JP2007140128A - Substrate selecting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a selecting device that can efficiently select a blank suitable for quality specifications of an aimed photomask. <P>SOLUTION: The substrate selecting device is equipped with: a light shielding film defect information database 125 for accumulating information about light shielding film defects of a mask blank; a light shielding film defect registering unit 120; a drawing information database 190 for accumulating drawing information about a pattern to be drawn; a drawing information registering unit 180; a design information database 220 for accumulating design information including important information and non-important information of the pattern brought in from LSI layout design data 200; a design information registering unit 180; and a selecting unit 130 for selecting a mask blank suitable for an aimed product by one or more means from the light shielding film defect information, the drawing information and the design information accumulated in the respective databases, so as to select a mask blank by the selecting unit. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、LSIの作製に用いられるフォトマスク用の基板の選択装置に関し、特に、透明基板の一主面上に遮光膜を成膜したフォトマスク作製用の遮光膜成膜基板(マスクブランクスとも称する)群の中から、遮光膜の欠陥情報とマスクの設計情報、描画情報より、目的とするフォトマスクに適合した遮光膜成膜基板を選択し、選択された遮光膜成膜基板の遮光膜上に感光材を塗布し、フォトマスク作製のための描画に供与する基板選択装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for selecting a substrate for a photomask used for manufacturing an LSI, and more particularly to a light-shielding film-forming substrate (also called mask blanks) for manufacturing a photomask in which a light-shielding film is formed on one main surface of a transparent substrate. The light shielding film deposition substrate suitable for the target photomask is selected from the defect information of the light shielding film, the mask design information, and the drawing information, and the light shielding film of the selected light shielding film deposition substrate is selected. The present invention relates to a substrate selection apparatus that applies a photosensitive material on top thereof and supplies the image for drawing for producing a photomask.

ハーフピッチ65nmノードから45nmノードへと進展するLSIの高集積化・超微細化を実現するために、フォトリソグラフィにおいては、露光装置での高解像技術として、レンズの高NA化、液浸露光技術、変形照明搭載露光技術などの開発が急速に進められている。
一方、フォトリソグラフィに用いられるフォトマスク(レチクルとも称する)における解像度向上策としては、光を通過させる部分と遮光する部分で構成された従来のバイナリマスクの微細化、高精度化とともに、光の干渉を利用して解像度向上を図るレベンソン型位相シフトマスク、光を透過させる部分と半透過させる部分で構成されたハーフトーン型位相シフトマスクなどの位相シフトマスクの実用化が進行している。位相シフトマスクは、マスク製造工程においても、2回から3回の製版が必要になり、製造・検査時間は増大している。
In order to realize high integration and ultra-miniaturization of LSIs that progress from a half-pitch 65 nm node to a 45 nm node, in photolithography, as a high-resolution technique in an exposure apparatus, the lens has a high NA and immersion exposure. Technology, exposure technology with modified illumination, etc. are rapidly being developed.
On the other hand, measures for improving the resolution of a photomask (also referred to as a reticle) used for photolithography include miniaturization and high accuracy of a conventional binary mask composed of a light transmitting portion and a light shielding portion, and light interference. A phase shift mask such as a Levenson type phase shift mask that improves resolution by using a halftone phase shift mask composed of a light transmitting part and a semi-transmitting part has been put into practical use. The phase shift mask requires two to three plate makings in the mask manufacturing process, and the manufacturing / inspection time increases.

また、LSIの微細化に伴い、マスクパターンをウェハ上に転写する際、光近接効果によりパターン形状の変形が生じるのを改善するために、マスクパターンのウェハ転写時の変形をあらかじめ補正しておく光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)が用いられている。OPCは、露光転写実験に基づくルールテーブルをもとに図形演算処理により補正するルールベースOPC(弱いOPC)処理から、光学シミュレーションベースで補正するモデルベースOPC(強いOPC)処理に移行しつつあり、パターンコーナー部のセリフやバイアスを施すためのジョグが複雑化し、非解像補助パターン(SRAF:Sub−Resolution Assist Feature)と呼ばれる、ウェハ上に解像されない微細な補助パターンも積極的に利用されている。
上記のように、位相シフトマスク、OPC等の実用により、マスク用データ規模が増大し、パターンデータ処理時間、パターン描画時間、検査処理時間の増大につながり、マスク製造の難易度は高くなり、製造コストも上昇している。
In addition, when the mask pattern is transferred onto the wafer with the miniaturization of the LSI, the deformation of the mask pattern at the time of wafer transfer is corrected in advance in order to improve the deformation of the pattern shape due to the optical proximity effect. Optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction) is used. OPC is shifting from rule-based OPC (weak OPC) processing, which is corrected by graphic calculation processing based on a rule table based on an exposure transfer experiment, to model-based OPC (strong OPC) processing, which is corrected based on an optical simulation. Jog for applying serifs and biases in the pattern corners is complicated, and a fine auxiliary pattern that is not resolved on the wafer, called a non-resolution assist pattern (SRAF), is also actively used. Yes.
As described above, practical use of phase shift masks, OPCs, etc. increases the mask data scale, leading to increased pattern data processing time, pattern drawing time, and inspection processing time, increasing the difficulty of mask manufacturing and manufacturing. Costs are also rising.

従来、フォトマスクは図9に示すような工程で製造されている。先ず、石英などの透明基板910上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター膜920をスパッタリング法などにより成膜した基板(マスクブランクス)を用意する(図9(a))。そして、ブランクスの遮光膜あるいはシフター膜920上に、感光材層(感光性樹脂膜、感光性レジストあるいは単にレジストとも言う)930を塗布した後、加熱乾燥処理し膜に残留している溶剤の除去や金属薄膜との密着性向上を図る(図9(b))。次に、感光材層が塗布された基板の感光材層930に、EB(Electoron Beam:電子線)、レーザ光などの電離放射線940を選択的に照射し、所望のパターン形状に描画し感光させる(図9(c))。次に、感光材層930を現像してレジストパターン935を形成した(図9(d))後、レジストパターン935の開口部分から露出した金属薄膜からなる遮光膜920をエツチングして、遮光膜パターン925を形成する(図9(e))。最後に、レジストパターン935を除去して、遮光膜パターン925を透明基板の一主面上に形成したフオトマスクが得られる(図9(f))。この後、検査、必要に応じて修正を行い、所望のフォトマスクを得ていた。   Conventionally, a photomask is manufactured by a process as shown in FIG. First, a substrate (mask blank) in which a light-shielding film or shifter film 920 made of a metal thin film such as chromium is formed on a transparent substrate 910 such as quartz by a sputtering method or the like is prepared (FIG. 9A). Then, after applying a photosensitive material layer (photosensitive resin film, photosensitive resist or simply resist) 930 on the blanks light-shielding film or shifter film 920, heat drying treatment is performed to remove the solvent remaining in the film. In addition, the adhesiveness with the metal thin film is improved (FIG. 9B). Next, ionizing radiation 940 such as EB (Electron Beam) or laser light is selectively irradiated to the photosensitive material layer 930 of the substrate on which the photosensitive material layer is applied, and is drawn and exposed in a desired pattern shape. (FIG. 9 (c)). Next, after developing the photosensitive material layer 930 to form a resist pattern 935 (FIG. 9D), the light shielding film 920 made of a metal thin film exposed from the opening of the resist pattern 935 is etched to form a light shielding film pattern. 925 is formed (FIG. 9E). Finally, the resist pattern 935 is removed to obtain a photomask in which the light shielding film pattern 925 is formed on one main surface of the transparent substrate (FIG. 9F). Thereafter, inspection and correction as necessary were performed to obtain a desired photomask.

上記のフォトマスクの製造において作製されるフォトマスクの品質は、パターン描画用に用いられる感光材層塗布基板の品質に大きく影響を受けることは言うまでもないが、従来、パターン描画用に供用される感光材層塗布基板は、その種類も多く、管理が複雑で、その作製過程における検査にて、一定の基準のもとに良品、不良品の判別が行われ、良品のみが用いられていたのが実情である。しかし、目的とするフォトマスク製品の品質仕様も多種あり、検査にて良品になった感光材層塗布基板にも品質面や感光材層の感度に種々の相違があるため、必ずしも、目的とするフォトマスク製品の品質仕様に見合った基板を選択していたとは言えず、使用する基板の選択1つで、検査、修正に及ぼす影響は大きかった。特に、ハーフピッチ65nmノード以降のフォトマスクの生産においては、基板上の100nm程度の微小な欠陥でも致命的な欠陥となってしまうおそれがあり、欠陥を低減するためには、先ず高品質のマスク用基板を適切に選定しなければならなかった。   Needless to say, the quality of the photomask produced in the production of the photomask is greatly influenced by the quality of the photosensitive material layer coated substrate used for pattern drawing. There are many types of material layer coated substrates, which are complicated to manage, and in the inspection of the manufacturing process, good products and defective products are discriminated based on certain standards, and only good products are used. It is a fact. However, there are various quality specifications for the target photomask products, and there are various differences in the quality and sensitivity of the photosensitive material layer even on the photosensitive material layer coated substrate that has become non-defective in the inspection. It could not be said that the substrate that matched the quality specification of the photomask product was selected, and the selection of the substrate to be used had a great influence on inspection and correction. In particular, in the production of a photomask with a half pitch of 65 nm or higher, even a minute defect of about 100 nm on the substrate may become a fatal defect. In order to reduce the defect, first, a high-quality mask is used. We had to select the appropriate board.

近年、本出願人により、感光材塗布後の、感光材層塗布基板群の中から、遮光膜欠陥情報と感光材欠陥情報と描画パターン情報より、目的とする製品に合う感光材層塗布基板を選択し、フォトマスク作製のための描画に供与するための基板選択装置が提案された(特許文献1参照)。
しかし、特許文献1に記載の基板選択装置を用いた場合は、遮光膜成膜基板の状態ではなく、感光材塗布基板の状態で多数の基板を用意しておき、この中から適切な基板を選択することを前提としていたが、実用レベルでは、感光材を塗布しても使用されない基板も多くなり、高価な感光材を無駄にすることとなり、コスト面や生産性の面で問題となっていた。
In recent years, by the present applicant, from the group of photosensitive material layer coated substrates after photosensitive material coating, a photosensitive material layer coated substrate suitable for the target product is obtained from light shielding film defect information, photosensitive material defect information, and drawing pattern information. There has been proposed a substrate selection apparatus for selecting and providing for drawing for photomask fabrication (see Patent Document 1).
However, when the substrate selection apparatus described in Patent Document 1 is used, a large number of substrates are prepared in the state of the photosensitive material coated substrate, not in the state of the light shielding film forming substrate, and an appropriate substrate is selected from these substrates. However, at the practical level, there are many substrates that are not used even if a photosensitive material is applied, and expensive photosensitive materials are wasted, which is a problem in terms of cost and productivity. It was.

