JP2007163181A - Structure for measurement, measuring instrument, method and program - Google Patents
Structure for measurement, measuring instrument, method and program Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007163181A JP2007163181A JP2005356720A JP2005356720A JP2007163181A JP 2007163181 A JP2007163181 A JP 2007163181A JP 2005356720 A JP2005356720 A JP 2005356720A JP 2005356720 A JP2005356720 A JP 2005356720A JP 2007163181 A JP2007163181 A JP 2007163181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- measurement
- measured
- response
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電磁波を照射して測定する被測定物の取り扱いに関する。 The present invention relates to handling of an object to be measured that is measured by irradiation with electromagnetic waves.
従来より、テラヘルツ波を被測定物に照射した際の透過率に基づき、被測定物を分析することが知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、金属板に孔をあけたものに電磁波を照射した際の透過率も知られている(例えば、非特許文献1を参照)。さらに、金属板に孔をあけたものを位相差板として利用することも知られている(例えば、特許文献2を参照)。 Conventionally, it is known to analyze an object to be measured based on transmittance when the object to be measured is irradiated with a terahertz wave (see, for example, Patent Document 1). Moreover, the transmittance | permeability at the time of irradiating electromagnetic waves to what opened the hole in the metal plate is also known (for example, refer nonpatent literature 1). Furthermore, it is also known to use a metal plate having a hole as a retardation plate (see, for example, Patent Document 2).
また、非特許文献3のFig.1を参照して、テラヘルツ時間領域分光法(Terahertz Time Domain
Spectroscopy : THz-TDS)による測定法も知られている。
Further, referring to Fig. 1 of Non-Patent Document 3, Terahertz Time Domain Spectroscopy (Terahertz Time Domain Spectroscopy)
Spectroscopy: THz-TDS) is also known.
しかしながら、上記のような先行技術は、電磁波が照射される被測定物をどのように取り扱えば有利かということを開示していない。 However, the prior art as described above does not disclose how it is advantageous to handle a measurement object irradiated with electromagnetic waves.
また、テラヘルツ時間領域分光法は複雑な測定法である。 Terahertz time domain spectroscopy is a complex measurement method.
そこで、本発明は、電磁波が照射されることによって測定される被測定物を有利に取り扱う(例えば、簡便な測定を行う)ことを課題とする。 Then, this invention makes it a subject to handle the to-be-measured object measured by irradiating electromagnetic waves advantageously (for example, performing a simple measurement).
本発明にかかる測定用構造体は、開放部を有する容器と、前記開放部を覆う一体型構造体と、を備えた測定用構造体であって、前記一体型構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材と、を備え、前記容器の内部の空気が吸引され、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間であるように構成される。 The measurement structure according to the present invention is a measurement structure including a container having an open portion and an integrated structure that covers the open portion, and the integrated structure irradiates electromagnetic waves. An object whose characteristics are measured, a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and an arrangement on the surface of the void arrangement structure, the measurement object being arranged And an air inside the container is sucked, and the inside of the container is configured to be a space opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure. .
上記のように構成された測定用構造体によれば、容器は開放部を有する。一体型構造体は前記開放部を覆う。 According to the measurement structure configured as described above, the container has an open portion. The integral structure covers the opening.
しかも、一体型構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材とを備える。 Moreover, the integrated structure includes an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves, a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and the void arrangement structure. And an arrangement member on which the object to be measured is arranged.
さらに、前記容器の内部の空気が吸引される。ただし、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である。 Furthermore, the air inside the container is sucked. However, the inside of the container is a space on the side opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
本発明にかかる測定用構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物を測定するために使用される測定用構造体であって、開放部を有する容器と、前記開放部を覆う一体型構造体と、を備え、前記一体型構造体は、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材と、を備え、前記容器の内部の空気が吸引され、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間であるように構成される。 A measurement structure according to the present invention is a measurement structure used for measuring an object whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, the container having an open portion, and the open portion And the integrated structure is disposed on the surface of the void-arranged structure in which a void portion surrounded by a conductor is disposed in a predetermined plane. An arrangement member, wherein air inside the container is sucked, and the inside of the container is configured to be a space opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
上記のように構成された発明によれば、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物を測定するために使用される測定用構造体が提供される。 According to the invention configured as described above, a measurement structure used for measuring an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves is provided.
容器は、開放部を有する。一体型構造体は、前記開放部を覆う。 The container has an opening. The integral structure covers the opening.
しかも、前記一体型構造体は、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材とを備える。 In addition, the integrated structure includes a gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane, and an arrangement member arranged on the surface of the gap arrangement structure.
さらに、前記容器の内部の空気が吸引される。ただし、前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である。 Furthermore, the air inside the container is sucked. However, the inside of the container is a space on the side opposite to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
また、本発明にかかる測定用構造体は、前記容器の内部の空気を吸引する吸引装置を備えるようにしてもよい。 Moreover, the measurement structure according to the present invention may include a suction device that sucks air inside the container.
また、本発明にかかる測定用構造体は、前記空隙配置構造体は、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されているようにしてもよい。 Further, in the measurement structure according to the present invention, the gap arrangement structure may be configured such that the gap portions having the same shape are arranged at a predetermined interval in a predetermined direction.
また、本発明にかかる測定用構造体は、前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子であるようにしてもよい。 In the measurement structure according to the present invention, the gap arrangement structure may be a two-dimensional lattice in which openings penetrating the conductor are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.
また、本発明にかかる測定用構造体は、前記配置部材に配置された前記被測定物が二種類以上あるようにしてもよい。 In the measurement structure according to the present invention, there may be two or more types of the objects to be measured arranged on the arrangement member.
