JP2007149828A - Substrate for mounting electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品実装用基板に係り、特に複数のはんだバンプが二次元的に配設された面を有する電子部品が実装される基板に関する。 The present invention relates to an electronic component mounting substrate, and more particularly to a substrate on which an electronic component having a surface on which a plurality of solder bumps are two-dimensionally arranged is mounted.
従来、複数のはんだバンプ(はんだボールと呼ばれることもある)が二次元的に配置された面を有する電子部品として、フリップチップにおいてバンプ接続されるチップや、BGA(Ball Grid Array)や、はんだバンプがBGAよりもさらに狭ピッチで配置されたCSP(Chip Size Package)などが知られている(特許文献1)。なお、バンプ形成のための技術としてはC4(controlled collapsed chip connection)などが知られている。 Conventionally, as an electronic component having a surface in which a plurality of solder bumps (sometimes referred to as solder balls) are two-dimensionally arranged, a chip that is bump-connected in a flip chip, a BGA (Ball Grid Array), or a solder bump There is known a CSP (Chip Size Package) or the like arranged at a narrower pitch than BGA (Patent Document 1). As a technique for forming the bump, C4 (controlled collapsed chip connection) is known.
複数のはんだバンプが二次元的に配置された面を有する電子部品は、一般的に、リフローと呼ばれる工程を経て基板表面に接合される。リフローとは、電子部品のはんだバンプと基板表面に設けられたランド(通常、基板表面にクリームはんだにより印刷される)とを接触させ、全体的に(あるいはスポット的)に基板を加熱し、これによりバンプ等を溶融させてはんだ付け(接合)する工程をいう。 An electronic component having a surface on which a plurality of solder bumps are two-dimensionally arranged is generally bonded to the substrate surface through a process called reflow. In reflow, solder bumps of electronic components are contacted with lands (usually printed with cream solder on the substrate surface) on the substrate surface, and the substrate is heated as a whole (or spot-like). The process of melting and bumping bumps etc. and soldering (joining).
はんだバンプと基板との平坦度(コプラナリティ)(あるいはバンプ高さの平坦度)が保たれている状態で加熱される限り、すべてのはんだバンプにおいて適切にはんだ付けされるはずであるが、実際には、リフロー時の加熱(熱膨張)等による基板の反り(あるいははんだバンプ高さの不均一)などに起因して、適切にはんだ付けされない(接合不良)はんだバンプも存在する。 As long as the solder bumps are heated with the flatness (coplanarity) (or the flatness of the bump height) of the board maintained, all solder bumps should be properly soldered. There are also solder bumps that are not properly soldered (bonding failure) due to substrate warpage (or uneven solder bump height) due to heating (thermal expansion) or the like during reflow.
本出願の発明者は、接合不良のはんだバンプが中央または中央付近に比べて周囲に多い点に着目した。そして、本出願の発明者は、周囲における接合不良は主に基板の反りに起因するものであり、周囲のランドサイズを中央または中央付近のランドサイズよりも大きくすれば、周囲のランドに対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)も大きくなって、反った基板を平坦に戻そうとする力が作用するから、周囲においても良好なはんだ付けを実現できるとの着想を得た。
本発明の課題は、複数のはんだバンプが二次元的に配設された面を有する電子部品の各はんだバンプにおける適切なはんだ付けを実現するための技術を提供することにある。 The subject of this invention is providing the technique for implement | achieving appropriate soldering in each solder bump of the electronic component which has the surface where the several solder bump was arrange | positioned two-dimensionally.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、次の構成を採る。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and adopts the following configuration.
その表面一定領域に二次元的に配置された複数のはんだバンプ接合用ランドを有する基板であって、前記複数のはんだバンプ接合用ランドは異なるサイズのランドを含むことを特徴とする電子部品実装用基板。 A substrate having a plurality of solder bump bonding lands arranged two-dimensionally in a certain area of the surface, wherein the plurality of solder bump bonding lands include lands of different sizes. substrate.
本発明によれば、はんだバンプ接合用ランドは異なるサイズのランドを含むから、比較的大サイズのランドに対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)が大きくなる。すなわち、この基板に実装される電子部品の実装精度を高めることが可能となる。 According to the present invention, since the solder bump bonding lands include lands having different sizes, the surface tension (self-alignment effect) at the time of melting the solder bumps with respect to the relatively large lands is increased. That is, it is possible to increase the mounting accuracy of the electronic component mounted on the substrate.
上記電子部品実装用基板においては、例えば、前記複数のはんだバンプ接合用ランドは、複数のはんだバンプが二次元的に配置された面を有する電子部品の接合用ランドである。 In the electronic component mounting substrate, for example, the plurality of solder bump bonding lands are bonding lands for electronic components having a surface on which a plurality of solder bumps are two-dimensionally arranged.
