JP2007163181A - Structure for measurement, measuring instrument, method and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To advantageously handle an object under measurement measured by thereto applying an electromagnetic wave. <P>SOLUTION: A sheet 15 is disposed on a surface of a lattice 1 comprising void parts 12 arranged in an X-direction and in a Y-direction on an XY plane, with the void parts 12 surrounded by conductors forming a conductor plate 10. With an open part of a container having the open part covered with an integral-type structure 2 made by disposing the object 20 under measurement on the sheet 15, a terahertz wave is applied to the object 20. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電磁波を照射して測定する被測定物の取り扱いに関する。   The present invention relates to handling of an object to be measured that is measured by irradiation with electromagnetic waves.

従来より、テラヘルツ波を被測定物に照射した際の透過率に基づき、被測定物を分析することが知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、金属板に孔をあけたものに電磁波を照射した際の透過率も知られている(例えば、非特許文献1を参照)。さらに、金属板に孔をあけたものを位相差板として利用することも知られている(例えば、特許文献2を参照)。   Conventionally, it is known to analyze an object to be measured based on transmittance when the object to be measured is irradiated with a terahertz wave (see, for example, Patent Document 1). Moreover, the transmittance | permeability at the time of irradiating electromagnetic waves to what opened the hole in the metal plate is also known (for example, refer nonpatent literature 1). Furthermore, it is also known to use a metal plate having a hole as a retardation plate (see, for example, Patent Document 2).

また、非特許文献3のFig.1を参照して、テラヘルツ時間領域分光法(Terahertz Time Domain
Spectroscopy : THz-TDS)による測定法も知られている。
Further, referring to Fig. 1 of Non-Patent Document 3, Terahertz Time Domain Spectroscopy (Terahertz Time Domain Spectroscopy)
Spectroscopy: THz-TDS) is also known.

特開2004−108905号公報JP 2004-108905 A 特開2004−117703号公報JP 2004-117703 A K.F. Renk and L. Genzel “Interference Filters and Fabry-PerotInterferometers for the Far Infrared”, APPLIED OPTICS, Vol. 1, No. 5, 1962年9月K.F.Renk and L. Genzel “Interference Filters and Fabry-PerotInterferometers for the Far Infrared”, APPLIED OPTICS, Vol. 1, No. 5, September 1962 Masaki Tanaka et al., “Effect of a thin dielectric layer onterahertz transmission characteristics for metal hole arrays”, Optics Letters,Vol. 30, 2005年5月Masaki Tanaka et al., “Effect of a thin dielectric layer onterahertz transmission characteristics for metal hole arrays”, Optics Letters, Vol. 30, May 2005 阪井清美、「テラヘルツ時間領域分光法」、分光研究、2001年、第50巻、第6号、p.261−273Sakai Kiyomi, “Terahertz Time Domain Spectroscopy”, Spectroscopic Research, 2001, Vol. 50, No. 6, p. 261-273

しかしながら、上記のような先行技術は、電磁波が照射される被測定物をどのように取り扱えば有利かということを開示していない。   However, the prior art as described above does not disclose how it is advantageous to handle a measurement object irradiated with electromagnetic waves.

また、テラヘルツ時間領域分光法は複雑な測定法である。   Terahertz time domain spectroscopy is a complex measurement method.

そこで、本発明は、電磁波が照射されることによって測定される被測定物を有利に取り扱う(例えば、簡便な測定を行う)ことを課題とする。   Then, this invention makes it a subject to handle the to-be-measured object measured by irradiating electromagnetic waves advantageously (for example, performing a simple measurement).

本発明にかかる測定用構造体は、開放部を有する容器と、前記開放部を覆う一体型構造体と、を備えた測定用構造体であって、前記一体型構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材と、を備え、前記容器の内部の空気が吸引され、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間であるように構成される。   The measurement structure according to the present invention is a measurement structure including a container having an open portion and an integrated structure that covers the open portion, and the integrated structure irradiates electromagnetic waves. An object whose characteristics are measured, a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and an arrangement on the surface of the void arrangement structure, the measurement object being arranged And an air inside the container is sucked, and the inside of the container is configured to be a space opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure. .

上記のように構成された測定用構造体によれば、容器は開放部を有する。一体型構造体は前記開放部を覆う。   According to the measurement structure configured as described above, the container has an open portion. The integral structure covers the opening.

しかも、一体型構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材とを備える。   Moreover, the integrated structure includes an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves, a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and the void arrangement structure. And an arrangement member on which the object to be measured is arranged.

さらに、前記容器の内部の空気が吸引される。ただし、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である。   Furthermore, the air inside the container is sucked. However, the inside of the container is a space on the side opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.

本発明にかかる測定用構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物を測定するために使用される測定用構造体であって、開放部を有する容器と、前記開放部を覆う一体型構造体と、を備え、前記一体型構造体は、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材と、を備え、前記容器の内部の空気が吸引され、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間であるように構成される。   A measurement structure according to the present invention is a measurement structure used for measuring an object whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, the container having an open portion, and the open portion And the integrated structure is disposed on the surface of the void-arranged structure in which a void portion surrounded by a conductor is disposed in a predetermined plane. An arrangement member, wherein air inside the container is sucked, and the inside of the container is configured to be a space opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.

上記のように構成された発明によれば、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物を測定するために使用される測定用構造体が提供される。   According to the invention configured as described above, a measurement structure used for measuring an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves is provided.

容器は、開放部を有する。一体型構造体は、前記開放部を覆う。   The container has an opening. The integral structure covers the opening.

しかも、前記一体型構造体は、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材とを備える。   In addition, the integrated structure includes a gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and an arrangement member arranged on the surface of the gap arrangement structure.

さらに、前記容器の内部の空気が吸引される。ただし、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である。   Furthermore, the air inside the container is sucked. However, the inside of the container is a space on the side opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.

また、本発明にかかる測定用構造体は、前記容器の内部の空気を吸引する吸引装置を備えるようにしてもよい。   Moreover, the measurement structure according to the present invention may include a suction device that sucks air inside the container.

また、本発明にかかる測定用構造体は、前記空隙配置構造体は、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されているようにしてもよい。   Further, in the measurement structure according to the present invention, the gap arrangement structure may be configured such that the gap portions having the same shape are arranged at a predetermined interval in a predetermined direction.

また、本発明にかかる測定用構造体は、前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子であるようにしてもよい。   In the measurement structure according to the present invention, the gap arrangement structure may be a two-dimensional lattice in which openings penetrating the conductor are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.

また、本発明にかかる測定用構造体は、前記配置部材に配置された前記被測定物が二種類以上あるようにしてもよい。   In the measurement structure according to the present invention, there may be two or more types of the objects to be measured arranged on the arrangement member.

本発明にかかる測定装置は、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。   A measuring apparatus according to the present invention includes a first electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 4 with a first electromagnetic wave, and the integrated type with respect to the irradiated first electromagnetic wave. A first electromagnetic wave detecting means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the structure; a second electromagnetic wave irradiating means for irradiating the gap arrangement structure with a second electromagnetic wave; and the gap arrangement for the irradiated second electromagnetic wave. Based on the second electromagnetic wave detection means for detecting the second response electromagnetic wave, which is a response by the structure, the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, the characteristics of the object to be measured are measured. And a characteristic measuring means.

本発明にかかる測定装置は、請求項5に記載の測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。   The measuring apparatus according to the present invention includes an electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the object to be measured in the measurement structure according to claim 5, and a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. The electromagnetic wave detecting means for detecting the response electromagnetic wave and the characteristic measuring means for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detecting means.

また、本発明にかかる測定装置は、前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記第一応答電磁波を透過させるものであるようにしてもよい。   In the measuring apparatus according to the present invention, the bottom portion of the container facing the open portion may transmit the first response electromagnetic wave.

