JP2006524880A - 積層電気機械構造の組み立て方法 - Google Patents

積層電気機械構造の組み立て方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006524880A
JP2006524880A JP2004537931A JP2004537931A JP2006524880A JP 2006524880 A JP2006524880 A JP 2006524880A JP 2004537931 A JP2004537931 A JP 2004537931A JP 2004537931 A JP2004537931 A JP 2004537931A JP 2006524880 A JP2006524880 A JP 2006524880A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
structural layer
forming
stack
movable element
structural
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004537931A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006524880A5 (ja
Inventor
ジュン シェン,
チェン ピン ウェイ,
マーク ゴランソン,
Original Assignee
マグフュージョン, インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by マグフュージョン, インコーポレイテッド filed Critical マグフュージョン, インコーポレイテッド
Publication of JP2006524880A publication Critical patent/JP2006524880A/ja
Publication of JP2006524880A5 publication Critical patent/JP2006524880A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H50/00Details of electromagnetic relays
    • H01H50/005Details of electromagnetic relays using micromechanics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00Contacts
    • H01H1/0036Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H50/00Details of electromagnetic relays
    • H01H50/005Details of electromagnetic relays using micromechanics
    • H01H2050/007Relays of the polarised type, e.g. the MEMS relay beam having a preferential magnetisation direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H49/00Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of relays or parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • Y10T29/435Solid dielectric type
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49016Antenna or wave energy "plumbing" making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49105Switch making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electromagnets (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

積層電気機械システムおよび積層電気機械構造の組み立ておよび製造のための方法およびシステムが説明される。可動要素が形成されている少なくとも1つの構造層(108)を含む複数の構造層(104、106、108、110、112、114)が形成される。これら複数の構造層(104、106、108、110、112、114)が、積み重ねられ、整列させられてスタック(116)となる。スタックの各構造層は、スタックの隣接する構造層に貼り付けられている。

Description

(発明の背景)
(技術分野)
本発明は、電気機械システムに関する。さらに詳しくは、本発明は、係止付き磁気スイッチなどの形成のための層の積層による電気機械システムの組み立てに関する。
(背景技術)
スイッチは通常、電気的に制御される2状態の装置であり、電気回路または光学回路内の装置の動作をもたらすべく接点を開閉する。例えば、リレーが通常、電気装置、光学装置またはその他の装置の或る部分を動作させ、あるいは非動作にさせるスイッチとして機能する。リレーは、電気通信、無線(RF)通信、携帯用電子機器、民生用および産業用電子機器、航空宇宙産業、およびその他のシステムを含む多数の用途に広く使用されている。さらに近年では、オプティカル・スイッチ(ここでは、「オプティカル・リレー」、または単に「リレー」とも称する)が、光信号(光通信システムにおけるものなど)を或る経路から別の経路へと切り替えるために使用されてきている。
最も初期のリレーは、機械的な装置または半導体デバイスであったが、マイクロエレクトロメカニカル・システム(MEMS)技術およびマイクロエレクトロニクスの製造における近年の進歩によって、マイクロ静電リレーおよびマイクロ磁気リレーが可能になった。そのようなマイクロ磁気リレーは、通常、電気接点を断続すべく電機子を動かす電磁石を備えている。磁石にエネルギが与えられていないとき、典型的にはばねまたはその他の機械力が、電機子を静止位置へと復帰させる。しかしながら、このようなリレーは通常、安定な出力をただ1つ(すなわち、静止状態)しか有さないことが一般的であって、係止が行なわれない(すなわち、リレーへの電力が絶たれたとき、一定の出力が保持されない)といった注目すべきいくつかの欠点を呈している。さらに、従来のマイクロ磁気リレーはばねを必要とするが、このばねが時間とともに劣化または破損する可能性がある。
係止なしのマイクロ磁気リレーが知られている。このリレーは、永久磁石と、この永久磁石によって作られる磁界に対向する磁界を時々に生成するための電磁石とを有している。このリレーは、出力状態のうちの少なくとも1つを維持するために電磁石において電力を消費せざるを得ない。さらに、対向磁界を生成するために必要な電力がかなり大きくなり、その結果、このリレーが、宇宙、携帯用電子機器、およびその他の低消費電力を必要とする用途での使用に望ましくないものとなっている。
係止付きマイクロ磁気スイッチの基本的な構成要素には、永久磁石、基板、コイル、および少なくとも一部が軟磁性材料で作られた片持ち梁が含まれる。最適な構成においては、永久磁石が、片持ち梁の水平面にほぼ直交する静磁界を生成する。しかしながら、通常の規則的な形状(円板、矩形、など)を有する永久磁石の生み出す磁力線は、とくに磁石の縁において、平面に対して必ずしも直交しない。したがって、永久磁石による磁界の水平成分が、双安定状態のうちの一方をなくしてしまう可能性があり、あるいは片持ち梁を或る1つの状態から他方の状態へと切り替えるために必要な電流を大きく増大させてしまう可能性がある。片持ち梁を永久磁石の磁界の正しい位置(通常は中央付近)に配置すべく、永久磁石を片持ち梁に対して注意深く整列させることにより、双安定が可能になり、切り替えのための電流を最少にできるであろう。しかしながら、整列における誤差の許容範囲が小さい場合、スイッチの大量生産が困難かつ不経済なものになる可能性がある。
係止付きマイクロ磁気スイッチを含む電気機械デバイスであって、信頼性が高く、設計が簡潔であり、コストが低く、製造が容易なデバイスが望まれている。ゆえに、電気機械デバイスを製造するための優れた方法およびシステムも望まれている。
(発明の概要)
積層電気機械システム、構造、およびデバイスの組み立ておよび製造のための方法およびシステムが、ここに説明される。第1の態様においては、電気機械構造の組み立てシステムおよび方法が提供される。構造層からなるスタックが整列させられる。スタックは、可動要素が形成されてなる構造層を少なくとも1つ含んでいる。スタックの各構造層は、スタックの隣接する構造層に貼り付けられている。
多数の種類の構造層を、スタックに配置することができる。或る態様においては、永久磁石を含んでいる構造層がスタックに配置される。他の態様においては、高透磁率の磁性材料を含んだ構造層がスタックに配置される。別の態様においては、電磁石の少なくとも一部を含んでいる構造層がスタックに配置される。他の態様においては、電気コンタクト領域が少なくとも1つ形成されてなる構造層がスタックに配置される。さらなる種類の構造層を、スタックに配置することが可能である。
可動要素は、マイクロ機械可動要素であってよい。さらなる態様においては、マイクロ機械可動要素を含んでいる第1の構造層が、スタックに配置される。
さらなる態様においては、可動要素を有している構造層を、開口が設けられてなる第2の構造層と開口が設けられてなる第3の構造層との間に配置することによって、スタックに空洞を形成することができる。空洞は、可動要素の動作の際に可動要素が空洞内で運動できるように形成できる。
さらに他の態様においては、複数の構造層が形成される。
別の態様においては、1つ以上の積層電気機械構造が、ここに記載の方法およびシステムによって組み立てまたは製造される。これらの構造は、互いに垂直に重ねることができ、さらに/あるいは水平方向に離間して配置することができるデバイスを形成する。いずれの場合においても、デバイスを回路を構成すべく電気的および/または光学的に組み合わせることができる。あるいは、それらを、他の独立した回路または集積回路へと(電気的および/または光学的に)組み合わせることができる。
これらの目的、利点および特徴、ならびに他の目的、利点および特徴は、以下の本発明の詳細な説明に照らし、容易に明らかになるであろう。
以下、本発明を添付の図面を参照しつつ説明する。図面においては、類似の参照番号は、同一または機能的に同種である要素を示している。さらに、参照番号の最も左側の桁は、その参照番号が最初に登場した図面を示している。
(発明の詳細な説明)
(はじめに)
ここに示して説明する特定の実装が、あくまで本発明の例であって、いかなるかたちでも本発明の技術的範囲を限定しようとするものではないことを、理解しなければならない。実際、簡潔さのため、システムの通常の電子機器、製造、積層による電気機械およびMEMS技術、ならびに他の機能的側面(およびシステムの個々の動作部品の構成部品)については、ここでは詳細には説明しない。さらに、説明を簡潔にするため、ここでは本発明をしばしば、電気または電子システムにおいて使用するマイクロ電子機械リレーに関するものとして説明する。ここで説明する製造技法を、機械リレー、光リレー、他の任意のスイッチング・デバイス、ならびに他の種類の構成部品の製造に使用できることを、理解すべきである。また、この技術は、電気システム、光システム、民生用電気機器、産業用電気機器、無線システム、宇宙用途、またはその他の任意の用途への適用に好適である。
チップ、集積回路、モノリシック・デバイス、半導体デバイス、およびマイクロ電子デバイスといった用語は、この分野において置き換え可能に使用されることがしばしばである。本発明は、この分野で通常理解されるとおりにおいて、以上のすべてに適用可能である。
金属線、伝送線、相互接続線、軌跡、ワイヤ、導体、信号経路および信号媒体といった用語は、すべて同類である。上記に列挙した同類の用語は、一般に置き換え可能であるが、具体的な用語から汎用的な用語へと並べられている。この分野において金属線は、軌跡、ワイヤ、線、相互接続、あるいは単に金属と称されるときもある。金属線は、通常はアルミニウム(Al)、銅(Cu)、またはAlとCuの合金であって、電気回路を接続または相互接続するための信号経路をもたらす導体である。金属でない導体も、マイクロ電子デバイスにおいて利用可能である。ドープされた多結晶シリコン、ドープされた単結晶シリコン(そのようなドーピングが熱拡散によって実現されるのか、あるいはイオン打ち込みによって実現されるのかにかかわらず、単に拡散と称されることも多い)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、および耐熱金属スーサイドなどの材料が、他の導体の例である。
コンタクトおよびヴィアという用語は、両方とも、異なる相互接続レベルにある導体の電気的接続のための構造を指している。これらの用語は、この技術分野においては時々、当該構造を作り込むため絶縁体に設けられた穴、および作り上げられた当該構造そのものの両者を表現すべく使用される。ここでの開示の目的においては、コンタクトおよびヴィアは、仕上がった構造を指すものとする。
垂直という用語は、ここで使用されるとき、基板の表面に事実上直交することを意味する。さらに、ここでなされる空間的な記載(例えば、「上方」、「下方」、「上」、「下」、「上部」、「底部」、など)は、単に例示のためのものであり、現実の係止付きリレーは、任意の方向またはやり方で空間的に配置可能であることを、理解すべきである。
上記係止付きマイクロ磁気スイッチは、Shenらの国際特許出願公開第01/57899号パンフレット(Electronically Switching Latching Micro−magnetic Relay And Method of Operating Sameという名称)、および第01/84211号パンフレット(Electronically Micro−magnetic Latching Switches and Method of Operating Sameという名称)に、さらに説明されている。これらの特許出願公開は、係止付きマイクロ磁気スイッチについて充分な背景をもたらしている。さらに、第01/57899号パンフレットおよび第01/84211号パンフレットに開示されているスイッチの詳細は、以下に説明するとおり、本発明のスイッチの実施の形態を実装するために適用可能である。
(積層による電気機械システム)
本発明は、積層による電気機械システム(LEMS)および構造に関する。本発明の積層による電気機械システム(LEMS)および構造においては、所定のパターンを有する種々の材料の層が形成される。これらの層が、お互いに対して整列され、多層構造すなわちスタックを形成すべく一体に積層され、すなわち積み重ねられる。可動機械要素は、スタックの1つ以上の層において生成されることができる。可動要素が、スタック内に空洞を生成することによるスタック内の運動のための空間を有して設けられている。空洞を生成するため、開口を有する層が、可動要素を有する層の片側または両側に整列される。可動要素は、種々の層を一体に積層した後、形成された空洞内で自由に動くことができる。
本発明は、可動機械要素の運動を制御するため、任意の形式の駆動機構を備えることができる。適用可能な駆動機構の例には、電気、静電、磁気、熱、および圧電駆動機構が含まれる。例示の目的のため、ここでは磁気駆動機構を有する係止付きマイクロ機械スイッチを、積層による電気機械システムまたは構造として製造されるものとして説明することに注意すべきである。ここでの教示から、他の駆動機構を有するスイッチも、積層による電気機械システムまたは構造として製造できることを理解すべきである。
積層による本発明の電気機械システムおよび構造は、多くの利点をもたらす。本発明の利点の1つには、低コストがある。本発明の各層に使用される材料は、比較的安価な通常の材料である。各層にパターンを形成するため、スクリーン印刷、エッチング(例えば、フォトリソグラフィまたは化学)、インクジェット印刷、およびその他の技法を含む従来からの技法を使用することができる。さらに、層を一体に貼り付けるため、従来からの積層技法を使用することができる。
本発明の他の利点は、製造が比較的容易な点にある。本発明の各層が形成される。次いで各層を、整列させて一体に貼り付けるだけでよい。複雑な取り付け機構は不要である。前述のとおり、各層を貼り付けるために従来からの技法を使用することができる。さらに、積層による電気機械システムおよび構造は、多数のデバイスを含む大きなシートにて製造することができ、規模の利益がもたらされる。
本発明の他の利点は、積層による電気機械システムおよび構造をその他の電子部品(例えば、インダクタ、キャパシタ、抵抗器、アンテナ・パターン、フィルタ)と容易に一体化できる点にある。その他の電子部品は、例えば各層をスタックへの配置に先立って前形成するときに、1つ以上の層に形成することができる。
本発明のさらに別の利点は、さまざまなレベルの力をより良好に取り扱うため、積層による電気機械システムおよび構造の寸法を容易に拡大または縮小できる点にある。例えば、積層による電気機械システムおよび構造を、マイクロマシン構造およびデバイスのレベルに合わせて縮小することができる。そのようなマイクロマシン構造およびデバイスは、小さい量の力しか必要としない。また、積層による電気機械システムおよび構造を、より大きい寸法の構造およびデバイスに合わせて拡大することも可能である。
(本発明による積層電気機械構造の組み立て)
本発明による積層電気機械システムおよび構造の製造および組み立ての例を、以下に詳しく説明する。ここで説明するこれらの実装例は、例示を目的とするものであって、本発明を限定するものではない。本発明による積層電気機械システムおよび構造は、この節で説明するとおり、いくつかの方法で組み立てることができ、それらは、ここでの教示から当業者によって自明である。
図1A〜1Cは、本発明の一実施の形態による積層電気機械システム100の図である。図1Aは、積層電気機械システム100の平面図を示している。図1Bおよび1Cは、積層電気機械システム100の断面図を示している。例示の目的のため、積層電気機械システム100は、係止付きマイクロ磁気スイッチを含むものとして示されている。しかしながら、ここで説明するとおり本発明が、他の駆動機構を備える係止付きスイッチの製造にも適用可能であり、他のより大きい規模のマイクロマシン・デバイス種の製造にも適用可能であることに注意すべきである。
図1A〜1Cに示すとおり、積層電気機械システム100は、高透磁率(例えば、パーマロイ)層1、接点21および22を有する電磁石またはコイル2、底部コンタクト31および32、永久磁石4、片持ち梁組立体5、ならびにさらなる積層層を備えている。片持ち梁組立体5は、接点53および54、片持ち梁本体52(例えば、パーマロイなどの軟磁性材料で作られている)、ならびにコンタクト端55および56を備えており、ねじれ屈曲部51によって支持されている。片持ち梁本体52は、空洞102内に位置する可動の要素であり、係止付きスイッチの動作において接点31および32の間で自由に切り替わることができる。係止付きスイッチの動作の例については、さらに先に説明した。
図1A〜1Cに示した係止付きスイッチを製造するため、まず種々のパターンおよび開口が、構造用の各積層層に規定および形成され、あるいは他の材料で積み上げられる。これらの構造層が図1A〜1Cに示されており、さらに、積層電気機械システム100を分解したかたちで示した図2Aにも示されている。図1Bおよび2Aに示すように、積層電気機械システム100は、実質的に永久磁石4で形成された構造層、第1の基板層104、第1のスペーサ層106、可動要素層108、第2のスペーサ層110、コイル層112、および第2の基板層114を備えている。図2Bは、片持ち梁組立体5の平面図を示している。
構造層は、さまざまな材料から形成することができる。例えば、一実施の形態においては、構造層を、少なくともある程度撓むことができ、大きな表面積を有している薄いフィルムから形成することができる。あるいは、構造層を、他の材料から形成することもできる。構造層は、電気導電性であることができ、あるいは非導電性でもよい。例えば、構造層を、プラスチック、ガラス、ポリマー、絶縁材料、など、無機または有機の基板材料から形成することができる。有機基板材料の例としては、ビスマレイミドトリアジンと呼ばれる樹脂を含んでいる「BT」、耐熱エポキシ樹脂−ガラスクロスの積層材料である「FR−4」、および/または他の材料がある。構造層が電気導電性である実施の形態においては、構造層を金属または金属/合金の組み合わせから形成でき、あるいは他の電気導電性材料から形成することができる。
図1Bに示すように、構造層が、スタック116を形成すべく整列され、一体に積層される。構造層は、スタックにおいて、接着材料(図示されていない)によって互いに貼り合わされる。接着材料は、粘着テープであってよく、あるいは構造層の間に塗布/配置されたエポキシ(例えば、Bステージ・エポキシ)など、界面の接着層であってよい。接着材料が熱硬化などの硬化を必要とする場合、スタック116を、接着材料を硬化させるための適切な温度まで加熱し、構造層を一体に貼り付けることができる。
図1Bおよび1Cに示すように、空洞102が、第1および第2のスペーサ層106および110の開口を可動要素層108の両側に整列させて形成されている。空洞102は、図1Aに示したコンタクト31および32など、1つ以上の電気コンタクトと接するべく、可動要素層108の可動要素(例えば、片持ち梁本体52)が自由に動けるようにしている。図1A〜1Cの例では、コンタクト31および32が、コイル層112上に形成されている。
システム100内の要素とシステム100の外部の要素との間の電気的連絡を可能にするため、1つ以上のヴィアを構造層に形成してもよい。例えば、図1Bに示すとおり、ヴィア41および42が、それぞれコンタクト領域31および32を、第2の基板層114の表面に形成されたコンタクト・パッド118および120に電気的に接続している。さらに、図1Cに示されているとおり、ヴィア122および124が、コンタクト53および54を、第2の基板層114の表面に形成されたコンタクト・パッド1126および128に電気的に接続している。ヴィアは、1つ以上の構造層の任意の数に形成することができる。複数の層を通過するヴィアを、あらゆる構造層間の電気的接続を可能にすべく整列させることができる。
図1A〜1Cの実施の形態においては、ただ1つの係止付きスイッチしか示されていないが、複数のマイクロ機械デバイスを積層層にパターン形成して、バッチ生産が可能であることを、理解すべきである。複数のマイクロ機械デバイスは、そのまま一緒に残されてもよく、あるいは切断によって分離させてもよい。
図3Aは、本発明のさらなる例の実施の形態による積層電気機械システム300の各層を分離して示しており、可動要素のための空洞を形成するべく組み立てることができる。図3Bは、本発明の一例の実施の形態による図3Aに示した分離各層について、積層電気機械システム300を形成するための一体接合を示している。
さらに、スイッチ、インダクタ、キャパシタ、抵抗器、アンテナ・パターン、およびその他を含むさまざまな電子デバイスまたは部品を、ここに示したプロセスと同様にして製造できることに注意すべきである。例えば、図7Aおよび7Bは、インダクタ704および接地面702が存在してなる構造層を備えた積層電気機械システム700を示している。図7Aに示すように、インダクタ704が空洞708内に位置している。空洞708の開放部分が、第1および第2のスペーサ層710および712によって形成されている。図7Bに示すとおり、インダクタ704が平面コイルとして形成されている。接地面702は、接地面702およびインダクタ704が位置する構造層の平面において、インダクタ704から絶縁され、インダクタ704を取り囲んでいる。複数のヴィア706a〜706dが、インダクタ704の両端および接地面704の一部を、積層電気機械システム700の1つ以上の表面上に位置する外部から利用できるコンタクト・パッドへと電気的に接続するために使用されている。図7Aに示すとおり、インダクタ704の一部は宙に浮いている。このような宙吊り構成においては、インダクタ704が高い品質ファクタを有する。さらに、インダクタ704の平面構成によって、インダクタ704のコストが低下する。
さらに、スイッチ、インダクタ、キャパシタ、抵抗器、アンテナ・パターン、およびその他を含むさまざまな電子デバイスまたは部品を、本発明の実施の形態と統合することができる。例えば、図4は、本発明の積層組み立てプロセスによって形成され、インダクタまたはアンテナ・パターン402およびキャパシタ404を統合してなる積層電気機械システム400を示している。システム400の係止付きスイッチの電気コンタクト領域を、システムに一体化された電気部品へと、1つ以上のヴィア、導体線、および/または他のやり方によって電気的に接続することができ、同じ1つの構造上に回路を形成することができる。例えば、本発明の実施の形態を、設定変更が可能なフィルタ、設定変更が可能なアンテナ、およびその他のデバイスを生み出すべく、電気部品および/またはデバイスと組み合わせることができる。さらに、本発明の実施の形態を、液晶表示装置および他の種類の表示装置とともに使用してもよい。例えば、積層電気機械システムおよび構造を、電気部品およびデバイスに電気的および/または光学的に結合させることができる。
無線周波数伝送線などの伝送線を、本発明の積層電気機械システムに収容することができる。例えば、一実施の形態において、本発明の積層電気機械システム内に形成された無線周波数(RF)スイッチが、一対の導電線または軌跡を有する無線周波数伝送線に接続することができる。一実施の形態においては、無線周波数伝送線の導電線または軌跡を、スタックの或る1つの構造層上に平行に形成することができる。他の実施の形態においては、無線周波数伝送線の第1の導電線または軌跡を、スタックの第1の構造層に形成し、無線周波数伝送線の第2の導電線または軌跡を、スタックの第2の構造層に形成することができる。スタックにおいて、絶縁または電気的に導電性でない構造層を、前記第1および第2の導電線または軌跡の間に配置することができる。
積層電気機械システム100、300、および400の可動要素のためのコンタクト領域を、さまざまな位置に配置できる点に注目できる。例えば、図5は、本発明の組み立てプロセスによって形成され、係止付きスイッチを統合してなる構造またはシステム500を示している。片持ち梁本体52が、空洞102の上側内表面に位置するコンタクト領域502および504と接触すべく切り替わる。さらに、コンタクト領域が、1つのシステムの上面および下面に位置していてもよい。
片持ち梁本体52の上側および下側の両者にコイル2を設けることができる点に、注目すべきである。さらに、2つの層のコイル線を接続することによって、ソレノイド・コイルを製造することができる。図5に示すように、コイル2を片持ち梁本体52の接触から保護するため、コイル2を絶縁体506で被覆してもよい。
さらに、可動要素を、当該可動要素が形成されている構造層の平面内で運動できるように形成することができる。換言すれば、自身が位置する構造層の平面と同一平面でない自由度を有している図5に示した可動要素と対照的に、可動要素が、自身が位置している構造層の平面と同一平面内の自由度を有するように形成されてもよい。
例えば、図12Aは、可動要素1204を有する一例の可動要素層1202を示しており、可動要素1204が可動要素層1202内を横方向に移動することができる。可動要素1204は、1つ以上のコンタクト領域1206と接するべく移動することができる。図12Bは、可動要素層1202を備える積層電気機械システム1200の断面図を示している。図12Bに示すように、磁石および/またはコイル1208が、可動要素層1202の平面における可動要素1204の運動を生じさせるために使用されている。図12Aおよび12Bに示したような実施の形態は、可動要素が可動要素の位置する構造層の平面の外へと移動しうるものよりも、空洞の寸法に対する要求が小さいかもしれない。
或る実施の形態において、構造層を、積層電気機械システムのスタックにおいて、スタックの一部またはすべての要素の気密封止をもたらすように構成することができる。例えば、或る実施の形態において、図1A〜1C、2A、および2Bに示した片持ち梁組立体5のものなど、可動要素および関連のコンタクトをスタック116内に気密に封止することが望まれるかもしれない。そのような実施の形態においては、片持ち梁組立体5の上方または下方の1つ以上の構造層を、湿気および/またはその他の環境上の有害物を事実上通さない材料から形成することができる。例えば、層104、106、110、112、および114の1つ以上を、ガラス材料から作ることができ、あるいは本明細書のどこかで述べられ、さもなければ公知である他の適切な気密封止材料から作ることができる。例えば、このようにして気密に封止された空洞102を形成することができる。気密封止の構造層は、可動要素、関連するコンタクト、コイル、回路要素(例えば、キャパシタ、抵抗器、インダクタ)、磁石、および/または他の要素を含むスタック116の気密封止を必要とするあらゆる要素の周囲に形成することができる。コイル、パーマロイ層、コンタクト、回路要素、またはデバイスの他の層/要素を含む積層電気機械システムの任意の要素/層を、気密封止の構造層上に形成することができることに注目すべきである。
本発明に従い、複数の積層電気機械システムを、垂直に離間した構成または積層された構成、あるいは水平に離間した構成または同一面の構成にて、製造または組み立てできる点に注目すべきである。例えば、図6は、本発明の組み立てプロセスによって形成され、本発明の実施の形態に従って複数のマイクロ機械システム602を垂直に積層または一体化して備えている構造600が示されている。スイッチおよび他の要素(インダクタ、キャパシタ、など)の多重積層を、垂直および水平に統合することができる。
図8は、本発明のマイクロ機械構造を製作するための工程を記載したフローチャート800を示している。図8の各工程は、本明細書の教示にもとづき当業者にとっては自明であるが、必ずしも図示の順序で生じる必要はない。
本明細書の説明のとおり、多数の種類の電気および機械デバイスを、本発明の積層電気機械システムおよび構造に従って製作することができる。それらの装置は、小規模マイクロ機械デバイスおよびより大きい規模のデバイスを含む幅広い範囲の寸法で製作することができる。さらに、それらのデバイスを、係止付きスイッチなどの可動の要素を含むように製作することができる。以下の節では、本発明の積層電気機械システムおよび構造に従って形成することができる係止付きマイクロ機械スイッチの一例の構造および動作について、詳細を説明する。しかしながら、この説明が例証の目的で行なわれるものであって、本発明がここに示す実施の形態に限られるわけではないことに注意すべきである。すでに述べたように、本発明は、多数の種類のデバイスに適用可能である。
(係止付きスイッチの概要)
図9Aおよび9Bは、それぞれ係止付きスイッチの側面図および上面図を示している。ここで、スイッチおよびデバイスという用語は、本発明の構造を説明するため置き換え可能に使用される。図9Aおよび9Bを参照すると、一例としての係止付きリレー900が、磁石902、基板904、導体914を収容した絶縁層906、コンタクト908、および台座層910によって基板の上方に配置または支持された片持ち梁(可動要素)912を適切に備えている。
磁石902は、以下でさらに詳しく説明するように、永久磁石、電磁石、または磁界H934を生成することができる他のあらゆる種類の磁石など、任意の種類の磁石である。あくまで例であってこれに限るわけではないが、磁石902は、California州FremontのDexter Magnetic Technologies社から市販されている59−P09213T001型磁石であってよく、もちろん他の種類の磁石を使用することも可能である。磁界934は、任意のやり方で生成でき、約1エルステッドから104エルステッド以上など、任意の大きさで生成できる。磁界の強さは、片持ち梁を所与の状態に保つために必要な力によって決まり、すなわち実装例に依存する。図9Aに示した一例としての実施の形態においては、磁界H934をZ軸とほぼ平行に、約370エルステッドの次元の大きさで生成することができるが、他の実施の形態は、磁界934に関して異なる向きおよび大きさを使用するであろう。さまざまな実施の形態において、共通の基板904を共有するいくつかのリレー900に関して、ただ1つの磁石902を使用することができる。
基板904は、シリコン、ガリウムヒ素、ガラス、プラスチック、金属または他に適切な任意の基板材料など、あらゆる種類の基板材料で形成される。さまざまな実施の形態において、基板904を、絶縁材料(酸化物など)で被覆することができ、平坦化処理を行なうことができ、あるいは他の方法で平坦にすることができる。さまざまな実施の形態において、いくつかの係止付きリレー900が、1つの基板904を共有することができる。あるいは、他のデバイス(トランジスタ、ダイオード、または他の電子デバイスなど)を、例えば通常の集積回路製造技術を使用して、1つ以上のリレー900と一緒に基板904上に形成することができる。あるいは、磁石902を基板として使用することができ、以下に述べるさらなる部品を、磁石902の上に直接形成することができる。そのような実施の形態においては、基板904を別個に設ける必要がないかもしれない。
絶縁層906は、酸化物などの任意の材料、または薄膜絶縁体などの他の絶縁体で形成される。例示のための実施の形態では、絶縁層が、Probimide7510材で形成されている。絶縁層906は、導体914を適切に収容している。導体914は、図9Aおよび9Bにおいては、両端926および928を有し、コイル状のパターンに配置された単一の導体として示されている。導体914の他の実施の形態は、屈曲パターン、蛇行パターン、ランダム・パターン、または他の任意のパターンなど、適切なあらゆるパターンに配置された1つまたは複数の導電片を使用する。導体914は、金、銀、銅、アルミニウム、金属など、電気を通すことができる任意の材料で形成されている。導体914が電気を導くとき、以下でさらに詳しく説明するように、導体914の周囲に磁界が生成される。
片持ち梁(可動要素)912は、磁力によって影響を受けることができる任意の電機子、延長部、露出部または部材である。図9Aに示した実施の形態においては、片持ち梁912は、磁性層918および導電層920を適切に備えている。磁性層918は、パーマロイ(NiFe合金など)または他の任意の磁気感受性材料で調製することができる。導電層920は、金、銀、銅、アルミニウム、金属、または他の任意の導電材料で調製することができる。さまざまな実施の形態において、片持ち梁912は、以下でさらに詳しく説明するとおり、リレー900の「開」または「閉」に対応する2つの状態を呈する。多くの実施の形態において、リレー900は、導電層920が台座層910をコンタクト908へと接続しているとき、「閉」であると称される。対照的に、リレーは、片持ち梁912がコンタクト908に電気的に接触してはいないとき、「開」であると称される。片持ち梁912が、物理的に移動してコンタクト908と接触し離れるため、片持ち梁912の種々の実施の形態は、片持ち梁912を適切に曲げることができるよう、可撓性にされるであろう。可撓性は、片持ち梁(または、片持ち梁の種々の構成層)の厚さを変化させることによって、パターン処理やその他の方法で片持ち梁に穴または切り欠きを設けることによって、あるいはますます柔軟な材料を使用することによって、生み出すことができる。
あるいは、片持ち梁912を「ヒンジ付き」の構成にすることができる。もちろん、片持ち梁912の寸法は、或る実装例から他の実装例へときわめて劇的に変化しうるが、マイクロ磁気リレー900における使用に適した一例としての片持ち梁912は、長さが10〜1000ミクロンの次元にあり、厚さが1〜40ミクロンの次元にあり、幅が2〜600ミクロンの次元にあることができる。例えば、図9Aおよび9Bに示した実施の形態による一例としての片持ち梁は、約600ミクロン×10ミクロン×50ミクロン、または1000ミクロン×600ミクロン×25ミクロン、あるいは他の任意の適切な寸法を有することができる。
コンタクト908および台座層910は、必要に応じ、絶縁層906上に配置される。さまざまな実施の形態において、台座層910が片持ち梁912を絶縁層906の上方に支持して、真空であってよく、空気または他のガスあるいは油などの液体で満たされてもよい空隙916を形成している。空隙916の寸法は実装例が異なると幅広く変化するが、一例としての空隙916は、約20ミクロンなど、1〜100ミクロンの次元にあることができる。コンタクト908は、以下で説明するとおり、リレー900が閉状態であるとき片持ち梁912を受け止める。コンタクト908および台座層910は、金、金合金、銀、銅、アルミニウム、金属など、任意の導電材料で形成することができる。さまざまな実施の形態において、コンタクト908および台座層910は、同種の導電材料で形成され、片持ち梁912が台座層910とコンタクト908の間の回路を完成させているとき、リレーが「閉」じていると考えられる。片持ち梁912が電気を通さない或る実施の形態においては、台座層910を、Probimide材、酸化物、または他の任意の材料など、非導電材料で調製することができる。さらに、他の実施の形態は、片持ち梁912が他の方法で絶縁層906の上方に支持される場合には、台座層910を必要としないかもしれない。
(係止付きスイッチの動作原理)
「下方」位置にあるとき、片持ち梁が下部の導体と電気的に接触し、すなわちスイッチが「オン」である(「閉」状態ともいう)。コンタクト端が「上方」にあるとき、スイッチは「オフ」である(「開」状態ともいう)。これら2つの安定状態が、片持ち梁要素の運動によって切り替え機能を生む。切り替え後、永久磁石が片持ち梁を「上方」または「下方」のいずれかの位置に保持し、この装置を係止付きリレーにする。2つの状態の間での移行のために、電流が、短い(一時的な)期間の間だけコイルを通過して流れる(例えば、コイルにエネルギーが与えられる)。
(i)双安定を生じさせるための方法
双安定を生じさせるための原理を、図2を参照して説明する。パーマロイ片持ち梁912の長さLが、自身の厚さtおよび幅(w、図示されていない)よりもはるかに大きい場合、長軸Lに沿った方向が、磁化のための好ましい方向(「容易軸」ともいう)になる。片持ち梁の主たる中央部分が、均一な永久磁界中に置かれたとき、片持ち梁にトルクが加わる。このトルクは、片持ち梁の磁界に対する初期位置に応じて、時計回りまたは反時計回りのいずれかでありうる。片持ち梁の軸(ξ)と外部磁界(H)との間の角度(α)が90°よりも小さいとき、トルクは反時計回りであり、αが90°よりも大きいとき、トルクは時計回りである。片持ち梁の双方向の磁化(すなわち、図10に示すように、磁化ベクトル「m」が或る方向または逆の方向を向く)によって(α<90°のとき、mが左から右を向き、α>90°のとき右から左を向く)、双方向のトルクが生じる。このトルクのため、片持ち梁が外部磁界(H)に整列しようとする。しかしながら、機械的な力(片持ち梁の弾性によるトルク、物理的なストッパ、など)が、Hへの完全な整列を先取りし、スイッチの係止の基礎を構成する2つの安定位置(「上方」または「下方」)が利用可能になる。
(ii)電気的な切り替え
から生じる片持ち梁の容易軸に沿った双方向の磁化を、(H)の影響に打ち勝つべく第2の磁界を加えることによって瞬時に反転させることができ、したがって、切り替え可能な係止付きリレーを実現することができる。この筋書きは、必要とされる一時的な切り替え用磁界を生成するため、片持ち梁の下方または上方に平面コイルを置くことによって実現される。平面であるコイル形状は、比較的製造が簡単であるという理由で選ばれており、他の構造(包み込みの三次元型など)ももちろん可能である。コイルを巡る短い電流パルスによって、磁力(Hcoil)線が生成される。片持ち梁の磁化(磁化ベクトル「m」)の方向を変えるために使用されるのは、主としてこの磁界のξ成分(片持ち梁に沿う方向、図10を参照)である。コイルの電流の向きが、正または負のいずれのξ磁界成分が生成されるかを決定する。複数のコイルを使用することも可能である、切り替えの後、永久磁界が片持ち梁を、次の切り替え事象に遭遇するまでこの状態に保つ。コイルによって生成される磁界のξ成分(Hcoli−ξ)が、瞬間的にのみ永久磁界のξ成分[Hξ〜Hcosα=Hsin(ψ)、α=90°−ψ]を上回ればよく、ψは通常はきわめて小さいため(例えば、ψ≦5°)、切り替えのための電流および電力をきわめて小さくすることができ、これはマイクロ・リレーの設計において重要な検討材料である。
動作原理は、次のようにまとめることができる。すなわち、均一な磁界(実際には、磁界はほぼ均一なだけであるが)中のパーマロイ片持ち梁は、自身の長軸(容易軸L)と磁界との間の角度に応じて、時計回りまたは反時計回りのトルクを有しうる。2つの双安定状態は、他の力が死トルクと平行できる場合に可能である。片持ち梁に沿った磁化の向き(ベクトルm)を切り替えて、片持ち梁を2つの状態の間で切り替えるため、コイルによって一時的な磁界が生成される。
(磁石の寛大な配置)
磁石の整列についての要件を緩和するという問題を解決するため、本発明の発明者らは、片持ち梁の周囲の比較的広い領域に直交磁界を生成するための技法を開発した。この発明は、低透磁率の媒体(例えば、空気)中において磁力線が、きわめて高透磁率な材料(例えば、パーマロイなどの容易に磁化される材料)の表面に基本的に直交するという事実にもとづいている。片持ち梁が、そのような表面に近接して配置され、かつ片持ち梁の水平面が、高透磁率材料の表面と平行であるとき、前記目的を、少なくとも部分的に実現できる。大まかな仕組みは、以下のとおりであり、本発明の例示のための実施の形態はこれに従う。
磁束密度(B)および磁界(H)についての境界条件は、以下の関係に従う。
・n=B・n B×n=(μ/μ)B×n
または、
・n=(μ/μ)H・n H×n=H×n
μ>>μである場合、図11に示すとおり、Hの法線成分は、Hの法線成分よりもはるかに大きい。極限(μ/μ)→∞をとると、磁界Hは、Hの方向と無関係に境界面に直交する(Hが界面に対し正確に平行である例外的な場合でなければ)。第2の媒体が空気(μ=1)であり、したがってB=μである場合、磁束線Bもまた表面に直交するであろう。この特性が、係止付きマイクロ磁気スイッチにおいて片持ち梁の水平面に直交する磁界の生成に利用され、永久磁石の整列の要件を緩和するために利用される。
磁界が高透磁率材料の境界表面に直交するというこの特性、および水平面を高透磁率材料の表面と平行にしてなる片持ち梁(すなわち、軟磁性)の配置を、種々ある多数の構成において、永久磁石の整列の要件を緩和するために利用できる。
(結論)
以上、本発明の種々の実施の形態を説明したが、それらがあくまで例として示されたものであり、本発明を限定するものではないことを、理解すべきである。本発明の技術的思想および技術的範囲を離れることなく、形態および細部において多数の変更が可能であることは、当業者にとって明らかであろう。したがって、本発明の広がりおよび技術的範囲は、前記例示した実施の形態のいずれによっても制限されるべきものではなく、以下の特許請求の範囲およびその均等物に従ってのみ定められるべきものである。
ここに組み込まれて本明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明を図解するものであり、さらに本明細書と一体となって本発明の原理を説明し、当業者が本発明を製作および利用できるようにするものである。
図1A〜1Cは、本発明の実施の形態による積層電気機械システムの図を示している。 図2Aは、図1A〜1Cに示した積層電気機械システムの個々の層の側面図を示している。 図2Bは、図1A〜1Cに示した積層電気機械システムの片持ち梁組立体の上面図を示している。 図3Aは、本発明の実施の形態による積層電気機械システムについて、可動要素のための空洞を形成すべく組み立てることができる個々の層を示している。 図3Bは、本発明の一例の実施の形態による図3Aに示した個々の層の一体接合を示している。 図4は、本発明の組み立てプロセスによって形成された構造を示しており、スイッチが他の部品と統合されている。 図5は、本発明の組み立てプロセスによって形成された構造を示しており、スイッチが上側内表面のコンタクトと統合されている。 図6は、本発明の組み立てプロセスによって形成された構造を示しており、本発明の実施の形態によって複数のスイッチおよび/または他の要素を垂直に統合して備えている。 図7Aおよび7Bは、本発明の一例の実施の形態による積層電気機械システムに使用することができるインダクタ層の側面および上面図を示している。 図8は、本発明の一例の実施の形態による積層電気機械構造の製造または組み立てについてのフローチャートを示している。 図9Aおよび9Bは、一例としてのスイッチの実施の形態のそれぞれ側面図および上面図である。 図10は、双安定が生み出される原理を示している。 図11は、異なる透磁率(1>>2)を有する2つの材料間の境界における磁界(H)についての境界条件を示している。 図12Aは、本発明の実施の形態による可動要素層の例を示しており、可動要素層内で横方向に運動することができる可動要素を備えている。 図12Bは、本発明の実施の形態による積層電気機械システムの断面図を示しており、図12Aに示した可動要素層を備えている。

Claims (64)

  1. 積層電気機械構造の組み立て方法であって、
    (a)可動要素が形成されてなる第1の構造層を有する複数の構造層を、スタックを形成すべく積み重ねる工程、および
    (b)該スタックの各構造層を、該スタックの隣接する構造層に貼り付ける工程
    からなる方法。
  2. 工程(a)が、
    前記構造層を前記スタック中で整列させる工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  3. 前記積み重ね工程が、
    永久磁石を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  4. 前記積み重ね工程が、
    高透磁率の磁性材料を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  5. 前記積み重ね工程が、
    電磁石の少なくとも一部を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  6. 前記積み重ね工程が、
    電気コンタクト領域が少なくとも1つ形成されてなるさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  7. 前記積み重ね工程が、
    前記可動要素を有する前記第1の構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  8. 前記積み重ね工程が、
    開口を有する第2の構造層を、空洞を形成すべく前記スタック中に配置する工程
    をさらに含んでいる請求項7に記載の方法。
  9. 前記第2の構造層を配置する工程が、
    前記可動要素の動作時に該可動要素が前記空洞中を運動できるよう、該第2の構造層を、前記スタック中に前記第1の構造層と隣接して配置する工程
    を含んでいる請求項8に記載の方法。
  10. 前記形成工程が、
    前記可動要素が前記第1の構造層と同一平面である平面内で運動できるように前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  11. 前記形成工程が、
    前記可動要素が前記第1の構造層と同一平面である平面の外へと運動できるように前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  12. 工程(b)が、
    工程(a)に先立ち、前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に接着材料を塗布する工程
    を含んでいる請求項1に記載の方法。
  13. 前記接着材料がエポキシであり、前記塗布工程が、
    前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に該エポキシを塗布する工程
    を含んでいる請求項12に記載の方法。
  14. 工程(b)が、
    工程(a)の後に、前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に塗布された前記エポキシを硬化させる工程
    をさらに含んでいる請求項13に記載の方法。
  15. 前記硬化工程が、
    前記エポキシを硬化させるべく前記スタックを加熱する工程
    を含んでいる請求項14に記載の方法。
  16. (c)工程(a)に先立って、前記複数の構造層を形成する工程
    をさらに含んでいる請求項1に記載の方法。
  17. 工程(c)が、
    永久磁石を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  18. 工程(c)が、
    高透磁率の磁性材料を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  19. 工程(c)が、
    電磁石の少なくとも一部を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  20. 工程(c)が、
    構造層の表面に少なくとも1つの電気コンタクト領域を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  21. 工程(c)が、
    開口を有する構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  22. 工程(c)が、
    前記可動要素を有している前記第1の構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  23. 前記第1の構造層を形成する工程が、
    前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程、および
    前記第1の構造層に、前記可動要素に機械的に接続された少なくとも1つの可撓部分を形成する工程
    を含んでいる請求項22に記載の方法。
  24. 前記第1の構造層を形成する工程が、
    前記第1の構造層に、前記可動要素に電気的に接続された少なくとも1つのコンタクト領域を形成する工程
    を含んでいる請求項22に記載の方法。
  25. 前記積層電気機械構造が、係止付きのスイッチを含んでおり、
    工程(c)が、
    前記複数の構造層のうちの或る構造層の表面に、少なくとも1つの電子部品を形成する工程、および
    該少なくとも1つの電子部品を、前記係止付きスイッチへと電気的に接続する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  26. 前記少なくとも1つの電子部品が、インダクタ、キャパシタ、および抵抗器の少なくとも1つを含んでおり、
    前記電子部品の形成工程が、
    前記インダクタ、キャパシタ、および抵抗器の少なくとも1つを、前記複数の構造層のうちの前記或る構造層の表面に形成する工程
    を含んでいる請求項25に記載の方法。
  27. 前記積層電気機械構造が、係止付きのスイッチを含んでおり、
    工程(c)が、
    前記複数の構造層のうちの或る構造層の表面に、アンテナ・パターンを形成する工程、および
    該アンテナ・パターンを、前記係止付きスイッチへと電気的に接続する工程
    を含んでいる請求項16に記載の方法。
  28. 請求項1に記載の方法によって組み立てられた係止付きマイクロ磁気スイッチ。
  29. 請求項1に記載の方法によって組み立てられた複数の係止付きマイクロ磁気スイッチ。
  30. 請求項1に記載の方法によって組み立てられた係止付き磁気スイッチ。
  31. 請求項1に記載の方法によって組み立てられた複数の係止付き磁気スイッチ。
  32. 請求項1に記載の方法によって製造された積層されてなる複数の係止付き磁気スイッチ。
  33. 請求項1に記載の方法によって製造された横方向に離間してなる複数の係止付き磁気スイッチ。
  34. 積層マイクロ機械構造の組み立て方法であって、
    (a)可動要素が形成されてなる第1の構造層を有する複数の構造層を、スタックを形成すべく積み重ねる工程、および
    (b)該スタックの各構造層を、該スタックの隣接する構造層に貼り付ける工程
    からなる方法。
  35. 工程(a)が、
    前記構造層を前記スタック中で整列させる工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  36. 前記積み重ね工程が、
    永久磁石を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  37. 前記積み重ね工程が、
    高透磁率の磁性材料を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  38. 前記積み重ね工程が、
    電磁石の少なくとも一部を有するさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  39. 前記積み重ね工程が、
    電気コンタクト領域が少なくとも1つ形成されてなるさらなる構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  40. 前記積み重ね工程が、
    前記可動要素を有する前記第1の構造層を、前記スタック中に配置する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  41. 前記積み重ね工程が、
    開口を有する第2の構造層を、空洞を形成すべく前記スタック中に配置する工程
    をさらに含んでいる請求項40に記載の方法。
  42. 前記第2の構造層を配置する工程が、
    前記可動要素の動作時に該可動要素が前記空洞中を運動できるよう、該第2の構造層を、前記スタック中に前記第1の構造層と隣接して配置する工程
    を含んでいる請求項41に記載の方法。
  43. 前記形成工程が、
    前記可動要素が前記第1の構造層と同一平面である平面内で運動できるように前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  44. 前記形成工程が、
    前記可動要素が前記第1の構造層と同一平面である平面の外へと運動できるように前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  45. 工程(b)が、
    工程(a)に先立ち、前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に接着材料を塗布する工程
    を含んでいる請求項34に記載の方法。
  46. 前記接着材料がエポキシであり、前記塗布工程が、
    前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に該エポキシを塗布する工程
    を含んでいる請求項45に記載の方法。
  47. 工程(b)が、
    工程(a)の後に、前記スタックの隣り合う構造層の組のそれぞれの対向する表面の少なくとも一方に塗布された前記エポキシを硬化させる工程
    をさらに含んでいる請求項46に記載の方法。
  48. 前記硬化工程が、
    前記エポキシを硬化させるべく前記スタックを加熱する工程
    を含んでいる請求項47に記載の方法。
  49. (c)工程(a)に先立って、前記複数の構造層を形成する工程
    をさらに含んでいる請求項34に記載の方法。
  50. 工程(c)が、
    永久磁石を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  51. 工程(c)が、
    高透磁率の磁性材料を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  52. 工程(c)が、
    電磁石の少なくとも一部を含んでいる構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  53. 工程(c)が、
    構造層の表面に少なくとも1つの電気コンタクト領域を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  54. 工程(c)が、
    開口を有する構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  55. 工程(c)が、
    前記可動要素を有している前記第1の構造層を形成する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  56. 前記第1の構造層を形成する工程が、
    前記第1の構造層に前記可動要素を形成する工程、および
    前記第1の構造層に、前記可動要素に機械的に接続された少なくとも1つの可撓部分を形成する工程
    を含んでいる請求項55に記載の方法。
  57. 前記第1の構造層を形成する工程が、
    前記第1の構造層に、前記可動要素に電気的に接続された少なくとも1つのコンタクト領域を形成する工程
    を含んでいる請求項55に記載の方法。
  58. 前記積層マイクロ機械構造が、係止付きのスイッチを含んでおり、
    工程(c)が、
    前記複数の構造層のうちの或る構造層の表面に、少なくとも1つの電子部品を形成する工程、および
    該少なくとも1つの電子部品を、前記係止付きスイッチへと電気的に接続する工程
    を含んでいる請求項49に記載の方法。
  59. 前記少なくとも1つの電子部品が、インダクタ、キャパシタ、および抵抗器の少なくとも1つを含んでおり、
    前記電子部品の形成工程が、
    前記インダクタ、キャパシタ、および抵抗器の少なくとも1つを、前記複数の構造層のうちの前記或る構造層の表面に形成する工程
    を含んでいる請求項58に記載の方法。
  60. 前記積層マイクロ機械構造が、係止付きのスイッチを含んでおり、
    工程(c)が、
    前記複数の構造層のうちの或る構造層の表面に、アンテナ・パターンを形成する工程、および
    該アンテナ・パターンを、前記係止付きスイッチへと電気的に接続する工程
    を含んでいる請求項58に記載の方法。
  61. 請求項34に記載の方法によって組み立てられた係止付きマイクロ磁気スイッチ。
  62. 請求項34に記載の方法によって組み立てられた複数の係止付きマイクロ磁気スイッチ。
  63. 請求項34に記載の方法によって製造された積層されてなる複数の係止付きマイクロ磁気スイッチ。
  64. 請求項34に記載の方法によって製造された横方向に離間してなる複数の係止付きマイクロ磁気スイッチ。
JP2004537931A 2002-09-18 2003-09-17 積層電気機械構造の組み立て方法 Pending JP2006524880A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41134502P 2002-09-18 2002-09-18
PCT/US2003/029254 WO2004027799A2 (en) 2002-09-18 2003-09-17 Method of assembling a laminated electro-mechanical structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006524880A true JP2006524880A (ja) 2006-11-02
JP2006524880A5 JP2006524880A5 (ja) 2006-12-14

Family

ID=32030667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004537931A Pending JP2006524880A (ja) 2002-09-18 2003-09-17 積層電気機械構造の組み立て方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7266867B2 (ja)
JP (1) JP2006524880A (ja)
CN (1) CN100565740C (ja)
AU (1) AU2003272500A1 (ja)
WO (1) WO2004027799A2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7813634B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Tessera MEMS Technologies, Inc. Autofocus camera
US7288873B2 (en) * 2004-11-20 2007-10-30 Scenterra, Inc. Device for emission of high frequency signals
FR2880729B1 (fr) * 2005-01-10 2009-02-27 Schneider Electric Ind Sas Microsysteme a commande electromagnetique
EP1836713B1 (fr) * 2005-01-10 2010-03-03 Schneider Electric Industries SAS Microsysteme integrant un circuit magnetique reluctant
DE102006029024B3 (de) * 2006-03-10 2007-11-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schalteranordnung zur Ansteuerung einer Antennenanordnung mit einzelnen Antennenelementen mit einer Mehrzahl von matrixförmig angeordneten Schaltern und Verfahren zum Schalten von matrixförmig angeordneten Schaltern
US8836454B2 (en) 2009-08-11 2014-09-16 Telepath Networks, Inc. Miniature magnetic switch structures
US8432240B2 (en) 2010-07-16 2013-04-30 Telepath Networks, Inc. Miniature magnetic switch structures
US8957747B2 (en) 2010-10-27 2015-02-17 Telepath Networks, Inc. Multi integrated switching device structures
US8847715B2 (en) 2011-09-30 2014-09-30 Telepath Networks, Inc. Multi integrated switching device structures
WO2013184223A1 (en) 2012-06-05 2013-12-12 The Regents Of The University Of California Micro electromagnetically actuated latched switches
US9754874B2 (en) 2013-10-25 2017-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inductive capacitive structure and method of making the same

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2296297A1 (fr) * 1974-12-27 1976-07-23 Thomson Csf Dispositif commutateur a commande electrique de deplacement
JPS54161952A (en) 1978-06-13 1979-12-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photo switch
US4496211A (en) * 1980-12-05 1985-01-29 Maurice Daniel Lightpipe network with optical devices for distributing electromagnetic radiation
US4461968A (en) * 1982-01-11 1984-07-24 Piezo Electric Products, Inc. Piezoelectric relay with magnetic detent
FR2572546B1 (fr) 1984-10-31 1986-12-26 Gentric Alain Dispositif bistable electromagnetique pour la commutation optique et commutateur optique matriciel utilisant ce dispositif
US4570139A (en) * 1984-12-14 1986-02-11 Eaton Corporation Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device
US4755706A (en) * 1986-06-19 1988-07-05 General Electric Company Piezoelectric relays in sealed enclosures
AU592930B2 (en) * 1987-02-12 1990-01-25 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Method for recording and reproducing data for an optical card
FR2618914B1 (fr) * 1987-07-31 1991-12-06 Alain Souloumiac Perfectionnements apportes aux interrupteurs optomagnetiques
WO1989008858A1 (en) * 1988-03-09 1989-09-21 Fujitsu Limited Optical device
JP2611519B2 (ja) * 1989-09-11 1997-05-21 日本電気株式会社 フェーズドアレイ空中線の性能補償装置
US5042889A (en) 1990-04-09 1991-08-27 At&T Bell Laboratories Magnetic activation mechanism for an optical switch
JPH04275519A (ja) 1991-03-04 1992-10-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光マトリックススイッチ
JP2714736B2 (ja) * 1992-06-01 1998-02-16 シャープ株式会社 マイクロリレー
DE69311277T2 (de) * 1992-12-15 1998-01-15 Asulab Sa Schutzrohrschalter und Herstellungsverfahren für aufgehängte dreidimensionale metallische Mikrostrukturen
US5374792A (en) * 1993-01-04 1994-12-20 General Electric Company Micromechanical moving structures including multiple contact switching system
JPH06251684A (ja) 1993-02-24 1994-09-09 Sharp Corp 電磁式リレー
US5619061A (en) 1993-07-27 1997-04-08 Texas Instruments Incorporated Micromechanical microwave switching
JP2560629B2 (ja) * 1993-12-08 1996-12-04 日本電気株式会社 シリコン超小形リレー
JP3465940B2 (ja) 1993-12-20 2003-11-10 日本信号株式会社 プレーナー型電磁リレー及びその製造方法
US5472539A (en) * 1994-06-06 1995-12-05 General Electric Company Methods for forming and positioning moldable permanent magnets on electromagnetically actuated microfabricated components
US5475353A (en) * 1994-09-30 1995-12-12 General Electric Company Micromachined electromagnetic switch with fixed on and off positions using three magnets
US5629918A (en) * 1995-01-20 1997-05-13 The Regents Of The University Of California Electromagnetically actuated micromachined flap
US5696619A (en) * 1995-02-27 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device having an improved beam
US5784190A (en) * 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
US5847631A (en) * 1995-10-10 1998-12-08 Georgia Tech Research Corporation Magnetic relay system and method capable of microfabrication production
FR2742917B1 (fr) 1995-12-22 1998-02-13 Suisse Electronique Microtech Dispositif miniature pour executer une fonction predeterminee, notamment microrelais
US5945898A (en) * 1996-05-31 1999-08-31 The Regents Of The University Of California Magnetic microactuator
US6094116A (en) * 1996-08-01 2000-07-25 California Institute Of Technology Micro-electromechanical relays
US5742712A (en) * 1996-10-08 1998-04-21 E-Tek Dynamics, Inc. Efficient electromechanical optical switches
US5898515A (en) * 1996-11-21 1999-04-27 Eastman Kodak Company Light reflecting micromachined cantilever
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
EP0968530A4 (en) 1997-02-04 2001-04-25 California Inst Of Techn MICRO-ELECTROMECHANICAL RELAY
FR2761518B1 (fr) * 1997-04-01 1999-05-28 Suisse Electronique Microtech Moteur planaire magnetique et micro-actionneur magnetique comportant un tel moteur
EP0887879A1 (en) 1997-06-23 1998-12-30 Nec Corporation Phased-array antenna apparatus
US5818316A (en) * 1997-07-15 1998-10-06 Motorola, Inc. Nonvolatile programmable switch
DE19736674C1 (de) * 1997-08-22 1998-11-26 Siemens Ag Mikromechanisches elektrostatisches Relais und Verfahren zu dessen Herstellung
CA2211830C (en) * 1997-08-22 2002-08-13 Cindy Xing Qiu Miniature electromagnetic microwave switches and switch arrays
CH692829A5 (de) 1997-11-20 2002-11-15 Axicom Ltd Mikrorelais als miniaturisiertes Flachspul-Relais.
US6115231A (en) * 1997-11-25 2000-09-05 Tdk Corporation Electrostatic relay
US5982554A (en) * 1997-12-31 1999-11-09 At&T Corp Bridging apparatus and method for an optical crossconnect device
EP0951068A1 (en) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
DE19820821C1 (de) 1998-05-09 1999-12-16 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Elektromagnetisches Relais
US6046659A (en) * 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6016095A (en) * 1998-07-06 2000-01-18 Herbert; Edward Snubber for electric circuits
JP4001436B2 (ja) * 1998-07-23 2007-10-31 三菱電機株式会社 光スイッチ及び光スイッチを用いた光路切換装置
JP2000065855A (ja) * 1998-08-17 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体加速度スイッチ、半導体加速度スイッチの製造方法
US6410360B1 (en) * 1999-01-26 2002-06-25 Teledyne Industries, Inc. Laminate-based apparatus and method of fabrication
US6160230A (en) * 1999-03-01 2000-12-12 Raytheon Company Method and apparatus for an improved single pole double throw micro-electrical mechanical switch
US6143997A (en) * 1999-06-04 2000-11-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Low actuation voltage microelectromechanical device and method of manufacture
DE10031569A1 (de) 1999-07-01 2001-02-01 Advantest Corp Integrierter Mikroschalter und Verfahren zu seiner Herstellung
US6469602B2 (en) 1999-09-23 2002-10-22 Arizona State University Electronically switching latching micro-magnetic relay and method of operating same
US6496612B1 (en) 1999-09-23 2002-12-17 Arizona State University Electronically latching micro-magnetic switches and method of operating same
US6124650A (en) * 1999-10-15 2000-09-26 Lucent Technologies Inc. Non-volatile MEMS micro-relays using magnetic actuators
US6384353B1 (en) * 2000-02-01 2002-05-07 Motorola, Inc. Micro-electromechanical system device
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
CN1320576C (zh) * 2001-01-18 2007-06-06 亚利桑那州立大学 具有永久磁铁松弛对准要求的微磁闩锁开关
US6621390B2 (en) * 2001-02-28 2003-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatically-actuated capacitive MEMS (micro electro mechanical system) switch
US7102480B2 (en) * 2001-04-17 2006-09-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Printed circuit board integrated switch
KR100387239B1 (ko) * 2001-04-26 2003-06-12 삼성전자주식회사 Mems 릴레이 및 그 제조방법
US20020196110A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-26 Microlab, Inc. Reconfigurable power transistor using latching micromagnetic switches
US7215229B2 (en) * 2003-09-17 2007-05-08 Schneider Electric Industries Sas Laminated relays with multiple flexible contacts

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004027799A3 (en) 2004-06-03
US7266867B2 (en) 2007-09-11
US20040183633A1 (en) 2004-09-23
CN100565740C (zh) 2009-12-02
AU2003272500A1 (en) 2004-04-08
AU2003272500A8 (en) 2004-04-08
CN1771573A (zh) 2006-05-10
WO2004027799A2 (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7215229B2 (en) Laminated relays with multiple flexible contacts
US6469603B1 (en) Electronically switching latching micro-magnetic relay and method of operating same
US7342473B2 (en) Method and apparatus for reducing cantilever stress in magnetically actuated relays
US7327211B2 (en) Micro-magnetic latching switches with a three-dimensional solenoid coil
US6894592B2 (en) Micromagnetic latching switch packaging
US6366186B1 (en) Mems magnetically actuated switches and associated switching arrays
US20050007218A1 (en) Micro-magnetic latching switch with relaxed permanent magnet alignment requirements
US20060044088A1 (en) Reconfigurable power transistor using latching micromagnetic switches
US8665041B2 (en) Integrated microminiature relay
US20120103768A1 (en) Magnetically Actuated Micro-Electro-Mechanical Capacitor Switches in Laminate
US7250838B2 (en) Packaging of a micro-magnetic switch with a patterned permanent magnet
JP2006524880A (ja) 積層電気機械構造の組み立て方法
US20060114085A1 (en) System and method for routing input signals using single pole single throw and single pole double throw latching micro-magnetic switches
US7253710B2 (en) Latching micro-magnetic switch array
US7049915B2 (en) Bistable magnetic actuator
US20030179056A1 (en) Components implemented using latching micro-magnetic switches
US7300815B2 (en) Method for fabricating a gold contact on a microswitch
US20020196112A1 (en) Electronically switching latching micro-magnetic relay and method of operating same

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060901

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090213

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090501