JP2006352184A - Signal delay transmission circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、極めて短い時間間隔の遅延信号列を出力する信号伝送遅延素子回路に関するものである。 The present invention relates to a signal transmission delay element circuit that outputs a delay signal sequence having an extremely short time interval.
今日信号記録装置において記録密度が極めて高くなっている中で、記録媒体に集光したレーザー光等で記録を行うと、光エネルギーは記録点のみならずその近傍周辺にも影響を及ぼすため、集光したレーザー光信号が信号レベル波形のまま媒体に記録されず、異なった記録結果となり、再生される信号が記録信号と異なり高密度記録が実現出来ない等の不具合な現象が生じていた。この不具合を改善するために前後の信号や記録する信号の値、あるいは記録媒体のフォーマット、あるいは記録媒体の材質、あるいは記録媒体の移動速度等により記録時のレーザー光信号の出力レベルや発光時間を補正する方法が案出され記録型CDレコーダーや記録型DVDレコーダーで実用に供されてきた。 In today's signal recording devices, where the recording density is extremely high, recording with a laser beam or the like focused on a recording medium causes the light energy to affect not only the recording point but also the vicinity of the recording point. The emitted laser beam signal is not recorded on the medium in the form of a signal level waveform, resulting in a different recording result, and a defective phenomenon occurs such that the reproduced signal is different from the recording signal and high-density recording cannot be realized. In order to remedy this problem, the output level and emission time of the laser light signal during recording are determined by the values of the previous and subsequent signals, the signal to be recorded, the format of the recording medium, the material of the recording medium, the moving speed of the recording medium, etc. A correction method has been devised and has been put to practical use in recordable CD recorders and recordable DVD recorders.
最近では更に、利便性や時間効率向上の要求から、記録型CDレコーダーや記録型DVDレコーダーでは記録時間の短縮が重要な課題となって標準再生速度の何倍で記録できるかが競走力や性能判断指標の最大要素の一つとなっている。これに応える高速記録を実現するためには機構や光学装置の高速制御応答性能の実現と共に記録系電子回路の使用可能な信号周波数の向上や高速な応答性能の実現が不可欠である。 Recently, due to demands for improved convenience and time efficiency, shortening the recording time has become an important issue for recordable CD recorders and recordable DVD recorders, and how many times the standard playback speed can be recorded. It is one of the largest elements of judgment indicators. In order to realize high-speed recording in response to this, it is indispensable to realize a high-speed control response performance of a mechanism and an optical device, improve a signal frequency that can be used by a recording electronic circuit, and realize a high-speed response performance.
記録装置の消費電力低減や製品価格低減のためには、無条件に高価で高速な半導体材料や高価で高速な最先端の製造プロセスを用いることは最適な方法であるとは云えない。現在最も広汎に用いられている安価な半導体材料や製造プロセスを用いることが必要である。しかし、最も高速な信号が要求される記録用レーザー光駆動用信号生成部における記録時近傍効果補正変調信号生成回路で要求される極めて短い時間間隔の遅延信号列を出力する信号遅延伝送回路を通常の信号伝送素子を縦続接続したもので得ることは難しく、更に記録媒体とレーザー光信号照射記録点との相対速度の変化に対応する様に上記の遅延信号列を発生するには遅延時間可変伝送素子を用いることが不可欠であるが、現在最も広汎に用いられている安価な半導体材料や製造プロセスで作成した遅延時間可変伝送素子では、その最短遅延伝送時間が要求される遅延信号列の時間間隔を超えてしまうことから、遅延時間可変伝送素子を単純に縦続接続したもので上記要求の遅延信号列を得ることは不可能であった。 In order to reduce the power consumption and product price of the recording apparatus, it is not optimal to use an unconditionally expensive and high-speed semiconductor material or an expensive and high-speed state-of-the-art manufacturing process. It is necessary to use inexpensive semiconductor materials and manufacturing processes that are currently most widely used. However, a signal delay transmission circuit that outputs a delayed signal sequence of an extremely short time interval required by a near-recording effect correction modulation signal generation circuit in a recording laser light driving signal generation unit that requires the fastest signal is usually used. It is difficult to obtain with cascaded signal transmission elements, and variable delay time transmission is required to generate the above-mentioned delayed signal sequence so as to correspond to changes in the relative speed between the recording medium and the laser light signal irradiation recording point. It is indispensable to use the element, but in the delay time variable transmission element created by the most widely used inexpensive semiconductor material and manufacturing process, the time interval of the delay signal sequence that requires the shortest delay transmission time Therefore, it is impossible to obtain the required delay signal string by simply cascading delay time variable transmission elements.
