JP2007019495A - Improved-type electrode, internal layer, capacitor, electronic device, and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
技術分野は、プリント配線板(PWB)内の埋込みキャパシタである。より詳細には、技術分野は、厚膜誘電体および電極から作成されたプリント配線板内の埋込みキャパシタを含む。 The technical field is embedded capacitors in printed wiring boards (PWB). More particularly, the technical field includes embedded capacitors in printed wiring boards made from thick film dielectrics and electrodes.
プリント配線板内に高静電容量密度キャパシタを埋め込むことを実施することにより、回路サイズを縮小し、回路性能を改善することが可能になる。キャパシタは通常、積み重ねられ、相互接続回路によって接続されるパネルに埋め込まれ、パネルの積み重ねにより多層プリント配線板が形成される。積み重ねられたパネルは、一般に「内層パネル」と呼ばれることがある。 By embedding a high capacitance density capacitor in the printed wiring board, the circuit size can be reduced and the circuit performance can be improved. Capacitors are usually stacked and embedded in panels connected by interconnect circuits, and stacking the panels forms a multilayer printed wiring board. The stacked panels are sometimes referred to as “inner panel”.
箔上焼成(fired−on−foil)技術によって形成されたプリント配線板内に埋め込まれた受動回路構成部品が知られている。「箔上で別個に焼成された(Separately fired−on−foil)」キャパシタは、金属箔基板上に少なくとも1つの厚膜誘電体層を堆積させて乾燥させ、その後に続いて、厚膜電極材料を厚膜キャパシタ誘電体層の上に堆積させて乾燥させ、その後に、銅厚膜焼成条件下でキャパシタ構造を焼成することによって形成される。Borlandによる特許文献1及び特許文献2(整理番号第EL−0495号)(同時焼成を分割)に、そのような工程が開示されている。 Passive circuit components embedded in printed wiring boards formed by fired-on-foil techniques are known. A “separately fired-on-foil” capacitor is formed by depositing and drying at least one thick film dielectric layer on a metal foil substrate, followed by a thick film electrode material. Is deposited on the thick film capacitor dielectric layer and dried, followed by firing the capacitor structure under copper thick film firing conditions. Such a process is disclosed in US Pat. Nos. 5,099,086 and 5,047,942 (No. EL-0495) by Borland (simultaneous firing is divided).
焼成の後、得られた物品をプリプレグ誘電体層に積層することができ、金属箔をエッチングしてキャパシタおよび任意の関連する回路の電極を形成し、厚膜キャパシタを含む内層パネルを形成することができる。次いで、内層パネルを他の内層パネルに積層および相互接続し、多層プリント配線板を形成することができる。 After firing, the resulting article can be laminated to a prepreg dielectric layer, and the metal foil is etched to form capacitors and any associated circuit electrodes to form an inner panel containing thick film capacitors Can do. The inner layer panel can then be laminated and interconnected to other inner layer panels to form a multilayer printed wiring board.
厚膜誘電体材料は、焼成後に高い誘電率(K)を有するべきである。高誘電率粉末(「機能相」)をガラスパウダーと混合し、混合物を厚膜スクリーン印刷媒質中に分散させることにより、スクリーン印刷に適した高K厚膜誘電体ペーストを形成することができる。ガラスは、その組成に応じて、ガラス質または結晶質でよい。 The thick film dielectric material should have a high dielectric constant (K) after firing. A high-K thick film dielectric paste suitable for screen printing can be formed by mixing high dielectric constant powder ("functional phase") with glass powder and dispersing the mixture in a thick film screen printing medium. The glass may be glassy or crystalline depending on its composition.
厚膜誘電体材料の焼成中、誘電体材料のガラス成分は、ピーク焼成温度に達する前に軟化し、流動する。ピーク温度で保持する間に、それが合体して、機能相を封入し、箔上焼成キャパシタ構造を形成する。その後で、ガラスは結晶化して、任意の所望の相を沈殿させることができる。 During firing of the thick film dielectric material, the glass component of the dielectric material softens and flows before reaching the peak firing temperature. While held at the peak temperature, it coalesces to encapsulate the functional phase and form a fired-on-foil capacitor structure. Thereafter, the glass can crystallize to precipitate any desired phase.
銅は、電極を形成するのに好ましい材料である。銅粉末を少量のガラスパウダーと混合し、混合物を厚膜スクリーン印刷媒質中に分散させることにより、スクリーン印刷に適した厚膜銅電極ペーストを形成することができる。しかし、厚膜銅と厚膜キャパシタ誘電体との間の温度膨張係数(TCE)の大きな差と、焼成中の収縮の差により、しばしば電極の周辺部のすぐ外側で誘電体中に引張り応力が生じる。引張り応力の結果として、図1Aおよび図1Bに示すように、電極の周辺部で誘電体の亀裂が生じる。極端な条件下では、亀裂が銅箔まで延びる可能性がある。そのような亀裂は、キャパシタの長期信頼性に影響を及ぼす可能性があるので望ましくない。そのような亀裂が生じる状態をなくす代替キャパシタ構造設計が有利なはずである。 Copper is a preferred material for forming the electrodes. A thick film copper electrode paste suitable for screen printing can be formed by mixing copper powder with a small amount of glass powder and dispersing the mixture in a thick film screen printing medium. However, due to the large difference in coefficient of thermal expansion (TCE) between thick film copper and thick film capacitor dielectrics and the difference in shrinkage during firing, tensile stress often appears in the dielectric just outside the periphery of the electrode. Arise. As a result of the tensile stress, a dielectric crack occurs at the periphery of the electrode, as shown in FIGS. 1A and 1B. Under extreme conditions, cracks can extend to the copper foil. Such cracks are undesirable because they can affect the long-term reliability of the capacitor. An alternative capacitor structure design that eliminates such cracking conditions would be advantageous.
本発明者等は、誘電体内のこの亀裂を回避する、電極および内層を形成し、厚膜箔上焼成(fired−on−foil)キャパシタを埋め込み、プリント配線板を形成する新規な方法を提供した。さらに、本発明者等は、こうした方法によって形成された電極、内層、キャパシタ、およびプリント配線板を開発した。 The inventors have provided a novel method of forming electrodes and inner layers, embedding fired-on-foil capacitors and forming printed wiring boards to avoid this crack in the dielectric. . Furthermore, the present inventors have developed an electrode, an inner layer, a capacitor, and a printed wiring board formed by such a method.
本発明の第1実施形態は、埋込みキャパシタを形成する方法であって、
金属箔を設けること、金属箔の上に誘電体層を形成すること、前記誘電体層の全体と前記金属箔の少なくとも一部の上に第1電極を形成すること、前記埋込みキャパシタを焼成すること、金属箔をエッチングして第2電極を形成することを含む方法を対象とする。
The first embodiment of the present invention is a method of forming an embedded capacitor, comprising:
Providing a metal foil, forming a dielectric layer on the metal foil, forming a first electrode on the entire dielectric layer and at least a part of the metal foil, firing the embedded capacitor And a method comprising etching a metal foil to form a second electrode.
本発明の第2実施形態は、デバイスを作成する方法であって、金属箔を設けること、金属箔の上に誘電体を形成して、前記金属箔の構成要素側と箔側とを形成すること、誘電体の全体と金属箔の一部の上に第1電極を形成すること、金属箔の構成要素側を少なくとも1つのプリプレグ材料に積層すること、金属箔をエッチングして第2電極を形成することを含み、封入している第1電極、誘電体、および第2電極がキャパシタを形成する方法を対象とする。 The second embodiment of the present invention is a method for producing a device, which is provided with a metal foil, a dielectric is formed on the metal foil, and a component side and a foil side of the metal foil are formed. Forming the first electrode on the entire dielectric and part of the metal foil, laminating the component side of the metal foil on at least one prepreg material, etching the metal foil to form the second electrode The method includes forming a first electrode, a dielectric, and a second electrode that include forming a capacitor.
本発明はさらに、上述の方法および以下の本発明の詳細な説明に記載の方法を使用して形成された様々なデバイスおよびキャパシタを対象とする。さらに、本発明は、上記および以下の本発明の詳細な説明に詳述されるキャパシタを備えるデバイスを対象とする。 The present invention is further directed to various devices and capacitors formed using the methods described above and in the detailed description of the invention below. Furthermore, the present invention is directed to a device comprising a capacitor as detailed above and below in the detailed description of the invention.
詳細な説明では、図面を参照する。 In the detailed description, reference is made to the drawings.
一般的な慣習によれば、図面の様々な特徴は必ずしも原寸に比例しない。様々な特徴の寸法は、本発明の実施形態をよりはっきりと例示するために拡大または縮小されることがある。 According to common practice, the various features of the drawings are not necessarily drawn to scale. The dimensions of the various features may be expanded or reduced to more clearly illustrate embodiments of the present invention.
第1実施形態は、単一誘電体層の箔上焼成キャパシタ構造を作成する方法であって、金属箔を設けること、金属箔の上にキャパシタ誘電体を形成すること、誘電体層の全体と金属箔の一部またはすべての上に第1電極を形成すること、および銅厚膜焼成条件下でキャパシタ構造を焼成することを含む方法である。 The first embodiment is a method of creating a fired capacitor structure on a foil with a single dielectric layer, including providing a metal foil, forming a capacitor dielectric on the metal foil, Forming a first electrode on part or all of the metal foil and firing the capacitor structure under copper thick film firing conditions.