そのため、さらに本出願人により、遮光膜成膜基板の状態で基板を選択する基板選択装置および基板の供給方法が提案された(特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献2に記載の基板選択装置を用いた場合においても、欠陥検査の対象とするピンホールなどの欠陥の微細化により不適となる遮光膜成膜基板が多くなり、材料費の増大、マスクコストの増大につながり問題となっていた。また、特許文献2には、電子線描画のアドレスユニットとしての設計ルールの記載があるが、単にマスクパターン描画情報としてのアドレスユニットを示しているだけであり、LSIレイアウト設計情報の利用に関しては何も開示していなかった。
特開2002−55437号公報 特開2002−278046号公報
For this reason, the applicant has further proposed a substrate selection device and a substrate supply method for selecting a substrate in the state of a light-shielding film-formed substrate (see Patent Document 2).
However, even when the substrate selection apparatus described in Patent Document 2 is used, the number of light-shielding film-formed substrates that are inappropriate due to the miniaturization of defects such as pinholes to be subjected to defect inspection increases, and the material cost increases. This has led to an increase in mask costs and has become a problem. Further, Patent Document 2 describes a design rule as an electron beam drawing address unit, but merely shows an address unit as mask pattern drawing information. What is the use of LSI layout design information? Was also not disclosed.
JP 2002-55437 A JP 2002-278046 A

上記のように、LSIが年毎に高密度化、微細化し、この作製に用いられるフォトマスクにおいても、更なる高精度、高品質のパターン形成が求められる中で、目的とするフォトマスク製品を作製するため、ピンホールなどの欠陥を有する基板を除外し、品質仕様に適合した基板を、効率良く選択でき、かつ、コスト面や生産性の面でも十分に対応できる基板選択装置が求められていた。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、フォトマスク作製のためのパターン描画に用いられる基板選択装置であって、ピンホール欠陥や異物欠陥などを生じる不適な基板を除き、目的とするフォトマスク製品の品質仕様に適した基板を効率良く選択でき、しかも、遮光膜成膜基板や感光材塗布基板を無駄にせずに、コスト面や生産性の面でも十分に対応できる基板選択装置を提供するものである。
As described above, LSIs are becoming denser and finer every year, and even in the photomasks used for the fabrication, there is a need for further high-precision and high-quality pattern formation. Therefore, there is a need for a substrate selection apparatus that can efficiently select a substrate that conforms to the quality specifications, and that can sufficiently cope with cost and productivity, excluding substrates with defects such as pinholes. It was.
The present invention has been made in view of the above problems. In other words, it is a substrate selection device used for pattern drawing for manufacturing photomasks, except for unsuitable substrates that cause pinhole defects or foreign object defects, etc., and a substrate that is suitable for the quality specifications of the target photomask product. It is an object of the present invention to provide a substrate selection apparatus that can be selected well and that can sufficiently cope with cost and productivity without wasting a light-shielding film-formed substrate and a photosensitive material-coated substrate.

上記の課題を解決するために、本願発明は、従来のフォトマスク製造においては、フォトマスク仕様やマスク描画データには、既にLSIの情報が欠落しており、LSIレイアウト設計情報の詳細が与えられておらず、その活用もされていない点に着目して本願発明を完成させたものである。すなわち、LSIレイアウトパターンには種々のパターンが存在しているが、それらのパターンの重要度はパターンの目的、用途に応じて異なり、また、欠陥の許容度などの品質保証もパターンにより同じではない。従来の技術では、上記のLSIレイアウトパターンの相違に基づく品質保証の相違に対応できておらず、画一的に基板欠陥の良否を判断していた。そこで、本願発明は、LSI設計者の意図を理解し、設計情報を有効に活用して、基板上のピンホール欠陥などを避けてマスクを製造する基板選択装置を提供するものである。   In order to solve the above problems, in the present invention, in conventional photomask manufacturing, LSI information is already missing in photomask specifications and mask drawing data, and details of LSI layout design information are given. The present invention has been completed by paying attention to the fact that it has not been used and is not utilized. That is, there are various types of LSI layout patterns, but the importance of these patterns varies depending on the purpose and use of the pattern, and quality assurance such as defect tolerance is not the same depending on the pattern. . The prior art cannot cope with the difference in quality assurance based on the difference in the LSI layout pattern, and determines whether the substrate defect is good or not uniformly. Accordingly, the present invention provides a substrate selection device that understands the intention of an LSI designer, effectively utilizes design information, and manufactures a mask while avoiding pinhole defects on the substrate.

上記の課題を解決するために、請求項1の発明に係る基板選択装置は、透明基板の一主面上に遮光膜を成膜したフォトマスク作製用の遮光膜成膜基板群の中から、目的とするフォトマスクに適合した遮光膜成膜基板を選択し、選択された遮光膜成膜基板の遮光膜上に感光材を塗布し、フォトマスク作製のための描画に供与する基板選択装置であって、前記遮光膜成膜基板群の遮光膜欠陥情報を蓄積する遮光膜欠陥情報データベースと、該遮光膜欠陥情報データベースに遮光膜欠陥情報を登録するための遮光膜欠陥登録部と、描画すべきパターンの描画情報を蓄積する描画情報データベースと、該描画情報データベースに描画すべきパターンの描画情報を登録するための描画情報登録部と、LSIレイアウト設計データからパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を蓄積する設計情報データベースと、該設計情報データベースに設計情報を登録するための設計情報登録部と、 前記各データベースに蓄積された遮光膜欠陥情報と描画情報と設計情報とから、1つ以上の手段で目的とするフォトマスクに適する遮光膜成膜基板を選択する遮光膜成膜基板選択部とを有し、該遮光膜成膜基板選択部により、目的とするフォトマスクに適合する遮光膜成膜基板を選択することを特徴とするものである。   In order to solve the above-described problem, a substrate selection apparatus according to the invention of claim 1 includes a light shielding film forming substrate group for producing a photomask in which a light shielding film is formed on one main surface of a transparent substrate. A substrate selection device that selects a light-shielding film-forming substrate suitable for the target photomask, applies a photosensitive material on the light-shielding film of the selected light-shielding film-forming substrate, and provides it for drawing for photomask production A light shielding film defect information database for accumulating light shielding film defect information of the light shielding film deposition substrate group, a light shielding film defect registration unit for registering light shielding film defect information in the light shielding film defect information database, and drawing A drawing information database for storing drawing information of a pattern to be drawn, a drawing information registration unit for registering drawing information of a pattern to be drawn in the drawing information database, and important information on a pattern from LSI layout design data A design information database for storing design information incorporating non-important information; a design information registration unit for registering design information in the design information database; and shading film defect information and drawing information stored in the databases. A light-shielding film formation substrate selection unit that selects a light-shielding film formation substrate suitable for the target photomask by one or more means from the design information. The light-shielding film deposition substrate suitable for the photomask to be selected is selected.

請求項2の発明に係る基板選択装置は、請求項1に記載の基板選択装置において、前記設計情報に取り込んだ前記パターンの重要情報が、MPUパターン、RAMパターン、ROMパターン、クロックパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報であり、前記パターンの非重要情報が、CMPダミーパターン、非解像補助パターン、ライブラリィセルダミーパターン、電源間クロストーク回避用補助パターン、静電破壊防止用ガードリングパターン、VDD−VSS電源間ゲート容量パターン、電源ラインパターン、グランドパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報であることを特徴とするものである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate selecting apparatus according to the first aspect, wherein the important information of the pattern taken into the design information is an MPU pattern, a RAM pattern, a ROM pattern, or a clock pattern. Any one or more types of pattern information, and the non-critical information of the pattern includes a CMP dummy pattern, a non-resolution assist pattern, a library cell dummy pattern, an auxiliary pattern for avoiding crosstalk between power sources, and a guard for preventing electrostatic breakdown The pattern information is one or more of a ring pattern, a VDD-VSS power supply gate capacitance pattern, a power supply line pattern, and a ground pattern.

請求項3の発明に係る基板選択装置は、請求項1または請求項2に記載の基板選択装置において、前記設計情報が、エリア情報またはマーク情報として前記設計情報データベースに蓄積されていることを特徴とするものである。   According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate selection apparatus according to the first or second aspect, wherein the design information is stored in the design information database as area information or mark information. It is what.

請求項4の発明に係る基板選択装置は、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板選択装置において、前記選択した遮光膜成膜基板の遮光膜上に、所定の感光材を塗布して作製された感光材塗布基板に対し、感光材欠陥検査を行ない、得られた感光材欠陥情報を蓄積する感光材欠陥情報データベースと、該感光材欠陥情報データベースに感光材欠陥情報を登録するための感光材欠陥登録部とを有し、感光材欠陥情報データベースに蓄積された感光材欠陥情報と、描画情報データベースに蓄積された描画情報と、設計情報データベースに蓄積された設計情報とから、1つ以上の手段で目的とするフォトマスクに適する感光材塗布基板を判定する感光材塗布基板判定部とを有し、該感光材塗布基板判定部により、目的とするフォトマスクに適合する感光材塗布基板を選択することを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate selecting apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein a predetermined photosensitive material is formed on the light shielding film of the selected light shielding film deposition substrate. Photosensitive material defect inspection is performed on the photosensitive material coated substrate manufactured by coating the photosensitive material defect information database for storing the obtained photosensitive material defect information, and the photosensitive material defect information is stored in the photosensitive material defect information database. A photosensitive material defect registration unit for registration, photosensitive material defect information accumulated in the photosensitive material defect information database, drawing information accumulated in the drawing information database, design information accumulated in the design information database, And a photosensitive material coated substrate determination unit that determines a photosensitive material coated substrate suitable for the target photomask by one or more means, and the photosensitive material coated substrate determination unit determines the target photomask. It is characterized in selecting a compatible photosensitive material coating the substrate.

請求項5の発明に係る基板選択装置は、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板選択装置において、前記遮光膜成膜基板選択部は、遮光膜欠陥情報から求めた遮光膜欠陥ランクと、描画情報から求めた描画ランクと、設計情報から求めた設計ランクとを考慮して遮光膜成膜基板を選択する基板ランク選択部、遮光膜欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を選択するパターンエッジ選択部、遮光膜欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を選択する全パターン選択部の1つ以上を備えていることを特徴とするものである。   The substrate selection apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the substrate selection apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the light shielding film deposition substrate selection unit is a light shielding film obtained from light shielding film defect information. Considering the film defect rank, the drawing rank obtained from the drawing information, and the design rank obtained from the design information, the substrate rank selection unit for selecting the light shielding film deposition substrate, and considering the light shielding film defect position and the drawing pattern edge. One or more of a pattern edge selection unit for selecting a substrate and an all pattern selection unit for selecting a substrate in consideration of a light shielding film defect position and all drawing patterns are provided.