通常、この対応策としては、消費電力低減や製品価格低減を犠牲にして、高価で高速な半導体材料や高価で高速な最先端の製造プロセスを用いて作成したより高速な遅延時間可変伝送素子を単純に縦続接続することで、要求される時間間隔の遅延信号列を作ることであった。あるいは、現在最も広汎に用いられている安価な半導体材料や製造プロセスを用いて遅延時間可変伝送素子を作成し単純に縦続接続することで、要求される高速記録をあきらめて消費電力低減や製品価格低減を確保するものであった。
解決しようとする課題は、信号伝送素子あるいは遅延時間可変伝送素子の最短遅延伝送時間より短い時間間隔の遅延信号列を得ることである。 The problem to be solved is to obtain a delay signal sequence having a time interval shorter than the shortest delay transmission time of the signal transmission element or the variable delay time transmission element.
本発明は、遅延時間の異なる複数の信号伝送素子あるいは遅延時間の異なる複数の遅延時間可変伝送素子を用いることが最も主要な特徴である。 The main feature of the present invention is to use a plurality of signal transmission elements having different delay times or a plurality of variable delay time transmission elements having different delay times.
本発明の信号遅延伝送回路は、信号伝送素子や遅延時間可変伝送素子の最短遅延伝送時間より短い時間間隔の遅延信号列を得ることができるので、現在広汎に用いられている半導体材料や製造プロセスを用いることが可能になり、消費電力低減や製品価格低減と同時に要求される高速記録を実現できるという利点がある。 Since the signal delay transmission circuit of the present invention can obtain a delay signal sequence having a time interval shorter than the shortest delay transmission time of the signal transmission element and variable delay time transmission element, semiconductor materials and manufacturing processes that are widely used at present Can be used, and there is an advantage that the required high-speed recording can be realized simultaneously with reduction of power consumption and product price.
消費電力増大や製品価格上昇を招く高価で高速な半導体材料や高価で高速な最先端の製造プロセスを用いること無く、現在広汎に用いられている半導体材料や製造プロセスを用いる場合でも、要求される極めて短い時間間隔の遅延信号列の生成を可能とし、最小の消費電力及び製品価格を実現した。 Even when using widely used semiconductor materials and manufacturing processes without using expensive and high-speed semiconductor materials that lead to increased power consumption and product price, and expensive and high-speed cutting-edge manufacturing processes It was possible to generate a delayed signal sequence with extremely short time intervals, and realized the minimum power consumption and product price.
図2は、本発明装置の実施例であり、請求項3におけるn=1の場合の構成の回路結線図である。1は、第一の信号伝送素子であり,2は第一の信号伝送素子を縦続接続した第一の信号伝送素子列である。
信号やクロックは第一の信号伝送素子列の入力端子3に入力し、第一の信号伝送素子縦続接続点4及び出力端子5から取り出される。
n=1の場合の第一の信号伝送素子の伝送遅延時間は2dであり,
4及び5から2dの整数倍遅延した信号が取り出される。
一方、図2に示す様に、第二の信号伝送素子6が第一の信号伝送素子列2の入力端子3及び、第一の信号伝送素子縦続接続点4に接続される。n=1の場合の第二の信号伝送素子の伝送遅延時間は3dであり, 第二の信号伝送素子の出力端子7から3dの整数倍遅延した信号が取り出される。
図2からも解る様に、図2の実施例では、第一の信号伝送素子1あるいは第二の信号伝送素子6を単独で縦続接続等して構成した信号伝送素子列等で得られる2dあるいは3dの半分あるいは3分の1の時間間隔である第一の信号伝送素子1と第二の信号伝送素子6の伝送遅延時間の差の時間間隔で遅延した信号やクロック信号列を取り出す事ができる。
これにより、図1に示す一種類の信号遅延伝送素子の縦続接続等、従来の方法では実現不可能であった、信号伝送素子の伝送遅延時間限界よりも短時間の極めて短い時間間隔で遅延した信号やクロック信号列を取り出す事が可能になった。
FIG. 2 is an embodiment of the apparatus of the present invention, and is a circuit connection diagram of a configuration in the case of n = 1 in
Signals and clocks are input to the
The transmission delay time of the first signal transmission element when n = 1 is 2d,
A signal delayed by an integer multiple of 2d is extracted from 4 and 5.
On the other hand, as shown in FIG. 2, the second
As can be seen from FIG. 2, in the embodiment of FIG. 2, the signal
As a result, the delay was delayed by an extremely short time interval shorter than the transmission delay time limit of the signal transmission element, which could not be realized by the conventional method, such as cascade connection of one type of signal delay transmission element shown in FIG. Signals and clock signal trains can be extracted.