また、本発明にかかる測定装置は、前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記応答電磁波を透過させるものであるようにしてもよい。   In the measuring apparatus according to the present invention, the bottom portion of the container facing the open portion may transmit the response electromagnetic wave.

また、本発明にかかる測定装置は、前記特性測定手段が、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段とを有するようにしてもよい。   Further, the measuring device according to the present invention includes a transmittance measuring unit that measures the transmittance of the electromagnetic wave based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit and the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit. And a refractive index deriving means for deriving the refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance.

また、本発明にかかる測定装置は、前記屈折率導出手段は、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出するようにしてもよい。   Further, in the measuring apparatus according to the present invention, the refractive index deriving unit includes a transmittance measured based on a detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at a frequency A and a detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at a frequency B. The refractive index of the object to be measured may be derived based on A and B when the transmittance measured based on

本発明は、測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射工程と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。   The present invention provides a first electromagnetic wave irradiation step for irradiating a measurement structure with a first electromagnetic wave, and a first electromagnetic wave detection for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave. A second electromagnetic wave irradiating step for irradiating the gap arrangement structure with the second electromagnetic wave, and a second electromagnetic wave detection for detecting a second response electromagnetic wave as a response to the irradiated second electromagnetic wave by the gap arrangement structure And a characteristic measuring step of measuring a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the first electromagnetic wave detection step and a detection result of the second electromagnetic wave detection step.

本発明は、測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射工程と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。   The present invention provides an electromagnetic wave irradiation process for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure with an electromagnetic wave, and an electromagnetic wave detection process for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. And a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection step.

本発明は、測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。   The present invention provides a first electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave, and a first electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure with the first electromagnetic wave. Means, a second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the gap arrangement structure with the second electromagnetic wave, and a second electromagnetic wave detection for detecting a second response electromagnetic wave which is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising: a detection result of the first electromagnetic wave detection means and a detection result of the second electromagnetic wave detection means; A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring characteristics.

本発明は、測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。   The present invention provides an electromagnetic wave irradiating means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure with an electromagnetic wave, and an electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. And a program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the electromagnetic wave detection means. It is a program.

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第一の実施形態
図1は、第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1の斜視図である。格子(空隙配置構造体)1は、導体板10を有する。導体板10は、例えば金属板である。導体板10の厚みの方向は、Z方向である。導体板10には、空隙部(開口)12が開けられている。空隙部12はZ方向に導体板10を貫通する。空隙部12は、XY平面において開口する。空隙部12は、縦方向(Y方向)および横方向(X方向)に配列されている。すなわち、格子1は、二次元格子である。
First Embodiment FIG. 1 is a perspective view of a lattice (gap arrangement structure) 1 according to a first embodiment. The lattice (gap arrangement structure) 1 includes a conductor plate 10. The conductor plate 10 is, for example, a metal plate. The direction of the thickness of the conductor plate 10 is the Z direction. A gap (opening) 12 is opened in the conductor plate 10. The gap 12 penetrates the conductor plate 10 in the Z direction. The gap 12 opens in the XY plane. The gaps 12 are arranged in the vertical direction (Y direction) and the horizontal direction (X direction). That is, the lattice 1 is a two-dimensional lattice.

図2は、第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1のXY平面図である。図2を参照して、格子(空隙配置構造体)1は、XY平面において、空隙部(開口)12が二方向(X方向およびY方向)に配列されている。空隙部12は、正方形の開口であり、X方向およびY方向の一辺の長さ(アパーチャー:aperture)はともに等しい(aであるとする)。また、空隙部12のX方向のピッチおよびY方向のピッチ(pitch)はともに等しい(pであるとする)。なお、aおよびpが数十ミクロン程度なので、格子1は、いわゆるメッシュであるともいえる。   FIG. 2 is an XY plan view of the lattice (gap arrangement structure) 1 according to the first embodiment. Referring to FIG. 2, in a lattice (gap arrangement structure) 1, gaps (openings) 12 are arranged in two directions (X direction and Y direction) on the XY plane. The gap 12 is a square opening, and the lengths of one side (aperture) in the X direction and the Y direction are equal (assuming that they are a). Further, the pitch in the X direction and the pitch in the Y direction of the gap 12 are equal (assuming that they are p). Since a and p are about several tens of microns, it can be said that the lattice 1 is a so-called mesh.

図3は、格子1の表面に被測定物20を配置した一体型構造体2のXY平面図(図3(a))およびb−b断面図(図3(b))である。一体型構造体2は、シート(配置部材)15を有する。シート15は、格子1の表面に載せられている。図3(a)を参照すると、シート15が格子1の空隙部12を覆い隠して見えないようにしている状態であることがわかる。また、図3(b)を参照すると、シート15の裏面は格子1の表面に接しており、シート15の表面には被測定物20(例えばDNAであり、Y字状の図形として図示している)が配置(例えば、固定)されている。シート15は、例えば、DNAのハイブリダイゼーションに用いられるナイロン膜である。被測定物20であるDNAは、ナイロン膜であるシート15にしみこませることにより、シート15に固定できる。   FIGS. 3A and 3B are an XY plan view (FIG. 3A) and a bb cross-sectional view (FIG. 3B) of the integrated structure 2 in which the DUT 20 is arranged on the surface of the grating 1. FIG. The integrated structure 2 has a sheet (arrangement member) 15. The sheet 15 is placed on the surface of the grid 1. Referring to FIG. 3A, it can be seen that the sheet 15 covers the gap 12 of the lattice 1 so that it cannot be seen. 3B, the back surface of the sheet 15 is in contact with the surface of the lattice 1, and the surface of the sheet 15 is an object to be measured 20 (for example, DNA, illustrated as a Y-shaped figure). Are arranged (for example, fixed). The sheet 15 is, for example, a nylon membrane used for DNA hybridization. DNA to be measured 20 can be fixed to the sheet 15 by soaking into the sheet 15 which is a nylon film.

図4は、格子1の空隙部12の一つの近傍を表示した平面図である。空隙部12は、XY平面において、導体板10の一部である導体14で囲まれているものといえる。このような空隙部12がX方向およびY方向に配列されている。   FIG. 4 is a plan view showing one vicinity of the gap 12 of the lattice 1. It can be said that the gap 12 is surrounded by the conductor 14 which is a part of the conductor plate 10 in the XY plane. Such voids 12 are arranged in the X direction and the Y direction.

図5は、二種類以上の被測定物20を有している一体型構造体4の平面図である。   FIG. 5 is a plan view of the integrated structure 4 having two or more types of objects to be measured 20.

図5(a)は、格子1に二つのシート15a、15bが載せられている状態の一体型構造体4の平面図である。シート15aに固定された被測定物20と、シート15bに固定された被測定物20とは異なるものである。   FIG. 5A is a plan view of the integrated structure 4 in a state where two sheets 15 a and 15 b are placed on the lattice 1. The object to be measured 20 fixed to the sheet 15a is different from the object to be measured 20 fixed to the sheet 15b.

図5(b)は、格子1に三つのシート15c、15d、15eが載せられている状態の一体型構造体4の平面図である。シート15cに固定された被測定物20と、シート15dに固定された被測定物20と、シート15eに固定された被測定物20とは異なるものである。このように、一体型構造体4に三種類以上の被測定物を配置してもよい。   FIG. 5B is a plan view of the integrated structure 4 in a state where the three sheets 15 c, 15 d, and 15 e are placed on the lattice 1. The object to be measured 20 fixed to the sheet 15c, the object to be measured 20 fixed to the sheet 15d, and the object to be measured 20 fixed to the sheet 15e are different. In this way, three or more kinds of objects to be measured may be arranged in the integrated structure 4.

