JP2007134644A - Light transmitting cap, optical semiconductor module, and manufacturing method thereof - Google Patents
Light transmitting cap, optical semiconductor module, and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007134644A JP2007134644A JP2005328769A JP2005328769A JP2007134644A JP 2007134644 A JP2007134644 A JP 2007134644A JP 2005328769 A JP2005328769 A JP 2005328769A JP 2005328769 A JP2005328769 A JP 2005328769A JP 2007134644 A JP2007134644 A JP 2007134644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- top plate
- optical semiconductor
- metal stem
- cap
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光透過キャップ、光半導体モジュール及び光半導体モジュールの製造方法に関し、より特定的には、光半導体素子等を気密封止するために用いられる光透過キャップ、光半導体モジュール及び光半導体モジュールの製造方法に関する。 The present invention relates to a light transmissive cap, an optical semiconductor module, and an optical semiconductor module manufacturing method, and more specifically, a light transmissive cap, an optical semiconductor module, and an optical semiconductor module used for hermetically sealing an optical semiconductor element and the like. It relates to the manufacturing method.
光ファイバに接続される光通信用光半導体モジュールは、光半導体素子等を覆うように取り付けられる光透過キャップを備える。従来、光半導体モジュールの一部を構成する光透過キャップとして、光ファイバと、レーザーダイオードなどの発光素子やフォトダイオードなどの受光素子とを効率的に結合するために、レンズを備えるものが知られている。 An optical semiconductor module for optical communication connected to an optical fiber includes a light transmission cap attached so as to cover an optical semiconductor element and the like. Conventionally, as a light transmission cap constituting a part of an optical semiconductor module, one having a lens to efficiently couple an optical fiber with a light emitting element such as a laser diode or a light receiving element such as a photodiode is known. ing.
図4(a)は、従来の光通信用光半導体モジュールを示す断面図であり、図4(b)は、図4(a)に示されるC部の拡大図である。 FIG. 4A is a cross-sectional view showing a conventional optical semiconductor module for optical communication, and FIG. 4B is an enlarged view of a portion C shown in FIG.
図4(a)に示される光半導体モジュールは、金属ステム1と、リード13と、受/発光素子2と、光透過キャップ3とを備える。
The optical semiconductor module shown in FIG. 4A includes a
金属ステム1は、金属材料によって構成され、円盤状のベース部11と、ベース部11の表面に形成された素子搭載部12とを備える。
The
受/発光素子2は、例えば半導体レーザ、発光ダイオード等の発光素子と、フォトダイオード等の受光素子とを含む素子であり、金属ステム1の素子搭載部12上に実装されている。
The light receiving / emitting
リード13は、光半導体モジュールの入出力端子を構成する。リード13の各々は、金属ステム1のベース部11を貫通し、かつ、金属ステム1との間が絶縁されるように、ベース部11に取り付けられている。また、リード13の各々は、ボンディングワイヤ14を介して、受/発光素子2に電気的に接続されている。
The
光透過キャップ3は、受/発光素子2を気密状態に封止するために、金属ステム1のベース部11に取り付けられ、円形状のキャップ天板部30と、キャップ天板部30の外周縁の全体に接続される円筒形状の円筒部32と、円筒部32の開放端に接続されるフランジ部301と、レンズ4とを備える。キャップ天板部30の中央部には、開孔を形成することによって、光透過用の窓部31が形成されている。レンズ4は、受/発光素子2と光ファイバ6とを光結合させるため、すなわち、受/発光素子2から出射された光を光ファイバ6へと入射し、光ファイバ6から出射された光を受/発光素子2へと入射するために設けられている。レンズ4は、例えば、低融点ガラスや半田を用いて、または、熱封着によって、キャップ天板部30に取り付けられている。
The
また、光透過キャップ3のフランジ部301には、突起部302が形成されている。突起部302は、円筒部32の軸中心を取り囲み、かつ、フランジ部33の表面から環状に突出するように形成されている。
Further, a
また、光透過キャップ3のフランジ部301の端面303からレンズ4までの距離は、受/発光素子2の発光面(受光面)からレンズ4までの距離に応じた所定の寸法に設定されている。
The distance from the end surface 303 of the
光半導体モジュールは、図4(a)に示されるように、円筒形状の金属製スリーブ5及びフェルール部7を介して、光ファイバ6に接続される。金属製スリーブ5の内壁は、段付孔構造、すなわち、図4(a)における上端から下端へと段階的に内径が大きくなるように形成されている。フェルール部7は、光ファイバ6を挿入するための貫通孔を有し、金属性金属製スリーブ5の中空内部に挿入されている。また、フェルール部7における受/発光素子2側の端面は、ファイバ端面における入射光の反射によって生じる光損失を抑制するために、光軸に対して傾斜するように研磨されている。
The optical semiconductor module is connected to the
尚、金属製スリーブ5の長さは、レンズ4から光ファイバ6の端面までの距離が所定の寸法となるように設定されている。
The length of the
ここで、上記のような従来の光半導体モジュールの製造方法について説明する。 Here, a method for manufacturing the conventional optical semiconductor module as described above will be described.
