JP2007145947A - Electroconductive ink composition and its manufacturing method - Google Patents

Electroconductive ink composition and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2007145947A
JP2007145947A JP2005340433A JP2005340433A JP2007145947A JP 2007145947 A JP2007145947 A JP 2007145947A JP 2005340433 A JP2005340433 A JP 2005340433A JP 2005340433 A JP2005340433 A JP 2005340433A JP 2007145947 A JP2007145947 A JP 2007145947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
ink composition
protective colloid
conductive ink
noble metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005340433A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taisuke Iseda
泰助 伊勢田
Masahiro Izumoto
政博 巖本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Belting Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Belting Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Belting Ltd filed Critical Mitsuboshi Belting Ltd
Priority to JP2005340433A priority Critical patent/JP2007145947A/en
Publication of JP2007145947A publication Critical patent/JP2007145947A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroconductive ink composition which formes a film excellent in adhesion to a base material and smoothness of the film surface and can fire the film at a comparatively low temperature, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: The electroconductive ink composition comprises a solid in which the surfaces of fine particles of a nobel metal are enveloped with a protective colloid, and the above protective colloid comprises at least one type of a 5-20C amine compound and at least one organic compound selected from a 4-30C amide compound, an aldehyde compound, an ester compound, and a ketone compound. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、金属の粒成長を抑制し、無アルカリガラスのような基板との密着性と膜表面の平滑性に優れ、薄膜を比較的低温で焼成することができる導電性インキ組成物とその製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive ink composition that suppresses metal grain growth, has excellent adhesion to a substrate such as non-alkali glass and smoothness of the film surface, and can fire a thin film at a relatively low temperature. It relates to a manufacturing method.

従来、各種電極、回路、電界シールド、反射膜等、幅広い用途に銀薄膜等の金属薄膜が提供されている。一般的にガラス基板上あるいは半導体基板上に形成されるこのような金属薄膜の作製方法としては、真空蒸着法やペースト塗布法が知られている。   Conventionally, metal thin films such as silver thin films have been provided for various applications such as various electrodes, circuits, electric field shields, and reflective films. As a method for producing such a metal thin film generally formed on a glass substrate or a semiconductor substrate, a vacuum deposition method or a paste coating method is known.

真空蒸着法は、真空蒸着装置内に基板を設置し、その上に金属薄膜を蒸着する方法であって、膜厚の精密な制御が可能で、高品質の金属薄膜を提供できることを特徴とする。   The vacuum deposition method is a method in which a substrate is placed in a vacuum deposition apparatus, and a metal thin film is deposited thereon. The film thickness can be precisely controlled, and a high-quality metal thin film can be provided. .

ペースト塗布法は、市販の金属微粒子を少なくとも樹脂成分及び有機溶媒からなるマトリックス成分に分散させ、必要に応じてガラスフリットを添加してガラス基板に塗布し、加熱によって液体成分を蒸発させることによって、金属薄膜を形成する方法である。具体的には、スクリーン印刷、ディップコート法、スピンコート法等があり、真空蒸着法に比較して簡便で安価な製膜プロセスを特徴とする。   In the paste coating method, commercially available metal fine particles are dispersed in a matrix component composed of at least a resin component and an organic solvent, and if necessary, glass frit is added to a glass substrate, and the liquid component is evaporated by heating. This is a method of forming a metal thin film. Specifically, there are screen printing, dip coating, spin coating, and the like, which are characterized by a simple and inexpensive film forming process as compared with vacuum deposition.

特許文献1には、粒径1.0μm以下の金微粒子とエチルセルロースからなる金ペーストが開示されており、金微粒子の粒径を制御することによって、金微粒子間の焼結を良好にし、500℃以下の比較的低温での焼成によって低抵抗値の金薄膜を形成可能にするものである。更に、特許文献2には、250℃以下の温度で焼成可能な、有機溶媒中に安定に分散した銀微粒子分散ペーストが開示されている。   Patent Document 1 discloses a gold paste composed of gold fine particles having a particle size of 1.0 μm or less and ethyl cellulose. By controlling the particle size of the gold fine particles, sintering between the gold fine particles is improved, and 500 ° C. A gold thin film having a low resistance value can be formed by firing at the following relatively low temperature. Further, Patent Document 2 discloses a silver fine particle dispersed paste stably dispersed in an organic solvent, which can be fired at a temperature of 250 ° C. or lower.

しかし、真空蒸着法は、装置が大掛かりで高価であり、必要とされる真空度を達成するために長時間の真空引きを要する問題がある。一方、ペースト塗布法は、250℃以下の比較的低温での焼成が可能になってきているものの、そのような低温での焼成では、一般的に金属薄膜の基板に対する密着性が不十分という問題があった。
特開平10−340619号公報 特開2002−299833号公報
However, the vacuum deposition method has a problem that the apparatus is large and expensive, and a long vacuum is required to achieve the required degree of vacuum. On the other hand, the paste coating method has made it possible to fire at a relatively low temperature of 250 ° C. or less, but such a low temperature generally has a problem that the adhesion of the metal thin film to the substrate is generally insufficient. was there.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-340619 JP 2002-299833 A

即ち、一般的に貴金属は安定であるため、塗布対象物である基板との反応性が低く、基板との密着性に乏しかった。また、銀粒子に限らず、貴金属のように他の物質との反応性、密着性が低い場合には、基板から剥がれやすくなるという問題があった。このため、ガラス基板を表面処理して銀薄膜との密着性を高める必要があった。   That is, since noble metals are generally stable, the reactivity with the substrate that is the object to be coated is low, and the adhesion with the substrate is poor. In addition to silver particles, there is a problem that when the reactivity and adhesion to other substances are low, such as noble metals, they are easily peeled off from the substrate. For this reason, it was necessary to surface-treat a glass substrate and to improve adhesiveness with a silver thin film.

