JP2007180831A - Semiconductor device - Google Patents

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Hiroo Yoshizu
宏夫 吉津
Akiji Kudo
秋治 工藤
Kazuaki Uchida
和昭 内田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To invalidate the command of external reset signals after executing the cancellation of a standby mode in which only an interface circuit part is turned "ON". <P>SOLUTION: In the semiconductor device, an LCD driver 20 is provided with an input/output circuit part 1, a logic memory circuit part 2 and a reset terminal PadReset. The input/output circuit 1 is provided with a Schmitt circuit 3 composed of a 2-input NOR circuit NOR 1 and an inverter INV1, a deep standby cancellation circuit 4, a first level shift circuit 5 and a second level shift circuit 8, and the logic memory circuit part 2 is provided with a regulator circuit 6 and a register. After a deep standby mode is canceled and a plurality of internal power sources are turned "ON", the signals of a "High" level which are "enable" signals are inputted from the register 7 to the 2-input NOR circuit NOR1, and the command of the external reset signals is invalidated. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、スタンバイモードが設けられている半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device provided with a standby mode.

半導体装置では、システム規模の増大に伴い、低消費電力化が強く要求されている。電池などを電源とする移動体機器分野では、特に、電池寿命の観点から消費電流を低減する必要がある。また、半導体装置を構成する素子の微細化の進展により、リーク電流の増加及び素子耐圧が低下し、これに対応するために素子の動作電圧が外部電源電圧よりも低下している。このため、半導体装置には外部電源を降圧する多数の電源回路が採用されている。種々の電源回路を内蔵する半導体装置としての半導体メモリ、SoC(system on a chip)、マイコン或いは液晶表示装置などでは、低消費電力化を達成するために、データのアクセス等を行わず、入出力回路部のみ“ON”しているスタンバイモード(パワーダウンモード或いはスリープモードとも呼称される)が設けられている(例えば、特許文献1参照。)。   Semiconductor devices are strongly required to reduce power consumption as the system scale increases. In the field of mobile equipment using a battery or the like as a power source, it is particularly necessary to reduce current consumption from the viewpoint of battery life. Further, due to the progress of miniaturization of elements constituting the semiconductor device, an increase in leakage current and an element breakdown voltage are reduced, and in order to cope with this, the operating voltage of the element is lower than the external power supply voltage. For this reason, many power supply circuits for stepping down the external power supply are employed in the semiconductor device. Semiconductor memory, SoC (system on a chip), microcomputer or liquid crystal display device as a semiconductor device incorporating various power supply circuits does not access data, etc. in order to achieve low power consumption. A standby mode (also referred to as a power-down mode or a sleep mode) in which only the circuit section is “ON” is provided (see, for example, Patent Document 1).

ディスプレイ表示用ドライバやディスプレイ表示用ドライバを搭載する画像表示装置では、電池から供給される外部電源投入後、入出力回路部のみ“ON”しているスタンバイモード(ディープスタンバイモードとも呼称される)状態からスタンバイモードが解除され、内部電源が供給されるとロジック・メモリ回路部やドライバ部が“ON”する。このとき、リセット端子から外部リセット信号のイネーブル信号が入力されると、スタンバイモードに遷移してしまう問題点がある。再度スタンバイモードに遷移してしまうと、ディスプレイ表示用ドライバやディスプレイ表示用ドライバを搭載する画像表示装置のノイズ試験、製品テスト試験等の試験効率が低下するという問題点が発生する。
特開2003−133935号公報(頁30、図22)
In an image display device equipped with a display display driver or a display display driver, a standby mode (also referred to as a deep standby mode) in which only the input / output circuit section is “ON” after the external power supplied from the battery is turned on When the standby mode is canceled and the internal power is supplied, the logic / memory circuit portion and the driver portion are turned “ON”. At this time, when an enable signal of an external reset signal is input from the reset terminal, there is a problem that the mode is shifted to the standby mode. When transitioning to the standby mode again, there arises a problem that test efficiency such as noise test and product test test of an image display device equipped with a display display driver or a display display driver is lowered.
JP 2003-133935 A (page 30, FIG. 22)

本発明は、インターフェース回路部のみ“ON”しているスタンバイモードの解除実行後、外部リセット信号の指令を無効にできる回路を内蔵する半導体装置を提供する。   The present invention provides a semiconductor device including a circuit that can invalidate a command of an external reset signal after execution of cancellation of a standby mode in which only an interface circuit portion is “ON”.

上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体装置は、イネーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードにし、ディセーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードを解除可能にする外部リセット信号が入力されるリセット端子と、イネーブル信号レベルのときに前記外部リセット信号を無効にする第1の信号を出力する外部リセット信号無効手段と、インターフェース回路部に設けられ、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力する入力信号選択手段と、前記インターフェース回路部に設けられ、前記入力信号選択手段から出力される信号を入力し、前記インターフェース回路に第1の電源が供給された後に、イネーブル信号レベルの前記外部リセット信号とディセーブル信号レベルの第1の信号が前記入力信号選択手段に入力されたとき、内部第2の電源を“OFF”させて前記ディープスタンバイモードにする信号を出力し、前記ディープスタンバイモードが解除されたあと、イネーブル信号レベルの前記第1の信号が前記入力信号選択手段に入力されたとき、前記外部リセット信号を無効にして前記第2の電源の“ON”状態を保持する信号を出力するディープスタンバイ解除回路とを具備することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the semiconductor device of one embodiment of the present invention is input with an external reset signal that enables a deep standby mode when the enable signal level is set and allows the deep standby mode to be released when the disable signal level is set. A reset terminal, an external reset signal invalidating means for outputting a first signal for invalidating the external reset signal at the enable signal level, an interface circuit unit, and the external reset signal and the first signal. Input signal selecting means for inputting the signal, and the interface circuit unit, the signal output from the input signal selecting means is input, and after the first power is supplied to the interface circuit, the enable signal level The first signal of the external reset signal and the disable signal level is the input signal. When the signal is input to the selection means, the internal second power supply is turned “OFF” to output a signal to enter the deep standby mode, and after the deep standby mode is released, the first signal at the enable signal level is A deep standby release circuit that outputs a signal that disables the external reset signal and maintains the "ON" state of the second power supply when input to the input signal selection means.

更に、上記目的を達成するために、本発明の他態様の半導体装置は、イネーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードにし、ディセーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードを解除可能にする外部リセット信号が入力されるリセット端子と、ロジック・メモリ回路部に設けられ、イネーブル信号レベルのときに前記外部リセット信号を無効にする第1の信号を出力するレジスタと、インターフェース回路部に設けられ、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力するシュミット回路と、前記インターフェース回路部に設けられ、前記シュミット回路から出力される信号を入力し、前記インターフェース回路に第1の電源が供給された後に、イネーブル信号レベルの前記外部リセット信号とディセーブル信号レベルの第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記ロジック・メモリ回路部に供給される第2の電源を遮断し、前記ディープスタンバイモードにする信号を出力し、前記ディープスタンバイモードが解除されたあと、イネーブル信号レベルの前記第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記外部リセット信号を無効にして前記第2の電源の“ON”状態を保持する信号を出力するディープスタンバイ解除回路とを具備することを特徴とする。   Furthermore, in order to achieve the above object, the semiconductor device according to another aspect of the present invention has an external reset signal that enables the deep standby mode when the enable signal level is set and allows the deep standby mode to be released when the disable signal level is set. An input reset terminal, a register provided in the logic memory circuit unit, which outputs a first signal for invalidating the external reset signal when the enable signal level is provided, and an interface circuit unit provided with the external reset A Schmitt circuit for inputting a signal and the first signal; an enable signal provided in the interface circuit unit; the signal output from the Schmitt circuit is input; and the first power is supplied to the interface circuit. Level external reset signal and disable signal level When the signal is input to the Schmitt circuit, the second power supplied to the logic memory circuit unit is shut off, and a signal for setting the deep standby mode is output. After the deep standby mode is released A deep standby release circuit that disables the external reset signal and outputs a signal that holds the “ON” state of the second power supply when the first signal of the enable signal level is input to the Schmitt circuit; It is characterized by comprising.

本発明によれば、インターフェース回路部のみ“ON”しているスタンバイモードの解除実行後、外部リセット信号の指令を無効にできる回路を内蔵する半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device including a circuit capable of invalidating a command of an external reset signal after execution of canceling a standby mode in which only the interface circuit portion is “ON”.

以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本発明の実施例1に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は液晶表示装置に用いられるLCD(Liquid Crystal Display)ドライバを示すブロック図、図2はシュミット回路に入力される信号レベルと出力される信号レベルの関係を示す図である。本実施例では、LCDドライバのインターフェース回路部のみ“ON”しているスタンバイモードの解除回路のリセット実行後、外部リセット信号の指令を無効にしている。   First, a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an LCD (Liquid Crystal Display) driver used in a liquid crystal display device, and FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a signal level input to a Schmitt circuit and an output signal level. In this embodiment, the command of the external reset signal is invalidated after executing the reset of the standby mode release circuit in which only the interface circuit portion of the LCD driver is “ON”.

図1に示すように、LCDドライバ20には、入出力回路部1、ロジック・メモリ回路部2、及びリセット端子PadResetが設けられている。ここでは、発振回路、ゲートドライバ、及びソースドライバについては図示していない。   As shown in FIG. 1, the LCD driver 20 is provided with an input / output circuit unit 1, a logic / memory circuit unit 2, and a reset terminal PadReset. Here, the oscillation circuit, the gate driver, and the source driver are not shown.

入出力回路1には、シュミット回路3、ディープスタンバイ解除回路4、第1のレベルシフト回路5、及び第2のレベルシフト回路8が設けられ、電源投入時に、例えば、5Vの電源が供給される。ここでは、マイクロプロセッサ(MPU)との接続を行うシステムインターフェース回路については図示していない。   The input / output circuit 1 is provided with a Schmitt circuit 3, a deep standby release circuit 4, a first level shift circuit 5, and a second level shift circuit 8, and is supplied with, for example, 5V power when the power is turned on. . Here, a system interface circuit for connecting to a microprocessor (MPU) is not shown.

ロジック・メモリ回路部2には、レギュレータ回路6及びレジスタが設けられ、5Vの電源を降圧した、例えば、1.5Vの電源が供給される。ここでは、表示用レジスタ回路、表示RAM、タイミング発生回路、ゲート制御回路、及びラッチ回路等については図示していない。   The logic memory circuit section 2 is provided with a regulator circuit 6 and a register, and is supplied with 1.5V power, for example, by stepping down 5V power. Here, a display register circuit, a display RAM, a timing generation circuit, a gate control circuit, a latch circuit, and the like are not shown.

シュミット回路3は、リセット端子PadResetとディープスタンバイ解除回路4の間に設けられ、2入力NAND回路NOR1とインバータINV1から構成されている。   The Schmitt circuit 3 is provided between the reset terminal PadReset and the deep standby release circuit 4 and includes a two-input NAND circuit NOR1 and an inverter INV1.

2入力NAND回路NOR1は、リセット端子PadResetとインバータINV1の間に設けられ、リセット端子PadResetを介して外部リセット信号であるノードN1の信号と第2のレベルシフト回路から出力されるノードN8の信号を入力し、論理演算した信号を出力側のノードN2に出力する。   The 2-input NAND circuit NOR1 is provided between the reset terminal PadReset and the inverter INV1, and receives the signal of the node N1 that is an external reset signal and the signal of the node N8 output from the second level shift circuit via the reset terminal PadReset. The input and logically operated signal is output to the output side node N2.

インバータINV1は、2入力NAND回路NOR1とディープスタンバイ解除回路4の間に設けられ、ノードN2の信号を入力し、反転信号を出力側のノードN3に出力する。ここで、シュミット回路3は入力信号選択手段として機能する。   The inverter INV1 is provided between the 2-input NAND circuit NOR1 and the deep standby release circuit 4, and receives the signal of the node N2 and outputs the inverted signal to the output-side node N3. Here, the Schmitt circuit 3 functions as input signal selection means.

ディープスタンバイ解除回路4は、インバータINV1と第1のレベルシフト回路5の間に設けられ、ノードN3の信号及びコマンド信号1を入力する。ノードN3の信号或いはコマンド信号1にもとづいて信号処理し、出力側にノードN4の信号を出力する。   The deep standby release circuit 4 is provided between the inverter INV1 and the first level shift circuit 5, and inputs the signal of the node N3 and the command signal 1. Signal processing is performed based on the signal of the node N3 or the command signal 1, and the signal of the node N4 is output to the output side.

第1のレベルシフト回路5は、ディープスタンバイ解除回路4とレギュレータ回路6の間に設けられ、5V系の信号レベルであるノードN4の信号を入力し、ロジック・メモリ回路部2の動作に適応する、1.5V系の信号レベルにレベルシフトした信号をノードN5の信号として出力する。   The first level shift circuit 5 is provided between the deep standby release circuit 4 and the regulator circuit 6 and inputs the signal of the node N4 which is a 5V signal level and adapts to the operation of the logic / memory circuit section 2. , A signal level-shifted to a 1.5V signal level is output as a signal at node N5.

レギュレータ回路6は、第1のレベルシフト回路5とレジスタ7の間に設けられ、ノードN5の信号を入力し、ノードN5の信号レベルに応じてロジック・メモリ回路2に電源供給或いは電源遮断動作を行い、電源供給時に出力側にノードN6の信号を出力する。   The regulator circuit 6 is provided between the first level shift circuit 5 and the register 7 and receives the signal of the node N5, and supplies power to the logic memory circuit 2 or performs power-off operation according to the signal level of the node N5. And outputs the signal of the node N6 to the output side when power is supplied.

レジスタ7は、レギュレータ回路6と第2のレベルシフト回路8の間に設けられ、外部リセット信号を無効にする少なくとも1bit以上のデータを有し、ノードN6及びコマンド信号2を入力する。ノードN6の信号或いはコマンド信号2にもとづいて信号処理し、出力側にノードN8の信号を出力する。ここで、レジスタ7は外部リセット信号無効手段として機能する。   The register 7 is provided between the regulator circuit 6 and the second level shift circuit 8, has at least 1 bit of data for invalidating the external reset signal, and inputs the node N 6 and the command signal 2. Signal processing is performed based on the signal of the node N6 or the command signal 2, and the signal of the node N8 is output to the output side. Here, the register 7 functions as an external reset signal invalidating means.

第2のレベルシフト回路5は、レジスタ7と2入力NOR回路NOR1の間に設けられ、1.5V系の信号レベルであるノードN7の信号を入力し、入出力回路部1の動作に適応する、5V系の信号レベルにレベルシフトした信号をノードN8の信号として出力する。   The second level shift circuit 5 is provided between the register 7 and the two-input NOR circuit NOR1, and receives the signal of the node N7 having a signal level of 1.5V system and adapts to the operation of the input / output circuit unit 1. A signal level-shifted to a 5V signal level is output as a signal at node N8.

図2に示すように、まず、2入力NOR回路NOR1に入力されるノードN1の信号が“High”レベル、ノードN8の信号レベルが“High”レベルの場合、ノードN2の信号が“Low”レベル、ノードN3の信号レベルが“High”となる。このため、ディープスタンバイ解除回路4は“非活性”となり、ロジック・メモリ回路部2には電源が供給され、ロジック・メモリ回路部2は種々の動作を行う。なお、“非活性”とは解除キー制御によりディープスタンバイモードにするという意味である。   As shown in FIG. 2, when the signal of the node N1 input to the two-input NOR circuit NOR1 is “High” level and the signal level of the node N8 is “High” level, the signal of the node N2 is “Low” level. The signal level of the node N3 becomes “High”. Therefore, the deep standby release circuit 4 becomes “inactive”, the power is supplied to the logic / memory circuit section 2, and the logic / memory circuit section 2 performs various operations. Note that “inactive” means that a deep standby mode is set by release key control.

次に、2入力NOR回路NOR1に入力されるノードN1の信号が“High”レベル、ノードN8の信号レベルが“Low”レベルの場合、ノードN2の信号が“Low”レベル、ノードN3の信号レベルが“High”となる。このため、ディープスタンバイ解除回路4は“非活性”となり、ロジック・メモリ回路部2には電源が供給され、ロジック・メモリ回路部2は種々の動作を行う。   Next, when the signal of the node N1 input to the two-input NOR circuit NOR1 is “High” level and the signal level of the node N8 is “Low” level, the signal of the node N2 is “Low” level and the signal level of the node N3 Becomes “High”. Therefore, the deep standby release circuit 4 becomes “inactive”, the power is supplied to the logic / memory circuit section 2, and the logic / memory circuit section 2 performs various operations.

続いて、2入力NOR回路NOR1に入力されるノードN1の信号が“Low”レベル、ノードN8の信号レベルが“High”レベルの場合、ノードN2の信号が“Low”レベル、ノードN3の信号レベルが“High”となる。このため、ディープスタンバイ解除回路4は“非活性”となり、ロジック・メモリ回路部2には電源が供給され、ロジック・メモリ回路部2は種々の動作を行う。   Subsequently, when the signal of the node N1 input to the two-input NOR circuit NOR1 is “Low” level and the signal level of the node N8 is “High” level, the signal of the node N2 is “Low” level and the signal level of the node N3 Becomes “High”. Therefore, the deep standby release circuit 4 becomes “inactive”, the power is supplied to the logic / memory circuit section 2, and the logic / memory circuit section 2 performs various operations.

そして、2入力NOR回路NOR1に入力されるノードN1の信号が“Low”レベル、ノードN8の信号レベルが“Low”レベルの場合、ノードN2の信号が“High”レベル、ノードN3の信号レベルが“Low”となる。このため、ディープスタンバイ解除回路4は“活性”となり、ロジック・メモリ回路部2には電源が供給されない。なお、“活性”とはディープスタンバイモードを解除するという意味である。   When the signal of the node N1 input to the 2-input NOR circuit NOR1 is “Low” level and the signal level of the node N8 is “Low” level, the signal of the node N2 is “High” level and the signal level of the node N3 is “Low”. For this reason, the deep standby release circuit 4 becomes “active” and no power is supplied to the logic memory circuit portion 2. Note that “active” means to release the deep standby mode.

ここでは、外部リセット信号であるノードN1の信号が“Low”レベルときをイネーブル信号レベルとし(これ以降、イネーブル信号レベルを“enable” 信号レベルと呼称する)、外部リセット信号であるノードN1の信号が“High”レベルのときディープスタンバイモードの解除回路をリセットする“enable”信号レベルとしているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、リセット端子PadResetと2入力NOR回路NOR1の間にインバータを設け、外部リセット信号であるノードN1の信号が“High”レベルのときを“enable”信号レベルとし、外部リセット信号であるノードN1の信号が“High”レベルのときディープスタンバイモードの解除回路をリセットする“enable”信号レベルとしてもよい。   Here, when the signal of the node N1 that is the external reset signal is at the “Low” level, the signal is the enable signal level (hereinafter, the enable signal level is referred to as the “enable” signal level), and the signal of the node N1 that is the external reset signal “High” level, the “enable” signal level for resetting the deep standby mode release circuit is set, but the present invention is not limited to this. For example, an inverter is provided between the reset terminal PadReset and the two-input NOR circuit NOR1. When the signal of the node N1, which is an external reset signal, is at “High” level, the “enable” signal level is set. When the signal of the node N1, which is an external reset signal, is at “High” level, a deep standby mode release circuit is provided. “Enab” to reset It may be the “le” signal level.

次に、LCDドライバの電源設定について図3を参照して説明する、図3は液LCDドライバの電源設定を示す模式図である。   Next, power setting of the LCD driver will be described with reference to FIG. 3. FIG. 3 is a schematic diagram showing power setting of the liquid LCD driver.

図3に示すように、外部から電圧2.3〜2.9Vの範囲の電圧を有する外部電源ExVddがLCDドライバ20に供給されると、LCDドライバ20内の設けられている複数の内部電源が“ON”する。例えば、第1の内部電源が“ON”し、外部電源ExVddをインターフェース回路部1や第2の内部電源などに電源供給する。そして、第2の内部電源は降圧回路で安定した1.5Vに降圧され、ロジック・メモリ回路部2に電源(第2の内部電源)供給される。そして、第2の内部電源は昇圧回路でTFT(Thin Film Transistor)を動作させるための高電位側電源VGH電圧、低電位側電源VGL電圧などの比較的高電圧に昇圧され、ゲートドライバ部に電源(第3の内部電源)供給される。   As shown in FIG. 3, when an external power supply ExVdd having a voltage in the range of 2.3 to 2.9 V is supplied from the outside to the LCD driver 20, a plurality of internal power supplies provided in the LCD driver 20 are “ON”. For example, the first internal power supply is “ON”, and the external power supply ExVdd is supplied to the interface circuit unit 1 or the second internal power supply. The second internal power supply is stepped down to a stable voltage of 1.5 V by the step-down circuit and supplied to the logic memory circuit section 2 (second internal power supply). The second internal power supply is boosted to a relatively high voltage such as a high potential side power supply VGH voltage or a low potential side power supply VGL voltage for operating a TFT (Thin Film Transistor) by a booster circuit, and the gate driver section is supplied with power. (Third internal power supply) is supplied.

次に、LCDドライバのディープスタンバイモードについて図4及び図5を参照して説明する。図4はLCDドライバのディープスタンバイモードの設定を示すフローチャート、図5はLCDドライバのディープスタンバイモードの解除を示すフローチャートである。   Next, the deep standby mode of the LCD driver will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing the setting of the deep standby mode of the LCD driver, and FIG. 5 is a flowchart showing the release of the deep standby mode of the LCD driver.

図4に示すように、ディープスタンバイモードの設定では、まず、外部から電圧2.3〜2.9Vの範囲の電圧を有する外部電源ExVddがLCDドライバ20に供給される(ステップS1)。次に、第1乃至第3の内部電源(電源回路)が“ON”し、内部第2の電源を昇圧した5Vの電源がソースドライバ部に供給され、降圧した1.5Vの電源がロジック・メモリ回路部2に供給され、昇圧回した電圧の電源がゲートドライバ部に供給される(ステップS2)。   As shown in FIG. 4, in the setting of the deep standby mode, first, an external power supply ExVdd having a voltage in the range of 2.3 to 2.9 V is supplied from the outside to the LCD driver 20 (step S1). Next, the first to third internal power supplies (power supply circuits) are turned “ON”, the 5 V power source that is boosted from the internal second power source is supplied to the source driver unit, and the 1.5 V power source that is stepped down is The voltage supplied to the memory circuit unit 2 and boosted is supplied to the gate driver unit (step S2).

続いて、インターフェース回路部1が動作を開始し、レジスタ7は動作していないので出力されるノードN7の信号は“Low”レベルである。リセット端子PadResetを介して、“enable”信号レベルである“Low”レベルの外部リセット信号とノードN8の“Low”レベルの信号がシュミット回路3に入力され、ディープスタンバイ解除回路4がリセットされロジック・メモリ回路部2をディープスタンバイにする信号を出力する(ステップS3)。   Subsequently, since the interface circuit unit 1 starts operating and the register 7 is not operating, the output signal of the node N7 is at the “Low” level. Through the reset terminal PadReset, an “low” level external reset signal that is an “enable” signal level and a “low” level signal at the node N8 are input to the Schmitt circuit 3, the deep standby release circuit 4 is reset, and the logic A signal for setting the memory circuit unit 2 to a deep standby is output (step S3).

次に、レギュレータ回路6がこの信号を入力してロジック・メモリ回路部2への電源供給を遮断する。なお、この信号にもとづいて、ソースドライバ部及びゲートドライバ部への電源供給も遮断される。このように、“enable”信号レベルの外部リセット信号により、ディープスタンバイ解除回路4がリセットされディープスタンバイにする信号を出力して確実に“ディープスタンバイモード”となる(ステップS4)。   Next, the regulator circuit 6 inputs this signal and cuts off the power supply to the logic memory circuit unit 2. Note that the power supply to the source driver unit and the gate driver unit is also cut off based on this signal. In this manner, the deep standby release circuit 4 is reset by the external reset signal at the “enable” signal level, and a signal for setting the deep standby is output, thereby surely entering the “deep standby mode” (step S4).

“ディープスタンバイモード”では、インターフェース回路部1だけに電源が供給されているので低消費電力化が図られる。なお、ノードN8の信号が“Low”レベルで、ノードN1の信号がディセーブル信号レベルの “High”レベルのとき(これ以降、ディセーブル信号レベルを“disable”信号レベルと呼称する)、“ディープスタンバイモード”は解除キー制御により解除されて、ロジック・メモリ回路部2、ソースドライバ部及びゲートドライバ部への電源が供給される。   In the “deep standby mode”, power is supplied only to the interface circuit unit 1, so that power consumption can be reduced. Note that when the signal at the node N8 is at the “Low” level and the signal at the node N1 is at the “High” level of the disable signal level (hereinafter, the disable signal level is referred to as the “disable” signal level). The “standby mode” is released by release key control, and power is supplied to the logic / memory circuit unit 2, the source driver unit, and the gate driver unit.

図5に示すように、ディープスタンバイモードの解除では、まず、外部リセット信号が“disable”信号レベルの“High”レベルのとき、コマンド信号1がディープスタンバイ解除回路4に入力されてコマンド設定され、ディープスタンバイ解除回路4がレギュレータ回路6に“ON”指令信号を出力する(ステップS11)。次に、この信号にもとづいて、レギュレータ回路6が“ON”し、ロジック・メモリ回路部2に電源供給を開始する。なお、ソースドライバ部及びゲートドライバ部にも電源供給される(ステップS12)。   As shown in FIG. 5, in the release of the deep standby mode, first, when the external reset signal is “High” level of the “disable” signal level, the command signal 1 is input to the deep standby release circuit 4 to set the command, The deep standby release circuit 4 outputs an “ON” command signal to the regulator circuit 6 (step S11). Next, based on this signal, the regulator circuit 6 is turned “ON” and power supply to the logic memory circuit section 2 is started. Note that power is also supplied to the source driver unit and the gate driver unit (step S12).

続いて、レジスタ7に電源供給されたあと、レジスタ7はレギュレータ回路6から出力されるノードN6の信号を入力し、この信号にもとづいて外部リセット信号の指令を無効するための“High”レベルの信号を出力側のノードN7に出力する(ステップS13)。   Subsequently, after power is supplied to the register 7, the register 7 inputs the signal of the node N6 output from the regulator circuit 6, and based on this signal, the register 7 has a “High” level for invalidating the command of the external reset signal. The signal is output to the node N7 on the output side (step S13).

そして、2入力NOR回路NOR1は、ノードN8の“High”レベルの信号を入力し、シュミット回路3から出力される信号は“High”レベルとなる。なお、図2に示すようにこのレベルは、ノードN1の信号レベル(“High”レベル或いは“Low”レベル)に依存しない(ステップS14)。   Then, the 2-input NOR circuit NOR1 receives the “High” level signal of the node N8, and the signal output from the Schmitt circuit 3 becomes the “High” level. As shown in FIG. 2, this level does not depend on the signal level (“High” level or “Low” level) of the node N1 (step S14).

次に、この信号がディープスタンバイ解除回路4に入力され、ディープスタンバイ解除回路4は“非活性”となる。このため、コマンド信号1で設定された前の設定状態が保持されることになる(ステップS15)。   Next, this signal is input to the deep standby release circuit 4, and the deep standby release circuit 4 becomes "inactive". For this reason, the previous setting state set by the command signal 1 is held (step S15).

複数の内部電源が立ち上がったあと、リセット禁止状態からの解除は、レジスタ7にコマンド信号2を入力してコマンド設定し、ノードN7の信号レベルを“Low”レベル(“disable”信号レベル)にすることにより可能となる。それ以外、リセット禁止状態からの解除は不可能であるから、予期せぬ外部リセット信号の影響を排除し、安定した動作モードを提供することができる。   To release from the reset prohibited state after a plurality of internal power supplies have started, the command signal 2 is input to the register 7 to set the command, and the signal level of the node N7 is set to the “Low” level (“disable” signal level). This is possible. Other than that, it is impossible to cancel the reset prohibition state, so that it is possible to eliminate the influence of an unexpected external reset signal and provide a stable operation mode.

ここでは、LCDドライバ20にソースドライバ及びゲートドライバを設けているが、例えば、低温poly−Si TFTを用いて液晶表示側にゲートドライバを設け、ソースドライバのみ内蔵したLCDドライバに適用できる。また、ゲートドライバのみ内蔵したLCDドライバに適用できる。また、低消費電力化のために電源投入後、インターフェース回路部(入出力回路部とも呼称される)のみ“ON”させるパワーダウンモード(或いはスリープモードと呼称される)を有する半導体メモリ装置、SoC(System on a chip)やマイコン等にも適用することができる。   Here, the source driver and the gate driver are provided in the LCD driver 20, but for example, the present invention can be applied to an LCD driver in which a gate driver is provided on the liquid crystal display side using a low-temperature poly-Si TFT and only the source driver is incorporated. Further, it can be applied to an LCD driver having only a gate driver. In addition, a semiconductor memory device having a power down mode (also referred to as a sleep mode) in which only an interface circuit portion (also referred to as an input / output circuit portion) is “ON” after power-on to reduce power consumption, SoC (System on a chip) and microcomputers can also be applied.

上述したように、本実施例の半導体装置では、入出力回路部1、ロジック・メモリ回路部2、及びリセット端子PadResetが設けられている。入出力回路1には、2入力NOR回路NOR1とインバータINV1からなるシュミット回路3、ディープスタンバイ解除回路4、第1のレベルシフト回路5、及び第2のレベルシフト回路8が設けられ、ロジック・メモリ回路部2には、レギュレータ回路6及びレジスタ7が設けられている。ディープスタンバイモードが解除され、複数の内部電源が“ON”し、ロジック・メモリ回路部2、ソースドライバ部やゲートドライバに電源供給されたあと、レジスタ7が動作し、レジスタ7からリセット禁止信号が2入力NOR回路NOR1に入力される。この信号にもとづいてディープスタンバイ解除回路4が“非活性”となる。   As described above, in the semiconductor device of this embodiment, the input / output circuit unit 1, the logic / memory circuit unit 2, and the reset terminal PadReset are provided. The input / output circuit 1 is provided with a Schmitt circuit 3, a deep standby release circuit 4, a first level shift circuit 5, and a second level shift circuit 8 comprising a two-input NOR circuit NOR1 and an inverter INV1, and a logic memory The circuit unit 2 is provided with a regulator circuit 6 and a register 7. After the deep standby mode is canceled, a plurality of internal power supplies are turned “ON”, and power is supplied to the logic / memory circuit unit 2, the source driver unit, and the gate driver. Then, the register 7 operates and a reset prohibition signal is output from the register 7. A two-input NOR circuit NOR1 is input. Based on this signal, the deep standby release circuit 4 becomes "inactive".

このため、ロジック・メモリ回路部2、ソースドライバ部やゲートドライバに電源が供給されたあと、外部リセット信号が入力されても外部リセット信号の指令は無効にされ、安定した動作モードを保持することができる。また、従来、LCDドライバやLCDドライバを搭載する液晶表示装置のノイズ試験や製品試験等で、予期せぬ外部リセット信号によりディープスタンバイモードになり、画像表示が所定のものより劣化する場合があるが、本実施例では、ディープスタンバイモードにならないので、その都度リセット解除を実施する必要がなく、試験効率の低下を抑制することができる。   For this reason, after power is supplied to the logic / memory circuit unit 2, the source driver unit, and the gate driver, even if an external reset signal is input, the command of the external reset signal is invalidated and the stable operation mode is maintained. Can do. Also, in the past, in the noise test and product test of liquid crystal display devices equipped with LCD drivers and LCD drivers, an unexpected external reset signal may cause a deep standby mode, and the image display may deteriorate from a predetermined one. In the present embodiment, since the deep standby mode is not set, it is not necessary to cancel the reset each time, and the decrease in test efficiency can be suppressed.

本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the invention.

例えば、実施例では、LCDと同様にライン毎にSCANをして表示を行うFED(Field Emission Display)やELD(Electroluminescent Display)対応の表示装置用ドライバに適用できる。   For example, the embodiment can be applied to a display device driver compatible with FED (Field Emission Display) or ELD (Electroluminescent Display) that performs display by performing SCAN for each line as in the LCD.

本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) イネーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードにし、ディセーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードを解除可能にする外部リセット信号が入力されるリセット端子と、ロジック・メモリ回路部に設けられ、イネーブル信号レベルのときに、前記外部リセット信号を無効にする第1の信号を出力するレジスタと、インターフェース回路部に設けられ、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力する2入力NOR回路と前記2入力NOR回路から出力される信号を反転するインバータから構成されるシュミット回路と、前記インターフェース回路部に設けられ、前記シュミット回路から出力される信号を入力し、前記インターフェース回路に第1の電源が供給された後に、イネーブル信号レベルの前記外部リセット信号とディセーブル信号レベルの第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記ロジック・メモリ回路部に供給される第2の電源を遮断し、ディープスタンバイモードにする信号を出力し、前記外部リセット信号がディセーブル信号レベルで、コマンド信号が入力されたときに前記第2の電源供給を開始する信号を出力して前記ディープスタンバイモードを解除し、イネーブル信号レベルの前記第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記外部リセット信号を無効にして前記第1及び第2の電源の“ON”状態を保持する信号を出力するディープスタンバイ解除回路とを具備する半導体装置。
The present invention can be configured as described in the following supplementary notes.
(Supplementary Note 1) Provided in the logic memory circuit section, a reset terminal to which an external reset signal is input to enable deep standby mode when enable signal level and deep standby mode can be canceled when disable signal level, A register that outputs a first signal that invalidates the external reset signal when the enable signal level is set; a two-input NOR circuit that is provided in the interface circuit unit and inputs the external reset signal and the first signal; A Schmitt circuit configured by an inverter that inverts a signal output from the two-input NOR circuit, and a signal that is provided in the interface circuit unit and that is output from the Schmitt circuit is input to the interface circuit. After the supply of the enable signal level When a reset signal and a first signal having a disable signal level are input to the Schmitt circuit, the second power supplied to the logic / memory circuit unit is shut off and a signal to enter a deep standby mode is output. When the external reset signal is at a disable signal level and a command signal is input, a signal for starting the second power supply is output to cancel the deep standby mode, and the first signal at the enable signal level And a deep standby release circuit that outputs a signal that disables the external reset signal and holds the “ON” state of the first and second power supplies when the signal is input to the Schmitt circuit.

