JP2007174656A - 伝送構造の変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】広帯域において基板の垂直方向における給電を水平方向に変換できる伝送構造を有する変換装置を提供する。
【解決手段】伝送構造の変換装置は、基板の両面に金属膜を形成し、一面において所定形状の区分線に沿って金属膜を除去して第１信号線と第１接地線を形成するＣＢＣＰＷ(Conductor-backed coplanar waveguide)伝送線路と、一端が第１信号線及び第１接地線と基板の垂直方向にそれぞれ接続され互いに平行する第２信号線と第２接地線を形成する平行伝送線路とを含む。
【選択図】図４

Description

本発明は伝送構造の変換装置に関し、詳細には広帯域において基板に対して垂直方向に供給された給電を水平方向に変換できる伝送構造の変換装置に関する。
バラン(Balun)は、不平衡信号(Unbalanced signal)と平衡信号(Balanced signal)との間で変換を行う素子であって、平衡混合器、平衡増幅器、位相遷移器、アンテナの給電部及びアンテナと低雑音増幅器の接続部などにおいて使用される重要な素子である。
一般に、バランは大きく能動型バランと受動型バランとに区分される。能動型バランは素子を利用する一方、受動型バランは同軸線路(Coaxial cable)、ＣＰＷ(Coplanar Waveguide)及びマイクロストリップ線路などを利用する。能動型バランはＤＣ電力消費及び高いノイズ発生といった短所を有するので、現在では受動型バランが多く使われている。
受動型バランは、２つの方向性結合器(directional coupler)が相互に接続された構成とすることができ、ほとんどの平面構造のマイクロストリップ状でマイクロストリップ対スロット線路の結合構造、ＣＰＷ対スロット線路の結合構造、ＣＰＷ対ＣＰＷ結合構造を利用する。
図１は基本的なマイクロストリップ構造の伝送線路を示す平面図であり、図２は基本的なＣＰＷ構造の伝送線路を示す平面図である。
図１に基づくと、マイクロストリップ構造の伝送線路は、基本的に基板１０の中央にストリップ形状の信号線２０が形成されている。同図に示していないが、基板１０の下部には接地面が形成されている。
図２に基づくと、ＣＰＷ構造の伝送線路は、基本的に基板の中央にストリップ形状の信号線４０が形成され、信号線の両側部に接地線３０が形成されている。
まず、図１に図示したマイクロストリップ構造の伝送線路１対を連結する方法について説明する。１対のマイクロストリップ構造の伝送線路を相互に直角となるように配置し、それらの信号線２０と接地面をそれぞれ接続する。この時、水平に配置された基板と垂直に配置された基板とを連結するために、１つの基板の一部を除去しなければならず、伝送線が長くなるという問題点がある。
また、図１に図示したマイクロストリップ構造の伝送線路と図２に図示したＣＰＷ構造の伝送線路とを相互連結する方法について説明する。ＣＰＷの信号線４０とマイクロストリップの信号線２０とが相互に直角になるように配置した状態で、ＣＰＷの信号線４０とマイクロストリップの信号線２０、そしてＣＰＷの接地線３０とマイクロストリップの接地面を連結する。この時、接地面の面積が広い空間を占め、マイクロストリップの信号線２０と接地面及びＣＰＷの信号線４０と接地線３０の安定的な接着が難しいという問題がある。
前述したような問題点を解消するために、ＣＰＷ構造の伝送線路に別の平行ストリップ伝送線を接続する方案が提示された。これは、ＣＰＷの信号線４０及び接地線３０にそれぞれ接続された１対の平行ストリップ伝送線によって信号を伝送することにより、広帯域では損失が少ないという長所がある。
しかし、ＣＰＷ構造の伝送線路は基板内だけではなく、基板の上部及び下部の空気中にも電磁気場が存在することから、基板に設置された高周波回路とアンテナの放射電磁気場が干渉を引き起こし得るおそれがある。
本発明の目的は、接地面を備えた基板型伝送線路に垂直方向の平行伝送線路を接続することにより、基板の垂直方向である伝送方向を水平方向に変換し、接地面の両側を電磁気的に分離できる伝送構造の変換装置を提供することにある。
本発明の目的を達成するための本発明に係る伝送構造の変換装置は、基板の両面に金属膜を形成し、第１信号線と第１接地線を形成するＣＢＣＰＷ(Conductor-backed coplanar waveguide)伝送線路と、それぞれ前記第１信号線及び前記第１接地線に一端が接続され、前記基板の垂直方向であって互いに平行に形成される第２信号線と第２接地線を構成する平行伝送線路とを含むことを特徴とする。
ここで、前記第１信号線と前記第１接地線は、所定形状の区分線によって整列されることが好ましい。
また、前記ＣＢＣＰＷ伝送線路は、前記第１接地線に形成される複数のビアホールを更に含み、前記区分線は略コ字形状であり、コ字形状の開口部が前記基板の一端に位置することが好ましい。
なお、前記ビアホールが、前記区分線の長手方向に沿って形成され、前記基板の両面に形成された２つの金属膜を電気的に接続する第１ビアホールと、前記区分線の幅方向に沿って形成され、前記基板の両面に形成された２つの金属膜及び前記第２接地線を電気的に接続する第２ビアホールとを含むことが好ましい。
また、前記平行伝送線路は、ストリップ(Strip) 形状であることが好ましく、さらに、前記一端で前記基板と水平方向で延長された固定パッドを更に含むことが好ましい。
前記第２信号線の幅は前記第１信号線の幅と同一であり、前記第２接地線の幅は前記第１信号線の幅と同一であることが好ましい。
一方、本発明に係る伝送構造の変換装置は、基板の一面には一端から所定の長さ延長された信号線と前記信号線から一定の間隔で離間した導体面を形成し、前記基板の他面に接地面を形成するマイクロストリップ(Microstrip) 伝送線路と、前記導体面において前記信号線と隣接する位置に形成する複数のビアホールと、一端が前記信号線及び前記導体面と前記基板の垂直方向に向ってそれぞれ接続され、互いに平行である平行信号線と平行接地線を形成する平行伝送線路とを含むことを特徴とする。
前記平行伝送線路は、ストリップ形状であることができ、前記平行伝送線路は、一端で前記基板に水平方向に延長された固定パッドを更に含むことができる。
前記平行信号線の幅は前記信号線の幅と同一であり、前記平行接地線の幅は、前記接地線の幅と同一であることが好ましい。
本発明によると、伝送構造の変換装置は別の平衡伝送線路を適用し、平面形伝送線路から垂直方向の平衡伝送線路への広帯域変換を行なうことができる。これにより、基板の損傷及び伝送線の延長などが不要になることから、低価格の広帯域変換装置を提供することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明について詳説する。
図３は本発明の好適な実施形態に係るＣＢＣＰＷ伝送線路を示す図面である。
まず、ＣＢＣＰＷ(Conductor-backed coplanar waveguide) 伝送線路１００は、基板１１０の上部においては、コプレイナーウェイブガイド(CPW：Coplanar waveguide) 伝送線路と同一構造であるが、基板の下部１１０においても金属膜の形成された、すなわち接地面１３０の形成された構造を有する。
本発明の好適な実施形態に係るＣＢＣＰＷ伝送線路１００は、基板１１０の両面に金属膜を形成する。基板１１０の一面に形成された金属膜は、第１接地線１２０と第１信号線１５０を形成し、基板１１０の他面に形成された金属膜は、接地面１３０を形成する。好ましくは、金属膜は銅コーティングによって形成され得る。
基板１１０の一面に形成された金属膜のうち、所定形状の区分線１４０に沿って一部を取除くことで、区分線１４０内側には第１信号線１５０が形成され、区分線１４０の外側には第１信号線１５０を取り囲む形で第１接地線１２０が形成される。ここで、区分線１４０は、開口面が基板１１０の一端に対応する「コ」字形状を有する。
第１信号線１５０は一定長さだけ形成され、第１接地線１２０によって取り囲まれた形状を有する。従って、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００上で第１信号線１５０は開回路(open circuit)の具現が可能になる。
第１接地線１２０と接地面１３０とを電気的に接続するために、第１接地線１２０上で区分線１４０と隣接し、区分線１４０を取り囲む形で複数のビアホール(via hole)１６０、１６０’及び第２ビアホール１７０を形成する。
第１接地線１２０上で「コ」字形状に形成された区分線１４０の長手方向に沿って、区分線１４０の両側に、第１接地線１２０と接地面１３０とを電気的に接続する複数の第１ビアホール１６０、１６０’を形成する。
また、第１接地線１２０上で「コ」字形状に形成された区分線１４０の幅方向に沿って、第１接地線１２０、接地面１３０及び後述する平行伝送線路の第２接地線を電気的に接続する第２ビアホール１７０を形成する。
第１接地線１２０上で区分線１４０の長手方向に沿って形成された第１ビアホール１６０、１６０’及び区分線１４０の幅方向に沿って形成された第２ビアホール１７０により、第１信号線１５０が完全取り囲まれるようになる。
図示したように、本実施形態におけるＣＰＷ伝送線路１００は、開口面が基板１１０の一端と対応する「コ」字形状の区分線１４０によって、第１接地線１２０と第１信号線１５０が形成されたものであり、第１接地線１２０と第１信号線１５０の形態が同一でない非対称(unbalanced) 伝送線と言う。
図４はＣＰＷ伝送線路と平行伝送線路の接続構造を示す図面である。
同図において、基板１１０の一面には第１接地線１２０と第１信号線１５０を含み、他面には接地面１３０を含むＣＢＣＰＷ伝送線路１００に基板１１０と垂直方向に向って接続された平行伝送線路２００の接続構造が図示されている。
平行伝送線路２００は、互いに平行なストリップ(strip)状の第２接地線２１０と第２信号線２２０を含む。平行伝送線路２００の第２接地線２１０と第２信号線２２０との間には空気層が形成されていることから、別の誘電体基板を適用する必要がない。
第２接地線２１０はストリップ状であり、基板１１０に対して垂直方向に配置され、第１接地線１２０上に形成された第２ビアホール１７０の上部に連結される。この時、第２接地線２１０は第１信号線１５０と同一幅を有する。
第２信号線２２０は、第２接地線２１０と同じくストリップ状であり、基板１１０に対して垂直方向であって第２接地線２１０に対向して配置され、第１信号線１５０上に接続されている。この時、第２信号線２２０は、第１信号線１５０と同一幅を有する。すなわち、第１信号線１５０、第２接地線２１０及び第２信号線２２０は同一幅を有するべく形成されている。
第２信号線２２０と第２接地線２１０は、一端において垂直に折り曲げられ、所定の幅だけ延長された固定パッド２１２、２２２を含む。固定パッド２１２、２２２は第２信号線２２０及び第２接地線２１０を、それぞれ第１信号線１５０及び第１接地線１２０に更に堅固に連結する役割を果す。
図示したとおり、平行伝送線路２００を構成する第２接地線２１０と第２信号線２２０はその構造が同一であり、互いに対向するように設置されていることにより、対称(balanced) 伝送線と言う。従って、本発明の伝送構造の変換装置は、ＣＢＣＰＷあるいはマイクロストリップの非対称形伝送線路から、平行伝送線路への対称伝送線で伝送構造を変換することから、バランの役割も行なっていることになる。
図５Ａ及び図５Ｂは本発明に係るＣＢＣＰＷ伝送線路及び平行伝送線路における電場分布を示す図面である。
図５Ａは、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００における電場分布を説明するためのもので、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００の断面図を介して電場分布につき説明する。図示されたように、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００は、基板１１０の上部中央に第１信号線１５０を形成し、第１信号線１５０と一定の間隔離れた両側に第１接地線１２０を形成し、基板１１０の下部には接地面１３０を形成する。
ＣＢＣＰＷ伝送線路１００において、基板１１０の上部では、中央の第１信号線１５０から両側の第１接地線１２０に向かう方向に電場が分布する。また、基板１１０内では、第１信号線１５０側から接地面１３０方向、すなわち、内部上側から内部下側に向かう方向に電場が分布する。この時、基板１１０内の電場は基板１１０の下面に形成された接地面１３０により基板１１０の外側に流出しない。
接地面１３０が形成されたＣＢＣＰＷ伝送線路１００は、接地面１３０によって電場が完全に分離する構造であるため、基板１１０を中心に上部領域及び下部領域は互いに電磁気的に干渉を起こさない。
図５Ｂは平行伝送線路２００における電場分布を説明するために提供された図面であって、平行伝送線路２００の断面図を介して電場分布について説明する。同図に示すように、平行伝送線路２００は同一形態で互いに対向する第２接地線２１０と第２信号線２２０を含む。平行伝送線路２００では第２信号線２２０側から第２接地線２１０に向かう方向に電場が分布する。
