JP2007025869A - Electronic equipment and image formation apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To put electronic equipment into an available state in the shortest time when power is supplied regardless of the type of a memory to be connected or the number of stages of connection. <P>SOLUTION: An SDRAM control part 43 configuring a memory controller 40 is connected through a bus(signal line) to each memory M1 and M2, and a signal is transmitted between the memories M1 and M2 according to the instruction content of a CPU 11. Also, control buses L1 to L3 are provided with buffer circuits 71, 72 and 73, respectively, and signal driving capability is switched by switching control circuits 81, 82 and 83. When power is supplied, the signal driving capability of each of the buffer circuits 71, 72 and 73 is set so as to be selected by the minimum signal driving capability. Thus, it is possible to make the overshoot of a signal smaller than that when the signal driving capability is large, and to instantaneously execute initialization without damaging the memories M1 and M2. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器並びに、それを使用した画像形成装置に関する。   The present invention relates to an electronic apparatus and an image forming apparatus using the same.

従来より、CPU、メインメモリ、ROM、メモリコントローラ等のデバイスから構成された電子機器が広く知られている。この種の電子機器において、メインメモリは増設或いは、予め容量サイズの大きなものを実装させることが出来るようになっている。これは、メインメモリの記憶容量によって、システムの実行速度、或いは使用可能なアプリケーションが限定されるため、使用用途に応じて、容量を大きくする必要があるからである。
一方、メインメモリの記憶容量が大きくなると、基板に実装されるメモリチップの数が多くなり、メモリの負荷容量が多くなる。これにより、信号線を流れる電流量が多くなるから、信号の立ち上がりがなまって信号伝達遅延を生じる。そのため、係る信号伝達遅延を最小限に留めるために、メインメモリの負荷容量に応じて、メインメモリに対するアクセスラインのドライブ能力(以下、信号駆動能力という)を変更してやる必要があり、この種の技術が既に開示されている(下記特許文献1参照)。
このものは、複数個のバッファを並列接続したドライバ部とバッファの切り替えを行なうセレクタ部とを備え、増設されたメインメモリの識別情報に基づいてセレクタ部がバッファの切り替えを行なうようになっている。
特開平8−305629号公報
Conventionally, electronic devices including devices such as a CPU, a main memory, a ROM, and a memory controller are widely known. In this type of electronic device, the main memory can be expanded or a large-capacity memory can be mounted in advance. This is because the storage capacity of the main memory limits the execution speed of the system or the applications that can be used, so that it is necessary to increase the capacity according to the intended use.
On the other hand, when the storage capacity of the main memory increases, the number of memory chips mounted on the substrate increases, and the load capacity of the memory increases. As a result, the amount of current flowing through the signal line increases, so that the rise of the signal stops and a signal transmission delay occurs. Therefore, in order to minimize the signal transmission delay, it is necessary to change the drive capability (hereinafter referred to as signal drive capability) of the access line to the main memory in accordance with the load capacity of the main memory. Has already been disclosed (see Patent Document 1 below).
This includes a driver unit in which a plurality of buffers are connected in parallel and a selector unit for switching the buffer, and the selector unit switches the buffer based on the identification information of the added main memory. .
JP-A-8-305629

上記構成では、電源投入時に、まず、信号伝達能力を決定するための処理を行なう必要があり、早期にメモリを初期化させる処理を開始できない、という問題があった。
係る問題を解決する方策として、負荷容量の大きなメモリに対応するべく、最も大きな信号駆動能力のバッファを初期設定として選択しておき、信号伝達能力を決定するための処理を少なくとも、初期化の際には廃止することが考えられる。しかし、大きな信号伝達能力のバッファは、それだけ信号駆動能力が大きいということでもある。そのため、負荷容量が小さいメモリが接続されると、伝送される信号のオーバーシュートが大きくなり、同メモリが電気的に損傷を受ける恐れがあった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、接続されるメモリの種別、接続段数に拘わらず、電源投入時に最短の時間で電子機器を使用可能な状態とすることを目的とする。
In the above configuration, when power is turned on, it is necessary to first perform processing for determining the signal transmission capability, and there is a problem that processing for initializing the memory cannot be started at an early stage.
As a measure to solve such a problem, in order to cope with a memory having a large load capacity, a buffer having the largest signal driving capability is selected as an initial setting, and at least the processing for determining the signal transmission capability is performed at the time of initialization. Can be abolished. However, a buffer having a large signal transmission capability also has a large signal driving capability. For this reason, when a memory with a small load capacity is connected, the overshoot of the transmitted signal increases, and the memory may be electrically damaged.
The present invention has been completed based on the above circumstances, and is intended to make an electronic device usable in the shortest time when the power is turned on, regardless of the type of connected memory and the number of connected stages. Objective.

上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、制御手段と、前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を最も小さい信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を最も小さい信号駆動能力によって行なうところに特徴を有する。   As means for achieving the above object, the invention of claim 1 is directed to control means, a plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously, the control means, and the control means. A buffer circuit that drives a signal output from the control unit and outputs the signal to the memory; and a switching unit that switches a signal driving capability of the buffer circuit. In some cases, the switching means selects the signal driving capability of the buffer circuit as the smallest signal driving capability, and the process of initializing the memory is performed with the smallest signal driving capability.

請求項2の発明は、制御手段と、前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を、推奨されたメモリの中の最小のメモリを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち最小の信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を選択された信号駆動能力によって行なうところに特徴を有する。
尚、ここで言う、最小のメモリとは、負荷容量が最も小さいということである。
According to the second aspect of the present invention, there is a control means, a plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously, and between the control means and the memory and output from the control means. A buffer circuit that drives the signal to be output and outputs the signal to the memory, and a switching unit that switches a signal driving capability of the buffer circuit. A signal selected as a process for initializing the memory by selecting a driving capacity as the minimum signal driving capacity among the signal driving capacity capable of normally operating the smallest memory among the recommended memories. It is characterized in that it is performed depending on the driving ability.
In addition, the minimum memory said here is that load capacity is the smallest.

請求項3の発明は、制御手段と、前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を、推奨されたメモリの中の最小のメモリを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち、最大の信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を選択された信号駆動能力によって行なうところに特徴を有する。
尚、ここで言う、最小のメモリとは、負荷容量が最も小さいということである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a control means, a plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously, and between the control means and the memory, and output from the control means. A buffer circuit that drives the signal to be output and outputs the signal to the memory, and a switching unit that switches a signal driving capability of the buffer circuit. The process for initializing the memory is selected by selecting the drive capacity as the maximum signal drive capacity among the signal drive capacity capable of normally operating the smallest memory among the recommended memories. It is characterized in that it is performed by the signal driving capability.
In addition, the minimum memory said here is that load capacity is the smallest.

請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のものにおいて、前記メモリを初期化する処理が、CPUの起動に先立って行なわれるところに特徴を有する。   A fourth aspect of the invention is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the process of initializing the memory is performed prior to the activation of the CPU.

請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のものにおいて、前記初期化の対象となったメモリの種類を特定するための識別情報を、前記メモリから取得する取得手段と、前記取得手段によって取得された識別情報に基づいてメモリの種類を特定するとともに、そのときに選択されている前記信号駆動能力が特定されたメモリの種類に適合しているか、否かを判定する判定手段と、を備え、前記切替手段は、前記判定手段によって不適合と判定された場合には、前記信号駆動能力をより適合する信号駆動能力に切り替え、前記制御手段は、切り替えられた後の信号駆動能力で前記メモリを再初期化するところに特徴を有する。   According to a fifth aspect of the present invention, in the device according to any one of the first to fourth aspects, the acquisition means for acquiring, from the memory, identification information for specifying the type of the memory subject to the initialization. And specifying the type of memory based on the identification information acquired by the acquisition means, and determining whether or not the signal driving capability selected at that time is compatible with the specified type of memory And determining means for switching, when the determining means determines that the non-conforming is determined by the determining means, the signal driving ability is switched to a more suitable signal driving ability. It is characterized in that the memory is reinitialized with a signal driving capability.

