JP2007163552A - 電気光学装置、液晶装置、電気光学装置の製造方法、液晶装置の製造方法及びプロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【課題】高い耐湿性を維持することが可能な電気光学装置、液晶装置、電気光学装置の製造方法、液晶装置の製造方法及びプロジェクタを提供すること。
【解決手段】シール材42に含まれる配向性化合物46の分子が基板面の法線方向に配向しており、当該配向性化合物の分子が結晶部47を構成しているので、当該結晶部47によって水分子の移動が妨げられることになる。このため、水分子がシール材42中を移動する場合には、結晶部47を回避するように移動することになり、水分子が液晶装置100の内部に到達するまでの移動距離を長くすることができる。これにより、シール材42に侵入する水分が液晶装置100の内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
【選択図】図3
【解決手段】シール材42に含まれる配向性化合物46の分子が基板面の法線方向に配向しており、当該配向性化合物の分子が結晶部47を構成しているので、当該結晶部47によって水分子の移動が妨げられることになる。このため、水分子がシール材42中を移動する場合には、結晶部47を回避するように移動することになり、水分子が液晶装置100の内部に到達するまでの移動距離を長くすることができる。これにより、シール材42に侵入する水分が液晶装置100の内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
【選択図】図3
Description
本発明は、電気光学装置、液晶装置、電気光学装置の製造方法、液晶装置の製造方法及びプロジェクタに関する。
電気光学装置のうち例えば液晶装置においては、対向する一対の基板がシール材によって貼り合わされ、一対の基板及びシール材で囲まれた部分に液晶が封入された構成になっている。このような液晶装置では、良好な表示特性を保つため、液晶の封入された部分の耐湿性が高いことが望まれる。
例えば特許文献1や特許文献2には、シール材を構成するシール母材中に吸水性材料を混入し、液晶装置外部からシール材を透過して液晶装置内部に侵入しようとする水分を当該吸水性材料に吸収させることによって、当該液晶装置の耐湿性の向上を図る手法が開示されている。
特開平7−110488号公報
特開2002−90756号公報
しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載された手法では、シール材を透過する水分の量が吸水性材料の吸水能力を超えた場合には十分な耐湿効果が得られなくなり、耐湿性が低下するという問題がある。液晶装置に限らず他の電気光学装置においても同様の問題を有している。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高い耐湿性を維持することが可能な電気光学装置、液晶装置、電気光学装置の製造方法、液晶装置の製造方法及びプロジェクタを提供することにある。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高い耐湿性を維持することが可能な電気光学装置、液晶装置、電気光学装置の製造方法、液晶装置の製造方法及びプロジェクタを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、対向して設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された電気光学材料と、前記一対の基板に挟持されると共に、前記一対の基板との間に前記電気光学材料を封入するシール材とを具備し、前記シール材が、シール母材と、磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んでおり、前記配向性化合物を構成する分子のうち少なくとも一部が所定の方向に配向していることを特徴とする。
本発明によれば、シール材に含まれる配向性化合物を構成する分子の少なくとも一部が所定の方向に配向しており、いわばシール材中に配向性化合物の結晶性の高い分子構造が形成されることになる。当該配向性化合物の結晶部によって、シール材に侵入してくる水分子の移動を妨げることができる。これにより、シール材に侵入する水分が電気光学装置内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
また、前記配向性化合物が、液晶性化合物であることが好ましい。
液晶性化合物は、結晶性が高く、配向度が高い分子構造になっている。配向性化合物の結晶中を透過しようとする水分子は、当該配向性化合物の配向度が高いほど移動が強く妨げられて透過しにくくなる。本発明では、シール材に含まれる配向性化合物が配向度の高い液晶性化合物であるため、結晶部によってシール材を透過しようとする水分子の移動を強く妨げることができる。これにより、高い耐湿性を維持することができる。
液晶性化合物は、結晶性が高く、配向度が高い分子構造になっている。配向性化合物の結晶中を透過しようとする水分子は、当該配向性化合物の配向度が高いほど移動が強く妨げられて透過しにくくなる。本発明では、シール材に含まれる配向性化合物が配向度の高い液晶性化合物であるため、結晶部によってシール材を透過しようとする水分子の移動を強く妨げることができる。これにより、高い耐湿性を維持することができる。
ここで、「配向度」について説明する。配向性化合物分子の配向度は、広角X線回折法によって測定する。具体的には、当該分子のX線回折によるピーク回折角を測定し、この回折角に固定して試料を方位角方向に360°回転する。このときに得られた回折ピークの半値幅(β)の総和を求め、360°に対する比率を配向度とすることができる。すなわち、配向度αは、
α=(360−Σβ)/360
と表すことができる。この式によれば、配向度αが大きいほど、配向性化合物分子の配向が揃っているということができる。
α=(360−Σβ)/360
と表すことができる。この式によれば、配向度αが大きいほど、配向性化合物分子の配向が揃っているということができる。
また、前記シール材が、液晶性高分子前駆体を更に含んでおり、前記液晶性高分子前駆体がポリマー化してポリマーネットワークを構成していることが好ましい。
本発明では、シール材に含まれた配向性化合物と液晶性高分子前駆体とが同一の方向に配向することになる。加えて、液晶性高分子前駆体に例えば紫外線を照射するによってポリマー化することでポリマーネットワークが形成されることになる。これにより、配向性化合物の分子の配向度を一層向上させることができる。
本発明では、シール材に含まれた配向性化合物と液晶性高分子前駆体とが同一の方向に配向することになる。加えて、液晶性高分子前駆体に例えば紫外線を照射するによってポリマー化することでポリマーネットワークが形成されることになる。これにより、配向性化合物の分子の配向度を一層向上させることができる。