図6は、格子1の変形例について説明するためのXY平面図である。図6(a)は、空隙部12が一方向(X方向)にしか配列されていない。すなわち、一次元に配列されたものである。図6(b)は、空隙部12がX方向、Y1方向およびY2方向(Y方向ではない)に配列されている。どちらも、格子1として使用できる。ただし、図6に示すように同一形状(同じ形かつ同じ大きさ)の空隙部12が所定のピッチ(または間隔)で配置されていることを要する。また、格子1の空隙部12は正方形でなくてもよく、円形でもよいし、三角形や四角形でも可能である。すなわち、二次元的な図形であればよい。さらに、図7に示すように、空隙部12が一個だけの場合も格子1として使用できる。   FIG. 6 is an XY plan view for explaining a modified example of the grating 1. In FIG. 6A, the gaps 12 are arranged only in one direction (X direction). That is, they are arranged one-dimensionally. In FIG. 6B, the gaps 12 are arranged in the X direction, the Y1 direction, and the Y2 direction (not the Y direction). Either can be used as the grating 1. However, as shown in FIG. 6, it is necessary that the gaps 12 having the same shape (the same shape and the same size) are arranged at a predetermined pitch (or interval). Further, the gap portion 12 of the lattice 1 may not be a square, may be a circle, and may be a triangle or a rectangle. That is, it may be a two-dimensional figure. Furthermore, as shown in FIG. 7, even when there is only one gap portion 12, it can be used as the lattice 1.

図8は、第一の実施形態にかかる一体型構造体2の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。測定装置は、放射制御部32、電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34、電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36、特性測定部40、容器50、吸引装置62、パイプ64を備える。なお、一体型構造体2および容器50が測定用構造体を構成する。また、測定用構造体は吸引装置62およびパイプ64を有してもよい。   FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the DUT 20 of the integrated structure 2 according to the first embodiment. The measurement apparatus includes a radiation control unit 32, an electromagnetic wave irradiation unit (first electromagnetic wave irradiation unit and second electromagnetic wave irradiation unit) 34, an electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection unit and second electromagnetic wave detection unit) 36, a characteristic measurement unit 40, A container 50, a suction device 62, and a pipe 64 are provided. The integral structure 2 and the container 50 constitute a measurement structure. Further, the measurement structure may have a suction device 62 and a pipe 64.

なお、図12は、図8において一体型構造体2および容器50を格子1に置き換えたときの測定装置の構成を示す図である。   FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the measuring apparatus when the integrated structure 2 and the container 50 are replaced with the lattice 1 in FIG.

図9は、容器50の斜視図(図9(a))、b−b断面図(図9(b))である。容器50は、中空の直方体である。ただし、上面にあたる部分が無く開放部58(図9(b)参照)となっているので、上から見ると底面54が見える(図9(a)参照)。容器50は開放部58によって図9に示す上部方向に開放されているといえる。容器50は、前面52a、背面52b、側面56a、56bを有する。前面52a、背面52bおよび側面56a、56bは底面54と直交している。前面52aと背面52bとは平行であり、側面56aと側面56bとは平行である。前面52aと側面56aとは直交しており、背面52bと側面56bとは直交している。開放部58は、底面54と向かい合っている。   FIG. 9 is a perspective view of the container 50 (FIG. 9A) and a bb cross-sectional view (FIG. 9B). The container 50 is a hollow rectangular parallelepiped. However, since there is no portion corresponding to the top surface and the open portion 58 (see FIG. 9B), the bottom surface 54 can be seen from above (see FIG. 9A). It can be said that the container 50 is opened in the upper direction shown in FIG. The container 50 has a front surface 52a, a back surface 52b, and side surfaces 56a and 56b. The front surface 52a, the back surface 52b, and the side surfaces 56a and 56b are orthogonal to the bottom surface 54. The front surface 52a and the back surface 52b are parallel, and the side surface 56a and the side surface 56b are parallel. The front surface 52a and the side surface 56a are orthogonal to each other, and the back surface 52b and the side surface 56b are orthogonal to each other. The open portion 58 faces the bottom surface 54.

図10は、容器50に一体型構造体2を取り付けた状態の斜視図(図10(a))、b−b断面図(図10(b))である。ただし、図10(b)においては、一体型構造体2は断面をとっていない。一体型構造体2は、開放部58(図9(b)参照)を覆うようにして容器50に取り付けられる。   FIG. 10 is a perspective view (FIG. 10A) and a bb cross-sectional view (FIG. 10B) in a state where the integrated structure 2 is attached to the container 50. However, in FIG.10 (b), the integral structure 2 has not taken the cross section. The integral structure 2 is attached to the container 50 so as to cover the opening 58 (see FIG. 9B).

図11は、図10に示す状態の容器50にパイプ64を取り付けた状態の斜視図(図11(a))、b−b断面図(図11(b))である。パイプ64の一端は容器50の内部に接続され、パイプ64の他端は吸引装置62(図11においては図示省略する)に接続されている。吸引装置62は、例えば空気を吸い込むポンプであり、容器50の内部の空気を吸引する。なお、容器50の内部とは、格子1から見てシート15とは反対側の空間であり、容器50とシート15とにより囲まれた空間である。吸引装置62により容器50の内部の空気を吸引することにより、シート15に配置された被測定物20を所望の吸引力で格子1に密着させることができる。   FIGS. 11A and 11B are a perspective view (FIG. 11A) and a bb cross-sectional view (FIG. 11B) in a state where the pipe 64 is attached to the container 50 in the state shown in FIG. 10. One end of the pipe 64 is connected to the inside of the container 50, and the other end of the pipe 64 is connected to a suction device 62 (not shown in FIG. 11). The suction device 62 is a pump that sucks air, for example, and sucks air inside the container 50. The inside of the container 50 is a space on the side opposite to the sheet 15 when viewed from the lattice 1, and is a space surrounded by the container 50 and the sheet 15. By sucking the air inside the container 50 by the suction device 62, the object to be measured 20 placed on the sheet 15 can be brought into close contact with the lattice 1 with a desired suction force.

なお、図9〜図11においては、容器50が中空の直方体(ただし、上面が開放されている)であるように図示している。しかし、容器50は中空の円筒(ただし、上面が開放されているものとする)であってもよい。容器50は開放部58で開放されているようなものであればよく、直方体および円筒に限定されない。   9 to 11, the container 50 is illustrated as a hollow cuboid (however, the upper surface is open). However, the container 50 may be a hollow cylinder (provided that the upper surface is open). The container 50 is not limited to a rectangular parallelepiped and a cylinder as long as it is open at the opening 58.

また、図11に示す状態から前面52aを下に向けると、図8における測定用構造体(一体型構造体2および容器50)の状態となる。   Further, when the front surface 52a is directed downward from the state shown in FIG. 11, the state of the measurement structure (integrated structure 2 and container 50) in FIG. 8 is obtained.

放射制御部32は、電磁波のパワーP1、電磁波の周波数fを指定して、電磁波照射部34に電磁波を放射させる。指定したパワーP1および周波数fは、特性測定部40の透過率測定部42にも与えられる。   The radiation control unit 32 designates the electromagnetic wave power P1 and the electromagnetic wave frequency f, and causes the electromagnetic wave irradiation unit 34 to emit the electromagnetic wave. The designated power P1 and frequency f are also given to the transmittance measuring unit 42 of the characteristic measuring unit 40.

電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34は、パワーP1および周波数fの電磁波を放射する。放射された電磁波は格子1(図12参照)または測定用構造体(一体型構造体2および容器50)に照射される。   The electromagnetic wave irradiation unit (first electromagnetic wave irradiation means and second electromagnetic wave irradiation means) 34 emits an electromagnetic wave having power P1 and frequency f. The emitted electromagnetic wave is applied to the grating 1 (see FIG. 12) or the measurement structure (integrated structure 2 and container 50).