まず、図4(a)に示されるように、素子搭載部12上に受/発光素子2が搭載された金属ステム1を用意し、突起部302の先端がベース部11表面の外周部分に当接するように、光透過キャップ3が金属ステム1上に載置される。
First, as shown in FIG. 4A, a
次に、受/発光素子2がレンズ4の光軸上に位置するように、金属ステム1と光透過キャップ3との相対位置が調整される。次に、突起部302に加圧・通電して抵抗溶接を行うことによって、光透過キャップ3は、金属ステム1に固着される。これにより、受/発光素子2は、金属ステム1と光透過キャップ3とによって気密封止される。
Next, the relative position of the
光透過キャップ3を金属ステム1に固着した後に、フェルール部7を介して光ファイバ6が取り付けられた金属製スリーブ5を、キャップ天板部30の外方面上に配置する。その後、金属製スリーブ5をキャップ天板部30に当接させた状態のまま、金属製スリーブ5をレンズ4の光軸と直行する方向(図4(a)における左右方向)に摺動させることによって、レンズ4と光ファイバ6との間で光軸の位置関係が調整される。そして、金属製スリーブ5と光透過キャップ3とをレーザ等を用いて溶接することによって、光ファイバ6は、フェルール部7及び金属製スリーブ5を介して、光透過キャップ3に対して固定される。
After the
上記のような光半導体モジュールの製造方法においては、受/発光素子2が搭載された金属ステム1に光透過キャップ3を抵抗溶接する際に、光透過キャップ3の突起部302の潰れの程度が一定ではなく、ばらつきやすいという問題がある。突起部302のつぶれの程度がばらつくと、レンズ4と受/発光素子2との距離が設計値からずれるため、受/発光素子2と光ファイバとの結合損失が増加するという問題がある。
In the manufacturing method of the optical semiconductor module as described above, when the
そこで、抵抗溶接時における突起部の潰れのばらつきが大きいことに起因する結合損失を低減させるために、フランジ部に抵抗溶接用の突起部が形成されていない光透過キャップを用いた光半導体モジュールが知られている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, in order to reduce the coupling loss due to the large variation in the crushing of the protrusions during resistance welding, an optical semiconductor module using a light transmission cap in which no protrusions for resistance welding are formed on the flanges is provided. It is known (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1に記載の光半導体モジュールは、受/発光素子が搭載された鍔付ステムと、フランジ部を有する光透過キャップと、断面が階段状に形成され、段毎に突起部が形成された段付輪体とを備える。当該光半導体モジュールにおいては、鍔付ステムと、光透過キャップとは、互いに面接触するように配置され、段付輪体を介して互いに接続される。したがって、段付輪体を用いる光半導体モジュールは、受/発光素子とレンズとの位置関係が一定に維持されるため、高い光結合効率を得ることができる。
特許文献1に記載の従来の光半導体モジュールは、金属ステムと、光透過キャップとに加えて、これらを接続するための段付輪体を別途必要とする。段付輪体の外径は、必然的に光透過キャップの外径より大きくなるため、組立て後の光半導体モジュールのサイズもまた大きくなる。したがって、特許文献1に記載の光半導体モジュールは、小型化に不向きであるという問題がある。
In addition to the metal stem and the light transmission cap, the conventional optical semiconductor module described in
また、互いに光軸の位置調整がされた金属ステム及び光透過キャップの各々に対して、段付輪体を抵抗溶接する際には、再度の光軸調整が必要であるため、光半導体モジュールの製造時の作業効率が悪いという問題もある。 Further, when resistance welding of the stepped ring body to each of the metal stem and the light transmission cap whose optical axes have been adjusted relative to each other, the optical axis needs to be adjusted again. There is also a problem that work efficiency at the time of manufacture is poor.
そこで、本発明は、小型化が可能で、かつ、半導体発光素子とレンズとの距離を一定に保つことができ、更に、組立の効率化を図ることができる光透過キャップ、光半導体モジュール及び光半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can reduce the size, can keep the distance between the semiconductor light emitting element and the lens constant, and can further improve the efficiency of assembly. An object is to provide a method for manufacturing a semiconductor module.
上記の目的を達成するために、第1の発明は、光半導体モジュールの一部を構成する光透過キャップであって、開孔が形成された天板部と、天板部の外周縁の全体から天板部に対して直交する一方向へと延びる筒状部と、筒状部の開放端の全体から筒状部の軸中心に対して直交する方向へと広がるように延びるフランジ部と、筒状部の軸中心を取り囲むように、かつ、天板部の外方面を含む平面から所定の第1の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される突起部と、突起部に沿って、天板部の外方面を含む平面から所定の第2の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される段差部とを備える。 In order to achieve the above object, a first invention is a light transmission cap that constitutes a part of an optical semiconductor module, wherein the top plate portion in which an opening is formed and the entire outer peripheral edge of the top plate portion A cylindrical portion extending in one direction orthogonal to the top plate portion, a flange portion extending so as to spread from the entire open end of the cylindrical portion in a direction orthogonal to the axial center of the cylindrical portion, A projecting portion formed on the flange portion so as to surround the axial center of the tubular portion and project in a ring shape in one direction from a plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined first distance; And a step portion formed on the flange portion so as to project annularly in one direction from the plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined second distance along the projection portion.
このような構成によれば、光透過キャップを金属ステムに抵抗溶接する際に、段差部が金属ステムに当接するため、フランジ部に設けられた突起部の押し込み量を一定にすることができる。 According to such a configuration, when the light transmitting cap is resistance-welded to the metal stem, the stepped portion comes into contact with the metal stem, so that the pushing amount of the protrusion provided on the flange portion can be made constant.
この場合、第1の距離は、第2の距離より大きく設定されても良い。 In this case, the first distance may be set larger than the second distance.
あるいは、第1の距離は、第2の距離以下に設定されても良い。 Alternatively, the first distance may be set to be equal to or less than the second distance.
また、段差部の先端は、同一平面上に含まれる平面状に形成されても良い。 Moreover, the tip of the stepped portion may be formed in a planar shape included on the same plane.
このような構成によれば、光透過キャップを金属ステムに抵抗溶接する際に、段差部の先端が金属ステムに面接触するため、光半導体素子の光軸に対する光透過キャップの中心軸の傾きを抑制することが可能となる。 According to such a configuration, when the light transmission cap is resistance-welded to the metal stem, the tip of the stepped portion is in surface contact with the metal stem, so that the inclination of the central axis of the light transmission cap with respect to the optical axis of the optical semiconductor element is reduced. It becomes possible to suppress.