本発明に係る液晶装置は、対向して設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板に挟持されると共に、前記一対の基板との間に前記液晶層を封入するシール材とを具備し、前記シール材が、シール母材と、磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んでおり、前記配向性化合物を構成する分子のうち少なくとも一部が所定の方向に配向していることを特徴とする。
本発明によれば、上述したように、シール材に含まれる配向性化合物を構成する分子の少なくとも一部が所定の方向に配向しており、いわばシール材中に配向性化合物の結晶部が形成されることになる。当該配向性化合物の結晶部によって、シール材に侵入してくる水分子の移動を妨げることができる。これにより、シール材に侵入する水分が液晶装置内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
また、前記配向性化合物が、液晶性化合物であることが好ましい。
本発明では、上述したように、シール材に含まれる配向性化合物が配向度の高い液晶性化合物であるため、結晶部によってシール材を透過しようとする水分子の移動を強く妨げることができる。これにより、高い耐湿性を維持することができる。
本発明では、上述したように、シール材に含まれる配向性化合物が配向度の高い液晶性化合物であるため、結晶部によってシール材を透過しようとする水分子の移動を強く妨げることができる。これにより、高い耐湿性を維持することができる。
また、前記シール材が、液晶性高分子前駆体を更に含んでおり、前記液晶性高分子前駆体がポリマー化してポリマーネットワークを構成していることが好ましい。
本発明では、上述したように、シール材に含まれた、配向性化合物と液晶性高分子前駆体とが同一の方向に配向することになる。加えて、液晶性高分子前駆体をポリマー化することによってポリマーネットワークが形成されることになる。これにより、配向性化合物の分子の配向度を一層向上させることができる。
本発明では、上述したように、シール材に含まれた、配向性化合物と液晶性高分子前駆体とが同一の方向に配向することになる。加えて、液晶性高分子前駆体をポリマー化することによってポリマーネットワークが形成されることになる。これにより、配向性化合物の分子の配向度を一層向上させることができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、対向する一対の基板に電気光学材料が挟持された電気光学装置の製造方法であって、シール母材と磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んだシール材を前記一対の基板のうち一方の基板上に形成するシール材形成工程と、前記シール材に接触させるように前記一対の基板を対向させる接触工程と、前記接触工程の後、前記シール材に所定の方向の磁場又は電場を印加する磁場・電場印加工程と、前記シール材に磁場又は電場を印加した状態で、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程とを具備することを特徴とする。
本発明では、磁場又は電場により配向可能な化合物を含んだシール材を基板上に形成して一対の基板を貼り合せてから、シール材に磁場又は電場を印加した状態で当該シール材を硬化させるので、シール材に含まれた配向性化合物の配向が所定の方向に規制された状態でシール材を硬化させることができる。これにより、シール材に含まれた配向性化合物の配向を容易に規制することができる。
本発明に係る液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板に液晶が挟持された液晶装置の製造方法であって、シール母材と磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んだシール材を前記一対の基板のうち一方の基板上に形成するシール材形成工程と、前記シール材に接触させるように前記一対の基板を対向させる接触工程と、前記接触工程の後、前記シール材に所定の方向の磁場又は電場を印加する磁場・電場印加工程と、前記シール材に磁場又は電場を印加した状態で、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、上述のように、シール材に含まれる配向性化合物の配向を規制した状態でシール材を硬化させることができ、シール材に含まれた配向性化合物の配向を容易に規制することができる。
本発明に係るプロジェクタは、上記の電気光学装置又は上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、高い耐湿性を維持することが可能な電気光学装置又は液晶装置を備えているので、良好な表示特性を有するプロジェクタを得ることができる。
本発明によれば、高い耐湿性を維持することが可能な電気光学装置又は液晶装置を備えているので、良好な表示特性を有するプロジェクタを得ることができる。
[第1実施形態]
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
(液晶装置)
図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図1(a)は、同液晶装置の平面構成図、(b)は(a)図のH−H’線に沿う断面構成図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板(アクティブマトリクス基板)10と、対向基板20とが平面視略矩形枠状のシール材42を介して貼り合わされ、このシール材42に囲まれた領域内に液晶層50が封入された構成になっている。液晶層50としては、例えば正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられている。シール材42の一部(図中下辺側)に液晶注入口45が形成されており、当該液晶注入口45を塞ぐように封止材44が形成されている。シール材42内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り43が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域11となっている。
図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図1(a)は、同液晶装置の平面構成図、(b)は(a)図のH−H’線に沿う断面構成図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板(アクティブマトリクス基板)10と、対向基板20とが平面視略矩形枠状のシール材42を介して貼り合わされ、このシール材42に囲まれた領域内に液晶層50が封入された構成になっている。液晶層50としては、例えば正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられている。シール材42の一部(図中下辺側)に液晶注入口45が形成されており、当該液晶注入口45を塞ぐように封止材44が形成されている。シール材42内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り43が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域11となっている。
