JP2007010366A - Monolithic structure, measuring instrument and method, and program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電磁波を照射して測定する被測定物の取り扱いに関する。 The present invention relates to handling of an object to be measured that is measured by irradiation with electromagnetic waves.
従来より、テラヘルツ波を被測定物に照射した際の透過率に基づき、被測定物を分析することが知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、金属板に孔をあけたものに電磁波を照射した際の透過率も知られている(例えば、非特許文献1を参照)。さらに、金属板に孔をあけたものを位相差板として利用することも知られている(例えば、特許文献2を参照)。 Conventionally, it is known to analyze an object to be measured based on transmittance when the object to be measured is irradiated with a terahertz wave (see, for example, Patent Document 1). Moreover, the transmittance | permeability at the time of irradiating electromagnetic waves to what opened the hole in the metal plate is also known (for example, refer nonpatent literature 1). Furthermore, it is also known to use a metal plate having a hole as a retardation plate (see, for example, Patent Document 2).
しかしながら、上記のような先行技術は、電磁波が照射される被測定物をどのように取り扱えば有利かということを開示していない。 However, the prior art as described above does not disclose how it is advantageous to handle a measurement object irradiated with electromagnetic waves.
そこで、本発明は、電磁波が照射されることによって測定される被測定物を有利に取り扱うことを課題とする。 Then, this invention makes it a subject to handle the to-be-measured object measured by irradiating electromagnetic waves advantageously.
本発明にかかる一体型構造体は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを備えるように構成される。 An integrated structure according to the present invention includes an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane. Composed.
上記のように構成された一体型構造体によれば、被測定物が、電磁波を照射することにより特性が測定される。空隙配置構造体が、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置されている。 According to the integrated structure configured as described above, the characteristic is measured when the object to be measured is irradiated with electromagnetic waves. The space | gap part which the space | gap arrangement structure body was enclosed with the conductor in the predetermined plane is arrange | positioned.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記被測定物が前記空隙部の内部に配置されているようにしてもよい。 In the integrated structure according to the present invention, the object to be measured may be arranged inside the gap.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記被測定物が配置されている配置部材を備え、前記配置部材は前記空隙配置構造体の表面に配置されているようにしてもよい。 The integrated structure according to the present invention may include an arrangement member on which the object to be measured is arranged, and the arrangement member may be arranged on the surface of the gap arrangement structure.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記空隙配置構造体が、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されているようにしてもよい。 Moreover, the integrated structure concerning this invention WHEREIN: The said space | gap arrangement structure body may make it the said same-shaped said space | gap part arrange | positioned at a fixed space | interval in the predetermined direction.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子であるようにしてもよい。 In the integrated structure according to the present invention, the gap arrangement structure may be a two-dimensional lattice in which openings penetrating the conductors are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記空隙配置構造体は、前記導体が配置される基部を有するようにしてもよい。 Moreover, as for the integrated structure concerning this invention, you may make it the said space | gap arrangement structure have a base part by which the said conductor is arrange | positioned.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記基部に前記導体が印刷されるようにしてもよい。 In the integrated structure according to the present invention, the conductor may be printed on the base.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記空隙部に前記被測定物が配置されている配置部分と、前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分とを有するようにしてもよい。 In addition, the integrated structure according to the present invention has an arrangement portion in which the object to be measured is arranged in the gap and a non-arrangement portion in which the object to be measured is not arranged in the gap. May be.
また、本発明にかかる一体型構造体は、前記空隙部に配置された前記被測定物が二種類以上あるようにしてもよい。 In the integrated structure according to the present invention, there may be two or more types of the objects to be measured arranged in the gap.
本発明にかかる測定装置は、一体型構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。 A measuring apparatus according to the present invention detects a first electromagnetic wave irradiating means for irradiating an integrated structure with a first electromagnetic wave, and a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave. A first electromagnetic wave detecting means; a second electromagnetic wave irradiating means for irradiating the gap arrangement structure in which the measured object is not arranged in the gap portion; and the gap arrangement for the irradiated second electromagnetic wave. Based on the second electromagnetic wave detection means for detecting the second response electromagnetic wave, which is a response by the structure, the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, the characteristics of the object to be measured are measured. And a characteristic measuring means.
上記のように構成された測定装置によれば、第一電磁波照射手段は、一体型構造体に第一電磁波を照射する。第一電磁波検出手段は、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する。第二電磁波照射手段は、前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する。第二電磁波検出手段は、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する。特性測定手段は、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する。 According to the measuring apparatus configured as described above, the first electromagnetic wave irradiation means irradiates the integrated electromagnetic wave with the first electromagnetic wave. The first electromagnetic wave detection means detects a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave. The second electromagnetic wave irradiation means irradiates the second electromagnetic wave to the gap arrangement structure in which the object to be measured is not arranged in the gap. The second electromagnetic wave detection means detects a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave. The characteristic measurement unit measures the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection unit and the detection result of the second electromagnetic wave detection unit.
本発明にかかる測定装置は、一体型構造体における配置部分に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。 The measuring apparatus according to the present invention detects a first electromagnetic wave irradiation means that irradiates a first electromagnetic wave to an arrangement part in an integrated structure, and a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement part to the irradiated first electromagnetic wave. First electromagnetic wave detecting means, second electromagnetic wave irradiating means for irradiating the non-arranged portion with the second electromagnetic wave, and second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion to the irradiated second electromagnetic wave. Two electromagnetic wave detection means, and a characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means.
上記のように構成された測定装置によれば、第一電磁波照射手段は、一体型構造体における配置部分に第一電磁波を照射する。第一電磁波検出手段は、照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する。第二電磁波照射手段は、前記非配置部分に第二電磁波を照射する。第二電磁波検出手段は、照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する。特性測定手段は、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する。 According to the measuring apparatus configured as described above, the first electromagnetic wave irradiation means irradiates the first electromagnetic wave to the arrangement portion in the integrated structure. The first electromagnetic wave detecting means detects a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave. The second electromagnetic wave irradiation means irradiates the non-arranged portion with the second electromagnetic wave. The second electromagnetic wave detection means detects a second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion to the irradiated second electromagnetic wave. The characteristic measurement unit measures the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection unit and the detection result of the second electromagnetic wave detection unit.