本発明にかかる測定装置は、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。
A measuring apparatus according to the present invention includes a first electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of
本発明にかかる測定装置は、請求項5に記載の測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。 The measuring apparatus according to the present invention includes an electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the object to be measured in the measurement structure according to claim 5, and a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. The electromagnetic wave detecting means for detecting the response electromagnetic wave and the characteristic measuring means for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detecting means.
また、本発明にかかる測定装置は、前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記第一応答電磁波を透過させるものであるようにしてもよい。 In the measuring apparatus according to the present invention, the bottom portion of the container facing the open portion may transmit the first response electromagnetic wave.
また、本発明にかかる測定装置は、前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記応答電磁波を透過させるものであるようにしてもよい。 In the measuring apparatus according to the present invention, the bottom portion of the container facing the open portion may transmit the response electromagnetic wave.
また、本発明にかかる測定装置は、前記特性測定手段が、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段とを有するようにしてもよい。 Further, the measuring device according to the present invention includes a transmittance measuring unit that measures the transmittance of the electromagnetic wave based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit and the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit. And a refractive index deriving means for deriving the refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance.
また、本発明にかかる測定装置は、前記屈折率導出手段は、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出するようにしてもよい。 Further, in the measuring apparatus according to the present invention, the refractive index deriving unit includes a transmittance measured based on a detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at a frequency A and a detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at a frequency B. The refractive index of the object to be measured may be derived based on A and B when the transmittance measured based on
本発明は、測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射工程と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。 The present invention provides a first electromagnetic wave irradiation step for irradiating a measurement structure with a first electromagnetic wave, and a first electromagnetic wave detection for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave. A second electromagnetic wave irradiating step for irradiating the gap arrangement structure with the second electromagnetic wave, and a second electromagnetic wave detection for detecting a second response electromagnetic wave as a response to the irradiated second electromagnetic wave by the gap arrangement structure And a characteristic measuring step of measuring a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the first electromagnetic wave detection step and a detection result of the second electromagnetic wave detection step.
本発明は、測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射工程と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。 The present invention provides an electromagnetic wave irradiation process for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure with an electromagnetic wave, and an electromagnetic wave detection process for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. And a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection step.
本発明は、測定用構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 The present invention provides a first electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave, and a first electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure with the first electromagnetic wave. Means, a second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the gap arrangement structure with the second electromagnetic wave, and a second electromagnetic wave detection for detecting a second response electromagnetic wave which is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising: a detection result of the first electromagnetic wave detection means and a detection result of the second electromagnetic wave detection means; A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring characteristics.
本発明は、測定用構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 The present invention provides an electromagnetic wave irradiating means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure with an electromagnetic wave, and an electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. And a program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the electromagnetic wave detection means. It is a program.
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第一の実施形態
図1は、第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1の斜視図である。格子(空隙配置構造体)1は、導体板10を有する。導体板10は、例えば金属板である。導体板10の厚みの方向は、Z方向である。導体板10には、空隙部(開口)12が開けられている。空隙部12はZ方向に導体板10を貫通する。空隙部12は、XY平面において開口する。空隙部12は、縦方向(Y方向)および横方向(X方向)に配列されている。すなわち、格子1は、二次元格子である。
First Embodiment FIG. 1 is a perspective view of a lattice (gap arrangement structure) 1 according to a first embodiment. The lattice (gap arrangement structure) 1 includes a