これは、バンプ接合用ランドの例示である。このような電子部品としては、フリップチップにおいてバンプ接続されるチップ、BGA(Ball Grid Array)またはCSP(Chip Size Package)構造の半導体パッケージなどが考えられる。要は、複数のはんだバンプが二次元的に配置された面を有する電子部品であればよい。 This is an example of a land for bump bonding. As such an electronic component, a chip that is bump-connected in a flip chip, a semiconductor package having a BGA (Ball Grid Array) or CSP (Chip Size Package) structure, and the like are conceivable. In short, any electronic component having a surface on which a plurality of solder bumps are two-dimensionally arranged may be used.
上記電子部品実装用基板においては、例えば、前記複数のはんだバンプ接合用ランドを格子状に配置したり、あるいは、あるランド列を構成する各ランドがこれに隣接するランド列を構成する二つのランドの中間に位置するように、前記複数のはんだバンプ接合用ランドを配置することが考えられる。 In the electronic component mounting board, for example, the plurality of solder bump bonding lands are arranged in a grid pattern, or each land constituting a certain land row forms two land rows adjacent thereto. It is conceivable that the plurality of solder bump bonding lands are arranged so as to be located in the middle of each other.
これは、はんだバンプ接合用ランドの配置例である。 This is an arrangement example of lands for solder bump bonding.
上記電子部品実装用基板においては、例えば、前記表面一定領域の中心から周囲に向かうにつれてバンプ接合用ランドのサイズを大きくする。 In the electronic component mounting substrate, for example, the size of the bump bonding land is increased from the center of the fixed surface region toward the periphery.
このように周囲のランドサイズを中央または中央付近のランドサイズよりも大きくすれば、周囲のバンプ接合用ランドに対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)も大きくなって、反った基板を平坦に戻そうとする力が作用するから、周囲においても良好なはんだ付けを実現することが可能となる。 If the surrounding land size is made larger than the center land size or the center land size in this way, the surface tension (self-alignment effect) when the solder bump melts against the surrounding bump bonding land also increases, and the warped board becomes flat. Since a force for returning to the position acts, good soldering can be realized even in the surroundings.
上記電子部品実装用基板においては、例えば、前記表面一定領域の周囲に比較的大きいサイズのバンプ接合用ランドを配置する。 In the electronic component mounting substrate, for example, bump bonding lands having a relatively large size are arranged around the constant surface area.
このように周囲に比較的大きいサイズのバンプ接合用ランドを配置すれば、周囲のバンプ接合用ランドに対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)も大きくなって、反った基板を平坦に戻そうとする力が作用するから、周囲においても良好なはんだ付けを実現することが可能となる。 If a relatively large size bump bonding land is arranged in this way, the surface tension (self-alignment effect) when the solder bump melts against the surrounding bump bonding land also increases, and the warped board is returned to a flat surface. Since the force to act acts, it becomes possible to implement | achieve favorable soldering also in the circumference | surroundings.
本発明によれば、複数のはんだバンプが二次元的に配設された面を有する電子部品の各はんだバンプにおける適切なはんだ付け(接合)が可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the appropriate soldering (joining) in each solder bump of the electronic component which has the surface where the several solder bump was arrange | positioned two-dimensionally is attained.
以下、本発明の一実施形態である電子部品実装用基板について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, an electronic component mounting substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態である電子部品実装用基板10を説明するための図(平面図)である。図2は、図1に示す基板10に電子部品20を実装してA−A´で切断した断面を表す断面図である。
FIG. 1 is a diagram (plan view) for explaining an electronic
本実施形態の電子部品実装用基板10は、図2に示すように、その表面10aに、複数のはんだバンプ(以下単にバンプともいう)21が二次元的に配置された面20aを有する電子部品20が実装されるフレキシブル基板等の各種基板である。図1に示すように、電子部品実装用基板10は、その表面10a一定領域11に二次元的に配置された複数のはんだバンプ接合用ランド(以下単にランドともいう)12を備えている。この複数のランド12は、異なるサイズのランドを含んでいる(図1では、三つのサイズのランド12a、12b、12cを例示)。なお、三つのサイズに限らず、図5に示すように、二つのサイズのランド12a、12cを配置することも考えられるし、四つ以上のサイズのランドを配置することも考えられる。
As shown in FIG. 2, the electronic
複数のランド12は、電子部品20の各バンプ21が接合される領域であって、基板表面10aにクリームはんだで印刷されるか、あるいは銅箔等の金属材料により形成される。
The plurality of
ランド12の配置パターンについては各種のパターンが考えられる。
Various patterns can be considered for the arrangement pattern of the
例えば、図1に示すように、表面10a一定領域11の周囲にのみ、各ランド12を配置することが考えられる。
For example, as shown in FIG. 1, it is conceivable that each
あるいは、図3、図5に示すように、格子状に配置することも考えられる。 Alternatively, as shown in FIG. 3 and FIG.