第2実施形態によれば、単一誘電体層の箔上焼成キャパシタ構造を作成する方法は、金属箔を設けること、金属箔の上に絶縁分離層を形成すること、絶縁分離層によって作成される囲い内で金属箔の上にキャパシタ誘電体を形成すること、誘電体の全体と絶縁分離層の一部またはすべての上に第1電極を形成すること、および銅厚膜焼成条件下でキャパシタ構造を焼成することを含む。 According to the second embodiment, a method for producing a fired capacitor structure on a foil with a single dielectric layer is provided by providing a metal foil, forming an insulating separation layer on the metal foil, and an insulating separation layer. Forming a capacitor dielectric on the metal foil within the enclosure, forming a first electrode on the entire dielectric and part or all of the insulating isolation layer, and the capacitor under copper thick film firing conditions Firing the structure.
第2実施形態の修正形態である第3実施形態によれば、単一誘電体層の箔上焼成キャパシタ構造を作成する方法は、金属箔を設けること、金属箔の上に絶縁分離層を形成すること、絶縁分離層によって作成される囲い内で金属箔の上にキャパシタ誘電体を形成すること、誘電体の全体と絶縁分離層の一部またはすべてと金属箔の一部の上に第1電極を形成すること、および銅厚膜焼成条件下でキャパシタ構造を焼成することを含む。 According to a third embodiment, which is a modification of the second embodiment, a method for producing a single dielectric layer fired capacitor structure on foil includes providing a metal foil and forming an insulating isolation layer on the metal foil. Forming a capacitor dielectric on the metal foil within the enclosure created by the insulating isolation layer, first over the entire dielectric and part or all of the insulating isolation layer and part of the metal foil. Forming electrodes and firing the capacitor structure under copper thick film firing conditions.
第4実施形態によれば、二誘電体層の箔上焼成キャパシタ構造を作成する方法は、金属箔を設けること、金属箔の上に絶縁分離層を形成すること、絶縁分離層によって作成される囲い内で金属箔の上にキャパシタ誘電体を形成すること、誘電体の全体と絶縁分離層の一部またはすべてと金属箔の一部の上に第1電極を形成すること、銅厚膜焼成条件下で第1キャパシタ構造を焼成すること、第1電極の上に第2キャパシタ誘電体層を形成すること、第2キャパシタ誘電体層の全体と絶縁分離層の一部と箔の一部の上に第2電極を形成すること、および銅厚膜焼成条件下で構造を焼成することを含む。 According to the fourth embodiment, a method for creating a fired capacitor structure on a foil of a bi-dielectric layer is provided by providing a metal foil, forming an insulating separation layer on the metal foil, and an insulating separation layer. Forming a capacitor dielectric on the metal foil within the enclosure, forming a first electrode on the entire dielectric, part or all of the isolation layer and part of the metal foil, copper thick film firing Firing the first capacitor structure under conditions, forming a second capacitor dielectric layer on the first electrode, part of the second capacitor dielectric layer, part of the insulating isolation layer and part of the foil. Forming a second electrode thereon and firing the structure under copper thick film firing conditions.
第5実施形態によれば、箔上焼成二誘電体層キャパシタ構造を作成する方法は、第1実施形態の物品を設けること、第1電極の上に絶縁分離層を形成して囲まれたエリアを形成すること、分離層によって画定される囲まれたエリア内の第1電極と、分離層の一部の上に第2キャパシタ誘電体層を形成すること、第2キャパシタ誘電体層の全体と絶縁分離層の一部を覆う第2電極を形成すること、および銅厚膜焼成条件下で構造を焼成することを含む。 According to the fifth embodiment, a method for producing a fired bi-dielectric layer capacitor structure on foil includes providing the article of the first embodiment, and forming an insulating isolation layer on the first electrode and surrounding the area. Forming a first electrode in an enclosed area defined by the isolation layer; forming a second capacitor dielectric layer over a portion of the isolation layer; and the entire second capacitor dielectric layer; Forming a second electrode covering a portion of the insulating isolation layer, and firing the structure under copper thick film firing conditions.
別の実施形態によれば、箔上焼成埋込みキャパシタ内層を作成する方法は、箔上焼成キャパシタ構造の構成要素側をプリプレグ材料に積層し、金属箔をエッチングして、第1実施形態の場合には第1および第2電極、または第2実施形態の場合は第1、第2、および第3電極を形成することを含む。 According to another embodiment, the method for creating an on-foil fired embedded capacitor inner layer is obtained by laminating the component side of the on-foil fired capacitor structure on the prepreg material and etching the metal foil in the case of the first embodiment. Includes forming first and second electrodes, or in the case of the second embodiment, first, second and third electrodes.
別の実施形態によれば、箔上焼成埋込みキャパシタを有する、限定はしないが多層プリント配線板を含むデバイスを作成する方法は、箔上焼成埋込みキャパシタ内層を追加のプリプレグ材料に積層すること、および少なくとも1つの電極と接続するようにプリプレグ材料を貫いて少なくとも1つのバイアを形成することを含む。 According to another embodiment, a method of making a device comprising a fired embedded capacitor on foil, including but not limited to a multilayer printed wiring board, laminates an inner layer of fired embedded capacitor on foil to an additional prepreg material, and Forming at least one via through the prepreg material to connect with at least one electrode.
上記の実施形態によれば、電極は、誘電体の全体を覆い、誘電体を封入する。封入している電極は、誘電体の全範囲にわたって圧縮応力を加えるので、その結果引張り応力が回避される。これにより、亀裂のない箔上焼成キャパシタを製造することが可能となり、亀裂のないキャパシタを多層プリント配線板内部に埋め込むことが可能となる。さらに、上記の実施形態では分離層を障壁層として使用して、エッチング化学物質からキャパシタ誘電体を保護することもできる。それによってキャパシタ信頼性が向上する。 According to the above embodiment, the electrode covers the entire dielectric and encapsulates the dielectric. The encapsulating electrode applies compressive stress over the entire range of the dielectric so that tensile stress is avoided. As a result, it is possible to manufacture a fired capacitor on a foil without cracks, and it is possible to embed a capacitor without cracks inside a multilayer printed wiring board. Further, in the above embodiment, the isolation layer can be used as a barrier layer to protect the capacitor dielectric from the etch chemistry. Thereby, the capacitor reliability is improved.
本発明をプリント配線板の形成の点から説明するが、本発明の実施形態がインターポーザ、プリント配線板、マルチチップモジュール、エリアアレイパッケージ、システムオンパッケージ、システムインパッケージを含む様々なデバイスで有用であることを当業者は理解されたい。 Although the present invention will be described in terms of printed wiring board formation, embodiments of the present invention are useful in a variety of devices including interposers, printed wiring boards, multichip modules, area array packages, system on packages, and system in packages. It should be understood by those skilled in the art.
本発明はさらに、デバイスを作成する方法であって、構成要素側および箔側を有する金属箔を設けること、金属箔の上に絶縁分離層を形成すること、金属箔の上に誘電体を形成することであって、誘電体が絶縁分離層に囲まれ、絶縁分離層と接触すること、誘電体の全体と絶縁分離層の一部と金属箔の一部の上に第1電極を形成して、封入している電極を形成すること、金属箔の構成要素側を少なくとも1つのプリプレグ材料に積層すること、金属箔をエッチングして第2電極を形成することを含み、封入している第1電極、誘電体、および第2電極がキャパシタを形成する方法を対象とする。 The present invention is further a method of making a device, comprising providing a metal foil having a component side and a foil side, forming an insulating separation layer on the metal foil, and forming a dielectric on the metal foil The dielectric is surrounded by the insulating isolation layer and is in contact with the insulating isolation layer, and the first electrode is formed on the entire dielectric, part of the insulating isolation layer, and part of the metal foil. Forming an encapsulating electrode, laminating a component side of the metal foil on at least one prepreg material, etching the metal foil to form a second electrode, The method is such that one electrode, a dielectric, and a second electrode form a capacitor.
本発明の別実施形態は、少なくとも1つの誘電体材料の層に埋め込まれた少なくとも1つのキャパシタを備えるデバイスであって、キャパシタは、金属箔と、少なくとも1つの誘電体材料の層と、誘電体材料の第1層の全体と金属箔の一部とを覆うプリントされた電極から形成される第1電極と;第1電極に隣接する誘電体材料の第2層と;金属箔から形成され前記誘電体材料の第1層および誘電体材料の第2層に隣接する第2電極と;を備えるデバイスを対象とする。 Another embodiment of the present invention is a device comprising at least one capacitor embedded in at least one layer of dielectric material, the capacitor comprising a metal foil, at least one layer of dielectric material, and a dielectric A first electrode formed from a printed electrode covering the entire first layer of material and a portion of the metal foil; a second layer of dielectric material adjacent to the first electrode; A device comprising: a first layer of dielectric material; and a second electrode adjacent to the second layer of dielectric material.