図2は、第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1のXY平面図である。図2を参照して、格子(空隙配置構造体)1は、XY平面において、空隙部(開口)12が二方向(X方向およびY方向)に配列されている。空隙部12は、正方形の開口であり、X方向およびY方向の一辺の長さ(アパーチャー:aperture)はともに等しい(aであるとする)。また、空隙部12のX方向のピッチおよびY方向のピッチ(pitch)はともに等しい(pであるとする)。なお、aおよびpが数十ミクロン程度なので、格子1は、いわゆるメッシュであるともいえる。
FIG. 2 is an XY plan view of the lattice (gap arrangement structure) 1 according to the first embodiment. Referring to FIG. 2, in a lattice (gap arrangement structure) 1, gaps (openings) 12 are arranged in two directions (X direction and Y direction) on the XY plane. The
図3は、格子1の表面に被測定物20を配置した一体型構造体2のXY平面図(図3(a))およびb−b断面図(図3(b))である。一体型構造体2は、シート(配置部材)15を有する。シート15は、格子1の表面に載せられている。図3(a)を参照すると、シート15が格子1の空隙部12を覆い隠して見えないようにしている状態であることがわかる。また、図3(b)を参照すると、シート15の裏面は格子1の表面に接しており、シート15の表面には被測定物20(例えばDNAであり、Y字状の図形として図示している)が配置(例えば、固定)されている。シート15は、例えば、DNAのハイブリダイゼーションに用いられるナイロン膜である。被測定物20であるDNAは、ナイロン膜であるシート15にしみこませることにより、シート15に固定できる。
FIGS. 3A and 3B are an XY plan view (FIG. 3A) and a bb cross-sectional view (FIG. 3B) of the
図4は、格子1の空隙部12の一つの近傍を表示した平面図である。空隙部12は、XY平面において、導体板10の一部である導体14で囲まれているものといえる。このような空隙部12がX方向およびY方向に配列されている。
FIG. 4 is a plan view showing one vicinity of the
図5は、二種類以上の被測定物20を有している一体型構造体4の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of the
図5(a)は、格子1に二つのシート15a、15bが載せられている状態の一体型構造体4の平面図である。シート15aに固定された被測定物20と、シート15bに固定された被測定物20とは異なるものである。
FIG. 5A is a plan view of the
図5(b)は、格子1に三つのシート15c、15d、15eが載せられている状態の一体型構造体4の平面図である。シート15cに固定された被測定物20と、シート15dに固定された被測定物20と、シート15eに固定された被測定物20とは異なるものである。このように、一体型構造体4に三種類以上の被測定物を配置してもよい。
FIG. 5B is a plan view of the
図6は、格子1の変形例について説明するためのXY平面図である。図6(a)は、空隙部12が一方向(X方向)にしか配列されていない。すなわち、一次元に配列されたものである。図6(b)は、空隙部12がX方向、Y1方向およびY2方向(Y方向ではない)に配列されている。どちらも、格子1として使用できる。ただし、図6に示すように同一形状(同じ形かつ同じ大きさ)の空隙部12が所定のピッチ(または間隔)で配置されていることを要する。また、格子1の空隙部12は正方形でなくてもよく、円形でもよいし、三角形や四角形でも可能である。すなわち、二次元的な図形であればよい。さらに、図7に示すように、空隙部12が一個だけの場合も格子1として使用できる。
FIG. 6 is an XY plan view for explaining a modified example of the
図8は、第一の実施形態にかかる一体型構造体2の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。測定装置は、放射制御部32、電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34、電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36、特性測定部40、容器50、吸引装置62、パイプ64を備える。なお、一体型構造体2および容器50が測定用構造体を構成する。また、測定用構造体は吸引装置62およびパイプ64を有してもよい。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the
なお、図12は、図8において一体型構造体2および容器50を格子1に置き換えたときの測定装置の構成を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the measuring apparatus when the
図9は、容器50の斜視図(図9(a))、b−b断面図(図9(b))である。容器50は、中空の直方体である。ただし、上面にあたる部分が無く開放部58(図9(b)参照)となっているので、上から見ると底面54が見える(図9(a)参照)。容器50は開放部58によって図9に示す上部方向に開放されているといえる。容器50は、前面52a、背面52b、側面56a、56bを有する。前面52a、背面52bおよび側面56a、56bは底面54と直交している。前面52aと背面52bとは平行であり、側面56aと側面56bとは平行である。前面52aと側面56aとは直交しており、背面52bと側面56bとは直交している。開放部58は、底面54と向かい合っている。
FIG. 9 is a perspective view of the container 50 (FIG. 9A) and a bb cross-sectional view (FIG. 9B). The
図10は、容器50に一体型構造体2を取り付けた状態の斜視図(図10(a))、b−b断面図(図10(b))である。ただし、図10(b)においては、一体型構造体2は断面をとっていない。一体型構造体2は、開放部58(図9(b)参照)を覆うようにして容器50に取り付けられる。
FIG. 10 is a perspective view (FIG. 10A) and a bb cross-sectional view (FIG. 10B) in a state where the
図11は、図10に示す状態の容器50にパイプ64を取り付けた状態の斜視図(図11(a))、b−b断面図(図11(b))である。パイプ64の一端は容器50の内部に接続され、パイプ64の他端は吸引装置62(図11においては図示省略する)に接続されている。吸引装置62は、例えば空気を吸い込むポンプであり、容器50の内部の空気を吸引する。なお、容器50の内部とは、格子1から見てシート15とは反対側の空間であり、容器50とシート15とにより囲まれた空間である。吸引装置62により容器50の内部の空気を吸引することにより、シート15に配置された被測定物20を所望の吸引力で格子1に密着させることができる。
FIGS. 11A and 11B are a perspective view (FIG. 11A) and a bb cross-sectional view (FIG. 11B) in a state where the
なお、図9〜図11においては、容器50が中空の直方体(ただし、上面が開放されている)であるように図示している。しかし、容器50は中空の円筒(ただし、上面が開放されているものとする)であってもよい。容器50は開放部58で開放されているようなものであればよく、直方体および円筒に限定されない。
9 to 11, the
また、図11に示す状態から前面52aを下に向けると、図8における測定用構造体(一体型構造体2および容器50)の状態となる。
Further, when the
放射制御部32は、電磁波のパワーP1、電磁波の周波数fを指定して、電磁波照射部34に電磁波を放射させる。指定したパワーP1および周波数fは、特性測定部40の透過率測定部42にも与えられる。
The
電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34は、パワーP1および周波数fの電磁波を放射する。放射された電磁波は格子1(図12参照)または測定用構造体(一体型構造体2および容器50)に照射される。
The electromagnetic wave irradiation unit (first electromagnetic wave irradiation means and second electromagnetic wave irradiation means) 34 emits an electromagnetic wave having power P1 and frequency f. The emitted electromagnetic wave is applied to the grating 1 (see FIG. 12) or the measurement structure (
ここで、測定用構造体に照射される電磁波を第一電磁波といい、格子1に照射される電磁波を第二電磁波という。
Here, the electromagnetic wave applied to the measurement structure is referred to as a first electromagnetic wave, and the electromagnetic wave applied to the
電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36は、格子1または測定用構造体を透過した電磁波を検出し、パワーP2を測定し、特性測定部40の透過率測定部42に与える。なお、透過した電磁波ではなく反射した電磁波を検出することも考えられる。
The electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection unit and second electromagnetic wave detection unit) 36 detects an electromagnetic wave transmitted through the
すなわち、電磁波検出部36は、照射された第一電磁波に対する一体型構造体2による応答(例えば、透過、反射)である第一応答電磁波および照射された第二電磁波に対する格子1による応答(例えば、透過、反射)である第二応答電磁波を検出すればよい。
That is, the electromagnetic
特性測定部40は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、被測定物20の特性を測定する。特性測定部40は、透過率測定部42、透過率記録部44、屈折率導出部46を有する。
The
透過率測定部42は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する。すなわち、測定用構造体および格子1の電磁波の透過率を測定する。透過率は、P2/P1により求められる。ただし、反射が無視できない場合は、厚さの異なる同一物について、P2を測定してやれば、反射の影響をキャンセルできる。これについては周知なので詳細には説明をしない。
The
透過率記録部44は、透過率測定部42が測定した透過率を電磁波の周波数に対応づけて記録する。
The
屈折率導出部46は、測定された透過率に基づき、被測定物20の屈折率を導出する。すなわち、周波数Aにおける第一応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける第二応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、被測定物20の屈折率をAおよびBに基づき導出する。
The refractive
次に、第一の実施形態の動作を説明する。 Next, the operation of the first embodiment will be described.