画素表示領域11内には、画素領域12がマトリクス状に設けられている。当該画素領域12は、画素表示領域11の最小表示単位となる1画素を構成している。シール材42の外側の領域には、データ線駆動回路101及び外部回路実装端子102がTFTアレイ基板10の1辺(図示下辺)に沿って形成されており、この1辺に隣接する2辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路104が形成されて周辺回路を構成している。
TFTアレイ基板10の残る1辺(図示上辺)には、表示領域11の両側の走査線駆動回路104間を接続する複数の配線105が設けられている。また、対向基板20の各角部においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間の電気的導通をとるための基板間導通材106が配設されている。本実施形態の液晶装置100は、透過型の液晶装置として構成され、TFTアレイ基板10側に配置された光源(図示略)からの光を変調し、対向基板20側から画像光として射出するようになっている。
図1(b)に示すように、TFTアレイ基板10の内面側(液晶層側)に、複数の画素電極9が配列形成されており、これら画素電極9を覆うように配向膜16が形成されている。対向基板20の内面側には、周辺見切り43及び遮光膜23が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極21が形成されている。そして、共通電極21を覆うように配向膜22が形成されている。
図2は、上記の液晶装置の等価回路図である。
同図に示すように、液晶装置の表示領域11には、複数の画素領域12がマトリクス状に配置されており、これら画素領域12には、それぞれ画素電極9が配置されている。また、その画素電極9の側方にはTFT素子30が形成されている。TFT素子30は、該画素電極9への通電制御を行うスイッチング素子である。このTFT素子30のソース側にはデータ線6aが接続されている。各データ線6aには、例えばデータ線駆動素子から画像信号S1、S2、…、Snが供給されるようになっている。
同図に示すように、液晶装置の表示領域11には、複数の画素領域12がマトリクス状に配置されており、これら画素領域12には、それぞれ画素電極9が配置されている。また、その画素電極9の側方にはTFT素子30が形成されている。TFT素子30は、該画素電極9への通電制御を行うスイッチング素子である。このTFT素子30のソース側にはデータ線6aが接続されている。各データ線6aには、例えばデータ線駆動素子から画像信号S1、S2、…、Snが供給されるようになっている。
また、TFT素子30のゲート側には走査線3aが接続されている。走査線3aには、例えば走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmが供給されるようになっている。また、TFT素子30のドレイン側には画素電極9が接続されている。
走査線3aから供給された走査信号G1、G2、…、Gmにより、スイッチング素子であるTFT素子30が一定期間だけオンにされると、データ線6aから供給された画像信号S1、S2、…、Snが、画素電極9を介して画素領域12に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
画素領域12に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極9と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1、S2、…、Snがリークするのを防止するため、画素電極9と容量線3bとの間に蓄積容量17が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
(シール材の構成)
次に、液晶装置100のシール材42の構成を説明する。図3は、図1におけるA−A断面に沿った形状を示す図である。
図3に示すように、シール材42は、シール母材42aと、配向性化合物46とを主成分として構成されている。
次に、液晶装置100のシール材42の構成を説明する。図3は、図1におけるA−A断面に沿った形状を示す図である。
図3に示すように、シール材42は、シール母材42aと、配向性化合物46とを主成分として構成されている。
シール母材42aには、例えばエポキシ系の紫外線硬化樹脂などの材料が用いられている。図3では、シール母材42aが硬化した状態を示している。
配向性化合物46は、例えば磁場や電場を印加することで配向するという特徴を有した液晶性ポリエステル化合物、具体的にはメソゲン基を含有する化合物によって形成されている。メソゲン基を含有する化合物には、主鎖にメソゲン基を持つ主鎖型、側鎖にメソゲン基を持つ側鎖型、主鎖と側鎖とにメソゲン基をもつ複合型の3種類がある。また、メソゲン基については、アゾメチン型メソゲン基、ビフェニル型メソゲン基などがある。図3では、配向性化合物46の鎖状の分子形状を、細長い曲線で模式的に表している。本実施形態において用いられる配向性化合物46は、これらの液晶性ポリエステル化合物のうちどの種類であっても構わない。
配向性化合物46は、例えば磁場や電場を印加することで配向するという特徴を有した液晶性ポリエステル化合物、具体的にはメソゲン基を含有する化合物によって形成されている。メソゲン基を含有する化合物には、主鎖にメソゲン基を持つ主鎖型、側鎖にメソゲン基を持つ側鎖型、主鎖と側鎖とにメソゲン基をもつ複合型の3種類がある。また、メソゲン基については、アゾメチン型メソゲン基、ビフェニル型メソゲン基などがある。図3では、配向性化合物46の鎖状の分子形状を、細長い曲線で模式的に表している。本実施形態において用いられる配向性化合物46は、これらの液晶性ポリエステル化合物のうちどの種類であっても構わない。
配向性化合物46は、図3に示すように、TFTアレイ基板10又は対向基板20の基板面の法線方向に沿うように配向しており、このように同一方向に配向する複数の配向性化合物46がシール母材42a中で複数箇所に密集して結晶部47を形成している。結晶部47では例えば水分子などの液体分子が透過できない程度の間隔で配向性化合物46が密集している。
結晶部47は、シール材42の全体に亘って不規則な分布で形成されており、当該結晶部47の結晶寸法や形状、結晶部47同士の間隔は、当該結晶部47ごとに異なっている。図3においては、結晶部47がシール材42断面の5箇所に設けられているが、実際にはより多数の結晶部47が設けられている。
(液晶装置の製造方法)
次に、本発明の液晶装置100の製造工程について説明する。本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断することによって個々の液晶装置100に分離する方法を例に挙げて説明する。