また、光透過キャップは、開孔を覆うように天板部に取り付けられる光学レンズを含んでいても良い。 The light transmission cap may include an optical lens attached to the top plate so as to cover the opening.
第2の発明は、光半導体素子が封入される光半導体モジュールであって、その表面に光半導体素子が実装される金属ステムと、その内部に光半導体素子が収納されるように、金属ステムの表面に取り付けられる光透過キャップとを備え、光透過キャップは、開孔が形成された天板部と、天板部の外周縁の全体から天板部に対して直交する一方向へと延びる筒状部と、筒状部の開放端の全体から筒状部の軸中心に対して直交する方向へと広がるように延びるフランジ部と、筒状部の軸中心を取り囲むように、かつ、天板部の外方面を含む平面から所定の第1の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される突起部と、突起部に沿って、天板部の外方面を含む平面から所定の第2の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される段差部とを含み、突起部の先端は、段差部の先端が金属ステムに当接した状態で、金属ステムに溶接されるものである。 A second invention is an optical semiconductor module in which an optical semiconductor element is enclosed, the metal stem on which the optical semiconductor element is mounted on the surface thereof, and the metal stem so that the optical semiconductor element is accommodated therein. A light-transmitting cap that is attached to the surface, and the light-transmitting cap includes a top plate portion in which an opening is formed, and a cylinder that extends from the entire outer peripheral edge of the top plate portion in one direction orthogonal to the top plate portion. A cylindrical portion, a flange portion extending from the entire open end of the cylindrical portion in a direction perpendicular to the axial center of the cylindrical portion, a top plate so as to surround the axial center of the cylindrical portion, and A projecting portion formed on the flange portion so as to project annularly in one direction from a plane including the outer surface of the portion to a predetermined first distance, and an outer surface of the top plate portion along the projecting portion Projecting in an annular shape in one direction from the plane to a predetermined second distance And a stepped portion formed in the flange portion, the tip of the protrusion, in a state where the top of the step portion is in contact with the metal stem, is intended to be welded to the metal stem.
このような構成によれば、光透過キャップを金属ステムに抵抗溶接する際に、段差部が金属ステムに当接するため、フランジ部に設けられた突起部の押し込み量を一定にすることができる。 According to such a configuration, when the light transmitting cap is resistance-welded to the metal stem, the stepped portion comes into contact with the metal stem, so that the pushing amount of the protrusion provided on the flange portion can be made constant.
この場合、金属ステムの表面には、段差部を収容する環状の溝部が所定深さまで形成され、突起部は、段差部の先端が溝部の底部に当接した状態で、金属ステムに溶接されても良い。 In this case, an annular groove for accommodating the stepped portion is formed on the surface of the metal stem to a predetermined depth, and the protrusion is welded to the metal stem with the tip of the stepped portion in contact with the bottom of the groove. Also good.
段差部の先端は、同一平面上に含まれる平面状に形成されても良い。 The tip of the step portion may be formed in a planar shape included on the same plane.
また、光半導体モジュールは、開孔を覆うように天板部に取り付けられる光学レンズを含んでいても良い。 The optical semiconductor module may include an optical lens attached to the top plate so as to cover the opening.
第3の発明は、開孔が形成された天板部と、天板部の外周縁の全体から天板部に対して直交する一方向へと延びる筒状部と、筒状部の開放端の全体から筒状部の軸中心に対して直交する方向へと広がるように延びるフランジ部と、筒状部の軸中心を取り囲むように、かつ、天板部の外方面を含む平面から所定の第1の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される突起部と、突起部に沿って、天板部の外方面を含む平面から所定の第2の距離まで一方向へと環状に突出するように、フランジ部に形成される段差部とを含む光透過キャップと、光半導体素子が実装された金属ステムとを用いる光半導体パッケージの製造方法であって、光透過キャップの内部に光半導体素子が収容され、かつ、突起部が金属ステムの表面に当接するように、金属ステムに対して光透過キャップを配置する工程と、金属ステムとフランジ部とを挟み込むように一対の電極を配置し、一対の電極間に電圧を印加することによって、突起部を溶融させる工程と、突起部が溶融している状態において、段差部を金属ステムに当接させる工程とを備える。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a top plate portion in which an opening is formed, a cylindrical portion extending from the entire outer peripheral edge of the top plate portion in one direction orthogonal to the top plate portion, and an open end of the cylindrical portion. A flange portion extending so as to spread in a direction orthogonal to the axial center of the cylindrical portion, and a predetermined plane from a plane including the outer surface of the top plate portion so as to surround the axial center of the cylindrical portion. A projection formed on the flange portion so as to project in a ring shape in one direction up to the first distance, and a plane extending along the projection from the plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined second distance. An optical semiconductor package manufacturing method using a light transmission cap including a stepped portion formed in a flange portion and a metal stem on which an optical semiconductor element is mounted so as to project in a ring shape in a direction. An optical semiconductor element is housed inside the cap, and the protrusion is on the surface of the metal stem. A step of disposing a light transmitting cap with respect to the metal stem so as to contact, a pair of electrodes disposed so as to sandwich the metal stem and the flange portion, and applying a voltage between the pair of electrodes to And a step of bringing the step portion into contact with the metal stem in a state where the protrusion is melted.
このような構成によれば、段差部が金属ステムに当接することによって、金属ステムから天板部までの距離は、所定の第2の距離によって規定されるため、光半導体素子に対する天板部の距離が一定である光半導体モジュールを安定して製造することができる。 According to such a configuration, since the stepped portion contacts the metal stem, the distance from the metal stem to the top plate portion is defined by the predetermined second distance. An optical semiconductor module having a constant distance can be stably manufactured.
本発明に係る光透過キャップ、光半導体モジュール及び光半導体モジュールの製造方法によれば、天板部に形成された開孔を覆うように取り付けられるレンズと、光半導体素子との距離が一定の光半導体モジュールを構成することが可能となる。 According to the light transmitting cap, the optical semiconductor module, and the method for manufacturing the optical semiconductor module according to the present invention, the distance between the optical semiconductor element and the lens attached to cover the opening formed in the top plate portion is constant. A semiconductor module can be configured.