ここで、測定用構造体に照射される電磁波を第一電磁波といい、格子1に照射される電磁波を第二電磁波という。   Here, the electromagnetic wave applied to the measurement structure is referred to as a first electromagnetic wave, and the electromagnetic wave applied to the grating 1 is referred to as a second electromagnetic wave.

電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36は、格子1または測定用構造体を透過した電磁波を検出し、パワーP2を測定し、特性測定部40の透過率測定部42に与える。なお、透過した電磁波ではなく反射した電磁波を検出することも考えられる。   The electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection unit and second electromagnetic wave detection unit) 36 detects an electromagnetic wave transmitted through the lattice 1 or the measurement structure, measures the power P2, and transmits the transmittance measurement unit 42 of the characteristic measurement unit 40. To give. It is also conceivable to detect reflected electromagnetic waves instead of transmitted electromagnetic waves.

すなわち、電磁波検出部36は、照射された第一電磁波に対する一体型構造体2による応答(例えば、透過、反射)である第一応答電磁波および照射された第二電磁波に対する格子1による応答(例えば、透過、反射)である第二応答電磁波を検出すればよい。   That is, the electromagnetic wave detection unit 36 responds to the first response electromagnetic wave that is a response (for example, transmission and reflection) by the integrated structure 2 with respect to the irradiated first electromagnetic wave and the response (for example, to the second electromagnetic wave to be irradiated). What is necessary is just to detect the 2nd response electromagnetic wave which is transmission and reflection.

特性測定部40は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、被測定物20の特性を測定する。特性測定部40は、透過率測定部42、透過率記録部44、屈折率導出部46を有する。   The characteristic measurement unit 40 measures the characteristic of the DUT 20 based on the detection result of the electromagnetic wave detection unit 36. The characteristic measuring unit 40 includes a transmittance measuring unit 42, a transmittance recording unit 44, and a refractive index deriving unit 46.

透過率測定部42は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する。すなわち、測定用構造体および格子1の電磁波の透過率を測定する。透過率は、P2/P1により求められる。ただし、反射が無視できない場合は、厚さの異なる同一物について、P2を測定してやれば、反射の影響をキャンセルできる。これについては周知なので詳細には説明をしない。   The transmittance measuring unit 42 measures the transmittance of the electromagnetic wave based on the detection result of the electromagnetic wave detecting unit 36. That is, the electromagnetic wave transmittance of the measurement structure and the grating 1 is measured. The transmittance is obtained by P2 / P1. However, if the reflection cannot be ignored, the influence of the reflection can be canceled by measuring P2 for the same object having a different thickness. This is well known and will not be described in detail.

透過率記録部44は、透過率測定部42が測定した透過率を電磁波の周波数に対応づけて記録する。   The transmittance recording unit 44 records the transmittance measured by the transmittance measuring unit 42 in association with the frequency of the electromagnetic wave.

屈折率導出部46は、測定された透過率に基づき、被測定物20の屈折率を導出する。すなわち、周波数Aにおける第一応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける第二応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、被測定物20の屈折率をAおよびBに基づき導出する。   The refractive index deriving unit 46 derives the refractive index of the DUT 20 based on the measured transmittance. That is, when the transmittance measured based on the detection result of the first response electromagnetic wave at the frequency A is equal to the transmittance measured based on the detection result of the second response electromagnetic wave at the frequency B, the refraction of the DUT 20 The rate is derived based on A and B.

次に、第一の実施形態の動作を説明する。   Next, the operation of the first embodiment will be described.

図13は、第一の実施形態にかかる測定装置の動作を示すフローチャートである。図14は、被測定物20の屈折率の決定法を説明するためのグラフである。   FIG. 13 is a flowchart showing the operation of the measuring apparatus according to the first embodiment. FIG. 14 is a graph for explaining a method for determining the refractive index of the DUT 20.

なお、格子1および一体型構造体2の散乱および吸収は無視できるものとする。例えば、格子1および一体型構造体2の材質がそのような条件を満たすものである。または、格子1および一体型構造体2の厚さがそのような条件を満たすものである。さらに、底面54は、第一応答電磁波を透過させるものである。第一応答電磁波の周波数は、第一電磁波の周波数と同じくテラヘルツ(THz : 1012Hz)であるため、底面54は例えば、薄いプラスチックフィルム、薄い石英または薄いポリエチレンである。 Note that scattering and absorption of the grating 1 and the integral structure 2 are negligible. For example, the material of the lattice 1 and the integrated structure 2 satisfies such a condition. Alternatively, the thicknesses of the lattice 1 and the integral structure 2 satisfy such a condition. Further, the bottom surface 54 transmits the first response electromagnetic wave. Since the frequency of the first response electromagnetic wave is terahertz (THz: 10 12 Hz) similarly to the frequency of the first electromagnetic wave, the bottom surface 54 is, for example, a thin plastic film, thin quartz, or thin polyethylene.

一般的に、強度がI0の入射波が物質中をxだけ進行した点での強度をI(x)とすると、入射波の減衰(吸収)は、I(x)
= I0exp-αxのように表せる。
In general, if the intensity at the point where an incident wave with an intensity of I 0 travels through the substance by x is I (x), the attenuation (absorption) of the incident wave is I (x)
= I 0 exp -αx

上記の式のα(材質によって定まる)かx(厚さ)が非常に小さい場合に吸収が無視できる。   Absorption is negligible when α (determined by the material) or x (thickness) in the above equation is very small.

まず、格子1を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して(図12参照)、電磁波照射部34から所定の帯域の第二電磁波を放射する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第二応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が格子1の透過率を測定する(S10)。透過率は、P2/P1により求められる。測定された透過率は第二電磁波の周波数に対応付けられて透過率記録部44に記録される。ただし、測定装置は屈折率n0(例えば、1)の空気中で使用するものとする。 First, the grid 1 is disposed between the electromagnetic wave irradiation unit 34 and the electromagnetic wave detection unit 36 (see FIG. 12), and the electromagnetic wave irradiation unit 34 radiates a second electromagnetic wave in a predetermined band. The electromagnetic wave detection unit 36 detects the transmitted electromagnetic wave (second response electromagnetic wave). Then, the transmittance measuring unit 42 measures the transmittance of the grating 1 (S10). The transmittance is obtained by P2 / P1. The measured transmittance is recorded in the transmittance recording unit 44 in association with the frequency of the second electromagnetic wave. However, the measuring device is used in air having a refractive index n 0 (for example, 1).

図14に示す例では、所定の帯域として0THzを超えて6THz(テラヘルツ)までの帯域をとり、格子1の透過率を測定したグラフG1が図示されている。このグラフG1は、Tn0(f)と表現できる。すなわち、透過率Tは、屈折率n0および周波数fの関数である。 In the example shown in FIG. 14, a graph G <b> 1 is shown in which the transmittance of the grating 1 is measured by taking a band from 0 THz to 6 THz (terahertz) as a predetermined band. This graph G1 can be expressed as T n0 (f). That is, the transmittance T is a function of the refractive index n 0 and frequency f.

次に、測定用構造体(一体型構造体2および容器50)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して、電磁波照射部34から周波数Aの第一電磁波を放射する。第一電磁波は一体型構造体2を透過し(第一応答電磁波)、さらに容器50の底面54を透過する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第一応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が一体型構造体2の透過率を測定する(S12)。透過率は、P2/P1により求められる。   Next, the measurement structure (integrated structure 2 and container 50) is disposed between the electromagnetic wave irradiation unit 34 and the electromagnetic wave detection unit 36, and the first electromagnetic wave having the frequency A is radiated from the electromagnetic wave irradiation unit 34. The first electromagnetic wave passes through the integrated structure 2 (first response electromagnetic wave) and further passes through the bottom surface 54 of the container 50. The electromagnetic wave detection unit 36 detects the transmitted electromagnetic wave (first response electromagnetic wave). Then, the transmittance measuring unit 42 measures the transmittance of the integrated structure 2 (S12). The transmittance is obtained by P2 / P1.