次に、本発明の液晶装置100の製造工程について説明する。本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断することによって個々の液晶装置100に分離する方法を例に挙げて説明する。
液晶装置100は、対向側マザー基板及びTFTアレイ側マザー基板を形成し、両基板を貼り合せて切断することによって形成する。なお、TFTアレイ側マザー基板は、TFTアレイ基板10となる複数の矩形の表示領域を含む大判の基板であり、対向側マザー基板は、対向基板20となる複数の矩形の表示領域を含む大判の基板である。
まず、TFTアレイ基板の形成工程について説明する。
ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材に走査線、データ線等の配線を形成し、画素電極9及びTFT素子30を形成する。走査線やデータ線等の配線については、例えば基材の表面全体にアルミニウム等の金属をスパッタし、これをエッチングすることによって、各表示領域に対して一括的に形成することができる。その後、TFTアレイ基板に配向膜16を形成し、配向処理を施す。
ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材に走査線、データ線等の配線を形成し、画素電極9及びTFT素子30を形成する。走査線やデータ線等の配線については、例えば基材の表面全体にアルミニウム等の金属をスパッタし、これをエッチングすることによって、各表示領域に対して一括的に形成することができる。その後、TFTアレイ基板に配向膜16を形成し、配向処理を施す。
次に、図4に示すように、TFTアレイ基板10Aにシール材42を形成する(シール材形成工程)。具体的には、各画素表示領域11の周縁部に当該画素表示領域を囲むように、上述したエポキシ系紫外線硬化樹脂(シール母材42a)に液晶性ポリエステル化合物(配向性化合物46)を10wt%程度混合させた材料をシール材42として矩形枠状に形成する。このシール材42は、液晶注入口45を設けるように、例えばディスペンサ等を用いて一筆書きで形成される。
次に、対向基板を形成する。
対向基板については、TFTアレイ基板の場合と同様に、ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域に共通電極21を形成し、当該共通電極21上に配向膜22を形成する。
対向基板については、TFTアレイ基板の場合と同様に、ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域に共通電極21を形成し、当該共通電極21上に配向膜22を形成する。
次に、図5に示すように、上記の各工程で形成したTFTアレイ基板10Aと対向基板20Aとを貼り合わせる(接触工程)。接触工程では、TFTアレイ基板10Aと対向基板20Aとを近接させ、対向基板20AがTFTアレイ基板10A上のシール材42に接着させた状態にする。
次に、図6に示すように、シール材42に磁場Jを印加する(磁場印加工程)。磁場印加工程では、TFTアレイ基板10A及び対向基板20Aの基板温度を約180℃にしておき、TFTアレイ基板10A又は対向基板20Aの基板面の法線方向に約10テスラの磁場Jを印加する。この磁場Jによって、シール材42中の配向性化合物46は、主鎖又は側鎖の長さ方向が磁場Jの方向(基板面の法線方向)に沿うように、その配向が規制される。
そして、図7に示すように、シール材42に磁場Jを印加した状態、すなわち、配向性化合物46の配向を基板面の法線方向に沿うように規制した状態で、シール材42に紫外線(UV)を照射して硬化させる(シール材硬化工程)。当該紫外線の波長は、325nm程度が好ましい。紫外線を照射すると、シール母材42aが硬化するため、配向性化合物46は配向が規制された状態で固定され、配向性化合物46の結晶部47が形成される。
その後、TFTアレイ基板及び対向基板にスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿ってパネルを切断し、切断された各液晶パネルの洗浄を行う。そして、洗浄した各液晶パネルに液晶を封入し、例えばACFを介してフレキシブル基板を実装して、液晶装置100が完成する。
このように、本実施形態によれば、シール材42に含まれる配向性化合物46の分子が基板面の法線方向に配向しており、当該配向性化合物の分子が結晶部47を構成しているので、当該結晶部47によって水分子の移動が妨げられることになる。このため、図9に示すように、水分子48がシール材42中を移動する場合には、結晶部47を回避するように移動することになり、水分子48が液晶装置100の内部に到達するまでの移動距離を長くすることができる。これにより、シール材42に侵入する水分が液晶装置100の内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
このように、本実施形態によれば、シール材42に含まれる配向性化合物46の分子が基板面の法線方向に配向しており、当該配向性化合物の分子が結晶部47を構成しているので、当該結晶部47によって水分子の移動が妨げられることになる。このため、図9に示すように、水分子48がシール材42中を移動する場合には、結晶部47を回避するように移動することになり、水分子48が液晶装置100の内部に到達するまでの移動距離を長くすることができる。これにより、シール材42に侵入する水分が液晶装置100の内部に到達しにくくすることができ、高い耐湿性を維持することが可能となる。
また、本実施形態によれば、液晶性ポリエステル化合物(配向性化合物46)を含んだシール材42を基板上に形成して基板を貼り合せ、シール材42に磁場又は電場を印加した状態で、当該シール材42を硬化させるので、シール材42に含まれた配向性化合物46の分子配向が規制された状態でシール材42を硬化させることができる。このように、本発明では、シール材42に含まれた配向性化合物46の配向を容易に規制することができる。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、シール材の構成及びシール材の製造方法が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第1実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、シール材の構成及びシール材の製造方法が第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
(シール材の構成)
図10をもとにして、液晶装置200のシール材242の構成を説明する。図10は、第1実施形態の図3に対応する断面図である。
シール材242は、シール母材242aと、配向性化合物246と、液晶性高分子前駆体249とを主成分として構成されている。
図10をもとにして、液晶装置200のシール材242の構成を説明する。図10は、第1実施形態の図3に対応する断面図である。
シール材242は、シール母材242aと、配向性化合物246と、液晶性高分子前駆体249とを主成分として構成されている。