本発明の実施例1に係る液晶表示装置に用いられるLCDドライバを示すブロック図。1 is a block diagram showing an LCD driver used in a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係るシュミット回路に入力される信号レベルと出力される信号レベルの関係を示す図。The figure which shows the relationship between the signal level input into the Schmitt circuit which concerns on Example 1 of this invention, and the signal level output. 本発明の実施例1に係るLCDドライバの電圧設定を示す模式図。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating voltage setting of the LCD driver according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例1に係るLCDドライバのディープスタンバイモードの設定を示すフローチャート。6 is a flowchart showing setting of a deep standby mode of the LCD driver according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例1に係るLCDドライバのディープスタンバイモードの解除を示すフローチャート。6 is a flowchart showing the release of the deep standby mode of the LCD driver according to the first embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 インターフェース回路部
2 ロジック・メモリ回路部
3 シュミット回路
4 ディープスタンバイ解除回路
5 第1のレベルシフト回路
6 レギュレータ回路
7 レジスタ
8 第2のレベルシフト回路
20 LCDドライバ
INV1 インバータ
N1〜N8
NOR1 2入力NOR回路
PadReset リセット端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Interface circuit part 2 Logic memory circuit part 3 Schmitt circuit 4 Deep standby release circuit 5 1st level shift circuit 6 Regulator circuit 7 Register 8 2nd level shift circuit 20 LCD driver INV1 Inverter N1-N8
NOR1 2-input NOR circuit PadReset Reset terminal

Claims (5)

イネーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードにし、ディセーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードを解除可能にする外部リセット信号が入力されるリセット端子と、
イネーブル信号レベルのときに前記外部リセット信号を無効にする第1の信号を出力する外部リセット信号無効手段と、
インターフェース回路部に設けられ、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力する入力信号選択手段と、
前記インターフェース回路部に設けられ、前記入力信号選択手段から出力される信号を入力し、前記インターフェース回路に第1の電源が供給された後に、イネーブル信号レベルの前記外部リセット信号とディセーブル信号レベルの第1の信号が前記入力信号選択手段に入力されたとき、内部第2の電源を“OFF”させて前記ディープスタンバイモードにする信号を出力し、前記ディープスタンバイモードが解除されたあと、イネーブル信号レベルの前記第1の信号が前記入力信号選択手段に入力されたとき、前記外部リセット信号を無効にして前記第2の電源の“ON”状態を保持する信号を出力するディープスタンバイ解除回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
A reset terminal to which an external reset signal is input to enable deep standby mode when the enable signal level is set and to cancel deep standby mode when the disable signal level is set;
An external reset signal invalidating means for outputting a first signal for invalidating the external reset signal at an enable signal level;
An input signal selecting means provided in an interface circuit section for inputting the external reset signal and the first signal;
The interface circuit unit is provided with a signal output from the input signal selection means, and after the first power is supplied to the interface circuit, the external reset signal at the enable signal level and the disable signal level. When the first signal is input to the input signal selecting means, the internal second power supply is turned “OFF” to output the signal to enter the deep standby mode, and after the deep standby mode is released, the enable signal A deep standby release circuit that outputs a signal that disables the external reset signal and holds the "ON" state of the second power supply when the first signal of the level is input to the input signal selection unit;
A semiconductor device comprising:
前記外部リセット信号無効手段は、第2の電源が供給され、ロジック・メモリ回路部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the external reset signal invalidating unit is provided with a second power supply and provided in a logic memory circuit unit. 前記入力信号選択手段は、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力する2入力NOR回路と前記2入力NOR回路から出力される信号を反転するインバータから構成されているシュミット回路であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。   The input signal selection means is a Schmitt circuit comprising a two-input NOR circuit that inputs the external reset signal and the first signal, and an inverter that inverts a signal output from the two-input NOR circuit. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is characterized. 前記外部リセット信号無効手段は、レジスタであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the external reset signal invalidating unit is a register. イネーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードにし、ディセーブル信号レベルのときにディープスタンバイモードを解除可能する外部リセット信号が入力されるリセット端子と、
ロジック・メモリ回路部に設けられ、イネーブル信号レベルのときに前記外部リセット信号を無効にする第1の信号を出力するレジスタと、
インターフェース回路部に設けられ、前記外部リセット信号と前記第1の信号を入力するシュミット回路と、
前記インターフェース回路部に設けられ、前記シュミット回路から出力される信号を入力し、前記インターフェース回路に第1の電源が供給された後に、イネーブル信号レベルの前記外部リセット信号とディセーブル信号レベルの第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記ロジック・メモリ回路部に供給される第2の電源を遮断し、前記ディープスタンバイモードにする信号を出力し、前記ディープスタンバイモードが解除されたあと、イネーブル信号レベルの前記第1の信号が前記シュミット回路に入力されたとき、前記外部リセット信号を無効にして前記第2の電源の“ON”状態を保持する信号を出力するディープスタンバイ解除回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
A reset terminal to which an external reset signal is input to enable deep standby mode when the enable signal level is set and to cancel deep standby mode when the disable signal level is set;
A register that is provided in the logic memory circuit unit and outputs a first signal that invalidates the external reset signal at the enable signal level;
A Schmitt circuit that is provided in an interface circuit section and inputs the external reset signal and the first signal;
After the signal output from the Schmitt circuit is input to the interface circuit unit and the first power is supplied to the interface circuit, the external reset signal at the enable signal level and the first signal at the disable signal level When the signal is input to the Schmitt circuit, the second power supplied to the logic memory circuit unit is shut off, and a signal for setting the deep standby mode is output. After the deep standby mode is released A deep standby release circuit that disables the external reset signal and outputs a signal that holds the “ON” state of the second power supply when the first signal of the enable signal level is input to the Schmitt circuit; ,
A semiconductor device comprising:
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