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Claims (10)
- ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、
前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式 （ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ １ は前記一般式 （ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表 し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕 - ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に 設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能 なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式 （ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構 造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有する有機半導 体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１ 種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、
前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐 出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩ Ｉ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼ ン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしく は未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換 の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１ ０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般 式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ １ は前記一般式 （ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表 し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、およびＲ ６ は、置換もしくは未 置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭 化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もし くは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３ 〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕 - 前記外部刺激が圧力であることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
- 溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１種以上含む溶液を用い 、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工 程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する請求項２に 記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１ ００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴と する有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
- 基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、
前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極 および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶 縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体 が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造か ら選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリ エーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示 される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする半導体装置。
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼ ン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしく は未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換 の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１ ０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般 式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ １ は前記一般式 （ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表 し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、およびＲ ６ は、置換もしくは未 置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭 化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もし くは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３ 〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕 - ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に 設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能 なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、
前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２） で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりな る電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式 （ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであること を特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼ ン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしく は未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換 の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１ ０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また 、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および （ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造か ら選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素 基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、 置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多 核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素 を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ− ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、 置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，００ ０の整数を表す。〕
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ １ 、Ｒ ２ は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のア リール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す 。〕 - ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式 （ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構 造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有する有機半導 体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１ 種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、
前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐 出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩ Ｉ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼ ン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしく は未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換 の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１ ０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また 、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および （ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造か ら選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素 基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、 置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多 核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素 を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ− ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、 置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，００ ０の整数を表す。〕
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ １ 、Ｒ ２ は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のア リール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す 。〕 - 前記外部刺激が圧力であることを特徴とする請求項７に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
- 溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用い 、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工 程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する請求項７に 記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１ ００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
- 基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、
前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極 および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶 縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体 が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造か ら選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリ エステルを１種以上含有し、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１ ）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする半 導体装置。
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼ ン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしく は未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換 の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１ ０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また 、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および （ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造か ら選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素 基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、 置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多 核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素 を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ− ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、 置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，００ ０の整数を表す。〕
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ １ 、Ｒ ２ は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のア リール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す 。〕
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