シール母材242aは、第1実施形態と同様、例えばエポキシ系の紫外線硬化樹脂などの材料によって形成されている。また、配向性化合物246についても、第1実施形態と同様、例えば磁場や電場を印加することで配向するという特徴を有する液晶性ポリエステル化合物によって形成されている。
液晶性高分子前駆体249としては、例えば液晶性紫外線硬化型モノマーや、液晶性紫外線硬化型オリゴマーなどが用いられている。この「液晶性」については、自身が液晶相を持っている、あるいは、自身は液晶相を持っていないが液晶と混合しても液晶性を崩さないことをいう。このような性質を有する紫外線硬化型モノマー、紫外線硬化型オリゴマーを液晶性高分子前駆体249が用いられている。具体的には、下記一般式(1)(2)(3)に示される液晶性モノマーのいずれか1種もしくは複数種を重合してなるものを用いることができる。なお、図11内においては、液晶性高分子前駆体249はポリマー化されている。
なお、上記化1に示した一般式(1)で表される化合物としては、具体的には、表1又は表2に示す化合物M1〜M25(ロディック株式会社のUVキュアラブル液晶)等を例示することができる。また、上記化2に示した一般式(2)で表される化合物としては、具体的には、表3又は表5に示す化合物M26〜M33、M38〜M45等を例示することができる。上記化3に示した一般式(3)で表される化合物としては、具体的には、表4又は表6に示す化合物M34〜M37、M46〜M51等を例示することができる。
配向性化合物246及び液晶性高分子前駆体249は、図3に示すように、TFTアレイ基板10又は対向基板20の基板面の法線方向に沿うように配向している。また、液晶性高分子前駆体249は紫外線照射によりポリマー化してシール母材42a中で複数箇所に密集してポリマーネットワーク247を形成している。配向性化合物246とポリマーネットワーク247は例えば水分子などの液体分子が透過できない程度の間隔で密集している。
図10においては、ポリマーネットワーク247が5箇所の不規則な楕円形に分かれて形成されているが、実際にはポリマーネットワーク247は、シール材242の全体に亘ってより不規則に分布して形成されている。また、当該ポリマーネットワーク247の結晶寸法や形状、ポリマーネットワーク247同士の間隔は、当該ポリマーネットワーク247ごとに異なっている。即ちシール材242の全体に亘って不規則に分布して形成されているポリマーネットワーク247の中に配向性化合物246が配向して、例えば水分子などの液体分子が透過できない効果を増大させている。
(液晶装置の製造方法)
次に、本発明の液晶装置200の製造工程について説明する。本実施形態では、第1実施形態と同様、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断することによって個々の液晶装置200に分離する方法を例に挙げて説明する。
次に、本発明の液晶装置200の製造工程について説明する。本実施形態では、第1実施形態と同様、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断することによって個々の液晶装置200に分離する方法を例に挙げて説明する。
TFTアレイ側マザー基板については、まず、第1実施形態と同様、ガラスや石英等の透光性材料からなる大判の基材に走査線、データ線等の配線を形成し、画素電極9及びTFT素子30を形成する。その後、TFTアレイ側マザー基板に配向膜16を形成し、配向処理を施す。
次に、TFT側アレイ基板にシール材242を形成する(シール材形成工程)。具体的には、各画素表示領域の周縁部に当該画素表示領域を囲むように、上述したエポキシ系紫外線硬化樹脂(シール母材42a)に液晶性ポリエステル化合物(配向性化合物46)を10wt%程度混合させ、更に上述した液晶性高分子前駆体249を2wt%程度混合させた材料をシール材242として矩形枠状に形成する。
次に、第1実施形態と同様の方法にて、対向側マザー基板を形成し、TFTアレイ側マザー基板と対向側マザー基板とを貼り合わせる(接触工程)。接触工程では、TFTアレイ側マザー基板と対向側マザー基板とを近接させ、対向側マザー基板がTFTアレイ側マザー基板上のシール材242に接着させた状態にする。
次に、シール材242に磁場を印加する(磁場印加工程)。磁場印加工程では、TFTアレイ側マザー基板及び対向側マザー基板の基板温度を約180℃にしておき、TFTアレイ側マザー基板又は対向側マザー基板の基板面の法線方向に約10テスラの磁場を印加する。この磁場によって、シール材242中の配向性化合物246及び液晶性高分子前駆体249は、基板面の法線方向に沿うようにその配向が規制される。
そして、シール材242に磁場を印加した状態、すなわち、配向性化合物246及び液晶性高分子前駆体249の配向が基板面の法線方向に沿うように規制た状態で、シール材42に紫外線を照射することでポリマーネットワークが形成されるとともにシール剤を硬化させる(シール材硬化工程)。当該紫外線の波長は、第1実施形態と同様に325nm程度が好ましい。
その後、TFTアレイ側マザー基板及び対向側マザー基板にスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿ってパネルを切断し、切断された各液晶パネルの洗浄を行う。そして、洗浄した各液晶パネルに液晶を封入し、例えばACFを介してフレキシブル基板を実装して、液晶装置200が完成する。
このように、本実施形態によれば、シール材242に含まれた配向性化合物246と液晶性高分子前駆体249が同一の方向に配向すると共に、液晶性高分子前駆体249に紫外線を照射によってポリマー化することでポリマーネットワークが形成されることになる。これにより、シール材242内の配向性化合物246及び液晶性高分子前駆体249の配向度を一層向上させることができる。
[プロジェクタ]
次に、各実施形態の液晶装置を光変調装置として用いたプロジェクタの実施形態を説明する。
図11は、投射型表示装置の一例としてのプロジェクタ302の内部の構成を概略的に示す図である。
プロジェクタ302は、光源307と、フライアイレンズ308、309と、ダイクロイックミラー310、311と、反射ミラー312、313、314と、液晶ライトバルブ315、316、317と、クロスダイクロイックプリズム318と、投射レンズ319とを主体として構成されており、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた液晶プロジェクタである。
次に、各実施形態の液晶装置を光変調装置として用いたプロジェクタの実施形態を説明する。
図11は、投射型表示装置の一例としてのプロジェクタ302の内部の構成を概略的に示す図である。
プロジェクタ302は、光源307と、フライアイレンズ308、309と、ダイクロイックミラー310、311と、反射ミラー312、313、314と、液晶ライトバルブ315、316、317と、クロスダイクロイックプリズム318と、投射レンズ319とを主体として構成されており、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた液晶プロジェクタである。