また、光透過キャップの段差部の先端を平坦状に形成することによって、光透過キャップを金属ステムに抵抗溶接する際に、光透過キャップに形成された段差部と金属ステムとが面接触するため、光半導体素子の光軸と、レンズの光軸との傾きが抑制され、結合損失がより低減される光半導体モジュールを安定して構成することができる。 In addition, since the tip of the step portion of the light transmission cap is formed flat, when the light transmission cap is resistance-welded to the metal stem, the step portion formed on the light transmission cap and the metal stem are in surface contact. The optical semiconductor module in which the inclination between the optical axis of the optical semiconductor element and the optical axis of the lens is suppressed and the coupling loss is further reduced can be stably configured.
更に、光透過キャップを金属ステムに溶接する際に、部品点数が必要最小限であるため組立の作業性が良く、かつ、光半導体モジュールのサイズを小型化することが容易となる。 Further, when the light transmitting cap is welded to the metal stem, the number of parts is minimal, so that the assembly workability is good and the size of the optical semiconductor module can be easily reduced.
更に、金属ステムの表面に、段差部を収容する一定深さの溝部を形成することによって、組立作業時の幅方向のズレを抑制することができるため、金属ステムに対する光透過キャップの位置決め精度が向上し、組立作業が容易になる。 Further, by forming a groove portion of a certain depth for accommodating the stepped portion on the surface of the metal stem, it is possible to suppress the displacement in the width direction during the assembly operation, so that the positioning accuracy of the light transmission cap with respect to the metal stem is improved. And the assembly work becomes easier.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る光通信用光半導体モジュールを示す断面図であり、図1(b)は、図1(a)に示されるA部の拡大図である。
(Embodiment 1)
1A is a cross-sectional view showing an optical semiconductor module for optical communication according to
図1(a)に示される光半導体モジュール100aは、金属ステム1aと、金属ステム1a上に実装された受/発光素子2と、リード13と、光透過キャップ3aとを備える。
An optical semiconductor module 100a shown in FIG. 1A includes a metal stem 1a, a light receiving / emitting
金属ステム1aは、例えば、鉄やコバール等の金属材料によって形成され、円盤状のベース部11aと、ベース部11aの表面に形成された素子搭載部12とを備える。 The metal stem 1a is formed of, for example, a metal material such as iron or Kovar, and includes a disk-shaped base portion 11a and an element mounting portion 12 formed on the surface of the base portion 11a.
受/発光素子2は、例えば半導体レーザや発光ダイオード等の発光素子、フォトダイオード等の受光素子の少なくとも一方または両方を含む素子である。
The light receiving / emitting
リード13は、光半導体モジュール100aの入出力端子を構成する。リード13の各々は、ベース部11aを貫通し、かつ、ベース部11aとの間が絶縁された状態でベース部11aに取り付けられている。また、リード13の各々は、ボンディングワイヤ14を介して、受/発光素子2に電気的に接続されている。
The
光透過キャップ3aは、金属ステム1a上に実装された受/発光素子2を気密状態に封止するために、ベース部11aの表面に取り付けられるものである。光透過キャップ3aは、キャップ天板部30と、円筒部32と、フランジ部33と、突起部34と、環状段差部35と、レンズ4とを備える。
The light transmission cap 3a is attached to the surface of the base portion 11a in order to seal the light receiving / emitting
キャップ天板部30は、平面視において円形状を有し、その中央に円形状の開孔によって、光を透過させるための窓部31が形成されている。円筒部32は、キャップ天板部30の外周縁の全体に接続され、キャップ天板部30に対して直交する一方向(図1(a)においては、下方向)へと延びる円筒形状に形成されている。フランジ部33は、円筒部32の開放端の全体に接続され、円筒部32の中心軸に対して直交する方向へと広がるように形成されている。
The cap
突起部34は、円筒部32の軸中心を円形状に取り囲むように、かつ、キャップ天板部30の外方面を含む平面(図1(a)に示される二点鎖線)から所定の第1の距離D1まで環状に突出するようにフランジ部33に形成されている。尚、突起部34は、光透過キャップ3aを金属ステム1aに抵抗溶接するために用いられるものである。
The
環状段差部35は、突起部34の内周に沿って円筒部の軸中心を円形状に取り囲むようにフランジ部33に接続され、かつ、キャップ天板部30の外方面を含む平面(図1(a)に示される二点鎖線)から所定の第2の距離D2まで環状に突出するように、フランジ部33に形成されている。第2の距離D2は、受/発光素子2の発光面(受光面)からレンズ4までの距離が、所定の寸法となるように設定されている。更に、実施の形態1においては、環状段差部35の先端には、同一平面上に含まれる平坦な端面36が形成されている。
The
実施の形態1においては、図1(b)に示されるように、環状段差部35のフランジ部33表面からの高さLは、フランジ部33表面からの突起部34の高さRより小さく設定されている。したがって、図1(a)に示されるように、第1の距離D1は、第2の距離D2より小さい。一例として、環状段差部35の高さLは、突起部34の高さRに対して、40%以上70以下の範囲に設定されることが好ましい。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1B, the height L of the annular stepped
尚、図1(a)及び図1(b)において、フランジ部33に形成される環状段差部35及び突起部34は、図示によって特定される形状以外の形状に形成されていても良い。より具体的には、環状段差部35及び突起部34の形状及び寸法は、組み立て工程において、金属ステム1aのベース部11a上に光透過キャップ3aを図1(a)に示される状態に配置したときに、突起部34の先端がベース部11aの表面に当接し、かつ、環状段差部35の端面36とベース部11aの表面との間に所定寸法の隙間が形成されるように設定されていれば良い。このように構成されていれば、環状段差部35の端面36は、抵抗溶接時に突起部34が溶融した後に、初めてベース部11aに当接することができる。
In FIGS. 1A and 1B, the
また、環状段差部35の端面36の平面度と、ベース部11aの表面のうち抵抗溶接時に端面36が当接する部分の平面度とは、光透過キャップ3aの取付精度を確保する観点から、0.020mm以下に設定されることが望ましい。
Further, the flatness of the end surface 36 of the
レンズ4は、キャップ天板部30に形成された窓部31を覆うように、キャップ天板部30に取り付けられている。レンズ4は、例えば低融点ガラスや半田等を用いて、あるいは、熱封着によってキャップ天板部30に取り付けられる。
The
光半導体モジュール100aは、図1(a)に示されるように、円筒形状の金属製スリーブ5と、円筒形状のフェルール部7とを介して、光ファイバ6に接続される。金属製スリーブ5の内壁は、段付孔構造、すなわち、図1(a)における上端から下端へと段階的に内径が大きくなるように形成されている。フェルール部7は、その軸中心を貫通する細孔を有し、金属性スリーブ5の中空部分の上端に挿入されている。また、フェルール部7における受/発光素子2側の端面は、入射光のファイバ端面での反射による光損失を抑制するために、光軸に対して所定角度だけ傾斜するように研磨されている。
As shown in FIG. 1A, the optical semiconductor module 100 a is connected to the
尚、金属製スリーブ5の長さは、レンズ4から光ファイバ6の端面までの距離が所定の寸法となるように設定されている。
The length of the
ここで、図1(a)に示される光半導体モジュール100aの製造方法について説明する。 Here, a manufacturing method of the optical semiconductor module 100a shown in FIG.
図2は、本発明の実施の形態1に係る光通信用半導体モジュールの製造工程を示す概略工程図である。 FIG. 2 is a schematic process diagram showing a manufacturing process of the semiconductor module for optical communication according to the first embodiment of the present invention.
まず、図2(a)に示されるように、溶接用電極10a上に、素子搭載部12に受/発光素子2が搭載された金属ステム1aが配置される。このとき、金属ステム1aは、そのベース部11aの下面における外周部分が溶接用電極10aの上面に接するように配置される。一方、光透過キャップ3aは、溶接用電極10bによって保持され、キャップ天板部30の内方面がベース部11aの表面に対向するように配置される。
First, as shown in FIG. 2A, a metal stem 1a in which the light receiving / emitting
次に、図2(b)に示されるように、溶接用電極10a及び10bを互いに近づけるように移動させることによって、突起部34の先端がベース部11aの表面に当接するように、光透過キャップ3aを金属ステム1に対して配置する。
Next, as shown in FIG. 2B, by moving the
次に、光透過キャップ3aのレンズの光軸と、受/発光素子2の光軸とが一致するように、金属ステム1aに対する光透過キャップ3aの位置が調整される。その後、一対の溶接用電極10a及び10bを互いに近づく方向に加圧しながら、溶接用電極10a及び10bの間に通電して、光透過キャップ3aを金属ステム1aに抵抗溶接する。抵抗溶接の過程において、突起部34が溶融するため、溶接用電極10a及び10bの間に加えられる圧力によって、光透過キャップ3aは、ベース部11aの表面に近づくように移動する。そして、図2(c)に示されるように、突起部34の溶融が更に進行すると、環状段差部35の端面がベース部11aの表面に当接する。
Next, the position of the light transmission cap 3a with respect to the metal stem 1a is adjusted so that the optical axis of the lens of the light transmission cap 3a matches the optical axis of the light receiving / emitting
次に、溶融された突起部34が冷却されると、受/発光素子2は、金属ステム1aと光透過キャップ3aとで気密封止された状態となる。そして、図2(d)に示されるように、溶接用電極10a及び10bが、それぞれ金属ステム1a及び光透過キャップ3aから取り外され、金属ステム1aへの光透過キャップ3aの抵抗溶接が完了する。
Next, when the melted
その後、図1(a)に示したように、光透過キャップ3aのキャップ天板部30の外方面上に、金属スリーブ5とフェルール部7とを介して光ファイバ6が取り付けられる。組立の一例として、まず、光ファイバ6は、フェルール部7に形成された細孔に挿通するように、フェルール部7に固定される。次に、フェルール部7は、金属スリーブ5の貫通孔に嵌合するように、金属スリーブ5に取り付けられる。そして、フェルール部7を介して光ファイバ6が固定された金属スリーブ5は、その開放端部がキャップ天板部30の外方面に当接するように配置される。金属スリーブ5は、その開放端部がキャップ天板部30の外方面に当接した状態のまま、レンズ4の光軸と直交する方向に摺動され、レンズ4の光軸と光ファイバ6の光軸との相対位置が調整される。光軸調整が完了した後、金属スリーブ5は、レーザ等を用いて光透過キャップ3aに溶接され、固定される。
Thereafter, as shown in FIG. 1A, the
以上のように、実施の形態1に係る光透過キャップ3aは、フランジ部33に形成された環状段差部35を備える。光透過キャップ3aを金属ステム1aに抵抗溶接する工程において、環状段差部35の端面36がベース部11aの表面に当接するため、突起部34のベース部11aへの押し込み量が一定となる。したがって、ベース部11a上の素子搭載部12に実装された受/発光素子2からレンズ4までの距離を、キャップ天板部30の外方面を含む平面から環状段差部35の端面までの距離によって規定することができる。
As described above, the light transmission cap 3 a according to the first embodiment includes the
また、実施の形態1においては、環状段差部35の先端は、平面状の端面36として形成されている。光透過キャップ3aを金属ステム1aに抵抗溶接する工程において、突起部34が溶融すると、環状段差部35の端面36は、図2(d)に示されるように、ベース部11aの表面に面接触する。したがって、受/発光素子2の光軸に対する光透過キャップ3aの傾きが抑制されるので、金属ステム1aと光透過キャップ3aの組立精度が向上し、受/発光素子2の光軸に対してレンズ4の光軸が傾くことに起因する結合損失を低減することが可能となる。
Further, in the first embodiment, the tip of the
更に、実施の形態1に係る光透過キャップ3aによれば、受/発光素子2とレンズ4との距離は、設計値通りに規定されるため、受/発光素子2に含まれる発光素子から出射された光を、レンズ4を介して、光ファイバ6に効率的に結合させることが可能となる。同様に、光ファイバ6から出射された光を、レンズ4を介して、受/発光素子2に含まれる受光素子に効率的に結合させることが可能となる。
Further, according to the light transmission cap 3a according to the first embodiment, the distance between the light receiving /
(実施の形態2)
図3(a)は、本発明の実施の形態2に係る光通信用光半導体モジュールを示す断面図であり、図3(b)は、図3(a)に示されるB部の拡大図である。尚、以下の説明においては、実施の形態1に係る構成要素と同一または相当する構成要素については、同一符号を付し、詳細な説明を省略する場合がある。
(Embodiment 2)
FIG. 3A is a sectional view showing an optical semiconductor module for optical communication according to
実施の形態2に係る光透過キャップ3bは、図3(b)に示されるように、環状段差部37の高さLが、突起部34の高さRより大きく設定されている点で、実施の形態1に係るものと相違する。
The light transmitting cap 3b according to the second embodiment is implemented in that the height L of the annular stepped
また、金属ステム1bのベース部11bの表面には、内部に環状段差部37の一部を収容することができ、かつ、深さが一定の環状溝部15が形成されている。環状溝部15の内径は、光透過キャップ3bの内径よりも小さく設定されている。また、環状溝部15の外径は、環状段差部37の外径より小さく、かつ、突起部34の内径よりも小さく設定されている。
In addition, on the surface of the base portion 11b of the metal stem 1b, an
ここで、環状段差部37の高さLと、突起部34の高さRと、環状溝部15の深さSとの関係について説明する。環状段差部37の高さLは、上述のように、突起部34の高さRよりも大きく設定されている。かつ、環状溝部15の深さSは、環状段差部37の高さLより小さく設定されている。一例として、環状段差部37の高さLと、環状溝部15の深さ寸法Sとの差(L−S)は、突起部34の高さRの40%以上70%以下の範囲に設定されることが好ましい。
Here, the relationship between the height L of the
尚、図3において、フランジ部33に形成される環状段差部37及び突起部34の形状は、特定されているが、図示される形状以外の形状を有するように構成されても良い。より具体的には、環状段差部35及び突起部34の形状及び寸法は、組立工程において、金属ステム1aのベース部11a上に光透過キャップ3aを図3(a)に示される状態に配置したときに、突起部34の先端がベース部11aの表面に当接し、かつ、環状段差部37の端面38と、環状溝部15の底部との間に所定寸法の隙間が形成されるように設定されていれば良い。このように構成されていれば、環状段差部37の端面38は、抵抗溶接時に突起部34が溶融した後に、初めて環状溝部15の底部に当接することができる。
In addition, in FIG. 3, although the shape of the annular level | step-
また、環状段差部37の端面38と、環状溝部15の底部との平面度は、光透過キャップ3bの取付精度を確保する観点から、0.020mm以下に設定されることが望ましい。
Moreover, it is desirable that the flatness between the
更に、実施の形態2においては、レンズ4は、金属製のレンズホルダー9を介して、光透過キャップ3のキャップ天板部30の外方面に固定されている。レンズ4は、金属製のレンズホルダー9の中央に形成された孔部に予め取り付けられており、レンズホルダー9を介してレンズ4の光軸と受/発光素子2の光軸とが一致するように位置調整される。その後に、レンズホルダー9をレーザ等を用いて光透過キャップ3bに溶接することによって、レンズ4は、キャップ天板部30に対して固定される。また、キャップ天板部30の内方面には、窓部31を覆うようにガラス板8が取り付けられている。ガラス板8は、低融点ガラスや半田を用いて、あるいは、熱封着によってキャップ天板部30に取り付けられている。
Furthermore, in the second embodiment, the
ここで、実施の形態2に係る光半導体モジュール100bの製造方法の概略について説明する。 Here, an outline of a method for manufacturing the optical semiconductor module 100b according to the second embodiment will be described.
まず、図3(c)の実線によって示されるように、光透過キャップ3bは、受/発光素子が搭載された金属ステム1b上に配置される。尚、図3(c)においては、溶接用電極の記載は省略されている。この状態において、突起部34の先端が金属ステム1bの表面に当接するが、環状段差部37の端面38と、環状溝部15の底面16との間には、隙間が形成されている。
First, as shown by the solid line in FIG. 3C, the light transmission cap 3b is disposed on the metal stem 1b on which the light receiving / emitting element is mounted. In FIG. 3C, the description of the welding electrode is omitted. In this state, the tip of the
次に、図3(c)の破線によって示されるように、図示しない一対の溶接用電極を互いに近づけるように移動させながら通電することによって、突起部34が溶融し、環状段差部37の端面38がベース部11aの表面に当接する。
Next, as shown by a broken line in FIG. 3C, the
その後、キャップ天板部30の外方面上に、レンズ4が予め取付られたレンズホルダー9が溶接され、更に、レンズホルダー9の外方面に、金属製スリーブ5及びフェルール部7を介して光ファイバ6が固定される。
Thereafter, a lens holder 9 to which the
以上のように、実施の形態2に係る光透過キャップ3bは、フランジ部33に環状段差部37が形成されている。光透過キャップ3aを金属ステム1aに抵抗溶接する工程において、環状段差部37の端面38が環状溝部15の底部に当接することによって、突起部34のベース部11bへの押し込み量が一定となる。したがって、ベース部11b上の素子搭載部12に実装された受/発光素子2からレンズ4までの距離を、キャップ天板部30の外方面を含む平面から環状段差部37の端面までの距離によって規定することができる。
As described above, in the light transmission cap 3b according to the second embodiment, the
また、実施の形態2においては、環状段差部37の先端は、平面状の端面38として形成されている。光透過キャップ3bを金属ステム1bに抵抗溶接する工程において、突起部34が溶融すると、環状段差部37の端面38は、図3(c)に示されるように、環状溝部15の底部に面接触する。したがって、受/発光素子2の光軸に対する光透過キャップ3bの傾きが抑制されるので、金属ステム1bと光透過キャップ3bの組立精度が向上し、受/発光素子2の光軸に対してレンズ4の光軸が傾くことに起因する結合損失を低減することが可能となる。
In the second embodiment, the tip of the annular stepped
更に、実施の形態2に係る光透過キャップ3bによれば、受/発光素子2とレンズ4との距離は、設計値通りに規定されるため、受/発光素子2に含まれる発光素子から出射された光を、レンズ4を介して、光ファイバ6に効率的に結合させることが可能となる。同様に、光ファイバ6から出射された光を、レンズ4を介して、受/発光素子2に含まれる受光素子に効率的に結合させることが可能となる。
Furthermore, according to the light transmission cap 3b according to the second embodiment, the distance between the light receiving /
更に、実施の形態2に係る光透過キャップ3bによれば、ベース部11bの表面に形成された環状溝部15に環状段差部37が収容されることによって、光軸に対して直交する方向における環状段差部37の移動が規制される。これにより、組立時の作業性が更に向上すると共に、光透過キャップ3bが光軸に対して直交する方向にずれることを抑制することが可能となる。
Furthermore, according to the light transmission cap 3b according to the second embodiment, the
尚、上記の実施の形態2においては、第1の距離D1は、第2の距離D2より小さく設定されているが、第2の距離D2と等しく設定されていても良い。このように構成された光透過キャップもまた、実施の形態2に係るものと同様の効果を奏することができる。また、上記の各実施の形態においては、光透過キャップの横断面は、円形状に形成されているが、円形以外であっても同様の効果を奏することができる。 In the second embodiment, the first distance D1 is set smaller than the second distance D2, but may be set equal to the second distance D2. The light transmission cap configured as described above can also achieve the same effect as that according to the second embodiment. Moreover, in each said embodiment, although the cross section of the light transmission cap is formed in circular shape, even if it is other than a circle, there can exist the same effect.
本発明は、例えば、窓部を有する金属シェルと、ガラス等のレンズとを含む光透過キャップを、金属ステムに抵抗溶接するために有用であり、特に、光ファイバを介する光通信に用いられる光半導体モジュールに適している。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for resistance-welding a light transmission cap including, for example, a metal shell having a window portion and a lens such as glass to a metal stem, and in particular, light used for optical communication via an optical fiber. Suitable for semiconductor modules.
1 金属ステム
2 受/発光素子
3 光透過キャップ
4 レンズ
5 金属製スリーブ
6 光ファイバ
7 フェルール部
8 ガラス板
9 レンズホルダー
10 溶接用電極
11 ベース部
12 素子搭載部
13 リード
14 ボンディングワイヤ
15 環状溝部
16 底面
30 キャップ天板部
31 窓部
32 円筒部
33 フランジ部
34 突起部
35 環状段差部
36 端面
37 環状段差部
38 端面
DESCRIPTION OF
Claims (10)
開孔が形成された天板部と、
前記天板部の外周縁の全体から前記天板部に対して直交する一方向へと延びる筒状部と、
前記筒状部の開放端の全体から前記筒状部の軸中心に対して直交する方向へと広がるように延びるフランジ部と、
前記筒状部の軸中心を取り囲むように、かつ、前記天板部の外方面を含む平面から所定の第1の距離まで前記一方向へと環状に突出するように、前記フランジ部に形成される突起部と、
前記突起部に沿って、前記天板部の外方面を含む平面から所定の第2の距離まで前記一方向へと環状に突出するように、前記フランジ部に形成される段差部とを備える、光透過キャップ。 A light transmission cap constituting a part of the optical semiconductor module,
A top plate part in which an opening is formed;
A cylindrical portion extending from the entire outer peripheral edge of the top plate portion in one direction orthogonal to the top plate portion;
A flange portion extending from the entire open end of the tubular portion so as to spread in a direction perpendicular to the axial center of the tubular portion;
The flange portion is formed so as to surround the axial center of the cylindrical portion and to project in an annular shape in the one direction from a plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined first distance. A protrusion,
A stepped portion formed on the flange portion so as to project annularly in the one direction from the plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined second distance along the protrusion. Light transmission cap.
その表面に前記光半導体素子が実装される金属ステムと、
その内部に前記光半導体素子が収納されるように、前記金属ステムの表面に取り付けられる光透過キャップとを備え、
前記光透過キャップは、
開孔が形成された天板部と、
前記天板部の外周縁の全体から前記天板部に対して直交する一方向へと延びる筒状部と、
前記筒状部の開放端の全体から前記筒状部の軸中心に対して直交する方向へと広がるように延びるフランジ部と、
前記筒状部の軸中心を取り囲むように、かつ、前記天板部の外方面を含む平面から所定の第1の距離まで前記一方向へと環状に突出するように、前記フランジ部に形成される突起部と、
前記突起部に沿って、前記天板部の外方面を含む平面から所定の第2の距離まで前記一方向へと環状に突出するように、前記フランジ部に形成される段差部とを含み、
前記突起部の先端は、前記段差部の先端が前記金属ステムに当接した状態で、前記金属ステムに溶接されている、光半導体モジュール。 An optical semiconductor module in which an optical semiconductor element is enclosed,
A metal stem on which the optical semiconductor element is mounted;
A light transmitting cap attached to the surface of the metal stem so that the optical semiconductor element is housed therein;
The light transmission cap is
A top plate part in which an opening is formed;
A cylindrical portion extending from the entire outer peripheral edge of the top plate portion in one direction orthogonal to the top plate portion;
A flange portion extending from the entire open end of the tubular portion so as to spread in a direction perpendicular to the axial center of the tubular portion;
The flange portion is formed so as to surround the axial center of the cylindrical portion and to project in an annular shape in the one direction from a plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined first distance. A protrusion,
A step portion formed on the flange portion so as to project annularly in the one direction from the plane including the outer surface of the top plate portion to a predetermined second distance along the protrusion portion;
The tip of the protrusion is an optical semiconductor module welded to the metal stem in a state where the tip of the stepped portion is in contact with the metal stem.
前記突起部は、前記段差部の先端が前記溝部の底部に当接した状態で、前記金属ステムに溶接されていることを特徴とする、請求項6に記載の光半導体モジュール。 On the surface of the metal stem, an annular groove for accommodating the stepped portion is formed to a predetermined depth,
The optical semiconductor module according to claim 6, wherein the protrusion is welded to the metal stem in a state where a tip of the stepped portion is in contact with a bottom of the groove.
前記光透過キャップの内部に前記光半導体素子が収容され、かつ、前記突起部が前記金属ステムの表面に当接するように、前記金属ステムに対して前記光透過キャップを配置する工程と、
前記金属ステムと前記フランジ部とを挟み込むように一対の電極を配置し、前記一対の電極間に電圧を印加することによって、前記突起部を溶融させる工程と、
前記突起部が溶融している状態において、前記段差部を前記金属ステムに当接させる工程とを備える、光半導体パッケージの製造方法。 From the top plate portion in which an opening is formed, a cylindrical portion extending from the entire outer peripheral edge of the top plate portion in one direction orthogonal to the top plate portion, and the entire open end of the cylindrical portion A flange portion extending so as to spread in a direction orthogonal to the axial center of the cylindrical portion, a plane so as to surround the axial center of the cylindrical portion, and a plane including the outer surface of the top plate portion A projection portion formed on the flange portion so as to project annularly in the one direction up to a first distance, and a predetermined second from a plane including the outer surface of the top plate portion along the projection portion. A method of manufacturing an optical semiconductor package using a light transmission cap including a step portion formed on the flange portion and a metal stem on which an optical semiconductor element is mounted so as to project in a ring shape in the one direction up to a distance of Because
Arranging the light transmissive cap with respect to the metal stem so that the optical semiconductor element is accommodated in the light transmissive cap and the protrusion is in contact with the surface of the metal stem;
Arranging a pair of electrodes so as to sandwich the metal stem and the flange portion, and applying a voltage between the pair of electrodes to melt the protrusions;
And a step of bringing the stepped portion into contact with the metal stem in a state where the protrusion is melted.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005328769A JP4969834B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Optical semiconductor module and method for manufacturing optical semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005328769A JP4969834B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Optical semiconductor module and method for manufacturing optical semiconductor module |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134644A true JP2007134644A (en) | 2007-05-31 |
JP2007134644A5 JP2007134644A5 (en) | 2009-01-08 |
JP4969834B2 JP4969834B2 (en) | 2012-07-04 |
Family
ID=38156025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005328769A Expired - Fee Related JP4969834B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Optical semiconductor module and method for manufacturing optical semiconductor module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4969834B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7755189B2 (en) | 2008-07-29 | 2010-07-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Metal cap with ringed projection to be welded to stem and ringed groove provided immediately inside of ringed projection and optical device having the same |
US9196761B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61287282A (en) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Toshiba Corp | Optical element package |
JP2000151332A (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Daishinku Corp | Package for electronic component |
-
2005
- 2005-11-14 JP JP2005328769A patent/JP4969834B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61287282A (en) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Toshiba Corp | Optical element package |
JP2000151332A (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Daishinku Corp | Package for electronic component |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7755189B2 (en) | 2008-07-29 | 2010-07-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Metal cap with ringed projection to be welded to stem and ringed groove provided immediately inside of ringed projection and optical device having the same |
US9196761B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical device |
KR101611893B1 (en) * | 2013-01-31 | 2016-04-12 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Semiconductor optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4969834B2 (en) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0441403B1 (en) | Method of fabricating an optical package | |
CN112909729A (en) | Laser device | |
CN112825409A (en) | Laser device | |
JP4969834B2 (en) | Optical semiconductor module and method for manufacturing optical semiconductor module | |
US10411167B2 (en) | Semiconductor light emitting apparatus, stem part | |
JPH0713047A (en) | Optical element module | |
JP2007193270A (en) | Lens with cap and manufacturing method therefor | |
US20070031093A1 (en) | Optical module with lens holder projection-welded to butterfly package | |
JP5428506B2 (en) | Semiconductor laser module and manufacturing method thereof | |
JP2019090912A (en) | Optical member holding device, method for manufacturing optical member holding device and semiconductor laser device | |
JP2007298643A (en) | Optical element module and method for manufacturing the same | |
JP2014044435A (en) | Laser light source | |
JP6485002B2 (en) | Light source device | |
JP2008108786A (en) | Stem for optical semiconductor | |
JP2022126893A (en) | Optical module and manufacturing method of the same | |
JP5201892B2 (en) | Optical communication package | |
JP2010021250A (en) | Optical communication package | |
JP2010027651A (en) | Cap, optical unit, optical module, and optical communication module | |
JP2005347564A (en) | Airtight seal package | |
JP4085919B2 (en) | Optical module | |
JP2959072B2 (en) | Light emitting module manufacturing method | |
JPH0529170U (en) | Laser diode module | |
JP2007232975A (en) | Optical module | |
JPS61136275A (en) | Light element package | |
JP2005338374A (en) | Optical isolator module with transparent window, and optical element module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120404 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |