JP2007180392A - 抵抗基板と該抵抗基板を備えた減衰器 - Google Patents

Abstract

【課題】所望パターンを有した抵抗形状を製造するための抵抗基板を提供する。
【解決手段】抵抗層と抵抗層の少なくとも一部を覆う金属層を設け、金属層を信号伝達部として用い、金属層で覆われていない抵抗層を抵抗部として用い、金属層で覆われていない抵抗層を金属層で接続して抵抗パターンを形成する。抵抗層は、対向位置に配置された２つの信号部とこれら２つの信号部を結ぶ２本の信号線とこれら２本の信号線のそれぞれに接続されるグランド線とこれらグランド線が延びているグランド部を備える。信号線の一部に金属層を設けることにより、信号線において、直列接続された第１の抵抗部と信号伝達部と第２の抵抗部を形成し、また、グランド線の一部に金属層を設けることにより、グランド線において、抵抗部と信号伝達部を形成し、信号線の信号伝達部にグランド線を接続してＴ字又はπ字の抵抗ブロックパターンを形成している。
【選択図】図６

Description

本発明は、抵抗基板と該抵抗基板を備えた減衰器に関する。

抵抗基板を内部に実装して信号を減衰させるタイプの減衰器が開発されている。この種の減衰器に使用される抵抗基板１２０Ａ乃至１２０Ｄの一例を図９の（ａ）乃至（ｄ）にそれぞれ示す。

これらの抵抗基板１２０Ａ乃至Ｄはいずれも、対向配置された信号部１２８Ａ、１２８Ｂと、これら信号部との直交方向に対向配置されたグランド部１２９Ａ、１２９Ｂを備え、更に、中心、グランドの区別のないひとつの形状とした抵抗部１２１Ａ乃至１２１Ｄを備える。

信号部１２８Ａと信号部１２８Ｂの間に信号が流れる。この信号を、抵抗部１２１Ａ乃至１２１Ｄを介してグランド部１２９Ａ、１２９Ｂに接続させることによって減衰させる。特に、抵抗部１２１Ａ乃至１２１Ｄの抵抗パターン、例えば、面積や形状は、所望とする減衰量によって異なるものであって、例えば、図９の（ａ）乃至（ｄ）に示した抵抗部１２１Ａ乃至１２１Ｄは、それぞれ、３ｄＢ、６ｄＢ、１０ｄＢ、２０ｄＢの減衰をそれぞれ達成するためのパターンである。これらの抵抗パターンは、抵抗基板の酸化時間や酸化強度によって決定される。

尚、抵抗基板の従来公知文献は特に見当たらないため、ここでは、図９に、従来の抵抗基板の一例を示すにとどめる。

このような従来の抵抗基板にあっては、抵抗パターンを酸化の時間や強度によって決定するものであるため、その調整が容易でなく、所望の抵抗パターンを形成することは困難であるという問題があった。また、このような酸化方法では、高周波に耐えられないといった問題もある。更に、抵抗形状を中心、グランドの区別のないひとつの形状としていることから、トリミング回数が増え、加工に時間がかかり、抵抗値の精度を上げられないといった問題があった。

本願発明はこのような従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、所望のパターンを有した抵抗形状を容易に製造することができる抵抗基板を提供することを目的とする。また、このような抵抗基板を内部に実装した減衰器を提供することを目的とする。

本発明は、抵抗層と該抵抗層の少なくとも一部を覆う金属層を設け、前記金属層を信号伝達部として用い、前記金属層で覆われていない前記抵抗層を抵抗部として用い、前記金属層で覆われていない前記抵抗層を前記金属層で接続して抵抗パターンを形成し、前記抵抗層は、対向位置に配置された２つの信号部と、これら２つの信号部を結ぶ２本の信号線と、これら２本の信号線のそれぞれに接続されるグランド線と、これらグランド線が延びているグランド部とを備え、前記信号線の一部に前記金属層を設けることにより、該信号線において、直列接続された第１の抵抗部と信号伝達部と第２の抵抗部を形成し、また、前記グランド線の一部に前記金属層を設けることにより、該グランド線において、抵抗部と信号伝達部を形成し、前記信号線の信号伝達部に、前記グランド線を接続して、Ｔ字又はπ字の抵抗ブロックパターンを形成していることを特徴とする抵抗基板に関する。

