JP2007121607A - Inspection device and method for mask pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device for mask patterns which are used for an exposure device for manufacturing a semiconductor device by performing patternwise exposure of a mask to a substrate, the inspection device for the mask patterns being capable of inspecting inclusion of mutually different mask patterns in inclusion relation on the object substrate. <P>SOLUTION: The inspection device has: an input means for inputting data of a mask pattern; a simulation means for performing transfer simulation of the obtained mask pattern to obtain image data on the object substrate; an inclusion distance calculating means for obtaining image data of a defective mask pattern on the object substrate and image data of another mask pattern in inclusion relation on the object substrate from the input means and simulation means, putting both the image data one over the other at the same coordinates, and finding the inclusion distance between both the mask patterns on the object substrate as to the defective pattern; an inclusion judgment means for judging whether or not the inclusion distance between the patterns satisfies a predefined value; and an output means of outputting the judgment result. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置を製造するための露光装置に用いる露光用マスクパターンの検査装置及び検査方法に関する。   The present invention relates to an exposure mask pattern inspection apparatus and inspection method used in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device.

半導体集積回路の微細化技術は、年々進歩が見られ、最近では微細化に用いられるフォトリソグラフィ技術上では、フォトマスクのパターン寸法が露光に利用される光の波長と同等程度のレベルまで進んでいる。このため、マスクを露光装置に設置し、ウェハーなどの露光の対象基板上にパターン露光した場合、光の干渉、回折などによりマスクパターンが変形して露光されてしまう。これを補うために、設計上のパターンに対して光近接効果補正（ＯＰＣ ：optical proximity correction）と呼ばれるパターン補正を行ってマスクパターンを形成している。この補正されたマスクパターンではウェハー上では設計値に近いパターンを形成するものであるが、マスクパターンとウェハーなどの対象基版とのパターンが異なるものとなっている。補正パターンは設計値に対し、パターン幅を微少量、太くしたり細くしたり位置をずらしたりしたものである。あるいは対象基板上では解像されない微細パターン等が形成されている。   Advances have been made in miniaturization technology of semiconductor integrated circuits year by year, and recently, in the photolithography technology used for miniaturization, the photomask pattern dimension has progressed to a level comparable to the wavelength of light used for exposure. Yes. For this reason, when a mask is installed in an exposure apparatus and pattern exposure is performed on an exposure target substrate such as a wafer, the mask pattern is deformed and exposed due to light interference or diffraction. In order to compensate for this, a mask pattern is formed by performing pattern correction called optical proximity correction (OPC) on the designed pattern. The corrected mask pattern forms a pattern close to the design value on the wafer, but the mask pattern and the target base plate such as a wafer have different patterns. The correction pattern is obtained by making the pattern width a small amount, thicker or thinner, or shifted in position with respect to the design value. Alternatively, a fine pattern or the like that is not resolved on the target substrate is formed.

一方マスクパターンの検査は、従来であれば、検査対象のマスクパターンに光を当てるなどしてその画像データを得、基準となるマスクパターンのデータと比較するだけで成し得た。しかし、上記のような補正をされたパターンは、このような検査方法だけでは品質並びにコストの面から大きな問題が生じた。これは、上記のような事情から補正は設計パターンに対し微小であって、マスクの製造過程で設計された補正のパターンからズレや欠陥が発生した場合、そのズレや欠陥はどこまで許容できるか判断が、困難である。そしてこの許容範囲が厳しいものであれば、マスクの歩留まりが極端に悪化する。このような問題から、転写シミュレーションが実施されるようになった。   On the other hand, the mask pattern can be inspected by simply obtaining the image data by irradiating the mask pattern to be inspected and comparing it with the reference mask pattern data. However, the pattern corrected as described above has a serious problem in terms of quality and cost only by such an inspection method. This is because the correction is minute with respect to the design pattern due to the above circumstances, and if a deviation or defect occurs from the correction pattern designed in the mask manufacturing process, it is determined how much the deviation or defect can be tolerated. However, it is difficult. If the tolerance is strict, the mask yield is extremely deteriorated. Due to such problems, a transfer simulation has been carried out.

このシミュレーションは、従来の比較検査結果から判明した欠陥のあるマスクについて、ウェハーなどの露光対象基板上で形成されるパターンを求めるものである。フォトリソグラフィに利用される露光装置と同等あるいは近似の条件で、実際にマスクに露光して対象基板に形成されたパターンの画像データを得られる装置（例えば、Carl Zeiss社製のＡＭＩＳ）を用いて、シミュレーションする方法や、マスクパターンからコンピュータを用い算出する方法がある（Synopsys社製、virtual stepperなど）。この後者の方法では、検査対象のレイヤーのマスクパターンの画像データを得、このデータから露光波長の光を照射した場合、対象基板上で形成される光（パターン）の像の強度分布などを算出するものである（特許文献１）。このようにしてシミュレーションすることにより、欠陥部分と、同じ領域の正常部分との強度分布等を求め、この結果を用いて、ＣＤ又は強度を比較検討してマスクパターンの良否を判断できるものである。このように検査することによって上記の問題がある程度解決できるものとなった。   This simulation is to obtain a pattern formed on an exposure target substrate such as a wafer for a defective mask found from a conventional comparative inspection result. Using an apparatus (for example, AMIS manufactured by Carl Zeiss) that can obtain image data of a pattern formed on a target substrate by actually exposing the mask under the same or approximate condition as an exposure apparatus used for photolithography. There are a simulation method and a calculation method using a computer from a mask pattern (Synopsys, virtual stepper, etc.). In this latter method, the mask pattern image data of the layer to be inspected is obtained, and when the exposure wavelength light is irradiated from this data, the intensity distribution of the light (pattern) image formed on the target substrate is calculated. (Patent Document 1). By simulating in this way, the intensity distribution or the like between the defective part and the normal part in the same region is obtained, and using this result, the quality of the mask pattern can be judged by comparing and examining the CD or the intensity. . This inspection can solve the above problems to some extent.

公知の文献は次の通りである。
特開２００２−３２８４６２号公報 特開２００２−０９３８７５号公報 このように検査して良好との判断となっても、実際にウェハープロセスで製造し、不良となる場合が生じていた。これは特に層間のズレ、欠陥により発生するもので、フラッシュメモリーやＤＲＡＭで顕著に見られた。具体的には、コンタクトと包含関係にある拡散等とのズレが発生し、半導体装置の歩留まり・特性に影響を与えた。このような欠陥は、従来のシミュレーションでは検査できていなかった。 Known documents are as follows.
JP 2002-328462 A JP, 2002-093875, A Even if it judged that it was good in this way, it was actually manufactured by a wafer process, and a case where it became defective occurred. This is particularly caused by misalignment between layers and defects, and was noticeable in flash memory and DRAM. Specifically, a deviation from the diffusion or the like in an inclusive relationship with the contact occurred, affecting the yield and characteristics of the semiconductor device. Such a defect could not be inspected by a conventional simulation.

本願発明は、このような問題を解決するもので、包含関係にある相異なるマスクパターンの対象基板上での包含の検査が出来るマスクパターンの検査装置及び検査方法を提供することを課題とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a mask pattern inspection apparatus and inspection method capable of inspecting inclusion of different mask patterns in inclusion relation on a target substrate.

本発明は係る課題に鑑みなされたもので、請求項１の発明は、対象基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置において、マスクパターンの画像データを入力する入力手段と、入力手段により得られたマスクパターンについて転写シミュレーションを実施し対象基板上での画像データを得るシミュレーション手段と、入力手段およびシミュレーション手段から、欠陥のあるマスクパターンの対象基板上の画像データ（１）と、パターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）を得、両画像データ（１）（２）を同一座標について重ね合わせ、欠陥の発生したパターンについて両マスクパターン間の対象基板上での包含距離を求める包含距離算出手段と、パターン間の包含距離が規定値を満足するか否かを判定する包含判定手段と、判定した結果を出力する出力手段とを有することを特徴とするマスクパターンの検査装置としたものである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and the invention of claim 1 is directed to mask pattern image data in a mask pattern inspection apparatus used in an exposure apparatus for pattern exposure on a target substrate to manufacture a semiconductor device. An input means for inputting, a simulation means for carrying out a transfer simulation on the mask pattern obtained by the input means to obtain image data on the target substrate, and a target mask pattern having a defect on the target substrate from the input means and the simulation means. Image data (1) and image data (2) on the target substrate of another mask pattern in which the pattern is inclusive relation are obtained, and both image data (1) and (2) are superimposed on the same coordinates to generate a defect. An inclusion distance calculating means for obtaining an inclusion distance between the mask patterns on the target substrate for the mask pattern; And determining inclusion determination means for determining whether or not to satisfy the inclusion distance specified value between over emissions, is obtained by the inspection apparatus of the mask pattern, characterized in that an output means for outputting the result of judgment.

本発明の請求項２の発明は、マスクパターンの画像データが、マスクに露光して得られた画像のデータであることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置としたものである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the mask pattern inspection apparatus according to the first aspect, wherein the image data of the mask pattern is image data obtained by exposing the mask. is there.

本発明の請求項３の発明は、マスクパターンの画像データが、マスクを電子顕微鏡撮影して得られた画像のデータであることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置としたものである。   The invention of claim 3 of the present invention is the mask pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein the image data of the mask pattern is image data obtained by photographing the mask with an electron microscope. Is.

本発明の請求項４の発明は、パターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）が、予め用意されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置としたものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a mask according to the first aspect, wherein image data (2) on the target substrate of another mask pattern having an inclusion relation is prepared in advance. This is a pattern inspection apparatus.

本発明の請求項５の発明は、対象基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査方法において、欠陥のあるマスクパターンの画像データを入手する工程と、得られたマスクパターンについて転写シミュレーションを実施し対象基板上での画像データ（１）を得る工程と、データの入手工程および対象基板上での画像データを得る工程から、前記マスクパターンとパターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）を得る工程と、両画像データ（１）（２）を同一座標について重ね合わせ、欠陥の発生したパターンについて両マスクパターン間の対象基板上での包含距離を求める工程と、パターン間の包含距離が規定値を満足するか否かを判定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの検査方法としたものである。   According to a fifth aspect of the present invention, in a mask pattern inspection method used in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device by pattern exposure on a target substrate, a process of obtaining image data of a defective mask pattern, and obtaining The mask pattern and the pattern are included from the step of obtaining the image data (1) on the target substrate by performing a transfer simulation on the mask pattern obtained, the step of obtaining the data, and the step of obtaining the image data on the target substrate. The process of obtaining the image data (2) on the target substrate of another mask pattern in FIG. 5 and the two image data (1) and (2) are overlapped with respect to the same coordinate, and the target between the mask patterns for the defective pattern Determining the inclusion distance on the substrate and determining whether the inclusion distance between the patterns satisfies a specified value. It is obtained by a method of inspecting a mask pattern characterized by.

本発明は、以上のような構成であるから、包含関係にある相異なるマスクパターンの包含の検査が対象基板上でのパターンで出来るマスクパターンの検査装置及び検査方法とすることが出来る。   Since the present invention is configured as described above, it is possible to provide a mask pattern inspection apparatus and inspection method that can inspect the inclusion of different mask patterns in inclusion relation with patterns on the target substrate.

従来、レイヤー間の位置ずれによる歩留まり低下の評価は、デバイス完成後の性能評価テストでしか確認する術がなかったため、その間のプロセスの時間や、コストが無駄となっていたが、本発明により、デバイスの作りこみ中での歩留まり予想が可能となる。   Conventionally, evaluation of yield reduction due to misalignment between layers has only been confirmed by a performance evaluation test after device completion, so the process time and cost during that time was wasted, but according to the present invention, It is possible to predict the yield during device fabrication.

本発明のマスクパターンの検査装置及び検査方法の実施の形態を、以下に説明する。   Embodiments of the mask pattern inspection apparatus and inspection method of the present invention will be described below.

図１は、本発明のマスクパターンの検査装置の実施の形態例の構成を、模式的に示した説明図である。本例のマスクパターンの検査装置１０では、ウェハーなどの対象基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置であることを前提とする。本例の検査装置１０は、入力手段１と、シミュレーション手段２と、包含距離算出手段３と、包含判定手段４と、出力手段５より構成されている。入力手段１では、マスクパターンの画像データを入力する。シミュレーション手段２では、入力手段１により得られたマスクパターンについて転写シミュレーションを実施し対象基板上での画像データを得る。包含距離算出手段３では、まず、従来の検査機から欠陥が見つかったマスクパターンに対して、入力手段１およびシミュレーション手段２により、欠陥のあるマスクパターンの対象基板上の画像データ（１）を得る。次に、欠陥のあるマスクパターンに対し、パターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）を同様に入力手段１およびシミュレーション手段２により得る。次に、両画像データ（１）（２）を同一座標について重ね合わせ、欠陥の発生したパターンについて両マスクパターン間の対象基板上での包含距離を求める。包含判定手段４では、求められたパターン間の包含距離が規定値を満足するか否かを判定する。判定した結果を出力手段５で出力する。なお、以上の各手段により作成されるデータを記憶するため、また処理途中のデータ、またその他のデータを記憶するために、別途記憶手段６を設ける。   FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of an embodiment of a mask pattern inspection apparatus according to the present invention. The mask pattern inspection apparatus 10 of this example is premised on being a mask pattern inspection apparatus used in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device by pattern exposure on a target substrate such as a wafer. The inspection apparatus 10 of this example includes an input unit 1, a simulation unit 2, an inclusion distance calculation unit 3, an inclusion determination unit 4, and an output unit 5. The input means 1 inputs mask pattern image data. The simulation unit 2 performs a transfer simulation on the mask pattern obtained by the input unit 1 to obtain image data on the target substrate. In the inclusion distance calculation means 3, first, image data (1) on a target substrate of a defective mask pattern is obtained by the input means 1 and the simulation means 2 for a mask pattern in which a defect is found from a conventional inspection machine. . Next, with respect to the defective mask pattern, image data (2) on the target substrate of another mask pattern in which the pattern is inclusive relation is similarly obtained by the input means 1 and the simulation means 2. Next, the two image data (1) and (2) are superposed on the same coordinates, and the inclusion distance between the mask patterns on the target substrate is obtained for the pattern in which the defect has occurred. The inclusion determination means 4 determines whether or not the obtained inclusion distance between the patterns satisfies a specified value. The determined result is output by the output means 5. In addition, in order to store the data created by each of the above means, and to store data in the middle of processing and other data, a separate storage means 6 is provided.

本例の入力手段１で入力するマスクパターンの画像データとしては、従来の検査装置から得られたもので良いが、マスクパターンの電子顕微鏡のデータをＧＤＳ２等のＣＡＤデータに変換したものを利用しても良い。前者のデータでは、検査結果がそのまま利用できるので、効率が良い。あるいは、マスクに露光し、ＣＣＤカメラで撮影したものでも良い。   The mask pattern image data input by the input means 1 of this example may be obtained from a conventional inspection apparatus, but the mask pattern electron microscope data converted into CAD data such as GDS2 is used. May be. In the former data, the inspection result can be used as it is, which is efficient. Or what was exposed to the mask and image | photographed with the CCD camera may be used.

本例のシミュレーション手段２としては、従来の比較検査結果から判明した欠陥のあるマスクについて、ウェハーなどの露光対象基板上で形成されるパターンのデータを求めるものであれば、利用できる。フォトリソグラフィに利用される露光装置と同等あるいは近似の条件で、実際にマスクに露光して対象基板に形成されたパターンの画像データを得られる装置を用いて、シミュレーションする方法や、マスクパターンからコンピュータを用い画像データを算出する方法などである。この後者の方法では、検査対象のレイヤーのマスクパターンの画像データを得、このデータから露光波長の光を照射した場合、対象基板上で形成される光（パターン）の像の強度分布などを算出するものである。   As the simulation means 2 of this example, any data can be used as long as it obtains data of a pattern formed on an exposure target substrate such as a wafer for a defective mask found from a conventional comparison inspection result. A simulation method using a device that can obtain image data of a pattern formed on a target substrate by actually exposing the mask under the same or approximate condition as an exposure device used for photolithography, or a computer from a mask pattern And the like. In this latter method, the mask pattern image data of the layer to be inspected is obtained, and when the exposure wavelength light is irradiated from this data, the intensity distribution of the light (pattern) image formed on the target substrate is calculated. To do.

本例の包含距離算出手段３を例示する。図３は、レイヤーＡに欠陥Ｄが発生したマスクパターン（図３（ａ））と、転写シミュレーションをした結果のパターン（図３（ｂ））を平面で見た模式説明図である。図３に示したマスクに欠陥Ｄが生じた場合、この領域のマスクデータを入力手段で入力し、シミュレーション手段で転写シミュレーションをし、図３のようなパターンのデータを得られる。このようなデータに対し、レイヤーＡと包含関係にあるレイヤーＢの同じ領域について転写シミュレーションを実施してパターンデータを得、これを重ね、図４のように重ねパターンデータが得られる。図４は、欠陥Ｄの発生したレイヤーＡと、レイヤーＢとを重ねたマスクのパターン（図４（ａ））と、転写シミュレーションをした結果を重ねたパターン（図４（ｂ））を平面で見た模式説明図である。このデータから包含距離ｂを算出する。このため例えば、転写シミュレーションデー
タをＧＤＳ２等のＣＡＤデータに変換し、デザインルールチェックソフトで算出する手法などを採用できる。 The inclusion distance calculation means 3 of this example is illustrated. FIG. 3 is a schematic explanatory view of a mask pattern (FIG. 3A) in which a defect D has occurred in the layer A and a pattern (FIG. 3B) obtained as a result of a transfer simulation as viewed in a plane. When a defect D occurs in the mask shown in FIG. 3, mask data in this area is input by the input means, and a transfer simulation is performed by the simulation means, thereby obtaining pattern data as shown in FIG. With respect to such data, a transfer simulation is performed on the same region of layer B that is in an inclusive relationship with layer A to obtain pattern data, which are overlaid to obtain overlaid pattern data as shown in FIG. FIG. 4 is a plan view of a mask pattern (FIG. 4A) in which the layer A and the layer B in which the defect D occurs are superimposed, and a pattern (FIG. 4B) in which the transfer simulation result is superimposed. It is the model explanatory drawing which looked. The inclusion distance b is calculated from this data. For this reason, for example, a method of converting transfer simulation data into CAD data such as GDS2 and calculating with design rule check software can be adopted.

本例の包含判定手段４は、算出した包含距離ｂをスペック値と比較する。図５は、欠陥の無いレイヤーＡと、これと包含関係にあるレイヤーＢとを重ねたマスクのパターン（図５（ａ））と、それぞれのパターンを転写シミュレーションをした結果のパターン（図５（ｂ））を平面で見た模式説明図である。図５（ｂ）に、本願に係る距離のスペック値ａを例示した。このａ、ｂの値を比較し、スペックとの判定をする。   The inclusion determination unit 4 of this example compares the calculated inclusion distance b with the specification value. FIG. 5 shows a mask pattern (FIG. 5A) in which a layer A having no defect and a layer B in an inclusive relation are overlapped, and patterns (FIG. It is the model explanatory drawing which looked at b)) in the plane. FIG. 5B illustrates the distance specification value a according to the present application. The values of a and b are compared to determine the spec.

更に具体的に、本例の装置での処理の流れを図２を用いて説明する。   More specifically, the flow of processing in the apparatus of this example will be described with reference to FIG.

図２は、本例の装置での処理の流れを示した説明図である。
従来の比較検査機により検出したレイヤーＡの欠陥を含む領域の画像データを、入力手段で入力し、シミュレーション手段で転写シミュレーションを実施する（Ｓ１）。次にレイヤーＡと包含関係にあるレイヤーＢの、レイヤーＡの欠陥を含む領域と同じ領域の画像データを、同様に入力し転写シミュレーションを実施する（Ｓ２）。予め記憶手段に記憶させていたレジストレーション情報（Ｍ１）を利用して、包含距離算出手段によりシミュレーション結果のレイヤーＡの欠陥部分とレイヤーＢの同一座標箇所を重ね合わせる（Ｓ３）。レジストレーション情報は、レイヤーＡ、レイヤーＢのマスク作成時に生じたズレについての情報であって、これを基に、座標の補正を行う。この結果を重ね合わせる。レジストレーション情報は入力手段で入力するようにしても良い。引き続き包含距離算出手段により、重ね合わせたデータからレイヤー間の包含距離を算出する（Ｓ４）。次に包含判定手段により、予め記憶手段に記憶させていた重ね合わせスペックライブラリ（Ｍ２）からスペックを取り出し、算出した包含距離がスペックを満たすか判定する（Ｓ５）。満たしていない場合、出力手段によりロットストップ指示を出力し、満たしている場合、ロット進行指示を出力する。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing the flow of processing in the apparatus of this example.
The image data of the region including the layer A defect detected by the conventional comparison inspection machine is input by the input means, and the transfer simulation is performed by the simulation means (S1). Next, the image data of the same region as the region including the defect of layer A in layer B which is in an inclusive relationship with layer A is input in the same manner, and a transfer simulation is performed (S2). Using the registration information (M1) stored in the storage means in advance, the inclusion distance calculation means superimposes the defective portion of layer A and the same coordinate location of layer B as the simulation result (S3). The registration information is information about a deviation that has occurred at the time of creating the masks of the layer A and the layer B, and the coordinates are corrected based on the information. The results are superimposed. Registration information may be input by input means. Subsequently, the inclusion distance between the layers is calculated from the superimposed data by the inclusion distance calculation means (S4). Next, the inclusion determination unit extracts the specification from the overlay specification library (M2) stored in the storage unit in advance, and determines whether the calculated inclusion distance satisfies the specification (S5). If not satisfied, a lot stop instruction is output by the output means, and if satisfied, a lot progress instruction is output.

包含関係にあるレイヤーＢについては、予め転写シミュレーションなどから露光対象基板上での画像データを用意し、レイヤーＡの欠陥のある領域を転写シミュレーションすることで、スペックとの判定をしても良い（KLA-Tencor社製、Prolithなど）。この場合は、シミュレーションの作業が短縮でき、さらに効率が良い。   Regarding the layer B in the inclusive relationship, image data on the exposure target substrate may be prepared in advance from a transfer simulation or the like, and the defective area of the layer A may be transferred and simulated to determine the specification ( KLA-Tencor, Prolith, etc.). In this case, the simulation work can be shortened and the efficiency is further improved.

本発明の検査装置の実施の形態例の構成を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the structure of the embodiment of the inspection apparatus of this invention. 本実施の形態例の装置での処理の流れを示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the flow of the process in the apparatus of this embodiment. 本実施の形態例に係るレイヤーＡに欠陥Ｄが発生したマスクパターン（ａ）と、転写シミュレーションをした結果のパターン（ｂ）を平面で見た模式説明図である。It is the model explanatory drawing which looked at the pattern (b) of the mask pattern (a) in which the defect D generate | occur | produced in the layer A which concerns on this Example, and the result of having performed transfer simulation in the plane. 本実施の形態例に係る欠陥Ｄの発生したレイヤーＡと、レイヤーＢとを重ねたマスクのパターン（ａ）と、転写シミュレーションをした結果のパターン（ｂ）を平面で見た模式説明図である。It is the model explanatory drawing which looked at the pattern (a) of the mask which overlapped the layer A in which the defect D which generate | occur | produced the defect D based on this Embodiment, and the layer B, and the pattern (b) as a result of the transfer simulation seen on the plane. . 本実施の形態例に係る欠陥の無いレイヤーＡと、これと包含関係にあるレイヤーＢとを重ねたマスクのパターン（ａ）と、それぞれのパターンを転写シミュレーションをした結果のパターン（ｂ）を平面で見た模式説明図である。A pattern (a) of a mask in which a layer A having no defect according to the present embodiment and a layer B in an inclusive relation are overlapped, and a pattern (b) as a result of performing a transfer simulation of each pattern are shown in a plane. It is the model explanatory drawing seen in.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・・・入力手段
２・・・・・シミュレーション手段
３・・・・・包含距離算出手段
４・・・・・包含判定手段
５・・・・・出力手段
６・・・・・記憶手段
１０・・・・マスクパターンの検査装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Input means 2 ... Simulation means 3 ... Inclusion distance calculation means 4 ... Inclusion determination means 5 ... Output means 6 ... Memory Means 10... Mask pattern inspection device

Claims (5)

対象基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置において、マスクパターンの画像データを入力する入力手段と、入力手段により得られたマスクパターンについて転写シミュレーションを実施し対象基板上での画像データを得るシミュレーション手段と、入力手段およびシミュレーション手段から、欠陥のあるマスクパターンの対象基板上の画像データ（１）と、パターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）を得、両画像データ（１）（２）を同一座標について重ね合わせ、欠陥の発生したパターンについて両マスクパターン間の対象基板上での包含距離を求める包含距離算出手段と、パターン間の包含距離が規定値を満足するか否かを判定する包含判定手段と、判定した結果を出力する出力手段とを有することを特徴とするマスクパターンの検査装置。   In a mask pattern inspection apparatus used in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device by pattern exposure on a target substrate, an input means for inputting image data of the mask pattern and a transfer simulation for the mask pattern obtained by the input means From the simulation means for obtaining image data on the target substrate, the image data (1) on the target substrate of the defective mask pattern from the input means and the simulation means, and other mask pattern targets in which the pattern is inclusive Image data (2) on a substrate is obtained, both image data (1) and (2) are superimposed on the same coordinates, and an inclusion distance for obtaining an inclusion distance on the target substrate between both mask patterns for a pattern in which a defect has occurred Inclusion to determine whether the inclusion distance between the calculation means and the pattern satisfies the specified value A constant section, the inspection device of the mask pattern, characterized in that an output means for outputting the result of judgment. マスクパターンの画像データが、マスクに露光して得られた画像のデータであることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置。   2. The mask pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein the image data of the mask pattern is image data obtained by exposing the mask. マスクパターンの画像データが、マスクを電子顕微鏡撮影して得られた画像のデータであることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置。   2. The mask pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein the image data of the mask pattern is data of an image obtained by photographing the mask with an electron microscope. パターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）が、予め用意されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの検査装置。   2. The mask pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein the image data (2) on the target substrate of another mask pattern having an inclusive relationship is prepared in advance. 対象基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査方法において、欠陥のあるマスクパターンの画像データを入手する工程と、得られたマスクパターンについて転写シミュレーションを実施し対象基板上での画像データ（１）を得る工程と、データの入手工程および対象基板上での画像データを得る工程から、前記マスクパターンとパターンが包含関係にある他のマスクパターンの対象基板上での画像データ（２）を得る工程と、両画像データ（１）（２）を同一座標について重ね合わせ、欠陥の発生したパターンについて両マスクパターン間の対象基板上での包含距離を求める工程と、パターン間の包含距離が規定値を満足するか否かを判定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの検査方法。   In a mask pattern inspection method used in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device by pattern exposure on a target substrate, a step of obtaining image data of a defective mask pattern and a transfer simulation are performed on the obtained mask pattern. From the step of obtaining image data (1) on the target substrate, the step of obtaining the data, and the step of obtaining image data on the target substrate, on the target substrate of another mask pattern in which the mask pattern and the pattern are inclusive relation Obtaining image data (2) at the same time, superimposing both image data (1) and (2) on the same coordinates, and obtaining an inclusion distance on the target substrate between both mask patterns for a pattern in which a defect has occurred And a step of determining whether or not the inclusion distance between the patterns satisfies a specified value. The method of inspection.
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