図14に示す例では、周波数A=1THzとして、一体型構造体2の透過率=40%を得る(グラフG2)。このグラフG2は、Tnx(A)と表現できる。すなわち、周波数Aにおける一体型構造体2の透過率Tnxは、被測定物20の屈折率nxおよび周波数A(=1THz)の関数である。 In the example shown in FIG. 14, the transmittance A = 40% of the integral structure 2 is obtained with the frequency A = 1 THz (graph G2). This graph G2 can be expressed as T nx (A). That is, the transmittance T nx integral structure 2 in the frequency A is a function of the refractive index of the object to be measured 20 n x and frequency A (= 1 THz).

次に、屈折率導出部46が、透過率記録部44の記録内容および透過率測定部42の測定した一体型構造体2の透過率に基づき、対応周波数Bを決定する(S14)。すなわち、図8を参照して、屈折率導出部46が、周波数A(=1THz)における電磁波検出部36の検出結果(グラフG2)に基づき測定された透過率(=40%)と、対応周波数Bにおける電磁波検出部36の検出結果に基づき測定された透過率とが等しくなるような、対応周波数Bを決定する。対応周波数Bは3.4THzとなる。   Next, the refractive index deriving unit 46 determines the corresponding frequency B based on the recorded content of the transmittance recording unit 44 and the transmittance of the integrated structure 2 measured by the transmittance measuring unit 42 (S14). That is, with reference to FIG. 8, the refractive index deriving unit 46 transmits the transmittance (= 40%) measured based on the detection result (graph G2) of the electromagnetic wave detecting unit 36 at the frequency A (= 1 THz) and the corresponding frequency. The corresponding frequency B is determined such that the transmittance measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection unit 36 in B becomes equal. The corresponding frequency B is 3.4 THz.

これは、Tn0(B) = Tnx(A)ということを意味する。 This means that T n0 (B) = T nx (A).

最後に、屈折率導出部46が、被測定物20の屈折率を導出する(S16)。すなわち、被測定物20の屈折率=B/Aとして、被測定物20の屈折率nxを導出する。図8に示す例では、屈折率nx=3.4THz/1THz=3.4となる。これは、B=nx・Aということを用いて、被測定物20の屈折率nxを導出したものである。 Finally, the refractive index deriving unit 46 derives the refractive index of the DUT 20 (S16). That is, the refractive index = B / A of the object to be measured 20, derives the refractive indices n x of the object to be measured 20. In the example shown in FIG. 8, the refractive index n x = 3.4 THz / 1 THz = 3.4. This uses the fact that B = n x · A, is obtained by deriving the refractive indices n x of the object to be measured 20.

第一の実施形態にかかる一体型構造体2によれば、被測定物20を有利に取り扱うことができる。例えば、一体型構造体2の表面に載せられたシート15に配置されている被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。   According to the integrated structure 2 according to the first embodiment, the DUT 20 can be handled advantageously. For example, the characteristic (for example, refractive index) of the DUT 20 arranged on the sheet 15 placed on the surface of the integrated structure 2 can be easily measured.

しかも、第一の実施形態にかかる測定用構造体(一体型構造体2および容器50)によれば、一体型構造体2の表面に載せられたシート15に配置された被測定物20を所望の吸引力で格子1に密着させることができる。所望の吸引力で被測定物20を密着させることができるため、被測定物20の物理量(屈折率など)の変化の測定精度を向上させることができる。   In addition, according to the measurement structure (integrated structure 2 and container 50) according to the first embodiment, the object 20 to be measured placed on the sheet 15 placed on the surface of the integrated structure 2 is desired. Can be brought into close contact with the grid 1 with the attraction force. Since the object to be measured 20 can be brought into close contact with a desired suction force, the measurement accuracy of the change in the physical quantity (such as the refractive index) of the object to be measured 20 can be improved.

第一の実施形態にかかる測定装置によれば、一体型構造体2および格子(空隙配置構造体)1における電磁波の透過率を測定することにより、被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。   According to the measuring apparatus according to the first embodiment, the characteristics (for example, refractive index) of the DUT 20 are measured by measuring the transmittance of electromagnetic waves in the integrated structure 2 and the lattice (gap-arranged structure) 1. Can be measured easily.

図15は、格子1の透過率を測定したグラフG1の、アパーチャーaおよびピッチpに対する変化を説明するための図である。aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、傾きが小さく、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、傾きが大きい。   FIG. 15 is a diagram for explaining changes of the graph G1 in which the transmittance of the grating 1 is measured with respect to the aperture a and the pitch p. When a and p are small (graph G1-1), the inclination is small, and when a and p are large (graph G1-2), the inclination is large.

対応周波数Bの最大値は、透過率が極大値をとる周波数F1(グラフG1−1)、周波数F2(グラフG1−2)である。対応周波数Bの最大値が大きい程、より大きな屈折率を測定できる。よって、aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、広い範囲の屈折率を測定できる。逆に、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、高精度に屈折率を測定できる。屈折率がわずかに異なっても、透過率が大きく変化するからである。   The maximum value of the corresponding frequency B is the frequency F1 (graph G1-1) and the frequency F2 (graph G1-2) at which the transmittance is a maximum value. The larger the maximum value of the corresponding frequency B, the larger the refractive index can be measured. Therefore, when a and p are small (graph G1-1), a wide range of refractive indexes can be measured. Conversely, when a and p are large (graph G1-2), the refractive index can be measured with high accuracy. This is because the transmittance varies greatly even if the refractive index is slightly different.

よって、広い範囲の屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを小さくした一体型構造体2を利用するとよい。高精度に屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを大きくした一体型構造体2を利用するとよい。   Therefore, if it is desired to measure the refractive index in a wide range, it is preferable to use the integrated structure 2 in which the aperture a and the pitch p are reduced. If it is desired to measure the refractive index with high accuracy, it is preferable to use the integrated structure 2 with the apertures a and the pitch p increased.

なお、ピッチpが小さいと、透過率が極大値をとる周波数が高周波側になる。ピッチpが大きいと、透過率が極大値をとる周波数が低周波側になる。そこで、第一電磁波の周波数に応じて、ピッチpを選択するとよい。   In addition, when the pitch p is small, the frequency at which the transmittance takes a maximum value is on the high frequency side. When the pitch p is large, the frequency at which the transmittance takes a maximum value is on the low frequency side. Therefore, the pitch p may be selected according to the frequency of the first electromagnetic wave.

また、高精度に屈折率を測定するためには、ワイヤストリップ幅2α(=p−a)または一体型構造体2の厚さtを変化させてもよい。   Further, in order to measure the refractive index with high accuracy, the wire strip width 2α (= pa) or the thickness t of the integrated structure 2 may be changed.

図18は、ワイヤストリップ幅2α(=p−a)の変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図18に示すように、ワイヤストリップ幅2αが変化しても透過率が極大値をとる周波数は変化しない。しかし、ワイヤストリップ幅2αを大きくすると、透過率が極大値をとる周波数の近傍の傾きが大きくなる。よって、ワイヤストリップ幅2αを大きくすると、高精度に屈折率を測定できる。   FIG. 18 is a diagram illustrating the frequency shift in which the transmittance has a maximum value due to the change in the wire strip width 2α (= pa). As shown in FIG. 18, even when the wire strip width 2α is changed, the frequency at which the transmittance reaches the maximum value does not change. However, when the wire strip width 2α is increased, the slope in the vicinity of the frequency at which the transmittance reaches a maximum value increases. Therefore, when the wire strip width 2α is increased, the refractive index can be measured with high accuracy.