上記抵抗基板において、前記２つの信号部と前記２つの信号線とによって囲まれた部分に、前記抵抗層も前記金電極層も存在しない中空部を形成してもよい。

上記抵抗基板において、前記Ｔ字の抵抗ブロックパターンを並列に接続してもよい。また、前記抵抗ブロックパターンはπ字であって、該π字の抵抗ブロックパターンを並列に接続してもよい。更に、これらの抵抗基板を内部に実装した減衰器を提供することもできる。

本発明によれば、抵抗基板に所望のパターンを容易に形成することができ、また、この抵抗基板を内部に実装した減衰器を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本願発明の好適な一つの実施形態による抵抗基板と抵抗基板を備えた減衰器について説明する。

図１は、本願発明の抵抗基板を内部に実装することができる減衰器１を一部破断中心線断面図で示したものである。この減衰器１は、互いに同軸的に固定され得る略円筒状の３つの部分、即ち、ネジ部２０、第１シェル２１、及び第２シェル２２から成る。ネジ部２０は、減衰器１を相手同軸コネクタ（図示せず）にネジ接続するための部材であって、第１シェル２１の前側の一部を覆うように第１シェル２１に固定され、一方、第２シェル２２は、第１シェル２１の後側の一部を覆うように第１シェル２１に固定される。第１シェル２１は、内部に第１部品４Ａと第２部品６を収容し得るようになっており、一方、第２シェル２２は、その内部に第１部品４Ｂの後端の一部を収容し得るようになっている。

ネジ部２０は、その内側に第１シェル２１の一端を収容できるよう、その中心軸回りが所定の径で刳り抜かれている。このネジ部２０には、第２シェルの後端側２６と同形状の接続部品を持つ相手同軸コネクタを取り付けることができる。これにより、減衰器１を介して２つの同軸コネクタを連結させることができる。

第１シェル２１は、その中心軸回りが複数の内径を有した状態で刳り抜かれている。これらの内径は前方に向かって小さく設定されており、大径と中径の間にフランジ２７が、中径と小径の間にフランジ２８が、それぞれ形成されている。フランジ２７は、第２部品６の前側に対向する位置に設けられ、フランジ２８は、第１部品４Ａの前側と衝突し、第１シェル２１の前方側からの抜け落ちを防止する。

第２シェル２２は、その中心軸回りが複数の内径を有した状態で刳り抜かれている。２つの内径は前方に向かって大きく設定されており、大径と中径の間にフランジ２９が、中径と小径の間にフランジ３０が、それぞれ形成されている。また、最後部の対応ネジ部２６の内径は、所定のコネクタ部品（図示されていない）と接続するため、比較的大きく設定されている。フランジ２９は、第１シェル２１の後端に対向する位置に設けられ、フランジ３０は、第１部品４Ｂの後側と衝突し、第２シェル２２の後方側から抜け落ちを防止する。

ネジ部２０の内面の一部２５は、第１シェル２１との対向側付近においてネジ切りされていてもよい。このネジ切り部分を、相手同軸コネクタ（図示されていない）の所定部品、例えば、同軸ケーブルやその周囲を包囲するように設けられたネジ切り部分と軸方向にて接続することにより、減衰器１をネジ部２０を介して相手同軸コネクタと接続することができる。

第１部品４Ａ、第２部品６、第１部品４Ｂは、この順番で、第１シェル２１の内部に、第１部品４Ａの一部が第１シェル２１のフランジ２８に当接するような状態で所定の向きで挿入される。その後、第１シェル２１の後端に第２シェル２２を固定することにより、それら第１部品４Ａ、第２部品６、及び第１部品４Ｂは、減衰器１の内部に完全に収容、保持され、且つ、それらの間の少なくとも軸方向における距離を一定に保つことができる。減衰器１には、第２部品６の機能を設定することによって、減衰器１には様々な機能を持たせることができる。例えば、第２部品６に抵抗（６２）を設けることによって、減衰器として機能させることもできる。

