JP2007051079A - 芳香族アセチレン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】芳香族ハロゲン化物類と末端アセチレンを、パラジウムを含む触媒および塩基の存在下カップリングさせて芳香族アセチレンを合成する反応を、ホスホニウム塩を共存させることで、従来法や共存させない場合に比べ、高い収率で円滑に進行させる手段を見出し、工業的に芳香族アセチレン類を製造する方法を提供する。
【解決手段】上記カップリング反応を、ホスホニウム塩の共存下で行う。このホスホニウム塩としては、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−ヘキシル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド等が好適である。さらに、これらのホスホニウム塩を共存させると、パラジウムを含む触媒の使用量を、芳香族ハロゲン化物類１モルに対して、０．０００１〜０．００５モルまで劇的に低減することが可能となり、経済的に優位な芳香族アセチレン類の製造法となる。
【選択図】なし

Description

本発明は、芳香族アセチレン類を製造する方法に関する。

芳香族アセチレン類は医薬、農薬および機能性材料のような各種化合物の製造原料または合成中間体として広く利用されており、極めて有用な化合物群である。

芳香族アセチレン類を製造する方法として、パラジウム触媒存在下、場合によってはリン化合物や銅触媒を用いての芳香族ハロゲン化物類と末端アセチレンとのカップリング反応が知られており（非特許文献１）、例えば非特許文献２や非特許文献３にその応用例が開示されている。一般に芳香族ハロゲン化物類として芳香族ヨウ化物を使用すると、反応が速く進行し、少ない触媒量で反応が完結するが、芳香族臭化物や芳香族塩化物を使用すると、反応が遅くなり、反応完結のために多量の触媒を使用しなければならないことが知られている。

一方、カチオン部分とアニオン部分からなり、融点が高く、室温または室温付近で液体の塩（一般に、このような塩を「イオン性液体」という）を、金属錯体が触媒するクロスカップリング反応の反応溶媒に用いる方法が注目されている。非特許文献４では、パラジウム触媒存在下、［（テトラデシル）トリヘキシルホスホニウム］クロリドをイオン性液体として用いた、芳香族ハロゲン化物とボロン酸誘導体とのクロスカップリング反応が開示されている。また、非特許文献５では、パラジウム触媒存在下、［テトラアルキルホスホニウム］ブロミドをイオン性液体として用いた、芳香族ハロゲン化物とエチレン類とのカップリング反応を開示している。

また、非特許文献６と非特許文献７において、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム ヘキサフルオロホスフェート（［ｂｍｉｍ］［ＰＦ₆］）をイオン性液体として用いた、芳香族ヨウ化物とアセチレン類とのカップリング反応が開示されている。また、本出願人は、非特許文献８において、パラジウム触媒存在下、イミドアニオンを含有するイオン性液体を溶媒とすることにより、高選択率で該アセチレンカップリング反応が進行することを開示している。
Tetrahedron Letters、第１６巻、４４６７頁〜４４７０頁、１９７５年（米国） B. M. Trost、I. Fleming編'Comprehensive Organic Synthesis'、第３巻、５２１頁〜５４９頁、１９９１年、Pergamon Press社発行（米国） F. Diederich、P. J. Stang編'Metal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions'、２０３頁〜２２９頁、１９９８年、Wiley-VCH社発行（ドイツ国） Chemical Communications、１９８６頁〜１９８７頁、２００２年（米国） Synlett、第８巻、１０９１頁〜１０９２頁、１９９６年（米国） Organic Letters、第４巻、第１０号、１６９１頁〜１６９４頁、２００２年（米国） Monatshefte fur Chemie、第１３４巻、５４５頁〜５４９頁、２００３年（ドイツ国） Abstract of the International Conference on Fluorine Chemistry '04 Kyoto、１２２頁、２００４年（日本国）

上記に挙げた芳香族アセチレン類の製造方法は、小規模での実施には好適であるが、工業的には採用し難いものであった。

非特許文献１や、非特許文献２及び非特許文献３において、パラジウム触媒存在下での芳香族ハロゲン化物類と末端アセチレンとのカップリング反応の数多くの例が開示されているが、殆どの場合、使用されるパラジウムを含む触媒の添加量が、該芳香族ハロゲン化物１モルに対して、０．００５モル以上となっている。パラジウムは非常に高価な金属であり、このパラジウム金属から調製されるパラジウム触媒も大変高価であるため、このように大量のパラジウム触媒を使用する製造法は工業的に採用するのは経済的に困難である。

一方、イオン性液体をアセチレンカップリング反応に用いた例として、非特許文献７と非特許文献８においては、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム ヘキサフルオロホスフェート（［ｂｍｉｍ］［ＰＦ₆］）をイオン性液体として用いてアセチレンカップリング反応を行っているが、主として活性の高い芳香族ヨウ化物を用いている上、該芳香族ヨウ化物１モルに対して、０．０４〜０．０５モルものパラジウム触媒を使用しているために、ヨウ素系廃棄物と触媒のコストの点から工業的に利用できる方法とは言い難い。また、一般に芳香族ヨウ化物は高価であるため、工業的には出発原料として芳香族臭化物や芳香族塩化物を使用するのが好ましいが、これまでイオン性液体を使用した、芳香族臭化物や芳香族塩化物のアセチレンカップリング反応は知られていない。

