JP2007171337A - 共通電位反転回路及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】共通電位の振幅の増大を実現し、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置を実現する。
【解決手段】Ｈレベル電位及びＬレベル電位を供給する振幅電位供給手段５と、基準電位供給手段６とを有し、コンデンサ７を介して出力部に接続された振幅電位供給手段と並列に基準電位供給手段が接続されると共に、基準電位供給手段は、第２の外部端子１３と、出力波形の平均電位を供給する第２のオペアンプ１４と、第２の外部端子と第２のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に設けられた第２の負保護ダイオード１６とを備える共通電位反転回路４において、第２の外部端子と第２の負保護ダイオードとの間に抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３を設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は共通電位反転回路及び液晶表示装置に関する。詳しくは、液晶の共通電位の正転及び反転を行なう共通電位反転回路及びこうした共通電位反転回路を用いた液晶表示装置に関する。

近年、液晶表示装置は、ワープロ、パソコンなどの各種ディスプレイ、ビデオカメラなどの電子ビューファインダーやプロジェクションテレビ、車載テレビなど多くの分野で実用化が進んでいる。

ここで、液晶表示装置では、一定方向の電界を長時間印加し続けると液晶が焼きつき、特性が劣化してしまうために、入力画像信号を一定周期毎に反転させる交流駆動を行なっており、即ち、液晶の共通電位を中心として正負が切り替わる信号を入力しており、入力画像信号の極性を反転させると同時に液晶の共通電位を反転する共通電位反転回路が提案されていた（例えば、特許文献１参照。）。

以下、従来の共通電位反転回路について説明する。
図３は従来の共通電位反転回路を説明するための模式図であり、ここで示す共通電位反転回路１０１は、ハイレベル（以下、Ｈレベルと言う）電位とローレベル（以下、Ｌレベルと言う）電位を供給する振幅電位供給手段１０２と、出力波形（出力部（ＬＣＤパネル１０５のＣＯＭ入力）から出力される波形）の平均電位を供給する基準電位供給手段１０３とを備え、コンデンサ１０４を介して出力部に接続された振幅電位供給手段と基準電位供給手段とがＬＣＤパネルのＣＯＭ入力前に接続され双方の信号が重畳するように構成されている。

上記した振幅電位供給手段１０２は、振幅電位供給手段用外部端子（以下、「第１の外部端子」という）１０６と、この第１の外部端子と第１のオペアンプ１０７を介して接続されたスイッチ回路（ここでは一例としてＣＭＯＳ型のトランジスタを用いた）１０８とを有する。ここで、ＣＭＯＳ型トランジスタは、出力波形のＨレベル電位を供給する電圧ＶＨと、出力波形のＬレベル電位を供給する電圧ＶＬ（＝接地電位）とに接続されており、図３中符合ＦＲＰで示す外部入力の制御（Ｈ毎の反転の場合は１Ｈに一回、フィールド毎の反転の場合はフィールド毎に１回反転させる信号が入力される）により上記スイッチ回路を切換えて電圧ＶＨが供給するＨレベル電位若しくは電圧ＶＬが供給するＬレベル電位を第１のオペアンプ側に供給する様に構成されている。
なお、振幅電位供給手段を静電気や他の周辺接続機器からの高電圧となるノイズから保護すべく、第１の外部端子と第１のオペアンプとを接続する配線と電源電圧供給源との間に第１の正保護ダイオード１０９が設けられ、第１の外部端子と第１のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に第１の負保護ダイオード１１０が設けられている。

また、上記した基準電位供給手段１０３は、基準電位供給手段用外部端子（以下、「第２の外部端子」という）１１１と、この第２の外部端子と図３中符合Ｒ１で示す抵抗（以下、「抵抗Ｒ１」という）を介して接続された第２のオペアンプ１１３を有する。ここで、第２のオペアンプは、出力波形の平均電位を供給する電圧Ｖｄｃに接続されている。
なお、基準電位供給手段を静電放電や他の電圧誘因過度パルスから保護すべく、第２の外部端子と抵抗Ｒ１とを接続する配線と電源電圧供給源との間に第２の正保護ダイオード１１４が設けられ、第２の外部端子と抵抗Ｒ１とを接続する配線と接地電位との間に第２の負保護ダイオード１１５が設けられている。
更に、未使用時に基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとすべく、第２の外部端子と抵抗Ｒ１とを接続する配線と接地電位との間に、抵抗１１６とＭＯＳ型トランジスタ１１７とが直列に接続されている。なお、抵抗１１６及びＭＯＳ型トランジスタは第２の正保護ダイオード及び第２の負保護ダイオードと抵抗Ｒ１の間に設けられている。

