JP2007183678A - Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same and method of manufacturing the same - Google Patents

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Manabu Sawazaki
学 澤崎
Yuichi Inoue
雄一 井ノ上
Masakazu Shibazaki
正和 柴崎
Naoto Kondo
直人 近藤
Tetsuya Fujikawa
徹也 藤川
Takashi Takagi
孝 高木
Tomonori Tanose
友則 田野瀬
Tomoshige Oda
知茂 尾田
Akira Komorida
章 小森田
Katsunori Misaki
克紀 美崎
Shiro Hirota
四郎 廣田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a liquid crystal display which makes it possible to provide a display having high luminance and preferable display characteristics to be used in display sections of information apparatuses and the like, a liquid crystal display having the same, and a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: Each pixel is defined by gate bus lines 25 extending in the horizontal direction and drain bus lines 26 extending in the vertical direction. TFTs are formed in the vicinity of intersections between the bus lines 25, 26, and resin overlap sections 32 for shielding the TFTs from light are formed above the same. No black matrix is formed on a common electrode substrate which is provided in a face-to-face relationship with a TFT substrate 8, and the bus lines 25, 26 and the resin overlap sections 32 formed on the TFT substrate 8 function as a black matrix. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置を構成する液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate for a liquid crystal display device that constitutes a liquid crystal display device used in a display section of information equipment or the like, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same.

液晶表示装置は、一般に透明電極を備えた2枚の基板と、両基板間に封止された液晶とを有している。両透明電極間に電圧を印加して液晶を駆動させ、光の透過率を制御することにより所望の表示が得られる。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、各画素をスイッチングする薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)が形成されたTFT基板と、共通電極が形成された共通電極基板とで構成される。近年、液晶表示装置の需要は増加しており、液晶表示装置に対する要求も多様化している。特に視角特性や表示品質の改善が強く要求されており、これを実現する手段として、VA(Vertically Aligned)モード(垂直配向型)の液晶表示装置が有望視されている。   A liquid crystal display device generally has two substrates provided with transparent electrodes and a liquid crystal sealed between the two substrates. A desired display can be obtained by applying a voltage between the transparent electrodes to drive the liquid crystal and controlling the light transmittance. An active matrix liquid crystal display device includes a TFT substrate on which a thin film transistor (TFT) for switching each pixel is formed and a common electrode substrate on which a common electrode is formed. In recent years, the demand for liquid crystal display devices has increased, and the demand for liquid crystal display devices has also diversified. In particular, improvement in viewing angle characteristics and display quality is strongly demanded, and a VA (Vertically Aligned) mode (vertical alignment type) liquid crystal display device is promising as means for realizing this.

VAモードの液晶表示装置は、対向する面に垂直配向処理が施された2枚の基板と、両基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶とで構成されている。当該液晶の液晶分子はホメオトロピック配向の性質を有しており、両電極間に電圧が印加されていないときには基板面にほぼ垂直に配向する。また、両電極間に所定の電圧が印加されたときには基板面にほぼ水平に配向し、当該電圧より小さい電圧が印加されたときには基板面に対し斜めに傾いて配向する。   The VA mode liquid crystal display device is composed of two substrates whose opposite surfaces are subjected to vertical alignment processing, and a liquid crystal having negative dielectric anisotropy sealed between the two substrates. The liquid crystal molecules of the liquid crystal have the property of homeotropic alignment, and are aligned substantially perpendicular to the substrate surface when no voltage is applied between both electrodes. Further, when a predetermined voltage is applied between both electrodes, the substrate is oriented substantially horizontally on the substrate surface, and when a voltage smaller than the voltage is applied, the substrate is oriented obliquely with respect to the substrate surface.

また、液晶表示装置の視角特性改善の見地から、近年MVA(Multi−domain Vertical Alignment)方式の液晶表示装置が注目されている。MVA方式では、両基板上に設けた線状突起やスリット等の配向規制用構造物(ドメイン規制手段)を利用して画素内を複数の領域に分割し、液晶分子の傾く方向が領域毎にそれぞれ異なるように配向分割を行うようにしている。   From the viewpoint of improving the viewing angle characteristics of liquid crystal display devices, MVA (Multi-domain Vertical Alignment) type liquid crystal display devices have recently attracted attention. In the MVA method, the inside of a pixel is divided into a plurality of regions using alignment restricting structures (domain restricting means) such as linear protrusions and slits provided on both substrates, and the tilt direction of the liquid crystal molecules is divided for each region. The orientation division is performed differently.

図35は、MVA方式の液晶表示装置の構成を示しており、両基板上に配向規制用構造物として形成された線状突起の配置を表している。図35では、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素を示している。図35に示すように、TFT基板108上には線状突起104が形成されており、共通電極基板110上には線状突起106が形成されている。線状突起104、106は、画素に対して斜めに形成されている。R、G、Bの各画素領域は、共通電極基板110上に形成された遮光膜(BM;Black Matrix)102で画定されている。また、BM102は、各画素のほぼ中央を横切る蓄積容量バスライン及びその上層の蓄積容量電極(共に図示せず)を遮光している。   FIG. 35 shows a configuration of an MVA liquid crystal display device, and shows an arrangement of linear protrusions formed as alignment regulating structures on both substrates. FIG. 35 shows three pixels of R (red), G (green), and B (blue). As shown in FIG. 35, linear protrusions 104 are formed on the TFT substrate 108, and linear protrusions 106 are formed on the common electrode substrate 110. The linear protrusions 104 and 106 are formed obliquely with respect to the pixel. Each of the R, G, and B pixel regions is defined by a light-shielding film (BM; Black Matrix) 102 formed on the common electrode substrate 110. Further, the BM 102 shields the storage capacitor bus line that crosses almost the center of each pixel and the storage capacitor electrode (both not shown) on the storage capacitor bus line.

図36は、図35のX−X線で切断した液晶表示装置の断面図である。図36に示すように、TFT基板108は、ガラス基板112上の各画素毎に形成された画素電極114を有している。なお、ガラス基板112上に形成された絶縁膜、ドレインバスライン、保護膜等の図示は省略している。画素電極114上には線状突起104が形成されている。画素電極114及び線状突起104上の全面には垂直配向膜116が形成されている。一方、共通電極基板110は、ガラス基板112上に形成されたBM102を有している。また、ガラス基板112上のBM102により画定された画素領域毎に樹脂カラーフィルタ(CF;Color Filter)層R、G、B(図36ではG、Bのみ示す)が形成されている。樹脂CF層R、G、B上には共通電極118が形成され、共通電極118上には線状突起106が形成されている。さらに、共通電極118及び線状突起106上の全面には垂直配向膜116が形成されている。TFT基板108と共通電極基板110の間には、両基板108、110間の間隔(セルギャップ)を保持するプラスチック製又はガラス製等の球状スペーサ122と、液晶LCとが封止されている。   FIG. 36 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line XX in FIG. As shown in FIG. 36, the TFT substrate 108 has a pixel electrode 114 formed for each pixel on the glass substrate 112. Note that illustration of an insulating film, a drain bus line, a protective film, and the like formed on the glass substrate 112 is omitted. A linear protrusion 104 is formed on the pixel electrode 114. A vertical alignment film 116 is formed on the entire surface of the pixel electrode 114 and the linear protrusion 104. On the other hand, the common electrode substrate 110 has a BM 102 formed on a glass substrate 112. In addition, resin color filter (CF) layers R, G, and B (only G and B are shown in FIG. 36) are formed for each pixel region defined by the BM 102 on the glass substrate 112. A common electrode 118 is formed on the resin CF layers R, G, and B, and a linear protrusion 106 is formed on the common electrode 118. Further, a vertical alignment film 116 is formed on the entire surface of the common electrode 118 and the linear protrusion 106. Between the TFT substrate 108 and the common electrode substrate 110, a spherical spacer 122 made of plastic or glass or the like that holds the distance (cell gap) between the substrates 108 and 110, and the liquid crystal LC are sealed.

図37は、図35のY−Y線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧無印加時の液晶LCの状態を示している。図37に示すように、液晶分子(図中、円柱で示す)は、両基板108、110上の垂直配向膜116に対してほぼ垂直に配向している。したがって、線状突起104、106の形成されている領域の液晶分子は線状突起104、106表面に対してほぼ垂直に配向しており、両基板108、110の法線に対してわずかに傾斜して配向している。両基板108、110の外側には偏光板(不図示)がクロスニコルの状態に配置されているため、電圧無印加時では黒表示が得られる。   FIG. 37 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line YY of FIG. 35, and shows the state of the liquid crystal LC when no voltage is applied. As shown in FIG. 37, the liquid crystal molecules (shown as cylinders in the figure) are aligned substantially perpendicular to the vertical alignment film 116 on both substrates 108 and 110. Therefore, the liquid crystal molecules in the region where the linear protrusions 104 and 106 are formed are aligned substantially perpendicular to the surface of the linear protrusions 104 and 106, and are slightly inclined with respect to the normal lines of both the substrates 108 and 110. Oriented. Since a polarizing plate (not shown) is arranged in a crossed Nicol state outside both the substrates 108 and 110, black display can be obtained when no voltage is applied.

図38は、図37と同様に図35のY−Y線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧印加時の液晶LCの状態を示している。図中の破線は、画素電極114及び共通電極118間の電気力線を示している。図38に示すように、画素電極114及び共通電極118間に電圧が印加されると、誘電体からなる線状突起104、106近傍で電界が歪められる。これにより負の誘電率異方性を有する液晶分子の倒れる方向が規制されるとともに、電界強度に応じて倒れる角度を制御することにより階調表示を得ることができる。   FIG. 38 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line YY of FIG. 35 as in FIG. 37, and shows the state of the liquid crystal LC when a voltage is applied. A broken line in the figure indicates an electric force line between the pixel electrode 114 and the common electrode 118. As shown in FIG. 38, when a voltage is applied between the pixel electrode 114 and the common electrode 118, the electric field is distorted in the vicinity of the linear protrusions 104 and 106 made of a dielectric. Thus, the direction in which the liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy are tilted is regulated, and gradation display can be obtained by controlling the tilt angle according to the electric field strength.

このとき線状突起104、106近傍の液晶分子は、線状突起104、106が図35に示すように線状に設けられたものである場合、線状突起104、106を境界として線状突起104、106の延びる方向に直交する2方向に倒れる。線状突起104、106近傍の液晶分子は、電圧無印加の状態でも両基板108、110に垂直な方向よりわずかに傾斜しているので電界強度に素早く応答して倒れ込む。これにより周りの液晶分子も順次その挙動に倣って倒れ込む方向が決定され、電界強度に応じて傾斜するので、線状突起104、106を境界とした配向分割が実現される。   At this time, the liquid crystal molecules in the vicinity of the linear protrusions 104 and 106 are linear protrusions with the linear protrusions 104 and 106 as a boundary when the linear protrusions 104 and 106 are linearly provided as shown in FIG. It falls in two directions orthogonal to the direction in which 104 and 106 extend. Since the liquid crystal molecules in the vicinity of the linear protrusions 104 and 106 are slightly tilted from the direction perpendicular to both the substrates 108 and 110 even when no voltage is applied, the liquid crystal molecules fall quickly in response to the electric field strength. As a result, the direction in which the surrounding liquid crystal molecules sequentially fall in accordance with the behavior thereof is determined, and the liquid crystal molecules are inclined according to the electric field strength, so that alignment division with the linear protrusions 104 and 106 as a boundary is realized.

図39は、線状突起104の代わりにスリット120が形成された図35に示す液晶表示装置をY−Y線で切断した断面図であり、電圧無印加時の状態を示している。図39に示すように、配向規制用構造物のスリット120は、画素電極114を除去して形成されている。液晶分子は、図37に示す液晶分子と同様に、両基板108、110上の垂直配向膜116に対してほぼ垂直に配向している。   FIG. 39 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 35 in which slits 120 are formed instead of the linear protrusions 104 taken along line YY, and shows a state when no voltage is applied. As shown in FIG. 39, the slit 120 of the alignment regulating structure is formed by removing the pixel electrode 114. The liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicular to the vertical alignment film 116 on both the substrates 108 and 110 in the same manner as the liquid crystal molecules shown in FIG.

図40は、図39と同様に図35のY−Y線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧印加時の液晶LCの状態を示している。図40に示すように、スリット120の形成された領域は、図38に示した線状突起104が形成された領域とほぼ同様の電気力線が形成されている。これにより、線状突起106、スリット120を境界とした配向分割が実現される。なお、図37乃至図40では、セルギャップを保持する球状スペーサ122の表示は省略している。   FIG. 40 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line YY of FIG. 35 as in FIG. 39, and shows the state of the liquid crystal LC when a voltage is applied. As shown in FIG. 40, in the region where the slit 120 is formed, electric lines of force are formed which are substantially the same as the region where the linear protrusion 104 shown in FIG. 38 is formed. Thereby, the alignment division with the linear protrusion 106 and the slit 120 as a boundary is realized. 37 to 40, the spherical spacer 122 that holds the cell gap is not shown.

図41は、図35のZ−Z線で切断した液晶表示装置のドレインバスライン近傍の断面図である。図41に示すように、TFT基板108は、ガラス基板112上の全面に絶縁膜124を有している。絶縁膜124上にはドレインバスライン126が形成されている。ドレインバスライン126上には保護膜128が全面に形成されている。保護膜128上には画素毎に画素電極114が形成されている。対向して配置される共通電極基板110上には、TFT基板108上で画素電極114が形成されていない領域(画素領域端部)を遮光するようにBM102が形成されている。   41 is a cross-sectional view of the vicinity of the drain bus line of the liquid crystal display device taken along line ZZ in FIG. As shown in FIG. 41, the TFT substrate 108 has an insulating film 124 on the entire surface of the glass substrate 112. A drain bus line 126 is formed on the insulating film 124. A protective film 128 is formed on the entire surface of the drain bus line 126. A pixel electrode 114 is formed on the protective film 128 for each pixel. The BM 102 is formed on the common electrode substrate 110 disposed so as to shield light from a region (pixel region end) where the pixel electrode 114 is not formed on the TFT substrate 108.

ところで、従来のMVA方式の液晶表示装置は、パネル透過率が低いために表示が暗くなるという欠点を有している。パネル透過率の低さには様々な要因があるが、TFT基板108と共通電極基板110との貼り合わせずれによる開口率の低下や、配向規制用構造物(線状突起104、106あるいはスリット120)による開口率の低下、球状スペーサ122近傍での液晶の配向の乱れ等が挙げられる。   By the way, the conventional MVA liquid crystal display device has a drawback that the display becomes dark because of low panel transmittance. Although there are various factors in the low panel transmittance, the aperture ratio is reduced due to the bonding displacement between the TFT substrate 108 and the common electrode substrate 110, and the alignment regulating structure (the linear protrusions 104 and 106 or the slit 120). ) Due to a decrease in the aperture ratio, disorder of the orientation of the liquid crystal near the spherical spacer 122, and the like.