本発明にかかる測定装置は、一体型構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段とを備えるように構成される。 The measuring apparatus according to the present invention detects an electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the integrated structure with an electromagnetic wave, and a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. Electromagnetic wave detecting means for performing measurement, and characteristic measuring means for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detecting means.
上記のように構成された測定装置によれば、電磁波照射手段は、一体型構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する。電磁波検出手段は、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する。特性測定手段は、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する。 According to the measuring apparatus configured as described above, the electromagnetic wave irradiation means irradiates each type of the measurement object in the integrated structure with electromagnetic waves. The electromagnetic wave detecting means detects a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave. The characteristic measuring unit measures the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detecting unit.
また、本発明にかかる測定装置は、前記特性測定手段が、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段とを有するようにしてもよい。 Further, the measuring device according to the present invention includes a transmittance measuring unit that measures the transmittance of the electromagnetic wave based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit and the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit. And a refractive index deriving means for deriving the refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance.
また、本発明にかかる測定装置は、前記屈折率導出手段が、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出するようにしてもよい。 Further, in the measuring apparatus according to the present invention, the refractive index deriving unit measures the transmittance measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at the frequency A and the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at the frequency B. The refractive index of the object to be measured may be derived based on A and B when the transmittance measured based on
また、本発明にかかる測定装置は、周波数特性調整部材を備え、前記周波数Bの近傍において、前記透過率の周波数に対する傾きが、前記周波数特性調整部材が無い場合よりも大きくなるようにしてもよい。 Moreover, the measuring apparatus according to the present invention may include a frequency characteristic adjusting member, and in the vicinity of the frequency B, the slope of the transmittance with respect to the frequency may be larger than that without the frequency characteristic adjusting member. .
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射工程と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。 The present invention provides a first electromagnetic wave in an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane. A first electromagnetic wave irradiation step of irradiating the first electromagnetic wave, a first electromagnetic wave detection step of detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave, and the object to be measured in the gap A second electromagnetic wave irradiation step of irradiating the second electromagnetic wave to the void arrangement structure that is not arranged, and a second electromagnetic wave that detects a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave A measurement method comprising: a detection step; and a characteristic measurement step of measuring a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the first electromagnetic wave detection step and a detection result of the second electromagnetic wave detection step.
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されている配置部分に第一電磁波を照射する第一電磁波照射工程と、照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、前記一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。 The present invention provides the void portion in an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves and a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane. A first electromagnetic wave irradiation step of irradiating a first electromagnetic wave to an arrangement portion where the object to be measured is arranged, and a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave An electromagnetic wave detecting step, a second electromagnetic wave irradiating step of irradiating a second electromagnetic wave to a non-arranged portion in which the object to be measured is not arranged in the gap portion in the integrated structure, and the second electromagnetic wave irradiating the second electromagnetic wave Based on the second electromagnetic wave detection step of detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion, the detection result of the first electromagnetic wave detection step, and the detection result of the second electromagnetic wave detection step, It is a measuring method and a characteristic measuring step of measuring a characteristic of the object to be measured.
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体であって、前記空隙部に配置された前記被測定物が二種類以上ある一体型構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射工程と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程とを備えた測定方法である。 The present invention is an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane, An electromagnetic wave irradiating step of irradiating each type of the measurement object in the integrated structure having two or more types of the measurement object arranged in the gap, and the integrated structure for the irradiated electromagnetic wave An electromagnetic wave detection step for detecting a response electromagnetic wave, which is a response by, and a characteristic measurement step for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection step.
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 The present invention provides a first electromagnetic wave in an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane. A first electromagnetic wave irradiating means for irradiating the first electromagnetic wave, a first electromagnetic wave detecting means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave, and the object to be measured in the gap. Second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the second electromagnetic wave to the void arrangement structure that is not arranged, and a second electromagnetic wave for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave A program for causing a computer to execute a measurement process in a measuring device including a detection unit, the detection result of the first electromagnetic wave detection unit, and the second electromagnetic wave detection unit Out based on the result, the a program for executing a characteristic measurement process of measuring the characteristics of the object to be measured to the computer.
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されている配置部分に第一電磁波を照射する第一電磁波照射手段と、照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、前記一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 The present invention provides the void portion in an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves and a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane. A first electromagnetic wave irradiation means for irradiating a first electromagnetic wave to an arrangement portion where the object to be measured is arranged, and a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave An electromagnetic wave detecting means; a second electromagnetic wave irradiating means for irradiating a second electromagnetic wave to a non-arranged portion in which the object to be measured is not arranged in the gap portion of the integrated structure; and the second electromagnetic wave irradiating means. A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by a non-arranged part, and a program for causing a computer to execute a measurement process in a measuring device Wherein based on the detection result of the detection result and the second electromagnetic wave detection means of the first electromagnetic wave detecting means, wherein a program for executing a characteristic measurement process of measuring the characteristics of the object to be measured to the computer.
本発明は、電磁波を照射することにより特性が測定される被測定物と、所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体とを有する一体型構造体であって、前記空隙部に配置された前記被測定物が二種類以上ある一体型構造体における各々の種類の前記被測定物に電磁波を照射する電磁波照射手段と、照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 The present invention is an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane, Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the integrated structure having two or more types of the measurement object arranged in the gap, and the integrated structure for the irradiated electromagnetic wave A program for causing a computer to execute a measurement process in a measuring device including a response electromagnetic wave that is a response electromagnetic wave, and a characteristic of the object to be measured based on a detection result of the electromagnetic wave detection unit This is a program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring.
