JP2007139505A - Capacitance-type dynamic quantity sensor - Google Patents

Capacitance-type dynamic quantity sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2007139505A
JP2007139505A JP2005331595A JP2005331595A JP2007139505A JP 2007139505 A JP2007139505 A JP 2007139505A JP 2005331595 A JP2005331595 A JP 2005331595A JP 2005331595 A JP2005331595 A JP 2005331595A JP 2007139505 A JP2007139505 A JP 2007139505A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
movable electrode
frame member
mechanical quantity
comb
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005331595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Suketsugu Funato
祐嗣 舩戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2005331595A priority Critical patent/JP2007139505A/en
Publication of JP2007139505A publication Critical patent/JP2007139505A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Gyroscopes (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a structure for using displacement of a beam part without positioning movable electrodes on the inside of fixed electrodes, in a capacitance-type dynamic quantity sensor having a beam structure comprising the movable electrodes and the fixed electrodes disposed opposite to each other in a comb teeth shape. <P>SOLUTION: The beam structure 50 formed by forming grooves 14 on one surface side of a semiconductor substrate 10 comprises the fixed electrodes 41 and 42, and a rectangular frame-shaped frame member 60 disposed so as to surround the outside of the fixed electrodes 41 and 42. The beam part 20 is formed as a side part of the frame member 60 while being springy in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the side part. The movable electrodes 30 are formed so as to project in a comb-tooth shape from a side part other than the beam part 20 of the frame member 60 toward the inner circumferential side of the frame member 60. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、互いに対向して配置された櫛歯状の可動電極および固定電極を有する容量式の力学量センサに関する。   The present invention relates to a capacitive mechanical quantity sensor having a comb-like movable electrode and a fixed electrode arranged to face each other.

図７は、従来のこの種の一般的な力学量センサの概略平面構成を示す図である。この図７に示されるようなものとしては、たとえば、特許文献１に記載されるものが提案されている。   FIG. 7 is a diagram showing a schematic plan configuration of a conventional general mechanical quantity sensor of this type. As what is shown by this FIG. 7, what is described in patent document 1 is proposed, for example.

図７に示されるように、半導体基板１０の一面側に溝を形成することにより、梁部２０とこれに連結された可動電極３０と可動電極３０の外側に設けられた固定電極４１、４２とよりなる梁構造体５０が形成されている。   As shown in FIG. 7, by forming a groove on one surface side of the semiconductor substrate 10, a beam portion 20, a movable electrode 30 connected to the beam portion 20, and fixed electrodes 41 and 42 provided outside the movable electrode 30, A beam structure 50 is formed.

梁部２０は細長矩形枠状のもので、その長手方向と直交する方向にバネ性により変位する。そして、梁部２０に連結された可動電極３０は、櫛歯状のものであり、加速度などの力学量が印加された時に、この梁部２０のバネ力により、図７中のＸ軸方向に変位するようになっている。   The beam portion 20 has an elongated rectangular frame shape, and is displaced by a spring property in a direction orthogonal to the longitudinal direction. The movable electrode 30 connected to the beam portion 20 has a comb-like shape, and when a mechanical quantity such as acceleration is applied, the spring force of the beam portion 20 causes the X-axis direction in FIG. It is designed to be displaced.

また、固定電極４１、４２は、可動電極３０における櫛歯とかみ合うように配置された櫛歯状のものであり、力学量の印加による可動電極３０と固定電極４１、４２との間の容量変化に基づき力学量を検出するようになっている。
特開２００５−９８７４０号公報 Further, the fixed electrodes 41 and 42 are comb-shaped ones arranged so as to mesh with the comb teeth in the movable electrode 30, and the capacitance change between the movable electrode 30 and the fixed electrodes 41 and 42 due to application of a mechanical quantity. Based on this, the mechanical quantity is detected.
JP 2005-98740 A

しかしながら、上記したような従来の力学量センサにおいては、可動電極３０と固定電極４１、４２との位置関係が、固定電極４１、４２を外側とし、その内側に可動電極３０を位置させるものであるため、たとえば、センサ感度を上げるべく梁部２０を長くしてそのバネ定数を小さくすることが困難になる。また、梁部２０の形状も、上記図７に示されるように、複雑になったりする。   However, in the conventional mechanical quantity sensor as described above, the positional relationship between the movable electrode 30 and the fixed electrodes 41 and 42 is such that the fixed electrodes 41 and 42 are outside and the movable electrode 30 is positioned inside thereof. Therefore, for example, it is difficult to lengthen the beam portion 20 and reduce its spring constant in order to increase the sensor sensitivity. Further, the shape of the beam portion 20 becomes complicated as shown in FIG.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ともに櫛歯状をなして対向配置された可動電極および固定電極を有する容量式の力学量センサにおいて、可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部による変位を可能とした構成を実現することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a capacitive mechanical quantity sensor having a movable electrode and a fixed electrode, both of which are opposed to each other in a comb-teeth shape, the movable electrode is positioned inside the fixed electrode. It aims at realizing the structure which enabled the displacement by a beam part, without making it.

上記目的を達成するため、本発明は、半導体基板（１０）の一面側に溝（１４）を形成することにより形成される梁構造体（５０）を、固定電極（４１、４２）と、固定電極（４１、４２）の外側を取り囲むように配置された矩形枠状の枠部材（６０）とを有するものとし、梁部（２０）を、枠部材（６０）における辺部として構成するとともに、この辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものとし、可動電極（３０）を、枠部材（６０）における辺部から枠部材（５０）の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成したことを、第１の特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides a structure in which a beam structure (50) formed by forming a groove (14) on one surface side of a semiconductor substrate (10) is fixed to a fixed electrode (41, 42). A rectangular frame-shaped frame member (60) disposed so as to surround the outside of the electrodes (41, 42), and the beam portion (20) as a side portion of the frame member (60); The movable electrode (30) has a spring property in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the side portion, and the movable electrode (30) protrudes from the side portion of the frame member (60) toward the inner peripheral side of the frame member (50). The first feature is that it has been configured.

それによれば、固定電極（４１、４２）の外側に矩形枠状の枠部材（６０）を設け、その辺部を梁部（２０）として構成するとともに、当該枠部材（６０）の辺部に可動電極（３０）を設け、梁部（２０）を、それを構成する辺部の長手方向と直交する方向に変位させるものにできるため、従来のように可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部による可動電極の変位を可能とした構成を実現することができる。   According to this, a rectangular frame-shaped frame member (60) is provided outside the fixed electrode (41, 42), the side portion is configured as a beam portion (20), and the side portion of the frame member (60) is formed. Since the movable electrode (30) is provided, and the beam portion (20) can be displaced in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the side portions constituting the movable electrode (30), the movable electrode is positioned inside the fixed electrode as in the past. Therefore, it is possible to realize a configuration in which the movable electrode can be displaced by the beam portion.

また、本発明は、上記第１の特徴を有する力学量センサにおいて、梁部（２０）を、枠部材（６０）における対向する２個の辺部として構成し、可動電極（３０）を、枠部材（６０）における梁部（２０）以外の対向する２個の辺部に設けたことを、第２の特徴とする。   In the mechanical quantity sensor having the first feature, the present invention is configured such that the beam portion (20) is configured as two opposing side portions of the frame member (60), and the movable electrode (30) is A second feature is that the member (60) is provided on two opposing sides other than the beam portion (20).

それによれば、力学量の印加時には、枠部材（６０）における梁部（２０）として構成されている２個の辺部の長手方向と直交する方向、すなわち可動電極（３０）が設けられている辺部の長手方向に、可動電極（３０）を変位させることができる。   According to this, at the time of applying the mechanical quantity, a direction perpendicular to the longitudinal direction of the two side parts configured as the beam part (20) in the frame member (60), that is, the movable electrode (30) is provided. The movable electrode (30) can be displaced in the longitudinal direction of the side portion.

また、本発明は、上記第１の特徴を有する力学量センサにおいて、梁部（２０）を、枠部材（６０）における可動電極（３０）が設けられている辺部として構成されたものとしたことを、第３の特徴とする。   Further, according to the present invention, in the mechanical quantity sensor having the first feature, the beam portion (20) is configured as a side portion provided with the movable electrode (30) in the frame member (60). This is the third feature.

それによれば、力学量の印加時には、可動電極（３０）が設けられている辺部の長手方向と直交する方向に、可動電極（３０）を変位させることができる。   According to this, at the time of applying a mechanical quantity, the movable electrode (30) can be displaced in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the side portion where the movable electrode (30) is provided.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the parenthesis of each means described in a claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る容量式力学量センサとしての加速度センサ１００の概略平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った加速度センサ１００の概略断面図、図３は、図１中のＢ−Ｂ線に沿った加速度センサ１００の概略断面図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic plan view of an acceleration sensor 100 as a capacitive mechanical quantity sensor according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the acceleration sensor 100 along the line AA in FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the acceleration sensor 100 taken along the line BB in FIG.

この加速度センサ１００は、図１中のＸ軸方向の加速度を検出するものである。本加速度センサ１００は、半導体基板１０を備え、この半導体基板１０に周知のマイクロマシン加工を施すことによって形成されるものである。   The acceleration sensor 100 detects acceleration in the X-axis direction in FIG. The acceleration sensor 100 includes a semiconductor substrate 10 and is formed by performing known micromachining on the semiconductor substrate 10.

本例では、加速度センサ１００を構成する半導体基板１０は、図２および図３に示されるように、第１の半導体層としての第１シリコン基板１１と第２の半導体層としての第２シリコン基板１２との間に、絶縁層としての酸化膜１３を有する矩形状のＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）基板１０である。   In this example, the semiconductor substrate 10 constituting the acceleration sensor 100 includes a first silicon substrate 11 as a first semiconductor layer and a second silicon substrate as a second semiconductor layer, as shown in FIGS. 12, a rectangular SOI (silicon on insulator) substrate 10 having an oxide film 13 as an insulating layer.

半導体基板１０の一面側すなわち第２シリコン基板１２には、その厚さ方向に貫通する溝１４を形成することにより、この溝１４によって区画されたパターン、すなわち、梁部２０、可動電極３０および固定電極４１、４２よりなる櫛歯形状を有する梁構造体５０が形成されている。   By forming a groove 14 penetrating in the thickness direction on one surface side of the semiconductor substrate 10, that is, the second silicon substrate 12, a pattern defined by the groove 14, that is, the beam portion 20, the movable electrode 30 and the fixed portion. A beam structure 50 having a comb-teeth shape composed of the electrodes 41 and 42 is formed.

なお、図２、図３に示されるように、第２シリコン基板１２においては、酸化膜１３に接して支持されている部分と、酸化膜１３が除去されてその下の第１シリコン基板１１からリリースされている部分とが存在する。   As shown in FIGS. 2 and 3, in the second silicon substrate 12, the portion supported in contact with the oxide film 13 and the oxide film 13 are removed and the first silicon substrate 11 therebelow is removed. There is a released part.

具体的には、梁構造体５０のうち梁部２０と可動電極３０の部分がリリースされている部分であり、固定電極４１、４２および後述するアンカー部２１ａ、２１ｂが酸化膜１３に支持されている部分である。この様子は、図１において、第２シリコン基板１２のうちその下の酸化膜１３が除去されている領域に対して、便宜上ハッチングを施すことにより表してある。   Specifically, the beam structure 20 is a portion where the beam portion 20 and the movable electrode 30 are released, and the fixed electrodes 41 and 42 and anchor portions 21 a and 21 b described later are supported by the oxide film 13. It is a part. This state is shown in FIG. 1 by hatching the region of the second silicon substrate 12 where the oxide film 13 therebelow has been removed for convenience.

このような加速度センサ１００は、たとえば、次のようにして製造される。ＳＯＩ基板１０の第２シリコン基板１２にフォトリソグラフ技術を用いて梁構造体に対応した形状のマスクを形成する。   Such an acceleration sensor 100 is manufactured as follows, for example. A mask having a shape corresponding to the beam structure is formed on the second silicon substrate 12 of the SOI substrate 10 by using a photolithography technique.

その後、ＣＦ4やＳＦ6等のガスを用いてドライエッチング等にてトレンチエッチングを行い、溝１４を形成することによって、上記した梁構造体５０のパターンを一括して形成する。 Thereafter, trench etching is performed by dry etching or the like using a gas such as CF 4 or SF 6 to form the groove 14, whereby the pattern of the beam structure 50 described above is collectively formed.

続いて、犠牲層エッチングにより、溝１４を介して酸化膜１３を除去すべき部位にて、当該酸化膜１３をエッチングして除去する。このようにして、梁部２０および可動電極３０がリリースされ、加速度センサ１００を製造することができる。   Subsequently, the oxide film 13 is etched and removed at a portion where the oxide film 13 is to be removed via the groove 14 by sacrificial layer etching. In this way, the beam portion 20 and the movable electrode 30 are released, and the acceleration sensor 100 can be manufactured.

加速度センサ１００における梁構造体５０のうち固定電極４１、４２は、一対の櫛歯状をなすもので、半導体基板１０の中央部に配置されている。これら固定電極４１、４２は、図１〜図３に示されるように、その下の酸化膜１３を介して第１シリコン基板１１に固定され、支持されている
そして、これら一対の固定電極４１、４２の外側には、梁構造体としての矩形枠状の枠部材６０が、これら固定電極４１、４２を取り囲むように配置されている。ここで、枠部材６０は、梁部２０および可動電極３０として構成される。 Of the beam structure 50 in the acceleration sensor 100, the fixed electrodes 41 and 42 form a pair of comb teeth and are arranged at the center of the semiconductor substrate 10. As shown in FIGS. 1 to 3, these fixed electrodes 41 and 42 are fixed to and supported by the first silicon substrate 11 via the underlying oxide film 13, and the pair of fixed electrodes 41, A rectangular frame-shaped frame member 60 as a beam structure is disposed outside the 42 so as to surround the fixed electrodes 41 and 42. Here, the frame member 60 is configured as the beam portion 20 and the movable electrode 30.

梁部２０は枠部材６０における辺部として構成されたものである。本例では、図１に示されるように、梁部２０は、枠部材６０における対向する２個の辺部として構成されている。そして、梁部２０は、これらの辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものである。   The beam portion 20 is configured as a side portion in the frame member 60. In this example, as shown in FIG. 1, the beam portion 20 is configured as two opposing side portions in the frame member 60. And the beam part 20 has a spring property in the direction orthogonal to the longitudinal direction of these edge parts.

また、可動電極３０は、図１に示されるように、枠部材６０における辺部とこの辺部から枠部材６０の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成されている。本例では、可動電極３０は、枠部材６０における梁部２０以外の対向する２個の辺部に設けられている。   Further, as shown in FIG. 1, the movable electrode 30 is configured as a side portion of the frame member 60 and a comb-like shape protruding from the side portion toward the inner peripheral side of the frame member 60. In this example, the movable electrode 30 is provided on two opposing side portions of the frame member 60 other than the beam portion 20.

そして、固定電極４１、４２は、可動電極３０の櫛歯にかみ合うように枠部材６０に向かって突出してする櫛歯形状となっている。そして、可動電極３０と固定電極４１、４２とで互いに対向する櫛歯の側面の間が、容量を検出するための検出間隔として形成されている。   The fixed electrodes 41 and 42 have a comb-teeth shape that protrudes toward the frame member 60 so as to mesh with the comb teeth of the movable electrode 30. And between the side surfaces of the comb teeth facing each other between the movable electrode 30 and the fixed electrodes 41 and 42 is formed as a detection interval for detecting the capacitance.

ここで、枠部材６０は、２個のアンカー部２１ａ、２１ｂによって第１シリコン基板１１に支持されている。   Here, the frame member 60 is supported by the first silicon substrate 11 by the two anchor portions 21a and 21b.

本例では、アンカー部２１ａ、２１ｂは、枠部材６０における梁部２０を構成する２個の辺部の中央部に設けられており、図３に示されるように、酸化膜１３を介して第１シリコン基板１１に支持されている。   In this example, the anchor portions 21a and 21b are provided in the central portion of the two side portions constituting the beam portion 20 in the frame member 60. As shown in FIG. 1 supported on a silicon substrate 11.

それにより、梁部２０は、アンカー部２１ａ、２１ｂに固定された部位を固定端とし、この固定端とは反対側の両端部を自由端として、図１中のＸ軸方向の成分を含む加速度を受けたときに可動電極３０を基板面水平方向にてＸ軸方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。   As a result, the beam portion 20 has a portion fixed to the anchor portions 21a and 21b as a fixed end, and both ends opposite to the fixed end as free ends, and an acceleration including a component in the X-axis direction in FIG. The movable electrode 30 is displaced in the X-axis direction in the horizontal direction of the substrate surface when being received, and is restored to the original state in accordance with the disappearance of the acceleration.

よって、このような梁部２０を介して第１シリコン基板１１に連結されている可動電極３０は、支持基板である第１シリコン基板１１上において、加速度の印加に応じて基板水平方向にてＸ軸方向へ変位可能となっている。   Therefore, the movable electrode 30 connected to the first silicon substrate 11 via the beam portion 20 is placed on the first silicon substrate 11 as the support substrate in the horizontal direction of the substrate in response to the application of acceleration. It can be displaced in the axial direction.

つまり、加速度の印加時には、枠部材６０における梁部２０として構成されている２個の辺部の長手方向（図１中のＹ軸方向）と直交する方向、すなわち可動電極３０が設けられている辺部の長手方向（図１中のＸ軸方向）に、可動電極３０は変位するようになっている。   That is, when applying acceleration, the movable electrode 30 is provided in a direction orthogonal to the longitudinal direction (Y-axis direction in FIG. 1) of the two side portions configured as the beam portion 20 in the frame member 60. The movable electrode 30 is displaced in the longitudinal direction of the side portion (X-axis direction in FIG. 1).

また、図１に示されるように、一対の固定電極４１、４２のそれぞれに対して、外部との電気的な接続を行うためのパッド４１ａ、４２ａが設けられている。   As shown in FIG. 1, pads 41 a and 42 a for electrical connection with the outside are provided for each of the pair of fixed electrodes 41 and 42.

また、一方のアンカー部２１ｂには、可動電極３０と外部との電気的な接続を行うためのパッド３０ａが設けられている。これらパッド３０ａ、４１ａ、４２ａは、スパッタなどにより形成されたアルミニウム膜などからなる。   One anchor portion 21b is provided with a pad 30a for electrical connection between the movable electrode 30 and the outside. These pads 30a, 41a, 42a are made of an aluminum film formed by sputtering or the like.

そして、本加速度センサ１００は、これらパッド３０ａ、４１ａ、４２ａを介して、たとえばボンディングワイヤやバンプなどにより、図示しない回路チップに電気的に接続される。この回路チップは、加速度センサ１００からの出力信号を処理するための検出回路が形成されたものである。   The acceleration sensor 100 is electrically connected to a circuit chip (not shown) via the pads 30a, 41a and 42a, for example, by bonding wires or bumps. This circuit chip is formed with a detection circuit for processing an output signal from the acceleration sensor 100.

そして、本加速度センサ１００の検出動作は、次の通りである。上述したように、加速度センサ１００においては、可動電極３０の側面に対して固定電極４１、４２の側面が対向して設けられており、これら両電極の側面の各対向間隔において、容量を検出するための検出間隔が形成されている。   The detection operation of the acceleration sensor 100 is as follows. As described above, in the acceleration sensor 100, the side surfaces of the fixed electrodes 41 and 42 are provided to face the side surface of the movable electrode 30, and the capacitance is detected at each facing interval between the side surfaces of both electrodes. A detection interval is formed.

ここで、図１中の左側の固定電極４１と可動電極３０との間隔に、検出容量として第１の容量ＣＳ１が形成されており、一方、右側の固定電極４２と可動電極３０との間隔に、検出容量として第２の容量ＣＳ２が形成されているとする。   Here, a first capacitor CS1 is formed as a detection capacitor in the interval between the left fixed electrode 41 and the movable electrode 30 in FIG. 1, while the interval between the right fixed electrode 42 and the movable electrode 30 is formed. Assume that a second capacitor CS2 is formed as a detection capacitor.

そして、加速度センサ１００において、図１中のＸ軸方向へ加速度が印加されると、梁部２０のバネ機能により、アンカー部２１ａ、２１ｂを基点として枠部材６０全体が一体的にＸ軸方向へ変位し、この変位に応じて、可動電極３０が変位し、上記した各々の容量ＣＳ１、ＣＳ２が変化する。   When acceleration is applied in the X-axis direction in FIG. 1 in the acceleration sensor 100, the entire frame member 60 is integrally moved in the X-axis direction with the anchor portions 21a and 21b as base points by the spring function of the beam portion 20. In accordance with this displacement, the movable electrode 30 is displaced, and the above-described capacitors CS1 and CS2 change.

そして、これら各容量ＣＳ１、ＣＳ２による差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化に基づく信号が加速度センサ１００から出力信号として出力され、この信号は上記回路チップにて処理され、最終的に出力される。こうして、本実施形態では、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。   Then, a signal based on the change in the differential capacitance (CS1-CS2) by these capacitors CS1 and CS2 is output as an output signal from the acceleration sensor 100, and this signal is processed by the circuit chip and finally output. . Thus, in the present embodiment, acceleration in the X-axis direction can be detected.

このように、本実施形態によれば、櫛歯状の固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成するとともに、枠部材２０の辺部に櫛歯状の可動電極３０を設け、梁部２０を、それを構成する辺部の長手方向と直交する方向に変位させるものにできる。   As described above, according to the present embodiment, the rectangular frame-shaped frame member 60 is provided outside the comb-shaped fixed electrodes 41 and 42, and the side portion is configured as the beam portion 20. A comb-like movable electrode 30 is provided on the part, and the beam part 20 can be displaced in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the side part constituting the electrode part.

そのため、本実施形態の加速度センサ１００によれば、従来のように可動電極を固定電極の内側に位置させることなく、梁部２０による可動電極３０の変位を可能とした構成を実現することができる。   Therefore, according to the acceleration sensor 100 of the present embodiment, it is possible to realize a configuration in which the movable electrode 30 can be displaced by the beam portion 20 without positioning the movable electrode inside the fixed electrode as in the related art. .

また、本実施形態では、固定電極４１、４２の外側に設けた矩形枠状の枠部材６０の辺部を、梁部２０として構成することにより、当該梁部２０を長くしてそのバネ定数を小さくし、センサ感度を向上させることが容易になる。   Moreover, in this embodiment, the side part of the frame member 60 of the rectangular frame shape provided in the outer side of the fixed electrodes 41 and 42 is comprised as the beam part 20, The said beam part 20 is lengthened and the spring constant is set. It becomes easy to reduce and improve the sensor sensitivity.

たとえば、本実施形態の加速度センサ１００においては、図１中の横寸法Ａ１と縦寸法Ｂ１との積（Ａ１×Ｂ１）が、半導体基板１０における電極部の占有面積となり、上記図７に示される従来の加速度センサにおいては、図７中の横寸法Ａ２と縦寸法Ｂ２との積（Ａ２×Ｂ２）が、半導体基板１０における電極部の占有面積となる。   For example, in the acceleration sensor 100 of the present embodiment, the product (A1 × B1) of the horizontal dimension A1 and the vertical dimension B1 in FIG. 1 is the area occupied by the electrode portion in the semiconductor substrate 10, and is shown in FIG. In the conventional acceleration sensor, the product (A2 × B2) of the horizontal dimension A2 and the vertical dimension B2 in FIG.

ここで、本実施形態と従来とで、電極部の占有面積を略同等とした場合において、梁部２０の幅寸法や溝１４の間隔といった主要寸法を同一に設計としたとき、本実施形態の梁部２０の長さは、従来のものに対して、より外側に配置されている分、長くすることができる。   Here, when the occupied area of the electrode portion is substantially equal between the present embodiment and the conventional one, when the main dimensions such as the width dimension of the beam portion 20 and the interval between the grooves 14 are designed to be the same, The length of the beam portion 20 can be made longer than the conventional one because it is arranged on the outer side.

そのため、本実施形態の梁部２０は、従来の梁部２０に比べてバネ定数を小さいものにできる。また、本実施形態の梁部２０は、従来のような細長矩形枠状の梁構造から１本の梁として構成されるため、形状的にも従来に比べて簡単になる。   Therefore, the beam portion 20 of the present embodiment can have a smaller spring constant than the conventional beam portion 20. Moreover, since the beam part 20 of this embodiment is comprised as one beam from the beam structure of the elongate rectangular frame shape like the past, it is simple also in shape compared with the past.

また、このような本実施形態の加速度センサ１００は、製法的には、従来と変わるところがなく、マスク設計を変えるのみであり、基本的な変更点はない。   In addition, the acceleration sensor 100 according to the present embodiment has the same manufacturing method as the conventional one, only the mask design is changed, and there is no fundamental change.

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。 (Second Embodiment)
FIG. 4 is a schematic plan view showing the configuration of the main part of the acceleration sensor according to the second embodiment of the present invention.

上記実施形態では、上記図１に示されるように、可動電極３０は、枠部材６０における辺部側の部位から突出先端側に渡って太さが同一の形状にて突出しているが、本実施形態では、図４に示されるように、可動電極３０は、枠部材６０における辺部側の部位が太く突出先端側が細くなるようなテーパ形状にて突出している。   In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the movable electrode 30 protrudes in the same shape from the side portion of the frame member 60 to the protruding tip side. In the form, as shown in FIG. 4, the movable electrode 30 protrudes in a tapered shape such that the side portion of the frame member 60 is thick and the protruding tip side is thin.

それによれば、加速度の印加時に梁部２０によって、可動電極３０がX軸方向へ大きく変位し、その櫛歯部分が慣性で振られたとしても、当該櫛歯部分の剛性を保つことができる。   According to this, even when the movable electrode 30 is largely displaced in the X-axis direction by the beam portion 20 when the acceleration is applied and the comb tooth portion is shaken by inertia, the rigidity of the comb tooth portion can be maintained.

また、図５は、本実施形態のもう一つの例を示す概略平面図である。このように、固定電極４１、４２側の櫛歯部分についても、可動電極３０と同様のテーパ形状としてもよい。この場合、エッチングによって、可動電極３０と固定電極４１、４２との間の溝１４の幅を制御しやすくなる。   FIG. 5 is a schematic plan view showing another example of the present embodiment. As described above, the comb-tooth portions on the fixed electrodes 41 and 42 side may have a tapered shape similar to that of the movable electrode 30. In this case, the width of the groove 14 between the movable electrode 30 and the fixed electrodes 41 and 42 can be easily controlled by etching.

（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。 (Third embodiment)
FIG. 6 is a schematic plan view showing the configuration of the main part of the acceleration sensor according to the third embodiment of the present invention.

上記第１実施形態では、梁部２０は枠部材６０における対向する２個の辺部として構成され、可動電極３０は枠部材６０における梁部２０以外の対向する２個の辺部に設けられていた。   In the first embodiment, the beam part 20 is configured as two opposing side parts in the frame member 60, and the movable electrode 30 is provided on two opposing side parts other than the beam part 20 in the frame member 60. It was.

それに対して、本実施形態では、図６に示されるように、梁部２０を、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部として構成している。つまり、本実施形態では、枠部材６０において、可動電極３０と梁部２０とを同一の辺部に設けている。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 6, the beam portion 20 is configured as a side portion where the movable electrode 30 in the frame member 60 is provided. That is, in the present embodiment, in the frame member 60, the movable electrode 30 and the beam portion 20 are provided on the same side portion.

本例では、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部において、可動電極３０が設けられている部位の両端部を、可動電極３０が設けられている部位よりも細くし、この細くなっている両端部を梁部２０として構成している。   In this example, in the side portion of the frame member 60 where the movable electrode 30 is provided, both ends of the portion where the movable electrode 30 is provided are made thinner than the portion where the movable electrode 30 is provided. Both ends are formed as a beam portion 20.

具体的には、図６において、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部において可動電極３０が設けられている部位の両端部の幅寸法ｂを、枠部材６０における可動電極３０が設けられていない辺部の幅寸法ａよりも細くする。   Specifically, in FIG. 6, the width dimension b of both ends of the portion where the movable electrode 30 is provided in the side portion where the movable electrode 30 is provided in the frame member 60 is expressed by the movable electrode 30 in the frame member 60. It is made thinner than the width dimension a of the side not provided.

それにより、本例の梁部２０は、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部の長手方向と直交する方向すなわちＹ軸方向にバネ性を発揮するものとなる。そのため、本例では、上記実施形態とは異なるＹ軸方向の加速度が印加されたとき、可動電極３０は、当該Ｙ軸方向に変位するようになっている。   Thereby, the beam part 20 of this example exhibits a spring property in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the side part in which the movable electrode 30 is provided in the frame member 60, that is, the Y-axis direction. Therefore, in this example, when an acceleration in the Y-axis direction different from that in the above embodiment is applied, the movable electrode 30 is displaced in the Y-axis direction.

つまり、本例の加速度センサは、Ｙ軸に感度を持つ加速度センサであり、Ｙ軸方向の加速度が印加されたとき、可動電極３０がＹ軸方向に変位すると、可動電極３０と固定電極４１、４２との対向面積が増減する。   That is, the acceleration sensor of this example is an acceleration sensor having sensitivity to the Y axis. When the acceleration in the Y axis direction is applied, and the movable electrode 30 is displaced in the Y axis direction, the movable electrode 30 and the fixed electrode 41, The area opposite to 42 increases or decreases.

そして、この両電極３０、４１、４２の対向面積の変化により、両電極３０、４１、４２間の容量が変化し、この容量変化に基づいて、上記実施形態と同様の要領にてＹ軸方向の加速度を検出することができる。   The capacitance between the electrodes 30, 41, 42 changes due to the change in the facing area of the electrodes 30, 41, 42. Based on the change in the capacitance, the Y-axis direction is the same as in the above embodiment. Can be detected.

このような本例の加速度センサは、上記実施形態の加速度センサに対して、上記したような各幅寸法ａおよびｂの関係を実現するように、エッチングのマスクを部分的に設計変更すれば、容易に実現できるものである。   In the acceleration sensor of this example, if the etching mask is partially redesigned so as to realize the relationship between the width dimensions a and b as described above with respect to the acceleration sensor of the above embodiment, It can be easily realized.

なお、本実施形態では、梁部２０が、枠部材６０における可動電極３０が設けられている辺部として構成されていればよく、上記図６に示されるような、可動電極３０が設けられている部位の両端部を梁部２０として構成する例以外のものでもよい。   In the present embodiment, the beam portion 20 may be configured as a side portion where the movable electrode 30 in the frame member 60 is provided, and the movable electrode 30 as shown in FIG. 6 is provided. The thing other than the example which comprises the both ends of the site | part which is present as the beam part 20 may be sufficient.

たとえば、図８に示されるように、可動電極３０が設けられている辺部の全体を細くして、当該辺部の全体を梁部２０として構成してもよく、それにより、この梁部２０が、Ｙ軸方向にたわむことによってバネ性を発揮するようにしてもよい。   For example, as shown in FIG. 8, the entire side portion on which the movable electrode 30 is provided may be narrowed and the entire side portion may be configured as the beam portion 20, thereby the beam portion 20. However, the spring property may be exhibited by bending in the Y-axis direction.

つまり、固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成することにより、部分的な設計変更を行うことにより、X軸に感度を持つ加速度センサであっても、それと直交するＹ軸に感度を持つ加速度センサであっても、容易に実現することができる。   In other words, by providing a rectangular frame-shaped frame member 60 outside the fixed electrodes 41 and 42 and configuring the side portion thereof as the beam portion 20, an acceleration having sensitivity to the X axis can be achieved by performing partial design changes. Even if it is a sensor, even if it is an acceleration sensor which has a sensitivity to the Y-axis orthogonal to it, it can implement | achieve easily.

（他の実施形態）
なお、上記各図に示される可動電極３０および固定電極４１、４２の構成は、あくまで一実施形態であり、本発明は、櫛歯状の固定電極４１、４２の外側に矩形枠状の枠部材６０を設け、その辺部を梁部２０として構成し、さらに梁部２０を構成する辺部と同一もしくは異なる辺部に、櫛歯状の可動電極３０を設ける構成であるならば、上記実施形態に限定されるものではない。 (Other embodiments)
The configurations of the movable electrode 30 and the fixed electrodes 41 and 42 shown in the above drawings are only one embodiment, and the present invention is a rectangular frame-shaped frame member outside the comb-shaped fixed electrodes 41 and 42. 60, the side portion is configured as the beam portion 20, and the comb-like movable electrode 30 is provided on the side portion that is the same as or different from the side portion that configures the beam portion 20. It is not limited to.

また、上記実施形態では、半導体基板１０の一面側からエッチングを行い、さらに酸化膜１３の犠牲層エッチングを行うことにより形成された表面加工型の加速度センサの例を示したが、半導体基板１０の他面すなわち第１シリコン基板１１側に開口部を形成することで可動電極をリリースさせる裏面加工型の加速度センサに対しても、本発明を適用することができる。   Moreover, in the said embodiment, although the example of the surface processing type acceleration sensor formed by etching from the one surface side of the semiconductor substrate 10 and also performing the sacrificial layer etching of the oxide film 13 was shown, The present invention can also be applied to a back surface processing type acceleration sensor that releases the movable electrode by forming an opening on the other surface, that is, the first silicon substrate 11 side.

また、半導体基板としては上記したＳＯＩ基板に限定されるものではない。たとえば、ＳＯＩ基板のような埋め込み酸化膜を持たないものであっても、半導体基板の一面側から梁構造体を区画する溝をエッチングにて形成し、さらに、サイドエッチングにより、可動電極や梁部の下部を除去し、これらをリリースさせるものであってもよい。   Further, the semiconductor substrate is not limited to the SOI substrate described above. For example, even if an SOI substrate does not have a buried oxide film, a groove that partitions the beam structure is formed by etching from one side of the semiconductor substrate, and the movable electrode or beam portion is further etched by side etching. It is also possible to remove the lower part of the and release them.

また、本発明は、加速度センサに限定されるものではなく、力学量すなわち角速度センサや圧力センサなどに対しても適用することができる。角速度センサに適用した例を以下に示す。   Further, the present invention is not limited to an acceleration sensor, but can be applied to a mechanical quantity, that is, an angular velocity sensor, a pressure sensor, or the like. An example applied to an angular velocity sensor is shown below.

図９は、本発明を角速度センサ２００に適用した場合の要部構成を示す概略平面図であり、図１０は、図９中の片側の振動体を示す部分平面図である。なお、図９、図１０において櫛歯構造体の櫛歯の数は実際の数よりも簡略化してある。また、図１０には、簡略化した信号経路も示してある。   FIG. 9 is a schematic plan view showing a main part configuration when the present invention is applied to the angular velocity sensor 200, and FIG. 10 is a partial plan view showing a vibrating body on one side in FIG. 9 and 10, the number of comb teeth of the comb structure is simplified from the actual number. FIG. 10 also shows a simplified signal path.

この角速度センサ２００は、図９、１０中のＺ軸周りの角速度Ωを検出するものである。本角速度センサ２００も、上記半導体基板１０を備え、この半導体基板１０に、上記加速度センサと同様の周知のマイクロマシン加工を施すことによって、形成されるものである。   The angular velocity sensor 200 detects an angular velocity Ω around the Z axis in FIGS. The angular velocity sensor 200 also includes the semiconductor substrate 10 and is formed by performing known micromachine processing similar to the acceleration sensor on the semiconductor substrate 10.

ここでは、角速度センサ２００は、溝１４により区画された２個の同じ構成を有する梁構造体としての振動体３００が平面的に対称的に配置されている。振動体３００は、アンカー部３０１によって支持された矩形枠状の枠部材としての櫛歯状の可動電極３０２が設けられている。   Here, in the angular velocity sensor 200, two vibrating bodies 300 as beam structures having the same configuration divided by the grooves 14 are arranged symmetrically in a plane. The vibrating body 300 is provided with a comb-like movable electrode 302 as a rectangular frame-shaped frame member supported by the anchor portion 301.

また、この可動電極３０２の内周には、櫛歯状の第１の固定電極３０３、第２の固定電極３０４が設けられており、それぞれ可動電極３０２と対向している。また、可動電極３０２の内周には、可動電極３０２を駆動させるための櫛歯状の第１の駆動電極３０５、第２の駆動電極３０６が設けられている。   In addition, a comb-shaped first fixed electrode 303 and a second fixed electrode 304 are provided on the inner periphery of the movable electrode 302 and face the movable electrode 302. Further, on the inner periphery of the movable electrode 302, a comb-shaped first drive electrode 305 and a second drive electrode 306 for driving the movable electrode 302 are provided.

そして、各固定電極３０３、３０４および各駆動電極３０５、３０６には、外部との電気的な接続を行うためのパッド３０３ａ、３０４ａ、３０５ａ、３０６ａが設けられている。   Each fixed electrode 303, 304 and each drive electrode 305, 306 are provided with pads 303a, 304a, 305a, 306a for electrical connection with the outside.

この角速度センサ２００の動作は次のようになる。駆動電極３０５および３０６に交流電圧を印加し、図１０中のＸ軸方向へ静電引力による速度ｖを発生させると、可動電極３０２がＸ軸方向へ変位する。   The operation of the angular velocity sensor 200 is as follows. When an AC voltage is applied to the drive electrodes 305 and 306 to generate a velocity v due to electrostatic attraction in the X-axis direction in FIG. 10, the movable electrode 302 is displaced in the X-axis direction.

ここで、図１０中の紙面垂直方向すなわちＺ軸周りに角速度Ωが入力されると、コリオリ力がＹ軸方向へ発生する。それによって、可動電極３０２がＹ軸方向へ変位する。そして、固定電極３０３および３０４において、静電容量変化が検出信号として得られ、角速度Ωが検出できる。   Here, when the angular velocity Ω is input in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 10, that is, around the Z axis, Coriolis force is generated in the Y axis direction. Thereby, the movable electrode 302 is displaced in the Y-axis direction. Then, in the fixed electrodes 303 and 304, the capacitance change is obtained as a detection signal, and the angular velocity Ω can be detected.

なお、図９のように、振動体３００を対称的に配置させるのは、両振動体３００に与える速度ｖを逆相で与えることによって、検出信号の差分をとって不要信号成分をキャンセルさせるためである。   As shown in FIG. 9, the vibrators 300 are arranged symmetrically in order to cancel the unnecessary signal component by taking the difference between the detection signals by giving the speed v given to both vibrators 300 in opposite phase. It is.

また、この角速度センサ２００においても、上記加速度センサの例と同じように、梁構造形状の簡略化と設計容易化等により、コストダウンが図れる。また、製造方法についても同様で基本的に従来と変わるところはない。   Also in this angular velocity sensor 200, the cost can be reduced by simplifying the beam structure shape and simplifying the design, as in the example of the acceleration sensor. Also, the manufacturing method is the same and there is basically no difference from the conventional method.

本発明の第１実施形態に係る容量式力学量センサとしての加速度センサの概略平面図である。1 is a schematic plan view of an acceleration sensor as a capacitive mechanical quantity sensor according to a first embodiment of the present invention. 図１中のＡ−Ａ概略断面図である。It is an AA schematic sectional drawing in FIG. 図１中のＢ−Ｂ概略断面図である。It is a BB schematic sectional drawing in FIG. 本発明の第２実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure of the principal part of the acceleration sensor which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 上記第２実施形態のもう一つの例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows another example of the said 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係る加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure of the principal part of the acceleration sensor which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 従来の一般的な力学量センサの概略平面図である。It is a schematic plan view of a conventional general mechanical quantity sensor. 本発明の第３実施形態に係る別の加速度センサの要部の構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure of the principal part of another acceleration sensor which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明を角速度センサに適用した場合の要部構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the principal part structure at the time of applying this invention to an angular velocity sensor. 図９中の片側の振動体を示す部分平面図である。FIG. 10 is a partial plan view showing a vibrating body on one side in FIG. 9.

符号の説明Explanation of symbols

１０…半導体基板、１４…溝、２０…梁部、３０…可動電極、
４１、４２…固定電極、５０…梁構造体、６０…枠部材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor substrate, 14 ... Groove, 20 ... Beam part, 30 ... Movable electrode,
41, 42 ... fixed electrode, 50 ... beam structure, 60 ... frame member.

Claims (5)

半導体基板（１０）の一面側に溝（１４）を形成することにより、梁構造体（５０）が形成されており、
前記梁構造体（５０）は、バネ性を有する梁部（２０）と、
前記梁部（２０）に連結され力学量の印加時に前記梁部（２０）のバネ力により変位する櫛歯状の可動電極（３０）と、
前記可動電極（３０）と対向して配置された櫛歯状の固定電極（４１、４２）とを備えたものであり、
前記可動電極（３０）と前記固定電極（４１、４２）との間の容量変化に基づき力学量を検出する力学量センサにおいて、
前記梁構造体（５０）は、前記固定電極（４１、４２）と、前記固定電極（４１、４２）の外側を取り囲むように配置された矩形枠状の枠部材（６０）とを有し、
前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における辺部として構成されるとともに、この辺部の長手方向と直交する方向にバネ性を有するものであり、
前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における辺部から前記枠部材（５０）の内周側に向かって櫛歯状に突出したものとして構成されており、
前記固定電極（４１、４２）は、前記可動電極（３０）にかみ合うように前記枠部材（６０）に向かって突出する櫛歯形状となっていることを特徴とする力学量センサ。 By forming the groove (14) on one surface side of the semiconductor substrate (10), the beam structure (50) is formed,
The beam structure (50) includes a beam portion (20) having a spring property,
A comb-like movable electrode (30) connected to the beam portion (20) and displaced by the spring force of the beam portion (20) when applying a mechanical quantity;
Comb-shaped fixed electrodes (41, 42) arranged to face the movable electrode (30),
In a mechanical quantity sensor that detects a mechanical quantity based on a change in capacitance between the movable electrode (30) and the fixed electrode (41, 42),
The beam structure (50) includes the fixed electrode (41, 42) and a rectangular frame-shaped frame member (60) arranged so as to surround the outside of the fixed electrode (41, 42).
The beam portion (20) is configured as a side portion in the frame member (60), and has a spring property in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the side portion,
The movable electrode (30) is configured to protrude in a comb-tooth shape from the side of the frame member (60) toward the inner peripheral side of the frame member (50),
The mechanical quantity sensor characterized in that the fixed electrodes (41, 42) have a comb-teeth shape projecting toward the frame member (60) so as to engage with the movable electrode (30). 前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における対向する２個の辺部として構成され、
前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における前記梁部（２０）以外の対向する２個の辺部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の力学量センサ。 The beam portion (20) is configured as two opposing side portions in the frame member (60),
The mechanical quantity sensor according to claim 1, wherein the movable electrode (30) is provided on two opposing side portions of the frame member (60) other than the beam portion (20). 前記梁部（２０）は、前記枠部材（６０）における前記可動電極（３０）が設けられている辺部として構成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の力学量センサ。 The mechanical quantity sensor according to claim 1, wherein the beam portion (20) is configured as a side portion of the frame member (60) where the movable electrode (30) is provided. 前記枠部材（６０）における前記可動電極（３０）が設けられている辺部において、前記可動電極（３０）が設けられている部位の両端部は、前記可動電極（３０）が設けられている部位よりも細くなっており、当該両端部が前記梁部（２０）として構成されていることを特徴とする請求項３に記載の力学量センサ。 In the side of the frame member (60) where the movable electrode (30) is provided, both ends of the portion where the movable electrode (30) is provided are provided with the movable electrode (30). The mechanical quantity sensor according to claim 3, wherein the mechanical quantity sensor is thinner than a portion, and the both end portions are configured as the beam portions (20). 前記可動電極（３０）は、前記枠部材（６０）における辺部側の部位が太く突出先端側が細くなるようなテーパ形状となっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の力学量センサ。 5. The movable electrode (30) according to any one of claims 1 to 4, wherein the movable electrode (30) has a tapered shape such that a side portion of the frame member (60) is thick and a protruding tip side is thin. The mechanical quantity sensor described in 1.
JP2005331595A 2005-11-16 2005-11-16 Capacitance-type dynamic quantity sensor Pending JP2007139505A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005331595A JP2007139505A (en) 2005-11-16 2005-11-16 Capacitance-type dynamic quantity sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005331595A JP2007139505A (en) 2005-11-16 2005-11-16 Capacitance-type dynamic quantity sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007139505A true JP2007139505A (en) 2007-06-07

Family

ID=38202571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005331595A Pending JP2007139505A (en) 2005-11-16 2005-11-16 Capacitance-type dynamic quantity sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007139505A (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010117266A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Alps Electric Co Ltd Mems sensor and manufacturing method therefor
CN102707090A (en) * 2012-01-11 2012-10-03 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Acceleration transducer
CN103091510A (en) * 2011-10-27 2013-05-08 罗伯特·博世有限公司 Micromechanical Component And Method For Manufacturing A Micromechanical Component
US8847708B2 (en) 2011-03-30 2014-09-30 Seiko Epson Corporation MEMS vibrator and oscillator
WO2014203903A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-24 ヤマハ株式会社 Resonance frequency adjustment module
WO2015033543A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-12 株式会社デンソー Acceleration sensor
CN104597287A (en) * 2015-01-30 2015-05-06 歌尔声学股份有限公司 Inertia measurement module and triaxial accelerometer
WO2016101611A1 (en) * 2014-12-25 2016-06-30 歌尔声学股份有限公司 Inertia measurement module and three-axis accelerometer
JP2016133456A (en) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社デンソー Acceleration sensor and implementation structure of the same
US9470711B2 (en) 2012-04-02 2016-10-18 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor and electronic apparatus
US9739797B2 (en) 2012-05-15 2017-08-22 Denso Corporation Sensor device
EP3333578A1 (en) 2016-12-07 2018-06-13 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
EP3441771A1 (en) 2017-08-10 2019-02-13 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, inertial measurement unit, electronic apparatus, and vehicle
US10302670B2 (en) 2014-12-26 2019-05-28 Denso Corporation Acceleration sensor
CN109839516A (en) * 2017-11-28 2019-06-04 精工爱普生株式会社 Physical quantity transducer, inertia measuring device, electronic equipment and moving body
CN110082565A (en) * 2018-01-26 2019-08-02 精工爱普生株式会社 Physical quantity transducer, electronic equipment and moving body
US10830789B2 (en) 2016-12-07 2020-11-10 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
CN112444273A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 株式会社东芝 Sensor with a sensor element
US11035875B2 (en) 2017-08-31 2021-06-15 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, portable electronic device, electronic device, and mobile body
US11085946B2 (en) 2017-08-25 2021-08-10 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic device, and mobile body
CN113302833A (en) * 2019-01-16 2021-08-24 株式会社鹭宫制作所 MEMS beam structure and MEMS vibration power generation element
US11112424B2 (en) 2017-08-29 2021-09-07 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, complex sensor, inertial measurement unit, portable electronic device, electronic device, and vehicle
US11204367B2 (en) 2017-11-28 2021-12-21 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, complex sensor device, inertial measurement unit, and vehicle
JP7452492B2 (en) 2021-05-21 2024-03-19 株式会社デンソー Inertial sensor and its manufacturing method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163167A (en) * 1984-09-04 1986-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sound multiplex signal processing device
JPH10178181A (en) * 1996-12-17 1998-06-30 Mitsubishi Materials Corp Manufacture of semiconductor inertial sensor
JP2000131074A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Aisin Seiki Co Ltd Electrostatically driven angular velocity-detecting apparatus
JP2001147236A (en) * 1999-09-10 2001-05-29 Stmicroelectronics Srl Electromechanical microstructure insensitive to mechanical stress
WO2005017538A1 (en) * 2003-08-13 2005-02-24 Sercel Accelerometer with reduced extraneous vibrations owing to improved return movement
JP2005098740A (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Denso Corp Capacitance-type semiconductor dynamic quantity sensor
JP2005274456A (en) * 2004-03-25 2005-10-06 Denso Corp Sensor system

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163167A (en) * 1984-09-04 1986-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sound multiplex signal processing device
JPH10178181A (en) * 1996-12-17 1998-06-30 Mitsubishi Materials Corp Manufacture of semiconductor inertial sensor
JP2000131074A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Aisin Seiki Co Ltd Electrostatically driven angular velocity-detecting apparatus
JP2001147236A (en) * 1999-09-10 2001-05-29 Stmicroelectronics Srl Electromechanical microstructure insensitive to mechanical stress
WO2005017538A1 (en) * 2003-08-13 2005-02-24 Sercel Accelerometer with reduced extraneous vibrations owing to improved return movement
JP2005098740A (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Denso Corp Capacitance-type semiconductor dynamic quantity sensor
JP2005274456A (en) * 2004-03-25 2005-10-06 Denso Corp Sensor system

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010117266A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Alps Electric Co Ltd Mems sensor and manufacturing method therefor
US8847708B2 (en) 2011-03-30 2014-09-30 Seiko Epson Corporation MEMS vibrator and oscillator
CN103091510A (en) * 2011-10-27 2013-05-08 罗伯特·博世有限公司 Micromechanical Component And Method For Manufacturing A Micromechanical Component
CN103091510B (en) * 2011-10-27 2017-03-01 罗伯特·博世有限公司 Micro mechanical device and the method for manufacturing micro mechanical device
CN102707090A (en) * 2012-01-11 2012-10-03 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Acceleration transducer
US9470711B2 (en) 2012-04-02 2016-10-18 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor and electronic apparatus
US9739797B2 (en) 2012-05-15 2017-08-22 Denso Corporation Sensor device
WO2014203903A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-24 ヤマハ株式会社 Resonance frequency adjustment module
JPWO2014203903A1 (en) * 2013-06-19 2017-02-23 株式会社村田製作所 Resonance frequency adjustment module
JP2015049190A (en) * 2013-09-03 2015-03-16 株式会社デンソー Acceleration sensor
DE112014004013B4 (en) 2013-09-03 2022-02-24 Denso Corporation accelerometer
US9791472B2 (en) 2013-09-03 2017-10-17 Denso Corporation Acceleration sensor
WO2015033543A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-12 株式会社デンソー Acceleration sensor
US10473686B2 (en) 2014-12-25 2019-11-12 Goertek Inc. Inertia measurement module and triaxial accelerometer
WO2016101611A1 (en) * 2014-12-25 2016-06-30 歌尔声学股份有限公司 Inertia measurement module and three-axis accelerometer
US10302670B2 (en) 2014-12-26 2019-05-28 Denso Corporation Acceleration sensor
DE112016000420B4 (en) 2015-01-21 2023-06-07 Denso Corporation ACCELERATION SENSOR AND MOUNTING ARRANGEMENT OF AN ACCELERATION SENSOR
CN107873083A (en) * 2015-01-21 2018-04-03 株式会社电装 The installation constitution of acceleration transducer and acceleration transducer
US9972724B2 (en) 2015-01-21 2018-05-15 Denso Corporation Acceleration sensor and mounting structure of acceleration sensor
CN107873083B (en) * 2015-01-21 2019-11-29 株式会社电装 The mounting structure of acceleration transducer and acceleration transducer
WO2016117290A1 (en) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社デンソー Acceleration sensor and mounting structure for acceleration sensor
JP2016133456A (en) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社デンソー Acceleration sensor and implementation structure of the same
CN104597287B (en) * 2015-01-30 2017-09-05 歌尔股份有限公司 Inertia measuring module and three axis accelerometer
CN104597287A (en) * 2015-01-30 2015-05-06 歌尔声学股份有限公司 Inertia measurement module and triaxial accelerometer
EP3333578A1 (en) 2016-12-07 2018-06-13 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
US10416189B2 (en) 2016-12-07 2019-09-17 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
US10969403B2 (en) 2016-12-07 2021-04-06 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and movable object
JP2018091820A (en) * 2016-12-07 2018-06-14 セイコーエプソン株式会社 Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and movable body
US10830789B2 (en) 2016-12-07 2020-11-10 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
EP3441771A1 (en) 2017-08-10 2019-02-13 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, inertial measurement unit, electronic apparatus, and vehicle
US10976339B2 (en) 2017-08-10 2021-04-13 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, inertial measurement unit, electronic apparatus, and vehicle
US11085946B2 (en) 2017-08-25 2021-08-10 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic device, and mobile body
US11112424B2 (en) 2017-08-29 2021-09-07 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, complex sensor, inertial measurement unit, portable electronic device, electronic device, and vehicle
US11035875B2 (en) 2017-08-31 2021-06-15 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, portable electronic device, electronic device, and mobile body
US10739374B2 (en) 2017-11-28 2020-08-11 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, composite sensor device, inertial measurement unit, electronic apparatus, and vehicle
CN109839516B (en) * 2017-11-28 2022-07-29 精工爱普生株式会社 Physical quantity sensor, inertia measurement device, electronic apparatus, and moving object
CN109839516A (en) * 2017-11-28 2019-06-04 精工爱普生株式会社 Physical quantity transducer, inertia measuring device, electronic equipment and moving body
US11022625B2 (en) 2017-11-28 2021-06-01 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor having a movable portion including a frame surrounding a fixed portion fixed to a substrate
US11204367B2 (en) 2017-11-28 2021-12-21 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, complex sensor device, inertial measurement unit, and vehicle
US10919758B2 (en) 2018-01-26 2021-02-16 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, inertial measurement unit, electronic apparatus, portable electronic apparatus, and vehicle
CN110082565A (en) * 2018-01-26 2019-08-02 精工爱普生株式会社 Physical quantity transducer, electronic equipment and moving body
CN113302833A (en) * 2019-01-16 2021-08-24 株式会社鹭宫制作所 MEMS beam structure and MEMS vibration power generation element
US11848627B2 (en) 2019-01-16 2023-12-19 Saginomiya Seisakusho, Inc. MEMS beam structure and mems vibration-driven energy harvesting element
CN113302833B (en) * 2019-01-16 2024-02-06 株式会社鹭宫制作所 MEMS beam structure and MEMS vibration power generation element
CN112444273A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 株式会社东芝 Sensor with a sensor element
CN112444273B (en) * 2019-08-28 2023-01-13 株式会社东芝 Sensor with a sensor element
JP7452492B2 (en) 2021-05-21 2024-03-19 株式会社デンソー Inertial sensor and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007139505A (en) Capacitance-type dynamic quantity sensor
JP4353087B2 (en) Rotational vibration type angular velocity sensor
JP2002131331A (en) Semiconductor dynamical quantity sensor
JP4134853B2 (en) Capacitive mechanical sensor device
US20100107758A1 (en) Structural member having a plurality of conductive regions
JP2006189433A (en) Capacitive accelerometer based on micromachined comb
JP2012163507A (en) Acceleration sensor
JP2004340608A (en) Capacity type dynamic quantity sensor unit
JP2003240798A (en) Capacitive physical quantity sensor
JPH06123632A (en) Dynamic quantity sensor
JP2012163415A (en) Acceleration sensor and manufacturing method for the same
JP2005227143A (en) Method for inspecting semiconductor dynamic quantity sensor
US7210348B2 (en) Semiconductor dynamic quantity sensor
JP2005227089A (en) Dynamics quantity sensor apparatus
JP2007322149A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2004347499A (en) Semiconductor dynamical quantity sensor
JP4329275B2 (en) Mechanical quantity sensor
JP5369819B2 (en) Capacitive physical quantity detector
JP2008039595A (en) Capacitance acceleration sensor
JP4466283B2 (en) Gyro sensor
JP4893491B2 (en) Mechanical quantity detection sensor, acceleration sensor, yaw rate sensor, and production method of mechanical quantity detection sensor
JP5141545B2 (en) Mechanical quantity sensor device
JP2001349731A (en) Micro-machine device, angular acceleration sensor, and acceleration sensor
JP2002071708A (en) Semiconductor dynamic quantity sensor
JP2001281264A (en) Semiconductor dynamic quantity sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110405