JP2007037102A - 薄膜バルク音響共振器および表面音響波共振器が集積された集積フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第1領域に位置する第1電極と、第1電極上に位置する第1圧電層と、第1圧電層上に位置する第2電極と、基板の上部表面上の所定第2領域に位置する第2圧電層と、第2圧電層上に位置するIDT(Interdigital Transducer)電極とを含む。IDT電極が、第2圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第1IDT電極と、第1IDT電極と噛み合ったコーム構造で製造された第2IDT電極とを含むことができ、第1圧電層および第2圧電層が同一物質で製造されることができる。これによって様々な周波数帯域で動作するフィルタを小型で製造できる。
【選択図】図1
Description
この場合、前記第1圧電層および第2圧電層は同一な物質からなっている。
また、前記第1電極と接続された第1パッドと、前記第2電極と接続された第2パッドと、前記第1IDT電極と接続された第3パッドと、前記第2IDT電極と接続された第4パッドとを更に含むことができる。
図1は本発明の一実施の形態にかかる集積フィルタの構成を示す垂直断面図である。同図によると、本集積フィルタは、基板110、第1電極120、第2圧電層130、第2圧電層140、第2IDT電極170、第1空洞部180、第2空洞部185、第1ないし第4パッド191ないし194を含んでなる。
基板110の上部表面上の所定第1領域には第1電極120が位置する。
第1電極120はメタルのような導電性物質からなる。
第1電極120および周辺基板110の領域上には第1圧電層130が位置する。この場合、第1圧電層130は第1電極120の上部にのみ位置することができるが、図1に示すように、第1電極120周辺の基板110領域まで延長製造して、基板110によって支持され得るようにすることが好ましい。
第1電極120、第1圧電層130、第2電極150はFBARを具現する。この場合、第1領域の下部基板110をエッチングして第1空洞部180を製造し、エアギャップ型FBARの形態で具現できる。これによって、第1電極120および第2電極150に電源が接続されると、第1圧電層130が圧電現象を引き起こして基板の表面に垂直方向に向って共振される。共振時に発生する音響波は第1空洞部180によって反射されて共振特性を向上させることができる。
即ち、同図において、第2電極150の下部には第1圧電層130および第1電極120が位置し、FBARを具現する。第1電極120には第1パッド191が接続され、第2電極150には第2パッド192が接続される。
図3Aにおいて、基板110上の所定の第1領域上には第1電極120を製造する。詳細には、メタルのような導電性物質を積層してからパターニングを行なう方式に基づいて第1電極120が製造される。
120…第1電極
130…第1圧電層
140…第2圧電層
150…第2電極
160…第1IDT電極
170…第2IDT電極
180…第1空洞部
185…第2空洞部
191…第1パッド
192…第2パッド
193…第3パッド
194…第4パッド
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上部表面上の所定第1領域に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する第1圧電層と、
前記第1圧電層上に位置する第2電極と、
前記基板の上部表面上の所定第2領域に位置する第2圧電層と、
前記第2圧電層上に位置するIDT(Interdigital Transducer)電極と
を含むことを特徴とする集積フィルタ(Integrated Filter)。 - 前記IDT電極が、
前記第2圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第1IDT電極と、
前記第2圧電層上に位置し、前記第1IDT電極と噛み合ったコーム構造で製造された第2IDT電極と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の集積フィルタ。 - 前記第1圧電層および第2圧電層は同一な物質からなっていることを特徴とする請求項2に記載の集積フィルタ。
- 前記第1電極の下部に製造された第1空洞部と、
前記第2圧電層の下部に製造された第2空洞部と
を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の集積フィルタ。 - 前記第1電極と接続された第1パッドと、
前記第2電極と接続された第2パッドと、
前記第1IDT電極と接続された第3パッドと、
前記第2IDT電極と接続された第4パッドと
を含むことを特徴とする請求項4に記載の集積フィルタ。 - 基板上の所定第1領域に第1電極を製造するステップと、
前記基板上に圧電物質を積層した後パターニングを行ない、前記第1電極上に位置する第1圧電層および前記第2基板上の所定第2領域に位置する第2圧電層を製造するステップと、
前記基板上に導電性物質を積層した後パターニングを行ない、前記第1圧電層上に位置した第2電極および前記第2圧電層上に位置したIDT電極を製造するステップと、
前記第1領域および第2領域の下部基板をエッチングし空洞部を製造するステップと
を含むことを特徴とする集積フィルタの製造方法。 - 前記IDT電極が、コーム構造でパターニングされた第1IDT電極および前記第1IDT電極と噛み合ったコーム構造でパターニングされた第2IDT電極から分離されたことを特徴とする請求項6に記載の集積フィルタの製造方法。
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