JP2006501603A - 質量分析器デバイス及び質量分析器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2乃至図6は、本発明の好ましい実施形態による、結合されたシリコンオン絶縁体(BSOI)材料に形成されるディープエッチングされた特徴に基づく新規な構築方法の例を示す図である。BSOIは、酸化されたシリコンウエハからなる、このシリコンウエハに、第2のシリコンウエハが結合される。この第2のシリコンウエハは、シリコン−酸化物−シリコンの多層を残すために、所望の厚みまで研磨して戻されることができる。BSOIウエハは、一般に、高電圧マイクロ電子工学で適用される。しかしながら、ウエハにおける異なる層は、三次元構造を作るために半導体マイクロ製造技術を使用して処理されることもできる。さらなる実施形態又は修正形態は、図7乃至図11を参照して示される。
図10A乃至図10Cは、開口、チューブ、及びメッシュの異なる組み合わせを使用して3要素静電レンズを構築するための、1つの基板上に必要なパターンの平面図である。3つの開口が設けられたダイアフラム1000は、図10Aで示されるようなアインツェルレンズを形成するために使用されることができる。代わりに、中央ダイアフラムは、図10Bによって示されるようなメッシュ1010と置き換えられることができる。この構成は、より強い集束又はより強い反射を可能にする。最後に、3つの電極のうち任意の電極又は全ての電極は、図10Cに示されるように、矩形又は方形断面を有するチューブ1020を形成するように、軸方向に拡張されることができる。
Claims (39)
- 2つの多層ウエハから構成される集積型質量分析器デバイスであって、
前記多層ウエハの各々は、内側層と、外側層と、前記内側層と前記外側層との間に設けられた絶縁層とを有し、前記デバイスは、複数の電極と複数の電極ロッドを有し、前記複数の電極と前記複数の電極ロッドは、前記多層ウエハの別個の層上に設けられていることを特徴とするデバイス。 - 前記多層ウエハの各々は、5層構造を構成するために組み合わせられた少なくとも3層を有することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記電極ロッドは、前記多層ウエハの各々の前記外側層に搭載可能であることを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス。
- 前記多層ウエハの各々の前記外側層は、該外側層内に前記電極ロッドを受けるように寸法決定され、前記電極ロッドは、前記外側層内に設けられた少なくとも1つの弾性部材によって前記外側層との接触状態を維持されていることを特徴とする請求項3に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの弾性部材は、前記多層ウエハに設けられたバネによって提供されていることを特徴とする請求項4に記載のデバイス。
- 前記電極ロッドは、前記多層ウエハの前記外側層内にエッチングされた特徴部によって配置され、該特徴部は、前記電極ロッドを適切に受けるように寸法決定され、前記弾性部材は、前記外側層をエッチングすることによって形成されていることを特徴とする請求項4に記載のデバイス。
- 前記多層ウエハを構成する第1及び第2のウエハの各々は、第1の側の外側パターン及び第2の側の内側パターンでパターニングされていることを特徴とする請求項1乃至6にいずれかに記載のデバイス。
- 前記第2の側に設けられた前記内側パターンは、前記質量分析器のイオンソース及びイオン収集構成部品を提供することを特徴とする請求項7に記載のデバイス。
- 前記絶縁層は、前記パターンが重なり合う領域に設けられていることを特徴とする請求項7又は8に記載のデバイス。
- 前記第1及び第2のウエハ、又は前記第1及び第2のウエハからの個々のダイは、モノリシックブロックを構成するために結合されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1及び第2のウエハの結合は、前記電極ロッドが前記モノリシックブロックの外側部分上に配置され、かつ前記電極が前記モノリシックブロックの内側部分内に配置されるように行われていることを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
- 前記電極ロッドは、前記質量分析器の質量フィルタ構成部品を構成することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のデバイス。
- 4つの円筒状電極ロッドを含み、該円筒状電極ロッドの各々は、四極子動作のために正しく選択されたその直径及び中心間間隙を有することを特徴とする請求項12に記載のデバイス。
- 前記各多層ウエハ内の前記円筒状電極の水平方向間隙は、リソグラフィ及びディープ反応性イオンエッチングによって形成されていることを特徴とする請求項12又は13に記載のデバイス。
- 前記円筒状電極の垂直方向間隙は、アセンブリの間にともに結合される2つの内側層の組み合わせられた厚みによって形成されていることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載のデバイス。
- 前記複数の電極の少なくともいくつかは、イオン入口光学部品を形成するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載のデバイス。
- 前記イオン入口光学部品は、アインツェルレンズによって構成されていることを特徴とする請求項16に記載のデバイス。
- 前記イオン入口光学部品の前に設けられた冷陰極電界放出電子ソースを備えていることを特徴とする請求項16に記載のデバイス。
- a)熱陰極ソースと、
b)直流放電ソースと、
c)交流放電ソースと、
d)電子スプレーソースと
の1つから選択された電子ソースを備えていることを特徴とする請求項16に記載のデバイス。 - 一対の無線周波数電極が、プラズマを生成するために前記イオン入口光学部品の前に配置されていることを特徴とする請求項16に記載のデバイス。
- 前記イオン入口光学部品は、ともに電子スプレーソースを構成する一組の電極と組み合わせられたエッチングされた流体チャネルから構成されていることを特徴とする請求項16に記載のデバイス。
- 前記多層ウエハの各々は、絶縁体ウエハ上のシリコンに結合されていることを特徴とする請求項1乃至21のいずれかに記載のデバイス。
- 2つ以上の別個のチャンバを有し、個別のチャンバの提供は、差動ポンピングされるシステム内での前記デバイスの使用を可能にすることを特徴とする請求項1乃至22のいずれかに記載のデバイス。
- メッシュ構成で設けられたイオンソースを備えたことを特徴とする請求項1乃至23のいずれかに記載のデバイス。
- 前記複数の電極の少なくともいくつかは、メッシュ構成で配置されていることを特徴とする請求項1乃至24のいずれかに記載のデバイス。
- 前記複数の電極の少なくともいくつかは、チューブ配置で構成されていることを特徴とする請求項1乃至23のいずれかに記載のデバイス。
- 前記チューブ配置は、前記電極ロッドに対する入口又は出口の少なくとも1つに配置されたレンズを提供することを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 前記複数の電極の少なくともいくつかは、イオン反射器として構成されていることを特徴とする請求項1乃至27のいずれかに記載のデバイス。
- 前記イオン反射器は、線形イオントラップを提供するように構成されていることを特徴とする請求項28に記載のデバイス。
- 電子のソースを提供するように構成されるフィラメント要素を備え、該フィラメント要素は、
a)外部に提供されたフィラメントと、
b)内部に形成されたフィラメント又は
c)取り外し可能なフィラメントと
のタイプの1つとして構成されていることを特徴とする請求項1乃至29のいずれかに記載のデバイス。 - イオンソース及び/又はイオン検出器と協働する請求項1に記載のデバイスを備え、前記イオンソース及び/又は前記イオン検出器の少なくとも1つは、前記デバイスの外部に設けられていることを特徴とする質量分析器システム。
- 請求項1乃至30のいずれかに記載の複数のデバイスを備えていることを特徴とする質量分析器アレイ。
- 請求項1乃至30のいずれかに記載のデバイスを2つ以上備え、前記2つ以上のデバイスは、タンデム質量分析器を構成するように直列に設けられていることを特徴とする質量分析器システム。
- 前記直列のデバイスを構成する前記各デバイスは、四極子デバイスであり、一対の無線周波数電極は、プラズマを生成するために縦続接続された前記四極子デバイス間に配置されていることを特徴とする請求項33に記載の質量分析器システム。
- a)前記質量分析器のための構成部品を構成する、ウエハ上の内側及び外側パターンをエッチングするステップと、
b)多層の積層デバイスを構成するように第2のウエハに前記ウエハを結合するステップと、
c)前記デバイス内に少なくとも1つの電極ロッドを挿入するステップと、
d)前記デバイス内に少なくとも1つの電極を提供するステップとを有し、
前記少なくとも1つの電極及び少なくとも1つの電極ロッドは、前記ウエハの個別の層上に提供されていることを特徴とする質量分析器の製造方法。 - 少なくとも1つの前記個別の層は、少なくとも2つのマスクを含むエッチングステップによって提供されていることを特徴とする請求項35に記載の質量分析器の製造方法。
- 前記少なくとも1つの電極を提供するステップは、
a)チューブ配置と、
b)メッシュ配置と、及び/又は
c)ダイアフラム電極配置と
の少なくとも1つの構成に前記少なくとも1つの電極を提供することを含むことを特徴とする請求項31又は32に記載の質量分析器の製造方法。 - 前記メッシュ配置は、内部に電子が外部フィラメントから放出されることができるソースケージの周囲の少なくとも一部を形成するように提供されることを特徴とする請求項37に記載の質量分析器の製造方法。
- 前記ダイアフラム電極配置は、3電極構成の形態で提供され、該3電極構成の内側及び外側電極は、同一の電位で動作するように構成されていることを特徴とする請求項37に記載の質量分析器の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008192615A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Microsaic Systems Ltd | 微細加工された高性能静電四重極レンズ |
JP2012502420A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | ザ ユニバーシティ オブ リバプール | 方法 |
JP2015037832A (ja) * | 2008-02-29 | 2015-02-26 | バイエル・インテレクチュアル・プロパティ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングBayer Intellectual Property GmbH | マイクロ固定具 |
Families Citing this family (32)
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US6967326B2 (en) * | 2004-02-27 | 2005-11-22 | Lucent Technologies Inc. | Mass spectrometers on wafer-substrates |
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US7411187B2 (en) * | 2005-05-23 | 2008-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Ion trap in a semiconductor chip |
CA2552086C (en) * | 2005-07-20 | 2014-09-09 | Microsaic Systems Limited | Microengineered nanospray electrode system |
US7402799B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-07-22 | Northrop Grumman Corporation | MEMS mass spectrometer |
US20070131860A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | Freeouf John L | Quadrupole mass spectrometry chemical sensor technology |
US7435953B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-10-14 | Interface Studies Inc. | Quadrupole mass filter length selection |
GB2435712B (en) | 2006-03-02 | 2008-05-28 | Microsaic Ltd | Personalised mass spectrometer |
DE102006011037B4 (de) * | 2006-03-08 | 2008-03-06 | Chromtech Gesellschaft für analytische Meßtechnik mbH | Kollisionskammer eines Massenspektrometers zur Massenanalyse von Ionen |
US7960692B2 (en) * | 2006-05-24 | 2011-06-14 | Stc.Unm | Ion focusing and detection in a miniature linear ion trap for mass spectrometry |
GB0618926D0 (en) | 2006-09-26 | 2006-11-08 | Owlstone Ltd | Ion filter |
GB2445016B (en) * | 2006-12-19 | 2012-03-07 | Microsaic Systems Plc | Microengineered ionisation device |
US8389950B2 (en) * | 2007-01-31 | 2013-03-05 | Microsaic Systems Plc | High performance micro-fabricated quadrupole lens |
EP1959476A1 (de) | 2007-02-19 | 2008-08-20 | Technische Universität Hamburg-Harburg | Massenspektrometer |
US7922920B2 (en) * | 2007-02-27 | 2011-04-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Systems, methods, and apparatus of a low conductance silicon micro-leak for mass spectrometer inlet |
US7767959B1 (en) * | 2007-05-21 | 2010-08-03 | Northrop Grumman Corporation | Miniature mass spectrometer for the analysis of chemical and biological solid samples |
US7935924B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-05-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Batch fabricated rectangular rod, planar MEMS quadrupole with ion optics |
US7935923B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-05-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Performance enhancement through use of higher stability regions and signal processing in non-ideal quadrupole mass filters |
GB2451239B (en) | 2007-07-23 | 2009-07-08 | Microsaic Systems Ltd | Microengineered electrode assembly |
US9588081B2 (en) | 2007-09-25 | 2017-03-07 | Ownstone Medical Limited | Interdigitated electrode configuration for ion filter |
GB2454241B (en) | 2007-11-02 | 2009-12-23 | Microsaic Systems Ltd | A mounting arrangement |
GB2454508B (en) * | 2007-11-09 | 2010-04-28 | Microsaic Systems Ltd | Electrode structures |
EP2306180A4 (en) | 2008-06-23 | 2016-03-09 | Atonarp Inc | SYSTEM FOR MANAGING INFORMATION RELATING TO CHEMICALS |
GB2466350B (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-08 | Microsaic Systems Ltd | Mass spectrometer system |
FR2971360B1 (fr) * | 2011-02-07 | 2014-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Micro-reflectron pour spectrometre de masse a temps de vol |
US8618473B2 (en) | 2011-07-14 | 2013-12-31 | Bruker Daltonics, Inc. | Mass spectrometer with precisely aligned ion optic assemblies |
WO2014149846A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | 1St Detect Corporation | A mass spectrometer system having an external detector |
US9418827B2 (en) * | 2013-07-23 | 2016-08-16 | Hamilton Sundstrand Corporation | Methods of ion source fabrication |
US9786613B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-10-10 | Qualcomm Incorporated | EMI shield for high frequency layer transferred devices |
US20200058646A1 (en) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Intel Corporation | Structures and methods for large integrated circuit dies |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5401962A (en) | 1993-06-14 | 1995-03-28 | Ferran Scientific | Residual gas sensor utilizing a miniature quadrupole array |
US5386115A (en) * | 1993-09-22 | 1995-01-31 | Westinghouse Electric Corporation | Solid state micro-machined mass spectrograph universal gas detection sensor |
US5536939A (en) * | 1993-09-22 | 1996-07-16 | Northrop Grumman Corporation | Miniaturized mass filter |
US6442831B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-09-03 | Formfactor, Inc. | Method for shaping spring elements |
GB9506972D0 (en) * | 1995-04-04 | 1995-05-24 | Univ Liverpool | Improvements in and relating to quadrupole mass |
US5596193A (en) | 1995-10-11 | 1997-01-21 | California Institute Of Technology | Miniature quadrupole mass spectrometer array |
DE69715190T2 (de) | 1996-06-06 | 2003-04-30 | Mds Inc | Multipolmassenspektrometer mit axialem ausstoss |
US5852294A (en) * | 1996-07-03 | 1998-12-22 | Analytica Of Branford, Inc. | Multiple rod construction for ion guides and mass spectrometers |
FR2762713A1 (fr) * | 1997-04-25 | 1998-10-30 | Commissariat Energie Atomique | Microdispositif pour generer un champ multipolaire, en particulier pour filtrer ou devier ou focaliser des particules chargees |
AU7805498A (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-21 | California Institute Of Technology | Miniature micromachined quadrupole mass spectrometer array and method of making the same |
-
2002
- 2002-08-01 GB GB0217815A patent/GB2391694B/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
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- 2003-07-29 DE DE60312180T patent/DE60312180T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192615A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Microsaic Systems Ltd | 微細加工された高性能静電四重極レンズ |
JP2015037832A (ja) * | 2008-02-29 | 2015-02-26 | バイエル・インテレクチュアル・プロパティ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングBayer Intellectual Property GmbH | マイクロ固定具 |
JP2012502420A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | ザ ユニバーシティ オブ リバプール | 方法 |
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Publication number | Publication date |
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