JP2007171867A

JP2007171867A - Reflection type liquid crystal display substrate and device, electronic equipment, and projection display device

Info

Publication number: JP2007171867A
Application number: JP2005373022A
Authority: JP
Inventors: Koichi Wada; 康一和田; Hideyuki Takayama; 英之高山; Katsumi Mori; 克己森
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-12-26
Filing date: 2005-12-26
Publication date: 2007-07-05

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection type liquid crystal display substrate capable of easily suppressing generation of a light leakage current and to provide a reflection type liquid crystal display device. <P>SOLUTION: A plurality of groove parts 61a extended in a direction X and provided side by side in a direction Y and a plurality of second groove parts 61b extended in the direction Y and provided side by side in the direction X are formed on an upper surface 60a of a light shielding film 60 disposed at lower parts of pixel electrodes P and in positions opposed to gap parts 70 formed between the respective pixel electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、反射型液晶表示基板、反射型液晶表示装置、電子機器及び投射型表示装置に関する。 The present invention relates to a reflective liquid crystal display substrate, a reflective liquid crystal display device, an electronic apparatus, and a projection display device.

近年、反射型液晶表示装置として、液晶層を挟持する２枚の基板の一方に単結晶シリコン基板を用いたＬＣＯＳ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｏｎＳｉｌｉｃｏｎ）が提案されている。すなわち、トランジスタを形成した単結晶シリコン基板（素子基板）と、ガラス基板（対向基板）との間に液晶が封入された液晶表示装置である。 In recent years, liquid crystal on silicon (LCOS) using a single crystal silicon substrate as one of two substrates sandwiching a liquid crystal layer has been proposed as a reflective liquid crystal display device. That is, a liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between a single crystal silicon substrate (element substrate) on which a transistor is formed and a glass substrate (counter substrate).

詳述すると、この種の第１反射型液晶表示装置１００では、図９に示すように、素子基板１０１上に、スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｅｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０２及び第１層間絶縁層１０３を形成した素子形成層１０４を設けた。素子形成層１０４上に第１導電層１０５を形成し、その第１導電層１０５上には、第２層間絶縁層１０６が形成されている。第２層間絶縁層１０６上には第２導電層１０７が形成され、その第２導電層１０７上には第３層間絶縁層１０８が形成されている。また、第３層間絶縁層１０８上には、画素電極１１０がマトリックス状に複数配置されている。 More specifically, in the first reflective liquid crystal display device 100 of this type, as shown in FIG. 9, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 102 and a first interlayer insulating layer, which are switching elements, are formed on an element substrate 101. An element formation layer 104 on which 103 was formed was provided. A first conductive layer 105 is formed on the element formation layer 104, and a second interlayer insulating layer 106 is formed on the first conductive layer 105. A second conductive layer 107 is formed on the second interlayer insulating layer 106, and a third interlayer insulating layer 108 is formed on the second conductive layer 107. A plurality of pixel electrodes 110 are arranged in a matrix on the third interlayer insulating layer 108.

また、この画素電極１１０に対向して全画素共通となる透明な共通電極（対向電極１１１）が対向基板１１２上に成膜されている。その対向電極１１１（対向基板１１２）と画素電極１１０（素子基板１０１）との間に液晶１１３が封入されている。そして、各画素においてその画素の映像信号に相対する電圧値を画素電極１１０と対向電極１１１との間にそれぞれ印加して、各画素毎に液晶１１３の配向を制御することで、対向基板１１２側から画素電極１１０に入射した入射光Ｌを変調している。 In addition, a transparent common electrode (counter electrode 111) facing the pixel electrode 110 and common to all pixels is formed on the counter substrate 112. A liquid crystal 113 is sealed between the counter electrode 111 (counter substrate 112) and the pixel electrode 110 (element substrate 101). In each pixel, a voltage value corresponding to the video signal of the pixel is applied between the pixel electrode 110 and the counter electrode 111, and the orientation of the liquid crystal 113 is controlled for each pixel. The incident light L incident on the pixel electrode 110 is modulated.

しかしながら、対向基板１１２側から入射される入射光Ｌの一部は、隣り合う画素電極１１０間に形成される間隙部１１５から画素電極１１０と第２導電層１０７との間に形成された第３層間絶縁層１０８に侵入する。この侵入した入射光Ｌは、第３層間絶縁層１０８内で画素電極１１０の下面と第２導電層１０７の上面との間で反射を繰り返し、第２導電層１０７と第１導電層１０５との間に形成された第２層間絶縁層１０６に侵入する。さらに、入射光Ｌは、第２層間絶縁層１０６内で第２導電層１０７の下面と第１導電層１０５との間で反射を繰り返して素子形成層１０４に形成したＭＯＳＦＥＴ１０２にリーク光となって到達する。ＭＯＳＦＥＴ１０２へのリーク光の照射は、ＭＯＳＦＥＴ１０２から光リーク電流を発生させる原因となる。この光リーク電流によって、画素電極１１０の電位の変動が起こり、フリッカーや焼き付きを起こす要因にもなっていた。 However, a part of the incident light L incident from the counter substrate 112 side is a third portion formed between the pixel electrode 110 and the second conductive layer 107 from the gap portion 115 formed between the adjacent pixel electrodes 110. It penetrates into the interlayer insulating layer 108. The entered incident light L is repeatedly reflected between the lower surface of the pixel electrode 110 and the upper surface of the second conductive layer 107 in the third interlayer insulating layer 108, and the second conductive layer 107 and the first conductive layer 105 It penetrates into the second interlayer insulating layer 106 formed therebetween. Further, the incident light L becomes leakage light in the MOSFET 102 formed in the element formation layer 104 by repeatedly reflecting between the lower surface of the second conductive layer 107 and the first conductive layer 105 in the second interlayer insulating layer 106. To reach. Irradiation of leakage light to the MOSFET 102 causes light leakage current from the MOSFET 102. This light leakage current causes the potential of the pixel electrode 110 to fluctuate, causing flicker and image sticking.

そこで、図１０に示すように、第２層間絶縁層１０６上に、入射光ＬのＭＯＳＦＥＴ１０２への侵入を阻止する第３導電層１２１を形成し、その第３導電層１２１上に新たな第４層間絶縁層１２２を形成する。そして、第４層間絶縁層１２２上に、さらに前記第２導電層１０７、第３層間絶縁層１０８及び画素電極１１０を形成する。これによって、入射光ＬのＭＯＳＦＥＴ１０２への侵入を低減させる方法が知られている（特許文献１参照）。つまり、この第２反射型液晶表示装置１２０は、隣り合う画素電極１１０間に形成される間隙部１１５の下方に第２導電層１０７を形成した。また、隣り合う第２導電層１０７間に形成される間隙部１２３の下方に第３導電層１２１を形成した。
特開２００２−４０４８２号公報 Therefore, as shown in FIG. 10, a third conductive layer 121 that prevents the incident light L from entering the MOSFET 102 is formed on the second interlayer insulating layer 106, and a new fourth layer is formed on the third conductive layer 121. An interlayer insulating layer 122 is formed. Then, the second conductive layer 107, the third interlayer insulating layer 108, and the pixel electrode 110 are further formed on the fourth interlayer insulating layer 122. Thus, a method for reducing the intrusion of incident light L into the MOSFET 102 is known (see Patent Document 1). That is, in the second reflective liquid crystal display device 120, the second conductive layer 107 is formed below the gap 115 formed between the adjacent pixel electrodes 110. Further, the third conductive layer 121 is formed below the gap 123 formed between the adjacent second conductive layers 107.
JP 2002-40482 A

ところが、特許文献１に記載の反射型液晶表示装置では、第３導電層１２１の形成によってＭＯＳＦＥＴ１０２への入射光の到達量を低減できるため、光リーク電流の発生を抑制することができるが、前者の従来例に比べると、製造工程数が大幅に増加してしまう。詳しくは、第３導電層１２１及び第４層間絶縁層１２２を形成する工程と、第２導電層１０７と第３導電層１２１とを接続するためのコンタクトホール１２４を形成する工程と、そのコンタクトホール１２４内にアルミニウムからなる接続線１２５を形成する工程とが増加する。このうち、特にコンタクトホール１２４を形成する工程が増加することによって、第２反射型液晶表示装置１２０の製造時間が長くなるとともに、歩留まり低下の原因にもなる。 However, in the reflective liquid crystal display device described in Patent Document 1, since the amount of incident light reaching the MOSFET 102 can be reduced by forming the third conductive layer 121, the occurrence of light leakage current can be suppressed. Compared to the conventional example, the number of manufacturing steps is greatly increased. Specifically, the step of forming the third conductive layer 121 and the fourth interlayer insulating layer 122, the step of forming the contact hole 124 for connecting the second conductive layer 107 and the third conductive layer 121, and the contact hole The number of steps for forming the connection line 125 made of aluminum in 124 increases. Among these, the increase in the number of steps for forming the contact hole 124 increases the manufacturing time of the second reflective liquid crystal display device 120 and causes a decrease in yield.

本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、光リーク電流の発生を簡便に抑制することのできる反射型液晶表示基板及び反射型液晶表示装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display substrate and a reflective liquid crystal display device that can easily suppress the occurrence of light leakage current. It is to provide.

また、別の目的として、反射型液晶表示装置の光リーク電流を抑制して表示画像の品質を向上させることができる電子機器及び投射型表示装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide an electronic device and a projection display device that can improve the quality of a display image by suppressing the light leakage current of the reflective liquid crystal display device.