図19は、一体型構造体2の厚さtの変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図19に示すように、一体型構造体2の厚さtが変化しても透過率が極大値をとる周波数は変化しない。しかし、一体型構造体2の厚さtを大きくすると、透過率が極大値をとる周波数の近傍の傾きが大きくなる。よって、一体型構造体2の厚さtを大きくすると、高精度に屈折率を測定できる。   FIG. 19 is a diagram illustrating the shift of the frequency at which the transmittance reaches the maximum value due to the change in the thickness t of the integrated structure 2. As shown in FIG. 19, even when the thickness t of the integrated structure 2 changes, the frequency at which the transmittance reaches the maximum value does not change. However, when the thickness t of the integrated structure 2 is increased, the slope in the vicinity of the frequency at which the transmittance reaches a maximum value increases. Therefore, when the thickness t of the integral structure 2 is increased, the refractive index can be measured with high accuracy.

第二の実施形態
第二の実施形態にかかる測定装置は、一体型構造体4を容器50に取り付けた測定用構造体に、テラヘルツ波を照射し、二次元走査を行う点で第一の実施形態と異なる。
Second Embodiment The measurement apparatus according to the second embodiment is the first implementation in that two-dimensional scanning is performed by irradiating terahertz waves to the measurement structure in which the integrated structure 4 is attached to the container 50. Different from form.

図16は、第二の実施形態にかかる一体型構造体4の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。第二の実施形態にかかる測定装置は、一体型構造体4、容器50、吸引装置62、パイプ64、電磁波照射部30、X−Yステージ100、電磁波検出部60、制御・演算部70、放物面ミラー80a、80b、80c、80d、ミラー90を備える。ただし、吸引装置62とパイプ64とは図示省略する。   FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the DUT 20 of the integrated structure 4 according to the second embodiment. The measurement apparatus according to the second embodiment includes an integrated structure 4, a container 50, a suction device 62, a pipe 64, an electromagnetic wave irradiation unit 30, an XY stage 100, an electromagnetic wave detection unit 60, a control / calculation unit 70, a release unit. Object mirrors 80a, 80b, 80c, 80d and a mirror 90 are provided. However, the suction device 62 and the pipe 64 are not shown.

電磁波照射部30は、テラヘルツ波を照射する。X−Yステージ100は、測定用構造体(一体型構造体4および容器50)をX方向およびY方向に移動させる。電磁波検出部60は、一体型構造体4を透過し(応答電磁波)、さらに容器50の底面54を透過したテラヘルツ波を検出する。検出されるテラヘルツ波は、電磁波照射部30により一体型構造体4に照射された電磁波に対する一体型構造体4による応答(応答電磁波)といえる。制御・演算部70は、X−Yステージ100を制御し、かつ、電磁波検出部60の検出結果に基づき、一体型構造体4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。   The electromagnetic wave irradiation unit 30 emits terahertz waves. The XY stage 100 moves the measurement structure (the integrated structure 4 and the container 50) in the X direction and the Y direction. The electromagnetic wave detection unit 60 detects a terahertz wave that has passed through the integrated structure 4 (response electromagnetic wave) and has further passed through the bottom surface 54 of the container 50. It can be said that the detected terahertz wave is a response (response electromagnetic wave) by the integrated structure 4 to the electromagnetic wave irradiated to the integrated structure 4 by the electromagnetic wave irradiation unit 30. The control / arithmetic unit 70 controls the XY stage 100 and, based on the detection result of the electromagnetic wave detection unit 60, the characteristics (for example, transmittance, refractive index, etc.) of the measured object 20 of the integrated structure 4. Is calculated.

放物面ミラー80aは、ミラー90から与えられたテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80bに与える。放物面ミラー80bは、放物面ミラー80aから与えられたテラヘルツ波を反射して一体型構造体4に照射する。テラヘルツ波は、一体型構造体4上の一点(「焦点」という)に照射される。放物面ミラー80cは、一体型構造体4を透過したテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80dに与える。放物面ミラー80dは、放物面ミラー80cから与えられたテラヘルツ波を反射して電磁波検出部60に与える。ミラー90は、電磁波照射部30の放射したテラヘルツ波を反射して、放物面ミラー80aに与える。   The parabolic mirror 80a reflects the terahertz wave given from the mirror 90 and gives it to the parabolic mirror 80b. The parabolic mirror 80b reflects the terahertz wave given from the parabolic mirror 80a and irradiates the integrated structure 4 with it. The terahertz wave is irradiated to one point (referred to as “focus”) on the integrated structure 4. The parabolic mirror 80c reflects the terahertz wave that has passed through the integrated structure 4 and gives the parabolic mirror 80d to the parabolic mirror 80d. The parabolic mirror 80d reflects the terahertz wave given from the parabolic mirror 80c and gives it to the electromagnetic wave detection unit 60. The mirror 90 reflects the terahertz wave emitted from the electromagnetic wave irradiation unit 30 and gives it to the parabolic mirror 80a.

なお、図示しないディスプレイを制御・演算部70に接続して、屈折率および透過率を表示することもできる。また、画像処理(屈折率または吸収率が大きい程に白く、小さい程に黒く)を施してディスプレイに表示してもよい。   A display (not shown) can be connected to the control / calculation unit 70 to display the refractive index and the transmittance. Further, image processing (white as the refractive index or absorptance increases, and black as it decreases) may be displayed on the display.

また、一体型構造体4および容器50は第一の実施形態と同様であり説明を省略する。ただし、底面54は、応答電磁波を透過させるものである。応答電磁波の周波数は、電磁波照射部30が放射した電磁波の周波数と同じくテラヘルツ(THz : 1012Hz)であるため、底面54は例えば薄いプラスチックフィルム、薄い石英または薄いポリエチレンである。 Further, the integrated structure 4 and the container 50 are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted. However, the bottom surface 54 transmits the response electromagnetic wave. Since the frequency of the response electromagnetic wave is terahertz (THz: 10 12 Hz) similarly to the frequency of the electromagnetic wave emitted by the electromagnetic wave irradiation unit 30, the bottom surface 54 is, for example, a thin plastic film, thin quartz, or thin polyethylene.

次に、第二の実施形態の動作を説明する。   Next, the operation of the second embodiment will be described.

電磁波照射部30により照射されたテラヘルツ波は、ミラー90および放物面ミラー80a、80bにより反射され、一体型構造体4(図5参照)に照射される。ここで、X−Yステージ50は、制御・演算部70の制御を受け、一体型構造体4のシート15a、15b(またはシート15c、15d、15e)の各々がテラヘルツ波を受けるように、すなわち焦点がシート15a〜15eにあうように、X方向およびY方向に移動させる。すなわち、二次元走査させる。一体型構造体4のシート15a〜15eを透過したテラヘルツ波は放物面ミラー80c、80dにより反射され、電磁波検出部60に与えられる。電磁波検出部60は、一体型構造体4を透過したテラヘルツ波を検出する。制御・演算部70は、電磁波検出部60の検出結果に基づき、一体型構造体4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。演算法は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。   The terahertz wave irradiated by the electromagnetic wave irradiation unit 30 is reflected by the mirror 90 and the parabolic mirrors 80a and 80b, and is applied to the integrated structure 4 (see FIG. 5). Here, the XY stage 50 is controlled by the control / arithmetic unit 70 so that each of the sheets 15a and 15b (or the sheets 15c, 15d, and 15e) of the integrated structure 4 receives the terahertz wave, that is, It is moved in the X direction and the Y direction so that the focal point matches the sheets 15a to 15e. That is, two-dimensional scanning is performed. The terahertz waves transmitted through the sheets 15 a to 15 e of the integrated structure 4 are reflected by the parabolic mirrors 80 c and 80 d and applied to the electromagnetic wave detection unit 60. The electromagnetic wave detection unit 60 detects the terahertz wave that has passed through the integrated structure 4. The control / calculation unit 70 calculates the characteristics (for example, transmittance, refractive index, etc.) of the DUT 20 of the integrated structure 4 based on the detection result of the electromagnetic wave detection unit 60. The calculation method is the same as in the first embodiment, and a description thereof is omitted.

