JP2007044135A - X線露出制御用検出器およびそれを用いたx線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡易な構造でX線を正確に検出することができるX線露出制御用検出器およびそれを用いたX線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 フラットパネル型X線検出器(FPD)2によるX線撮像を行う際に露出制御を行うためにFPD2の前段にX線露出制御用検出器1を備える。このX線露出制御用検出器1は、収集電極11aを配置したガラス基板11と、そのガラス基板11上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換するX線感応型半導体12と、そのX線感応型半導体12上に積層形成された共通電極13とを備えるので、全体が薄膜化となり、簡易な構造でX線を正確に検出することができる。
【選択図】 図4
【解決手段】 フラットパネル型X線検出器(FPD)2によるX線撮像を行う際に露出制御を行うためにFPD2の前段にX線露出制御用検出器1を備える。このX線露出制御用検出器1は、収集電極11aを配置したガラス基板11と、そのガラス基板11上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換するX線感応型半導体12と、そのX線感応型半導体12上に積層形成された共通電極13とを備えるので、全体が薄膜化となり、簡易な構造でX線を正確に検出することができる。
【選択図】 図4
Description
この発明は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出するX線露出制御用検出器およびそれを用いたX線撮像装置に関する。
X線撮像においては自動露出制御機能を備えたX線撮像装置が広く利用されている。この自動露出制御機能とは、被検体を透過した後のX線の一部を検出し、その検出値に応じて撮像時間を制御することによって、フィルムやフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)などに代表されるX線撮像用検出器に照射されるX線の積算量を適切な値に設定し、これにより所望の濃度を有した被検体の透過X線画像を得ようとするものである。
この自動露出制御機能には、キセノン(Xe)などの電離ガスを封入した電離箱タイプのX線露出制御用検出器が用いられている(例えば、特許文献1、2参照)。特許文献1では、2次元マトリックス状配列で高電圧電極と収集電極とを配設し、各電極の選択スイッチを設けることで、撮像目的に応じて検出位置を選択可能に電離箱を構成している。特許文献2では、上述した特許文献1の構造を簡易にし、左胸部正面、右胸部正面、胸部側面、腹部などの一般撮像の撮像部位に相当する位置および形状に応じて収集電極をそれぞれ設け、撮像時に撮像部位に応じて露出制御に使用する収集電極を選択する。
特公昭60−15188号公報(第1−2頁、第2,3図)
特開2003−36995号公報(第2−4頁、図1−3)
しかしながら、電離箱タイプX線露出制御用検出器に使用される電極材料は、ある程度の機械強度が必要である。また、アルミニウム(Al)やカーボンなどのX線透過率の良好な材料を電極に使用したとしても、X線が特異的に吸収される。したがって、FPDのようなダイナミックレンズの大きい高性能なX線撮像用検出器ではアーティファクト(偽像)として検出されてしまい、診断の妨げとなる。また、上述した特許文献2で開示されているような電極配置では被検体の想定外の部位を撮像するときに対応しきれず、上述した特許文献1で開示されているようなマトリックス状配列では構造が複雑になってしまう。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、簡易な構造でX線を正確に検出することができるX線露出制御用検出器およびそれを用いたX線撮像装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出するX線露出制御用検出器であって、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備え、前記上部電極に電圧を印加した状態で前記半導体層によって変換された電荷情報を前記露出制御用として前記下部電極が読み出すことを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出するX線露出制御用検出器であって、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備え、前記上部電極に電圧を印加した状態で前記半導体層によって変換された電荷情報を前記露出制御用として前記下部電極が読み出すことを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備えている。そして、上部電極に電圧を印加した状態で半導体層によって変換された電荷情報を露出制御用として下部電極が読み出すことで、被検体を透過した後のX線の一部を露出制御用に検出する。かかる下部電極を配置した基板や、基板上に積層形成された半導体層、半導体層上に積層形成された上部電極については、フォトリソグラフィー技術や蒸着等の方法によって薄膜化して形成することができる。したがって、各電極部分でX線が特異的に吸収されてアーティファクトとして検出されることなく正確にX線を検出することができる。また、全体が薄膜化となるので簡易な構造でX線を検出することができる。
