JP2007127769A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーシャルモード時において消費電力を低減することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分がそれぞれ6ビットのデータで構成される1つの画素データを格納するための画素データ格納部は、18個のメモリセルCELL1〜CELL18を有する。メモリセルCELL1〜CELL3は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のそれぞれのMSBを格納する。メモリセルCELL4〜CELL18は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のそれぞれのMSB以外の下位ビットデータを格納する。メモリセルCELL1〜CELL3は、通常動作モード又はパーシャルモードにおいて読み出され、メモリセルCELL4〜CELL18は、通常動作モードにおいて読み出される。
【選択図】図4
【解決手段】R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分がそれぞれ6ビットのデータで構成される1つの画素データを格納するための画素データ格納部は、18個のメモリセルCELL1〜CELL18を有する。メモリセルCELL1〜CELL3は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のそれぞれのMSBを格納する。メモリセルCELL4〜CELL18は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のそれぞれのMSB以外の下位ビットデータを格納する。メモリセルCELL1〜CELL3は、通常動作モード又はパーシャルモードにおいて読み出され、メモリセルCELL4〜CELL18は、通常動作モードにおいて読み出される。
【選択図】図4
Description
本発明は、画像データを格納することが可能な半導体集積回路に関し、特に、省電力動作モードを有する半導体集積回路に関する。
LCD等の表示デバイスを駆動するためのドライバICにおいては、CPU(central processing unit)から入力される画像データを一時的に記憶するために、SRAM(static random access memory)メモリセルを内蔵したタイプのものが存在する。このような従来のドライバICについて、図11〜図12を参照しながら説明する。なお、ここでは、1つの画像データは、240行×320列の画素データによって構成され、1つの画素データは、R(赤)成分の6ビット、G(緑)成分の6ビット、B(青)成分の6ビットの計18ビットで構成されるものとする。
図11は、従来のドライバICの画像データ記憶部の概要を示す図である。図11に示すように、画像データ記憶部60は、コントロール回路61と、行(row)デコーダ62と、列(column)デコーダ63と、書込み回路64と、記憶部65と、出力回路66とを具備する。記憶部65は、1つの画像データを構成する240行×320列の画素データを格納するため、240行×320列のマトリクス状に配列された240×320個の画素データ格納部ST4(1,1)〜ST4(320,240)を含んでいる。
コントロール回路61は、外部のCPU(図示せず)の制御下で、行デコーダ62、列デコーダ63、書込み回路64を制御する。行デコーダ62は、画素データ格納部ST4(1,1)〜ST4(320,240)の所望の行を選択する。列デコーダ63は、画素データ格納部ST4(1,1)〜ST4(320,240)の所望の列を選択する。書込み回路64は、外部から供給される画素データを画素データ格納部ST4(1,1)〜ST4(320,240)の所望の行に書き込む。出力回路66は、画素データ格納部ST4(1,1)〜ST4(320,240)の所望の行に格納されている画素データを読み出してセグメント信号出力回路(図示せず)に出力する。
図12は、1つの画素データ格納部を示す図である。図12に示すように、画素データ格納部は、1つの画素データを構成する計18ビットのデータを格納するため、18個のSRAMメモリセルCELL101〜CELL118を含んでいる。メモリセルCELL101〜CELL106は、R(赤)成分の6ビットのデータを格納し、メモリセルCELL107〜112は、G(緑)成分の6ビットのデータを格納し、メモリセルCELL113〜118は、B(青)成分の6ビットのデータを格納する。メモリセルCELL101〜CELL118は、行選択線SL11を介して行デコーダ62により選択される。
画素データの画素データ格納部への書込みは、行デコーダ62及び/又は列デコーダ63により所望の行及び/又は列を選択し、書込み回路64から画素データを供給することで実現される。同様に、画素データの画素データ格納部からの読出しは、行デコーダ62及び/又は列デコーダ63により所望の行及び/又は列を選択することで実現される。
ところで、近年、LCDは、携帯電話装置等の携帯機器に搭載されるようになってきている。LCDを搭載している携帯電話装置は、バッテリの電力消費を低減するため、パーシャルモードと呼ばれる省電力動作モードを有することが多い。パーシャルモードとは、一般に、LCDの各画素を減色表示するモードをいう。なお、減色表示を伴い又は減色表示を伴わずに、LCDの一部の画素のみを駆動するモードがパーシャルモードと呼ばれることもある。
パーシャルモードの一例として、上記のように1つの画素データがR(赤)成分の6ビット、G(緑)成分の6ビット、B(青)成分の6ビットの計18ビットで構成されている場合、R(赤)成分のMSB(most significant bit)、G(緑)成分のMSB、B(青)成分のMSBの計3ビットで1つの画素の表示が行われる場合がある。この場合、LCDドライバICの駆動信号出力回路は、1画素当たり3ビット分のデータを出力すれば足りる。しかしながら、従来のLCDドライバICにおいては、図12に示すように、1画素当たり18個のメモリセルCELL101〜CELL118が全て選択されてしまう。そのため、メモリセル18個分のビットラインのプリチャージと、メモリセル18個分のデータの読出し(プリチャージされたビットラインのディスチャージを伴う)とが行われ、無駄な電力が消費されてしまっていた。