本発明の反射型液晶表示基板は、基板上に光反射性を有する複数の画素電極がマトリックス状に形成され、前記各画素電極には、スイッチング素子が電気的に接続されて、前記スイッチング素子から電圧が印加されるように構成した反射型液晶表示基板において、隣り合う前記画素電極間に形成される間隙部から入射される光を遮光するために前記画素電極よりも前記基板側に形成された遮光膜に、前記光を乱反射させるための凹凸状の乱反射部を形成した。 In the reflective liquid crystal display substrate of the present invention, a plurality of pixel electrodes having light reflectivity are formed in a matrix on the substrate, and a switching element is electrically connected to each of the pixel electrodes. In a reflective liquid crystal display substrate configured to be applied with a voltage, the reflective liquid crystal display substrate is formed closer to the substrate than the pixel electrode in order to shield light incident from a gap formed between the adjacent pixel electrodes. An uneven irregular reflection part for irregularly reflecting the light was formed on the light shielding film.

本発明の反射型液晶表示基板によれば、画素電極よりも基板側に設けられた遮光膜に凹凸状の乱反射部を設けた。この乱反射部によって、間隙部から基板内に侵入する光を乱反射させ散乱させて、その光を減衰させることができる。従って、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができる。そのため、遮光膜に凹凸状の乱反射部を形成するという簡便な方法によって、光リーク電流の発生を抑制することができる。 According to the reflective liquid crystal display substrate of the present invention, the irregular reflection portion having the uneven shape is provided on the light shielding film provided on the substrate side with respect to the pixel electrode. By this irregular reflection portion, the light entering the substrate from the gap portion can be irregularly reflected and scattered to attenuate the light. Therefore, it is possible to reduce leak light that enters the switching element. Therefore, the occurrence of light leakage current can be suppressed by a simple method of forming irregular irregular reflection portions on the light shielding film.

この反射型液晶表示基板において、基板上に画素電極がマトリックス状に形成され、前記各画素電極に対応してスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子は導電層及び絶縁層のコンタクトホール内に形成した接続線を介して前記画素電極と電気的に接続されて、前記画素電極には前記スイッチング素子を介して電圧が印加されるように構成した反射型液晶表示基板において、隣り合う前記画素電極間に形成される間隙部を遮光するために前記画素電極よりも基板側に遮光膜を形成し、その隣り合う遮光膜間に形成される間隙部から入射される光を遮光するために前記遮光膜よりも前記基板側に形成された導電層に、前記光を乱反射させるための凹凸状の乱反射部を形成した。 In this reflective liquid crystal display substrate, pixel electrodes are formed in a matrix on the substrate, switching elements are formed corresponding to the pixel electrodes, and the switching elements are formed in contact holes of a conductive layer and an insulating layer. In a reflective liquid crystal display substrate configured to be electrically connected to the pixel electrode via a connection line and to be applied with a voltage to the pixel electrode via the switching element, between the adjacent pixel electrodes. A light shielding film is formed on the substrate side of the pixel electrode in order to shield the gap formed, and the light shielding film is used to shield light incident from the gap formed between the adjacent light shielding films. In the conductive layer formed on the substrate side, an irregular irregular reflection part for irregularly reflecting the light was formed.

この反射型液晶表示基板によれば、遮光膜よりも基板側に設けられた導電層に凹凸状の乱反射部を設けた。この乱反射部によって、各画素電極間に形成される間隙部から侵入して、各遮光膜間に形成される間隙部を介して導電層に入射する光を、乱反射させ散乱させて、その光を減衰させることができる。従って、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができる。そのため、導電層に凹凸状の乱反射部を形成するという簡便な方法によって、光リーク電流の発生を抑制することができる。 According to this reflection type liquid crystal display substrate, the irregular reflection part of the uneven shape is provided in the conductive layer provided on the substrate side of the light shielding film. By this irregular reflection portion, light that enters from the gap portion formed between the pixel electrodes and enters the conductive layer through the gap portion formed between the light shielding films is diffusely reflected and scattered, and the light is scattered. Can be attenuated. Therefore, it is possible to reduce leak light that enters the switching element. Therefore, generation of light leakage current can be suppressed by a simple method of forming irregular irregular reflection portions on the conductive layer.

この反射型液晶表示基板において、前記乱反射部は、多数のくぼみを凹設して形成して
もよい。
この反射型液晶表示基板によれば、多数のくぼみによって、そのくぼみ内で光を乱反射させ散乱させて、その光を減衰させることができるため、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生をより好適に抑制することができる。 In this reflection type liquid crystal display substrate, the irregular reflection portion may be formed by recessing a number of depressions.
According to this reflective liquid crystal display substrate, a large number of depressions can diffuse and scatter light within the depressions to attenuate the light, thereby reducing leakage light entering the switching element. Thus, generation of light leakage current can be suppressed more suitably.

この反射型液晶表示基板において、前記乱反射部は、第１方向に延設される複数の第１溝部と、第２方向に延設される複数の第２溝部とを凹設して形成してもよい。
この反射型液晶表示基板によれば、第１方向に延設される複数の第１溝部及び第２方向に延設される複数の第２溝部によって効率的に光を乱反射させて減衰させることができる。そのため、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生をより好適に抑制することができる。 In the reflective liquid crystal display substrate, the irregular reflection portion is formed by recessing a plurality of first groove portions extending in the first direction and a plurality of second groove portions extending in the second direction. Also good.
According to this reflective liquid crystal display substrate, light can be efficiently diffused and attenuated by the plurality of first groove portions extending in the first direction and the plurality of second groove portions extending in the second direction. it can. Therefore, leak light that enters the switching element can be reduced, and generation of light leak current can be more suitably suppressed.

この反射型液晶表示基板において、前記乱反射部は、第１方向に延設される格子状の第１凹部と、第２方向に延設される格子状の第２凹部とを凹設して形成してもよい。
この反射型液晶表示基板によれば、第１方向に延設される格子状の第１凹部及び第２方向に延設される格子状の第２凹部によって効率的に光を乱反射させて減衰させることができる。そのため、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生をより好適に抑制することができる。 In the reflective liquid crystal display substrate, the irregular reflection portion is formed by forming a grid-like first recess extending in the first direction and a grid-like second recess extending in the second direction. May be.
According to this reflection type liquid crystal display substrate, light is efficiently diffused and attenuated efficiently by the lattice-shaped first concave portion extending in the first direction and the lattice-shaped second concave portion extending in the second direction. be able to. Therefore, leak light that enters the switching element can be reduced, and generation of light leak current can be more suitably suppressed.

この反射型液晶表示基板において、前記乱反射部は、前記間隙部と対向する位置に形成されるようにしてもよい。
この反射型液晶表示基板によれば、乱反射部を間隙部と対向する位置に形成することによって、その間隙部から侵入する光が乱反射部に入射する確率が高くなるため、光を効率的に乱反射させ散乱させて、その光を減衰させることができる。そのため、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生をより好適に抑制することができる。 In the reflective liquid crystal display substrate, the irregular reflection portion may be formed at a position facing the gap portion.
According to this reflective liquid crystal display substrate, by forming the irregular reflection portion at a position facing the gap portion, the probability that light entering from the gap portion will enter the irregular reflection portion is increased, so that the light is efficiently diffusely reflected. The light can be scattered and attenuated. Therefore, leak light that enters the switching element can be reduced, and generation of light leak current can be more suitably suppressed.

本発明の反射型液晶表示装置は、前記の反射型液晶表示基板と、前記画素電極に対向する共通電極が形成された対向基板との間に液晶を封入して、前記反射型液晶表示基板と前記対向基板とが貼り合わされた。 The reflective liquid crystal display device of the present invention includes a liquid crystal sealed between the reflective liquid crystal display substrate and a counter substrate on which a common electrode facing the pixel electrode is formed. The counter substrate was bonded.

本発明の反射型液晶表示装置によれば、対向基板側から入射される光の反射型液晶表示基板内に侵入する光を乱反射部によって減衰させることができるため、光リーク電流の発生を好適に抑制することができる。 According to the reflective liquid crystal display device of the present invention, light entering the reflective liquid crystal display substrate of light incident from the counter substrate side can be attenuated by the irregular reflection portion, so that light leakage current is preferably generated. Can be suppressed.

本発明の電子機器は、前記の反射型液晶表示装置を備えた。
本発明の電子機器によれば、光リーク電流の発生を抑制した反射型液晶表示装置を使用しているため、反射型液晶表示装置の画素電極の電位変動を抑制することができ、フリッカーや焼き付きを抑制することができる。そのため、表示画像の品質を向上させることができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the reflective liquid crystal display device.
According to the electronic apparatus of the present invention, since the reflective liquid crystal display device that suppresses the occurrence of light leakage current is used, the potential fluctuation of the pixel electrode of the reflective liquid crystal display device can be suppressed, and flicker and burn-in can be achieved. Can be suppressed. Therefore, the quality of the display image can be improved.

本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調して反射する上記の反射型液晶表示装置と、当該反射型液晶表示装置により変調された光を集光し拡大投射する投射光学手段とを備えた。 The projection display device of the present invention condenses and projects a light source, the reflective liquid crystal display device that modulates and reflects the light from the light source, and the light modulated by the reflective liquid crystal display device. And projection optical means.