尚、上の実施例では、相手同軸コネクタとの接続を、ネジ部２０のネジ切りによって行うものとしているが、プッシュオンロック（簡易ロック）でそれを行ってもよく、相手同軸コネクタとの接続は、これらの方法に限定されない。更に、ネジ部２０が相手同軸コネクタに設けられていてもよい。

次に、第１部品４Ａ、４Ｂの構成をより詳細に説明する。減衰器１は２つの第１部品を２つ含む。両者を区別するため、各部品及び各部品を構成する部材に、必要に応じて「Ａ」、「Ｂ」の文字をそれぞれ付している。これら第１部品４Ａと第１部品４Ｂは、第１雄端子４１Ａと第１雌端子４１Ｂの形状が雄雌で多少異なる点を除き、全く同じ形状を有すると考えてよい。これら第１部品４Ａと第１部品４Ｂは、第２部品６を挟み込んだ状態で、左右対称に配置される。

第１部品４Ａは、絶縁座４０Ａを介して第１雄端子４１Ａと第２雌端子４２Ａを対向側に有する端子部材４３Ａと、この端子部材４３Ａの外側を包囲して端子部材４３Ａに支持、固定された外部導体４４Ａから成る。一方、第１部品４Ｂは、絶縁座４０Ｂを介して第１雌端子４３Ｂと第２雌端子４２Ｂを対向側に有する端子部材４３Ｂと、この端子部材４３Ｂの外側を包囲して端子部材４３Ｂに支持、固定された外部導体４４Ｂから成る。第１部品４Ａの第１雄端子４１Ａは外部に突出したピン形状としてあるのに対して、第１部品４Ｂの第１雌端子４１Ｂは相手同軸コネクタの第１雄端子４１Ａが収容され得るように円筒状の誘込形状としてあり、この点において第１部品４Ａと第１部品４Ｂは異なるが、この相違は相手同軸コネクタの第１雄端子の形状との関係で生じるものであって、ここでは重要ではない。

各第１部品４Ａ、４Ｂにおいて、端子部材４３Ａ、４３Ｂと外部導体４４Ａ、４４Ｂは、樹脂によって互いに固定され得る。端子部材４３Ａ、４３Ｂを外部導体４４Ａ、４４Ｂに挿入して、それらの中心を通じて貫通する整合穴４５Ａ、４５Ｂ、４６Ａ、４６Ｂを整合させた後、これらの整合穴４５Ａ、４５Ｂ、４６Ａ、４６Ｂに樹脂４７Ａ、４７Ｂを流し込むことにより、それらを所望の向きで互いに固定することができる。

減衰器１の実際の使用時には、第１部品４Ａの外部導体４４Ａは、相手同軸コネクタの相手側外部導体（図示されていない）と電気的に接続され、一方、第１部品４Ａの端子部材４３Ａは、その第１雄端子４１Ａにおいて、相手同軸コネクタの相手側中心導体（図示されていない）と電気的に接続されて電気信号を受信する。

外部導体４４Ａによって受信された信号は、その後、第２部品６の第１接続管８１Ａ、８１Ｂと第２接続管８２を介して、上とは逆の順番で、第１部品４Ｂの外部導体４４Ｂへ伝達され得る。一方、第１雄端子４１Ａによって受信された信号は、その後、第２雌端子４２Ａを介して、第２部品６の中継部８３Ａや抵抗基板６２に伝達され、そこで抵抗によって減衰された後、上とは逆の順番で、第１雌端子４１Ｂへ伝達され得る。

以上の電気信号の流れによって、減衰器１を利用して、第１シェル２１側に接続された相手コネクタと第２シェル２２側に接続された相手コネクタを減衰機能を付加した状態で接続させることができる。

次に、図１に加えて図２乃至図５をも参照して、第２部品６の構成を、より詳細に説明する。図２は、第２部品６の分解斜視図であり、図３は、その組立中間工程図、図４は、その組立完成図である。また、図５は、図４の断面図、更に言えば、第２部品６の構成部品の１つである抵抗基板６２の上面沿いの水平断面図である。

第２部品６は、左右対称形状であって、中央に配置される第２接続管８２と、この第２接続管８２の左右各側に配置される２つの第１接続管８１Ａ、８１Ｂと、これら第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心に挿入される抵抗基板６２と、更に、抵抗基板６２の左右両側にそれぞれ固定される中継部８３Ａ、８３Ｂを備える。