図13は、第一の実施形態にかかる測定装置の動作を示すフローチャートである。図14は、被測定物20の屈折率の決定法を説明するためのグラフである。
FIG. 13 is a flowchart showing the operation of the measuring apparatus according to the first embodiment. FIG. 14 is a graph for explaining a method for determining the refractive index of the
なお、格子1および一体型構造体2の散乱および吸収は無視できるものとする。例えば、格子1および一体型構造体2の材質がそのような条件を満たすものである。または、格子1および一体型構造体2の厚さがそのような条件を満たすものである。さらに、底面54は、第一応答電磁波を透過させるものである。第一応答電磁波の周波数は、第一電磁波の周波数と同じくテラヘルツ(THz : 1012Hz)であるため、底面54は例えば、薄いプラスチックフィルム、薄い石英または薄いポリエチレンである。
Note that scattering and absorption of the
一般的に、強度がI0の入射波が物質中をxだけ進行した点での強度をI(x)とすると、入射波の減衰(吸収)は、I(x)
= I0exp-αxのように表せる。
In general, if the intensity at the point where an incident wave with an intensity of I 0 travels through the substance by x is I (x), the attenuation (absorption) of the incident wave is I (x)
= I 0 exp -αx
上記の式のα(材質によって定まる)かx(厚さ)が非常に小さい場合に吸収が無視できる。 Absorption is negligible when α (determined by the material) or x (thickness) in the above equation is very small.
まず、格子1を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して(図12参照)、電磁波照射部34から所定の帯域の第二電磁波を放射する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第二応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が格子1の透過率を測定する(S10)。透過率は、P2/P1により求められる。測定された透過率は第二電磁波の周波数に対応付けられて透過率記録部44に記録される。ただし、測定装置は屈折率n0(例えば、1)の空気中で使用するものとする。
First, the
図14に示す例では、所定の帯域として0THzを超えて6THz(テラヘルツ)までの帯域をとり、格子1の透過率を測定したグラフG1が図示されている。このグラフG1は、Tn0(f)と表現できる。すなわち、透過率Tは、屈折率n0および周波数fの関数である。
In the example shown in FIG. 14, a graph G <b> 1 is shown in which the transmittance of the
次に、測定用構造体(一体型構造体2および容器50)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して、電磁波照射部34から周波数Aの第一電磁波を放射する。第一電磁波は一体型構造体2を透過し(第一応答電磁波)、さらに容器50の底面54を透過する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第一応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が一体型構造体2の透過率を測定する(S12)。透過率は、P2/P1により求められる。
Next, the measurement structure (
図14に示す例では、周波数A=1THzとして、一体型構造体2の透過率=40%を得る(グラフG2)。このグラフG2は、Tnx(A)と表現できる。すなわち、周波数Aにおける一体型構造体2の透過率Tnxは、被測定物20の屈折率nxおよび周波数A(=1THz)の関数である。
In the example shown in FIG. 14, the transmittance A = 40% of the
次に、屈折率導出部46が、透過率記録部44の記録内容および透過率測定部42の測定した一体型構造体2の透過率に基づき、対応周波数Bを決定する(S14)。すなわち、図8を参照して、屈折率導出部46が、周波数A(=1THz)における電磁波検出部36の検出結果(グラフG2)に基づき測定された透過率(=40%)と、対応周波数Bにおける電磁波検出部36の検出結果に基づき測定された透過率とが等しくなるような、対応周波数Bを決定する。対応周波数Bは3.4THzとなる。
Next, the refractive
これは、Tn0(B) = Tnx(A)ということを意味する。 This means that T n0 (B) = T nx (A).
最後に、屈折率導出部46が、被測定物20の屈折率を導出する(S16)。すなわち、被測定物20の屈折率=B/Aとして、被測定物20の屈折率nxを導出する。図8に示す例では、屈折率nx=3.4THz/1THz=3.4となる。これは、B=nx・Aということを用いて、被測定物20の屈折率nxを導出したものである。
Finally, the refractive
第一の実施形態にかかる一体型構造体2によれば、被測定物20を有利に取り扱うことができる。例えば、一体型構造体2の表面に載せられたシート15に配置されている被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。
According to the
しかも、第一の実施形態にかかる測定用構造体(一体型構造体2および容器50)によれば、一体型構造体2の表面に載せられたシート15に配置された被測定物20を所望の吸引力で格子1に密着させることができる。所望の吸引力で被測定物20を密着させることができるため、被測定物20の物理量(屈折率など)の変化の測定精度を向上させることができる。
In addition, according to the measurement structure (
第一の実施形態にかかる測定装置によれば、一体型構造体2および格子(空隙配置構造体)1における電磁波の透過率を測定することにより、被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。
According to the measuring apparatus according to the first embodiment, the characteristics (for example, refractive index) of the
図15は、格子1の透過率を測定したグラフG1の、アパーチャーaおよびピッチpに対する変化を説明するための図である。aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、傾きが小さく、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、傾きが大きい。
FIG. 15 is a diagram for explaining changes of the graph G1 in which the transmittance of the
対応周波数Bの最大値は、透過率が極大値をとる周波数F1(グラフG1−1)、周波数F2(グラフG1−2)である。対応周波数Bの最大値が大きい程、より大きな屈折率を測定できる。よって、aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、広い範囲の屈折率を測定できる。逆に、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、高精度に屈折率を測定できる。屈折率がわずかに異なっても、透過率が大きく変化するからである。 The maximum value of the corresponding frequency B is the frequency F1 (graph G1-1) and the frequency F2 (graph G1-2) at which the transmittance is a maximum value. The larger the maximum value of the corresponding frequency B, the larger the refractive index can be measured. Therefore, when a and p are small (graph G1-1), a wide range of refractive indexes can be measured. Conversely, when a and p are large (graph G1-2), the refractive index can be measured with high accuracy. This is because the transmittance varies greatly even if the refractive index is slightly different.
