JP2007134566A - Piezoelectric material, element, and actuator, liquid jetting head, and surface acoustic wave element and device - Google Patents

Piezoelectric material, element, and actuator, liquid jetting head, and surface acoustic wave element and device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel piezoelectric material excellent in piezoelectric characteristics or the like. <P>SOLUTION: The piezoelectric material is represented by a general formula x(K<SB>1/2</SB>Bi<SB>1/2</SB>)TiO<SB>3</SB>-(1-x)KNbO<SB>3</SB>. In the general formula, 0.3≤x≤0.7 may be established. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、新規な圧電材料、およびこれを用いた圧電素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド、表面弾性波素子ならびにデバイスに関する。   The present invention relates to a novel piezoelectric material, and a piezoelectric element, a piezoelectric actuator, a liquid jet head, a surface acoustic wave element, and a device using the same.

高画質、高速印刷を可能にするプリンタとして、たとえばインクジェットプリンタが知られている。インクジェットプリンタは、内容積が変化するキャビティを備えたインクジェット式記録ヘッドを備える。インクジェットプリンタは、インクジェット式記録ヘッドを走査させつつ、そのノズルからインク滴を吐出することにより、印刷を行うものである。このようなインクジェットプリンタ用のインクジェット式記録ヘッドにおけるヘッドアクチュエータとしては、従来、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）に代表される圧電体膜を用いた圧電素子が用いられている（たとえば、特許文献１）。 As a printer that enables high image quality and high-speed printing, for example, an inkjet printer is known. The ink jet printer includes an ink jet recording head having a cavity whose internal volume changes. An ink jet printer performs printing by ejecting ink droplets from its nozzles while scanning an ink jet recording head. As a head actuator in such an ink jet recording head for an ink jet printer, a piezoelectric element using a piezoelectric film represented by PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ) has been conventionally used (for example, Patent Document 1).

また、表面弾性波素子や周波数フィルタ、発振器、電子回路などにおいても、その特性向上が望まれていることから、新たな圧電材料による良好な製品の提供が望まれている。
特開２００１−２２３４０４号公報 In addition, since surface acoustic wave elements, frequency filters, oscillators, electronic circuits, and the like are desired to have improved characteristics, it is desired to provide good products using new piezoelectric materials.
JP 2001-223404 A

本発明の目的は、圧電特性などに優れた新規な圧電材料を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a novel piezoelectric material having excellent piezoelectric characteristics and the like.

また、本発明の目的は、上記圧電材料を用いた圧電素子、およびかかる圧電素子を用いた圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド、表面弾性波素子ならびにデバイスを提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a piezoelectric element using the above piezoelectric material, a piezoelectric actuator using the piezoelectric element, a liquid ejecting head, a surface acoustic wave element, and a device.

本発明にかかる圧電材料は、下記一般式（１）で表される。   The piezoelectric material according to the present invention is represented by the following general formula (1).

x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１）
本発明の圧電材料は、優れた圧電特性を有する。 x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1)
The piezoelectric material of the present invention has excellent piezoelectric characteristics.

本発明の圧電材料は、前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。   The piezoelectric material of the present invention may satisfy 0.3 ≦ x ≦ 0.7 in the general formula (1).

本発明の圧電材料は、擬立方晶で（１００）または（１１０）に優先配向していることができる。   The piezoelectric material of the present invention can be pseudocubic and preferentially oriented to (100) or (110).

本発明の圧電材料は、ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造を有することができる。   The piezoelectric material of the present invention can have a rhombohedral structure or a monoclinic structure.

本発明にかかる圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成され、下記一般式（１）で表される、圧電材料からなる圧電体膜と、を含む。 The piezoelectric element according to the present invention is
A substrate;
And a piezoelectric film made of a piezoelectric material and formed by the following general formula (1).

x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１）
本発明において、特定のＡ層（以下、「Ａ層」という。）の上方に設けられた特定のＢ層（以下、「Ｂ層」という。）というとき、Ａ層の上に直接Ｂ層が設けられた場合と、Ａ層の上に他の層を介してＢ層が設けられた場合とを含む意味である。 x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1)
In the present invention, when a specific B layer (hereinafter referred to as “B layer”) provided above a specific A layer (hereinafter referred to as “A layer”), the B layer is directly on the A layer. This includes the case where it is provided and the case where the B layer is provided on the A layer via another layer.

本発明の圧電素子は、前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。   The piezoelectric element of the present invention can satisfy 0.3 ≦ x ≦ 0.7 in the general formula (1).

本発明にかかる圧電アクチュエータは、前記圧電素子において、前記基体と前記圧電体膜との間に形成された第１電極と、前記圧電体膜の上方に形成された第２電極と、を有することができる。   The piezoelectric actuator according to the present invention includes, in the piezoelectric element, a first electrode formed between the base and the piezoelectric film, and a second electrode formed above the piezoelectric film. Can do.

本発明の圧電素子において、前記第１電極は、擬立方晶で（１００）または（１１０）に優先配向している導電性複合酸化物膜を有することができる。   In the piezoelectric element of the present invention, the first electrode may have a conductive complex oxide film that is pseudocubic and is preferentially oriented to (100) or (110).

本発明にかかる液体噴射ヘッドは、
ノズル穴を有するノズル板と、
前記ノズル板の上方に形成された、前記圧電アクチュエータと、
前記圧電アクチュエータの前記基体に形成され、前記ノズル穴と連続するキャビティと、を含む。 A liquid ejecting head according to the present invention includes:
A nozzle plate having nozzle holes;
The piezoelectric actuator formed above the nozzle plate;
A cavity formed in the base of the piezoelectric actuator and continuous with the nozzle hole.

本発明にかかる表面弾性波素子は、前記圧電素子において、前記圧電体膜の上方に形成された電極を有することができる。   The surface acoustic wave device according to the present invention may include an electrode formed above the piezoelectric film in the piezoelectric device.

本発明にかかるデバイスは、前記表面弾性波素子を含む。   A device according to the present invention includes the surface acoustic wave element.

以下、本発明にかかる実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

１．圧電材料
本実施形態にかかる圧電材料は、下記一般式（１）で表される。 1. Piezoelectric Material The piezoelectric material according to the present embodiment is represented by the following general formula (1).

x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１）
一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。 x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1)
In the general formula (1), 0.3 ≦ x ≦ 0.7 may be satisfied.

一般式（１）において、ｘが上記範囲にあることにより、良好な圧電特性、たとえば、圧電体膜が高い圧電定数を有し、充分なたわみ量を得ることができる。   In the general formula (1), when x is in the above range, good piezoelectric characteristics, for example, the piezoelectric film has a high piezoelectric constant, and a sufficient amount of deflection can be obtained.

そして、本実施形態の圧電材料は、環境上問題となる鉛を含まないので圧電材料として極めて有用である。   The piezoelectric material of the present embodiment is extremely useful as a piezoelectric material because it does not contain lead, which is an environmental problem.

２．圧電素子
２．１．第１の圧電素子
図１は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体膜を含む第１の圧電素子１００の一例を模式的に示す断面図である。 2. Piezoelectric element 2.1. First Piezoelectric Element FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a first piezoelectric element 100 including a piezoelectric film made of a piezoelectric material according to this embodiment.

圧電素子１００は、基体１と、基体１上に形成された第１電極（下部電極）２と、下部電極２上に形成された、上記圧電材料からなる圧電体膜３と、圧電体膜３上に形成された第２電極（上部電極）４とを含む。   The piezoelectric element 100 includes a substrate 1, a first electrode (lower electrode) 2 formed on the substrate 1, a piezoelectric film 3 made of the above-described piezoelectric material formed on the lower electrode 2, and the piezoelectric film 3. A second electrode (upper electrode) 4 formed thereon.

基体１は、圧電素子１００の用途によって選択され、その材料、構成は特に限定されない。基体１としては、絶縁性基板、半導体基板等を用いることができる。絶縁性基板としては、たとえばサファイア基板、プラスチック基板、ガラス基板などを用いることができ、半導体基板としてはシリコン基板などを用いることができる。また、基体１は、基板単体あるいは基板上に他の層が積層された積層体であってもよい。   The substrate 1 is selected depending on the application of the piezoelectric element 100, and the material and configuration thereof are not particularly limited. As the substrate 1, an insulating substrate, a semiconductor substrate, or the like can be used. As the insulating substrate, for example, a sapphire substrate, a plastic substrate, a glass substrate, or the like can be used, and as the semiconductor substrate, a silicon substrate or the like can be used. The substrate 1 may be a single substrate or a laminate in which other layers are laminated on the substrate.

圧電素子１００がインクジェット式記録ヘッドに用いられる場合には、基体１としては、たとえばシリコン基板を用いることができる。この場合、基体１は加工されることにより、後述するようにインクジェット式記録ヘッド５０（図３参照）においてキャビティ５２１が形成されたものとなる。   In the case where the piezoelectric element 100 is used in an ink jet recording head, for example, a silicon substrate can be used as the substrate 1. In this case, the substrate 1 is processed to form a cavity 521 in the ink jet recording head 50 (see FIG. 3) as will be described later.

シリコン基板としては、後工程でＫＯＨによるウエットエッチングによりキャビティを、面に垂直に形成する都合上、（１１０）面を用いることが好ましい。   As the silicon substrate, it is preferable to use a (110) plane for the purpose of forming a cavity perpendicular to the plane by wet etching with KOH in a later step.

下部電極２は、図示の例の場合、白金族などの金属膜２０と、導電性複合酸化物膜２２とが積層された多層構造を有する。導電性複合酸化物膜２２は、圧電材料からなる圧電体膜３と同様に、擬立方晶で（１００）または（１１０）に優先配向していることが望ましい。導電性複合酸化物膜２２がこのような構造を有することで、該導電性複合酸化物膜２２上に形成される圧電体膜３は、導電性複合酸化物膜２２の結晶構造を引き継いだ結晶構造となる。したがって、圧電体膜３も導電性複合酸化物膜２２と同様に、擬立方晶（１００）または（１１０）に優先配向したものとなる。   In the illustrated example, the lower electrode 2 has a multilayer structure in which a metal film 20 such as a platinum group and a conductive complex oxide film 22 are laminated. The conductive complex oxide film 22 is preferably pseudo-cubic and preferentially oriented to (100) or (110), like the piezoelectric film 3 made of a piezoelectric material. Since the conductive complex oxide film 22 has such a structure, the piezoelectric film 3 formed on the conductive complex oxide film 22 is a crystal that inherits the crystal structure of the conductive complex oxide film 22. It becomes a structure. Accordingly, the piezoelectric film 3 is also preferentially oriented to pseudo cubic (100) or (110), like the conductive complex oxide film 22.

導電性複合酸化物膜２２の材料としては、ＬａＮｉＯ３、ＳｒＲｕＯ３などのペロブスカイト型酸化物を用いることができる。特にＬａＮｉＯ３は、スパッタリングによる成膜で、容易に擬立方晶（１００）配向しやすいので好ましい。 As a material of the conductive complex oxide film 22, perovskite oxides such as LaNiO 3 and SrRuO 3 can be used. In particular, LaNiO 3 is preferable because it is easily formed into a pseudo cubic (100) orientation by film formation by sputtering.

また、下部電極２は、金属膜２０を有することにより、下部電極２の導電性をより高めることができる。下部電極２は、上述のように、金属膜２０と導電性複合酸化物膜２２を有することが望ましいが、金属膜２０を有しなくともよい。   Further, the lower electrode 2 having the metal film 20 can further increase the conductivity of the lower electrode 2. The lower electrode 2 desirably includes the metal film 20 and the conductive complex oxide film 22 as described above, but may not include the metal film 20.

圧電体膜３は、上述した圧電材料から形成される。すなわち、下記一般式（１）で表される圧電材料によって構成される。   The piezoelectric film 3 is formed from the above-described piezoelectric material. That is, it is constituted by a piezoelectric material represented by the following general formula (1).

x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１）
一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。ｘがこの範囲にあることにより、上述したように、圧電体膜は、良好な圧電特性、たとえば、高い圧電定数ｄ３１を有し、充分なたわみ量を得ることができる。 x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1)
In the general formula (1), 0.3 ≦ x ≦ 0.7 may be satisfied. By x is in the range, as described above, the piezoelectric film, excellent piezoelectric characteristics, for example, have high piezoelectric constant d 31, it is possible to obtain sufficient amount of deflection.

本実施形態の圧電材料からなる圧電体膜３は、ロンボヘドラルまたはモノクリニック構造であり、かつ擬立方晶（１００）または（１１０）に優先配向していることが望ましい。ロンボヘドラルまたはモノクリニック構造で擬立方晶（１００）に優先配向している圧電材料は、高い圧電定数を有する。ここで、「優先配向」とは、擬立方晶（１００）にすべての結晶が配向している場合と、擬立方晶（１００）にほとんどの結晶が配向しており、擬立方晶（１００）に配向していない残りの結晶が（１１０）等の配向となっている場合とを含むことができる。   The piezoelectric film 3 made of the piezoelectric material of the present embodiment preferably has a rhombohedral or monoclinic structure and is preferentially oriented to pseudo cubic (100) or (110). A piezoelectric material preferentially oriented to pseudo cubic (100) with a rhombohedral or monoclinic structure has a high piezoelectric constant. Here, the “preferential orientation” means that all the crystals are oriented to the pseudo cubic (100), and most crystals are oriented to the pseudo cubic (100). And the case where the remaining crystals that are not oriented to (110) or the like are oriented.

圧電体膜３の代表的な膜厚は、圧電素子１００の用途によって選択される。圧電体膜３の代表的な膜厚は、３００ｎｍから３．０μｍである。ただし、この厚みの上限値に関しては、薄膜としての緻密さ、結晶配向性を維持する範囲で厚くすることができ、１０μｍ程度まで許容できる。   A typical film thickness of the piezoelectric film 3 is selected depending on the application of the piezoelectric element 100. A typical film thickness of the piezoelectric film 3 is 300 nm to 3.0 μm. However, with respect to the upper limit value of the thickness, the thickness can be increased within a range that maintains the denseness and crystal orientation as a thin film, and can be up to about 10 μm.

図示の例では、上部電極４は、下部電極２と同様に、金属膜４０と導電性複合酸化物膜４２を有することができる。金属膜４０は、金属膜２０と同様であるので、詳細な説明を省略する。また、導電性複合酸化物膜４２は、導電性複合酸化物膜２２と同様であるので、詳細な説明を省略する。上部電極４は、金属膜４０と導電性複合酸化物膜４２との積層体でなくともよい。上部電極４は、白金、イリジウムなどの金属膜あるいは酸化イリジウムなどの導電性複合酸化物膜の単層から構成されていてもよい。   In the illustrated example, the upper electrode 4 can have a metal film 40 and a conductive complex oxide film 42, as with the lower electrode 2. Since the metal film 40 is the same as the metal film 20, a detailed description thereof is omitted. Further, since the conductive complex oxide film 42 is the same as the conductive complex oxide film 22, detailed description thereof is omitted. The upper electrode 4 may not be a laminate of the metal film 40 and the conductive complex oxide film 42. The upper electrode 4 may be composed of a single layer of a metal film such as platinum or iridium or a conductive complex oxide film such as iridium oxide.