本発明によるＣＢＣＰＷ伝送線路１００の構造の伝送構造の変換装置は、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００では図５Ａのような電場分布を示すが、平行伝送線路２００ではその形態が変換され図５Ｂのような電場分布を示すことが分かる。
図６は本発明の好適な実施形態に係るマイクロストリップ伝送線路を示す図面である。
基板３１０の上部には一端から内側に所定幅及び所定長さで信号線３３０を形成し、信号線３３０と一定の間隔離間した位置において、信号線３３０と同一幅を有する導体面３４０を形成する。
導体面３４０にて信号線３３０と隣接する一面には、複数のビアホール３５０を形成する。ここで、ビアホール３５０は接地面３２０、導体面３４０及び後述する平行伝送線路の平行接地線を電気的に接続する。
図７は、マイクロストリップ伝送線路と平行伝送線路の接続構造を示す図面である。
同図において、基板３１０の一面には信号線３３０と導体面３４０とが形成されており、他面には接地面３２０が形成されている。これら基板３１０に形成された信号線３３０、導体面３４０、接地面３２０によって構成されるマイクロストリップ伝送線路３００が、基板３１０と垂直方向に平行伝送線路４００が接続されている。このようなマイクロストリップ伝送線路３００と平行伝送線路４００との接続構造を図７に基づいて説明する。
マイクロストリップ構造に適用される平行伝送線路４００は、図４に図示したＣＢＣＰＷ構造に適用される平行伝送線路２００と同一構造を有しているが、これらを仕分けるために別の符号を付与する。
平行伝送線路４００は互いに対向するよう設置される平行接地線４１０と平行信号線４２０を含む。平行接地線４１０は導体面３４０に形成されたビアホール３５０の上部に連結され、平行信号線４２０は信号線３３０から平行接地線４１０と平行をなすよう連結されている。
平行接地線４１０と平行信号線４２０の一端には、垂直に折り曲げられて所定の幅だけ延長された固定パッド４１２、４２２を形成する。平行接地線４１０は固定パッド４１２を通じて導体面３４０に更に堅固に連結でき、平行信号線４２０は固定パッド４２２を通じて信号線３３０に更に堅固に連結できる。
図８Ａないし図８Ｃは本発明に係るＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の変換性能に対する構造物と測定結果を示す図面である。
図８Ａには、水平方向に相互に向かい合うよう配置された１対のＣＢＣＰＷ伝送線路１００と１つの平行伝送線路２００とが接続された状態を示す図面である。
同図に示すように、２つの伝送構造の変換装置が相互向かい合うように２つの変換器を直列接続し、同一形態の測定ポートを設けることは、伝送構造の変換装置の性能を測定するために本技術分野において代表的に行われる方法である。
ここで、基板１１０の厚さ(ts)は０.８１３mmであり、基板１１０の両面に形成される金属膜は銅コーティングにより０.０３４mmの厚さを有する。また、平行伝送線路２００の長さは３０mmである。
図８Ｂには、図４に図示した平行伝送線路２００の接続されたＣＢＣＰＷ伝送線路１００、すなわちＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の断面図であり、これを実際に具現した時の各パラメータの大きさを表１に示す。
Figure 2007174656
図８Ｃにおいて、図８Ａ及び図８Ｂに示したようなＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の効果を説明するために、２つのポートを使う場合Ｓパラメータの測定結果を示した。
Ｓ(Scattering) パラメータは、ＲＦにおいて最も幅広く使用されるパラメータであって、周波数上で入力電力対出力電力の比を意味する。ここで、Ｓ21は１番ポート(Ｐ１)から２番ポート(Ｐ２)への伝達係数であり、Ｓ11は１番ポート(Ｐ１)の反射係数である。この時、|Ｓ11|が小さいほど、また|Ｓ21|が大きいほど、広帯域での伝送損失は小さい。
図８Ｃに示すように、１対のＣＢＣＰＷ伝送線路１００及び１つの平行伝送線路２００を使った場合、挿入損失が０.５〜１４ＧＨｚの周波数帯域で１.６ｄＢ以下（|Ｓ21|＞−１.６ｄＢ)で現われた。また、０.５〜１４ＧＨｚの周波数帯域での反射損失は７.８ｄＢ以上（|Ｓ11|＜−７.８ｄＢ)で現われた。係る結果により、低い損失で広帯域における伝送構造変換が可能となる。
また、平行伝送線路２００を通過せずに１対のＣＢＣＰＷ伝送線路１００を直接カップリング(Direct coupling)した場合の挿入損失について図示したが、測定された直接カップリング値は極めて小さい値を示しており、一側のＣＢＣＰＷ伝送線路１００から他側のＣＢＣＰＷ伝送線路１００に伝達される電力が、実質的にすべて中間の平行伝送線路２００を通して伝達されたということを示している。
図９Ａないし図９Ｃは、本発明に係るマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の変換性能について調査するための構造物と測定結果を示す図面である。
図９Ａには、互いに向かい合うよう配置された１対のマイクロストリップ伝送線路３００と、これらを接続する１つの平行伝送線路４００の構造が図示されている。マイクロストリップ伝送線路３００に使われる基板３１０は、厚さ(ts)が０.８１３mm、大きさ２０mm×４０mmで、基板３１０の下面で接地面３２０を形成する金属膜は０.０３４mmの銅コーティングによって形成される。
図９Ｂには、図７に示した平行伝送線路４００の連結されたマイクロストリップ伝送線路３００、すなわちマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の断面を図示しており、これを実際具現した時の各パラメータを表示している。図９Ｂに示した各パラメータの大きさは表１と同一である。また、平行伝送線路４００の長さは３０mmであり、平行伝送線路４００を構成している平行接地線４１０と平行信号線４２０との間隔は０.２８mmである。
図９Ｃには、図９Ａ及び図９Ｂに示されたようなマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の効果を説明するために、２つのポートを使う場合にＳパラメータの測定結果について図示されている。
図９Ｃを参照すると、５ＧＨｚ及び１０ＧＨｚを除いた残り周波数帯域には挿入損失が１.８ｄＢ以下である一方、１つのマイクロストリップ伝送線路３００を使う場合の挿入損失は０.９ｄＢ以下である。
５ＧＨｚ及び１０ＧＨｚにての挿入損失の増加現象は２つのマイクロストリップ伝送線路３００を使うことにより相互作用することから発生したものであり、変換性能には影響を及ぼさない。
総合的に、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００と直角に接続された平行伝送線路２００、あるいはマイクロストリップ伝送線路３００と直角に接続された平行伝送線路４００によって、広帯域において基板の垂直方向における給電を水平方向に変換することができる。
また、ＣＢＣＰＷ伝送線路１００及びマイクロストリップ伝送線路３００は、それぞれ基板１１０、３１０の下面に接地面１３０、３２０を有する構造であるため、接地面１３０、３２０を境界にして電磁場が完全分離される。これにより、基板１１０、３１０の一面にアンテナを装着し、基板１１０、３１０の他面にはＲＦ回路を構成すれば、電波の放射とＲＦ部品などの干渉を抑えることができる。
以上、本発明の好適な実施形態を図示及び説明してきたが、本発明の技術的範囲は前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に基づいて定められ、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨から外れることなく当該発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば誰もが多様な変形実施が可能であることは勿論のことであり、該変更した技術は特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に属するものである。
従来における基本的なマイクロストリップ構造の伝送線路を示す平面図である。 従来における基本的なＣＰＷ構造の伝送線路を示す平面図である。 本発明の好適な実施形態に係るＣＢＣＰＷ伝送線路を示す図面である。 ＣＰＷ伝送線路と平行伝送線路の接続構造を示す図面である。 本発明におけるＣＢＣＰＷ伝送線路の電場分布を示す図面である。 本発明における平行伝送線路の電場分布を示す図面である。 本発明の好適な実施形態に係るマイクロストリップ伝送線路を示す図面である。 マイクロストリップ伝送線路と平行伝送線路の接続構造を示す図面である。 本発明に係るＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。 本発明に係るＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。 本発明に係るＣＢＣＰＷ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。 本発明に係るマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。 本発明に係るマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。 本発明に係るマイクロストリップ構造の伝送構造の変換装置の変換性能を調査するための構造物と測定結果を示す図面である。
符号の説明
１００ ＣＢＣＰＷ伝送線路
１１０ 基板
１２０ 第１接地線
１３０ 接地面
１４０ 区分線
１５０ 第１信号線
１６０、１６０' 第１ビアホール
１７０ 第２ビアホール
２００ 平行伝送線路
２１０ 第２接地線
２２０ 第２信号線

Claims (14)

  1. 基板の両面に金属膜を形成し、第１信号線と第１接地線を形成するＣＢＣＰＷ(Conductor-backed coplanar waveguide)伝送線路と、
    それぞれ前記第１信号線及び前記第１接地線に一端が接続され、前記基板に対して垂直方向であって互いに平行な第２信号線と第２接地線とを構成する平行伝送線路と、
    を含むことを特徴とする伝送構造の変換装置。
  2. 前記第１信号線と前記第１接地線は、所定形状の区分線によって整列されることを特徴とする請求項１に記載の伝送構造の変換装置。
  3. 前記ＣＢＣＰＷ伝送線路は、前記第１接地線に形成される複数のビアホールを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の伝送構造の変換装置。
  4. 前記区分線は略「コ」字形状であり、前記コ字形状の開口部が前記基板の一端に位置することを特徴とする請求項３に記載の伝送構造の変換装置。
  5. 前記ビアホールが、
    前記区分線の長手方向に沿って形成され、前記基板の両面に形成された２つの金属膜を電気的に接続する第１ビアホールと、
    前記区分線の幅方向に沿って形成され、前記基板の両面に形成された２つの金属膜及び前記第２接地線を電気的に接続する第２ビアホールと、
    を含むことを特徴とする請求項３に記載の伝送構造の変換装置。
  6. 前記平行伝送線路は、ストリップ(Strip) 形状であることを特徴とする請求項１に記載の伝送構造の変換装置。
  7. 前記平行伝送線路は、前記一端で前記基板に対して水平方向に延長された固定パッドを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の伝送構造の変換装置。
  8. 前記第２信号線の幅は、前記第１信号線の幅と同一であることを特徴とする請求項１に記載の伝送構造の変換装置。
  9. 前記第２接地線の幅は、前記第１信号線の幅と同一であることを特徴とする請求項１に記載の伝送構造の変換装置。
  10. 基板の一面には一端から所定の長さ延長された信号線と前記信号線から一定の間隔で離間した導体面を形成し、前記基板の他面に接地面を形成するマイクロストリップ(Microstrip) 伝送線路と、
    前記導体面において前記信号線と隣接する位置に形成する複数のビアホールと、
    それぞれ前記信号線及び前記導体面に一端が接続され、前記基板に対して垂直方向であって互いに平行な平行信号線と平行接地線を形成する平行伝送線路と、
    を含むことを特徴とする伝送構造の変換装置。
  11. 前記平行伝送線路は、ストリップ形状であることを特徴とする請求項１０に記載の伝送構造の変換装置。
  12. 前記平行伝送線路は、前記一端で前記基板に対して水平方向に延長された固定パッドを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の伝送構造の変換装置。
  13. 前記平行信号線の幅は、前記信号線の幅と同一であることを特徴とする請求項１０に記載の伝送構造の変換装置。
  14. 前記平行接地線の幅は、前記接地線の幅と同一であることを特徴とする請求項１０に記載の伝送構造の変換装置。
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