第２接続管８２は、所定の厚みを有する円板部材として形成されており、導電性の良い部材であって、しかも、少なくともその表面が、第１接続管８１Ａ、８１Ｂよりも半田ねれ性が良い部材、つまり、半田付けに適した（半田がつきやすい）部材、例えば、全体を金メッキした黄銅でできている。第２接続管８２の中心には、方形穴８４が設けられており、更に、この方形穴８４の横辺よりも大きな横幅（抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい）の左右各位置に、方形穴８４の側で開放された、抵抗基板６２を組み込むための方形の通路（筋）８５を有する。各方形通路８５の上下幅は、抵抗基板６２の厚みと略同じか若干大きい大きさに設定されている。抵抗基板６２は、左右の方形通路８５に水平方向にて挿入され、水平方向にて対向する辺においてそこに保持される。

第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と同様に、所定の厚みを有する円板部材として形成されているが、第２接続管８２より大きな径を有する。また、第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と異なり、導電性の良い部材であるが、少なくともその表面が、半田付けに適さない（半田がつきにくい）部材、例えば、アルミでできている。第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心には、第２接続管８２に設けた方形穴８４の横辺と略同じ長さの径を持つ円形穴８６Ａ、８６Ｂが設けられており、更に、抵抗基板６２を遊嵌するため、これらの円形穴８６Ａ、８６Ｂの径よりも大きな横幅（方形通路８５と同じく、抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい）の左右各位置に、円形穴８６Ａ、８６Ｂの側で開放された、抵抗基板６２を組み込むための半円の通路（通路）８７Ａ、８７Ｂを有する。各円形通路８７Ａ、８７Ｂの上下幅は、抵抗基板６２の厚みより大きく、従って、各方形通路８５の上下幅よりも大きく設定されており、したがって、少なくとも上下方向において、抵抗基板６２は、これら半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌される。尚、半円通路８７Ａ、８７Ｂの横幅の大きさを、方形通路８５の大きさよりも大きく設定し、横方向においても、抵抗基板６２を半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌させるようにしてもよい。第２接続管８２の片側の側面には、第２接続管８２の形状に対応して、第２接続管８２の片側側面を内包できる大きさの円形窪み８８Ａ、８８Ｂが設けられており、第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けたそれぞれの円形窪み８８Ａ、８８Ｂに、第２接続管８２の厚みの半分よりも小さな厚み部分を収容させ、第１接続管８１Ａと８１Ｂを離間した状態で互いに対向配置することができる。第１接続管８１Ａ、８１Ｂの円形窪み８８Ａ、８８Ｂを利用して、第１接続管８１Ａ、８１Ｂと第２接続管８２を接触させ、これらの接触を通じて、異種金属、即ち、金メッキした黄銅とアルミとが組み合わされるともに、第２接続管８２に設けた方形通路８５と第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂが略一直線上に並ぶ。抵抗基板６２は、毛細管によって半田（７６Ａ、７６Ｂ（図５参照））接続された状態で第２接続管８２の方形通路８５と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの半円通路８７Ａ、８７Ｂに組み込まれる。

図６に、抵抗基板６２の上面図を示す。抵抗基板６２は、左右対称の平板状チップ型抵抗である。図面からは明らかでないが、その表裏（上下）各面に同じ形状の抵抗パターンを有する。この抵抗パターンは、抵抗層９１（網掛け線で示している）と、この抵抗層９１の少なくとも一部の上部を覆う金属層９２を用いて形成される。抵抗層９１のみ設けた部分は一層状態、金属層９２によって覆われた部分は二層状態となっている。金属層９２は、金属層９２で覆われていない抵抗層９１、即ち、抵抗部として用いられる部分同士を電気的に接続する機能を有する。抵抗部を金属の電極で接続することにより、信号の接続に必要な伝送路を短くし、反射特性の向上／小型化を図ることができる。また、これにより、製造のバラツキの小さい、精度の高い抵抗値を得ることができる。