請求項6の発明に係る基板選択装置は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板選択装置において、前記感光材塗布基板判定部は、感光材欠陥情報から求めた感光材欠陥ランクと、描画情報から求めた描画ランクと、設計情報から求めた設計ランクとを考慮して感光材塗布基板を判定する基板ランク判定部、感光材欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を判定するパターンエッジ判定部、感光材欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を判定する全パターン判定部の1つ以上を備えていることを特徴とする。   The substrate selection apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the substrate selection apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the photosensitive material coated substrate determination unit is a photosensitive material obtained from photosensitive material defect information. Substrate rank determination unit that determines the photosensitive material coated substrate in consideration of the defect rank, the drawing rank obtained from the drawing information, and the design rank obtained from the design information, the substrate in consideration of the photosensitive material defect position and the drawing pattern edge One or more of a pattern edge determination unit that determines the substrate and an all pattern determination unit that determines the substrate in consideration of the photosensitive material defect position and the entire drawing pattern are provided.

本発明の基板選択装置によれば、目的とするフォトマスク製品の品質仕様に適合した遮光膜成膜基板あるいは感光材塗布基板を効率良く選択できる。特に、設計情報を基板選択に利用することにより、従来不良と判定されていた遮光膜成膜基板や感光材塗布基板をも無駄にせずに有効に使用することが可能となり、フォトマスク製造の生産性を向上させ、フォトマスクの更なる高精度化、高品質化、低コスト化にも十分対応できる基板選択装置が得られる。本発明の基板選択装置によれば、特にハーフピッチ65nmノード以降のフォトリソグラフィに用いられるマスク基板において、高品質化、低コスト化に対応し得るものである。   According to the substrate selection apparatus of the present invention, it is possible to efficiently select a light-shielding film-formed substrate or a photosensitive material-coated substrate that conforms to the quality specifications of the target photomask product. In particular, by using design information for substrate selection, it is possible to effectively use light-shielding film-deposited substrates and photosensitive material-coated substrates that have been determined to be defective in the past without wasting production. Thus, a substrate selecting apparatus capable of sufficiently improving the photomask mask accuracy and quality and cost can be obtained. According to the substrate selection apparatus of the present invention, it is possible to cope with high quality and low cost, particularly in a mask substrate used for photolithography with a half pitch of 65 nm node or later.

以下、図面を参照して、本発明の基板選択装置の実施形態について説明する。
図1は、本発明の基板選択装置の実施形態の一例の概略構成と基板供給処理のフローを示す概略図である。図2は、ピンホール欠陥検査結果データの一例を示した図である。図3は、感光材ロットチェック結果データの一例を示した図である。図4は、基板の品質基準の一例を示した図である。図5は、基板選択の入力方法の一例を示した図である。図6は、基板選択部のランク判定部による遮光膜成膜基板選択手順の一例を示したフロー図である。図7は、マスクデータを90°ごとの回転による基板最適位置の選定と、設計情報によるエリアごとの重要度のランク分けの一例を示した図である。図8は、基板選択部のエッジ選択部による遮光膜成膜基板選択の説明図である。
Hereinafter, an embodiment of a substrate selection device of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an example of an embodiment of a substrate selection apparatus of the present invention and a flow of substrate supply processing. FIG. 2 is a diagram showing an example of pinhole defect inspection result data. FIG. 3 is a diagram showing an example of photosensitive material lot check result data. FIG. 4 is a diagram showing an example of the quality standard of the substrate. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a substrate selection input method. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a light-shielding film formation substrate selection procedure by the rank determination unit of the substrate selection unit. FIG. 7 is a diagram showing an example of selecting the optimum substrate position by rotating the mask data every 90 ° and ranking the importance levels for each area based on the design information. FIG. 8 is an explanatory diagram of the selection of the light shielding film deposition substrate by the edge selection unit of the substrate selection unit.

本発明の基板選択装置の実施の形態例を図1に基づいて説明する。本例は、透明基板の一主面上に遮光膜を成膜し、感光材層を未塗布のフォトマスク作製用の遮光膜成膜基板(ブランクス)群の中から、遮光膜の欠陥情報と描画情報と設計情報とから、目的とするフォトマスク製品に合う遮光膜成膜基板を選択する基板選択装置であり、さらに選択された遮光膜成膜基板の遮光膜上に感光材を塗布して、フォトマスク作製のための描画に供与する基板選択装置である。   An embodiment of the substrate selection apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, a light-shielding film is formed on one main surface of a transparent substrate, and defect information of the light-shielding film is selected from a group of light-shielding film-forming substrates (blanks) for producing a photomask with no photosensitive material layer applied. This is a substrate selection device that selects a light-shielding film deposition substrate suitable for a target photomask product from drawing information and design information, and further applies a photosensitive material on the light-shielding film of the selected light-shielding film deposition substrate. , A substrate selection device for donation for drawing for photomask fabrication.

図1に示すように、本例の基板選択装置は、各遮光膜成膜基板110の遮光膜欠陥情報を蓄積する遮光膜欠陥情報データベース125と、該遮光膜欠陥情報データベース125に遮光膜欠陥情報を登録するための遮光膜欠陥登録部120と、描画すべきパターンの描画情報を蓄積する描画情報データベース190と、該描画情報データベースに描画すべきパターンの描画情報を登録するための描画情報登録部180と、LSIレイアウト設計データ200からパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を蓄積する設計情報データベース220と、該設計情報データベース220に設計情報を登録するための設計情報登録部210と、各データベースに蓄積された遮光膜欠陥情報と描画情報と設計情報とから、1つ以上の手段で目的とする製品に適する遮光膜成膜基板110を選択する遮光膜成膜基板選択部(基板選択部とも記す)130とからなり、更に、遮光膜成膜基板選択部130により、選択した遮光膜成膜基板110に、所定の決められた感光材を塗布して作製された感光材塗布基板115に対し、感光材欠陥検査を行ない、得られた感光材欠陥情報を蓄積する感光材欠陥情報データベース145と、感光材欠陥情報データベース145に感光材欠陥情報を登録するための感光材欠陥登録部140と、感光材欠陥情報データベース145に蓄積された感光材欠陥情報と、描画情報データベース190に蓄積された描画情報と、LSIレイアウト設計データ200からパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を蓄積する設計情報データベース220と、該設計情報データベース220に設計情報を登録するための設計情報登録部210とにより、1つ以上の手段で目的とするフォトマスク製品に適する感光材塗布基板を判定する感光材塗布基板判定部(基板判定部とも記す)150とを備えている。   As shown in FIG. 1, the substrate selection apparatus of this example includes a light shielding film defect information database 125 that accumulates light shielding film defect information of each light shielding film deposition substrate 110, and the light shielding film defect information in the light shielding film defect information database 125. A shading film defect registration unit 120 for registering a pattern, a drawing information database 190 for storing drawing information of a pattern to be drawn, and a drawing information registration unit for registering drawing information of a pattern to be drawn in the drawing information database 180, a design information database 220 for storing design information obtained by importing pattern important information and non-important information from the LSI layout design data 200, and a design information registration unit 210 for registering design information in the design information database 220. And one or more means from the shading film defect information, the drawing information, and the design information stored in each database. A light-shielding film formation substrate selection unit (also referred to as a substrate selection unit) 130 that selects a light-shielding film formation substrate 110 suitable for the target product, and further, the light-shielding film formation substrate selection unit 130 selects the light-shielding film A photosensitive material defect information database for performing a photosensitive material defect inspection on the photosensitive material coated substrate 115 produced by applying a predetermined photosensitive material to the film formation substrate 110 and accumulating the obtained photosensitive material defect information. 145, the photosensitive material defect registration unit 140 for registering photosensitive material defect information in the photosensitive material defect information database 145, the photosensitive material defect information stored in the photosensitive material defect information database 145, and the drawing information database 190. Design information database that stores drawing information and design information that incorporates important information and non-important information of patterns from LSI layout design data 200 20 and a design information registration unit 210 for registering design information in the design information database 220, a photosensitive material coated substrate determination for determining a photosensitive material coated substrate suitable for a target photomask product by one or more means. Part (also referred to as a board determination part) 150.

はじめに、本例の基板選択装置の各部とその処理、および基板選択装置の各部と基板供給処理のフローとの関係を、図1に基づいて簡単に説明しておく。尚、これをもって、本発明の基板供給方法の実施の形態例の説明に代える。   First, each part of the substrate selection apparatus of this example and its processing, and the relationship between each part of the substrate selection apparatus and the flow of substrate supply processing will be briefly described with reference to FIG. In addition, it replaces with description of the embodiment of the board | substrate supply method of this invention with this.

先ず、石英などの透明基板上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター膜をスパッタリング法などの真空成膜法により成膜した複数の遮光膜成膜基板(ブランクス)110(S11)に対し、所定の欠陥検査を行い(S12)、遮光膜欠陥登録部120にて、この結果を遮光膜欠陥情報として、遮光膜欠陥情報データベース125に保管する。欠陥検査としては、通常、所定のブランクス用のピンホール欠陥検査機により、図2に示すように、欠陥のサイズとその欠陥座標(X,Y)を得ることができる。
次いで、基板選択部130により、遮光膜欠陥データベース125に蓄積された遮光膜欠陥情報と、描画情報データベース190に蓄積された描画情報と、設計情報データベース220に蓄積された設計情報とから、1つ以上の手段で目的とする製品に適用できる遮光膜成膜基板を選択する(S13)。
First, a plurality of light shielding film deposition substrates (blanks) 110 (S11) in which a light shielding film or shifter film made of a metal thin film such as chromium is formed on a transparent substrate such as quartz by a vacuum film deposition method such as a sputtering method. On the other hand, a predetermined defect inspection is performed (S12), and the light shielding film defect registration unit 120 stores the result as light shielding film defect information in the light shielding film defect information database 125. As the defect inspection, the defect size and its defect coordinates (X, Y) can be obtained by a predetermined blank pinhole defect inspection machine as shown in FIG.
Next, the substrate selection unit 130 selects one from the light shielding film defect information accumulated in the light shielding film defect database 125, the drawing information accumulated in the drawing information database 190, and the design information accumulated in the design information database 220. The light shielding film deposition substrate applicable to the target product is selected by the above means (S13).