ところで、下記の特許文献1には、互いに直交して配置される複数本の信号線及び走査線と、この信号線と走査線との交点近傍にスイッチング素子を介して配置される画素電極とを備えたアレイ基板と、アレイ基板と光変調層を挟んで配された対向基板と、を含んだ表示セルと、信号線に接続され、画像信号を供給する信号線駆動回路と、走査線に接続され、スイッチング素子をON状態にして画像信号を画素電極に書き込むゲート信号を供給する走査線駆動回路と、対向基板に対向電圧を供給する対向電圧駆動回路と、を有する平面表示装置において、表示セルの表示状態が画像の表示領域と非表示領域とよりなる場合に、走査線駆動回路は、表示領域に属するゲート線へゲート信号を供給し、非表示領域に属する少なくとも一部のゲート線は所定の電圧状態に固定することを特徴する平面表示装置が掲載されている。
この平面表示装置によれば、パーシャル表示を行う場合に消費電力を極力少なくすることができる。しかしながら、特許文献1におけるパーシャル表示とは、減色表示を伴わずに一部の画素のみを駆動するものであり、減色表示に関するものではない。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、パーシャルモード時において消費電力を低減することが可能な半導体集積回路を提供することを目的とする。
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路は、1つの画像データを構成するI行J列(I,Jは自然数)の画素データを格納するためにI行K列(Kは、J以下の自然数)に配列された(I×K)個の画素データ格納部を具備する半導体集積回路であって、画素データ格納部が、画素データを構成する複数のビットデータの内の所定のビットデータを格納し、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて読み出される第1群のメモリセルと、画素データを構成する複数のビットデータの内の所定のビットデータ以外のビットデータを格納し、通常動作モードにおいて読み出され、省電力動作モードにおいて読み出されない第2群のメモリセルと、を含む。
この半導体集積回路において、I行K列(K=J)に配列された(I×K)個の画素データ格納部を具備し、画素データが、第1〜第L(Lは、自然数)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第L群のビットデータによって構成されており、第1群のメモリセルが、第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータを格納し、第2群のメモリセルが、第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを格納するようにしても良い。さらに、第1群のメモリセルが連続して配置されているとともに、第2群のメモリセルが連続して配置されているようにしても良い。また、第1群のメモリセルが、第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSB(most significant bit)データを格納し、第2群のメモリセルが、第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを格納するようにしても良い。
また、I行K列(K<J)に配列された(I×K)個の画素データ格納部を具備し、画素データが、第1〜第L(Lは、自然数)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第L群のビットデータによって構成されており、第1群のメモリセルが、I行J列の画素データの中の同一行内において連続するM個(Mは、2以上の整数)の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータを格納し、第2群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを格納するようにしても良い。
また、I行K列(K=J/M)に配列された(I×K)個の画素データ格納部を具備するようにしても良い。
また、第1群のメモリセルが連続して配置されているとともに、第2群のメモリセルが連続して配置されているようにしても良い。
また、第1群のメモリセルが連続して配置されているとともに、第2群のメモリセルが連続して配置されているようにしても良い。
また、第1群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータを色成分ごとに格納するとともに、第2群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを色成分ごとに格納するようにしても良い。
また、第1群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータを格納し、第2群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを格納するようにしても良い。
また、第1群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータを格納し、第2群のメモリセルが、M個の画素データに含まれている第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを格納するようにしても良い。
また、画素データが、R(赤)、G(緑)、及び、B(青)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第3群のビットデータによって構成されているようにしても良い。
また、I行K列に配列された画素データ格納部の各行内の第1群のメモリセルを選択するためのI本の第1群の行選択線と、I行K列に配列された画素データ格納部の各行内の第2群のメモリセルを選択するためのI本の第2群の行選択線と、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、第1群の行選択線の内のI行K列に配列された画素データ格納部の所望の行に接続された行選択線を活性化する第1の行デコーダと、通常動作モードにおいて、第2群の行選択線の内のI行K列に配列された画素データ格納部の所望の行に接続された行選択線を活性化する第2の行デコーダとを更に具備するようにしても良い。
また、I行K列に配列された画素データ格納部の各行を選択するためのI本のメイン行選択線と、通常動作モード及び/又は省電力動作モードにおいて、I本のメイン行選択線の内のI行K列に配列された画素データ格納部の所望の行に接続されたメイン行選択線を活性化するメイン行デコーダと、を更に具備し、画素データ格納部が、第1群のメモリセルを選択するための第1のサブ行選択線と、第2群のメモリセルを選択するための第2のサブ行選択線と、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、メイン行選択線が活性化された場合に第1のサブ行選択線を活性化する第1のサブ行デコーダと、通常動作モードにおいて、メイン行選択線が活性化された場合に第2のサブ行選択線を活性化する第2のサブ行デコーダと、を更に含むようにしても良い。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路を用いたLCDモジュールを示す図である。図1に示すように、このLCDモジュールは、ドライバIC10と、上部パネル20と、ガラス基板30とを含んでいる。LCDパネルは、ガラス基板30と上部パネル20との間に、液晶材料を挟み込んで構成される。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路を用いたLCDモジュールを示す図である。図1に示すように、このLCDモジュールは、ドライバIC10と、上部パネル20と、ガラス基板30とを含んでいる。LCDパネルは、ガラス基板30と上部パネル20との間に、液晶材料を挟み込んで構成される。
LCDパネルは、セグメント方向において複数のセグメント領域S1〜S320を有し、コモン方向においても複数のコモン領域C1〜C240を有している。ここで、1つのセグメント領域と1つのコモン領域を特定することにより、1つの画素(ドット)が特定される。本実施形態においては、LCDパネルが、320個のセグメント領域と240個のコモン領域を有するものとする。この場合には、LCDパネルは、320×240個の画素を有する(QVGA(quarter video graphics array)と呼ばれる)こととなる。
ガラス基板30上には、透明なセグメント配線LS1〜LS320とコモン配線LC1〜LC240とが形成されている。セグメント配線LS1〜LS320の一端は、LCDパネルのセグメント領域S1〜S320に接続され、セグメント配線LS1〜LS320の他端は、ドライバIC10のセグメント信号出力パッドPS1〜PS320を接続するための電極(信号電極)を構成している。同様に、コモン配線LC1〜LC240の一端は、LCDパネルのコモン領域C1〜C240に接続され、コモン配線LC1〜LC240の他端は、ドライバIC10のコモン信号出力パッドPC1〜PC240を接続するための電極(走査電極)を構成している。
図1に示すドライバIC10について、図2を参照しながら説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路(LCDドライバIC)を示す図である。なお、図1及び図2においては、ドライバIC10の表面が示されている。
図2に示すように、ドライバIC10を構成するシリコン基板17の長手方向の一辺(図中上側の長辺)に沿って、セグメント信号出力部11が配置されている。また、シリコン基板17の長手方向と直交する二辺(図中左右の短辺)に沿って、コモン信号出力部12及び13が配置されている。さらに、シリコン基板17の長手方向の他辺(図中下側の長辺)に沿って、電源部14、制御部15、画像データ記憶部16が配置されている。
電源部14は、入出力パッドから電源電圧を供給されてレギュレーションを行い、セグメント信号出力部11、コモン信号出力部12及び13、制御部15、画像データ記憶部16に電源を供給する。画像データ記憶部16は、外部から供給される画像データを一時的に記憶する。制御部15は、入出力パッドから制御信号を受けて、セグメント信号出力部11、コモン信号出力部12及び13、画像データ記憶部16の制御を行う。
セグメント信号出力部11、コモン信号出力部12及び13、電源部14、制御部15、画像データ記憶部16は、相互に接続されている。また、セグメント信号出力部11は、シリコン基板17の図中上側の長辺に沿って設けられているセグメント信号出力パッドPS1〜PS320に接続されており、セグメント信号出力パッドからセグメント信号(表示信号)を出力する。
一方、コモン信号出力部12は、シリコン基板11の図中左側の短辺に沿って設けられているコモン信号出力パッドPC1〜PC120に接続されており、これらのコモン信号出力パッドからコモン信号(走査信号)を出力する。同様に、コモン信号出力部13は、シリコン基板17の図中右側の短辺に沿って設けられているコモン信号出力パッドPC121〜PC240に接続されており、これらのコモン信号出力パッドからコモン信号を出力する。
シリコン基板17の図中下側の長辺に沿って、入出力パッドPT1〜PTnが設けられている。これらの入出力パッドを用いて、電源電圧が供給され、また、CPU(central processing unit)から画像データが入力されたり、制御信号が入出力される。
次に、図2に示す画像データ記憶部16について、図3を参照しながら説明する。図3は、画像データ記憶部16を示す図である。図3に示すように、画像データ記憶部16は、コントロール回路21と、第1、第2の行(row)デコーダ22、23と、列(column)デコーダ24と、書込み回路25と、記憶部26と、出力回路27とを具備する。記憶部26は、1つの画像データを構成する240行×320列の画素データを格納するため、240行×320列のマトリクス状に配列された240×320個の画素データ格納部ST1(1,1)〜ST1(320,240)を含んでいる。
なお、本実施形態においては、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成されるものとする。また、ドライバIC10は、通常動作モードと省電力動作モードを有しており、通常動作モードにおいては、1画素当たり18ビット相当の駆動信号をLCDパネルに出力し、省電力動作モード(パーシャルモード)においては、1画素当たり3ビット(R(赤)、G(緑)、B(青)各1ビット)相当の駆動信号をLCDパネルに出力するものとする。
コントロール回路21は、制御部15(図2参照)及び/又は外部のCPUの制御下で、第1、第2の行デコーダ22、23、列デコーダ24、書込み回路25を制御する。
第1の行デコーダ22は、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所定の行を選択する。
第1の行デコーダ22は、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所定の行を選択する。
第2の行デコーダ23は、通常動作モードにおいて、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行を選択する。
列デコーダ24は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の列を選択する。
列デコーダ24は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の列を選択する。
書込み回路25は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、外部から供給される画素データを、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行に書き込む。
出力回路27は、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行に格納されている画素データを読み出してセグメント信号出力部11(図2参照)に出力する。
出力回路27は、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行に格納されている画素データを読み出してセグメント信号出力部11(図2参照)に出力する。
画素データの画素データ格納部への書込みは、第1、第2の行デコーダ22、23及び/又は列デコーダ24により所望の行及び/又は列を選択し、書込み回路25から画素データを供給することで実現される。同様に、画素データの画素データ格納部からの読出しは、第1、第2の行デコーダ22、23及び/又は列デコーダ24により所望の行及び/又は列を選択することで実現される。
図4は、1つの画素データ格納部を示す図である。図4に示すように、画素データ格納部は、第1群のメモリセルと、第2群のメモリセルとを含んでいる。先に説明したように、本実施形態においては、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成される。これらの18ビットデータを格納するため、第1群のメモリセルは、3個のSRAMメモリセルCELL1〜CELL3を含んでおり、第2群のメモリセルは、15個のSRAMメモリセルCELL4〜CELL18を含んでいる。
図5は、SRAMメモリセルの回路構成を示す図である。図5に示すように、メモリセルは、リング状に接続された第1のインバータINV1と第2のインバータINV2とを含んでいる。これらのインバータは、電源電位VDDと電源電位VSS(本実施形態においては、接地電位とする)とが供給されて動作する。第1のインバータINV1は、ストアノードN2のレベルを反転してストアノードN1に出力し、第2のインバータINV2は、ストアノードN1のレベルを反転してストアノードN2に出力する。
第1のインバータINV1は、PチャネルMOSトランジスタQP1及びNチャネルMOSトランジスタQN1によって構成される。また、第2のインバータINV2は、PチャネルMOSトランジスタQP2及びNチャネルMOSトランジスタQN2によって構成される。
さらに、メモリセルは、スイッチング用のNチャネルMOSトランジスタQN3及びQN4を含んでいる。トランジスタQN3及びQN4のゲートは、ワードラインWLに接続されている。トランジスタQN3は、第1のストアノードN1とビットラインBLとの間に接続されたドレイン〜ソース経路を有し、ワードラインWLに印加される信号に従って、第1のストアノードN1をビットラインBLに接続する。トランジスタQN4は、第2のストアノードN2とビットラインBLバーとの間に接続されたドレイン〜ソース経路を有し、ワードラインWLに印加される信号に従って、第2のストアノードN2をビットラインBLバーに接続する。
再び図4を参照すると、第1群のメモリセルは、第1の行選択線SL1を介して第1の行デコーダ22により選択され、第2群のメモリセルは、第2の行選択線SL2を介して第2の行デコーダ23により選択される。
メモリセルCELL1は、R(赤)成分の6ビットのデータの内のMSB(most significant bit)を格納し、メモリセルCELL2は、G(緑)成分の6ビットのデータの内のMSBを格納し、メモリセルCELL3は、B(青)成分の6ビットのデータの内のMSBを格納する。
メモリセルCELL1は、R(赤)成分の6ビットのデータの内のMSB(most significant bit)を格納し、メモリセルCELL2は、G(緑)成分の6ビットのデータの内のMSBを格納し、メモリセルCELL3は、B(青)成分の6ビットのデータの内のMSBを格納する。
メモリセルCELL4〜CELL8は、R(赤)成分の6ビットのデータの内のMSB以外の下位5ビットのデータを格納し、メモリセルCELL9〜CELL13は、G(緑)成分の6ビットのデータの内のMSB以外の下位5ビットのデータを格納し、メモリセルCELL14〜CELL18は、B(青)の6ビットデータの内のMSB以外の下位5ビットのデータを格納する。
通常動作モードにおける読出し時において、第1の行デコーダ22は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第1の行選択線SL1を活性化する。また、第2の行デコーダ23も、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第2の行選択線SL2を活性化する。これにより、メモリセルCELL1〜CELL18が選択され、画素データを構成する全18ビットのデータが、ビットラインを介して出力回路27に出力される。
省電力動作モードにおける読出し時において、第1の行デコーダ22は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第1の行選択線SL1を活性化する。一方、第2の行デコーダ23は、第2の行選択線SL2を活性化しない。これにより、メモリセルCELL1〜3が選択され、画素データを構成する18ビットのデータの内のR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBの計3ビットがビットラインを介して出力回路27に出力される。
本実施形態によれば、省電力動作モードにおける読出し時において、15個のメモリセルCELL4〜18のビットラインのプリチャージと、メモリセルCELL4〜18からのデータの読出し(プリチャージされたビットラインのディスチャージを伴う)を行う必要がない。従って、画素データ格納部の消費電力を従来の画素データ格納部(図12参照)の約3/18に低減することができる。
なお、従来の画素データ格納部(図12参照)においては、R(赤)成分の6ビットのデータが、連続して配置されているメモリセルCELL101〜CELL106に、G(緑)成分の6ビットのデータが、連続して配置されているメモリセルCELL107〜CELL112に、B(青)成分の6ビットデータが、連続して配置されているメモリセルCELL113〜CELL118に、それぞれ格納されている。一方、本実施形態においては、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBの計3ビットのデータが、連続して配置されている3個のメモリセルCELL1〜3に、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSB以外の計15ビットのデータが、連続して配置されている15個のメモリセルCELL4〜18に、それぞれ格納されている。このようにすることで、配線(特に、行選択線SL1、SL2)のレイアウトの自由度を高めることが可能である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係るドライバICの画像データ記憶部を示す図である。なお、本実施形態に係るドライバICの全体構成は、先に説明した第1の実施形態に係るドライバIC(図2参照)と同様である。
図6に示すように、画像データ記憶部30は、コントロール回路31と、メイン行(row)デコーダ32と、列(column)デコーダ24と、書込み回路25と、記憶部33と、出力回路27とを具備する。記憶部33は、1つの画像データを構成する240行×320列の画素データを格納するため、240行×320列のマトリクス状に配列された240×320個の画素データ格納部ST2(1,1)〜ST2(320,240)を含んでいる。
なお、本実施形態においても、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成されるものとする。また、ドライバICは、通常動作モードと省電力動作モードを有しており、通常動作モードにおいては、1画素当たり18ビット相当の駆動信号をLCDパネルに出力し、省電力動作モードにおいては、1画素当たり3ビット(R(赤)、G(緑)、B(青)各1ビット)相当の駆動信号をLCDパネルに出力するものとする。
コントロール回路31は、制御部15(図2参照)及び/又は外部のCPUの制御下で、メイン行デコーダ32、列デコーダ24、書込み回路25を制御する。
メイン行デコーダ32は、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、コントロール回路31から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行を選択する。
メイン行デコーダ32は、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、コントロール回路31から供給される制御信号に従って、マトリクス状に配列された画素データ格納部の所望の行を選択する。
画素データの画素データ格納部への書込みは、メイン行デコーダ32及び/又は列デコーダ24により所望の行及び/又は列を選択し、書込み回路25から画素データを供給することで実現される。同様に、画素データの画素データ格納部からの読出しは、メイン行デコーダ32及び/又は列デコーダ24により所望の行及び/又は列を選択することで実現される。
図7は、1つの画素データ格納部を示す図である。図7に示すように、画素データ格納部は、第1群のメモリセルと、第2群のメモリセルと、第1、第2のサブ行デコーダ34、35とを含んでいる。先に説明したように、本実施形態においては、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成される。これらの18ビットデータを格納するため、第1群のメモリセルは、3個のSRAMメモリセルCELL1〜CELL3を含んでおり、第2群のメモリセルは、15個のSRAMメモリセルCELL4〜CELL18を含んでいる。
サブ行デコーダ34、35は、メイン行選択線SL3を介してメイン行デコーダ32に接続されている。サブ行デコーダ34は、第1のサブ行選択線SL4を介して第1群のメモリセルに接続されており、サブ行デコーダ35は、第2のサブ行選択線SL5を介して第2群のメモリセルに接続されている。
通常動作モードにおける読出し時において、メイン行デコーダ32は、コントロール回路31から供給される制御信号に従って、メイン行選択線SL3を活性化する。サブ行デコーダ34は、メイン行選択線SL3が活性化されると、サブ行選択線SL4を活性化する。サブ行デコーダ35は、メイン行選択線SL3が活性化され且つ通常動作モードを表す通常動作モード信号(一例として、コントロール回路31又はCPUから供給される)が活性化されると、サブ行選択線SL5を活性化する。これにより、メモリセルCELL1〜CELL18が選択され、画素データを構成する全18ビットのデータが、ビットラインを介して出力回路27に出力される。
省電力動作モードにおける読出し時において、メイン行デコーダ32は、コントロール回路31から供給される制御信号に従って、メイン行選択線SL3を活性化する。サブ行デコーダ34は、メイン行選択線SL3が活性化されると、サブ行選択線SL4を活性化する。サブ行デコーダ35は、メイン行選択線SL3が活性化されても、通常動作モードを表す通常動作モード信号が活性化されていないと、サブ行選択線SL5を活性化しない。これにより、メモリセルCELL1〜CELL3が選択され、画素データを構成する18ビットのデータの内のR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBの計3ビットのデータが、ビットラインを介して出力回路27に出力される。
本実施形態においては、メイン行デコーダ32とサブ行デコーダ34、35とをカスケード状に接続することにより、メイン行デコーダ32の負荷容量を低減することができ、画素データの読出しを高速化することが可能である。
また、先に説明した第1の実施形態においては、1つの行当たり2本の行選択線が行デコーダ22、23から記憶部26の左端部の画素データ格納部まで配線される必要があった。一方、本実施形態においては、1つの行当たり1本の行選択線がメイン行デコーダ32から記憶部33の左端部の画素データ格納部まで配線されれば足りる。そのため、レイアウトの自由度をより高くすることが可能である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係るドライバICの画像データ記憶部を示す図である。なお、本実施形態に係るドライバICの全体構成は、先に説明した第1の実施形態に係るドライバIC(図2参照)と同様である。
図8に示すように、画像データ記憶部40は、コントロール回路21と、第1、第2の行(row)デコーダ22、23と、列(column)デコーダ24と、書込み回路25と、記憶部41と、出力回路27とを具備する。記憶部41は、1つの画像データを構成する240行×320列の画素データを同一行内において連続する2個の画素データごとに格納するため、240行×160列のマトリクス状に配列された240×160個の画素データ格納部ST3(1,1)〜ST3(160,240)を含んでいる。
なお、本実施形態においても、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成されるものとする。また、ドライバICは、通常動作モードと省電力動作モードを有しており、通常動作モードにおいては、1画素当たり18ビット相当の駆動信号をLCDパネルに出力し、省電力動作モードにおいては、1画素当たり3ビット(R(赤)、G(緑)、B(青)各1ビット)相当の駆動信号をLCDパネルに出力するものとする。
図9は、1つの画素データ格納部を示す図である。図9に示すように、画素データ格納部は、第1群のメモリセルと、第2群のメモリセルとを含んでいる。先に説明したように、本実施形態においては、1つの画素データは、R(赤)6ビット、G(緑)6ビット、B(青)6ビットの計18ビットで構成される。このような画素データの2つ分の計36ビットデータを格納するため、第1群のメモリセルは、6個のメモリセルCELL1〜CELL6を含んでおり、第2群のメモリセルは、30個のメモリセルCELL7〜CELL36を含んでいる。
第1群のメモリセルは、第1の行選択線SL11を介して第1の行デコーダ22により選択され、第2群のメモリセルは、第2の行選択線SL12を介して第2の行デコーダ23により選択される。
第1群のメモリセルのメモリセルCELL1〜CELL3は、一方の画素データのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBを格納し、メモリセルCELL4〜CELL6は、他方の画素データのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBを格納する。
第2群のメモリセルのメモリセルCELL7〜CELL21は、一方の画素データのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSB以外の下位ビットデータを格納し、メモリセルCELL22〜CELL36は、他方の画素データのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSB以外の下位ビットデータを格納する。
通常動作モードにおける読出し時において、第1の行デコーダ22は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第1の行選択線SL11を活性化する。また、第2の行デコーダ23も、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第2の行選択線SL12を活性化する。これにより、メモリセルCELL1〜CELL36が選択され、2つの画素データを構成する全36ビットのデータが、ビットラインを介して出力回路27に出力される。
省電力動作モードにおける読出し時において、第1の行デコーダ22は、コントロール回路21から供給される制御信号に従って、第1の行選択線SL11を活性化する。一方、第2の行デコーダ23は、第2の行選択線SL12を活性化しない。これにより、メモリセルCELL1〜CELL6が選択され、2つの画素データのR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBの計6ビットがビットラインを介して出力回路27に出力される。
本実施形態によれば、書込み回路25の内部回路及び/又は出力回路27の内部回路を各色成分のMSBごと、各色成分のMSB以外のビットごとにまとめることが可能となり、書込み回路及び/又は読出し回路の素子数の削減及び/又は面積の縮小を図ることができる。
なお、図10に示すように、第1群のメモリセルが、2つの画素データに含まれているR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のMSBデータを色成分ごとに格納するとともに、第2群のメモリセルが、2つの画素データに含まれているR(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを色成分ごとに格納するようにしても良い。このようにすることで、色成分ごとにビットデータの書込み及び/又は読出しをする場合に、書込み回路25の内部回路及び/又は出力回路27の内部回路を色成分ごとにまとめることができ、書込み回路及び/又は読出し回路の更なる素子数の削減及び/又は面積の縮小を図ることができる。
また、本実施形態に係る画素データ格納部において、第2の実施形態に係る画素データ格納部と同様に、第1群のメモリセルを選択する第1のサブ行デコーダと、第2群のメモリセルを選択する第2のサブ行デコーダを具備するようにしても良い。
また、本実施形態においては、画像データ格納部が、同一行内において連続する2個の画素データを格納することとしているが、同一行内において連続する3個以上の画素データを格納することとしても良い。
本実施形態は、本発明をLCDドライバICに適用したものであるが、本発明を他の表示装置を駆動する回路に適用することができる。例えば、本発明を、有機EL(electroluminescence)パネルを駆動するドライバICに適用することができる。
本発明は、画像データを格納し省電力動作モードを有する半導体集積回路において利用可能である。この半導体集積回路は、表示デバイスを駆動するためのドライバICに適用可能である。このドライバICは、表示モジュールに実装可能であり、表示モジュールは、携帯電話装置等の電子機器に搭載可能である。
10 ドライバIC、 11 セグメント信号出力部、 12、13 コモン信号出力部、 14 電源部、 15 制御部、 16、30、40、60 画像データ記憶部、 17 シリコン基板、 20 上部パネル、 21、31、61 コントロール回路、 22、23、32、34、35、62 行デコーダ、 24、63 列デコーダ、 25、64 書込み回路、 26、33、41、65 記憶部、 27、66 出力回路、 30 ガラス基板、 S1、S2、・・・セグメント領域、 C1、C2、・・・ コモン領域、 LS1〜LS320 セグメント配線、 LC1〜LC240 コモン配線、 PS1〜PS320 セグメント信号出力パッド、 PC1〜PC240 コモン信号出力パッド、 PT1〜PTn 入出力パッド、 ST1(1,1)、ST1(1,2)、・・・、ST2(1,1)、ST2(1,2)、・・・、ST3(1,1)、ST3(1,2)、・・・、ST4(1,1)、ST4(1,2)、・・・、 画素データ格納部、SL1、SL2、・・・ 行選択線、 CELL1、CELL2、・・・ メモリセル、 BL0、BL0バー、BL1、BL1バー ビットライン、 WL0、WL1 ワードライン、 INV1、INV2 インバータ、 QP1〜QP2 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1〜QN4 NチャネルMOSトランジスタ
Claims (12)
- 1つの画像データを構成するI行J列(I,Jは自然数)の画素データを格納するためにI行K列(Kは、J以下の自然数)に配列された(I×K)個の画素データ格納部を具備する半導体集積回路であって、
前記画素データ格納部が、
前記画素データを構成する複数のビットデータの内の所定のビットデータを格納し、通常動作モード又は省電力動作モードにおいて読み出される第1群のメモリセルと、
前記画素データを構成する複数のビットデータの内の前記所定のビットデータ以外のビットデータを格納し、通常動作モードにおいて読み出され、省電力動作モードにおいて読み出されない第2群のメモリセルと、
を含む、半導体集積回路。 - I行K列(K=J)に配列された(I×K)個の前記画素データ格納部を具備し、
前記画素データが、第1〜第L(Lは、自然数)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第L群のビットデータによって構成されており、
前記第1群のメモリセルが、前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータを格納し、
前記第2群のメモリセルが、前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの前記所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを格納する、請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記第1群のメモリセルが連続して配置されているとともに、前記第2群のメモリセルが連続して配置されている、請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記第1群のメモリセルが、前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSB(most significant bit)データを格納し、
前記第2群のメモリセルが、前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを格納する、請求項2又は3記載の半導体集積回路。 - I行K列(K<J)に配列された(I×K)個の前記画素データ格納部を具備し、
前記画素データが、第1〜第L(Lは、自然数)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第L群のビットデータによって構成されており、
前記第1群のメモリセルが、前記I行J列の画素データの中の同一行内において連続するM個(Mは、2以上の整数)の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの所定の上位ビットデータを格納し、
前記第2群のメモリセルが、前記M個の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの前記所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを格納する、請求項1記載の半導体集積回路。 - I行K列(K=J/M)に配列された(I×K)個の前記画素データ格納部を具備する、請求項5記載の半導体集積回路。
- 前記第1群のメモリセルが連続して配置されているとともに、前記第2群のメモリセルが連続して配置されている、請求項5又は6記載の半導体集積回路。
- 前記第1群のメモリセルが、前記M個の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの前記所定の上位ビットデータを色成分ごとに格納するとともに、前記第2群のメモリセルが、前記M個の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれの前記所定の上位ビットデータ以外の下位ビットデータを色成分ごとに格納する、請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
- 前記第1群のメモリセルが、前記M個の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータを格納し、
前記第2群のメモリセルが、前記M個の画素データに含まれている前記第1〜第L群のビットデータのそれぞれのMSBデータ以外の下位ビットデータを格納する、請求項5〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路。 - 前記画素データが、R(赤)、G(緑)、及び、B(青)の色成分にそれぞれ対応する第1〜第3群のビットデータによって構成されている、請求項2〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
- 前記I行K列に配列された画素データ格納部の各行内の前記第1群のメモリセルを選択するためのI本の第1群の行選択線と、
前記I行K列に配列された画素データ格納部の各行内の前記第2群のメモリセルを選択するためのI本の第2群の行選択線と、
通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、前記第1群の行選択線の内の前記I行K列に配列された画素データ格納部の所望の行に接続された行選択線を活性化する第1の行デコーダと、
通常動作モードにおいて、前記第2群の行選択線の内の前記I行K列に配列された画素データ格納部の前記所望の行に接続された行選択線を活性化する第2の行デコーダと、
を更に具備する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体集積回路。 - 前記I行K列に配列された画素データ格納部の各行を選択するためのI本のメイン行選択線と、
通常動作モード及び/又は省電力動作モードにおいて、前記I本のメイン行選択線の内の前記I行K列に配列された画素データ格納部の所望の行に接続されたメイン行選択線を活性化するメイン行デコーダと、
を更に具備し、
前記画素データ格納部が、
前記第1群のメモリセルを選択するための第1のサブ行選択線と、
前記第2群のメモリセルを選択するための第2のサブ行選択線と、
通常動作モード又は省電力動作モードにおいて、前記メイン行選択線が活性化された場合に前記第1のサブ行選択線を活性化する第1のサブ行デコーダと、
通常動作モードにおいて、前記メイン行選択線が活性化された場合に前記第2のサブ行選択線を活性化する第2のサブ行デコーダと、
を更に含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
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JP2005319434A JP2007127769A (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | 半導体集積回路 |
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US20140301719A1 (en) * | 2013-04-08 | 2014-10-09 | Broadcom Corporation | Processing cache for multiple bit precisions |
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2005
- 2005-11-02 JP JP2005319434A patent/JP2007127769A/ja not_active Withdrawn
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