JP2007073634A - Organic electronic device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機ELや有機レーザ、有機トランジスタ等の有機層を備える有機電子デバイスおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic electronic device including an organic layer such as an organic EL, an organic laser, and an organic transistor, and a manufacturing method thereof.
電子デバイスでは、電気信号や電力、電流の入出力が電極を通して行われる。有機材料を有機電子デバイスに応用しようとする場合、電極界面での有機分子の配向や結晶性は、電極と有機材料との間での動作効率に大きく影響する。 In an electronic device, electric signals, electric power, and current are input and output through electrodes. When an organic material is to be applied to an organic electronic device, the orientation and crystallinity of organic molecules at the electrode interface greatly affect the operating efficiency between the electrode and the organic material.
有機電子デバイスには、例えば、有機トランジスタがある。従来、トランジスタを形成する半導体材料として、これまではシリコン、ガリウム砒素等の無機半導体結晶や、蒸着したシリコン系材料の薄膜が用いられてきた。トランジスタは、第4図に示すように、少なくとも、ゲート電極11、絶縁層12、ソース電極21、ドレイン電極22、有機半導体層13を備え、それらが積層構造となっている。ソース電極21とドレイン電極22間に電圧をかけると有機半導体層を通じて2つの電極間に電流が流れる。このとき、絶縁層により有機半導体層と隔てられたゲート電極11に電圧を印加すると電界効果により半導体の導電性をかえることができる。これによりソース、ドレイン電極間の電流を制御することが可能である。これは、絶縁層に接している有機半導体層の空乏層の幅がゲート電極に印加される電圧によって変化し、実効的な正孔のチャネル断面積が変化するためと考えられる。 Organic electronic devices include, for example, organic transistors. Conventionally, inorganic semiconductor crystals such as silicon and gallium arsenide, and deposited silicon-based thin films have been used as semiconductor materials for forming transistors. As shown in FIG. 4, the transistor includes at least a gate electrode 11, an insulating layer 12, a source electrode 21, a drain electrode 22, and an organic semiconductor layer 13, which have a laminated structure. When a voltage is applied between the source electrode 21 and the drain electrode 22, a current flows between the two electrodes through the organic semiconductor layer. At this time, when a voltage is applied to the gate electrode 11 separated from the organic semiconductor layer by the insulating layer, the conductivity of the semiconductor can be changed by the field effect. This makes it possible to control the current between the source and drain electrodes. This is presumably because the width of the depletion layer of the organic semiconductor layer in contact with the insulating layer changes depending on the voltage applied to the gate electrode, and the effective channel cross-sectional area of the hole changes.
しかし近年、ディスプレイの大面積化に加え、フレキシブル化していく傾向が見られる。これに伴い、安価に作製可能なトランジスタとして有機材料を半導体層に用いた有機トランジスタが注目され、検討が進められている。チャネル部分を形成する材料としては特に、単結晶体あるいはπ共役系重合体が注目されている。有機半導体材料の化学構造は、骨格が共役二重結合、共役三重結合からなり、π電子軌道の重なりにより形成される価電子帯と伝導帯、およびこれを隔てる禁制帯からなるバンド構造を有している。この有機材料が基底状態から励起状態になることでチャネルが形成される。その結果、アモルファスシリコンのトランジスタの特性を超える有機トランジスタが報告されている。(非特許文献1他) 一方、有機電子デバイスの例として、有機ELがあげられる。有機ELとはカソードとアノードの間に発光層を含む少なくとも1層以上の有機材料層を設けたデバイスである。典型的には、第5図に示すように、カソード43、アノード41、発光層42を備えた積層構造となっている。カソードとアノードから注入された正孔と電子は、発光層で再結合することで有機分子の励起子を生成する。このとき、カソードおよびアノードと、発光層間のエネルギーギャップを緩和するために、第6図に示すように、電子輸送層421、正孔輸送層422を設けることが多い。有機ELは前述した励起子が失活する際の発光(蛍光・燐光)を利用するデバイスである。有機ELは液晶表示素子と異なり、自発光するため、視野角依存性がなく、視認性に優れていることから、次世代ディスプレイとして有力である。
In recent years, however, there has been a trend toward flexible display as well as an increase in display area. Accordingly, organic transistors using an organic material for a semiconductor layer are attracting attention and are being studied as transistors that can be manufactured at low cost. As a material for forming a channel portion, a single crystal or a π-conjugated polymer has attracted attention. The chemical structure of organic semiconductor materials has a skeleton consisting of conjugated double bonds and conjugated triple bonds, and has a band structure consisting of a valence band and a conduction band formed by overlapping π electron orbitals, and a forbidden band separating them. ing. A channel is formed when this organic material is excited from the ground state. As a result, organic transistors exceeding the characteristics of amorphous silicon transistors have been reported. (Non-Patent Document 1 and others) On the other hand, organic EL is mentioned as an example of an organic electronic device. The organic EL is a device in which at least one organic material layer including a light emitting layer is provided between a cathode and an anode. Typically, as shown in FIG. 5, it has a laminated structure including a
以上のような各種有機電子デバイスにおいて、有機材料を用いて実用レベルのデバイスを作るためには、材料物性の改善だけでなく、有機材料の特徴を生かしたデバイス設計が必要である。また、分子レベルから、その分子集合体領域でのエネルギー準位制御、およびその電子機能を発現させるための表面・界面設計が重要となってくる。 In various organic electronic devices as described above, in order to make a device at a practical level using an organic material, it is necessary not only to improve material properties but also to design a device that takes advantage of the characteristics of the organic material. In addition, from the molecular level, energy level control in the molecular assembly region and surface / interface design for expressing its electronic function are important.
ここで、低分子材料、高分子材料を問わず、有機材料を用いた場合の問題としては、デバイス特性を示すための有機化合物の結晶性が低く、多結晶形状になりやすいことがあげられる。その場合、有機トランジスタにおいては、結晶粒界にキャリアをトラップされやすくなり、これにより有機半導体の移動度が低下する。 Here, regardless of whether the material is a low-molecular material or a high-molecular material, a problem in the case of using an organic material is that the crystallinity of an organic compound for exhibiting device characteristics is low and a polycrystalline shape tends to be formed. In that case, in the organic transistor, carriers are easily trapped at the crystal grain boundary, thereby reducing the mobility of the organic semiconductor.
また、有機ELにおいては、発光効率の低下に繋がる。特に、この現象はオリゴマーから高分子といった、複数の分子繰り返し単位を有する材料を用いた場合により顕著となる。 Moreover, in organic EL, it leads to the fall of luminous efficiency. In particular, this phenomenon becomes more prominent when a material having a plurality of molecular repeating units such as an oligomer to a polymer is used.
そこで、特許文献1では、有機分子と有機分子を設ける下の基材を選択的な組み合わせとすることが提案され、有機トランジスタの電気的特性が向上すると記載されている。また、特許文献2では、有機EL素子の電極から、直接化学結合することで成長した正孔輸送層・発光層・電子輸送層を設けることが提案され、発光効率が向上し、長寿命なデバイスになることが記載されている。
以上のように、有機電子デバイスの有機材料の電気特性を発揮するための配向制御方法に様々な手法がとられている。しかし、特許文献1の方法では、使用できる有機分子、使用できる下の基材が限られる上、二つの層界面の接合性が弱いことが考えられ、有機材料の電気特性を生かすのは難しい。また、特許文献2では、分子長さが揃いやすいことから、配向性を高められることが期待できるが、その一方で数十回もの縮合反応プロセスを必要とするため、作製工程が煩雑で時間がかかる問題がある。 As described above, various methods have been adopted for the orientation control method for exhibiting the electrical characteristics of the organic material of the organic electronic device. However, in the method of Patent Document 1, usable organic molecules and usable lower base materials are limited, and it is considered that the bonding property at the interface between the two layers is weak, and it is difficult to make use of the electrical characteristics of the organic material. Further, in Patent Document 2, since the molecular lengths are easily aligned, it can be expected that the orientation can be improved. On the other hand, since the condensation reaction process is required several tens of times, the production process is complicated and time is required. There is such a problem.
上記のように、有機材料の配向方向が、有機トランジスタの膜内のキャリア伝導に大きな影響を及ぼすこと、また有機ELの正孔及び電子を発光層中に効率よく注入する必要があることから、有機材料を配向させることが重要である。また、電子や正孔を効率よく注入するため、電極界面での有機材料の制御が重要である。 As described above, the orientation direction of the organic material has a great influence on the carrier conduction in the film of the organic transistor, and it is necessary to efficiently inject holes and electrons of the organic EL into the light emitting layer. It is important to orient the organic material. In addition, in order to inject electrons and holes efficiently, it is important to control the organic material at the electrode interface.
従って本発明は、有機材料の配向性を向上させ、それに伴い有機トランジスタのトランジスタ特性、あるいは有機ELの発光効率が向上する、有機材料を用いた有機電子デバイスおよびその製造方法を提供するものである。 Accordingly, the present invention provides an organic electronic device using an organic material and a method for manufacturing the same, which improve the orientation of the organic material and accordingly improve the transistor characteristics of the organic transistor or the light emission efficiency of the organic EL. .
すなわち、本発明は、基板上に、少なくとも有機材料からなる薄膜と、前記薄膜に電圧を印加するための少なくとも1対の電極を有する有機電子デバイスであって、前記1対の電極の間に、前記薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材の一部と化学結合し、かつ前記化学結合しているサイトとは逆サイトの末端に芳香環、ヘテロ原子を有する複素環またはその両方やそれらの縮重合した官能基を有する単分子領域を有することを特徴とする有機電子デバイスである。 That is, the present invention is an organic electronic device having, on a substrate, a thin film made of at least an organic material and at least one pair of electrodes for applying a voltage to the thin film, and between the pair of electrodes, An aromatic ring or a heterocycle having a heteroatom at the end of the site chemically bonded to a part of the member for constituting the organic electronic device other than the organic material of the thin film and opposite to the chemically bonded site It is an organic electronic device characterized by having a monomolecular region having both of them and their condensation-polymerized functional groups.
前記単分子領域が、外的エネルギーの付与により、少なくともチャネル形成領域を満たすように設けられていることを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、少なくとも有機材料からなる薄膜と、前記薄膜に電圧を印加するための少なくとも1対の電極と、前記1対の電極の間に、前記薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材の一部と化学結合し、かつ前記化学結合しているサイトとは逆サイトの末端に芳香環、ヘテロ原子を有する複素環またはその両方やそれらの縮重合した官能基を有する単分子領域を有する有機電子デバイスの製造方法であって、前記基板上に少なくとも電極を蒸着により形成する工程と、前記有機材料からなる薄膜を蒸着により形成する工程と、前記単分子領域をシラン剤のカップリング反応により形成する工程とを含むことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法である。
The monomolecular region is provided so as to fill at least a channel formation region by applying external energy.
Further, the present invention provides a thin film made of at least an organic material on a substrate, at least one pair of electrodes for applying a voltage to the thin film, and the organic material other than the thin film between the pair of electrodes. An aromatic ring, a hetero ring having a hetero atom at the end of the site chemically bonded to a part of the member for constituting the organic electronic device, and opposite to the chemically bonded site, or both, and their polycondensation A method for producing an organic electronic device having a monomolecular region having a functional group, comprising: forming at least an electrode on the substrate by vapor deposition; forming a thin film made of the organic material by vapor deposition; And a step of forming a molecular region by a coupling reaction of a silane agent.
さらに、本発明は、基板上に、少なくとも有機材料からなる薄膜と、前記薄膜に電圧を印加するための少なくとも1対の電極と、前記1対の電極の間に、前記薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材の一部と化学結合し、かつ前記化学結合しているサイトとは逆サイトの末端に芳香環、ヘテロ原子を有する複素環またはその両方やそれらの縮重合した官能基を有する単分子領域を有する有機電子デバイスの製造方法であって、前記基板上に、少なくとも電極をインクジェット法により形成する工程と、前記有機材料からなる薄膜をインクジェット法により形成する工程と、前記単分子領域をシラン剤のカップリング反応により形成する工程とを含むことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法である。 Furthermore, the present invention provides, on a substrate, a thin film made of at least an organic material, at least one pair of electrodes for applying a voltage to the thin film, and the organic material other than the thin film between the pair of electrodes. An aromatic ring, a hetero ring having a hetero atom at the end of the site chemically bonded to a part of the member for constituting the organic electronic device, and opposite to the chemically bonded site, or both, and their polycondensation A method for producing an organic electronic device having a monomolecular region having a functional group, the step of forming at least an electrode on the substrate by an ink jet method, and the step of forming a thin film made of the organic material by an ink jet method And a step of forming the monomolecular region by a coupling reaction of a silane agent.
本発明によれば、有機トランジスタの移動度の向上、あるいは有機ELの発光効率の向上等のデバイス特性を向上させた有機電子デバイスを提供できる。また、本発明の有機材料を用いた有機電子デバイスは製造が容易である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electronic device which improved device characteristics, such as the improvement of the mobility of an organic transistor, or the improvement of the light emission efficiency of organic EL, can be provided. Moreover, the organic electronic device using the organic material of the present invention is easy to manufacture.
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の有機電子デバイスは、基板上に、少なくとも有機材料からなる薄膜と、前記薄膜に電圧を印加するための少なくとも1対の電極を有するデバイスであって、前記1対の電極の間に、前記薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材の一部と化学結合し、かつ前記化学結合しているサイトとは逆サイトの末端に芳香環、ヘテロ原子を有する複素環またはその両方やそれらの縮重合した官能基を有する単分子領域を有することを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The organic electronic device of the present invention is a device having on a substrate a thin film made of at least an organic material and at least one pair of electrodes for applying a voltage to the thin film, and between the pair of electrodes, An aromatic ring or a heterocycle having a heteroatom at the end of the site chemically bonded to a part of the member for constituting the organic electronic device other than the organic material of the thin film and opposite to the chemically bonded site It is characterized by having a monomolecular region having both of them and their condensation-polymerized functional groups.
本発明の有機電子デバイスにおいて、基板と、有機材料からなる薄膜、1対の電極と、単分子領域を配置する場合、有機材料からなる薄膜と単分子領域とが隣接していることが好ましい。そのような配置とすることにより、単分子領域の芳香環や複素環が有機材料を配向させる作用が期待できる。単分子領域の形成後に有機材料からなる薄膜を形成することがより好ましい。その他の部材の位置関係については、従来公知のものを適用することができる。 In the organic electronic device of the present invention, when a substrate, a thin film made of an organic material, a pair of electrodes, and a monomolecular region are disposed, the thin film made of an organic material and the monomolecular region are preferably adjacent to each other. By adopting such an arrangement, it is expected that an aromatic ring or a heterocyclic ring in a monomolecular region orients the organic material. It is more preferable to form a thin film made of an organic material after the monomolecular region is formed. Conventionally known ones can be applied to the positional relationship of other members.
また、有機材料からなる薄膜は、好ましくは、有機電池デバイスの機能を発現するための膜である。かかる有機材料からなる膜としては、例えば、トランジスタのチャネル領域を含む膜や、発光素子の発光層である膜が挙げられる。 The thin film made of an organic material is preferably a film for expressing the function of the organic battery device. Examples of the film made of an organic material include a film including a channel region of a transistor and a film that is a light-emitting layer of a light-emitting element.
薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材とは、例えば絶縁層、電極、基板等が挙げられる。これらの部材表面に存在する官能基と、単分子領域を形成する化合物の一部の官能基がカップリング反応により結合する。 Examples of the member for constituting the organic electronic device other than the thin film organic material include an insulating layer, an electrode, and a substrate. The functional group present on the surface of these members and a part of the functional group of the compound forming the monomolecular region are bonded by a coupling reaction.
単分子領域は、一方のサイトに化学結合可能な官能基を、他方のサイトの末端に芳香環、ヘテロ原子を有する複素環またはその両方やそれらの縮重合した官能基を有し、具体的にはSi原子を中心として、結合している側鎖のうち少なくとも一つが加水分解性の官能基をその末端に有し、他の側鎖のうち少なくとも一つが芳香環、ヘテロ原子を有する複素環等の官能基をその末端に有する化合物の単分子からなる領域が挙げられる。 The monomolecular region has a functional group that can be chemically bonded to one site, an aromatic ring, a heterocycle having a heteroatom at the end of the other site, or both, and a condensation-polymerized functional group thereof. Has at least one hydrolyzable functional group at the terminal, and at least one of the other side chains is an aromatic ring, a heterocycle having a hetero atom, etc. A region composed of a single molecule of a compound having a functional group of
なお、サイトとは、単分子領域を形成する化合物の側鎖の末端に存在する化学結合可能な官能基、あるいは芳香環、ヘテロ原子を有する複素環等の官能基を示す。
また、加えて、単分子領域は単分子領域を形成するための化合物からなる層の一部にUV照射のような外的エネルギーを付与して形成されたパターンを有するものであってもよい。
The site refers to a functional group capable of chemically bonding, or a functional group such as an aromatic ring or a hetero ring having a hetero atom, present at the end of the side chain of the compound forming the monomolecular region.
In addition, the monomolecular region may have a pattern formed by applying external energy such as UV irradiation to a part of a layer made of a compound for forming the monomolecular region.
芳香環、あるいはヘテロ原子を有する複素環部位の非局在化したπ電子を中心に、静電的・分散的な相互作用を起こして、分子的な会合状態となる。化学結合により固定化された分子末端に非局在化したπ電子を有する芳香環、あるいはヘテロ原子を有する複素環があることで、ここを基点として、電気的特性を発現する有機材料のπ電子との間で相互作用を起こして配向性が高くなる。 An electrostatic and dispersive interaction is caused around the delocalized π-electron of the aromatic ring or the heterocyclic moiety having a hetero atom, and a molecular association state is obtained. There is an aromatic ring with a delocalized π electron at the end of the molecule fixed by a chemical bond, or a hetero ring with a heteroatom, and based on this, the π electron of an organic material that exhibits electrical properties And the orientation becomes higher.
以上の作用により、本発明によれば、有機物質の電気的特性の向上、それに伴う有機電子デバイスの特性向上を図ることができる。
本発明は、有機トランジスタの移動度向上、あるいは有機ELの発光効率向上等のデバイス特性を向上させることが可能になる。加えて、有機トランジスタのリーク電流の減少、寄生容量の減少も期待できる。また、有機電子デバイスとしての寿命も伸びる。
Due to the above-described actions, according to the present invention, it is possible to improve the electrical characteristics of the organic substance and the characteristics of the organic electronic device associated therewith.
The present invention makes it possible to improve device characteristics such as improving the mobility of an organic transistor or improving the light emission efficiency of an organic EL. In addition, it can be expected to reduce the leakage current and parasitic capacitance of the organic transistor. Moreover, the lifetime as an organic electronic device is extended.
さらに、本発明の有機材料を用いた有機電子デバイスは製造容易であり、フレキシブル性、大面積化、フィルム化も可能である。
次に、有機電子デバイスの具体例として、有機トランジスタについて説明する。図1は本発明における実施形態を示すボトムコンタクト型有機トランジスタの断面図である。
Furthermore, an organic electronic device using the organic material of the present invention is easy to manufacture and can be flexible, have a large area, and can be formed into a film.
Next, an organic transistor will be described as a specific example of the organic electronic device. FIG. 1 is a cross-sectional view of a bottom contact organic transistor showing an embodiment of the present invention.
本発明の有機トランジスタは、基板10、ゲート電極11、絶縁層12、有機半導体層13、ソース電極21、ドレイン電極22、単分子領域30から構成される。
本発明の有機トランジスタのゲート電極11は導電性を有する材料であれば特に限定せず、その例としては、金、白金、銀、ニッケル、銅、クロム、鉄、スズ、タンタル、アルミニウム、マグネシウム、およびこれらの合金、導電性酸化物があげられる。あるいはドーピング等により導電率を向上させた単結晶・ポリ・アモルファスシリコンといった無機系半導体、さらにはポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性高分子およびそれらの誘導体や複合体でもよい。
The organic transistor of the present invention includes a substrate 10, a gate electrode 11, an insulating layer 12, an organic semiconductor layer 13, a source electrode 21, a drain electrode 22, and a monomolecular region 30.
The gate electrode 11 of the organic transistor of the present invention is not particularly limited as long as it is a conductive material. Examples thereof include gold, platinum, silver, nickel, copper, chromium, iron, tin, tantalum, aluminum, magnesium, And alloys thereof and conductive oxides. Alternatively, it may be an inorganic semiconductor such as single crystal, poly, or amorphous silicon whose conductivity is improved by doping or the like, or a conductive polymer such as polyaniline, polythiophene, or polypyrrole, or a derivative or composite thereof.
ソース電極21、ドレイン電極22に用いる電極材料は、仕事関数の大きい材料がよく、有機半導体層130と電気的接触が良好なものを選択することが望ましい。その例としては、金、白金、銀、ニッケル、銅、クロムが望ましい。 The electrode material used for the source electrode 21 and the drain electrode 22 is preferably a material having a large work function, and it is desirable to select a material that has good electrical contact with the organic semiconductor layer 130. For example, gold, platinum, silver, nickel, copper, and chromium are desirable.
基板10としては絶縁性のものであればいずれでもよく、ガラス、あるいはポリカーボネート、ポリエステル等のプラスチックでも問わない。
絶縁層12としては誘電率が高く低導電率のものが望ましい。その例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、ポリエチレン、ポリイミドなどがあげられる。
The substrate 10 may be any insulating material, and may be glass or plastic such as polycarbonate or polyester.
The insulating layer 12 preferably has a high dielectric constant and low conductivity. Examples thereof include silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, tantalum oxide, polyethylene, and polyimide.
上記電極11、21、22および絶縁層12はそれら材料に応じて、蒸着、めっき、スパッタ、CVD、インクジェット等の手法を用いて作製することができる。
有機半導体層13を形成する有機材料としては、単結晶系・高分子系有機材料の2種類が考えられる。有機半導体層13に用いる単結晶系有機材料の例として、ペンタセンに代表される縮合多環芳香族化合物、フタロシアニン等を用いた有機金属塩などがあげられ、材料に応じた条件により真空蒸着等の手法を用いて作製される。高分子系材料の例としては、ポリ−3−ヘキシルチオフェンに代表されるπ共役系チオフェン系高分子、あるいはデンドリマーと呼ばれる超分岐高分子など、基本単位となる構造体が少なくとも2つ以上結合しπ共役を拡張したものが望ましい。これら材料に応じた溶媒に溶解し、スピンコート、インクジェット法など湿式の製法を用いて作製される。
The electrodes 11, 21, 22 and the insulating layer 12 can be produced using a technique such as vapor deposition, plating, sputtering, CVD, or ink jet depending on the materials.
As the organic material for forming the organic semiconductor layer 13, two types of single-crystal and high-molecular organic materials are conceivable. Examples of the single crystal organic material used for the organic semiconductor layer 13 include condensed polycyclic aromatic compounds represented by pentacene, organometallic salts using phthalocyanine, and the like. It is produced using a technique. Examples of the polymer material include a structure in which at least two basic units such as a π-conjugated thiophene polymer represented by poly-3-hexylthiophene or a hyperbranched polymer called a dendrimer are bonded. What extended pi conjugation is desirable. It is dissolved in a solvent according to these materials, and is manufactured using a wet manufacturing method such as spin coating or an ink jet method.
単分子領域30はシランカップリング剤、あるいは、グラフト重合のような表面処理方法を用い、分子長さの揃った図7に示すような単分子領域30を形成するのがよい。31は単分子領域を形成する化合物の官能基、32は有機電子デバイスを構成する部材の一部と化学結合した部位を示す。 The monomolecular region 30 is preferably formed using a silane coupling agent or a surface treatment method such as graft polymerization to form the monomolecular region 30 as shown in FIG. Reference numeral 31 denotes a functional group of a compound that forms a monomolecular region, and 32 denotes a site chemically bonded to a part of a member constituting the organic electronic device.
単分子領域30を形成する化合物の概念図を図8に示す。Aは芳香環、あるいはヘテロ原子を有する複素環を有する材料であり、複素環、芳香環が数個結合しているものでもよいし、ナフタレン、アントラセンのように、数個が縮重合した形状の官能基を有する化合物、あるいはインドールのような形であってもよい。Aは全てが同じ基である必要はなく、化合物内に存在するそれぞれのAが異なるものであってもよい。 A conceptual diagram of the compound forming the monomolecular region 30 is shown in FIG. A is a material having an aromatic ring or a hetero ring having a hetero atom, and may be a material in which several hetero rings or aromatic rings are bonded, or a form in which several are condensed such as naphthalene or anthracene. It may be in the form of a compound having a functional group or indole. All of A need not be the same group, and each A present in the compound may be different.
Xはアルケニル基、第二級のアミノ基(−NH−)、カルボニル基等の二価の有機基であり、化合物内に存在するそれぞれのXが異なるものであってもよい。
Yはクロロ基、エトキシ基、メトキシ基のような加水分解性の基がよい。A、X、YはSiの原子と結合している。
X is a divalent organic group such as an alkenyl group, a secondary amino group (—NH—), or a carbonyl group, and each X present in the compound may be different.
Y is preferably a hydrolyzable group such as a chloro group, an ethoxy group, or a methoxy group. A, X, and Y are bonded to Si atoms.
この単分子領域30は完全に均一あるいは緻密な領域となっていなくてもよく、単分子領域30を形成する単分子間に、有機半導体層を構成する化合物が存在していてもよい。
また、ボトムコンタクト型有機トランジスタの場合、単分子領域30を形成する前、途中あるいは後にUVなどの外的エネルギー付与により、その単分子領域30が少なくともチャネル形成領域を満たすようにパターン化することが望ましい。
The monomolecular region 30 may not be a completely uniform or dense region, and a compound constituting the organic semiconductor layer may exist between the monomolecules forming the monomolecular region 30.
In the case of a bottom contact type organic transistor, patterning may be performed so that the monomolecular region 30 fills at least the channel formation region by applying external energy such as UV before, during or after the formation of the monomolecular region 30. desirable.
単分子領域の厚さは、少なくとも単分子領域を構成する化合物の大きさに由来する。単分子領域を構成している化合物が単分子で配列していることは、走査型プローブ顕微鏡などの手法により確認することができる。 The thickness of the monomolecular region is derived from at least the size of the compound constituting the monomolecular region. It can be confirmed by a technique such as a scanning probe microscope that the compounds constituting the monomolecular region are arranged in a single molecule.
単分子領域は、前記薄膜の有機材料以外の前記有機電子デバイスを構成するための部材の一部と化学結合しているが、化学結合とは例えば絶縁層表面のOH基と図8でYで示される基が結合しており、化学結合させるための反応は、カップリング処理で行なわれる。 The monomolecular region is chemically bonded to a part of the member for constituting the organic electronic device other than the organic material of the thin film. The chemical bond is, for example, OH group on the surface of the insulating layer and Y in FIG. The group shown is bonded, and the reaction for chemical bonding is performed by a coupling treatment.
最後に、封止材により有機トランジスタを封止する。その手法の例としては、乾燥窒素あるいはアルゴン雰囲気下で、ガラス、あるいはフィルムに接着剤を塗布し、トランジスタ基板と張り合わせて封止する。接着剤にはアクリル樹脂またはポリイミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする紫外線硬化型接着剤、あるいはエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤、その他既存の接着剤など既存のものを用いてよい。 Finally, the organic transistor is sealed with a sealing material. As an example of the method, an adhesive is applied to glass or a film in a dry nitrogen or argon atmosphere, and is attached to a transistor substrate and sealed. An existing adhesive such as an ultraviolet curable adhesive mainly composed of acrylic resin, polyimide resin or novolac resin, thermosetting adhesive mainly composed of epoxy resin, or other existing adhesive may be used as the adhesive. .
以上に記載した本発明における有機トランジスタの構造は薄膜型に限定されるものではなく、円筒形など別型であってもかまわない。
次に、有機電子デバイスの具体例として、有機ELについて説明する。図3は本発明における他の実施形態を示す有機ELの断面図である。
The structure of the organic transistor in the present invention described above is not limited to the thin film type, and may be another type such as a cylindrical shape.
Next, organic EL will be described as a specific example of the organic electronic device. FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic EL showing another embodiment of the present invention.
本発明の有機ELは、基板40、アノード41、カソード43、発光層42、単分子領域30から構成される。
本発明における有機ELとして、基板40としては絶縁性のものであればいずれでもよく、ガラス、あるいはポリカーボネート、ポリエステル等のプラスチックでも問わない。
The organic EL of the present invention includes a substrate 40, an
As the organic EL in the present invention, the substrate 40 may be any substrate as long as it is insulative, and may be glass or plastic such as polycarbonate or polyester.
アノード41としては、光を透過させる材料を用いる。具体的には、ITO、酸化インジウム、酸化スズ、等であることが好ましい。金、白金、銀等の金属薄膜や、ポリアニリン、ポリピロール等を用いてもよい。
As the
カソード43としては、仕事関数の低いLi、K、Na等のアルカリ金属や、Mg、Caといったアルカリ土類金属を用いるのが好ましい。
発光層42は、励起されて蛍光あるいは燐光を発するものであれば、電子輸送性であってもホール輸送性であってもよい。発光層42としては、高分子蛍光体ではポリアリールビニレン系やポリフルオレン系などあげられる。低分子蛍光体としては、BAlq、Alq3 、Bebq2 などがあがられる。また、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系などの蛍光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾールなどの高分子材料中に溶解させたものを用いることもできる。
As the
The light emitting layer 42 may be electron transporting or hole transporting as long as it is excited and emits fluorescence or phosphorescence. Examples of the light-emitting layer 42 include polyarylvinylene-based and polyfluorene-based materials for polymer fluorescent materials. Examples of the low molecular phosphor include BAlq, Alq 3 , and Bebq 2 . In addition, fluorescent dyes such as coumarin, perylene, pyran, anthrone, quinacridone, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone, naphthalimide, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole, polystyrene, poly Those dissolved in a polymer material such as methyl methacrylate and polyvinyl carbazole can also be used.
また、本発明の有機ELは、図6に示す様な、正孔輸送層422、電子輸送層421を設けてもよい。
正孔輸送層422はイオン化ポテンシャルが低い化合物ほど正孔移動度が高くなるため、イオン化ポテンシャルが小さいほど望ましく、また、電子輸送層421はアノードのフェルミ順位と電子輸送層のイオン化ポテンシャルの差が小さいほど有利である。これらを満たす材料として、正孔輸送層422には、ポルフィリン系化合物である銅フタロシアニンや、アミン系化合物であるフェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、またはヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、カルバゾール誘導体といった、既知のホール輸送材料が使用できるが、これらに限定されるものではない。また高分子系の化合物としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
The organic EL of the present invention may be provided with a hole transport layer 422 and an electron transport layer 421 as shown in FIG.
The hole transport layer 422 has a higher hole mobility as the compound has a lower ionization potential. Therefore, the smaller the ionization potential, the more desirable, and the electron transport layer 421 has a smaller difference between the Fermi rank of the anode and the ionization potential of the electron transport layer. Is more advantageous. As a material that satisfies these requirements, the hole transport layer 422 includes a known hole such as a copper phthalocyanine that is a porphyrin compound, a phenylenediamine derivative that is an amine compound, an arylamine derivative, or a hydrazone derivative, a stilbene derivative, or a carbazole derivative. Although a transport material can be used, it is not limited to these. As the polymer compound, polyaniline, polythiophene, polyvinyl carbazole, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid can be used, but not limited thereto.
電子輸送層421には、オキシジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体等の低分子化合物、Alq3 などのキノリノール誘導体金属錯体などが使用できるが、これらに限定されるものではない。 For the electron transport layer 421, a low molecular compound such as an oxydiazole derivative, a triazole derivative, a triazine derivative, or an imidazole derivative, a quinolinol derivative metal complex such as Alq 3, or the like can be used, but the electron transport layer 421 is not limited thereto.
発光層42、正孔輸送層422、電子輸送層421は、低分子化合物を用いた場合、材料に応じた条件により真空蒸着等の手法を用いて作製される。高分子化合物を用いる場合は、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、アニソール、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチルなど有機溶剤や水などの単独または混合溶液に溶解または分散液としてインク化することができる。インク化する際には、界面活性剤、粘度調整剤、酸化防止剤などを添加しても良い。これらのインクはインクジェット法、マイクログラビア法、ダイコート法、スロットコート法、グラビア法、フレキソ法、オフセット法、凸版法、凹版オフセット法、スクリーン法などのコーティング方法または印刷方法により形成することができる。 When a low molecular compound is used, the light emitting layer 42, the hole transport layer 422, and the electron transport layer 421 are manufactured using a technique such as vacuum deposition according to conditions according to the material. When using a high molecular compound, dissolve or dissolve in an organic solvent such as toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexane, anisole, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate or water alone or in a mixed solution. It can be converted into an ink as a dispersion. When making an ink, a surfactant, a viscosity modifier, an antioxidant, or the like may be added. These inks can be formed by a coating method or a printing method such as an ink jet method, a micro gravure method, a die coating method, a slot coating method, a gravure method, a flexo method, an offset method, a letterpress method, an intaglio offset method, and a screen method.
単分子領域30については、上記の有機トランジスタで述べたものと同様である。 The monomolecular region 30 is the same as that described for the organic transistor.
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。
実施例1
図1に示す本発明における第一の実施形態を示すボトムコンタクト型有機トランジスタの実施例について説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Example 1
An example of the bottom contact type organic transistor showing the first embodiment in the present invention shown in FIG. 1 will be described.
熱酸化膜300nmを有するn型シリコンを基板10、ゲート電極11、絶縁層12とした。そして、ソース電極21、ドレイン電極22として金を50nmの厚さまで真空蒸着により形成した。次にUVオゾン雰囲気下にさらした後、0.1wt%フェニルトリメトキシシラン/クロロホルム溶液に基板を浸漬し、洗浄・乾燥させて絶縁層12およびソース電極21、ドレイン電極22の表面にフェニルシラン基を有する単分子領域30を設けた。続けてペンタセンを100nmの厚さまで真空蒸着により形成し、有機半導体層13とした。チャネル長は10μm、チャネル幅は50μmである。 N-type silicon having a thermal oxide film of 300 nm was used as the substrate 10, the gate electrode 11, and the insulating layer 12. Then, gold was formed as the source electrode 21 and the drain electrode 22 by vacuum deposition to a thickness of 50 nm. Next, after exposure to a UV ozone atmosphere, the substrate is immersed in a 0.1 wt% phenyltrimethoxysilane / chloroform solution, washed and dried, and a phenylsilane group is formed on the surfaces of the insulating layer 12, the source electrode 21, and the drain electrode 22. A monomolecular region 30 having Subsequently, pentacene was formed by vacuum vapor deposition to a thickness of 100 nm to form an organic semiconductor layer 13. The channel length is 10 μm and the channel width is 50 μm.
比較例として、同様な方法により、2−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを用いて2−(3,4エポキシシクロヘキシル)シラン基を有する単分子領域30を設けた有機トランジスタを作製した。 As a comparative example, an organic transistor provided with a monomolecular region 30 having a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) silane group using 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane was produced by the same method. .
有機トランジスタの動作を確認したところ、本実施例の移動度は1×10-1cm2 /Vs、比較例の移動度は7×10-2cm2 /Vsであった。
本発明により、高移動度のボトムコンタクト型有機トランジスタを提供することができた。
When the operation of the organic transistor was confirmed, the mobility of this example was 1 × 10 −1 cm 2 / Vs, and the mobility of the comparative example was 7 × 10 −2 cm 2 / Vs.
According to the present invention, a bottom contact organic transistor with high mobility could be provided.
実施例2
図2は、本発明における第二の実施形態を示すボトムコンタクト型有機トランジスタの断面図である。
Example 2
FIG. 2 is a cross-sectional view of a bottom contact organic transistor showing a second embodiment of the present invention.
無アルカリガラスからなる基板10上にアルミニウムを蒸着しゲート電極11とした。次にスパッタ法により酸化シリコンを成膜して絶縁層12とした。
絶縁層を形成した基板をO2 プラズマアッシングした後、0.1wt%γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン/クロロホルム溶液に浸漬し、洗浄・乾燥して絶縁層12の表面にアニリノプロピルシラン基を有する単分子領域30を設けた。そして、その後、単分子領域30がゲート電極11と同形状となるように、電子線照射によりパターニングした。次に、ソース電極21、ドレイン電極22として金ナノペーストをインクジェット法により設け、焼成した。最後にクロロホルムに溶解したポリ−3−ヘキシルチオフェンをインクジェット法によりチャネル形成部分を覆うように設け、乾燥させることで有機半導体層13とした。チャネル長は100μm、チャネル幅は1mmである。
Aluminum was vapor-deposited on the substrate 10 made of alkali-free glass to form a gate electrode 11. Next, a silicon oxide film was formed by sputtering to form the insulating layer 12.
The substrate on which the insulating layer is formed is subjected to O 2 plasma ashing, then dipped in a 0.1 wt% γ-anilinopropyltriethoxysilane / chloroform solution, washed and dried to form an anilinopropylsilane group on the surface of the insulating layer 12. A monomolecular region 30 is provided. Thereafter, patterning was performed by electron beam irradiation so that the monomolecular region 30 had the same shape as the gate electrode 11. Next, gold nano paste was provided by an ink jet method as the source electrode 21 and the drain electrode 22 and baked. Finally, poly-3-hexylthiophene dissolved in chloroform was provided by an inkjet method so as to cover the channel formation portion, and dried to form the organic semiconductor layer 13. The channel length is 100 μm and the channel width is 1 mm.
比較例として、同様な方法により、2−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを用いて2−(3,4エポキシシクロヘキシル)シラン基を有する単分子領域30を設けた有機トランジスタを作製した。 As a comparative example, an organic transistor provided with a monomolecular region 30 having a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) silane group using 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane was produced by the same method. .
有機トランジスタの動作を確認したところ、本実施例の移動度は3×10-2cm2 /Vs、比較例の移動度は8×10-3cm2 /Vsであった。
本発明により、高移動度の有機トランジスタを得ることができた。加えて、真空工程を含まないので、より簡便で安価な有機トランジスタを作製することができた。
When the operation of the organic transistor was confirmed, the mobility of this example was 3 × 10 −2 cm 2 / Vs, and the mobility of the comparative example was 8 × 10 −3 cm 2 / Vs.
According to the present invention, a high mobility organic transistor was obtained. In addition, since a vacuum process is not included, a simpler and cheaper organic transistor can be produced.
実施例3
図3は本発明における第三の実施形態を示す有機EL素子の断面図である。
ITO膜を設けたガラス基板40を、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法によってITO膜を所定のパターンにパターンニングし、アノード41を形成した。次に、アノード41表面をUVオゾン装置で洗浄した。次に、γ−アニリノプロピルトリエトキシシランをシランカップリング処理によりアノード41表面に設け単分子領域30とした。続いて、発光層42として、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォネートとの混合物層、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン層を順にそれぞれ30nm、100nmの膜厚で積層形成した。次に、Ca層、Al層を順に、それぞれ20nm、200nmの膜厚で真空蒸着法によりカソード43として形成した。
Example 3
FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic EL device showing a third embodiment in the present invention.
The glass substrate 40 provided with the ITO film was patterned into a predetermined pattern by the photolithography method and the wet etching method, and the
比較例として、同様な方法により、2−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを用いて2−(3,4エポキシシクロヘキシル)シラン基を有する単分子領域30を設けた有機ELを作製した。 As a comparative example, an organic EL provided with a monomolecular region 30 having a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) silane group using 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane was produced by the same method. .
得られた有機ELに電圧を印加したところ、本実施例において輝度300cd/m2 、比較例では200cd/m2 の発光が得られた。
本発明の有機ELは、発光効率が向上したことが認められた。
When the obtained organic EL applying voltage, luminance 300 cd / m 2 in the present embodiment, light emission of 200 cd / m 2 was obtained in the comparative example.
The organic EL of the present invention was found to have improved luminous efficiency.
本発明は、移動度が向上した有機トランジスタ、発光効率が向上した有機EL素子等の有機電子デバイスに利用することができる。 The present invention can be used for organic electronic devices such as an organic transistor having improved mobility and an organic EL element having improved light emission efficiency.
10 基板
11 ゲート電極
12 絶縁層
13 有機半導体層
21 ソース電極
22 ドレイン電極
30 単分子領域
31 単分子領域を形成する化合物の官能基
32 有機電子デバイスを構成する部材一部と化学結合した部位
40 基板
41 アノード
42 発光層
43 カソード
421 電子輸送層
422 正孔輸送層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 11 Gate electrode 12 Insulating layer 13 Organic semiconductor layer 21 Source electrode 22 Drain electrode 30 Monomolecular region 31 Functional group of compound forming monomolecular region 32 Site chemically bonded to a part of members constituting organic electronic device 40
Claims (4)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008149829A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescent device and display using the device |
CN112840458A (en) * | 2018-10-10 | 2021-05-25 | 三星显示有限公司 | Display device |
CN112840458B (en) * | 2018-10-10 | 2024-04-23 | 三星显示有限公司 | Display device |
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