なお、図5(a)に示す一体型構造体4を利用した場合、特性測定部40は、シート15aに配置された被測定物の透過率と、シート15bに配置された被測定物の透過率との差を測定できる。また、図5(b)に示す一体型構造体4を利用した場合は、特性測定部40は、シート15cに配置された被測定物の透過率と、シート15dに配置された被測定物の透過率と、シート15eに配置された被測定物の透過率とのなかから任意の二つの透過率の間の差を測定できる。第二の実施形態によれば、一体型構造体4の被測定物20の特性を詳細かつ精密に測定することができる。   When the integrated structure 4 shown in FIG. 5A is used, the characteristic measurement unit 40 transmits the transmittance of the measurement object arranged on the sheet 15a and the transmission of the measurement object arranged on the sheet 15b. The difference from the rate can be measured. When the integrated structure 4 shown in FIG. 5B is used, the characteristic measuring unit 40 transmits the transmittance of the measurement object arranged on the sheet 15c and the measurement object arranged on the sheet 15d. A difference between any two transmittances can be measured from the transmittance and the transmittance of the object to be measured arranged on the sheet 15e. According to the second embodiment, the characteristics of the DUT 20 of the integrated structure 4 can be measured in detail and precisely.

なお、上記の実施形態において、格子1および一体型構造体2の透過率を計測すると、透過率が極大値をとる周波数が移動することがわかる。図17は、格子1および一体型構造体2によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図17に示すように、透過率が極大値をとる周波数Fa(格子1:グラフGa)がFb(一体型構造体2:グラフGb)に移動する。これにより、被測定物20が何であるか(これも被測定物20の特性の一種)を特定するようなこともできる。   In the above embodiment, when the transmittance of the grating 1 and the integral structure 2 is measured, it can be seen that the frequency at which the transmittance reaches a maximum value moves. FIG. 17 is a diagram showing the frequency shift in which the transmittance is a maximum value by the grating 1 and the integrated structure 2. As shown in FIG. 17, the frequency Fa (lattice 1: graph Ga) at which the transmittance reaches a maximum value moves to Fb (integrated structure 2: graph Gb). Thereby, what the device under test 20 is (which is also a kind of characteristic of the device under test 20) can be specified.

なお、図14、図15、図17を参照して説明したように、格子1および一体型構造体2、4は、周波数がテラヘルツの電磁波を照射すると、透過率が大きく変化する。格子1および一体型構造体2、4の透過率は、アパーチャーaが照射される電磁波の波長に対してある程度大きい(例えば、数倍程度の大きさ)と、ほぼ一定になる。また、アパーチャーaが電磁波の波長に対して非常に小さいと、照射される電磁波は格子1および一体型構造体2、4をほぼ透過しない。そこで、例えば、格子1および一体型構造体2、4のアパーチャーaの大きさを調節して、周波数がテラヘルツの電磁波を照射すると、透過率が大きく変化するようにしている。   As described with reference to FIGS. 14, 15, and 17, when the grating 1 and the integral structures 2 and 4 are irradiated with electromagnetic waves having a frequency of terahertz, the transmittance greatly changes. The transmittance of the grating 1 and the integral structures 2 and 4 is substantially constant when it is somewhat large (for example, several times larger) than the wavelength of the electromagnetic wave irradiated by the aperture a. If the aperture a is very small with respect to the wavelength of the electromagnetic wave, the irradiated electromagnetic wave hardly transmits the grating 1 and the integral structures 2 and 4. Therefore, for example, when the size of the apertures a of the grating 1 and the integrated structures 2 and 4 is adjusted and an electromagnetic wave having a frequency of terahertz is irradiated, the transmittance is changed greatly.

なお、上記の実施形態は、以下のようにして実現できる。CPU、ハードディスク、メディア(フロッピー(登録商標)ディスク、CD−ROMなど)読み取り装置を備えたコンピュータのメディア読み取り装置に、上記の各部分(例えば、特性測定部40)を実現するプログラムを記録したメディアを読み取らせて、ハードディスクにインストールする。このような方法でも、上記の実施形態を実現できる。   In addition, said embodiment is realizable as follows. A medium in which a program for realizing each of the above-described parts (for example, the characteristic measurement unit 40) is recorded in a medium reading device of a computer having a CPU, a hard disk, and a medium (floppy (registered trademark) disk, CD-ROM, etc.) And install it on the hard disk. The above embodiment can also be realized by such a method.

なお、上記のような格子1および一体型構造体2を用いた屈折率測定は、格子1の機構的なサイズを適切に設計することでどのような周波数においても測定可能である。特に周波数がミリ波帯〜テラヘルツ帯(周波数:100GHz〜10THz、波長:3mm〜30μm)においては、被測定物20を配置する際に必要とされる被測定物20の量が少量で済むという点が有利である。   The refractive index measurement using the grating 1 and the integral structure 2 as described above can be measured at any frequency by appropriately designing the mechanical size of the grating 1. In particular, in the millimeter wave band to the terahertz band (frequency: 100 GHz to 10 THz, wavelength: 3 mm to 30 μm), the amount of the object to be measured 20 required when arranging the object to be measured 20 is small. Is advantageous.

より詳細には、上記の帯域よりも周波数が低い帯域と比べた場合は、格子1のサイズを小さくでき、少量の被測定物20で済んでしまう。上記の帯域よりも周波数が高い帯域(波長が光のように短い(すなわち、1μm以下)近赤外領域)と比べた場合は、被測定物20を配置することが容易である。   More specifically, when compared with a band having a frequency lower than the above band, the size of the grating 1 can be reduced, and a small amount of the object to be measured 20 is required. When compared with a band having a frequency higher than the above band (a near-infrared region having a wavelength as short as light (that is, 1 μm or less)), it is easy to arrange the DUT 20.

産業応用の観点からも、ミリ波帯〜テラヘルツ帯で、上記のような測定方法を適用すると、小型のDNAチップやタンパクチップなどを容易に製造でき、生体高分子の相互作用測定などに適用できるものと思われる。生体高分子の相互作用測定には近赤外領域で表面プラズモン共鳴現象を利用し、センサーの微小な屈折率の変化を検出する分析装置が開発されているが、流路系を用いてセンサーに液体試料を流し続けるため大量の試料を要する、装置が大型、高価である等の欠点がある。   From the viewpoint of industrial application, if the above measurement method is applied in the millimeter wave band to the terahertz band, a small DNA chip, protein chip, etc. can be easily manufactured, and it can be applied to biopolymer interaction measurement, etc. It seems to be. Analytical devices have been developed that use surface plasmon resonance in the near-infrared region to detect biopolymer interactions, and detect minute changes in the refractive index of the sensor. There are drawbacks that a large amount of sample is required to keep the liquid sample flowing, the apparatus is large, and expensive.

