JP2007154276A - 金属含有膜の形成方法 - Google Patents
金属含有膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007154276A JP2007154276A JP2005352888A JP2005352888A JP2007154276A JP 2007154276 A JP2007154276 A JP 2007154276A JP 2005352888 A JP2005352888 A JP 2005352888A JP 2005352888 A JP2005352888 A JP 2005352888A JP 2007154276 A JP2007154276 A JP 2007154276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- film
- containing film
- forming
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
【解決手段】水素化アルミニウムリチウムとシクロペンタシランとを含有する液体12をセル11内に充填し、液体12とセル11の内壁面11aとを接触させる。次いで、セル11の外壁面11bの一領域11b’にスポットUV照射器14を密着させて紫外線Vを照射することで、領域11b’の裏面側となる内壁面11aの一領域11a’にシリコン膜21aと金属膜21bとが順次積層された金属含有膜21を形成する。
【選択図】図1
Description
まず、本発明に用いる金属化合物を含有する液体を用意する。本実施形態では、金属化合物の他にシリコン化合物を含有する液体を用いて、シリコン含有膜と金属膜とが積層された金属含有膜を形成する。
本実施形態では、例えば平板からなる基体に金属含有膜を形成する場合について、図2を用いて説明する。なお、第1実施形態と同様の構成には同一の番号を付して説明する。
本実施形態では、金属の単層膜を形成する例について、図4を用いて説明する。なお、第1実施形態と同様の構成には同一の番号を付して説明する。この場合には、例えば水素化アルミニウムリチウムからなる金属化合物を例えばトルエンからなる溶媒に分散させた液体12’を、第1実施形態と同様に、Ar雰囲気下でセル11に充填することで、セル11の内壁面11aと液体12’とを接触させた状態とし、キャップ13により蓋をして密閉状態とする。
(実施例1)
図1を用いて説明した第1実施形態と同様に、Ar雰囲気下で、20mlのトルエン中にシクロペンタシランを1mmol、水素化アルミニウムリチウムを10mmol、塩化アルミニウム0.56mmolの濃度で含有する液体12を用意した。この液体12をAr雰囲気下で2mlスクリューキャップ付石英セル11に充填した。次いで、スポットUV照射器(浜松ホトニクス製 LC−5(03−typeフィルター付き))14を、上記石英セル11の外壁面11bの一領域11b’に密着させて、3.6W/cm2の出力で光を照射した。このスポットUV照射器14からの照射光は、図5のグラフの放射スペクトルを示すように、照射波長範囲が200nm〜450nmであり、200nm以上320nmより小さい波長範囲で、290nmと305nmにピーク(A,B)を有するとともに、320nm以上450nm以下の波長範囲で、365nmに最大ピーク(C)を有し、325nmにもピーク(D)を有している。この光を6分間照射したところ、領域11a’に光沢をもつ析出膜が観察された。
図4を用いて説明した第3実施形態と同様に、Ar雰囲気下で、20mlのトルエン中に、水素化アルミニウムリチウムを12mmol、塩化アルミニウム0.56mmolの濃度で含有させた液体12’を用意した。この液体12’をAr雰囲気下で2mlスクリューキャップ付石英セル11に充填した。次いで、スポットUV照射器(浜松ホトニクス製 LC−5(03−typeフィルター付き))14を、上記石英セル11の外壁面11bの一領域11b’に密着させた状態で、実施例1と同様の放射スペクトルを有する光を3.6W/cm2の出力で、6分間照射した。これにより、領域11a’に黒色光沢をもつ析出膜が観察された。この析出膜について、TEM像(図示省略)および電子回折画像(図示省略)を確認したところ、100nm程度の酸化アルミニウム膜の中に10nm程度のアルミニウム微結晶ができていることが確認された。
実施例1、2に対する比較例1として、実施例1と同様に、20mlのトルエン中にシクロペンタシランを1mmol、水素化アルミニウムリチウムを10mmol、塩化アルミニウム0.56mmolの濃度で含有する液体12を用意し、Ar雰囲気下で2mlスクリューキャップ付石英セル11に充填した。次いで、バンドパスフィルター(365nm)を介して、スポットUV照射器(浜松ホトニクス製 LC−5(03−typeフィルター付き))14を、上記石英セル11の外壁面11bの一領域11b’に密着させた状態で、3.6W/cm2の出力で光を照射した。この光を20分間照射したところ、析出膜は確認されなかった。したがって、波長365nmのみの光の照射では、シリコン膜とアルミニウム膜とが順次積層された金属含有膜が形成されないことが確認された。
実施例1、2に対する比較例2として、20mlのトルエン中に塩化アルミニウム0.56mmolを塩化水素バブリングを行うことでトルエン中に溶解させた後、この溶液を2mlスクリューキャップ付石英セル11に充填した。次いで、スポットUV照射器(浜松ホトニクス製 LC−5(03−typeフィルター付き))14を、上記石英セル11の外壁面11bの一領域11b’に密着させて、実施例1と同様の放射スペクトルを有する光を3.6W/cm2の出力で、10分間照射した。この結果、析出膜は確認されず、塩化アルミニウムのトルエン溶液を用いた場合には、アルミニウム膜は形成されないことが確認された。
Claims (11)
- 基体の表面に金属含有膜を形成する方法において、
金属化合物を含有する液体と前記基体の表面とを接触させた状態で、光を照射することで、当該基体の当該液体との接触面の光照射領域に金属含有膜を形成する
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項1記載の金属含有膜の形成方法において、
前記液体は前記金属化合物とシリコン化合物とを含有しており、
前記金属含有膜は金属膜とシリコン含有膜との積層膜である
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項2記載の金属含有膜の形成方法において、
前記シリコン化合物は水素化珪素であるとともに、前記シリコン含有膜はシリコン膜である
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項2記載の金属含有膜の形成方法において、
前記金属化合物はアルミニウム化合物であるとともに、前記金属膜はアルミニウム膜である
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項4記載の金属含有膜の形成方法において、
前記アルミニウム化合物は水素化アルミニウムリチウムである
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項1記載の金属含有膜の形成方法において、
前記金属含有膜は金属膜である
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項6記載の金属含有膜の形成方法において、
前記金属化合物はアルミニウム化合物であり、前記金属膜はアルミニウム膜である
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項7記載の金属含有膜の形成方法において、
前記アルミニウム化合物は水素化アルミニウムリチウムである
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項1記載の金属含有膜の形成方法において、
前記金属化合物は前記液体中に分散されている
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項1記載の金属含有膜の形成方法において、
前記基体の前記液体との接触面とは反対側から、前記基体を介して前記光を照射することで、当該接触面の光照射領域に前記金属含有膜を形成する
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。 - 請求項1記載の金属含有膜の形成方法において、
前記光照射領域の位置および形状を制御することで、前記金属含有膜を任意の位置および任意の形状にパターン形成する
ことを特徴とする金属含有膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005352888A JP2007154276A (ja) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | 金属含有膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005352888A JP2007154276A (ja) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | 金属含有膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007154276A true JP2007154276A (ja) | 2007-06-21 |
Family
ID=38239012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005352888A Pending JP2007154276A (ja) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | 金属含有膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007154276A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015224365A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 金属被膜を有する製品の製造方法及び金属被膜を有する製品 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031066A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Sharp Corp | シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法 |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005352888A patent/JP2007154276A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031066A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Sharp Corp | シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015224365A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 金属被膜を有する製品の製造方法及び金属被膜を有する製品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4042685B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
JP5013128B2 (ja) | シリコン膜形成のための方法と組成物 | |
TW475269B (en) | Method of manufacturing thin-film transistor | |
TWI272274B (en) | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition | |
JP4761041B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
JP5604044B2 (ja) | 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法 | |
JP4518284B2 (ja) | ポリシラン修飾シリコン細線の製造方法およびシリコン膜の形成方法 | |
US8038972B2 (en) | Higher order silane composition, method for manufacturing film-coated substrate, electro-optical device and electronic device | |
JP2007154276A (ja) | 金属含有膜の形成方法 | |
JP4462394B2 (ja) | シリコン膜のパターン形成方法 | |
JP4872419B2 (ja) | ポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法およびシリコン膜の形成方法 | |
KR101064799B1 (ko) | 규소-코발트 막 형성용 조성물, 규소-코발트 막 및 상기막의 형성 방법 | |
KR20060094026A (ko) | 실리콘 함유막의 형성 방법 | |
JP2009259958A (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
JP2005235852A (ja) | 多層膜の形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP4617795B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
JP2009062253A (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
JP2005251982A (ja) | シリコン膜の形成方法、当該シリコン膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法及び当該デバイスの製造方法を使用する電気光学機器の製造方法 | |
JP2005120029A (ja) | シラン化合物の精製方法 | |
JP2004217493A (ja) | 金属セレニド薄膜の製造方法 | |
JP2005093611A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法及びデバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及びデバイス | |
JP2005210014A5 (ja) | ||
JP2010248027A (ja) | シリコン前駆体の製造方法、シリコンの製造方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081224 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091021 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20091026 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20091109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101019 |