描画情報は、フォトマスク仕様170に基づき描画情報データベース190に登録されるが、描画パターン情報、配置情報、描画パターンのランク付け情報等を含み、更に詳しくは、描画機、基板サイズ、遮光膜種類等の基板条件、ピンホール欠陥検査結果ランク、異物欠陥検査結果ランクなどの品質条件を含む。   The drawing information is registered in the drawing information database 190 based on the photomask specification 170, and includes drawing pattern information, arrangement information, drawing pattern ranking information, and the like. More specifically, the drawing machine, the substrate size, and the type of light shielding film Quality conditions such as substrate conditions such as pinhole defect inspection result rank, foreign object defect inspection result rank.

本発明の基板選択装置における設計情報は、設計ルールに加えて、設計パターンの重要情報、非重要情報を取り込んだものであり、LSIレイアウト設計データ200に基づき設計情報データベースに登録される。LSIレイアウト設計パターンには、S−RAMパターン、クロックパターンなどの重要情報を有するパターンと、ダミーパターン、非解像補助パターンなどの非重要情報を有するパターンとが混在している。基板などの欠陥に対して、重要情報を有するパターンの許容度は極めて厳しく、一方、非重要情報を有するパターンは許容度が広い。欠陥レベルがますます厳しくなる状況下で、これらのパターンを同一基準で判断し、基板欠陥を同じレベルで選択することは、フォトマスク全体に過剰品質を求めることにもなり、資源の有効活用とはならない。そのため、本基板選択装置においては、設計情報データベース220に取り込んだ設計情報を使用して基板選択に供するものである。   The design information in the substrate selection apparatus of the present invention incorporates important information and non-important information of the design pattern in addition to the design rules, and is registered in the design information database based on the LSI layout design data 200. The LSI layout design pattern includes a pattern having important information such as an S-RAM pattern and a clock pattern and a pattern having non-important information such as a dummy pattern and a non-resolution assist pattern. For a defect such as a substrate, the tolerance of a pattern having important information is extremely strict, while the pattern having non-important information has a wide tolerance. Under the circumstances where the defect level becomes increasingly severe, judging these patterns based on the same standard and selecting substrate defects at the same level also requires excessive quality for the entire photomask, which means effective use of resources. Must not. Therefore, in this substrate selection apparatus, the design information taken into the design information database 220 is used for substrate selection.

さらに具体的に述べると、本基板選択装置の設計情報に取り込まれる重要情報としては、MPUパターン、RAMパターン、ROMパターン、クロックパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報であり、これらのパターンの微細回路が密集している箇所は修正が困難であり、基板欠陥の存在は極力排除する必要がある。
一方、設計情報に取り込まれる非重要情報としては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)ダミーパターン、非解像補助パターン(SRAF)、電源間クロストーク回避用補助パターン、静電破壊防止用ガードリングパターンなどの非回路パターン、ライブラリィセルダミーパターン、VDD−VSS電源間ゲート容量パターン、電源ラインパターン、グランドパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報がある。
More specifically, the important information captured in the design information of the substrate selection apparatus is one or more pattern information of MPU pattern, RAM pattern, ROM pattern, and clock pattern. It is difficult to correct a portion where the fine circuits are dense, and it is necessary to eliminate the existence of substrate defects as much as possible.
On the other hand, non-important information captured in the design information includes a CMP (Chemical Mechanical Polishing) dummy pattern, a non-resolution assist pattern (SRAF), a power crosstalk avoidance assist pattern, an electrostatic breakdown prevention guard ring pattern, and the like. There is one or more types of pattern information among non-circuit patterns, library cell dummy patterns, VDD-VSS power supply gate capacitance patterns, power supply line patterns, and ground patterns.

例えば、CMPダミーパターンは、半導体・LSI製造プロセス時に用いる補助パターンの設計情報であるが、多少基板に欠陥があっても回路に関係しないので、非重要情報として扱われる。このように、本発明においては、回路に直接関係しない半導体・LSI製造時に用いるプロセス用パターン、非回路パターンも設計情報として含まれるものである。
また、ライブラリィセルダミーパターンは、後の回路変更を考慮して事前に設置しておくパターンであるが、本来使わなくてもよいセルなので、基板欠陥に対しての許容度は広く、非重要情報とすることができる。
さらに、VDD−VSS電源間ゲート容量パターンは、静電破壊対策用の電源ダイオードやデキャップ、ロジックが動作すると、VDD−VSS間に電流が流れ、電源がスイッチングの度にゆれてしまうのを防止するためにゲート容量を入れたパターンであるが、基板欠陥に対しては厳しくなく、非重要情報とし得る。
For example, the CMP dummy pattern is auxiliary pattern design information used in the semiconductor / LSI manufacturing process. However, even if the substrate is somewhat defective, it is not related to the circuit and is treated as non-critical information. As described above, in the present invention, process patterns and non-circuit patterns used when manufacturing semiconductors and LSIs that are not directly related to circuits are also included as design information.
In addition, the library cell dummy pattern is a pattern that is installed in advance in consideration of later circuit changes, but it is a cell that does not need to be used, so the tolerance for substrate defects is wide and unimportant. It can be information.
Furthermore, the VDD-VSS power supply gate capacitance pattern prevents a current from flowing between VDD and VSS when the power supply diode, decap, or logic for countermeasures against electrostatic breakdown is operated, and the power supply is swayed every time switching is performed. For this reason, the gate capacitance is included in the pattern, but it is not severe with respect to the substrate defect and can be regarded as non-critical information.

上記の具体例とした重要情報、非重要情報としたパターン情報以外に、例えば、ノイズ低減用ダイオード(デキャップ)、冗長回路などがあるが、これらのパターン情報は、重要情報と非重要情報との間に位置するものであり、設計に応じて、重要情報もしくは非重要情報に分別することにより対応することができる。   In addition to the important information and the non-important information pattern information described above, there are, for example, a noise reduction diode (decap), a redundant circuit, etc. These pattern information includes important information and non-important information. It is located in between, and can be dealt with by separating it into important information or non-important information according to the design.

基板選択部130としては、遮光膜欠陥情報から求めたランクと描画パターンのランクと設計情報から求めた設計ランクとを考慮して遮光膜成膜基板を選択する基板ランク選択部131、遮光膜欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を選択するパターンエッジ選択部132、遮光膜欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を選択する全パターン選択部133、の中の1つ以上を基板選択手段として備えているものが挙げられる。基板選択については、さらに詳しい説明を後述する。尚、基板ランク選択部131、パターンエッジ選択部132、全パターン選択部133により実施される遮光膜成膜基板の選択方法を、ここでは、基板ランク選択法、パターンエッジ選択法、全パターン選択法と呼ぶ。   As the substrate selection unit 130, a substrate rank selection unit 131 that selects a light shielding film deposition substrate in consideration of the rank obtained from the light shielding film defect information, the rank of the drawing pattern, and the design rank obtained from the design information, One or more of the pattern edge selection unit 132 for selecting the substrate in consideration of the position and the drawing pattern edge, and the all pattern selection unit 133 for selecting the substrate in consideration of the position of the light shielding film defect and the entire drawing pattern are selected as the substrate. What is provided as a means is mentioned. A more detailed description of substrate selection will be given later. In addition, the selection method of the light-shielding film forming substrate performed by the substrate rank selection unit 131, the pattern edge selection unit 132, and the all pattern selection unit 133 is here a substrate rank selection method, a pattern edge selection method, and an all pattern selection method. Call it.

基板選択部130による、目的とする製品に適合する基板を選択する際の入力(選択指示入力に相当)は、例えば、図5に示すように表示する(コンピュータ端末の表示部の)入力画面において、描画機、基板サイズ、遮光膜種類などの基板条件と、ピンホール欠陥検査結果ランクなどの品質条件と、設計条件として設計ルール、設計パターンの重要情報、非重要情報に対応して、パターンの重要度ランク(図5では、パターンの重要度をエリア情報として3ランクに分けている)などをそれぞれ選択して用い、各選択部にて遮光膜成膜基板の選択を行なう。パターンの重要度ランクが高いことは、ピンホール欠陥に対してより厳しいことを意味するものである。   The input (corresponding to selection instruction input) when the substrate selection unit 130 selects a substrate suitable for the target product is displayed on an input screen (on the display unit of the computer terminal), for example, as shown in FIG. In response to substrate conditions such as drawing machine, substrate size, light shielding film type, quality conditions such as pinhole defect inspection result rank, and design rules, important information of design patterns, non-important information of patterns, The importance rank (in FIG. 5, the importance of the pattern is divided into three ranks as area information) is selected and used, and the light shielding film deposition substrate is selected by each selection section. High pattern importance rank means more severe against pinhole defects.

次いで、基板選択部130により選択された遮光膜成膜基板(S13)に対し、遮光膜上に目的とする感光材を塗布形成し(S14)、得られた感光材塗布基板115(S15)に対し、感光材の欠陥検査を行ない(S16)、結果を感光材欠陥登録部140により、感光材欠陥データベース145に蓄積する。感光材の欠陥検査は、通常、所定の検査機で異物欠陥の検査を行うものであり、欠陥のサイズとその欠陥座標(X,Y)を、図2に示すピンホール欠陥のような形式で得ることができる。   Next, a target photosensitive material is applied and formed on the light shielding film (S14) on the light shielding film deposition substrate (S13) selected by the substrate selection unit 130 (S14), and the resulting photosensitive material coated substrate 115 (S15) is applied. On the other hand, the defect inspection of the photosensitive material is performed (S16), and the result is accumulated in the photosensitive material defect database 145 by the photosensitive material defect registration unit 140. The defect inspection of a photosensitive material is usually performed by inspecting a foreign matter defect with a predetermined inspection machine, and the defect size and the defect coordinates (X, Y) are expressed in a format such as a pinhole defect shown in FIG. Obtainable.