しかも、銀をガラス基板上に成膜する場合、焼成温度が250℃を超えると粒成長が顕著となり、そのために平滑な表面が荒れて表面白濁が生じる等、高温焼成時の表面性に劣
る問題が発生し、得られた金属膜をそのまま配線として使用することは困難であった。
Moreover, when silver is deposited on a glass substrate, the grain growth becomes significant when the firing temperature exceeds 250 ° C., and therefore the smooth surface becomes rough and surface turbidity occurs, resulting in poor surface properties during high temperature firing. It was difficult to use the obtained metal film as a wiring as it was.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板との密着性と膜表面の平滑性に優れた薄膜を成形し、また薄膜を比較的低温で焼成することができる導電性インキ組成物とその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and is a conductive ink composition capable of forming a thin film excellent in adhesion to the substrate and smoothness of the film surface and firing the thin film at a relatively low temperature. It aims at providing a thing and its manufacturing method.

即ち、本願発明は貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物を含む導電性インキ組成物であり、上記保護コロイドが炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン化合物と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とからなり、この種の保護コロイドを使用することにより、基板上に作製した薄膜を80〜150℃の低温で焼成しても、焼成膜は金属の粒成長を抑制し、基板との密着性、膜表面の平滑性に優れ、低い体積抵抗率を有している。   That is, the present invention is a conductive ink composition comprising a solid material in which noble metal fine particles are surrounded by a protective colloid, and the protective colloid is at least one amine compound selected from 5 to 20 carbon atoms, A thin film formed on a substrate is formed by using at least one organic compound selected from amide compounds, aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds having 4 to 30 carbon atoms. Even when fired at a low temperature of ˜150 ° C., the fired film suppresses metal grain growth, has excellent adhesion to the substrate and smoothness of the film surface, and has a low volume resistivity.

本願発明では、アミン化合物の炭素数、及びアルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物の炭素数を共に制限した分子量の小さな保護コロイドを使用することにより、従来に比べて80〜150℃といった比較的低い焼成温度で焼成膜を形成できる効果がある。従来のナノ粒子を含む導電性インキと比較して焼成温度を低く設定できるため、幅広くプラスチック基板にも適応させることができる。即ち、保護コロイドの蒸発や分解する温度を分子量で制御することで、 比較的低温で焼成できる大きな特長がある。   In the present invention, by using a protective colloid having a small molecular weight, in which both the number of carbons of the amine compound and the number of carbons of at least one organic compound selected from aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds are used, compared to the conventional case. Thus, there is an effect that a fired film can be formed at a relatively low firing temperature of 80 to 150 ° C. Since the firing temperature can be set lower than that of conductive ink containing conventional nanoparticles, it can be widely applied to plastic substrates. That is, it has a great feature that it can be fired at a relatively low temperature by controlling the temperature at which the protective colloid evaporates and decomposes by the molecular weight.

また、本願発明の導電性インキ組成物では、有機化合物がアミド化合物もしくはアルデヒド化合物である場合特に、得られる焼成膜は表面平滑性に優れ, 体積抵抗率も低い。   In the conductive ink composition of the present invention, the fired film obtained has excellent surface smoothness and low volume resistivity, particularly when the organic compound is an amide compound or an aldehyde compound.

また、本願発明では、貴金属が銀あるいは金である場合、貴金属の割合が60〜95質量%で、保護コロイドの割合が5〜40質量%である場合、貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物が有機溶媒に分散されている場合も含まれる。   In the present invention, when the noble metal is silver or gold, the ratio of the noble metal is 60 to 95% by mass and the ratio of the protective colloid is 5 to 40% by mass. The case where the enclosed solid is dispersed in an organic solvent is also included.

更に、本願発明は貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物を含む導電性インキ組成物の製造方法もあり、この場合には、炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン類と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とを含む原料を攪拌して得られる化合物および/または混合物を保護コロイドとして用い、この保護コロイドと貴金属イオンを含む溶液に還元剤を添加し攪拌した後、余分な保護コロイドおよび溶媒を除去するものである。これにより、金属の粒成長を抑制でき、無アルカリガラスのような基板との密着性、膜表面の平滑性に優れ、更には金属膜を80〜150℃の低温で形成することができる。   Furthermore, the present invention also includes a method for producing a conductive ink composition including a solid material in which noble metal fine particles are surrounded by a protective colloid, and in this case, at least one kind selected from 5 to 20 carbon atoms is used. Compounds and / or mixtures obtained by stirring raw materials containing amines and at least one organic compound selected from amide compounds, aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds having 4 to 30 carbon atoms as protective colloids A reducing agent is added to the solution containing the protective colloid and noble metal ions and stirred, and then the excess protective colloid and the solvent are removed. Thereby, metal grain growth can be suppressed, adhesion to a substrate such as non-alkali glass, excellent film surface smoothness, and a metal film can be formed at a low temperature of 80 to 150 ° C.

本発明では、上記保護コロイドが炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン化合物と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とからなり、分子量を制限した保護コロイドを使用することにより、無アルカリガラス、プラスチックのような基板上に作製した薄膜を80〜150℃の低温で焼成しても、焼成膜は金属の粒成長を抑制し、基板との密着性、膜表面の平滑性に優れ、低い体積抵抗率を有する効果がある。   In the present invention, the protective colloid is at least one organic compound selected from carbon atoms of 5 to 20, and at least one organic compound selected from amide compounds, aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds having 4 to 30 carbon atoms. Even if a thin film produced on a substrate such as alkali-free glass or plastic is fired at a low temperature of 80 to 150 ° C. by using a protective colloid composed of a compound and having a molecular weight limited, the fired film is a metal particle. It has the effects of suppressing growth, excellent adhesion to the substrate and smoothness of the film surface, and low volume resistivity.

