JP2007155597A - Magnetic field sensor used for measuring magnetic field and current and current measuring method - Google Patents
Magnetic field sensor used for measuring magnetic field and current and current measuring method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007155597A JP2007155597A JP2005353516A JP2005353516A JP2007155597A JP 2007155597 A JP2007155597 A JP 2007155597A JP 2005353516 A JP2005353516 A JP 2005353516A JP 2005353516 A JP2005353516 A JP 2005353516A JP 2007155597 A JP2007155597 A JP 2007155597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor pattern
- magnetic field
- conductor
- field detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、磁界および電流測定に使用される磁界検出器及び電流測定方法に係り、特に、多層基板により製作されるシールディドループ型の磁界検出器を技術的なベースとした磁界検出器に関する。また、半導体チップ上の配線、半導体パッケージのボール部分やボンディングワイヤ部分を測定のターゲットとした、非接触で電流や磁界を計測する技術に関する。 The present invention relates to a magnetic field detector and a current measuring method used for magnetic field and current measurement, and more particularly, to a magnetic field detector based on a shielded loop type magnetic field detector manufactured from a multilayer substrate. The present invention also relates to a technique for measuring a current or a magnetic field in a non-contact manner using a wiring on a semiconductor chip, a ball portion or a bonding wire portion of a semiconductor package as a measurement target.
従来より、プリント基板配線等を対象とした磁界検出および電流計測に使用される磁界検出器が考案されており、実際に製品化もされている。例えば、特許文献1ではプリント基板配線中の高周波電流を計測するための多層基板を利用した磁界プローブが考案されている。また、特許文献2、特許文献3には薄膜プロセスによるシールディドループが考案されている。これらの磁界検出器の応用の例としては特許文献4にあるように、配線上の磁界を計測して電流に変換する電流センサーがある。また、特許文献5には透磁率測定用のシールディドループコイルが提案されている。特許文献6にはシールド強化型の構造がある。特許文献7にはループを形成するプリント配線パターンの周囲にビアを配置して特性改善を図る例が記述されている。
上記のシールディドループ型の磁界検出器の基本構造を図14に示す。プリント基板等の多層基板で製作され、各層の配線パターンは銅などの金属の薄い膜である。各層の間は誘電体で充填されている。第1層のグランド配線1と第3層グランド配線3に信号配線2が挟まれ、各層は先端でビア4で電気的に接続されている。第1、2、3層は全体として磁界を検出しながら電界をシールドするシールディドループ構造となっている。このシールディドループ構造は高周波帯では非常に優れた磁界検出器を構成できるが、信号層のC字状部2bが存在しない側のグランド層が開放されているため、電磁界が回り込み、磁界出力を伝送するためのストリップラインを構成しているC字状部の信号伝送に影響を与えることが指摘されていた。このような多層構造は従来セミリジッド同軸ケーブルを用いて製作されていたが、それを多層基板に置き換えたことにより生じた不完全さによるものである。シールディドループの古典的な文献であるJohn D. Dyson, “Measurement of Near Fields of Antenna and Scatters”, IEEE Transactions on Antenna and Propagation, Vol.AP-21, No.4, pp.446-461 (1973.7).には、図15に示すとおり、同軸構造の半円部6bと中空でない円形導体による半円部6cとで構成されるシールディドループが記載されている。この中空でない円形導体部を多層基板で置き換えたために誤差が生じる要因となっていた。
FIG. 14 shows the basic structure of the shielded loop type magnetic field detector. The wiring pattern of each layer is a thin film made of a metal such as copper. Between each layer is filled with a dielectric. The
これを解決するために、特許文献6では図16のようなビア接続によるシールド強化構造が提案されている。本構造によりシールド強化は可能であるが、プリント基板等を用いる場合、製造プロセスの微細化に限界があり、ビア形成のピッチに制限があるため、配列することができるビアの数には限界があった。また、グランド配線1と3の間の距離が離れているときにはビア4、9、10に沿う方向はプリント基板の厚み方向にスリットができ、電界シールドがしにくいという欠点があった。
In order to solve this,
さらに信号層とグランド層がビアで接続されているため、高周波においては反射が生じ、測定誤差を生じる要因になる場合もあった。 Furthermore, since the signal layer and the ground layer are connected by vias, reflection occurs at high frequencies, which may cause measurement errors.
このような磁界検出器は特許文献4にあるように、図17に示すようなプリント回路配線やICチップ上の配線に垂直に設置されて配線を周回する磁界を検出する測定に使用される。測定された磁界は、適切な変換式を用いて配線を流れる電流に変換することができる。しかし、配線が下層に存在するため表面層付近で測定することができなかったり、ICチップ表面をパッケージ側に向けて実装するフェイスダウン実装を行うとICチップ表面の配線が隠れてしまうため、図16に示すような方式では測定ができない問題点があった。また、フェイスアップ実装の場合でも、測定したい配線が下層にある場合にはICチップ表面に出てくる磁界を高い精度で測定することができなかった。
As described in
本発明の目的は、信号層の非対称性を解決、あるいはシールドを強化する手段を提供する。また、本発明の他の目的は、反射や不要な電磁界の回り込みを防止するための手段を提供することにある。また、本発明の他の目的は、BGA(Ball Grid Allay)やボンディングワイヤ近傍の磁界を検出する手法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、磁界から電流を計算する非接触電流測定法を提供することにある。 It is an object of the present invention to provide a means for resolving signal layer asymmetry or strengthening the shield. Another object of the present invention is to provide means for preventing reflection and unnecessary electromagnetic field wraparound. Another object of the present invention is to provide a technique for detecting a magnetic field in the vicinity of a BGA (Ball Grid Allay) or a bonding wire. Another object of the present invention is to provide a non-contact current measuring method for calculating a current from a magnetic field.