次いで、基板判定部150により、感光材欠陥情報データベース145に蓄積された感光材欠陥情報と、描画情報データベース190に蓄積された描画情報と、設計情報データーベースに蓄積された設計情報とから、1つ以上の手段で目的とする製品に適用できる感光材塗布基板を選択する(S17)。
基板判定部150としては、感光材欠陥情報から求めたランクと描画パターンのランクと設計情報から求めたランクとを考慮し、感光材塗布基板を判定する基板ランク判定部151、感光材欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を判定するパターンエッジ判定部152、感光材欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を判定する全パターン判定部153、の1つ以上を基板選択手段として備えているものが挙げられる。これらの基板判定についても、説明を後述する。
Next, from the photosensitive material defect information stored in the photosensitive material defect information database 145, the drawing information stored in the drawing information database 190, and the design information stored in the design information database by the substrate determination unit 150, 1 A photosensitive material coated substrate that can be applied to the target product is selected by one or more means (S17).
The substrate determination unit 150 considers the rank obtained from the photosensitive material defect information, the rank of the drawing pattern, and the rank obtained from the design information, and determines the photosensitive material coated substrate. One or more of a pattern edge determination unit 152 that determines a substrate in consideration of a drawing pattern edge and an all pattern determination unit 153 that determines a substrate in consideration of a photosensitive material defect position and an entire drawing pattern are provided as substrate selection means. The thing that is. These board determinations will also be described later.

尚、基板ランク判定部151、パターンエッジ判定部152、全パターン判定部153により実施される感光材塗布基板の判定方法を、ここでは、基板ランク判定法、パターンエッジ判定法、全パターン判定法と呼ぶ。基板判定部150による、目的とするフォトマスク製品に見合った基板を判定する際の入力(判定指示入力に相当)は、例えば、図5に示したピンホール欠陥検査結果ランクを異物欠陥検査結果ランクに代えて表示することができる。コンピュータ端末の表示部の入力画面において、描画機、基板サイズ、遮光膜種類、等の基板条件、および、設計ルール、異物欠陥検査結果ランク等の品質条件、設計条件を、それぞれ選択して用い、各判定部にて感光材塗布基板の判定を行なう。   In addition, the determination method of the photosensitive material coated substrate performed by the substrate rank determination unit 151, the pattern edge determination unit 152, and the all pattern determination unit 153 is here a substrate rank determination method, a pattern edge determination method, and an all pattern determination method. Call. The input (corresponding to the determination instruction input) when determining the substrate suitable for the target photomask product by the substrate determination unit 150 is, for example, the pinhole defect inspection result rank shown in FIG. Can be displayed instead. On the input screen of the display unit of the computer terminal, the substrate conditions such as the drawing machine, the substrate size, the type of the light shielding film, and the quality conditions such as the design rule and the foreign substance defect inspection result rank, and the design conditions are selected and used, Each determination unit determines the photosensitive material coated substrate.

基板判定部150の基板判定(S17)により、OKと判定され(S18)選択された感光材塗布基板(S19)は、感光材の感度のロットチェックを行ない(S20)、感度に問題がなければ、パターン描画に供与される(S21)。
また、基板判定部150にて、OKでないと判定された(S18)感光材塗布基板は使用せず、再度、目的とする製品に適用できる遮光膜成膜基板を、基板選択部130により基板選択し(S13)、上記と同様に、再度、S14〜S17までの処理ステップを行ない、基板判定部150にて、OKと判断されるまで繰り返し行なう。そして、OKと判定された(S19)感光材塗布基板は、前記の基板と同様に、感光材の感度のロットチェックを行ない(S20)、感度に問題がなければ、パターン描画に供与される(S21)。
The photosensitive material coated substrate (S19) selected as OK by the substrate determination (S17) of the substrate determination unit 150 (S18) performs a lot check of the sensitivity of the photosensitive material (S20), and if there is no problem in sensitivity. Is provided for pattern drawing (S21).
Further, the substrate determination unit 150 determines that the substrate is not OK (S18). The substrate selection unit 130 selects a light-shielding film deposition substrate that can be applied to the target product again without using the photosensitive material coated substrate. (S13) Then, similarly to the above, the processing steps S14 to S17 are performed again, and the process is repeated until the substrate determination unit 150 determines that it is OK. Then, the photosensitive material-coated substrate determined to be OK (S19) is subjected to a lot check of the sensitivity of the photosensitive material (S20), as in the case of the above-mentioned substrate, and if there is no problem in sensitivity, it is provided to pattern drawing ( S21).

感光材の感度のロットチェックとしては、例えば、感光材のロットごとに、テストピース(テスト用基板)を用いて感度チェックを行ない、この結果を感光材層感度ロットチェックデータとして保管して、これを基に判断しても良い。
感光材感度ロットチェックデータとしては、各基板ごとに、感光材の塗布ロット(ここでは、塗布日によりロットが異なるとする)ごとに、テストピースなどによりその感度を調べ、対応する描画機ごとに適切な露光量(照射量)を決め、各基板ごとに、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類、塗布日、描画機、露光量を対応させておくもので、例えば、図3に示すように表される。尚、図3において、+aは、+aだけ露光量を多くして、感光材層のロット間の感度のバラツキの補正を行なっているものである。
As a lot check of the sensitivity of the photosensitive material, for example, for each lot of photosensitive material, a sensitivity check is performed using a test piece (test substrate), and the result is stored as photosensitive material layer sensitivity lot check data. You may judge based on.
As photosensitive material sensitivity lot check data, for each substrate, for each photosensitive material application lot (in this case, the lot differs depending on the application date), the sensitivity is checked with a test piece, etc., and for each corresponding drawing machine. An appropriate exposure amount (irradiation amount) is determined, and for each substrate, the substrate size, light shielding film type, photosensitive material layer type, coating date, drawing machine, and exposure amount are associated with each other, for example, as shown in FIG. It is expressed as follows. In FIG. 3, + a is a correction of variation in sensitivity between lots of photosensitive material layers by increasing the exposure amount by + a.

(基板選択部)
次に、基板選択部130による基板選択の例として、基板ランク選択部131、パターンエッジ選択部132、全パターン選択部133について順に説明する。
(Substrate selection part)
Next, as an example of substrate selection by the substrate selection unit 130, the substrate rank selection unit 131, the pattern edge selection unit 132, and the all pattern selection unit 133 will be described in order.

(第1の例:基板ランク選択部)
先ず、基板選択の第1の例として、基板ランク選択部131により、目的とするフォトマスク製品に品質的に適したランクの遮光膜成膜基板を選択するフロー(アルゴリズム)の例を図6に基づいて説明する。図6に示す例は、基板選択の基準となるフォトマスク仕様からの基板の品質基準から、基板ランクを指定し、対応するランク付けされた遮光膜成膜基板を選択するもので、基板ランク選択部により以下のように基板選択を行なう。遮光膜成膜基板のランク付けは、対象基板について、データベースに登録された遮光膜欠陥情報に基づき、それぞれ、作製するフォトマスクのパターンエリア(これを、描画エリアとも言う)に対応する領域内の欠陥数を抽出し、抽出された欠陥の数により、ランク付けするものである。先ず、遮光膜成膜基板群511の中から、選択指示入力により指定された、指定の描画機、基板サイズ、遮光膜種類などの使用条件(フォトマスク仕様)512に対応する対象基板521を選択する対象基板選択を行なう(S510)。
(First example: board rank selection unit)
First, as a first example of substrate selection, FIG. 6 shows an example of a flow (algorithm) for selecting a light-shielding film-formed substrate having a rank suitable for the target photomask product by the substrate rank selection unit 131. This will be explained based on. In the example shown in FIG. 6, a substrate rank is designated from a photomask specification serving as a substrate selection criterion, and a corresponding ranked light shielding film deposition substrate is selected. Depending on the part, the substrate is selected as follows. The ranking of the light-shielding film deposition substrate is based on the light-shielding film defect information registered in the database for each of the target substrates, in the areas corresponding to the pattern areas (also referred to as drawing areas) of the photomask to be produced. The number of defects is extracted, and ranking is performed according to the number of extracted defects. First, a target substrate 521 corresponding to a use condition (photomask specification) 512 specified by a selection instruction input, such as a designated drawing machine, substrate size, and light shielding film type, is selected from the light shielding film deposition substrate group 511. The target substrate to be selected is selected (S510).

次いで、この対象基板521の中から、図7(a)に示すように、ピンホール欠陥検査結果データ522を参照にして、パターンエリア523を所定のものとし、パターンエリア523が0°状態と90°ごとに回転した状態(90°、180°、270°)とで、パターンエリア内の欠陥数を把握しておく(S520)。90°ごとに回転することにより、所定のパターンエリア内においても、その中に占める欠陥の数が異なり、基板の最適位置が選定できる。   Next, referring to the pinhole defect inspection result data 522, the pattern area 523 is defined as a predetermined one from the target substrate 521, as shown in FIG. The number of defects in the pattern area is ascertained in a state of being rotated every 90 ° (90 °, 180 °, 270 °) (S520). By rotating every 90 °, even within a predetermined pattern area, the number of defects occupied therein is different, and the optimum position of the substrate can be selected.

このとき、図7(b)に示すように、LSIレイアウト設計データからパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報に基づき,パターンごとにエリア情報またはマーク情報としてランク分けした設計ランクを設計基準524として用い、上記のパターンエリアと共に基板選択に適用する(S520)。図7(b)では、重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報の重要度をエリア情報として3ランクにして分けている場合を例示している。   At this time, as shown in FIG. 7B, based on the design information obtained by importing the important information and the unimportant information of the pattern from the LSI layout design data, the design rank that is ranked as area information or mark information for each pattern is obtained. It is used as the design standard 524 and applied to the substrate selection together with the pattern area (S520). FIG. 7B illustrates a case where the importance of design information incorporating important information and non-important information is divided into three ranks as area information.

前述のように、LSIレイアウトパターンには、S−RAMなどの重要なパターンもあれば、一方で、非回路パターンとして、CMPダミーパターン、非解像補助パターン(SRAF)、電源間クロストーク回避用補助パターン、ガードリングなどの非重要パターンがある。回路パターンには、クロックライン用バッファゲートなどの重要なパターンもあれば、ノイズ低減用ダイオード(デキャップ)、冗長回路、回路変更用セル(ECセル)など重要度が少し低いパターンもある。配線パターンにも、クロックラインのような重要なパターン、電源ライン、グランドパターンなどの非重要パターンがある。上記のように、パターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を加えてパターンエリアの欠陥情報を判断することにより、基板選択を効率的に行なうことができる。
パターンの重要情報と非重要情報は、パターンの重要度ランクとして2ランク以上に分けることができ、例えば、図5では3ランクの場合を示している。ただし、ランク数が多すぎると煩雑になるので、パターンの重要情報と非重要情報に対応して、2〜5程度の範囲のランク分けが好ましく、さらに生産性の点からは、2〜3ランクがより好ましい。
As described above, an LSI layout pattern includes an important pattern such as an S-RAM. On the other hand, as a non-circuit pattern, a CMP dummy pattern, a non-resolution assist pattern (SRAF), and a crosstalk between power sources are avoided. There are non-critical patterns such as auxiliary patterns and guard rings. Some circuit patterns include important patterns such as clock line buffer gates, and other patterns such as noise reduction diodes (decaps), redundant circuits, and circuit change cells (EC cells) are slightly less important. The wiring pattern includes an important pattern such as a clock line, a non-important pattern such as a power supply line, and a ground pattern. As described above, the substrate information can be efficiently selected by determining the defect information of the pattern area by adding the design information incorporating the important information and the unimportant information of the pattern.
The important information and the non-important information of the pattern can be divided into two or more ranks as the importance rank of the pattern. For example, FIG. 5 shows a case of 3 ranks. However, since it becomes complicated when the number of ranks is too large, it is preferable to rank in the range of about 2 to 5 corresponding to the important information and non-important information of the pattern. Is more preferable.

対象基板531の中から、品質基準(基板ランク)532と照らし、所望の基板ランクのものを選び、優先順位を付けたランク分けを行ない(S530)、優先順位が付けられたランク付き対象基板541を得る。これにより、所望の遮光膜成膜基板が選択されたこととなる。このようにして、目的とする製品の対象基板541が、ランク分けされ、更に優先順位が付けられるが、この対象基板541の中より、目的とするフォトマスク製品の品質仕様(品質基準)に見合った、所望の基板が選択され(S540)、感光材が塗布される(図1のS14に相当)。   The target board 531 is compared with the quality standard (board rank) 532, the board board having a desired board rank is selected, and the ranking is performed with the priority ranking (S530), and the ranking-target board 541 with the priority ranking is given. Get. Thereby, a desired light-shielding film formation substrate is selected. In this way, the target substrates 541 of the target product are ranked and further prioritized, but the target substrate 541 meets the quality specification (quality standard) of the target photomask product. A desired substrate is selected (S540), and a photosensitive material is applied (corresponding to S14 in FIG. 1).

尚、図1に示すフォトマスク仕様170から決められる基板選択の基準となる品質基準は、設計ルール、パターンエリア(X、Yサイズ)、ピンホール欠陥検査結果、設計情報などによりランクを対応させたもので、例えば、図4に示すように表される。
尚、図4はラスター型のEB機(電子線描画機)による描画に供せられる基板の品質基準の例であり、表の1段目は0.1μmアドレスユニット描画で、パターンエリアが10000μm、10000μmの範囲で、ピンホール欠陥検査結果ランクがA、異物欠陥検査結果ランクがBであることを意味している。
Note that the quality standards, which are the criteria for selecting a substrate determined from the photomask specification 170 shown in FIG. 1, correspond to the ranks based on design rules, pattern areas (X and Y sizes), pinhole defect inspection results, design information, and the like. For example, it is represented as shown in FIG.
FIG. 4 is an example of the quality standard of a substrate used for drawing by a raster type EB machine (electron beam drawing machine). The first row in the table is 0.1 μm address unit drawing, and the pattern area is 10,000 μm. This means that the pinhole defect inspection result rank is A and the foreign matter defect inspection result rank is B within the range of 10,000 μm.

(第2の例:パターンエッジ選択部)
次に、基板選択部130により、目的とする製品に品質的に見合ったランクの遮光膜成膜基板を選択する第2の例について説明する。図8は、第2の例の説明図であり、遮光膜欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を選択するもので、基板選択部130内のパターンエッジ選択部132により、以下のように基板選択を行なう。
(Second example: pattern edge selection unit)
Next, a second example will be described in which the substrate selection unit 130 selects a light-shielding film-formed substrate having a rank suitable for the target product in quality. FIG. 8 is an explanatory diagram of the second example, in which the substrate is selected in consideration of the light shielding film defect position and the drawing pattern edge. The pattern edge selecting unit 132 in the substrate selecting unit 130 performs the following operation. Select the board.

第2の例は、遮光膜欠陥情報データベース125に登録された遮光膜欠陥検情報と、描画情報データベース190に登録された描画情報と、設計情報データベース220に登録された設計情報とから基板を選択するもので、基板選択部130では、欠陥確率計算部(図示していない)にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検査情報に基づき、それぞれ、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P0を求めるものである。この確率P0より、対象基板の中でランク付けを行ない、所望のランクの基板を選ぶ。選ばれた遮光膜成膜基板は、感光材塗布処理(図1のS14に相当)に供される。P0を求める際、対象基板に対し、対象基板とパターンエリアを相対的に90°ずつ回転させて、0°の場合と同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度におけるP0を求め、対象基板の中でランク付けを行い、所望のランクのものを選ぶ。90°ごとに回転することにより、所定のパターンエリア内においても、その中に占める欠陥の数が異なる。   In the second example, a substrate is selected from light-shielding film defect inspection information registered in the light-shielding film defect information database 125, drawing information registered in the drawing information database 190, and design information registered in the design information database 220. In the substrate selection unit 130, the probability P0 that a defect does not occur on the photomask on the target substrate based on the defect inspection information registered in the database in the defect probability calculation unit (not shown). Is what you want. Based on this probability P0, ranking is performed among the target substrates, and a substrate having a desired rank is selected. The selected light-shielding film deposition substrate is subjected to a photosensitive material coating process (corresponding to S14 in FIG. 1). When obtaining P0, the target substrate and the pattern area are rotated by 90 ° relative to the target substrate, the same calculation as in the case of 0 ° is performed, and P0 at each relative angle is obtained. Rank the item and select the one with the desired rank. By rotating every 90 °, the number of defects occupying the different pattern areas varies.

このとき、図7(b)に示したように、LSIレイアウト設計データからパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報に基づき,パターンごとにエリア情報としてランク分けした設計ランクを用い、上記の90°ごとの回転と合わせて基板選択に適用することにより、基板の最適位置が選定されると共に、目的とするフォトマスク製品の品質仕様に適合した最適な基板が選択される。   At this time, as shown in FIG. 7B, based on the design information obtained from the LSI layout design data including the important information and the non-important information of the pattern, the design rank ranked as the area information for each pattern is used. By applying to the substrate selection in combination with the above-described rotation every 90 °, the optimum position of the substrate is selected, and the optimum substrate that matches the quality specification of the target photomask product is selected.

尚、第2の例におけるP0計算方法は、欠陥が絵柄の内部に含まれる場合には、後で欠陥修正が比較的容易に行なうことができるため、これを、実作業上、後の修正作業を前提として、欠陥発生としない計算方法であり、パターンエッジ部のみが確率P0に関係しているので、ここではこの第2の例の基板選択処理をパターンエッジ選択処理と言い、これを行なう処理部をパターンエッジ選択部と言っている。   In the P0 calculation method in the second example, if the defect is included in the pattern, the defect can be corrected later relatively easily. As a premise, the calculation method does not cause a defect, and only the pattern edge portion is related to the probability P0. Therefore, here, the substrate selection process of the second example is referred to as a pattern edge selection process, and a process for performing this process. This part is called a pattern edge selection part.

以下、対象基板とパターンエリアとがある所定の相対位置関係にある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P0の求め方の一例を図8に基づいて説明する。
説明を分かり易くするため、具体的な例として、基板エリア801の描画エリア(パターンエリア)805内に、欠陥が 3個(欠陥811、812、813)あり、パターンデータエリア831、832、833が3つある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P0の求め方を説明する。先ず、欠陥811、812、813について、それぞれ、パターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨る確率を計算し、これより、パターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨がらない確率P1,P2、P3をそれぞれ計算し、P0=P1×P2×P3としてフォトマスク上で欠陥が発生しない確率P0を求める。
Hereinafter, an example of how to obtain the probability P0 that the defect does not occur on the photomask when the target substrate and the pattern area are in a predetermined relative positional relationship will be described with reference to FIG.
In order to make the explanation easy to understand, as a specific example, there are three defects (defects 811, 812, 813) in the drawing area (pattern area) 805 of the substrate area 801, and pattern data areas 831, 832, 833 are present. A method for obtaining the probability P0 that no defect occurs on the photomask when there are three will be described. First, for the defects 811, 812, and 813, the probabilities of straddling the periphery of the pattern in the pattern data area are calculated, and the probabilities P1, P2, and P3 of not straddling the periphery of the pattern in the pattern data area are calculated. And P0 = P1 × P2 × P3, and a probability P0 that no defect occurs on the photomask is obtained.

尚、対象基板と、パターンエリア、パターンデータエリア、パターンデータエリア内の絵柄との位置関係は、描画パターン、配置情報とから決定する。欠陥811がパターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨がらない確率P1は、作製されるフォトマスク上での、欠陥811の位置に対応する誤差を考慮した欠陥より大サイズの欠陥領域821を求め、求められた欠陥領域821内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求める。   The positional relationship between the target substrate and the pattern area, the pattern data area, and the pattern within the pattern data area is determined from the drawing pattern and the arrangement information. The probability P1 that the defect 811 does not straddle the periphery of the pattern in the pattern data area is obtained as a defect area 821 having a size larger than the defect in consideration of the error corresponding to the position of the defect 811 on the photomask to be manufactured. Then, a non-occurrence probability that is a probability that a defect does not occur in the peripheral portion of the pattern in the obtained defect area 821 is obtained.

図8(a)の場合の、誤差を考慮した、欠陥811がこの中に入る欠陥より大サイズの、欠陥領域821(サイズL×L)内の絵柄が、図8(b)に拡大して示すように、絵柄851、852で、欠陥領域821は一辺の長さをLとする矩形領域である。この場合、欠陥をサイズdφの円形のものとし、絵柄851、852の周辺長さの総和をS1とすると、欠陥811がパターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨る確率は、近似的に(S1×d)/(L×L)として計算される。   The pattern in the defect region 821 (size L × L), which is larger than the defect 811 into which the defect 811 enters, in consideration of the error in the case of FIG. As shown in the figure, the defective area 821 is a rectangular area in which the length of one side is L in the patterns 851 and 852. In this case, assuming that the defect has a circular shape of size dφ and the sum of the peripheral lengths of the patterns 851 and 852 is S1, the probability that the defect 811 straddles the periphery of the pattern in the pattern data area is approximately (S1 * D) / (L * L).

よって、欠陥811がパターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨がらない確率P1を、近似的に、P1=1−[(S1×d)/(L×L)]として求めることができる。同様にして、欠陥812、813がパターンデータエリア内の絵柄の周辺部に跨がらない確率P2、P3をそれぞれ求める。求められた、P1、P2、P3より、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P0が求められる。パターンデータエリア(831、832、833に相当)が3つ以上ある場合についても、基本的には同様に計算できる。   Therefore, the probability P1 that the defect 811 does not straddle the peripheral portion of the pattern in the pattern data area can be approximately obtained as P1 = 1 − [(S1 × d) / (L × L)]. Similarly, probabilities P2 and P3 that the defects 812 and 813 do not straddle the peripheral portion of the pattern in the pattern data area are obtained. From the obtained P1, P2, and P3, a probability P0 that a defect does not occur on the photomask is obtained. In the case where there are three or more pattern data areas (corresponding to 831, 832, and 833), the calculation can be basically performed in the same manner.

(第3の例:全パターン選択部)
次に、基板選択部130により、目的とする製品に品質的に見合ったランクの遮光膜成膜基板を選択する第3の例を簡単に説明する。第3の例は、遮光膜欠陥位置と全描画パターン領域とを考慮して基板を選択するもので、基板選択部130内の全パターン選択部(図示していない)により、以下のように基板選択を行なう。第3の例も、各データベースに登録された遮光膜欠陥検情報と描画情報と設計情報とから、基板を選択するもので、第2の例と同様、基板選択部130では、欠陥確率計算部(図示していない)にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検情報に基づき、それぞれ、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P01を求めるもので、この確率P01より、対象基板の中でランク付けを行い、所望の基板ランクのものを選ぶのであるが、第3の例の場合は、第2の例のようにパターンエッジのみを対象とせず、全パターン領域について欠陥が発生する確率を求める。
(Third example: All pattern selection section)
Next, a third example will be briefly described in which the substrate selection unit 130 selects a light-shielding film-deposited substrate having a rank suitable for the target product in quality. In the third example, the substrate is selected in consideration of the light-shielding film defect position and the entire drawing pattern region. The substrate is selected by the all pattern selection unit (not shown) in the substrate selection unit 130 as follows. Make a selection. The third example also selects the substrate from the light shielding film defect inspection information, the drawing information, and the design information registered in each database. As in the second example, the substrate selection unit 130 includes a defect probability calculation unit. (Not shown), for each target substrate, a probability P01 that a defect does not occur on the photomask is obtained based on the defect inspection information registered in the database. In the case of the third example, only the pattern edge is not targeted as in the second example, and the probability that a defect occurs in the entire pattern area is selected. Ask for.

例えば、図8(b)のような欠陥領域821において、サイズdφの円形の欠陥811がパターンデータエリア内の絵柄に跨る確率は、Sd/(L×L)として計算される。但し、Sdは絵柄851、852を、それぞれ外側にd/2だけ太らせた場合の面積の和である。これより、欠陥811がパターンデータエリア内の絵柄に跨がらない確率P11は、P11=1−[Sd/(L×L)]として求められる。同様に、欠陥812、813がパターンデータエリア内の絵柄に跨がらない確率P12、P13を求めることができ、求められた、P11,P21,P31より、絵柄の内部にある場合も含め、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率P01を求めることができる。   For example, in the defect area 821 as shown in FIG. 8B, the probability that the circular defect 811 of size dφ straddles the pattern in the pattern data area is calculated as Sd / (L × L). However, Sd is the sum of the areas when the patterns 851 and 852 are thickened by d / 2 outward. Thus, the probability P11 that the defect 811 does not straddle the pattern in the pattern data area is obtained as P11 = 1− [Sd / (L × L)]. Similarly, the probabilities P12 and P13 in which the defects 812 and 813 do not straddle the pattern in the pattern data area can be obtained, and the photomask including the case where the defect is inside the pattern is obtained from P11, P21, and P31. The probability P01 that no defect occurs can be obtained.

P01を求める際、前記の第1の例、第2の例と同様に、対象基板に対し、対象基板とパターンエリアを相対的に90°ずつ回転させて、0°の場合と同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度におけるP01を求める。
このとき、図7(b)に示したように、LSIレイアウト設計データからパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報に基づき,パターンごとにエリア情報としてランク分けした設計ランクを用い、上記の90°ごとの回転と合わせて基板選択に適用することにより、基板の最適位置が選定され、目的とするフォトマスク製品の品質仕様に適合した最適な基板が選択される。
When obtaining P01, similarly to the first and second examples, the target substrate and the pattern area are rotated by 90 ° relative to the target substrate, and the same calculation as in the case of 0 ° is performed. To determine P01 at each relative angle.
At this time, as shown in FIG. 7B, based on the design information obtained from the LSI layout design data including the important information and the non-important information of the pattern, the design rank ranked as the area information for each pattern is used. By applying to the selection of the substrate in combination with the rotation every 90 °, the optimum position of the substrate is selected, and the optimum substrate that meets the quality specification of the target photomask product is selected.

(基板判定部)
次いで、基板判定部150による基板判定について説明する。先にも述べたように、基板判定部150としては、感光材欠陥情報から求めたランクと描画パターンのランクと設計情報のランクとを考慮して感光材塗布基板を判定する基板ランク判定部151、感光材欠陥位置と描画パターンエッジと設計情報とを考慮して基板を判定するパターンエッジ判定部152、感光材欠陥位置と全描画パターンと設計情報とを考慮して基板を判定する全パターン判定部153の1つ以上を基板選択手段として備えているものが挙げられる。
(Board judgment part)
Next, substrate determination by the substrate determination unit 150 will be described. As described above, as the substrate determination unit 150, the substrate rank determination unit 151 that determines the photosensitive material coated substrate in consideration of the rank obtained from the photosensitive material defect information, the rank of the drawing pattern, and the rank of the design information. , A pattern edge determination unit 152 that determines a substrate in consideration of a photosensitive material defect position, a drawing pattern edge, and design information, and an all pattern determination that determines a substrate in consideration of a photosensitive material defect position, all drawing patterns, and design information One having at least one of the units 153 as the substrate selection means is exemplified.

基板ランク判定部151は、感光材塗布基板115に対し、基板選択部130の基板ランク選択部の処理の欠陥算出と同様にして、欠陥数を算出し、ランク付けし、これとフォトマスク仕様からの品質基準と比較し、目的とする製品の描画に適用できるか否かを判断するものである。また、パターンエッジ判定部152は、感光材塗布基板115に対し、基板選択部130のパターンエッジ選択部の処理の確率算出と同様にして、確率P0を算出し、これより、目的とする製品の描画に適用できるか否かを判断するものである。また、全パターン判定部153は、感光材塗布基板115に対し、基板選択部130の全パターン選択部の処理の確率算出と同様にして、確率P01を算出し、これより、目的とする製品の描画に適用できるか否かを判断するものである。
基板ランク判定部151、パターンエッジ判定部152、全パターン判定部153の詳細は、前記の基板選択部における基板ランク選択部、パターンエッジ選択部、全パターン選択部の説明と同様なので省略する。
The substrate rank determination unit 151 calculates and ranks the number of defects for the photosensitive material coated substrate 115 in the same manner as the defect calculation of the processing of the substrate rank selection unit of the substrate selection unit 130, and from this and the photomask specification It is judged whether it can apply to drawing of the target product compared with the quality standard. In addition, the pattern edge determination unit 152 calculates the probability P0 for the photosensitive material coated substrate 115 in the same manner as the calculation of the processing probability of the pattern edge selection unit of the substrate selection unit 130. It is determined whether or not it can be applied to drawing. Further, the all pattern determination unit 153 calculates the probability P01 for the photosensitive material coated substrate 115 in the same manner as the calculation of the processing probability of the all pattern selection unit of the substrate selection unit 130. It is determined whether or not it can be applied to drawing.
The details of the substrate rank determination unit 151, the pattern edge determination unit 152, and the all pattern determination unit 153 are the same as the description of the substrate rank selection unit, the pattern edge selection unit, and the all pattern selection unit in the substrate selection unit, and will be omitted.

本発明の基板選択装置の実施形態の一例を示す概略構成と基板選択処理のフローを示す概略図である。It is the schematic which shows the schematic structure which shows an example of embodiment of the board | substrate selection apparatus of this invention, and the flow of a board | substrate selection process. ピンホール欠陥検査結果データの一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the pinhole defect inspection result data. 感光材ロットチェック結果データの一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the photosensitive material lot check result data. 基板の品質基準の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the quality standard of a board | substrate. 基板選択の入力方法の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the input method of board | substrate selection. 基板選択部のランク判定部による遮光膜成膜基板選択手順の一例を示したフロー図である。It is the flowchart which showed an example of the light-shielding film film-forming board | substrate selection procedure by the rank determination part of a board | substrate selection part. レイアウト設計データの回転による基板最適位置の選定と設計情報によるエリアごとの重要度のランク分けの説明図である。It is explanatory drawing of selection of the optimal board | substrate position by rotation of layout design data, and rank classification | category of the importance for every area by design information. 基板選択部のエッジ選択部による遮光膜成膜基板選択を説明するための図である。It is a figure for demonstrating selection of the light shielding film film-forming board | substrate by the edge selection part of a board | substrate selection part. フォトマスクの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of a photomask.

符号の説明Explanation of symbols

110 遮光膜成膜基板
115 感光材塗布基板
120 遮光膜欠陥登録部
125 遮光膜欠陥情報データベース
130 基板選択部(遮光膜成膜基板選択部とも記す)
131 基板ランク選択部
132 パターンエッジ選択部
133 全パターン選択部
140 感光材欠陥登録部
145 感光材欠陥情報データベース
150 基板判定部(感光材塗布基板判定部とも記す)
151 基板ランク判定部
152 パターンエッジ判定部
153 全パターン判定部
170 フォトマスク仕様
180 描画情報登録部
190 描画情報データベース
200 LSIレイアウト設計データ
210 設計情報登録部
220 設計情報データベース
511 遮光膜成膜基板群
512 使用条件(フォトマスク仕様)
521 対象基板
522 ピンホール欠陥検査データ
523 パターンエリア
524 設計基準
531 対象基板
532 品質基準
541 ランク付き対象基板
801 基板エリア
805 パターンエリア(描画エリア)
811、812、813 欠陥
821、822、823 欠陥領域
831、832、833 パターンデータエリア
851、852 絵柄(パターン)
910 透明基板
920 遮光膜(あるいはシフター膜)
925 遮光膜パターン
930 感光材層
935 レジストパターン
940 電離放射線






























110 light-shielding film deposition substrate 115 photosensitive material coating substrate 120 light-shielding film defect registration unit 125 light-shielding film defect information database 130 substrate selection unit (also referred to as light-shielding film deposition substrate selection unit)
131 substrate rank selection unit 132 pattern edge selection unit 133 all pattern selection unit 140 photosensitive material defect registration unit 145 photosensitive material defect information database 150 substrate determination unit (also referred to as photosensitive material application substrate determination unit)
151 Substrate rank determination unit 152 Pattern edge determination unit 153 All pattern determination unit 170 Photomask specification 180 Drawing information registration unit 190 Drawing information database 200 LSI layout design data 210 Design information registration unit 220 Design information database 511 Shielding film deposition substrate group 512 Usage conditions (photomask specifications)
521 Target substrate 522 Pinhole defect inspection data 523 Pattern area 524 Design standard 531 Target substrate 532 Quality standard 541 Rank target substrate 801 Substrate area 805 Pattern area (drawing area)
811, 812, 813 Defects 821, 822, 823 Defect areas 831, 832, 833 Pattern data areas 851, 852 Pattern (pattern)
910 Transparent substrate 920 Shading film (or shifter film)
925 Light-shielding film pattern 930 Photosensitive material layer 935 Resist pattern 940 Ionizing radiation






























Claims (6)

透明基板の一主面上に遮光膜を成膜したフォトマスク作製用の遮光膜成膜基板群の中から、目的とするフォトマスクに適合した遮光膜成膜基板を選択し、選択された遮光膜成膜基板の遮光膜上に感光材を塗布し、フォトマスク作製のための描画に供与する基板選択装置であって、
前記遮光膜成膜基板群の遮光膜欠陥情報を蓄積する遮光膜欠陥情報データベースと、該遮光膜欠陥情報データベースに遮光膜欠陥情報を登録するための遮光膜欠陥登録部と、
描画すべきパターンの描画情報を蓄積する描画情報データベースと、該描画情報データベースに描画すべきパターンの描画情報を登録するための描画情報登録部と、
LSIレイアウト設計データからパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を蓄積する設計情報データベースと、該設計情報データベースに設計情報を登録するための設計情報登録部と、
前記各データベースに蓄積された遮光膜欠陥情報と描画情報と設計情報とから、1つ以上の手段で目的とするフォトマスクに適する遮光膜成膜基板を選択する遮光膜成膜基板選択部とを有し、
該遮光膜成膜基板選択部により、目的とするフォトマスクに適合する遮光膜成膜基板を選択することを特徴とする基板選択装置。
Select a light-shielding film deposition substrate suitable for the target photomask from the group of light-shielding film deposition substrates for photomask fabrication in which a light-shielding film is deposited on one main surface of the transparent substrate, and select the light shielding A substrate selection device for applying a photosensitive material on a light-shielding film of a film-forming substrate and providing it for drawing for producing a photomask,
A light shielding film defect information database for accumulating light shielding film defect information of the light shielding film deposition substrate group; a light shielding film defect registration unit for registering light shielding film defect information in the light shielding film defect information database;
A drawing information database for storing drawing information of a pattern to be drawn; a drawing information registration unit for registering drawing information of a pattern to be drawn in the drawing information database;
A design information database for accumulating design information that incorporates pattern important information and non-important information from LSI layout design data; a design information registration unit for registering design information in the design information database;
A light-shielding film film-forming substrate selection unit that selects a light-shielding film film-forming substrate suitable for a target photomask by one or more means from light-shielding film defect information, drawing information, and design information stored in each of the databases; Have
A substrate selection apparatus, wherein the light shielding film deposition substrate selection unit selects a light shielding film deposition substrate suitable for a target photomask.
前記設計情報に取り込んだ前記パターンの重要情報が、MPUパターン、RAMパターン、ROMパターン、クロックパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報であり、前記パターンの非重要情報が、CMPダミーパターン、非解像補助パターン、ライブラリィセルダミーパターン、電源間クロストーク回避用補助パターン、静電破壊防止用ガードリングパターン、VDD−VSS電源間ゲート容量パターン、電源ラインパターン、グランドパターンのなかのいずれか1種以上のパターン情報であることを特徴とする請求項1に記載の基板選択装置。   The important information of the pattern taken into the design information is at least one of MPU pattern, RAM pattern, ROM pattern, and clock pattern, and the non-important information of the pattern is a CMP dummy pattern, Non-resolving auxiliary pattern, library cell dummy pattern, auxiliary pattern for avoiding crosstalk between power supplies, guard ring pattern for preventing electrostatic breakdown, gate capacitance pattern between VDD and VSS, power supply line pattern, ground pattern The substrate selection apparatus according to claim 1, wherein the substrate selection apparatus is one or more types of pattern information. 前記設計情報が、エリア情報またはマーク情報として前記設計情報データベースに蓄積されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板選択装置。   The substrate selection apparatus according to claim 1, wherein the design information is stored in the design information database as area information or mark information. 前記選択した遮光膜成膜基板の遮光膜上に、所定の感光材を塗布して作製された感光材塗布基板に対し、感光材欠陥検査を行ない、得られた感光材欠陥情報を蓄積する感光材欠陥情報データベースと、該感光材欠陥情報データベースに感光材欠陥情報を登録するための感光材欠陥登録部とを有し、
感光材欠陥情報データベースに蓄積された感光材欠陥情報と、描画情報データベースに蓄積された描画情報と、設計情報データベースに蓄積された設計情報とから、1つ以上の手段で目的とするフォトマスクに適する感光材塗布基板を判定する感光材塗布基板判定部とを有し、
該感光材塗布基板判定部により、目的とするフォトマスクに適合する感光材塗布基板を選択することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板選択装置。
Photosensitive material defect inspection is performed on a photosensitive material coated substrate prepared by applying a predetermined photosensitive material on the light shielding film of the selected light shielding film deposition substrate, and the obtained photosensitive material defect information is accumulated. A material defect information database, and a photosensitive material defect registration unit for registering photosensitive material defect information in the photosensitive material defect information database,
From the photosensitive material defect information stored in the photosensitive material defect information database, the drawing information stored in the drawing information database, and the design information stored in the design information database, a target photomask is obtained by one or more means. A photosensitive material coated substrate determination unit for determining a suitable photosensitive material coated substrate;
4. The substrate selection apparatus according to claim 1, wherein the photosensitive material-coated substrate determination unit selects a photosensitive material-coated substrate that matches a target photomask. 5.
前記遮光膜成膜基板選択部は、遮光膜欠陥情報から求めた遮光膜欠陥ランクと、描画情報から求めた描画ランクと、設計情報から求めた設計ランクとを考慮して遮光膜成膜基板を選択する基板ランク選択部、遮光膜欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を選択するパターンエッジ選択部、遮光膜欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を選択する全パターン選択部の1つ以上を備えていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板選択装置。   The light shielding film deposition substrate selection unit selects a light shielding film deposition substrate in consideration of the light shielding film defect rank obtained from the light shielding film defect information, the drawing rank obtained from the drawing information, and the design rank obtained from the design information. 1 of a substrate rank selection unit to select, a pattern edge selection unit to select a substrate in consideration of a light shielding film defect position and a drawing pattern edge, and an all pattern selection unit to select a substrate in consideration of a light shielding film defect position and all drawing patterns. The board | substrate selection apparatus of any one of Claims 1-4 provided with one or more. 前記感光材塗布基板判定部は、感光材欠陥情報から求めた感光材欠陥ランクと、描画情報から求めた描画ランクと、設計情報から求めた設計ランクとを考慮して感光材塗布基板を判定する基板ランク判定部、感光材欠陥位置と描画パターンエッジを考慮して基板を判定するパターンエッジ判定部、感光材欠陥位置と全描画パターンを考慮して基板を判定する全パターン判定部の1つ以上を備えていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板選択装置。













































The photosensitive material coated substrate determination unit determines a photosensitive material coated substrate in consideration of a photosensitive material defect rank obtained from photosensitive material defect information, a drawing rank obtained from drawing information, and a design rank obtained from design information. One or more of a substrate rank determination unit, a pattern edge determination unit that determines the substrate in consideration of the photosensitive material defect position and the drawing pattern edge, and an all pattern determination unit that determines the substrate in consideration of the photosensitive material defect position and the entire drawing pattern 6. The substrate selection apparatus according to claim 1, further comprising:













































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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142468A (en) * 2011-01-04 2012-07-26 Toshiba Corp Euv mask blank quality determination method and euv mask blank manufacturing method
WO2015166570A1 (en) * 2014-05-01 2015-11-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method and apparatus for designing semiconductor integrated circuit layout
WO2020100180A1 (en) * 2018-11-12 2020-05-22 株式会社日立ハイテク System for estimating the occurrence of defects, and computer-readable medium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033941A (en) * 1999-07-16 2001-02-09 Toshiba Corp Formation of pattern and exposure device
JP2002055437A (en) * 2000-06-02 2002-02-20 Dainippon Printing Co Ltd Substrate selector
JP2002278046A (en) * 2001-03-21 2002-09-27 Dainippon Printing Co Ltd Substrate selecting device and supply method for substrate for drawing
JP2003149793A (en) * 2001-11-13 2003-05-21 Toshiba Corp Selecting method for mask blanks, forming method for exposure mask, and manufacturing method for semiconductor device
JP2004191957A (en) * 2002-11-26 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection method for mask pattern, inspecting apparatus, and inspection data and method for producing inspection data to be used therefor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033941A (en) * 1999-07-16 2001-02-09 Toshiba Corp Formation of pattern and exposure device
JP2002055437A (en) * 2000-06-02 2002-02-20 Dainippon Printing Co Ltd Substrate selector
JP2002278046A (en) * 2001-03-21 2002-09-27 Dainippon Printing Co Ltd Substrate selecting device and supply method for substrate for drawing
JP2003149793A (en) * 2001-11-13 2003-05-21 Toshiba Corp Selecting method for mask blanks, forming method for exposure mask, and manufacturing method for semiconductor device
JP2004191957A (en) * 2002-11-26 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection method for mask pattern, inspecting apparatus, and inspection data and method for producing inspection data to be used therefor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142468A (en) * 2011-01-04 2012-07-26 Toshiba Corp Euv mask blank quality determination method and euv mask blank manufacturing method
WO2015166570A1 (en) * 2014-05-01 2015-11-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method and apparatus for designing semiconductor integrated circuit layout
WO2020100180A1 (en) * 2018-11-12 2020-05-22 株式会社日立ハイテク System for estimating the occurrence of defects, and computer-readable medium
JPWO2020100180A1 (en) * 2018-11-12 2021-10-07 株式会社日立ハイテク Systems for estimating the occurrence of defects and computer-readable media
JP7080992B2 (en) 2018-11-12 2022-06-06 株式会社日立ハイテク System for estimating the occurrence of defects and computer-readable media
US11747291B2 (en) 2018-11-12 2023-09-05 Hitachi High-Tech Corporation System for estimating the occurrence of defects, and computer-readable medium

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