別の実施形態では、本発明は、少なくとも1つの誘電体材料の層に埋め込まれた少なくとも1つのキャパシタを備えるデバイスであって、キャパシタは、金属箔と、少なくとも1つの誘電体材料の層と、絶縁分離層と、前記誘電体材料の第1層の全体、絶縁分離層の一部、および金属箔の一部を覆うプリントされた電極から形成される第1電極と;第1電極および絶縁分離層に隣接する誘電体材料の第2層と;前記金属箔から形成され、前記誘電体材料の第1層および誘電体材料の第2層に隣接する第2電極と;を備えるデバイスを対象とする。 In another embodiment, the invention comprises a device comprising at least one capacitor embedded in at least one layer of dielectric material, the capacitor comprising a metal foil, at least one layer of dielectric material, An insulating isolation layer; a first electrode formed from a printed electrode covering the entire first layer of dielectric material, a portion of the insulating isolation layer, and a portion of the metal foil; the first electrode and the insulating isolation A device comprising: a second layer of dielectric material adjacent to a layer; and a second electrode formed from the metal foil and adjacent to the first layer of dielectric material and the second layer of dielectric material. To do.
当業者は、下記の実施形態の詳細な説明を読むときに、本発明の上述の利点およびその他の利点ならびに様々な追加の実施形態の特典を理解されよう。 Those skilled in the art will appreciate the above and other advantages of the present invention as well as the benefits of various additional embodiments when reading the detailed description of the embodiments below.
図2A〜2Kに、金属箔設計上の箔上焼成キャパシタを有する埋込みキャパシタを備え、プリントされた電極が誘電体の全体および金属箔の一部を覆う多層プリント配線板2000(図2K)を製造する第1の方法を示す。この説明では、2つの埋込みキャパシタが図2A〜2Kで形成されるように図示してある。しかし、本明細書に記載の方法によって1つ、2つ、3つ、またはそれ以上のキャパシタを箔上に形成することができる。以下に記す説明は、簡潔にするために、図示するキャパシタのうちの1つのみの形成を対象とする。図2A〜2Dおよび2F〜2Iおよび2Kは、正面の断面図である。図2Eは図2Dの上面図である。図2Jは図2Iの底面図である。 FIGS. 2A to 2K produce a multilayer printed wiring board 2000 (FIG. 2K) having an embedded capacitor having a fired-on-foil capacitor on a metal foil design, and a printed electrode covering the entire dielectric and part of the metal foil. A first method is shown. In this description, two embedded capacitors are illustrated as formed in FIGS. However, one, two, three, or more capacitors can be formed on the foil by the methods described herein. The following description is directed to the formation of only one of the illustrated capacitors for the sake of brevity. 2A to 2D and 2F to 2I and 2K are front sectional views. FIG. 2E is a top view of FIG. 2D. FIG. 2J is a bottom view of FIG. 2I.
図2Aでは、金属箔210が設けられる。金属箔210は、当業界で一般的に入手可能なタイプのものでよい。例えば、金属箔210は、銅、銅−インバー−銅、インバー、ニッケル、ニッケル被覆銅、または他の金属、ならびに厚膜ペーストに対する焼成温度を上回る融点を有する合金でよい。適切な箔には、多層プリント配線板業界で一般的に使用される逆処理した銅箔、2重処理した銅箔、およびその他の銅箔などの、大部分が銅からなる箔が含まれる。金属箔210の厚さは、例えば約1〜100ミクロンの範囲でよい。他の厚さ範囲には、3〜75ミクロン、より具体的には12〜36ミクロンが含まれる。これらの厚さ範囲は、約1/3オンスおよび1オンスの銅箔に対応する。
In FIG. 2A, a
ある実施形態では、箔210は、箔210にアンダープリント212を付着させ、焼成することによって前処理することができる。アンダープリント212は、図2Aでは表面被覆として示されており、箔210の構成要素側表面に付着する比較的薄い層でよい。アンダープリント212は、金属箔210と、アンダープリント212の上に堆積される層とに良好に接着する。例えば、アンダープリント212は、箔210の融点未満の温度で焼成される、箔210に塗布されるペーストから形成することができる。アンダープリントペーストは、箔210の表面全体を覆う無制限の(オープン)コーティングとしてプリントすることができ、または箔210の選択したエリアの上にプリントすることができる。アンダープリントペーストを箔210全体の上にプリントするよりも、箔210の選択したエリアの上にプリントする方が一般には経済的である。しかし、酸素ドープ焼成が銅箔210と共に使用される場合、アンダープリント中のガラス分が銅箔210の酸化的腐食を遅らせるので、箔210の表面全体を被覆することが好ましいことがある。
In some embodiments, the
アンダープリントとして使用するのに適したある厚膜銅ペースト(参照により本明細書に組み込まれる特許文献3(整理番号第EL−0545号、Borland等)に開示されている)は、以下の組成(質量比)を有する。 One thick film copper paste suitable for use as an underprint (disclosed in U.S. Patent No. 5,047,097, Borland et al., Incorporated herein by reference) has the following composition ( (Mass ratio).
この組成では、
ガラスAは、組成Pb5Ge3O11のゲルマニウム酸鉛を含み、
媒質は、エチルセルロースN200 11%
TEXANOL(登録商標) 89%を含み、
界面活性剤は、VARIQUAT(登録商標)CC−9 NS界面活性剤を含む。
In this composition,
Glass A contains lead germanate of composition Pb 5 Ge 3 O 11 ,
The medium is ethyl cellulose N200 11%
Including TEXANOL® 89%,
Surfactants include VARIQUAT® CC-9 NS surfactant.
TEXANOL(登録商標)はEastman Chemical Co.から入手可能であり、VARIQUAT(登録商標)CC−9 NSはAshland Inc.から入手可能である。 TEXANOL (registered trademark) is a product of Eastman Chemical Co. VARIQUAT® CC-9 NS is available from Ashland Inc. Is available from
キャパシタ誘電体材料220が、前処理された箔210のアンダープリント212の上に堆積し、図2Aに示すように第1キャパシタ誘電体材料層220を形成する。例えば、キャパシタ誘電体材料は、箔210にスクリーン印刷またはステンシル印刷される厚膜キャパシタペーストでよい。次いで、第1キャパシタ誘電体材料層220は乾燥される。図2Bでは、次いで第2キャパシタ誘電体材料層225が施され、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体材料の単一層を、1回のスクリーン印刷ステップで、2つの層220、225と等しい厚さに堆積させることができる。箔上焼成の実施形態で使用するのに適したある厚膜キャパシタ材料(参照により組み込まれる特許文献4(整理番号第EL−0535号、Borland等)に開示されている)は、以下の組成(質量比)を有する。
この組成では、
ガラスAは、組成Pb5Ge3O11のゲルマニウム酸鉛を含み、
ガラスBは、Pb4BaGe1.5Si1.5O11を含み、
ガラスCは、Pb5GeSiTiO11を含み、
媒質は、エチルセルロースN200 11%
TEXANOL(登録商標)溶媒 89%を含み、
酸化剤は、硝酸バリウム粉末 84%
媒質 16%を含む。
In this composition,
Glass A contains lead germanate of composition Pb 5 Ge 3 O 11 ,
Glass B contains Pb 4 BaGe 1.5 Si 1.5 O 11 ,
Glass C includes Pb 5 GeSiTiO 11 ,
The medium is ethyl cellulose N200 11%
Containing 89% TEXANOL® solvent,
The oxidizing agent is barium nitrate powder 84%
Contains 16% medium.
図2Cでは、導電性材料層230が、第1電極を形成するように、第2キャパシタ誘電体材料層225の全体、およびキャパシタ誘電体の周辺部の金属箔の一部の上に形成され、乾燥される。例えば、導電性材料層230は、第2キャパシタ誘電体材料層225の上に厚膜金属ペーストをスクリーン印刷することによって形成することができる。アンダープリント212を形成するのに使用されるペーストは、導電性材料層230を形成するのにも適している。
In FIG. 2C, a
次いで、第1キャパシタ誘電体材料層220、第2キャパシタ誘電体材料層225、および第1電極を形成する導電性材料層230が同時焼成(co−fired)され、得られる構造は共に焼結される。図2Dでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層220と225の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層220および225から形成された単一のキャパシタ誘電体228が得られる。キャパシタ誘電体層228を封入する頂部電極232も同時焼成ステップの結果として得られる。キャパシタ誘電体層228の表面積は、図2Eに示す上面図から見たとき、導電性材料層232の表面積より小さい。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体228は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体228についての異なる材料特性を得るために、代わりの焼成条件を使用してもよい。
The first capacitor
図2Fでは、箔は、プリプレグ材料に面し、キャパシタ誘電体228を覆う第1電極232と共にプリプレグ材料240で積層される。例えば、積層は、標準的なプリント配線板工程でFR4プリプレグを使用して実施することができる。一実施形態では、106エポキシプリプレグを使用することができる。適切な積層条件は、例えば、28水銀柱インチまで排気された真空室で、185℃、208psig、1時間である。箔250を積層材料240の反対側に付着させて、回路部品を作成するための面を設けることができる。シリコーンゴムプレスパッドおよび滑らかなPTFE充填ガラスリリースシートを箔210および250と接触させて、エポキシ樹脂が積層板を共に接着するのを防止することができる。積層材料240は、例えば標準的なエポキシ樹脂、高Tgエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シアン酸エステル樹脂、充填樹脂系、BTエポキシ樹脂、ならびに回路層間の絶縁を実現するその他の樹脂および積層板などのどんなタイプの誘電体材料でもよい。
In FIG. 2F, the foil is laminated with the
図2Gを参照すると、積層の後、フォトレジストが箔210および箔250に塗布される。フォトレジストは画像形成および現像され、フォトレジストパターン260および262が形成される。
Referring to FIG. 2G, after lamination, a photoresist is applied to foil 210 and
図2Hを参照すると、箔210および250がエッチングされ、フォトレジスト260および262が、例えば標準的なプリント配線板処理条件を使用してストリッピングされ、図2Iに示す物品が形成される。エッチングにより、箔210内に溝215が形成され、箔の残りの部分と第1電極232から分離された第2キャパシタ箔電極218が得られる。第2キャパシタ箔電極218、誘電体228、および第1電極232がキャパシタ200を形成する。また、エッチング工程により、バイアがキャパシタ電極232と接続するためのパッドとして働くことのできる銅パッド217および219が箔210から生成される。回路部品252、254、256も箔250から形成される。
Referring to FIG. 2H, foils 210 and 250 are etched and
図2Jは、図2Iに示す物品の底面図である。図2Jでは、箔210内に溝215をエッチングすることによって形成されるものとして、2つのキャパシタ200が示されている。しかし、この数は例示的なものであり、本明細書で論じられる実施形態に従って、箔から任意の数のキャパシタを形成することができる。図2Jは、2つの類似の構成のキャパシタ200を示しているが、この実施形態は、相異なる寸法および/または形状のキャパシタの形成を可能にする。
FIG. 2J is a bottom view of the article shown in FIG. 2I. In FIG. 2J, two
図2Kを参照すると、追加の積層板と銅箔の対を図2Iに示す物品に積層し、マイクロバイア2010および2020を穿孔し、めっきすることができる。フォトレジストを外部銅層に追加し、画像形成し、現像することができる。次いで、標準的なプリント配線条件を使用して、外層銅箔がエッチングされ、残りのフォトレジストがストリッピングされ、プリント配線板2000が完成する。
Referring to FIG. 2K, additional laminate and copper foil pairs can be laminated to the article shown in FIG. 2I, and
記載の製造工程は、プリント回路板2000の外層に隣接する層中の埋込みキャパシタ200を備える、図2Kに示す四金属層プリント配線板2000に適している。しかし、製造順序を変更することができ、プリント配線板は任意の数の層を有することができる。また、この実施形態による埋込みキャパシタは、多層プリント回路板中のどの層にも位置することができる。機械的穿孔めっきスルーホールバイアをマイクロバイア2020の置換えとして使用して、回路をキャパシタ箔電極232と接続することもできる。
The described manufacturing process is suitable for a four-metal layer printed
図3A〜3Jに、金属箔設計上の箔上焼成キャパシタを有する埋込みキャパシタを備え、プリントされた電極が誘電体の全体および絶縁分離層の一部を覆う多層プリント配線板3000(図3J)を製造する第2の方法を示す。この説明では、2つの埋込みキャパシタが図3A〜3Jで形成されるように図示してある。しかし、本明細書に記載の方法によって1つ、2つ、3つ、またはそれ以上のキャパシタを箔上に形成することができる。以下に記す説明は、簡潔にするために、図示するキャパシタのうちの1つのみの形成を対象とする。図3Aおよび3C〜3Jは、正面の断面図である。図3Bは図3Aの上面図である。 3A-3J includes a multilayer printed wiring board 3000 (FIG. 3J) having an embedded capacitor having a fired-on-foil capacitor on a metal foil design, and a printed electrode covering the entire dielectric and part of the insulating isolation layer. A second method of manufacturing is shown. In this description, two embedded capacitors are illustrated as formed in FIGS. However, one, two, three, or more capacitors can be formed on the foil by the methods described herein. The following description is directed to the formation of only one of the illustrated capacitors for the sake of brevity. 3A and 3C-3J are front cross-sectional views. FIG. 3B is a top view of FIG. 3A.
図3Aでは、金属箔310が設けられる。金属箔310は、第1実施形態で一般的に説明したタイプでよく、第1実施形態で説明したのと同様に、箔310にアンダープリント312を付着させ、焼成することによって前処理することもできる。
In FIG. 3A, a
絶縁分離層313がアンダープリント312の上に堆積され、それによって囲いが形成される。適切な絶縁分離層は、銅厚膜焼成条件下で銅と共に同時焼成したときに亀裂しない絶縁セラミック充填ガラス組成物でもよい。得られる物品の上面図を図3Bに示す。図3Cを参照すると、第1実施形態で述べたキャパシタ誘電体材料が、前処理後の箔310のアンダープリント312の上の絶縁分離層313で形成された、囲まれたエリア内に堆積し、第1キャパシタ誘電体材料層320を形成する。次いで、第1キャパシタ誘電体材料層320が乾燥される。次いで、第2キャパシタ誘電体材料層325が施され、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体材料の単一の層を、1回のスクリーン印刷ステップで、2つの層320、325と等しい厚さに堆積させることができる。
An insulating
図3Dでは、導電性材料層330が第2誘電体材料層325の全体および絶縁分離層313の一部の上に形成され、乾燥される。例えば、導電性材料層330は、第2誘電体材料層325の上に第1実施形態で説明した厚膜金属ペーストをスクリーン印刷することによって形成することができる。
In FIG. 3D, a
次いで、絶縁分離層313、第1キャパシタ誘電体材料層320、第2キャパシタ誘電体材料層325、および第1電極を形成する導電性材料層330が同時焼成され、得られる構造は共に焼結される。図3Eでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層320と325の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層320および325から形成された単一のキャパシタ誘電体328が得られる。単一のキャパシタ誘電体328に接合された絶縁分離層314が、焼成の結果として得られる。キャパシタ誘電体層328を封入する頂部電極332も同時焼成ステップの結果として得られる。キャパシタ誘電体層328の表面積は、導電性材料層332の表面積よりも小さい。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体328は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体328についての異なる材料特性を得るために、代わりの焼成条件を使用してもよい。
The insulating
図3Fでは、箔は、プリプレグ材料に面し、キャパシタ誘電体328を覆う第1電極332と共にプリプレグ材料340で積層される。積層は、第1実施形態で説明した材料および処理で実施することができる。箔350を積層材料340の反対側に付着させて、回路部品を作成するための面を設けることができる。
In FIG. 3F, the foil is laminated with the
図3Gを参照すると、積層の後、フォトレジストが箔310および箔350に塗布される。フォトレジストは画像形成および現像され、フォトレジストパターン360が形成される。この製造順序では、銅箔350は一般に最終的外層処理中にパターン形成されるので、箔350上のフォトレジスト362は、この段階で画像形成および現像されないことがある。
Referring to FIG. 3G, after lamination, a photoresist is applied to foil 310 and
箔310がエッチングされ、フォトレジスト360および362が、例えば標準的なプリント配線板処理条件を使用してストリッピングされ、図3Hに示す物品が形成される。エッチングにより、箔310内に溝316を形成し、エッチング化学物質がキャパシタ誘電体と接触する必要なしに箔の残りの部分から分離された、画定された第2キャパシタ箔電極318が得られる。第2キャパシタ箔電極318、誘電体328、および第1電極332がキャパシタ300を形成する。
The
図3Iを参照すると、追加の積層板345および銅箔370を、図3Hに示す物品に積層してもよい。図3Jを参照すると、マイクロバイア3010およびスルーホールバイア3020が穿孔され、めっきされる。フォトレジストを外部銅層350および370に追加し、画像形成し、現像することができる。次いで、図3Jに示すように、標準的なプリント配線条件を使用して、外層銅箔がエッチングされて回路385が作成され、残りのフォトレジストがストリッピングされ、回路板3000が完成する。
Referring to FIG. 3I,
記載の製造工程は、プリント回路板3000の中間層の埋込みキャパシタ300を備える三金属層プリント配線板に適している。しかし、製造順序を変更することができ、プリント配線板3000は任意の数の層を有することができる。本実施形態による埋込みキャパシタは、多層プリント回路板中のどの層にも位置することができる。
The described manufacturing process is suitable for a three-metal layer printed wiring board comprising an embedded
図4A〜4Lに、箔上焼成キャパシタを有する埋込みキャパシタを備え、プリントされた電極が誘電体の全体と絶縁分離層の一部と金属箔の一部とを覆い、キャパシタ誘電体がエッチング化学物質から保護されるように分離層が障壁層としても働く多層プリント配線板4000(図4L)を製造する代替方法を示す。この説明では、2つの埋込みキャパシタが図4A〜4Lで形成されるように図示してある。しかし、本明細書に記載の方法によって1つ、2つ、3つ、またはそれ以上のキャパシタを箔上に形成することができる。以下に記す説明は、簡潔にするために、図示するキャパシタのうちの1つのみの形成を対象とする。図4Aおよび4C〜4Eおよび4G〜4Iおよび4K〜4Lは、正面の断面図である。図4Bは図4Aの上面図であり、図4Fは図4Eの底面図であり、図4Jは図4Iの底面図である。 4A-4L include an embedded capacitor having a fired-on-foil capacitor, the printed electrode covers the entire dielectric, a portion of the insulating isolation layer, and a portion of the metal foil, and the capacitor dielectric is an etching chemical. 4 illustrates an alternative method of manufacturing a multilayer printed wiring board 4000 (FIG. 4L) where the isolation layer also acts as a barrier layer so that it is protected from In this description, two embedded capacitors are illustrated as formed in FIGS. However, one, two, three, or more capacitors can be formed on the foil by the methods described herein. The following description is directed to the formation of only one of the illustrated capacitors for the sake of brevity. 4A and 4C to 4E and 4G to 4I and 4K to 4L are front sectional views. 4B is a top view of FIG. 4A, FIG. 4F is a bottom view of FIG. 4E, and FIG. 4J is a bottom view of FIG. 4I.
図4Aでは、金属箔410が設けられる。金属箔410は、第1実施形態で一般的に説明したタイプでよく、第1実施形態で説明したのと同様に、箔410にアンダープリント412を付着させ、焼成することによって前処理することもできる。
In FIG. 4A, a
絶縁分離層413がアンダープリント412の上に堆積され、それによって囲いが形成される。適切な絶縁分離層は、銅厚膜焼成条件下で銅と共に同時焼成したときに亀裂しない絶縁セラミック充填ガラス組成物でよい。得られる物品の上面図を図4Bに示す。図4Cを参照すると、第1実施形態で述べたキャパシタ誘電体材料が、前処理後の箔410のアンダープリント412の上の絶縁分離層413で形成された、囲まれたエリア内に堆積し、第1キャパシタ誘電体材料層420を形成する。次いで、第1キャパシタ誘電体材料層420が乾燥される。次いで、第2キャパシタ誘電体材料層425が施され、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体材料の単一の層を、1回のスクリーン印刷ステップで、2つの層420、425と等しい厚さに堆積させることができる。
An insulating
図4Dでは、導電性材料層430が、第2誘電体材料層425の全体と、絶縁分離層413の一部と、金属箔の一部410の上に形成され、乾燥される。例えば、導電性材料層430は、第2誘電体材料層425の上に第1実施形態で説明した厚膜金属ペーストをスクリーン印刷することによって形成することができる。
In FIG. 4D, a
次いで、絶縁分離層413、第1キャパシタ誘電体材料層420、第2キャパシタ誘電体材料層425、および第1電極を形成する導電性材料層430が同時焼成され、得られる構造は共に焼結される。図4Eでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層420と425の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層420および425から形成された単一のキャパシタ誘電体428が得られる。分離層413から絶縁分離層414が形成され、単一のキャパシタ誘電体428に接合する。キャパシタ誘電体層428を封入する頂部電極432も同時焼成ステップの結果として得られる。図4Eの物品の上面図を図4Fに示す。キャパシタ誘電体層428の表面積は、導電性材料層432の表面積よりも小さい。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体428は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体428についての異なる材料特性を得るために、代わりの焼成条件を使用することもできる。
The insulating
図4Gでは、箔は、プリプレグ材料に面し、キャパシタ誘電体428を覆う第1電極432と共にプリプレグ材料440で積層される。積層は、第1実施形態で説明した材料および処理で実施することができる。箔450を積層材料440の反対側に付着させて、回路部品を作成するための面を設けることができる。
In FIG. 4G, the foil is laminated with
図4Hを参照すると、積層の後、フォトレジストが箔410および箔450に塗布される。フォトレジストが画像形成および現像され、フォトレジストパターン460が形成される。この製造順序では、銅箔450は一般に最終的外層処理中にパターン形成されるので、箔450上のフォトレジスト462は、この段階で画像形成および現像されないことがある。
Referring to FIG. 4H, after lamination, a photoresist is applied to foil 410 and
箔410がエッチングされ、フォトレジスト460および462が、例えば標準的なプリント配線板処理条件を使用してストリッピングされ、図4Iに示す物品が形成される。エッチングにより、箔410内に溝415を形成し、箔の残りの部分から分離されたキャパシタ箔電極418が得られる。第2キャパシタ箔電極418、誘電体428、および第1電極432がキャパシタ400を形成する。得られる物品の底面図を図4Jに示す。
The
図4Kを参照すると、追加の積層板445および銅箔470を図4Iに示す物品に積層することができる。図4Lを参照すると、スルーホールバイア4010および4020が穿孔され、めっきされる。フォトレジストを外部銅層450および470に加え、画像形成し、現像することができる。次いで、標準的なプリント配線条件を使用して、外層銅箔がエッチングされて回路部品485が作成され、残りのフォトレジストがストリッピングされ、回路板4000が完成する。
Referring to FIG. 4K,
記載の製造工程は、プリント回路板4000の中間層の埋込みキャパシタ400を備える三金属層プリント配線板に適している。しかし、製造順序を変更することができ、プリント配線板4000は任意の数の層を有することができる。本実施形態による埋込みキャパシタは、多層プリント回路板中のどの層にも位置することができる。
The described manufacturing process is suitable for a three-metal layer printed wiring board comprising an embedded
図5A〜5Oに、金属箔設計上の箔上焼成二誘電体層キャパシタを有する埋込みキャパシタを備え、プリントされた第1電極が第1誘電体の全体と分離絶縁層の一部と金属箔の一部とを覆い、第2のプリントされた電極が第2誘電体層の全体と絶縁分離層の一部と金属箔の一部とを覆う多層配線板5000(図5O)を製造する方法を示す。この説明では、2つの埋込みキャパシタが図5A〜5Oで形成されるように図示してある。しかし、本明細書に記載の方法によって1つ、2つ、3つ、またはそれ以上のキャパシタを箔上に形成することができる。以下に記す説明は、簡潔にするために、図示するキャパシタのうちの1つのみの形成を対象とする。図5A、5C〜5D、5F〜5L、および図5N〜5Oは、正面の断面図である。図5Bは図5Aの上面図であり、図5Eは図5Dの上面図であり、図5Mは図5Lの底面図である。 FIGS. 5A to 5O include an embedded capacitor having a fired bi-dielectric layer capacitor on a foil on a metal foil design, and the printed first electrode includes the entire first dielectric, a part of the isolation insulating layer, and the metal foil. A method of manufacturing a multilayer wiring board 5000 (FIG. 5O) that covers a portion and a second printed electrode covers the entire second dielectric layer, a portion of the insulating isolation layer, and a portion of the metal foil. Show. In this description, two embedded capacitors are illustrated as formed in FIGS. However, one, two, three, or more capacitors can be formed on the foil by the methods described herein. The following description is directed to the formation of only one of the illustrated capacitors for the sake of brevity. 5A, 5C-5D, 5F-5L, and FIGS. 5N-5O are front cross-sectional views. 5B is a top view of FIG. 5A, FIG. 5E is a top view of FIG. 5D, and FIG. 5M is a bottom view of FIG. 5L.
図5Aでは、金属箔510が設けられる。金属箔510は、第1実施形態で一般的に説明したタイプでよく、第1実施形態で説明したのと同様に、箔510にアンダープリント512を付着させ、焼成することによって前処理することもできる。
In FIG. 5A, a
絶縁分離層513がアンダープリント512の上に堆積され、それによって囲いが形成される。適切な絶縁分離層は、銅厚膜焼成条件下で銅と共に同時焼成したときに亀裂しない絶縁セラミック充填ガラス組成物でよい。得られる物品の上面図を図5Bに示す。図5Cを参照すると、第1実施形態で述べたキャパシタ誘電体材料が、前処理後の箔510のアンダープリント512の上の絶縁分離層513で形成された、囲まれたエリア内に堆積され、第1キャパシタ誘電体材料層520を形成する。次いで、第1キャパシタ誘電体材料層520が乾燥される。次いで、第2キャパシタ誘電体材料層525が施され、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体材料の単一の層を、1回のスクリーン印刷ステップで、2つの層520、525と等しい厚さに堆積させることができる。
An insulating
図5Dでは、導電性材料層530が、第2誘電体材料層525の全体と、絶縁分離層513の一部と、金属箔510の一部と、絶縁分離層513の別の部分の上に形成され、乾燥される。例えば、導電性材料層530は、第2誘電体材料層525の上に第1実施形態で説明した厚膜金属ペーストをスクリーン印刷することによって形成することができる。得られる物品の上面図を図5Eに示す。
In FIG. 5D, the
次いで、絶縁分離層513、第1キャパシタ誘電体材料層520、第2キャパシタ誘電体材料層525、および第1電極を形成する導電性材料層530が同時焼成され、得られる構造は共にされる。図5Fでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層520と525の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層520および525から形成された単一のキャパシタ誘電体528が得られる。分離層513から絶縁分離層514が形成され、単一のキャパシタ誘電体528に接合する。キャパシタ誘電体層528を封入する頂部電極532も同時焼成ステップの結果として得られる。キャパシタ誘電体層528の表面積は導電性材料層532の表面積よりも小さい。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体528は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体528についての異なる材料特性を得るために、代わりの焼成条件を使用してもよい。
Next, the insulating
図5Gを参照すると、キャパシタ誘電体材料が第1電極532の上に堆積し、キャパシタ誘電体層534を形成する。第2キャパシタ誘電体層535が第1キャパシタ誘電体層534の上に堆積し、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体の単一の層を、2つの層534および535と等しい厚さに堆積させることができる。導電層536がキャパシタ誘電体層535の全体の上に形成される。図5Hの正面図に示すように、導電層536はキャパシタ誘電体535の上に広がり、絶縁分離層514と箔510の上に部分的に広がる。
Referring to FIG. 5G, a capacitor dielectric material is deposited on the
次いで、キャパシタ誘電体層534、第2キャパシタ誘電体層535、導電層536が銅厚膜焼成条件下で同時焼成され、得られる構造は共に焼結される。図5Iでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層534と535の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層534および535から形成された単一のキャパシタ誘電体538が得られる。焼成の結果、キャパシタ誘電体層538を封入する頂部電極539も得られる。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体538は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体538についての異なる材料特性を得るために、代わりの焼成条件を使用してもよい。
The
図5Jでは、箔510は、プリプレグ材料に面し、誘電体538を覆う第2電極539と共にプリプレグ材料540で積層される。例えば、積層は、第1実施形態で説明した材料および工程を用いて実施することができる。箔550を積層材料540の反対側に付着させて、回路部品を作成するための面を設けることができる。
In FIG. 5J, the
積層の後、フォトレジストが箔510および550に塗布される。フォトレジストが画像形成および現像され、図5Kに示すパターン形成フォトレジスト560が形成される。この製造順序では、銅箔550は一般に最終的外層処理中にパターン形成されるので、箔550上のフォトレジスト562は、この段階で画像形成および現像されないことがある。
After lamination, a photoresist is applied to the
箔510がエッチングされ、フォトレジスト560および562が、標準的なプリント配線板処理材料および条件を使用してストリッピングされ、図5Lに示す物品が形成される。エッチングにより、箔510内に溝515が形成され、箔の残りの部分と第1電極532から分離されたキャパシタ箔電極518を形成する。第1キャパシタ電極532、第2キャパシタ電極539、キャパシタ箔電極518、第1誘電体528、および第2誘電体538が二誘電体層キャパシタ500の構造を形成する。得られる物品の底面図を図5Mに示す。
The
図5Nを参照すると、追加の積層板545および銅箔570を図5Lに示す物品に積層することができる。次いで、スルーホールバイア5010および5020を穿孔し、めっきすることができる。次いで、フォトレジストを外層銅箔510および570に塗布することができる。フォトレジストが画像形成および現像され、銅箔がエッチングされ、残りのフォトレジストがストリッピングされ、外部回路部品が完成し、図5Oに示す物品が得られる。回路板は、くもり防止被覆などの追加の処理を受けることができ、回路板5000が完成する。
Referring to FIG. 5N,
記載の製造工程は、プリント回路板5000の中間層の埋込みキャパシタ500を備える三金属層プリント配線板に適している。しかし、製造順序は変更することができ、プリント配線板5000は任意の数の層を有することができる。本実施形態による埋込みキャパシタは、多層プリント回路板中のどの層にも位置することができる。
The described manufacturing process is suitable for a three-metal layer printed wiring board having an embedded
図6A〜6Kに、金属箔設計上の箔上焼成二誘電体層キャパシタを有する埋込みキャパシタを備え、プリントされた第1電極が第1誘電体層の全体と金属箔の一部とを覆い、第2のプリントされた電極が第2誘電体層の全体と絶縁障壁層の一部とを覆う多層配線板6000(図6K)を製造する別の代替方法を示す。この説明では、2つの埋込みキャパシタが図6A〜6Kで形成されるように図示してある。しかし、本明細書に記載の方法によって1つ、2つ、3つ、またはそれ以上のキャパシタを箔上に形成することができる。以下に記す説明は、簡潔にするために、図示するキャパシタのうちの1つのみの形成を対象とする。図6A〜6B、6D〜6H、6J、および6Kは、正面の断面図である。図6Cは図6Bの上面図であり、図6Iは図6Hの底面図である。 FIGS. 6A-6K comprise an embedded capacitor having a fired bi-dielectric layer capacitor on foil on a metal foil design, the printed first electrode covering the entire first dielectric layer and part of the metal foil, FIG. 6 illustrates another alternative method of manufacturing a multilayer wiring board 6000 (FIG. 6K) in which a second printed electrode covers the entire second dielectric layer and a portion of the insulating barrier layer. In this description, two embedded capacitors are illustrated as formed in FIGS. However, one, two, three, or more capacitors can be formed on the foil by the methods described herein. The following description is directed to the formation of only one of the illustrated capacitors for the sake of brevity. 6A-6B, 6D-6H, 6J, and 6K are front cross-sectional views. 6C is a top view of FIG. 6B, and FIG. 6I is a bottom view of FIG. 6H.
図6Aでは、一般的に図2Dで表される物品が設けられる。絶縁分離層633が、キャパシタ誘電体628の全体を覆う電極632の上に堆積し、乾燥される。得られる物品の上面図を図6Cに示す。絶縁分離層633は、封入している電極632上の囲いを形成する。適切な絶縁分離層は、銅厚膜焼成条件下で銅と共に同時焼成したときに亀裂しない絶縁充填ガラス組成物でよい。図6Dでは、第1実施形態で述べたキャパシタ誘電体材料が、第1電極632の上、および絶縁分離層633で形成された囲い内に堆積し、キャパシタ誘電体層634を形成する。第2キャパシタ誘電体層635が第1キャパシタ誘電体層634の上に堆積し、乾燥される。代替実施形態では、キャパシタ誘電体の単一の層を、2つの層634、635と等しい厚さに堆積させることができる。導電層636が、第1実施形態で述べた導電性材料を使用して、キャパシタ誘電体層635の全体の上に形成される。導電層636は、キャパシタ誘電体635の上に広がり、絶縁分離層633の上に部分的に広がる。
In FIG. 6A, an article generally represented in FIG. 2D is provided. An insulating
次いで、絶縁分離層633、キャパシタ誘電体層634、第2キャパシタ誘電体層635、導電層636が銅厚膜焼成条件下で同時焼成され、得られる構造は共に焼結される。図6Eでは、焼成後の構造の正面の断面を示す。キャパシタ誘電体層634と635の間の境界が同時焼成中に効果的に除去されるので、焼成の結果、キャパシタ誘電体層634および635から形成された単一のキャパシタ誘電体638が得られる。焼成の結果、焼成工程中に亀裂しない絶縁分離層637が得られる。キャパシタ誘電体層638を封入する頂部電極639も同時焼成ステップの結果として得られる。ピーク温度約900℃で約10分間、窒素中の銅箔上で焼成したとき、得られるキャパシタ誘電体638は、誘電率約3000および散逸率約2.5%を有することができる。キャパシタ誘電体638についての異なる材料特性を得るために、代替焼成条件を使用することもできる。
The insulating
図6Fでは、箔610は、プリプレグ材料に面し、誘電体638を覆う第2電極と共にプリプレグ材料640で積層される。例えば、積層は、第1実施形態で説明した材料および工程を用いて実施することができる。箔650を積層材料640の反対側に付着させて、回路部品を作成するための面を設けることができる。
In FIG. 6F, the
積層の後、フォトレジストが箔610および650に塗布される。フォトレジストが画像形成および現像され、図6Gに示すパターン形成フォトレジスト660が形成される。この製造順序では、銅箔650は一般に最終的外層処理中にパターン形成されるので、箔650上のフォトレジスト662は、この段階で画像形成および現像されないことがある。
After lamination, a photoresist is applied to the
箔610がエッチングされ、フォトレジスト660および662が、標準的なプリント配線板処理材料および条件を使用してストリッピングされ、図6Hに示す物品が形成される。エッチングは、箔610内に溝615を形成し、箔の残りの部分と第1電極632から分離される第3キャパシタ箔電極618を形成する。第1キャパシタ電極632、第2キャパシタ電極639、第3キャパシタ電極618、第1誘電体628、および第2誘電体638が二誘電体層キャパシタ600の構造を形成する。
The
図6Iは、図6Hに示す物品の底面図である。図6Iでは、2つのキャパシタ構造600が箔610内に溝615をエッチングすることで形成されるように図示してある。しかし、この数は例示的なものであり、本明細書で論じられる実施形態に従って、任意の数のキャパシタを形成することができる。図6Iは、同様の構成の2つのキャパシタ600を示すが、この実施形態は、相異なる寸法および/または形状のキャパシタの構成を可能にする。
FIG. 6I is a bottom view of the article shown in FIG. 6H. In FIG. 6I, two
図6Jを参照すると、追加の積層板645と銅箔670を図6Hに示す物品に積層することができる。次いで、スルーホールバイア6010およびマイクロバイア6020を穿孔し、めっきすることができる。次いで、フォトレジストを外層銅箔610および670に塗布することができる。フォトレジストが画像形成および現像され、銅箔がエッチングされ、残りのフォトレジストがストリッピングされ、外部回路部品が完成し、その結果図6Kに示す物品が得られる。板は、くもり防止被覆などの追加の処理を受けることができ、回路板6000が完成する。
Referring to FIG. 6J,
記載の製造工程は、プリント回路板6000の中間層の埋込みキャパシタ600を備える三金属層プリント配線板に適している。しかし、製造順序を変更することができ、プリント配線板6000は任意の数の層を有することができる。本実施形態による埋込みキャパシタは、多層プリント回路板中のどの層にも位置することができる。
The described manufacturing process is suitable for a three-metal layer printed wiring board comprising an embedded
上記の実施形態では、厚膜ペーストは、セラミック、ガラス、金属、またはその他の固体の細かく分割された粒子を含むことができる。粒子は、1ミクロン以下程度のサイズを有することができ、分散剤と有機溶媒の混合物中に溶解したポリマーを含む「有機媒質」内に分散することができる。 In the above embodiments, the thick film paste can include ceramic, glass, metal, or other solid finely divided particles. The particles can have a size on the order of 1 micron or less and can be dispersed in an “organic medium” comprising a polymer dissolved in a mixture of a dispersant and an organic solvent.
厚膜誘電体材料は、焼成後に高い誘電率(K)を有することができる。例えば、高K厚膜誘電体は、高誘電率粉末(「機能相」)をドーパントおよびガラスパウダーと混合し、その混合物を厚膜スクリーン印刷媒質中に分散させることによって形成することができる。焼成中、ピーク焼成温度に達する前にキャパシタ材料のガラス成分が軟化して流動し、合体し、機能相を封入して、焼成後キャパシタ複合体を形成する。 The thick film dielectric material can have a high dielectric constant (K) after firing. For example, a high K thick film dielectric can be formed by mixing a high dielectric constant powder (“functional phase”) with a dopant and glass powder and dispersing the mixture in a thick film screen printing medium. During firing, before reaching the peak firing temperature, the glass component of the capacitor material softens and flows, coalesces, encapsulates the functional phase, and forms a capacitor composite after firing.
高K機能相は、結晶チタン酸バリウム(BT)、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)、ニオブ酸鉛マグネシウム(PMN)、およびチタン酸バリウムストロンチウム(BST)などの一般式ABO3のペロフスカイトを含む。チタン酸バリウムは、焼成工程で使用される還元状態に対して比較的影響を受けないので、銅箔上焼成応用例で使用するのにはチタン酸バリウムが有利である。 High-K functional phases include crystalline barium titanate (BT), lead zirconate titanate (PZT), lead lanthanum zirconate titanate (PLZT), lead magnesium niobate (PMN), and barium strontium titanate (BST). Includes perovskites of the general formula ABO 3 . Since barium titanate is relatively unaffected by the reduced state used in the firing process, barium titanate is advantageous for use in copper foil firing applications.
通常、誘電体材料の厚膜ガラス成分は、高K機能相に対して不活性であり、本質的に複合体を互いに粘着的に結合し、キャパシタ複合体を基板に結合するように働く。高K機能相の誘電率が過度に弱まらないように少量のガラスを使用するのが好ましい。例えば、ガラスは、ホウケイ酸カルシウムアルミニウム、ホウケイ酸鉛バリウム、ケイ酸マグネシウムアルミニウム、ホウ酸希土類、またはその他の類似の組成物でよい。比較的高い誘電率を有するガラスの使用が好ましい。希釈効果があまり著しくなく、複合体の高誘電率を維持することができるからである。組成Pb5Ge3O11のゲルマニウム酸鉛は、誘電率約150を有する強誘電体ガラスであり、したがって適している。ゲルマニウム酸鉛の修正版も適している。例えば、鉛をバリウムで部分的に置換してもよく、ゲルマニウムをシリコン、ジルコニウム、および/またはチタンで部分的に置換してもよい。 Typically, the thick glass component of the dielectric material is inert to the high K functional phase and essentially serves to adhesively bond the composites together and bond the capacitor composite to the substrate. It is preferable to use a small amount of glass so that the dielectric constant of the high K functional phase is not excessively weakened. For example, the glass may be calcium aluminum borosilicate, lead barium borosilicate, magnesium aluminum silicate, rare earth borates, or other similar compositions. The use of glass having a relatively high dielectric constant is preferred. This is because the dilution effect is not so remarkable and the high dielectric constant of the composite can be maintained. Lead germanate of composition Pb 5 Ge 3 O 11 is a ferroelectric glass having a dielectric constant of about 150 and is therefore suitable. A modified version of lead germanate is also suitable. For example, lead may be partially replaced with barium and germanium may be partially replaced with silicon, zirconium, and / or titanium.
電極層を形成するのに使用されるペーストは、銅、ニッケル、銀、銀−パラジウム組成物、またはこれらの化合物の混合物の金属粉末に基づくことができる。銅粉末組成物が好ましい。 The paste used to form the electrode layer can be based on a metal powder of a copper, nickel, silver, silver-palladium composition, or a mixture of these compounds. A copper powder composition is preferred.
所望の焼結温度は、金属基板融解温度、電極融解温度、ならびに誘電体組成物の化学的および物理的特性によって決定される。例えば、上記の実施形態で使用するのに適した1組の焼結条件は、ピーク温度約900℃で10分の滞留時間を有する窒素焼成工程である。 The desired sintering temperature is determined by the metal substrate melting temperature, the electrode melting temperature, and the chemical and physical properties of the dielectric composition. For example, one set of sintering conditions suitable for use in the above embodiment is a nitrogen firing process having a peak temperature of about 900 ° C. and a residence time of 10 minutes.
本発明の上記の説明は本発明を例示し、説明する。さらに、この開示は、本発明の選択された好ましい実施形態だけを示し、説明しているが、本発明は様々な他の組合せ、修正形態、および環境で使用することができ、本明細書で表現される本発明の概念の範囲内の変更または修正、上記の教示と同等の変更または修正、ならびに/あるいは関連技術の技術または知識の範囲内の変更または修正が可能であることを理解されたい。 The above description of the invention illustrates and describes the present invention. Further, although this disclosure shows and describes only selected preferred embodiments of the present invention, the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments, and is described herein. It should be understood that changes or modifications within the scope of the expressed inventive concept, changes or modifications equivalent to the above teachings, and / or changes or modifications within the skill or knowledge of the related art are possible. .
上述の実施形態は、本発明を実施する最良の方法を説明するものであり、当業者が本発明をそのようなまたは他の実施形態で、本発明の特定の応用例または用途で必要とされる様々な変更と共に利用することを可能にするものとする。したがって、説明は、本明細書で開示される形態に本発明を限定するものではない。さらに、添付の特許請求の範囲は、詳細な説明に明示的に定義されていない代替実施形態を含むものとする。 The above-described embodiments are illustrative of the best method of practicing the invention, and those skilled in the art will need the invention in such or other embodiments, in particular applications or applications of the invention. It can be used with various changes. Accordingly, the description is not intended to limit the invention to the form disclosed herein. Furthermore, the appended claims are intended to include alternative embodiments not explicitly defined in the detailed description.
スクリーン印刷された電極が誘電体を完全に封入する埋込みキャパシタを有するPWB(プリント配線板)基板を製作した。PWB構築のためにセラミックキャパシタが層2(L2)上にある四層設計を使用した。まず、L2/L3を含む内層を作成し、次いで層1および4で積層し、PWB積層物を完成させた。1オンスNT−TOI銅箔をL2で使用した。TOI箔は、片側Znフリー処理し電極堆積した箔であり、広範な有機基板に対して高い結合強度をもたらすよう設計されていた。したがって、キャパシタを有する内層を酸化物工程にかけて、板を構築するのに使用される1080 FR4プリプレグに対する十分な付着を補償する必要はなかった。セラミックキャパシタへの機械的損傷を引き起こすのを回避するために、内層と最終的積層の両方で125psiの低積層圧力を使用した。キャパシタの高さは、おおよそ35μmであり、誘電体を完全に封入するスクリーン印刷された電極の10μmと、セラミック誘電体の20μmとを含んでいた。各層のFR4の2つの積み重ねは、仕上後の板で〜150μmであった。 A PWB (printed wiring board) substrate was fabricated having embedded capacitors in which the screen printed electrodes completely encapsulate the dielectric. A four-layer design with ceramic capacitors on layer 2 (L2) was used for PWB construction. First, an inner layer containing L2 / L3 was created and then laminated with layers 1 and 4 to complete a PWB laminate. A 1 oz NT-TOI copper foil was used at L2. The TOI foil is a one-sided Zn-free treated electrode deposited foil and was designed to provide high bond strength to a wide range of organic substrates. Therefore, it was not necessary to subject the inner layer with capacitors to an oxide process to compensate for sufficient adhesion to the 1080 FR4 prepreg used to build the plate. To avoid causing mechanical damage to the ceramic capacitor, a low stacking pressure of 125 psi was used for both the inner layer and the final stack. The height of the capacitor was approximately 35 μm, including 10 μm of the screen printed electrode that completely encapsulates the dielectric and 20 μm of the ceramic dielectric. The two stacks of FR4 in each layer were ~ 150 μm on the finished plate.
板上の外部仕上は、ENIG(無電解Ni/Au)であった。すべての銅のエッチングをアルカリ性エッチング液で行った。マイクロバイアを使用して、埋込みキャパシタを基板の表面上の銅パッドに接続した。 The external finish on the plate was ENIG (electroless Ni / Au). All copper etching was performed with an alkaline etchant. A microvia was used to connect the embedded capacitor to a copper pad on the surface of the substrate.
合計39個の仕上後のPWBパネルを製作した。各パネルは、本特許で論じた設計を有するキャパシタを有する6個のクーポンを有した。各クーポンは18個のキャパシタを有した。 A total of 39 finished PWB panels were produced. Each panel had 6 coupons with capacitors having the design discussed in this patent. Each coupon had 18 capacitors.
200 キャパシタ
210 金属箔
212 アンダープリント
215 溝
217 銅パッド
218 第2キャパシタ箔電極
219 銅パッド
220 第1キャパシタ誘電体材料層
225 第2キャパシタ誘電体材料層
228 キャパシタ誘電体
230 導電性材料層
232 頂部電極(導電性材料層)/第1電極
240 プリプレグ材料(積層材料)
250 箔
252 回路部品
254 回路部品
256 回路部品
260 フォトレジストパターン
262 フォトレジストパターン
2000 多層プリント配線板
2010 マイクロバイア
2020 マイクロバイア
300 キャパシタ
310 金属箔
312 アンダープリント
313 絶縁分離層
314 絶縁分離層
316 溝
318 第2キャパシタ箔電極
320 第1キャパシタ誘電体材料層
325 第2キャパシタ誘電体材料層
328 キャパシタ誘電体
330 導電性材料層
332 頂部電極(第1電極)
340 プリプレグ材料(積層材料)
345 積層板
350 箔
360 フォトレジストパターン
362 フォトレジスト
370 銅箔
385 回路部品
3000 多層プリント配線板
3010 マイクロバイア
3020 スルーホールバイア
400 キャパシタ
410 金属箔
412 アンダープリント
413 絶縁分離層
414 絶縁分離層
415 溝
418 第2キャパシタ箔電極
420 第1キャパシタ誘電体材料層
425 第2キャパシタ誘電体材料層
428 キャパシタ誘電体
430 導電性材料層
432 頂部電極(第1電極)
440 プリプレグ材料(積層材料)
445 積層板
450 箔
460 フォトレジストパターン
462 フォトレジスト
470 銅箔
485 回路部品
4000 多層プリント配線板
4010 スルーホールバイア
4020 スルーホールバイア
500 二誘電体層キャパシタ
510 金属箔
512 アンダープリント
513 絶縁分離層
514 絶縁分離層
515 溝
518 キャパシタ箔電極
520 第1キャパシタ誘電体材料層
525 第2キャパシタ誘電体材料層
528 キャパシタ誘電体
530 導電性材料層
532 導電性材料層(第1電極)
534 第1キャパシタ誘電体層
535 第2キャパシタ誘電体層
536 導電層
538 キャパシタ誘電体
539 頂部電極(第2電極)
540 プリプレグ材料(積層材料)
545 積層板
550 箔
560 パターン形成フォトレジスト
562 フォトレジスト
570 銅箔
5000 多層プリント配線板
5010 スルーホールバイア
5020 スルーホールバイア
600 キャパシタ
610 箔
615 溝
618 第3キャパシタ電極
628 キャパシタ誘電体(第1誘電体)
632 電極(第1キャパシタ電極)
633 絶縁分離層
634 第1キャパシタ誘電体層
635 第2キャパシタ誘電体層
636 導電層
637 絶縁分離層
638 キャパシタ誘電体(第2誘電体)
639 頂部電極(第2キャパシタ電極)
640 プリプレグ材料(積層材料)
645 積層板
650 銅箔
660 パターン形成フォトレジスト
662 フォトレジスト
670 銅箔
6000 多層プリント配線板
6010 スルーホールバイア
6020 マイクロバイア
200
250
340 Prepreg material (laminate material)
345
440 Prepreg material (laminate material)
445
534 First
540 Prepreg material (laminate material)
545
632 electrode (first capacitor electrode)
633
639 Top electrode (second capacitor electrode)
640 Prepreg material (laminated material)
645
Claims (17)
金属箔を設けるステップと、
前記金属箔の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の全体と前記金属箔の少なくとも一部の上に第1電極を形成するステップと、
前記埋込みキャパシタを焼成するステップと、
前記金属箔をエッチングして第2電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 A method of forming an embedded capacitor comprising:
Providing a metal foil;
Forming a dielectric layer on the metal foil;
Forming a first electrode on the entire dielectric layer and at least a portion of the metal foil;
Firing the embedded capacitor;
Etching the metal foil to form a second electrode.
前記第2キャパシタ誘電体層の全体、前記絶縁分離層の少なくとも一部、及び前記金属箔の少なくとも一部の上に次の電極を形成し、それにより二誘電体層構造を形成するステップと、
前記構造を焼成するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項2または3のいずれか一項に記載の方法。 Forming a second capacitor dielectric layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the entire second capacitor dielectric layer, at least a portion of the insulating isolation layer, and at least a portion of the metal foil, thereby forming a bi-dielectric layer structure;
4. The method according to any one of claims 2 and 3, further comprising firing the structure.
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。 The method of claim 4, further comprising forming a second insulating separation layer on the first electrode.
金属箔を設けるステップと、
前記金属箔の上に誘電体を形成して、前記金属箔の構成要素側と箔側を形成するステップと、
前記誘電体の全体と前記金属箔の一部の上に第1電極を形成するステップと、
前記金属箔の前記構成要素側を少なくとも1つのプリプレグ材料に積層するステップと、
前記金属箔をエッチングして第2電極を形成するステップと、
を含み、封入している前記第1電極、前記誘電体、および前記第2電極がキャパシタを形成することを特徴とする方法。 A method of creating a device,
Providing a metal foil;
Forming a dielectric on the metal foil to form a component side and a foil side of the metal foil;
Forming a first electrode on the entire dielectric and a portion of the metal foil;
Laminating the component side of the metal foil to at least one prepreg material;
Etching the metal foil to form a second electrode;
And the encapsulating first electrode, the dielectric, and the second electrode form a capacitor.
を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 9. The method of claim 8, comprising forming one or more vias in the one or more prepreg materials that connect to the capacitor.
金属箔と、少なくとも1つの誘電体材料の層と、誘電体材料の第1層の全体および前記金属箔の一部を覆うプリントされた電極から形成される第1電極と、
前記第1電極に隣接する誘電体材料の第2層と、
前記金属箔から形成され、前記誘電体材料の第1層および誘電体材料の第2層に隣接する第2電極と
を備えることを特徴とするデバイス。 A device comprising at least one capacitor embedded in at least one layer of dielectric material, the capacitor comprising:
A first electrode formed from a metal foil, at least one layer of dielectric material, and a printed electrode covering the entire first layer of dielectric material and a portion of the metal foil;
A second layer of dielectric material adjacent to the first electrode;
A device comprising a second electrode formed from the metal foil and adjacent to the first layer of dielectric material and the second layer of dielectric material.
構成要素側および箔側を有する金属箔を設けるステップと、
前記金属箔の上に絶縁分離層を形成するステップと、
前記金属箔の上に誘電体を形成するステップであって、前記誘電体が絶縁分離層によって囲まれ、前記絶縁分離層と接触するステップと、
前記誘電体の全体、前記絶縁分離層の一部、及び前記金属箔の一部の上に第1電極を形成して、封入している電極を形成するステップと、
前記金属箔の前記構成要素側を少なくとも1つのプリプレグ材料に積層するステップと、
前記金属箔をエッチングして第2電極を形成するステップと、
を含み、封入している前記第1電極、前記誘電体、および前記第2電極はキャパシタを形成することを特徴とする方法。 A method of creating a device,
Providing a metal foil having a component side and a foil side;
Forming an insulating separation layer on the metal foil;
Forming a dielectric on the metal foil, wherein the dielectric is surrounded by an insulating isolation layer and in contact with the insulating isolation layer;
Forming a first electrode on the whole dielectric, a part of the insulating separation layer, and a part of the metal foil to form an encapsulating electrode;
Laminating the component side of the metal foil to at least one prepreg material;
Etching the metal foil to form a second electrode;
And encapsulating the first electrode, the dielectric, and the second electrode to form a capacitor.
を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 14. The method of claim 13, comprising forming one or more vias in the prepreg material that connect the capacitors.
金属箔と、少なくとも1つの誘電体材料の層と、絶縁分離層と、前記誘電体材料の第1層の全体、前記絶縁分離層の一部、および前記金属箔の一部を覆うプリントされた電極から形成される第1電極と、
前記第1電極および前記絶縁分離層に隣接する誘電体材料の第2層と、
前記金属箔から形成され、前記誘電体材料の第1層および誘電体材料の第2層に隣接する第2電極と
を備えることを特徴とするデバイス。 A device comprising at least one capacitor embedded in at least one layer of dielectric material, the capacitor comprising:
Printed over metal foil, at least one layer of dielectric material, insulating isolation layer, the entire first layer of dielectric material, part of the insulating isolation layer, and part of the metal foil A first electrode formed from an electrode;
A second layer of dielectric material adjacent to the first electrode and the insulating isolation layer;
A device comprising a second electrode formed from the metal foil and adjacent to the first layer of dielectric material and the second layer of dielectric material.
16. The device according to any one of claims 7, 10, or 15, wherein the device is selected from an interposer, a printed wiring board, a multichip module, an area array package, a system on package, and a system in package.
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