上述した発明における上部電極の一例は単一電極である(請求項2に記載の発明)。上部電極を単一電極で積層形成することで検出器の製造が容易になる。なお、各々の下部電極を所望の配置で分離形成すれば、上部電極が単一電極で共通であっても、各下部電極によって電荷情報をそれぞれ収集して読み出すことが可能である。
各発明において、半導体層および上部電極を覆うように絶縁材料で封止するのが好ましい(請求項3に記載の発明)。このように封止することで、検出器周辺の環境による悪影響を及ぼすことなく耐環境性、および機械強度を確保することができる。
各発明における半導体層の一例はアモルファスセレンである(請求項4に記載の発明)。アモルファスセレンの場合には、真空蒸着などの方法で容易に積層形成することが可能で、大面積の半導体層を積層形成することができる。
また、請求項5に記載の発明は、請求項1から請求項4のいずれかに記載のX線露出制御用検出器を用いたX線撮像装置であって、前記装置は、X線の入射方向から見て上流側から前記X線露出制御用検出器とX線撮像用検出器とを順に備え、X線露出制御用検出器は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出し、かつ、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備え、前記上部電極に電圧を印加した状態で前記半導体層によって変換された電荷情報を前記露出制御用として前記下部電極が読み出し、前記X線撮像用検出器は、被検体のX線撮像を行うためにX線露出制御用検出器を透過した後のX線を検出し、かつ、その検出面が平面形状であることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項5に記載の発明によれば、X線露出制御用検出器が簡易な構造でX線を正確に検出することができるので、その正確なX線に基づく露出制御によってX線撮像を適切に行うことができる。
なお、本明細書は、次のようなX線撮像装置に用いられる検出器を製造する検出器の製造方法に係る発明も開示している。
(1)X線撮像装置に用いられる検出器を製造する検出器の製造方法であって、検出器は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出するX線露出制御用検出器と、被検体のX線撮像を行うためにX線露出制御用検出器を透過した後のX線を検出し、かつ、その検出面が平面形状であるX線撮像用検出器との2つであって、(A)前記X線露出制御用検出器について、基板に下部電極を配置し、その基板上にX線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層を積層形成し、その半導体層上に上部電極を積層形成し、前記半導体層および上部電極を覆うように絶縁材料で封止し、(B)前記X線撮像用検出器について基板に下部電極を配置し、その基板上にX線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層を積層形成し、その半導体層上に上部電極を積層形成し、(C)封止された前記X線露出制御用検出器の基板と、前記X線撮像用検出器の基板との間に絶縁材料を流し込んでX線撮像用検出器を封止することを特徴とする検出器の製造方法。
前記(1)に記載の発明によれば、封止されたX線露出制御用検出器を(A)の工程で製造するとともに、封止前のX線撮像用検出器を(B)の工程で製造する。(C)の工程で封止されたX線露出制御用検出器の基板と、X線撮像用検出器の基板との間に絶縁材料を流し込んでX線撮像用検出器を封止することで、X線撮像用検出器の封止の際に機能する補助板材をX線露出制御用検出器の基板が兼用する。したがって、X線露出制御用検出器とX線撮像用検出器とが一体化したものを実現することができる。また、封止するための補助板材の数を減らすことができ、減らした分だけX線露出制御用検出器によるX線の減衰を低減させることができる。その結果、被検体へのX線被曝を低減させることができる。
この発明に係るX線露出制御用検出器およびそれを用いたX線撮像装置によれば、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備えるので、全体が薄膜化となり、簡易な構造でX線を正確に検出することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図1は、実施例に係るX線露出制御用検出器の断面図であり、図2は、X線露出制御用検出器のガラス基板とそれに配置された収集電極およびその配線のパターンの平面図であり、図3は、封止した状態のX線露出制御用検出器の断面図であり、図4は、X線露出制御用検出器とフラットパネル型X線検出器とを組み合わせた断面図であり、図5は、側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図6は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図7は、X線露出制御用検出器とフラットパネル型X線検出器とを備えたX線撮像装置の概略ブロック図である。本実施例では、X線撮像用検出器として、直接変換型のフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採って説明する。
図1は、実施例に係るX線露出制御用検出器の断面図であり、図2は、X線露出制御用検出器のガラス基板とそれに配置された収集電極およびその配線のパターンの平面図であり、図3は、封止した状態のX線露出制御用検出器の断面図であり、図4は、X線露出制御用検出器とフラットパネル型X線検出器とを組み合わせた断面図であり、図5は、側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図6は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図7は、X線露出制御用検出器とフラットパネル型X線検出器とを備えたX線撮像装置の概略ブロック図である。本実施例では、X線撮像用検出器として、直接変換型のフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採って説明する。
X線露出制御用検出器1は、図1に示すように、収集電極11aやその収集電極11aの配線11b(図2を参照)をパターン形成したガラス基板11と、そのガラス基板11上に積層形成されたX線感応型半導体12と、そのX線感応型半導体12上に積層形成された共通電極13とを備えている。このX線感応型半導体12は、X線の入射によりX線の情報を電荷情報であるキャリアに変換する。ガラス基板11は絶縁基板であって、X線感応型半導体12は非晶質のアモルファスセレン(a−Se)で形成される。また、収集電極11aや配線11bや共通電極13を形成する材料については、アルミニウム、ITO、カーボンなどに代表される導体であれば、特に限定されない。収集電極11aは、この発明における下部電極に相当し、ガラス基板11は、この発明における基板に相当し、X線感応型半導体12は、この発明における半導体層に相当し、共通電極13は、この発明における上部電極に相当する。また、X線露出制御用検出器1は、この発明におけるX線露出制御用検出器に相当する。
本実施例では、ガラス基板11とX線感応型半導体12との間にはキャリア選択性のバッファ層14を積層形成して備えるとともに、X線感応型半導体12と共通電極13との間にはキャリア選択性のバッファ層15とを積層形成して備えている。かかるキャリア選択性のバッファ層14,15を備えることで暗電流を低減させることができる。また、キャリア選択性のバッファ層15上に共通電極13が積層形成される際にそのバッファ層15が下地になるので、共通電極13の密着性を高めることができる。本明細書中での『キャリア選択性』とは、半導体中の電荷移動媒体(キャリア)である電子と正孔とで、電荷移動作用への寄与率が著しく異なる性質を示す。
通常、共通電極13に正のバイアス電圧を印加する場合には、キャリア選択性のバッファ層15に電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極13からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。キャリア選択性のバッファ層14に正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これによりガラス基板11の収集電極11aからの電子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
逆に、共通電極13に負のバイアス電圧を印加する場合には、キャリア選択性のバッファ層15に正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極13からの電子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。キャリア選択性のバッファ層14に電子の寄与率が大きい材料を使用する。これによりガラス基板11の収集電極11aからの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
キャリア選択性のバッファ層14,15に用いられる半導体としては、Sb2 S3 ,ZnTe,CeO2 ,CdS,ZnSe,ZnS等の多結晶半導体、Na等のアルカリ金属やCl等のハロゲンもしくはAsやTeをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体が大面積化適性に優れるものとして挙げられる。
バッファ層14,15に用いられる半導体のうち、電子の寄与が大きいものとして、n型半導体であるCeO2 ,CdS,CdSe,ZnSe,ZnSのような多結晶半導体や、アルカリ金属やAsやTeをドープして正孔の寄与率を低下させたアモルファスSe等のアモルファス体が挙げられる。
また、正孔の寄与が大きいものとして、p型半導体であるZnTeのような多結晶半導体や、ハロゲンをドープして電子の寄与率を低下させたアモルファスSe等のアモルファス体が挙げられる。
さらに、Sb2 S3 ,CdTe,CdZnTe,PbI2 ,HgI2 ,TlBrや、ノンドープのアモルファスSeまたはSe化合物の場合、電子の寄与が大きいものと正孔の寄与が大きいものとの両方がある。これらの場合、製膜条件の調節で電子の寄与が大きいものでも、正孔の寄与が大きいものでも、選択形成できる。
収集電極11aは、X線感応型半導体12によって変換されたキャリアを露出制御用として収集して読み出すものである。収集電極11aを、図1、図2に示すように複数に分離形成して、分離形成された各収集電極11aに対して配線11bをそれぞれ電気的に接続する。配線11bに対して信号の流れる方向から見て上流側から増幅器16とマルチプレクサ17とを順に電気的に接続する。なお、後述するFPD2と相違し、FPD2では収集電極21aから収集されたキャリア(電荷信号)をキャパシタンス21eに一旦蓄積して、スイッチング素子21dのONのみに応じて読み出すのに対して、X線露出制御用検出器1では、収集電極11aから収集されたキャリアを直接的に読み出す。
これらのX線感応型半導体12や配線11bや共通電極13などを覆うように絶縁材料18で封止する。具体的には、収集電極11aや配線11bをパターン形成したガラス基板11と同じガラスなどの絶縁基板で形成された補助板材19と、そのガラス基板11との間に絶縁材料18を流し込んで封止する。絶縁材料18としては、エポキシ樹脂や絶縁性フィラー(添加剤)を添加した樹脂などに代表される封止に適した物質であれば、特に限定されない。なお、補助板材19がなく絶縁材料18のみで覆って封止する構造でもよい。
共通電極13にバイアス電圧を印加した状態でX線感応型半導体12によって変換されたキャリア(電荷信号)を露出制御用として各収集電極11aが収集する。収集された電荷信号を、配線11bを介して増幅器16で増幅して、マルチプレクサ17で1つの電荷信号にまとめて出力する。出力された電荷信号を、図示を省略するA/D変換器でディジタル化して露出制御用信号として出力する。なお、A/D変換器を、マルチプレクサ17の上流側(前段)に備えてもよい。また、各々の配線11bを選択するスイッチを設けてもよい。このスイッチを設けることで、選択された配線11bに接続される収集電極11aに応じた撮像部位のみに対して露出制御に使用することができる。
このように構成されたX線露出制御用検出器1と、フラットパネル型X線検出器(FPD)2とを図4に示すように組み合わせている。すなわち、X線の入射方向から見て上流側からX線露出制御用検出器1とFPD2とを順に配設している。FPD2もX線露出制御用検出器1と同様に封止されており、FPD2の封止の際に機能する補助板材をX線露出制御用検出器1のガラス基板11が兼用している。
FPD2は、図4〜図6に示すように、FPD用の収集電極21aやゲートバスライン用の配線21bやデータバスライン用の配線21cや薄膜トランジスタ(TFT)からなるスイッチング素子21dやキャパシタンス21eなどをパターン形成したガラス基板21と、そのガラス基板21上に積層形成されたFPD用のX線感応型半導体22と、そのX線感応型半導体22上に積層形成されたFPD用の共通電極23とを備えている。本実施例では、FPD2のガラス基板21は、X線露出制御用検出器1のガラス基板11と同じ材質で形成され、FPD2のX線感応型半導体22はX線露出制御用検出器1のX線感応型半導体12と同じ非晶質のアモルファスセレンで形成される。また、収集電極21aや配線21b,21cや共通電極23を形成する材料については、X線露出制御用検出器1と同様に、アルミニウム、ITO、カーボンなどに代表される導体であれば、特に限定されない。FPD2は、この発明におけるX線撮像用検出器に相当する。
本実施例では、図4に示すように、ガラス基板21とX線感応型半導体22との間にはキャリア選択性のバッファ層24を積層形成して備えるとともに、X線感応型半導体22と共通電極23との間にはキャリア選択性のバッファ層25とを積層形成して備えている。FPD2におけるキャリア選択性のバッファ層24は、X線露出制御用検出器1におけるキャリア選択性のバッファ層14と同じ機能であって、FPD2におけるキャリア選択性のバッファ層25は、X線露出制御用検出器1におけるキャリア選択性のバッファ層15と同じ機能である。各バッファ層24,25の材料についてはX線露出制御用検出器1の各バッファ層24,25でも述べた材料の中から適宜選択すればよい。なお、図5ではバッファ層24の図示を省略している。
収集電極21aは、X線感応型半導体12によって変換されたキャリア(電荷信号)をX線撮像用として収集して、データバスライン用の配線21cを介して読み出すものである。収集電極21aを、X線露出制御用検出器1の収集電極11aと同様に、2次元マトリックス状配列で多数個(例えば、1028個×1028個)に分離形成して、分離形成された各収集電極21aに対して、各スイッチング素子21dを介して、データバスライン用の配線21cをそれぞれ電気的に接続する。
具体的には、各スイッチング素子21dのソースSに対して収集電極21aおよびキャパシタンス21eを一対一で電気的にそれぞれ接続するとともに、各スイッチング素子21dのドレインDに対してデータバスライン用の配線21cをそれぞれ電気的に接続する。一方、各スイッチング素子21dのゲートGに対してゲートバスライン用の配線21bをそれぞれ電気的に接続する。
なお、X線露出制御用検出器1の収集電極11aは撮像部位に応じて設けられ、FPD2の収集電極21aは画素に応じて設けられるので、X線露出制御用検出器1の収集電極11aの数よりもFPD2の収集電極21aの数の方を多く設定するのが好ましい。もちろん、X線露出制御用検出器1の収集電極11aにおいてもFPD2の収集電極21aと同等の数だけ配設してもよい。
上述したゲートバスライン用の配線21bに対してゲートドライバ26を電気的に接続する。そして、データバスライン用の配線21cに対して信号の流れる方向から見て上流側から増幅器27とマルチプレクサ28とを順に電気的に接続する。
X線露出制御用検出器1と同様に、これらのX線感応型半導体22や配線21b,21cや共通電極23などを覆うように絶縁材料29で封止する。具体的には、X線露出制御用検出器1の説明でも述べたX線露出制御用検出器1のガラス基板11と、FPD2でのガラス基板21との間に絶縁材料29を流し込んで封止する。つまり、上述したように、FPD2の封止の際に機能する補助板材をX線露出制御用検出器1のガラス基板11が兼用する。絶縁材料29としては、X線露出制御用検出器1と同様に、封止に適した物質であれば、特に限定されない。
共通電極23にバイアス電圧を印加した状態でX線感応型半導体22によって変換されたキャリア(電荷信号)を各収集電極21aが収集してキャパシタンス21eに一旦蓄積する。ゲートバスライン用の配線21bの電圧を印加(または0Vに)することでスイッチング素子21dのゲートGをONにする。ONに選択されたスイッチング素子21dに接続されているキャパシタンス21eに蓄積された電荷信号のみを、スイッチング素子21dのソースSとドレインDとを介してデータバスライン用の配線21cに読み出す。
その読み出された電荷信号を増幅器27で増幅して、マルチプレクサ28で1つの電荷信号にまとめて出力する。出力された電荷信号を、図示を省略するA/D変換器でディジタル化して撮像用信号として出力する。
このようなX線露出制御用検出器1とFPD2とをX線撮像装置が備える場合には、例えば図7に示すような構成となる。すなわち、X線の入射方向から見て上流側からX線露出制御用検出器1とFPD2とを順に配設している。このように配設することで、X線露出制御用検出器1が、被検体Mを透過した後のX線の一部を検出するとともに、FPD2が、被検体MのX線撮像を行うためにX線露出制御用検出器1を透過した後のX線を検出する。
この他に、X線撮像装置は、被検体MにX線を照射するX線管3と、X線露出制御用検出器1から出力された露出制御用信号に基づいてX線管3に対して露出制御を行うX線自動露出制御部4と、高電圧発生部5を有するX線管制御部6と、FPD2から出力された撮像用信号に基づいて画像処理を行う画像処理部7と、これらを統括制御するコントローラ8とを備えている。
X線自動露出制御部4は、X線の積算量を得る積分器4aと、画素の濃度を所定の値を有する設定値に設定する濃度設定部4bと、積分器4aおよび濃度設定部4bからの両データを比較する比較器4cと、X線遮断信号を出力するX線遮断信号発生部4dとを備えている。濃度設定部4bには、所望の画素の濃度に対応した信号電流の積分量を設定値として予め設定している。
X線露出制御用検出器1から出力された露出制御用信号は信号電流として積分器4aに入力される。時間経過に伴って信号電流が積分され、その積分値と濃度設定部4bからの設定値とを比較器4cは比較する。X線照射の開始初期には積分値は設定値よりも小さいが、積分値は徐々に増加し、両者が一致する。すると、X線遮断信号発生部4dがX線遮断信号を出力し、コントローラ8を介してこの信号をX線管制御部6に送り込む。X線管制御部6は高電圧発生部7を操作してX線管3からのX線の照射を停止するように制御する。これによって、FPD2に照射されるX線の積算量を適切な値に設定し、これにより所望の濃度を有した被検体Mの透過X線画像を得ることができる。
FPD2から出力された撮像用信号に対して画像処理部7は種々の画像処理を行って透過X線画像を求める。透過X線画像をコントローラ8に送り込み、メモリなどに代表される記憶媒体(図示省略)に透過X線画像を書き込んで記憶し、あるいはモニタやプリンタなどに代表される出力部(図示省略)に透過X線画像を出力する。
次に、X線撮像装置のX線露出制御用検出器1およびFPD2の製造方法について、図8を参照して説明する。図8は、X線露出制御用検出器1およびFPD2の製造工程の断面図であり、図8(a)は各検出器を組み合わせる前の断面図、図8(b)は組み合わせた後の断面図である。
X線露出制御用検出器1において、収集電極11aや配線11bをフォトリソグラフィーやマスク蒸着等の方法でガラス基板11にパターン形成する。パターン形成されたガラス基板11上に真空蒸着等の方法を用いてキャリア選択性のバッファ層14、X線感応型半導体12およびキャリア選択性のバッファ層15の順に積層形成する。共通電極13についてもフォトリソグラフィーやマスク蒸着等の方法でパターン形成する。図示を省略する枠体で補助板材19を共通電極13に対して離間させた状態で配設する。この離間させた状態で補助板材19とガラス基板11との間に絶縁材料18を流し込んで封止する。
一方、FPD2においても、収集電極21aや各配線21b,21cやスイッチング素子21dやキャパシタンス21eをフォトリソグラフィーやマスク蒸着等の方法でガラス基板21にパターン形成する。パターン形成されたガラス基板21上に真空蒸着等の方法を用いてキャリア選択性のバッファ層24、X線感応型半導体22およびキャリア選択性のバッファ層25の順に積層形成する。共通電極23についてもフォトリソグラフィーやマスク蒸着等の方法でパターン形成する。X線露出制御用検出器1のX線感応型半導体12およびFPD2のX線感応型半導体22がともにアモルファスセレンで形成されているときには、FPD2のX線感応型半導体22の厚みを1mmにして、X線露出制御用検出器1のX線感応型半導体12の厚みを100μm〜200μ以下にして積層形成する。
図示を省略する枠体で、封止されたX線露出制御用検出器1と、封止前のFPD2とを、図8(a)に示すように互いに離間させた状態で配設する。この離間させた状態でX線露出制御用検出器1のガラス基板11と、FPD2でのガラス基板21との間に絶縁材料29を流し込んでFPD2を封止する。このFPD2の封止によって、X線露出制御用検出器1およびFPD2を組み合わせる。X線露出制御用検出器1およびFPD2の組み合わせ後は、図8(b)に示すとおりである。
なお、FPD2の封止前であれば、X線露出制御用検出器1の製造手順がFPD2の製造手順よりも前であってもよいし、逆にFPD2の製造手順がX線露出制御用検出器1の製造手順よりも前でもよい。また、X線露出制御用検出器1およびFPD2をそれぞれ並行に進めて製造してもよい。
以上のように構成された本実施例に係るX線露出制御用検出器1によれば、収集電極11aをパターン形成で配置したガラス基板11と、そのガラス基板11上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報(キャリア・電荷信号)に変換するX線感応型半導体12と、そのX線感応型半導体12上に積層形成された共通電極13とを備えている。そして、共通電極13にバイアス電圧を印加した状態でX線感応型半導体12によって変換されたキャリアを露出制御用として収集電極11aが収集して読み出すことで、被検体Mを透過した後のX線の一部を露出制御用に検出する。かかる収集電極11aを配置したガラス基板11や、ガラス基板11上に積層形成されたX線感応型半導体12、X線感応型半導体12上に積層形成された共通電極13については、フォトリソグラフィー技術や蒸着等の方法によって薄膜化して形成することができる。したがって、各電極11a,13部分でX線が特異的に吸収されてアーティファクトとして検出されることなく正確にX線を検出することができる。また、全体が薄膜化となるので簡易な構造でX線を検出することができる。
本実施例では、図1に示すように、共通電極13を単一電極で積層形成している。このように形成することでX線露出制御用検出器1の製造が容易になる。なお、各々の収集電極11aを図1に示すように所望の配置で分離形成すれば、共通電極13が単一電極で各収集電極11aに対して共通であっても、各収集電極11aによってキャリアをそれぞれ収集して読み出すことが可能である。
本実施例では、X線感応型半導体12や共通電極13などを覆うように絶縁材料18で封止している。このように封止することで、検出器周辺の環境による悪影響を及ぼすことなく耐環境性、および機械強度を確保することができる。また、FPD2もX線露出制御用検出器1と同様の構造を有しているので、FPD2においても同じ効果を奏する。
本実施例では、アモルファスセレンでX線感応型半導体12を形成している。アモルファスセレンの場合には、真空蒸着などの方法で容易に積層形成することが可能で、大面積のX線感応型半導体12を積層形成することができる。また、FPD2もX線露出制御用検出器1と同様の構造を有しているので、FPD2においても同じ効果を奏する。
本実施例に係るX線露出制御用検出器1を用いたX線撮像装置によれば、X線露出制御用検出器1が簡易な構造でX線を正確に検出することができるので、その正確なX線に基づく露出制御によってX線撮像を適切に行うことができる。
また、本実施例の図8に示す製造方法によれば、封止されたX線露出制御用検出器1のガラス基板11と、FPD2のガラス基板21との間に絶縁材料29を流し込んでFPD2を封止することで、FPD2の封止の際に機能する補助板材をX線露出制御用検出器1のガラス基板11が兼用する。したがって、X線露出制御用検出器1とFPD2とが一体化したものを実現することができる。また、封止するための補助板材の数を減らすことができ、減らした分だけX線露出制御用検出器1によるX線の減衰を低減させることができる。その結果、被検体MへのX線被曝を低減させることができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)X線撮像装置としては、X線透視撮影装置やX線断層撮影装置(例えばX線CT装置)など被検体のX線撮像を行うものであれば特に限定されない。また、被検体についても人体や試料など特に限定されず、人体の場合には医用目的、試料の場合には非破壊検査などの工業目的となるが、装置に使用するための目的に限定されない。
(2)上述した実施例では、各検出器(X線露出制御用検出器1、FPD2)において、スイッチング素子が多数個に2次元状に配列されていたが、スイッチング素子が1個のみの非アレイタイプであってもよい。また、スイッチング素子の数については特に限定されない。また、配列の形態についても2次元状に限定されない。
(3)上述した実施例では、X線撮像用検出器としてフラットパネル型X線検出器(FPD)2を例に採って説明したが、検出面が平面形状の検出器であれば、特に限定されない。
(4)上述した実施例では、各検出器(X線露出制御用検出器1、FPD2)は、X線感応型の半導体を備え、入射したX線をX線感応型の半導体で直接的に電荷信号に変換する直接変換型の検出器であったが、X線感応型の替わりに光感応型の半導体を備えるとともにシンチレータを備え、入射したX線をシンチレータで光に変換し、変換された光を光感応型の半導体で電荷信号に変換する間接変換型の検出器であってもよい。この場合には、シンチレータおよび光感応型の半導体が、この発明における半導体層に相当する。また、各検出器をともに間接変換型の検出器でそれぞれ構成してもよいし、各検出器のうちのいずれか一方を直接変換型の検出器で構成するとともに、他方を間接変換型の検出器で構成してもよい。
(5)上述した実施例では、X線露出制御用検出器1の収集電極11aを、図1、図2に示すように複数に分離形成したが、隣接する収集電極11aの相互の影響をより確実になくすために、図9の平面図に示すように、ガード電極11cを各収集電極11aの間に配設して、各ガード電極11cがガード電極用の配線11dによって接地電位になるように構成してもよい。なお、配線11bとガード電極11cあるいはガード電極用の配線11dとが交差する部分については絶縁する。
(6)上述した実施例では、X線露出制御用検出器1の共通電極13を、図1に示すように単一電極で積層形成したが、図10の断面図に示すように、各収集電極11aに一対一で対応するように共通電極13の替わりの上部電極13を複数に分離形成してもよい。この場合には、隣接する収集電極11aの相互の影響をより確実になくして、各収集電極11aによってキャリア(電荷信号)をより確実にそれぞれ収集して読み出すことができる。また、各収集電極11aに一対一で対応せずに上部電極13を複数に分離形成してもよい。
(7)上述した実施例では、各検出器(X線露出制御用検出器1、FPD2)の半導体層はともにアモルファスセレンであったが、例えばCdTeのように半導体層であれば、特に限定されない。また、各検出器の半導体層をともにアモルファスセレン以外の半導体(例えばCdTe)でそれぞれ形成してもよいし、各検出器のうちのいずれか一方の半導体層をアモルファスセレンで形成するとともに、他方の半導体層をアモルファスセレン以外の半導体で形成してもよい。FPD2のX線感応型半導体22がアモルファスセレンで形成され、かつX線露出制御用検出器1のX線感応型半導体12がCdTeで形成されている場合には、FPD2のX線感応型半導体22の厚みを1mmにして、X線露出制御用検出器1のX線感応型半導体12の厚みを50μm程度に積層形成する。
(8)上述した実施例では、図8に示すような製造工程でX線露出制御用検出器1およびFPD2を製造したが、このような製造工程に限定されない。各検出器(X線露出制御用検出器1、FPD2)をともに補助板材で封止してから、互いに組み合わせてもよい。この場合には、FPD2の封止の際に機能する補助板材をX線露出制御用検出器1のガラス基板11が兼用することなく、ガラス基板11とFPD2の封止の際に機能する補助板材とがそれぞれ別々になって組み合わさる。また、上述した変形例(7)のように、半導体層をCdTeで形成する場合で、特にFPD2のX線感応型半導体22をCdTeで形成する場合には、下記のように製造するのが好ましい。
すなわち、CdTeの蒸着温度は実施例のアモルファスセレンの蒸着温度よりも高く、ガラス基板などに代表される基板の上にCdTeを蒸着して積層形成すると、基板にパターン形成されたスイッチング素子(TFT)などが破壊される恐れがある。そこで、積層形成されたCdTeの半導体層とガラス基板とを貼り合わせる手法を採る。この発明のように、X線露出制御用検出器1およびFPD2を組み合わせる場合には、図11の製造工程の断面図に示すように、封止後あるいは封止前のX線露出制御用検出器1でのガラス基板11の下にCdTeを蒸着等で積層形成する。
この蒸着の際にはガラス基板11を上下反転させて行えばよい。なお、図11(a)に示すように、蒸着の前に共通電極23などガラス基板11の下に先に形成する。そして、ガラス基板11の下に積層形成されたCdTeをFPD2でのX線感応型半導体22とする。また、必要であればX線感応型半導体22の下にキャリア選択性のバッファ層24を積層形成してもよい。このX線感応型半導体22付きのX線露出制御用検出器1とX線感応型半導体22なしのFPD2とを離間させる。そして、X線露出制御用検出器1のガラス基板11と、FPD2でのガラス基板21との間に絶縁材料29を流し込んでFPD2を封止すれば、図11(b)に示すように組み合わせることができる。
(9)上述した実施例では、各検出器(X線露出制御用検出器1、FPD2)において、キャリア選択性のバッファ層を半導体層の上下の両方にそれぞれ積層形成したが、バッファ層は必ずしも必要ではない。各検出器の半導体層をともにバッファ層なしで構成してもよいし、各検出器のうちのいずれか一方の半導体層にバッファ層を積層形成して構成するとともに、他方の半導体層にバッファ層なしで構成してもよい。また、半導体層の上下のうちのいずれか一方のみにバッファ層を積層形成してもよい。
1 … X線露出制御用検出器
2 … フラットパネル型X線検出器(FPD)
11 … ガラス基板
11a … 収集電極
12 … X線感応型半導体
13 … 共通電極
18 … 絶縁材料
M … 被検体
2 … フラットパネル型X線検出器(FPD)
11 … ガラス基板
11a … 収集電極
12 … X線感応型半導体
13 … 共通電極
18 … 絶縁材料
M … 被検体
Claims (5)
- 被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出するX線露出制御用検出器であって、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備え、前記上部電極に電圧を印加した状態で前記半導体層によって変換された電荷情報を前記露出制御用として前記下部電極が読み出すことを特徴とするX線露出制御用検出器。
- 請求項1に記載のX線露出制御用検出器において、前記上部電極は単一電極であることを特徴とするX線露出制御用検出器。
- 請求項1または請求項2に記載のX線露出制御用検出器において、前記半導体層および上部電極を覆うように絶縁材料で封止したことを特徴とするX線露出制御用検出器。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載のX線露出制御用検出器において、前記半導体層はアモルファスセレンであることを特徴とするX線露出制御用検出器。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載のX線露出制御用検出器を用いたX線撮像装置であって、前記装置は、X線の入射方向から見て上流側から前記X線露出制御用検出器とX線撮像用検出器とを順に備え、X線露出制御用検出器は、被検体のX線撮像を行う際に露出制御を行うために前記被検体を透過した後のX線の一部を検出し、かつ、下部電極を配置した基板と、その基板上に積層形成された、X線の入射によりX線の情報を電荷情報に変換する半導体層と、その半導体層上に積層形成された上部電極とを備え、前記上部電極に電圧を印加した状態で前記半導体層によって変換された電荷情報を前記露出制御用として前記下部電極が読み出し、前記X線撮像用検出器は、被検体のX線撮像を行うためにX線露出制御用検出器を透過した後のX線を検出し、かつ、その検出面が平面形状であることを特徴とするX線撮像装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071105 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090911 |