よって、広い範囲の屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを小さくした一体型構造体2を利用するとよい。高精度に屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを大きくした一体型構造体2を利用するとよい。
Therefore, if it is desired to measure the refractive index in a wide range, it is preferable to use the
なお、ピッチpが小さいと、透過率が極大値をとる周波数が高周波側になる。ピッチpが大きいと、透過率が極大値をとる周波数が低周波側になる。そこで、第一電磁波の周波数に応じて、ピッチpを選択するとよい。 In addition, when the pitch p is small, the frequency at which the transmittance takes a maximum value is on the high frequency side. When the pitch p is large, the frequency at which the transmittance takes a maximum value is on the low frequency side. Therefore, the pitch p may be selected according to the frequency of the first electromagnetic wave.
また、高精度に屈折率を測定するためには、ワイヤストリップ幅2α(=p−a)または一体型構造体2の厚さtを変化させてもよい。
Further, in order to measure the refractive index with high accuracy, the wire strip width 2α (= pa) or the thickness t of the
図18は、ワイヤストリップ幅2α(=p−a)の変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図18に示すように、ワイヤストリップ幅2αが変化しても透過率が極大値をとる周波数は変化しない。しかし、ワイヤストリップ幅2αを大きくすると、透過率が極大値をとる周波数の近傍の傾きが大きくなる。よって、ワイヤストリップ幅2αを大きくすると、高精度に屈折率を測定できる。 FIG. 18 is a diagram illustrating the frequency shift in which the transmittance has a maximum value due to the change in the wire strip width 2α (= pa). As shown in FIG. 18, even when the wire strip width 2α is changed, the frequency at which the transmittance reaches the maximum value does not change. However, when the wire strip width 2α is increased, the slope in the vicinity of the frequency at which the transmittance reaches a maximum value increases. Therefore, when the wire strip width 2α is increased, the refractive index can be measured with high accuracy.
図19は、一体型構造体2の厚さtの変化によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図19に示すように、一体型構造体2の厚さtが変化しても透過率が極大値をとる周波数は変化しない。しかし、一体型構造体2の厚さtを大きくすると、透過率が極大値をとる周波数の近傍の傾きが大きくなる。よって、一体型構造体2の厚さtを大きくすると、高精度に屈折率を測定できる。
FIG. 19 is a diagram illustrating the shift of the frequency at which the transmittance reaches the maximum value due to the change in the thickness t of the
第二の実施形態
第二の実施形態にかかる測定装置は、一体型構造体4を容器50に取り付けた測定用構造体に、テラヘルツ波を照射し、二次元走査を行う点で第一の実施形態と異なる。
Second Embodiment The measurement apparatus according to the second embodiment is the first implementation in that two-dimensional scanning is performed by irradiating terahertz waves to the measurement structure in which the
図16は、第二の実施形態にかかる一体型構造体4の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。第二の実施形態にかかる測定装置は、一体型構造体4、容器50、吸引装置62、パイプ64、電磁波照射部30、X−Yステージ100、電磁波検出部60、制御・演算部70、放物面ミラー80a、80b、80c、80d、ミラー90を備える。ただし、吸引装置62とパイプ64とは図示省略する。
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the
電磁波照射部30は、テラヘルツ波を照射する。X−Yステージ100は、測定用構造体(一体型構造体4および容器50)をX方向およびY方向に移動させる。電磁波検出部60は、一体型構造体4を透過し(応答電磁波)、さらに容器50の底面54を透過したテラヘルツ波を検出する。検出されるテラヘルツ波は、電磁波照射部30により一体型構造体4に照射された電磁波に対する一体型構造体4による応答(応答電磁波)といえる。制御・演算部70は、X−Yステージ100を制御し、かつ、電磁波検出部60の検出結果に基づき、一体型構造体4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。
The electromagnetic
放物面ミラー80aは、ミラー90から与えられたテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80bに与える。放物面ミラー80bは、放物面ミラー80aから与えられたテラヘルツ波を反射して一体型構造体4に照射する。テラヘルツ波は、一体型構造体4上の一点(「焦点」という)に照射される。放物面ミラー80cは、一体型構造体4を透過したテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80dに与える。放物面ミラー80dは、放物面ミラー80cから与えられたテラヘルツ波を反射して電磁波検出部60に与える。ミラー90は、電磁波照射部30の放射したテラヘルツ波を反射して、放物面ミラー80aに与える。
The
なお、図示しないディスプレイを制御・演算部70に接続して、屈折率および透過率を表示することもできる。また、画像処理(屈折率または吸収率が大きい程に白く、小さい程に黒く)を施してディスプレイに表示してもよい。
A display (not shown) can be connected to the control /
また、一体型構造体4および容器50は第一の実施形態と同様であり説明を省略する。ただし、底面54は、応答電磁波を透過させるものである。応答電磁波の周波数は、電磁波照射部30が放射した電磁波の周波数と同じくテラヘルツ(THz : 1012Hz)であるため、底面54は例えば薄いプラスチックフィルム、薄い石英または薄いポリエチレンである。
Further, the
次に、第二の実施形態の動作を説明する。 Next, the operation of the second embodiment will be described.