本発明の磁界検出器は、第1の線状導体パターンと、該第1の線状導体パターンの端部に接続され、該端部から分岐した第1及び第2の導体パターンとを有し、該第1及び第2の導体パターンの先端部が所定距離離間し、対向して配置される第1層と、
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の線状導体パターンに対向する第2の線状導体パターンと、前記第1の導体パターンの幅より細く、該線状導体パターンの先端部に接続された、前記第1導体パターンに対向し、前記第1又は第2の導体パターンの先端部に対向する位置まで延びた第3の導体パターンと、該第3の導体パターンの第1先端部に接続された、前記第2の導電パターンに対向する第4の導体パターンとを有し、前記第4の導体パターンが前記第2の線状導体パターン付近で切り欠きを持ち、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、
前記第1層と前記第2層と前記第3層とを、前記第3の導体パターンの前記第1先端部又は前記第4の導体パターンの切り欠かれた第2先端部を通して電気的に接続する第1のビア導体とを有することを特徴とする。
The magnetic field detector of the present invention includes a first linear conductor pattern and first and second conductor patterns that are connected to an end portion of the first linear conductor pattern and branch from the end portion. A first layer in which the tip portions of the first and second conductor patterns are spaced apart from each other by a predetermined distance; and
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A second linear conductor pattern facing the first linear conductor pattern, and a first conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and connected to a tip of the linear conductor pattern. A third conductor pattern facing and extending to a position facing the tip of the first or second conductor pattern, and the second conductive connected to the first tip of the third conductor pattern A fourth conductor pattern opposite to the pattern, the fourth conductor pattern having a notch near the second linear conductor pattern, and disposed between the first layer and the second layer. A third layer,
The first layer, the second layer, and the third layer are electrically connected through the first tip of the third conductor pattern or the second tip of the fourth conductor pattern that is cut away. And a first via conductor.
また本発明の磁界検出器は、線状導体パターンと、該線状導体パターンの端部に接続され、該端部から分岐した第1及び第2の導体パターンとを有し、該第1及び第2の導体パターンの先端部が所定距離離間し、対向して配置される第1層と、
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の導体パターンの幅より細く、前記第1導体パターンに対向する第3の導体パターン、あるいは前記第1及び第2導体パターンに対向する第3及び第4の導体パターンを有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を備え、
前記第3又は第4の導体パターンの先端部において、前記第1層と前記第3層との間、及び前記第2層と前記第3層との間にそれぞれ抵抗体を挿入したことを特徴とする。
The magnetic field detector of the present invention includes a linear conductor pattern, and first and second conductor patterns that are connected to an end portion of the linear conductor pattern and branch from the end portion. A first layer in which the tip of the second conductor pattern is spaced by a predetermined distance and is opposed to the first layer;
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A third conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and that opposes the first conductor pattern, or a third and fourth conductor pattern that opposes the first and second conductor patterns, and A third layer disposed between the first layer and the second layer,
A resistor is inserted between the first layer and the third layer and between the second layer and the third layer at the tip of the third or fourth conductor pattern. And
特に、前記第1層、第2層、第3層により伝送路を形成する部分の特性インピーダンスをRとし、前記第1層と第3層との間の抵抗体の抵抗値をR1、前記第2層と第3層との間の抵抗体の抵抗値をR2とするとき、
R=(R1・R2)/(R1+R2)
なる関係を満たすことが望ましい。
In particular, the characteristic impedance of the portion forming the transmission line by the first layer, the second layer, and the third layer is R, the resistance value of the resistor between the first layer and the third layer is R1, the first layer When the resistance value of the resistor between the second layer and the third layer is R2,
R = (R1 · R2) / (R1 + R2)
It is desirable to satisfy this relationship.
また本発明の磁界検出器は、線状導体パターンと、該線状導体パターンの端部に接続され、該端部から分岐した第1及び第2の導体パターンとを有し、該第1及び第2の導体パターンの先端部が所定距離離間し、対向して配置される第1層と、
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の導体パターンの幅より細く、前記第1導体パターンに対向する第3の導体パターン、あるいは前記第1及び第2導体パターンに対向する第3及び第4の導体パターンを有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を備え、
前記第3又は第4の導体パターンの先端部において、前記第1層と前記第3層との間、及び前記第2層と前記第3層との間にそれぞれ電磁気の吸収体を挿入したことを特徴とする。
The magnetic field detector of the present invention includes a linear conductor pattern, and first and second conductor patterns that are connected to an end portion of the linear conductor pattern and branch from the end portion. A first layer in which the tip of the second conductor pattern is spaced by a predetermined distance and is opposed to the first layer;
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A third conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and that opposes the first conductor pattern, or a third and fourth conductor pattern that opposes the first and second conductor patterns, and A third layer disposed between the first layer and the second layer, and a third layer disposed between the first layer and the second layer,
An electromagnetic absorber is inserted between the first layer and the third layer and between the second layer and the third layer at the tip of the third or fourth conductor pattern. It is characterized by.
本発明によれば、不要な電磁界の回り込みを防止し、導体の非対称性、終端部の反射による高周波における磁界計測の精度低下を防止することができる。 According to the present invention, unnecessary wraparound of an electromagnetic field can be prevented, and a decrease in accuracy of magnetic field measurement at a high frequency due to asymmetry of a conductor and reflection at a terminal portion can be prevented.
また本発明によれば、ボールを流れる電流を非接触計測できる手法を提供するのでBGAなどの実装方式に対応できる。 In addition, according to the present invention, a method capable of non-contact measurement of the current flowing through the ball is provided, so that it can be applied to a mounting method such as BGA.
また本発明によれば、ボンディングワイヤで非接触電流計測できる手法を提供できるので、ICチップ上層に測定した配線がない場合でも対応できる。 In addition, according to the present invention, since a technique capable of measuring a non-contact current with a bonding wire can be provided, it is possible to cope with a case where there is no wiring measured on the upper layer of the IC chip.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず、参考例として図14に示す従来型の磁界検出器について説明する。このような磁界検出器はプリント基板や半導体パッケージなどの電子部品近傍の磁界を検出し、磁界分布を可視化したり、磁界から配線を流れる電流を計算する非接触電流計測に使用される。通常このような磁界検出器を測定したい電磁界中に曝すと、電磁気の法則に従い電圧が各導体に誘起される。このとき磁界による電圧は主として配線導体パターン1b、1c、3b、3c中を右回りあるいは左回りに電流を流す方向に誘起する。流れた電流は先端のビア4を介して導体2の中を伝送され、さらに配線1を伝送して測定器の入力段で電圧として検出される。これがこの種の磁界検出器を使用する際の一般的な動作である。このとき、通常、測定対象物周辺に磁界だけ存在するということはなく、電界も存在し、各導体の長手方向に沿うようにして電圧を誘起させる。通常このようなプリント基板には測定対象以外の部品が実装されているため、本来測定したくない電磁界が発生している。このとき、磁界検出器が導体1に対してほぼ対称な形をしているので、電界による電圧はキャンセルされるか、あるいは磁界による電圧出力に比べて非常に小さな値となる。このようにして電界をシールドすることができ、磁界検出器を構成することができる。
ところが、図14の従来型の磁界検出器では内層の信号配線2は片側しか存在しておらず、グランド配線1の長手方向(伝送方向)に対して対称ではない。磁界検出器全体は多層基板により構成されるため、グランド層の側面は開放されており、若干の電界が内部に侵入し、測定誤差を増やす要因となっている。このような現象は常にこの種の磁界検出器で見られるわけではなく、小型化やレンズ効果防止等の理由によりグランド配線1、3の幅を、信号配線2や各層の層間厚に比べて十分に広くできない場合に生じる。
First, a conventional magnetic field detector shown in FIG. 14 will be described as a reference example. Such a magnetic field detector is used for non-contact current measurement that detects a magnetic field in the vicinity of an electronic component such as a printed circuit board or a semiconductor package, visualizes the magnetic field distribution, and calculates a current flowing through the wiring from the magnetic field. Normally, when such a magnetic field detector is exposed to an electromagnetic field to be measured, a voltage is induced in each conductor according to the electromagnetic law. At this time, a voltage due to the magnetic field is induced in a direction in which current flows mainly clockwise or counterclockwise in the
However, in the conventional magnetic field detector of FIG. 14, the inner-
[実施形態1]
図1(a)、(b)は本発明の第1実施形態の磁界検出器を示す斜視図及び平面図である。
[Embodiment 1]
1A and 1B are a perspective view and a plan view showing a magnetic field detector according to a first embodiment of the present invention.
