JP2007173479A - 高品質合成ダイヤモンド膜、その製造方法及び用途 - Google Patents
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Abstract
非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
【選択図】図1
Description
ダイヤモンド合成のために原料ガスとして炭素源と共に水素を用いている理由はいくつか挙げられる。一つには水素では他のガスに比べ非常に高純度のガスが比較的容易に得られる。また、水素プラズマを用いると化学気相堆積中にグラファイトなどの非ダイヤモンド成分を選択的にエッチングすることが知られている。また、水素プラズマを用いると化学気相堆積中にダイヤモンド表面が水素終端され、これがダイヤモンド構造を安定化し、効率よくダイヤモンドが合成されると考えられている。
また、水素は、ドナーもしくはアクセプターとなる不純物を電気的に不活性にすることも知られ、ダイヤモンド中の水素は非常に関心がもたれている。これまで水素を重水素で置き換えてダイヤモンドを合成した例もあったが、それらはダイヤモンド中の水素の混入量や格子位置といった混入形態を分析するために合成されたものだった。(非特許文献1-3)重水素が用いられた理由は、定量分析における2次イオン質量分析法において、重水素が水素に比べ非常に検出感度が良いためである。また赤外吸収分光法では、赤外吸収振動数が同位体シフトすることを用いて水素関連信号を帰属するために用いられた。これまで水素を重水素に置き換えることにより品質が変わるとは考えられていなかったため、これらの研究では品質についての比較はなされておらず、水素と重水素による合成では品質に違いはないものと仮定して研究がなされていた。これまで水素と重水素プラズマの違いを利用した高品質化製造の研究例はなく、関連した特許もない。
非エピタキシャル晶質や欠陥は電気的・光学的特性に悪影響を及ぼすことが知られており、解決すべき課題となっていた。非エピタキシャル晶質は特に接合特性に影響を与えることが知られている。
本発明は非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
また、これまで水素によるエッチングの効果により原子レベルが平坦化されることが知られているが、さらなるその効果の増進が期待できる。
本発明は優れたダイヤモンド半導体製造の実現につながる。
すなわち、本発明は、ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスを用いた化学気相堆積法(CVD)によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜である。
また、本発明は、混合ガスにn型もしくはp型を形成することができる不純物を添加した非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜である。
さらに、本発明は、ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスを用いたCVD法により、ダイヤモンド薄膜を成長させる非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜の製造方法である。
また、本発明は、ダイヤモンド薄膜に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによるCVD法を適用するダイヤモンドの表面処理方法及び/又は緩衝層形成方法である。
さらに、本発明は、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜を用いた、整流ダイオード、パワートランジスタ、サイリスタから選ばれるパワーデバイスである。
非エピタキシャル晶質の低減化:図1から見て取れるように光学顕微鏡観察により、非エピタキシャル晶質密度の著しい低減化(1-2桁)が明らかになった。
欠陥濃度の低減化:図2に示したように、電子スピン共鳴法により欠陥濃度を見積もり、欠陥濃度の著しい低減化(1桁)が明らかになった。
光学的特性向上:図3に示したように、カソードルミネッセンス法による自由エキシトン発光の観測(光学的特性の評価)を行い、従来法の同条件による合成試料よりもエキシトン発光強度が強くなることを定量的に明らかにした。
本発明において用いることが出来るガスとしては、重水素がある。
本発明において用いることが出来る炭素源ガスとしては、水素化メタン、重水素化メタン等がある。
本発明において用いることが出来るn型もしくはp型を形成することができる不純物としては、リン、ホウ素等を挙げることが出来る。
本発明におけるCVD法としては、マイクロ波プラズマCVD法等、従来から知られているプラズマCVD法によるものならどのようなものでもすべて利用することが出来る。
また、本発明において、ダイヤモンドの表面処理方法及び/又は緩衝層形成方法とは、非エピタキシャル晶質等の低減化及び表面平坦化のために、重水素もしくは重水素と炭素源ガスを用いたプラズマにより、表面のエッチングもしくは薄膜合成を行うことにより、表面層若しくは中間層に、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜を成長させるものである。これまで水素と炭素源ガスを用いた薄膜合成で、水素によるエッチングの効果により表面が原子レベルで平坦化されることが知られているが、本方法は重水素を用いることにより、その効果を高めるものである。
光学顕微鏡による観察により、非エピタキシャル晶質面密度の定量化を行った。(図1)水素と水素化メタンを用いた場合と比べ、面密度は1−2桁以上低減された。
電子スピン共鳴法による観測により、バルク中における欠陥濃度の定量化を行った。(図2)水素と水素化メタンを用いた場合と比べ、欠陥濃度が1桁程度低減されていることを定量的に明らかにした。
カソードルミネッセンスによる自由エキシトン発光の観測(光学的特性の評価)を行った。(図3)深紫外発光素子の光源として期待される自由エキシトン発光の強度はダイヤモンド薄膜の品質に依存する。水素と水素化メタンを用いた場合と比べ、信号強度は3−5倍程度となり、光学的に優れていることが明らかにされた。
Claims (5)
- ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスを用いた化学気相堆積法(CVD)によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
- 混合ガスにn型もしくはp型を形成することができる不純物を添加した請求項1に記載した非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
- ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスを用いたCVD法により、ダイヤモンド薄膜を成長させる非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜の製造方法。
- ダイヤモンド薄膜に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによるCVD法を適用するダイヤモンドの表面処理方法及び/又は緩衝層形成方法。
- 請求項1又は請求項2の非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜を用いた、整流ダイオード、パワートランジスタ、サイリスタから選ばれるパワーデバイス。
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JP2005368554A JP2007173479A (ja) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | 高品質合成ダイヤモンド膜、その製造方法及び用途 |
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- 2005-12-21 JP JP2005368554A patent/JP2007173479A/ja active Pending
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