電磁波照射部30により照射されたテラヘルツ波は、ミラー90および放物面ミラー80a、80bにより反射され、一体型構造体4(図5参照)に照射される。ここで、X−Yステージ50は、制御・演算部70の制御を受け、一体型構造体4のシート15a、15b(またはシート15c、15d、15e)の各々がテラヘルツ波を受けるように、すなわち焦点がシート15a〜15eにあうように、X方向およびY方向に移動させる。すなわち、二次元走査させる。一体型構造体4のシート15a〜15eを透過したテラヘルツ波は放物面ミラー80c、80dにより反射され、電磁波検出部60に与えられる。電磁波検出部60は、一体型構造体4を透過したテラヘルツ波を検出する。制御・演算部70は、電磁波検出部60の検出結果に基づき、一体型構造体4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。演算法は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
The terahertz wave irradiated by the electromagnetic
なお、図5(a)に示す一体型構造体4を利用した場合、特性測定部40は、シート15aに配置された被測定物の透過率と、シート15bに配置された被測定物の透過率との差を測定できる。また、図5(b)に示す一体型構造体4を利用した場合は、特性測定部40は、シート15cに配置された被測定物の透過率と、シート15dに配置された被測定物の透過率と、シート15eに配置された被測定物の透過率とのなかから任意の二つの透過率の間の差を測定できる。第二の実施形態によれば、一体型構造体4の被測定物20の特性を詳細かつ精密に測定することができる。
When the
なお、上記の実施形態において、格子1および一体型構造体2の透過率を計測すると、透過率が極大値をとる周波数が移動することがわかる。図17は、格子1および一体型構造体2によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図17に示すように、透過率が極大値をとる周波数Fa(格子1:グラフGa)がFb(一体型構造体2:グラフGb)に移動する。これにより、被測定物20が何であるか(これも被測定物20の特性の一種)を特定するようなこともできる。
In the above embodiment, when the transmittance of the
なお、図14、図15、図17を参照して説明したように、格子1および一体型構造体2、4は、周波数がテラヘルツの電磁波を照射すると、透過率が大きく変化する。格子1および一体型構造体2、4の透過率は、アパーチャーaが照射される電磁波の波長に対してある程度大きい(例えば、数倍程度の大きさ)と、ほぼ一定になる。また、アパーチャーaが電磁波の波長に対して非常に小さいと、照射される電磁波は格子1および一体型構造体2、4をほぼ透過しない。そこで、例えば、格子1および一体型構造体2、4のアパーチャーaの大きさを調節して、周波数がテラヘルツの電磁波を照射すると、透過率が大きく変化するようにしている。
As described with reference to FIGS. 14, 15, and 17, when the
なお、上記の実施形態は、以下のようにして実現できる。CPU、ハードディスク、メディア(フロッピー(登録商標)ディスク、CD−ROMなど)読み取り装置を備えたコンピュータのメディア読み取り装置に、上記の各部分(例えば、特性測定部40)を実現するプログラムを記録したメディアを読み取らせて、ハードディスクにインストールする。このような方法でも、上記の実施形態を実現できる。 In addition, said embodiment is realizable as follows. A medium in which a program for realizing each of the above-described parts (for example, the characteristic measurement unit 40) is recorded in a medium reading device of a computer having a CPU, a hard disk, and a medium (floppy (registered trademark) disk, CD-ROM, etc.) And install it on the hard disk. The above embodiment can also be realized by such a method.
なお、上記のような格子1および一体型構造体2を用いた屈折率測定は、格子1の機構的なサイズを適切に設計することでどのような周波数においても測定可能である。特に周波数がミリ波帯〜テラヘルツ帯(周波数:100GHz〜10THz、波長:3mm〜30μm)においては、被測定物20を配置する際に必要とされる被測定物20の量が少量で済むという点が有利である。
The refractive index measurement using the
より詳細には、上記の帯域よりも周波数が低い帯域と比べた場合は、格子1のサイズを小さくでき、少量の被測定物20で済んでしまう。上記の帯域よりも周波数が高い帯域(波長が光のように短い(すなわち、1μm以下)近赤外領域)と比べた場合は、被測定物20を配置することが容易である。
More specifically, when compared with a band having a frequency lower than the above band, the size of the
産業応用の観点からも、ミリ波帯〜テラヘルツ帯で、上記のような測定方法を適用すると、小型のDNAチップやタンパクチップなどを容易に製造でき、生体高分子の相互作用測定などに適用できるものと思われる。生体高分子の相互作用測定には近赤外領域で表面プラズモン共鳴現象を利用し、センサーの微小な屈折率の変化を検出する分析装置が開発されているが、流路系を用いてセンサーに液体試料を流し続けるため大量の試料を要する、装置が大型、高価である等の欠点がある。 From the viewpoint of industrial application, if the above measurement method is applied in the millimeter wave band to the terahertz band, a small DNA chip, protein chip, etc. can be easily manufactured, and it can be applied to biopolymer interaction measurement, etc. It seems to be. Analytical devices have been developed that use surface plasmon resonance in the near-infrared region to detect biopolymer interactions, and detect minute changes in the refractive index of the sensor. There are drawbacks that a large amount of sample is required to keep the liquid sample flowing, the apparatus is large, and expensive.