請求項5に記載される伝送遅延時間を可変する信号伝送素子として用いる伝送遅延時間可変素子の構成接続例を図3に示す。
伝送遅延時間可変素子はCMOSトランジスタ等で製作された反転増幅器(インバーターと呼ぶ)10と11が直列に接続され,それに電源電流を供給する電流源14とインバーターの容量性負荷12及び13によって構成される。
図3では制御端子CTLで最大駆動電流IMAXが可変される電流源14でインバーター10と11に電源電流を供給しているが、2つの独立した電流源により10と11それぞれに電源電流を供給することも同様である。
図3の回路でインバーター10と11、容量性負荷12及び13及び電圧上昇時信号値識別電圧Vrefr等が定まると電流源14の供給出来る最大電源電流IMAX(最大駆動電流と呼ぶ)によりインバーター10と11の出力電圧上昇時間及び電圧上昇時伝送遅延時間Tdrが決定され、それは図3、図4及び数1によって表される。
一方、出力電圧降下時間及び電圧降下時伝送遅延時間Tdfは素子抵抗(Vss側導通時)Rfと容量性負荷12、電源電圧Vdd、電圧降下時信号値識別電圧Vreff等で決定され、それもまた図3、図4及び数2によって表される。
図3、図4では反転増幅器(インバーターと呼ぶ)10と11が直列に接続されて1つの伝送遅延時間可変素子を構成しているため、前段の出力電圧上昇時遅延時間は後段の出力電圧降下時遅延時間と足され1素子の入出力伝送遅延時間Tdは出力電圧上昇時も降下時もTdr+Tdfと対称になる。
FIG. 3 shows a configuration connection example of a transmission delay time variable element used as a signal transmission element for varying the transmission delay time according to
The variable transmission delay time element is composed of an inverting amplifier (called an inverter) 10 and 11 made of a CMOS transistor or the like connected in series, a
In FIG. 3, the power source current is supplied to the
When the
On the other hand, the output voltage drop time and the voltage drop transmission delay time Tdf are determined by the element resistance (Vss side conduction) Rf,
3 and 4, inverting amplifiers (referred to as inverters) 10 and 11 are connected in series to form one transmission delay time variable element, so the delay time when the output voltage rises in the previous stage is the output voltage drop in the subsequent stage. The input / output transmission delay time Td of one element added to the time delay time is symmetrical with Tdr + Tdf when the output voltage rises and falls.
図5は、本発明装置の実施例であり、請求項4におけるn=1の場合の構成の回路結線図である。1は、第一の信号伝送素子であり,2は第一の信号伝送素子を縦続接続した第一の信号伝送素子列である。
信号やクロックは第一の信号伝送素子列の入力端子3に入力し、第一の信号伝送素子縦続接続点4及び出力端子5から取り出される。
n=1の場合の第一の信号伝送素子の伝送遅延時間は3dであり,
4及び5から3dの整数倍遅延した信号が取り出される。
一方、図5に示す様に、第二の信号伝送素子6を縦続接続した第二の信号伝送素子列が第一の信号伝送素子列2の入力端子3及び、第一の信号伝送素子縦続接続点4に接続される。n=1の場合の第二の信号伝送素子の伝送遅延時間は2dであり, 第二の信号伝送素子の出力端子7及び8から3dの整数倍遅延した信号が取り出される。
図5の実施例では、第一の信号伝送素子1あるいは第二の信号伝送素子6を単独で縦続接続等して構成した信号伝送素子列等で得られる2dあるいは3dの半分あるいは3分の1の時間間隔である第一の信号伝送素子1と第二の信号伝送素子6の伝送遅延時間の差の時間間隔で遅延した信号やクロック信号列を取り出す事ができる。
これにより、図1に示す一種類の信号遅延伝送素子の縦続接続等、従来の方法では実現不可能であった、信号伝送素子の伝送遅延時間限界よりも短時間の極めて短い時間間隔で遅延した信号やクロック信号列を取り出す事が可能になった。
FIG. 5 is an embodiment of the device of the present invention, and is a circuit connection diagram of the configuration in the case of n = 1 in
Signals and clocks are input to the
The transmission delay time of the first signal transmission element when n = 1 is 3d,
A signal delayed by an integer multiple of 3d from 4 and 5 is extracted.
On the other hand, as shown in FIG. 5, the second signal transmission element array in which the second
In the embodiment of FIG. 5, 2d or a half or a third of 2d or 3d obtained by a signal transmission element array formed by cascading the first
As a result, the delay was delayed by an extremely short time interval shorter than the transmission delay time limit of the signal transmission element, which could not be realized by the conventional method, such as cascade connection of one type of signal delay transmission element shown in FIG. Signals and clock signal trains can be extracted.
請求項5に記載される伝送遅延時間を可変する信号伝送素子として用いる伝送遅延時間可変素子の構成接続例を図6に示す。
伝送遅延時間可変素子はCMOSトランジスタ等で製作された差動型反転増幅器(差動型インバーターと呼ぶ)10と11が直列に接続され,それに電源電流を供給する電流源14と差動型インバーターの容量性負荷12及び13によって構成される。
図6の回路で差動型インバーター10と11、容量性負荷12及び13及び電圧上昇時信号値識別電圧Vrefr等が定まると電流源14の供給出来る最大電源電流IMAX(最大駆動電流と呼ぶ)により差動型インバーター10と11の出力電圧上昇時間及び電圧上昇時伝送遅延時間Tdrが決定され、それは図6、図7及び数3によって表される。
出力電圧降下時間及び電圧降下時伝送遅延時間Tdfは容量性負荷12、電源電圧Vdd、電圧降下時信号値識別電圧Vreff等が定まると電流源14の供給出来る最大電源電流IMAX(最大駆動電流と呼ぶ)によりで決定され、それもまた図6、図7及び式3によって表される。
ここで、Vdd側の電流源14の最大駆動電流IMAXとVss側の電流源14の最大駆動電流IMAXが等しく、差動型インバーター10と11のVdd側の増幅素子とVss側の増幅素子の増幅率や駆動力が同様であると、対時間電圧上昇特性と対時間電圧降下特性は対称になりVrefrとVreffはほぼ等しくVddとVssの中央電位になるためTdrとTdfは等しく2段差動型インバーターではTd= Tdr+Tdf=
2Tdr= 2Tdfとなる。
(0011)で記載したと同様に、図6で示す伝送遅延時間可変素子を用いた請求項4、請求項5で示す信号遅延伝送回路を構成する事が出来、一種類の伝送遅延時間可変素子を用いた従来の方法では実現不可能であった、伝送遅延時間可変素子の伝送遅延時間限界よりも短時間の極めて短い時間間隔で可変的に遅延した信号やクロック信号列を取り出す事を可能にする。
図6、図7では差動型反転増幅器(差動型インバーターと呼ぶ)10と11を直列に接続して1つの伝送遅延時間可変素子を構成しているが、一段であっても出力電圧上昇時遅延時間と出力電圧降下時遅延時間を対称にすることが出来るため、伝送遅延時間可変素子を一段で構成することも可能である。
更に、電源VddやVssや差動型インバーター入力にノイズが混入して遅延時間に影響を与える事も+側と−側の影響が相殺して消滅する特徴を有するため、ほとんどのノイズの影響を避けることが出来る。
図6で示す伝送遅延時間可変素子を用いた請求項4、請求項5で示す本発明の信号遅延伝送回路は従来の方法図1等では実現不可能であった、伝送遅延時間可変素子の伝送遅延時間限界よりも短時間の極めて短い時間間隔で可変的に遅延した信号やクロック信号列を取り出す事をノイズの影響をほとんど受けずに可能にする。
FIG. 6 shows a configuration connection example of a transmission delay time variable element used as a signal transmission element that varies the transmission delay time according to
The variable transmission delay time element consists of a differential inverting amplifier (called a differential inverter) 10 and 11 made of a CMOS transistor or the like connected in series, and a
When the
The output voltage drop time and the voltage drop transmission delay time Tdf are the maximum power supply current IMAX (referred to as the maximum drive current) that can be supplied by the
Here, the maximum drive current IMAX of the
2Tdr = 2Tdf.
In the same manner as described in (0011), the signal delay transmission circuit shown in
6 and 7, a differential inverting amplifier (referred to as a differential inverter) 10 and 11 is connected in series to form one transmission delay time variable element, but the output voltage rises even in a single stage. Since the time delay time and the output voltage drop delay time can be made symmetric, the transmission delay time variable element can be configured in a single stage.
Furthermore, the influence of the noise on the power supply Vdd, Vss and the differential inverter input, which affects the delay time, has the characteristic that the effects on the + side and-side cancel each other out. Can be avoided.
The signal delay transmission circuit of the present invention shown in
請求項1は請求項3及び請求項4の第一と第二の信号伝送素子の伝送遅延時間を特定の関係に固定せず自由に設定する場合を示している。これにより自由に設定した第一と第二の信号伝送素子の伝送遅延時間の差の時間間隔で遅延した信号列を出力する信号遅延伝送回路を得ることが出来る。
請求項2は請求項1における異なる伝送遅延時間の信号伝送素子の種類を多数にした場合を示している。これにより多数の信号伝送素子の伝送遅延時間の差の時間間隔で遅延した信号列を出力する信号遅延伝送回路を得ることが出来る。
請求項6は図3、図5で例を示している様な素子内部回路あるいは素子における容量性負荷Cの容量値を異ならせることや信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子をIC等に設計し製造する過程で造られ、派生する絶縁性を有する部分と導通性を有する部分や領域に起因する容量性負荷Cの容量値を長さや面積や数や厚さ等で異ならせることによって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。
なお、PN接合を逆バイアスして用いられる可変容量を用いこの面積や数や電圧を異ならせ、その電圧を変化させて伝送遅延時間可変素子に応用する等もこれに含まれる一例である。
An example of this is that a variable capacitor used by reverse biasing the PN junction is used to vary the area, number, and voltage, and change the voltage to apply to a variable transmission delay time element.
請求項7は信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子の素子内部回路あるいは素子の出力に異なる値の抵抗やインダクタンス等のインピーダンス要素を直列に挿入し容量性負荷成分との関係で伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。
これは、信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子をIC等に設計し製造する過程で造られ、派生する異なる値の抵抗やインダクタンス等のインピーダンス要素も含み、長さや面積や数や厚さ等を異ならせることによって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることも含む。
また、容量性負荷成分は信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子をIC等に設計し製造する過程で造られ、派生するや絶縁性を有する部分と導通性を有する部分や領域に起因する容量性負荷も含んでおり、上記インピーダンス要素と同時に長さや面積や数や厚さ等を異ならせることによって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることが出来る。
According to the seventh aspect of the present invention, impedance elements such as resistors and inductances having different values are inserted in series in the element internal circuit of the signal transmission element and the transmission delay time variable element or the output of the element, and the transmission delay time differs depending on the capacitive load component To obtain a plurality of types of signal transmission elements and transmission delay time variable elements.
This is made in the process of designing and manufacturing a signal transmission element and a variable transmission delay time element in an IC etc., and includes derived impedance elements such as different resistances and inductances, and includes length, area, number, thickness, etc. It also includes obtaining a plurality of types of signal transmission elements and transmission delay time variable elements having different transmission delay times by making them different.
Capacitive load components are produced in the process of designing and manufacturing signal transmission elements and variable transmission delay time elements in ICs, etc., and are derived from capacitive parts due to parts that have conductivity and parts that have conductivity. A load is also included, and a plurality of types of signal transmission elements and transmission delay time variable elements having different transmission delay times can be obtained by changing the length, area, number, thickness, and the like simultaneously with the impedance element.
請求項8は信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子の素子内部回路あるいは素子の負荷駆動能力を異ならせることで伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。
これは信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子の素子内部回路あるいは素子の長さや面積や数等を異ならせることによって得ることも出来る。
This can also be obtained by making the element internal circuits of the signal transmission element and the variable transmission delay time element or the length, area, number, etc. of the elements different.
請求項9は、図3、図5で例を示している様な最大駆動電流IMAXが可変可能な電流源14を素子あるいは素子内部回路の電源として用い電流源14の駆動力を長さや面積や数や厚さ等を異ならせることによってあるいは制御端子CTLで異なる値に制御する等ことによって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。
Claim 9 uses the
請求項10は信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子の素子内部回路あるいは素子の入力信号値識別レベルを異ならせることによって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。
請求項11は信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子に付属させた入力信号値識別レベルが異なるレベル比較器やこれと同様の働きをする素子やIC等の領域等によって伝送遅延時間の異なる複数種類の信号伝送素子及び伝送遅延時間可変素子を得ることである。 Claim 11 is a level comparator with different input signal value identification levels attached to the signal transmission element and the transmission delay time variable element, and a plurality of types having different transmission delay times depending on areas such as elements and ICs having the same function The signal transmission element and the transmission delay time variable element are obtained.
請求項12は請求項1から請求項11までの方法で作成あるいは構成した信号遅延伝送回路を用いて「Delay Locked
Loop回路」(以後DLL回路と呼ぶ)を構成することである。
"Loop circuit" (hereinafter referred to as DLL circuit).
請求項12の一つの実施例は図8に示す様に、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の入力端子24に入力したCLOCKと、既定のLoop
Delay分である2nd遅れた伝送遅延出力26をそれぞれ位相比較器21の基準(REF)入力端子29と比較(COMP)入力端子30に入力し、位相比較器21の出力31をチャージポンプ22及び位相補償器23で制御信号32に生成し、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路20の伝送遅延時間可変制御入力端子28に入力してDLL回路を構成している。
ここで、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の最初の伝送遅延出力25は入力端子24の信号であるCLOCKとの、伝送遅延時間が2dであり、要求される時間間隔dを満たしていない。
As shown in FIG. 8, one embodiment of
The
Here, the first
そこで、請求項13は入力信号であるCLOCKに代えて最初の伝送遅延出力25を時間基準信号として用い、本来は2nd遅れた伝送遅延出力26までであった伝送遅延出力を2d延長して(2n+2)d出力27まで生成して用いることにより伝送遅延出力列とする事である。
Therefore, claim 13 uses the first
請求項12のもう一つの実施例は図9に示す様に、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の入力端子24に入力したCLOCKが2d遅延した最初の伝送遅延出力25と、これから更にLoop Delay分遅れた (2n+2)d伝送遅延出力27をそれぞれ位相比較器21の基準(REF)入力端子29と比較(COMP)入力端子30に入力し、位相比較器21の出力31をチャージポンプ22及び位相補償器23で制御信号32に生成し、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路20の伝送遅延時間可変制御入力端子28に入力してDLL回路を構成している。
ここで、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の最初の伝送遅延出力25は入力端子24の信号であるCLOCKとの、伝送遅延時間が2dであり、要求される時間間隔dを満たしていない。
In another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 9, the first
Here, the first
ここで、伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路出力25、26、27等は実施例4と同様であり、請求項13に記述する様に最初の伝送遅延出力25を時間基準信号として用い、2d延長した(2n+2)d出力27までを伝送遅延出力列としている。
Here, the transmission delay time variable signal delay transmission circuit outputs 25, 26, 27 and the like are the same as those in the fourth embodiment, and as described in
請求項14は請求項1から請求項13までの方法で作成した信号遅延伝送回路の遅延信号列を用いる場合に、最初の遅延信号出力が要求される時間間隔よりも遅れてしまうため、遅延信号列のどれか一つの信号を新たな時間基準信号として用いることを余儀なくされた結果、信号遅延伝送回路の遅延信号列と組み合わせて使用する信号を、何らかの方法で、元の時間基準信号あるいは時間基準クロックに対する新たな時間基準信号の遅れ時間と同じ時間遅らせる事である。
Since the delay signal sequence of the signal delay transmission circuit created by the method of
請求項15は請求項14を実現する方法の一つである。 元の時間基準信号あるいは時間基準クロックを、遅延信号列の新たな時間基準信号を生成した伝送素子やその回路あるいは伝送遅延時間可変素子やその回路と同じものを同じ条件で用いて新たな時間基準信号と同じく遅延させ、それをD型フリップフロップ(以後DFFと呼ぶ)等で構成したレジシターのクロックとして与え、このレジシターで遅延信号列と組み合わせて使用する信号を新たな時間基準信号と同じく遅延させる事を意味している。
請求項15の一実施例として、図10に示すLaser
Driver駆動信号生成回路への応用例を説明する。
PCKはシステムの時間基準クロック46であり、光記録装置の記録速度によりその周波数は変化する。
DLL36はPCK 周期の時間遅れをDLLループの伝送遅延時間可変素子列に与え、PCKの変化に対応した時間間隔の遅延信号列50を生成する。
Write DATA 51は記録される信号の元のDATAであるが、記録時にレーザー光が記録媒体に与えるエネルギーによって発生する影響を改善するためEncoder符号器41及びRegister41及びDecoder復号器42により生成した信号54とDLL36によって生成した遅延信号列50をMatrix37を用いて出力レベルや出力時間を補正したレーザードライバー(Laser Driver)駆動信号58に整形し、Laser Driver38に加え、レーザー39の光信号の出力レベルや発光時間を補正する。
遅延信号列50は信号生成の都合からPCKシステムの時間基準クロック46を分周器35で2分周したCLOCK47をDLL36に入力して生成した時間基準クロック46の1/2の周波数のクロックである。それを遅延させた信号列の内の新たな時間基準も時間基準クロック46の1/2の周波数のクロックである。
このためこの新たな時間基準信号48をDecoder復号器出力54の遅延クロックとして用いることは出来ない。
そこで、新たな時間基準信号48を生成した信号遅延時間可変伝送回路と同じ回路44とCTL伝送遅延時間可変制御信号49を用いてPCK46を新たな時間基準信号48と同時間遅らせ、DFF等によって構成されたレジスター43のクロック56として用いることでDecoder出力54を新たな時間基準信号48と同時間遅らせた信号55を生成する。
この信号55とDLLの出力信号である遅延信号列50をMatrix 37で整形し、レーザードライバー(Laser Driver)駆動信号58を生成する。
分周器35が負のクロック入力となっているのは、新たな時間基準信号48及びクロック56のタイミングが、システムの時間基準クロック46を用いて生成した復号器42の信号54とタイミング競合してDFF等によって構成されたレジスター43が誤動作することを1/2クロックずらして防止するためである。
As an embodiment of
An application example to the Driver drive signal generation circuit will be described.
PCK is a
The
Write
The
Therefore, this new
Therefore, PCK46 is delayed by the same time as the new
The
The
請求項16は請求項14を実現する方法の一つである。 遅延信号列の新たな時間基準信号と遅延信号列の内の別の信号をEXOR等の組み合わせ論理回路で整形し、元の時間基準クロックが新たな時間基準信号と同時間遅れたものと等価な信号にする、それをD型フリップフロップ等で構成したレジスターのクロックとして与え、このレジスターで遅延信号列と組み合わせて使用する信号を新たな時間基準信号と同じ時間遅延させる事である。
請求項16の一実施例として、図11に示すLaser
Driver駆動信号生成回路への応用例を説明する。
PCKはシステムの時間基準クロック46であり、光記録装置の記録速度によりその周波数は変化する。
DLL36はPCK 周期の時間遅れをDLLループの伝送遅延時間可変素子列に与え、PCKの変化に対応した時間間隔の遅延信号列50を生成する。
Write DATA 51は記録される信号の元のDATAであるが、記録時にレーザー光が記録媒体に与えるエネルギーによって発生する影響を改善するためEncoder符号器41及びRegister41及びDecoder復号器42により生成した信号54とDLL36によって生成した遅延信号列50をMatrix37を用いて出力レベルや出力時間を補正したレーザードライバー(Laser Driver)駆動信号58に整形し、Laser Driver38に加え、レーザー39の光信号の出力レベルや発光時間を補正する。
遅延信号列50は信号生成の都合からPCKシステムの時間基準クロック46を分周器35で2分周したCLOCK47をDLL36に入力して生成した時間基準クロック46の1/2の周波数のクロックである。それを遅延させた信号列の内の新たな時間基準信号も時間基準クロック46の1/2の周波数の信号である。
このためこの新たな時間基準信号48をDecoder復号器出力54の遅延クロックとして用いることは出来ない。
そこで、新たな時間基準信号48と遅延信号列の内の別の信号49をEXOR等の組み合わせ論理回路45で整形し、元の時間基準クロック46が新たな時間基準信号48と同時間遅れたものと等価なクロック信号にする。
上記クロック信号57をDFF等によって構成されたレジスター43のクロックとして与え、このDFF等によって構成されたレジスター43で遅延信号列と組み合わせて使用する信号55を新たな時間基準信号48と同じ時間遅延させる。
遅延した信号55とDLLの出力信号である遅延信号列50をMatrix37を用いて整形し、レーザードライバー(Laser Driver)駆動信号58を生成する。
分周器35が負のクロック入力となっているのは、新たな時間基準信号48及び48と同時間遅れたPCKと等価なクロック信号57のタイミングが、システムの時間基準クロック46を用いて生成した復号器42の信号54とタイミング競合してDFF等によって構成されたレジスター43が誤動作することを1/2クロックずらして防止するためである。
図12はEXORと等価な組み合わせ論理回路の例である。
図13はPCK46、CLOCK47、新たな時間基準信号48、遅延信号列の内の別の信号49、48と同時間遅れたPCKと等価なクロック信号57のタイミング図である。
As an embodiment of
An application example to the Driver drive signal generation circuit will be described.
PCK is a
The
Write
The
Therefore, this new
Therefore, the new
The
The delayed
The
FIG. 12 shows an example of a combinational logic circuit equivalent to EXOR.
FIG. 13 is a timing chart of
高速な光記録装置への応用のみならず、高速な半導体メモリー制御回路や高速な信号波形発生装置等、広汎な用途に応用可能である。 It can be applied not only to high-speed optical recording devices but also to a wide range of applications such as high-speed semiconductor memory control circuits and high-speed signal waveform generators.
1 第一の信号伝送素子
2 信号伝送素子縦続接続点
3 第一の信号伝送素子列
4 信号遅延伝送回路の入力
5 信号遅延伝送回路の出力
6 第二の信号伝送素子入力
7 第二の信号伝送素子出力
8 ― 欠番
9 ― 欠番
10 伝送遅延時間可変素子を構成する前段の反転増幅器(インバーター)
11 伝送遅延時間可変素子を構成する後段の反転増幅器(インバーター)
12 伝送遅延時間可変素子を構成する前段の容量性負荷 C
13 伝送遅延時間可変素子を構成する後段の容量性負荷 C
14 最大駆動電流可変電流源(IMAX)
15 伝送遅延時間可変素子信号入力(IN)
16 伝送遅延時間可変素子信号出力(OUT)
17 最大駆動電流可変制御入力(CTL)
18 ― 欠番
19 ― 欠番
20 伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路
21 位相比較器(PHC)
22 チャージポンプ(CP)
23 フィルター(LPF)
24 伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路信号入力
25 伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の最初の遅延信号出力(時間基準信号)
26 伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の2nd遅延信号出力
27 伝送遅延時間可変信号遅延伝送回路の(2n+2)d遅延信号出力
28 伝送遅延時間可変制御入力
29 位相比較器(PHC)基準信号入力(REF)
30 位相比較器(PHC)比較信号入力(COMP)
31 位相比較器(PHC)出力
32 伝送遅延時間可変制御信号
33 ― 欠番
34 ― 欠番
35 分周器
36 Delay Locked Loop回路(DLL)
37 レーザードライバー(Laser Driver)駆動信号生成マトリックス回路(Matrix)
38 レーザードライバー(Laser Driver)
39 レーザー
40 符号器(Encoder)
41 レジスター(Register)
42 復号器(Decoder)
43 D型フリップフロップ(DFF)等によって構成されたレジスター
44 新たな時間基準信号48を生成した信号遅延時間可変伝送回路と同じ回路
45 EXOR等の組み合わせ論理回路
46 システムの時間基準クロック(PCK)
47 システムの時間基準クロック(PCK)を2分周した信号(CLOCK)
48 PCKの変化に対応した時間間隔dの遅延CLOCK信号列中の遅延時間2dの新たな時間基準信号
49 PCKの変化に対応した時間間隔dの遅延CLOCK信号列中の遅延時間n+1dの信号
50 PCKの変化に対応した時間間隔dの遅延CLOCK信号列
51 記録される信号の元のDATA (Write DATA)
52 符号器 (Encoder) 出力
53 レジスター(Register)出力
54 復号器(Decoder) 出力信号
55 DFF等によって構成されたレジスターの出力
56 PCKを新たな時間基準信号と同じ時間遅らせた信号(DFF等によって構成されたレジスターのクロック)
57 新たな時間基準信号48と同時間遅れたPCK46と等価なクロック信号(DFF等によって構成されたレジスターのクロック)
58 レーザードライバー(Laser Driver)駆動信号
59 レーザードライバー(Laser Driver)出力信号
DESCRIPTION OF
11 Inverting amplifier (inverter) in the latter stage that constitutes a variable transmission delay time element
12 Capacitive load of the previous stage constituting variable transmission delay time element C
13 Capacitive load of the latter stage constituting the variable transmission delay time element C
14 Maximum drive current variable current source (IMAX)
15 Transmission delay time variable element signal input (IN)
16 Transmission delay time variable element signal output (OUT)
17 Maximum drive current variable control input (CTL)
18-No. 19-No. 20 Transmission delay time variable signal
22 Charge pump (CP)
23 Filter (LPF)
24 Transmission Delay Time Variable Signal Delay Transmission
26 Transmission Delay Time Variable Signal Delay Transmission Circuit 2nd
30 Phase comparator (PHC) comparison signal input (COMP)
31 Phase comparator (PHC)
37 Laser Driver Drive Signal Generation Matrix Circuit (Matrix)
38 Laser Driver
39
41 Register
42 Decoder
43 Register composed of D-type flip-flop (DFF), etc. 44 Same circuit as variable signal delay time transmission circuit that generates new
47 System time base clock (PCK) divided by 2 (CLOCK)
48 A new time reference signal with a
52
57 Clock signal equivalent to PCK46 delayed by the same time as the new time reference signal 48 (register clock composed of DFF, etc.)
58 Laser
Claims (16)
このクロックを、D型フリップフロップ等で構成したレジスターにクロックとして与える事及び、そのクロックを利用した回路及び装置。
これにより、遅延信号列出力を利用する回路や装置の信号に遅延信号列の時間的な基準信号と同様な時間遅れを加える事及び、それを利用した回路及び装置。 Using the same signal transmission element, transmission delay time variable element, circuit and transmission delay time variable control signal as the signal delay transmission circuit used for generating the temporal reference signal of the delay signal string that is the signal delay transmission circuit output signal, To generate a signal or clock obtained by delaying the original temporal reference signal or reference clock of the device using the delayed signal train output of the signal delay transmission circuit in the same manner as the temporal reference signal of the delayed signal train.
Giving this clock as a clock to a register composed of a D-type flip-flop and the like and a circuit and a device using the clock.
Thus, a time delay similar to the temporal reference signal of the delay signal sequence is added to the signal of the circuit or device using the delay signal sequence output, and the circuit and device using the same.
このクロックを、D型フリップフロップ等で構成したレジスターにクロックとして与える事及び、そのクロックを利用した回路及び装置。
これにより、遅延信号列出力を利用する回路や装置の信号に遅延信号列の時間的な基準信号と同様な時間遅れを加える事及び、それを利用した回路及び装置。 Any one of the time reference signal of the delay signal train that is the signal delay transmission circuit output signal and the other signal delay transmission circuit output signal, for example, using a combinational logic circuit such as exclusive OR (EXOR) And generating a clock in which the rising edge and the falling edge of the temporal reference signal of the delay signal sequence are edges in the same direction. The combinational logic circuit or the like is not specified.
Giving this clock as a clock to a register composed of a D-type flip-flop and the like and a circuit and a device using the clock.
Thus, a time delay similar to the temporal reference signal of the delay signal sequence is added to the signal of the circuit or device using the delay signal sequence output, and the circuit and device using the same.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023042455A1 (en) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Dll circuit and light-emitting device |
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2005
- 2005-06-13 JP JP2005171766A patent/JP2006352184A/en active Pending
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