請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のものにおいて、前記メモリが、予め機器に内蔵される内蔵メモリと、後に増設可能な増設メモリとからなり、前記内蔵メモリと前記制御手段との間、並びに前記増設メモリと前記制御手段との間には、専用の信号線がそれぞれ設けられ、更に、これら専用の信号線に対して、前記バッファ回路がそれぞれ個別に設けられていて、前記信号駆動能力の切り替えが、前記各メモリごとにそれぞれ独立して行なうことが出来るよう構成されているところに特徴を有する。   According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, the memory includes a built-in memory built in the device in advance and an additional memory that can be added later, and the built-in memory And the control means, and between the additional memory and the control means, dedicated signal lines are provided, respectively, and the buffer circuits are individually provided for these dedicated signal lines. Further, the present invention is characterized in that the signal drive capability can be switched independently for each memory.

請求項7の発明は、請求項6に記載のものにおいて、前記制御手段による前記メモリを初期化するための処理は、前記信号線を通じて接続された全てのメモリに対して同時に行なわれるよう構成され、当該メモリを初期化する処理が完了した後、前記取得手段は、前記増設メモリにアクセスして、その識別情報を前記内蔵メモリに記憶させるところに特徴を有する。   According to a seventh aspect of the present invention, in the method according to the sixth aspect, the process for initializing the memory by the control means is performed simultaneously for all the memories connected through the signal line. After the process of initializing the memory is completed, the acquisition unit accesses the additional memory and stores the identification information in the built-in memory.

請求項8の発明は、請求項7に記載のものにおいて、前記判定手段は、前記増設メモリがそのときに選択されている前記バッファ回路の信号駆動能力に適合しているか否かを、前記内蔵メモリに記憶されている前記識別情報に基づいて判定し、前記切替手段は、前記判定手段によって不適合と判定された場合には、前記増設メモリに連なる信号線のバッファ回路の信号駆動能力をより適合する信号駆動能力に変更するところに特徴を有する。   The invention according to an eighth aspect is the one according to the seventh aspect, wherein the determination means determines whether or not the additional memory is compatible with a signal driving capability of the buffer circuit selected at that time. Judgment is made based on the identification information stored in the memory, and the switching means is more adapted to the signal drive capability of the buffer circuit of the signal line connected to the additional memory when the determination means determines that it is incompatible. It is characterized in that it is changed to the signal driving capability.

請求項9の発明は、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の電子機器を有する画像形成装置である。   A ninth aspect of the present invention is an image forming apparatus having the electronic apparatus according to any one of the first to eighth aspects.

<請求項1の発明>
請求項1の発明によれば、バッファ回路の信号駆動能力は、最も小さい信号駆動能力に選択されている。そのため、負荷容量の小さなメモリが接続されたとしても、信号駆動能力が大きなものに比べて信号のオーバーシュートが小さくて済む。従って、メモリに損傷を与えることなく、初期化を即座に実行出来る。
<Invention of Claim 1>
According to the invention of claim 1, the signal drive capability of the buffer circuit is selected to be the smallest signal drive capability. For this reason, even when a memory with a small load capacity is connected, signal overshoot can be reduced as compared with a memory having a large signal driving capability. Therefore, initialization can be performed immediately without damaging the memory.

<請求項2の発明>
請求項2の発明によれば、バッファ回路の信号駆動能力は、推奨されたメモリの中の最小のメモリ(負荷容量の最も小さいメモリ)を正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち最小の信号駆動能力に選択されているため、信号駆動能力が大きなものに比べて信号のオーバーシュートが小さくなる。そのため、推奨された種類のメモリであれば(言い換えると、推奨されているものより負荷容量が小さいものが接続される場合を除いて)、同メモリに損傷を与えることなく、初期化を即座に実行出来る。
<Invention of Claim 2>
According to the second aspect of the present invention, the signal drive capability of the buffer circuit is the minimum of the signal drive capability capable of normally operating the smallest memory (memory having the smallest load capacity) in the recommended memory. Since the signal driving capability is selected, the signal overshoot is smaller than that with a large signal driving capability. Therefore, if the recommended type of memory is used (in other words, a memory with a smaller load capacity than the recommended type is connected), the initialization can be performed immediately without damaging the memory. Can be executed.

<請求項3の発明>
請求項3の発明によれば、バッファ回路の信号駆動能力は、推奨されたメモリの中の最小のメモリ(負荷容量の最も小さいメモリ)を正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち、最大の信号駆動能力に選択されている。そのため、請求項2の場合と同様に推奨された種類のメモリであれば同メモリに損傷を与えることもないし、適切かつ、即座に初期化し得るメモリの種類が多くなる。
<Invention of Claim 3>
According to the invention of claim 3, the signal drive capability of the buffer circuit is the signal drive capability capable of normally operating the smallest memory (memory having the smallest load capacity) in the recommended memory. The maximum signal drive capability is selected. Therefore, if the recommended type of memory is the same as in the case of claim 2, the memory is not damaged, and the number of types of memory that can be initialized appropriately and immediately increases.

<請求項4の発明>
請求項4の発明によれば、メモリを初期化する処理がCPUの起動に先立って行なわれるから、CPUが起動されたときには、すぐに、メモリを使用して処理を開始できる。
<Invention of Claim 4>
According to the fourth aspect of the present invention, the process of initializing the memory is performed prior to the activation of the CPU. Therefore, when the CPU is activated, the process can be started immediately using the memory.

<請求項5の発明>
請求項5の発明によれば、初回の初期化が行なわれた後、判定手段によって、信号駆動能力が適当でないと判定された場合には、より適合する信号駆動能力で再初期化するようになっている。換言すれば、判定手段によって適合と判断された場合には、信号駆動能力の切替を行なうことなく初回の初期化処理によってメモリの初期化が完了するから、既存のものに比べて、初期化を早期に完了させることが可能となる。
<Invention of Claim 5>
According to the fifth aspect of the present invention, after the initial initialization is performed, if the determination means determines that the signal drive capability is not appropriate, reinitialization is performed with a more suitable signal drive capability. It has become. In other words, if the determination means determines that it is suitable, the initialization of the memory is completed by the initial initialization process without switching the signal drive capability, so the initialization is performed compared to the existing one. It can be completed early.

<請求項6の発明>
請求項6の発明によれば、各メモリに対してバッファ回路が専用設けられているから、各メモリの種別に応じて、個別に信号駆動能力を切り替えることが可能となる。
<Invention of Claim 6>
According to the invention of claim 6, since the buffer circuit is provided exclusively for each memory, it becomes possible to individually switch the signal driving capability according to the type of each memory.

<請求項7の発明>
請求項7の発明によれば、内蔵メモリを使用して、識別情報の記憶が行なわれるから、それ専用の記憶手段を別に設ける必要がなく、システムを簡素化出来る。
<Invention of Claim 7>
According to the seventh aspect of the invention, since the identification information is stored using the built-in memory, it is not necessary to separately provide a dedicated storage means, and the system can be simplified.

<請求項8の発明>
請求項8の発明によれば、判定手段によっていずれかのメモリが不適合と判定されたときには、そのメモリに連なるバッファ回路の信号駆動能力のみを切り換えてやればよく、再初期化が必要最小限の処理で済む。
<Invention of Claim 8>
According to the eighth aspect of the present invention, when any of the memories is determined to be incompatible by the determining means, only the signal driving capability of the buffer circuit connected to the memory needs to be switched, and reinitialization is minimized. Processing is enough.

<請求項9の発明>
請求項9の発明によれば、電源投入後、メインメモリの初期化を早期に完了させることが出来るから、その分、印刷を早期に開始することが可能となる。
<Invention of Claim 9>
According to the ninth aspect of the present invention, the initialization of the main memory can be completed at an early stage after the power is turned on, so that the printing can be started at an early stage accordingly.

<実施形態1>
本発明の実施形態1について、図1ないし図9を参照して説明する。図1は、プリンタ装置の電気的構成を表すブロック図である。図2は、メイン基板の構成を示す図である。
プリンタ装置(本発明の画像形成装置に相当)1は、当該装置各部を統括制御するCPU11と、各種プログラムやパラメータ等を記憶するROM13と、画像データの格納やCPU11の作業領域に用いられるRAM15と、CPU11からの指令に従って装置各部に制御信号を入力するASIC17と、当該プリンタ装置1各部を同期動作させるための基準クロック信号CLK0を生成する発振器19と、ネットワーク伝送線を介して接続される外部装置と当該プリンタ装置1との間でデータ授受を行うネットワークインタフェース21と、USB(Universal Serial Bus)規格に基づくデータを入出力するUSB端子23と、ネットワークインタフェース21やUSB端子23を介して外部装置から入力された画像データに従って画像を用紙に形成(印刷)する画像形成部25と、ユーザが操作可能な各種キーからなる操作部27と、プリンタ装置1に関する各種情報を表示する表示部(液晶パネル等)29と、を備える。
<Embodiment 1>
Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of the printer apparatus. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the main board.
A printer apparatus (corresponding to an image forming apparatus of the present invention) 1 includes a CPU 11 that controls each part of the apparatus, a ROM 13 that stores various programs, parameters, and the like, and a RAM 15 that is used for storing image data and a work area of the CPU 11. , An ASIC 17 for inputting a control signal to each part of the apparatus according to a command from the CPU 11, an oscillator 19 for generating a reference clock signal CLK0 for synchronizing each part of the printer apparatus 1, and an external apparatus connected via a network transmission line Interface 21 that exchanges data with the printer apparatus 1, a USB terminal 23 that inputs and outputs data based on the USB (Universal Serial Bus) standard, and an external device via the network interface 21 and the USB terminal 23. Paper is printed according to the input image data It includes an image forming unit 25 for forming (printing), an operation unit 27 by the user consists operable various keys, display unit for displaying various information about the printer apparatus 1 (liquid crystal panel) 29, a.

画像形成部25は、周知のレーザプリンタ装置と同様、レーザユニットや、帯電器、感光体、現像器、転写器、定着器、これら各部をASIC17からの制御信号に従って動作させるためのエンジン基板、などからなる。画像形成部25は、ASIC17からの制御信号に従って、帯電器にて帯電された感光体にレーザを照射し、それによって感光体上に静電潜像を形成し、その静電潜像を現像器を用いて現像し、それによって感光体上に形成された現像剤像を転写器を用いて用紙に転写し、その像を定着器にて用紙に定着させることで、用紙に画像を形成する。   The image forming unit 25 is a laser unit, a charger, a photosensitive member, a developing unit, a transfer unit, a fixing unit, an engine board for operating these units in accordance with a control signal from the ASIC 17, etc. Consists of. The image forming unit 25 irradiates the photosensitive member charged by the charger with a laser in accordance with a control signal from the ASIC 17, thereby forming an electrostatic latent image on the photosensitive member, and developing the electrostatic latent image on the developing unit. Then, the developer image formed on the photosensitive member is transferred onto a sheet using a transfer unit, and the image is formed on the sheet by fixing the image on the sheet using a fixing unit.

本実施形態のROM13は、複数のROMチップから構成される(図2参照)。一方、RAM(本発明のメモリに相当)15は、一の基板上に複数のSDRAMチップが搭載されたメモリモジュールM(以下、単にメモリMと呼ぶ)から構成されている。   The ROM 13 of this embodiment is composed of a plurality of ROM chips (see FIG. 2). On the other hand, the RAM (corresponding to the memory of the present invention) 15 is composed of a memory module M (hereinafter simply referred to as a memory M) in which a plurality of SDRAM chips are mounted on one substrate.

CPU11は、ROM13に格納されたプログラム等に基づいて各種演算処理を実行するCPUコア、ASIC17とCPUコアとの間で相互に伝送される各種データ・制御信号を中継するインタフェース回路、発振器19から入力される基準クロック信号を逓倍するPLL回路などから構成されている。CPUコアは、PLL回路により高周波数化されたクロックに同期して動作する。   The CPU 11 is a CPU core that executes various arithmetic processes based on programs stored in the ROM 13, an interface circuit that relays various data and control signals transmitted between the ASIC 17 and the CPU core, and an input from the oscillator 19. A PLL circuit that multiplies the reference clock signal to be generated. The CPU core operates in synchronization with a clock whose frequency is increased by the PLL circuit.

メイン基板10には、上記したCPU11、ASIC17、ROM13、発振器19、ネットワークインタフェース21、及びUSB端子23が実装されるとともに、メモリMを装着するため複数のスロットSL1〜SL3が設けられている。製品出荷時には、複数のスロットSL1〜SL3の内の一つに内蔵メモリM1が装着されており、他のスロットSL2,SL3は、メモリを増設するための増設用のスロットとして機能する。また、ASIC17にはメモリコントローラ(本発明の制御手段に相当)40が設けられている。   On the main board 10, the CPU 11, ASIC 17, ROM 13, oscillator 19, network interface 21, and USB terminal 23 are mounted, and a plurality of slots SL 1 to SL 3 are provided for mounting the memory M. At the time of product shipment, the built-in memory M1 is mounted in one of the plurality of slots SL1 to SL3, and the other slots SL2 and SL3 function as expansion slots for adding memory. The ASIC 17 is provided with a memory controller (corresponding to the control means of the present invention) 40.

図3は、メモリコントローラの電気的構成を表すブロック図である。
メモリコントローラ40は、CPU命令解析部41、SDRAM制御部43などからなり、CPU11からの制御信号に従って、メモリMの制御を行なうものである。
FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the memory controller.
The memory controller 40 includes a CPU instruction analysis unit 41, an SDRAM control unit 43, and the like, and controls the memory M in accordance with a control signal from the CPU 11.

より具体的に説明すると、CPU命令解析部41は、CPU11からの制御信号をデコード処理して、それがメモリMに対する制御信号であるか否か判断し、その信号がメモリMに対する制御信号であると判断すると、その内容(CPU11の命令内容)をSDRAM制御部43に入力する。   More specifically, the CPU instruction analysis unit 41 decodes the control signal from the CPU 11 to determine whether or not it is a control signal for the memory M, and the signal is a control signal for the memory M. If it is determined, the contents (command contents of the CPU 11) are input to the SDRAM control unit 43.

SDRAM制御部43は、データ制御回路51、アドレス制御回路53、制御信号生成回路55などからなる。そして、SDRAM制御部43は、データ信号を伝送するためのデータバス61と、アドレス信号ADRを伝送するためのアドレスバス63と、制御信号を伝送するコントロールバスL0〜L3によりメモリMとの間が相互接続され、CPU命令解析部41から入力されたCPU11の命令内容に従って、前記3つのバスを通じてメモリMとの間で信号を伝送させるようになっている。尚、上記したデータバス、アドレスバス、コントールバスを総じて、バスラインと呼ぶものとする。   The SDRAM control unit 43 includes a data control circuit 51, an address control circuit 53, a control signal generation circuit 55, and the like. The SDRAM control unit 43 communicates with the memory M by a data bus 61 for transmitting data signals, an address bus 63 for transmitting address signals ADR, and control buses L0 to L3 for transmitting control signals. The signals are transmitted to and from the memory M through the three buses according to the instruction contents of the CPU 11 input from the CPU instruction analysis unit 41, which are interconnected. The above data bus, address bus, and control bus are collectively referred to as a bus line.

以下、SDRAM制御部43の各制御回路51、53、55について説明する。
データ制御回路51は、CPU11から入力されたデータ信号のメモリMへの出力を制御し、又、メモリMから入力されたデータ信号のCPU11への出力を制御するものである。
アドレス制御回路53は、CPU11から入力された制御信号に従って、メモリMにおけるデータ読出又は書込先のアドレスの指定を行うものである。
Hereinafter, the control circuits 51, 53, and 55 of the SDRAM control unit 43 will be described.
The data control circuit 51 controls the output of the data signal input from the CPU 11 to the memory M, and controls the output of the data signal input from the memory M to the CPU 11.
The address control circuit 53 performs data reading or writing address designation in the memory M in accordance with a control signal input from the CPU 11.

制御信号生成回路55はメモリMに対する制御信号(コマンド信号)を生成、出力するためのものであって、第一信号生成部57と第二信号生成部59とを備えてなる。第一信号生成部57では、メモリMの制御信号として、周知のローアドレスストローブ(RAS#)信号、カラムアドレスストローブ(CAS#)信号、ライトイネーブル(WE#)信号が生成される。   The control signal generation circuit 55 generates and outputs a control signal (command signal) for the memory M, and includes a first signal generation unit 57 and a second signal generation unit 59. The first signal generator 57 generates a known row address strobe (RAS #) signal, column address strobe (CAS #) signal, and write enable (WE #) signal as control signals for the memory M.

また、本実施形態において、メモリMは内蔵メモリM1の他に、増設メモリM2が1段増設されており、第一信号生成部57と各メモリM1、M2との間は、共通のコントロールバスL0で接続されている。   In the present embodiment, the memory M includes an additional memory M2 in addition to the built-in memory M1, and a common control bus L0 is provided between the first signal generator 57 and the memories M1 and M2. Connected with.

一方、第二信号生成部59では、各メモリM1、M2の制御信号として、周知のチップセレクト(CS#)信号、クロック(CLK)信号が生成される。そして、第二信号生成部59と各メモリM1〜M2との間は、それぞれ専用のコントロールバス(本発明の専用の信号線に相当)L1〜L2で接続されるとともに、同コントロールバスL1〜L2には、それぞれ専用のバッファ回路71〜72が設けられている。
尚、本実施形態では、増設メモリを2段まで増設することが可能とされているので、それに対応してコントロールバスL3並びに、バッファ回路73が予め設けてある。
On the other hand, the second signal generator 59 generates a known chip select (CS #) signal and clock (CLK) signal as control signals for the memories M1 and M2. The second signal generator 59 and each of the memories M1 and M2 are connected by dedicated control buses (corresponding to dedicated signal lines of the present invention) L1 and L2, and the control buses L1 and L2 are connected. Are provided with dedicated buffer circuits 71 to 72, respectively.
In the present embodiment, since it is possible to increase the number of additional memories up to two, a control bus L3 and a buffer circuit 73 are provided in advance corresponding thereto.

これらバッファ回路71〜73はいずれも同一構造であって、図4に示すように、互いに並列に接続される4個のバッファチップ77a〜77dにより構成される。これら、各バッファチップ77a〜77dは第二信号生成部59から出力された制御信号を駆動(増幅して信号波形を整形)させるためのものであって、本実施形態では、77a、77b、77c、77dの順に信号駆動能力が高くなっている。   These buffer circuits 71 to 73 all have the same structure, and are constituted by four buffer chips 77a to 77d connected in parallel to each other as shown in FIG. Each of these buffer chips 77a to 77d is for driving (amplifying and shaping a signal waveform) the control signal output from the second signal generating unit 59. In this embodiment, 77a, 77b and 77c are used. , 77d, the signal driving capability increases.

このように、異なる信号駆動能力(信号増幅率等が変えてある)のバッファチップ77を複数個備えるのは、メモリM並びにコントロールバスL1〜L3の負荷容量に応じて信号駆動能力を切り替えるためである。
尚、負荷容量は、いわばメモリアクセス量であり、一のメモリMに対して複数のメモリアクセスが同時に発生する場合(例えば一の基板上に多数のSDRAMチップが搭載されている場合)に大きくなる。
また、信号駆動能力とは、信号伝達遅延を最小限(言い換えれば、許容範囲内)に留めた上で、コントロールバスに流し得る電流量を定めるものであって、信号駆動能力が高いほど、電流量を大きくとれる。そのため、この場合には、負荷容量の大きなメモリを接続しても、遅延を生じない。一方、これとは反対に信号駆動能力が低い場合には電流量が制限され、制限を越えるような負荷容量の大きなメモリを接続すると、遅延を生ずることとなる。
As described above, the plurality of buffer chips 77 having different signal driving capabilities (signal amplification factors and the like are changed) are provided in order to switch the signal driving capability according to the load capacity of the memory M and the control buses L1 to L3. is there.
The load capacity is a so-called memory access amount, and becomes large when a plurality of memory accesses occur simultaneously for one memory M (for example, when a large number of SDRAM chips are mounted on one substrate). .
In addition, the signal driving capability is to determine the amount of current that can flow to the control bus while keeping the signal transmission delay to a minimum (in other words, within an allowable range). You can take a large amount. Therefore, in this case, no delay occurs even when a memory having a large load capacity is connected. On the other hand, when the signal driving capability is low, the amount of current is limited, and if a memory having a large load capacity that exceeds the limit is connected, a delay occurs.

次に、バッファチップ77a〜77dの設定・切り替え動作について具体的に説明すると、各バッファ回路71、72、73には、CPU命令解析部41に連なる専用の切替制御回路(本発明の切替手段に相当)81〜83がそれぞれ設けられている。これら各切替制御回路81〜83には、対応するバッファ回路71〜73の各バッファチップ77a〜77dの出力イネーブル端子78がそれぞれ接続され、各出力イネーブル端子78の電圧レベルを個別に切り替えることが出来るようになっている。そのため、例えば、バッファ回路71のバッファチップ77a〜77dについて設定・或いは切替を行なう場合には、切替制御回路81を通じてバッファ回路71のうち、いずれか一のバッファチップ77a〜77dの出力イネーブル端子78をHレベルとし、それ以外のバッファチップの出力イネーブル端子78をLレベルにすることで、Hレベルとされたバッファチップ77のみイネーブルされ、同バッファチップ77だけが動作することとなる。   Next, the setting / switching operation of the buffer chips 77a to 77d will be described in detail. Each buffer circuit 71, 72, 73 includes a dedicated switching control circuit connected to the CPU instruction analysis unit 41 (in the switching means of the present invention). Equivalent) 81 to 83 are provided. These switching control circuits 81 to 83 are connected to the output enable terminals 78 of the buffer chips 77a to 77d of the corresponding buffer circuits 71 to 73, respectively, and the voltage levels of the output enable terminals 78 can be individually switched. It is like that. Therefore, for example, when setting or switching is performed for the buffer chips 77 a to 77 d of the buffer circuit 71, the output enable terminal 78 of any one of the buffer chips 77 a to 77 d among the buffer circuits 71 is switched through the switching control circuit 81. By setting the output enable terminal 78 of the other buffer chips to the L level, only the buffer chip 77 set to the H level is enabled, and only the buffer chip 77 operates.

また、上記したバッファ回路71〜73は第二信号生成部59のバスラインL1〜L3にのみ設けられている。本来的には、第一信号生成部57や、データ制御回路51、アドレス制御回路53のバスラインに対してもバッファ回路を専用に設けることが好ましいが、回路素子が実装されるメイン基板10の大きさには制限がある。そこで、本実施形態では必要最低限の構成、すなわち信号波形の遅延に最も影響がある第二信号生成部59のバスラインL1〜L3にのみバッファ回路71〜73を設ける構成としてある。   The buffer circuits 71 to 73 are provided only on the bus lines L1 to L3 of the second signal generator 59. Originally, it is preferable to provide a dedicated buffer circuit for the bus lines of the first signal generation unit 57, the data control circuit 51, and the address control circuit 53, but the main circuit 10 on which the circuit elements are mounted is preferably provided. There is a limit to the size. Therefore, in this embodiment, the minimum necessary configuration, that is, the buffer circuits 71 to 73 are provided only on the bus lines L1 to L3 of the second signal generation unit 59 that has the greatest influence on the delay of the signal waveform.

図3に示す符号91はリセットIC、符号93はRESET制御部である。RESET制御部93は、リセットIC91から出力される信号Seに基づいて動作して、CPU11並びにSDRAM制御部43に、所定のタイミングでリセット信号Sra/Srcを出力し、CPU11並びにSDRAM制御部43を起動させるものである。すなわち、CPU11並びにSDRAM制御部43は電源投入後は、すぐには起動されず、RESET制御部93から出力されるリセット信号Sra/Srcを受信すると、始めて起動されるようになっている。   Reference numeral 91 shown in FIG. 3 is a reset IC, and reference numeral 93 is a RESET control unit. The RESET control unit 93 operates based on the signal Se output from the reset IC 91, outputs a reset signal Sra / Src to the CPU 11 and the SDRAM control unit 43 at a predetermined timing, and activates the CPU 11 and the SDRAM control unit 43. It is something to be made. That is, the CPU 11 and the SDRAM control unit 43 are not activated immediately after the power is turned on, but are activated only when the reset signal Sra / Src output from the RESET control unit 93 is received.

また、先にも説明したように、本実施形態では、内蔵メモリM1の他に増設メモリM2が増設されているが、同増設メモリM2には、図5に示すように、SPDチップ97が予め内蔵されている。SPDチップ97にはバンク数、チップ構成等のデバイス情報たるSPDデータ(本発明の識別情報に相当)が予め記憶されている。   In addition, as described above, in this embodiment, the additional memory M2 is expanded in addition to the built-in memory M1, and the SPD chip 97 is previously stored in the additional memory M2, as shown in FIG. Built in. The SPD chip 97 stores in advance SPD data (corresponding to the identification information of the present invention) as device information such as the number of banks and the chip configuration.

次に、SDRAM制御部43によるメモリの初期化処理について、図6ないし図8を参照して説明する。図6は、メモリ初期化の処理手順を示すフローチャート、図7はASIC、CPUが起動されるタイミングを示すタイミングチャート図、図8はバッファチップの初期設定、並びに切り替えの様子を示す図である。   Next, memory initialization processing by the SDRAM control unit 43 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart showing a memory initialization processing procedure, FIG. 7 is a timing chart showing timings at which the ASIC and the CPU are activated, and FIG. 8 is a diagram showing buffer chip initialization and switching.

図6に示すように、プリンタ装置1の電源が投入されることで処理が開始されて、リセットIC91によりRESET制御部93に対して信号Seが出力される(ステップ10、20)。これにより、図7に示すt1時点でRESET制御部93が起動され、ステップ30に移行する。   As shown in FIG. 6, the processing is started when the printer apparatus 1 is turned on, and the reset Se 91 outputs a signal Se to the RESET control unit 93 (steps 10 and 20). As a result, the RESET control unit 93 is activated at time t1 shown in FIG.

ステップ30並びに、それに続くステップ40では、メモリM1、M2を初期化する処理が行なわれる。まず、ステップ30では、SDRAM制御部43の第二信号生成部59から両メモリM1、M2に対して、それぞれコントロールバスL1、L2を通じて、安定したクロック信号が同時に送信される。   In step 30 and subsequent step 40, processing for initializing memories M1 and M2 is performed. First, in step 30, stable clock signals are simultaneously transmitted from the second signal generation unit 59 of the SDRAM control unit 43 to the memories M1 and M2 through the control buses L1 and L2, respectively.

そして、このときの、各バッファ回路71、72のバッファチップ77の設定であるが、いずれも信号駆動能力の最も小さいバッファチップ77aが使用されるように予め設定されている。すなわち、電源投入時には、バッファチップ77aの出力イネーブル端子78のみが切替制御回路81、82によりHレベルに設定され、それ以外のバッファチップ77b、77c、77dの出力イネーブル端子78は切替制御回路81、82によりいずれもLレベルに設定される。そして、係る信号駆動能力で、クロック信号の送信が約200μs間持続されると、その後、ステップ40に移行する。   In this case, the buffer chip 77 of each of the buffer circuits 71 and 72 is set in advance so that the buffer chip 77a having the smallest signal driving capability is used in advance. That is, when the power is turned on, only the output enable terminal 78 of the buffer chip 77a is set to the H level by the switching control circuits 81 and 82, and the output enable terminals 78 of the other buffer chips 77b, 77c and 77d are set to the switching control circuit 81, Both are set to L level by 82. Then, when transmission of the clock signal is continued for about 200 μs with such signal driving capability, the process proceeds to step 40 thereafter.

ステップ40では、RESET制御部93によって、ASIC17に対してリセット信号Sraが出力される。これにより、図7に示すt2時点で、メモリコントローラ40を含むASIC17全体が起動状態となるからコントロールバスL0〜L3を通じて各種制御コマンドを送信可能となる。これにより、制御信号生成回路55から各メモリM1、M2に対してリフレッシュコマンドが8回送信されて、両メモリM1、M2が同時にリフレッシュされる。   In step 40, the reset signal Sra is output to the ASIC 17 by the RESET control unit 93. Accordingly, since the entire ASIC 17 including the memory controller 40 is activated at time t2 shown in FIG. 7, various control commands can be transmitted through the control buses L0 to L3. As a result, a refresh command is transmitted eight times from the control signal generation circuit 55 to each of the memories M1 and M2, and both the memories M1 and M2 are refreshed simultaneously.

そして、リフレッシュが行なわれる際においても、バッファ回路71、72の信号駆動能力は初期設定のまま維持されるようになっている。すなわち、メモリコントローラ40はCPU命令解析部41を通じてバッファチップ77aの出力イネーブル端子78のみがHレベルとなるように切替制御回路81、82の制御を行なう。
尚、以上述べたように、バッファチップ77aの出力イネーブル端子78のみが切替制御回路81、82によってHレベルに設定され、それ以外のバッファチップ77b、77c、77dの出力イネーブル端子78は切替制御回路81、82によっていずれもLレベルに設定されることにより、本発明の「前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を最も小さい信号駆動能力に選択して」が具現化されている。
Even when refreshing is performed, the signal drive capability of the buffer circuits 71 and 72 is maintained at the initial setting. That is, the memory controller 40 controls the switching control circuits 81 and 82 through the CPU instruction analysis unit 41 so that only the output enable terminal 78 of the buffer chip 77a becomes H level.
As described above, only the output enable terminal 78 of the buffer chip 77a is set to the H level by the switching control circuits 81 and 82, and the other output enable terminals 78 of the buffer chips 77b, 77c and 77d are the switching control circuit. By setting both to 81 and 82 to the L level, “the signal driving capability of the buffer circuit is selected as the smallest signal driving capability by the switching means” of the present invention is realized.

かくして、ステップ30において安定したクロック信号の送信が約200μs間持続され、その後、リフレッシュを8回行なうことで、両メモリM1、M2に対する初期化処理が一応、完了する。そして、初期化の完了に続いて、ステップ50に移行する。   Thus, the stable transmission of the clock signal is continued for about 200 μs in step 30, and then the refresh process is performed eight times, whereby the initialization processing for both memories M1 and M2 is completed. Then, following the completion of initialization, the process proceeds to step 50.

ステップ50では、RESET制御部93からCPU11に対して、リセット信号Srcが出力され、図7に示すt3時点でCPU11が起動状態となる。そして、先にも述べたように、このときには、既にメモリM1、M2の初期化が完了した状態にあるから、CPU11は内蔵メモリM1、或いは増設メモリM2をワーキングメモリとして処理を直ちに開始できる状態にある。   In step 50, the reset signal Src is output from the RESET control unit 93 to the CPU 11, and the CPU 11 is activated at time t3 shown in FIG. As described above, since the initialization of the memories M1 and M2 has already been completed at this time, the CPU 11 can immediately start the processing using the built-in memory M1 or the additional memory M2 as a working memory. is there.

ステップ60では、CPU11による増設メモリM2の種別を特定するための処理が行なわれる。すなわち、CPU11は増設メモリM2のSPDチップ97にアクセスしてSPDチップ97に記録されているSPDデータ(バンク数、チップ構成等の情報)の読み出しを行ない、その後、読み出したSPDデータをメモリコントローラ40を通じて、一旦、内蔵メモリM1に記憶させる。
尚、CPU11が本発明の取得手段に相当するものであり、ステップ60の処理により取得手段の果たす機能が実現されている。
In step 60, processing for specifying the type of the additional memory M2 by the CPU 11 is performed. That is, the CPU 11 accesses the SPD chip 97 of the expansion memory M2 and reads the SPD data (information such as the number of banks and the chip configuration) recorded on the SPD chip 97, and then reads the read SPD data into the memory controller 40. Through the internal memory M1.
The CPU 11 corresponds to the acquisition means of the present invention, and the function fulfilled by the acquisition means is realized by the processing of step 60.

その後、処理はステップ70に移行し、そこで、CPU11によりバッファ回路72の信号駆動能力を判定する処理が行なわれる。すなわち、CPU11は内蔵メモリM1にアクセスして記憶されたSPDデータを読み出し、それに基づいて、増設メモリM2の負荷容量の総計を算出する。その後、算出された増設メモリM2の負荷容量がコントロールバスL2に連なるバッファ回路72の信号駆動能力の範囲内に、おさまっているか、判定をする。
尚、CPU11が本発明の判定手段に相当するものであり、ステップ70の処理により判定手段の果たす機能が実現されている。また、上記した信号駆動能力の範囲内とは、信号遅延による初期化異常が生ずることがない範囲のことである。
Thereafter, the process proceeds to step 70, where the CPU 11 performs a process of determining the signal driving capability of the buffer circuit 72. That is, the CPU 11 accesses the built-in memory M1 and reads the stored SPD data, and calculates the total load capacity of the additional memory M2 based on the SPD data. Thereafter, it is determined whether the calculated load capacity of the additional memory M2 falls within the range of the signal driving capability of the buffer circuit 72 connected to the control bus L2.
The CPU 11 corresponds to the determination means of the present invention, and the function fulfilled by the determination means is realized by the processing of step 70. Further, the range of the signal driving capability described above is a range in which initialization abnormality due to signal delay does not occur.

ステップ70で範囲内と判定された場合には、ステップ80に移行、すなわち、一連の初期化処理が全て完了し、それ以降、メモリM1、M2は通常動作されることとなる。このように、ステップ70で範囲内と判定された場合には、図8に示すように、バッファチップ77の切り替えが行なわれることなく、メモリM1、M2の初期化が完了する。   If it is determined in step 70 that the value is within the range, the process proceeds to step 80, that is, a series of initialization processes are all completed, and thereafter, the memories M1 and M2 are normally operated. As described above, when it is determined in step 70 that the value is within the range, the initialization of the memories M1 and M2 is completed without switching the buffer chip 77 as shown in FIG.

一方、ステップ70において、範囲外と判定された場合には、ステップ73に移行して、残る3つのバッファチップ77b、77c、77dの中から、最も適した信号駆動能力を有するバッファチップ77を選択する処理がCPU11によって行なわれる。ここでは、増設メモリM2の負荷容量の大きさと、各バッファチップ77b、77c、77dの信号駆動能力を比較した結果、バッファチップ77cがより適合するものとして選択されたものとする。   On the other hand, if it is determined in step 70 that it is out of range, the process proceeds to step 73, and the buffer chip 77 having the most suitable signal driving capability is selected from the remaining three buffer chips 77b, 77c, 77d. The CPU 11 performs the processing to be performed. Here, as a result of comparing the magnitude of the load capacity of the additional memory M2 and the signal driving capability of each of the buffer chips 77b, 77c, 77d, it is assumed that the buffer chip 77c is selected as being more suitable.

そして、バッファチップ77cの選択に続いてバッファチップ77を切り替える処理が行なわれる。すなわち、CPU11からの指令により、バッファ回路72のバッファチップ77cの出力イネーブル端子78が切替制御回路82によりLレベルからHレベルに切り替えられ、これとは反対に、バッファチップ77aの出力イネーブル端子78が切替制御回路82によりHレベルからLレベルに切り替えられる。   Then, a process of switching the buffer chip 77 is performed following the selection of the buffer chip 77c. That is, in response to a command from the CPU 11, the output enable terminal 78 of the buffer chip 77c of the buffer circuit 72 is switched from the L level to the H level by the switching control circuit 82. On the contrary, the output enable terminal 78 of the buffer chip 77a is The switching control circuit 82 switches from the H level to the L level.

かくして、バッファ回路72の有効なバッファチップ77が、図8に示すように77aから77cに切り替えられると、今度は、ステップ75に移行し、そこで切り替え後の信号駆動能力によって増設メモリM2を再初期化する処理、すなわち、先に説明したステップ30並びにステップ40の処理が、再度行なわれる。そして、増設メモリM2の再初期化が完了すると、ステップ80に移行、すなわち、一連の初期化処理が全て完了し、それ以降、メモリM1、M2は通常動作されることとなる。
尚、上記したメモリMの初期化は、電源が投入される度に、毎回行なわれる。
Thus, when the effective buffer chip 77 of the buffer circuit 72 is switched from 77a to 77c as shown in FIG. 8, this time, the process proceeds to step 75, where the additional memory M2 is reinitialized by the signal driving capability after switching. That is, the process of step 30 and step 40 described above is performed again. When the re-initialization of the additional memory M2 is completed, the process proceeds to step 80, that is, all the series of initialization processes are completed, and thereafter, the memories M1 and M2 are normally operated.
The above-described initialization of the memory M is performed every time the power is turned on.

このように本実施形態によれば、バッファ回路71、72の信号駆動能力はいずれも、初期設定において最も小さい信号駆動能力に設定されている。仮に、信号駆動能力を高く設定しておくと、図9(a)に示すように、信号駆動能力に比べて負荷容量の小さなメモリ(主として増設メモリ)が接続されると信号の立ち上がり時にオーバーシュートが大きく現れるから、初期化を行なうときに、規定より高い電圧が加わって同メモリMを損傷させる恐れがある。しかし、本実施形態のものは、信号駆動能力の小さいバッファチップ77aが選択されているから、図9(b)に示すように信号のオーバーシュートが抑えられる。   As described above, according to this embodiment, the signal drive capabilities of the buffer circuits 71 and 72 are both set to the smallest signal drive capability in the initial setting. If the signal drive capability is set high, as shown in FIG. 9A, if a memory having a smaller load capacity than the signal drive capability (mainly an additional memory) is connected, overshoot occurs at the rise of the signal. Therefore, when initialization is performed, a voltage higher than specified may be applied to damage the memory M. However, in this embodiment, since the buffer chip 77a having a small signal driving capability is selected, signal overshoot is suppressed as shown in FIG. 9B.

そのため、負荷容量の比較的小さなメモリMが接続されていたとしても、同メモリMに損傷を与えることがない。   Therefore, even if a memory M having a relatively small load capacity is connected, the memory M is not damaged.

一方、初期設定されたバッファチップ77aの信号駆動能力に比べて、負荷容量の大きなメモリMが接続されると、信号伝達遅延が生じ、初期化を確実に行なうことが出来ない恐れがあるが、内蔵メモリM1については、チップ構成が予め定められており、信号遅延が生ずるようなものが接続されることがないから、確実に初期化を行なうことが出来る。そのため、次述する一部の場合を除いて、信号駆動能力の切替を行なうことなく、予め設定された信号駆動能力で初期化を完了出来るから、その分、印刷を早期に開始することが可能となる。   On the other hand, if a memory M having a large load capacity is connected as compared with the signal driving capability of the buffer chip 77a that is initially set, a signal transmission delay may occur, and initialization may not be performed reliably. As for the built-in memory M1, since the chip configuration is determined in advance and the one that causes the signal delay is not connected, the initialization can be surely performed. Therefore, except for some cases described below, the initialization can be completed with the preset signal driving capability without switching the signal driving capability, so that printing can be started earlier by that amount. It becomes.

増設メモリM2は、内蔵メモリM1とは異なり、使用用途に応じて様々なものが実装されるため、上記した信号駆動能力で初期設定しておくと、選択されている信号駆動能力の範囲を超えるような負荷容量のものが実装されることがある。しかし、この場合には、初期設定の信号駆動能力で一応の初期化がなされた後、CPU11が信号駆動能力について判定を行い(S70の処理)、そこで、信号駆動能力が適当でないと判定された場合には、より適合する信号駆動能力で増設メモリM2を再初期化する(S75の処理)。従って、係る場合であっても、正常に初期化を完了させることが出来るから、システムの信頼性が高まる。   Unlike the built-in memory M1, the expansion memory M2 is mounted in various manners depending on the intended use. Therefore, if the initial setting is performed with the signal driving capability described above, it exceeds the range of the selected signal driving capability. Such a load capacity may be mounted. However, in this case, after initial initialization with the initially set signal driving capability, the CPU 11 determines the signal driving capability (processing of S70), and it is determined that the signal driving capability is not appropriate. In this case, the additional memory M2 is reinitialized with a more suitable signal driving capability (processing of S75). Therefore, even in such a case, the initialization can be completed normally, so that the reliability of the system is improved.

そして、信号駆動能力を判定する際には、増設メモリM2のSPDデータを一時記憶させておく必要があるが、これを内蔵メモリM1を使用して記憶させるようにしてある。   Then, when determining the signal driving capability, it is necessary to temporarily store the SPD data of the expansion memory M2, but this is stored using the built-in memory M1.

また、本実施形態のものは、各コントールバスL1〜L3ごとにそれぞれバッファ回路71〜73が専用に設けられて信号駆動能力を独立して切り替えることが出来るようになっている。そのため、負荷容量が互いに異なる増設メモリMがメイン基板10に複数実装された場合に、いずれかの増設メモリMが不適合と判定されたときには、そのメモリMに連なるバッファ回路の信号駆動能力のみを切り替えてやればよく、再初期化が必要最小限の処理で済む。   Further, in the present embodiment, buffer circuits 71 to 73 are dedicatedly provided for the respective control buses L1 to L3 so that the signal driving capability can be switched independently. Therefore, when a plurality of expansion memories M having different load capacities are mounted on the main board 10 and only one of the expansion memories M is determined to be incompatible, only the signal drive capability of the buffer circuit connected to the memory M is switched. It is enough to re-initialize the process.

加えて、本実施形態のものは、メモリM1、M2の初期化がCPU11の起動に先立って行なわれるようになっている。このような構成であれば、CPU11の起動と同時にメモリM1、M2を使用して処理を開始できる。   In addition, in the present embodiment, the memories M1 and M2 are initialized before the CPU 11 is activated. With such a configuration, the processing can be started using the memories M1 and M2 simultaneously with the activation of the CPU 11.

<実施形態2>
次に、本発明の実施形態2について説明する。
実施形態1では、電源投入時において、バッファ回路71〜73の信号駆動能力を、最も小さい信号駆動能力に設定したが、この設定方法に限定されるものではなく、次のように設定してもよい。一般に、電子機器に実装されるメモリMには、推奨する種類がある。そこで、電源投入時の初期設定を、推奨されたメモリMの中の負荷容量が最も小さいメモリMを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち最小の信号駆動能力に設定しておくのである。
<Embodiment 2>
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described.
In the first embodiment, when the power is turned on, the signal drive capability of the buffer circuits 71 to 73 is set to the smallest signal drive capability. However, the present invention is not limited to this setting method, and may be set as follows. Good. In general, there are recommended types of memory M mounted on electronic devices. Therefore, the initial setting at the time of power-on is set to the minimum signal driving capability among the signal driving capabilities capable of normally operating the memory M having the smallest load capacity in the recommended memory M. is there.

例えば、推奨されたメモリMの中の負荷容量が最も小さいメモリMを正常に動作させることが可能な信号駆動能力が77b、77cであった場合には、初期設定を77bとする。このような設定であれば、推奨された範囲のものより負荷容量が小さなメモリMが接続される場合を除いて、実施形態1の場合と同様に、電源投入後、損傷を与えることなく、内蔵メモリM1、並びに増設メモリM2を即座に初期化できる。
尚、メモリMを正常に動作させることが可能とは、信号伝達遅延が生じることなく初期化を正常に完了させる、という意味である。
For example, when the signal driving capability capable of normally operating the memory M having the smallest load capacity among the recommended memories M is 77b and 77c, the initial setting is set to 77b. In such a setting, except for the case where a memory M having a load capacity smaller than that in the recommended range is connected, the built-in device is not damaged after power is turned on as in the case of the first embodiment. The memory M1 and the additional memory M2 can be initialized immediately.
Note that the normal operation of the memory M means that the initialization is normally completed without causing a signal transmission delay.

<実施形態3>
次に、本発明の実施形態3について説明する。
実施形態2では、電源投入時において、バッファ回路71〜73の信号駆動能力を、推奨されたメモリMの中の負荷容量が最も小さいメモリMを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち最小の信号駆動能力に設定したが、この設定方法に限定されるものではなく、次のように設定してもよい。すなわち、電源投入時の初期設定を、推奨されたメモリMの中の負荷容量が最も小さいメモリMを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち、最大の信号駆動能力に設定しておくのである。
<Embodiment 3>
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment, when the power is turned on, the signal driving capability of the buffer circuits 71 to 73 is the signal driving capability that allows the memory M having the smallest load capacity in the recommended memory M to operate normally. Although the minimum signal driving capability is set, the present invention is not limited to this setting method and may be set as follows. That is, the initial setting at power-on is set to the maximum signal driving capability among the signal driving capabilities capable of normally operating the memory M having the smallest load capacity in the recommended memory M. It is.

こうような設定であれば、実施形態2の場合と同様に、推奨された範囲のものより負荷容量が小さなメモリMが接続される場合を除いて、メモリMに損傷を与えることなく初期化を行なうことが可能となるし、実施形態2の場合に比べて高い信号駆動能力で初期化を行なうこととなるから、適切かつ、即座に初期化し得るメモリMの種類が多くなる。   With this setting, as in the case of the second embodiment, initialization is performed without damaging the memory M except when a memory M having a smaller load capacity than that in the recommended range is connected. Since the initialization can be performed with a higher signal driving capability than in the case of the second embodiment, the number of types of memories M that can be appropriately and immediately initialized increases.

<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings. For example, the following embodiments are also included in the technical scope of the present invention, and further, within the scope not departing from the gist of the invention other than the following. Various modifications can be made.

(1)上記実施形態1〜3では、内蔵メモリM1が予め装着されているものを例示して説明を行なったが、本願発明の適用範囲は、内蔵メモリM1を有する電子機器に限定されるものではない。すなわち、製造時あるいは販売時等には内蔵メモリM1が実装されていないが、使用段階において、メモリM1を取り付けて使用するものに対しても適用可能である。   (1) In the first to third embodiments described above, the case where the built-in memory M1 is mounted in advance has been described as an example. However, the scope of application of the present invention is limited to an electronic device having the built-in memory M1. is not. In other words, the built-in memory M1 is not mounted at the time of manufacture or sale, but can be applied to a case where the memory M1 is attached and used at the use stage.

(2)上記実施形態1〜3では、増設メモリM2のSPDチップ97のデータを内蔵メモリM1に記憶させたが、記憶場所は電源投入時に使用可能となっているものであれば適用可能であり、例えば、CPU11の備えるレジスタ或いはキャッシュに記憶させてもよい。   (2) In the first to third embodiments, the data of the SPD chip 97 of the expansion memory M2 is stored in the built-in memory M1, but any storage location can be used if it can be used when the power is turned on. For example, it may be stored in a register or cache provided in the CPU 11.

(3)上記実施形態1〜3では、バッファチップを4種類としたが、それ以上設けてもよい。   (3) In the first to third embodiments, four types of buffer chips are used. However, more buffer chips may be provided.

(4)上記実施形態1〜3では、いずれも電子機器としてプリンタ装置を例示したが、使用用途はこれに限定されるものではなく、制御回路に対して複数種のメモリが択一的或いは同時に接続可能とされるものであれば適用することが出来る(例えば、パーソナルコンピュータ等)。   (4) In the first to third embodiments, the printer device is exemplified as the electronic device. However, the usage is not limited to this, and a plurality of types of memories are alternatively or simultaneously used for the control circuit. Any device that can be connected is applicable (for example, a personal computer).

実施形態1に適用されたプリンタ装置の電気的構成を表すブロック図1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of a printer apparatus applied to a first embodiment. メイン基板の構成を表す図Diagram showing the configuration of the main board メモリコントローラの電気的構成を表すブロック図Block diagram showing the electrical configuration of the memory controller バッファ回路の構成を表す回路図Circuit diagram showing the configuration of the buffer circuit SPDデータの読取態様に関する説明図Explanatory drawing about the reading mode of SPD data メモリ初期化の処理手順を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the processing procedure of memory initialization ASIC、CPUが起動されるタイミングを示すタイミングチャート図Timing chart showing timing when ASIC and CPU are activated バッファチップの初期設定、並びに切り替えの様子を示す図Diagram showing initial setting and switching of buffer chip (A)信号駆動能力が大きすぎる場合の信号波形を示す図 (B)信号駆動能力が適切である場合の信号波形を示す図(A) Diagram showing signal waveform when signal driving capability is too large (B) Diagram showing signal waveform when signal driving capability is appropriate

符号の説明Explanation of symbols

1…プリンタ装置(画像形成装置)
11…CPU
17…ASIC
40…メモリコントローラ(制御手段)
71、72、73…バッファ回路
77a、77b、77c、77d…バッファチップ
81、82、83…切替制御回路(切替手段)
M1…内蔵メモリ
M2…増設メモリ
L1、L2、L3…コントロールバス
1. Printer device (image forming device)
11 ... CPU
17 ... ASIC
40 ... Memory controller (control means)
71, 72, 73 ... buffer circuit 77a, 77b, 77c, 77d ... buffer chip 81, 82, 83 ... switching control circuit (switching means)
M1 ... Built-in memory M2 ... Additional memory L1, L2, L3 ... Control bus

Claims (9)

制御手段と、
前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、
前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、
前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、
前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を最も小さい信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を最も小さい信号駆動能力によって行なうことを特徴とする電子機器。
Control means;
A plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously;
A buffer circuit between the control means and the memory for driving a signal output from the control means to output to the memory;
Switching means for switching the signal drive capability of the buffer circuit,
The control means selects the signal driving ability of the buffer circuit to be the smallest signal driving ability by the switching means at the time of start-up, and performs the process of initializing the memory with the smallest signal driving ability. Electronics.
制御手段と、
前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、
前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、
前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、
前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を、推奨されたメモリの中の最小のメモリを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち最小の信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を選択された信号駆動能力によって行なうことを特徴とする電子機器。
Control means;
A plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously;
A buffer circuit between the control means and the memory for driving a signal output from the control means to output to the memory;
Switching means for switching the signal drive capability of the buffer circuit,
The control means has a signal driving ability of the buffer circuit by the switching means at start-up, and a minimum signal driving ability among signal driving ability capable of normally operating a minimum memory among recommended memories. The electronic apparatus is characterized in that the processing for initializing the memory is performed with the selected signal driving capability.
制御手段と、
前記制御手段に対して、択一的或いは同時に接続可能とされた複数種のメモリと、
前記制御手段と前記メモリとの間にあって、前記制御手段から出力される信号を駆動して前記メモリに出力するバッファ回路と、
前記バッファ回路の信号駆動能力を切り変える切替手段と、を備え、
前記制御手段は、起動時に、前記切替手段によって前記バッファ回路の信号駆動能力を、推奨されたメモリの中の最小のメモリを正常に動作させることが可能な信号駆動能力のうち、最大の信号駆動能力に選択して、前記メモリを初期化する処理を選択された信号駆動能力によって行なうことを特徴とする電子機器。
Control means;
A plurality of types of memories that can be connected to the control means alternatively or simultaneously;
A buffer circuit between the control means and the memory for driving a signal output from the control means to output to the memory;
Switching means for switching the signal drive capability of the buffer circuit,
The control means is configured such that, at the time of start-up, the switching means causes the signal drive capability of the buffer circuit to be the maximum signal drive among the signal drive capabilities capable of normally operating the smallest memory among the recommended memories. An electronic apparatus characterized in that the processing for initializing the memory is performed according to the selected signal driving capability by selecting the capability.
前記メモリを初期化する処理が、CPUの起動に先立って行なわれることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子機器。 4. The electronic apparatus according to claim 1, wherein the process of initializing the memory is performed prior to starting of the CPU. 前記初期化の対象となったメモリの種類を特定するための識別情報を、前記メモリから取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された識別情報に基づいてメモリの種類を特定するとともに、そのときに選択されている前記信号駆動能力が特定されたメモリの種類に適合しているか、否かを判定する判定手段と、を備え、
前記切替手段は、前記判定手段によって不適合と判定された場合には、前記信号駆動能力をより適合する信号駆動能力に切り替え、
前記制御手段は、切り替えられた後の信号駆動能力で前記メモリを再初期化することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電子機器。
Obtaining means for obtaining identification information for identifying the type of memory to be initialized from the memory;
Determination that specifies the type of memory based on the identification information acquired by the acquisition unit, and determines whether or not the signal driving capability selected at that time is compatible with the specified type of memory Means, and
The switching means switches the signal driving capability to a more suitable signal driving capability when it is determined as non-conforming by the determining unit,
5. The electronic device according to claim 1, wherein the control unit reinitializes the memory with the signal driving capability after the switching. 6.
前記メモリが、予め機器に内蔵される内蔵メモリと、後に増設可能な増設メモリとからなり、
前記内蔵メモリと前記制御手段との間、並びに前記増設メモリと前記制御手段との間には、専用の信号線がそれぞれ設けられ、更に、これら専用の信号線に対して、前記バッファ回路がそれぞれ個別に設けられていて、
前記信号駆動能力の切り替えが、前記各メモリごとにそれぞれ独立して行なうことが出来るよう構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電子機器。
The memory consists of a built-in memory built in the device in advance and an additional memory that can be expanded later,
A dedicated signal line is provided between the built-in memory and the control unit, and between the additional memory and the control unit, and the buffer circuit is provided for each of the dedicated signal lines. It is provided individually,
6. The electronic apparatus according to claim 1, wherein the switching of the signal driving capability can be performed independently for each of the memories.
前記制御手段による前記メモリを初期化するための処理は、前記信号線を通じて接続された全てのメモリに対して同時に行なわれるよう構成され、
当該メモリを初期化する処理が完了した後、前記取得手段は、前記増設メモリにアクセスして、その識別情報を前記内蔵メモリに記憶させることを特徴とする請求項6に記載の電子機器。
The process for initializing the memory by the control means is configured to be performed simultaneously on all memories connected through the signal line,
The electronic device according to claim 6, wherein after the process of initializing the memory is completed, the acquisition unit accesses the additional memory and stores the identification information in the built-in memory.
前記判定手段は、前記増設メモリがそのときに選択されている前記バッファ回路の信号駆動能力に適合しているか否かを、前記内蔵メモリに記憶されている前記識別情報に基づいて判定し、
前記切替手段は、前記判定手段によって不適合と判定された場合には、前記増設メモリに連なる信号線のバッファ回路の信号駆動能力をより適合する信号駆動能力に変更することを特徴とする請求項7に記載の電子機器。
The determination means determines whether the additional memory is compatible with the signal drive capability of the buffer circuit selected at that time based on the identification information stored in the built-in memory,
8. The switching means, when it is judged as non-conforming by the judging means, the signal driving ability of the buffer circuit of the signal line connected to the additional memory is changed to a more suitable signal driving ability. The electronic device as described in.
請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の電子機器を有する画像形成装置。 An image forming apparatus comprising the electronic device according to claim 1.
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