JP2007086042A - 水素センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】気密性の不透明な材料で作製された容器内の任意の位置の水素濃度を、容器に加工を加えることなく外部からリモート検出する。
【解決手段】水素吸蔵により膨張するPd層あるいはPd−Ag合金層を成膜した磁性リボンから成る水素検出素子2の長手方向に永久磁石6を用いて直流磁界を加えると共に、ピックアップコイル1およびネットワークアナライザー3を用いて周波数を掃引した交流磁界を印加し機械的に振動させる。Pd層あるいはPd−Ag合金層が水素を吸蔵して膨張した場合、磁性リボンに加わる応力が変化するため、水素検出素子2の機械共振周波数も変化する。この機械共振周波数を、ピックアップコイル1に対する投入電力の反射率が最小となる周波数として検出することにより、水素検出素子2の位置における水素濃度をリモート計測すること特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】水素吸蔵により膨張するPd層あるいはPd−Ag合金層を成膜した磁性リボンから成る水素検出素子2の長手方向に永久磁石6を用いて直流磁界を加えると共に、ピックアップコイル1およびネットワークアナライザー3を用いて周波数を掃引した交流磁界を印加し機械的に振動させる。Pd層あるいはPd−Ag合金層が水素を吸蔵して膨張した場合、磁性リボンに加わる応力が変化するため、水素検出素子2の機械共振周波数も変化する。この機械共振周波数を、ピックアップコイル1に対する投入電力の反射率が最小となる周波数として検出することにより、水素検出素子2の位置における水素濃度をリモート計測すること特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、純金属PdあるいはPd−Ag合金を表面に形成した磁性リボンの機械共振周波数が、純金属PdあるいはPd−Ag合金が水素吸蔵によって体積膨張するのに伴い変化する現象を利用した水素センサに関する。
純金属Pdは、水素ガスの吸蔵により膨張する。膨張を何らかの手段で検出すると、水素ガス吸蔵の有無、換言すると水素センサとして純金属Pdを利用できる。純金属Pdの膨張を利用した水素センサとして、本発明者等は、純金属Pdとガラスとを貼り合わせた水素センサを発表した(たとえば、非特許文献1参照)。この水素センサでは、水素を吸蔵した純金属Pdとガラスとの間に膨張率の差が生じて純金属Pdが歪む。この歪量から純金属Pdの膨張率,ひいては水素ガスの吸蔵量が算出される。
純金属Pdは、低圧力の水素に対し非常に高い感度を示す。しかし、水素ガスの吸蔵が膨張に及ぼす影響は吸蔵水素量が多くなると飽和するため、高圧水素雰囲気中では定量的な水素検出ができなくなる。一方、高圧水素雰囲気中における水素検出特性は、Pd−Ag合金を使用することにより改善される(たとえば、非特許文献2参照)。特に、Pd−Ag合金上にPd又はPt薄膜を成膜すると、水素ガスの吸蔵特性が向上しバイメタル構造の湾曲感度が飛躍的に向上すること、また特性劣化が抑制されることを見出した(たとえば、特許文献参照)。
一方、磁性リボンに励磁交流磁界を印加して機械的に振動させた場合の共振周波数が磁界、温度などによって変化する様子を、磁性リボンの近傍に配置したピックアップコイルに発生する誘導起電力を用いて検出するリモートセンサも研究されている(たとえば、非特許文献3参照)。すなわち、磁性リボンの長手方向に交流磁界と直流磁界を印加した場合に、直流磁界が異方性磁界程度の場合に共振周波数が最低となることや、温度変化に伴い共振周波数が直線的に変化することが見出されている。ここで、異方性磁界とは磁性リボンの幅方向に磁気異方性エネルギーを付与した場合、これに逆らって磁性リボンの磁気モーメントを磁性リボンの長手方向に揃えるために必要な磁界の大きさである。同一交流磁界を加えた場合、磁性リボンの磁歪定数の絶対値が大きいほど磁性リボンの伸縮は大きくなり、ピックアップコイルに誘導される起電力も増加する。磁性リボンと交流磁界発生用の励磁コイルやピックアップコイルの相対位置については信号を検出できる範囲で自由に設定可能なので、任意の位置に配置した磁性リボンに加わる磁界強度や温度をリモート検出できることが特長である。
平成12年4月17日特願2000−114629 1998年9月17日第59回応用物理学会17a−ZB−5 1999年3月29日第46回応用物理学関係連合講演会29a−YG−4 M S.Mungle,Craig A.Grimes and W.R.Dreschel;″Magnetic Field Tuning of the Frequency−temperature Response of a Magnetoelestice Sensor″,Sensors and actuators,A,Vol.101,pp 143−149.2000
上記のガラスなどに代表される非磁性基板上に純金属PdあるいはPd−Ag合金膜を形成したバイメタル構造の水素センサでは、基板の歪を検出して水素濃度を測定する。光梃子を利用して歪を検出する場合には透明な水素容器を用いて外部から光を導入し、光路と基板の相対位置を精密に制御し、しかも基板の振動を抑制するための防振施策を施す必要がある。さらに、透明な水素容器としては強化ガラスや石英などが考えられるが、液体水素のような極低温の水素や、高圧の水素ガスを貯蔵する場合には破壊する危険があった。また、将来のエネルギー源として水素が注目されているが、燃料電池や水素エンジンに必要な水素を貯蔵するためには水素容器や配管が軽いことが要求される。しかし、強化ガラスや石英を用いた場合には強度を確保するためには、体積が大きく、重量も増加してしまう。近年、軽量で高強度な水素容器用材料としてファイバー強化プラスティック(FRP)などが開発されているが、この容器は不透明であり上記の光梃子を用いバイメタル構造の水素センサの歪を測定するためには不適当である。FRP容器内に光を導入するために覗き窓などを取り付ける場合には、覗き窓の強度や水素容器との接触部における気密性を確保することが難しい。
一方、半導体を用いた水素センサ素子は電流を通電する必要があるため、一般に高濃度の水素雰囲気中に暴露する条件下では使用しない。仮に、水素容器内に配置しようとすれば電流導入端子を取り付ける必要がある。金属製の水素容器であれば気密性の電流導入端子を取り付け可能であるが、この場合には水素容器は重くなり、手軽な貯蔵や運搬には適さない。その一方、前述のFRP製の水素容器を用いる場合には電流導入端子との気密性を確保することが難しい。以上の課題を解決するためには、強化FRP等の軽量で高強度な材料で構成された水素容器や配管の内部の水素濃度を、容器に加工を施すことなくリモート検出できる技術が望まれる。
本発明の水素センサは、その目的を達成するため、磁性リボンに純金属PdあるいはPd−Ag合金層を成膜し、特にPd−Ag合金層の上にはPd又はPt薄膜を形成した構造を持つ。本センサにおいて、水素吸蔵による純金属PdあるいはPd−Ag合金層の膨張が磁性リボンの機械共振周波数の変化としてリモートセンシング可能なことを特徴とする。磁性リボンを機械的に振動させるためには磁性リボンに対し周波数を掃引した交流磁界、あるいはパルス磁界を印加する。磁性リボンの機械共振周波数は磁性リボン近傍に設置したピックアップコイルに発生する誘導起電力が最大となる周波数である。あるいは、ピックアップコイルを用いて周波数を掃引した交流磁界を発生し、この交流磁界を磁性リボンに印加する場合には、交流磁界の周波数が磁性リボンの機械共振周波数と一致した場合に最もエネルギーが消費される。したがって、ピックアップコイルに吸収される電力が最大となる周波数、すなわちピックアップコイルに対する投入電力の反射量の比率である反射係数が最小となる周波数を検出することで、機械共振周波数を決定することも可能である。
本発明の水素センサは、純金属PdあるいはPd−Ag合金層を付着した磁性リボンに交流磁界を印加して機械的に振動させた場合の振動挙動をピックアップコイルでリモートセンシングする原理に基づいている。すなわち、磁性リボンの共振周波数は純金属PdあるいはPd−Ag合金層の水素吸蔵に伴う膨張によって変化するため、感度及び応答性の良好なリモートセンサとして使用される。特に、磁性リボンと交流磁界印加用の励磁コイルやピックアップコイルの相対距離については信号を検出できる範囲で自由に設定可能なので、特に容器に細工することなく容器内の水素濃度をリモート検出できることが特長である。
本発明に従った水素センサの例を図1に示す。水素検出素子2は水素吸蔵層を成膜した磁性リボンから成り、それをアクリル管5内のスライドガラス4上に配置する。水素検出素子2の長手方向には永久磁石などで直流磁界を加えている。アクリル管5の周囲に巻いたピックアップコイル1をネットワークアナライザー3に結線する。ネットワークアナライザー3から周波数を掃引した交流電流をピックアップコイル1に通電することで、水素検出素子2に交流磁界を印加する。同時に、ネットワークアナライザー3を用いてピックアップコイル1に対する投入電力と反射電力の比率である反射係数の周波数特性を測定する。アクリル管5には空気あるいはArと水素の混合ガスを導入する。ここで用いた水素検出素子2の断面構造の一例を図2に示す。磁性リボン7の表面に水素吸蔵層8を成膜した構造である。水素吸蔵層8としては純金属Pd層を用いる。磁性リボン7としては、望ましくは磁歪定数の大きい材料であるFeを主成分とするアモルファス合金や結晶合金が使用される。また、水素吸蔵層2である純金属Pd層の形成に先立って、磁性リボン7の上にCr等で中間層を形成し、純金属Pd薄膜の付着力を向上させることが好ましい。
以下に具体的な実験条件を記す。磁性リボン7の仕様は幅5mm,長さ20mm,厚み25μmの非晶質状のFe−Co−B−Si合金であり、Feの原子比率は65%以上である。また、この材料の磁歪定数は35×10−6である。水素吸蔵層8としては膜厚100nmの純金属Pd層をスパッタリング法で成膜した。磁性リボン7はあらかじめ幅方向に8000A/mの直流磁界を印加しつつ、370℃で10分間熱処理し、幅方向に異方性エネルギーを付与した。この時の異方性磁界は約1300A/mである。なお、Pd層の密着力を増すためにPd層を成膜する前に厚さ30nmのCr層を形成した。アクリル管5の内径は26mm、外形は30mmである。混合ガスはArが90%、水素が10%の比率であり、毎秒10ccの流量を導入した。ピックアップコイル1は直径30mm、巻き数60回である。図3は大気中および混合ガスを導入して3分後のピックアップコイル1によって反射される電力の比率、すなわち反射係数の周波数特性を示す。測定結果にみられるように、大気中では102KHz、混合ガス流中では103KHzにおいて反射係数は最小値を示し、それぞれの周波数において磁性リボンが機械的に共振し、投入電力を吸収したことを示している。また、水素吸蔵に伴い共振周波数が上昇している。図4は混合ガス導入時間と共振周波数の関係を示している。比較のために磁性リボン7のみを混合ガスにさらした場合の共振周波数も示す。磁性リボン7のみの場合には水素導入によって共振周波数が変化しないのに対し、水素吸蔵層2であるPd層を成膜した場合には、混合ガス導入後約30秒で共振周波数の上昇がほぼ飽和し、高速で水素検出が可能なことを示している。
図5は真空槽9を用いた測定系の概略図である。あらかじめ、真空ポンプを用いて図1に示す水素センサの特性評価系、および図2に示す水素検出素子2を内部に配置した真空層9を0.001Torr以下に排気した後、ガス流量弁10を調節して水素ガスを導入し真空槽内の水素分圧を0.01Torrから600Torrの範囲で調節した。それぞれの水素分圧において10分保持した後の共振周波数を測定した。ここで、直流磁界強度は1030A/mと1840A/mの2種類の場合について実験した。図6に水素分圧と共振周波数の変化率の関係を示す。水素分圧の上昇に伴い、直流磁界が低い場合には共振周波数が上昇し、直流磁界が高い場合には共振周波数が低下する。この現象は、以下の通り解釈できる。先ず、磁性リボン7の上に付着した水素吸蔵層8である金属Pd層の体積は水素吸蔵に伴い膨張するため、磁性リボン7を伸ばす方向に歪を発生する。図7に示すとおり水素吸蔵に伴い金属Pd層だけが膨張する結果、磁性リボン7自体に加わる歪を少なくするように長手方向が円弧状に湾曲する。一方、磁性リボン7は幅方向には湾曲しないため、金属Pd層の膨張はそのまま磁性リボン7を幅方向に伸ばす応力として作用する。したがって、磁性リボン7には長手方向よりも幅方向に大きな内部応力が作用することとなる。ここで、Fe系合金は一般に正の磁歪定数を示すため引っ張り応力が働く方向に異方性エネルギーが誘導される。異方性エネルギーと異方性磁界は比例するため、Pdを被覆した磁性リボン7を水素雰囲気に曝した場合、幅方向の異方性磁界が増加する。前述の非特許文献3に報告されている通り、磁性リボン7の長手方向に対し直流磁界と交流磁界を印加して機械的に振動させる場合、その共振周波数は直流磁界が異方性磁界とほぼ等しい場合に最も低くなる。図8は共振周波数の直流磁界依存性の模式図である。空気中に保持したPd被覆磁性リボンの異方性磁界は1300A/mであり、図8中に実線で示す。一方、上記の通り水素雰囲気中に曝したPd被覆磁性リボンの異方性磁界は増加するため、共振周波数の直流磁界依存性は図8の点線で示される曲線となる。この結果、共振周波数は水素分圧の上昇に伴い、直流磁界が異方性磁界よりも低い1030A/mの場合には上昇し、一方、異方性磁界よりも高い1840A/mの場合には低下することとなる。
次に図9に示す水素検出素子を用いた測定を行った。前述の幅5mm,長さ20mm,厚み25μmのFe系アモルファス合金磁性リボン7に水素吸蔵層8として膜厚100nm,原子比率Pd:Ag=1:1のPd−Ag合金層12を成膜しSO2雰囲気に曝した後、その上に膜厚3nmのPd層13を積層した。なお、Pd−Ag層の密着力を増すためにPd−Ag層12を成膜する前に厚さ30nmのCr層11を形成した。図10に共振周波数の自動測定系を示す。励磁コイル14は直径30mm、巻き数100回のコイルでありファンクションジェネレータ15に接続されている。ピックアップコイル1は直径30mm、巻き数50回のコイルであり、励磁コイル14から20mm離して配置した。ピックアップコイル1の出力は増幅器16で増幅の後、オシロスコープ17で検出した。ファンクションジェネレータ15はパソコン18で制御され、励磁コイル14に周波数を掃引した一定振幅の交流電流を印加した。ピックアップコイル1で検出される交流波形をパソコンに64回集積し、平均化することによってノイズ成分を減らし、最も振幅が大きい周波数、すなわち共振周波数を求めた。あるいは、パソコン18で制御したファンクションジェネレータ15から、励磁コイル14にパルス幅100μs、繰り返し周波数10Hzのパルス電流を印加し、水素検出素子2を振動させた。水素検出素子2の振動に対応してピックアップコイル14に誘導される交流波形をパソコン18に64回集積の後、FFT処理を施して共振周波数を求めた。励磁コイル14、ピックアップコイル1、磁性リボン7、および直流磁界印加用永久磁石6を図5に示す真空槽9の中に配置した。あらかじめ、真空ポンプを用いて真空層9の内部を0.001Torr以下に排気した後、ガス流量弁10を調節して水素ガスを導入し真空槽9の中の水素分圧を0.01Torrから600Torrの範囲で調節した。それぞれの水素分圧において10分保持した後の共振周波数を測定した。ここで、直流磁界強度は1030A/mに設定した。図11に水素分圧と共振周波数の変化率の関係を示す。水素分圧の上昇に伴い直線的に共振周波数が上昇した。
水素吸蔵層8として表面に膜厚3nmのPd層13を積層した0.1μm厚の50%Pd−50%Ag合金層12を用いた場合、Agの添加により水素吸蔵に起因するPdの急激な相変化が抑えられ、高い圧力の水素まで良好な検出特性が得られた。純金属PdあるいはPd−Ag合金層から成る水素吸蔵層2の膜厚が薄すぎる場合には水素ガス吸蔵能が小さく、高圧水素ガス用のセンサとして適さない。しかし、水素ガス吸蔵に起因した体積膨張が純金属PdあるいはPd−Ag合金層の表層部近傍にとどまるものであることから、純金属PdあるいはPd−Ag合金層を過度に厚くすることも反応時間が遅れるという欠点がある。したがって、水素吸蔵層2の厚さは一般に0.03〜1μmの範囲内に設定される。なお、Pd−Ag合金層12の表面を数nmの厚さのPd又はPt層13で被覆すると、Pd−Ag合金層12だけを成膜した場合に比較して、感度が向上する。この理由は、水素を原子状水素に解離させる触媒作用のあるPd又はPtが表面全体に存在するため、水素の解離が促進されるためと考えられている。さらに、表層にAgが存在しないため大気によるAgの酸化が防止され、感度の劣化が抑制される。
なお、Pd−Ag合金層12の上にPd又はPt層13を直接積層すると、水素吸蔵に伴う膨張反応に要する応答時間が徐々に遅くなる傾向がみられることがある。このような応答時間の遅延は、Pd又はPt薄膜13の形成に先立ってPd−Ag合金層12をSO2に曝す事により抑制される。このSO2処理は、Pd又はPt層13の成膜時にAgがPd−Ag合金層12からPd又はPt薄膜13の表面に拡散するのを抑制するため、結果として劣化の原因となるAgの表面濃度が低下し、水素検出素子2を大気中で保存した場合の感度低下が軽減されるものである。
1:ピックアップコイル
2:水素検出素子
3:ネットワークアナライザー
4:スライドガラス
5:アクリル管
6:永久磁石
7:磁性リボン
8:水素吸蔵層
9:真空槽
10:ガス流量弁
11:Cr層
12:Pd−Ag層
13:Pt又はPd層
14:励磁コイル
15:ファンクションジェネレータ
16:増幅器
17:オシロスコープ
18:パソコン
2:水素検出素子
3:ネットワークアナライザー
4:スライドガラス
5:アクリル管
6:永久磁石
7:磁性リボン
8:水素吸蔵層
9:真空槽
10:ガス流量弁
11:Cr層
12:Pd−Ag層
13:Pt又はPd層
14:励磁コイル
15:ファンクションジェネレータ
16:増幅器
17:オシロスコープ
18:パソコン
Claims (4)
- 磁歪効果を有する磁性リボン上に水素吸蔵に伴って膨張する水素吸蔵層を形成し、水素吸蔵層の膨張が磁性リボンの機械共振周波数の変化として検出されることを特徴とする水素センサ。
- 請求項1記載の磁性リボンはリボンの幅方向に磁気異方性エネルギーを付与したFeを主成分とする合金であり、さらに、請求項1記載の水素吸蔵層はPd層あるいはPd−Ag合金層であり、当該Pd−Ag合金層の上にはPd又はPt層を形成することを特徴とする水素センサ。
- 請求項2記載の磁性リボンの機械共振周波数を検出する方法として、磁性リボンに対し直流磁界を印加し、同時にピックアップコイルを用いて周波数を掃引した交流磁界を印加して磁性リボンを機械的に振動させると共に、ピックアップコイルによって反射される電力が最小となる周波数を磁性リボンの機械共振周波数として検出することを特徴とする水素センサ。
- 請求項2記載の磁性リボンの機械共振周波数を検出する方法として、磁性リボンに対し直流磁界を印加し、同時に周波数を掃引した交流磁界あるいはパルス磁界も印加して磁性リボンを機械的に振動させ、磁性リボンから発生する交流磁界をピックアップコイルに誘導される起電力として検出し、誘導起電力が最大となる周波数を磁性リボンの機械共振周波数として検出することを特徴とする水素センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303641A JP2007086042A (ja) | 2005-09-17 | 2005-09-17 | 水素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005303641A JP2007086042A (ja) | 2005-09-17 | 2005-09-17 | 水素センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007086042A true JP2007086042A (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=37973151
Family Applications (1)
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JP2005303641A Pending JP2007086042A (ja) | 2005-09-17 | 2005-09-17 | 水素センサ |
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JP (1) | JP2007086042A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101133249B1 (ko) | 2010-07-30 | 2012-04-12 | 부산대학교 산학협력단 | ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서 |
CN106796147A (zh) * | 2014-08-27 | 2017-05-31 | 3M创新有限公司 | 具有预设置质量的磁机械共振器传感器 |
-
2005
- 2005-09-17 JP JP2005303641A patent/JP2007086042A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101133249B1 (ko) | 2010-07-30 | 2012-04-12 | 부산대학교 산학협력단 | ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서 |
CN106796147A (zh) * | 2014-08-27 | 2017-05-31 | 3M创新有限公司 | 具有预设置质量的磁机械共振器传感器 |
CN106796147B (zh) * | 2014-08-27 | 2019-09-06 | 3M创新有限公司 | 具有预设置质量的磁机械共振器传感器 |
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