上記の様に構成された共通電位反転回路では、第２のオペアンプから供給された平均電位レベルを中心とし、その振幅がＣＭＯＳ型トランジスタから供給されるＨレベル電位とＬレベル電位との電位差である共通電位を得ることができる。

特開２００４−２１９８８６号公報

ところで、液晶表示装置は、共通電位を基準電位として入力画像信号との電位差に基づいてＬＣＤパネルの透過率を変化させ、こうしたＬＣＤパネルの透過率の変化によって画像表示を行なっているために、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置の実現には、共通電位の振幅をできるだけ大きくする必要があり、共通電位の振幅をできるだけ大きくすることが求められていた。

ここで、第２のオペアンプから供給される平均電位レベル及びＣＭＯＳ型トランジスタから供給されるＨレベル電位とＬレベル電位の設定値によっては、第２の外部端子に印加される電圧が負電圧となるのであるが（例えば、第２のオペアンプから供給される平均電位が１．０Ｖであり、ＣＯＭＳ型トランジスタから供給されるＨレベル電位が４．５Ｖである場合には、１．０Ｖを中心として、２．２５Ｖ（＝４．５Ｖ／２）の振幅を有する共通電位、即ち、−１．２５Ｖ〜３．２５Ｖの振幅を有する共通電位となり、第２の外部端子に−１．２５Ｖの負電圧が印加されるのであるが）、第２の外部端子にダイオードのビルトイン電圧（約−０．７Ｖ）以下の負電圧が印加された場合には、ダイオード特性から第２の負保護ダイオードがオンの状態となってしまって、接地電位から第２の外部端子側に向けてリーク電流が発生する。そして、この流出電流が第２の外部端子の電圧値の上昇を招き、第２の外部端子へのダイオードの拡散電圧以下の負電圧の印加が制限されてしまう。

また、図３で示す様に、未使用時に基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとすべく、第２の外部端子と抵抗Ｒ１とを接続する配線と接地電位との間に、抵抗とＭＯＳ型トランジスタとを直列に接続すると、ＭＯＳ型トランジスタのソース電圧及びゲート電圧が接地電位となるために、第２の外部端子に印加される電圧が負電圧となった場合には、ＭＯＳ型トランジスタのドレインにそのままの負電圧が印加され、ＭＯＳ型トランジスタが逆向きにオン状態となって、接地電位から第２の外部端子側に向けて流出電流が発生する。そして、この流出電流が第２の外部端子の電圧値の上昇を招き、第２の外部端子への負電圧の印加が制限されてしまう。

この様に、接地電位から第２の外部端子側に向けて発生する流出電流のために、第２の外部端子への負電圧の印加が制限されてしまい、結果として共通電位の基準電圧が下げられないため振幅を大きく出来ない。

なお、電圧ＶＨを大きくすることによって共通電位の振幅を大きくすることもできなくはないものの、電圧ＶＨを大きくした場合には消費電力をも増加してしまうために、電圧ＶＨを大きくすることによって共通電位の振幅を大きくするといった方法は必ずしも適当な方法とは言えない。

本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであって、共通電位の振幅の増大を実現することができる共通電位反転回路及びこうした共通電位反転回路を用いた液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

上記の目的を達成するために、本発明に係る共通電位反転回路では、ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段と、基準電位供給手段とを有し、コンデンサを介して出力部に接続された前記振幅電位供給手段と並列に前記基準電位供給手段が接続されると共に、前記基準電位供給手段は、前記出力部と接続された外部端子と、該外部端子と配線を介して接続され、同外部端子に所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段本体と、前記配線と所定電位供給源との間に設けられた保護ダイオードとを備える共通電位反転回路において、前記外部端子と前記保護ダイオードとの間に第１の抵抗が形成されている。

ここで、外部端子と保護ダイオードとの間に第１の抵抗を形成することによって、外部端子に印加される電圧よりも減衰された電圧が保護ダイオードに印加されることとなり、所定電位供給源から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができる。

