert gas atmosphere in the first space 56 in which the substrate 1 is accommodated, and uses the irradiation device 68 to form the substrate 1 on the substrate 1. The organic layer 11 including the formed light emitting layer 6 is irradiated with ultraviolet light.

上述の実施形態同様、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層11に不活性ガス
雰囲気中で、紫外光を約3分間照射する。
Similar to the above-described embodiment, the control device C2 irradiates the organic layer 11 formed on the substrate 1 with ultraviolet light for about 3 minutes in an inert gas atmosphere.

第3工程SP3及び第2工程SP2bが完了した後、制御装置C2は、搬送装置57を
用いて第1空間56から第2空間66へ基板1を搬送し、電極形成装置63を用いて、有
機層11(発光層6)上に、陰極7を形成する。以上により、基板1上には、陽極3、有
機層11、及び陰極7を有する発光素子2が形成される。
After the third step SP3 and the second step SP2b are completed, the control device C2 uses the transfer device 57 to transfer the substrate 1 from the first space 56 to the second space 66, and uses the electrode forming device 63 to perform organic processing. A cathode 7 is formed on the layer 11 (light emitting layer 6). Thus, the light emitting element 2 having the anode 3, the organic layer 11, and the cathode 7 is formed on the substrate 1.

基板1上に発光素子2が形成された後、基板1の第1領域41に接着剤8が塗布され、
基板1の第1領域41と乾燥剤9を備えた封止部材20の第2領域42とが接着剤8を介
して貼り合わせられる。次いで、接着剤8として光硬化性接着剤が用いられている場合に
は、接着剤8に対して所定の波長を有する光(紫外光)が照射される。このように、基板
1に封止部材20を接続することによって、基板1と封止部材20との間に、発光素子2
を配置するための封止空間10が形成される。こうして、有機EL装置Sが製造される。
After the light emitting element 2 is formed on the substrate 1, the adhesive 8 is applied to the first region 41 of the substrate 1,
The first region 41 of the substrate 1 and the second region 42 of the sealing member 20 provided with the desiccant 9 are bonded together with the adhesive 8. Next, when a photocurable adhesive is used as the adhesive 8, the adhesive 8 is irradiated with light having a predetermined wavelength (ultraviolet light). Thus, by connecting the sealing member 20 to the substrate 1, the light emitting element 2 is interposed between the substrate 1 and the sealing member 20.
A sealing space 10 is formed for placing the. Thus, the organic EL device S is manufactured.

本実施形態においては、基板1上に陽極3を形成し、その陽極3上に発光層6を含む有
機層11を成膜した後、その基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加
熱して焼成した後に、不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射することによって、発光素子2
(有機EL装置S)の発光寿命を延ばすことができた。
In the present embodiment, the anode 3 is formed on the substrate 1, the organic layer 11 including the light emitting layer 6 is formed on the anode 3, and then the organic layer 11 formed on the substrate 1 is inactivated. After heating and baking in a gas atmosphere, the light emitting element 2 is irradiated with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.
The light emission life of (organic EL device S) could be extended.

以上説明したように、基板1上に成膜された有機層11を不活性ガス雰囲気中で加熱し
た後、不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射することによっても、発光素子2(有機EL装
置S)の発光寿命を延ばすことができる。
As described above, the organic layer 11 formed on the substrate 1 is heated in an inert gas atmosphere and then irradiated with ultraviolet light in the inert gas atmosphere, so that the light emitting element 2 (organic EL device) The light emission life of S) can be extended.

なお、上述の第1〜第6実施形態においては、基板1上に成膜された有機層11を不活
性ガス雰囲気中で加熱する工程と、基板1上に成膜された有機層11に所定ガス雰囲気中
(不活性ガス雰囲気中又は大気雰囲気中)で所定の光(白色光又は紫外光)を照射する工
程とのそれぞれを、同一の第1空間56で行っているが、互いに異なる空間で行ってもよ
い。
In the first to sixth embodiments described above, a step of heating the organic layer 11 formed on the substrate 1 in an inert gas atmosphere and a predetermined amount of the organic layer 11 formed on the substrate 1 are predetermined. Each of the process of irradiating predetermined light (white light or ultraviolet light) in a gas atmosphere (in an inert gas atmosphere or in an air atmosphere) is performed in the same first space 56, but in different spaces. You may go.

なお、上述の各実施形態においては、制御装置C2は、基板1上に成膜された有機層1
1に、常温(例えば25℃)で所定の光(白色光又は紫外光)を照射するように説明した
が、常温よりも高い温度(例えば50℃)で所定の光を所定時間照射するようにしてもよ
い。
In each of the above-described embodiments, the control device C2 includes the organic layer 1 formed on the substrate 1.
1, it is explained that predetermined light (white light or ultraviolet light) is irradiated at room temperature (for example, 25 ° C.), but predetermined light is irradiated for a predetermined time at a temperature higher than normal temperature (for example, 50 ° C.). May be.

なお、上述の各実施形態において、照射装置68として、白色光と紫外光とのそれぞれ
を照射可能な機能を有する照射装置を用い、白色光と紫外光とを適宜切り換えて照射する
ようにしてもよい。
In each of the above-described embodiments, an irradiation device having a function capable of irradiating white light and ultraviolet light is used as the irradiation device 68, and the white light and the ultraviolet light are appropriately switched and irradiated. Good.

なお、上述の各実施形態において、有機層11に不活性ガス雰囲気中で白色光を照射す
るようにしてもよい。
In each of the above-described embodiments, the organic layer 11 may be irradiated with white light in an inert gas atmosphere.

なお、上述の各実施形態においては、大気雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれか一方
で、白色光及び紫外光のいずれか一方を照射しているが、発光寿命を長くすることができ
るのであれば、任意の雰囲気中で所定の波長を有する光を照射することができる。
In each of the above-described embodiments, either one of the air atmosphere and the inert gas atmosphere is irradiated with either white light or ultraviolet light, as long as the light emission life can be extended. The light having a predetermined wavelength can be irradiated in an arbitrary atmosphere.

<光書き込みヘッド>
図12は、上述の有機EL装置Sを、電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド(プリ
ンタヘッド)に適用した場合の一例を示す図である。図12において、有機EL装置Sの
基板1の上方には光学系70が設けられており、光学系70の上方には感光ドラム(感光
体)71が設けられている。有機EL装置Sは、光学系70を介して、感光ドラム71に
対して光を照射する。有機EL装置Sの基板1から射出された光は、光学系70を通って
感光ドラム71上に集光されるようになっている。有機EL装置Sは長寿命化されている
ため、感光ドラム71を良好に感光させることができ、その感光ドラム71を用いて良好
に画像形成することができる。
<Optical writing head>
FIG. 12 is a diagram showing an example in which the above-described organic EL device S is applied to an optical writing head (printer head) of an electrophotographic printer. In FIG. 12, an optical system 70 is provided above the substrate 1 of the organic EL device S, and a photosensitive drum (photosensitive member) 71 is provided above the optical system 70. The organic EL device S irradiates the photosensitive drum 71 with light via the optical system 70. Light emitted from the substrate 1 of the organic EL device S is condensed on the photosensitive drum 71 through the optical system 70. Since the organic EL device S has a long life, the photosensitive drum 71 can be satisfactorily exposed and an image can be formed satisfactorily using the photosensitive drum 71.

<電子機器>
次に、上記実施の形態の有機EL装置Sを備えた電子機器の例について説明する。
図13(A)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図13(A)において、符号
1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置Sを用いたフルカラ
ーの表示部を示している。
<Electronic equipment>
Next, an example of an electronic apparatus provided with the organic EL device S of the above embodiment will be described.
FIG. 13A is a perspective view illustrating an example of a mobile phone. In FIG. 13A, reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, and reference numeral 1001 denotes a full-color display unit using the organic EL device S described above.

図13(B)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図13(B)におい
て、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記の有機EL装置Sを用いたフル
カラーの表示部を示している。
FIG. 13B is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 13B, reference numeral 1100 denotes a watch body, and reference numeral 1101 denotes a full-color display unit using the organic EL device S described above.

図13(C)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図13(C)において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボー
ドなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記の有機EL装置
Sを用いたフルカラーの表示部を示している。
FIG. 13C is a perspective view illustrating an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. In FIG. 13C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 1206 denotes a full-color display unit using the organic EL device S described above. Yes.

図13(A)〜図13(C)に示す電子機器は、上記実施の形態の有機EL装置Sを備
えているので、コンパクトで所望の性能を有する電子機器を提供することができる。
Since the electronic device shown in FIGS. 13A to 13C includes the organic EL device S of the above embodiment, it is possible to provide a compact electronic device having desired performance.

なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨
を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述の有機EL装置Sは、面発光が可能な照明用光源として用いることができ
、例えば、液晶表示装置の表示部を構成するバックライトとして用いることができる。ま
た、上述の各実施形態の有機EL装置Sは、例えばモノクロームのディスプレイに適用す
ることができる。
For example, the above-described organic EL device S can be used as an illumination light source capable of surface emission, and can be used as a backlight constituting a display unit of a liquid crystal display device, for example. Moreover, the organic EL device S of each of the above-described embodiments can be applied to, for example, a monochrome display.

例えば、上記実施形態では、発光素子2の発光が基板1を介して外面側に射出される形
式、所謂ボトム・エミッションの例を用いて説明したが、発光素子2の発光が基板1と逆
側の陰極7側から封止部材20を介して射出される形式、所謂トップ・エミッションであ
っても適用可能である。この場合、封止部材20や陰極7としては、光の取り出しが可能
な透明あるいは半透明材料が用いられる。
For example, in the above-described embodiment, the light emission of the light-emitting element 2 is described using a form in which the light emission of the light-emitting element 2 is emitted to the outer surface side through the substrate 1, that is, so-called bottom emission. It is also possible to use a so-called top emission type that is emitted from the cathode 7 side through the sealing member 20. In this case, as the sealing member 20 and the cathode 7, a transparent or translucent material capable of extracting light is used.

また、上記実施形態では、上述の発光層6や接着剤8を成膜する際に、液滴吐出法(イ
ンクジェット法)を用いているが、他の所定の手法を用いることももちろん可能である。
例えば発光層6を成膜するために、スピンコート法やディップ法などを用いることも可能
である。
In the above embodiment, the droplet discharge method (inkjet method) is used when forming the light emitting layer 6 and the adhesive 8 described above, but other predetermined methods can be used as a matter of course. .
For example, in order to form the light emitting layer 6, a spin coating method, a dip method, or the like can be used.

第1実施形態に係る有機EL装置を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 発光層を成膜している様子を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating a mode that the light emitting layer is formed into a film. 液滴吐出装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a droplet discharge apparatus. 液滴吐出ヘッドを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a droplet discharge head. 第1実施形態に係る有機EL装置の製造装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing apparatus of the organic EL apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第5実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第6実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。It is a flowchart figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 6th Embodiment. 有機EL装置を光書き込みヘッドに適用した例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example which applied the organic EL apparatus to the optical writing head. 有機EL装置を備えた電子機器の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the electronic device provided with the organic EL apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板、2…発光素子、3…陽極、4…正孔注入層、5…正孔輸送性中間層、6…発
光層、7…陰極、11…陰極、50…第1収容装置、51…不活性ガス供給装置、52…
大気供給装置、53…加熱装置、56…第1空間、60…第2収容装置、63…電極形成
装置、66…第2空間、68…照射装置、C1、C2…制御装置、IJ…液滴吐出装置、
S…有機EL装置、T…処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2 ... Light emitting element, 3 ... Anode, 4 ... Hole injection layer, 5 ... Hole transportable intermediate layer, 6 ... Light emitting layer, 7 ... Cathode, 11 ... Cathode, 50 ... 1st accommodating apparatus, 51 ... Inert gas supply device, 52 ...
Atmospheric supply device, 53 ... heating device, 56 ... first space, 60 ... second storage device, 63 ... electrode forming device, 66 ... second space, 68 ... irradiation device, C1, C2 ... control device, IJ ... droplet Discharge device,
S ... Organic EL device, T ... Processing device

Claims (12)

発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
基板上に前記有機層を成膜する第1工程と、
前記基板上に成膜された前記有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱する第2工程と、
前記基板上に成膜された前記有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射する第3工程
とを有し、
前記第3工程を、前記第2工程の前及び後の少なくとも一方で行うことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
In a method for producing an organic electroluminescence device having an organic layer capable of emitting light,
A first step of forming the organic layer on a substrate;
A second step of heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere;
A third step of irradiating the organic layer formed on the substrate with predetermined light in a predetermined gas atmosphere,
The method of manufacturing an organic electroluminescence device, wherein the third step is performed at least one of before and after the second step.
前記第1工程は、前記基板上に形成された第1電極上に前記有機層を成膜し、
前記第2工程及び前記第3工程が完了した後、前記有機層上に第2電極を形成すること
を特徴とする請求項1記載の製造方法。
In the first step, the organic layer is formed on a first electrode formed on the substrate,
The manufacturing method according to claim 1, wherein a second electrode is formed on the organic layer after the second step and the third step are completed.
前記第3工程は、前記有機層に大気雰囲気中で白色光を照射することを特徴とする請求
項1又は2記載の製造方法。
The manufacturing method according to claim 1, wherein in the third step, the organic layer is irradiated with white light in an air atmosphere.
前記第3工程は、前記有機層に大気雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とする請求
項1又は2記載の製造方法。
The manufacturing method according to claim 1, wherein in the third step, the organic layer is irradiated with ultraviolet light in an air atmosphere.
前記第3工程は、前記有機層に不活性ガス雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とす
る請求項1又は2記載の製造方法。
The method according to claim 1 or 2, wherein the third step irradiates the organic layer with ultraviolet light in an inert gas atmosphere.
前記不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素、ネオン、キセノン、及びクリプトンの
少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の製造方法。
The manufacturing method according to claim 1, wherein the inert gas includes at least one of helium, argon, nitrogen, neon, xenon, and krypton.
前記第1工程は、前記有機層を形成するための材料を含む液体材料を液滴吐出法に基づ
いて前記基板上に吐出することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の製造方法
The said 1st process discharges the liquid material containing the material for forming the said organic layer on the said board | substrate based on the droplet discharge method, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Production method.
発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置において、
基板上に成膜された前記有機層を不活性ガス雰囲気中で加熱可能な第1処理装置と、
基板上に成膜された前記有機層に所定ガス雰囲気中で所定の光を照射可能な第2処理装
置と、
前記基板上に成膜された前記有機層を前記第1処理装置で処理する前及び後の少なくと
も一方で、前記有機層を前記第2処理装置で処理する制御装置とを備えたことを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
In an apparatus for manufacturing an organic electroluminescence device having an organic layer capable of emitting light,
A first processing apparatus capable of heating the organic layer formed on the substrate in an inert gas atmosphere;
A second processing apparatus capable of irradiating the organic layer formed on the substrate with a predetermined light in a predetermined gas atmosphere;
And a control device for processing the organic layer with the second processing device at least before and after processing the organic layer formed on the substrate with the first processing device. An apparatus for manufacturing an organic electroluminescence device.
前記有機層が成膜された前記基板を収容可能な第1空間を形成する第1収容装置と、
前記第1空間を不活性ガス雰囲気及び大気雰囲気のいずれか一方に調整可能な調整装置
とを備え、
前記第1処理装置は、前記不活性ガス雰囲気にされた前記第1空間に収容された前記基
板上に成膜された前記有機層を加熱して焼成する加熱装置を含み、
前記第2処理装置は、前記不活性ガス雰囲気及び前記大気雰囲気のいずれか一方にされ
た前記第1空間に収容された前記基板上に成膜された前記有機層に白色光及び紫外光のい
ずれか一方を照射する照射装置を含むことを特徴とする請求項8記載の製造装置。
A first accommodating device that forms a first space capable of accommodating the substrate on which the organic layer is formed;
An adjustment device capable of adjusting the first space to one of an inert gas atmosphere and an air atmosphere;
The first processing apparatus includes a heating apparatus for heating and baking the organic layer formed on the substrate housed in the first space in the inert gas atmosphere,
The second processing apparatus may be configured to emit white light or ultraviolet light on the organic layer formed on the substrate housed in the first space in either the inert gas atmosphere or the air atmosphere. The manufacturing apparatus according to claim 8, further comprising an irradiation apparatus that irradiates one of them.
前記基板上に前記有機層を成膜するために、該有機層を形成するための材料を含む液体
材料を前記基板上に吐出する液滴吐出装置を備えたことを特徴とする請求項8又は9記載
の製造装置。
9. A droplet discharge device for discharging a liquid material containing a material for forming the organic layer onto the substrate in order to form the organic layer on the substrate. 9. The manufacturing apparatus according to 9.
前記液滴吐出装置は、前記基板上に形成された第1電極上に前記有機層を成膜し、
前記第1処理装置及び前記第2処理装置の処理が完了した後、前記有機層上に第2電極
を形成する電極形成装置を備えたことを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項記載の
製造装置。
The droplet discharge device forms the organic layer on a first electrode formed on the substrate,
The electrode forming apparatus for forming a second electrode on the organic layer after the processing of the first processing apparatus and the second processing apparatus is completed. The manufacturing apparatus as described.
前記電極形成装置は第2空間を有し、前記第2空間に前記有機層が成膜された前記基板
を収容して蒸着により前記第2電極を形成することを特徴とする請求項11記載の製造装
置。
12. The electrode forming apparatus according to claim 11, wherein the electrode forming apparatus includes a second space, and the second electrode is formed by vapor deposition by accommodating the substrate on which the organic layer is formed in the second space. Manufacturing equipment.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011115075A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent element and process for production thereof, organic el display device, organic el lighting device, and device for production of organic electroluminescent element

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170670A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp Organic elecroluminescent element and its manufacturing method as well as organic electroluminescent display

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170670A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp Organic elecroluminescent element and its manufacturing method as well as organic electroluminescent display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011115075A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent element and process for production thereof, organic el display device, organic el lighting device, and device for production of organic electroluminescent element
JP2011216473A (en) * 2010-03-15 2011-10-27 Mitsubishi Chemicals Corp Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el lighting, organic el display device, and manufacturing device of organic electroluminescent element
US8927326B2 (en) 2010-03-15 2015-01-06 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescence element, production method thereof, organic EL display device, organic EL lighting, and apparatus for producing organic electroluminescence element

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