また、導電性インキ組成物の製造方法では、炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン類と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とを含む原料を攪拌して得られる化合物および/または混合物を保護コロイドとして用い、この保護コロイドと貴金属イオンを含む溶液に還元剤を添加し攪拌した後、余分な保護コロイドおよび溶媒を除去するものであり、金属膜を80〜150℃の温度で焼成しても貴金属の粒成長を抑制して表面の平滑性を維持し、また基板との密着性が改善される。   In the method for producing a conductive ink composition, at least one amine selected from 5 to 20 carbon atoms, an amide compound having 4 to 30 carbon atoms, an aldehyde compound, an ester compound, and a ketone compound were selected. A compound and / or mixture obtained by stirring a raw material containing at least one organic compound is used as a protective colloid, and after adding a reducing agent to the solution containing the protective colloid and the noble metal ion and stirring, an extra protective colloid and The solvent is removed, and even when the metal film is baked at a temperature of 80 to 150 ° C., the grain growth of the noble metal is suppressed, the surface smoothness is maintained, and the adhesion to the substrate is improved.

本発明の導電性インキ組成物は、基板に塗布後、乾燥または熱処理により焼成することで金属薄膜を形成することができるインキ材料であり、少なくとも貴金属からなる微粒子がその表面を保護コロイドで包囲した固形物(コロイド粒子)を含んでいる。また、貴金属は2種以上、また保護コロイドも2種以上使用してもよい。   The conductive ink composition of the present invention is an ink material capable of forming a metal thin film by being applied to a substrate and then baked by drying or heat treatment. At least fine particles of a noble metal surrounded the surface with a protective colloid. Contains solids (colloidal particles). Two or more precious metals may be used, and two or more protective colloids may be used.

上記導電性インキ組成物では、貴金属の割合が60〜95質量%で、保護コロイドの割合が5〜40質量%で、両者の合計が100質量%である。また、導電性インキ組成物は、貴金属の微粒子の表面を保護コロイドによって包囲した固形物をメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ペプタノール、α−テレピネオールなどのアルコール類を混合した有機溶媒(分散媒)に分散させ、インキとして使用することもできる。   In the said conductive ink composition, the ratio of a noble metal is 60-95 mass%, the ratio of a protective colloid is 5-40 mass%, and the sum total of both is 100 mass%. In addition, the conductive ink composition is a mixture of alcohol, such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, peptanol, α-terpineol, and the like, in which the surface of noble metal fine particles is surrounded by a protective colloid. It can also be used as ink by being dispersed in an organic solvent (dispersion medium).

該保護コロイドは炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン化合物と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物との化合物またはこれらの混合物からなっている。このように分子量の小さな保護コロイドを使用することにより、従来に比べて80〜150℃といった比較的低い焼成温度で金属膜を形成できる特長を有し、しかも焼成膜は金属の粒成長を抑制して基板との密着性、膜表面の平滑性に優れ、低い体積抵抗率を有する。   The protective colloid is a compound of at least one amine compound selected from 5 to 20 carbon atoms and at least one organic compound selected from amide compounds, aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds having 4 to 30 carbon atoms. Or a mixture of these. By using a protective colloid with a small molecular weight in this way, it has the advantage that a metal film can be formed at a relatively low firing temperature of 80 to 150 ° C. compared to the prior art, and the fired film suppresses metal grain growth. Excellent adhesion to the substrate and smoothness of the film surface and low volume resistivity.

具体的には、上記アミン化合物としては、例えばペンチルアミン、へキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等を挙げることができる。   Specifically, examples of the amine compound include pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, hexadecylamine, octadecylamine and the like.

また、アミド化合物はN−メチルプロピオンアミド、アセトアミド、メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホアミドであり、アルデヒド化合物がブタナール、ペンタナール、ヘキサナール、ヘプタナール、オクタナール、ノナナール、デカナール、ウンデカナール、ドデカナール、トリデカナール、テトラデカナール、ペンタデカナール、ヘキサデカナール、ヘプタデカナール、オクタデカナールなどであり、エステル化合物がプロピオン酸メチル、オクタン酸メチル、アセト酢酸メチル等であり、ケトン化合物が3−ペンタノン、2−オクタノン、アセチルアセトン等である。なかでもアミド化合物とアルデヒド化合物を使用した場合、導電性インキ組成物の薄膜を80〜150℃の比較的低温で焼成しても低い体積抵抗率、優れた表面平滑性を得ることができるために好ましい。   The amide compound is N-methylpropionamide, acetamide, methylacetamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoamide, and the aldehyde compound is butanal, pentanal, hexanal, heptanal, octanal, nonanal, decanal, undecanal, Dodecanal, tridecanal, tetradecanal, pentadecanal, hexadecanal, heptadecanal, octadecanal, etc., ester compounds are methyl propionate, methyl octanoate, methyl acetoacetate, etc., and ketone compounds are 3 -Pentanone, 2-octanone, acetylacetone and the like. In particular, when an amide compound and an aldehyde compound are used, low volume resistivity and excellent surface smoothness can be obtained even when the conductive ink composition thin film is baked at a relatively low temperature of 80 to 150 ° C. preferable.

上記貴金属微粒子としては、その粒径が数nm〜数百nmのいわゆる超微粒子(ナノ粒子)であり、具体的には、例えば1nm以上、100nm以下の範囲内の粒径を有する金属微粒子が好適に用いられる。具体的には、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム等が挙げられるが、特に限定されるもではない。これらの貴金属を一種類のみ使用してもよく、適宜、組み合わせた合金であってもよい。上記貴金属の中でも、金、銀、白金が好ましいが、銀が最も好ましい。   The noble metal fine particles are so-called ultrafine particles (nanoparticles) having a particle size of several nm to several hundred nm, and specifically, metal fine particles having a particle size in the range of, for example, 1 nm or more and 100 nm or less are preferable. Used for. Specific examples include gold, silver, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, osmium, iridium and the like, but are not particularly limited. Only one kind of these noble metals may be used, or an alloy combined appropriately. Among the noble metals, gold, silver, and platinum are preferable, but silver is most preferable.

上記導電性インキ組成物の製造方法では、具体的には炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミンと、炭素数4〜30から選ばれる炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とを含む原料を攪拌して得られる化合物および/または混合物を保護コロイドとして用い、この保護コロイドと貴金属イオンを含む溶液に複数回に分けて還元剤を添加し攪拌した後、余分な保護コロイドおよび溶媒を除去するものである。上記保護コロイドの組合せであれば、貴金属微粒子を有機溶媒に分散したペーストを80〜150℃の温度で焼成しても、貴金属の粒成長を抑制して表面の平滑性を維持し、更には基板との密着性を改善する。   In the method for producing the conductive ink composition, specifically, at least one amine selected from 5 to 20 carbon atoms, an amide compound having 4 to 30 carbon atoms selected from 4 to 30 carbon atoms, an aldehyde compound, A compound and / or mixture obtained by stirring a raw material containing an ester compound and at least one organic compound selected from ketone compounds is used as a protective colloid, and divided into a solution containing the protective colloid and a noble metal ion in multiple times. After the reducing agent is added and stirred, excess protective colloid and solvent are removed. If the combination of the protective colloids described above, even if a paste in which noble metal fine particles are dispersed in an organic solvent is baked at a temperature of 80 to 150 ° C., the grain growth of the noble metal is suppressed and the surface smoothness is maintained. Improves the adhesion.

即ち、導電性インキ組成物の製造方法では、貴金属イオンと、保護剤(保護コロイド)として(1)炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン化合物と(2)炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とを組み合わせたものを有機溶媒に溶解し、還元剤を10分〜2時間かけて滴下して保護剤(保護コロイド)で保護した貴金属微粒子/溶媒分散液を用意する。   That is, in the method for producing a conductive ink composition, (1) at least one amine compound selected from 5 to 20 carbon atoms and (2) 4 to 30 carbon atoms as a protective agent (protective colloid). A combination of at least one organic compound selected from an amide compound, an aldehyde compound, an ester compound, and a ketone compound is dissolved in an organic solvent, and a reducing agent is dropped over 10 minutes to 2 hours to protect the agent (protection Prepare noble metal fine particle / solvent dispersion protected with colloid).

上記貴金属微粒子としては、前述の通りあり、中でも金、銀、白金が好ましいが、銀あるいは金が最も好ましい。   As the above-mentioned noble metal fine particles, as mentioned above, gold, silver and platinum are preferable, but silver or gold is most preferable.

上記貴金属イオンは、有機溶媒に可溶性のある金属化合物であり、あるいはこの金属を溶解することで調製できるものである。該金属化合物は特に限定されず、例えば塩化金酸/またはその塩、硝酸銀、塩化銀、酢酸銀、塩化白金酸/またはその塩、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等が挙げられる。   The noble metal ion is a metal compound that is soluble in an organic solvent, or can be prepared by dissolving this metal. The metal compound is not particularly limited, and examples thereof include chloroauric acid / or a salt thereof, silver nitrate, silver chloride, silver acetate, chloroplatinic acid / or a salt thereof, palladium chloride, palladium nitrate, palladium acetate, palladium nitrate and the like.

そして有機溶媒としては、例えば主鎖の炭素数が6以上18以下の有機溶媒を用いることが好ましい。炭素数が6未満であると、揮発性が高すぎて取り扱いが困難になり、逆に炭素数が18を超えると、粘性が高すぎて取り扱いが困難になり、また濃縮も困難になるためいずれも好ましくない。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、トリメチルペンタン等の炭化水素あるいは、トルエン、キシレン、テトラリン、ヘキサデカン、テトラデカン、ヘプタメチルノナン等が好ましい。   As the organic solvent, for example, an organic solvent having 6 to 18 carbon atoms in the main chain is preferably used. If the carbon number is less than 6, the volatility is too high and handling becomes difficult. Conversely, if the carbon number exceeds 18, the viscosity becomes too high and handling becomes difficult, and it becomes difficult to concentrate. Is also not preferred. Specifically, hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, decane, undecane, dodecane, tridecane, and trimethylpentane, toluene, xylene, tetralin, hexadecane, tetradecane, heptamethylnonane, and the like are preferable.

上記貴金属イオン溶液の濃度は、溶媒に溶解可能な範囲であれば特に限定されず、好ましくは100mM以上である。100mM未満であると、十分高濃度の貴金属微粒子が連続して得られないため、好ましくない。   The concentration of the noble metal ion solution is not particularly limited as long as it can be dissolved in a solvent, and is preferably 100 mM or more. If it is less than 100 mM, no sufficiently high concentration of noble metal fine particles can be obtained continuously, which is not preferable.

上記還元剤としては、溶媒に溶解した還元剤含有溶液を使用するもので、例えば水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン化合物、クエン酸又はその塩、コハク酸又はその塩、アスコルビン酸又はその塩、ホスフィン酸又はその塩、酒石酸/またはその塩等を使用することができる。   As the reducing agent, a reducing agent-containing solution dissolved in a solvent is used. For example, sodium borohydride, hydrazine compound, citric acid or a salt thereof, succinic acid or a salt thereof, ascorbic acid or a salt thereof, phosphinic acid or Its salt, tartaric acid / or its salt, etc. can be used.

上記還元剤含有溶液の濃度は、溶媒に溶解可能な範囲であれば特に限定されず、好ましくは貴金属イオンモル濃度に対し0.1倍以上である。0.1倍未満であると、貴金属イオン含有溶液の滴下量に比べ多量の還元剤含有溶液が必要となり、工業的に不利なため好ましくない。   The concentration of the reducing agent-containing solution is not particularly limited as long as it can be dissolved in a solvent, and is preferably 0.1 times or more with respect to the noble metal ion molar concentration. If it is less than 0.1 times, a larger amount of reducing agent-containing solution is required than the amount of the noble metal ion-containing solution added, which is not preferable because it is industrially disadvantageous.

上記還元剤含有溶液は、一度に全て投入するのではなく複数回に分けて投入するのが好ましく、またその速度は、一定であることが好ましい。   The reducing agent-containing solution is preferably added in a plurality of times, not all at once, and the rate is preferably constant.

上記貴金属微粒子の表面を包囲させる保護剤(保護コロイド)としては、(1)炭素数5〜20のアミン化合物を50〜99モル%の範囲内、(2)炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物を1〜50モル%の範囲内で含む原料から得られる化合物であることが好ましい。   As a protective agent (protective colloid) for surrounding the surface of the noble metal fine particles, (1) an amine compound having 5 to 20 carbon atoms in a range of 50 to 99 mol%, (2) an amide compound having 4 to 30 carbon atoms, A compound obtained from a raw material containing at least one organic compound selected from an aldehyde compound, an ester compound, and a ketone compound in a range of 1 to 50 mol% is preferable.

上記アミン化合物、またアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物は、前述の通りである。   At least one organic compound selected from the amine compounds, amide compounds, aldehyde compounds, ester compounds, and ketone compounds is as described above.

そして、貴金属微粒子を上記保護コロイドで包囲した固形物(コロイド粒子)と有機溶媒を0.5〜3時間攪拌し、得られたろ過液をエバポレータで濃縮した液体を得る。この液体に有機溶媒を加えて沈澱物を生成させた後、吸引ろ過し、乾燥することによって保護コロイドで保護した貴金属微粒子の固形物を得る。   Then, the solid (colloid particles) in which the noble metal fine particles are surrounded by the protective colloid and the organic solvent are stirred for 0.5 to 3 hours, and a liquid obtained by concentrating the obtained filtrate with an evaporator is obtained. An organic solvent is added to this liquid to form a precipitate, which is then filtered with suction and dried to obtain a solid of precious metal fine particles protected with a protective colloid.

ここで使用する有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ペプタノール、α−テレピネオールなどのアルコール類を混合して用いることができる。   As the organic solvent used here, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, peptanol and α-terpineol can be mixed and used.

上記固形物である保護コロイドで保護した貴金属微粒子は、前述の通り貴金属微粒子の割合が60〜95質量%で、保護コロイドの割合が5〜40質量%が好ましく、両者の合計は100質量%である。   As described above, the precious metal fine particles protected with the protective colloid which is a solid matter described above have a precious metal fine particle ratio of 60 to 95% by mass and a protective colloid ratio of 5 to 40% by mass, and the total of both is 100% by mass. is there.

そして、この固形物をトルエン、へキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘプタン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、トリメチルペンタン、ベンゼン、キシレン、テトラリン、ヘキサデカン、テトラデカン、ヘプタメチルノナン等の有機溶媒(分散媒)に溶解してペースト状のインキ組成物に仕上げることができる。この場合の、貴金属微粒子の濃度が10〜95質量%に調節することが好ましい。   And this solid substance is organic solvent (dispersion) such as toluene, hexane, cyclohexane, heptane, cycloheptane, octane, decane, undecane, dodecane, tridecane, trimethylpentane, benzene, xylene, tetralin, hexadecane, tetradecane, heptamethylnonane, etc. It can be dissolved in a medium and finished into a paste-like ink composition. In this case, the concentration of the noble metal fine particles is preferably adjusted to 10 to 95% by mass.

上記インキ組成物は基板上にスピンコート法、スクリーン印刷法、ディップコート法、インクジェット印刷法等の方法によって薄膜を形成し、該薄膜を80〜200℃で焼成し、これにより貴金属の粒成長を抑制して表面の平滑性を維持し、更には基板との密着性を改善する。   The ink composition forms a thin film on a substrate by a spin coating method, a screen printing method, a dip coating method, an ink jet printing method, or the like, and the thin film is baked at 80 to 200 ° C., thereby causing noble metal grain growth. It suppresses and maintains the smoothness of the surface, and further improves the adhesion to the substrate.

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。これらの例は単なる例示であって、本発明を何ら限定するものではない。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples. These examples are merely illustrative and do not limit the present invention in any way.

実施例1
酢酸銀7.5g、保護剤として(1)オクチルアミン19.6g、(2)N―メチルプロピオンアミド4.89gを2,2,4−トリメチルペンタン0.15Lに加え攪拌した。この混合溶液を攪拌し、還元剤として0.28モル/Lの水素化ホウ素ナトリウムを含むプロパノール溶液0.3Lを30分間かけて滴下して銀を還元した。
得られた液体をメタノール1.0Lに投入し褐色の沈殿物を生成させた後、吸引ろ過により沈殿物を回収した。該沈殿物を2,2,4−トリメチルペンタンに再分散させ、ろ過した後、ろ液を乾燥させて1.5gの銀ナノ粒子固形物を得た。
Example 1
7.5 g of silver acetate, 19.6 g of octylamine as a protective agent, and 4.89 g of (2) N-methylpropionamide were added to 0.15 L of 2,2,4-trimethylpentane and stirred. The mixed solution was stirred, and 0.3 L of a propanol solution containing 0.28 mol / L sodium borohydride as a reducing agent was dropped over 30 minutes to reduce silver.
The obtained liquid was poured into 1.0 L of methanol to produce a brown precipitate, and then the precipitate was collected by suction filtration. The precipitate was redispersed in 2,2,4-trimethylpentane and filtered, and then the filtrate was dried to obtain 1.5 g of a silver nanoparticle solid.

得られた固体を、金属分濃度が43質量%になるように無極性溶媒に溶解して銀微粒子分散インキを調整した。そして、これを基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、80℃、100℃、120℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。   The obtained solid was dissolved in a nonpolar solvent so that the metal concentration was 43% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. And this was spin-coated on the board | substrate, and the thin film was produced. Since the silver fine particles have good dispersibility with respect to a nonpolar solvent, good stability with time, and hardly form an aggregate, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was baked on a hot plate at 80 ° C., 100 ° C., 120 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は80℃で54.3μΩ・cm、100℃で29.6μΩ・cm、120℃で7.8μΩ・cm、150℃で5.3μΩ・cm、180℃で5.3μΩ・cm、200℃で5.8μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film is 54.3 μΩ · cm at 80 ° C., 29.6 μΩ · cm at 100 ° C., 7.8 μΩ · cm at 120 ° C., 5.3 μΩ · cm at 150 ° C., and 5.3 μΩ · cm at 180 ° C. cm and 5.8 μΩ · cm at 200 ° C.

実施例2
保護剤として実施例1で使用した(2)の代わりに、(3)オクタナール5.76gを用いたこと以外は実施例1と同様に行い、1.9gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、100℃、120℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。
Example 2
1.9 g of silver nanoparticle solid was obtained in the same manner as in Example 1 except that 5.76 g of (3) octanal was used instead of (2) used in Example 1 as a protective agent.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since the silver fine particles have good dispersibility with respect to a nonpolar solvent, good stability with time, and hardly form an aggregate, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was fired on a hot plate at 100 ° C., 120 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は100℃で1535μΩ・cm、120℃で17.2μΩ・cm、150℃で5.3μΩ・cm、180℃で4.1μΩ・cm、200℃で2.9μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film is 1535 μΩ · cm at 100 ° C., 17.2 μΩ · cm at 120 ° C., 5.3 μΩ · cm at 150 ° C., 4.1 μΩ · cm at 180 ° C., and 2.9 μΩ · cm at 200 ° C. there were.

実施例3
保護剤として(1)オクチルアミン17.4g、(4)プロピオン酸メチル3.97gを用いたこと以外は実施例1と同様に行い、3.0gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、80℃、100℃、120℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。
Example 3
The same procedure as in Example 1 was carried out except that (1) 17.4 g of octylamine and (4) 3.97 g of methyl propionate were used as the protective agent, to obtain 3.0 g of a silver nanoparticle solid.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since these silver fine particles have good dispersibility in nonpolar solvents, good stability with time, and hardly form aggregates, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was baked on a hot plate at 80 ° C., 100 ° C., 120 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は80℃で580μΩ・cm、100℃で538μΩ・cm、120℃で18.9μΩ・cm、150℃で6.6μΩ・cm、180℃で9.0μΩ・cm、200℃で7.5μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film is 580 μΩ · cm at 80 ° C., 538 μΩ · cm at 100 ° C., 18.9 μΩ · cm at 120 ° C., 6.6 μΩ · cm at 150 ° C., 9.0 μΩ · cm at 180 ° C., 200 ° C. 7.5 μΩ · cm.

実施例4
保護剤として(1)オクチルアミン11.6g、(5)オクタン酸メチル7.11gを用いたこと以外は実施例1と同様に行い、1.0gの銀ナノ粒子固形物を得た。
Example 4
The same procedure as in Example 1 was carried out except that (1) 11.6 g of octylamine and (5) 7.11 g of methyl octoate were used as the protective agent, to obtain 1.0 g of a silver nanoparticle solid.

得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、80℃、120℃、150℃、180℃のホットプレート上にて30分間焼成した。   The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since the silver fine particles have good dispersibility with respect to a nonpolar solvent, good stability with time, and hardly form an aggregate, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was fired on a hot plate at 80 ° C., 120 ° C., 150 ° C., and 180 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は80℃で485μΩ・cm、120℃で57.8μΩ・cm、150℃で55.5μΩ・cm、180℃で25.1μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film was 485 μΩ · cm at 80 ° C., 57.8 μΩ · cm at 120 ° C., 55.5 μΩ · cm at 150 ° C., and 25.1 μΩ · cm at 180 ° C.

実施例5
保護剤として(6)アセト酢酸メチル5.3gを用いたこと以外は実施例4と同様に行い、2.0gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、80℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。
Example 5
The same procedure as in Example 4 was carried out except that 5.3 g of methyl acetoacetate (6) was used as a protective agent to obtain 2.0 g of a silver nanoparticle solid.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since these silver fine particles have good dispersibility in nonpolar solvents, good stability with time, and hardly form aggregates, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was fired on a hot plate at 80 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は80℃で121μΩ・cm、150℃で68.0μΩ・cm、180℃で44.6μΩ・cm、200℃で35.0μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film was 121 μΩ · cm at 80 ° C., 68.0 μΩ · cm at 150 ° C., 44.6 μΩ · cm at 180 ° C., and 35.0 μΩ · cm at 200 ° C.

実施例6
保護剤として(7)アセチルアセトン4.50gを用いたこと以外は実施例4と同様に行い、2.0gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。薄膜の焼成は、80℃、120℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。
Example 6
The same operation as in Example 4 was carried out except that (7) 4.50 g of acetylacetone was used as a protective agent to obtain 2.0 g of a silver nanoparticle solid.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since these silver fine particles have good dispersibility in nonpolar solvents, good stability with time, and hardly form aggregates, a continuous film having a smooth surface was formed. The thin film was fired on a hot plate at 80 ° C., 120 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。焼成膜の体積抵抗率は80℃で2780μΩ・cm、120℃で773μΩ・cm、150℃で141μΩ・cm、180℃で124μΩ・cm、200℃で107μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The volume resistivity of the fired film was 2780 μΩ · cm at 80 ° C., 773 μΩ · cm at 120 ° C., 141 μΩ · cm at 150 ° C., 124 μΩ · cm at 180 ° C., and 107 μΩ · cm at 200 ° C.

実施例7
保護剤として(8)オクタノン5.76gを用いたこと以外は実施例4と同様に行い、0.6gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成した。
Example 7
The same procedure as in Example 4 was carried out except that 5.76 g of (8) octanone was used as a protective agent, to obtain 0.6 g of a silver nanoparticle solid.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. Since the silver fine particles have good dispersibility with respect to a nonpolar solvent, good stability with time, and hardly form an aggregate, a continuous film having a smooth surface was formed.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。薄膜の焼成は、80℃、120℃、150℃、180℃、200℃のホットプレート上にて30分間焼成した。焼成膜の体積抵抗率は80℃で1400μΩ・cm、100℃で112μΩ・cm、150℃で15.1μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The thin film was fired on a hot plate at 80 ° C., 120 ° C., 150 ° C., 180 ° C., and 200 ° C. for 30 minutes. The volume resistivity of the fired film was 1400 μΩ · cm at 80 ° C., 112 μΩ · cm at 100 ° C., and 15.1 μΩ · cm at 150 ° C.

実施例8
保護剤として(9)3−ペンタノン3.88gを用いたこと以外は実施例4と同様に行い、0.4gの銀ナノ粒子固形物を得た。
得られた黒色の固体を、金属分濃度が38質量%になるように2,2,4−トリメチルペンタンに溶解して銀微粒子分散インキを調整した。これをガラス基板上にスピンコートすることで薄膜を作製した。この銀微粒子は無極性溶媒に対して分散性が良く、経時安定性が良好で凝集物を形成しにくいために、表面が平滑な連続膜を形成しやすい。
Example 8
The same procedure as in Example 4 was carried out except that 3.88 g of (9) 3-pentanone was used as the protective agent to obtain 0.4 g of a silver nanoparticle solid.
The obtained black solid was dissolved in 2,2,4-trimethylpentane so that the metal concentration was 38% by mass to prepare a silver fine particle dispersed ink. This was spin-coated on a glass substrate to produce a thin film. The silver fine particles have good dispersibility in nonpolar solvents, have good temporal stability, and do not easily form aggregates, so that a continuous film with a smooth surface is easily formed.

その結果、得られた焼成膜は表面が平滑であり、金属光沢を有していた。薄膜の焼成は、100℃のホットプレート上にて30分間焼成した。焼成膜の体積抵抗率は100℃で168μΩ・cmであった。   As a result, the obtained fired film had a smooth surface and a metallic luster. The thin film was baked on a hot plate at 100 ° C. for 30 minutes. The volume resistivity of the fired film was 168 μΩ · cm at 100 ° C.

以上の結果、実施例では、焼成膜は80〜150℃の温度で焼成しても表面が平滑であり、金属光沢を有していることが判る。   As a result, in the examples, it can be seen that the fired film has a smooth surface and a metallic luster even when fired at a temperature of 80 to 150 ° C.

本発明の導電性インキ組成物とその製造方法では、80〜150℃という比較的低い焼成温度で焼成することによって焼成コストを抑制しながら、同時に基板との密着性及び表面平滑性に優れた薄膜を製造することができ、各種電極、回路、電界シールド、反射膜等、幅広い用途の貴金属薄膜に使用できる。
In the conductive ink composition of the present invention and the method for producing the same, a thin film excellent in adhesion to the substrate and surface smoothness at the same time while suppressing the firing cost by firing at a relatively low firing temperature of 80 to 150 ° C. And can be used for a wide variety of precious metal thin films such as various electrodes, circuits, electric field shields, and reflective films.

Claims (6)

貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物を含む導電性インキ組成物であり、上記保護コロイドが炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン化合物と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とからなることを特徴とする導電性インキ組成物。   The conductive ink composition includes a solid material in which fine particles of a noble metal are surrounded by a protective colloid, and the protective colloid includes at least one amine compound selected from 5 to 20 carbon atoms and 4 to 30 carbon atoms. A conductive ink composition comprising: an amide compound, an aldehyde compound, an ester compound, and at least one organic compound selected from ketone compounds. 有機化合物がアミド化合物もしくはアルデヒド化合物である請求項1記載の導電性インキ組成物。   The conductive ink composition according to claim 1, wherein the organic compound is an amide compound or an aldehyde compound. 貴金属が、銀あるいは金である請求項1または2記載の導電性インキ組成物。   The conductive ink composition according to claim 1, wherein the noble metal is silver or gold. 貴金属の割合が60〜95質量%で、保護コロイドの割合が5〜40質量%である請求項1乃至3の何れかに記載の導電性インキ組成物。   The conductive ink composition according to any one of claims 1 to 3, wherein a ratio of the noble metal is 60 to 95% by mass and a ratio of the protective colloid is 5 to 40% by mass. 貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物が有機溶媒に分散されている請求項1乃至4の何れかに記載の導電性インキ組成物。   The conductive ink composition according to any one of claims 1 to 4, wherein a solid substance in which noble metal fine particles are surrounded by a protective colloid is dispersed in an organic solvent. 貴金属の微粒子がその表面を保護コロイドによって包囲された固形物を含む導電性インキ組成物の製造方法であり、炭素数5〜20から選ばれる少なくとも1種類のアミン類と、炭素数4〜30のアミド化合物、アルデヒド化合物、エステル化合物、そしてケトン化合物から選ばれた少なくとも一種の有機化合物とを含む原料を攪拌して得られる化合物および/または混合物を保護コロイドとして用い、この保護コロイドと貴金属イオンを含む溶液に還元剤を添加し攪拌した後、余分な保護コロイドおよび溶媒を除去することを特徴とする導電性インキ組成物の製造方法。
A method for producing a conductive ink composition comprising a solid in which noble metal fine particles are surrounded by a protective colloid, and having at least one amine selected from 5 to 20 carbon atoms and 4 to 30 carbon atoms A compound and / or mixture obtained by stirring a raw material containing at least one organic compound selected from an amide compound, an aldehyde compound, an ester compound, and a ketone compound is used as a protective colloid, and the protective colloid and the noble metal ion are contained. A method for producing a conductive ink composition, comprising adding a reducing agent to a solution and stirring, and then removing excess protective colloid and solvent.
JP2005340433A 2005-11-25 2005-11-25 Electroconductive ink composition and its manufacturing method Pending JP2007145947A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005340433A JP2007145947A (en) 2005-11-25 2005-11-25 Electroconductive ink composition and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005340433A JP2007145947A (en) 2005-11-25 2005-11-25 Electroconductive ink composition and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007145947A true JP2007145947A (en) 2007-06-14

Family

ID=38207749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005340433A Pending JP2007145947A (en) 2005-11-25 2005-11-25 Electroconductive ink composition and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007145947A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015129351A (en) * 2007-12-26 2015-07-16 Dowaエレクトロニクス株式会社 metal particle dispersion
CN105377475A (en) * 2013-07-04 2016-03-02 爱克发-格法特公司 A metallic nanoparticle dispersion
EP2876652A4 (en) * 2012-07-17 2016-03-30 Nof Corp Silver-containing composition, and base for use in formation of silver element
JP2016533414A (en) * 2013-07-04 2016-10-27 アグフア−ゲヴエルト Metal nanoparticle dispersion
CN107135602A (en) * 2017-05-16 2017-09-05 华南师范大学 A kind of low-temperature sintering prepares the high method for leading Nano silver grain flexible conductive circuit

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06116524A (en) * 1992-10-05 1994-04-26 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Gold powder for gold ink
JPH07278462A (en) * 1994-04-13 1995-10-24 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Gold powder for gold ink
JPH10340619A (en) * 1997-06-05 1998-12-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Low temperature baked gold paste
JP2002109959A (en) * 2000-09-29 2002-04-12 Toppan Forms Co Ltd Conductive paste
JP2002121437A (en) * 2000-10-13 2002-04-23 Ulvac Corporate Center:Kk Ink for ink jet and method for producing the same
JP2002299833A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Harima Chem Inc Multilayered wiring board and its forming method
JP2003288812A (en) * 2001-12-29 2003-10-10 Samsung Electronics Co Ltd Metal nanoparticle cluster ink and metal pattern forming method using it
JP2004143571A (en) * 2001-11-22 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd Board and ink for drawing conductive pattern and method for forming conductive pattern
JP2005298792A (en) * 2003-06-26 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd Binder resin for conductive paste, and conductive paste

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06116524A (en) * 1992-10-05 1994-04-26 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Gold powder for gold ink
JPH07278462A (en) * 1994-04-13 1995-10-24 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Gold powder for gold ink
JPH10340619A (en) * 1997-06-05 1998-12-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Low temperature baked gold paste
JP2002109959A (en) * 2000-09-29 2002-04-12 Toppan Forms Co Ltd Conductive paste
JP2002121437A (en) * 2000-10-13 2002-04-23 Ulvac Corporate Center:Kk Ink for ink jet and method for producing the same
JP2002299833A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Harima Chem Inc Multilayered wiring board and its forming method
JP2004143571A (en) * 2001-11-22 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd Board and ink for drawing conductive pattern and method for forming conductive pattern
JP2003288812A (en) * 2001-12-29 2003-10-10 Samsung Electronics Co Ltd Metal nanoparticle cluster ink and metal pattern forming method using it
JP2005298792A (en) * 2003-06-26 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd Binder resin for conductive paste, and conductive paste

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015129351A (en) * 2007-12-26 2015-07-16 Dowaエレクトロニクス株式会社 metal particle dispersion
EP2876652A4 (en) * 2012-07-17 2016-03-30 Nof Corp Silver-containing composition, and base for use in formation of silver element
KR101759004B1 (en) * 2012-07-17 2017-07-17 니치유 가부시키가이샤 Silver-containing composition, and base for use in formation of silver element
US10017655B2 (en) 2012-07-17 2018-07-10 Nof Corporation Silver-containing composition, and base for use in formation of silver element
CN105377475A (en) * 2013-07-04 2016-03-02 爱克发-格法特公司 A metallic nanoparticle dispersion
JP2016533414A (en) * 2013-07-04 2016-10-27 アグフア−ゲヴエルト Metal nanoparticle dispersion
JP2016533413A (en) * 2013-07-04 2016-10-27 アグフア−ゲヴエルト Metal nanoparticle dispersion
KR101802458B1 (en) * 2013-07-04 2017-11-28 아그파-게바에르트 엔.브이. A metallic nanoparticle dispersion
CN105377475B (en) * 2013-07-04 2018-03-13 爱克发-格法特公司 Metal nanoparticle dispersion
CN107135602A (en) * 2017-05-16 2017-09-05 华南师范大学 A kind of low-temperature sintering prepares the high method for leading Nano silver grain flexible conductive circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101474040B1 (en) Dispersion solution of metal nanoparticle, method for production thereof, and method for synthesis of metal nanoparticle
TWI597004B (en) Conductive material and process
JP5453813B2 (en) Metal nanoparticle dispersion and method for producing the same
EP3187288A1 (en) Metallic copper particles, and production method therefor
WO2013105530A1 (en) Method for producing silver nanoparticles, silver nanoparticles, and silver coating composition
JP2007145947A (en) Electroconductive ink composition and its manufacturing method
TWI734797B (en) Conductive paste and forming method of conductive pattern
JP2007197755A (en) Method for producing metal nanoparticle, metal nanoparticle, electrically conductive composition and electronic device
JP2017082327A (en) Silver powder and method for producing the same
JP4908002B2 (en) Method for producing noble metal fine particles and method for producing noble metal thin film
KR20180047527A (en) Surface treated silver powder and manufacturing method of the same
JP2008179851A (en) Method for manufacturing silver powder, and silver powder
JP2005174824A (en) Metal paste, and film forming method using same
JP5332625B2 (en) Metal nanoparticle dispersion and method for producing the same
KR20180078208A (en) Surface treated silver powder and manufacturing method of the same
JP2009062611A (en) Metal fine particle material, dispersion liquid of metal fine particle material, conductive ink containing the dispersion liquid, and their manufacturing methods
JP2005015628A (en) Colloidal dispersion of cuprous oxide
JP5151230B2 (en) Composition for forming electrode of solar cell, method for forming the electrode, and method for producing solar cell using the electrode obtained by the forming method
JP2005060824A (en) Method for producing alloy particulate, and method for producing alloy thin film
JP4624743B2 (en) Method for producing silver thin film and method for producing copper-silver alloy thin film
JP5140035B2 (en) Colloidal solution containing metal nanoparticles
JP2007175619A (en) Method for manufacturing metallic thin film
JP5705150B2 (en) Metal fine particle dispersion and method for producing the same
CA2881378A1 (en) Low viscosity and high loading silver nanoparticles inks for ultrasonic aerosol (ua)
JP2006322052A (en) Method for producing metal powder

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120214