JP2007047516A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低抵抗金属層と、パシベーション絶縁層と非晶質シリコン層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線を形成し、パシベーション絶縁層を付与した後、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを用いて、パシベーション絶縁層と非晶質シリコン層とゲート絶縁層とからなる積層に開口部を形成し、絵素電極用導電性薄膜層のリフトオフにより絵素電極の形成を行うことで、開口部形成工程と開口部形成工程に続く絵素電極形成工程を1枚のフォトマスクで処理する。半導体層の島化工程は、上記開口部内の第1の非晶質シリコン層のサイドエッチングまたは前記感光性樹脂パターンの形成にハーフトーン露光技術を併用して行うことで3枚マスク・プロセスを実現する。
【選択図】 図2
Description
第1の透明性絶縁基板の一主面上にその一部をゲート電極とする走査線が形成され、
ゲート絶縁層とその一部がチャネルである不純物を含まない第1の半導体層を介して低抵抗金属層と、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線が形成され、
前記ドレイン配線は走査線と直交し、
絶縁ゲート型トランジスタを保護するためのパシベーション絶縁層を最上層に有し、
画像表示部では一方のドレイン配線の端部を含む絵素電極形成領域と、他方のドレイン配線の端部を含む擬似絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域、及び信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層とゲート絶縁層が除去されて夫々前記耐熱金属層よりなる一方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、他方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び前記耐熱金属層よりなる信号線の一部が露出し、
前記ソース・ドレイン配線間のチャネル領域の第1の半導体層はゲート電極よりも幅細く形成され、
同一の導電性薄膜よりなり、前記一方のドレイン配線の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記他方のドレイン配線の端部を含んで擬似絵素電極形成領域に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極を有する走査線が形成され、
ゲート絶縁層とその一部がチャネルである不純物を含まない第1の半導体層を介して低抵抗金属層と、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線が前記ゲート電極と一部重なるように形成され、
絶縁ゲート型トランジスタを保護するためのパシベーション絶縁層を最上層に有し、
画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域、及び信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層とゲート絶縁層が除去されて夫々前記耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び前記耐熱金属層よりなる信号線の一部が露出し、
前記絵素電極形成領域と連続してゲート電極の端部を含んで開口部と、ゲート電極の分岐部上に独立した開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層が除去されて開口部内にゲート絶縁層が露出し、
同一の導電性薄膜よりなり、前記ゲート電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極と分離した光シールド電極が形成され、
前記絵素電極形成領域と連続して一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層が除去されて開口部内にゲート絶縁層が露出し、
同一の導電性薄膜よりなり、前記一方の光シールド電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上の開口部に第1の擬似絵素電極と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む開口部に第2の擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置である。
第1の透明性絶縁基板の一主面上にその一部をゲート電極とする走査線を形成する工程と、
ゲート絶縁層、不純物を含まない第1の非晶質シリコン層、不純物を含む第2の非晶質シリコン層、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層、及び低抵抗金属層を順次被着する工程と、
前記低抵抗金属層、耐熱金属層、第2の非晶質シリコン層、及び第1の非晶質シリコン層の一部を選択的に除去し、走査線と直交するドレイン配線と信号線も兼ねるソース配線を形成する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上にパシベーション絶縁層を被着後、画像表示部では一方のドレイン配線の端部を含む絵素電極形成領域と他方のドレイン配線の端部を含む擬似絵素電極形成領域、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々前記一方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、他方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の非晶質シリコン層をサイドエッチングする工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなる一方のドレイン配線の端部と他方のドレイン配線の端部及び信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記感光性樹脂パターンを除去し、前記一方のドレイン配線の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記他方のドレイン配線の端部を含んで擬似絵素電極形成領域に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程とからなることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極を有する走査線を形成する工程と、
ゲート絶縁層、不純物を含まない第1の非晶質シリコン層、不純物を含む第2の非晶質シリコン層、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層、及び低抵抗金属層を順次被着する工程と、
前記低抵抗金属層、耐熱金属層、第2の非晶質シリコン層、及び第1の非晶質シリコン層の一部を選択的に除去し、ゲート電極と一部重なるようにソース(信号線)・ドレイン配線を形成する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上にパシベーション絶縁層を被着後、画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、前記絵素電極形成領域と連続してゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域の膜厚が他の領域よりも薄く、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々前記ドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減じて前記ゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域のパシベーション絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記ゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去し、前記ドレイン配線の一部とゲート電極の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程とからなることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上にゲート電極と分離した光シールド電極が形成され、
画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、前記絵素電極形成領域と連続して一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上の膜厚が他の領域よりも薄く、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々ドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減じて前記一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上のパシベーション絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去し、前記一方の光シールド電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部の開口部に第1の擬似絵素電極と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む開口部に第2の擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程とからなることを特徴とする。
液晶が電圧無印加時に垂直配向する垂直配向型の液晶であり、
第1の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第1の配向制御手段が、第1の透明性絶縁基板上に形成された複数の透明導電層よりなる帯状の絵素電極間に位置するパシベーション絶縁層と第1の半導体層とゲート絶縁層絶縁層との積層よりなり、
第2の透明性絶縁基板上またはカラーフィルタ上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第2の配向制御手段を備えていることを特徴とする請求項1及び請求項2に記載の液晶表示装置である。
より合理的には透明導電層と(アルカリ反応抑制のためのMo薄膜層と)高反射率のAL薄膜層を被着した後、本発明による透明導電層と(Mo薄膜層と)AL薄膜層との積層よりなる擬似絵素電極形成を行い、微細加工技術により透明電極形成領域の(Mo薄膜層と)AL薄膜層を除去すると良いが、詳細な説明は別の機会に譲る。
垂直配向の液晶パネルにおいては突起の側面に絵素電極が形成されていると、電圧印加時に突起の配向規制力が絵素電極周辺の局所電界によって弱められて液晶パネルの応答速度が遅くなるが、本発明ではパシベーション絶縁層37Aの側面に形成された透明導電層は電気的に浮遊しており、応答速度の低下が抑制される副次的な効果も見逃せない。
2:アクティブ基板(ガラス基板)
3:半導体集積回路チップ
4:TCPフィルム
5:走査線の一部または電極端子
5A:透明導電性の走査線の電極端子
6:信号線の一部または電極端子
6A:透明導電性の信号線の電極端子
9:カラーフィルタ(対向するガラス基板)
10:絶縁ゲート型トランジスタ
11:走査線
11A:ゲート配線、ゲート電極
12:信号線(ソース配線、ソース電極)
14:対向電極
16:蓄積容量線、共通電極
17:液晶
21:ドレイン電極(ドレイン配線、ドレイン電極)
22,22A:(透明導電性の)絵素電極
22B,22C,22D:(透明導電性の)擬似絵素電極
30:ゲート絶縁層
31:不純物を含まない(第1の)非晶質シリコン層
33:不純物を含む(第2の)非晶質シリコン層
34:耐熱金属層(シリサイドも含む)
35:低抵抗金属層(AL薄膜層またはCu薄膜層)
36:中間導電層
37:パシベーション絶縁層
38:(絵素電極形成領域)の開口部
39:(擬似絵素電極形成領域)の開口部
50,52:蓄積容量形成領域
60:(カラーフィルタ9上の樹脂製の)突起
62:(ドレイン電極上の)開口部
63:(走査線の一部上または走査線の電極端子上の)開口部
64:(信号線の一部上または信号線の電極端子上の)開口部
65:(対向電極上の)開口部
72:蓄積電極
88:開口部の断面形状が逆テーパ状の感光性樹脂パターン
88A,88B:ハーフトーン露光で形成された開口部の断面形状が逆テーパ状の
感光性樹脂パターン
Claims (7)
- 一主面上に少なくともチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、アクティブ基板の構成は、
第1の透明性絶縁基板の一主面上にその一部をゲート電極とする走査線が形成され、
ゲート絶縁層とその一部がチャネルである不純物を含まない第1の半導体層を介して低抵抗金属層と、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線が形成され、
前記ドレイン配線は走査線と直交し、
絶縁ゲート型トランジスタを保護するためのパシベーション絶縁層を最上層に有し、
画像表示部では一方のドレイン配線の端部を含む絵素電極形成領域と、他方のドレイン配線の端部を含む擬似絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域、及び信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層とゲート絶縁層が除去されて夫々前記耐熱金属層よりなる一方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、他方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び前記耐熱金属層よりなる信号線の一部が露出し、
前記ソース・ドレイン配線間のチャネル領域の第1の半導体層はゲート電極よりも幅細く形成され、
同一の導電性薄膜よりなり、前記一方のドレイン配線の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記他方のドレイン配線の端部を含んで擬似絵素電極形成領域に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくともチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、アクティブ基板の構成は、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極を有する走査線が形成され、
ゲート絶縁層とその一部がチャネルである不純物を含まない第1の半導体層を介して低抵抗金属層と、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線が前記ゲート電極と一部重なるように形成され、
絶縁ゲート型トランジスタを保護するためのパシベーション絶縁層を最上層に有し、
画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域、及び信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層とゲート絶縁層が除去されて夫々前記耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び前記耐熱金属層よりなる信号線の一部が露出し、
前記絵素電極形成領域と連続してゲート電極の端部を含んで開口部と、ゲート電極の分岐部上に独立した開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層が除去されて開口部内にゲート絶縁層が露出し、
同一の導電性薄膜よりなり、前記ゲート電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極と分離した光シールド電極が形成され、
前記絵素電極形成領域と連続して一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域に開口部が形成され、前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の半導体層が除去されて開口部内にゲート絶縁層が露出し、
同一の導電性薄膜よりなり、前記一方の光シールド電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上の開口部に第1の擬似絵素電極と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む開口部に第2の擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、アクティブ基板の作製にあたり、
第1の透明性絶縁基板の一主面上にその一部をゲート電極とする走査線を形成する工程と、
ゲート絶縁層、不純物を含まない第1の非晶質シリコン層、不純物を含む第2の非晶質シリコン層、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層、及び低抵抗金属層を順次被着する工程と、
前記低抵抗金属層、耐熱金属層、第2の非晶質シリコン層、及び第1の非晶質シリコン層の一部を選択的に除去し、走査線と直交するドレイン配線と信号線も兼ねるソース配線を形成する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上にパシベーション絶縁層を被着後、画像表示部では一方のドレイン配線の端部を含む絵素電極形成領域と他方のドレイン配線の端部を含む擬似絵素電極形成領域、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々前記一方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、他方のドレイン配線の端部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の非晶質シリコン層をサイドエッチングする工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなる一方のドレイン配線の端部と他方のドレイン配線の端部及び信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記感光性樹脂パターンを除去し、前記一方のドレイン配線の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記他方のドレイン配線の端部を含んで擬似絵素電極形成領域に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程とからなる液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、アクティブ基板の作製にあたり、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に分岐されたゲート電極を有する走査線を形成する工程と、
ゲート絶縁層、不純物を含まない第1の非晶質シリコン層、不純物を含む第2の非晶質シリコン層、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層、及び低抵抗金属層を順次被着する工程と、
前記低抵抗金属層、耐熱金属層、第2の非晶質シリコン層、及び第1の非晶質シリコン層の一部を選択的に除去し、ゲート電極と一部重なるようにソース(信号線)・ドレイン配線を形成する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上にパシベーション絶縁層を被着後、画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、前記絵素電極形成領域と連続してゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域の膜厚が他の領域よりも薄く、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々前記ドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減じて前記ゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域のパシベーション絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記ゲート電極の端部を含む領域とゲート電極の分岐部を含む領域のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去し、前記ドレイン配線の一部とゲート電極の端部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部上に擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程とからなる液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板の一主面上にゲート電極と分離した光シールド電極が形成され、
画像表示部ではドレイン配線の一部を含む絵素電極形成領域と、画像表示部外の領域では走査線の一部を含む走査線の電極端子形成領域と信号線の一部を含む信号線の電極端子形成領域に開口部を有するとともに、前記絵素電極形成領域と連続して一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上の膜厚が他の領域よりも薄く、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去し、前記開口部内に夫々ドレイン配線の一部と前記第1の透明性絶縁基板、走査線の一部、及び信号線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減じて前記一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上のパシベーション絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記一方の光シールド電極の端部上と、ゲート電極の分岐部上と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む領域上のパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去して何れも耐熱金属層よりなるドレイン配線の一部と信号線の一部を露出する工程と、
前記第1の透明性絶縁基板上に導電性薄膜層を被着する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去し、前記一方の光シールド電極の端部上と前記ドレイン配線の一部を含んで絵素電極形成領域に絵素電極と、前記ゲート電極の分岐部の開口部に第1の擬似絵素電極と、他方の光シールド電極の端部とゲート電極の端部を含む開口部に第2の擬似絵素電極と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子形成領域に走査線の電極端子、及び前記信号線の一部を含んで信号線の電極端子形成領域に信号線の電極端子を形成する工程を有する請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 液晶が電圧無印加時に垂直配向する垂直配向型の液晶であり、
第1の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第1の配向制御手段が、第1の透明性絶縁基板上に形成された複数の透明導電層よりなる帯状の絵素電極間に位置するパシベーション絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とからなる積層であり、
第2の透明性絶縁基板上またはカラーフィルタ上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第2の配向制御手段を備えていることを特徴とする請求項1及び請求項2に記載の液晶表示装置。
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