あるいは、図4、図6に示すように、あるランド列を構成する各ランド(図4では二つのランド12bを例示、図6では二つのランド12aを例示)がこれに隣接するランド列を構成する二つのランド(図4、図6では三つのランド12cを例示)の中間に位置するように、各ランド12を配置することも考えられる。
Alternatively, as shown in FIGS. 4 and 6, each land constituting a certain land row (in FIG. 4 exemplifies two
また、図1に示すように、各ランド12をランド12a、12b、12cのように繰り返して配置することも考えられるし、図3、図5に示すように、表面10a一定領域11の中心から周囲に向かうにつれてランド12のサイズを大きくすることも考えられる。
Further, as shown in FIG. 1, it is conceivable to repeatedly arrange each
なお、各図において、各ランド12の配置間隔は、各バンプ21の配置間隔と等しくなっている。
In each drawing, the arrangement interval of each
電子部品20としては、複数のはんだバンプ(はんだボールと呼ばれることもある)21が二次元的に配設された面20aを有する部品、例えば、フリップチップにおいてバンプ接続されるチップや、BGA(Ball Grid Array)構造の半導体パッケージや、はんだバンプがBGAよりもさらに狭ピッチで配設された面を有するCSP(Chip Size Package)構造の半導体パッケージなどがある。
As the
バンプ21の配置パターンについては各種のパターンが考えられる。
Various patterns can be considered for the arrangement pattern of the
一般的には、ランド12の配置パターンと同一または類似のパターンで配置されている。
Generally, it is arranged in the same or similar pattern as the arrangement pattern of the
次に、以上のように構成される電子部品実装用基板10に電子部品20を実装する工程(リフロー)について簡単に説明する。
Next, a process (reflow) of mounting the
まず、電子部品20の各バンプ21と基板表面10a一部領域11に配置されたランド12とを接触させて、全体的に(あるいはスポット的に)基板10を加熱し、これによりバンプ21等を溶融させてはんだ付け(接合)する。これにより電子部品20が実装される。
First, the
以上説明したように、本実施形態の電子部品実装基板10によれば、周囲のランド12のランドサイズを比較的大きくしたので、周囲のランド12に対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)も大きくなって、反った基板を平坦に戻そうとする力が作用するから、周囲においても良好なはんだ付けを実現することが可能となる。
As described above, according to the electronic
なお、ランド12は、電子部品20が有するはんだバンプ21と同数設けてもよいし、あるいは必要なバンプ21に対応した数のみ設けてもよい。
Note that the same number of
次に変形例について説明する。 Next, a modified example will be described.
上記実施形態においては、比較的大きいサイズのバンプ12を周囲に配置するように説明したが本発明はこれに限定されない。例えば、図3においては、表面10a一定領域11の中心から周囲に向かうにつれてランド12のサイズを大きくしてあるが、このような規則によらずに、各サイズのバンプをランダムに配置するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the description has been made so that the relatively
このようにすれば、比較的大サイズのランド12b、12cに対するはんだバンプ溶融時の表面張力(セルフアライメント効果)が大きくなる。すなわち、この基板10に実装される電子部品20の実装精度を高めることが可能となる。
By doing so, the surface tension (self-alignment effect) at the time of melting the solder bumps with respect to the relatively large sized
上記実施形態はあらゆる点で単なる例示にすぎない。これらの記載によって本発明は限定的に解釈されるものではない。本発明はその精神または主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。 The above embodiment is merely an example in all respects. The present invention is not construed as being limited to these descriptions. The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof.
10…電子部品実装用基板、10a…表面、11…実装領域、12…ランド、20…電子部品、20a…面、21…バンプ
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記複数のはんだバンプ接合用ランドは異なるサイズのランドを含むことを特徴とする電子部品実装用基板。 A substrate having a plurality of solder bump bonding lands arranged two-dimensionally on a constant surface area thereof,
The electronic component mounting board, wherein the plurality of solder bump bonding lands include lands of different sizes.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104425415A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 力领科技股份有限公司 | Chip lug structure |
US9414488B2 (en) | 2012-02-17 | 2016-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board for mounting electronic components |
CN108878296A (en) * | 2018-06-27 | 2018-11-23 | 华中科技大学 | A kind of preparation method of three-dimensional micro convex point |
US10797012B2 (en) | 2017-08-25 | 2020-10-06 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Multi-pin-wafer-level-chip-scale-packaging solution for high power semiconductor devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273639A (en) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor chip |
JPH07263449A (en) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JPH11340352A (en) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mounting structure |
JP2000269270A (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JP2000332042A (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Nec Corp | Semiconductor device, mounting structure of semiconductor element and semiconductor device |
-
2005
- 2005-11-25 JP JP2005340124A patent/JP2007149828A/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273639A (en) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor chip |
JPH07263449A (en) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JPH11340352A (en) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mounting structure |
JP2000269270A (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JP2000332042A (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Nec Corp | Semiconductor device, mounting structure of semiconductor element and semiconductor device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9414488B2 (en) | 2012-02-17 | 2016-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board for mounting electronic components |
CN104425415A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 力领科技股份有限公司 | Chip lug structure |
US10797012B2 (en) | 2017-08-25 | 2020-10-06 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Multi-pin-wafer-level-chip-scale-packaging solution for high power semiconductor devices |
US11495567B2 (en) | 2017-08-25 | 2022-11-08 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Multi-pin-wafer-level-chip-scale-packaging solution for high power semiconductor devices |
CN108878296A (en) * | 2018-06-27 | 2018-11-23 | 华中科技大学 | A kind of preparation method of three-dimensional micro convex point |
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