JP2006509215A

JP2006509215A - 集積回路上で試験を実施するためのソケット及びその製造方法

Info

Publication number: JP2006509215A
Application number: JP2004559258A
Authority: JP
Inventors: カンドロス，イゴー，ケイ; マシュー，ゲータン，エル; レイノルズ，カール，ブイ
Original assignee: フォームファクター，インコーポレイテッド
Priority date: 2002-12-06
Filing date: 2003-12-02
Publication date: 2006-03-16
Also published as: US6920689B2; TW200423277A; KR20050085387A; DE60331243D1; US20050167816A1; EP1570277B1; CN100538369C; CN1745307A; WO2004053976A3; TWI362711B; US20080132095A1; US7330039B2; EP1570277A2; WO2004053976A2; AU2003298856A1; AU2003298856A8; US20040107568A1

Abstract

本発明は、廉価に製造され、ソケットに容易に挿入することができる相互接続構造体に関する。相互接続構造体は、凹所を有する犠牲基板を形成することにより製造され、犠牲基板は、その凹所に対応する開口部を有するマスク材料によって覆われる。第１の被覆工程は、導電性材料を付着し、その後、開口部内でワイヤを結合することによって実施され、さらなる導電性材料を付着することによって他の被覆工程が実施される。相互接続構造体は、マスク材料及び犠牲基板を先ず取り除くことによって完成する。ワイヤの端部は、対向する新しく形成された接触構造体を回路板に結合される。ソケットを完成するために、被試験集積回路を保持するように、支持装置が回路板に結合される。

Description

本発明は、集積回路用のソケットに関する。より詳細には、本発明のソケットは、集積回路を最終試験用テスター又はバーンイン用バーンイン回路板に接続する試験ソケット又はバーンインソケットである。

半導体チップを試験することは、半導体を製造する上で重要な工程である。異なる形式の試験が、半導体チップ製造工程の種々の段階で実施される。例えば初期の試験は、半導体チップがウエハ上に製造されているが、まだダイシングされず、パッケージされていない状態で、ウエハ規模で実施される。これらの初期の試験は、より高価な、時間のかかるパッケージ工程を実施する前に欠陥のあるチップを識別するのに役立つ。初期の試験の後、ウエハはダイシングされ、個々の半導体チップがパッケージされる。さらに、より正確な試験及びバーンイン工程がチップ規模で実施され、個々の半導体チップ又は複数のチップからなる群が評価される。

試験及びバーンイン工程を実施するための一つの技術は、個々のチップをソケットに入れて作ることである。従来のソケットは、製造するのが高コストであり、幾分信頼性に欠けることがある。また、従来のソケットのあるものは、接触要素としてポゴピンを利用している。このようなポゴピンは、信頼性に欠け、拭うことができない。またポゴピンは、ソケットにおける相互接続要素のピッチを制限する。例えばポゴピンを利用する1.02mm（40ミル）未満のピッチは、機械的な問題をもたらし、法外な高価格をもたらす。

したがって落とし込み式、差し込み式又は同様の接続を介して結合される容易に挿入可能な相互接続構造体を有するバーンインソケット試験装置が必要とされている。また相互接続構造体は、廉価な製造工程を介して製造される必要がある。

本発明の実施形態は、犠牲基板に要素（例えば凹所）を形成し、犠牲基板の要素を利用して接触構造体を形成し、接触構造体を利用して相互接続構造体を形成し、相互接続要素を利用して試験回路板を形成する各ステップを含む方法を提供する。本発明の他の実施形態は、その方法により製造されたバーンインソケットを提供する。

本発明のさらに他の実施形態は、集積回路板を試験するシステムを提供する。このシステムはソケットを含む。ソケットは、回路板、ソケットに挿入可能に製造されている相互接続構造体を含み、相互接続構造体は回路板に結合される。相互接続構造体は、基板と、この基板に結合される第１及び第２パッドを含み、第１パッド及び第２パッドは、基板を介して延伸するバイアを介して互いに結合され、第２パッドは相互接続構造体を回路板に結合する。また相互接続構造体は、第１パッドに結合されている弾性接触子を含み、弾性接触子は、試験中、集積回路と相互作用する。またソケットは回路板に結合されている支持構造体を含み、支持構造体は、試験中、集積回路板と弾性接触子との間の接触を確実にする。

さらなる本発明の実施形態、特徴及び利点を、本発明の種々の実施形態の構造及び工程とともに、添付の図面を参照して以下において詳細に記述する。

本明細書に組み込まれ、明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の例示的な実施形態を説明し、詳細な説明とともに、本発明の原理を説明するのをさらに助け、当業者が本発明を実施し、利用することを可能にする。

本発明の例示的な実施形態を、添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。図面において、同様の参照番号は同一の又は機能に関して同様である構成要素を指示する。加えて、参照番号の左端の数字は、参照番号が最初に現れる図面に関係する。

本発明の実施形態は、廉価で製造され、ソケットに容易に挿入可能な相互接続構造体を提供する。相互接続構造体は、凹所を有する犠牲基板を形成することによって製造され、犠牲基板は、凹所に対応する開口部を有するマスク材料によって覆われている。第１の被覆工程は導電性材料を付着し、その後、開口部内でワイヤを結合することによって実施され、さらなる導電性材料を付着することによって他の被覆工程が実施される。相互接続構造体は、マスク材料及び犠牲基板を先ず取り除くことによって完成する。ワイヤの端部は、対向する新しく形成された接触構造体を回路板に結合される。ソケットを完成するために、被試験集積回路を保持するように、支持装置が回路板に結合される。

集積回路半導体
図１Ａ及び１Ｂは、本発明の実施形態の、試験される半導体チップ100（例えば集積回路（IC））の側面図及び底面図をそれぞれ示す。半導体チップ100は、パッケージされていても又はされていなくとも良い。制限するのではないが、半導体チップ100は、ハンダボール接点102（例えば「コントロールドコラップスチップコネクション」（「C4」としても知られている））を有するフリップチップ半導体とすることができる。概して、半導体チップ及び接続の如何なる形式のものも利用することができる。

相互接続構造体製造工程
図２〜６は、本発明の実施形態によるソケット600（図６）に対する相互接続構造体（例えばタイル）514（図５）を製造する工程を図解する。

図２Ａ〜２Ｂは、本発明の実施形態による犠牲基板200の断面図及び底面図をそれぞれ示す。犠牲基板200は、そこに要素（例えば凹所）202を形成することができる如何なる材料ともすることができる。その名称が暗示するように、犠牲基板200は、最終の構造体から、溶解することができ、エッチングにより除くことができ、又は他のやり方で取り除くことができる。ある実施形態においては、シリコン、セラミック、チタン-タングステン及び類似のものを犠牲基板200として利用することができる。示すように、凹所202が犠牲基板200中に形成されている。種々の実施形態において、凹所200は、エンボス加工により、エッチングにより、又は類似のやり方で形成可能である。示すように、凹所200は半導体チップ100上の接点102に対応する。

図３Ａ〜３Ｂは、本発明の実施形態の、マスク材料300を適用されている犠牲基板200の断面図及び底面図をそれぞれ示す。ある実施形態においては、マスク材料300をホトレジスト材料とすることができる。示すように、開口部302はマスク材料300に形成されている。これらの開口部302は、図２において形成されている凹所202を露出する。

図４Ａ〜４Ｄは、本発明の実施形態による付加的な工程ステップを示す。図４Ａにおいて、導電性材料400が開口部302に付着され、又は被覆される。ある実施形態においては、導電性材料400を、硬質の、金属質の及び/又は電気的な導電性材料とすることができる。例えば導電性材料400をロジウム成分及びパラジウムコバルト合金とすることができる。示すように、導電性材料400は、試験中、半導体チップ100に接触するのに利用される接触子先端402を形成する。２つの伸張部分を有して示しているが、接触子先端402には、異なる仕様及び実施形態によって必要とされるように、１つ又はより多くの伸張部分を設けることができる。他の実施形態において、接触子先端402を、例えば軟質金層、ニッケル層及び硬質金層である複数の材料の層から形成することができる。他の実施形態では、他の材料の包括的ではない一覧に、銀、パラジウム、白金、ロジウム、導電性窒化物、導電性炭化物、タングステン、チタン、モリブデン、レニウム、インジウム、オスミウム、耐火金属又は同様のものが含まれる。明細書の残りの部分の全体にわたって、用語導電性材料400が使用され、この用語は１つ又はそれ以上の材料を含むことを意味し、１つより多い材料を使用する場合には、材料は積層されている。導電性材料400は、何らかの適する方法を利用して、開口部302内に付着される。種々の実施形態において、付着方法は、電気メッキ法、物理蒸着法又は化学蒸着法、スパッタリング法又は類似の方法とすることができる。接触子先端402を形成する層を、同様のやり方で、付着することができる。

示さないが、種々の実施形態において、導電性材料400を付着する前に、開口部302内に解放材料を付着することができる。解放材料を利用することにより、導電性材料400によって形成された接触構造体506（図５Ｂ）の犠牲基板200からの結果として起こる移動が容易になる。ある実施形態においては、解放層をアルミニウムの層とすることができる。さらに他の実施形態では、示すことはしないが、導電性材料からなるシード層を、導電性材料400を付着する前に、開口部302内に付着することもできる。さらに他の実施形態では、マスク材料300を付着する以前に、犠牲基板200全体の上のブランケット層として付着することができる。シード層は、電気メッキが導電性材料400を付着するのに利用される場合に、電気メッキを容易にする。

図４Ｂは、各開口部302内で、本発明の実施形態による導電性材料400に接合されたワイヤ404を示す。良く知られているワイヤ接合技術を利用して、ワイヤ404を接合することができる。ワイヤ接合技術の一例は、Eldridgeらに特許された米国特許第5,601,740号に見ることができ、この特許は参照することによって、その内容を全て本発明に取り入れることとする。ある実施形態においては、ワイヤ404を比較的柔らかく、容易に成形可能な材料から形成することができ、一方他の実施形態では、他の形式の材料を利用することができる。ワイヤ404として利用することができる材料の例として、金、アルミニウム、銅、白金、鉛、錫、インジウム、これらの合金、又は類似のものを挙げることができる。ある実施形態において、ワイヤ404の直径を0.00635mm〜0.254mm（0.25ミル〜10ミル）の範囲とすることができる。ワイヤ404が、矩形又は何らかの他の形状のような他の断面形状を有し得ることは理解されなければならない。

図４Ｃは、第２の導電性材料406によって被覆されているワイヤ404及び導電性材料400を示す。ある実施形態において、導電性材料406は、ワイヤ404を形成している材料よりも硬く、接触構造体506（図５Ｂ）を強化する。適切な材料のいくつかの例として、ニッケル、銅、ハンダ、鉄、コバルト、錫、硼素、燐、クロム、タングステン、モリブデン、ビスマス、インジウム、セシウム、アンチモン、金、鉛、錫、銀、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、これらの合金、又は類似のものが挙げられる。ある実施形態では、導電性材料406の厚みを0.00508mm〜0.254mm（0.2ミル〜10ミル）の範囲とすることができる。導電性材料406を、何らかの適する方法を利用してワイヤ404上に付着することができる。種々の実施形態において、付着方法は、電気メッキ法、物理蒸着法又は化学蒸着法、スパッタリング法又は類似の方法とすることができる。ワイヤをワイヤボンディングし、その後ワイヤを覆って被覆する例示的な方法は、Khandrosに特許された米国特許第5,476,211号、Khandrosらに特許された米国特許第5,917,707号、Eldridgeらに特許された米国特許第6,336,269号に開示され、これらの特許は参照することによって、その内容を全て本発明に取り入れることとする。

図４Ｄは、マスク材料300が取り除かれた後の工程を示す。

図５Ａ〜５Ｂは、本発明の実施形態による付加的な工程ステップを示す。図５Ａは、導電性被覆406を有するワイヤ404の自由端500が、結合材料504を利用することによって、配線基板502に結合されていることを示す。種々の実施形態において、結合は、配線、ハンダ付け、鑞付け、又は類似のものによって実施される。導電性被覆406を有するワイヤ404の自由端500を結合するステップが加熱を含む実施形態において、ワイヤ404及び接触構造体506（図５Ｂ）もまた熱処理され得る。この一例は、Chenらに特許された米国特許第6,150,186号に見られ、この特許は参照することによって、その内容を全て本発明に取り入れることとし、この特許はばね接触構造体を熱処理する方法を開示している。

図５Ｂは、本発明の実施形態による配線基板502に関する配列を示す。配線基板502を、その両面にパッド508及び510を備えているセラミック基板とすることができる。パッド508及び510は、配線基板502を貫通するバイア512の利用によって結合され得る。他の実施形態では、配線基板502を印刷回路板又は印刷配線板とすることができる。図５Ｂに示すように、犠牲基板200を形成する材料を、エッチングすることにより、溶解することにより又は類似の方法を実施することによって、犠牲基板200が取り除かれる。接触要素506、パッド508、510、バイア512を有する配線基板502に対する他の用語は、相互接続構造体514である。ある実施形態では、相互接続構造体514を試験又はバーンインソケット600（図６）を製造するのに利用することができる。種々の実施形態では、相互接続構造体514を、ソケット600又は他の何らかのソケットに容易に挿入可能なモジュール式相互接続構造体、落とし込み式相互接続構造体、差し込み式相互接続構造体又は類似の形式の相互接続構造体とすることができる。

本発明の相互接続構造体514を製造する工程のさらなる利点は、この工程が廉価であり、相互接続構造体上で別個に実施可能であることにある。このようにして、ソケットの形成に先立ち、欠陥のある相互接続構造体を識別し、取り除くことが可能となる。この工程は、約0.254mm（約10ミル）以下であることを含む1.02mm（40ミル）未満の微細なピッチで配列されている接触要素を有する相互接続構造体を廉価に、大量に製造することができるというさらなる利点を有する。したがってこの工程は、微細なピッチのソケットを製造するための信頼性の高い、廉価な技術である。

ソケット形成工程
図６は、相互接続構造体514が回路板602（例えば試験回路板又はソケット回路板）に結合され、電気的に配線されている本発明の実施形態によるソケット600を示す。ある実施形態では、回路板600が、試験中、集積回路（IC）100を保持するための蝶番により開閉する装置606を有する支持構造体604を含むことがある。種々の実施形態では、回路板602を試験回路板又はバーンイン回路板とすることができる。相互接続構造体514を、ハンダ付け608、ピン（図示せず）又は何らかの他の形式の接続のような何らかの適切な手法により、回路板602に電気的に接続することができる。例えばピンは、対応する孔部（図示せず）と摩擦嵌めを形成し得る。代替的な実施形態では、回路板602を、それ自体より大きな試験システム（図示せず）に差し込まれる又は他のやり方で取り付けられるソケット回路板とすることができる。

図７は、本発明の、回路板702に結合されている多数の相互接続構造体700を備えている実施形態を示す。多数のIC 100を示しているが、他の実施形態では、多くのボール接点を有する１つのIC 100が試験される。この実施形態では、IC 100に接触するばね接触子704のアレイが、ボール接点102の配列にしたがう種々の配列で、複数の相互接続構造体700を回路板702に結合することによって組み立てられている。先に議論したように、種々の実施形態では、回路板702を試験回路板又はバーンイン回路板とすることができ、604（便宜上、図７では示さない）と同様の複数の支持構造体を、相互接続構造体700の周囲で回路板702に固定することができる。

相互接続構造体及びソケットの製造手順
図８は、本発明の実施形態によるソケットを製造する方法800を示す。ステップ802において、犠牲基板を、要望されるように、何らかの形式又は数の基板に形成された要素を備えて形成する。例えば、凹所を図２に記載したように形成することができる。ステップ804において、メッキされたワイヤを犠牲基板に基づき形成する。これは、図３〜４に関連して記述したように、種々の方法を介して実施され得る。ステップ806において、相互接続構造体を、メッキされたワイヤに基づき形成する。これは、図５に関連して記載した種々の方法を介して実施される。ステップ808において、ソケットを相互接続構造体に基づき形成する。これは、図６及び７に関連して記述した種々の方法を介して実施される。

図９は、本発明の実施形態によるソケットを製造する一層詳細な方法900を表現するフローチャートを示す。ステップ902において、凹所（例えば要素又は凹所202）を犠牲基板（例えば基板200）に形成する。ステップ904において、マスク材料（例えばマスク材料300）を犠牲基板上に付着する。ステップ906において、開口部（例えば開口部302）を凹所に対応するマスク材料に形成する。ステップ908において、導電性材料（例えば導電性材料400）を開口部に付着又はメッキする。ステップ910において、ワイヤ（例えばワイヤ404）を導電性材料と結合する。ステップ912において、第２の導電性材料（例えば406）をワイヤ及び第１の導電性材料上に付着又はメッキする。ステップ914において、マスク材料を取り除く。ステップ916において、結合材料（例えば結合材料504）を利用して、導電性材料を有するワイヤの先端（例えば先端500）を配線基板（例えば配線基板502）に結合する。ステップ918において、犠牲基板を取り除き、相互接続構造体（例えば相互接続構造体514又は700）形成する。ステップ920において、相互接続構造体を回路板（例えば回路板602又は702）に結合し、ソケット（例えばソケット600）を形成する。

結論
本発明の種々の実施態様を上記説明したが、それらは一例として示されたに過ぎず、制限するものでないことが理解されなければならない。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本発明の形態及び細部に種々の変更を行えることは当業者には明らかである。したがって本発明の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態により制限されるのではなく、添付の特許請求の範囲の記載及びその等価物によってのみ画定されなければならない。

本発明の実施形態による被試験フリップチップ半導体の側面図である。本発明の実施形態による被試験フリップチップ半導体の底面図である。本発明の実施形態による犠牲基板の断面図である。本発明の実施形態による犠牲基板の底面図である。マスク材料を有する図２Ａ及び２Ｂの犠牲基板の断面図である。マスク材料を有する図２Ａ及び２Ｂの犠牲基板の底面図である。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップを示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップを示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップを示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップを示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップをさらに示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成する工程ステップをさらに示す。本発明の実施形態による被試験ソケットを形成するさらなる工程ステップをさらに示す。本発明の実施形態によるウエハ上の複数の装置を試験するのに利用されている複数のソケットを示す。本発明の実施形態によるソケットを製造する全体の方法を記述するフローチャートである。図８の方法に関するより詳細な方法のステップを記述するフローチャートである。

Claims

犠牲基板に要素を形成するステップ、
前記犠牲基板の前記要素を利用して接触構造体を形成するステップ、
前記接触構造体を利用して相互接続構造体を形成するステップ、
前記相互接続構造体を利用して試験回路板を形成するステップ、
からなる方法。
前記要素を形成するステップが、前記犠牲基板内に凹所を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
前記犠牲基板をエンボス加工して、前記凹所を形成するステップを実施するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
前記犠牲基板をエッチングして、前記凹所を形成するステップを実施するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
前記犠牲基板を銅から形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記犠牲基板をアルミニウムから形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記犠牲基板をシリコンから形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記犠牲基板をセラミックから形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記犠牲基板をチタン-タングステンから形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記接触構造体を形成するステップが、
前記犠牲基板上にマスク材料を付着するステップ、
前記要素に対応して前記マスク材料に開口部を形成するステップ、
前記開口部に第１の導電性材料を付着するステップ、
前記開口部のそれぞれの前記第１の導電性材料にワイヤを接合するステップ、
前記ワイヤ上に第２の導電性材料を付着するステップ、
前記マスク材料を取り除くステップからなる請求項１に記載の方法。
前記マスク材料としてホトレジスト材料を利用するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料として、硬質の金属質の材料を使用するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料として、ロジウム材料を使用するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップが、
軟質金層を付着するステップ、
ニッケル層を付着するステップ、
硬質金層を付着するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップが、電気メッキを利用して前記付着を実施するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップが、蒸着を利用して前記付着を実施するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップが、スパッタリングを利用して前記付着を実施するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップを実施する前に、前記開口部に解放材料を付着するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記解放材料を付着するステップが、前記解放材料としてアルミニウムを利用するステップを含む請求項１８に記載の方法。
前記第１の導電性材料を付着するステップを実施する前に、前記開口部にシード層を付着するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記マスク材料を付着するステップを実施する前に、前記犠牲基板上にシード層を付着するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして柔らかく、成形可能な材料を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして金を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとしてアルミニウムを利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして銅を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして白金を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして鉛を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして錫を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとしてインジウムを利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤを接合するステップが、前記ワイヤとして合金を利用するステップを含む請求項１０に記載の方法。
前記ワイヤに対して利用される材料よりも硬い材料を前記第２の導電性材料に対して利用して、接触構造体を強化するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
前記相互接続構造体を形成するステップが、
前記ワイヤの自由端を配線基板に結合するステップ、
前記犠牲基板を取り除くステップを含む請求項１に記載の方法。
前記結合するステップが、配線を利用して前記ワイヤの自由端を前記配線基板に結合するステップを含む請求項３２に記載の方法。
前記結合するステップが、鑞付けを利用して前記ワイヤの自由端を前記配線基板に結合するステップを含む請求項３２に記載の方法。
前記結合するステップが、加熱技術を利用して前記ワイヤの自由端を前記配線基板に結合するステップを含む請求項３２に記載の方法。
基板の両面に第１パッド及び第２パッドを結合するステップ、
前記基板を介して延伸するバイアにより、前記第１パッド及び第２パッドを相互接続するステップによる前記配線基板を形成するステップをさらに含む請求項３２に記載の方法。
前記形成するステップが、セラミック材料を利用して前記基板を形成するステップを含む請求項３６に記載の方法。
前記試験回路板を形成するステップが、前記相互接続構造体を回路板に結合するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
支持構造体を前記回路板に結合し、被試験システムを保持するステップをさらに含む請求項３８に記載の方法。
前記相互接続構造体を形成するステップが、複数の相互接続構造体を形成することを含み、前記試験回路板を形成するステップが、該複数の相互接続構造体を利用することをさらに含む請求項１に記載の方法。
請求項１に記載の方法により製造された集積回路板を試験するためのバーンインソケット。
集積回路板を試験するシステムであって、ソケットを含むものにおいて、該ソケットが、
回路板と、
前記ソケットに挿入可能に製造されているとともに、前記回路板と結合されている相互接続構造体であって、該相互接続構造体が、基板と、該基板に結合されているとともに、該基板を介して延伸しているバイアにより互いに結合されている第１パッド及び第２パッドであって、当該第２パッドが前記相互接続構造体を前記回路板に結合する第１パッド及び第２パッドと、前記第１パッドに結合されている弾性接触子であって、試験中、前記集積回路と相互作用する弾性接触子を含む相互接続構造体と、
試験中、前記集積回路板と前記弾性接触子の間の接触を確実にする前記回路板に結合されている支持構造体とを含むシステム。
前記相互接続構造体が、前記ソケット内に挿入されているモジュール式相互接続構造体である請求項４２に記載のシステム。
前記相互接続構造体が、前記ソケット内に落とし込まれている落とし込み式相互接続構造体である請求項４２に記載のシステム。
前記相互接続構造体が、前記ソケット内に差し込まれている差し込み式相互接続構造体である請求項４２に記載のシステム。
前記ソケットが複数の前記相互接続構造体を含む請求項４２に記載のシステム。