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第一の実施形態
図1は、本発明の第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1の斜視図である。格子(空隙配置構造体)1は、導体板10を有する。導体板10は、例えば金属板である。導体板10の厚みの方向は、Z方向である。導体板10には、空隙部(開口)12が開けられている。空隙部12はZ方向に導体板10を貫通する。空隙部12は、XY平面において開口する。空隙部12は、縦方向(Y方向)および横方向(X方向)に配列されている。すなわち、格子1は、二次元格子である。
First Embodiment FIG. 1 is a perspective view of a lattice (gap arrangement structure) 1 according to a first embodiment of the present invention. The lattice (gap arrangement structure) 1 includes a
図2は、第一の実施形態にかかる格子(空隙配置構造体)1のXY平面図(図2(a))および充填格子(一体型構造体)2のXY平面図(図2(b))である。 2A and 2B are an XY plan view of the lattice (gap arrangement structure) 1 according to the first embodiment (FIG. 2A) and an XY plan view of the filling lattice 2 (integrated structure) 2 (FIG. 2B). ).
図2(a)を参照して、格子(空隙配置構造体)1は、XY平面において、空隙部(開口)12が二方向(X方向およびY方向)に配列されている。空隙部12は、正方形の開口であり、X方向およびY方向の一辺の長さ(アパーチャー:aperture)はともに等しい(aであるとする)。また、空隙部12のX方向のピッチおよびY方向のピッチ(pitch)はともに等しい(pであるとする)。なお、aおよびpが数十ミクロン程度なので、格子1は、いわゆるメッシュであるともいえる。
Referring to FIG. 2A, in the lattice (gap arrangement structure) 1, the gaps (openings) 12 are arranged in two directions (X direction and Y direction) on the XY plane. The
図2(b)を参照して、充填格子(一体型構造体)2は、格子1の空隙部12の内部に被測定物20が配置されているものである。被測定物20は、電磁波を照射することにより特性(例えば、電磁波の透過率、屈折率など)が測定されるものである。被測定物20は、例えば、油脂、生体分子(DNAなど)などである。被測定物20が油脂のようなものであれば、空隙部12に被測定物20を充填すれば(空隙部12に隙間があいていてもよい)、空隙部12に被測定物20を配置したことになる。
With reference to FIG. 2 (b), the filling grid (integrated structure) 2 is configured such that the
図3は、格子1の空隙部12の一つの近傍を表示した平面図である。空隙部12は、XY平面において、導体板10の一部である導体14で囲まれているものといえる。このような空隙部12がX方向およびY方向に配列されている。
FIG. 3 is a plan view showing one vicinity of the
図4は、充填格子(一体型構造体)4のXY平面図である。充填格子4は、格子1の空隙部12に被測定物20が配置されていない非配置部分4aと、格子1の空隙部12に被測定物20が配置されている配置部分4bとを有する。
FIG. 4 is an XY plan view of the filling grid (integrated structure) 4. The packed
なお、図17に示すように、非配置部分4aに、配置部分4bに配置された被測定物とは異なる別の被測定物を配置することも考えられる。図17(a)は、非配置部分4aに別の被測定物を配置した場合の充填格子4のXY平面図である。非配置部分4aには被測定物20aが、配置部分4bには被測定物20bが配置されている。
In addition, as shown in FIG. 17, it is also conceivable to arrange another measurement object different from the measurement object arranged in the
また、図17(b)に示すように、充填格子4に三種類の被測定物を配置してもよい。図17(b)は、三種類の被測定物を配置した充填格子4のXY平面図である。すなわち、第一配置部分4cには被測定物20aが、第二配置部分4dには被測定物20bが、第三配置部分4eには被測定物20cが配置されている。このように、充填格子4に三種類以上の被測定物を配置してもよい。
Further, as shown in FIG. 17B, three kinds of objects to be measured may be arranged on the
図5は、格子1の変形例について説明するためのXY平面図である。図5(a)は、空隙部12が一方向(X方向)にしか配列されていない。すなわち、一次元に配列されたものである。図5(b)は、空隙部12がX方向、Y1方向およびY2方向(Y方向ではない)に配列されている。どちらも、格子1として使用できる。ただし、図5に示すように同一形状(同じ形かつ同じ大きさ)の空隙部12が所定のピッチ(または間隔)で配置されていることを要する。また、格子1の空隙部12は正方形でなくてもよく、円形でもよいし、三角形や四角形でも可能である。すなわち、二次元的な図形であればよい。さらに、図14に示すように、空隙部12が一個だけの場合も格子1として使用できる。
FIG. 5 is an XY plan view for explaining a modification of the
なお、これまで格子1に被測定物20を配置する例として、格子1の空隙部12に被測定物20を配置したものを説明してきた。しかし、格子1に被測定物20を配置する方法は、これに限定されない。例えば、格子1の表面に被測定物20を配置することが考えられる。
Heretofore, an example in which the device under
図18は、格子1の表面に被測定物20を配置した一体型構造体7のXY平面図(図18(a))およびb−b断面図(図18(b))である。一体型構造体7は、シート(配置部材)15を有する。シート15は、格子1の表面に載せられている。図18(a)を参照すると、シート15が格子1の空隙部12を覆い隠して見えないようにしている状態であることがわかる。また、図18(b)を参照すると、シート15の裏面は格子1の表面に接しており、シート15の表面には被測定物20(例えばDNAであり、Y字状の図形として図示している)が配置(例えば、固定)されている。シート15は、例えば、DNAのハイブリダイゼーションに用いられるナイロン膜である。被測定物20であるDNAは、ナイロン膜であるシート15にしみこませることにより、シート15に固定できる。
18A and 18B are an XY plan view (FIG. 18A) and a bb cross-sectional view (FIG. 18B) of the
図6は、第一の実施形態にかかる充填格子(一体型構造体)2の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。測定装置は、放射制御部32、電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34、電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36、特性測定部40を備える。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the
放射制御部32は、電磁波のパワーP1、電磁波の周波数fを指定して、電磁波照射部34に電磁波を放射させる。指定したパワーP1および周波数fは、特性測定部40の透過率測定部42にも与えられる。
The
電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)34は、パワーP1および周波数fの電磁波を放射する。放射された電磁波は格子1または充填格子2に照射される。あるいは、放射された電磁波は充填格子4の非配置部分4aまたは配置部分4bに照射される。
The electromagnetic wave irradiation unit (first electromagnetic wave irradiation means and second electromagnetic wave irradiation means) 34 emits an electromagnetic wave having power P1 and frequency f. The emitted electromagnetic wave is applied to the
ここで、充填格子2に照射される電磁波を第一電磁波といい、格子1に照射される電磁波を第二電磁波という。また、配置部分4bに照射される電磁波を第一電磁波といい、非配置部分4aに照射される電磁波を第二電磁波という。
Here, the electromagnetic wave irradiated to the
電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)36は、格子1または充填格子2もしくは充填格子4を透過した電磁波を検出し、パワーP2を測定し、特性測定部40の透過率測定部42に与える。なお、透過した電磁波ではなく反射した電磁波を検出することも考えられる。
The electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection unit and second electromagnetic wave detection unit) 36 detects an electromagnetic wave that has passed through the
すなわち、照射された第一電磁波に対する充填格子2による応答(例えば、透過、反射)である第一応答電磁波および照射された第二電磁波に対する格子1による応答(例えば、透過、反射)である第二応答電磁波を検出すればよい。または、照射された第一電磁波に対する配置部分4bによる応答(例えば、透過、反射)である第一応答電磁波および照射された第二電磁波に対する非配置部分4aによる応答(例えば、透過、反射)である第二応答電磁波を検出すればよい。
In other words, the first response electromagnetic wave that is a response (for example, transmission and reflection) by the filled grating 2 to the irradiated first electromagnetic wave and the second response (for example, transmission and reflection) by the
特性測定部40は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、被測定物20の特性を測定する。特性測定部40は、透過率測定部42、透過率記録部44、屈折率導出部46を有する。
The
透過率測定部42は、電磁波検出部36の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する。すなわち、充填格子2および格子1の電磁波の透過率を測定する。または、配置部分4bおよび非配置部分4aの電磁波の透過率を測定する。透過率は、P2/P1により求められる。ただし、反射が無視できない場合は、厚さの異なる同一物について、P2を測定してやれば、反射の影響をキャンセルできる。これについては周知なので詳細には説明をしない。
The
透過率記録部44は、透過率測定部42が測定した透過率を電磁波の周波数に対応づけて記録する。
The
屈折率導出部46は、測定された透過率に基づき、被測定物20の屈折率を導出する。すなわち、周波数Aにおける第一応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける第二応答電磁波の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、被測定物20の屈折率をAおよびBに基づき導出する。
The refractive
次に、第一の実施形態の動作を説明する。 Next, the operation of the first embodiment will be described.
図7は、第一の実施形態にかかる測定装置の動作を示すフローチャートである。図8は、被測定物20の屈折率の決定法を説明するためのグラフである。
FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the measuring apparatus according to the first embodiment. FIG. 8 is a graph for explaining a method for determining the refractive index of the
なお、格子1および充填格子2の散乱および吸収は無視できるものとする。例えば、格子1および充填格子2の材質がそのような条件を満たすものである。または、格子1および充填格子2の厚さがそのような条件を満たすものである。
Note that the scattering and absorption of the
一般的に、強度がI0の入射波が物質中をxだけ進行した点での強度をI(x)とすると、入射波の減衰(吸収)は、I(x)
= I0exp-αxのように表せる。
In general, if the intensity at the point where an incident wave with an intensity of I 0 travels through the substance by x is I (x), the attenuation (absorption) of the incident wave is I (x)
= I 0 exp -αx
上記の式のα(材質によって定まる)かx(厚さ)が非常に小さい場合に吸収が無視できる。 Absorption is negligible when α (determined by the material) or x (thickness) in the above equation is very small.
まず、格子1(または非配置部分4a)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して、電磁波照射部34から所定の帯域の第二電磁波を放射する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第二応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が格子1(または非配置部分4a)の透過率を測定する(S10)。透過率は、P2/P1により求められる。測定された透過率は第二電磁波の周波数に対応付けられて透過率記録部44に記録される。ただし、測定装置は屈折率n0(例えば、1)の空気中で使用するものとする。
First, the grid 1 (or the
図8に示す例では、所定の帯域として0THzを超えて6THz(テラヘルツ)までの帯域をとり、格子1(または非配置部分4a)の透過率を測定したグラフG1が図示されている。このグラフG1は、Tn0(f)と表現できる。すなわち、透過率Tは、屈折率n0および周波数fの関数である。
In the example shown in FIG. 8, a graph G1 is illustrated in which the predetermined band is a band exceeding 0 THz and reaching 6 THz (terahertz), and the transmittance of the grating 1 (or the
次に、充填格子2(または配置部分4b)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置して、電磁波照射部34から周波数Aの第一電磁波を放射する。電磁波検出部36は、透過した電磁波(第一応答電磁波)を検出する。そして、透過率測定部42が充填格子2(または配置部分4b)の透過率を測定する(S12)。透過率は、P2/P1により求められる。
Next, the packed grid 2 (or the
図8に示す例では、周波数A=1THzとして、充填格子2(または配置部分4b)の透過率=40%を得る(グラフG2)。このグラフG2は、Tnx(A)と表現できる。すなわち、周波数Aにおける充填格子2(または配置部分4b)の透過率Tnxは、被測定物20の屈折率nxおよび周波数A(=1THz)の関数である。
In the example shown in FIG. 8, the transmittance A = 40% of the filling grating 2 (or the
次に、屈折率導出部46が、透過率記録部44の記録内容および透過率測定部42の測定した充填格子2(または配置部分4b)の透過率に基づき、対応周波数Bを決定する(S14)。すなわち、図8を参照して、屈折率導出部46が、周波数A(=1THz)における電磁波検出部36の検出結果(グラフG2)に基づき測定された透過率(=40%)と、対応周波数Bにおける電磁波検出部36の検出結果に基づき測定された透過率とが等しくなるような、対応周波数Bを決定する。対応周波数Bは3.4THzとなる。
Next, the refractive
これは、Tn0(B) = Tnx(A)ということを意味する。 This means that T n0 (B) = T nx (A).
最後に、屈折率導出部46が、被測定物20の屈折率を導出する(S16)。すなわち、被測定物20の屈折率=B/Aとして、被測定物20の屈折率nxを導出する。図8に示す例では、屈折率nx=3.4THz/1THz=3.4となる。これは、B=nx・Aということを用いて、被測定物20の屈折率nxを導出したものである。
Finally, the refractive
なお、図17(a)に示す充填格子4を利用する場合も同様に、電磁波を照射して、非配置部分4aおよび配置部分4bの透過率の測定を行う。この場合、特性測定部40は、被測定物20aおよび被測定物20bの透過率の差を測定できる。また、図17(b)に示す充填格子4を利用する場合は、電磁波を照射して、第一配置部分4cの透過率の測定、第二配置部分4dの透過率の測定、および、第三配置部分4eの透過率の測定を行う。この場合、特性測定部40は、被測定物20a、20b、20cの透過率の差を測定できる。
In the case of using the packed
第一の実施形態にかかる充填格子(一体型構造体)2によれば、被測定物20を有利に取り扱うことができる。例えば、充填格子2の空隙部12の内部に配置されている被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。
According to the packed grid (integrated structure) 2 according to the first embodiment, the
第一の実施形態にかかる測定装置によれば、充填格子(一体型構造体)2および格子(空隙配置構造体)1における電磁波の透過率を測定することにより、被測定物20の特性(例えば、屈折率)を容易に測定できる。 According to the measuring apparatus according to the first embodiment, by measuring the transmittance of electromagnetic waves in the filling grid (integrated structure) 2 and the grid (gap-arranged structure) 1, the characteristics of the object to be measured 20 (for example, , Refractive index) can be easily measured.
第一の実施形態にかかる充填格子(一体型構造体)4によれば、格子1を利用しなくても(充填格子2を格子1に差し替えなくても)、被測定物20の特性(例えば、屈折率)を測定できる。
According to the packed grid (integrated structure) 4 according to the first embodiment, the characteristics (for example, the measured object 20) can be obtained without using the grid 1 (without replacing the filled
図9は、格子1(または非配置部分4a)の透過率を測定したグラフG1の、アパーチャーaおよびピッチpに対する変化を説明するための図である。aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、傾きが小さく、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、傾きが大きい。
FIG. 9 is a diagram for explaining changes of the graph G1 in which the transmittance of the grating 1 (or the
対応周波数Bの最大値は、透過率が極大値をとる周波数F1(グラフG1−1)、周波数F2(グラフG1−2)である。対応周波数Bの最大値が大きい程、より大きな屈折率を測定できる。よって、aおよびpが小さいと(グラフG1−1)、広い範囲の屈折率を測定できる。逆に、aおよびpが大きいと(グラフG1−2)、高精度に屈折率を測定できる。屈折率がわずかに異なっても、透過率が大きく変化するからである。 The maximum value of the corresponding frequency B is the frequency F1 (graph G1-1) and the frequency F2 (graph G1-2) at which the transmittance is a maximum value. The larger the maximum value of the corresponding frequency B, the larger the refractive index can be measured. Therefore, when a and p are small (graph G1-1), a wide range of refractive indexes can be measured. Conversely, when a and p are large (graph G1-2), the refractive index can be measured with high accuracy. This is because the transmittance varies greatly even if the refractive index is slightly different.
よって、広い範囲の屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを小さくした充填格子2、4を利用するとよい。高精度に屈折率を測定したいならばアパーチャーaおよびピッチpを大きくした充填格子2、4を利用するとよい。
Therefore, if it is desired to measure the refractive index in a wide range, it is preferable to use the filled
第二の実施形態
第二の実施形態は、格子(周波数特性調整部材)6を、格子1および充填格子2に平行に配置して使用する(または充填格子4に平行に配置して使用する)点が第一の実施形態と異なる。
Second Embodiment In the second embodiment, the grating (frequency characteristic adjusting member) 6 is used in parallel with the
図10は、第二の実施形態にかかる充填格子(一体型構造体)2の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。第二の実施形態にかかる測定装置は、格子(周波数特性調整部材)6のみが第一の実施形態と異なる。他の部分は第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a measuring apparatus for measuring the refractive index of the
格子(周波数特性調整部材)6は、格子1と同じものでよい。ただし、充填格子2の被測定物20(または充填格子4の配置部分4b)と、格子6とが重なりあっていることを要する。しかも、格子6と、格子1、充填格子2および充填格子4との間隔d=(λ/2)・n(ただし、nは自然数)であることを要する。なお、λは対応周波数Bに対応する電磁波の波長である。なお、格子6は格子1と同じ形状であってもよいが、上記の要件を満たし、しかも電磁波を一部透過かつ一部を反射するならば、別の形状であってもかまわない。
The grating (frequency characteristic adjusting member) 6 may be the same as the
図11は、格子6を格子1(または充填格子4の非配置部分4a)に平行に配置したときの透過率のグラフG1および格子6を配置しないときの透過率のグラフG1’を示す図である。格子6を格子1に平行に配置したときは対応周波数Bにおいて共振が成立するので、対応周波数Bの近傍部分における透過率の周波数に対する傾きが、格子6を配置しないときよりも大きくなる。
FIG. 11 is a diagram showing a transmittance graph G1 when the
すなわち、格子6を格子1に平行に配置したときの透過率のグラフG1は、波打った線になる。言換えれば、格子6を格子1に平行に配置した構成はファブリペローエタロン共振器と同等の構造なので、透過率のグラフG1は、周期的に透過量のピークをもつ。ここで、被測定物20として屈折率のわずかに異なる試料、例えば、DNAの1本鎖、2本鎖や構造の異なる数種類のタンパク質を考える。このような被測定物20の透過率をそれぞれ測定する。屈折率がわずかに異なるだけなので、格子6を配置しなければ、透過率もわずかにしか異ならない。しかし、格子6を配置すれば、わずかな屈折率の違いでも、透過率が大きく異なる。よって、被測定物20のそれぞれについて異なる透過率が得られるため、DNAの結合状態やタンパク質の構造の違いを判別できる。ここで、DNAの1本鎖を図17(a)に示す非配置部分4aに被測定物20aとして、DNAの2本鎖を図17(a)に示す配置部分4bに被測定物20bとして配置すれば、DNAの1本鎖の透過率と2本鎖の透過率が得られる。
That is, the transmittance graph G1 when the
なお、第二の実施形態の動作は第一の実施形態と同様である。ただし、格子1(または非配置部分4a)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置するかわりに、格子1および格子6(または非配置部分4aおよび格子6)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置する。さらに、充填格子2(または配置部分4b)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置するかわりに、充填格子2および格子6(または配置部分4bおよび格子6)を電磁波照射部34および電磁波検出部36の間に配置する。
The operation of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. However, instead of disposing the grid 1 (or the
第二の実施形態によれば、第一の実施形態に比べて高精度に被測定物20の屈折率を測定できる。よって、被測定物20として屈折率のわずかに異なる試料、例えば、DNAの1本鎖、2本鎖や構造の異なる数種類のタンパク質を使用しても、DNAの結合状態やタンパク質の構造の違いを判別できる。
According to the second embodiment, the refractive index of the
第三の実施形態
第三の実施形態は、充填格子(一体型構造体)8が、基部11を有し、導体14が基部11に印刷されている点が第一の実施形態と異なる。
Third Embodiment A third embodiment is different from the first embodiment in that a filling grid (integrated structure) 8 has a
図12は、第三の実施形態にかかる充填格子(一体型構造体)8の平面図である。充填格子8は、基部11、導体14および被測定物20を備える。基部11は、照射される電磁波の周波数帯域において、電磁波の透過率が高く、かつほぼ一定であることを要する。基部11は、紙または薄いプラスチック(例えばOHPシート)であることが好ましい。導体14は基部11に印刷される。導体14により形成された空隙部12に被測定物20が配置(あるいは充填)される。
FIG. 12 is a plan view of the filling grid (integrated structure) 8 according to the third embodiment. The packed
図13は、充填格子8の導体14の拡大斜視図である。なお、図示の便宜上、被測定物20を省略して図示している。導体14により空隙部12が形成されている。より詳しくは、XY平面において導体14により空隙部12が囲まれている。かかる空隙部12に被測定物20が配置(あるいは充填)されると、XY平面において導体14により被測定物20が囲まれることになる。なお、空隙部12が縦方向(Y方向)および横方向(X方向)に配列されていることは第一の実施形態と同様である。また、空隙部12が配置されていれば(例えば、図5および図14参照)、縦方向(Y方向)および横方向(X方向)に配列されていなくてもよい。
FIG. 13 is an enlarged perspective view of the
第三の実施形態にかかる測定装置およびその動作は第一の実施形態と同様である。 The measuring device and its operation according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment.
第三の実施形態にかかる充填格子8によれば、被測定物20を有利に取り扱うことができる。例えば、被測定物20の屈折率を容易に測定できる。
According to the packed
第四の実施形態
第四の実施形態にかかる測定装置は、充填格子4にテラヘルツ波を照射し、二次元走査を行う点で第一の実施形態と異なる。
Fourth Embodiment A measurement apparatus according to the fourth embodiment is different from the first embodiment in that a terahertz wave is irradiated onto the
図15は、第四の実施形態にかかる充填格子4の被測定物20の屈折率を測定するための測定装置の構成を示す図である。第四の実施形態にかかる測定装置は、充填格子4、電磁波照射部30、X−Yステージ50、電磁波検出部60、制御・演算部70、放物面ミラー80a、80b、80c、80d、ミラー90を備える。
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of a measurement apparatus for measuring the refractive index of the
電磁波照射部30、テラヘルツ波を放射する。X−Yステージ50は、充填格子4をX方向およびY方向に移動させる。電磁波検出部60は、充填格子4を透過したテラヘルツ波を検出する。制御・演算部70は、X−Yステージ50を制御し、かつ、電磁波検出部60の検出結果に基づき、充填格子4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。
The electromagnetic
放物面ミラー80aは、ミラー90から与えられたテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80bに与える。放物面ミラー80bは、放物面ミラー80aから与えられたテラヘルツ波を反射して充填格子4に照射する。テラヘルツ波は、充填格子4上の一点(「焦点」という)に照射される。放物面ミラー80cは、充填格子4を透過したテラヘルツ波を反射して放物面ミラー80dに与える。放物面ミラー80dは、放物面ミラー80cから与えられたテラヘルツ波を反射して電磁波検出部60に与える。ミラー90は、電磁波照射部30の放射したテラヘルツ波を反射して、放物面ミラー80aに与える。
The
なお、図示しないディスプレイを制御・演算部70に接続して、屈折率および透過率を表示することもできる。また、画像処理(屈折率または吸収率が大きい程に白く、小さい程に黒く)を施してディスプレイに表示してもよい。
A display (not shown) can be connected to the control /
次に、第四の実施形態の動作を説明する。 Next, the operation of the fourth embodiment will be described.
電磁波照射部30により放射されたテラヘルツ波は、ミラー90および放物面ミラー80a、80bにより反射され、充填格子4に照射される。ここで、X−Yステージ50は、制御・演算部70の制御を受け、充填格子4の空隙部12(被測定物20が配置されているものも、いないものもある)の各々がテラヘルツ波を受けるように、すなわち焦点が空隙部12にあうように、X方向およびY方向に移動させる。すなわち、二次元走査させる。充填格子4の空隙部12を透過したテラヘルツ波は放物面ミラー80c、80dにより反射され、電磁波検出部60に与えられる。電磁波検出部60は、充填格子4を透過したテラヘルツ波を検出する。制御・演算部70は、電磁波検出部60の検出結果に基づき、充填格子4の被測定物20の特性(例えば、透過率、屈折率など)を演算する。演算法は、第一、第二および第三の実施形態と同様であり説明を省略する。
The terahertz wave radiated from the electromagnetic
第四の実施形態によれば、充填格子4の空隙部12の各々の透過率、屈折率が測定できるので、充填格子4の被測定物20の特性を詳細かつ精密に測定することができる。
According to the fourth embodiment, since the transmittance and the refractive index of each of the
なお、上記の実施形態において、格子1(非配置部分4a)および充填格子2(配置部分4b)の透過率を計測すると、透過率が極大値をとる周波数が移動することがわかる。図16は、格子1および充填格子2によって透過率が極大値をとる周波数の移動を示す図である。図16に示すように、透過率が極大値をとる周波数Fa(格子1:グラフGa)がFb(充填格子2:グラフGb)に移動する。これにより、被測定物20が何であるか(これも被測定物20の特性の一種)を特定するようなこともできる。また、被測定物20の空隙部12への充填の具合によって、透過率の特性が変化する。これにより、充填の具合(つまりすぎかといったことなど)を特定するようなこともできる。
In the above embodiment, when the transmittance of the grating 1 (
なお、上記の実施形態は、以下のようにして実現できる。CPU、ハードディスク、メディア(フロッピー(登録商標)ディスク、CD−ROMなど)読み取り装置を備えたコンピュータのメディア読み取り装置に、上記の各部分(例えば、特性測定部40)を実現するプログラムを記録したメディアを読み取らせて、ハードディスクにインストールする。このような方法でも、上記の実施形態を実現できる。 In addition, said embodiment is realizable as follows. A medium in which a program for realizing each of the above-described parts (for example, the characteristic measurement unit 40) is recorded in a medium reading device of a computer having a CPU, a hard disk, and a medium (floppy (registered trademark) disk, CD-ROM, etc.) And install it on the hard disk. The above embodiment can also be realized by such a method.
なお、上記のような格子1および充填格子2を用いた屈折率測定は、格子1の機構的なサイズを適切に設計することでどのような周波数においても測定可能である。特に周波数がミリ波帯〜テラヘルツ帯(周波数:100GHz〜10THz、波長:3mm〜30μm)においては、被測定物20を配置(例えば、充填)する際に必要とされる被測定物20の量が少量で済むという点が有利である。
Note that the refractive index measurement using the
より詳細には、上記の帯域よりも周波数が低い帯域と比べた場合は、格子1のサイズを小さくでき、少量の被測定物20で済んでしまう。上記の帯域よりも周波数が高い帯域(波長が光のように短い(すなわち、1μm以下)近赤外領域)と比べた場合は、被測定物20を配置または充填することが容易である。
More specifically, when compared with a band having a frequency lower than the above band, the size of the
産業応用の観点からも、ミリ波帯〜テラヘルツ帯で、上記のような測定方法を適用すると、小型のDNAチップやタンパクチップなどを容易に製造でき、生体高分子の相互作用測定などに適用できるものと思われる。生体高分子の相互作用測定には近赤外領域で表面プラズモン共鳴現象を利用し、センサーの微小な屈折率の変化を検出する分析装置が開発されているが、流路系を用いてセンサーに液体試料を流し続けるため大量の試料を要する、装置が大型、高価である等の欠点がある。 From the viewpoint of industrial application, if the above measurement method is applied in the millimeter wave band to the terahertz band, a small DNA chip, protein chip, etc. can be easily manufactured, and it can be applied to biopolymer interaction measurement, etc. It seems to be. Analytical devices have been developed that use surface plasmon resonance in the near-infrared region to detect biopolymer interactions, and detect minute changes in the refractive index of the sensor. There are drawbacks that a large amount of sample is required to keep the liquid sample flowing, the apparatus is large, and expensive.
1 格子(空隙配置構造体)
10 導体板
11 基部
12 空隙部(開口)
14 導体
2 充填格子(一体型構造体)
20 被測定物
4 充填格子(一体型構造体)
4a 非配置部分
4b 配置部分
6 格子(周波数特性調整部材)
8 充填格子(一体型構造体)
32 放射制御部
34 電磁波照射部(第一電磁波照射手段および第二電磁波照射手段)
36 電磁波検出部(第一電磁波検出手段および第二電磁波検出手段)
40 特性測定部
42 透過率測定部
44 透過率記録部
46 屈折率導出部
1 Lattice (void arrangement structure)
10
14
20
4a
8 Filling grid (integrated structure)
32
36 Electromagnetic wave detection unit (first electromagnetic wave detection means and second electromagnetic wave detection means)
40
Claims (21)
所定の平面において導体で囲まれた空隙部が配置された空隙配置構造体と、
を備えた一体型構造体。 An object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves;
A gap arrangement structure in which a gap surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane;
Integrated structure with
前記被測定物が前記空隙部の内部に配置されている、
一体型構造体。 An integrated structure according to claim 1,
The object to be measured is disposed inside the gap,
Integrated structure.
前記被測定物が配置されている配置部材を備え、
前記配置部材は前記空隙配置構造体の表面に配置されている、
一体型構造体。 An integrated structure according to claim 1,
An arrangement member in which the object to be measured is arranged;
The arrangement member is arranged on the surface of the gap arrangement structure.
Integrated structure.
前記空隙配置構造体は、同一形状の前記空隙部が所定の方向に一定の間隔で配置されている、
一体型構造体。 An integrated structure according to any one of claims 1 to 3,
In the gap arrangement structure, the gap portions having the same shape are arranged at predetermined intervals in a predetermined direction.
Integrated structure.
前記空隙配置構造体は、導体を貫通する開口が縦方向および横方向に配列された二次元格子である、
一体型構造体。 An integrated structure according to claim 4, wherein
The gap arrangement structure is a two-dimensional lattice in which openings penetrating a conductor are arranged in a vertical direction and a horizontal direction.
Integrated structure.
前記空隙配置構造体は、前記導体が配置される基部を有する、
一体型構造体。 An integrated structure according to any one of claims 1 to 3,
The gap arrangement structure has a base on which the conductor is arranged.
Integrated structure.
前記基部に前記導体が印刷される、
一体型構造体。 An integrated structure according to claim 6,
The conductor is printed on the base;
Integrated structure.
前記空隙部に前記被測定物が配置されている配置部分と、
前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分と、
を有する一体型構造体。 An integrated structure according to any one of claims 1 to 7,
An arrangement part in which the object to be measured is arranged in the gap; and
A non-arranged part in which the object to be measured is not arranged in the gap,
Integrated structure having
前記空隙部に配置された前記被測定物が二種類以上ある、
一体型構造体。 An integrated structure according to any one of claims 1 to 7,
There are two or more objects to be measured arranged in the gap,
Integrated structure.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。 First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the integrated structure according to any one of claims 1 to 7 with a first electromagnetic wave;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the gap arrangement structure body in which the measurement object is not arranged in the gap portion with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。 First electromagnetic wave irradiation means for irradiating the first electromagnetic wave to the arrangement portion in the integrated structure according to claim 8;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the non-arranged portion with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定手段と、
を備えた測定装置。 Electromagnetic wave irradiation means for irradiating each type of the measurement object in the integrated structure according to claim 9 with electromagnetic waves;
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection means, characteristic measurement means for measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring device.
前記特性測定手段が、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、電磁波の透過率を測定する透過率測定手段と、
測定された前記透過率に基づき、前記被測定物の屈折率を導出する屈折率導出手段と、
を有する測定装置。 A measuring device according to any one of claims 10 to 12,
The characteristic measuring means comprises:
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means, a transmittance measurement means for measuring the transmittance of the electromagnetic wave,
A refractive index deriving means for deriving a refractive index of the object to be measured based on the measured transmittance;
Measuring device.
前記屈折率導出手段は、周波数Aにおける前記第一電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率と、周波数Bにおける前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき測定された透過率とが等しい場合に、前記被測定物の屈折率をAおよびBに基づき導出する、
測定装置。 The measuring device according to claim 13,
In the refractive index deriving unit, the transmittance measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detecting unit at the frequency A is equal to the transmittance measured based on the detection result of the second electromagnetic wave detecting unit at the frequency B. A refractive index of the object to be measured is derived based on A and B,
measuring device.
周波数特性調整部材を備え、
前記周波数Bの近傍において、前記透過率の周波数に対する傾きが、前記周波数特性調整部材が無い場合よりも大きくなる、測定装置。 15. The measuring device according to claim 14, wherein
With a frequency characteristic adjustment member,
In the vicinity of the frequency B, the measurement apparatus in which the slope of the transmittance with respect to the frequency is larger than when the frequency characteristic adjusting member is not provided.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、
前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、
前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。 A first electromagnetic wave is irradiated to an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane. One electromagnetic wave irradiation process;
A first electromagnetic wave detection step of detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation step of irradiating a second electromagnetic wave to the gap arrangement structure in which the object to be measured is not arranged in the gap;
A second electromagnetic wave detection step of detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection step and the detection result of the second electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring method.
照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出工程と、
前記一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射工程と、
照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出工程と、
前記第一電磁波検出工程の検出結果および前記第二電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。 The object to be measured in the void portion in an integral structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves and a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane A first electromagnetic wave irradiation step of irradiating a first electromagnetic wave to an arrangement part where an object is arranged;
A first electromagnetic wave detection step of detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation step of irradiating a second electromagnetic wave to a non-arranged portion in which the object to be measured is not arranged in the gap in the integrated structure;
A second electromagnetic wave detection step of detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion to the irradiated second electromagnetic wave;
Based on the detection result of the first electromagnetic wave detection step and the detection result of the second electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step of measuring the characteristic of the object to be measured;
Measuring method.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出工程と、
前記電磁波検出工程の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定工程と、
を備えた測定方法。 An integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane, An electromagnetic wave irradiation step of irradiating each type of the measurement object in the integrated structure having two or more types of the measurement object arranged; and
An electromagnetic wave detection step of detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated electromagnetic wave;
Based on the detection result of the electromagnetic wave detection step, a characteristic measurement step for measuring the characteristic of the object to be measured,
Measuring method.
照射された前記第一電磁波に対する前記一体型構造体による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記空隙部に前記被測定物が配置されていない前記空隙配置構造体に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記空隙配置構造体による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。 A first electromagnetic wave is irradiated to an integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane. One electromagnetic wave irradiation means;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating the gap arrangement structure body in which the measurement object is not arranged in the gap portion with a second electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the gap arrangement structure to the irradiated second electromagnetic wave;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means.
照射された前記第一電磁波に対する前記配置部分による応答である第一応答電磁波を検出する第一電磁波検出手段と、
前記一体型構造体における前記空隙部に前記被測定物が配置されていない非配置部分に第二電磁波を照射する第二電磁波照射手段と、
照射された前記第二電磁波に対する前記非配置部分による応答である第二応答電磁波を検出する第二電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第一電磁波検出手段の検出結果および前記第二電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。 The object to be measured in the void portion in an integral structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating electromagnetic waves and a void arrangement structure in which a void portion surrounded by a conductor is arranged on a predetermined plane A first electromagnetic wave irradiation means for irradiating the first electromagnetic wave to the arrangement part where the object is arranged;
First electromagnetic wave detection means for detecting a first response electromagnetic wave that is a response by the arrangement portion to the irradiated first electromagnetic wave;
A second electromagnetic wave irradiation means for irradiating a second electromagnetic wave to a non-arranged portion in which the object to be measured is not arranged in the gap in the integrated structure;
A second electromagnetic wave detecting means for detecting a second response electromagnetic wave that is a response by the non-arranged portion to the irradiated second electromagnetic wave;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the first electromagnetic wave detection means and the detection result of the second electromagnetic wave detection means.
照射された前記電磁波に対する前記一体型構造体による応答である応答電磁波を検出する電磁波検出手段と、
を備えた測定装置における測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記電磁波検出手段の検出結果に基づき、前記被測定物の特性を測定する特性測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。 An integrated structure having an object to be measured whose characteristics are measured by irradiating an electromagnetic wave, and a void arrangement structure in which a void surrounded by a conductor is arranged in a predetermined plane, Electromagnetic wave irradiation means for irradiating electromagnetic waves to each type of the measurement object in an integrated structure having two or more types of the measurement object arranged; and
Electromagnetic wave detecting means for detecting a response electromagnetic wave that is a response by the integrated structure to the electromagnetic wave irradiated;
A program for causing a computer to execute a measurement process in a measurement apparatus comprising:
A program for causing a computer to execute a characteristic measurement process for measuring the characteristic of the object to be measured based on the detection result of the electromagnetic wave detection means.
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