抵抗基板６２には、抵抗層９１や金属層９２を用いて所望のパターンを形成できる。このパターンには、少なくとも抵抗層９１によって形成される、信号部６８Ａ、６８Ｂ、グランド部６９Ａ、６９Ｂ、信号線７０Ａ、７０Ｂ、及びグランド線７１Ａ、７１Ｂ、７５Ａ、７５Ｂが含まれる。例えば、抵抗基板６２の一方の対向辺の一部長さ部分に、信号部６８Ａ、６８Ｂを設け、他方の対向辺の全長さ部分に、グランド部６９Ａ、６９Ｂを設ける。減衰器１の組立時において、各信号部６８Ａ、６８Ｂは、それぞれ、中継部８３Ａや８３Ｂと半田付けされ、これらの接続を通じて相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続され得る。信号部６８Ａ、６８Ｂと中継部８３Ａや８３Ｂとの接続が容易になるよう、各信号部６８Ａ、６８Ｂにおいて、図示のように、接続側、つまり、対向辺の側９０Ａ、９０Ｂにおいて中央部８９Ａ、８９Ｂに比べて比較的大きな面積を有していてもよい。グランド部６９Ａ、６９Ｂは、第２接続管８２の近傍、例えば、それを貫通する方形通路８５の内部やその周辺で抵抗基板６２のグランド部６９Ａ、６９Ｂと半田付けされ、これらの接続や第２接続管８２及び第１接続管８１Ａ、８１Ｂとの接続を通じて、外部導体４４（図１参照）、更には、相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続され得る。

信号部６８Ａと６８Ｂの間は、並列に配置された２本の信号線７０Ａ、７０Ｂによって接続される。これら各信号線７０Ａ、７０Ｂは、それぞれ、２本のグランド線７１Ａ、７１Ｂ、７５Ａ、７５Ｂを通じて、グランド部６９Ａ、６９Ｂに接続される。これにより、信号部６８Ａと６８Ｂの間に流れる信号をグランドに落として減衰させることができる。

金属層９２は、所望形状に配した抵抗層９１に対し、信号部６８Ａ、６８Ｂとグランド部６９Ａ、６９Ｂそれぞれの全体と、信号線７０Ａ、７０Ｂとグランド線７１Ａ、７１Ｂ、７５Ａ、７５Ｂの一部を覆うように配される。この方法によれば、抵抗層９１を、抵抗基板６２の適当な位置に配置することによって所望の抵抗形状を容易に設計でき、また、金属層９２を、抵抗層９１によって予め設計された抵抗形状の適当な位置に適当な面積量だけ設けることによって、抵抗層９１と同様に、容易に所望の抵抗形状とすることができる。この結果、本発明によれば、所望の抵抗値を容易に得ることができる。特に、抵抗層９１を、図示のように、細長い四角形状の組合せによって設計した場合は、抵抗値の計算が非常に容易になる。また、信号部６８Ａ、６８Ｂと信号線７０Ａ、７０Ｂによって囲まれた部分に、抵抗層９１も金属層９２も存在しない中空部９３を設けることによって、信号方向、即ち、信号部６８Ａと６８Ｂを結ぶ方向における抵抗幅を細くすることができる。このような信号方向に流れる信号は、流れる信号が高周波になればなるほど信号伝送路の端を流れる傾向があるが、本構成のように、抵抗を信号伝送路の端部分にのみ設け、また、抵抗の幅を細く設計することにより、端以外に流れる信号の影響を小さくして、高周波の影響を小さくすることができる。尚、低周波信号を流している場合であっても、中空部９３付近に信号方向における信号は流れないことから、中空部９３は低周波信号における雑音を減少させるためにも役立つ。

信号線７０Ａ、７０Ｂの適当な位置に金属層９２を配することにより、例えば、金属層９２で覆われた第１信号伝達部１０４Ａ、１０４Ｂや第２信号伝達部１０５Ａ、１０５Ｂを、また、金属層９２で覆われていない第１信号抵抗部１０１Ａ、１０１Ｂ、第２信号抵抗部１０２Ａ、１０２Ｂ、第３信号抵抗部１０３Ａ、１０３Ｂを設けることができる。更に言えば、信号部６８Ａと第１信号伝達部１０４Ａ（Ｂ）との間に第１信号抵抗部１０１Ａ（Ｂ）が、第１信号伝達部１０４Ａ（Ｂ）と第２信号伝達部１０５Ａ（Ｂ）との間に第２信号抵抗部１０２Ａ（Ｂ）が、第２信号伝達部１０５Ａ（Ｂ）と信号部６８Ｂとの間に第３信号抵抗部１０３Ａ（Ｂ）が、それぞれ配置される。これら第１信号抵抗部１０１Ａ、１０１Ｂ、第２信号抵抗部１０２Ａ、１０２Ｂ、第３信号抵抗部１０３Ａ、１０３Ｂは、各部において、所定値を有する抵抗として機能する。

同様に、グランド線７１Ａ、７１Ｂ、７５Ａ、７５Ｂの適当な位置に金属層９２を配することにより、例えば、金属層９２で覆われた第１グランド伝達部１１３Ａ、１１３Ｂと第２グランド伝達部１１４Ａ、１１４Ｂを、また、金属層９２で覆われていない第１グランド抵抗部１１１Ａ、１１１Ｂと第２グランド抵抗部１１２Ａ、１１２Ｂを設けることができる。更に言えば、グランド部６９Ａから延びる第１グランド伝達部１１３Ａ（Ｂ）と第１信号伝達部１０４Ａ（Ｂ）の間に第１グランド抵抗部１１１Ａ（Ｂ）が、グランド部６９Ｂから延びる第２グランド伝達部１１４Ｂ（Ａ）と第２信号伝達部１０５Ｂ（Ａ）の間に第２グランド抵抗部１１２Ｂ（Ａ）が、それぞれ配置される。これら第１グランド抵抗部１１１Ａ、１１１Ｂ、第２グランド抵抗部１１２Ａ、１１２Ｂは、各部において、所定値を有する抵抗として機能する。

以上の方法で形成された抵抗は、図７に示すような４つの抵抗を並列接続したもの、更に詳細には、「第１信号抵抗部１０１Ａ（Ｂ）、第１信号伝達部１０４Ａ（Ｂ）、第２信号抵抗部１０２Ａ（Ｂ）、第１グランド抵抗部１１１Ａ（Ｂ）、第１グランド伝達部１１３Ａ（Ｂ）」の組合せや、「第２信号抵抗部１０２Ａ（Ｂ）、第２信号伝達部１０５Ａ（Ｂ）、第３信号抵抗部１０３Ａ（Ｂ）、第２グランド抵抗部１１２Ａ（Ｂ）、第２グランド伝達部１１４Ａ（Ｂ）」の組合せによってそれぞれ形成されるＴ字の抵抗ブロックパターンを計４個並列回路としたものに相当し得る。この場合、例えば、各抵抗ブロックによって整合されるインピーダンスを２００Ωとすると、抵抗基板６２の回路全体で５０Ωのインピーダンス整合を達成することができることになる。（本実施例においては、５０Ωでインピーダンス整合を取っている）。抵抗基板６２の表裏各面にこのような抵抗回路が形成されていることを考慮すると、抵抗基板６２は、全体として、Ｔ字の抵抗ブロックパターンを計４個並列回路を有するものということができる。

また、以上の構成によれば、複数の抵抗部、例えば、第１信号抵抗部１０１Ａ（Ｂ）、第２信号抵抗部１０２Ａ（Ｂ）、第３信号抵抗部１０３Ａ（Ｂ）を、多段（ここでは２段）に直列接続することができる。換言すれば、Ｔ字の抵抗ブロックパターンを多連（ここでは２連）とできる。これにより、短い伝送路の組合せによって反射特性を向上させることができ、高い減衰量においても伝送特性、反射特性を向上させることができる。特にグランド線７１Ａ、７１Ｂ、７５Ａ、７５Ｂにおいては、これら抵抗層を細長形状として抵抗幅の小さい抵抗とし、グランドへの流れ込みを安定させることによって、広帯域で高い周波数まで安定した伝送特性とすることができる。

尚、上の実施形態においては、いわゆるＴ字パターンの抵抗ブロックを用いることとしているが、Ｔ字パターンに代えて、いわゆるπ字パターンを用いてもよい。また、上の実施形態では、抵抗部を２段とした例或いはＴ字パターンを２連とした例を示しているが、段数や連数は必要に応じて変更することができ、例えば、図８の（ａ）、（ｂ）に示すように、一段或いは一連とすることもできるし、図８の（ｃ）に示すように４段或いは４連とすることもできる。図８の（ａ）、（ｂ）は、共に、一段或いは一連とした例を示したものであるが、図８の（ａ）は、グランド線７１Ａ、７１Ｂの全てを金属電極で覆わないこととして３ｄＢを達成するものであるのに対し、図８の（ｂ）は、グランド線７１Ａ、７１Ｂそれぞれにおいて、第１グランド抵抗部１１１Ａ、第１グランド抵抗部１１１Ｂの割合を減らし、逆に、第１グランド伝達部１１３Ａ、第１グランド伝達部１１３Ｂの割合を増やして６ｄＢを達成するものである。また、図８の（ｃ）に示す例は、四段或いは四連とすることによって２０ｄＢを達成するものである。これは、１０ｄＢを達成する図６に示した二段或いは二連の約２倍である。尚、図８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、従来技術を示す図９の（ａ）、（ｂ）、（ｄ）に、また、図６に示す例は、図９の（ｃ）に、それぞれ対応するものとなっている。

再び図１を参照して、中継部８３の構成を説明する。中継部８３は、抵抗基板６２と接続される接続端子６４Ａ、６４Ｂと、この接続端子６４Ａ、６４Ｂのフランジ６５Ａ、６５Ｂを境に、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの側に円筒状の接合管６６Ａ、６６Ｂ、その反対側の第１部品４Ａ、４Ｂの側に円筒状の中継管６７Ａ、６７Ｂがそれぞれ設けられている。

中継部８３Ａ、８３Ｂの端部には、半月状の断面を有しそれらの間にスリットを形成しているようなスリット部材７２Ａ、７２Ｂが設けられており、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの筒内に抵抗基板６２の信号部６８Ａ、６８Ｂが圧入される。その後、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの周囲に半田７３Ａ、７３Ｂを盛ることにより、中継部８３Ａ、８３Ｂは抵抗基板６２に固定されるようになっている。抵抗基板６２に固定された中継部８３Ａ、８３Ｂは、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心を通る位置において、第２接続管８２から第１接続管８１Ａ、８１Ｂに向かう方向にて第１接続管８１Ａ、８１Ｂの外方に延びる。尚、図面からは必ずしも明らかでないが、半田は各スリット部材７２Ａ、７２Ｂの全周囲に盛られている（図面は中心線断面図であるため、この点までは現れていない）。

第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６を接続したとき、これらの部品は、第２部品６の中継管６７と第１部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４２Ｂとを利用して、少なくとも軸方向においてバネ構造によって弾性接続される。バネ構造を達成するため、中継管６７Ａ、６７Ｂには、第１部品４Ａ、４Ｂとの接続側において中心を通る横方向にスリ割り７４Ａ、７４Ｂが設けてある。このような構成において、第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６が軸方向にて互いに接近したとき、先ず、第２部品６の接続端子６４Ａ、６４Ｂの中心から軸方向に延びるガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、第１部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに誘い込まれ、更に接近したときに、ガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、穴５０の更に奥のガイド穴５１へ案内されるとともに、中継管６７Ａ、６７Ｂのスリ割り７４Ａ、７４Ｂが、第２雄端子４２Ａ、４２Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに軸方向にて押し込まれて弾性変形される。これにより、第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６を弾性接続させることができる。この弾性接続により、減衰器１（雄端子）と相手同軸コネクタ（雌端子）とを嵌合させる際にそれらの間に生じるストレスを排除することができ、また、それらの間に生じ得る嵌合ギャップを許容することができ、更に、抵抗基板６２と中継部８３Ａ、８３Ｂ（スリット部材７２Ａ、７２Ｂ）における半田部や、抵抗基板６２と第２接続管８２（８５）における半田部に、実質的にストレスがかかることがない。

抵抗基板に所望のパターンを形成する必要のある多くの分野で利用可能である。

本発明による減衰器の一部破断中心線断面図である。 第２部品の分解斜視図である。 第２部品の組立中間工程図である。 第２部品の組立完成図である。 図４の断面図である。 抵抗基板の上面図である。 図６の抵抗基板における抵抗回路を示す図である。 本発明の別の実施例を示す図である。 従来の抵抗基板の一例を示す図である。

符号の説明

１ 減衰器
４Ａ、４Ｂ 第１部品
６ 第２部品
２０ ネジ部
２１ 第１シェル
２２ 第２シェル
２３ 穴
２５ 内面
２６ 対応ネジ部
２７−３０ フランジ
４０ 絶縁座
４１Ａ 第１雄端子
４１Ｂ 第１雌端子
４２Ａ、４２Ｂ 第２雌端子
４３Ａ、４３Ｂ 端子部材
４４Ａ、４４Ｂ 外部導体
４５Ａ、４５Ｂ 整合穴
４６Ａ、４６Ｂ 整合穴
４７Ａ、４７Ｂ 樹脂
６２ 抵抗基板
６４Ａ、６４Ｂ 接続端子
６５Ａ、６５Ｂ フランジ
６６Ａ、６６Ｂ 接合管
６７Ａ、６７Ｂ 中継管
６８Ａ、６８Ｂ 信号部
６９Ａ、６９Ｂ グランド部
７０Ａ、７０Ｂ 信号線
７１Ａ、７１Ｂ グランド線
７２Ａ、７２Ｂ スリット部材
７３Ａ、７３Ｂ 半田
７４Ａ、７４Ｂ すり割
７５Ａ、７５Ｂ グランド線
７７Ａ、７７Ｂ ガイドピン
８１Ａ、８１Ｂ 第１接続管
８２ 第２接続管
８３Ａ、８３Ｂ 中継部
８４ 方形穴
８５ 方形通路
８６Ａ、８６Ｂ 円形穴
８７Ａ、８７Ｂ 半円通路
８８Ａ、８８Ｂ 窪み
９１ 抵抗層
９２ 金属層
９３ 中空部
１０１Ａ、１０１Ｂ 第１信号抵抗部
１０２Ａ、１０２Ｂ 第２信号抵抗部
１０３Ａ、１０３Ｂ 第３信号抵抗部
１０４Ａ、１０４Ｂ 第１信号伝達部
１０５Ａ、１０５Ｂ 第２信号伝達部
１１１Ａ、１０６Ｂ 第１グランド抵抗部
１１２Ａ、１１２Ｂ 第２グランド抵抗部
１１３Ａ、１１３Ｂ 第１グランド伝達部
１１４Ａ、１１４Ｂ 第２グランド伝達部

Claims (5)

1. 抵抗層と該抵抗層の少なくとも一部を覆う金属層を設け、前記金属層を信号伝達部として用い、前記金属層で覆われていない前記抵抗層を抵抗部として用い、前記金属層で覆われていない前記抵抗層を前記金属層で接続して抵抗パターンを形成し、
   前記抵抗層は、対向位置に配置された２つの信号部と、これら２つの信号部を結ぶ２本の信号線と、これら２本の信号線のそれぞれに接続されるグランド線と、これらグランド線が延びているグランド部とを備え、
   前記信号線の一部に前記金属層を設けることにより、該信号線において、直列接続された第１の抵抗部と信号伝達部と第２の抵抗部を形成し、また、前記グランド線の一部に前記金属層を設けることにより、該グランド線において、抵抗部と信号伝達部を形成し、前記信号線の信号伝達部に、前記グランド線を接続して、Ｔ字又はπ字の抵抗ブロックパターンを形成していることを特徴とする抵抗基板。
2. 前記２つの信号部と前記２つの信号線とによって囲まれた部分に、前記抵抗層も前記金属層も存在しない中空部を形成している請求項１記載の抵抗基板。
3. 前記Ｔ字の抵抗ブロックパターンを並列に接続した請求項１又は２記載の抵抗基板。
4. 前記抵抗ブロックパターンはπ字であって、該π字の抵抗ブロックパターンを並列に接続した請求項１又は２記載の抵抗基板。
5. 請求項２乃至４のいずれかに記載の抵抗基板を内部に実装した減衰器。

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