本発明の投射型表示装置によれば、光リーク電流の発生を抑制した反射型液晶表示装置を使用しているため、反射型液晶表示装置の画素電極の電位変動を抑制することができ、フリッカーや焼き付きを抑制することができる。そのため、表示画像の品質を向上させることができる。 According to the projection type display device of the present invention, since the reflection type liquid crystal display device in which the occurrence of light leakage current is suppressed is used, the potential fluctuation of the pixel electrode of the reflection type liquid crystal display device can be suppressed, and flicker And burn-in can be suppressed. Therefore, the quality of the display image can be improved.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。図１は、反射型液晶表示装置を説明するための概略斜視図、図２は、反射型液晶表示装置を説明するための図１におけるＡ−Ａ断面の拡大断面図である。 Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining a reflective liquid crystal display device, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the AA cross section in FIG. 1 for explaining the reflective liquid crystal display device.

図１に示すように、反射型液晶表示装置１は、四角形状の素子基板２と、その素子基板２と対向する四角形状の対向基板３とが、対向基板３の内周縁に沿って枠状に形成されたシール部材５によって一定の間隔を保って貼り合わせられている。なお、シール部材５の一部（図示上側）には、封入口５ａが形成されている。また、反射型液晶表示装置１は、入射光Ｌが対向基板３側から素子基板２に入射されるように配置される。 As shown in FIG. 1, the reflective liquid crystal display device 1 includes a rectangular element substrate 2 and a rectangular counter substrate 3 facing the element substrate 2 in a frame shape along the inner peripheral edge of the counter substrate 3. The sealing members 5 formed in the above are bonded together at a constant interval. Note that a sealing port 5a is formed in a part of the seal member 5 (the upper side in the figure). The reflective liquid crystal display device 1 is arranged so that incident light L is incident on the element substrate 2 from the counter substrate 3 side.

素子基板２は、単結晶シリコン等のｐ型半導体からなる半導体基板であるとともに、対向基板３は、無アルカリガラスからなる透明基板である。また、素子基板２は、対向基板３よりも大きく形成されており、対向基板３よりも張り出し形成されている。 The element substrate 2 is a semiconductor substrate made of a p-type semiconductor such as single crystal silicon, and the counter substrate 3 is a transparent substrate made of alkali-free glass. The element substrate 2 is formed larger than the counter substrate 3 and is formed so as to protrude from the counter substrate 3.

また、素子基板２の上面２ａ（対向基板３と対向する面）中央部には、シール部材５によって囲まれる画素領域Ｒが形成されている。その画素領域Ｒには、Ｙ方向に延出形成される複数のデータ線１２がＸ方向に並設されるとともに、Ｘ方向に延出形成される複数の走査線１４がＹ方向に並設されている。このデータ線１２と走査線１４との各交差領域には、画素Ｂが形成されるとともに、その各画素Ｂには、図３に示すＭＯＳＦＥＴ２０と、ＭＯＳＦＥＴ２０と電気的に接続される画素電極Ｐ等を備えた画素回路が設けられている。 In addition, a pixel region R surrounded by the seal member 5 is formed in the central portion of the upper surface 2 a (surface facing the counter substrate 3) of the element substrate 2. In the pixel region R, a plurality of data lines 12 extending in the Y direction are juxtaposed in the X direction, and a plurality of scanning lines 14 extending in the X direction are juxtaposed in the Y direction. ing. A pixel B is formed in each intersection region of the data line 12 and the scanning line 14, and each pixel B includes a MOSFET 20 shown in FIG. 3, a pixel electrode P electrically connected to the MOSFET 20, and the like. Is provided.

図２に示すように、素子基板２内には、高不純物濃度のｐ型不純物層からなるウエル領域２２が左右の分離酸化膜２４ａ，２４ｂによって画素Ｂ毎に電気的に分離されて設けられている。この一つのウエル領域２２に一つのＭＯＳＦＥＴ２０が形成されており、そのＭＯＳＦＥＴ２０は、ゲートＧ、ドレインＤ及びソースＳを有している。 As shown in FIG. 2, a well region 22 made of a high impurity concentration p-type impurity layer is provided in the element substrate 2 so as to be electrically isolated for each pixel B by left and right isolation oxide films 24a and 24b. Yes. One MOSFET 20 is formed in this one well region 22, and the MOSFET 20 has a gate G, a drain D, and a source S.

詳しくは、ウエル領域２２上の略中央には、ゲート酸化膜２６が形成され、そのゲート酸化膜２６上にポリシリコン等の多結晶シリコンからなるゲート電極２８が成膜されている。このゲート酸化膜２６とゲート電極２８とから、ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートＧが形成されている。また、ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートＧの左側には、高不純物濃度のｎ型不純物層からなるドレイン領域３０が形成され、そのドレイン領域３０上にアルミニウム等の金属配線よりなるドレイン電極３２が成膜されている。このドレイン領域３０とドレイン電極３２とから、ＭＯＳＦＥＴ２０のドレインＤが形成されている。また、ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートＧの右側には、高不純物濃度のｎ型不純物層からなるソース領域３４が形成され、そのソース領域３４上にアルミニウム等の金属配線よりなるソース電極３６が成膜されている。このソース領域３４とソース電極３６とから、ＭＯＳＦＥＴ２０のソースＳが形成されている。なお、ドレイン電極３２及びソース電極３６は、ゲート酸化膜２６、ドレイン領域３０及びソース領域３４の上に積層された第１層間絶縁層３８に形成された第１コンタクトホールＨ１内及び第２コンタクトホールＨ２内にそれぞれ成膜されている。また、第１層間絶縁層３８は、二酸化珪素等の絶縁膜から構成されている。 Specifically, a gate oxide film 26 is formed in the approximate center on the well region 22, and a gate electrode 28 made of polycrystalline silicon such as polysilicon is formed on the gate oxide film 26. A gate G of the MOSFET 20 is formed from the gate oxide film 26 and the gate electrode 28. A drain region 30 made of a high impurity concentration n-type impurity layer is formed on the left side of the gate G of the MOSFET 20, and a drain electrode 32 made of a metal wiring such as aluminum is formed on the drain region 30. . The drain D of the MOSFET 20 is formed from the drain region 30 and the drain electrode 32. A source region 34 made of a high impurity concentration n-type impurity layer is formed on the right side of the gate G of the MOSFET 20, and a source electrode 36 made of a metal wiring such as aluminum is formed on the source region 34. . A source S of the MOSFET 20 is formed from the source region 34 and the source electrode 36. The drain electrode 32 and the source electrode 36 are formed in the first contact hole H1 and the second contact hole formed in the first interlayer insulating layer 38 stacked on the gate oxide film 26, the drain region 30, and the source region 34. Each film is formed in H2. The first interlayer insulating layer 38 is made of an insulating film such as silicon dioxide.

また、ウエル領域２２よりも右方には、イオン注入した拡散容量電極４０が左右の分離酸化膜２４ｂ、２４ｃによって画素Ｂ毎に電気的に分離されて設けられている。すなわち、分離酸化膜２４ａから分離酸化膜２４ｃまでが一つの画素Ｂに対応している。また、拡散容量電極４０の上方には、絶縁膜４２が成膜されて、さらにその絶縁膜４２の上方には容量電極４４が成膜されている。容量電極４４は、容量電極４４上に成膜されたアルミニウム等の金属配線よりなる容量電極用接続線４６と電気的に接続されている。なお、容量電極用接続線４６は、容量電極４４の上方に成膜された前記第１層間絶縁層３８に形成さ
れた第３コンタクトホールＨ３内に成膜されている。この拡散容量電極４０、絶縁膜４２、容量電極４４及び容量電極用接続線４６によって、一つのＭＯＳＦＥＴ２０に対応した保持容量部Ｃが形成されている。 Further, on the right side of the well region 22, a diffusion capacitor electrode 40 into which ions are implanted is provided for each pixel B by the left and right isolation oxide films 24b and 24c. That is, the isolation oxide film 24a to the isolation oxide film 24c correspond to one pixel B. An insulating film 42 is formed above the diffusion capacitor electrode 40, and a capacitor electrode 44 is further formed above the insulating film 42. The capacitor electrode 44 is electrically connected to a capacitor electrode connection line 46 made of a metal wiring such as aluminum formed on the capacitor electrode 44. The capacitor electrode connection line 46 is formed in the third contact hole H 3 formed in the first interlayer insulating layer 38 formed above the capacitor electrode 44. A storage capacitor portion C corresponding to one MOSFET 20 is formed by the diffusion capacitor electrode 40, the insulating film 42, the capacitor electrode 44 and the capacitor electrode connection line 46.

また、第１層間絶縁層３８の上には、アルミニウム等の金属配線よりなる第１導電層を構成するデータ線１２及び第１中継端子４８が、一つの画素Ｂ毎に所定のパターン形状に成膜されている。詳述すると、図３に示す各画素Ｂの画素回路のように、前記ドレイン電極３２は、データ線１２に電気的に接続されるとともに、ソース電極３６及び容量電極用接続線４６は、第１中継端子４８に電気的に接続されている。なお、ゲート電極２８は、走査線１４に電気的に接続されている。また、図２に示すように、データ線１２と第１中継端子４８との間には、間隙部５０ａ，５０ｂが形成されており、間隙部５０ａ，５０ｂによってデータ線１２と第１中継端子４８とが電気的に分離される。 On the first interlayer insulating layer 38, the data lines 12 and the first relay terminals 48 constituting the first conductive layer made of metal wiring such as aluminum are formed in a predetermined pattern shape for each pixel B. It is filmed. More specifically, as in the pixel circuit of each pixel B shown in FIG. 3, the drain electrode 32 is electrically connected to the data line 12, and the source electrode 36 and the capacitor electrode connection line 46 are first connected. The relay terminal 48 is electrically connected. Note that the gate electrode 28 is electrically connected to the scanning line 14. As shown in FIG. 2, gaps 50a and 50b are formed between the data line 12 and the first relay terminal 48, and the data line 12 and the first relay terminal 48 are formed by the gaps 50a and 50b. And are electrically separated.

また、第１導電層（データ線１２及び第１中継端子４８）の上には、二酸化珪素等の絶縁膜からなる第２層間絶縁層５２が成膜されている。第２層間絶縁層５２であって第１中継端子４８と対向する位置には、第４コンタクトホールＨ４が形成され、その第４コンタクトホールＨ４内には、アルミニウム等の金属配線よりなる第１接続プラグ５４が第１中継端子４８と電気的に接続されるように成膜されている。 A second interlayer insulating layer 52 made of an insulating film such as silicon dioxide is formed on the first conductive layer (data line 12 and first relay terminal 48). A fourth contact hole H4 is formed in the second interlayer insulating layer 52 at a position facing the first relay terminal 48, and a first connection made of a metal wiring such as aluminum is formed in the fourth contact hole H4. The plug 54 is formed so as to be electrically connected to the first relay terminal 48.

第２層間絶縁層５２の上には、アルミニウム等の金属配線よりなる第２導電層を構成する第２中継端子５６及び遮光膜６０が、一つの画素Ｂ毎に所定のパターン形状に成膜されている。詳述すると、第１接続プラグ５４の上には、第１接続プラグ５４と電気的に接続される第２中継端子５６が成膜され、その第２中継端子５６の左右には、間隙部５８ａ，５８ｂを介して左右に遮光膜６０がそれぞれ延設されている。また、遮光膜６０の上面６０ａには、乱反射部としての複数の溝部６１が形成されている。なお、遮光膜６０は、間隙部５８ａ，５８ｂの周囲以外の複数の画素Ｂ全体にわたって連続的に形成されている。 On the second interlayer insulating layer 52, a second relay terminal 56 and a light shielding film 60 constituting a second conductive layer made of a metal wiring such as aluminum are formed in a predetermined pattern shape for each pixel B. ing. More specifically, a second relay terminal 56 electrically connected to the first connection plug 54 is formed on the first connection plug 54, and a gap 58 a is formed on the left and right sides of the second relay terminal 56. , 58b, light shielding films 60 are extended on the left and right sides, respectively. In addition, a plurality of groove portions 61 as irregular reflection portions are formed on the upper surface 60 a of the light shielding film 60. The light shielding film 60 is continuously formed over the entire plurality of pixels B other than the periphery of the gaps 58a and 58b.

また、第２中継端子５６及び遮光膜６０の上には、二酸化珪素等の絶縁膜からなる第３層間絶縁層６２が成膜されている。第３層間絶縁層６２であって第２中継端子５６と対向する位置には、第５コンタクトホールＨ５が形成され、その第５コンタクトホールＨ５内には、アルミニウム等の金属配線よりなる第２接続プラグ６４が第２中継端子５６と電気的に接続されるように成膜されている。 A third interlayer insulating layer 62 made of an insulating film such as silicon dioxide is formed on the second relay terminal 56 and the light shielding film 60. A fifth contact hole H5 is formed in the third interlayer insulating layer 62 at a position facing the second relay terminal 56, and a second connection made of a metal wiring such as aluminum is formed in the fifth contact hole H5. The plug 64 is formed so as to be electrically connected to the second relay terminal 56.

また、第３層間絶縁層６２の上には、アルミニウム等の金属配線からなる前記画素電極Ｐが、一つの画素Ｂ毎に所定のパターン形状に成膜されている。詳述すると、図４に示すように、画素電極Ｐは略正方形状であって、多数の画素電極Ｐが互いに所定の間隔を置いてマトリックス状に配列されており、この略正方形状の画素電極Ｐ一つが一つの画素Ｂに対応している。また、隣り合う画素電極Ｐによって間隙部７０が形成され、画素電極Ｐの下方に形成される前記遮光膜６０の上面６０ａであってその間隙部７０と対向する位置に、複数の前記溝部６１（第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂ）が形成されている。 On the third interlayer insulating layer 62, the pixel electrode P made of metal wiring such as aluminum is formed in a predetermined pattern shape for each pixel B. More specifically, as shown in FIG. 4, the pixel electrode P has a substantially square shape, and a large number of pixel electrodes P are arranged in a matrix at predetermined intervals. One P corresponds to one pixel B. Further, a gap portion 70 is formed by the adjacent pixel electrode P, and a plurality of the groove portions 61 (on the upper surface 60a of the light shielding film 60 formed below the pixel electrode P and at a position facing the gap portion 70. A first groove 61a and a second groove 61b) are formed.

詳しくは、複数の溝部６１は、第１方向としてのＸ方向に延設されてＹ方向に並設される複数の第１溝部６１ａと、第２方向としてのＹ方向に延設されてＸ方向に並設される複数の第２溝部６１ｂとから構成されている。この第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂによって、遮光膜６０の上面６０ａであって間隙部７０と対向する位置には、凹凸が形成されている。そのため、対向基板３側から入射されて素子基板２内に侵入する入射光Ｌを、第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂで乱反射させ散乱させることができる。従って、従来例のように遮光膜６０の上面６０ａが平坦な場合に比べて、遮光膜６０（第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂ）で入射光Ｌを大幅に減衰させることができるため、ＭＯＳＦＥＴ２０に侵入するリーク光を低減させることができる。その結果、反射型液晶表示装置１の光リ
ーク電流の発生を好適に抑制することができる。なお、第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂは、遮光膜６０の上面６０ａから略１００ｎｍの深さに凹設されている。 Specifically, the plurality of groove portions 61 extend in the X direction as the first direction and are arranged in parallel in the Y direction, and extend in the Y direction as the second direction and extend in the X direction. And a plurality of second groove portions 61b arranged side by side. By the first groove portion 61a and the second groove portion 61b, unevenness is formed at a position on the upper surface 60a of the light shielding film 60 and facing the gap portion 70. Therefore, incident light L incident from the counter substrate 3 side and entering the element substrate 2 can be diffusely reflected and scattered by the first groove portion 61a and the second groove portion 61b. Therefore, compared to the case where the upper surface 60a of the light shielding film 60 is flat as in the conventional example, the incident light L can be greatly attenuated by the light shielding film 60 (the first groove portion 61a and the second groove portion 61b). It is possible to reduce the leak light that penetrates into. As a result, generation of light leakage current in the reflective liquid crystal display device 1 can be suitably suppressed. The first groove 61a and the second groove 61b are recessed from the upper surface 60a of the light shielding film 60 to a depth of about 100 nm.

なお、図２に示すように、画素電極Ｐは、前記第２接続プラグ６４と電気的に接続され、その第２接続プラグ６４、前記第２中継端子５６、前記第１接続プラグ５４及び前記第１中継端子４８を介して前記ソース電極３６に接続されている。 As shown in FIG. 2, the pixel electrode P is electrically connected to the second connection plug 64, and the second connection plug 64, the second relay terminal 56, the first connection plug 54, and the first connection plug 64. It is connected to the source electrode 36 through one relay terminal 48.

また、素子基板２に対向する対向基板３の下面には、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明電極からなる対向電極７２が、画素電極Ｐに対する共通電極として画素Ｂ毎に区画されずに対向基板３全面にわたって形成されている。そして、素子基板２と対向基板３とは、画素電極Ｐと対向電極７２とが互いに向かい合うように配置されて、その画素電極Ｐと対向電極７２との間には、液晶Ｅが封入されている。なお、液晶Ｅは、図１に示すシール部材５の封入口５ａから封入され、その封入口５ａは液晶Ｅが封入された後に図示しない封止材によって封止されるようになっている。 Further, a counter electrode 72 made of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is provided on the lower surface of the counter substrate 3 facing the element substrate 2 without being partitioned for each pixel B as a common electrode for the pixel electrode P. 3 are formed over the entire surface. The element substrate 2 and the counter substrate 3 are arranged such that the pixel electrode P and the counter electrode 72 face each other, and the liquid crystal E is sealed between the pixel electrode P and the counter electrode 72. . The liquid crystal E is sealed from the sealing port 5a of the seal member 5 shown in FIG. 1, and the sealing port 5a is sealed with a sealing material (not shown) after the liquid crystal E is sealed.

図３は、各画素Ｂの画素回路の回路構成を示す。図３に示すように、ドレイン電極３２と電気的に接続されるデータ線１２は、データ線駆動回路７４に接続されて、データ線駆動回路７４から表示データに基づくデータ信号電圧が、対応するデータ線１２に所定のタイミングで入力されるようになっている。また、ゲート電極２８と電気的に接続される走査線１４は、走査線駆動回路７６に接続されて、所定のタイミングで選択駆動され、対応する走査信号が走査線駆動回路７６から所定のタイミングで入力されるようになっている。 FIG. 3 shows a circuit configuration of the pixel circuit of each pixel B. As shown in FIG. 3, the data line 12 electrically connected to the drain electrode 32 is connected to the data line driving circuit 74, and the data signal voltage based on the display data from the data line driving circuit 74 corresponds to the corresponding data. The line 12 is inputted at a predetermined timing. The scanning line 14 electrically connected to the gate electrode 28 is connected to the scanning line driving circuit 76 and is selectively driven at a predetermined timing, and a corresponding scanning signal is transmitted from the scanning line driving circuit 76 at a predetermined timing. It is designed to be entered.

そして、走査線駆動回路７６の走査に基づいて走査線１４が１本ずつ順次選択されると、選択された走査線１４上の画素ＢのＭＯＳＦＥＴ２０が選択期間中だけオン状態となり、対応するデータ線１２、ＭＯＳＦＥＴ２０のソースＳ、各中継端子４８，５６及び各接続プラグ５４，６４を介して、対応する画素電極Ｐにデータ信号電圧が印加される。この時、データ信号電圧は、同時に保持容量部Ｃに印加され、さらに保持容量部Ｃに蓄積される。これにより、所定の電圧に保持されている対向電極７２とデータ信号電圧が印加される画素電極Ｐとの間に電位差が生じ、この電位差が所定期間保持され、さらにこの電位差によって液晶Ｅが駆動される。液晶Ｅが駆動されると、対向基板３側から画素電極Ｐに入射される入射光Ｌは、表示データに基づいて変調されて、変調光として対向基板３側に出射されるようになっている。 When the scanning lines 14 are sequentially selected one by one based on the scanning of the scanning line driving circuit 76, the MOSFET 20 of the pixel B on the selected scanning line 14 is turned on only during the selection period, and the corresponding data line 12, the data signal voltage is applied to the corresponding pixel electrode P through the source S of the MOSFET 20, the relay terminals 48 and 56, and the connection plugs 54 and 64. At this time, the data signal voltage is simultaneously applied to the storage capacitor unit C and further stored in the storage capacitor unit C. As a result, a potential difference is generated between the counter electrode 72 held at a predetermined voltage and the pixel electrode P to which the data signal voltage is applied. This potential difference is held for a predetermined period, and the liquid crystal E is driven by this potential difference. The When the liquid crystal E is driven, the incident light L incident on the pixel electrode P from the counter substrate 3 side is modulated based on the display data and is emitted to the counter substrate 3 side as modulated light. .

次に、上記のように構成された反射型液晶表示装置１の製造方法について、図５に従って説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、公知の方法により、素子基板２上にＭＯＳＦＥＴ２０と保持容量部Ｃと分離酸化膜２４ａ，２４ｂ．２４ｃとを形成し、これらの上に第１層間絶縁層３８、第１導電層（データ線１２及び第１中継端子４８）及び第２層間絶縁層５２を順に成膜する。この際、データ線１２は第１コンタクトホールＨ１内のドレイン電極３２と電気的に接続され、第１中継端子４８は、第２コンタクトホールＨ２内のソース電極３６及び第３コンタクトホールＨ３内の容量電極用接続線４６を介してＭＯＳＦＥＴ２０及び保持容量部Ｃにそれぞれ電気的に接続される。また、第２層間絶縁層５２に対してリソグラフィにて所定のパターンニングを行い、第１中継端子４８に到達するまでエッチングを行って第４コンタクトホールＨ４を形成して、その第４コンタクトホールＨ４内にアルミニウムをスパッタし、エッチバックしてアルミニウムを埋め込んで第１接続プラグ５４を形成する。次に、第２層間絶縁層５２の上面にアルミニウムＡＬをスパッタにて成膜する。このアルミニウムＡＬが第２中継端子５６及び遮光膜６０になる。 Next, a manufacturing method of the reflective liquid crystal display device 1 configured as described above will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 5A, the MOSFET 20, the storage capacitor C, the isolation oxide films 24a, 24b. 24c, and the first interlayer insulating layer 38, the first conductive layer (the data line 12 and the first relay terminal 48), and the second interlayer insulating layer 52 are sequentially formed thereon. At this time, the data line 12 is electrically connected to the drain electrode 32 in the first contact hole H1, and the first relay terminal 48 is connected to the source electrode 36 in the second contact hole H2 and the capacitance in the third contact hole H3. The electrode 20 is electrically connected to the MOSFET 20 and the storage capacitor C via the electrode connection line 46. Further, the second interlayer insulating layer 52 is subjected to predetermined patterning by lithography, and etching is performed until it reaches the first relay terminal 48 to form the fourth contact hole H4, and the fourth contact hole H4. The first connection plug 54 is formed by sputtering aluminum and etching back to fill the aluminum. Next, aluminum AL is formed on the upper surface of the second interlayer insulating layer 52 by sputtering. The aluminum AL becomes the second relay terminal 56 and the light shielding film 60.

すなわち、次に、図５（ｂ）に示すように、アルミニウムＡＬに間隙部５８ａ，５８ｂ
をリソグラフィにて所定のパターンニングと、エッチングとで形成し、第２中継端子５６と遮光膜６０とをそれぞれ電気的に分離する。この時、第２中継端子５６は第４コンタクトホールＨ４内の第１接続プラグ５４により、第１中継端子４８に電気的に接続される。次に、遮光膜６０の上面にフォトレジストを塗布し、図４に示すパターン形状になるようにマスクしてフォトリソグラフィにてパターニングを行い、ハーフエッチングして、第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂを形成する。詳しくは、遮光膜６０の上面６０ａであって後工程で形成する各画素電極Ｐ間の間隙部７０に対向する位置に、Ｘ方向に延設される複数の第１溝部６１ａと、Ｙ方向に延設される複数の第２溝部６１ｂとを形成する。本実施形態では、エッチングの時間を、第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂが遮光膜６０の上面６０ａから略１００ｎｍまで凹設される時間に設定して、ハーフエッチングを行っている。 That is, next, as shown in FIG. 5B, the gap portions 58a and 58b are formed in the aluminum AL.
Are formed by lithography with predetermined patterning and etching, and the second relay terminal 56 and the light shielding film 60 are electrically separated from each other. At this time, the second relay terminal 56 is electrically connected to the first relay terminal 48 by the first connection plug 54 in the fourth contact hole H4. Next, a photoresist is applied to the upper surface of the light shielding film 60, masked so as to have the pattern shape shown in FIG. 4, patterned by photolithography, and half-etched to form the first groove portion 61a and the second groove portion 61b. Form. Specifically, a plurality of first groove portions 61a extending in the X direction at the position on the upper surface 60a of the light shielding film 60 and facing the gap portions 70 between the pixel electrodes P formed in a later process, and in the Y direction. A plurality of extended second groove portions 61b are formed. In the present embodiment, the half etching is performed by setting the etching time to a time during which the first groove portion 61a and the second groove portion 61b are recessed from the upper surface 60a of the light shielding film 60 to about 100 nm.

次に、図５（ｃ）に示すように、第２中継端子５６及び遮光膜６０の上面６０ａに第３層間絶縁層６２を二酸化珪素により成膜し、この第３層間絶縁層６２の上面をＣＭＰ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）等により平坦化する。そして、第３層間絶縁層６２に対してリソグラフィにて所定のパターニングを行い、第２中継端子５６に到達するまでエッチングを行って第５コンタクトホールＨ５を形成する。次に、第３層間絶縁層６２の上方から第５コンタクトホールＨ５内にアルミニウムをスパッタし、エッチバックしてアルミニウムを埋め込んで第２接続プラグ６４を形成する。これにより、第２接続プラグ６４に第２中継端子５６が電気的に接続される。 Next, as shown in FIG. 5C, a third interlayer insulating layer 62 is formed of silicon dioxide on the upper surface 60a of the second relay terminal 56 and the light shielding film 60, and the upper surface of the third interlayer insulating layer 62 is formed. Planarization is performed by CMP (Chemical Mechanical Polishing) or the like. Then, predetermined patterning is performed on the third interlayer insulating layer 62 by lithography, and etching is performed until the second relay terminal 56 is reached, thereby forming a fifth contact hole H5. Next, aluminum is sputtered from above the third interlayer insulating layer 62 into the fifth contact hole H5 and etched back to fill the aluminum, thereby forming the second connection plug 64. Thereby, the second relay terminal 56 is electrically connected to the second connection plug 64.

次に、図５（ｄ）に示すように、第３層間絶縁層６２上にアルミニウムをスパッタして、そのアルミニウムを略正方形状になるようにリソグラフィにてパターニングを行い、エッチングして画素電極Ｐを形成する。この時、画素電極Ｐは、各画素電極Ｐ間に形成される間隙部７０によって隣りの画素電極Ｐと電気的に分離されるとともに、その間隙部７０が前記第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂに対向するように形成される。また、画素電極Ｐは、第５コンタクトホールＨ５内の第２接続プラグ６４に電気的に接続される。 Next, as shown in FIG. 5D, aluminum is sputtered on the third interlayer insulating layer 62, the aluminum is patterned by lithography so as to form a substantially square shape, and etched to form the pixel electrode P. Form. At this time, the pixel electrode P is electrically separated from the adjacent pixel electrode P by a gap 70 formed between the pixel electrodes P, and the gap 70 is formed by the first groove 61a and the second groove 61b. It is formed so as to oppose. The pixel electrode P is electrically connected to the second connection plug 64 in the fifth contact hole H5.

このように遮光膜６０の上面６０ａであって各画素電極Ｐ間の間隙部７０に対向する位置に、素子基板２内に侵入する入射光Ｌを減衰させることのできる溝部６１を形成するハーフエッチング工程を増加させることによって、ＭＯＳＦＥＴ２０に侵入するリーク光を低減させることができる。すなわち、第１反射型液晶表示装置１００（図９参照）に比べるとハーフエッチング工程が増加されるが、第２反射型液晶表示装置１２０（図１０参照）のように第３導電層１２１やコンタクトホール１２４を形成する必要がないため、簡便に光リーク電流の発生を好適に抑制することができる。また、第３導電層１２１が増加されないことから、反射型液晶表示装置１の製造コストを低減することができる。なお、本実施形態では、間隙部５８ａ，５８ｂを形成するエッチング工程と、溝部６１を形成するハーフエッチング工程を別々に行ったが、この２つの工程を同時に行うようにしてもよい。これによって、製造工程を増加させずに簡便に光リーク電流の発生を抑制することができる。 In this way, half etching is performed to form the groove 61 capable of attenuating the incident light L entering the element substrate 2 at the position on the upper surface 60a of the light shielding film 60 and facing the gap 70 between the pixel electrodes P. By increasing the number of steps, leak light that enters the MOSFET 20 can be reduced. That is, the half etching process is increased as compared with the first reflective liquid crystal display device 100 (see FIG. 9), but the third conductive layer 121 and the contacts are contacted as in the second reflective liquid crystal display device 120 (see FIG. 10). Since it is not necessary to form the hole 124, the generation of the light leakage current can be suitably suppressed easily. Further, since the third conductive layer 121 is not increased, the manufacturing cost of the reflective liquid crystal display device 1 can be reduced. In the present embodiment, the etching process for forming the gaps 58a and 58b and the half etching process for forming the groove 61 are performed separately, but these two processes may be performed simultaneously. As a result, the occurrence of light leakage current can be easily suppressed without increasing the number of manufacturing steps.

次に、図６に従って、本実施形態における反射型液晶表示装置１を反射型液晶ライトバルブ９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇとして利用したプロジェクタ８０について説明する。
直方体状のプロジェクタケース８１内の前側（図６における左側上側）には、照明光学系８２が設けられるとともに、その照明光学系８２は、リフレクタ８３と、光源ランプ８４と、第１レンズアレイ８５と、偏光変換素子８６とから構成されている。リフレクタ８３は、ドーム状又はパラボラ状の反射ミラーであり、そのリフレクタ８３内に光源ランプ８４が設けられている。光源ランプ８４は、高圧水銀ランプであり、放射状の白色光を出射し、その光がリフレクタ８３で反射して平行光として、光源ランプ８４よりも反Ｙ矢印方向側に設けた第１レンズアレイ８５に出射される。なお、本実施形態では光源ランプ８
４を高圧水銀ランプとしたが、これに限らず、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプや超高圧水銀ランプに変更してもよい。あるいは発光ダイオードからなるＬＥＤ光源に変更してもよい。 Next, a projector 80 that uses the reflective liquid crystal display device 1 according to the present embodiment as the reflective liquid crystal light valves 90B, 90R, and 90G will be described with reference to FIG.
An illumination optical system 82 is provided on the front side (upper left side in FIG. 6) in the rectangular parallelepiped projector case 81. The illumination optical system 82 includes a reflector 83, a light source lamp 84, a first lens array 85, and the like. , And a polarization conversion element 86. The reflector 83 is a dome-shaped or parabolic reflective mirror, and a light source lamp 84 is provided in the reflector 83. The light source lamp 84 is a high-pressure mercury lamp, which emits radial white light, and the light is reflected by the reflector 83 to be parallel light, which is provided on the side opposite to the Y arrow direction from the light source lamp 84. Is emitted. In the present embodiment, the light source lamp 8
4 is a high-pressure mercury lamp, but the present invention is not limited to this. For example, it may be changed to a halogen lamp, a metal halide lamp, or an ultra-high pressure mercury lamp. Or you may change to the LED light source which consists of a light emitting diode.

また、第１レンズアレイ８５は、光源ランプ８４から入射された平行光を複数の部分光束に分割し、その部分光束を、第１レンズアレイ８５よりも反Ｙ矢印方向側に設けられて光入射側に第２レンズアレイ８６ａを有する偏光変換素子８６に出射する。偏光変換素子８６は、第１レンズアレイ８５から入射された部分光束を、第２レンズアレイ８６ａを介して略一種類の偏光光束（例えば、Ｓ偏光光束）に変換して、その偏光光束を偏光変換素子８６よりも反Ｙ矢印方向側に設けたビームスプリッタ８７に出射するようになっている。 The first lens array 85 divides the parallel light incident from the light source lamp 84 into a plurality of partial light beams, and the partial light beams are provided on the side opposite to the first lens array 85 in the direction of the arrow Y to receive light. The light is emitted to a polarization conversion element 86 having a second lens array 86a on the side. The polarization conversion element 86 converts the partial light beam incident from the first lens array 85 into substantially one type of polarized light beam (for example, S-polarized light beam) via the second lens array 86a, and polarizes the polarized light beam. The light is emitted to a beam splitter 87 provided on the side opposite to the Y direction from the conversion element 86.

ビームスプリッタ８７は、偏光変換素子８６から入射された偏光光束を、直角に反Ｘ矢印方向に反射して、ビームスプリッタ８７よりも反Ｘ矢印方向側に設けた第１ダイクロイックミラー８８に出射する。 The beam splitter 87 reflects the polarized light beam incident from the polarization conversion element 86 in the anti-X arrow direction at a right angle and outputs the reflected light to the first dichroic mirror 88 provided on the anti-X arrow direction side of the beam splitter 87.

第１ダイクロイックミラー８８は、青色（Ｂ）の光ＬＢを反射するとともに、青色の光ＬＢよりも長波長側の色の光（緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）の光ＬＧＲ）を透過するようになっている。従って、ビームスプリッタ８７によって反射されて第１ダイクロイックミラー８８に入射した偏光光束のうち、青色の光ＬＢは直角に反Ｙ矢印方向に反射され、緑色及び赤色の光ＬＧＲは、第１ダイクロイックミラー８８を透過する。 The first dichroic mirror 88 reflects the blue (B) light LB and transmits light having a longer wavelength than the blue light LB (green (G) and red (R) light LGR). It has become. Accordingly, of the polarized light flux reflected by the beam splitter 87 and incident on the first dichroic mirror 88, the blue light LB is reflected at right angles in the anti-Y arrow direction, and the green and red light LGR are reflected on the first dichroic mirror 88. Transparent.

第１ダイクロイックミラー８８よりも反Ｙ矢印方向側に設けられた反射型液晶ライトバルブ９０Ｂは、第１ダイクロイックミラー８８によって反射されて入射される青色の光ＬＢを、プロジェクタ８０に入力された画像信号に基づいて変調して、その変調光を第１ダイクロイックミラー８８に反射させる。 The reflection type liquid crystal light valve 90B provided on the side opposite to the Y arrow direction from the first dichroic mirror 88 receives the blue light LB reflected and incident by the first dichroic mirror 88 as an image signal input to the projector 80. Then, the modulated light is reflected by the first dichroic mirror 88.

一方、第１ダイクロイックミラー８８の右方（反Ｘ矢印方向側）には、第２ダイクロイックミラー９１が設けられている。第２ダイクロイックミラー９１は、赤色の光ＬＲを反射するとともに、緑色の光ＬＧを透過するようになっている。従って、第１ダイクロイックミラー８８を透過した光ＬＧＲのうち、赤色の光ＬＲは第２ダイクロイックミラー９１によって直角にＹ矢印方向に反射されるとともに、緑色の光ＬＧは第２ダイクロイックミラー９１を透過する。 On the other hand, a second dichroic mirror 91 is provided to the right of the first dichroic mirror 88 (on the side opposite to the X arrow). The second dichroic mirror 91 reflects the red light LR and transmits the green light LG. Accordingly, among the light LGR transmitted through the first dichroic mirror 88, the red light LR is reflected by the second dichroic mirror 91 in the direction of the Y arrow at right angles, and the green light LG is transmitted through the second dichroic mirror 91. .

第２ダイクロイックミラー９１よりもＹ矢印方向側に設けられた反射型液晶ライトバルブ９０Ｒは、第２ダイクロイックミラー９１によって反射されて入射される赤色の光ＬＲを、プロジェクタ８０に入力された画像信号に基づいて変調して、その変調光を第２ダイクロイックミラー９１に反射させる。 The reflective liquid crystal light valve 90R provided on the Y arrow direction side of the second dichroic mirror 91 converts the red light LR reflected and incident by the second dichroic mirror 91 into an image signal input to the projector 80. Based on the modulation, the modulated light is reflected by the second dichroic mirror 91.

また、第２ダイクロイックミラー９１よりも反Ｘ矢印方向側に設けられた反射型液晶ライトバルブ９０Ｇは、第２ダイクロイックミラー９１を透過して入射する緑色の光ＬＧを、プロジェクタ８０に入力された画像信号に基づいて変調して、その変調光を第２ダイクロイックミラー９１に反射させる。 In addition, the reflective liquid crystal light valve 90G provided on the side opposite to the X arrow direction from the second dichroic mirror 91 is an image in which the green light LG transmitted through the second dichroic mirror 91 is input to the projector 80. Modulation is performed based on the signal, and the modulated light is reflected by the second dichroic mirror 91.

なお、第１ダイクロイックミラー８８及び第２ダイクロイックミラー９１は、各反射型液晶ライトバルブ９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇからそれぞれ入射される各変調光を、ビームスプリッタ８７よりもＸ矢印方向に設けた投写レンズ９２に出射するようになっている。そして、投写レンズ９２は、第１ダイクロイックミラー８８及び第２ダイクロイックミラー９１から入射される変調光の表す画像をプロジェクタ８０よりもＸ矢印方向側に設けられるスクリーン９４に拡大投写するようになっている。 Note that the first dichroic mirror 88 and the second dichroic mirror 91 are each a projection lens 92 provided with modulated light incident from the respective reflective liquid crystal light valves 90B, 90R, and 90G in the X arrow direction from the beam splitter 87. The light is emitted. The projection lens 92 enlarges and projects an image represented by the modulated light incident from the first dichroic mirror 88 and the second dichroic mirror 91 onto a screen 94 provided on the X arrow direction side of the projector 80. .

次に、本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、画素電極Ｐの下方に配設された遮光膜６０の上面６０ａであって各画素電極Ｐ間に形成される間隙部７０に対向する位置に、Ｘ方向に延設されてＹ方向に並設される複数の第１溝部６１ａと、Ｙ方向に延設されてＸ方向に並設される複数の第２溝部６１ｂとを形成した。この第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂによって、対向基板３側から入射されて間隙部７０から素子基板２内に侵入する入射光Ｌを乱反射させ散乱させることができる。従って、従来例のように遮光膜６０の上面６０ａが平坦な場合に比べて、遮光膜６０（第１溝部６１ａ及び第２溝部６１ｂ）で入射光Ｌを大幅に減衰させることができる。さらに、溝部６１内で乱反射及び散乱が繰り返されることによって、溝部６１が入射光Ｌを吸収することもできる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ２０に侵入するリーク光を低減させることができ、反射型液晶表示装置１の光リーク電流の発生を簡便に抑制することができる。また、遮光膜６０に溝部６１を形成するため、第２反射型液晶表示装置１２０の第３導電層１２１等が増加されないことから、反射型液晶表示装置１の製造コストを低減することができる。 Next, the effect of this embodiment is described below.
(1) According to this embodiment, in the X direction, on the upper surface 60a of the light shielding film 60 disposed below the pixel electrode P and at a position facing the gap 70 formed between the pixel electrodes P. A plurality of first groove portions 61a extended and arranged in parallel in the Y direction, and a plurality of second groove portions 61b extended in the Y direction and arranged in parallel in the X direction were formed. By the first groove portion 61a and the second groove portion 61b, the incident light L incident from the counter substrate 3 side and entering the element substrate 2 from the gap portion 70 can be irregularly reflected and scattered. Therefore, compared with the case where the upper surface 60a of the light shielding film 60 is flat as in the conventional example, the incident light L can be greatly attenuated by the light shielding film 60 (the first groove portion 61a and the second groove portion 61b). Furthermore, the irregular reflection and scattering are repeated in the groove 61, so that the groove 61 can absorb the incident light L. Therefore, the leak light entering the MOSFET 20 can be reduced, and the generation of the light leak current of the reflective liquid crystal display device 1 can be easily suppressed. Further, since the groove portion 61 is formed in the light shielding film 60, the third conductive layer 121 and the like of the second reflective liquid crystal display device 120 are not increased, so that the manufacturing cost of the reflective liquid crystal display device 1 can be reduced.

（２）本実施形態によれば、溝部６１を、各画素電極Ｐ間の間隙部７０に対向する位置にのみ設けた。これによって、溝部６１を形成する際のマスクのパターン形状を単純にすることができる。 (2) According to the present embodiment, the groove 61 is provided only at a position facing the gap 70 between the pixel electrodes P. Thereby, the pattern shape of the mask when forming the groove 61 can be simplified.

（３）本実施形態によれば、反射型液晶表示装置１をプロジェクタ８０の反射型液晶ライトバルブ９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇとして利用した。この反射型液晶ライトバルブ９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇは、遮光膜６０の溝部６１によって光リーク電流が抑制されているため、画素電極Ｐの電位変動を好適に抑制することができる。従って、フリッカーや焼き付きを好適に抑制することができるため、画像の表示品質を向上させることができる。 (3) According to the present embodiment, the reflective liquid crystal display device 1 is used as the reflective liquid crystal light valves 90B, 90R, 90G of the projector 80. In the reflection type liquid crystal light valves 90B, 90R, and 90G, the light leakage current is suppressed by the groove portion 61 of the light shielding film 60, so that the potential fluctuation of the pixel electrode P can be preferably suppressed. Therefore, flicker and image sticking can be suitably suppressed, and the display quality of the image can be improved.

なお、上記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態では、遮光膜６０の上面６０ａであって各画素電極Ｐ間に形成される間隙部７０に対向する位置に、溝部６１を形成した。これに限らず、例えば間隙部７０に対向する位置に限らず、例えば遮光膜６０の上面６０ａ全体にわたって溝部６１を形成するようにしてもよい。また、遮光膜６０の上面６０ａに加えて遮光膜６０の下面にも溝部を設けるようにしてもよい。 In addition, you may change the said embodiment into the following aspects.
In the above embodiment, the groove portion 61 is formed on the upper surface 60a of the light shielding film 60 at a position facing the gap portion 70 formed between the pixel electrodes P. For example, the groove portion 61 may be formed over the entire upper surface 60 a of the light shielding film 60 without being limited to the position facing the gap portion 70. In addition to the upper surface 60 a of the light shielding film 60, a groove may be provided on the lower surface of the light shielding film 60.

あるいは、図８に示すように、導電層を構成する第１中継端子４８の上面であって、少なくとも第２中継端子５６と遮光膜６０との間に形成される間隙部５８ａ，５８ｂに対向する位置に溝部９８を形成するようにしてもよい。また、溝部６１及び溝部９８を２つとも形成するようにしてもよい。 Alternatively, as shown in FIG. 8, the upper surface of the first relay terminal 48 constituting the conductive layer is opposed to at least gaps 58 a and 58 b formed between the second relay terminal 56 and the light shielding film 60. You may make it form the groove part 98 in a position. Moreover, you may make it form both the groove part 61 and the groove part 98. FIG.

また、遮光膜６０及び第２中継端子５６を省略して、各画素電極Ｐ間の間隙部７０に対向するように第１中継端子４８を形成し、少なくともその第１中継端子４８の上面であって間隙部７０に対向する位置に溝部を形成するようにしてもよい。 Further, the light shielding film 60 and the second relay terminal 56 are omitted, and the first relay terminal 48 is formed so as to face the gap 70 between the pixel electrodes P, and at least the upper surface of the first relay terminal 48 is formed. Thus, a groove portion may be formed at a position facing the gap portion 70.

・上記実施形態では、各画素電極Ｐ間に形成される間隙部７０に対向する乱反射部としての溝部６１を、Ｘ方向に延設されてＹ方向に並設される複数の第１間隙部６１ａと、Ｙ方向に延設されてＸ方向に延設される複数の第２間隙部６１ｂとから構成したが、溝部６１の形状は特に制限されない。例えば図７に示すように、間隙部７０と対向する遮光膜６０の上面６０ａに、Ｘ方向に延設される格子状の第１凹部９５ａと、Ｙ方向に延設される格子状の第２凹部９５ｂとを形成するようにしてもよい。または、平面多角形状（例えば、四角形状）のくぼみが多数形成されるようにしてもよい。あるいは、遮光膜６０の上面６０ａを粗面にして、遮光膜６０の上面６０ａを凹凸状にしてもよい。 In the above embodiment, the groove portions 61 as the irregular reflection portions facing the gap portions 70 formed between the pixel electrodes P are extended in the X direction and arranged in parallel in the Y direction. And a plurality of second gap portions 61b extending in the Y direction and extending in the X direction, the shape of the groove portion 61 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 7, a lattice-shaped first recess 95a extending in the X direction and a lattice-shaped second extending in the Y direction are formed on the upper surface 60a of the light shielding film 60 facing the gap portion 70. The recess 95b may be formed. Alternatively, a large number of planar polygonal (for example, rectangular) indentations may be formed. Alternatively, the upper surface 60a of the light shielding film 60 may be rough and the upper surface 60a of the light shielding film 60 may be uneven.

・上記実施形態では、溝部６１の垂直断面形状を矩形状（図２参照）に形成したが、これに限らず、例えば扇形状及び三角形状に形成するようにしてもよい。また、この場合には、例えば三角形の頂点が第２層間絶縁層５２まで到達するようにエッチングを行ってもよい。 In the above embodiment, the vertical cross-sectional shape of the groove portion 61 is formed in a rectangular shape (see FIG. 2). However, the shape is not limited to this, and the groove portion 61 may be formed in a fan shape and a triangular shape, for example. In this case, for example, the etching may be performed so that the apex of the triangle reaches the second interlayer insulating layer 52.

・上記実施形態では、溝部６１の深さを遮光膜６０の上面６０ａから略１００ｎｍにしたが、この深さに特に制限されない。
・上記実施形態では、間隙部５８ａ，５８ｂを形成するエッチング工程と、溝部６１を形成するハーフエッチング工程を別々に行ったが、この２つの工程を同時に行うようにしてもよい。これによって、製造工程を増加させずに簡便に光リーク電流の発生を抑制することができる。 In the above-described embodiment, the depth of the groove 61 is set to about 100 nm from the upper surface 60a of the light shielding film 60. However, the depth is not particularly limited.
In the above embodiment, the etching process for forming the gaps 58a and 58b and the half etching process for forming the groove 61 are performed separately, but these two processes may be performed simultaneously. As a result, the occurrence of light leakage current can be easily suppressed without increasing the number of manufacturing steps.

・上記実施形態では、ドレインＤ（ドレイン電極３２）にデータ線１２を、ソースＳ（ソース電極３６）に各中継端子４８，５６及び各接続プラグ５４，６４を介して画素電極Ｐを接続するようにしたが、このドレインＤとソースＳとを入れ替えてもよい。すなわち、ソースＳ（ソース電極３６）にデータ線１２を、ドレインＤ（ドレイン電極３２）に各中継端子４８，５６及び各接続プラグ５４，６４を介して画素電極Ｐを接続してもよい。 In the above embodiment, the data line 12 is connected to the drain D (drain electrode 32), and the pixel electrode P is connected to the source S (source electrode 36) via the relay terminals 48 and 56 and the connection plugs 54 and 64. However, the drain D and the source S may be interchanged. That is, the data line 12 may be connected to the source S (source electrode 36), and the pixel electrode P may be connected to the drain D (drain electrode 32) via the relay terminals 48 and 56 and the connection plugs 54 and 64.

・上記実施形態では、素子基板をＰ型半導体で形成するようにしたが、ｎ型半導体で形成するようにしてもよい。なお、この場合、ウエル領域２２を高不純物濃度のｎ型不純物で構成し、ドレイン領域３０を高不純物濃度のｐ型不純物で構成してソース領域３４を高不純物濃度のｐ型不純物で構成する。 In the above embodiment, the element substrate is formed of a P-type semiconductor, but may be formed of an n-type semiconductor. In this case, the well region 22 is composed of a high impurity concentration n-type impurity, the drain region 30 is composed of a high impurity concentration p-type impurity, and the source region 34 is composed of a high impurity concentration p-type impurity.

・上記実施形態では、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴに具体化したが、これに限らず、例えばＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ)、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ
ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ）等で構成するようにしてもよい。 In the above embodiment, the switching element is embodied as a MOSFET, but the present invention is not limited to this. For example, a TFT (Thin Film Transistor), TFD (Thin)
(Film Diode) or the like.

・本実施形態における反射型液晶表示装置１は、白黒用の反射型液晶表示装置として利用してもよく、対向基板３の上面にカラーフィルタを設けてカラー用の反射型液晶表示装置として利用してもよい。 The reflective liquid crystal display device 1 in the present embodiment may be used as a black and white reflective liquid crystal display device, or provided as a color reflective liquid crystal display device by providing a color filter on the upper surface of the counter substrate 3. May be.

・本実施形態では、反射型液晶表示装置１をプロジェクタ８０の反射型液晶ライトバルブ９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇとして利用したが、これに限らず、例えば時計、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、電卓等の電子機器の画像表示装置として利用してもよい。 In the present embodiment, the reflective liquid crystal display device 1 is used as the reflective liquid crystal light valves 90B, 90R, and 90G of the projector 80. However, the present invention is not limited to this. For example, a clock, personal computer, liquid crystal television, car navigation device, calculator You may utilize as an image display apparatus of electronic devices, such as.

本実施形態における反射型液晶表示装置を説明するための概略斜視図。1 is a schematic perspective view for explaining a reflective liquid crystal display device according to an embodiment. 同じく、反射型液晶表示装置を説明するための拡大断面図。Similarly, the expanded sectional view for demonstrating a reflection type liquid crystal display device. 同じく、各画素の画素回路の回路構成を説明するための平面図。Similarly, the top view for demonstrating the circuit structure of the pixel circuit of each pixel. 同じく、画素電極と溝部とを説明するための平面図。Similarly, the top view for demonstrating a pixel electrode and a groove part. （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための拡大断面図。(A), (b), (c), (d) is an expanded sectional view for demonstrating the manufacturing method of a reflection type liquid crystal display device, respectively. 同じく、プロジェクタを説明するための平面図。Similarly, the top view for demonstrating a projector. 別例における画素電極と溝部とを説明するための平面図。The top view for demonstrating the pixel electrode and groove part in another example. 別例における反射型液晶表示装置を説明するための拡大断面図。The expanded sectional view for demonstrating the reflection type liquid crystal display device in another example. 従来例における反射型液晶表示装置を説明するための拡大断面図。The expanded sectional view for demonstrating the reflection type liquid crystal display device in a prior art example. 従来例における反射型液晶表示装置を説明するための拡大断面図。The expanded sectional view for demonstrating the reflection type liquid crystal display device in a prior art example.

Explanation of symbols

Ｃ…保持容量部、Ｅ…液晶、Ｇ…ゲート、Ｄ…ドレイン、Ｓ…ソース、Ｐ…画素電極、Ｌ…入射光、Ｈ１〜Ｈ５…第１〜第５コンタクトホール、１…反射型液晶表示装置、２…素子基板、３…対向基板、１２…データ線、１４…走査線、２０…スイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴ、４８…第１中継端子、５４…第１接続プラグ、５６…第２中継端子、５８ａ，５８ｂ，７０…間隙部、６０…遮光膜、６０ａ…上面、６１，９８…乱反射部を構成する溝部、６１ａ…乱反射部を構成する第１溝部、６１ｂ…乱反射部を構成する第２溝部、６４…第２接続プラグ、７２…対向電極、８０…プロジェクタ、８２…照明光学系、９０Ｂ，９０Ｒ，９０Ｇ…反射型液晶ライトバルブ、９２…投写レンズ、９５ａ…乱反射部を構成する第１凹部、９５ｂ…乱反射部を構成する第２凹部。 C: holding capacitor, E: liquid crystal, G: gate, D: drain, S ... source, P ... pixel electrode, L: incident light, H1 to H5 ... first to fifth contact holes, 1 ... reflective liquid crystal display Device: 2 ... Element substrate, 3 ... Counter substrate, 12 ... Data line, 14 ... Scanning line, 20 ... MOSFET as switching element, 48 ... First relay terminal, 54 ... First connection plug, 56 ... Second relay terminal , 58a, 58b, 70 ... gap part, 60 ... light shielding film, 60a ... upper surface, 61,98 ... groove part constituting the irregular reflection part, 61a ... first groove part constituting the irregular reflection part, 61b ... second constituting the irregular reflection part. Groove, 64 ... second connection plug, 72 ... counter electrode, 80 ... projector, 82 ... illumination optical system, 90B, 90R, 90G ... reflection type liquid crystal light valve, 92 ... projection lens, 95a ... first constituting the irregular reflection part Recess, 95 ... second recess constituting the irregular reflection portion.

Claims

A plurality of pixel electrodes having light reflectivity are formed in a matrix on a substrate, and a switching element is electrically connected to each pixel electrode so that a voltage is applied from the switching element. Type LCD substrate
An uneven diffuse reflection part for irregularly reflecting the light to a light shielding film formed on the substrate side of the pixel electrode in order to shield light incident from a gap formed between adjacent pixel electrodes. A reflection type liquid crystal display substrate characterized by comprising:

Pixel electrodes are formed in a matrix on a substrate, and switching elements are formed corresponding to the pixel electrodes. The switching elements are connected to the pixel electrodes via connection lines formed in contact holes of a conductive layer and an insulating layer. In a reflective liquid crystal display substrate configured to be electrically connected to the pixel electrode and applied with a voltage through the switching element,
A light shielding film is formed on the substrate side of the pixel electrode in order to shield light incident from a gap formed between adjacent pixel electrodes, and incident from a gap formed between the adjacent light shielding films. A reflection type liquid crystal display substrate characterized in that an irregular diffuse reflection portion for irregularly reflecting the light is formed in a conductive layer formed on the substrate side of the light shielding film in order to shield the light to be emitted .

The reflective liquid crystal display substrate according to claim 1 or 2,
The reflection type liquid crystal display substrate, wherein the irregular reflection portion is formed by recessing a number of depressions.

The reflective liquid crystal display substrate according to claim 1 or 2,
The irregular liquid crystal display, wherein the irregular reflection portion is formed by recessing a plurality of first groove portions extending in a first direction and a plurality of second groove portions extending in a second direction. substrate.

The reflective liquid crystal display substrate according to claim 1 or 2,
The irregular reflection portion is formed by forming a grid-like first recess extending in the first direction and a grid-like second recess extending in the second direction. Liquid crystal display substrate.

In the reflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 5,
The reflection type liquid crystal display substrate, wherein the irregular reflection portion is formed at a position facing the gap portion.

A liquid crystal is sealed between the reflective liquid crystal display substrate according to any one of claims 1 to 6 and a counter substrate on which a common electrode facing the pixel electrode is formed, and the reflective liquid crystal display substrate A reflective liquid crystal display device, wherein the counter substrate and the counter substrate are bonded together.

An electronic apparatus comprising the reflective liquid crystal display device according to claim 7.

A light source, a reflective liquid crystal display device according to claim 7 that modulates and reflects light from the light source, and a projection optical means that condenses and projects the light modulated by the reflective liquid crystal display device. A projection-type display device comprising: