JP2007145643A - 化合物、光電変換装置、発光装置および光通信用装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】III族元素とV族元素との化合物であって、GaAsまたはGeにほぼ格子整合し、V族元素はBiおよびPを含む化合物である。ここで、化合物の300Kの温度における格子定数は0.56nm以上0.57nm以下であることが好ましい。また、化合物のエネルギギャップは1.4eV以下であることが好ましい。
【選択図】なし
Description
G.Strobl et al., "DEVELOPMENT AND QUALIFICATION STATUS OF EUROPEAN TRIPLE JUNCTION SOLAR CELLS FOR SPACE APPLICATIONS", Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference., 2004年6月, p.3614 S.Kurtz et al., "Capacitance-spectroscopy identification of a key defect in N-degrated GaInNAs solar cells", Appl. Phys. Lett. vol.86, 2005年, p.113506 J.F.Geisz et al., "BGaInAs SOLAR CELLS LATTICE-MATCHED TO GaAS", Proceedings of the 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2000年, p.990 S.Tixier et al., "Band gaps of the dilute quaternary alloys GaNxAs1-x-yBiyand Ga1-yInyNxAs1-x", Appl. Phys. Lett. vol.86, 2005年, p.112113 D.J.Friedman et al., "Exploration of GaInTlP and Related Tl-containing III-V Alloys for Photovoltaics", Presented at the National Center for Photovoltaics Program Review Meeting Denver, Colorado, September 8-11, 1998 (NREL/CP-520-25737) M.Yamaguchi et al., "CONSIDERATION OF LATTICE-MISMATCHED InGaP/InGaAs/Ge 3-JUNCTION SOLAR CELLS", Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference., 2004年6月, p.3610 O.Jani et al., "CHARACTERIZATION AND ANALYSIS OF InGaN PHOTOVOLTAIC DEVICES", Proceedings of the 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2005年1月 L.H.Li et al., "Investigations on GaInNAsSb quinary alloy for 1.5 μm laser emission on GaAs", Appl. Phys. Lett. vol.83, 2003年8月, p.1298 W.Huang et al., "GaNyAs1-x-yBixAlloy Lattice Matched to GaAs with 1.3μm Photoluminescence Emission", Jpn. J. Appl. Phys. vol.43, 2004年, p.L1350 H.J.Lee et al., "Gas source MBE growth of TlInGaAs/InP laser diodes and their room temperature operation", J. Crystal Growth 251, p.800 M.W.Wanlass et al., SPW 4/18-21/05 プレゼンテーション資料
また、本発明の化合物のエネルギギャップは、0.75eV以上1.3eV以下であることがさらに好ましい。
また、本発明の化合物は、GaAsBiPの化学式で表わされ得る。
また、本発明の光電変換装置は、複数のpn接合を有し得る。
また、本発明の発光装置は、光通信用であり得る。
なお、本明細書において、GaPSbBiの化学式で表わされる化合物は、GaP1-x-ySbxBiy(ただし、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)の組成式で表わされる化合物を意味する。また、本明細書において、GaAsBiPの化学式で表わされる化合物は、GaAs1-x-yBixPy(ただし、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)の組成式で表わされる化合物を意味する。
従来から公知のMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置内に、キャリアガスとしてH2を1.5(L/min)の流量で導入するとともに、原料ガスとして、TMGa(トリメチルガリウム)を18.0(μmol/min)の流量で、PH3(ホスフィン)を21.0(μmol/min)の流量で、TMSb(トリメチルアンチモン)を54.7(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を1.9(μmol/min)の流量で導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度が530℃の条件で、MOCVD法により、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
PH3を22.2(μmol/min)の流量で、TMSbを53.0(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を2.1(μmol/min)の流量でMOCVD装置内に導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度を520℃としたこと以外は実施例1と同様にして、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
PH3を23.5(μmol/min)の流量で、TMSbを53.0(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を2.4(μmol/min)の流量でMOCVD装置内に導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度を510℃としたこと以外は実施例1と同様にして、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
PH3を23.9(μmol/min)の流量で、TMSbを53.0(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を2.5(μmol/min)の流量でMOCVD装置内に導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度を495℃としたこと以外は実施例1と同様にして、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
PH3を25.2(μmol/min)の流量で、TMSbを53.0(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を2.9(μmol/min)の流量でMOCVD装置内に導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度を480℃としたこと以外は実施例1と同様にして、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
PH3を26.6(μmol/min)の流量で、TMSbを53.0(μmol/min)の流量で、TMBi(トリメチルビスマス)を3.1(μmol/min)の流量でMOCVD装置内に導入し、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度を480℃としたこと以外は実施例1と同様にして、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
従来から公知のガスソースMBE装置を用いて、Gaビーム圧力4.0×10-7Torr、Asビーム圧力8.0×10-6Torr、Biビーム圧力2.6×10-8Torr、およびPビーム圧力1.2×10-7Torrの条件並びにGaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面温度が380℃の条件で、ガスソースMBE法により、これらの基板の表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Biビーム圧力3.3×10-8TorrおよびPビーム圧力1.5×10-7Torrの条件としたこと以外は実施例7と同様にして、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Biビーム圧力3.9×10-8TorrおよびPビーム圧力2.0×10-7Torrの条件としたこと以外は実施例7と同様にして、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Biビーム圧力4.2×10-8TorrおよびPビーム圧力2.2×10-7Torrの条件としたこと以外は実施例7と同様にして、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Biビーム圧力5.0×10-8TorrおよびPビーム圧力2.6×10-7Torrの条件としたこと以外は実施例7と同様にして、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Biビーム圧力5.2×10-8TorrおよびPビーム圧力3.1×10-7Torrの条件としたこと以外は実施例7と同様にして、GaAsからなる基板およびGeからなる基板のそれぞれの表面上にそれぞれ膜を成長させた。
Claims (11)
- III族元素とV族元素との化合物であって、GaAsまたはGeにほぼ格子整合し、前記V族元素はBiおよびPを含む、化合物。
- 300Kの温度における格子定数が0.56nm以上0.57nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
- エネルギギャップが1.4eV以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
- エネルギギャップが0.75eV以上1.3eV以下であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の化合物。
- GaPSbBiの化学式で表わされることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の化合物。
- GaAsBiPの化学式で表わされることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の化合物。
- 請求項1から6のいずれかに記載の化合物を含む、光電変換装置。
- 複数のpn接合を有することを特徴とする、請求項7に記載の光電変換装置。
- 請求項1から6のいずれかに記載の化合物を含む、発光装置。
- 光通信用であることを特徴とする、請求項9に記載の発光装置。
- 請求項9または10に記載の発光装置を用いることを特徴とする、光通信用装置。
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