MVA方式の液晶表示装置は、視角特性が大きく改善されており、輝度の高さが比較的重要でないパソコンのモニタ等には優れている。しかし、輝度の高さが重要なDVD(Digital Versatile Disk)再生装置の表示部やテレビとして用いるには、バックライトを明るくしたり、光の射出方向を揃えて特定方向の輝度を向上させる特殊なシートを用いたりする必要がある。このため、製造コストが増加するという問題が生じている。   The MVA type liquid crystal display device has greatly improved viewing angle characteristics, and is excellent for a monitor of a personal computer in which high brightness is relatively unimportant. However, in order to use as a display unit or a television of a DVD (Digital Versatile Disk) playback apparatus in which high brightness is important, a special backlight that brightens or aligns the light emission direction to improve the brightness in a specific direction. It is necessary to use a sheet. For this reason, the problem that manufacturing cost increases has arisen.

また、配向規制用構造物としての線状突起や絶縁層等を形成することにより、通常の基板製造工程よりも製造工程が増加するため、製造コストが増加するという問題が生じている。   In addition, the formation of linear protrusions, insulating layers, and the like as the alignment regulating structure increases the number of manufacturing steps as compared with a normal substrate manufacturing step, resulting in an increase in manufacturing cost.

本発明の目的は、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate for a liquid crystal display device from which a display device having high luminance and good display characteristics can be obtained, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same.

上記目的は、対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極と、前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された配向規制用構造物とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。   The object is to cross a substrate that sandwiches a liquid crystal having negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed opposite to the substrate, a plurality of gate bus lines formed on the substrate, and the gate bus line. A plurality of drain bus lines formed on the substrate; a pixel region defined by the gate bus line and the drain bus line; a thin film transistor formed for each pixel region; and a pixel region formed for each pixel region. A liquid crystal display comprising: a resin color filter layer formed; a pixel electrode formed for each of the pixel regions; and an alignment regulating structure formed on the substrate for regulating the alignment of the liquid crystal. This is achieved by the device substrate.

また、上記目的は、第1の基板と、互いに交差して前記第1の基板上に形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、前記第1の基板と異なる厚さ又は材質を有する第2の基板と、前記第2の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第1の基板に対向して配置された共通電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。   Further, the object is formed for each of the first substrate, a plurality of bus lines crossing each other and formed on the first substrate, a pixel region defined by the bus lines, and the pixel region. A thin film transistor substrate having a thin film transistor, a resin color filter layer formed for each pixel region, and a pixel electrode formed for each pixel region; and a first thin film transistor having a thickness or material different from that of the first substrate. 2 and a common electrode formed on the second substrate, the common electrode substrate disposed opposite to the first substrate, and between the thin film transistor substrate and the common electrode substrate This is achieved by a liquid crystal display device having a sealed liquid crystal.

さらに、上記目的は、対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極と、前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。   Further, the object is formed on the substrate across the gate bus line, a substrate for sandwiching the liquid crystal together with the opposing substrate arranged opposite to each other, a plurality of gate bus lines formed on the substrate, and the gate bus line. A plurality of drain bus lines; a pixel region defined by the gate bus line and the drain bus line; a thin film transistor formed for each pixel region; and a resin color filter layer formed for each pixel region; A liquid crystal display substrate comprising: a pixel electrode formed for each pixel region; and a resin layer formed to cover the source / drain electrodes of the thin film transistor and the drain bus line. Achieved.

本発明によれば、輝度が高く表示特性の良好な液晶表示装置が得られる。   According to the present invention, a liquid crystal display device having high luminance and good display characteristics can be obtained.

〔第1の実施の形態〕
本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図1乃至図22及び図42を用いて説明する。まず、本実施の形態の第1の基本構成について図1及び図2を用いて説明する。図1は、TFT基板8上のR、G、Bの3画素を示している。図1に示すように、各画素は図中左右方向に延びるゲートバスライン25と、図中上下方向に延びるドレインバスライン26とで画定されている。各バスライン25、26の交差位置近傍にはTFT(不図示)が形成されている。また、その上部にはTFTに入射する光を遮光するために、樹脂CF層R、G、Bのうち少なくともいずれか2層を重ねた樹脂重ね部32が形成されている。本実施の形態による液晶表示装置は、TFT基板8に対向して配置される共通電極基板上にはBMが形成されず、基板TFT基板8に形成された各バスライン25、26及び樹脂重ね部32がBMの機能を奏するようになっている。なお、図1に示す樹脂重ね層32に代えて、樹脂CF層R、G、Bのいずれか1層だけをTFT上に形成しても遮光は可能である。
[First Embodiment]
A substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. First, the first basic configuration of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows three pixels of R, G, and B on the TFT substrate 8. As shown in FIG. 1, each pixel is defined by a gate bus line 25 extending in the horizontal direction in the drawing and a drain bus line 26 extending in the vertical direction in the drawing. A TFT (not shown) is formed in the vicinity of the intersection position of the bus lines 25 and 26. In addition, a resin overlap portion 32 in which at least two of the resin CF layers R, G, and B are overlapped is formed on the upper portion in order to block light incident on the TFT. In the liquid crystal display device according to the present embodiment, the BM is not formed on the common electrode substrate disposed to face the TFT substrate 8, and the bus lines 25 and 26 formed on the substrate TFT substrate 8 and the resin overlap portion are formed. 32 is adapted to perform the BM function. Note that light shielding is possible even if only one of the resin CF layers R, G, and B is formed on the TFT instead of the resin overlap layer 32 shown in FIG.

図2は、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第1の基本構成を示す図であり、図1のA−A線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図2に示すように、TFT基板8は、透明なガラス基板12上のほぼ全面に絶縁膜24を有している。絶縁膜24上には、ドレインバスライン26が形成されている。ドレインバスライン26上には樹脂CF層R、G、B(図2ではG、Bのみ示す)が形成されている(CF−on−TFT構造)。樹脂CF層R、G、B上には画素毎に画素電極14が形成されている。一方、TFT基板8に対向して配置されている共通電極基板10は、ガラス基板12上の全面に共通電極18を有している。共通電極基板10上にBMは形成されていない。画素電極14及び共通電極18上の全面には、垂直配向膜(図示せず)が形成されている。TFT基板8と共通電極基板10との間には、液晶層LCが封止されている。   FIG. 2 is a diagram showing a first basic configuration of a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment and a liquid crystal display device having the substrate, and a cross section of the liquid crystal display device taken along line AA in FIG. Show. As shown in FIG. 2, the TFT substrate 8 has an insulating film 24 on almost the entire surface of the transparent glass substrate 12. A drain bus line 26 is formed on the insulating film 24. Resin CF layers R, G, and B (only G and B are shown in FIG. 2) are formed on the drain bus line 26 (CF-on-TFT structure). A pixel electrode 14 is formed for each pixel on the resin CF layers R, G, and B. On the other hand, the common electrode substrate 10 disposed to face the TFT substrate 8 has a common electrode 18 on the entire surface of the glass substrate 12. BM is not formed on the common electrode substrate 10. A vertical alignment film (not shown) is formed on the entire surface of the pixel electrode 14 and the common electrode 18. A liquid crystal layer LC is sealed between the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10.

ところで、図41に示した従来の液晶表示装置では、画素電極114をドレインバスライン126上にまで張り出して形成すると、画素電極114とドレインバスライン126との間に保護膜128を誘電体として挟む容量が構成される。したがって、画素電極114とドレインバスライン126との間には、基板面に沿う方向で所定の間隔を設けることが必要である。   In the conventional liquid crystal display device shown in FIG. 41, when the pixel electrode 114 is formed so as to extend over the drain bus line 126, the protective film 128 is sandwiched between the pixel electrode 114 and the drain bus line 126 as a dielectric. Capacity is configured. Therefore, it is necessary to provide a predetermined gap between the pixel electrode 114 and the drain bus line 126 in the direction along the substrate surface.

それに対し、図2に示す本実施の形態による液晶表示装置では、画素電極114とドレインバスライン126との間に樹脂CF層R、G、Bが形成されている。樹脂CF層R、G、Bはスピンコート法等を用いて塗布形成されるため、CVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて成膜される保護膜128と比較して、容易に厚く形成することができる。従って、ドレインバスライン26と画素電極14との間に生じる静電容量を低減できる。このため、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン26上に画素電極14を重ねて形成することができるため、共通電極基板10上にBMを形成する必要がなく、開口率が向上する。また、ドレインバスライン26がBMとして機能し、共通電極基板10上にBMを配置する必要がないため、製造工程が減少する。また、TFT基板8と共通電極基板10との間の貼合わせずれによる開口率の低下が生じない。   In contrast, in the liquid crystal display device according to the present embodiment shown in FIG. 2, resin CF layers R, G, and B are formed between the pixel electrode 114 and the drain bus line 126. Since the resin CF layers R, G, and B are applied and formed using a spin coat method or the like, the resin CF layers R, G, and B are easily formed thicker than the protective film 128 formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Can do. Accordingly, the capacitance generated between the drain bus line 26 and the pixel electrode 14 can be reduced. For this reason, since the pixel electrode 14 can be formed on the drain bus line 26 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface, it is not necessary to form a BM on the common electrode substrate 10 and the aperture ratio is improved. . Further, since the drain bus line 26 functions as a BM and there is no need to dispose the BM on the common electrode substrate 10, the manufacturing process is reduced. Further, the aperture ratio does not decrease due to the bonding deviation between the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10.

図2に示すCF−on−TFT構造は、画素電極14端部がドレインバスライン26に重なるように形成しないと黒表示の際に光漏れが生じてしまうTNモードでノーマリホワイトモードの液晶表示装置に適している。ところが、画素電極14とドレインバスライン26との重なり領域に形成される容量を小さくするには樹脂CF層R、G、B(有機絶縁膜)をかなり厚く形成しなければならない。このためCF−on−TFT構造は、対向基板側に樹脂CF層R、G、Bを形成する場合より製造プロセスが煩雑になってしまうという問題が生じる。また、ドレインバスライン26による遮光(バスライン遮光)を確実にするには樹脂CF層R、G、B端部をドレインバスライン26上に正確に位置合わせして形成する必要がある。従って、ドレインバスラインの線幅が微細化すると樹脂CF層R、G、Bの形成に通常用いられるプロキシミティ(近接)露光装置では充分な位置合わせができないおそれが生じる。一方、位置合わせ精度に優れたステッパやミラープロジェクション方式のアライナ等を用いたのではCF−on−TFT構造の製造コストが増加してしまう。   The CF-on-TFT structure shown in FIG. 2 is a normally white mode liquid crystal display in a TN mode in which light leakage occurs during black display unless the end of the pixel electrode 14 is overlapped with the drain bus line 26. Suitable for equipment. However, in order to reduce the capacitance formed in the overlapping region between the pixel electrode 14 and the drain bus line 26, the resin CF layers R, G, and B (organic insulating films) must be formed to be considerably thick. For this reason, the CF-on-TFT structure has a problem that the manufacturing process becomes more complicated than when the resin CF layers R, G, and B are formed on the counter substrate side. Further, in order to ensure light shielding by the drain bus line 26 (bus line light shielding), the resin CF layers R, G, and B end portions must be accurately aligned on the drain bus line 26. Therefore, when the line width of the drain bus line is reduced, there is a possibility that sufficient alignment cannot be performed by the proximity (proximity) exposure apparatus normally used for forming the resin CF layers R, G, and B. On the other hand, if a stepper or a mirror projection type aligner with excellent alignment accuracy is used, the manufacturing cost of the CF-on-TFT structure increases.

図3は、図2に示す第1の基本構成の変形例を示している。図3に示すように、画素電極14は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン26に重ならいように、画素電極14端部とドレインバスライン26端部との間で基板面方向に所定の間隙を有して形成されている。また、樹脂CF層G端部はドレインバスライン26上に形成されているが、樹脂CF層B端部はパターニングずれによりドレインバスライン26上から外れて形成されている。ところが、例えばMVA方式であって電圧無印加時に黒を表示するノーマリブラックモードの液晶表示装置の場合には、画素電極14が所定の間隙でドレインバスライン26に重ならないように形成されていても、当該間隙領域は電圧無印加時に黒となるので光漏れの問題は生じない。また、画素電極14とドレインバスライン26との重なり領域を形成しないので容量が構成されず、従って、樹脂CF層R、G、Bの膜厚を任意の薄さにすることができるようになる。また、図3に示すように樹脂CF層R、G、B端部がドレインバスライン26上から外れて形成されても、樹脂CF層R、G、B端部が画素電極14端部よりドレインバスライン26側にある限り光漏れは生じない。このため、樹脂CF層R、G、Bのパターニング時の位置合わせマージンを大きくすることができ、通常のプロキシミティ露光装置を用いて低コストでCF−on−TFT構造を得ることができるようになる。   FIG. 3 shows a modification of the first basic configuration shown in FIG. As shown in FIG. 3, the pixel electrode 14 is positioned in the substrate surface direction between the end of the pixel electrode 14 and the end of the drain bus line 26 so as to overlap the drain bus line 26 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface. Are formed with a predetermined gap. The end portion of the resin CF layer G is formed on the drain bus line 26, but the end portion of the resin CF layer B is formed away from the drain bus line 26 due to patterning deviation. However, in the case of a normally black mode liquid crystal display device that displays black when no voltage is applied, for example, the MVA method, the pixel electrode 14 is formed so as not to overlap the drain bus line 26 with a predetermined gap. However, since the gap region is black when no voltage is applied, the problem of light leakage does not occur. Further, since the overlapping region between the pixel electrode 14 and the drain bus line 26 is not formed, no capacitance is formed, and therefore the film thickness of the resin CF layers R, G, and B can be arbitrarily reduced. . Further, as shown in FIG. 3, even if the end portions of the resin CF layers R, G, and B are formed off the drain bus line 26, the end portions of the resin CF layers R, G, and B are drained from the end portions of the pixel electrodes 14. As long as it is on the bus line 26 side, no light leakage occurs. For this reason, the alignment margin at the time of patterning the resin CF layers R, G, and B can be increased, and a CF-on-TFT structure can be obtained at a low cost by using a normal proximity exposure apparatus. Become.

図4は、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第2の基本構成を示しており、図1のB−B線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図4に示すように、液晶表示装置は、画素電極14上に形成された配向規制用構造物の線状突起28を有している。また、ゲートバスライン25とドレインバスライン26との交差位置近傍では、樹脂CF層R、B、Gがこの順に積層され、BMとして機能する樹脂重ね部32が形成されている。樹脂重ね部32上には、配向規制用構造物としての機能を有さない突起29が形成されている。突起29は、線状突起28と同一の形成材料で同時に形成されている。TFT基板8を構成する各樹脂層の樹脂重ね部32及び突起29が積層されて、対向して配置される共通電極基板10との間のセルギャップを保持する柱状スペーサ30が形成されている。   FIG. 4 shows a second basic configuration of the liquid crystal display device substrate and the liquid crystal display device including the same according to the present embodiment, and shows a cross section of the liquid crystal display device taken along line BB in FIG. ing. As shown in FIG. 4, the liquid crystal display device has a linear protrusion 28 of an alignment regulating structure formed on the pixel electrode 14. Further, in the vicinity of the intersection position of the gate bus line 25 and the drain bus line 26, resin CF layers R, B, and G are laminated in this order to form a resin overlap portion 32 that functions as a BM. On the resin overlap portion 32, a protrusion 29 that does not have a function as an alignment regulating structure is formed. The protrusions 29 are simultaneously formed of the same forming material as the linear protrusions 28. The resin overlapping portions 32 and the protrusions 29 of the respective resin layers constituting the TFT substrate 8 are laminated to form a columnar spacer 30 that holds a cell gap with the common electrode substrate 10 that is arranged to be opposed to the TFT substrate 8.

本実施の形態の第2の基本構成では、TFT基板8を構成する樹脂CF層等を積層させて柱状スペーサを形成している。こうすることにより、製造工程が減少するため製造コストを低減できる。また球状等の散布式スペーサの近傍で発生する光漏れや配向の乱れを低減できるため、良好な表示特性が得られる。   In the second basic configuration of the present embodiment, a columnar spacer is formed by laminating a resin CF layer or the like constituting the TFT substrate 8. By doing so, the manufacturing cost can be reduced because the manufacturing process is reduced. In addition, since light leakage and disorder of orientation occurring in the vicinity of a spherical or other scattering type spacer can be reduced, good display characteristics can be obtained.

図5は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の第3の基本構成を示している。共通電極基板10の額縁領域40には、表示領域38端部を遮光する額縁パターン34が形成されている。また、額縁領域40の外側には、対向するTFT基板8(図5及び図6では図示せず)と貼り合わせる際に用いられる例えば十字形状の位置合わせ用マークが形成されている。   FIG. 5 shows a third basic configuration of the liquid crystal display device substrate according to the present embodiment. In the frame area 40 of the common electrode substrate 10, a frame pattern 34 that shields the end of the display area 38 is formed. Further, on the outside of the frame region 40, for example, a cross-shaped alignment mark used for bonding to the opposing TFT substrate 8 (not shown in FIGS. 5 and 6) is formed.

図6(a)は、図5に示す共通電極基板10の領域αを拡大して示している。また、図6(b)は、図6(a)のC−C線で切断した共通電極基板10の断面を示している。図6(a)、(b)に示すように、ガラス基板12上の表示領域38及び表示領域38端部の額縁領域40には、共通電極18が形成されている。表示領域38の共通電極18上には、表示領域38端部に対して斜めに線状突起28が例えば黒色レジスト(黒色樹脂)等で形成されている。額縁領域40の共通電極18上には、表示領域38端部を遮光するための額縁パターン34が、線状突起28と同一の形成材料で同時に形成されている。また、額縁領域40の図中左側には、位置合わせ用マーク36が線状突起28と同一の形成材料で同時に形成されている。   FIG. 6A shows an enlarged region α of the common electrode substrate 10 shown in FIG. FIG. 6B shows a cross section of the common electrode substrate 10 cut along the line CC in FIG. As shown in FIGS. 6A and 6B, the common electrode 18 is formed in the display region 38 on the glass substrate 12 and the frame region 40 at the end of the display region 38. On the common electrode 18 in the display area 38, linear protrusions 28 are formed with a black resist (black resin) or the like obliquely with respect to the end of the display area 38, for example. On the common electrode 18 in the frame region 40, a frame pattern 34 for shielding the end of the display region 38 is simultaneously formed with the same material as that for the linear protrusions 28. In addition, on the left side of the frame region 40 in the figure, an alignment mark 36 is simultaneously formed of the same forming material as the linear protrusion 28.

本実施の形態の第3の基本構成によれば、額縁パターン34や位置合わせ用マーク36を配向規制用構造物と同一の形成材料で同時に形成するため、共通電極基板10の製造工程が減少し、製造コストを低減できる。   According to the third basic configuration of the present embodiment, since the frame pattern 34 and the alignment mark 36 are formed simultaneously with the same forming material as the alignment regulating structure, the manufacturing process of the common electrode substrate 10 is reduced. Manufacturing cost can be reduced.

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について実施例1−1乃至1−3を用いてより具体的に説明する。
(実施例1−1)
まず、実施例1−1による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図7乃至図16を用いて説明する。図7は、図1に示すTFT基板8と共通電極基板10とを貼り合わせた状態を示す概念図であり、R、G、Bの3画素について示している。また、本実施例による液晶表示装置は例えばMVA方式の液晶表示装置であり、図7には配向規制用構造物の配置も示している。共通電極基板10上には、画素領域端部に対して斜めに線状突起28が形成されている。また、TFT基板8上には、スリット20と、スリット20の延伸方向にほぼ直交してスリット20から延出する微細スリット21とが画素領域端部に対して斜めに形成されている。微細スリット21は、スリット20と線状突起28との間隔に比較して狭い間隔で複数形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶分子は、配向規制用構造物が比較的狭い間隔で形成されていると、配向規制用構造物の延伸方向に平行になるように配列する。このため、スリット20と直交する微細スリット21を形成することにより、液晶分子はより強く配向規制される。
Hereinafter, the substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment and the liquid crystal display device including the substrate will be described more specifically with reference to Examples 1-1 to 1-3.
(Example 1-1)
First, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1, a liquid crystal display device including the same, and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a conceptual diagram showing a state in which the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10 shown in FIG. 1 are bonded together, and shows three pixels of R, G, and B. The liquid crystal display device according to this embodiment is, for example, an MVA type liquid crystal display device, and FIG. 7 also shows the arrangement of alignment regulating structures. On the common electrode substrate 10, linear protrusions 28 are formed obliquely with respect to the end of the pixel region. On the TFT substrate 8, a slit 20 and a fine slit 21 extending from the slit 20 substantially orthogonal to the extending direction of the slit 20 are formed obliquely with respect to the end of the pixel region. A plurality of the fine slits 21 are formed at a narrow interval compared to the interval between the slit 20 and the linear protrusion 28. Liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy are aligned so as to be parallel to the extending direction of the alignment regulating structure when the alignment regulating structures are formed at a relatively narrow interval. For this reason, the liquid crystal molecules are more strongly regulated by forming the fine slits 21 orthogonal to the slits 20.

図8は、図7のD−D線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図8に示すように、TFT基板8は、ガラス基板12上の全面に絶縁膜24を有している。絶縁膜24上には、ドレインバスライン26が形成されている。ドレインバスライン26上には樹脂CF層R、B、G(図8ではG、Bのみ示す)が形成されている。樹脂CF層R、B、G上には、画素電極14と、画素電極14を一部除去したスリット20とが形成されている。なお、図8では微細スリット21の図示は省略している。一方、共通電極基板10は、ガラス基板12上の全面に共通電極18を有している。共通電極18上には線状突起28が形成されている。画素電極14、共通電極18及び線状突起28上には、垂直配向膜(図示せず)が形成されている。TFT基板8と共通電極基板10との間には、負の誘電率異
方性を有する液晶LCが封止されている。
FIG. 8 shows a cross section of the liquid crystal display device taken along line DD in FIG. As shown in FIG. 8, the TFT substrate 8 has an insulating film 24 on the entire surface of the glass substrate 12. A drain bus line 26 is formed on the insulating film 24. Resin CF layers R, B, and G (only G and B are shown in FIG. 8) are formed on the drain bus line 26. On the resin CF layers R, B, and G, a pixel electrode 14 and a slit 20 from which the pixel electrode 14 is partially removed are formed. In addition, illustration of the fine slit 21 is abbreviate | omitted in FIG. On the other hand, the common electrode substrate 10 has a common electrode 18 on the entire surface of the glass substrate 12. A linear protrusion 28 is formed on the common electrode 18. A vertical alignment film (not shown) is formed on the pixel electrode 14, the common electrode 18, and the linear protrusion 28. A liquid crystal LC having negative dielectric anisotropy is sealed between the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10.

図9は、本実施例によるTFT基板8のTFT近傍の構成を示している。図9に示すように、TFT基板8は、ガラス基板12上に、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン25(図9では1本のみ示している)と、ゲートバスライン25に交差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン26(図9では3本示している)とを有している。両バスライン25、26の交差位置近傍には、TFT42が形成されている。TFT42は、ドレインバスライン26から分岐したドレイン電極44と、ドレイン電極44に所定の間隙で対向して配置されたソース電極46と、ゲートバスライン25のうちドレイン電極44及びソース電極46とオーバーラップする部分(ゲート電極)とを有している。ゲート電極上には動作半導体層52とその上層のチャネル保護膜48とが形成されている。ゲートバスライン25とドレインバスライン26とは画素領域を画定しており、各画素領域には樹脂CF層R、G、Bが形成されている。また、各画素領域には画素電極14が形成されている。画素電極14の図中左右端は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン26端部に重なるように形成されている。なお、図9では、スリットの図示は省略している。   FIG. 9 shows a configuration in the vicinity of the TFT of the TFT substrate 8 according to this embodiment. As shown in FIG. 9, the TFT substrate 8 intersects a plurality of gate bus lines 25 (only one is shown in FIG. 9) extending in the left-right direction in the drawing on the glass substrate 12 and the gate bus lines 25. A plurality of drain bus lines 26 (three are shown in FIG. 9) extending in the vertical direction in the figure. A TFT 42 is formed in the vicinity of the crossing position of both bus lines 25 and 26. The TFT 42 includes a drain electrode 44 branched from the drain bus line 26, a source electrode 46 disposed facing the drain electrode 44 with a predetermined gap, and overlaps the drain electrode 44 and the source electrode 46 in the gate bus line 25. Part (gate electrode). On the gate electrode, an operating semiconductor layer 52 and an overlying channel protective film 48 are formed. The gate bus line 25 and the drain bus line 26 define a pixel region, and resin CF layers R, G, and B are formed in each pixel region. A pixel electrode 14 is formed in each pixel region. The left and right ends of the pixel electrode 14 in the figure are formed so as to overlap the end of the drain bus line 26 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface. In FIG. 9, the illustration of the slit is omitted.

また、図10(a)は図9のE−E線で切断したTFT基板8の断面を示しており、図10(b)は図9のF−F線で切断したTFT基板8の断面を示している。図10(a)、(b)に示すように、TFT42及びドレインバスライン26上には、樹脂CF層R、G、Bが形成されている。樹脂CF層R、G、B上には画素電極14が形成されている。画素電極14端部は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン26端部に重なるように形成されている。   10A shows a cross section of the TFT substrate 8 cut along line EE in FIG. 9, and FIG. 10B shows a cross section of the TFT substrate 8 cut along line FF in FIG. Show. As shown in FIGS. 10A and 10B, resin CF layers R, G, and B are formed on the TFT 42 and the drain bus line 26. Pixel electrodes 14 are formed on the resin CF layers R, G, and B. The end of the pixel electrode 14 is formed so as to overlap the end of the drain bus line 26 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface.

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図11乃至図16を用いて説明する。図11乃至図16は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。図11乃至図16において、(a)は図9に示すE−E線で切断したTFT基板8の断面を示しており、(b)は図9に示すF−F線で切断したTFT基板8の断面を示している。まず、図11(a)、(b)に示すように、ガラス基板12上の全面に、例えば膜厚100nmのアルミニウム(Al)層と膜厚50nmのチタン(Ti)層とをこの順に成膜してパターニングし、ゲートバスライン25を形成する。パターニングは、被パターニング層上に所定のレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて被パターニング層をエッチングして、レジストパターンを剥離するフォトリソグラフィ法を用いて行われる。   Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 11 to 16 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to this example. 11 to 16, (a) shows a cross section of the TFT substrate 8 cut along the line EE shown in FIG. 9, and (b) shows the TFT substrate 8 cut along the line FF shown in FIG. The cross section of is shown. First, as shown in FIGS. 11A and 11B, for example, an aluminum (Al) layer having a thickness of 100 nm and a titanium (Ti) layer having a thickness of 50 nm are formed in this order on the entire surface of the glass substrate 12. Then, the gate bus line 25 is formed by patterning. The patterning is performed using a photolithography method in which a predetermined resist pattern is formed on the patterning layer, the patterning layer is etched using the obtained resist pattern as an etching mask, and the resist pattern is peeled off.

次に、図12(a)、(b)に示すように、例えば膜厚350nmのシリコン窒化膜(SiN膜)、膜厚30nmのa−Si層52’及び膜厚120nmのSiN膜を連続成膜する。次に、背面露光によるパターニングにより、エッチングストッパとなるチャネル保護膜48を自己整合的に形成する。次に、図13(a)、(b)に示すように、例えば膜厚30nmのn+a−Si層、膜厚20nmのTi層、膜厚75nmのAl層及び膜厚40nmのTi層を成膜し、チャネル保護膜48をエッチングストッパとして用いてパターニングし、ドレイン電極44、ソース電極46及びドレインバスライン26を形成する。以上の工程でTFT42が完成する。 Next, as shown in FIGS. 12A and 12B, for example, a silicon nitride film (SiN film) having a thickness of 350 nm, an a-Si layer 52 ′ having a thickness of 30 nm, and a SiN film having a thickness of 120 nm are continuously formed. Film. Next, a channel protective film 48 serving as an etching stopper is formed in a self-aligned manner by patterning by back exposure. Next, as shown in FIGS. 13A and 13B, for example, an n + a-Si layer having a thickness of 30 nm, a Ti layer having a thickness of 20 nm, an Al layer having a thickness of 75 nm, and a Ti layer having a thickness of 40 nm are formed. A drain electrode 44, a source electrode 46, and a drain bus line 26 are formed by patterning using the channel protective film 48 as an etching stopper. The TFT 42 is completed through the above steps.

次に、図14(a)、(b)に示すように、感光性顔料分散タイプのRレジストを例えば膜厚3.0μmに塗布してパターニングする。その後、ポストベークして、ソース電極46上で開口されたコンタクトホール50を有する樹脂CF層Rを所定の画素領域に形成する。   Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied to a film thickness of, for example, 3.0 μm and patterned. Thereafter, post-baking is performed to form a resin CF layer R having a contact hole 50 opened on the source electrode 46 in a predetermined pixel region.

次に、図15(a)、(b)に示すように、感光性顔料分散タイプのBレジストを例えば膜厚3.0μmに塗布してパターニングする。その後、ポストベークして、樹脂CF層Bを所定の画素領域に形成する。同様に、図16(a)、(b)に示すように、樹脂CF層Gを所定の画素領域に形成する。次に、例えば膜厚70nmのITOを全面に成膜してパターニングし、図中左右端が、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン26端部に重なるような画素電極14を形成する。以上の工程を経て、図9及び図10(a)、(b)に示したTFT基板8が完成する。   Next, as shown in FIGS. 15A and 15B, a photosensitive pigment dispersion type B resist is applied to a film thickness of, for example, 3.0 μm and patterned. Thereafter, post-baking is performed to form the resin CF layer B in a predetermined pixel region. Similarly, as shown in FIGS. 16A and 16B, a resin CF layer G is formed in a predetermined pixel region. Next, for example, a 70 nm-thick ITO film is formed and patterned on the entire surface, and the pixel electrode 14 is formed so that the left and right ends in the figure overlap with the end of the drain bus line 26 when viewed in the direction perpendicular to the substrate surface. . Through the above steps, the TFT substrate 8 shown in FIGS. 9 and 10A and 10B is completed.

なお、本実施例では、ドレイン電極44、ソース電極46及びドレインバスライン26等のソース/ドレイン形成層上に直接、樹脂CF層R、G、Bを形成したが、ソース/ドレイン形成層上に保護膜を形成し、当該保護膜上に樹脂CF層R、G、Bを形成してもよい。また、樹脂CF層R、G、B上に保護膜を形成し、当該保護膜上に画素電極14を形成してもよい。TFT42や樹脂CF層R、G、B等の形成材料や製造工程は上記以外でももちろんよい。   In this embodiment, the resin CF layers R, G, and B are formed directly on the source / drain formation layers such as the drain electrode 44, the source electrode 46, and the drain bus line 26. However, the resin CF layers R, G, and B are formed on the source / drain formation layers. A protective film may be formed, and the resin CF layers R, G, and B may be formed on the protective film. Further, a protective film may be formed on the resin CF layers R, G, and B, and the pixel electrode 14 may be formed on the protective film. Of course, the formation materials and manufacturing processes of the TFT 42 and the resin CF layers R, G, and B may be other than those described above.

また、本実施例では、配向規制用構造物として、TFT基板8上にスリット20及び微細スリット21を形成し、共通電極基板10上に線状突起28を形成したが、他の組み合わせを用いてもよい。本実施例によれば、上記第1の基本構成と同様の効果を得ることができる。   In this embodiment, as the alignment regulating structure, the slit 20 and the fine slit 21 are formed on the TFT substrate 8 and the linear protrusion 28 is formed on the common electrode substrate 10, but other combinations are used. Also good. According to the present embodiment, the same effect as that of the first basic configuration can be obtained.

(実施例1−2)
次に、実施例1−2による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図17、図18及び図42を用いて説明する。図17は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図8と同一の断面を示している。図17に示すように、本実施例による液晶表示装置は、TFT基板8のスリット20上に形成され、中間調での液晶分子の応答特性を改善させる配向規制用構造物となる誘電体層56を有している。誘電体層56は、フォトレジスト等で形成されている。
(Example 1-2)
Next, a liquid crystal display device substrate according to Example 1-2 and a liquid crystal display device including the same will be described with reference to FIGS. 17, 18, and 42. FIG. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment, and shows the same cross section as FIG. As shown in FIG. 17, the liquid crystal display device according to this embodiment is formed on the slit 20 of the TFT substrate 8 and is a dielectric layer 56 serving as an alignment regulating structure that improves the response characteristics of liquid crystal molecules in halftone. have. The dielectric layer 56 is formed of a photoresist or the like.

図18は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図4と同一の断面を示している。図18に示すように、本実施例による液晶表示装置は、TFT基板8のゲートバスライン25とドレインバスライン26との交差位置近傍では、樹脂CF層R、B、Gがこの順に積層されている。また、共通電極基板10の共通電極18上には、配向規制用構造物としての機能を有さない突起29が形成されている。TFT基板8上のゲートバスライン25、絶縁膜24、ドレインバスライン26及び樹脂CF層R、G、Bと、共通電極基板10上の突起29とで、セルギャップを保持する柱状スペーサ30を構成している。   FIG. 18 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment, and shows the same cross section as FIG. As shown in FIG. 18, in the liquid crystal display device according to this embodiment, resin CF layers R, B, and G are laminated in this order in the vicinity of the intersection position of the gate bus line 25 and the drain bus line 26 of the TFT substrate 8. Yes. Further, on the common electrode 18 of the common electrode substrate 10, a protrusion 29 that does not function as an alignment regulating structure is formed. The columnar spacer 30 that holds the cell gap is configured by the gate bus line 25, the insulating film 24, the drain bus line 26 and the resin CF layers R, G, and B on the TFT substrate 8 and the protrusion 29 on the common electrode substrate 10. is doing.

なお、柱状スペーサ30は、上記の構成に限らず他の層で構成されていてもよい。例えば、樹脂CF層B上に誘電体層56と同一の形成材料で同時に形成された樹脂層を用いてもよい。そのときは、共通電極基板10側の突起29は形成されなくてもよい。また、TFT42や樹脂CF層R、G、B等の形成材料や製造工程は上記以外でももちろんよい。TFT基板8、共通電極基板10にそれぞれ形成される配向規制用構造物は、他の組み合わせでもよい。本実施例によれば、上記第2の基本構成と同様の効果を得ることができる。   Note that the columnar spacer 30 is not limited to the above-described configuration, and may be configured of other layers. For example, a resin layer formed simultaneously on the resin CF layer B with the same material as that of the dielectric layer 56 may be used. In that case, the protrusion 29 on the common electrode substrate 10 side may not be formed. Of course, the formation materials and manufacturing processes of the TFT 42 and the resin CF layers R, G, B, etc. may be other than those described above. The alignment regulating structures formed on the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10 may be in other combinations. According to the present embodiment, the same effect as that of the second basic configuration can be obtained.

図42は、本実施例による液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図であり、図4と同一の断面を示している。図42に示すように、本変形例の液晶表示装置は、TFT基板8のゲートバスライン25とドレインバスライン26との交差位置近傍において、樹脂CF層R、B、Gの積層だけで柱状スペーサ30を構成している。このように、共通電極基板10の突起29やTFT基板8側の誘電体層56を用いずに柱状スペーサ30を形成するようにしてもよい。   FIG. 42 is a cross-sectional view showing a modification of the configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment, and shows the same cross section as FIG. As shown in FIG. 42, the liquid crystal display device according to the present modified example has a columnar spacer formed only by laminating resin CF layers R, B, and G in the vicinity of the intersection of the gate bus line 25 and the drain bus line 26 of the TFT substrate 8. 30. Thus, the columnar spacers 30 may be formed without using the protrusions 29 of the common electrode substrate 10 and the dielectric layer 56 on the TFT substrate 8 side.

この構成は、突起とは別の配向規制用構造物が形成されたCF−on−TFT構造のMVA−LCDに好適である。例えば、TNモードのLCDにおいては通常、樹脂CF層等の積層構造で柱状スペーサを形成するには、樹脂CF層を重ね合わせる際の重ね合わせ精度やパネル貼り合わせ精度、あるいは十分な層高さを得るために要する設置面積について配慮すると、柱状スペーサのための樹脂CF層の断面積を大きくせざるを得ず、開口率が低下してしまうという問題が生じる。
一方、CF−on−TFT構造で樹脂CF層を重ねて柱状スペーサを形成すると、パネル貼り合わせ精度を考慮しなくて済むようになる。但し、柱状スペーサ近傍の液晶配向不良に対する遮光が必要であり、この遮光のために開口率が低下したり、BMが必要になってしまう。
これに対して、CF−on−TFT構造のMVA−LCDはノーマリブラックモードであり、樹脂CF層を重ねて柱状スペーサを形成すると、画素電極が存在しない部分は常時黒表示となるためBMを形成する必要がなく、開口率低下を抑えることが可能となる。また、パネル貼り合わせ精度や柱状スペーサ近傍の液晶配向不良を考慮する必要がないため、開口率の低下を抑えながら柱状スペーサを形成することが可能となる。
This configuration is suitable for an MVA-LCD having a CF-on-TFT structure in which an alignment regulating structure different from the protrusion is formed. For example, in a TN mode LCD, in general, in order to form a columnar spacer with a laminated structure such as a resin CF layer, the overlay accuracy and panel bonding accuracy when overlaying the resin CF layer, or a sufficient layer height is required. Considering the installation area required for obtaining, the sectional area of the resin CF layer for the columnar spacer has to be increased, which causes a problem that the aperture ratio is lowered.
On the other hand, when the columnar spacer is formed by overlapping the resin CF layer in the CF-on-TFT structure, it is not necessary to consider the panel bonding accuracy. However, it is necessary to shield the liquid crystal alignment defect in the vicinity of the columnar spacer, and the aperture ratio decreases or BM is necessary for this light shielding.
On the other hand, the MVA-LCD with the CF-on-TFT structure is a normally black mode. When the columnar spacer is formed by overlapping the resin CF layer, the portion where the pixel electrode does not exist is always displayed in black. It is not necessary to form it, and it is possible to suppress a decrease in aperture ratio. Further, since it is not necessary to consider panel bonding accuracy and liquid crystal alignment failure in the vicinity of the columnar spacer, the columnar spacer can be formed while suppressing a decrease in the aperture ratio.

(実施例1−3)
次に、実施例1−3による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図19乃至図22を用いて説明する。図19は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示しており、図6(a)に対応している。また、図20は、図19のG−G線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示しており、図6(b)に対応している。図19及び図20に示すように、共通電極基板10の表示領域38及び額縁領域40のガラス基板12上には、共通電極18が形成されている。表示領域38の共通電極18上には、表示領域38端部に対して斜めに線状突起28が形成されている。線状突起28は、下層が遮光用の金属のクロム(Cr)で形成され、上層がCrのパターニングに用いるレジスト層で形成されている。額縁領域40には、表示領域38端部を遮光するための額縁パターン34が形成されている。また、額縁領域40の図中左側には、対向するTFT基板8(図19及び図20では図示せず)と貼り合わせる際に用いられる十字形状の位置合わせ用マーク36がガラス基板10上に形成されている。額縁パターン34及び位置合わせ用マーク36は、線状突起28と同一の形成材料で同時に形成されている。
(Example 1-3)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-3, a liquid crystal display device including the same, and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 19 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this embodiment, which corresponds to FIG. FIG. 20 shows a cross section of the substrate for a liquid crystal display device taken along the line GG in FIG. 19, and corresponds to FIG. As shown in FIGS. 19 and 20, the common electrode 18 is formed on the glass substrate 12 in the display region 38 and the frame region 40 of the common electrode substrate 10. On the common electrode 18 in the display area 38, a linear protrusion 28 is formed obliquely with respect to the end of the display area 38. The linear protrusions 28 are formed of a light shielding metal chromium (Cr) on the lower layer and a resist layer used for Cr patterning on the upper layer. In the frame area 40, a frame pattern 34 for shielding the end of the display area 38 is formed. Further, on the left side of the frame region 40 in the figure, a cross-shaped alignment mark 36 used for bonding to the opposing TFT substrate 8 (not shown in FIGS. 19 and 20) is formed on the glass substrate 10. Has been. The frame pattern 34 and the alignment mark 36 are simultaneously formed of the same material as that of the linear protrusion 28.

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図21及び図22を用いて説明する。まず、図21に示すように、ガラス基板12上に、例えば膜厚100nmのITOを全面に成膜してパターニングし、共通電極18を形成する。次に、図22に示すように、例えば膜厚100nmのCr膜を全面に成膜する。次に、レジストを全面に塗布して露光、現像し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして用いてCrをエッチングし、線状突起28下層、額縁パターン34及び位置合わせ用マーク36を形成する。次に、レジストパターンをポストベークにより硬化させて線状突起28上層を形成する。以上の工程を経て、本実施例による共通電極基板10が完成する。   Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 21, for example, a 100 nm-thick ITO film is formed on the entire surface of the glass substrate 12 and patterned to form the common electrode 18. Next, as shown in FIG. 22, for example, a 100 nm-thickness Cr film is formed on the entire surface. Next, a resist is applied on the entire surface, exposed, and developed to form a predetermined resist pattern. Next, Cr is etched using the resist pattern as an etching mask to form the lower layer of the linear protrusion 28, the frame pattern 34, and the alignment mark 36. Next, the resist pattern is cured by post-baking to form the upper layer of the linear protrusions 28. Through the above steps, the common electrode substrate 10 according to this embodiment is completed.

なお、本実施例では額縁領域40を遮光し、あるいは位置合わせ用マーク36を視認するためにCr等の遮光可能な金属層を用い、線状突起28を形成するためにレジストを用いているが、図5及び図6に示したように、遮光膜を形成する黒色レジストをレジスト層に用いるようにすれば遮光用の金属層が不要になる。MVA方式の液晶表示装置はノーマリブラックモードであり、黒色レジストのOD(Optical Density)値は2.0程度で十分である。
以上のように、本実施の形態によれば、輝度が高く表示特性の良好な液晶表示装置を得ることができる。
In this embodiment, the frame region 40 is shielded from light, or a light-shieldable metal layer such as Cr is used to visually recognize the alignment mark 36, and a resist is used to form the linear protrusions 28. As shown in FIGS. 5 and 6, if a black resist for forming a light shielding film is used for the resist layer, a light shielding metal layer becomes unnecessary. The MVA type liquid crystal display device is in a normally black mode, and an OD (Optical Density) value of about 2.0 is sufficient for the black resist.
As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain a liquid crystal display device with high luminance and good display characteristics.

〔第2の実施の形態〕
本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図23及び図24を用いて説明する。
カラー液晶表示装置は、モニタ、ノートPCやPDA(Personal Digital Assistant)等のディスプレイに用いられており、近年更なる軽量化が望まれている。一般に、液晶表示装置は、ガラス基板が他の部材と比較して大きな重量比を有している。例えば厚さ(板厚)0.7mmのガラス基板では、液晶表示装置の約40%の重量を有している。このため、ガラス基板を軽量化することは、一般に液晶表示装置の軽量化に対する効果が大きい。
[Second Embodiment]
A substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including the same, and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS.
Color liquid crystal display devices are used in displays such as monitors, notebook PCs, and PDAs (Personal Digital Assistants), and in recent years, further weight reduction is desired. In general, in a liquid crystal display device, a glass substrate has a larger weight ratio than other members. For example, a glass substrate having a thickness (plate thickness) of 0.7 mm has a weight of about 40% of a liquid crystal display device. For this reason, reducing the weight of the glass substrate generally has a great effect on reducing the weight of the liquid crystal display device.

ガラスを軽量化する一つの手段として、厚さを薄くする方法がある。しかし、薄いガラス基板上への高精度なパターニングによるTFTやCF等の形成は困難であり、またパターニングの精度に限界があるという問題が生じている。また、TFT基板と、対向して配置される共通電極基板とで異なる特性のガラス基板を用いると、熱等による基板の変形が生じるため、貼り合わせが困難であるという問題が生じている。液晶表示パネルが完成した後に両基板の外側を研磨して厚さを薄くする方法もあるが製造コストが増加するという問題が生じている。   One way to reduce the weight of glass is to reduce the thickness. However, it is difficult to form TFTs, CFs and the like by high-precision patterning on a thin glass substrate, and there is a problem that patterning accuracy is limited. Further, when a glass substrate having different characteristics is used between the TFT substrate and the common electrode substrate disposed to face each other, the substrate is deformed by heat or the like, which causes a problem that bonding is difficult. Although there is a method of reducing the thickness by polishing the outer sides of both substrates after the liquid crystal display panel is completed, there is a problem that the manufacturing cost increases.

基板を軽量化する他の方法として、ガラス基板に代えてプラスチック基板を用いる方法がある。しかし、薄いガラス基板同様に高精度なパターニングを要するTFTやCF等の形成は困難であるという問題が生じている。また、基板が柔軟であるため、使用する目的により指押し等に対する耐加圧性が不十分な場合があるという問題が生じている。本実施の形態の目的は、高い信頼性を有し軽量な液晶表示装置を提供することにある。   As another method for reducing the weight of the substrate, there is a method using a plastic substrate instead of the glass substrate. However, there is a problem that it is difficult to form TFTs, CFs, and the like that require high-precision patterning as in the case of a thin glass substrate. In addition, since the substrate is flexible, there is a problem that pressure resistance against finger pressing or the like may be insufficient depending on the purpose of use. An object of the present embodiment is to provide a liquid crystal display device having high reliability and light weight.

これらの問題に対し、本実施の形態では、一方の基板上にTFTとCFとを形成している。こうすることにより他方の基板は高精度なパターニングが必要でなくなるため、薄いガラス基板やプラスチック基板等を自由に選択することができる。また、本実施の形態では、予め基板上にセルギャップを保持する柱状スペーサを形成している。こうすることにより、安定したセルギャップが得られ、耐加圧性が向上する。   In order to deal with these problems, in this embodiment, the TFT and the CF are formed on one substrate. This eliminates the need for highly accurate patterning on the other substrate, so that a thin glass substrate, plastic substrate, or the like can be freely selected. In the present embodiment, columnar spacers that hold cell gaps are formed in advance on the substrate. By doing so, a stable cell gap is obtained and the pressure resistance is improved.

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例2−1及び2−2を用いてより具体的に説明する。
(実施例2−1)
まず、実施例2−1による液晶表示装置について説明する。本実施例による液晶表示装置のTFT基板8は、図9及び図10に示した第1の実施の形態によるTFT基板8の構成と同様である。
Hereinafter, the substrate for the liquid crystal display device according to the present embodiment, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof will be described more specifically with reference to Examples 2-1 and 2-2.
(Example 2-1)
First, a liquid crystal display device according to Example 2-1 will be described. The TFT substrate 8 of the liquid crystal display device according to this example has the same configuration as that of the TFT substrate 8 according to the first embodiment shown in FIGS.

図23は、図10(a)に対応しており、本実施例による液晶表示装置の断面を示している。図23に示すように、本実施例による液晶表示装置は、TFT基板8とTFT基板8より薄い共通電極基板10とが所定のセルギャップを介して貼り合わされて形成されている。共通電極基板10は、TFT基板8のガラス基板12より薄いガラス基板12’上に共通電極18が形成されている。   FIG. 23 corresponds to FIG. 10A and shows a cross section of the liquid crystal display device according to this example. As shown in FIG. 23, the liquid crystal display device according to the present embodiment is formed by bonding a TFT substrate 8 and a common electrode substrate 10 thinner than the TFT substrate 8 through a predetermined cell gap. In the common electrode substrate 10, a common electrode 18 is formed on a glass substrate 12 ′ that is thinner than the glass substrate 12 of the TFT substrate 8.

ここで、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。なお、TFT基板8の製造方法は図11乃至図16に示した第1の実施の形態と同様であるので図示及びその説明を省略する。共通電極基板10は、図23に示すように、TFT基板8側のガラス基板12と同一の材質でガラス基板12より薄い例えば厚さ0.2mmの無アルカリガラスを用いたガラス基板12’を用いる。ガラス基板12’の全面に、例えば膜厚100nmのITOを成膜してパターニングし、共通電極18を形成する。以上の工程を経て共通電極基板10が完成する。   Here, a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment and a method for manufacturing a liquid crystal display device including the same will be briefly described. Since the manufacturing method of the TFT substrate 8 is the same as that of the first embodiment shown in FIGS. 11 to 16, the illustration and description thereof are omitted. As shown in FIG. 23, the common electrode substrate 10 uses a glass substrate 12 ′ using the same material as the glass substrate 12 on the TFT substrate 8 side and thinner than the glass substrate 12, for example, non-alkali glass having a thickness of 0.2 mm. . For example, an ITO film having a thickness of 100 nm is formed on the entire surface of the glass substrate 12 ′ and patterned to form the common electrode 18. The common electrode substrate 10 is completed through the above steps.

この後、両基板8、10の対向面に配向膜を形成してラビングする。次に、シール材を塗布し、スペーサを散布する。次に、両基板8、10を貼り合わせてパネル毎に分断する。次に、液晶注入口から液晶を注入して封止し、偏光板を貼付ける。以上の工程を経て本実施例による液晶表示装置が完成する。   Thereafter, an alignment film is formed on the opposing surfaces of both substrates 8 and 10 and rubbed. Next, a sealing material is applied and spacers are dispersed. Next, both substrates 8 and 10 are bonded together and divided into panels. Next, liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port and sealed, and a polarizing plate is attached. The liquid crystal display device according to this embodiment is completed through the above steps.

本実施例では、ガラス基板12’として、厚さ0.2mmの無アルカリガラスを用いたが、ガラス基板12と比重の異なるガラスを使用してもよい。より製造コストを低減させるために、アルカリ成分を含むソーダライムガラスを用いてもよい。ガラスが含むアルカリ成分は、例えば1%以上とする。ただし、動作半導体層52が露出されたチャネルエッチ型等のTFT42を有する液晶表示装置にアルカリ成分を含むガラスが用いられる際には、TFT42のアルカリ汚染が懸念されるため、保護膜等でTFT42を保護することが望ましい。なお、チャネル保護膜型のTFT42を有する液晶表示装置にアルカリ成分を含むガラスが用いられる際には問題がない。   In this embodiment, a non-alkali glass having a thickness of 0.2 mm is used as the glass substrate 12 ′, but a glass having a specific gravity different from that of the glass substrate 12 may be used. In order to further reduce the manufacturing cost, soda lime glass containing an alkali component may be used. The alkali component contained in the glass is, for example, 1% or more. However, when glass containing an alkali component is used in a liquid crystal display device having a channel etch type TFT 42 with the operating semiconductor layer 52 exposed, there is a concern about alkali contamination of the TFT 42. It is desirable to protect. There is no problem when glass containing an alkali component is used in a liquid crystal display device having a channel protective film type TFT 42.

本実施例では、TFT基板8上に樹脂CF層R、G、Bを形成することにより、共通電極基板10に重量の軽いガラス製やプラスチック製の基板を用いている。このため、軽量で信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、厚い基板を表示画面側に配置するようにすれば、指押し等に対する耐加圧性を向上させることができる。   In this embodiment, resin CF layers R, G, and B are formed on the TFT substrate 8 to use a light weight glass or plastic substrate for the common electrode substrate 10. For this reason, a lightweight and highly reliable liquid crystal display device can be realized. Further, if a thick substrate is arranged on the display screen side, the pressure resistance against finger pressing or the like can be improved.

(実施例2−2)
次に、実施例2−2による液晶表示装置について図24を用いて説明する。図24は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図である。図24に示すように、本実施例による液晶表示装置は、実施例2−1による液晶表示装置と同様に、共通電極基板10は、TFT基板8のガラス基板12より薄いガラス基板12’を有している。
(Example 2-2)
Next, a liquid crystal display device according to Example 2-2 will be described with reference to FIG. FIG. 24 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device according to this example. As shown in FIG. 24, in the liquid crystal display device according to this example, the common electrode substrate 10 has a glass substrate 12 ′ thinner than the glass substrate 12 of the TFT substrate 8 in the same manner as the liquid crystal display device according to Example 2-1. is doing.

TFT基板8上には、樹脂CF層B、G、Rをこの順に積層し、さらにその上に感光性アクリル樹脂による樹脂層60を積層して、セルギャップを保持する柱状スペーサ30が形成されている。なお、柱状スペーサ30の層構成は他の構成でもよいし、積層の順も任意である。また、MVA方式の液晶表示装置であれば、樹脂層60は、配向規制用構造物の線状突起と同一の形成材料で同時に形成されていてもよい。   On the TFT substrate 8, resin CF layers B, G, and R are laminated in this order, and a resin layer 60 made of a photosensitive acrylic resin is further laminated thereon to form a columnar spacer 30 that holds a cell gap. Yes. The layer configuration of the columnar spacer 30 may be other configurations, and the order of stacking is also arbitrary. Further, in the case of the MVA liquid crystal display device, the resin layer 60 may be formed simultaneously with the same forming material as the linear protrusions of the alignment regulating structure.

本実施例によれば、柱状スペーサ30を用いているため、基板面に散布される球状スペーサ等のように配向規制用構造物上に乗り上げてセルギャップがばらついてしまうことがなく、安定したセルギャップが得られる。また、柱状スペーサ30は基板面上に均一かつ高密度で配置されるために耐加圧性が向上する。このため、共通電極基板10を表示画面側に配置しても、信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、TFT基板8を表示画面側に配置する際は金属層による反射が大きくなるので、金属層の少なくともガラス基板12側の面には低反射多層膜の金属を用いることが望ましい。   According to the present embodiment, since the columnar spacer 30 is used, the cell gap does not vary by riding on the alignment regulating structure such as a spherical spacer dispersed on the substrate surface, and the stable cell. A gap is obtained. Further, since the columnar spacers 30 are arranged uniformly and at a high density on the substrate surface, the pressure resistance is improved. Therefore, even when the common electrode substrate 10 is arranged on the display screen side, a highly reliable liquid crystal display device can be realized. Further, when the TFT substrate 8 is arranged on the display screen side, reflection by the metal layer becomes large, and therefore it is desirable to use a metal of a low reflection multilayer film at least on the surface of the metal layer on the glass substrate 12 side.

本実施の形態による効果について、従来の液晶表示装置と比較して具体的に説明する。表1は、従来の液晶表示装置を構成する2枚の基板A1、B1について示している。一方の基板A1には樹脂CF層R、G、Bが形成されており、他方の基板B1にはTFT42が形成されている。基板A1、B1の材質はNA35ガラスである。また、基板A1、B1の厚さは0.7mmであり、密度は2.50g/cm3である。 The effect of this embodiment will be specifically described in comparison with a conventional liquid crystal display device. Table 1 shows two substrates A1 and B1 constituting a conventional liquid crystal display device. Resin CF layers R, G, and B are formed on one substrate A1, and TFTs 42 are formed on the other substrate B1. The material of the substrates A1 and B1 is NA35 glass. The thicknesses of the substrates A1 and B1 are 0.7 mm, and the density is 2.50 g / cm 3 .

Figure 2007183678
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表2は、従来の他の液晶表示装置を構成する2枚の基板A2、B2について示している。両基板A2、B2は、基板A1、B1と同様に、密度2.50g/cm3のNA35ガラスが用いられている。両基板A2、B2は、貼り合わされた後に研磨され、厚さがそれぞれ0.5mmに薄くなっている。一方の基板A2には樹脂CF層R、G、Bが形成されており、他方の基板B2にはTFT42が形成されている。また、表1に示した基板A1、B1を貼り合わせた液晶表示パネルの重量を1としたときの重量比(以下、「パネルの重量比」という)は0.71であり軽量化されているが、製造コストが増加するために高価となる。 Table 2 shows two substrates A2 and B2 constituting another conventional liquid crystal display device. Both substrates A2 and B2 are made of NA35 glass having a density of 2.50 g / cm 3 in the same manner as the substrates A1 and B1. Both substrates A2 and B2 are polished after being bonded to each other, and the thickness is reduced to 0.5 mm. Resin CF layers R, G, and B are formed on one substrate A2, and a TFT 42 is formed on the other substrate B2. Further, the weight ratio of the liquid crystal display panel to which the substrates A1 and B1 shown in Table 1 are bonded is assumed to be 1 (hereinafter referred to as “the weight ratio of the panel”) is 0.71, and the weight is reduced. However, it is expensive because the manufacturing cost increases.

Figure 2007183678
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表3は、本実施例による液晶表示装置を構成する2枚の基板A3、B3について示している。基板B3は、基板B1と同様に、厚さ0.7mm、密度2.50g/cm3のNA35ガラスが用いられている。また基板B3上にはTFT42及び樹脂CF層R、G、Bが形成される。一方、基板A3は、厚さ0.2mm、密度2.49g/cm3のアルカリガラスであるAsahiASガラスが用いられている。パネルの重量比は0.64であり、表2に示すパネルよりも軽量化されている。基板A3の材質は、基板B3よりも重量が軽いガラスであれば種類を問わない。 Table 3 shows two substrates A3 and B3 constituting the liquid crystal display device according to this example. As with the substrate B1, the substrate B3 is made of NA35 glass having a thickness of 0.7 mm and a density of 2.50 g / cm 3 . Further, the TFT 42 and the resin CF layers R, G, and B are formed on the substrate B3. On the other hand, as the substrate A3, Asahi AS glass which is an alkali glass having a thickness of 0.2 mm and a density of 2.49 g / cm 3 is used. The weight ratio of the panel is 0.64, which is lighter than the panel shown in Table 2. The material of the substrate A3 is not limited as long as it is glass that is lighter in weight than the substrate B3.

Figure 2007183678
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表4は、本実施の形態による他の液晶表示装置を構成する2枚の基板A4、B4について示している。基板B4は、基板B1と同様に、厚さ0.7mm、密度2.50g/cm3のNA35ガラスが用いられている。また基板B4上にはTFT及びCFが形成される。一方、基板A4は、厚さ0.2mm、密度1.40のポリエーテルサルホン(PES)が用いられている。パネルの重量比は0.58であり、表3に示すパネルよりもさらに軽量化されている。基板A4の材質は、プラスチックであればPESに限られず、ポリカーボネート(PC)やポリアリレート(PAR)等でもよい。 Table 4 shows two substrates A4 and B4 constituting another liquid crystal display device according to this embodiment. As with the substrate B1, the substrate B4 is made of NA35 glass having a thickness of 0.7 mm and a density of 2.50 g / cm 3 . A TFT and a CF are formed on the substrate B4. On the other hand, the substrate A4 is made of polyethersulfone (PES) having a thickness of 0.2 mm and a density of 1.40. The weight ratio of the panel is 0.58, which is lighter than the panel shown in Table 3. The material of the substrate A4 is not limited to PES as long as it is plastic, and may be polycarbonate (PC), polyarylate (PAR), or the like.

Figure 2007183678
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以上説明したように、本実施の形態では、樹脂CF層R、B、Gを画素電極14下層に形成している。このため、共通電極基板10は高精度なパターニングの必要がなく、TFT基板8と貼り合わせる際も正確な位置合わせの必要がない。したがって、共通電極基板10として、厚さの薄いガラス基板やプラスチック基板等を用いることができるため、軽量で信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、TFT基板8と共通電極基板10とを貼り合わせた後に、両基板を研磨して厚さを薄くする必要がないため製造工程が増加せず、製造コストも増加しない。   As described above, in this embodiment, the resin CF layers R, B, and G are formed below the pixel electrode 14. For this reason, the common electrode substrate 10 does not need to be patterned with high accuracy, and does not need to be accurately aligned when it is bonded to the TFT substrate 8. Therefore, a thin glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used as the common electrode substrate 10, and thus a light-weight and highly reliable liquid crystal display device can be realized. Further, since it is not necessary to polish both substrates after the TFT substrate 8 and the common electrode substrate 10 are bonded together, the manufacturing process does not increase and the manufacturing cost does not increase.

〔第3の実施の形態〕
本発明の第3の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図25乃至図34を用いて説明する。
第1の実施の形態のように、樹脂CF層R、G、BをTFT基板8上に形成する構造(CF−on−TFT構造)を有する液晶表示装置用基板は、画素電極14の下層に樹脂CF層R、G、Bを形成するため、開口率を向上させることができる。このため、パネル透過率が向上し、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。
[Third Embodiment]
A substrate for a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS.
As in the first embodiment, the substrate for a liquid crystal display device having a structure (CF-on-TFT structure) in which the resin CF layers R, G, and B are formed on the TFT substrate 8 is formed below the pixel electrode 14. Since the resin CF layers R, G, and B are formed, the aperture ratio can be improved. For this reason, the panel transmittance is improved and the luminance of the liquid crystal display device can be improved.

しかしながら、第1の実施の形態のようなCF−on−TFT構造を有する液晶表示装置用基板では、TFT42を形成した段階で最上層であるソース/ドレイン金属層上(トップゲート構造ではゲート金属層も含まれる場合がある。以下、これらを含めてソース/ドレイン金属層と略称する)が保護膜(パッシベーション膜)により覆われていないと、上層に形成される樹脂CF層R、G、Bをパターニングする際のCF現像液によりソース/ドレイン金属層が侵食され、当該金属層で形成されたバスラインの抵抗値が増加したりバスラインが断線したりするという問題が生じる。また、ソース/ドレイン電極44、46が侵食されて後退し、剥き出しになった動作半導体層52がCF現像液と接触することにより汚染されるという問題が生じている。一方、ソース/ドレイン金属層上に、CVD装置により成膜される保護膜を形成すると製造工程が増加するという問題が生じる。本実施の形態の目的は、安価で信頼性の高い表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。   However, in the liquid crystal display device substrate having the CF-on-TFT structure as in the first embodiment, the source / drain metal layer which is the uppermost layer at the stage of forming the TFT 42 (the gate metal layer in the top gate structure). Hereinafter, the resin CF layers R, G, and B formed on the upper layer are not covered unless the protective film (passivation film) covers these and the abbreviated source / drain metal layers. The source / drain metal layer is eroded by the CF developer at the time of patterning, causing a problem that the resistance value of the bus line formed of the metal layer increases or the bus line is disconnected. Further, the source / drain electrodes 44 and 46 are eroded and receded, and the exposed semiconductor layer 52 is contaminated by coming into contact with the CF developer. On the other hand, when a protective film formed by a CVD apparatus is formed on the source / drain metal layer, there arises a problem that the manufacturing process increases. An object of the present embodiment is to provide a substrate for a liquid crystal display device from which an inexpensive and highly reliable display device can be obtained, a liquid crystal display device including the substrate, and a manufacturing method thereof.

これらの問題に対し、本実施の形態では、最初に形成する樹脂CF層R、G、B、又は樹脂CF層R、G、Bの下層に形成するBM樹脂若しくは柱状スペーサ30を構成する樹脂でソース/ドレイン金属層を覆っている。   With respect to these problems, in the present embodiment, the resin CF layers R, G, and B that are formed first, the BM resin that is formed under the resin CF layers R, G, and B, or the resin that constitutes the columnar spacer 30 are used. Covers the source / drain metal layer.

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例3−1及び3−2を用いてより具体的に説明する。
(実施例3−1)
まず、実施例3−1による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図25乃至図33を用いて説明する。図25は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成(但し、CF層の表示は省略している)を示している。図26(a)は図25のJ−J線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示しており、図26(b)は図25のK−K線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示している。図26に示すように、本実施例による液晶表示装置用基板は、画素領域端部に色の異なる樹脂CF層が2層積層されてBMが形成されている。樹脂CF層2層重ねによるBMは、全て樹脂CF層Rを下層に有している。樹脂CF層Rは、ドレインバスライン26等のソース/ドレイン金属層を全て覆うように形成されている。画素電極14には、画素領域端部に平行に延びるスリット20と、スリット20から斜めに延出した複数の微細スリット21とが形成されている。また、本実施例による液晶表示装置用基板は、紫外線の照射により紫外線モノマーが硬化したポリマー構造の形成された液晶を有している。
Hereinafter, the substrate for the liquid crystal display device according to the present embodiment, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof will be described more specifically with reference to Examples 3-1 and 3-2.
(Example 3-1)
First, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 3-1, a liquid crystal display device including the same, and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. FIG. 25 shows the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example (however, the display of the CF layer is omitted). 26A shows a cross section of the substrate for a liquid crystal display device cut along the line JJ in FIG. 25, and FIG. 26B shows the cross section of the substrate for a liquid crystal display device cut along the line KK in FIG. A cross section is shown. As shown in FIG. 26, the substrate for a liquid crystal display device according to this example has a BM formed by laminating two resin CF layers of different colors at the end of the pixel region. All BMs with two resin CF layer stacks have a resin CF layer R as a lower layer. The resin CF layer R is formed so as to cover all the source / drain metal layers such as the drain bus line 26. The pixel electrode 14 is formed with slits 20 extending in parallel to the end of the pixel region and a plurality of fine slits 21 extending obliquely from the slit 20. In addition, the substrate for a liquid crystal display device according to this example has a liquid crystal having a polymer structure in which an ultraviolet monomer is cured by irradiation with ultraviolet rays.

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図27乃至図33を用いて説明する。図27乃至図30は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。図31乃至図33は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。図31乃至図33において、(a)は図26(a)と同一の断面を示しており、(b)は図26(b)と同一の断面を示している。なお、ガラス基板12上にTFT42及びドレインバスライン26を形成するまでの工程は、図11乃至図13に示した実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法と同様であるので、図示及びその説明を省略する。   Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 27 to 30 are views showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment. 31 to 33 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present embodiment. 31 to 33, (a) shows the same cross section as FIG. 26 (a), and (b) shows the same cross section as FIG. 26 (b). The steps until the TFT 42 and the drain bus line 26 are formed on the glass substrate 12 are the same as the manufacturing method of the substrate for a liquid crystal display device according to Example 1-1 shown in FIGS. And the description thereof is omitted.

図11乃至図13に示した工程により、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン25と、ゲートバスライン25に交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン26とが形成されている(図27参照)。ゲートバスライン25とドレインバスライン26との交差位置近傍にはTFT42が形成されている。また、ゲートバスライン25とドレインバスライン26とで画素領域が画定されている。画素領域のほぼ中央を横切ってゲートバスライン25にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン(補助容量電極)62がゲートバスライン25と同一層で形成されている。蓄積容量バスライン62上には画素領域毎に蓄積容量電極(中間電極)64がドレインバスライン26と同一層で形成されている。   11 to 13, a plurality of gate bus lines 25 extending in the left-right direction in the drawing and drain bus lines 26 intersecting the gate bus line 25 and extending in the vertical direction in the drawing are formed. (See FIG. 27). A TFT 42 is formed in the vicinity of the intersection of the gate bus line 25 and the drain bus line 26. A pixel region is defined by the gate bus line 25 and the drain bus line 26. A storage capacitor bus line (auxiliary capacitor electrode) 62 extending substantially parallel to the gate bus line 25 across substantially the center of the pixel region is formed in the same layer as the gate bus line 25. A storage capacitor electrode (intermediate electrode) 64 is formed on the storage capacitor bus line 62 in the same layer as the drain bus line 26 for each pixel region.

次に、感光性顔料分散タイプのRレジストを例えば膜厚1.5μmに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図28及び図31に示すように、Rを表示する画素領域、TFT42上、ゲートバスライン25上、ドレインバスライン26上及び蓄積容量バスライン62上に第1の樹脂CF層Rを形成する。このとき、最上層の金属層のドレイン電極44、ソース電極46及びドレインバスライン26を樹脂CF層Rで覆うようにする。   Next, a photosensitive pigment dispersion type R resist is applied and patterned to a film thickness of 1.5 μm, for example. 28 and 31, the first resin CF is formed on the pixel region for displaying R, on the TFT 42, on the gate bus line 25, on the drain bus line 26, and on the storage capacitor bus line 62. Layer R is formed. At this time, the drain electrode 44, the source electrode 46, and the drain bus line 26 of the uppermost metal layer are covered with the resin CF layer R.

次に、Gレジストを例えば膜厚1.5μmに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図29及び図32に示すように、Gを表示する画素領域及び当該画素領域の図中左方に隣接するドレインバスライン26上に第2の樹脂CF層Gを形成する。このとき、当該画素領域のTFT42、当該画素領域に隣接するゲートバスライン25、当該画素領域内の蓄積容量バスライン62及び当該画素領域の左方に隣接するドレインバスライン26上には、樹脂CF層2層重ねによるBMが形成される。   Next, G resist is applied to a film thickness of, for example, 1.5 μm and patterned. Thereafter, post-baking is performed to form a second resin CF layer G on the pixel region for displaying G and the drain bus line 26 adjacent to the left side of the pixel region in the drawing, as shown in FIGS. . At this time, on the TFT 42 in the pixel region, the gate bus line 25 adjacent to the pixel region, the storage capacitor bus line 62 in the pixel region, and the drain bus line 26 adjacent to the left of the pixel region, the resin CF A BM is formed by stacking two layers.

次に、Bレジストを例えば膜厚1.5μmに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図30及び図33に示すように、Bを表示する画素領域、当該画素領域の両側に隣接するドレインバスライン26上及び当該画素領域の図中右方に隣接するTFT42上に第3の樹脂CF層Bを形成する。このとき、当該画素領域の右方に隣接する画素領域のTFT42、当該画素領域に隣接するゲートバスライン25、当該画素領域内の蓄積容量バスライン62及び当該画素領域の両側に隣接するドレインバスライン26上には、樹脂CF層2層重ねによるBMが形成される。   Next, a B resist is applied to a film thickness of 1.5 μm, for example, and patterned. 30 and 33, the pixel region for displaying B, the drain bus line 26 adjacent to both sides of the pixel region, and the TFT 42 adjacent to the right side of the pixel region in the drawing, as shown in FIGS. Then, the third resin CF layer B is formed. At this time, the TFT 42 in the pixel region adjacent to the right side of the pixel region, the gate bus line 25 adjacent to the pixel region, the storage capacitor bus line 62 in the pixel region, and the drain bus line adjacent to both sides of the pixel region. On, a BM is formed by stacking two resin CF layers.

その後、例えば膜厚70nmのITOを全面に成膜してパターニングし、各画素領域の画素電極14とスリット20と微細スリット21とを形成し、図25及び図26に示す液晶表示装置用基板が完成する。   Thereafter, for example, ITO having a film thickness of 70 nm is formed on the entire surface and patterned to form the pixel electrode 14, the slit 20, and the fine slit 21 in each pixel region, and the liquid crystal display device substrate shown in FIGS. 25 and 26 is formed. Complete.

次に、例えばITOからなる共通電極が形成された共通電極基板と上記の液晶表示装置用基板とのそれぞれの対向面に垂直配向膜を塗布する。次に、一方の基板に例えば球状スペーサを散布し、他方の基板の周囲にシール材を塗布する。続いて、両基板を貼り合わせ、両基板間に液晶を注入する。液晶は、例えば負の誘電率異方性をもつネガ型液晶に、紫外線硬化型モノマーを0.2w%添加したものを用いる。次に、ドレインバスライン26に例えば直流(DC)10Vの階調電圧を印加し、共通電極に例えばDC5Vのコモン電圧を印加する。続いて、ゲートバスライン25に例えばDC30Vのゲート電圧を印加し、液晶表示パネル内の液晶を傾かせた状態で、対向基板側より例えば波長300nm〜450nmの紫外線を2000mJ照射する。これにより、紫外線硬化型モノマーが硬化してポリマー構造が液晶表示パネル内の液晶に形成され、図25に示すように、電圧無印加状態における液晶分子(図中円柱で示す)に4方向の傾きが生じる。本実施例では、液晶分子のプレチルト角は86°である。この後、両基板の偏光板を貼付して本実施例による液晶表示装置が完成する。   Next, a vertical alignment film is applied to the opposing surfaces of the common electrode substrate on which the common electrode made of ITO, for example, is formed, and the liquid crystal display device substrate. Next, for example, spherical spacers are dispersed on one substrate, and a sealing material is applied around the other substrate. Subsequently, the substrates are bonded together, and liquid crystal is injected between the substrates. As the liquid crystal, for example, a negative liquid crystal having a negative dielectric anisotropy and 0.2 wt% of an ultraviolet curable monomer is used. Next, a gray scale voltage of, for example, direct current (DC) 10V is applied to the drain bus line 26, and a common voltage of, for example, DC 5V is applied to the common electrode. Subsequently, for example, a gate voltage of DC 30 V is applied to the gate bus line 25, and the liquid crystal in the liquid crystal display panel is tilted, and 2000 mJ of ultraviolet light having a wavelength of 300 nm to 450 nm, for example, is irradiated from the counter substrate side. As a result, the ultraviolet curable monomer is cured and a polymer structure is formed in the liquid crystal in the liquid crystal display panel. As shown in FIG. 25, the liquid crystal molecules (shown by the cylinders in the figure) in the non-voltage applied state are tilted in four directions. Occurs. In this embodiment, the pretilt angle of the liquid crystal molecules is 86 °. Thereafter, the polarizing plates of both substrates are pasted to complete the liquid crystal display device according to this example.

(実施例3−2)
次に、実施例3−2による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図34を用いて説明する。図34は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。実施例3−1による液晶表示装置用基板はチャネル保護膜型のTFT42を有しているが、本実施例による液晶表示装置用基板は、図34に示すように、チャネルエッチ型のTFT66を有している。
(Example 3-2)
Next, a substrate for a liquid crystal display device according to Example 3-2, a liquid crystal display device including the same, and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. FIG. 34 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate for a liquid crystal display device according to this example. The liquid crystal display substrate according to Example 3-1 has a channel protective film type TFT 42, but the liquid crystal display device substrate according to this example has a channel etch type TFT 66 as shown in FIG. is doing.

次に、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板12上の全面に、例えば膜厚100nmのAl層と膜厚50nmのTi層とをこの順に成膜してパターニングし、ゲートバスライン25及び蓄積容量バスラインを形成する。次に、例えば膜厚350nmのSiN膜、膜厚120nmのa−Si層及び膜厚30nmのn+a−Si層を連続成膜する。次に、n+a−Si層及びa−Si層を島状にパターニングして動作半導体層52’とその上層のn型半導体層(図示せず)を形成する。次に、例えば膜厚50nmのMoN、膜厚150nmのAl、膜厚70nmのMoN及び膜厚10nmのMoを連続成膜してパターニングし、素子分離によりソース電極46、ドレイン電極44及び蓄積容量電極を形成する。以上の工程でチャネルエッチ型のTFT66が完成する。以降の工程は、図27乃至図33で示した実施例3−1による液晶表示装置の製造方法と同様であるので、図示及びその説明を省略する。 Next, the substrate for the liquid crystal display device according to the present embodiment, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof will be described. First, an Al layer having a thickness of 100 nm and a Ti layer having a thickness of 50 nm, for example, are formed and patterned in this order on the entire surface of the glass substrate 12 to form the gate bus line 25 and the storage capacitor bus line. Next, for example, a 350 nm thick SiN film, a 120 nm thick a-Si layer, and a 30 nm thick n + a-Si layer are successively formed. Next, the n + a-Si layer and the a-Si layer are patterned in an island shape to form an operating semiconductor layer 52 ′ and an n-type semiconductor layer (not shown) thereabove. Next, for example, MoN having a thickness of 50 nm, Al having a thickness of 150 nm, MoN having a thickness of 70 nm, and Mo having a thickness of 10 nm are continuously formed and patterned, and the source electrode 46, the drain electrode 44, and the storage capacitor electrode are separated by element isolation. Form. Through the above process, a channel etch type TFT 66 is completed. Since the subsequent steps are the same as those of the liquid crystal display device manufacturing method according to Example 3-1, shown in FIGS.

次に、他の例による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図示は省略するが、図34に示す構成と同一の機能作用を奏する構成には同一の符号を付して説明する。本例による液晶表示装置用基板は、トップゲート型のTFT42を有している。まず、ガラス基板12上に、例えば膜厚20nmのTi層、膜厚75nmのAl層、膜厚40nmのTi層及び膜厚30nmのn+a−Si層を成膜してパターニングし、ドレイン電極44及びソース電極46を形成する。次に、例えば膜厚30nmのa−Si層、膜厚350nmのSiN膜及び膜厚100nmのAl層を成膜してパターニングし、動作半導体層52’、絶縁膜24及びゲートバスライン25を一括して形成する。動作半導体層52’、絶縁膜24及びゲートバスライン25は一括して形成せずに順次形成してもよい。以上の工程でトップゲート型のTFT42が完成する。なお、本例では、蓄積容量バスライン62及び蓄積容量電極64を形成していないが、形成してももちろんよい。以降の工程は、図27乃至図33で示した実施例3−1による液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であるのでその説明を省略する。なお、本例では最上層の金属層はゲート金属層であるので、最初に形成する樹脂CF層でゲート金属層を覆うようにする。 Next, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to another example will be described. Although illustration is omitted, the same reference numeral is given to the configuration having the same functional action as the configuration shown in FIG. The substrate for a liquid crystal display device according to this example has a top gate type TFT 42. First, on the glass substrate 12, for example, a 20 nm thick Ti layer, a 75 nm thick Al layer, a 40 nm thick Ti layer, and a 30 nm thick n + a-Si layer are formed and patterned to form a drain electrode. 44 and the source electrode 46 are formed. Next, for example, an a-Si layer having a thickness of 30 nm, a SiN film having a thickness of 350 nm, and an Al layer having a thickness of 100 nm are formed and patterned, and the operation semiconductor layer 52 ′, the insulating film 24, and the gate bus line 25 are collectively formed. To form. The active semiconductor layer 52 ′, the insulating film 24, and the gate bus line 25 may be sequentially formed without being collectively formed. The top gate TFT 42 is completed through the above steps. In this example, the storage capacitor bus line 62 and the storage capacitor electrode 64 are not formed, but may be formed. Subsequent steps are almost the same as the method of manufacturing the liquid crystal display device according to Example 3-1 shown in FIGS. In this example, since the uppermost metal layer is a gate metal layer, the resin metal layer formed first covers the gate metal layer.

また、さらに他の例による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図示は省略するが、図34に示す構成と同一の機能作用を奏する構成には同一の符号を付して説明する。本例による液晶表示装置用基板は、動作半導体層52にポリシリコン(p−Si)を用いたTFTを有している。まず、ガラス基板12上に、例えば膜厚50nmのSiN膜、膜厚200nmのSiO2膜及び膜厚40nmのa−Si層を成膜し、アニール炉で熱処理して水素抜きを行う。次に、a−Si層に所定のレーザを照射して結晶化させ、パターニングしてp−Si層を形成する。次に、例えば膜厚110nmのSiO2膜及び膜厚300nmのAlNdを成膜してパターニングし、絶縁膜(ゲート絶縁膜)24とゲートバスライン25とを形成する。 A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to still another example will be described. Although illustration is omitted, the same reference numeral is given to the configuration having the same functional action as the configuration shown in FIG. The substrate for a liquid crystal display device according to this example has a TFT using polysilicon (p-Si) for the operating semiconductor layer 52. First, for example, a SiN film having a thickness of 50 nm, a SiO 2 film having a thickness of 200 nm, and an a-Si layer having a thickness of 40 nm are formed on the glass substrate 12, and hydrogen is removed by heat treatment in an annealing furnace. Next, the a-Si layer is crystallized by irradiating a predetermined laser, and patterned to form a p-Si layer. Next, for example, an SiO 2 film having a thickness of 110 nm and an AlNd film having a thickness of 300 nm are formed and patterned to form an insulating film (gate insulating film) 24 and a gate bus line 25.

次に、リン(P)をp−Si層にイオンドーピングしてN型の領域を選択的に形成し、続いてボロン(B)をp−Si層にイオンドーピングしてP型の領域を選択的に形成する。次に、例えば膜厚60nmのSiO2膜及び膜厚370nmのSiN膜を成膜し、層間絶縁膜を形成する。続いて、高濃度不純物領域上の層間絶縁膜を開口し、コンタクトホールを形成する。次に、例えば膜厚100nmのTi層、膜厚200nmのAl層及び膜厚100nmのTi層を成膜してパターニングし、ドレイン電極44及びソース電極46を形成する。以上の工程で、動作半導体層にp−Siを用いたTFT70が完成する。なお、本実施例では蓄積容量バスライン及び蓄積容量電極を形成していないが、蓄積容量バスラインをゲートバスラインと同一の形成材料で同時に形成し、蓄積容量電極をソース/ドレイン電極と同一の形成材料で同時に形成してももちろんよい。 Next, phosphorus (P) is ion-doped into the p-Si layer to selectively form an N-type region, and boron (B) is then ion-doped into the p-Si layer to select a P-type region. Form. Next, for example, a SiO 2 film having a thickness of 60 nm and a SiN film having a thickness of 370 nm are formed to form an interlayer insulating film. Subsequently, an interlayer insulating film on the high concentration impurity region is opened to form a contact hole. Next, for example, a Ti layer with a thickness of 100 nm, an Al layer with a thickness of 200 nm, and a Ti layer with a thickness of 100 nm are formed and patterned to form the drain electrode 44 and the source electrode 46. Through the above steps, the TFT 70 using p-Si for the operating semiconductor layer is completed. In this embodiment, the storage capacitor bus line and the storage capacitor electrode are not formed, but the storage capacitor bus line is formed simultaneously with the same material as the gate bus line, and the storage capacitor electrode is the same as the source / drain electrode. Of course, it may be formed simultaneously with the forming material.

上記実施例では、最初に形成する樹脂CF層により最上層の金属層を覆っているが、樹脂CF層形成前にBM用の樹脂又は柱状スペーサの一部となる樹脂により最上層の金属層を覆うようにしてもよい。また、上記実施例では、TFT42及び各バスライン25、26、62上に第1及び第2の樹脂CF層又は第1及び第3の樹脂CF層を2層積層してBMを形成しているが、樹脂CF層を3層全て積層してBMを形成してもよいし、他の工程でBMを形成すれば樹脂CF層を積層しなくてもよい。   In the above embodiment, the uppermost metal layer is covered with the resin CF layer that is formed first. However, before the resin CF layer is formed, the uppermost metal layer is formed with the resin for BM or the resin that becomes a part of the columnar spacer. You may make it cover. In the above embodiment, the BM is formed by laminating two layers of the first and second resin CF layers or the first and third resin CF layers on the TFT 42 and the bus lines 25, 26, 62. However, all three resin CF layers may be laminated to form a BM, or if a BM is formed in another process, the resin CF layer may not be laminated.

さらに、上記実施例では、ポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用いた液晶表示装置を例に挙げているため画素電極14上にスリット20及び微細スリット21が形成されているが、他の配向規制用構造物が形成されていてもよい。また、上記実施例では、最上層の金属層の全体を樹脂CF層で覆っているが、最上層の金属層のエッジ部のみを覆うようにしてもよい。また、液晶表示装置用基板は、ゲートバスライン25と同一の形成材料の蓄積容量バスライン62やソース/ドレイン電極44、46と同一の形成材料の蓄積容量電極64を有さない構造でももちろんよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, a liquid crystal display device using a pretilt angle imparting technique using a polymer is taken as an example, and thus the slit 20 and the fine slit 21 are formed on the pixel electrode 14. A structure for use may be formed. In the above embodiment, the entire uppermost metal layer is covered with the resin CF layer, but only the edge portion of the uppermost metal layer may be covered. The substrate for the liquid crystal display device may of course have a structure without the storage capacitor bus line 62 made of the same material as the gate bus line 25 and the storage capacitor electrode 64 made of the same material as the source / drain electrodes 44 and 46. .

以上説明したように、本実施の形態では、ソース/ドレイン金属層(トップゲート構造ではゲート金属層)を最初に形成する樹脂CF層で覆うように形成している。このため、樹脂CF層のパターニングの際にCF現像液によりソース/ドレイン金属層が侵食されることはない。したがって、バスラインの抵抗値が増加したりバスラインが断線したりすることがなく、製造歩留りが向上する。また、動作半導体層52が汚染されることもない。また、ソース/ドレイン金属層上に保護膜を形成する必要がないので製造工程も増加しない。   As described above, in this embodiment, the source / drain metal layer (the gate metal layer in the top gate structure) is formed so as to be covered with the resin CF layer that is formed first. Therefore, the source / drain metal layer is not eroded by the CF developer during the patterning of the resin CF layer. Therefore, the resistance of the bus line does not increase or the bus line is not disconnected, and the manufacturing yield is improved. Further, the operating semiconductor layer 52 is not contaminated. Further, since it is not necessary to form a protective film on the source / drain metal layer, the manufacturing process is not increased.

本実施の形態による液晶表示装置は、保持率の低下による輝度の低下やむら、パターン焼付きが生じない。また、TFT42上層に形成される樹脂CF層R、G、Bが、ポリマー構造を形成する際に照射される紫外線を吸収するため、TFT42の特性異常によるクロストークやフリッカ等の表示不良が生じない。   In the liquid crystal display device according to the present embodiment, luminance reduction and unevenness due to a reduction in retention rate, and pattern burn-in do not occur. In addition, since the resin CF layers R, G, and B formed on the TFT 42 absorb the ultraviolet rays irradiated when forming the polymer structure, display defects such as crosstalk and flicker due to abnormal characteristics of the TFT 42 do not occur. .

また、本実施の形態による液晶表示装置は、液晶分子が4方向へ配向分割されていることにより広い視野角が得られ、垂直配向により高いコントラストが得られる。さらに、ポリマー構造により液晶分子の傾く方向が規定されていることにより高速の応答特性が実現できる。   In the liquid crystal display device according to the present embodiment, a wide viewing angle is obtained because the liquid crystal molecules are aligned and divided in four directions, and a high contrast is obtained by vertical alignment. Furthermore, since the direction in which the liquid crystal molecules tilt is defined by the polymer structure, high-speed response characteristics can be realized.

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、樹脂CF層R、G、B直上に画素電極14を形成しているが、本発明はこれに限らず、樹脂CF層R、G、B上に有機材料又は無機材料からなる保護膜を形成し、保護膜上に画素電極14を形成してもよい。保護膜を形成することにより、樹脂CF材料による液晶の汚染を防止したり、画素電極14の段差を小さくして断線を防止したりすることが可能となる。また、樹脂CF層R、G、Bの形成順序は任意であるし、TFT42や樹脂CF層R、G、Bの形成材料や層構成、膜厚等も上記実施の形態に限られない。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, in the above embodiment, the pixel electrode 14 is formed immediately above the resin CF layers R, G, B. However, the present invention is not limited to this, and an organic material or inorganic material is formed on the resin CF layers R, G, B. A protective film made of a material may be formed, and the pixel electrode 14 may be formed on the protective film. By forming the protective film, it is possible to prevent the liquid crystal from being contaminated by the resin CF material, or to reduce the step of the pixel electrode 14 to prevent disconnection. In addition, the formation order of the resin CF layers R, G, and B is arbitrary, and the formation material, the layer configuration, the film thickness, and the like of the TFT 42 and the resin CF layers R, G, and B are not limited to the above embodiments.

また、上記実施の形態では、透過型の液晶表示装置について説明しているが、本発明はこれに限らず、反射型の液晶表示装置にも適用できる。また、上記実施の形態では、MVA方式の液晶表示装置について説明しているが、本発明はこれに限らず、TNモード等他の液晶表示装置にも適用できる。   In the above-described embodiment, a transmissive liquid crystal display device is described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to a reflective liquid crystal display device. In the above embodiment, an MVA liquid crystal display device is described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to other liquid crystal display devices such as a TN mode.

以上説明した第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにまとめられる。
(付記1)
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記画素領域毎に形成された画素電極と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
The substrate for the liquid crystal display device according to the first embodiment described above, the liquid crystal display device including the substrate, and the manufacturing method thereof are summarized as follows.
(Appendix 1)
A substrate for sandwiching a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed oppositely; and
A plurality of gate bus lines formed on the substrate;
A plurality of drain bus lines formed on the substrate intersecting the gate bus lines;
A pixel region defined by the gate bus line and the drain bus line;
A thin film transistor formed for each pixel region;
A resin color filter layer formed for each pixel region;
A pixel electrode formed for each of the pixel regions;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: an alignment regulating structure formed on the substrate for regulating the alignment of the liquid crystal.

(付記2)
付記1記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素領域端部を遮光する遮光膜をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 2)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 1,
A liquid crystal display substrate, further comprising a light-shielding film that shields an end of the pixel region.

(付記3)
付記2記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 3)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 2,
The liquid crystal display device substrate, wherein the light shielding film is formed by laminating the resin color filter layer.

(付記4)
付記1乃至3記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記樹脂カラーフィルタ層上に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 4)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendices 1 to 3,
The pixel electrode is formed on the resin color filter layer. A substrate for a liquid crystal display device.

(付記5)
付記4記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記基板面に垂直方向に見て前記ドレインバスラインに重なるように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 5)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 4,
The liquid crystal display substrate according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed so as to overlap the drain bus line when viewed in a direction perpendicular to the substrate surface.

(付記6)
付記4記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記基板面に垂直方向に見て前記ドレインバスラインに重ならないように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 6)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 4,
The substrate for a liquid crystal display device, wherein the pixel electrode is formed so as not to overlap the drain bus line when viewed in a direction perpendicular to the substrate surface.

(付記7)
付記1乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記配向規制用構造物は、線状突起であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 7)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 6,
The substrate for a liquid crystal display device, wherein the alignment regulating structure is a linear protrusion.

(付記8)
付記1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
セルギャップを保持するための柱状スペーサをさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記基板上に形成される樹脂層を積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 8)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 7,
It further has a columnar spacer for holding the cell gap,
The columnar spacer is formed by laminating a resin layer formed on the substrate. A substrate for a liquid crystal display device.

(付記9)
付記8記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、前記樹脂カラーフィルタ層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 9)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 8,
The substrate for a liquid crystal display device, wherein the resin layer includes the resin color filter layer.

(付記10)
付記8又は9に記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、黒色樹脂層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 10)
In the liquid crystal display substrate according to appendix 8 or 9,
The substrate for a liquid crystal display device, wherein the resin layer includes a black resin layer.

(付記11)
付記8乃至10のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、前記線状突起の形成層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 11)
The substrate for a liquid crystal display device according to any one of appendices 8 to 10,
The liquid crystal display device substrate, wherein the resin layer includes a formation layer of the linear protrusions.

(付記12)
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上に前記線状突起と同一の形成材料で形成され、前記対向基板と貼り合わせる際に用いる位置合わせ用マークと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 12)
A substrate for sandwiching a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed oppositely; and
Linear protrusions formed on the substrate to regulate the alignment of the liquid crystal;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: an alignment mark which is formed on the substrate with the same material as the linear protrusion and is used for bonding to the counter substrate.

(付記13)
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上の表示領域端部に前記突起と同一の形成材料で形成され、前記表示領域端部を遮光する額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 13)
A substrate for sandwiching a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed oppositely; and
Linear protrusions formed on the substrate to regulate the alignment of the liquid crystal;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: a frame region that is formed of the same forming material as the projections at a display region end portion on the substrate and shields the display region end portion from light.

(付記14)
付記12又は13に記載の液晶表示装置用基板において、
前記突起は、黒色樹脂で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 14)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 12 or 13,
The protrusion is made of a black resin. A substrate for a liquid crystal display device.

(付記15)
付記12又は13に記載の液晶表示装置用基板において、
前記突起は、金属層とレジスト層とを積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 15)
In the substrate for a liquid crystal display device according to appendix 12 or 13,
The projection is formed by laminating a metal layer and a resist layer. A substrate for a liquid crystal display device.

(付記16)
2枚の基板と、前記基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記基板の少なくとも一方に付記1乃至15に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 16)
In a liquid crystal display device having two substrates and a liquid crystal sealed between the substrates,
16. A liquid crystal display device according to any one of appendices 1 to 15, wherein at least one of the substrates is a liquid crystal display device.

(付記17)
第1の樹脂層が形成された第1の基板と、
第2の樹脂層が形成された第2の基板と、
前記第1及び第2の基板を貼り合わせて前記第1及び第2の樹脂層で形成された柱状スペーサと、
前記第1及び第2の基板間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 17)
A first substrate on which a first resin layer is formed;
A second substrate on which a second resin layer is formed;
Columnar spacers formed by bonding the first and second substrates to form the first and second resin layers;
A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal sealed between the first and second substrates.

(付記18)
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に位置合わせ用マークを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
(Appendix 18)
Forming a common electrode on the substrate,
A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, comprising: forming alignment marks on the substrate simultaneously with forming linear protrusions on the common electrode.

(付記19)
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に額縁領域を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
(Appendix 19)
Forming a common electrode on the substrate,
A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, wherein a frame region is formed on the substrate simultaneously with the formation of the linear protrusions on the common electrode.

(付記20)
互いに交差する複数のバスラインと薄膜トランジスタとを基板上に形成し、
前記基板上に線状突起を形成する際、同時に、柱状スペーサを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
(Appendix 20)
A plurality of bus lines and thin film transistors intersecting each other are formed on the substrate,
A columnar spacer is simultaneously formed when forming linear protrusions on the substrate. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, comprising:

以上説明した第2の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
(付記21)
第1の基板と、互いに交差して前記第1の基板上に形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、
前記第1の基板と異なる厚さ又は材質を有する第2の基板と、前記第2の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第1の基板に対向して配置された共通電極基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
The substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment described above, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device including the substrate are summarized as follows.
(Appendix 21)
A first substrate; a plurality of bus lines formed on the first substrate so as to intersect each other; a pixel region defined by the bus lines; a thin film transistor formed for each pixel region; and the pixel A thin film transistor substrate including a resin color filter layer formed for each region and a pixel electrode formed for each pixel region;
A common electrode substrate, comprising: a second substrate having a thickness or material different from that of the first substrate; and a common electrode formed on the second substrate, and disposed opposite to the first substrate. When,
A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal sealed between the thin film transistor substrate and the common electrode substrate.

(付記22)
付記21記載の液晶表示装置において、
前記第2の基板は、前記第1の基板より厚さが薄いこと
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 22)
In the liquid crystal display device according to attachment 21,
The liquid crystal display device, wherein the second substrate is thinner than the first substrate.

(付記23)
付記21又は22記載の液晶表示装置において、
前記第2の基板は、前記第1の基板より重量が軽いこと
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 23)
In the liquid crystal display device according to appendix 21 or 22,
The liquid crystal display device, wherein the second substrate is lighter in weight than the first substrate.

(付記24)
付記21乃至23のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記第2の基板は、アルカリ成分を含むガラス材で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 24)
24. The liquid crystal display device according to any one of appendices 21 to 23,
The liquid crystal display device, wherein the second substrate is made of a glass material containing an alkali component.

(付記25)
付記24記載の液晶表示装置において、
前記ガラス材は、アルカリ成分を1%以上含むこと
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 25)
In the liquid crystal display device according to attachment 24,
The glass material contains 1% or more of an alkali component.

(付記26)
付記21乃至23のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記第2の基板は、樹脂材で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 26)
24. The liquid crystal display device according to any one of appendices 21 to 23,
The liquid crystal display device, wherein the second substrate is made of a resin material.

(付記27)
付記21乃至26のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間隔を保持する柱状スペーサをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 27)
In the liquid crystal display device according to any one of appendices 21 to 26,
A liquid crystal display device further comprising a columnar spacer for maintaining a distance between the thin film transistor substrate and the common electrode substrate.

(付記28)
付記21乃至27のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板が表示画面側になること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 28)
28. The liquid crystal display device according to any one of appendices 21 to 27,
The liquid crystal display device, wherein the thin film transistor substrate is on a display screen side.

(付記29)
付記28記載の液晶表示装置において、
前記バスラインは、少なくとも前記第1の基板側表面が低反射の材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 29)
In the liquid crystal display device according to attachment 28,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least the first substrate side surface of the bus line is formed of a low reflection material.

(付記30)
付記28又は29記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極は、少なくとも前記第1の基板側表面が低反射の材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 30)
In the liquid crystal display device according to appendix 28 or 29,
The liquid crystal display device, wherein at least the first substrate side surface of the drain electrode and the source electrode of the thin film transistor is formed of a low reflection material.

以上説明した第3の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
(付記31)
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記画素領域毎に形成された画素電極と、
前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
The substrate for a liquid crystal display device according to the third embodiment described above, the manufacturing method thereof, and the liquid crystal display device including the same are summarized as follows.
(Appendix 31)
A substrate that sandwiches the liquid crystal together with the opposing substrate disposed oppositely;
A plurality of gate bus lines formed on the substrate;
A plurality of drain bus lines formed on the substrate intersecting the gate bus lines;
A pixel region defined by the gate bus line and the drain bus line;
A thin film transistor formed for each pixel region;
A resin color filter layer formed for each pixel region;
A pixel electrode formed for each of the pixel regions;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: a resin layer formed to cover a source / drain electrode of the thin film transistor and the drain bus line.

(付記32)
付記31記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は前記樹脂カラーフィルタ層で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 32)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 31,
The substrate for a liquid crystal display device, wherein the resin layer is formed of the resin color filter layer.

(付記33)
付記32記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層上に他の色の前記樹脂カラーフィルタ層が積層されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 33)
In the substrate for liquid crystal display device according to attachment 32,
A liquid crystal display substrate, wherein the resin color filter layer of another color is laminated on the resin layer.

(付記34)
付記31記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は黒色樹脂を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 34)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 31,
The resin layer includes a black resin. A substrate for a liquid crystal display device.

(付記35)
付記31記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は柱状スペーサ形成層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
(Appendix 35)
In the substrate for liquid crystal display device according to appendix 31,
The said resin layer contains a columnar spacer formation layer. The board | substrate for liquid crystal display devices characterized by the above-mentioned.

(付記36)
2枚の基板と、前記基板間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記基板の一方に付記31乃至35に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 36)
In a liquid crystal display device having two substrates and a liquid crystal layer sealed between the substrates,
36. A liquid crystal display device according to any one of appendices 31 to 35, wherein one of the substrates is a substrate for a liquid crystal display device.

(付記37)
付記36記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、ポリマー構造が形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
(Appendix 37)
In the liquid crystal display device according to attachment 36,
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal layer has a polymer structure.

(付記38)
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及びドレインバスラインを覆うように第1の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
他の画素領域に第2の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
さらに他の画素領域に第3の樹脂カラーフィルタ層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
(Appendix 38)
A thin film transistor is formed on the substrate,
Forming a first resin color filter layer to cover the source / drain electrodes and drain bus lines of the thin film transistor;
Forming a second resin color filter layer in another pixel region;
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, further comprising forming a third resin color filter layer in another pixel region.

本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the liquid crystal display device by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第1の基本構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st basic composition of the board | substrate for liquid crystal display devices by the 1st Embodiment of this invention, and a liquid crystal display device provided with the same. 本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第1の基本構成の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the 1st basic composition of the board | substrate for liquid crystal display devices by the 1st Embodiment of this invention, and a liquid crystal display device provided with the same. 本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第2の基本構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd basic composition of the board | substrate for liquid crystal display devices by the 1st Embodiment of this invention, and a liquid crystal display device provided with the same. 本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板の第3の基本構成を示す図である。It is a figure which shows the 3rd basic composition of the board | substrate for liquid crystal display devices by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板の第3の基本構成を示す図である。It is a figure which shows the 3rd basic composition of the board | substrate for liquid crystal display devices by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-1 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 1-2 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 1-2 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-3 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-3 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-3 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−3による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 1-3 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態の実施例2−1による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate for liquid crystal display devices by Example 2-1 of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態の実施例2−2による液晶表示装置の構成を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 2-2 of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−1による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device by Example 3-1 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の実施例3−2による液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device by Example 3-2 of the 3rd Embodiment of this invention. 従来の液晶表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional liquid crystal display device. 本発明の第1の実施の形態の実施例1−2による液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a structure of the liquid crystal display device by Example 1-2 of the 1st Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

8 TFT基板
10 共通電極基板
12、12’ ガラス基板
14 画素電極
18 共通電極
20 スリット
21 微細スリット
24 絶縁膜
25 ゲートバスライン
26 ドレインバスライン
28 線状突起
29 突起
30 柱状スペーサ
32 樹脂重ね部
34 額縁パターン
36 位置合わせ用マーク
38 表示領域
40 額縁領域
42、66 TFT
44 ドレイン電極
46 ソース電極
48 チャネル保護膜
50、51 コンタクトホール
52 動作半導体層
54 SiN膜
56 誘電体層
58 Cr膜
60 樹脂層
62 蓄積容量バスライン
64 蓄積容量電極
8 TFT substrate 10 Common electrode substrate 12, 12 'Glass substrate 14 Pixel electrode 18 Common electrode 20 Slit 21 Fine slit 24 Insulating film 25 Gate bus line 26 Drain bus line 28 Linear protrusion 29 Protrusion 30 Columnar spacer 32 Resin overlap part 34 Frame Pattern 36 Alignment mark 38 Display area 40 Frame area 42, 66 TFT
44 drain electrode 46 source electrode 48 channel protective film 50, 51 contact hole 52 operating semiconductor layer 54 SiN film 56 dielectric layer 58 Cr film 60 resin layer 62 storage capacitor bus line 64 storage capacitor electrode

Claims (9)

対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上に前記線状突起と同一の形成材料で形成され、前記対向基板と貼り合わせる際に用いる位置合わせ用マークと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
A substrate for sandwiching a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed oppositely; and
Linear protrusions formed on the substrate to regulate the alignment of the liquid crystal;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: an alignment mark which is formed on the substrate with the same material as the linear protrusion and is used for bonding to the counter substrate.
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上の表示領域端部に前記突起と同一の形成材料で形成され、前記表示領域端部を遮光する額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
A substrate for sandwiching a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy together with a counter substrate disposed oppositely; and
Linear protrusions formed on the substrate to regulate the alignment of the liquid crystal;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: a frame region that is formed of the same forming material as the projections at a display region end portion on the substrate and shields the display region end portion from light.
第1の樹脂層が形成された第1の基板と、
第2の樹脂層が形成された第2の基板と、
前記第1及び第2の基板を貼り合わせて前記第1及び第2の樹脂層で形成された柱状スペーサと、
前記第1及び第2の基板間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate on which a first resin layer is formed;
A second substrate on which a second resin layer is formed;
Columnar spacers formed by bonding the first and second substrates to form the first and second resin layers;
A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal sealed between the first and second substrates.
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に位置合わせ用マークを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
Forming a common electrode on the substrate,
A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, comprising: forming alignment marks on the substrate simultaneously with forming linear protrusions on the common electrode.
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に額縁領域を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
Forming a common electrode on the substrate,
A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, wherein a frame region is formed on the substrate simultaneously with the formation of the linear protrusions on the common electrode.
互いに交差する複数のバスラインと薄膜トランジスタとを基板上に形成し、
前記基板上に線状突起を形成する際、同時に、柱状スペーサを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
A plurality of bus lines and thin film transistors intersecting each other are formed on the substrate,
A columnar spacer is simultaneously formed when forming linear protrusions on the substrate. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, comprising:
第1の基板と、互いに交差して前記第1の基板上に形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、
前記第1の基板と異なる厚さ又は材質を有する第2の基板と、前記第2の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第1の基板に対向して配置された共通電極基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate; a plurality of bus lines formed on the first substrate so as to intersect each other; a pixel region defined by the bus lines; a thin film transistor formed for each pixel region; and the pixel A thin film transistor substrate including a resin color filter layer formed for each region and a pixel electrode formed for each pixel region;
A common electrode substrate, comprising: a second substrate having a thickness or material different from that of the first substrate; and a common electrode formed on the second substrate, and disposed opposite to the first substrate. When,
A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal sealed between the thin film transistor substrate and the common electrode substrate.
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記画素領域毎に形成された画素電極と、
前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
A substrate that sandwiches the liquid crystal together with the opposing substrate disposed oppositely;
A plurality of gate bus lines formed on the substrate;
A plurality of drain bus lines formed on the substrate intersecting the gate bus lines;
A pixel region defined by the gate bus line and the drain bus line;
A thin film transistor formed for each pixel region;
A resin color filter layer formed for each pixel region;
A pixel electrode formed for each of the pixel regions;
A substrate for a liquid crystal display device, comprising: a resin layer formed to cover a source / drain electrode of the thin film transistor and the drain bus line.
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及びドレインバスラインを覆うように第1の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
他の画素領域に第2の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
さらに他の画素領域に第3の樹脂カラーフィルタ層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
A thin film transistor is formed on the substrate,
Forming a first resin color filter layer to cover the source / drain electrodes and drain bus lines of the thin film transistor;
Forming a second resin color filter layer in another pixel region;
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, further comprising forming a third resin color filter layer in another pixel region.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009198548A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Printing Co Ltd Color filter, and liquid crystal display device using the same
JP2010197796A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Toppan Printing Co Ltd Color filter and liquid crystal display device with the same
JP2010197797A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Toppan Printing Co Ltd Color filter and liquid crystal display device with the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001083521A (en) * 1999-09-16 2001-03-30 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP2001108823A (en) * 1997-06-12 2001-04-20 Fujitsu Ltd Color filter substrate, liquid crystal display device and method of production of color filter substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001108823A (en) * 1997-06-12 2001-04-20 Fujitsu Ltd Color filter substrate, liquid crystal display device and method of production of color filter substrate
JP2001083521A (en) * 1999-09-16 2001-03-30 Toshiba Corp Liquid crystal display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009198548A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Printing Co Ltd Color filter, and liquid crystal display device using the same
JP2010197796A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Toppan Printing Co Ltd Color filter and liquid crystal display device with the same
JP2010197797A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Toppan Printing Co Ltd Color filter and liquid crystal display device with the same

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