第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1の斜視図である。It is a perspective view of the lattice (gap arrangement structure) 1 concerning a first embodiment. 第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1のXY平面図である。It is an XY plan view of the lattice (gap arrangement structure) 1 according to the first embodiment. 格子1の表面に被測定物20を配置した一体型構造体2のXY平面図(図3(a))およびb−b断面図(図3(b))である。FIG. 3 is an XY plan view (FIG. 3A) and a bb cross-sectional view (FIG. 3B) of an integrated structure 2 in which an object to be measured 20 is arranged on the surface of a grating 1; 格子1の空隙部12の一つの近傍を表示した平面図である。FIG. 3 is a plan view showing one vicinity of a gap 12 of the lattice 1. 二種類以上の被測定物20を有している一体型構造体4の平面図である。It is a top view of the integrated structure 4 which has the to-be-measured object 20 of 2 or more types. 格子1の変形例について説明するためのXY平面図である。FIG. 6 is an XY plan view for explaining a modification of the lattice 1. 空隙部12が一個だけの場合の格子1のXY平面図である。It is an XY plan view of the lattice 1 when there is only one gap portion 12. 第一の実施形態にかかる一体型構造体2の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the measuring apparatus for measuring the refractive index of the to-be-measured object 20 of the integrated structure 2 concerning 1st embodiment. 容器50の斜視図(図9(a))、b−b断面図(図9(b))である。It is a perspective view (Drawing 9 (a)) and bb sectional view (Drawing 9 (b)) of container 50. 容器50に一体型構造体2を取り付けた状態の斜視図(図10(a))、b−b断面図(図10(b))である。They are a perspective view (Drawing 10 (a)) in the state where integral type structure 2 was attached to container 50, and a bb sectional view (Drawing 10 (b)). 図10に示す状態の容器50にパイプ64を取り付けた状態の斜視図(図11(a))、b−b断面図(図11(b))である。It is a perspective view (Drawing 11 (a)) in the state where pipe 64 was attached to container 50 of the state shown in Drawing 10, and bb sectional drawing (Drawing 11 (b)). 図8において一体型構造体2および容器50を格子1に置き換えたときの測定装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the measuring apparatus when the integrated structure 2 and the container 50 are replaced by the grating | lattice 1 in FIG. 第一の実施形態にかかる測定装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the measuring apparatus concerning 1st embodiment. 被測定物20の屈折率の決定法を説明するためのグラフである。4 is a graph for explaining a method of determining a refractive index of a device under test 20. 格子1の透過率を測定したグラフG1の、アパーチャーaおよびピッチpに対する変化を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the change with respect to the aperture a and the pitch p of the graph G1 which measured the transmittance | permeability of the grating | lattice 1. FIG. 第二の実施形態にかかる一体型構造体4の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the measuring apparatus for measuring the refractive index of the to-be-measured object 20 of the integrated structure 4 concerning 2nd embodiment. 格子1および一体型構造体2によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the frequency from which the transmittance | permeability takes the maximum value with the grating | lattice 1 and the integral structure 2. FIG. ワイヤストリップ幅2α(=p−a)の変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the frequency from which the transmittance | permeability takes the maximum value by the change of wire strip width 2 (alpha) (= pa). 一体型構造体2の厚さtの変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。It is a figure which shows the movement of the frequency from which the transmittance | permeability takes the maximum value with the change of the thickness t of the integrated structure 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 格子(空隙配置構造体)
2、4 一体型構造体
10 導体板
12 空隙部(開口)
15、15a、15b、15c、15d、15e シート
20 被測定物
30 電磁波照射部
32 放射制御部
34 電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)
36 電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)
40 特性測定部
42 透過率測定部
44 透過率記録部
46 屈折率導出部
50 容器
52a 前面
52b 背面
54 底面
56a,56b 側面
58 開放部
60 電磁波検出部
62 吸引装置
64 パイプ
70 制御・演算部
1 Lattice (void arrangement structure)
2, 4 Integrated structure 10 Conductor plate 12 Air gap (opening)
15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e Sheet 20 Measured object 30 Electromagnetic wave irradiation unit 32 Radiation control unit 34 Electromagnetic wave irradiation unit (first electromagnetic wave irradiation unit and second electromagnetic wave irradiation unit)
36 Electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection means and second electromagnetic wave detection means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 Characteristic measurement part 42 Transmittance measurement part 44 Transmittance recording part 46 Refractive index derivation part 50 Container 52a Front surface 52b Back surface 54 Bottom surface 56a, 56b Side surface 58 Opening part 60 Electromagnetic wave detection part 62 Suction device 64 Pipe 70 Control / arithmetic part

Claims (16)

開放部を有する容器と、
前記開放部を覆う一体型構造体と、
を備えた測定用構造体であって、
前記一体型構造体は、
電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、
所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、
前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材と、
を備え、
前記容器の内部の空気が吸引され、
前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である、
測定用構造体。
A container having an opening;
An integral structure covering the open portion;
A measurement structure comprising:
The integral structure is
An object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves;
A gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane;
An arrangement member arranged on the surface of the void arrangement structure and the object to be measured arranged,
With
The air inside the container is aspirated,
The inside of the container is a space on the opposite side to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
Measurement structure.
電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物を測定するために使用される測定用構造体であって、
開放部を有する容器と、
前記開放部を覆う一体型構造体と、
を備え、
前記一体型構造体は、
所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、
前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材と、
を備え、
前記容器の内部の空気が吸引され、
前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である、
測定用構造体。
A measurement structure used for measuring an object whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves,
A container having an opening;
An integral structure covering the open portion;
With
The integral structure is
A gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane;
An arrangement member arranged on the surface of the void arrangement structure;
With
The air inside the container is aspirated,
The inside of the container is a space on the opposite side to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
Measurement structure.
請求項1または2に記載の測定用構造体であって、
前記容器の内部の空気を吸引する吸引装置、
を備えた測定用構造体。
The measurement structure according to claim 1 or 2,
A suction device for sucking air inside the container;
A measurement structure comprising:
請求項1ないし3のいずれか一項に記載の測定用構造体であって、
前記空隙配置構造体は、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されている、
測定用構造体。
A measurement structure according to any one of claims 1 to 3,
In the gap arrangement structure, the gap portions having the same shape are arranged at predetermined intervals in a predetermined direction.
Measurement structure.
請求項4に記載の測定用構造体であって、
前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子である、
測定用構造体。
The measurement structure according to claim 4,
The gap arrangement structure is a two-dimensional lattice in which openings penetrating a conductor are arranged in a vertical direction and a horizontal direction.
Measurement structure.
請求項1ないし5のいずれか一項に記載の測定用構造体であって、
前記配置部材に配置された前記被測定物が二種類以上ある、
測定用構造体。
A measurement structure according to any one of claims 1 to 5,
There are two or more types of the objects to be measured arranged on the arrangement member.
Measurement structure.
請求項1ないし5のいずれか一項に記載の測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。
First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
請求項6に記載の測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。
Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure according to claim 6 with electromagnetic waves;
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
請求項7に記載の測定装置であって、
前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記第一応答電磁波を透過させるものである、
測定装置。
The measuring device according to claim 7,
The bottom of the container facing the open part is one that transmits the first response electromagnetic wave.
measuring device.
請求項8に記載の測定装置であって、
前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記応答電磁波を透過させるものである、
測定装置。
The measuring device according to claim 8,
The bottom of the container facing the open part is one that transmits the response electromagnetic wave.
measuring device.
請求項7に記載の測定装置であって、
前記特性測定手段が、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、
測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段と、
を有する測定装置。
The measuring device according to claim 7,
The characteristic measuring means comprises:
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, a transmittance measurement means for measuring the transmittance of the electromagnetic wave,
A refractive index deriving means for deriving a refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance;
Measuring device.
請求項11に記載の測定装置であって、
前記屈折率導出手段は、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出する、
測定装置。
The measuring device according to claim 11,
In the refractive index deriving unit, the transmittance measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at the frequency A is equal to the transmittance measured based on the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at the frequency B. A refractive index of the object to be measured is derived based on A and B,
measuring device.
請求項1ないし5のいずれか一項に記載の測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射工程と、
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、
前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。
A first electromagnetic wave irradiation step of irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
A first electromagnetic wave detection step of detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation step of irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detection step of detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection step and the detection result of the second electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring method.
請求項6に記載の測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射工程と、
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、
前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。
An electromagnetic wave irradiation step of irradiating each type of the object to be measured in the measurement structure according to claim 6 with an electromagnetic wave;
An electromagnetic wave detection step of detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step for measuring the characteristic of the object to be measured,
Measuring method.
請求項1ないし5のいずれか一項に記載の測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。
First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means.
請求項6に記載の測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。
Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure according to claim 6 with electromagnetic waves;
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection means.
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