JP2007041469A - 配線つきシリコンベンチ - Google Patents

Abstract

【課題】 反りを有する光導波路をシリコンベンチに搭載する際に、光導波路の光学特性の劣化を抑制することが可能な配線つきシリコンベンチを提供すること。
【解決手段】 反りを有するＰＬＣ−ＶＯＡ２１を実装するシリコンベンチ３１と、シリコンベンチ３１のＰＬＣ−ＶＯＡ２１との実装面に形成された、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１との接着および導通を行う複数の半田バンプ３３、３４とを備える。ＰＬＣ−ＶＯＡ２１のシリコンベンチ３１への実装時の、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の実装面と、シリコンベンチ３１の実装面との間の距離が短い箇所には、半田バンプ３４が形成されている。上記距離が長い箇所には、半田バンプ３４よりも大きい半田バンプ３３が形成されている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、配線つきシリコンベンチに関し、より詳細には、反りを有する平面型光導波路と接続される配線つきシリコンベンチに関する。

近年、高度情報化に伴い大容量の情報を伝達したいという要望から、高速で大容量の情報が伝達可能な光通信システムが注目されている。このような光通信システムにおいて、高速で大容量な通信網を構築する伝送媒体として光ファイバが用いられており、この光ファイバを大容量化するための技術として、ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）技術が注目されている。
このWDMにおいては、複数の波長を個別に制御するため、光強度にばらつきが発生する。たとえば、光増幅器で光を増幅する際などにおいて、その増幅特性は波長依存性を有するため、個々の波長の光強度にばらつきが発生する。このような光強度のばらつきを平坦化するため、各波長数に相当した光可変減衰器（ＶＯＡ）を用いる手法などが有用である。中でも、ＰＬＣを用いたＶＯＡ（ＰＬＣ−ＶＯＡ）は、信頼性・他の回路との集積性が高く非常に有益である。しかし、このＰＬＣ−ＶＯＡにおいては、ヒータ加熱による熱光学効果を利用することから電気的な取り出し（電極の接続）が必須であるとともに、光信号との接続も必要であるためモジュール化には多くの労力を要する。

上記ＰＬＣは、一般に反りを有する。その原因は、ＰＬＣの基板であるＳｉ基板と、その上に堆積した石英との熱膨張係数の差である。つまり、Ｓｉの方が石英よりも熱膨張係数が大きいため、石英を堆積するときの温度から室温までの冷却過程において、Ｓｉ基板の方がより収縮する。よって、ＰＬＣにおいて、石英からなる光導波路が形成された表面が凸になるように反りが発生するのである。

一方で、シリコンベンチは電極および光信号の接続を一括して行えるため、非常に有用である（特許文献１参照）。そこで、シリコンベンチ上に、ファイバ固定のためのＶ溝と電気の取り出しのための配線を作製した配線つきシリコンベンチを用いて、ＰＬＣ−ＶＯＡをシリコンベンチに嵌合して実装した、シリコンベンチ型ＰＬＣ−ＶＯＡの開発が進められている。

特開２０００−２４９８７６号公報

このように配線基板として、配線つきシリコンベンチを用い、反りを有するＰＬＣを上記シリコンベンチに嵌合して実装する場合、上記反りの影響で、シリコンベンチの表面とＰＬＣの実装面との間に、場所によって距離（シリコンベンチとＰＬＣとの間の距離）が異なる空間が形成される。

ＰＬＣとシリコンベンチとを半田バンプで接着し導通をとる場合、通常、シリコンベンチの実装面の所定の位置に同じ大きさの半田バンプを形成して、ＰＬＣをシリコンベンチに嵌合する。このとき、上記ＰＬＣの反りの影響で、接着場所毎に接着面積が異なってしまう。すなわち、シリコンベンチとＰＬＣとの間の距離が短い(空間が狭い)箇所においては、半田バンプとＰＬＣとの接着面積は大きくなるが、シリコンベンチとＰＬＣとの間の距離が長い（空間が広い）箇所では、半田バンプとＰＬＣとの接着面積は小さくなる。

このように、ＰＬＣと半田バンプとの接着面積が場所毎に異なると、接着面積が小さい接着部では、電気信号の導通がとりにくくなる。よって、シリコンベンチとＰＬＣとの間の距離が短い箇所と長い箇所との間で、抵抗にムラが生じることがある。よって、ＰＬＣ−ＶＯＡ等の動作が良好に行えないことがある。また、接着面積が小さくなることは、断線の要因にもなる。

また、場所毎の、ＰＬＣと半田バンプとの接着面積の違いによって、接着面積の大きさに応じて半田バンプにかかる応力に差異が生じてしまう。このような半田バンプにかかる応力の差異により、ＰＬＣの導波路に与える応力にも差異が発生してしまう。このように、場所毎に導波路にかかる応力に差異が生じると、その応力に応じて、光弾性効果を介して導波路の屈折率が変化してしまい屈折率のムラとなってしまう。また、応力の主軸が変わってしまうことも生じてしまう。このような影響から、ＰＬＣの光学特性（特に、偏波依存損失（ＰＤＬ））が劣化してしまう。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、反りを有する平面型光導波路をシリコンベンチに搭載する際に、光導波路の光学特性の劣化を抑制することが可能な配線つきシリコンベンチを提供することにある。

本発明は、このような目的を達成するために、請求項１記載の発明は、反りを有する平面型光導波路を実装するシリコンベンチと、前記シリコンベンチの前記平面型光導波路との実装面に形成された、前記平面型光導波路と前記シリコンベンチとの接着および導通を行う複数のマイクロバンプとを備え、前記マイクロバンプの大きさは、前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時の、前記平面型光導波路の実装面と、前記シリコンベンチの実装面との間の距離に応じて変化しており、前記距離が所定の距離における前記シリコンベンチの第１の領域に形成されたマイクロバンプの大きさは、前記所定の距離よりも大きな距離における前記シリコンベンチの第２の領域に形成されたマイクロバンプの大きさよりも小さいことを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記マイクロバンプが半田からなる半田バンプであることを特徴とする。

請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記マイクロバンプは、前記距離がほぼ同一となる前記シリコンベンチ上の第３の領域に形成されており、前記第３の領域に形成されたマイクロバンプの大きさは、互いにほぼ等しいことを特徴とする。

請求項４記載の発明は、反りを有する平面型光導波路を実装するシリコンベンチと、前記シリコンベンチの前記平面型光導波路との実装面に形成された、前記平面型光導波路と前記シリコンベンチとの接着および導通を行うマイクロバンプを複数有するマイクロバンプセットを複数備え、前記マイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさはほぼ同一であり、前記マイクロバンプセット同士のマイクロバンプの大きさは互いに異なっており前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時において、平面型光導波路との距離が最も近接する、前記シリコンベンチ上の第１の領域から所定の距離だけ離れた第２の領域に形成されるマイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさは、前記第１の領域から前記第２の領域よりも離れた第３の領域に形成されたマイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさよりも小さいことを特徴とする。

請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記マイクロバンプセットの少なくとも１セットは、前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時の、前記平面型光導波路の実装面と、前記シリコンベンチの実装面との間の距離がほぼ同一となる前記シリコンベンチ上の領域のうちの一領域に形成されていることを特徴とする。

なお、本発明の「マイクロバンプセット」は、図３においては、符号３４で示されるマイクロバンプの組を指す。まあ、符号３３で示される複数のマイクロバンプの組も、マイクロバンプセットである。図６についても同様のことが言え、符号６１および６４で示される複数のマイクロバンプの組も、マイクロバンプセットである。

以上説明したように、本発明によれば、実装時に対応する平面型光導波路の反りの大きさに応じて、シリコンベンチとＰＬＣとの距離が長い箇所ほど、シリコンベンチに形成されたマイクロバンプの大きさを大きくしているので、平面型光導波路とシリコンベンチとの接着面積の場所ごとによるばらつきを抑制することができる。よって、平面型光導波路の光学特性の劣化を抑制することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（第１の実施形態）
本実施形態では、反りを有する、ＰＬＣ−ＶＯＡなどのＰＬＣをシリコンベンチに嵌合する際に、半田バンプを用いてＰＬＣとシリコンベンチとの接着および導通を行っている。この嵌合時に、ＰＬＣに形成された電極パッド（接着パッド）と、シリコンベンチに形成された半田バンプとの接着面積の大きさのばらつきを抑制するために、シリコンベンチ上の場所毎に、異なる大きさの半田バンプを形成している。すなわち、嵌合時に、シリコンベンチとＰＬＣの距離が長い(空間が広い)箇所では、形成される半田バンプを大きくし、シリコンベンチとＰＬＣの距離が短い（空間が狭い）箇所では、形成される半田バンプを小さくする。このようにして、接着部毎の接着面積のばらつきを抑制している。

図１は、本実施形態に係る、マッハツェンダ干渉計（ＭＺＩ）型ＶＯＡ（ＭＺＩ−ＶＯＡ）の上面図である。
図１において、ＭＺＩ−ＶＯＡ１の入力ポート９には、光導波路２の一方端が接続されており、光導波路２の他方端には、方向性結合器３ａの入力端が接続されている。方向性結合器３ａの出力端にはそれぞれ、アーム導波路４ａおよびアーム導波路４ｂの一方端が接続されており、アーム導波路４ａおよびアーム導波路４ｂの他方端のそれぞれは、方向性結合器３ｂの対応する入力端に接続されている。方向性結合器３ｂの出力端には、光導波路２の一方端が接続されており、光導波路２の他方端には出力ポート１０が接続されている。

アーム導波路４ａおよびアーム導波路４ｂをそれぞれ挟むように断熱溝５が形成されている。アーム導波路４ａ上には、アーム導波路４ａを加熱するためのヒータ６が形成されており、ヒータ６には、金蒸着等により形成された配線７の一方端が接続されている。配線７の他方端には、電極パッド８が接続されている。この電極パッド８が、ＭＺＩ−ＶＯＡ１と嵌合するシリコンベンチに形成された半田バンプと接着することにより、シリコンベンチとの導通が行われ、ヒータ６に電気信号を送っている。

本実施形態では、上述のＭＺＩ−ＶＯＡ１を複数集積しても良い。図２は、本実施形態に係る、ＭＺＩ−ＶＯＡを複数集積したＰＬＣ−ＶＯＡにおける、ＭＺＩ−ＶＯＡの集積部の上面図である。
図２において、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１は、反りを有しており、図１にて説明したＭＺＩ−ＶＯＡ１を複数備えている。図２では、１段目および２段目の２つのＭＺＩ−ＶＯＡ１を直列に接続したものを、５つ並列に形成しているので、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１は、５つの入力ポート２２ａ〜２２ｅと、５つの出力ポート２３ａ〜２３ｅを備えている。図２において、２つのＭＺＩ−ＶＯＡ１の接続は、一方のＭＺＩ−ＶＯＡ１の出力ポートと、他方のＭＺＩ−ＶＯＡ１の入力ポートとを接続すれば良い。

図３は、本実施形態に係る、ＰＬＣ−ＶＯＡの、配線つきシリコンベンチ３１への実装前の様子を示す図である。
図３において、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１には、凸部２４が形成されており、凸部２４には、図２にて説明した、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の集積部が含まれている。よって、凸部２４の表面に電極パッド８が形成されることになる。また、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１が反りを有しているので、凸部２４も当然、上記反りに応じた反りを有している。シリコンベンチ兼配線基板としての配線つきシリコンベンチ３１には、凸部２４と嵌合するための凹部３２が形成されている。凹部３２の深さは、凸部２４が嵌合した際に、凸部２４の表面と凹部３２の表面が接しないような適切な深さに設定されている。

凹部３２には、凸部２４と凹部３２が嵌合した際、すなわち、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１を配線つきシリコンベンチ３１に実装した際に、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１が有する各電極パッド８と対向する位置にそれぞれ半田バンプが形成されている。具体的には、シリコンベンチとＰＬＣの距離が長い箇所に形成された、凸部２４（ＰＬＣ−ＶＯＡ２１）の電極パッド８と対向する、凹部３２（配線つきシリコンベンチ３１）の箇所には、大きな半田バンプを形成し、シリコンベンチとＰＬＣの距離が短い箇所に形成された、凸部２４の電極パッド８と対向する、凹部３２の箇所には、小さな半田バンプを形成する。すなわち、配線つきシリコンベンチ３１に形成される半田バンプの大きさを、対向するＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離に応じて変えるのである。よって、形成される箇所に応じて、半田バンプの大きさは変化している。

本実施形態では、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の中央部付近でシリコンベンチとＰＬＣの距離が短く（空間が狭く）、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の端に向かうほど距離が長く（空間が広く）なっている。よって、本実施形態では、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の中央部から離れた位置に形成される各電極パッド８（図２において、入力ポート側、および出力ポート側）に対向する位置にそれぞれ、半田バンプ３３を形成する。また、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の中央部付近に形成される各電極パッド８（図２において、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の中央部付近）に対向する位置にそれぞれ、半田バンプ３３よりも大きさの小さい半田バンプ３４を形成する。

上述の半田バンプ３３および半田バンプ３４の形成は、半田バンプをシリコンベンチに形成する際に用いる、半田パターンについて、接着部毎に所望の大きさになるようにパターンの大きさを変えた半田パターンによって行えば良い。

このように、シリコンベンチ３１とＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離が長い箇所に形成される半田バンプの大きさを、シリコンベンチ３１とＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離が短い箇所に形成される半田バンプよりも大きくすることで、半田バンプと電極パッドとの接着面積のばらつきを抑えることができるので、配線つきシリコンベンチ３１への実装時のＰＬＣ−ＶＯＡ２１の光学特性の劣化を抑制することができる。

なお、対向するＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離（空間）に応じて、上記嵌合時に、半田バンプ３３とそれに対応する電極パッドとの接着面積と、半田バンプ３４とそれに対応する電極パッドとの接着面積とがほぼ一致するように、半田バンプ３３と半田バンプ３４との大きさを設定すれば、より接着面積のばらつきを抑えることができるので好ましい。

半田バンプ３３および半田バンプ３４のそれぞれには、電気配線３５、３６が接続されている。また、配線つきシリコンベンチ３１には、光ファイバを搭載するためのＶ溝３７ａ、３７ｂが形成されている。このＶ溝３７ａは、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の実装時に光ファイバと入力ポート２２ａ〜２２ｅとが接続するように、凹部３２に接続され、また、Ｖ溝３７ｂは、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の実装時に光ファイバと出力ポート２３ａ〜２３ｅとが接続するように、凹部３２に接続されている。

さらに、配線つきシリコンベンチ３１には、実装に用いるアライメント用の溝３８が形成されている。また、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１には、アライメント用の溝３８と嵌合するように、ノッチ構造（不図示）がＰＬＣ−ＶＯＡ２１の実装面に形成されている。

上述の構造のＰＬＣ−ＶＯＡ２１を、ノッチ構造をアライメント用の溝３８に、また、凸部２４を凹部３２にそれぞれ嵌合することによって、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１を配線つきシリコンベンチ３１に実装する。この実装後の様子を図４に示す。

図５は、図４のＡ−Ａ’線切断断面図である。
図５から分かるように、シリコンベンチ３１とＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離が長い箇所に形成された半田バンプ３３の大きさを、シリコンベンチ３１とＰＬＣ−ＶＯＡ２１との距離が短い箇所に形成された半田バンプ３４の大きさよりも大きくしているので、半田バンプ３３と電極パッド８との接着面積を、半田バンプ３４と電極パッド８との接着面積に略等しい大きさにすることができる。

なお、本実施形態では、図２に示すように、ＭＺＩ−ＶＯＡを２段に接続して集積したものを用いているが、これに限定されない。３段以上の複数段にＭＺＩ−ＶＯＡを接続したもの、ＭＺＩを用いた熱光学型スイッチを複数集積した光スイッチを用いても、シリコンベンチとＰＬＣの間の距離に応じて半田バンプの大きさを変化させれば良いのである。

また、本実施形態では、半田バンプ３３の各々の半田バンプの大きさは、ほぼ等しくしているが、半田バンプ３３内でも、さらに対向するＰＬＣ−ＶＯＡ２１の反りに応じて、その大きさを変えても良い。同様に、半田バンプ３４についても、半田バンプ３４の各々の半田バンプの大きさは、ほぼ等しくしているが、半田バンプ３４内でも、さらに対向するＰＬＣ−ＶＯＡ２１の反りに応じて、その大きさを変えても良い。

なお、本実施形態では、接着および導通のためのマイクロバンプとして半田バンプを用いたが金バンプを用いても、本発明を用いれば同様な効果が得られる。すなわち、本実施形態では、接着と導通との機能を有するマイクロバンプを適用すればよい。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、ＰＬＣ−ＶＯＡに形成される電極パッドと、配線つきシリコンベンチに形成される半田バンプとの接着面積が場所毎に異なることを抑制するために、ＰＬＣ−ＶＯＡの配線つきシリコンベンチへの実装時の、ＰＬＣ−ＶＯＡの反りに起因したシリコンベンチとＰＬＣ−ＶＯＡの間の距離に応じて、半田バンプの大きさを変えている。本実施形態では、さらなる、接着面積のばらつきを抑えるために、接着部の場所毎に半田バンプの大きさを変えることに加えて、同じ大きさの半田バンプセットにおいて、実装時における、ＰＬＣ−ＶＯＡと配線つきシリコンベンチとの間の距離が同じになるような位置に半田バンプを形成する。

図６は、本実施形態に係る、ＰＬＣ−ＶＯＡの、配線つきシリコンベンチ３１への実装前の様子を示す図である。
本実施形態において、第１の実施形態と異なるのは、半田バンプ３３の配置位置と半田バンプ３４の個々の大きさである。本実施形態では、電極パッドと半田バンプとの接着面積の、場所毎のばらつきをさらに低減するために、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の配線つきシリコンベンチ３１への実装時における、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１と配線つきシリコンベンチ３１との間の距離ｄがほぼ一定になる、配線つきシリコンベンチ３１の領域に、半田バンプ３３を形成する。この半田バンプの配置の特徴を明確に示したのが図６である。図３では、半田バンプ３３のマイクロバンプセットにおいては、各バンプを略直線状に配列させている。一方、図６では、半田バンプ６１のマイクロバンプセットにおいては、略同じ大きさの各バンプを、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１と配線つきシリコンベンチ３１との間の距離が略一定である、配線つきシリコンベンチ３１の領域に配置している。

このように半田バンプ６１を配置することによって、半田バンプ６１の各々と、それらに対応する半田バンプ６１の各々と、それらに対応するＰＬＣ−ＶＯＡ２１の電極パッドの各々との距離はほぼ一定になるので、半田バンプ６１の各々と、それらに対応する電極パッドとの接着面積はそれぞれ、ほぼ同一の大きさにすることができる。よって、接着面積の大きさのばらつきをさらに抑制することができる。また、半田バンプ６４についても、接着面積の大きさの個々のばらつきを抑制するため、シリコンベンチ３１とＰＬＣ−ＶＯＡ２１との間の距離に応じて半田バンプ６４の大きさを個々に変化させている。具体的には、前述の距離が長い箇所では短い箇所に比べて、半田バンプの大きさを大きくしている。

なお、本実施形態では、ＰＬＣ−ＶＯＡ２１の、反りの大きい領域に形成される電極パッド（半田バンプ６１と接触する電極パッド）６２は、図７に示すように、半田バンプ６１の配置に応じて配線６３ａ〜６３ｅの長さを変えれば良い。

本発明の一実施形態に係る、ＭＺＩ−ＶＯＡの上面図である。 本発明の一実施形態に係る、ＭＺＩ−ＶＯＡを複数集積したＰＬＣ−ＶＯＡにおける、ＭＺＩ−ＶＯＡの集積部の上面図である。 本発明の一実施形態に係る、ＰＬＣ−ＶＯＡの、配線つきシリコンベンチへの実装前の様子を示す図である。 本発明の一実施形態に係る、ＰＬＣ−ＶＯＡの、配線つきシリコンベンチ３１への実装後の様子を示す図である。 図４のＡ−Ａ’線切断断面図である。 本発明の一実施形態に係る、ＰＬＣ−ＶＯＡの、配線つきシリコンベンチへの実装前の様子を示す図である。 本発明の一実施形態に係る、ＭＺＩ−ＶＯＡを複数集積したＰＬＣ−ＶＯＡにおける、ＭＺＩ−ＶＯＡの集積部の上面図である。

符号の説明

６ ヒータ
７ 配線
８ 電極パッド
２１ ＰＬＣ−ＶＯＡ
２２ａ〜２２ｅ 入力ポート
２４ 凸部
３１ 配線つきシリコンベンチ
３２ 凹部
３３、３４、６１、６４ 半田バンプ
３５、３６ 電気配線
３７ａ、３７ｂ Ｖ溝
３８ アライメント用の溝

Claims (5)

1. 反りを有する平面型光導波路を実装するシリコンベンチと、
   前記シリコンベンチの前記平面型光導波路との実装面に形成された、前記平面型光導波路と前記シリコンベンチとの接着および導通を行う複数のマイクロバンプとを備え、
   前記マイクロバンプの大きさは、前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時の、前記平面型光導波路の実装面と、前記シリコンベンチの実装面との間の距離に応じて変化しており、前記距離が所定の距離における前記シリコンベンチの第１の領域に形成されたマイクロバンプの大きさは、前記所定の距離よりも大きな距離における前記シリコンベンチの第２の領域に形成されたマイクロバンプの大きさよりも小さいことを特徴とする配線つきシリコンベンチ。
2. 前記マイクロバンプが半田からなる半田バンプであることを特徴とする請求項１記載の配線つきシリコンベンチ。
3. 前記マイクロバンプは、前記距離がほぼ同一となる前記シリコンベンチ上の第３の領域に形成されており、
   前記第３の領域に形成されたマイクロバンプの大きさは、互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載の配線つきシリコンベンチ。
4. 反りを有する平面型光導波路を実装するシリコンベンチと、
   前記シリコンベンチの前記平面型光導波路との実装面に形成された、前記平面型光導波路と前記シリコンベンチとの接着および導通を行うマイクロバンプを複数有するマイクロバンプセットを複数備え、
   前記マイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさはほぼ同一であり、
   前記マイクロバンプセット同士のマイクロバンプの大きさは互いに異なっており、
   前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時において、前記平面型光導波路との距離が最も近接する、前記シリコンベンチ上の第１の領域から所定の距離だけ離れた第２の領域に形成されるマイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさは、前記第１の領域から前記第２の領域よりも離れた第３の領域に形成されたマイクロバンプセットに含まれるマイクロバンプの大きさよりも小さいことを特徴とする配線つきシリコンベンチ。
5. 前記マイクロバンプセットの少なくとも１セットは、前記平面型光導波路の前記シリコンベンチへの実装時の、前記平面型光導波路の実装面と、前記シリコンベンチの実装面との間の距離がほぼ同一となる前記シリコンベンチ上の領域のうちの一領域に形成されていることを特徴とする請求項４記載の配線つきシリコンベンチ。
   

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