JP2007009292A - Vacuum deposition system, and crucible used therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、真空蒸着装置及びこれに用いる坩堝に関する。 The present invention relates to a vacuum deposition apparatus and a crucible used therefor.
平面表示装置の製造では、マスクを用いた真空蒸着法により絶縁基板上に薄膜を形成することがある。例えば、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置の製造では、特許文献１に記載されるように、各有機ＥＬ素子に対応した開口を有するマスクを用いた真空蒸着法により、有機ＥＬ素子の有機物層を形成することがある。
In the manufacture of a flat display device, a thin film may be formed on an insulating substrate by a vacuum evaporation method using a mask. For example, in the manufacture of an organic electroluminescence (EL) display device, as described in
ところで、真空蒸着装置の多くは、カーボン製のリザーバを含んだ坩堝を使用している。カーボン製のリザーバには、熱容量が小さいという特徴がある。但し、このリザーバには、蒸発材料が有機材料である場合に溶融した蒸発材料がリザーバから染み出すという問題がある。 By the way, many of the vacuum deposition apparatuses use a crucible including a carbon reservoir. Carbon reservoirs are characterized by low heat capacity. However, this reservoir has a problem that when the evaporation material is an organic material, the evaporated evaporation material oozes out of the reservoir.
石英又は金属材料製のリザーバは、溶融した有機材料がリザーバから染み出すという問題を生じない。しかしながら、石英又は金属材料製のリザーバは、熱容量が大きく、しかも、放射による伝熱を生じ難い。そのため、リザーバの材料として石英又は金属材料を使用すると、カーボンを使用した場合と比較して、ヒータに供給する電力の大きさの変化に対するリザーバの温度変化の応答が鈍くなる。 A reservoir made of quartz or metal material does not cause the problem that the molten organic material oozes out of the reservoir. However, a reservoir made of quartz or a metal material has a large heat capacity and hardly generates heat due to radiation. Therefore, when quartz or a metal material is used as the material of the reservoir, the response of the temperature change of the reservoir to the change in the magnitude of the electric power supplied to the heater becomes dull compared to the case where carbon is used.
真空蒸着装置では、通常、１回又は複数回の成膜毎に、膜厚モニタを用いて膜の成長速度，すなわち、蒸着レート，を測定し、この測定結果が目標値となるようにヒータに供給する電力の大きさを制御する。電力の大きさの変化に対するリザーバの温度変化の応答が鈍い場合、電力の大きさを変化させても蒸着レートは速やかには変化しない。そのため、蒸着レートの測定値に基づいてヒータに供給する電力の大きさを制御しても、蒸着レートを目標値とほぼ等しい値に維持することは難しい。したがって、石英又は金属材料製のリザーバを使用した場合、基板間で膜厚のばらつきを生じ易い。 In a vacuum deposition apparatus, the film growth rate, that is, the deposition rate, is usually measured using a film thickness monitor every time one or more times, and the heater is used so that the measurement result becomes a target value. Controls the amount of power supplied. When the response of the temperature change of the reservoir to the change in the electric power is slow, the deposition rate does not change rapidly even if the electric power is changed. Therefore, it is difficult to maintain the vapor deposition rate at a value substantially equal to the target value even if the magnitude of the electric power supplied to the heater is controlled based on the measured value of the vapor deposition rate. Therefore, when a reservoir made of quartz or a metal material is used, the film thickness tends to vary between the substrates.
本発明の目的は、真空蒸着装置において、ヒータに供給する電力の大きさの変化に対するリザーバの温度変化の応答速度を高めることにある。 An object of the present invention is to increase the response speed of a change in temperature of a reservoir with respect to a change in the magnitude of electric power supplied to a heater in a vacuum evaporation apparatus.
本発明の第１側面によると、蒸発材料を収容するリザーバと、前記リザーバの外側側面を被覆し且つ前記リザーバと比較して赤外線吸収率がより高い赤外線吸収層とを具備したことを特徴とする真空蒸着用坩堝が提供される。 According to a first aspect of the present invention, a reservoir for storing an evaporation material, and an infrared absorption layer that covers an outer side surface of the reservoir and has a higher infrared absorption rate than the reservoir are provided. A crucible for vacuum deposition is provided.
本発明の第２側面によると、蒸発材料を収容するリザーバと、前記リザーバの外側側面のみを又は前記リザーバの外側側面及び外側底面のみを被覆し且つ前記リザーバと比較して赤外線吸収率がより高い赤外線吸収層とを具備したことを特徴とする真空蒸着用坩堝が提供される。 According to the second aspect of the present invention, the reservoir containing the evaporating material, and only the outer side surface of the reservoir or only the outer side surface and the outer bottom surface of the reservoir are covered, and the infrared absorption rate is higher than that of the reservoir. There is provided a crucible for vacuum deposition characterized by comprising an infrared absorption layer.
本発明の第３側面によると、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された基板ホルダと、前記真空チャンバ内に配置され、第１又は第２側面に係る坩堝とこれを加熱するヒータとを含んだ蒸発ユニットと、前記真空チャンバ内に配置された膜厚センサと、前記膜厚センサの出力に基づいて前記ヒータに供給する電力の大きさを制御するコントローラとを具備したことを特徴とする真空蒸着装置が提供される。 According to the third aspect of the present invention, there is provided a vacuum chamber, a substrate holder disposed in the vacuum chamber, a crucible according to the first or second side disposed in the vacuum chamber, and a heater for heating the crucible. An evaporation unit including the film thickness sensor; a film thickness sensor disposed in the vacuum chamber; and a controller for controlling a magnitude of electric power supplied to the heater based on an output of the film thickness sensor. A vacuum deposition apparatus is provided.
本発明によると、真空蒸着装置において、ヒータに供給する電力の大きさの変化に対するリザーバの温度変化の応答速度を高めることができる。 According to the present invention, in the vacuum evaporation apparatus, the response speed of the temperature change of the reservoir with respect to the change in the magnitude of the electric power supplied to the heater can be increased.
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the same or similar component, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図１は、本発明の第１態様に係る真空蒸着装置を概略的に示す図である。図２は、図１の真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す断面図である。図３は、図２の蒸発ユニットが含む坩堝を概略的に示す斜視図である。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a vacuum deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an evaporation unit included in the vacuum evaporation apparatus of FIG. FIG. 3 is a perspective view schematically showing a crucible included in the evaporation unit of FIG. 2.
図１の真空蒸着装置は、真空排気系に接続された真空チャンバＶＣを含んでいる。この真空チャンバＶＣは、典型的には、複数の真空チャンバで薄膜を順次成膜するマルチチャンバ型枚葉式装置に組み込まれる。 1 includes a vacuum chamber VC connected to an evacuation system. This vacuum chamber VC is typically incorporated in a multi-chamber single wafer apparatus that sequentially forms thin films in a plurality of vacuum chambers.
真空チャンバＶＣ内には、基板ホルダＨＬＤと膜厚センサＳＮＳと蒸発ユニットＥＵとが配置されている。 A substrate holder HLD, a film thickness sensor SNS, and an evaporation unit EU are arranged in the vacuum chamber VC.
基板ホルダＨＬＤは、基板ＳＵＢを、その被成膜面が坩堝ＣＲと向き合うように着脱可能に支持している。この例では、基板ホルダＨＬＤは、マスクＭＳＫを支持するマスクホルダを兼ねている。 The substrate holder HLD detachably supports the substrate SUB so that the film formation surface faces the crucible CR. In this example, the substrate holder HLD also serves as a mask holder that supports the mask MSK.
膜厚センサＳＮＳは、例えば、水晶板の両面に電極を配置した構造を含んでおり、後述するコントローラＣＮＴと共に水晶膜厚計を構成している。膜厚センサＳＮＳは、Ｘ方向に隣り合うように配置されている。典型的には、膜厚センサＳＮＳは、その検出部の高さが基板ＳＵＢの被成膜面の高さとほぼ等しくなるように配置される。 The film thickness sensor SNS includes, for example, a structure in which electrodes are arranged on both sides of a crystal plate, and constitutes a crystal film thickness meter together with a controller CNT described later. The film thickness sensors SNS are arranged so as to be adjacent to each other in the X direction. Typically, the film thickness sensor SNS is disposed such that the height of the detection portion is substantially equal to the height of the film formation surface of the substrate SUB.
蒸発ユニットＥＵは、図２に示すように、坩堝ＣＲとヒータＨＴと蓋ＣＰとを含んでいる。 As shown in FIG. 2, the evaporation unit EU includes a crucible CR, a heater HT, and a lid CP.
坩堝ＣＲは、リザーバＲＳＶと、その外側側面上に形成された赤外線吸収層ＩＲＡＬとを含んでいる。
リザーバＲＳＶは、Ｙ方向に細長い形状を有している。リザーバＲＳＶは、蒸発材料ＥＭを収容する。リザーバＲＳＶは、石英又は金属材料からなる。
The crucible CR includes a reservoir RSV and an infrared absorption layer IRAL formed on the outer side surface thereof.
The reservoir RSV has an elongated shape in the Y direction. The reservoir RSV contains the evaporation material EM. The reservoir RSV is made of quartz or a metal material.
赤外線吸収層ＩＲＡＬは、リザーバＲＳＶと比較して赤外線吸収率がより高い材料からなる。そのような材料としては、例えば、酸化チタン（化学量論組成の二酸化チタンを除く）、亜酸化銅やメッキとしての黒クロム、黒ニッケル、スズ−ニッケルなどの黒色無機化合物を使用することができる。 The infrared absorption layer IRAL is made of a material having a higher infrared absorption rate than the reservoir RSV. As such a material, for example, titanium oxide (excluding titanium dioxide having a stoichiometric composition), cuprous oxide, black chrome as plating, black nickel, tin-nickel, and other black inorganic compounds can be used. .
この例では、赤外線吸収層ＩＲＡＬは、リザーバＲＳＶの外側側面上のみに形成されているが、リザーバＲＳＶの外側底面上にさらに形成されていてもよい。但し、赤外線吸収層ＩＲＡＬは、通常、リザーバＲＳＶの側壁上面上には形成しない。赤外線吸収層ＩＲＡＬをリザーバＲＳＶの側壁上面上に形成すると、蒸発ユニットからマスクＭＳＫや基板ＳＵＢへの赤外線放射が増加する可能性がある。 In this example, the infrared absorption layer IRAL is formed only on the outer side surface of the reservoir RSV, but may be further formed on the outer bottom surface of the reservoir RSV. However, the infrared absorption layer IRAL is usually not formed on the upper surface of the side wall of the reservoir RSV. When the infrared absorption layer IRAL is formed on the upper surface of the sidewall of the reservoir RSV, there is a possibility that infrared radiation from the evaporation unit to the mask MSK and the substrate SUB increases.
ヒータＨＴは、抵抗加熱ヒータであり、この例では、カーボン基材ＣＳと抵抗素子ＲＥとを含んでいる。
カーボン基材ＣＳは、この例では、Ｙ方向に細長い略樋形状を有している。坩堝ＣＲは、カーボン基材ＣＳが形成している樋の中に配置されている。
The heater HT is a resistance heating heater, and in this example, includes a carbon substrate CS and a resistance element RE.
In this example, the carbon substrate CS has a substantially bowl shape elongated in the Y direction. The crucible CR is arranged in a cage formed by the carbon base material CS.
抵抗素子ＲＥは、図示しない絶縁層を介して、カーボン基材ＣＳ上に配置されている。具体的には、抵抗素子ＲＥは、図示しない絶縁層を介して、カーボン基材ＣＳが形成している樋の外側側面上に配置されている。 The resistance element RE is disposed on the carbon substrate CS through an insulating layer (not shown). Specifically, the resistance element RE is arranged on the outer side surface of the ridge formed by the carbon base material CS via an insulating layer (not shown).
蓋ＣＰは、リザーバＲＳＶの開口を塞いでいる。蓋ＣＰには、Ｙ方向に細長い１つの貫通孔が設けられているか、又は、Ｙ方向に並んだ複数の貫通孔が設けられている。蓋ＣＰに設けた貫通孔は、気化した蒸発材料ＥＭを吐出するノズルとしての役割を果たす。蓋ＣＰの材料としては、例えば、石英、金属材料、カーボンなどを使用することができる。 The lid CP closes the opening of the reservoir RSV. The lid CP is provided with one elongated through hole in the Y direction or a plurality of through holes arranged in the Y direction. The through-hole provided in the lid CP serves as a nozzle for discharging the vaporized evaporation material EM. As the material of the lid CP, for example, quartz, metal material, carbon, or the like can be used.
この真空蒸着装置は、図示しない移動機構とコントローラＣＮＴとをさらに含んでいる。 This vacuum vapor deposition apparatus further includes a moving mechanism (not shown) and a controller CNT.
移動機構は、膜厚センサＳＮＳ及び基板ＳＵＢに対して、蒸発ユニットＥＵをＸ方向に相対移動させる。典型的には、移動機構は、蒸発ユニットＥＵをＸ方向に移動させる。 The moving mechanism moves the evaporation unit EU relative to the film thickness sensor SNS and the substrate SUB in the X direction. Typically, the moving mechanism moves the evaporation unit EU in the X direction.
コントローラＣＮＴは、図示しない移動機構と膜厚センサＳＮＳとヒータＨＴとに接続されている。コントローラＣＮＴは、移動機構の動作を制御する。加えて、コントローラＣＮＴは、膜厚センサＳＮＳの出力に基づいてヒータＨＴの抵抗素子ＲＥに供給する電力の大きさを制御する。 The controller CNT is connected to a moving mechanism (not shown), the film thickness sensor SNS, and the heater HT. The controller CNT controls the operation of the moving mechanism. In addition, the controller CNT controls the amount of power supplied to the resistance element RE of the heater HT based on the output of the film thickness sensor SNS.
この真空蒸着装置を用いた成膜は、例えば、以下の方法により行う。
まず、蒸発材料ＥＭを収容した坩堝ＣＲをヒータＨＴと組み合わせ、坩堝ＣＲの開口を蓋ＣＰで塞ぐ。蒸発材料ＥＭは、典型的には、常温で固体の有機物である。蒸発材料ＥＭとしては、例えば、有機ＥＬ素子の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などが含む有機物を使用する。
Film formation using this vacuum evaporation apparatus is performed by the following method, for example.
First, the crucible CR containing the evaporation material EM is combined with the heater HT, and the opening of the crucible CR is closed with the lid CP. The evaporation material EM is typically an organic substance that is solid at room temperature. As the evaporation material EM, for example, an organic material included in a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole block layer, or the like of the organic EL element is used.
次に、真空チャンバＶＣ内を真空とする。蒸発ユニットＥＵは、膜厚センサＳＮＳの下方に位置させておく。 Next, the vacuum chamber VC is evacuated. The evaporation unit EU is positioned below the film thickness sensor SNS.
次いで、抵抗素子ＲＥに電力を供給し、坩堝ＣＲを十分に昇温させる。坩堝ＣＲは、例えば５００℃以下に、典型的には３００℃乃至４００℃に昇温させる。これにより、坩堝ＣＲ内の蒸発材料ＥＭを気化させる。 Next, power is supplied to the resistance element RE to sufficiently raise the temperature of the crucible CR. The crucible CR is heated to, for example, 500 ° C. or lower, typically 300 ° C. to 400 ° C. Thereby, the evaporation material EM in the crucible CR is vaporized.
坩堝ＣＲ内で気化した蒸発材料ＥＭは、蓋ＣＰに設けた貫通孔を通って膜厚センサＳＮＳに到達する。膜厚センサＳＮＳに到達した蒸発材料ＥＭは、膜厚センサＳＮＳの検出部に堆積する。 The evaporation material EM vaporized in the crucible CR reaches the film thickness sensor SNS through the through hole provided in the lid CP. The evaporation material EM that has reached the film thickness sensor SNS is deposited on the detection unit of the film thickness sensor SNS.
膜厚センサＳＮＳが水晶板の両面に電極を配置した構造を含んでいる場合、これに堆積した蒸発材料ＥＭの質量に応じて水晶板の固有振動数が変化する。また、蒸着レートは、この固有振動数の一定時間当たりの変化量から算出することができる。コントローラＣＮＴは、例えば、このような方法で、蒸発ユニットＥＵが膜厚センサＳＮＳの下方に位置している期間における蒸着レートを求め、この蒸着レートを利用して以下のフィードバック制御を行う。 When the film thickness sensor SNS includes a structure in which electrodes are arranged on both sides of the quartz plate, the natural frequency of the quartz plate changes according to the mass of the evaporation material EM deposited thereon. Further, the vapor deposition rate can be calculated from the amount of change of the natural frequency per fixed time. For example, the controller CNT obtains a vapor deposition rate during a period in which the evaporation unit EU is located below the film thickness sensor SNS by such a method, and performs the following feedback control using the vapor deposition rate.
すなわち、蒸着レートの測定値が目標値よりも小さい場合には抵抗素子ＲＥに供給する電力を増加させ、蒸着レートの測定値が目標値よりも大きい場合には抵抗素子ＲＥに供給する電力を減少させる。また、蒸着レートの測定値が目標値と等しい場合には、抵抗素子ＲＥに供給する電力は変化させず、一定に維持する。なお、抵抗素子ＲＥに供給する電力の増加量又は減少量は、例えば、蒸着レートの測定値と目標値との差に応じて決定する。 That is, when the measured value of the deposition rate is smaller than the target value, the power supplied to the resistance element RE is increased, and when the measured value of the deposition rate is larger than the target value, the power supplied to the resistance element RE is decreased. Let When the measured value of the vapor deposition rate is equal to the target value, the power supplied to the resistance element RE is not changed and is kept constant. Note that the amount of increase or decrease in the power supplied to the resistance element RE is determined according to the difference between the measured value of the deposition rate and the target value, for example.
その後、真空を維持したまま、基板，例えばガラス基板などの絶縁基板，ＳＵＢを真空チャンバＶＣ内に搬送する。真空チャンバＶＣでは、基板ＳＵＢは、その被成膜面が下方を向くように基板ホルダＨＬＤに支持させる。 Thereafter, the substrate, for example, an insulating substrate such as a glass substrate, SUB is transferred into the vacuum chamber VC while maintaining the vacuum. In the vacuum chamber VC, the substrate SUB is supported by the substrate holder HLD so that the film formation surface faces downward.
続いて、蒸発ユニットＥＵを、Ｘ方向に一定の速度で移動させる。坩堝ＣＲ内で気化した蒸発材料ＥＭは、蓋ＣＰ及びマスクＭＳＫに設けた貫通孔を通って基板ＳＵＢの被成膜面上に堆積する。このようにして、基板ＳＵＢの一端から他端まで蒸発材料ＥＭを堆積させることにより、１枚目の基板ＳＵＢへの成膜を終了する。 Subsequently, the evaporation unit EU is moved at a constant speed in the X direction. The evaporation material EM vaporized in the crucible CR is deposited on the deposition surface of the substrate SUB through the through holes provided in the lid CP and the mask MSK. In this manner, the evaporation material EM is deposited from one end of the substrate SUB to the other end, thereby completing the film formation on the first substrate SUB.
次に、真空を維持したまま、成膜後の基板ＳＵＢを真空チャンバＶＣから搬出し、蒸発ユニットＥＵを膜厚センサＳＮＳの下方に移動させる。次いで、２枚目の基板ＳＵＢを真空チャンバＶＣに搬入すると共に、先のフィードバック制御を行う。その後、２枚目の基板ＳＵＢに対しても、１枚目の基板ＳＵＢに対して行ったのと同様の成膜を行う。３枚目以降の基板ＳＵＢは、これと同様の方法により処理する。 Next, the substrate SUB after film formation is carried out of the vacuum chamber VC while maintaining the vacuum, and the evaporation unit EU is moved below the film thickness sensor SNS. Next, the second substrate SUB is carried into the vacuum chamber VC and the previous feedback control is performed. Thereafter, the same film formation as that performed on the first substrate SUB is performed on the second substrate SUB. The third and subsequent substrates SUB are processed by the same method.
上記の通り、この真空蒸着装置では、石英又は金属材料からなるリザーバＲＳＶを使用している。そのため、蒸発材料ＥＭとして有機材料を使用した場合に、溶融した蒸発材料ＥＭがリザーバＲＳＶから染み出すという問題を生じない。 As described above, this vacuum vapor deposition apparatus uses the reservoir RSV made of quartz or a metal material. Therefore, when an organic material is used as the evaporation material EM, there is no problem that the molten evaporation material EM exudes from the reservoir RSV.
また、この真空蒸着装置では、石英又は金属材料からなるリザーバＲＳＶの外側側面に赤外線吸収層ＩＲＡＬを形成している。そのため、この真空蒸着装置は、赤外線吸収層ＩＲＡＬを省略したこと以外は同様の構造を有する真空蒸着装置と比較して、ヒータＨＴに供給する電力の大きさの変化に対するリザーバＲＳＶの温度変化の応答速度がより高い。したがって、この真空蒸着装置によると、基板ＳＵＢ間での膜厚のばらつきを生じ難い。 Further, in this vacuum vapor deposition apparatus, the infrared absorption layer IRAL is formed on the outer side surface of the reservoir RSV made of quartz or a metal material. Therefore, this vacuum deposition apparatus has a response to a change in temperature of the reservoir RSV with respect to a change in the magnitude of power supplied to the heater HT, as compared with a vacuum deposition apparatus having a similar structure except that the infrared absorption layer IRAL is omitted. The speed is higher. Therefore, according to this vacuum deposition apparatus, it is difficult to cause variations in film thickness between the substrates SUB.
次に、本発明の第２態様について説明する。第２態様は、坩堝に異なる構造を採用すること以外は第１態様と同様である。 Next, the second aspect of the present invention will be described. The second mode is the same as the first mode except that a different structure is adopted for the crucible.
図４は、本発明の第２態様に係る真空蒸着装置で使用する坩堝を概略的に示す斜視図である。 FIG. 4 is a perspective view schematically showing a crucible used in the vacuum evaporation apparatus according to the second embodiment of the present invention.
蓋ＣＰは、上面がカーボン基材ＣＳで覆われていないため、通常、リザーバＲＳＶと比較して温度が低い。そのため、蓋ＣＰの下面には、蒸発材料ＥＭが付着し易い。 Since the upper surface of the lid CP is not covered with the carbon substrate CS, the temperature is usually lower than that of the reservoir RSV. Therefore, the evaporation material EM tends to adhere to the lower surface of the lid CP.
これに対し、図４の坩堝ＣＲでは、リザーバＲＳＶの外側側面の下部は、上部と比較して、赤外線吸収層ＩＲＡＬで被覆されている割合がより低い。そのため、リザーバＲＳＶの下部を過剰に高温とすることなく、蓋ＣＰの温度を十分に高めることができる。すなわち、本態様によると、第１態様で説明したのと同様の効果が得られるのに加え、蓋ＣＰの下面に蒸発材料ＥＭが付着するのを抑制することができる。 On the other hand, in the crucible CR of FIG. 4, the lower part of the outer side surface of the reservoir RSV is less covered with the infrared absorption layer IRAL than the upper part. Therefore, the temperature of the lid CP can be sufficiently increased without excessively raising the lower portion of the reservoir RSV. That is, according to this aspect, in addition to obtaining the same effect as described in the first aspect, it is possible to suppress the evaporation material EM from adhering to the lower surface of the lid CP.
第１及び第２態様では、蒸発ユニットＥＵを移動させる構成を採用したが、その代わりに、基板ＳＵＢを移動させる構成を採用してもよい。また、第１及び第２態様に係る真空蒸着装置は、マルチチャンバ型枚葉式装置に組み込まれてもよく、インライン型バッチ式の製造装置に組み込まれてもよい。 In the first and second aspects, the configuration in which the evaporation unit EU is moved is employed, but instead, the configuration in which the substrate SUB is moved may be employed. Moreover, the vacuum evaporation apparatus which concerns on a 1st and 2nd aspect may be integrated in a multi-chamber type single wafer type apparatus, and may be integrated in an in-line type batch type manufacturing apparatus.
ＣＮＴ…コントローラ、ＣＰ…蓋、ＣＲ…坩堝、ＣＳ…カーボン基材、ＥＭ…蒸発材料、ＥＵ…蒸発ユニット、ＨＬＤ…基板ホルダ、ＨＴ…ヒータ、ＩＲＡＬ…赤外線吸収層、ＭＳＫ…マスク、ＲＥ…抵抗素子、ＲＳＶ…リザーバ、ＳＮＳ…膜厚センサ、ＳＵＢ…基板、ＶＣ…真空チャンバ。 CNT ... controller, CP ... lid, CR ... crucible, CS ... carbon substrate, EM ... evaporation material, EU ... evaporation unit, HLD ... substrate holder, HT ... heater, IRAL ... infrared absorbing layer, MSK ... mask, RE ... resistance Element, RSV ... reservoir, SNS ... film thickness sensor, SUB ... substrate, VC ... vacuum chamber.
Claims (7)
前記真空チャンバ内に配置された基板ホルダと、
前記真空チャンバ内に配置され、請求項１又は２に記載の坩堝とこれを加熱するヒータとを含んだ蒸発ユニットと、
前記真空チャンバ内に配置された膜厚センサと、
前記膜厚センサの出力に基づいて前記ヒータに供給する電力の大きさを制御するコントローラとを具備したことを特徴とする真空蒸着装置。 A vacuum chamber;
A substrate holder disposed in the vacuum chamber;
An evaporation unit disposed in the vacuum chamber and including the crucible according to claim 1 or 2 and a heater for heating the crucible;
A film thickness sensor disposed in the vacuum chamber;
A vacuum deposition apparatus, comprising: a controller that controls a magnitude of electric power supplied to the heater based on an output of the film thickness sensor.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100788031B1 (en) * | 2006-07-06 | 2007-12-21 | 세메스 주식회사 | Linear evaporator for vapor deposition of thin film |
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2005
- 2005-07-01 JP JP2005193881A patent/JP2007009292A/en active Pending
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