光源307は、例えば白色光を射出する高圧水銀ランプ等のランプ307aと、当該ランプ307aからの光を反射するリフレクタ307bとを有している。フライアイレンズ308、309は、光源307からの光の照度分布を均一化する光学部品である。光源307側のフライアイレンズ308には複数の2次光源像を形成する働きがあり、スクリーン303側のフライアイレンズ309にはフライアイレンズ308で形成された2次光源像を重畳する働きがある。
ダイクロイックミラー310は、光源307から射出される白色光のうち、赤色光LRを透過させると共に、緑色光LG及び青色光LBを反射する光学部品である。ダイクロイックミラー311は、光源307から射出される白色光のうち、緑色光LGを反射し、青色光LBを透過する光学部品である。
液晶ライトバルブ315、316、317は、それぞれ照射された赤色光、緑色光、青色光を所定の画像信号に基づいて変調する変調素子である。液晶ライトバルブ315、316、317として、ここでは上述の液晶装置100、200が用いられている。当該液晶装置100、200のサイズは、例えば4.6平方センチメートル(約0.7平方インチ)程度であり、液晶ライトバルブ315、316、317として用いるのに最適な寸法に設計されている。
クロスダイクロイックプリズム318は、4つの直角プリズムが貼り合わされた光学素子である。クロスダイクロイックプリズム318の内面には、赤色光を反射する誘電体多層膜318aと、青色光を反射する誘電体多層膜318bとが十字状に形成されている。各誘電体多層膜318a、318bによって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光(映像光)が形成されるようになっている。
投射レンズ319は、映像光をスクリーン303に向けて投射する光学部品である。
投射レンズ319は、映像光をスクリーン303に向けて投射する光学部品である。
次に、上記のように構成されたプロジェクタ302の動作を説明する。
プロジェクタ302を駆動させると、ランプ307aから白色光が射出される。ランプ307aから直接射出された白色光及びリフレクタ307bで反射された白色光がコリメータレンズ307cにより平行光にされる。この平行光は、フライアイレンズ308、309によりその照度分布が均一化される。
プロジェクタ302を駆動させると、ランプ307aから白色光が射出される。ランプ307aから直接射出された白色光及びリフレクタ307bで反射された白色光がコリメータレンズ307cにより平行光にされる。この平行光は、フライアイレンズ308、309によりその照度分布が均一化される。
照度分布が均一化された光は、ダイクロイックミラー310、311に到達し、赤色光、緑色光及び青色光の色光に分光される。各色光は、それぞれ反射ミラー312、313、314を介して液晶ライトバルブ315、316、317に到達し、液晶ライトバルブ315、316、317により所望のパターンに変調される。このように変調された各色光が、投射レンズ319によりスクリーン303上に投射される。
このように、本実施形態によれば、高い耐湿性を維持することが可能な液晶装置100、200を備えているので、良好な表示特性を有するプロジェクタ302を得ることができる。
このように、本実施形態によれば、高い耐湿性を維持することが可能な液晶装置100、200を備えているので、良好な表示特性を有するプロジェクタ302を得ることができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態においては、配向性化合物46、246及び液晶性高分子前駆体249の配向方向、すなわち、磁場の印加方向が基板面に対して垂直方向であったが、これに限られることは無く、基板面に対して水平方向に磁場を印加する(水平方向に配向を規制する)ものであっても良い。
上記実施形態においては、配向性化合物46、246及び液晶性高分子前駆体249の配向方向、すなわち、磁場の印加方向が基板面に対して垂直方向であったが、これに限られることは無く、基板面に対して水平方向に磁場を印加する(水平方向に配向を規制する)ものであっても良い。
また、上記実施形態においては、シール材42、242に添加された配向性化合物46、246及び液晶性高分子前駆体249の配向を規制する際にシール材42、242に磁場を印加するものとして説明した(磁場印加工程)が、これに限られることは無く、シール材42、242に電場を印加するものであっても勿論構わない。この場合、例えば約200Vの電圧を印加することが好ましい。
また、上記実施形態においては、電気光学装置として液晶装置100、200を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばプラズマディスプレイ装置や電気泳動表示装置など、他の電気光学装置においても本発明の適用は可能である。
本発明者は、上記実施形態で述べた液晶装置を用いて、シール材に含まれる配向性化合物の配向度及び耐湿性の度合いを評価した。その評価結果について報告する。
ここで、「配向度」について説明する。配向性化合物である液晶性ポリエステル化合物の分子の配向度は、広角X線回折法によって測定することができる。液晶性ポリエステル化合物分子のX線回折によるピーク回折角を測定し、この回折角に固定して液晶性ポリエステル化合物分子を方位角方向に360°回転する。このときに得られた回折ピークの半値幅(β)を総和し、360°に対する比率を配向度とすることができる。すなわち、配向度αは、
α=(360−Σβ)/360
と表すことができる。この式によれば、配向度αが大きいほど、配向性化合物の配向が揃っている、つまり、磁場によって配向性化合物の配向が規制されているといえる。
ここで、「配向度」について説明する。配向性化合物である液晶性ポリエステル化合物の分子の配向度は、広角X線回折法によって測定することができる。液晶性ポリエステル化合物分子のX線回折によるピーク回折角を測定し、この回折角に固定して液晶性ポリエステル化合物分子を方位角方向に360°回転する。このときに得られた回折ピークの半値幅(β)を総和し、360°に対する比率を配向度とすることができる。すなわち、配向度αは、
α=(360−Σβ)/360
と表すことができる。この式によれば、配向度αが大きいほど、配向性化合物の配向が揃っている、つまり、磁場によって配向性化合物の配向が規制されているといえる。
次に、「耐湿性」について説明する。耐湿性については、液晶装置外の水がシール材を透過して液晶装置内に到達するまでの時間の長さを基準にした。具体的には、画素表示領域に画像を表示させた状態で液晶装置のシール材に水を付着させ、液晶装置内に水が浸透することによって画素表示領域の表示に変化が生じるまでの時間を測定し、シール材に配向性化合物を添加しない液晶装置(従来の液晶装置)における測定値を1としたときの相対値を算出した。したがって、相対値が大きいほど耐湿性が良好であるといえる。
ここで、シール材に印加する磁束密度の大きさと配向性化合物の配向度との関係について説明する。
表7は、シール材に印加する磁束密度の大きさ及び配向性化合物の添加率を変化させたときの、配向性化合物の配向度と、耐湿性の向上の度合いとを表している。
なお、磁束密度については、シール材にそれぞれ0テスラ(磁場を印加しない状態)、2テスラ、4テスラ、5テスラ、6テスラ、10テスラと磁場を変化させた場合を例に挙げた。また、配向性化合物の添加率については、4wt%、10wt%、14wt%と変化させた場合を例に挙げた。
表7は、シール材に印加する磁束密度の大きさ及び配向性化合物の添加率を変化させたときの、配向性化合物の配向度と、耐湿性の向上の度合いとを表している。
なお、磁束密度については、シール材にそれぞれ0テスラ(磁場を印加しない状態)、2テスラ、4テスラ、5テスラ、6テスラ、10テスラと磁場を変化させた場合を例に挙げた。また、配向性化合物の添加率については、4wt%、10wt%、14wt%と変化させた場合を例に挙げた。
表7に示すように、磁束密度が0テスラの場合、シール材中の配向性化合物の配向度は0であった。これは、シール材に配向性化合物を添加しない場合の配向度に等しい。したがって、磁束密度が0テスラの場合には、シール材に添加された配向性化合物は、全く配向していない状態であるといえる。
磁束密度が2テスラの場合、配向性化合物の配向度は0.19であった。磁束密度が4テスラの場合、配向性化合物の配向度は0.32であった。磁束密度が5テスラの場合、配向性化合物の配向度は0.44であった。磁束密度が6テスラの場合、配向性化合物の配向度は0.71である。磁束密度が10テスラの場合、配向性化合物の配向度は0.85であった。
この結果から、配向性化合物の配向度は、シール材に印加する磁場の磁束密度に依存しており、磁束密度が大きいほど、配向度も大きくなっているといえる。上記実施形態においては、シール材に印加する磁場の磁束密度は10テスラであるから、配向性化合物の配向度はほぼ0.85になっている。
ここで、配向性化合物の添加率と耐湿性の向上の度合いとの関係について、表7を参照して説明する。
表7においては、配向度が0の場合、すなわち、磁場を印加しない場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.0であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.0であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は0.9であった。この結果から、添加率が4wt%及び10wt%のシール材の耐湿性は従来の液晶装置とは変わらず、添加率が14wt%のシール材の耐湿性は、従来の液晶装置よりも0.1程度悪くなっているといえる。
表7においては、配向度が0の場合、すなわち、磁場を印加しない場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.0であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.0であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は0.9であった。この結果から、添加率が4wt%及び10wt%のシール材の耐湿性は従来の液晶装置とは変わらず、添加率が14wt%のシール材の耐湿性は、従来の液晶装置よりも0.1程度悪くなっているといえる。
配向度が0.19の場合、すなわち、2テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.1であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.2であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は1.1であった。
配向度が0.32の場合、すなわち、4テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.2であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.4であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は1.2であった。
配向度が0.44の場合、すなわち、5テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.4であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.8であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は1.6であった。
配向度が0.71の場合、すなわち、6テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.5であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は2.5であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は2.1であった。
配向度が0.85の場合、すなわち、10テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は2.0であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は3.5であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は2.9であった。
配向度が0.32の場合、すなわち、4テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.2であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.4であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は1.2であった。
配向度が0.44の場合、すなわち、5テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.4であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は1.8であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は1.6であった。
配向度が0.71の場合、すなわち、6テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は1.5であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は2.5であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は2.1であった。
配向度が0.85の場合、すなわち、10テスラの磁束密度を印加した場合、配向性化合物の添加率4wt%のシール材の耐湿性は2.0であり、添加率10wt%のシール材の耐湿性は3.5であり、添加率14wt%のシール材の耐湿性は2.9であった。
この結果から、例に挙げた配向性化合物の添加率4wt%、10wt%、14wt%のシール材においては、配向性化合物の添加率に関わり無く、磁場を印加することによって耐湿性が向上しているといえる。また、配向性化合物の添加率が10wt%の場合に、最も耐湿性が向上しているといえる。
次に、配向性化合物の配向度と耐湿性の向上の度合いとの関係について、図8のグラフを参照して説明する。図8は、配向性化合物の配向度と耐湿性との関係を示すグラフである。
図8のグラフの縦軸は、耐湿性の向上度であり、表7と同様、配向性化合物を添加しない場合の耐湿性を1とした場合の相対値である。横軸は、配向性化合物の配向度である。グラフ中、曲線(1)は配向性化合物の添加率が4wt%の場合における関係、曲線(2)は配向性化合物の添加率が10wt%の場合における関係、曲線(3)は配向性化合物の添加率が14wt%の場合における関係をそれぞれ示している。同図に示すように、配向度が高くなるほど、液晶装置の耐湿性が二次曲線的に向上しているといえる。
このように、本発明によって、高い耐湿性を維持することが可能な液晶装置が得られることが実証された。
図8のグラフの縦軸は、耐湿性の向上度であり、表7と同様、配向性化合物を添加しない場合の耐湿性を1とした場合の相対値である。横軸は、配向性化合物の配向度である。グラフ中、曲線(1)は配向性化合物の添加率が4wt%の場合における関係、曲線(2)は配向性化合物の添加率が10wt%の場合における関係、曲線(3)は配向性化合物の添加率が14wt%の場合における関係をそれぞれ示している。同図に示すように、配向度が高くなるほど、液晶装置の耐湿性が二次曲線的に向上しているといえる。
このように、本発明によって、高い耐湿性を維持することが可能な液晶装置が得られることが実証された。
100、200…液晶装置 42.242…シール材 42a、242a…シール母材46、246…配向性化合物 47…結晶部 247…ポリマーネットワーク 249…液晶性高分子前駆体 302…プロジェクタ
Claims (9)
- 対向して設けられた一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された電気光学材料と、
前記一対の基板に挟持されると共に、前記一対の基板との間に前記電気光学材料を封入するシール材と
を具備し、
前記シール材が、シール母材と、磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んでおり、
前記配向性化合物を構成する分子のうち少なくとも一部が所定の方向に配向している
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記配向性化合物が、液晶性化合物であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記シール材が、液晶性高分子前駆体を更に含んでおり、
前記液晶性高分子前駆体がポリマー化してポリマーネットワークを構成している
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置。 - 対向して設けられた一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板に挟持されると共に、前記一対の基板との間に前記液晶層を封入するシール材と
を具備し、
前記シール材が、シール母材と、磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んでおり、
前記配向性化合物を構成する分子のうち少なくとも一部が所定の方向に配向している
ことを特徴とする液晶装置。 - 前記配向性化合物が、液晶性化合物であることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
- 前記シール材が、液晶性高分子前駆体を更に含んでおり、
前記液晶性高分子前駆体がポリマー化してポリマーネットワークを構成している
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の液晶装置。 - 対向する一対の基板に電気光学材料が挟持された電気光学装置の製造方法であって、
シール母材と磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んだシール材を前記一対の基板のうち一方の基板上に形成するシール材形成工程と、
前記シール材に接触させるように前記一対の基板を対向させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記シール材に所定の方向の磁場又は電場を印加する磁場・電場印加工程と、
前記シール材に磁場又は電場を印加した状態で、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 対向する一対の基板に液晶が挟持された液晶装置の製造方法であって、
シール母材と磁場又は電場により配向可能な配向性化合物とを含んだシール材を前記一対の基板のうち一方の基板上に形成するシール材形成工程と、
前記シール材に接触させるように前記一対の基板を対向させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記シール材に所定の方向の磁場又は電場を印加する磁場・電場印加工程と、
前記シール材に磁場又は電場を印加した状態で、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の電気光学装置又は請求項4乃至請求項6のうちいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
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CN105717711A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 封框胶、液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板 |
WO2018110529A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Dic株式会社 | 表示素子用封止材料組成物、及び、それを用いた表示素子 |
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Cited By (3)
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WO2018110529A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Dic株式会社 | 表示素子用封止材料組成物、及び、それを用いた表示素子 |
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