本実施形態の第１の圧電素子１００は、たとえば以下のようにして形成できる。   The first piezoelectric element 100 of the present embodiment can be formed as follows, for example.

（１） まず、基体１を準備する。基体１としては、たとえば圧電素子１００を液体噴射ヘッドに適用する場合には、表面が（１１０）面であるシリコン基板を用いることができる。シリコン基板としては、後述するようにこれにキャビティ（インクキャビティ）を形成することから、これに必要な厚さを有したものが用いられる。代表的な厚みは３０μｍ〜１００μｍである。基体１は、シリコン基板上に酸化シリコン膜および酸化ジルコニウム膜（いずれも図示しない）を有することができる。酸化ジルコニウム膜は、基体１と下部電極２との密着性を高める機能を有する。また、酸化ジルコニウム膜を用いて、圧電体素子全体の硬さをコントロールすることで、インク吐出時の周波数応答性をコントロールすることができる。即ち酸化ジルコニアの膜厚を厚くすれば、圧電体素子全体が硬くなり、高い周波数でも圧電体素子を駆動できる。しかし厚くしすぎると、圧電体素子の圧電変位量が低下してしまうという関係がある。このような膜としては、他にも酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化アルミニウムなどを用いることができる。酸化シリコン膜は、シリコン基板を熱酸化することにより形成され、酸化ジルコニウム膜は、たとえばスパッタリングで形成することができる。   (1) First, the base body 1 is prepared. As the substrate 1, for example, when the piezoelectric element 100 is applied to a liquid jet head, a silicon substrate having a (110) surface can be used. As the silicon substrate, since a cavity (ink cavity) is formed in the silicon substrate as will be described later, a substrate having a thickness necessary for this is used. A typical thickness is 30 μm to 100 μm. The substrate 1 can have a silicon oxide film and a zirconium oxide film (both not shown) on a silicon substrate. The zirconium oxide film has a function of improving the adhesion between the substrate 1 and the lower electrode 2. Further, by using the zirconium oxide film to control the hardness of the entire piezoelectric element, it is possible to control the frequency response during ink ejection. That is, if the thickness of the zirconia oxide is increased, the entire piezoelectric element is hardened, and the piezoelectric element can be driven even at a high frequency. However, if it is too thick, there is a relationship that the amount of piezoelectric displacement of the piezoelectric element is reduced. As such a film, hafnium oxide, titanium oxide, yttrium oxide, aluminum oxide, or the like can be used. The silicon oxide film is formed by thermally oxidizing a silicon substrate, and the zirconium oxide film can be formed by sputtering, for example.

（２） 図１に示すように、基体１上に、下部電極２を形成する。下部電極２を構成する金属膜２０および導電性複合酸化物膜２２は、たとえば公知のスパッタリングなどによって形成される。スパッタリングで成膜された導電性複合酸化物膜２２、たとえばＬａＮｉＯ３膜は、擬立方晶であり、（１００）で優先配向することが望ましい。 (2) As shown in FIG. 1, the lower electrode 2 is formed on the substrate 1. The metal film 20 and the conductive complex oxide film 22 constituting the lower electrode 2 are formed by, for example, known sputtering. The conductive complex oxide film 22 formed by sputtering, for example, a LaNiO 3 film, is a pseudo-cubic crystal and is preferably preferentially oriented at (100).

（３） 図１に示すように、導電性複合酸化物膜２２上に、上述した一般式（１）で示される圧電材料からなる圧電体膜３を形成する。ゾルゲル法やＭＯＤ法にて圧電体膜３を形成する場合には、前記一般式（１）の組成となる前駆体溶液を用いて塗布膜を形成し、該塗布膜を結晶化させることにより形成できる。   (3) As shown in FIG. 1, the piezoelectric film 3 made of the piezoelectric material represented by the general formula (1) described above is formed on the conductive complex oxide film 22. When the piezoelectric film 3 is formed by the sol-gel method or the MOD method, the coating film is formed using the precursor solution having the composition of the general formula (1), and the coating film is crystallized. it can.

圧電体膜３の形成材料である前駆体溶液については、圧電体膜３となる圧電材料の構成金属をそれぞれ含んでなる有機金属化合物を各金属が所望のモル比となるように混合し、さらにアルコールなどの有機溶媒を用いてこれらを溶解、または分散させることにより作製することができる。圧電材料の構成金属をそれぞれ含んでなる有機金属化合物としては、金属アルコキシドや有機酸塩、βジケトン錯体といった有機金属化合物を用いることができる。具体的には、圧電材料以下のものが挙げられる。   For the precursor solution, which is a material for forming the piezoelectric film 3, an organic metal compound containing each of the constituent metals of the piezoelectric material to be the piezoelectric film 3 is mixed so that each metal has a desired molar ratio. These can be prepared by dissolving or dispersing them using an organic solvent such as alcohol. As the organometallic compound containing the constituent metals of the piezoelectric material, organometallic compounds such as metal alkoxides, organic acid salts, and β-diketone complexes can be used. Specific examples include the following piezoelectric materials.

カリウム（Ｋ）を含む有機金属化合物としては、たとえば、カリウムエトキシドが挙げられる。ビスマス（Ｂｉ）を含む有機金属化合物としては、たとえば、ビスマスイソプロポキシドが挙げられる。ニオブ（Ｎｂ）を含む有機金属化合物としては、たとえばニオブエトキシドが挙げられる。チタン（Ｔｉ）を含む有機金属化合物としては、たとえばチタンプロポキシドが挙げられる。圧電材料の構成金属を含んでなる有機金属化合物は、これらに限定されず、公知のものを用いることができる。   Examples of the organometallic compound containing potassium (K) include potassium ethoxide. Examples of the organometallic compound containing bismuth (Bi) include bismuth isopropoxide. Examples of the organometallic compound containing niobium (Nb) include niobium ethoxide. An example of the organometallic compound containing titanium (Ti) is titanium propoxide. The organometallic compound containing the constituent metal of the piezoelectric material is not limited to these, and known ones can be used.

前駆体溶液には、必要に応じて安定化剤等の各種添加剤を添加することができる。さらに、前駆体溶液に加水分解・重縮合を起こさせる場合には、前駆体溶液に適当な量の水とともに、触媒として酸あるいは塩基を添加することができる。   Various additives such as a stabilizer can be added to the precursor solution as necessary. Furthermore, in the case where hydrolysis / polycondensation is caused in the precursor solution, an acid or a base can be added as a catalyst together with an appropriate amount of water to the precursor solution.

圧電体膜３が所望の組成比となるように、原料溶液を調製する。この原料溶液を下部電極２上に塗布した後、熱処理を加えて塗膜を結晶化させることにより、圧電体膜３を形成することができる。具体的には、原料溶液の塗布工程、アルコールなどの溶媒の除去工程、塗膜の乾燥熱処理工程および脱脂熱処理工程の一連の工程を所望の回数行い、その後に結晶化アニールにより焼成して圧電体膜３を形成する。   A raw material solution is prepared so that the piezoelectric film 3 has a desired composition ratio. After applying this raw material solution on the lower electrode 2, the piezoelectric film 3 can be formed by applying heat treatment to crystallize the coating film. Specifically, a series of steps including a raw material solution coating step, a solvent removal step such as alcohol, a coating film drying heat treatment step, and a degreasing heat treatment step are performed as many times as desired, followed by firing by crystallization annealing to obtain a piezoelectric body. A film 3 is formed.

（４） 図１に示すように、圧電体膜３上に、上部電極４を形成する。上部電極４を構成する金属膜４０および導電性複合酸化物膜４２は、たとえば公知のスパッタリングなどによって形成される。上部電極４の構成については既に述べたので、ここでは省略する。   (4) As shown in FIG. 1, the upper electrode 4 is formed on the piezoelectric film 3. The metal film 40 and the conductive complex oxide film 42 constituting the upper electrode 4 are formed by, for example, known sputtering. Since the structure of the upper electrode 4 has already been described, it is omitted here.

（５） 次に、必要に応じて、ポストアニールを酸素雰囲気中でＲＴＡ等を用いて行うことができる。これにより、上部電極４と圧電体膜３との良好な界面を形成することができ、かつ圧電体膜３の結晶性を改善することができる。   (5) Next, if necessary, post-annealing can be performed in an oxygen atmosphere using RTA or the like. Thereby, a favorable interface between the upper electrode 4 and the piezoelectric film 3 can be formed, and the crystallinity of the piezoelectric film 3 can be improved.

以上の工程によって、本実施形態にかかる第１の圧電素子１００を製造することができる。   Through the above steps, the first piezoelectric element 100 according to the present embodiment can be manufactured.

以上のようにして、擬立方晶で（１００）に優先配向した導電性複合酸化物膜２２上に圧電体膜３を形成することにより、圧電体膜３は、導電性複合酸化物膜２２の配向を引き継いで形成される。その結果、圧電体膜３は、ペロブスカイト型でロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造であって、擬立方晶（１００）に優先配向して形成される。   As described above, by forming the piezoelectric film 3 on the conductive complex oxide film 22 which is pseudo cubic and preferentially oriented to (100), the piezoelectric film 3 is formed of the conductive complex oxide film 22. It is formed by taking over the orientation. As a result, the piezoelectric film 3 has a perovskite type, a rhombohedral structure or a monoclinic structure, and is preferentially oriented to pseudo cubic (100).

なお、圧電体膜３は、ゾルゲル法やＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）法の液相法のみならず、レーザーアブレーション法やスパッタ法等の気相法を用いて形成することもできる。   The piezoelectric film 3 can be formed not only by a liquid phase method such as a sol-gel method or a MOD (Metal Organic Decomposition) method but also by a vapor phase method such as a laser ablation method or a sputtering method.

２．２．第２の圧電素子
図２は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体膜を含む第２の圧電素子２００の一例を模式的に示す断面図である。 2.2. Second Piezoelectric Element FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a second piezoelectric element 200 including a piezoelectric film made of a piezoelectric material according to the present embodiment.

圧電素子２００は、基体１と、基体１上に形成されたバッファ膜２４と、バッファ膜２４上に形成された、上記圧電材料からなる圧電体膜３と、圧電体膜３上に形成された第２電極（上部電極）４とを含む。バッファ膜２４は、圧電体膜３の結晶配向性を制御する機能を有するので、基体１にかかる機能がある場合には、バッファ膜２４は設けなくてもよい。   The piezoelectric element 200 is formed on the substrate 1, the buffer film 24 formed on the substrate 1, the piezoelectric film 3 made of the piezoelectric material formed on the buffer film 24, and the piezoelectric film 3. A second electrode (upper electrode) 4. Since the buffer film 24 has a function of controlling the crystal orientation of the piezoelectric film 3, the buffer film 24 may not be provided if the function is applied to the substrate 1.

基体１は、圧電素子２００の用途によって選択され、その材料、構成は特に限定されない。基体１は、第１の圧電素子１００と同様であるので、詳細な記載を省略する。   The substrate 1 is selected depending on the application of the piezoelectric element 200, and the material and configuration thereof are not particularly limited. Since the substrate 1 is the same as the first piezoelectric element 100, detailed description thereof is omitted.

バッファ膜２４としては、第１の圧電素子１００で用いられた導電性複合酸化物膜２２を用いることができる。バッファ膜２４（導電性複合酸化物膜２２）は、圧電材料からなる圧電体膜３と同様に、擬立方晶で（１００）に優先配向していることが望ましい。導電性複合酸化物膜２２がこのような構造を有することで、該導電性複合酸化物膜２２上に形成される圧電体膜３は、導電性複合酸化物膜２２の結晶構造を引き継いだ結晶構造となる。したがって、圧電体膜３も導電性複合酸化物膜２２と同様に、擬立方晶（１００）に優先配向したものとなる。バッファ膜２４の材料としては、第１の圧電素子１００の導電性複合酸化物膜２２と同様に、ＬａＮｉＯ３、ＳｒＲｕＯ３などのペロブスカイト型酸化物を用いることができる。 As the buffer film 24, the conductive complex oxide film 22 used in the first piezoelectric element 100 can be used. The buffer film 24 (conductive complex oxide film 22) is preferably pseudocubic and preferentially oriented to (100), like the piezoelectric film 3 made of a piezoelectric material. Since the conductive complex oxide film 22 has such a structure, the piezoelectric film 3 formed on the conductive complex oxide film 22 is a crystal that inherits the crystal structure of the conductive complex oxide film 22. It becomes a structure. Therefore, the piezoelectric film 3 is also preferentially oriented to pseudo cubic (100), like the conductive complex oxide film 22. As the material of the buffer film 24, a perovskite oxide such as LaNiO 3 or SrRuO 3 can be used as in the case of the conductive complex oxide film 22 of the first piezoelectric element 100.

圧電体膜３は、第１の圧電素子１００と同様に、上述した圧電材料から形成される。すなわち、下記一般式（１）で表される圧電材料によって構成される。   Similar to the first piezoelectric element 100, the piezoelectric film 3 is formed of the above-described piezoelectric material. That is, it is constituted by a piezoelectric material represented by the following general formula (1).

x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１）
一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。ｘがこの範囲にあることにより、上述したように、圧電体膜は、良好な圧電特性、たとえば、高い圧電定数ｄ３１を有し、充分なたわみ量を得ることができる。 x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1)
In the general formula (1), 0.3 ≦ x ≦ 0.7 may be satisfied. By x is in the range, as described above, the piezoelectric film, excellent piezoelectric characteristics, for example, have high piezoelectric constant d 31, it is possible to obtain sufficient amount of deflection.

本実施形態の圧電材料からなる圧電体膜３は、ロンボヘドラルまたはモノクリニック構造であり、かつ擬立方晶（１００）に優先配向していることが望ましい。（１００）優先配向であれば、（１１０）配向が含まれていてもよい。ロンボヘドラルまたはモノクリニック構造で擬立方晶（１００）に優先配向している圧電材料は、高い圧電定数を有する。   The piezoelectric film 3 made of the piezoelectric material of this embodiment preferably has a rhombohedral or monoclinic structure and is preferentially oriented to pseudo cubic (100). If it is (100) preferential orientation, (110) orientation may be included. A piezoelectric material preferentially oriented to pseudo cubic (100) with a rhombohedral or monoclinic structure has a high piezoelectric constant.

圧電体膜３の代表的な膜厚は、圧電素子２００の用途によって選択される。圧電体膜３の代表的な膜厚は、３００ｎｍから３．０μｍである。ただし、この厚みの上限値に関しては、薄膜としての緻密さ、結晶配向性を維持する範囲で厚くすることができ、１０μｍ程度まで許容できる。   A typical film thickness of the piezoelectric film 3 is selected depending on the application of the piezoelectric element 200. A typical film thickness of the piezoelectric film 3 is 300 nm to 3.0 μm. However, with respect to the upper limit value of the thickness, the thickness can be increased within a range that maintains the denseness and crystal orientation as a thin film, and can be up to about 10 μm.

電極４は、金属膜または導電性複合酸化物膜から構成できる。電極４は、金属膜と導電性複合酸化物膜の積層体でもよい。電極４は、白金、イリジウム、アルミニウムなどの金属膜あるいは酸化イリジウムなどの導電性複合酸化物膜の単層から構成されていてもよい。   The electrode 4 can be composed of a metal film or a conductive complex oxide film. The electrode 4 may be a laminate of a metal film and a conductive complex oxide film. The electrode 4 may be composed of a single layer of a metal film such as platinum, iridium, or aluminum, or a conductive complex oxide film such as iridium oxide.

本実施形態の第２の圧電素子２００は、たとえば以下のようにして形成できる。   The second piezoelectric element 200 of the present embodiment can be formed as follows, for example.

（１） まず、基体１を準備する。基体１としては、第１の圧電素子１００と同様である。   (1) First, the base body 1 is prepared. The substrate 1 is the same as the first piezoelectric element 100.

（２） 図２に示すように、基体１上に、バッファ膜２４を形成する。バッファ膜２４は、たとえば公知のスパッタリングなどによって形成される。スパッタリングで成膜されたバッファ膜２４、たとえばＬａＮｉＯ３膜は、擬立方晶であり、（１００）で優先配向することが望ましい。バッファ膜２４としては、図１に示す第１の圧電素子１００の導電性複合酸化物膜２２で例示したものを用いることができる。 (2) As shown in FIG. 2, a buffer film 24 is formed on the substrate 1. The buffer film 24 is formed by, for example, known sputtering. The buffer film 24 formed by sputtering, such as a LaNiO 3 film, is a pseudo-cubic crystal and is preferably preferentially oriented at (100). As the buffer film 24, the one exemplified for the conductive complex oxide film 22 of the first piezoelectric element 100 shown in FIG. 1 can be used.

（３） 図２に示すように、バッファ膜２４上に、上述した一般式（１）で示される圧電材料からなる圧電体膜３を形成する。圧電体膜３は、第１の圧電素子１００における圧電体膜３と同様に形成できる。   (3) As shown in FIG. 2, the piezoelectric film 3 made of the piezoelectric material represented by the general formula (1) described above is formed on the buffer film 24. The piezoelectric film 3 can be formed in the same manner as the piezoelectric film 3 in the first piezoelectric element 100.

（４） 図２に示すように、圧電体膜３上に、電極４を形成する。電極４を構成する金属膜または導電性複合酸化物膜は、たとえば公知のスパッタリングなどによって形成される。   (4) As shown in FIG. 2, the electrode 4 is formed on the piezoelectric film 3. The metal film or conductive complex oxide film constituting the electrode 4 is formed by, for example, known sputtering.

（５） 次に、必要に応じて、ポストアニールを酸素雰囲気中でラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）等を用いて行うことができる。これにより、電極４と圧電体膜３との良好な界面を形成することができ、かつ圧電体膜３の結晶性を改善することができる。   (5) Next, post-annealing can be performed using rapid thermal annealing (RTA) or the like in an oxygen atmosphere as necessary. Thereby, a favorable interface between the electrode 4 and the piezoelectric film 3 can be formed, and the crystallinity of the piezoelectric film 3 can be improved.

以上の工程によって、本実施形態にかかる第２の圧電素子２００を製造することができる。   Through the above steps, the second piezoelectric element 200 according to the present embodiment can be manufactured.

以上のようにして、擬立方晶で（１００）に優先配向したバッファ膜２４（導電性複合酸化物膜２２）上に圧電体膜３を形成することにより、圧電体膜３は、バッファ膜２４の配向を引き継いで形成される。その結果、圧電体膜３は、ペロブスカイト型でロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造であって、擬立方晶（１００）に優先配向して形成される。   As described above, the piezoelectric film 3 is formed on the buffer film 24 (conductive complex oxide film 22) which is pseudo cubic and preferentially oriented to (100), so that the piezoelectric film 3 is formed of the buffer film 24. It is formed by taking over the orientation. As a result, the piezoelectric film 3 has a perovskite type, a rhombohedral structure or a monoclinic structure, and is preferentially oriented to pseudo cubic (100).

第１、第２の圧電素子１００，２００は、圧電特性に優れた圧電体膜３を有し、後述する各種の用途に好適に適用できる。   The first and second piezoelectric elements 100 and 200 have the piezoelectric film 3 having excellent piezoelectric characteristics, and can be suitably applied to various uses described later.

３．実験例
３．１．圧電素子
以下の方法によって、本発明の圧電素子のサンプルを得た。 3. Experimental Example 3.1. Piezoelectric Element A sample of the piezoelectric element of the present invention was obtained by the following method.

まず、（１１０）配向のシリコン基板上に、ＳｉＯ２膜を５００ｎｍ、ＺｒＯ２膜を５００ｎｍの膜厚で積層して基体１を得た。ＳｉＯ２膜は熱酸化によって形成し、ＺｒＯ２膜はスパッタリングで形成した。ついで、スパッタリングによって、ＺｒＯ２膜上に、下部電極２として、Ｐｔ膜を１００ｎｍ、ＬａＮｉＯ３膜を１００ｎｍの膜厚で順に積層した。Ｐｔ膜およびＬａＮｉＯ３膜のスパッタリングは、電力２００Ｗの条件で行った。得られたＬａＮｉＯ３膜の配向は、擬立方晶で（１００）に優先配向していることが確認された。 First, a substrate 1 was obtained by laminating a SiO 2 film with a thickness of 500 nm and a ZrO 2 film with a thickness of 500 nm on a (110) oriented silicon substrate. The SiO 2 film was formed by thermal oxidation, and the ZrO 2 film was formed by sputtering. Subsequently, as a lower electrode 2, a Pt film having a thickness of 100 nm and a LaNiO 3 film having a thickness of 100 nm were sequentially laminated on the ZrO 2 film by sputtering. Sputtering of the Pt film and the LaNiO 3 film was performed under the condition of electric power of 200W. It was confirmed that the orientation of the obtained LaNiO 3 film was pseudo-cubic and preferentially oriented to (100).

次いで、ＬａＮｉＯ３膜上に、圧電体膜を形成した。圧電体膜は以下のようにして得た。 Next, a piezoelectric film was formed on the LaNiO 3 film. The piezoelectric film was obtained as follows.

まず、前記一般式（１）におけるｘが０．７の圧電材料（0.7(K1/2Bi1/2)TiO3-0.3KNbO3）の前駆体溶液を以下のようにして調製した。 First, a precursor solution of a piezoelectric material (0.7 (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3 -0.3KNbO 3 ) having x of 0.7 in the general formula (1) was prepared as follows.

まず、カリウムエトキシド、ビスマスイソプロポキシド、ニオブエトキシド、チタンイソプロポキシドの各金属の金属試薬をそれぞれ用意した。次に、得たい上記圧電材料の組成に対応したモル比となるようにこれらを混合するとともに、これらをブチルセロソルブに溶解（分散）させた。具体的には、（Ｋ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３形成用のゾルゲル原料とＫＮｂＯ３形成用ゾルゲル原料とを０．７：０．３のモル比で混合して前駆体溶液を形成した。さらに、この溶液の安定化剤としてジエタノールアミンを添加した。このようにして前駆体溶液を調整した。なお、ジエタノールアミンの代わりに酢酸を用いることもできる。 First, metal reagents for each metal of potassium ethoxide, bismuth isopropoxide, niobium ethoxide, and titanium isopropoxide were prepared. Next, these were mixed so as to have a molar ratio corresponding to the composition of the piezoelectric material desired to be obtained, and dissolved (dispersed) in butyl cellosolve. Specifically, a precursor solution is formed by mixing a sol-gel raw material for forming (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3 and a sol-gel raw material for forming KNbO 3 at a molar ratio of 0.7: 0.3. did. Furthermore, diethanolamine was added as a stabilizer for this solution. In this way, a precursor solution was prepared. Acetic acid can also be used in place of diethanolamine.

そして、この前駆体溶液をスピンコート法によって下部電極２上に塗布した（前駆体溶液の塗布工程）。次に、溶媒の沸点（ブチルセロソルブの場合、１７０℃程度）より約１０℃高い温度で熱処理（乾燥）して溶媒を除去しゲル化させた（乾燥熱処理工程）。次に、さらに４００℃程度に加熱することで膜中に残存している溶媒以外の有機成分を分解／除去し（脱脂熱処理工程）、膜厚１００ｎｍのアモルファス膜を形成した。以上の工程を５回繰り返して行った。次に、酸素雰囲気中でラピッドサーマルアニーリング（ＲＴＡ）を用いて７００℃で１分間加熱し、結晶化を行うことで、膜厚５００ｎｍの圧電体膜３を形成した。   And this precursor solution was apply | coated on the lower electrode 2 with the spin coat method (precursor solution application | coating process). Next, it was heat-treated (dried) at a temperature about 10 ° C. higher than the boiling point of the solvent (about 170 ° C. in the case of butyl cellosolve) to remove the solvent and gel (dry heat treatment step). Next, by heating to about 400 ° C., organic components other than the solvent remaining in the film were decomposed / removed (degreasing heat treatment step) to form an amorphous film having a thickness of 100 nm. The above process was repeated 5 times. Next, crystallization was performed by heating at 700 ° C. for 1 minute using rapid thermal annealing (RTA) in an oxygen atmosphere to form a piezoelectric film 3 having a thickness of 500 nm.

得られた圧電体膜についてＸ線回折分析を行ったところ、図９に示す結果が得られた。この結果から、本実施例の圧電材料からなる圧電体膜は、ペロブスカイト型構造の擬立方晶で（１００）、（１１０）に配向していることが確認された。特に、図９において（１００）のピーク強度が強いので、本圧電体膜は（１００）優先配向しているといえる。   When the obtained piezoelectric film was subjected to X-ray diffraction analysis, the result shown in FIG. 9 was obtained. From this result, it was confirmed that the piezoelectric film made of the piezoelectric material of this example is a pseudocubic crystal having a perovskite structure and oriented in (100) and (110). In particular, since the peak intensity of (100) in FIG. 9 is strong, it can be said that the piezoelectric film is (100) preferentially oriented.

ついで、スパッタリングにより圧電体膜３上に、１００ｎｍのＳｒＲｕＯ３膜と、膜厚１００ｎｍのＰｔ膜を順に積層して上部電極４を形成した。 Next, an upper electrode 4 was formed by sequentially stacking a 100 nm SrRuO 3 film and a 100 nm thick Pt film on the piezoelectric film 3 by sputtering.

以上のようにして、圧電素子のサンプルを得た。さらに、前記一般式（１）におけるｘの値を変えて、上記の方法と同様にして１１種類の圧電材料を有する圧電素子を得た。これらの圧電素子における圧電材料からなる圧電体膜の組成および結晶構造を表１に示す。結晶構造の同定にはＸ線散乱、およびラマン散乱を用いた。   A sample of a piezoelectric element was obtained as described above. Furthermore, by changing the value of x in the general formula (1), piezoelectric elements having 11 types of piezoelectric materials were obtained in the same manner as described above. Table 1 shows the composition and crystal structure of the piezoelectric film made of the piezoelectric material in these piezoelectric elements. X-ray scattering and Raman scattering were used to identify the crystal structure.

表１から、一般式（１）において、ｘが１．０，０．９および０．８の場合には、圧電体膜はテトラゴナル構造を有し、ｘが０．３〜０．７の場合には、圧電体膜は擬立方晶構造を有し、ｘが０．０〜０．２の場合には、圧電体膜はオルソロンビック構造であることが確認された。擬立方晶においては、系が強誘電性を示すことから、立方晶構造ではなく、ロンボヘドラルあるいはモノクリニックいずれかの構造であると同定できる。   From Table 1, in the general formula (1), when x is 1.0, 0.9, and 0.8, the piezoelectric film has a tetragonal structure, and x is 0.3 to 0.7. The piezoelectric film has a pseudo cubic structure, and when x is 0.0 to 0.2, it was confirmed that the piezoelectric film has an orthorhombic structure. In the pseudo cubic system, since the system exhibits ferroelectricity, it can be identified not as a cubic structure but as a rhombohedral or monoclinic structure.

３．２．インクジェット式ヘッド
３．１．で得られた各圧電素子を用いてインクジェット式ヘッドのサンプルを作成した。このとき、インクジェット式ヘッドのキャビティ幅は５０μｍ、キャビティ長は５ｍｍ、キャビティ深さは５０μｍであった。 3.2. Inkjet head 3.1. An ink jet head sample was prepared using each of the piezoelectric elements obtained in the above. At this time, the cavity width of the ink jet head was 50 μm, the cavity length was 5 mm, and the cavity depth was 50 μm.

そして、各インクジェット式ヘッドを用いてキャビティの変位量を測定した。その結果を表１に示す。本試験例では、キャビティの変位量が２００ｎｍ以上のものを良（○）とし、キャビティの変位量が２００ｎｍ未満のものを不良（×）と判定した。   And the displacement amount of the cavity was measured using each inkjet head. The results are shown in Table 1. In this test example, a cavity displacement amount of 200 nm or more was judged as good (◯), and a cavity displacement amount of less than 200 nm was judged as defective (x).

表１から、一般式（１）におけるｘが０．３から０．７のサンプルでは、良好なキャビティの変位量が得られた。また、これらの良好なサンプルにおけるリーク電流は、１００ｋＶ／ｃｍで１×１０−４Ａ／ｃｍ２未満の高い絶縁性を示した。さらに、これらの良好なサンプルにおいては、１００ｋＶ／ｃｍの電圧の印加時における繰り返し耐久性として、１０９回を保証できることを確認した。すなわち、キャビティの変位の低下は初期値に対して２０％以内であることがわかった。 From Table 1, good displacement of the cavity was obtained in the sample where x in the general formula (1) was 0.3 to 0.7. Moreover, the leakage current in these favorable samples showed high insulation of less than 1 × 10 −4 A / cm 2 at 100 kV / cm. Furthermore, in these favorable samples, it was confirmed that 10 9 times could be guaranteed as the repeated durability when a voltage of 100 kV / cm was applied. That is, it was found that the decrease in the cavity displacement was within 20% of the initial value.

Figure 2007134566
Figure 2007134566

４．適用例
４．１．インクジェット式記録ヘッド
次に、上述の第１の圧電素子１００が圧電アクチュエータとして機能しているインクジェット式記録ヘッドおよびこのインクジェット式記録ヘッドを有するインクジェットプリンタについて説明する。図３は、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す側断面図であり、図４は、このインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、通常使用される状態とは上下逆に示したものである。なお、図５には、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを有するインクジェットプリンタ７００を示す。 4). Application example 4.1. Inkjet Recording Head Next, an inkjet recording head in which the first piezoelectric element 100 described above functions as a piezoelectric actuator and an inkjet printer having this inkjet recording head will be described. FIG. 3 is a side sectional view showing a schematic configuration of the ink jet recording head according to the present embodiment, and FIG. 4 is an exploded perspective view of the ink jet recording head, which is upside down from a state of normal use. It is shown. FIG. 5 shows an ink jet printer 700 having an ink jet recording head according to this embodiment.

図３および図４に示すように、インクジェット式記録ヘッド５０は、ヘッド本体５７と、ヘッド本体５７上に形成される圧電部５４と、を含む。圧電部５４には図１に示す圧電素子１００が適用され、下部電極２、圧電体膜３および上部電極４が順に積層して構成されている。圧電体膜３は、本発明の圧電材料を用いて形成された膜である。インクジェット式記録ヘッドにおいて、圧電部５４は、圧電アクチュエータとして機能する。   As shown in FIGS. 3 and 4, the ink jet recording head 50 includes a head main body 57 and a piezoelectric portion 54 formed on the head main body 57. The piezoelectric element 100 shown in FIG. 1 is applied to the piezoelectric part 54, and the lower electrode 2, the piezoelectric film 3, and the upper electrode 4 are sequentially laminated. The piezoelectric film 3 is a film formed using the piezoelectric material of the present invention. In the ink jet recording head, the piezoelectric unit 54 functions as a piezoelectric actuator.

ヘッド本体５７は、ノズル板５１と、インク室基板５２と、弾性膜５５と、から構成されている。図１に示す圧電素子１００における基体１は、図３における弾性膜５５を構成する。また、圧電素子１００における基体１は、図３におけるインク室基板５２を構成する。インク室基板５２にはキャビティ５２１が形成されている。また、ノズル板５１には、キャビティ５２１と連続するノズル５１１が形成されている。そして、図４に示すように、これらが筐体５６に収納されて、インクジェット式記録ヘッド５０が構成されている。ノズル５１１の穴径は１０〜３０μｍである。またノズル５１１は、１インチあたり９０ノズル〜３００ノズルのピッチで形成される。   The head main body 57 includes a nozzle plate 51, an ink chamber substrate 52, and an elastic film 55. The base 1 in the piezoelectric element 100 shown in FIG. 1 constitutes the elastic film 55 in FIG. Further, the substrate 1 in the piezoelectric element 100 constitutes the ink chamber substrate 52 in FIG. A cavity 521 is formed in the ink chamber substrate 52. In addition, a nozzle 511 that is continuous with the cavity 521 is formed on the nozzle plate 51. Then, as shown in FIG. 4, these are housed in a casing 56 to constitute an ink jet recording head 50. The hole diameter of the nozzle 511 is 10 to 30 μm. The nozzles 511 are formed at a pitch of 90 to 300 nozzles per inch.

各圧電部は、圧電素子駆動回路（図示しない）に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。すなわち、各圧電部５４はそれぞれ振動源（ヘッドアクチュエータ）として機能する。弾性膜５５は、圧電部５４の振動（たわみ）によって振動し、キャビティ５２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。圧電体への最大印加電圧は２０Ｖ〜４０Ｖであり、２０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚで駆動する。代表的なインク吐出量は２ピコリットルから５ピコリットルの間である。   Each piezoelectric unit is electrically connected to a piezoelectric element drive circuit (not shown), and is configured to operate (vibrate or deform) based on a signal from the piezoelectric element drive circuit. That is, each piezoelectric part 54 functions as a vibration source (head actuator). The elastic film 55 vibrates due to the vibration (deflection) of the piezoelectric portion 54 and functions to instantaneously increase the internal pressure of the cavity 521. The maximum applied voltage to the piezoelectric body is 20V to 40V and is driven at 20 kHz to 50 kHz. A typical ink discharge amount is between 2 picoliters and 5 picoliters.

なお、上述では、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドを一例として説明したが、本実施形態は、圧電素子を用いた液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置全般を対象としたものである。液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオチップ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等を挙げることができる。   In the above description, an ink jet recording head that discharges ink has been described as an example. However, the present embodiment is intended for liquid ejecting heads and liquid ejecting apparatuses that use piezoelectric elements. Examples of the liquid ejecting head include a recording head used in an image recording apparatus such as a printer, a color material ejecting head used for manufacturing a color filter such as a liquid crystal display, an organic EL display, and an electrode formation such as an FED (surface emitting display). Examples thereof include an electrode material ejecting head used in manufacturing, a bioorganic matter ejecting head used in biochip manufacturing, and the like.

４．２．表面弾性波素子
次に、本発明の第２の圧電素子２００を適用した表面弾性波素子の一例について、図面を参照しながら説明する。 4.2. Surface Acoustic Wave Element Next, an example of a surface acoustic wave element to which the second piezoelectric element 200 of the present invention is applied will be described with reference to the drawings.

図６は、本実施形態に係る表面弾性波素子３００を模式的に示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a surface acoustic wave device 300 according to this embodiment.

表面弾性波素子３００は、図２に示す第２の圧電素子２００を適用して形成される。すなわち、表面弾性波素子３００は、圧電素子２００における基体１と、基体１上に形成されたバッファ膜２４と、バッファ膜２４上に形成された圧電体膜３と、圧電体膜１２上に形成された電極、すなわちインターディジタル型電極（以下、「ＩＤＴ電極」という）１８，１９と、を含む。ＩＤＴ電極１８，１９は、図２に示す電極４をパターニングして形成される。圧電体膜３は、本発明の圧電材料を用いて形成される。   The surface acoustic wave element 300 is formed by applying the second piezoelectric element 200 shown in FIG. That is, the surface acoustic wave element 300 is formed on the base 1 in the piezoelectric element 200, the buffer film 24 formed on the base 1, the piezoelectric film 3 formed on the buffer film 24, and the piezoelectric film 12. Electrodes, that is, interdigital electrodes (hereinafter referred to as “IDT electrodes”) 18 and 19. The IDT electrodes 18 and 19 are formed by patterning the electrode 4 shown in FIG. The piezoelectric film 3 is formed using the piezoelectric material of the present invention.

４．３．周波数フィルタ
次に、本発明の第２の圧電素子２００を適用した周波数フィルタの一例について、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態の周波数フィルタを模式的に示す図である。 4.3. Frequency Filter Next, an example of a frequency filter to which the second piezoelectric element 200 of the present invention is applied will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a diagram schematically illustrating the frequency filter of the present embodiment.

図７に示すように、周波数フィルタは積層体１４０を有する。この積層体１４０としては、上述した表面弾性波素子３００と同様の積層体（図６参照）を用いることができる。すなわち、積層体１４０は、図２に示す基体１と、バッファ膜２４と、圧電体膜３とを有することができる。   As shown in FIG. 7, the frequency filter has a stacked body 140. As this laminated body 140, the laminated body (refer FIG. 6) similar to the surface acoustic wave element 300 mentioned above can be used. That is, the laminate 140 can include the base body 1, the buffer film 24, and the piezoelectric film 3 shown in FIG.

積層体１４０は、その上面に、図２に示す電極４をパターニングして形成されるＩＤＴ電極１４１、１４２を有する。また、ＩＤＴ電極１４１、１４２を挟むように、積層体１４０の上面には吸音部１４３、１４４が形成されている。吸音部１４３、１４４は、積層体１４０の表面を伝播する表面弾性波を吸収するものである。一方のＩＤＴ電極１４１には高周波信号源１４５が接続されており、他方のＩＤＴ電極１４２には信号線が接続されている。ここで、圧電体膜は、本発明の圧電材料を用いて形成される。   The stacked body 140 has IDT electrodes 141 and 142 formed by patterning the electrode 4 shown in FIG. In addition, sound absorbing portions 143 and 144 are formed on the upper surface of the laminate 140 so as to sandwich the IDT electrodes 141 and 142. The sound absorbing parts 143 and 144 absorb surface acoustic waves that propagate on the surface of the laminate 140. One IDT electrode 141 is connected to a high frequency signal source 145, and the other IDT electrode 142 is connected to a signal line. Here, the piezoelectric film is formed using the piezoelectric material of the present invention.

４．４．発振器
次に、本発明の第２の圧電素子２００を適用した発振器の一例について、図面を参照しながら説明する。図８は、本実施形態の発振器を模式的に示す図である。 4.4. Next, an example of an oscillator to which the second piezoelectric element 200 of the present invention is applied will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a diagram schematically illustrating the oscillator according to the present embodiment.

図８に示すように、発振器は積層体１５０を有する。この積層体１５０としては、上述した表面弾性波素子３００と同様の積層体（図６参照）を用いることができる。すなわち、積層体１５０は、図２に示す基体１と、バッファ膜２４と、圧電体膜３とを有することができる。   As shown in FIG. 8, the oscillator has a stacked body 150. As this laminated body 150, the laminated body (refer FIG. 6) similar to the surface acoustic wave element 300 mentioned above can be used. That is, the multilayer body 150 can include the base body 1, the buffer film 24, and the piezoelectric film 3 shown in FIG. 2.

積層体１５０の上面には、ＩＤＴ電極１５１が形成されており、さらに、ＩＤＴ電極１５１を挟むように、ＩＤＴ電極１５２、１５３が形成されている。ＩＤＴ電極１５１を構成する一方の櫛歯状電極１５１ａには、高周波信号源１５４が接続されており、他方の櫛歯状電極１５１ｂには、信号線が接続されている。なお、ＩＤＴ電極１５１は、電気信号印加用電極に相当し、ＩＤＴ電極１５２、１５３は、ＩＤＴ電極１５１によって発生される表面弾性波の特定の周波数成分または特定の帯域の周波数成分を共振させる共振用電極に相当する。ここで、圧電体膜は、本発明の圧電材料を用いて形成することができる。   An IDT electrode 151 is formed on the upper surface of the multilayer body 150, and IDT electrodes 152 and 153 are formed so as to sandwich the IDT electrode 151. A high frequency signal source 154 is connected to one comb-like electrode 151a constituting the IDT electrode 151, and a signal line is connected to the other comb-like electrode 151b. The IDT electrode 151 corresponds to an electric signal applying electrode, and the IDT electrodes 152 and 153 are used for resonance to resonate a specific frequency component of a surface acoustic wave generated by the IDT electrode 151 or a frequency component of a specific band. It corresponds to an electrode. Here, the piezoelectric film can be formed using the piezoelectric material of the present invention.

また、前述した発振器をＶＣＳＯ（Voltage Controlled ＳＡＷ Oscillator：電圧制御ＳＡＷ発振器）に応用することもできる。   The above-described oscillator can also be applied to a VCSO (Voltage Controlled SAW Oscillator).

以上述べたように、本実施形態に係る周波数フィルタおよび発振器は、本発明に係る表面弾性波素子を有する。   As described above, the frequency filter and oscillator according to this embodiment have the surface acoustic wave device according to the present invention.

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

本実施形態にかかる第１の圧電素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the 1st piezoelectric element concerning this embodiment. 本実施形態にかかる第２の圧電素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the 2nd piezoelectric element concerning this embodiment. 本実施形態の適用例に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an ink jet recording head according to an application example of the embodiment. 本実施形態の適用例に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図。FIG. 3 is an exploded perspective view of an ink jet recording head according to an application example of the embodiment. 本実施形態の適用例に係るインクジェットプリンタの概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of an inkjet printer according to an application example of the present embodiment. 本実施形態の適用例に係る表面弾性波素子を示す断面図。Sectional drawing which shows the surface acoustic wave element which concerns on the application example of this embodiment. 本実施形態の適用例に係る周波数フィルタを示す斜視図。The perspective view which shows the frequency filter which concerns on the application example of this embodiment. 本実施形態の適用例に係る発振器を示す斜視図。The perspective view which shows the oscillator which concerns on the application example of this embodiment. 本実施例の圧電体膜のＸ線回折結果を示す図。The figure which shows the X-ray-diffraction result of the piezoelectric material film of a present Example.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基体、２ 下部電極、３ 圧電体膜、４ 上部電極、２０ 金属膜、２２ 導電性複合酸化物膜、２４ バッファ膜、４０ 金属膜、４２ 導電性複合酸化物膜、５０ インクジェット式記録ヘッド、１００，２００ 圧電素子、３００ 表面弾性波素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate, 2 Lower electrode, 3 Piezoelectric film, 4 Upper electrode, 20 Metal film, 22 Conductive complex oxide film, 24 Buffer film, 40 Metal film, 42 Conductive complex oxide film, 50 Inkjet recording head, 100, 200 Piezoelectric element, 300 Surface acoustic wave element

Claims (11)

下記一般式（１）で表される、圧電材料。
x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１） A piezoelectric material represented by the following general formula (1).
x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1) 請求項１において、
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７である、圧電材料。 In claim 1,
The piezoelectric material which is 0.3 <= x <= 0.7 in the said General formula (1). 請求項１または２において、
擬立方晶で（１００）または（１１０）に優先配向している、圧電材料。 In claim 1 or 2,
A piezoelectric material which is pseudo cubic and is preferentially oriented to (100) or (110). 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造を有する、圧電材料。 In any of claims 1 to 3,
A piezoelectric material having a rhombohedral structure or a monoclinic structure. 基体と、
前記基体の上方に形成され、下記一般式（１）で表される、圧電材料からなる圧電体膜と、を含む、圧電素子。
x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)KNbO3 ・・・（１） A substrate;
A piezoelectric element comprising: a piezoelectric film made of a piezoelectric material formed above the substrate and represented by the following general formula (1).
x (K 1/2 Bi 1/2 ) TiO 3- (1-x) KNbO 3 (1) 請求項５において、
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７である、圧電素子。 In claim 5,
The piezoelectric element that satisfies 0.3 ≦ x ≦ 0.7 in the general formula (1). 請求項５または６において、
前記基体と前記圧電体膜との間に形成された第１電極と、
前記圧電体膜の上方に形成された第２電極と、を有する、圧電アクチュエータ。 In claim 5 or 6,
A first electrode formed between the substrate and the piezoelectric film;
And a second electrode formed above the piezoelectric film. 請求項７において、
前記第１電極は、擬立方晶で（１００）または（１１０）に優先配向している導電性複合酸化物膜を有する、圧電アクチュエータ。 In claim 7,
The first electrode is a piezoelectric actuator having a conductive complex oxide film which is pseudo cubic and is preferentially oriented to (100) or (110). ノズル穴を有するノズル板と、
前記ノズル板の上方に形成された、請求項７または８に記載の圧電アクチュエータと、
前記圧電アクチュエータの前記基体に形成され、前記ノズル穴と連続するキャビティと、を含む、液体噴射ヘッド。 A nozzle plate having nozzle holes;
The piezoelectric actuator according to claim 7 or 8, formed above the nozzle plate,
And a cavity formed in the base of the piezoelectric actuator and continuous with the nozzle hole. 請求項５または６において、
前記圧電体膜の上方に形成された電極を有する、表面弾性波素子。 In claim 5 or 6,
A surface acoustic wave device having an electrode formed above the piezoelectric film. 請求項１０に記載の表面弾性波素子を含む、デバイス。   A device comprising the surface acoustic wave device according to claim 10.
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