図1において、グランド配線(基本的にはGNDに限らず定電位の配線であればよい)となる第1層の配線導体パターン1は、線状導体パターン1a、線状導体パターン1aから分岐した導体パターン1b及び導体パターン1cを有する。導体パターン1b及び導体パターン1cの先端部は所定距離離間し対向して配置される。導体パターン1b、1cはそれぞれ「C」字状又は「コ」の字状の導体パターンであり、導体パターン1b、1c合わせて「C」字状の導体パターンを構成している。なお、導体パターン1b,1cは同じ長さとなっており、導体パターン1b、1cの先端部間のギャップは磁界検出器のほぼ中心に配置されているが、導体パターン1b、1cのいずれかの長さが長く、中心からずれてギャップが配置されてもよい。ギャップは特性上、磁界検出器の中心又はその中心近傍に配置されることが望ましいが、基本的には磁界検出器の中心から線状導体パターン1aの接続部近傍までのどの位置に配されても磁界検出を行うことができるので、磁界検出器として求められる性能を考慮してギャップの位置を適宜変更してもよい。
In FIG. 1, the first-layer
信号配線となる第2層の配線導体パターン2は、線状導体パターン2a、線状導体パターン2aに接続される導体パターン2b、導体パターン2bの先端部とつながれる導体パターン2cを有する。導体パターン2b、2cは合わせて「C」字状を構成しており、導体パターン2cは線状導体パターン付近で切り欠きをもっている。線状導体パターン2a、導体パターン2b、導体パターン2cは、線状導体パターン1a、導体パターン1b、導体パターン1cと対向するように設けられ、線状導体パターン1a、導体パターン1b、導体パターン1cの幅よりも細い幅となっている。導体パターン2cの幅は導体パターン2bと同じ幅となっている。
The second-layer
グランド配線(基本的にはGNDに限らず定電位の配線であればよい)となる第3層の配線導体パターン3は、第1層の配線導体パターンと同形状のパターンを有する。すなわち、配線導体パターン3は、線状導体パターン3a、線状導体パターン3aから分岐した導体パターン3b及び導体パターン3cを有する。導体パターン3b、3cはそれぞれ「C」字状又は「コ」の字状の導体パターンであり、導体パターン3b、3c合わせて「C」字状の導体パターンを構成している。
The third-layer
配線導体パターン1と配線導体パターン2、配線導体パターン3とは、導体パターン2bの先端部を通って電気的にビア導体4で電気的に接続される。なお、ビア導体4は導体パターン2cの先端部(導体パターン2aの近傍)を通ってもよい(後述する各実施形態においても同様である)。ビア導体4は導体パターン2b又は2cの先端部から特性上問題のない程度離れた近傍領域を通るように設けてもよい(かかる領域も先端部に含めるものとする)。また、ここではビア導体4は導体パターン1c、3cの先端部(ギャップを作る一方の先端部)を通っているが、導体パターン1b、3bの先端部(ギャップを作る他方の先端部)を通ってもよい。
図18に示すように、配線導体パターン1と配線導体パターン2とは絶縁層41を介して対向しており、配線導体パターン2と配線導体パターン23は絶縁層42を介して対向している。配線導体パターン1、2、3は、例えばAgPdやAu等の金属層で形成することができ、絶縁層41はガラスセラミックシートを用いることができる。図19は他の構成例の磁界検出器を示すもので、図20は図19のA−A’断面図を示す。図20に示すように、本構成例の磁界検出器では、基板内に配線導体パターン2、配線導体パターン3が設けられ、基板上に配線導体パターン1が設けられた多層基板の構成である。配線導体パターン1と配線導体パターン2、配線導体パターン3が基板内に設けられてもよい。
図18及び図19において、d1は配線導体パターン1、3の長さ、d2は配線導体パターン1、3の幅を示し、d1/d2が1以上が望ましい。
The
As shown in FIG. 18, the
18 and 19, d1 indicates the length of the
本実施形態の磁界検出器の、図14の従来型磁界検出器との違いは、信号配線となる配線導体パターン2は、ビア導体4を越えて伸びてC字状の導体パターン2cを有しており、信号配線となる配線導体パターン2は配線導体パターン1と対向しており、信号配線が配線導体パターン1の線状導体パターン1aからみてほぼ対称な形状となっている。このような構成にすると若干の電界が側面から侵入しても、同程度の電圧が誘起されるため電界による電圧はキャンセルしやすくなる。
The difference between the magnetic field detector of this embodiment and the conventional magnetic field detector of FIG. 14 is that the
また、本実施形態の磁界検出器の構造は配線導体パターン1の線状導体パターン1aに対して対称となるように信号配線となる配線導体パターン2を配置することにより、電磁界分布の乱れを対称化し、電磁界のかく乱による非対称な電圧成分の誘起を抑える効果がある。したがって、磁界による出力に対する電界の出力の割合が減少し、いわゆるS/N比が向上する。
In addition, the structure of the magnetic field detector according to the present embodiment arranges the
[実施形態2]
図2(a)、(b)は本発明の第2実施形態の磁界検出器を示す斜視図及び平面図である。本実施形態において、図2(a)、(b)中、図1(a)、(b)に示した構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
2A and 2B are a perspective view and a plan view showing a magnetic field detector according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, in FIG. 2 (a), (b), the same component as the component shown in FIG. 1 (a), (b) is attached | subjected, and description is abbreviate | omitted.
図2(a)、(b)に示す磁界検出器は第1の実施形態と同様に、不要な電磁界が信号配線が存在しないC字状部分の側面から侵入して望ましくない電圧や電流が電磁界により誘起される場合に、片側を図15の6cに近づける構成となっている。 In the magnetic field detector shown in FIGS. 2A and 2B, as in the first embodiment, an unwanted electromagnetic field invades from the side surface of the C-shaped portion where no signal wiring exists and an undesirable voltage or current is generated. When induced by an electromagnetic field, one side is brought close to 6c in FIG.
さらに図2(a)、(b)に示す磁界検出器では、図2(a)、(b)に示すように信号配線となる導体パターン2cの切り欠き14付近の終端部にもビア導体9を設けることにより、上下のグランド配線となる配線導体パターン1,3と一体化した構造とすることができ、C字状部分の片側が完全な金属体に近づく。プリント基板でこのような磁界検出器を製作する場合、特性インピーダンスを所定の値に合わせるために各層の間隔を狭くできない場合がある。また、ビアのピッチは歩留まり等の都合上から狭くすることができない場合がある。そのため、ビアに沿う方向にスリット状の隙間ができ、不必要な電磁界が侵入したり、ビアに沿う方向に不必要な電圧が誘起される可能性がある。図2のように上下のグランド配線に沿うような配線パターンを設け、さらにビア9のようなビア接続数を増やすことにより、よりシールドを強化することができる。
Further, in the magnetic field detector shown in FIGS. 2A and 2B, the via
[実施形態3]
図3は本発明の第3実施形態の磁界検出器を示す斜視図である。本実施形態において、図3中、図2(a)、(b)に示した構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 3]
FIG. 3 is a perspective view showing a magnetic field detector according to a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, in FIG. 3, the same components as those shown in FIGS. 2A and 2B are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
本実施形態においては、第2実施形態とは異なり、導体パターン2bと繋がれる導体パターン2dの幅を上下のグランド配線となる導体パターン1c、3cと同じ幅に広げている。このように導体の面積を増やすと図15の構成に近づけることが可能となる。導体パターン2dの幅は導体パターン1c、3cよりも小さくてもよい。
In the present embodiment, unlike the second embodiment, the width of the
[実施形態4]
図4は本発明の第4実施形態の磁界検出器を示す斜視図である。図4はビア導体を半周部分の全面に配置した構造となっており、グランドに沿う方向とグランド間を接続する方向に導体が格子状に配置されることになり、横から見た場合の開口面積が減るので図15の構造にさらに近づけることができる。図4ではビア導体はビア導体4、9のみ示されており、他のビア導体は簡易化のため、導体パターン1c上にビアホールのみが示されているが、実際は図16(a)と同様に、ビアホール下にビア導体4、9と同様のビア導体が設けられている。図4中、図2(a)、(b)に示した構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略している。
[Embodiment 4]
FIG. 4 is a perspective view showing a magnetic field detector according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4 shows a structure in which via conductors are arranged on the entire surface of the half-circumferential portion, and the conductors are arranged in a lattice shape in the direction along the ground and in the direction connecting the ground, and the opening when viewed from the side is shown. Since the area is reduced, the structure of FIG. 15 can be further approximated. In FIG. 4, only via
[実施形態5]
図5は本発明の第5実施形態の磁界検出器を示す斜視図である。図5中、図3に示した構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。図5は中間層(導体層)11を設けて導体を増やすことにより全体の厚みを変えずに金属部分を増やすことができる。図4の場合と同様に上下のグランド配線と中間層を全て接続するようなビアを設けることも可能である。図5ではグランド配線1と信号配線2との間、グランド配線3と信号配線との間に、それぞれ、二つの中間層11を設けている。中間層11はグランド配線1と信号配線2との間、グランド配線3と信号配線との間に、それぞれ1つ又は3つ以上設けてもよい。
図5は以上のべたようなシールド強化構造を施した磁界検出器と従来型磁界検出器の比較を行った結果である。図17に示されるようにマイクロストリップライン上に磁界検出器を設置すると磁界による出力が得られる。ここで、磁界検出器の向きを設置グランド配線1を中心として180度回転させると磁界による出力は反転するが、誤差要因である電界による出力は反転しない。したがって、磁界検出器を0度に設置した場合の出力と180度に設置した場合の出力に差がないことが理想である。図6はこの0度と180度の出力差をグラフ化したものである。図6の従来型は図14の磁界検出器の特性を示し、図6の新型は図4の磁界検出器である。新型の方が、特に4GHz以上の周波数帯については0デシベルに近く、性能が改善されていることが分かる。
[Embodiment 5]
FIG. 5 is a perspective view showing a magnetic field detector according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same components as those shown in FIG. In FIG. 5, by providing the intermediate layer (conductor layer) 11 and increasing the number of conductors, the metal portion can be increased without changing the overall thickness. As in the case of FIG. 4, it is also possible to provide vias that connect the upper and lower ground lines and the intermediate layer. In FIG. 5, two
FIG. 5 shows a result of comparison between the magnetic field detector having the above-described shield reinforcing structure and the conventional magnetic field detector. As shown in FIG. 17, when a magnetic field detector is installed on the microstrip line, an output by a magnetic field can be obtained. Here, when the direction of the magnetic field detector is rotated 180 degrees around the
[実施形態6]
図7は信号層となる配線導体パターン2とグランド層となる配線導体パターン1、3を接続するビア導体がなく、導体パターン2bの先端を通して、グランド配線となる配線導体パターン1,3間にそれぞれ抵抗体12が挿入されている。
そして、配線導体パターン1、配線導体パターン2、配線導体パターン3により伝送路を形成する部分の特性インピーダンスをRとし、配線導体パターン2と配線導体パターン1と間の抵抗体12の抵抗値をR1、配線導体パターン2と配線導体パターン3と間の抵抗体12の抵抗値をR2とするとき、
R=(R1・R2)/(R1+R2)
なる関係を満たすように、抵抗値R1、R2を設定することが望ましい。これは伝送路側から見た場合、抵抗値R1の抵抗体と抵抗値R2の抵抗体とが並列に接地されており、伝送路の特性インピーダンスと2つの抵抗体の合成抵抗値とが等しくなるようにすれば、伝送される信号の反射を抑えることが可能になるからである。
[Embodiment 6]
FIG. 7 shows that there is no via conductor connecting the
A characteristic impedance of a portion where the transmission line is formed by the
R = (R1 · R2) / (R1 + R2)
It is desirable to set the resistance values R1 and R2 so as to satisfy the relationship. When viewed from the transmission line side, the resistor having the resistance value R1 and the resistor having the resistance value R2 are grounded in parallel so that the characteristic impedance of the transmission line and the combined resistance value of the two resistors are equal. This is because reflection of a transmitted signal can be suppressed.
例えば、グランド層となる配線導体パターン1、3と信号層となる配線導体パターン2とが形成するストリップラインの特性インピーダンスが50Ωである場合には、抵抗体12の抵抗値は100Ωで設計される。このような抵抗体12を挿入すると特にギガヘルツを超える高周波帯において、伝送される信号の反射を抑えることが可能になる。
For example, when the characteristic impedance of the strip line formed by the
このような抵抗体の挿入は図15の従来型の磁界検出器でも行われているが、本実施形態のように、多層基板に抵抗体を挿入することにより、多層基板を用いて製作される磁界検出器でも同じ機能を実現することができ、測定精度の向上に役立つ。また直流磁界の検出も可能となる。
なお、導体パターン2cはなくてもよい。また、抵抗体の位置を変えることもでき、図2において、ビア導体4を設けず、図2のビア導体9の代わりに抵抗体を挿入して抵抗体を配置することもできる。
Such insertion of the resistor is also performed in the conventional magnetic field detector of FIG. 15, but it is manufactured using the multilayer substrate by inserting the resistor into the multilayer substrate as in this embodiment. The same function can be realized with a magnetic field detector, which helps to improve measurement accuracy. It is also possible to detect a DC magnetic field.
The
[実施形態7]
実施形態6における抵抗体12を電磁気の吸収体に置換すれば、より精度の高い無反射終端条件を実現することが可能となる。吸収体に抵抗成分を持たせたり、抵抗体と並列に挿入することにより、広帯域で使用できる磁界検出器を構成することも可能となる。吸収体としては電磁気を吸収可能な材料であればよく、例えばフェライト系の材料、フェライト系材料を混ぜた高分子材料等を用いることができる。
[Embodiment 7]
If the
[実施形態8]
ICチップ上の配線を流れる電流を計測する場合、図17に示すようにICチップ上面から磁界検出器を垂直に設置して配線の回りを周回する方向の磁界を検出して電流に変換するのが一般的な使い方である。しかし、ICチップがフェイスダウンと呼ばれる実装方式で実装される場合、表面に磁界検出器を接近させることができるような配線が存在しないため、図17のような方法では磁界や電流の測定が難しい。
[Embodiment 8]
When measuring the current flowing through the wiring on the IC chip, as shown in FIG. 17, a magnetic field detector is installed vertically from the top surface of the IC chip to detect a magnetic field in a direction around the wiring and convert it into a current. Is a common usage. However, when the IC chip is mounted by a mounting method called face-down, there is no wiring that can bring the magnetic field detector close to the surface, so it is difficult to measure the magnetic field and current with the method shown in FIG. .
図8はこのような場合に磁界や電流を測定する磁界検出器を説明するための図である。図8において、21はボール、22はICチップ、23はICパッケージ、24は磁界、25はプリント基板、26は線状引き出し線、27は引き出し線、28はコネクタ、30は電流である。 FIG. 8 is a diagram for explaining a magnetic field detector for measuring a magnetic field and a current in such a case. In FIG. 8, 21 is a ball, 22 is an IC chip, 23 is an IC package, 24 is a magnetic field, 25 is a printed circuit board, 26 is a linear lead wire, 27 is a lead wire, 28 is a connector, and 30 is a current.
ICチップ上では磁界を測定できないので、ICチップをパッケージに接続するための半田ボールあるいは金ボールなどの接続用のボール周辺で磁界を測定する。このようなボールは多くの場合球形か、円柱形をしている。電流はICパッケージとプリント基板間を接続するボール中を流れるため、ボール近傍ではボール表面を周回するような磁界が生じる。この磁界を検出するためにはボール近傍に微小な磁界検出器を設置しなければならない。図8はそのような磁界検出器の一実施形態例である。 Since the magnetic field cannot be measured on the IC chip, the magnetic field is measured around a connection ball such as a solder ball or a gold ball for connecting the IC chip to the package. Such balls are often spherical or cylindrical. Since the current flows in the ball connecting the IC package and the printed board, a magnetic field is generated around the ball surface in the vicinity of the ball. In order to detect this magnetic field, a minute magnetic field detector must be installed in the vicinity of the ball. FIG. 8 shows an embodiment of such a magnetic field detector.
この磁界検出器は先端に多層基板で製作される磁界検出器を有している。そしてその引き出し線である、グランド配線1、3及び信号配線2により構成される伝送線路(ストリップライン)を必要な長さに伸張している。これはボールの隙間を塗って磁界検出器先端部を挿入するためである。通常図8に示されるようなBGAパッケージの場合、ボールの高さは数十マイクロメートルから数百マイクロメートルであり、狭い隙間に磁界検出部を挿入しなければならないことになる。この場合、引き出し線を真横に出すことが求められるが、引き出し線の先端に装着されるスペクトラムアナライザー等の測定器に接続するためのコネクタの外形寸法が十分小さい場合は問題がない。しかし、一般的にはコネクタはSMA型式のものなどが用いられるため、真っ直ぐに隙間に挿入することが困難である。そこで本実施形態では、引き出し線1に対して角度を持つような引き出し線2を接続し伝送線路を形成することにより、コネクタとプリント基板の物理的な干渉を回避している。尚、コネクタの代わりに増幅器等が集積化された基板などが装着されることもある。このような構成にすることにより、ボール近傍に生じる磁界の方向に磁界検出器を向けることができ、S/Nを向上させると共に電流計算の精度を高める効果がある。また、磁界検出器を挿入する際の操作性も向上する。
This magnetic field detector has a magnetic field detector made of a multilayer substrate at the tip. A transmission line (strip line) constituted by the
図9はボンディングワイヤへの応用例を示す図である。図9において、29はボンディングワイヤ、30は電流である。 FIG. 9 is a diagram showing an application example to a bonding wire. In FIG. 9, 29 is a bonding wire, and 30 is an electric current.
図9はフェイスアップでICチップが実装されているが、ICチップの下層に測定対象の配線が存在する場合には測定誤差が大きくなる。そのため、ボンディングワイヤで電流を測定することが必要になる場合もある。通常このようなワイヤには直線状の部分があるが、その部分に磁界検出器を近接させることができればワイヤ周囲の磁界を検出することができ、電流に変換することが可能となる。この際、図9に示すとおりに測定対象物の形状に応じた角度をつけた引き出し線を設けることにより、磁界検出器の支持が簡単になり操作性が向上する。このような測定法は近年盛んに使われているSiP(System in a package)の一部の実装にも適用でき、適用範囲は広い。 Although the IC chip is mounted face up in FIG. 9, the measurement error becomes large when the wiring to be measured exists below the IC chip. Therefore, it may be necessary to measure the current with a bonding wire. Usually, such a wire has a straight portion, but if a magnetic field detector can be brought close to that portion, the magnetic field around the wire can be detected and converted into a current. At this time, as shown in FIG. 9, by providing a lead wire having an angle corresponding to the shape of the measurement object, the magnetic field detector can be easily supported and the operability is improved. Such a measurement method can be applied to some implementations of SiP (System in a package) which has been widely used in recent years, and its application range is wide.
[実施形態9]
先に述べた通りボール及びボンディングワイヤ周辺の磁界を測定すればボール及びワイヤを流れる電流を計算することが可能になる。
ワイヤ及びボールを、図10に示すように線電流モデルで近似すれば、一例として次の式から磁界と電流を対応付けることができる。
[Embodiment 9]
As described above, if the magnetic field around the ball and the bonding wire is measured, the current flowing through the ball and the wire can be calculated.
If a wire and a ball are approximated by a line current model as shown in FIG. 10, as an example, the magnetic field and current can be associated from the following equation.
磁界検出器が磁界を検出するとその出力はスペクトラムアナライザー等の測定器で電圧Vpとして測定される。磁界検出器の磁界校正係数をCfとすれば、電圧Vpから磁界Hを求めることができる。この磁界校正係数は測定あるいは計算により求めることができる。 When the magnetic field detector detects a magnetic field, its output is measured as a voltage Vp by a measuring instrument such as a spectrum analyzer. If the magnetic field calibration coefficient of the magnetic field detector is Cf, the magnetic field H can be obtained from the voltage Vp. This magnetic field calibration coefficient can be obtained by measurement or calculation.
図11のようにボールあるいはワイヤ表面に電流が等しく分布している場合には、(1)式の代わりに(4)式を用いる。31は分割された領域内を流れる表面電流である。
When currents are equally distributed on the ball or wire surface as shown in FIG. 11, equation (4) is used instead of equation (1).
図12は図11をボールの上面から見た図であるが、rkは分割されたk番目の領域に存在する電流からの距離、θkは磁界検出器の開口部の方向の磁界成分を算出するための角度である。また、32は分割されたk番目の表面電流、33は磁界検出器の中央開口部の中心、34は磁界検出器の中央開口部に垂直な磁界成分である。 FIG. 12 is a view of FIG. 11 as viewed from the top surface of the ball, where rk is a distance from the current existing in the divided kth region, and θk is a magnetic field component in the direction of the opening of the magnetic field detector. It is an angle for. Further, 32 is a divided kth surface current, 33 is the center of the central opening of the magnetic field detector, and 34 is a magnetic field component perpendicular to the central opening of the magnetic field detector.
ボールやワイヤ内部にも分割電流を設定する場合には、表面を分割するのと同じ容量で各領域に分割電流を仮定すれば計算できる。 When the divided current is also set inside the ball or the wire, it can be calculated by assuming the divided current in each region with the same capacity as dividing the surface.
表皮効果等で表面付近にのみ電流が存在する場合には、適切な計算法で電流の深さ方向の分布を算定すればやはり同様の手順で測定された磁界からボールやワイヤを流れる総電流を計算することができる。 If current exists only near the surface due to the skin effect, etc., the total current flowing through the ball or wire from the magnetic field measured by the same procedure can be obtained by calculating the current distribution in the depth direction using an appropriate calculation method. Can be calculated.
これらの計算を行う際には、電流校正係数という概念を導入すれば計算がさらに簡略化される。 When these calculations are performed, the calculation is further simplified if the concept of current calibration coefficient is introduced.
尚、以上に示したような磁界の計算式の表現方法はこれ以外にも多数考えられる。例えば、上に述べた式では、磁界検出部の中央部の開口部の中心に生じる磁界を計算しているが、磁界を検出する領域がある一定の面積で表される場合は、図13に示すような中央部の開口部およびその周囲を含む等価的な磁界検出範囲にわたって磁界を積分するなどの方法が取られる。図13において、35は積分範囲である。
Many other methods for expressing the calculation formula of the magnetic field as described above are conceivable. For example, in the equation described above, the magnetic field generated at the center of the opening at the center of the magnetic field detection unit is calculated, but when the region for detecting the magnetic field is represented by a certain area, FIG. For example, a method of integrating the magnetic field over an equivalent magnetic field detection range including the central opening and its periphery as shown in FIG. In FIG. 13,
本発明は磁界および電流測定に使用される磁界検出器に用いられ、特に、多層基板により製作されるシールディドループ型の磁界検出器を技術的なベースとした磁界検出器に用いられる。また、半導体チップ上の配線、半導体パッケージのボール部分やボンディングワイヤ部分を測定のターゲットとした、非接触で電流や磁界を計測する技術に用いられる。 The present invention is used for a magnetic field detector used for magnetic field and current measurement, and particularly for a magnetic field detector based on a shielded loop type magnetic field detector manufactured by a multilayer substrate. Further, it is used in a technique for measuring a current or a magnetic field in a non-contact manner using a wiring on a semiconductor chip, a ball portion or a bonding wire portion of a semiconductor package as a measurement target.
1 第1層のグランド配線パターン
1a 第1層のグランド配線の直線部分
1b 第1層のグランド配線のストリップラインを形成するC字状部分
1c 第1層のグランド配線のストリップラインを形成しないC字状部分
2 第2層の信号配線パターン
2a 第2層の信号配線パターンの直線部
2b 第2層のグランド配線パターンとストリップラインを形成するC字状部
2c 第2層のストリップラインを形成しない側のC字状部
2d 第2層のストリップラインを形成しない側の幅を広げたC字状部
3 第3層のグランド配線パターン
3a 第3層のグランド配線の直線部分
3b 第3層のグランド配線のストリップラインを形成するC字状部分
3c 第3層のグランド配線のストリップラインを形成しないC字状部分
4 第2層の信号線パターン先端で、第1,2,3層を接続するビア
5 ギャップ
6 同軸ケーブルの外導体
6a 外導体の直線部
6b 外導体の同軸を形成する側のC字状部
6c 同軸を形成しない側のC字状部
7 中心導体
8 ギャップ
9 切り欠き部付近の第1、3層を接続するビア
10 ビア4とビア9の中間に配置されるビア
11 第1,2層及び第2,3層間に挿入されるC字状パターン
12 抵抗体または吸収体
13 プリント基板(外形)
14 切り欠き部
15 磁界検出器
16 配線周囲の磁界
17 配線の電流
18 ストリップ導体
19 グランド導体
20 誘電体
21 ボール
22 ICチップ
23 ICパッケージ
24 磁界
25 プリント基板
26 引き出し線1
27 引き出し線2
28 コネクタ
29 ボンディングワイヤ
30 電流
31 分割された領域内を流れる表面電流
32 分割されたk番目の表面電流
33 磁界検出器の中央開口部の中心
34 磁界検出器の中央開口部に垂直な磁界成分
35 積分範囲
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ground wiring pattern of 1st layer 1a Straight line part of ground wiring of 1st layer 1b C-shaped part which forms strip line of ground wiring of 1st layer 1c C character which does not form strip line of ground wiring of 1st layer Part 2 Second layer signal wiring pattern 2a Second layer signal wiring pattern straight line portion 2b Second layer ground wiring pattern and C-shaped part forming strip line 2c Side not forming second layer strip line C-shaped part 2d C-shaped part with wider width on the side where the second layer strip line is not formed 3 Ground wiring pattern of the third layer 3a Straight line portion of the ground wiring of the third layer 3b Ground wiring of the third layer C-shaped part 3c forming the strip line of the third layer C-shaped part not forming the strip line of the ground wiring of the third layer 4 Signal line pattern tip of the second layer Vias connecting the first, second, and third layers 5 Gap 6 Outer conductor of coaxial cable 6a Straight portion of outer conductor 6b C-shaped portion 6c on the side forming the coaxial of the outer conductor 6c C-shape on the side not forming the coaxial Form part 7 Center conductor 8 Gap 9 Via connecting the first and third layers in the vicinity of the notch 10 Via disposed between the via 4 and the via 9 11 Inserted between the first, second and second layers C-shaped pattern 12 Resistor or absorber 13 Printed circuit board (outer shape)
DESCRIPTION OF
27
28
Claims (11)
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の線状導体パターンに対向する第2の線状導体パターンと、前記第1の導体パターンの幅より細く、該線状導体パターンの先端部に接続された、前記第1導体パターンに対向し、前記第1又は第2の導体パターンの先端部に対向する位置まで延びた第3の導体パターンと、該第3の導体パターンの第1先端部に接続された、前記第2の導電パターンに対向する第4の導体パターンとを有し、前記第4の導体パターンが前記第2の線状導体パターン付近で切り欠きを持ち、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、
前記第1層と前記第2層と前記第3層とを、前記第3の導体パターンの前記第1先端部又は前記第4の導体パターンの切り欠かれた第2先端部を通して電気的に接続する第1のビア導体とを有することを特徴とする磁界検出器。 A first linear conductor pattern; and first and second conductor patterns connected to an end of the first linear conductor pattern and branched from the end; and the first and second conductor patterns A first layer in which the tip of the conductor pattern is spaced a predetermined distance away from the first layer;
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A second linear conductor pattern facing the first linear conductor pattern, and a first conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and connected to a tip of the linear conductor pattern. A third conductor pattern facing and extending to a position facing the tip of the first or second conductor pattern, and the second conductive connected to the first tip of the third conductor pattern A fourth conductor pattern opposite to the pattern, the fourth conductor pattern having a notch near the second linear conductor pattern, and disposed between the first layer and the second layer. A third layer,
The first layer, the second layer, and the third layer are electrically connected through the first tip of the third conductor pattern or the second tip of the fourth conductor pattern that is cut away. A magnetic field detector comprising: a first via conductor.
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の導体パターンの幅より細く、前記第1導体パターンに対向する第3の導体パターン、あるいは前記第1及び第2導体パターンに対向する第3及び第4の導体パターンを有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を備え、
前記第3又は第4の導体パターンの先端部において、前記第1層と前記第3層との間、及び前記第2層と前記第3層との間にそれぞれ抵抗体を挿入したことを特徴とする磁界検出器。 A linear conductor pattern; and first and second conductor patterns connected to an end of the linear conductor pattern and branched from the end; and tip portions of the first and second conductor patterns A first layer spaced apart by a predetermined distance and disposed opposite to each other;
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A third conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and that opposes the first conductor pattern, or a third and fourth conductor pattern that opposes the first and second conductor patterns, and A third layer disposed between the first layer and the second layer,
A resistor is inserted between the first layer and the third layer and between the second layer and the third layer at the tip of the third or fourth conductor pattern. Magnetic field detector.
R=(R1・R2)/(R1+R2)
なる関係を満たすことを特徴とする請求項7に記載の磁界検出器。 A characteristic impedance of a portion that forms a transmission line by the first layer, the second layer, and the third layer is R, a resistance value of a resistor between the first layer and the third layer is R1, and the second layer When the resistance value of the resistor between the first layer and the third layer is R2,
R = (R1 · R2) / (R1 + R2)
The magnetic field detector according to claim 7, wherein the following relationship is satisfied.
前記第1層と同形状の導体パターンを有し、前記第1層に対向して配置される第2層と、
前記第1の導体パターンの幅より細く、前記第1導体パターンに対向する第3の導体パターン、あるいは前記第1及び第2導体パターンに対向する第3及び第4の導体パターンを有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を有し、前記第1層と前記第2層との間に配置される第3層と、を備え、
前記第3又は第4の導体パターンの先端部において、前記第1層と前記第3層との間、及び前記第2層と前記第3層との間にそれぞれ電磁気の吸収体を挿入したことを特徴とする磁界検出器。 A linear conductor pattern; and first and second conductor patterns connected to an end of the linear conductor pattern and branched from the end; and tip portions of the first and second conductor patterns A first layer spaced apart by a predetermined distance and disposed opposite to each other;
A second layer having a conductor pattern of the same shape as the first layer and disposed opposite the first layer;
A third conductor pattern that is narrower than a width of the first conductor pattern and that opposes the first conductor pattern, or a third and fourth conductor pattern that opposes the first and second conductor patterns, and A third layer disposed between the first layer and the second layer, and a third layer disposed between the first layer and the second layer,
An electromagnetic absorber is inserted between the first layer and the third layer and between the second layer and the third layer at the tip of the third or fourth conductor pattern. Magnetic field detector characterized by.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005353516A JP5024587B2 (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Magnetic field detector and current measuring method used for magnetic field and current measurement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005353516A JP5024587B2 (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Magnetic field detector and current measuring method used for magnetic field and current measurement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007155597A true JP2007155597A (en) | 2007-06-21 |
JP5024587B2 JP5024587B2 (en) | 2012-09-12 |
Family
ID=38240160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005353516A Active JP5024587B2 (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Magnetic field detector and current measuring method used for magnetic field and current measurement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5024587B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012013608A (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetic field probe |
US20140111393A1 (en) * | 2012-10-23 | 2014-04-24 | Thomson Licensing | Compact slot antenna |
JPWO2013121507A1 (en) * | 2012-02-13 | 2015-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Current detector |
EP2750249A4 (en) * | 2011-08-24 | 2015-05-20 | Nec Corp | Antenna and electronic device |
WO2016190290A1 (en) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | 株式会社村田製作所 | Current detection element, power transmitting device, and power transmitting system |
CN107681275A (en) * | 2013-02-26 | 2018-02-09 | Nec平台株式会社 | Antenna and electronic installation |
US20180234072A1 (en) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | Arcadyan Technology Corporation | Split Ring Resonator Antenna |
US10756420B2 (en) * | 2015-04-02 | 2020-08-25 | Nec Corporation | Multi-band antenna and radio communication device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11519957B2 (en) | 2019-09-26 | 2022-12-06 | International Business Machines Corporation | Ball grid array current meter with a current sense wire |
US11054442B2 (en) | 2019-09-26 | 2021-07-06 | International Business Machines Corporation | Ball grid array current meter with a current sense mesh |
US11226369B2 (en) | 2019-09-26 | 2022-01-18 | International Business Machines Corporation | Ball grid array current meter with a current sense loop |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08129058A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Ryowa Denshi Kk | Magnetic field sensor |
JPH10332754A (en) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Sega Enterp Ltd | Proximity electromagnetic field probe, electromagnetic field measuring device using it, and method thereof |
JP2000171535A (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nec Corp | Magnetic field sensor |
JP2003114265A (en) * | 2002-07-24 | 2003-04-18 | Nec Corp | High frequency circuit and shielded loop field detector using the same |
JP2004069337A (en) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Ryowa Denshi Kk | Magnetometric sensor, side-opened type transverse electromagnetic cell, and device using them |
WO2005096007A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Corporation | Magnetic field sensor |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005353516A patent/JP5024587B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08129058A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Ryowa Denshi Kk | Magnetic field sensor |
JPH10332754A (en) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Sega Enterp Ltd | Proximity electromagnetic field probe, electromagnetic field measuring device using it, and method thereof |
JP2000171535A (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nec Corp | Magnetic field sensor |
JP2003114265A (en) * | 2002-07-24 | 2003-04-18 | Nec Corp | High frequency circuit and shielded loop field detector using the same |
JP2004069337A (en) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Ryowa Denshi Kk | Magnetometric sensor, side-opened type transverse electromagnetic cell, and device using them |
WO2005096007A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Corporation | Magnetic field sensor |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012013608A (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetic field probe |
US20170040689A1 (en) * | 2011-08-24 | 2017-02-09 | Nec Corporation | Antenna and electronic device |
EP2750249A4 (en) * | 2011-08-24 | 2015-05-20 | Nec Corp | Antenna and electronic device |
CN105896093B (en) * | 2011-08-24 | 2019-10-18 | 日本电气株式会社 | Antenna and electronic device |
US10218071B2 (en) | 2011-08-24 | 2019-02-26 | Nec Corporation | Antenna and electronic device |
CN105896093A (en) * | 2011-08-24 | 2016-08-24 | 日本电气株式会社 | Antenna and electronic device |
US9496616B2 (en) | 2011-08-24 | 2016-11-15 | Nec Corporation | Antenna and electronic device |
JPWO2013121507A1 (en) * | 2012-02-13 | 2015-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Current detector |
US20140111393A1 (en) * | 2012-10-23 | 2014-04-24 | Thomson Licensing | Compact slot antenna |
CN103779657A (en) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 汤姆逊许可公司 | Compact slot antenna |
US9819092B2 (en) * | 2012-10-23 | 2017-11-14 | Thomson Licensing | Compact slot antenna |
CN107681275A (en) * | 2013-02-26 | 2018-02-09 | Nec平台株式会社 | Antenna and electronic installation |
CN107681275B (en) * | 2013-02-26 | 2020-02-21 | Nec平台株式会社 | Antenna and electronic device |
US10756420B2 (en) * | 2015-04-02 | 2020-08-25 | Nec Corporation | Multi-band antenna and radio communication device |
WO2016190290A1 (en) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | 株式会社村田製作所 | Current detection element, power transmitting device, and power transmitting system |
US10459010B2 (en) | 2015-05-28 | 2019-10-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Current detection element including a coil-shaped current detection conductor, transmission device, and electric power transmission system |
JPWO2016190290A1 (en) * | 2015-05-28 | 2017-10-26 | 株式会社村田製作所 | Current detection element, power transmission device and power transmission system |
US20180234072A1 (en) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | Arcadyan Technology Corporation | Split Ring Resonator Antenna |
US10439583B2 (en) * | 2017-02-10 | 2019-10-08 | Arcadyan Technology Corporation | Split ring resonator antenna |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5024587B2 (en) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5024587B2 (en) | Magnetic field detector and current measuring method used for magnetic field and current measurement | |
JP6490160B2 (en) | Enhancement of planar RF sensor technology | |
CN108226656B (en) | Electromagnetic field composite passive probe | |
US6856131B2 (en) | Magnetic sensor, side-opened TEM cell, and apparatus using such magnetic sensor and side-opened TEM cell | |
JP5427459B2 (en) | Quadrature high-frequency voltage / current sensor with high dynamic range | |
US20070216408A1 (en) | Magnetic Field Sensor | |
CN108152606B (en) | Electric field passive probe | |
CN109884562B (en) | Differential magnetic field detection module and magnetic field probe | |
US9804195B2 (en) | HF measuring probe contacting assembly | |
US11549969B2 (en) | Low-noise, large dynamic-range sensor for measuring current | |
JP5418424B2 (en) | Electromagnetic field probe | |
US8928137B2 (en) | Flow meter with ultrasound transducer directly connected to and fixed to measurement circuit board | |
Sivaraman et al. | Broad band PCB probes for near field measurements | |
Wang et al. | Simultaneous measurement of electric and magnetic fields with a high-sensitivity differential composite probe | |
WO2018179045A1 (en) | Electromagnetic field probe | |
JP2010088011A (en) | Directional coupler | |
US6172497B1 (en) | High-frequency wave measurement substrate | |
US11946953B2 (en) | Electromagnetic field sensor | |
JP2013250241A (en) | Probe and measuring device | |
Tian et al. | A Miniature Electric Probe With a High Spatial Resolution | |
US6750648B1 (en) | Magnetic field detector having a dielectric looped face | |
CN113295932B (en) | Sectional type metal strip magnetic field probe | |
JP7443598B2 (en) | How to adjust the characteristic impedance of the inspection jig | |
KR100241362B1 (en) | Plane-type magnetic probe | |
JP2003207531A (en) | Near magnetic field probe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080526 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100916 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110905 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120524 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120606 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5024587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |