JP2007180550A - 改善された欠陥品率を有する多層研磨パッド及びその製造方法 - Google Patents
改善された欠陥品率を有する多層研磨パッド及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007180550A JP2007180550A JP2006343775A JP2006343775A JP2007180550A JP 2007180550 A JP2007180550 A JP 2007180550A JP 2006343775 A JP2006343775 A JP 2006343775A JP 2006343775 A JP2006343775 A JP 2006343775A JP 2007180550 A JP2007180550 A JP 2007180550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- layer
- compressibility
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 204
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 4
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000001814 pectin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 claims description 2
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 claims description 2
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 2
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920006353 Acrylite® Polymers 0.000 claims 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 26
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- KTUFNOKKBVMGRW-UHFFFAOYSA-N imatinib Chemical compound C1CN(C)CCN1CC1=CC=C(C(=O)NC=2C=C(NC=3N=C(C=CN=3)C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2)C=C1 KTUFNOKKBVMGRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000614 phase inversion technique Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007655 standard test method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】半導体基材を研磨するための複合ケミカルメカニカル研磨パッドを得る。
【解決手段】複合ケミカルメカニカル研磨パッド300は、第一の圧縮性を有する研磨層304と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層312と、第二の圧縮性よりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層314とを有する。研磨層304は、少なくとも50容量%の気孔率を有する。低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層水系研磨パッドを提供する。
【選択図】図3
【解決手段】複合ケミカルメカニカル研磨パッド300は、第一の圧縮性を有する研磨層304と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層312と、第二の圧縮性よりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層314とを有する。研磨層304は、少なくとも50容量%の気孔率を有する。低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層水系研磨パッドを提供する。
【選択図】図3
Description
本発明は、ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)のための研磨パッドに関し、特に、低欠陥品率での研磨を可能にする多層研磨パッド及び多層研磨パッドの製造方法に関する。
集積回路及び他の電子装置の製作においては、導体、半導体及び絶縁材料の多数の層を半導体ウェーハの表面に付着させたり、同表面から除去したりする。導体、半導体及び絶縁材料の薄層は、多様な付着技術によって付着させることができる。最新の加工における一般的な付着技術としては、スパッタリングとしても知られる物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、プラズマ増強化学蒸着法(PECVD)及び電気化学的めっき法(ECP)がある。
材料層が順次に付着され、除去されるにつれ、ウェーハの一番上の表面が非平坦になる。後続の半導体加工(たとえばメタライゼーション)はウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハは平坦化されなければならない。プラナリゼーションは、望ましくない表面トポグラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層もしくは材料を除去するのに有用である。
ケミカルメカニカルプラナリゼーション、又はケミカルメカニカル研磨(CMP)は、半導体ウェーハのような基材を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のCMPでは、ウェーハキャリヤがキャリヤアセンブリに取り付けられ、CMP装置中で研磨パッドと接する位置に配される。キャリヤアセンブリは、制御可能な圧力をウェーハに供給して、ウェーハを研磨パッドに押し当てる。パッドは、外部駆動力によってウェーハに対して動かされる(たとえば回転させられる)。それと同時に、化学組成物(「スラリー」)又は他の流動媒体が研磨パッド上で、かつウェーハと研磨パッドとの間の隙間に流される。こうして、ウェーハ表面は、スラリー及びパッド表面の化学的かつ機械的作用によって研磨され、平坦化される。
ポリマー(たとえばポリウレタン)をケークに流込み成形し、そのケークを切り出して(「削出し」)いくつかの薄い研磨パッドにする方法が、再現精度が一貫して高い研磨性を有する「硬い」研磨パッドを製造する効果的な方法であることがわかった。残念ながら、流込み成形・削出し法から製造されるポリウレタンパッドは、研磨パッド流込み位置から生じる研磨性のばらつきを有することがある。たとえば、一番下の流込み位置から切り出されたパッドと、一番上の流込み位置から切り出されたパッドとは、密度及び気孔率が異なることがある。さらには、研磨パッドは、一つのパッドの中でも密度及び気孔率における中心−端部間のばらつきを有することもある。これらのばらつきは、もっとも要求の厳しい用途、たとえば脆い多孔性low-k絶縁体を含むパターン付きウェーハの研磨に悪影響を及ぼすおそれがある。
また、溶媒/非溶媒法を使用してポリマーを凝固させて研磨パッドをウェブフォーマットで形成する方法が「軟らかい」研磨パッドを製造するのに効果的な方法であることがわかった。この方法(すなわちウェブフォーマット)は、流込み成形・削出し法で見られる上述の欠点のいくつかを回避させる。残念ながら、一般に使用される(有機)溶媒(たとえばN,N−ジメチルホルムアミド)は、取扱いがやっかいであり、費用的に許されないことがある。加えて、これらの軟らかいパッドは、凝固過程で形成する気孔のランダムな配置及び構造のためにパッド間のばらつきを有するおそれがある。
加えて、研磨パッドは、2個以上のパッドを合わせることによって形成することもできる。たとえば、Pierceらは、米国特許第5,287,663号で、異なる材料の3層を積層することによって形成される、CMPを実施するための研磨パッドを開示している。比較的非圧縮性の上部研磨層が、その非圧縮性研磨層に剛性を提供するのに適した材料から形成された剛性層に取り付けられている。剛性層は、剛性層に弾性圧力を提供するための圧縮性材料でできた弾性層の上部に設けられている。Pierceの3層研磨パッドは、「弾性曲げモード」で作用するように設計されている。換言するならば、剛性層と弾性層とが協働して、研磨面が、ウェーハ表面の局所的トポグラフィーに対して制御された剛性を維持しながらもウェーハ表面の大域的トポグラフィーに適合するように制御された曲げを研磨面に誘発する。
残念ながら、Pierceの複合研磨パッドは、将来的なより厳格な欠陥品率要件を満たすのには不十分である。たとえば、硬質で比較的非圧縮性のPierceの研磨パッドは、特にCulow-k材料の場合、許容できないレベルの欠陥品率を非研磨面に生じさせる。しかし、特にlow-k材料研磨で使用される非常に低いダウンフォース(1psi未満)を考慮すると、硬質のパッドが所要の研磨速度を達成することが望まれる。
したがって、一貫した研磨性能、より低い欠陥品率を提供し、費用効果的に製造することができる研磨パッドが要望される。加えて、求められるものは、改善された密度及び気孔率の均一性を有する研磨パッドである。
本発明の態様で、第一の圧縮性を有する研磨層と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層と、第二の圧縮性をよりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層とを有し、研磨層が少なくとも50容量%の気孔率を有するものである、半導体基材を研磨するための複合ケミカルメカニカル研磨パッドが提供される。
本発明は、低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層研磨パッドを提供する。好ましくは、研磨パッドは、ウェブフォーマットで製造され、流込み成形され、削り出された「硬い」研磨パッドに伴いがちなパッド間のばらつきを減らす。加えて、研磨パッドは、好ましくは、有機溶媒系ではなく水系であり、凝固法によって形成される従来技術の「軟らかい」パッドよりも製造しやすい。また、研磨パッドは、気孔率が高く、多層であって、他の研磨計量指標、たとえば除去速度、トポグラフィー制御及びパッド寿命を犠牲にすることなく欠陥品率の低下を提供する。本発明の研磨パッドは、半導体基材、剛性メモリディスク、光学製品を研磨するのに有用であり、半導体加工の様々な局面、たとえばILD、STI、タングステン、銅、low-k絶縁材及び超low-k絶縁材の研磨における使用に有用である。
図面を参照すると、まず図1は、本発明の多層研磨パッド300を製造するための装置100を示す。好ましくは、多層研磨パッド300は、できるだけ多くの研磨スラリー又は反応性液体を保持してウェーハと接触させるために高い気孔率を有する。本発明者によって認識されているように、将来的な研磨要件に関して、研磨の化学的寄与が機械的寄与よりも重要になろう。したがって、本発明の研磨パッド300は、少なくとも50容量%の気孔率を有する研磨層304を有する多層の多孔性(「多孔質」)研磨パッドである。より好ましくは、本発明の研磨パッド300は、少なくとも65容量%の上部パッドの気孔率を有する多孔質研磨パッドである。もっとも好ましくは、本発明の研磨パッド300は、少なくとも75容量%の上部パッドの気孔率を有する多孔質研磨パッドである。多孔質の上部の研磨層304は、「デュアル」サブパッド(以下さらに述べる)とともに、他の研磨計量指標、たとえば除去速度、トポグラフィー制御及びパッド寿命を犠牲にすることなく欠陥品率の低下を提供する本発明の多層研磨パッドを提供する。
さらに、本発明の研磨パッド300は、研磨層304の厚さ方向全体に相互接続される気孔を有する。このようにして、研磨くずを研磨層304に吸収させ、研磨層(界面)から離して上部の研磨層304の下面に向けて分散させることができる。また、その高い気孔率及び研磨流体中の含浸のために圧縮性である上層は、流体がウェーハの下で反復的に循環移行する間に流体をウェーハ表面に押し当てるポンプとして作用することができる。さらには、研磨パッド300の相互接続気孔構造は、研磨層304の厚さ方向全体に均一であり、パッドが磨耗しても、気孔の断面形状及びウェーハと接触する表面積が一定のままであるようになっている。気孔構造は、微孔が相互接続されたものであってもよいし、柱状であってもよい。
研磨パッド300の研磨層304は、焼結、延伸、トラックエッチング、テンプレートリーチング及び転相をはじめとする種々の方法によって形成することができる。特に、転相の方法としては、たとえば、溶媒蒸発による沈殿、気相からの沈殿、制御された蒸発による沈殿、熱沈殿及び浸漬沈殿がある。相互接続された気孔を製造する他の方法としては、超臨界流体又は低密度発泡技術を使用する方法がある。
本発明の実施態様では、多層研磨パッド300は、「連続製造」を可能にする「ロール状」フォーマットで形成されて、バッチ処理法によって生じるおそれのある異なる研磨パッド300間のばらつきを減らす。装置100は、らせんに巻かれた基材302を長手方向に連続した形態で貯蔵するフィードリール又は巻き出しステーション102を含む。図3〜3Bに関して以下さらに述べるように、基材302は、剛性中間層312及び圧縮性下層314を含む「デュアル」サブパッド設計を含む。このようにして、剛性中間層312は、ダイスケール長では剛性を均衡させるが、より圧縮性の層314とともに作用してウェーハスケール長では可撓性になるようにする。
フィードローラ102は、駆動機構104によって機械的に駆動されて制御された速度で回転する。駆動機構104は、たとえば、ベルト106及びモータ駆動プーリ108を含む。場合によっては、駆動機構104は、モータ駆動フレキシブルシャフト又はモータ駆動ギヤ系(図示せず)を含む。
さらに図1を参照すると、連続基材302は、フィードリール102により、離間した駆動ローラ112の間に掛け渡された連続コンベヤ110、たとえばステンレス鋼ベルトの上に供給される。駆動ローラ112は、コンベヤ110の線移動を連続基材302の線移動と同期化する速度でモータ駆動することができる。基材302は、コンベヤ110により、各駆動ローラ112と対応するアイドラローラ112aとの間の空間に沿って輸送される。アイドラローラ112aは、基材302の正トラッキング制御のためにコンベヤ110と係合する。コンベヤ110は、テーブル支持体110bの平坦で水平な面に支持された平坦区分110aを有し、この平坦区分が、基材302を支持し、輸送して、連続する製造ステーション114、122及び126に通す。ローラの形態にある支持部材110cが、コンベヤ110及び基材302の正トラッキング制御のために、コンベヤ110及び基材302の側縁に沿って分布している。
第一の製造ステーション114はさらに、貯蔵タンク116及びそのタンク116の出口のノズル118を含む。粘稠な流動状態ポリマー組成物がタンク116に供給され、ノズル118によって連続基材302の上にディスペンスされる。ノズル118の流量はタンク116の出口のポンプ120によって制御される。ノズル118は、基材302の全幅に及ぶように連続基材302の幅と同じ幅であってもよい。コンベヤ110が基材302を輸送して製造ステーション114に通すと、連続流体相研磨層304が基材302の上に供給される。流動状態ポリマー組成物は、従来の接着技術によって基材302に付着させることもできる。
原料は、タンク116を繰り返し満たす大きな均質供給分に混合することができるため、完成品の組成及び性質におけるばらつきが減る。換言するならば、本発明は、従来技術の流込み成形・削出し技術に伴う問題を解決するための水性研磨パッドを製造するウェブフォーマット法を提供する。この方法の連続性は、多層多孔質研磨パッド300を製造するための、多数の個々の研磨パッド300が所望の区域パターン及びサイズに切り出される正確な制御を可能にする。多数の個々の研磨パッド300は、組成及び性質のばらつきが減少する。
好ましくは、流動状態ポリマー組成物は水系である。たとえば、組成物は、水系ウレタン分散系(たとえば、米コネチカット州MiddleburyのCrompton社のW-290H、W-293、W-320、W-612及びA-100ならびに米ニュージャージー州West PatersonのCytec Industries社のHP-1035及びHP-5035)及びアクリル分散系(たとえば、米ペンシルバニア州PhiladelphiaのRohm and Haas社のRhoplex(登録商標)E-358)を含むことができる。加えて、ブレンド、たとえばアクリル/スチレン分散系(たとえば、米ペンシルバニア州PhiladelphiaのRohm and Haas社のRhoplex(登録商標)B-959及びE-693)を使用してもよい。加えて、水系ウレタン分散系とアクリル分散系とのブレンドを使用してもよい。
本発明の好ましい実施態様では、水系ウレタン分散系とアクリル分散系とのブレンドは100:1〜1:100の重量比で提供される。より好ましくは、水系ウレタン分散系とアクリル分散系とのブレンドは10:1〜1:10の重量比で提供される。もっとも好ましくは、水系ウレタン分散系とアクリル分散系とのブレンドは3:1〜1:3の重量比で提供される。
水系ポリマーは、多孔性及び充填材入り研磨パッドを形成するのに有効である。本明細書に関して、研磨パッドの充填材としては、研磨中に除去される又は溶解する固形粒子及び液体充填粒子又は球体がある。本明細書に関して、気孔としては、ガス充填粒子、ガス充填球体及び他の手段、たとえばガスを機械的に粘稠系に送り込んで泡立てる、ガスをポリウレタン溶融体に注入する、ガス状生成物との化学反応を使用してガスをその場で導入する、又は圧力を下げて溶解ガスによって気泡を形成させることによって形成される空隙がある。加えて、気孔は、たとえばpH、イオン強度又は温度を変えることによって水系ポリマー分散系を不安定化することによって形成することもできる。
場合によっては、流動状態ポリマー組成物は、消泡剤(CognisのFoamaster(登録商標)111)及びレオロジー変性剤(たとえば、いずれもRohm and Haas社のAcrysol(登録商標)ASE-60、Acrysol I-62、Acrysol RM-12W、Acrysol RM-825及びAcrysol RM-8W)をはじめとする他の添加剤を含有することもできる。他の添加剤、たとえば皮張り防止剤(たとえば、Lanxess社のBorchi-Nox(登録商標)C3及びBorchi-Nox M2)及び融合剤(Eastman ChemicalsのTexanol(登録商標)Esterアルコール)を使用してもよい。加えて、研磨層は、相の少なくとも一つが室温未満のガラス転移温度を有する軟質のポリマー又はポリマーブレンドでできているべきである。また、添加剤、たとえば耐摩耗性を改善するためのカーボンブラック、摩擦を減らすためのPTFE又は湿潤性を改善するための界面活性剤を含めてもよい。
第二の製造ステーション122は、たとえば、連続基材302から所定の距離に位置して連続基材との間にクリアランス空間を画定するドクターブレード124を含む。コンベヤ110が連続基材302及び流体相研磨層304を輸送して製造ステーション122のドクターブレード124を通過させると、ドクターブレード124が流体相研磨層304を所定の厚さに連続的に成形する。
第三の製造ステーション126は、硬化オーブン128、たとえば、連続基材302及び研磨層304を輸送する加熱されたトンネル状部を含む。オーブン128は、流体相研磨層304を、連続基材302に接着する連続固相研磨層304へと硬化させる。水分は、たとえば表面のブリスタを避けるため、ゆっくりと除去するべきである。硬化時間は、オーブン128を通過するときの温度及び輸送速度によって制御される。オーブン128は、輻射加熱又は強制対流加熱又は両方を使用する、燃料燃焼式でもよいし、電気燃焼式でもよい。
好ましくは、オーブン128の温度は50℃〜150℃であることができる。より好ましくは、オーブン128の温度は55℃〜130℃であることができる。もっとも好ましくは、オーブン128の温度は60℃〜120℃であることができる。加えて、研磨層304は、5fpm〜20fpm(1.52mps〜6.10mps)の速度でオーブン128に通すことができる。好ましくは、研磨層304は、5.5fpm〜15fpm(1.68mps〜4.57mps)の速度でオーブン128に通すことができる。もっとも好ましくは、研磨層304は、6fpm〜12fpm(1.83mps〜3.66mps)の速度でオーブン128に通すことができる。
次に図1Aを参照すると、連続基材302は、オーブン128を出ると、連続固相研磨層304に接着して、連続多層多孔質研磨パッド300を構成する。多層研磨パッド300は、製造ステーション126の後に続く巻き取りリール130にらせんに巻き取られる。巻き取りリール130は第二の駆動機構104によって駆動される。巻き取りリール130及び第二の駆動機構104が、製造装置100の中で選択的に配置される別個の製造ステーションを構成する。
次に図2を参照すると、連続多層研磨パッド300の表面コンディショニング又は表面仕上げのための装置200が任意に提供されている。装置200は、図1に示すものに類似したコンベヤ110又は同じコンベヤ110の延長区分を含む。装置200のコンベヤ110は、駆動ローラ112及びオーブン126を出た多層研磨パッド300を支持する平坦区分110aを有する。装置200のコンベヤ110は、連続研磨パッド300を輸送して一つ以上の製造ステーション201、208及び212に通し、そこで研磨パッド300は、オーブン126中での硬化に続いてさらに処理される。装置200は、図1を参照して示したように作動するさらなる平坦なテーブル支持体110b及びさらなる支持部材110cを有する状態で示されている。
固化した研磨層304は、サンドペーパでバフィングするのではなくダイアモンドでバフィングすると、研磨層304の所望の表面仕上げ及び平坦な表面レベルを露呈させることができる。好ましくは、研磨層304を分割して所望の表面仕上げを露呈させてもよい。このようにして、パッド表面のアスペリティ高さが密な範囲に制御され、この分布がパッド寿命にわたって維持される。したがって、欠陥、特にマイクロスクラッチ及びチャターマーク、砥粒/パッドアスペリティとウェーハ表面との間の局所化接触圧力が最小限になる。換言するならば、研磨力が、少数の接触点に集中するのではなく多数の接触点で均一に分散する。そのために、本発明者は、ポリマー配合及び「ゴム状」ポリマーの添加に関して、ある種のポリマーが研磨層の表面を開裂させて、液交換を促進し、研磨層の厚さ方向全体を通じてより均一な気孔構造を提供するであろうことを見いだした(たとえばParaloid EXL(商標)2691)。
導体ディッシング及び酸化物エロージョンのようなパラメータの形体レベルでのトポグラフィー制御は強いスラリー依存性を有するが、パッド表面アスペリティ分布もまた、特に形体ディッシングに関して役割を演じると考えられている。先に述べたように、高い点圧力スポットを減らすためにアスペリティ高さ分布の制御は重要である。いくらか同じように、アスペリティが導体ライン幅と匹敵するサイズ又はそれよりも小さなサイズであるならば、アスペリティがフィーチャを彫り下げ、ディッシングを増すおそれがある。これは、アスペリティがフィーチャサイズよりも大きな有効先端径を有する状態でアスペリティ高さの均一な分布を保証することによって最小限に抑えることができる。先端は、鋭利ではなく丸みを帯びているべきであり、アスペリティは、高いアスペクト比ではなく低いアスペクト比を有するべきである。研磨圧力及び条件の下、アスペリティは、ウェーハと接触したときの変形が可逆性であるよう、良好な弾性を有するべきである。これがダイアモンドコンディショニングの使用を減らすことができる。
研磨中、砥粒がパッドのアスペリティと組み合わさって機械的除去効果をもたらすことによってウェーハ材料を除去する。硬い砥粒とウェーハ表面との間の力が大きすぎるならば、ウェーハ表面のマイクロスクラッチが起こるおそれがある。これを最小限にするため、アスペリティは、砥粒が部分的又は完全にアスペリティ中に浸透することができるような物理的性質を有するべきである。これは、砥粒がピッチの表面に沈み込むガラスの研磨に似ている。浸透に関して、アスペリティの肝要な性質は低い降伏強さ及び弾性率である。
本発明のもう一つの任意の特徴は、上層における巨視的溝の存在である。これらの溝は、パッドとウェーハとの間の吸引力を減らして、ウェーハが、研磨後に流体を解放し、研磨中にパッド表面上の流体輸送を制御するようにする。後者は、より効率的な研磨を保証し、ウェーハ表面の研磨プロフィールを制御するために使用することができ、欠陥品率を下げるためのさらなる方法として使用することができる。溝は、円形、クロスハッチ、らせん状又は半径方向設計であることもできるし、特定の用途に最適化された一定の変形した半径方向又はらせん溝設計をはじめとするそれらの組み合わせであることもできる。
所望により、溝又は他の凹みの形態のアスペリティが研磨層304の表面に加工される。たとえば、作業ステーション201は、型押作業中に互いに近づく往復運動型押ダイ202及び固定ダイ204を有する1対の圧縮成形型押ダイを含む。往復運動ダイ202は連続研磨層304の表面に面する。ダイ202上の多数の歯205が連続研磨層304の表面に貫入する。型押作業は表面仕上げ作業を提供する。たとえば、歯205は研磨層304の表面に溝のパターンを押し込む。コンベヤ110は、断続的に停止させてもよく、ダイ202及び204が互いに近づくとき静止状態になる。あるいはまた、ダイ202及び204は、コンベヤ110と同期的に、ダイ202及び204が互いに近づく時間、輸送方向に動く。
製造ステーション208は、たとえば、連続研磨層304の表面に溝を切るための回転ソー210を含む。ソー210は、たとえば、直交運動プロッタにより、所定の経路に沿って動かされて所望のパターンの溝を切る。もう一つの製造ステーション212が、連続研磨層304の表面を、選択的に粗化又は平滑化される所望の表面仕上げの平坦面までバフィング又は研磨するための回転研磨ヘッド214を含む。
製造ステーション202、210及び212の順序は、図2に示す順序と異なることができる。所望により、一つ以上の製造ステーション202、210及び212を省くこともできる。巻き取りリール130及び第二の駆動機構104は、製造装置200の中でコンベヤ110の端部に選択的に配置されて固相連続研磨パッド300を収集する別個の製造ステーションを構成する。
次に図3を参照すると、本発明の装置100によって製造される多層多孔質研磨パッド300の断面図が提示されている。上で述べたように、オーブン128中で硬化すると、液相ポリマーは、固化した多孔質研磨パッド300を形成する。一つの実施態様では、研磨パッド300は柱状物306を含むこともできる。柱状物306は、研磨層304の厚さ方向全体に相互接続することができる気孔を提供する。このようにして、研磨くずを研磨層304に吸収し、研磨層(界面)から離して上部の研磨層304の下面に向けて分散させることができる。また、その高い気孔率及び研磨流体中の含浸のために圧縮性である上層は、流体がウェーハの下で反復的に循環移行する間に流体をウェーハ表面に押し当てるポンプとして作用することができる。さらには、研磨パッド300の相互接続気孔構造は、研磨層304の厚さ方向全体に均一であり、パッドが磨耗しても、気孔の断面形状及びウェーハと接触する表面積が一定のままであるようになっている。
好ましくは、研磨層304は、研磨条件下で本質的に「ゴム状」であり、そのバルクポリマーのショアーD硬さは40D未満である。より好ましくは、研磨層は、バルクポリマーのショアーD硬さが30D未満である。もっとも好ましくは、研磨層は、バルクポリマーのショアーD硬さが25D未満である。また、研磨層304は厚さ0.5mm未満である。より好ましくは、研磨層は厚さ0.4mm未満である。もっとも好ましくは、研磨は厚さ0.25mm未満である。
上で述べたように、基材302は、剛性中間層312及び圧縮性下層314を含む「デュアル」サブパッド設計を含む。このようにして、剛性中間層312は、ダイスケール長で剛性を均衡させるが、より圧縮性の層314とともに作用してウェーハスケール長で可撓性になるようにする。これは、パッドが非平坦なウェーハに適合することを可能にする。中間層に適した材料は、ポリマーフィルム、たとえばポリエチレンテレフタレート及びポリカーボネート又はそれらのブレンドである。中間層312に好ましい厚さは0.38mm未満であり、好ましくは0.13mm〜0.26mmである。
圧縮性の下層314は、中間層312よりも圧縮性であるが、上部の研磨層304よりは非圧縮性である。下層314に適した材料としては、たとえば、非孔質エラストマーシート及び高密度独立気泡ポリマーフォームがある。また、フォームに液体が浸入することを防ぐため、ポリマーは疎水性であるべきである。好ましいポリマーとしては、たとえば、優れた加水分解安定性、耐薬品性及び耐熱性ならびに反発特性を有するシリコーンエラストマーがある。下層314は、ウェーハ直径の範囲での研磨均一性を改善するのに十分な圧縮性を有するべきであるが、平坦化する能力及びエッジ効果が問題にならないよう圧縮性が高すぎるべきではない。下層に好ましい厚さは1mm未満であり、好ましくは0.64mm未満であり、もっとも好ましくは0.25mm未満である。圧縮率の値は、10%未満、好ましくは5%未満、もっとも好ましくは約3%であるべきである。圧縮率は、ASTM F36−99(「Standard Test Method for Compressibility and Recovery of Gasket Materials」)手法にしたがって試験することができる。反発値は、90%を超えるべきであり、好ましくは95%を超えるべきであり、もっとも好ましくは98%を超えるべきである。
次に、図3Aを参照すると、本発明の研磨パッド300のもう一つの実施態様で、泡立て剤又は発泡剤又はガスの形態の同伴成分がポリマー混合物に含まれ、このポリマー混合物がその成分を同伴したマトリックスとして働く。硬化すると、泡立て剤又は発泡剤又はガスは揮発分として抜けて、連続研磨層304中に分散した気孔308を提供する。図3Aの研磨パッド300は基材302をさらに含む。ここでもまた、上記のように、気孔308は、研磨層304の厚さ方向全体に相互接続されていることができる気孔を提供する。このようにして、基材302とともに、研磨くずを研磨層304に吸収し、研磨層(界面)から離して上部の研磨層304の下面に向けて分散させることができる。また、その高い気孔率及び研磨流体中の含浸のために圧縮性である上層は、流体がウェーハの下で反復的に循環移行する間に流体をウェーハ表面に押し当てるポンプとして作用することができる。さらには、研磨パッド300の相互接続気孔構造は、研磨層304の厚さ方向全体に均一であり、パッドが磨耗しても、気孔の断面形状及びウェーハと接触する表面積が一定のままであるようになっている。
次に図3Bを参照すると、ポリマー混合物中に含まれ、連続研磨層304中に分散したマイクロバルーン又は高分子微小エレメント310を含む研磨パッド300のもう一つの実施態様が示されている。微小エレメント310はガス充填されていてもよい。あるいはまた、微小エレメント310には、研磨作業中に研磨パッド300が使用されるとき摩耗によって微小エレメント310が開裂すると小出しされる研磨流体が充填されていてもよい。あるいはまた、微小エレメント310は、研磨作業中に水に溶解する水溶性ポリマー微小エレメントである。図3Bの研磨パッド300は基材302をさらに含む。このようにして、基材302とともに、研磨くずを研磨層304に吸収し、研磨層(界面)から離して上部の研磨層304の下面に向けて分散させることができる。また、その高い気孔率及び研磨流体中の含浸のために圧縮性である上層は、流体がウェーハの下で反復的に循環移行する間に流体をウェーハ表面に押し当てるポンプとして作用することができる。さらには、研磨パッド300の相互接続気孔構造は、研磨層304の厚さ方向全体に均一であり、パッドが磨耗しても、気孔の断面形状及びウェーハと接触する表面積が一定のままであるようになっている。
好ましくは、微小エレメント310の少なくとも一部は一般に可撓性である。適当な微小エレメント310としては、無機塩、糖及び水溶性粒子がある。このような高分子微小エレメント310の例は、ポリビニルアルコール、ペクチン、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリヒドロキシエーテルアクリライト、デンプン、マレイン酸コポリマー、ポリエチレンオキシド、ポリウレタン、シクロデキストリン及びこれらの組み合わせを含む。微小エレメント310を、たとえば分枝化、ブロッキング及び架橋によって化学的に改変して溶解度、膨潤度及び他の性質を変化させてもよい。微小球に好ましい材料は、ポリアクリロニトリルとポリ塩化ビニリデンとのコポリマー(たとえば、スウェーデンSundsvallのAkzo NobelのExpancel(商標))である。
好ましくは、上で述べたように、多層多孔質研磨パッド300は、少なくとも50容量%の気孔率又は充填材濃度を含有することができる。この気孔率又は充填材は、研磨中に研磨流体を移動させる研磨パッドの能力に寄与する。換言するならば、気孔率の増大が研磨パッドの相互接続性を可能にする。より好ましくは、研磨パッドは、少なくとも65容量%の気孔率又は充填材濃度を有する。もっとも好ましくは、研磨パッドは、少なくとも75容量%の気孔率又は充填材濃度を有する。好ましくは、気孔又は充填材粒子は重量平均直径が10〜100μmである。もっとも好ましくは、気孔又は充填材粒子は重量平均直径が15〜90μmである。膨張した中空高分子微小エレメントの重量平均直径の公称範囲は15〜50μmである。
したがって、本発明は、低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層研磨パッドを提供する。本発明の研磨パッドは、少なくとも50容量%の気孔率を有する研磨層を有する多層多孔質研磨パッドである。好ましくは、研磨パッドは、ウェブフォーマットで製造され、流込み成形され、削り出された「硬い」研磨パッドに伴いがちなパッド間のばらつきを減らす。加えて、研磨パッドは、好ましくは、有機溶媒系ではなく水系であり、溶媒ベースの凝固法によって形成される従来技術の「軟らかい」パッドよりも収率が高く、欠陥が少ない。したがって、本多層研磨パッドは、抜きんでた欠陥品性能を提供して、ウェーハ、ダイ及び形体サイズスケール長で平坦なトポグラフィーを生成する。
Claims (10)
- 第一の圧縮性を有する研磨層と、
前記第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層と、
前記第二の圧縮性よりも高く、前記第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層と
を有し、前記研磨層が少なくとも50容量%の気孔率を有するものである、半導体基材を研磨するための複合ケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記研磨層が40D未満のショアーD硬さを有する、請求項1記載の研磨パッド。
- 前記研磨層が0.5mm未満の厚さを有する、請求項1記載の研磨パッド。
- 前記研磨層が水性ポリマー又はそのブレンドで形成されたポリマーマトリックスを含む、請求項1記載の研磨パッド。
- 前記ポリマーマトリックスがウレタン分散系、アクリル分散系、スチレン分散系又はそれらのブレンドである、請求項4記載の研磨パッド。
- 前記ポリマーマトリックスがウレタン分散系とアクリル分散系との重量比100:1〜1:100のブレンドを含む、請求項4記載の研磨パッド。
- 前記ポリマーマトリックスが消泡剤、レオロジー変性剤、皮張り防止剤又は融合剤をさらに含む、請求項4記載の研磨パッド。
- 前記ポリマーマトリックスが、その中に分散した微小エレメントを有し、前記微小エレメントが、ポリビニルアルコール、ペクチン、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリヒドロキシエーテルアクリライト、デンプン、マレイン酸コポリマー、ポリエチレンオキシド、ポリウレタン、シクロデキストリン、ポリ二塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものである、請求項4記載の研磨パッド。
- 前記中間層が0.4mm未満の厚さを有する、請求項1記載の研磨パッド。
- 前記下層が1mm未満の厚さを有する、請求項1記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/316,029 US20070141312A1 (en) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180550A true JP2007180550A (ja) | 2007-07-12 |
Family
ID=38109036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006343775A Pending JP2007180550A (ja) | 2005-12-21 | 2006-12-21 | 改善された欠陥品率を有する多層研磨パッド及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070141312A1 (ja) |
JP (1) | JP2007180550A (ja) |
KR (1) | KR20070067641A (ja) |
CN (1) | CN1986162A (ja) |
DE (1) | DE102006058321A1 (ja) |
FR (1) | FR2894861A1 (ja) |
TW (1) | TW200732088A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011292A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
JP2011051075A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080063856A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Duong Chau H | Water-based polishing pads having improved contact area |
JP4954762B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-06-20 | 東洋ゴム工業株式会社 | ポリウレタン発泡体の製造方法 |
DE102009033206A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Brand, Guido | Polierverfahren und Poliervorrichtung zur Korrektur von geometrischen Abweichungsfehlern auf Präzisionsoberflächen |
FR2957285A1 (fr) * | 2010-03-15 | 2011-09-16 | Abaque Finance | Ensemble de polissage et machine de polissage equipee d'un tel ensemble |
TWI510328B (zh) * | 2010-05-03 | 2015-12-01 | Iv Technologies Co Ltd | 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法 |
JP5710353B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
US10022842B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-07-17 | Thomas West, Inc. | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
US10722997B2 (en) * | 2012-04-02 | 2020-07-28 | Thomas West, Inc. | Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads |
TWI671161B (zh) * | 2012-04-02 | 2019-09-11 | 美商湯瑪士衛斯有限公司 | 用於離心鑄造聚合物拋光墊之方法及系統及由該方法製得之拋光墊 |
US9630293B2 (en) * | 2015-06-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad composite polishing layer formulation |
US10189143B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method |
KR20200130545A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
US11667061B2 (en) * | 2020-04-18 | 2023-06-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming leveraged poromeric polishing pad |
US20210323115A1 (en) * | 2020-04-18 | 2021-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Leveraged poromeric polishing pad |
CN112276772A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 株洲华信精密工业股份有限公司 | 一种钣金件加工用抛光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US5888119A (en) * | 1997-03-07 | 1999-03-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for providing a clear surface finish on glass |
US6524164B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
AU2003272674A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-19 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad for planarization |
US6910951B2 (en) * | 2003-02-24 | 2005-06-28 | Dow Global Technologies, Inc. | Materials and methods for chemical-mechanical planarization |
-
2005
- 2005-12-21 US US11/316,029 patent/US20070141312A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-11-21 TW TW095142951A patent/TW200732088A/zh unknown
- 2006-12-11 DE DE102006058321A patent/DE102006058321A1/de not_active Withdrawn
- 2006-12-20 KR KR1020060131075A patent/KR20070067641A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-12-20 CN CNA2006101711909A patent/CN1986162A/zh active Pending
- 2006-12-21 JP JP2006343775A patent/JP2007180550A/ja active Pending
- 2006-12-21 FR FR0655794A patent/FR2894861A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011292A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
JP2011051075A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070067641A (ko) | 2007-06-28 |
FR2894861A1 (fr) | 2007-06-22 |
DE102006058321A1 (de) | 2007-06-28 |
US20070141312A1 (en) | 2007-06-21 |
TW200732088A (en) | 2007-09-01 |
CN1986162A (zh) | 2007-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007180550A (ja) | 改善された欠陥品率を有する多層研磨パッド及びその製造方法 | |
US8272922B2 (en) | Method of polishing a substrate | |
US6998166B2 (en) | Polishing pad with oriented pore structure | |
US20060202384A1 (en) | Water-based polishing pads and methods of manufacture | |
US6986705B2 (en) | Polishing pad and method of making same | |
EP1915233B1 (en) | Transparent microporous materials for cmp | |
KR101109324B1 (ko) | 미세다공성 영역을 갖는 연마 패드 | |
US7255633B2 (en) | Radial-biased polishing pad | |
JP2006253691A5 (ja) | ||
JP3769581B1 (ja) | 研磨パッドおよびその製造方法 | |
US9951054B2 (en) | CMP porous pad with particles in a polymeric matrix | |
EP1567306B1 (en) | Transparent microporous materials for cmp | |
US6857941B2 (en) | Multi-phase polishing pad | |
US20080063856A1 (en) | Water-based polishing pads having improved contact area | |
KR20080037719A (ko) | 표면-텍스쳐화 미공질 연마 패드 | |
WO2001091972A1 (en) | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization | |
JP5868566B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP4563025B2 (ja) | Cmp用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法 | |
CN114286737A (zh) | 研磨垫、研磨垫的制造方法以及研磨方法 |