上述のように、芳香族アセチレン類の製造はかなり困難であり、将来にわたって工業的にも高い効率性かつ実施容易な製造方法の確立が望まれていた。

本発明者らは上記課題を解決するため、鋭意検討を重ねた。その結果、パラジウムを含む触媒及び塩基の存在下、芳香族ハロゲン化物類と末端アセチレンとのカップリング反応において、イオン性液体の一種である、ホスホニウム塩を共存させることにより、従来と比べて格段と高い反応速度を持ち、さらに高選択率で、該アセチレンカップリング反応が進行することを見出した。

従来知られていた、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム ヘキサフルオロホスフェート（［ｂｍｉｍ］［ＰＦ₆］）をイオン性液体として用いてアセチレンカップリング反応（非特許文献６及び非特許文献７）及び本発明者らが開示した、イミドアニオンを含有するイオン性液体を溶媒とするアセチレンカップリング反応（非特許文献８）においては、イオン性液体の相と出発原料である芳香族ハロゲン化物を含む有機物の相が分離しており、二相系の反応となる。本発明者らはこの二相系の反応様態が、反応速度を低下させ、多量のパラジウム触媒を必要とする原因ではないかと考え、イオン性液体の相と出発原料である芳香族ハロゲン化物を含む有機物の相が相溶し、一相となるような系を探索した。その結果、ホスホニウム塩を用いると反応系が一相になることを見出した。そして、ホスホニウム塩を用いると、期待通り反応速度が著しく向上することが確認された。

さらに、ホスホニウム塩を用いることにより、非常に高価なパラジウム触媒の使用量を、芳香族ハロゲン化物類１モルに対して、０．０００１〜０．００５モルまで劇的に低減することが可能であることを見出した。このように、従来法と比べて使用されるパラジウムを含む触媒の添加量を著しく低減させることに成功し、さらには高活性な芳香族ヨウ化物の代わりに安価な芳香族臭化物や芳香族塩化物を出発原料として使用することで、工業的に採用可能な芳香族アセチレンの製造方法を確立するに至った。

すなわち、本発明は、次の［発明１］〜［発明１３］を骨子とする、芳香族アセチレン類の製造方法である。
［発明１］パラジウムを含む触媒及び塩基の存在下、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物

と、式［２］で表される末端アセチレン

を反応させて、式［３］で表される芳香族アセチレン

を製造する方法において、式［４］で表されるホスホニウム塩

を共存させて反応を行うことを特徴とする、芳香族アセチレンの製造方法。
（式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
式［４］中、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、それぞれアリール基（ここでアリール基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシ基（ここでアルコキシ基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシカルボニル基（ここでアルコキシカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキルカルボニル基（ここでアルキルカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表し、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、同一の基もしくは異なる基であってもよい）。また、式［４］中、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素、トリフルオロメタンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、ヘキサフルオロホスフェート［ＰＦ₆］、テトラフルオロボレート［ＢＦ₄］、ビス（トリフルオロスルホニル）イミド［（ＣＦ₃ＳＯ₃）₂Ｎ］、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド［（Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃）₂Ｎ］を表す。）
［発明２］発明１において、ホスホニウム塩が、式［５］

であることを特徴とする、発明１に記載の方法。
（式［５］中、Ｒ¹¹は炭素数４から３０の直鎖のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表し、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に炭素数１から８の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）もしくはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴は、同一の基もしくは異なる基であってもよい。また、式［５］中、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、ヘキサフルオロホスフェート［ＰＦ₆］、テトラフルオロボレート［ＢＦ₄］、ビス（トリフルオロスルホニル）イミド［（ＣＦ₃ＳＯ₃）₂Ｎ］、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド［（Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃）₂Ｎ］を表す。）
［発明３］発明１または発明２において、ホスホニウム塩の陰イオン成分（Ｙ）が、塩素もしくは臭素もしくはトリフルオロメタンスルホネートであることを特徴とする、発明１または発明２に記載の方法。
［発明４］発明１乃至発明３の何れかにおいて、ホスホニウム塩が、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−ヘキシル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−オクチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラオクチルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、発明１乃至発明３の何れかに記載の方法。
［発明５］発明１乃至発明４の何れかにおいて、ホスホニウム塩の量が、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対して、０．０００５〜１０モルであることを特徴とする、発明１乃至発明４の何れかに記載の方法。
［発明６］発明１において、パラジウムを含む触媒が、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、パラジウム付活性炭から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、を使用することを特徴とする、発明１に記載の方法。
［発明７］発明１乃至発明６の何れかにおいて、パラジウムを含む触媒の量が、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対して、０．０００１〜０．００５モルであることを特徴とする、発明１乃至発明６の何れかに記載の方法。
［発明８］発明１において、塩基が有機塩基であることを特徴とする、発明１に記載の方法。
［発明９］発明１乃至発明８の何れかに記載の方法において得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを、塩基の存在下、反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン

の製造方法。
（式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。）
［発明１０］発明１乃至発明８の何れかに記載の方法において得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを、精製をせずにそのまま塩基の存在下、反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン

の製造方法。
（式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。）
［発明１１］発明９または発明１０において、塩基が無機塩基であることを特徴とする、発明９または発明１０に記載の方法。
［発明１２］式［１］で表される芳香族ハロゲン化物

と、式［２］で表される末端アセチレン

を反応させる際に、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対し０．０００１〜０．００５モルの酢酸パラジウム、０．０００１〜０．０２モルのトリフェニルホスフィン、０．０００１〜０．０２モルのヨウ化銅、０．０００５〜０．２５モルのトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、そして１〜４モルのトリエチルアミンを溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、１００℃以下の温度範囲で反応させることを特徴とする、式［３］で表される芳香族アセチレン

の製造方法。
（式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
［発明１３］式［１］で表される芳香族ハロゲン化物

と、式［２］で表される末端アセチレン

を反応させる際に、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対し０．０００１〜０．００５モルの酢酸パラジウム、０．０００１〜０．０２モルのトリフェニルホスフィン、０．０００１〜０．０２モルのヨウ化銅、０．０００５〜０．２５モルのトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、そして１〜４モルのトリエチルアミンを溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、１００℃以下の温度範囲で反応させ、式［３］で表される芳香族アセチレン

を得、得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを精製せずにそのまま１〜３当量の水酸化ナトリウム、そして０．１〜１０当量の芳香族炭化水素を溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、９０℃以下の温度範囲で反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン

の製造方法。
（式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、式［１］に同じ。

農薬および機能性材料の製造原料として有用な芳香族アセチレンを、芳香族ハロゲン化物と末端アセチレンをパラジウム触媒および塩基の存在下、カップリング反応させる際、ホスホニウム塩を共存させることにより、従来法や共存させない場合に比べ、高い収率で合成できるという効果を奏する。

次に、本発明について、さらに詳細に説明する。本発明ではパラジウムを含む触媒及び塩基の存在下、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物と、式［２］で表される末端アセチレンを反応させて、式［３］で表される芳香族アセチレンを製造する方法において、ホスホニウム塩を共存させて反応を行うことを特徴とする、芳香族アセチレンの製造方法である。

本発明は、式［３］で表される芳香族アセチレンの製造方法を必須の要素とし、必要に応じて、得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを、塩基の存在下、反応させて、式［６］で表される芳香族末端アセチレンを得る製造方法を加えることによってなる（スキーム１参照）。

まず、ホスホニウム塩存在下で芳香族ハロゲン化物と末端アセチレンを反応させる工程について述べる。

本発明において反応原料として用いる式［１］で表される芳香族ハロゲン化物は、末端アセチレンを用いるアセチレンカップリング反応に用いられるものであり、従来公知の各種のものが用いられる。この芳香族ハロゲン化物類は、通常、その沸点が０〜３００℃、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２５０℃の範囲にあるものである。

本発明で用いる好ましい芳香族ハロゲン化物には、置換基（Ｌ）として塩素、臭素又はヨウ素、もしくは炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基（パーフルオロアルカンスルホネート基としてはトリフルオロメタンスルホネート基が好ましい）、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基（アルカンスルホネート基としてはメタンスルホネート基が好ましい）、アリールスルホネート基（アリールスルホネート基としてはｐ−トルエンスルホネート基が好ましい）を含有する芳香族化合物が包含される。これらの式［１］で表される芳香族ハロゲン化物のうち、実用上、置換基（Ｌ）が塩素、臭素又はヨウ素であるものが特に好ましい。この場合、芳香環には、上述の置換基（Ｌ）の他、反応に不活性な置換基であるニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を有することができる。Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。

本発明の製造方法に好適な、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物としては、例えば、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、２−クロロ-トリフルオロメチルベンゼン、３−クロロ-トリフルオロメチルベンゼン、４−クロロ-トリフルオロメチルベンゼン、２−ブロモ-トリフルオロメチルベンゼン、３−ブロモ-トリフルオロメチルベンゼン、４−ブロモ-トリフルオロメチルベンゼン、２−ヨード-トリフルオロメチルベンゼン、３−ヨード-トリフルオロメチルベンゼン、４−ヨード-トリフルオロメチルベンゼン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）クロロベンゼン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ヨードベンゼン、２−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−メチル）ブロモベンゼン、３−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−メチル）ブロモベンゼン、４−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−メチル）ブロモベンゼン、３，５−ビス（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−メチル）ブロモベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

式［２］で表される末端アセチレンは、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物とのアセチレンカップリング反応に用いられるものであり、従来公知の各種のものが用いられる。式［２］で表される末端アセチレンは、通常、その沸点が０〜３００℃、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２５０℃の範囲にあるものである。

好ましい末端アセチレンとしては、末端アセチレンの基Ｒ⁶が水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数１〜４の、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基が好ましい例として挙げられる。

本発明の製造方法に好適な、式［２］で表される末端アセチレンとしては、アセチレン、フェニルアセチレンの他、１−プロピン、１−ブチン、１−ペンチン、１−ヘキシン、プロパルギルアルコール、３−ブチン−２−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、（トリメチルシリル）アセチレン、（トリエチルシリル）アセチレン、（ｔ−ブチルジメチルシリル）アセチレン、（トリイソプロピルシリル）アセチレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。末端アセチレンの使用量は、特に制限を加える必要はないが、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物に対して、通常、０．８ 〜１０倍当量であり、好ましくは１〜３倍当量である。

本発明の最も大きな特徴は、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物と式［２］で表される末端アセチレンとの反応において、パラジウム触媒と塩基（場合によってはさらに３価のリン化合物や銅触媒）の他に、式［４］で表されるホスホニウム塩

を共存させることにある。

式［４］で表されるホスホニウム塩は、陽イオン部分と陰イオン部分からなる。陽イオンは、リン原子上の４つの置換基、すなわちＲ⁷〜Ｒ¹⁰が、それぞれ独立にフェニル基（ここでフェニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシ基（ここでアルコキシ基の水素原子の一部または全てはハロゲン、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシカルボニル基（ここでアルコキシカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキルカルボニル基（ここでアルキルカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）であるようなものが使用される。

上述した陽イオンの中でも、リン原子上における４つの置換基のうち、１つの置換基が、炭素数４から３０の直鎖のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）であって、残る３つの置換基が、それぞれ独立に炭素数１から８の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）もしくはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）であるような陽イオンが好ましい。

より好ましい陽イオンは具体的に、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムイオン、トリ（ｎ−ヘキシル）ヘキサデシルホスホニウムイオン、トリ（ｎ−オクチル）ヘキサデシルホスホニウムイオン、テトラブチルホスホニウムイオン、テトラオクチルホスホニウムイオン、エチルトリフェニルホスホニウムイオンである。

ついで陰イオンについて説明する。陰イオンは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホン酸イオン、炭素数１〜４のアルキルスルホン酸イオン、アリールスルホン酸イオン、ヘキサフルオロホスフェート［ＰＦ₆］イオン、テトラフルオロボレート［ＢＦ₄］イオン、ビス（トリフルオロスルホニル）イミド［（ＣＦ₃ＳＯ₃）₂Ｎ］イオン、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド［（Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃）₂Ｎ］イオンのいずれかが使用される。

より好ましい陰イオンは具体的に、塩素イオン、臭素イオンもしくはトリフルオロメタンスルホン酸イオンである。

式［４］で表されるホスホニウム塩全体としては、上述した陽イオンと陰イオンを、任意に組み合わせたものを使用することができる。それらの中でも特に、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−ヘキシル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−オクチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラオクチルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドを使用するのが好ましい。

これらのホスホニウム塩は単独で使用しても良いし、複数のものを組み合わせて使用しても良い。

式［４］で表されるホスホニウム塩の使用量は、通常、原料である式［１］で表される芳香族ハロゲン化物に対して０．０００１〜５０倍当量であり、好ましくは０．０００５〜１０倍当量である。ここで該反応においては、ホスホニウム塩の好適な使用量は反応条件によって異なり、当業者が適宜最適化することができる。

本発明において用いるアセチレンカップリング反応自体は公知の反応である。そしてこの反応を、パラジウムを含む触媒および塩基の存在下で行うことも公知である。本アセチレンカップリング反応は、パラジウムを含む触媒の使用が必須であり、触媒が存在しない場合にはアセチレン化合物は全く生成しない。パラジウムを含む触媒としては従来公知の種々の構造を用いることができるが、パラジウムを含む触媒の例として、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムやビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾアト［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］-ビス（トリフェニル １−ホスフィン）パラジウム、ブロモ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ヨード［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、クロロ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）のようなトリフェニルホスフィンパラジウム錯体、パラジウム／炭素などを例示することが出来る。これらの中でも、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、パラジウム付活性炭が好ましく、酢酸パラジウムが特に好ましい。

これらのパラジウム触媒の使用量は、原料である式［１］で表される芳香族ハロゲン化物に対して通常、０．０００１〜０．００５倍当量の範囲で十分に目的を達成することができる。このように少ない触媒量で反応を進行させることが出来るのが本発明の大きな特徴である。勿論これ以上使用することも可能であるが、特に大量使用するメリットもない。

この反応では上記金属触媒の他に、助触媒として、３価のリン化合物を用いても良い。それらとしては、式［７］

（式中、Ｇ¹ 、Ｇ² およびＧ³ は、同一または相異なるアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を示す。）
で示される化合物であって、具体的にはトリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィンなどが例示される。これらのリン化合物使用量は、上記の金属触媒に対して０．５ 〜１０倍当量、好ましくは２〜５倍当量、より好ましくは３〜４倍当量である。

さらにこれらの触媒に加え、銅触媒を用いることができ、かかる銅触媒としては、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、酸化銅、シアン化銅などが挙げられるが、ヨウ化銅が好ましく、これらの使用量は、原料である芳香族ハロゲン化物類に対して、０．０００１〜０．１倍当量の範囲である。勿論これ以上使用することも可能であるが、特に大量使用するメリットもない。

本工程において添加される塩基としては、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化物などや有機塩基が挙げられるが、中でも３級アミンまたは２級アミンなどの有機塩基が好ましく用いられ、これら有機塩基としてはジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ジメチルアニリンなどが例示される。塩基の使用量は、通常、原料である芳香族ハロゲン化物類に対して０．８〜５倍当量であり、好ましくは１〜３倍当量であり、より好ましくは１．２〜２倍当量である。

本アセチレンカップリング反応を実施するのに先立って、反応容器中に、上述したパラジウム触媒、ホスホニウム塩、そしてもし使用するならば３価のリン化合物や銅触媒を仕込み、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で減圧し（好ましくは２．７ｋＰａ以下で）、１０分以上（好ましくは３０分以上）の間、５０℃〜２００℃（好ましくは８０℃〜１００℃）で乾燥させるのが好ましい。しかしながら、場合によってはこの処理を行わず、芳香族ハロゲン化物や末端アセチレン、そして塩基性物質を仕込んだ後に、５０℃〜２００℃（好ましくは８０℃〜１００℃）に加熱することによって反応を開始することも出来る。

本アセチレンカップリング反応は通常窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行われる。該反応においては、反応温度を高めることにより目的とする化合物の収率を向上させることができるが、あまり高温では副生物が増加するので、通常反応温度は０〜２００℃であり、好ましくは２０〜１４０℃であり、より好ましくは２０℃から１００℃である。反応時間については、特に制限はないが、ガスクロマトグラフィー等の手法によって、原料の芳香族ハロゲン化物の消費が十分に進み、もはや反応が進行しないことを確認してから終了するのが望ましい。

また、本工程では、無溶媒でも反応が進行するが、溶媒として、式［４］で表されるホスホニウム塩や塩基とは別に適当な溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ｎ-ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、などを反応溶媒として加えることもできる。しかし後工程の処理の容易さを鑑みた場合、溶媒を加えるのは好ましくない。さらに、本反応実施時に反応を効率良く進行させるために攪拌するのが好ましい。

本アセチレンカップリング反応で得た反応物はさらに蒸留、再結晶、再沈殿、カラムクロマトグラフィー等の通常の手段により精製することができる。しかし、引き続いて、塩基の存在下反応させて、式［６］で表される芳香族末端アセチレンを得る場合には、敢えて精製する必要はなく、そのまま次の工程の原料にすることができる。この製造法も本発明の特徴のひとつである。

次いで、アセチレンカップリング反応で得られた、式［３］で示される芳香族アセチレンを、塩基の存在下反応させて、式［６］で表される芳香族末端アセチレンを得る工程について述べる（スキーム２参照）。

式［３］で示される芳香族アセチレンは、前述した方法であらかじめ精製されたものを使用しても良いし、アセチレンカップリング反応後の反応液から、減圧・加熱条件下、溶媒や塩基、残存する出発原料等の揮発成分を留去して乾燥したもの（未精製品）をそのまま使用しても良い。生産性の観点からは未精製品を使用するのが好ましい。

本工程で使用される塩基としては、無機塩基が好ましく、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化カリウムがより好ましく、水酸化ナトリウムが特に好ましい。塩基の使用量は、式［３］で示される芳香族アセチレン１モル当たり、通常１〜１０モルの範囲を適宜選択することができるが、好ましくは１〜５モルであり、更に好ましくは１〜３モルである。

本工程は、溶媒の存在下で実施することが好ましい。溶媒としては反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン等のアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、あるいは水が例示できる。これらのうち、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族類が好ましく、ベンゼンとトルエンが特に好ましい。また、これらの溶媒は１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。溶媒の使用量は、式［３］で示される芳香族アセチレンに対して通常０．５〜１０倍容量、好ましくは１〜７倍容量の範囲から適宜選択される。

本工程の反応温度は特に限定されないが、通常、−５０℃〜２００℃、好ましくは０℃〜１８０℃で、さらに好ましくは２０℃〜１２０℃の範囲である。

反応時間については、特に制限はないが、ガスクロマトグラフィー等の手法によって、原料の、式［３］で示される芳香族アセチレンの消費が十分に進み、もはや反応が進行しないことを確認してから終了するのが望ましい。さらに、本反応実施時に反応を効率良く進行させるために攪拌するのが好ましい。

本工程で得た式［６］で表される芳香族末端アセチレンはさらに蒸留、再結晶、再沈殿、カラムクロマトグラフィー等の通常の手段により精製することができる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されない。ここで、組成分析はガスクロマトグラフィーで実施した。ガスクロマトグラフ分析値（％）は、溶媒が残存している場合は溶媒をカットし、下記の数値として算出した。

ガスクロマトグラフ分析値（％）
＝（該当化合物のピーク面積）／（全面積−残留溶媒ピーク面積）×１００
［比較例１］
２００ｍｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（１７０ｍｇ、０．００７５当量）とトリフェニルホスフィン（４６２ｍｇ、０．０１７４当量）、そしてヨウ化銅（Ｉ）（２８２ｍｇ、０．０１４７当量）、そして１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（［ｂｍｉｍ］［ＮＴｆ₂］）（３．０ｇ、０．００７１当量）を加え、２．０ｋＰａ、８０℃で１時間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（３２．０５ｇ、３．１４当量）と２−メチル−３−ブチン−２−オール（１１．２５ｇ、１．３２当量）を加えた。次いで１，３−ビス（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−エチル）ブロモベンゼン（４９．４ｇ、１．００当量）を徐々に滴下した。反応温度を８０℃で維持し、二相系の反応混合液を攪拌して反応させた。１４時間後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでジイソプロピルエーテル１００ｍＬで３回抽出し、有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。次いで高真空（１５０Ｐａ以下）で出発原料の１，３−ビス（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−エチル）ブロモベンゼンを留去し、目的物である４−［３，５−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−エチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールを１５．０ｇ（収率２９％）を得た。
［実施例１］
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの代わりにトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（［Ｂｕ₃ＰＣ₁₆Ｈ₃₃］［Ｂｒ］）（３．０ｇ、０．００７４当量）を使用し、トリエチルアミンの量を３２．８９ｇ（３．１８当量）に変更して、反応時間を８時間とした以外は比較例１と同様に操作を行った。その結果、目的物である４−［３，５−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−エチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールを４４．０ｇ（収率８７％）を得た。
［実施例２］
トリエチルアミンの量を６４．４４ｇ（６．２３当量）に変更した以外は実施例１と同様に操作を行った。その結果、目的物である４−［３，５−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−エチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールを４７．０ｇ（収率９２％）を得た。

［比較例１］および［実施例１］〜［実施例２］の結果を表１にまとめる。

このように、ホスホニウム塩を加えることによって、収率を著しく向上させることが出来た。
［比較例２］〜［比較例８］および［実施例３］〜［実施例４］
１０ｍｌのフラスコに、酢酸パラジウム（１．５ｍｇ、０．０００９当量）、トリフェニルホスフィン（４．３ｍｇ、０．００２３当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（３．７ｍｇ、０．００２７当量）、トリエチルアミン（９００ｍｇ、１．２５当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（７２０ｍｇ、１．２０当量）そしてｍ−ブロモ−トリフルオロメチルベンゼン（１．６０ｇ、１．００当量）を加え、さらに種々の溶媒もしくは塩を添加した（溶媒の場合は１ｍｌ。塩の場合は０．１０当量）。その後、反応容器内に窒素を導入し、８０℃で１時間加熱した。１時間後、反応容器内を室温まで冷却し、次いでジイソプロピルエーテル３ｍＬで２回抽出し、抽出液を合わせた混合物を、ガスクロマトグラフィーにより測定し、混合物の組成を分析した。

［比較例２］〜［比較例８］および［実施例３］〜［実施例４］の結果を表２に示す。

このように、ホスホニウム塩を加えることによって、目的物組成を著しく向上させることが出来た。
［実施例５］
２Ｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（６３ｍｇ、０．０００１９当量）とトリフェニルホスフィン（１８６ｍｇ、０．０００４当量）、そしてヨウ化銅（Ｉ）（１１５ｍｇ、０．０００４当量）、そしてトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（６．０ｇ、０．００８当量）を加え、減圧下、８０℃で１時間加熱した。１時間後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（５００ｇ、３．２８当量）と２−メチル−３−ブチン−２−オール（１５６．４ｇ、１．２３当量）を加えた。次いで３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン（４４１．３２ｇ、１．０当量）を徐々に滴下した。反応温度を８０℃で維持し、二相系の反応混合液を攪拌して反応させた。１４時間後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでヘプタン３００ｍｌで３回抽出した。抽出後の有機相に対しシリカゲル（２０ｇ）を通してろ過操作を行い、その後に、溶媒留去を行うことにより、目的物である４−（３，５−ビス−トリフルオロメチル−フェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オール（４４５．４ｇ）をほぼ定量的に（収率９９．８％）を得た。
［実施例６］
トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミドをトリ（ｎ−オクチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミドに変更した他は、実施例５と同様に操作を行い、目的物である目的物である４−（３，５−ビス−トリフルオロメチル−フェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オール（４４５．９ｇ）をほぼ定量的に（収率９９．９％）を得た。
［実施例７］
１０ｍｌのフラスコに、ブロモ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）（２０．２ｍｇ、０．００７９当量）、トリエチルアミン（３４０mｇ、１．２１当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（１．００ｇ、０．７１当量）、を加え、減圧下、８０℃で１時間加熱した。１時間後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、２−メチル−３−ブチン−２−オール（５０６ｍｇ、２．１７当量）を加えた。次いで３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン（８１２ｍｇ、１．０当量）を徐々に滴下した。反応温度を８０℃で１時間攪拌した。１時間後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでイソプロピルエーテル３ｍＬで２回抽出した。抽出後の有機相に対しシリカゲルを通してろ過操作を行い、その後に、溶媒留去を行うことにより、目的物である４−（３，５−ビス−トリフルオロメチル−フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オール（８１３ｍｇ）を収率９９．０％で得た。
［実施例８］
５００ｍｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（１２９ｍｇ、０．０００８１当量）、トリフェニルホスフィン（４５２ｍｇ、０．００２１当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（３３５ｍｇ、０．００２５当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（６．８ｇ、０．０１９当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。３０分後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（１６１．３ｇ、２．２４当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（７２．７ｇ、１．２２当量）を加えた。１５分後、ｐ−ブロモ（トリフルオロメチル）ベンゼン（１５９．９１ｇ、１．００当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で４５分間攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでヘプタン１５０ｍｌで３回抽出した。抽出後の有機相に対しシリカゲル（１０ｇ）を通してろ過操作を行い、その後に、溶媒留去を行うことにより、目的物である４−［ｐ−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オール（１５８ｇ）を収率９７％で得た。
［実施例９］
１００ｍｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（１７ｍｇ、０．００１１当量）、トリフェニルホスフィン（４５ｍｇ、０．００２１当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（３２ｍｇ、０．００２４当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．４ｇ、０．０１３当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。３０分後、反応容器内を室温まで冷却し、冷却後、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（２６．４ｇ、３．７６当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（７．０ｇ、１．２０当量）を加えた。１５分後、ｍ−ブロモ（トリフルオロメチル）ベンゼン（１５．５９ｇ、１．００当量）を徐々に滴下した。反応温度を８０℃で４時間攪拌し、４時間後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでヘプタン１００ｍｌで３回抽出した。抽出後の有機相に対しシリカゲル（１０ｇ）を通してろ過操作を行い、その後に、溶媒留去を行うことにより、目的物である４−［ｍ−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オール（１５．５ｇ）を収率９８％で得た。
［実施例１０］
１０ｍｌのフラスコに、酢酸パラジウム（１．６ｍｇ、０．００１当量）、トリフェニルホスフィン（４．５ｍｇ、０．００２１当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（３．０ｍｇ、０．００２３当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．４ｇ、０．０１１当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（８８０ｍｇ、１．２２当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（６７０ｍｇ、１．１６当量）、ブロモベンゼン（１．０１ｇ、１．００当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で８時間攪拌し、その後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでイソプロピルエーテル３ｍｌで３回抽出した。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−フェニル−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は４９％であった。
［実施例１１］
トリエチルアミンの量を８８０ｍｇ（１．２２当量）から２．７５ｇ（３．９５当量）に変更した以外は、実施例１０と操作、条件共に同様に行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−フェニル−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は６９％であった。
［比較例９］
１０ｍｌのフラスコに、酢酸パラジウム（１．６ｍｇ、０．００１当量）、トリフェニルホスフィン（４．５ｍｇ、０．００２１当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（３．０ｍｇ、０．００２３当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（２．７２ｇ、３．９２当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（６８０ｍｇ、１．１７当量）、３−トリフルオロメチル−４−メチルブロモベンゼン（１．６５ｇ、１．００当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で８時間攪拌し、その後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでイソプロピルエーテル３ｍｌで３回抽出した。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−（３−トリフルオロメチル−４−メチルフェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は７４％であった。
［実施例１２］
トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．４ｇ、０．０１１当量）をさらに加え、トリエチルアミンの量を２．７２ｇ（３．９２当量）から８７０ｍｇ（１．２５当量）に変更した以外は、比較例９と操作、条件共に同様に行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−（３−トリフルオロメチル−４−メチルフェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は９３％であった。
このように、ホスホニウム塩を加えることによって、収率を著しく向上させることが出来た。
［実施例１３］
トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．４ｇ、０．０１１当量）をさらに加える以外は、比較例９と操作、条件共に同様に行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−（３−トリフルオロメチル−４−メチルフェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は９２％であった。
このように、ホスホニウム塩を加えることによって、収率を著しく向上させることが出来た。
［実施例１４］
１００ｍｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（１５７ｍｇ、０．００５２当量）、トリフェニルホスフィン（８２５ｍｇ、０．０２０２当量）、ヨウ化銅（２２８ｍｇ、０．００８９当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（２．４１ｇ、０．０３６当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（１３．６２ｇ、１．４８当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（２０．０ｇ、１．２１当量）を加え、ｐ−メトキシブロモベンゼン（２５．０４ｇ、１．０当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で８時間攪拌し、反応混合物を室温まで冷却し、次いでイソプロピルエーテル１００ｍＬで３回抽出した。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。残渣の重量は１８．５ｇであり、この残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−（４−メトキシフェニル）−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は７３％であった。
［比較例１０］
１０ｍｌのフラスコに、酢酸パラジウム（９．２ｍｇ、０．０２当量）、トリフェニルホスフィン（２９ｍｇ、０．０４８当量）、ヨウ化銅（Ｉ）（１６ｍｇ、０．０４２当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（７００ｍｇ、３．４４当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（２２０ｍｇ、１．３０当量）を加え、２，４−ビス（トリフルオロメチル）クロロベンゼン（５００ｍｇ、１．０当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で８時間攪拌し、８時間後、反応混合物を室温まで冷却し、次いでイソプロピルエーテル３ｍｌで３回抽出した。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールは全く得られていなかった。
［実施例１５］
トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．２ｇ、０．２当量）をさらに加える以外は比較例１０と操作、条件共に同様に行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は５．１％であった。

このように不活性な芳香族塩化物の場合でも、ホスホニウム塩を加えることによって、反応を進行させることができた。
［実施例１６］
トリフェニルホスフィンをトリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（２４ｍｇ、０．０６１当量）に変更し、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．２ｇ、０．２当量）をさらに加える以外は比較例１０と操作、条件共に同様に行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−［２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は２１．５％であった。

このように不活性な芳香族塩化物の場合でも、ホスホニウム塩を加えることによって、反応を進行させることができた。
［実施例１７］
１０ｍｌのフラスコに、酢酸パラジウム（１．８ｍｇ、０．００１１当量）、トリフェニルホスフィン（９．１ｍｇ、０．００４２当量）、トリエチルアミン（９００ｍｇ、１．２５当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（７２０ｍｇ、１．２０当量）を加え、ｍ−ブロモ−トリフルオロメチルベンゼン（２０．０ｇ、１．０当量）を加えた。その後、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（４５７ｍｇ、０．１６当量）を加え、減圧下、８０℃で１時間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、次いでジイソプロピルエーテル３ｍｌで２回抽出した。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過、溶媒留去を行った。残渣をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的物である４−［ｍ−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールの組成は２６．４％であった。
［実施例１８］
１００ｍｌの３つ口フラスコの中に酢酸パラジウム（１３ｍｇ、０．０００５１当量）、トリフェニルホスフィン（４９ｍｇ、０．００１４当量）、ヨウ化銅（３６ｍｇ、０．００１７当量）、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド（０．９ｇ、０．０１４７当量）を加え、減圧下、８０℃で３０分間加熱した。その後、反応容器内を室温まで冷却し、反応容器内に窒素を導入した後、トリエチルアミン（２５．２ｇ、２．１８当量）、２−メチル−３−ブチン−２−オール（１２．２ｇ、１．２７当量）を加え、１５分間攪拌した後に、ｐ−ブロモ−トリフルオロメチルベンゼン（２５．７１ｇ、１．０当量）を徐々に滴下した。反応温度８０℃で３時間攪拌し、反応混合物を室温まで冷却し、次いで減圧下、トリエチルアミンや未反応原料を留去した。留去後、ベンゼン５０ｍｌを加え、水酸化ナトリウム（６.０ｇ、１．３１当量）を加え、８０℃に昇温し、４５分攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、セライトでろ過した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過、溶媒留去を行った後、減圧蒸留(８０℃／０．１ｋＰａ)を行い、目的物である、１−エチニル−４−トリフルオロメチルベンゼン（９．０２ｇ、）を得た（収率４６％）。

Claims (13)

1. パラジウムを含む触媒及び塩基の存在下、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物
   

   

   
   と、式［２］で表される末端アセチレン
   

   

   を反応させて、式［３］で表される芳香族アセチレン
   

   

   を製造する方法において、式［４］で表されるホスホニウム塩
   

   

   を共存させて反応を行うことを特徴とする、芳香族アセチレンの製造方法。
   （式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
   式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
   式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
   式［４］中、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、それぞれアリール基（ここでアリール基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシ基（ここでアルコキシ基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルコキシカルボニル基（ここでアルコキシカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数２〜３０の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキルカルボニル基（ここでアルキルカルボニル基の水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表し、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、同一の基もしくは異なる基であってもよい）。また、式［４］中、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、ヘキサフルオロホスフェート［ＰＦ₆］、テトラフルオロボレート［ＢＦ₄］、ビス（トリフルオロスルホニル）イミド［（ＣＦ₃ＳＯ₃）₂Ｎ］、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド［（Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃）₂Ｎ］を表す。）
2. 請求項１において、ホスホニウム塩が、式［５］
   

   

   であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
   （式［５］中、Ｒ¹¹は炭素数４から３０の直鎖のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表し、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に炭素数１から８の直鎖または分岐鎖もしくは環状のアルキル基（ここでアルキル基の水素原子の一部または全ては塩素、臭素、ヨウ素、アミノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）もしくはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴は、同一の基もしくは異なる基であってもよい。また、式［５］中、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、ヘキサフルオロホスフェート［ＰＦ₆］、テトラフルオロボレート［ＢＦ₄］、ビス（トリフルオロスルホニル）イミド［（ＣＦ₃ＳＯ₃）₂Ｎ］、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド［（Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃）₂Ｎ］を表す。）
3. 請求項１または請求項２において、ホスホニウム塩の陰イオン成分（Ｙ）が、塩素もしくは臭素もしくはトリフルオロメタンスルホネートであることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
4. 請求項１乃至請求項３の何れかにおいて、ホスホニウム塩が、トリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−ヘキシル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリ（ｎ−オクチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラオクチルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の方法。
5. 請求項１乃至請求項４の何れかにおいて、ホスホニウム塩の量が、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対して、０．０００５〜１０モルであることを特徴とする、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の方法。
6. 請求項１において、パラジウムを含む触媒が、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、パラジウム付活性炭から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
7. 請求項１乃至請求項６の何れかにおいて、パラジウムを含む触媒の量が、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対して、０．０００１〜０．００５モルであることを特徴とする、請求項１乃至請求項６の何れかに記載の方法。
8. 請求項１において、塩基が有機塩基であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
9. 請求項１乃至請求項８の何れかに記載の方法において得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを、塩基の存在下、反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン
   

   

   の製造方法。
   （式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。）
10. 請求項１乃至請求項８の何れかに記載の方法において得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを、精製をせずにそのまま塩基の存在下、反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン
    

    

    の製造方法。
    （式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。）
11. 請求項９または請求項１０において、塩基が無機塩基であることを特徴とする、請求項９または請求項１０に記載の方法。
12. 式［１］で表される芳香族ハロゲン化物
    

    

    と、式［２］で表される末端アセチレン
    

    

    を反応させる際に、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対し０．０００１〜０．００５モルの酢酸パラジウム、０．０００１〜０．０２モルのトリフェニルホスフィン、０．０００１〜０．０２モルのヨウ化銅、０．０００５〜０．２５モルのトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、そして１〜４モルのトリエチルアミンを溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、１００℃以下の温度範囲で反応させることを特徴とする、式［３］で表される芳香族アセチレン
    

    

    の製造方法。
    （式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
    式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
    式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
13. 式［１］で表される芳香族ハロゲン化物
    

    

    と、式［２］で表される末端アセチレン
    

    

    を反応させる際に、式［１］で表される芳香族ハロゲン化物１モルに対し０．０００１〜０．００５モルの酢酸パラジウム、０．０００１〜０．０２モルのトリフェニルホスフィン、０．０００１〜０．０２モルのヨウ化銅、０．０００５〜０．２５モルのトリ（ｎ−ブチル）ヘキサデシルホスホニウムブロミド、そして１〜４モルのトリエチルアミンを溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、１００℃以下の温度範囲で反応させ、式［３］で表される芳香族アセチレン
    

    

    を得、得られた式［３］で表される芳香族アセチレンを精製せずにそのまま１〜３当量の水酸化ナトリウム、そして０．１〜１０当量の芳香族炭化水素を溶媒として共存させ、かつ２０℃以上、９０℃以下の温度範囲で反応させることを特徴とする、式［６］で表される芳香族末端アセチレン
    

    

    の製造方法。
    （式［１］中、Ｌは塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のパーフルオロアルカンスルホネート基、炭素数１〜４のアルカンスルホネート基、アリールスルホネート基、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子、フッ素、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、または炭素数２〜５の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、またはアリール基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、アミノ基、ニトロ基、アセチル基、シアノ基もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）を表す。また、Ｌが臭素もしくはヨウ素である場合には、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立に塩素であっても良い。
    式［２］中、Ｒ⁶はフェニル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基（ここで水素原子の一部または全てはハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）もしくはヒドロキシル基で置換されていても良い）、同一かもしくは異なる３つのアルキル基からなるトリアルキルシリル基を表す。
    式［３］中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式［１］および式［２］に同じ。
    式［６］中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、式［１］に同じ。