1 格子(空隙配置構造体)
2、4 一体型構造体
10 導体板
12 空隙部(開口)
15、15a、15b、15c、15d、15e シート
20 被測定物
30 電磁波照射部
32 放射制御部
34 電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)
36 電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)
40 特性測定部
42 透過率測定部
44 透過率記録部
46 屈折率導出部
50 容器
52a 前面
52b 背面
54 底面
56a,56b 側面
58 開放部
60 電磁波検出部
62 吸引装置
64 パイプ
70 制御・演算部
1 Lattice (void arrangement structure)
2, 4
15, 15a, 15b, 15c, 15d,
36 Electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection means and second electromagnetic wave detection means)
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記開放部を覆う一体型構造体と、
を備えた測定用構造体であって、
前記一体型構造体は、
電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、
所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、
前記空隙配置構造体の表面に配置され、前記被測定物が配置された配置部材と、
を備え、
前記容器の内部の空気が吸引され、
前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である、
測定用構造体。 A container having an opening;
An integral structure covering the open portion;
A measurement structure comprising:
The integral structure is
An object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves;
A gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane;
An arrangement member arranged on the surface of the void arrangement structure and the object to be measured arranged,
With
The air inside the container is aspirated,
The inside of the container is a space on the opposite side to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
Measurement structure.
開放部を有する容器と、
前記開放部を覆う一体型構造体と、
を備え、
前記一体型構造体は、
所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、
前記空隙配置構造体の表面に配置された配置部材と、
を備え、
前記容器の内部の空気が吸引され、
前記容器の内部とは、前記空隙配置構造体から見て前記配置部材とは反対側の空間である、
測定用構造体。 A measurement structure used for measuring an object whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves,
A container having an opening;
An integral structure covering the open portion;
With
The integral structure is
A gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane;
An arrangement member arranged on the surface of the void arrangement structure;
With
The air inside the container is aspirated,
The inside of the container is a space on the opposite side to the arrangement member when viewed from the gap arrangement structure.
Measurement structure.
前記容器の内部の空気を吸引する吸引装置、
を備えた測定用構造体。 The measurement structure according to claim 1 or 2,
A suction device for sucking air inside the container;
A measurement structure comprising:
前記空隙配置構造体は、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されている、
測定用構造体。 A measurement structure according to any one of claims 1 to 3,
In the gap arrangement structure, the gap portions having the same shape are arranged at predetermined intervals in a predetermined direction.
Measurement structure.
前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子である、
測定用構造体。 The measurement structure according to claim 4,
The gap arrangement structure is a two-dimensional lattice in which openings penetrating a conductor are arranged in a vertical direction and a horizontal direction.
Measurement structure.
前記配置部材に配置された前記被測定物が二種類以上ある、
測定用構造体。 A measurement structure according to any one of claims 1 to 5,
There are two or more types of the objects to be measured arranged on the arrangement member.
Measurement structure.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。 First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。 Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure according to claim 6 with electromagnetic waves;
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記第一応答電磁波を透過させるものである、
測定装置。 The measuring device according to claim 7,
The bottom of the container facing the open part is one that transmits the first response electromagnetic wave.
measuring device.
前記開放部と向かい合う前記容器の底部が、前記応答電磁波を透過させるものである、
測定装置。 The measuring device according to claim 8,
The bottom of the container facing the open part is one that transmits the response electromagnetic wave.
measuring device.
前記特性測定手段が、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、
測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段と、
を有する測定装置。 The measuring device according to claim 7,
The characteristic measuring means comprises:
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, a transmittance measurement means for measuring the transmittance of the electromagnetic wave,
A refractive index deriving means for deriving a refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance;
Measuring device.
前記屈折率導出手段は、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出する、
測定装置。 The measuring device according to claim 11,
In the refractive index deriving unit, the transmittance measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at the frequency A is equal to the transmittance measured based on the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at the frequency B. A refractive index of the object to be measured is derived based on A and B,
measuring device.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、
前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。 A first electromagnetic wave irradiation step of irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
A first electromagnetic wave detection step of detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation step of irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detection step of detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection step and the detection result of the second electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring method.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、
前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。 An electromagnetic wave irradiation step of irradiating each type of the object to be measured in the measurement structure according to claim 6 with an electromagnetic wave;
An electromagnetic wave detection step of detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step for measuring the characteristic of the object to be measured,
Measuring method.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。 First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the measurement structure according to any one of claims 1 to 5 with a first electromagnetic wave;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the void arrangement structure with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。 Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the measurement structure according to claim 6 with electromagnetic waves;
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005356720A JP4911965B2 (en) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | Measuring structure, measuring apparatus, method and program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005356720A JP4911965B2 (en) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | Measuring structure, measuring apparatus, method and program |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007163181A true JP2007163181A (en) | 2007-06-28 |
JP4911965B2 JP4911965B2 (en) | 2012-04-04 |
Family
ID=38246252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005356720A Expired - Fee Related JP4911965B2 (en) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | Measuring structure, measuring apparatus, method and program |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4911965B2 (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011030877A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | 株式会社アドバンテスト | Container, container arrangement method, and measurement method |
JP2011515688A (en) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | ドリッテ パテントポートフォーリオ ベタイリグングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | Manufacturing method of surface sensor, surface sensor system and use of surface sensor |
US8304732B2 (en) | 2009-09-03 | 2012-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of measuring characteristics of specimen and flat-plate periodic structure |
WO2014156670A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 株式会社村田製作所 | Aperture arrangement structure and measurement method using same |
JP2014219423A (en) * | 2009-12-09 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | Device for spectrometry having void-arranged structure held thereto, frame member used for the same, and spectrometer |
WO2015005156A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | 株式会社村田製作所 | Method for measuring target substance |
US9063078B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for measuring characteristics of object |
EP2781908A4 (en) * | 2011-11-18 | 2015-07-08 | Murata Manufacturing Co | Periodic structure and measurement method employing same |
WO2017129196A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | Danmarks Tekniske Universitet | Cuvette and method for measuring refractive index in a spectrophotometer |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01121738A (en) * | 1987-11-05 | 1989-05-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Sheet suction table for surface inspecting device |
JPH04316478A (en) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Nec Corp | Device for observing test specimen of organism, system and method |
JPH0961319A (en) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Shimadzu Corp | Suction type sample base |
JP2002228581A (en) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Spectrophotometer and vessel for sample used for it |
JP2002277393A (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-25 | Tochigi Nikon Corp | Measuring method and instrument, and imaging method and device |
JP2003075337A (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Integrated surface plasmon resonance sensor |
JP2004108805A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical measurement device |
JP2004108905A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Inst Of Physical & Chemical Res | Difference imaging method using terahertz wave and device |
WO2005017570A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-24 | University Of Pittsburgh | Surface plasmon-enhanced nano-optic devices and methods of making same |
JP2005188971A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | Holder, optical measuring device and optical measuring method |
-
2005
- 2005-12-09 JP JP2005356720A patent/JP4911965B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01121738A (en) * | 1987-11-05 | 1989-05-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Sheet suction table for surface inspecting device |
JPH04316478A (en) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Nec Corp | Device for observing test specimen of organism, system and method |
JPH0961319A (en) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Shimadzu Corp | Suction type sample base |
JP2002228581A (en) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Spectrophotometer and vessel for sample used for it |
JP2002277393A (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-25 | Tochigi Nikon Corp | Measuring method and instrument, and imaging method and device |
JP2003075337A (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Integrated surface plasmon resonance sensor |
JP2004108805A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical measurement device |
JP2004108905A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Inst Of Physical & Chemical Res | Difference imaging method using terahertz wave and device |
WO2005017570A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-24 | University Of Pittsburgh | Surface plasmon-enhanced nano-optic devices and methods of making same |
JP2005188971A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | Holder, optical measuring device and optical measuring method |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515688A (en) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | ドリッテ パテントポートフォーリオ ベタイリグングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | Manufacturing method of surface sensor, surface sensor system and use of surface sensor |
US8304732B2 (en) | 2009-09-03 | 2012-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of measuring characteristics of specimen and flat-plate periodic structure |
WO2011030877A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | 株式会社アドバンテスト | Container, container arrangement method, and measurement method |
US8330110B2 (en) | 2009-09-10 | 2012-12-11 | Advantest Corporation | Container, container positioning method, and measuring method |
JP5291801B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-09-18 | 株式会社アドバンテスト | Container, container arrangement method and measurement method |
JP2014219423A (en) * | 2009-12-09 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | Device for spectrometry having void-arranged structure held thereto, frame member used for the same, and spectrometer |
US9063078B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for measuring characteristics of object |
EP2781908A4 (en) * | 2011-11-18 | 2015-07-08 | Murata Manufacturing Co | Periodic structure and measurement method employing same |
WO2014156670A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 株式会社村田製作所 | Aperture arrangement structure and measurement method using same |
JP5991426B2 (en) * | 2013-03-25 | 2016-09-14 | 株式会社村田製作所 | Void arrangement structure and measurement method using the same |
US10408750B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Void-arranged structure and measurement method using the same |
WO2015005156A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | 株式会社村田製作所 | Method for measuring target substance |
JP5983883B2 (en) * | 2013-07-12 | 2016-09-06 | 株式会社村田製作所 | Measuring method of measured object |
WO2017129196A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | Danmarks Tekniske Universitet | Cuvette and method for measuring refractive index in a spectrophotometer |
US10697892B2 (en) | 2016-01-26 | 2020-06-30 | Danmarks Tekniske Universitet | Cuvette and method for measuring refractive index in a spectrophotometer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4911965B2 (en) | 2012-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4911965B2 (en) | Measuring structure, measuring apparatus, method and program | |
JP4724822B2 (en) | Integrated structure, measuring apparatus, method and program | |
CN105699315B (en) | THz wave measuring device, measurement method and measuring instrument | |
US7551286B2 (en) | Measurement apparatus | |
JP2008185552A (en) | Measuring instrument and measuring method | |
JP2006126187A (en) | Analysis of sample using anti-resonant waveguide sensor | |
KR101371122B1 (en) | Plasmon tomography | |
US20080218860A1 (en) | Optical sensor based on surface electromagnetic wave resonance in photonic band gap materials | |
US6992770B2 (en) | Sensor utilizing attenuated total reflection | |
JP6538844B2 (en) | Sample Measurement Chip, Sample Measurement Device, and Sample Measurement Method | |
US20140242573A1 (en) | Optical element, analysis device, analysis method and electronic apparatus | |
KR102237233B1 (en) | Particle characterization in open optical resonator cavities | |
CN107764776B (en) | Multi-wavelength adjustable surface plasma resonance imaging device and application thereof | |
JP4911964B2 (en) | Contained structure, measuring device, method and program | |
JP2004117298A (en) | Measuring method and apparatus using total reflection attenuation | |
US7859676B2 (en) | Plasmon tomography | |
JPWO2013128707A1 (en) | Measuring device for measuring the characteristics of the object to be measured | |
JP6414407B2 (en) | Raman spectroscopic device and electronic device | |
JP4173746B2 (en) | measuring device | |
KR20130006169A (en) | Localized surface plasmon resonance sensor chip having subwavelength grating structures and biosensor having the same | |
CN108982365B (en) | Optical field traveling wave cavity enhanced surface plasma resonance sensing device | |
JP4487921B2 (en) | Standard sample for near-field spectroscopic analysis and spatial resolution evaluation method using this standard sample | |
KR102274264B1 (en) | Slit antenna probe and defect inspection apparatus and method for multi-junction semiconductor using same | |
RU2629909C1 (en) | Static device for determining distribution of field intensity of infrared surface electromagnetic wave along its track | |
JP2018132396A (en) | Organic substance analyzer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4911965 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |