JP2007088167A - Ptc素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なPTC素子を提供すること。
【解決手段】 このPTC素子1は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体10と、素体10を挟んで熱圧着される一対の端子電極12,14と、端子電極12,14に接続される接続端子16,18とを備え、一対の端子電極12,14それぞれの素体10を挟む面121,141には、大径部と当該大径部よりも根元側には小径部とを有するアンカー突起121a、141aが形成されており、面122,142はアンカー突起が形成されていない実質的な平滑面であり、一対の端子電極12,14それぞれの面122,142に接続端子16,18がレーザ溶接によって接続されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、PTC(Positive Temperaature Coefficient)素子及びその製造方法に関する。
過電流から回路素子を保護するための素子として、PTC素子が知られている。PTC素子は、ある特定の温度領域に達すると抵抗値の正温度係数が急激に増大する素子である。そのようなPTC素子の一つとして、下記特許文献1に記載されたものが知られている。
特公平5−9921号公報
上記特許文献1に記載のPTC素子は、重合体とその重合体に分散された導電性粉末とからなる正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、その素子の表面と接する面を粗面化した金属板を接合し、その金属板を端子電極としている。このように素子の表面と接する面を粗面化するのは、素子と金属板との接合強度を向上させるためである。
しかしながら、上記特許文献1に記載のPTC素子のように素子の表面と接する面全体を粗面化した場合、端子電極となった金属板を外部端子等の接続端子と溶接で接合すると接合強度が十分に確保できない場合があった。
そこで本発明では、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なPTC素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明者らは様々な接合方法を検討した。まず、素体との接合に寄与しない部分においては粗面化をしないことについて検討を行った。この場合には、素体との接合に寄与しない部分をマスキングするなどして粗面化を行う必要があり、PTC素子を製造する工程が複雑なものとなってしまうという新たな解決すべき課題が発生する。また、粗面化とは複数の凸部を形成することであるのに着目し、それら凸部を押しつぶしたり、削ったりといったことについても検討を行った。この場合には、それらの凸部除去工程が新たに必要となり、やはりPTC素子を製造する工程が複雑なものとなってしまうという新たな解決すべき課題が発生する。そこで本発明者らは、粗面化されていない接続端子をリード端子に接続させたPTC素子によってこれらの課題をも解決可能であることを想起するに至り本発明をなしえたものである。
本発明に係るPTC素子は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで熱圧着される一対のリード端子と、当該リード端子に接続される接続端子とを備えるPTC素子であって、一対のリード端子それぞれの素体を挟む主面には、大径部と当該大径部よりも根元側には小径部とを有するアンカー突起が形成されており、主面と反対側の裏面はアンカー突起が形成されていない実質的な平滑面であり、一対のリード端子それぞれの裏面に接続端子がレーザ溶接によって接続されている、ことを特徴とする。
本発明によれば、接続端子を接続するリード端子の裏面は実質的な平滑面であって、アンカー突起といった突起が形成された粗面ではないため、リード端子と接続端子との接続強度を確保できる。また、リード端子に別途接続端子を取り付けるので、例えば接続端子の形状を変更するたけで様々な態様のPTC素子を得ることができる。
また本発明では、リード端子は、裏面から主面に向かう方向において、少なくとも接続端子の厚み分後退していることも好ましい。少なくとも接続端子の厚み分後退しているので、この後退している部分に接続端子を接続することでPTC素子を低背化することができる。
本発明に係るPTC素子の製造方法は、素体を挟んで熱圧着される一対のリード端子と、当該リード端子に接続される接続端子とを備えるPTC素子の製造方法であって、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体を準備する素体準備工程と、素体を挟む一対のリード端子であって、素体を挟む主面に複数のアンカー突起が互いに離隔して形成されているリード端子と、当該リード端子に接続される一対の接続端子とを準備する端子準備工程と、一対のリード端子それぞれの主面で素体を挟み込み、熱圧着によって一対のリード端子と素体とを固定する熱圧着工程と、一対の接続端子を一対のリード端子それぞれの主面と反対側の裏面に当接させ、接続端子側からレーザ溶接によってリード端子と接続させる端子接続工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、接続端子を接続するリード端子の裏面は実質的な平滑面であって、アンカー突起といった突起が形成された粗面ではないため、リード端子と接続端子とを接続する工程においてその接続強度を確保できる。また、リード端子に別途接続端子を取り付けるので、例えば接続端子の形状を変更するたけで様々な態様のPTC素子を製造することができる。
本発明によれば、接続端子を接続するリード端子の裏面は実質的な平滑面であって、アンカー突起といった突起が形成された粗面ではないため、リード端子と接続端子との接続強度を確保できる。従って、素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能となる。
本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
本発明の実施形態であるPTC素子について図1を参照しながら説明する。図1は、PTC素子1の斜視図である。PTC素子1は、ポリマーPTC素子であり、一対の端子電極12,14(リード端子)と、一対の接続端子16,18と、素体10とを備えている。
一対の端子電極12,14は、厚みが0.1mm程度のNi又はNi合金である。一対の端子電極12,14は、それぞれの一部が対向するように配置されている。その対向している部分の間には素体10が配置されているので、一対の端子電極12,14はそれぞれの面121,141(主面)で素体10を挟んでいる。従って、一対の端子電極12,14にはそれぞれ、素体10と重なる重複領域と、素体10と重ならない非重複領域とが形成されている。
素体10は、結晶性高分子樹脂に導電性フィラーを分散させて形成されている。導電性フィラーとしてはNi粉が、結晶性高分子樹脂としては熱可塑性樹脂であるポリエチレン樹脂がそれぞれ好適に用いられる。素体10は一対の端子電極12,14に加圧・加熱して圧着されている。
一対の接続端子16,18は、厚みが0.1mm程度のNi又はNi合金である。接続端子16は端子電極12に、接続端子18は端子電極14に、それぞれYAGレーザスポット溶接で接続されている。接続端子16は、端子電極12の面121と反対側の面122(裏面)に接続されていて、YAGレーザスポット溶接は接続端子16から端子電極12に向かってなされている。接続端子18は、端子電極14の面141と反対側の面142(裏面)に接続されていて、YAGレーザスポット溶接は接続端子18から端子電極12に向かってなされている。
図2は、図1に示したPTC素子1の側面図である。図2に示すように、端子電極12,14それぞれが素体10を挟む面121,141には全面に渡って、アンカー突起121a,141aがそれぞれ複数形成されている。アンカー突起121a,141aは、大径部と当該大径部よりも根元側には小径部とを有する突起である。尚、図2においては、説明のためにアンカー突起121a,141aを相対的に大きく描いている。実際のアンカー突起121a,141aは微小突起であって視認することは困難な大きさとなっている。以下の説明に用いる図面においても同様である。
隣接するアンカー突起121a、141aは、互いに離隔するように配置されている。従って、各アンカー突起121a、141a間に形成される凹部に素体10が入り込み、端子電極12,14と素体10とが固定されている。
上述したように、接続端子16は端子電極12の面122に、接続端子18は端子電極14の面142に、それぞれ接続されている。面122及び面142には、面121及び面142に形成されているようなアンカー突起121a,141aといったような突起は形成されておらず、実質的な平滑面となっている。従って、接続端子16,18は、端子電極12,14に十分な強度で接続される。また、面121,141に形成されているアンカー突起121a,141aの間に樹脂Rが残留することがあっても、接続端子16,18の端子電極12,14への接続強度には影響がない。
上述したPTC素子1の変形例を図3に示す。図3は、変形例であるPTC素子2の側面図である。図3に示すように、一対の端子電極22,24は、アンカー突起121a,141aがそれぞれ形成された面221,241で素体10を挟んで固定されている。
端子電極22,24の、面221,241(主面)と反対側の面222,242(裏面)には、後退部223,243がそれぞれ形成されている。後退部223,243は、端子電極22,24を折り曲げることによって形成されている。後退部223,243は、面222,242から面221,241に向かう方向において、少なくとも接続端子16,18の厚み分後退している。従って、PTC素子1の場合と比較して低背化が図られ、PTC素子2の薄型化が可能となる。
引き続いて、上述したPTC素子1の製造方法について図4を主に参照し、図1,2を必要に応じて参照しながら説明する。尚、PTC素子2は、端子電極22,24の形状が異なるのみであるので、PTC素子1の説明で代替する。図4は本実施形態におけるPTC素子1の製造方法の手順を示す図である。図4に示すように、PTC素子1の製造方法は、素体準備工程S01と、端子準備工程S02と、熱圧着工程S03と、端子接続工程S04とを備えている。
素体準備工程S01では、素体10(図1,2参照)となる素体素材を作製して準備する。まず、導電性フィラーとなるNi粉と、母材樹脂となるポリエチレンとを混錬してブロックを形成する。このブロックを円盤状にプレスし、カットして素体10を得る。
続く端子準備工程S02では、端子電極12,14(図1,2参照)となる金属板を作成して準備する。端子電極12,14(図1,2参照)が素体10(図1,2参照)を挟む面121,141(図1,2参照)には、アンカー突起121a,141a(図1,2参照)が形成されている。アンカー突起121a,141aは、上述した節瘤状の突起が連続して形成されたものである。
続く熱圧着工程S03では、一対の端子電極12,14(図1,2参照)それぞれにおける重複領域で素体10を挟み込み、熱圧着によって一対の端子電極12,14(図1,2参照)と素体10(図1,2参照)とを固定する。
続く端子接続工程S04では、一対の接続端子16,18を一対の端子電極12,14それぞれの面121,141と反対側の面122,142に当接させ、接続端子16,18側からYAGレーザスポット溶接によって端子電極12,14と接続させる。これによりPTC素子1が得られる。
本実施形態によれば、接続端子16,18を接続する端子電極12,14の面122,142は実質的な平滑面であって、アンカー突起といった突起が形成された粗面ではないため、端子電極12,14と接続端子16,18との接続強度を確保できる。また、端子電極12,14に別途接続端子16,18を取り付けるので、接続端子16,18の形状を変更するたけで様々な態様のPTC素子を得ることができる。
尚、本実施形態ではレーザ溶接としてYAGレーザスポット溶接を用いたが、レーザ溶接としてはこれに限られず、例えば、第二高調波レーザ、半導体(LD)レーザ、エキシマレーザといったものを用いてもよい。
本実施形態におけるPTC素子を示す斜視図である。 本実施形態におけるPTC素子の側面図である。 本実施形態の変形例であるPTC素子の側面図である。 本実施形態におけるPTC素子の製造方法の手順を示す図である。
符号の説明
1…PTC素子、12,14…端子電極、10…素体、16,18…接続端子。

Claims (3)

  1. 結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体と、当該素体を挟んで熱圧着される一対のリード端子と、当該リード端子に接続される接続端子とを備えるPTC素子であって、
    前記一対のリード端子それぞれの前記素体を挟む主面には、大径部と当該大径部よりも根元側には小径部とを有するアンカー突起が形成されており、前記主面と反対側の裏面は前記アンカー突起が形成されていない実質的な平滑面であり、
    前記一対のリード端子それぞれの前記裏面に前記接続端子がレーザ溶接によって接続されている、ことを特徴とするPTC素子。
  2. 前記リード端子は、前記裏面から前記主面に向かう方向において、少なくとも前記接続端子の厚み分後退している、ことを特徴とする請求項1に記載のPTC素子。
  3. 素体を挟んで熱圧着される一対のリード端子と、当該リード端子に接続される接続端子とを備えるPTC素子の製造方法であって、
    結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体を準備する素体準備工程と、
    前記素体を挟む一対のリード端子であって、前記素体を挟む主面に複数のアンカー突起が互いに離隔して形成されているリード端子と、当該リード端子に接続される一対の接続端子とを準備する端子準備工程と、
    前記一対のリード端子それぞれの主面で前記素体を挟み込み、熱圧着によって前記一対のリード端子と前記素体とを固定する熱圧着工程と、
    前記一対の接続端子を前記一対のリード端子それぞれの前記主面と反対側の裏面に当接させ、前記接続端子側からレーザ溶接によって前記リード端子と接続させる端子接続工程と、
    を備えることを特徴とするPTC素子の製造方法。
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