以下、この点について詳細に説明する。なお、振幅電位供給手段から基準電位供給手段の外部端子に電圧が印加されることとなるのであるが、保護ダイオードの一端に印加された所定電位供給源との電位差が保護ダイオードの拡散電圧よりも大きくなるような負電圧が外部端子に印加されたことを前提として説明を行う。
［１］第１の抵抗が形成されていない場合
外部端子と保護ダイオードとの間に第１の抵抗が形成されていない場合には、外部端子に印加された負電圧がそのまま保護ダイオードに印加されることとなり、即ち、保護ダイオードの両端に保護ダイオードの拡散電圧よりも大きな電圧が印加されることとなり、所定電位供給源から外部端子側に向けての流出電流が発生してしまう。
［２］第１の抵抗が形成された場合
一方、外部端子と保護ダイオードとの間に第１の抵抗が形成されている場合には、外部端子に印加された負電圧がそのまま保護ダイオードに印加されるのではなく、第１の抵抗で減衰された電圧が保護ダイオードに印加されることとなり、この減衰によって保護ダイオードの一端に印加された所定電位供給源との電位差が保護ダイオードの拡散電圧以下となり、所定電位供給源から外部端子側に向けての流出電流は発生しない。

従って、外部端子と保護ダイオードとの間に形成された第１の抵抗により外部端子に印加された負電圧を減衰することによって、保護ダイオードの両端に印加される電圧が保護ダイオードの拡散電圧以下となり、所定電位供給源から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができるのである。

また、共通電位反転回路が、一端が配線と接続されると共に、他端が接地電位に接続されたトランジスタを備える場合には、外部端子と前記トランジスタとの間に第２の抵抗を形成することによって、外部端子に印加される電圧よりも減衰された電圧がトランジスタに印加されることとなり、接地電位から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができる。

以下、この点について詳細に説明する。
［１］第２の抵抗が形成されていない場合
外部端子とトランジスタとの間に第２の抵抗が形成されていない場合には、外部端子に印加された負電圧がそのままトランジスタに印加さることとなり、即ち、トランジスタの接地されている端部とは反対側の端部に負電圧が印加されることとなり、接地電位から外部端子側に向けての流出電流が発生してしまう。
［２］第２の抵抗が形成された場合
一方、外部端子とトランジスタとの間に第２の抵抗が形成されている場合には、外部端子に印加された負電圧がそのままトランジスタに印加されるのではなく、第２の抵抗で減衰された電圧がトランジスタに印加されることとなり、この減衰によってトランジスタの接地されている端部とは反対側の端部には正電圧が印加されることとなり、接地電位から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができる。

従って、外部端子とトランジスタとの間に形成された第２の抵抗で外部端子に印加された負電圧を減衰することによって、トランジスタの接地されている端部とは反対側の端部には正電位が印加されることとなり、接地電位から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができるのである。
なお、上記した第１の抵抗での減衰によって、トランジスタの接地されている端部とは反対側の端部に正電圧を印加することができる場合には、第１の抵抗が第２の抵抗を兼ねることができることとなる。

また、上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、液晶パネルと、該液晶パネルに供給される共通電位の正転及び反転を行なう共通電位反転回路とを備える液晶表示装置において、前記共通電位反転回路は、ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段と、基準電位供給手段とを有し、コンデンサを介して出力部に接続された前記振幅電位供給手段と並列に前記基準電位供給手段が接続されると共に、前記基準電位供給手段は、前記出力部と接続された外部端子と、該外部端子と配線を介して接続され、同外部端子に所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段本体と、前記配線と接地電位との間に設けられた保護ダイオードと、前記外部端子と前記保護ダイオードとの間に形成された第１の抵抗とを備える。

ここで、外部端子と保護ダイオードとの間に形成された第１の抵抗によって、外部端子に印加される電圧よりも減衰された電圧が保護ダイオードに印加されることとなり、接地電位から外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができる。

本発明を適用した共通電位反転回路及び液晶表示装置では、共通電位の振幅の増大が実現し、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置の実現が可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式図であり、ここで示す液晶表示装置１は、液晶パネル（ＬＣＤパネル）２及びこのＬＣＤパネルに共通電位及び入力画像信号を供給するドライバＩＣ３から構成されている。
ドライバＩＣは、共通電位反転回路４を備えており、ここで示す共通電位反転回路は上記した従来の共通電位反転回路と同様に、Ｈレベル電位とＬレベル電位を供給する振幅電位供給手段５と、出力波形の平均電位を供給する基準電位供給手段６とを備え、コンデンサ７を介して出力部に接続された振幅電位供給手段と基準電位供給手段とが並列になる様に構成されている。

上記した振幅電位供給手段は、第１の外部端子８と、この第１の外部端子と第１のオペアンプ９を介して接続されたＣＭＯＳ型トランジスタ１０とを有する。ここで、ＣＭＯＳ型トランジスタは、出力波形のＨレベル電位を供給する電圧ＶＨと、出力波形のＬレベル電位を供給する電圧ＶＬ（＝接地電位）とに接続されており、レベルシフト回路（図示せず）を介して入力される図１中符合ＦＲＰで示す駆動パルスに応じて電圧ＶＨが供給するＨレベル電位若しくは電圧ＶＬが供給するＬレベル電位を第１のオペアンプ側に供給する様に構成されている。
また、振幅電位供給手段を静電放電や他の電圧誘因過度パルスから保護すべく、第１の外部端子と第１のオペアンプとを接続する配線と電源電圧供給源との間に第１の正保護ダイオード１１が設けられ、第１の外部端子と第１のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に第１の負保護ダイオード１２が設けられている。

ここで、ＣＭＯＳ型トランジスタは、第１のオペアンプ側に供給する電位レベルを、電圧ＶＨが供給するＨレベル電位若しくは電圧ＶＬが供給するＬレベル電位に切替えることができれば充分であって、必ずしもトランジスタである必要は無く、いかなる切替手段であっても構わない。

上記した基準電位供給手段は、第２の外部端子１３と、この第２の外部端子と図１中符合Ｒ３で示す抵抗（以下、「抵抗Ｒ３」という）及び図１中符合Ｒ２で示す抵抗（以下、「抵抗Ｒ２」という）を介して接続された第２のオペアンプ１４を有する。なお、第２の外部端子側から順に抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ２が設けられており、第２のオペアンプは、出力波形の平均電位を供給する電圧Ｖｄｃに接続されている。
また、基準電位供給手段を静電放電や他の電圧誘因過度パルスから保護すべく、第２の外部端子と抵抗Ｒ３とを接続する配線と電源電圧供給源との間に第２の正保護ダイオード１５が設けられ、抵抗Ｒ２と第２のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に第２の負保護ダイオード１６が設けられている。
更に、未使用時に基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとすべく、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３を接続する配線と接地電位との間に、ＭＯＳ型トランジスタ１７が設けられている。なお、ここでのＭＯＳ型トランジスタは、トランジスタの一例である。
上記した抵抗Ｒ３は、第２の外部端子に負電圧が印加されたとしてもＭＯＳ型トランジスタに負電圧が印加されない程度の減衰を生じる抵抗値を有するものであり、即ち、第２の外部端子に負電圧が印加されたとしてもＭＯＳ型トランジスタが接続された接地電位から第２の外部端子側に流出電流が発生しない程度に第２の外部端子に印加された負電圧を減衰できる抵抗値を有するものである。
また、抵抗Ｒ２は、抵抗Ｒ３と共に、第２の外部端子に負電圧が印加されたとしても第２の負保護ダイオードに印加される電圧が、同第２の負保護ダイオードの拡散電圧未満の電圧となる様な減衰を生じる抵抗値を有するものであり、即ち、抵抗Ｒ３と共に、第２の外部端子に負電圧が印加されたとしても第２の負保護ダイオードが接続された接地電位から第２の外部端子側に流出電流が発生しない程度に第２の外部端子に印加された負電圧を減衰できる抵抗値を有するものである。

ここで、第２の外部端子と第２の負保護ダイオードの間に抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３を設けているのは、第２の外部端子に印加された負電圧を抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３で減衰し、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３で減衰した電圧を第２の負保護ダイオードに印加する様に構成することによって、第２の負保護ダイオードのカソード側に印加される負電圧を減少するためであり、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３は第２の負保護ダイオードのカソード側に印加される負電圧を減少させることができれば充分であり、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）で示す様に、第２の外部端子と第２のオペアンプを図２中符合Ｒ４で示す抵抗（以下、「抵抗Ｒ４」という）（抵抗Ｒ４：抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３の合成抵抗）を介して接続し、抵抗Ｒ４と第２のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に第２の負保護ダイオードを設けても良い。
なお、抵抗Ｒ４によって第２の負保護ダイオードのカソード側に印加される負電圧を減少させるということのみを考えると、例えば、図２（ｄ）で示す様に、第２の外部端子と抵抗Ｒ４とを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳ型トランジスタを設ける構成も考えられるものの、かかる構成の場合には、第２の外部端子に印加された負電圧がそのままＭＯＳ型トランジスタに印加されることとなり、ＭＯＳ型トランジスタが接続された接地電位から第２の外部端子側に向けての流出電流が発生することとなるので、第２の外部端子と抵抗Ｒ４とを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳ型トランジスタを設ける構成は適当ではない。

本発明を適用した液晶表示装置では、第２の外部端子側に向けての流出電流の発生が無く、流出電流に起因する第２の外部端子への負電圧の印加が制限されない。従って、共通電位の振幅を大きくすることが可能であり、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置が実現する。
以下、この点について詳細に説明を行う。

［１］第２の負保護ダイオードに関して
Ｖｄｃは常に正の（＋の）ＤＣ電位であり、つまり図１の第２のオペアンプ１４への入力は常に正であるが、振幅電位供給手段の電位が重畳するためにＣＭＯＳの入力は負になる場合がある。そして、ＣＭＯＳの入力電位は第２の外部端子に印加される電位と同電位となるために、第２の外部端子に負電圧が印加されることがある。
ここで、第２の負保護ダイオードが抵抗Ｒ２と第２のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間に設けられているために、即ち、第２の外部端子に印加された負電圧は抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ２を介して第２の負保護ダイオードに印加されることとなるために、負保護ダイオードのカソード側へは第２の外部端子に印加された負電圧がそのまま印加されるのではなく、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ２で減衰された電圧が印加されることとなる。そして、この減衰によって第２の負保護ダイオードのカソード側に印加される負電圧が減少し、接地電位から第２の外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができることとなる。
従って、上記した様に、共通電位の振幅を大きくでき、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置が実現するのである。

［２］ＭＯＳ型トランジスタに関して
また、第２の外部端子とＭＯＳ型トランジスタとの間に抵抗Ｒ３が設けられているために、第２の外部端子に印加された負電圧がそのままＭＯＳ型トランジスタに印加されることがなく、接地電位から第２の外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができる。Ｒ２：Ｒ３の抵抗比を例えば１０：１程度にしておくことによって、正のＤＣ電位に重畳する負電位の成分を抵抗分圧の調整によりトランジスタのドレイン電位（Ｒ２とＲ３間配線電位）では負電位にならないように設定できる。負の上記した従来の共通電位反転回路と比較すると、第２の外部端子とＭＯＳ型トランジスタとの間に設けられていた第２の負保護ダイオードが、ＭＯＳ型トランジスタと第２のオペアンプとの間に移動した様な構成を採っているために、第２の外部端子に負電圧が印加された場合に、第２の負保護ダイオードでＭＯＳ型トランジスタに印加される電圧を減衰することができないこととなる。しかし、第２の外部端子とＭＯＳ型トランジスタとの間に抵抗Ｒ３が設けられることによって、第２の外部端子に印加された負電圧を減衰し、第２の外部端子に印加された負電圧がそのままＭＯＳ型トランジスタに印加されるのではないために、接地電位から第２の外部端子側に向けての流出電流の発生を抑制することができることとなるのである。
従って、上記したように、共通電位の振幅を大きくでき、大きなダイナミックレンジを有する液晶表示装置が実現するのである。

また、本発明を適用した液晶表示装置では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳ型トランジスタを設けているために、液晶表示装置の未使用時に効率的に基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとすることができる。
以下、この点について詳細に説明を行う。

先ず、基準電位供給手段から供給される電位は、ＬＣＤパネルの共通電位の平均電位を決定するためのものであるために、ＬＣＤパネルの画質を確保すべく高精度な制御が求められる。そこで、振幅電位供給手段からコンデンサへのチャージ電流やＬＣＤパネル負荷へのチャージ電流等の影響を抑制すべく、第２の外部端子と第２のオペアンプとの間には抵抗が配置される。なお、従来の共通電位反転回路においては、第２の外部端子と第２のオペアンプとの間に抵抗Ｒ１が配置されており、本発明を適用した液晶表示装置における共通電位反転回路においては、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３の合成抵抗（＝抵抗Ｒ４）が抵抗Ｒ１に相当するものであるといえる。
ここで、図２（ａ）〜（ｃ）で示す様に、抵抗Ｒ４と第２のオペアンプとを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳ型トランジスタを設けた場合には、抵抗Ｒ４が高抵抗であるために、ＭＯＳ型トランジスタをオンの状態にして基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとする際に、長時間を要してしまう。
一方、図１で示す様に、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳ型トランジスタを設けた場合には、抵抗Ｒ３の抵抗値は抵抗Ｒ４の抵抗値よりも小さいために、図２（ａ）〜（ｃ）で示す回路構成の場合と比較すると、ＭＯＳ型トランジスタをオンの状態にして基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとする際に要する時間の短縮化が実現する。
従って、上記したように、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とを接続する配線と接地電位との間にＭＯＳトランジスタを設ける構成を採用することによって、液晶表示装置の未使用時に効率的に基準電位供給手段の電位レベルを接地電位レベルとすることができるのである。

また、本発明を適用した液晶表示装置では、共通電位反転回路の第２の外部端子の静電強度の低下を抑制することができる。
即ち、従来の共通電位反転回路においては、第２の外部端子に負電圧が印加された場合には、第２の負保護ダイオードが定常的にオンの状態となってしまうために、第２の負保護ダイオードが劣化し、結果として共通電位反転回路における第２の外部端子の静電強度の低下を招いてしまうことが考えられるが、本発明を適用した液晶表示装置では、第２の外部端子に負電圧が印加された場合であっても、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３で減衰がなされた電圧が第２の負保護ダイオードに印加され、第２の負保護ダイオードが定常的にオンの状態となるといった現象が無いために、第２の負保護ダイオードの劣化が抑制でき、結果として共通電位反転回路における第２の外部端子の静電強度の低下を抑制することができるのである。

更に、本発明を適用した液晶表示装置に用いているドライバＩＣでは、上記した様に、第２の外部端子への負電圧の印加が制限されないために、ＬＣＤパネルに別途負電圧を供給することなく、既存のＬＣＤパネルよりも大きな共通電位の振幅を必要とする新しい規格のＬＣＤパネルに対応することができる。

本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式図である。 基準電位供給手段の変形例を説明するための模式図である。 従来の共通電位反転回路を説明するための模式図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置
２ ＬＣＤパネル
３ ドライバＩＣ
４ 共通電位反転回路
５ 振幅電位供給手段
６ 基準電位供給手段
７ コンデンサ
８ 第１の外部端子
９ 第１のオペアンプ
１０ ＣＭＯＳ型トランジスタ
１１ 第１の正保護ダイオード
１２ 第１の負保護ダイオード
１３ 第２の外部端子
１４ 第２のオペアンプ
１５ 第２の正保護ダイオード
１６ 第２の負保護ダイオード
１７ ＭＯＳ型トランジスタ

Claims (4)

1. ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段と、基準電位供給手段とを有し、コンデンサを介して出力部に接続された前記振幅電位供給手段と並列に前記基準電位供給手段が接続されると共に、
   前記基準電位供給手段は、前記出力部と接続された外部端子と、
   該外部端子と配線を介して接続され、同外部端子に所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段本体と、
   前記配線と所定電位供給源との間に設けられた保護ダイオードとを備える共通電位反転回路において、
   前記外部端子と前記保護ダイオードとの間に第１の抵抗が形成された
   ことを特徴とする共通電位反転回路。
2. 一端が前記配線と接続されると共に、他端が接地電位に接続されたトランジスタを備え、
   前記外部端子と前記トランジスタとの間に第２の抵抗が形成された
   ことを特徴とする請求項１に記載の共通電位反転回路。
3. 前記所定電位供給源は、接地電位である
   ことを特徴とする請求項１に記載の共通電位反転回路。
4. 液晶パネルと、該液晶パネルに供給される共通電位の正転及び反転を行なう共通電位反転回路とを備える液晶表示装置において、
   前記共通電位反転回路は、ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段と、基準電位供給手段とを有し、コンデンサを介して出力部に接続された前記振幅電位供給手段と並列に前記基準電位供給手段が接続されると共に、
   前記基準電位供給手段は、前記出力部と接続された外部端子と、
   該外部端子と配線を介して接続され、同外部端子に所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段本体と、
   前記配線と接地電位との間に設けられた保護ダイオードと、
   前記外部端子と前記保護ダイオードとの間に形成された第１の抵抗とを備える
   ことを特徴とする液晶表示装置。

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