JP2006346961A - 樹脂膜の形成方法及び光半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に凹凸を有する基板の凸部の上面に、所定の形状及び膜厚を有する樹脂膜を容易に形成する方法を実現できるようにする。
【解決手段】樹脂膜の形成工程は、上面に取り付け面２７を有する光学素子２を基板３０の上に形成する工程と、樹脂膜形成基板４０の上に犠牲膜４２及び樹脂膜４３を順次形成した後、形成した樹脂膜４３をパターニングする工程とを備えている。基板３０と樹脂膜形成基板４０とを貼り合わせることにより、パターニングした樹脂膜４３を光学素子２の取り付け面２７に貼り合わせた後、犠牲膜４２を除去することにより樹脂膜形成基板４０を樹脂膜４３から剥離する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板上に設けられた凸部に樹脂膜を形成する方法及び光半導体装置の製造方法に関する。

従来、基板上に均一な厚さの樹脂膜を形成する方法として、スピンコート法及びスプレーコート法等が知られている。

スピンコート法は、例えば、シリコン等の基板の上に溶媒に溶解させた樹脂材料を塗布した後、基板を搭載したステージを回転させることにより、基板上の余分な樹脂材料を遠心力を用いて除去することにより、均一な厚さの樹脂膜を基板の上に形成する（例えば、特許文献１を参照。）。

スプレーコート法は、可動式のステージに搭載された基板に、溶媒に溶かした樹脂材料をスプレーノズルを用いてミスト状にして吐出することにより、均一な厚さの樹脂膜を基板の上に形成する（例えば、特許文献２を参照。）。
特開２００３―１２６７５７号公報 特開平０８―３０６６１４号公報

しかしながら、従来の樹脂膜の形成方法には以下のような問題がある。例えば、スピンコート法においては、遠心力により樹脂材料を基板の上に広げ、余分な樹脂を基板の端部から脱離させることにより基板の上に均一な樹脂膜の形成を行っている。このため、平坦な基板においては比較的容易に均一な厚さの樹脂膜を形成することができるが、基板に凹凸が設けられている場合には、凹凸部において樹脂の移動が乱れるため、凹凸形状を反映した膜厚斑が発生し、膜厚が不均一となるという問題がある。

また、凹凸の段差が例えば１００μｍを超える場合には、凸部の上面に均一な膜厚の樹脂膜を形成することが困難になる。このようにして形成された樹脂膜をフォトリソグラフ工程等により、任意形状にパターニングする場合には、形状精度に優れた樹脂膜の形成が困難であるという問題がある。

一方、スプレーコート法においては、スプレーノズルからミスト状にして樹脂材料を吐出するため、基板が凹凸を有する場合にも樹脂材料を比較的均一に成膜することが可能である。しかし、スプレーノズルからミスト状にして樹脂材料を吐出する必要があるため、利用できる樹脂材料に制限がある。また、ミスト状の樹脂材料から樹脂膜を形成するため、厚い樹脂膜を形成することが困難であるという問題がある。

さらに、いずれの方法においても、製膜した樹脂膜をフォトリソグラフ工程等を用いてパターニングする際に、基板上に樹脂膜の残渣が残存する場合がある。この場合には、ドライエッチング等により基板表面から残渣を除去する必要がある。しかし、基板上に半導体素子や光学素子が形成されている場合には、形成されている素子等にドライエッチングによるダメージが生じる恐れがある。これを避けるためには、基板に保護膜等を設ける必要があり、工程が複雑になるという問題がある。

特に、光半導体装置を製造する際には、基板の上に凸部である反射ミラー等の光学素子を形成した後、凸部の上面に所定の形状の樹脂膜を形成する必要がある。しかし、従来のスピンコート法及びスプレーコート法においては、凸部の上面に均一な樹脂膜を形成することは困難であり、光半導体装置の製造方法は複雑な工程となるという問題もある。

本発明は前記従来の問題を解決し、表面に凹凸を有する基板の凸部の上面に、所定の形状及び膜厚を有する樹脂膜を容易に形成する方法を実現できるようにすることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は樹脂膜の形成方法を、凸部が形成された第１の基板と樹脂膜が形成された第２の基板とを貼り合わせる構成とする。

具体的に本発明に係る樹脂膜の成膜方法は、凸部を有する第１の基板を準備する工程（ａ）と、第２の基板の上に犠牲膜及び樹脂膜を順次形成した後、形成した樹脂膜をパターニングする工程（ｂ）と、第１の基板の凸部の上に樹脂膜を貼り合わせる工程（ｃ）と、工程（ｃ）よりも後に、犠牲膜を除去することにより第２の基板を樹脂膜から剥離する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする。

本発明の樹脂膜の成膜方法によれば、第２の基板の上に犠牲膜及び樹脂膜を順次形成した後、凸部の上に樹脂膜を貼り合わせるため、第１の基板の上に樹脂膜を直接形成する必要が無い。従って、凹凸を有する第１の基板の凸部の上に均一な厚さの樹脂膜を形成することができる。また、凸部の上に形成する樹脂膜の種類、形状及び膜厚を自由に設定することが可能である。

本発明の樹脂膜の成膜方法は、工程（ｂ）よりも後に、犠牲膜の上に残留した樹脂膜の残渣を除去する工程をさらに備えていることが好ましい。このような構成とすることにより、樹脂膜の外形精度を高めることが可能である。また、樹脂膜は第２の基板の上に形成されているため、残渣を除去するためにドライエッチングを用いた場合にも、素子等が形成された第１の基板にダメージを与える恐れは無い。

本発明の樹脂膜の成膜方法において、樹脂膜はベンゾシクロブテン樹脂からなることが好ましい。このような構成とすることにより、接合性に優れた樹脂膜を容易に形成することができる。

本発明の樹脂膜の成膜方法において、犠牲膜はポリメチルグルタルイミド樹脂からなることが好ましい。この場合、工程（ｄ）において、犠牲膜は、レジスト剥離液又は有機溶媒を含む溶液を用いてエッチングして除去することが好ましい。このような構成とすることにより、容易に高温耐性のある犠牲膜を形成することができ且つ犠牲膜を容易に除去できる。

本発明の樹脂膜の成膜方法において、犠牲膜はゲルマニウムからなることが好ましい。この場合、工程（ｄ）において、犠牲膜は、過酸化水素水を含む溶液を用いてエッチングして除去することが好ましい。このような構成であっても、容易に高温耐性のある犠牲膜を形成することができ且つ犠牲膜を容易に除去できる。

本発明の樹脂膜の成膜方法において、工程（ａ）において、第１の基板の上の凸部は、光を反射する光学反射膜を有する光学素子であり、工程（ｃ）において、光学素子の上面に第２の基板の樹脂膜を貼り合わせることが好ましい。このような構成とすることにより、光ピックアップ等の光半導体装置に容易に組み込むことが可能な光学素子を得ることができる。

本発明に係る光半導体装置の製造方法は、第１の基板の上に、それぞれが光を反射する光学反射膜を有する複数の光学素子を形成する工程（ａ）と、第２の基板の上に犠牲膜及び樹脂膜を順次形成した後、形成した樹脂膜をパターニングする工程（ｂ）と、第１の基板の各光学素子の上面に樹脂膜を貼り合わせる工程（ｃ）と、工程（ｃ）よりも後に、犠牲膜を除去することにより第２の基板を樹脂膜から剥離する工程（ｄ）と、光半導体素子を搭載した第３の基板を準備する工程（ｅ）と、各光学素子を第３の基板に樹脂膜を介在させて固着する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする。

本発明の光半導体装置の製造方法によれば、各光学素子の上面に樹脂膜を貼り合わせる工程と、各光学素子を第３の基板に樹脂膜を介在させて固着する工程とを備えているため、均一な膜厚の樹脂膜を光学素子の上面に容易に形成することができ、樹脂膜を用いて光学素子を光半導体素子を搭載した第３の基板に容易に固着することができるので、光半導体装置の製造方法を簡略化することが可能である。

本発明の光半導体装置の製造方法は、工程（ｂ）よりも後に、犠牲膜の上に残留した樹脂膜の残渣を除去する工程をさらに備えていることが好ましい。このような構成とすることにより、前記光学素子上に形状精度に優れた樹脂膜を形成することができ、光半導体装置の製造精度が向上する。

本発明の樹脂膜の製造方法によれば、表面に凹凸を有する基板の凸部の上面に、所定の形状及び膜厚を有する樹脂膜を容易に形成する方法を実現できる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る樹脂膜の形成方法及び光半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。

図１は第１の実施形態に係る樹脂膜の形成方法及び光半導体装置の製造方法によって製造される光半導体装置の断面構造を示している。図１に示すように本実施形態の光半導体装置は、半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１から射出されたレーザ光を反射する光学素子２と、光学素子２において反射されたレーザ光が透過する回折格子３とを備えている。半導体レーザ素子１及び光学素子２は、回折格子３が設けられた透明基板５に固着されており、光学素子２は、光学素子２の上面である取り付け面２７に形成された樹脂膜４３を介在させて透明基板５に固着されている。

図２〜図４は第１の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示している。

まず、図２は基板の上に凸部として光学素子２を形成する工程を順に示している。図２（ａ）に示すように、シリコンからなる第１の素子形成基板２０を１２００℃程度の温度で酸化することにより、第１の素子形成基板２０の素子形成面（上面）２１及び素子形成面２１と逆の面（裏面）２２にそれぞれ厚さが１μｍの熱酸化膜２３及び熱酸化膜２４を形成する。本実施形態において第１の素子形成基板２０は、厚さが３００μｍで直径が４インチのシリコン基板であり、第１の素子形成基板２０の素子形成面２１における面方位は（１００）面から［１１１］方向に約９．７°傾斜している。

次に、図２（ｂ）に示すように第１の素子形成基板２０の裏面２２の上に形成された熱酸化膜２４の上に、チタン、ゲルマニウム及びチタンが順次積層された厚さが４００ｎｍの犠牲膜２５を電子ビーム蒸着法により形成する。続いて、犠牲膜２５の上にスピンコート法を用いて厚さが５μｍのベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂からなる接合膜２６を形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように厚さが５００μｍで直径が４インチのガラスからなる第２の素子形成基板３０を準備し、接合膜２６を介在させて第１の素子形成基板２０と第２の素子形成基板３０とを貼り合わせる。貼り合わせは、第１の素子形成基板２０と第２の素子形成基板３０とを密着させた後、加圧した状態で加熱することにより行う。

次に、図２（ｄ）に示すように熱酸化膜２３を光学素子２の取り付け面２７となる部分を除いて選択的に除去する。熱酸化膜２３の除去は、フォトリソグラフィー等を用いてパターニングしたレジストで熱酸化膜２３を覆った後、フッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすればよい。

次に、図２（ｅ）に示すように第１の素子形成基板２０を、熱酸化膜２３をエッチングマスクとして、濃度が２０質量％の水酸化カリウム溶液を用いて７０℃の温度で異方性エッチングする。これにより、斜面２８及び取り付け面２７を有する光学素子２を形成する。続いて熱酸化膜２３と熱酸化膜２４の露出部分とをフッ酸系のエッチング液を用いて除去する。

次に、図２（ｆ）に示すように開口部を有する遮蔽マスク８０を第２の基板の上に形成した後、スパッタ蒸着法等を用いて、斜面２８に反射膜８１を形成する。反射膜８１には、半導体レーザ素子１が射出するレーザ光の波長に応じて反射率の高い材料を選択すればよい。例えば、半導体レーザ素子１が波長６６０ｎｍの赤色のレーザ光を射出する場合には、下地膜としてシリコン酸化膜を形成した後、厚さが５０ｎｍのチタン膜と、厚さが２００ｎｍの金膜を順次形成すればよい。

以上のようにして、凸部として光学素子２が形成された第２の素子形成基板３０を得ることができる。なお、図面の簡略化のため光学素子２は一部のみしか図示していない。

図３は、第２の素子形成基板３０の上に形成された凸部である光学素子２の取り付け面２７に樹脂膜４３を形成する工程について順に示している。

まず、図３（ａ）に示すように厚さが５００μｍで直径が４インチのガラスからなる樹脂膜形成基板４０の主面（上面）４１の上に、スピンコート法等を用いて厚さが２μｍのポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）樹脂からなる犠牲膜４２を形成する。続いて、犠牲膜４２の上に厚さが７μｍのＢＣＢ樹脂からなる樹脂膜４３を形成した後、フォトリソグラフィーによる露光及び現像工程を行い樹脂膜４３を所定の形状にパターニングする。現像工程において生じた残渣は、プラズマエッチングにより除去する。残渣を除去することにより樹脂膜の外形精度が向上する。

次に、図３（ｂ）に示すように、第２の素子形成基板３０の上に形成された光学素子２の上面である取り付け面２７と、樹脂膜形成基板４０の上に形成され、パターニングされた樹脂膜４３とを正確にアライメントして重ね合わせる。続いて、加圧状態で加熱処理することにより第２の素子形成基板３０と樹脂膜形成基板４０とを貼り合わせる。

次に、図３（ｃ）に示すようにレジスト剥離液又はアセトン又はイソプロピルアルコール等の有機溶媒を含む溶液等を用いてＰＭＧＩ樹脂からなる犠牲膜４２をエッチングして除去することにより、樹脂膜形成基板４０を剥離する。これにより、第２の素子形成基板３０の上に形成された凸部である反射膜８１を有する光学素子２の取り付け面２７に樹脂膜４３が形成される。

図４は、光学素子２の上面である取り付け面２７に形成された樹脂膜４３を用いて、光学素子２を透明基板５に固着する工程を順に示している。

図４（ａ）に示すように厚さが３００μｍで直径が４インチのガラスからなる透明基板５に、ドライエッチング等を用いて回折格子３を形成した後、透明基板５の主面（上面）５１の上にフォトリソグラフ工程及びめっき工程を用いて所定の形状のヒートシンク５３及び半導体レーザ素子１を搭載する台座５２を形成する。

次に、図４（ｂ）に示すように樹脂膜４３が形成された光学素子２を透明基板５の所定の位置にアライメントして重ね合わせた後、加圧状態で加熱処理を行うことにより、光学素子２を透明基板５に樹脂膜４３を介在させて固着する。

次に、図４（ｃ）に示すように過酸化水素水を含む溶液等を用いて、犠牲膜２５を除去して、第２の素子形成基板３０と光学素子２とを分離する。本実施形態においては、犠牲層２５の除去に５０℃に加熱した過酸化水素水を３０％含む水溶液を用いたが、過酸化水素水の濃度及び温度は適宜変更してかまわない。

次に、図４（ｄ）に示すようにダイシングソー７０を用いてダイシングを行い、直径が４インチの透明基板５から、光半導体装置をそれぞれ切り出す。

次に、図４（ｅ）に示すように、半導体レーザ素子１を台座５３に加圧状態で加熱処理を行うことにより固着する。この後、ワイヤ配線を行いパッケージに封止することにより光半導体装置が得られる。

以上説明したように、本実施形態の樹脂膜の形成方法によれば、素子形成基板の上に形成された光学素子の上面に所定の膜厚と形状とを有する樹脂膜を容易に形成することができる。これにより、光学素子を光半導体装置に容易に組み込むことが可能となる。また、樹脂膜は、光学素子が形成された基板とは異なる樹脂膜形成基板の上に形成するため、樹脂膜をパターニングする際に生じた残差の除去にプラズマエッチングを用いても、光学素子にダメージを与えることはない。

（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図５及び図６は第２の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示している。図５及び６において図１〜４と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。

まず、図５（ａ）に示すように厚さが５００μｍで直径が４インチのシリコンからなる素子形成基板６０の素子形成面６１及び裏面６２にそれぞれ厚さが０．５μｍの熱酸化膜２３及び熱酸化膜２４を形成する。本実施形態において素子形成基板６０は、厚さが３００μｍで直径が４インチのシリコン基板であり、素子形成基板６０の素子形成面６１における面方位は（１００）面から晶帯軸の［１１１］方向に約９．７°傾斜している。

続いて、素子形成基板６０の素子形成面６１の上に形成された熱酸化膜２３の一部をフォトリソグラフィー等を用いてパターニングしたレジストで覆い、フッ酸系のエッチング液によりエッチングする。この際に、素子形成基板６０の面方位の傾き方向に垂直な方向である［０１−１］方向に一辺を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンを用いて熱酸化膜２３をパターニングする。ここで、晶帯軸の指数の“−”符号は該符号に続く一指数の反転を表す。

次に、図５（ｂ）に示すように７０℃の温度にて濃度が２０質量％の水酸化カリウム溶液を用いて、素子形成基板６０を深さ４００μｍまで異方性エッチングし、取り付け面２７及び斜面２８を有する光学素子２を形成する。その後、不要となった熱酸化膜２３及び熱酸化膜２４をフッ酸系のエッチング溶液等を用いて除去する。

次に、図５（ｃ）に示すように開口部を形成した金属板等の遮蔽マスクを用いて、斜面２８に反射膜８１を形成する。

次に、第１の実施形態と同様にして、厚さが５００μｍで直径が４インチのガラスからなる樹脂膜形成基板４０の主面（上面）４１の上に、電子ビーム蒸着法等により厚さが２μｍのゲルマニウムからなる犠牲膜４２を形成する。続いて、スピンコート法等により、厚さが７μｍのＢＣＢ樹脂からなる樹脂膜４３を形成し、フォトリソグラフィーによる露光及び現像工程により樹脂膜４３を所定の形状にパターニングする。

次に、図５（ｄ）に示すように、素子形成基板６０の上に形成された光学素子２の上面である取り付け面２７と、樹脂膜形成基板４０の上に形成され、パターニングされた樹脂膜４３とを正確にアライメントして重ね合わせる。続いて、加圧状態で加熱処理することにより素子形成基板６０と樹脂膜形成基板４０とを貼り合わせる。

次に、図５（ｅ）に示すように５０℃に加熱した過酸化水素水を３０％含む水溶液を用いて犠牲膜４２をエッチングして除去することにより、樹脂膜形成基板４０を剥離する。これにより、素子形成基板６０の上に形成された凸部である反射膜８１を有する光学素子２の上面に樹脂膜４３が形成される。

次に、図６（ａ）に示すように厚さが３００μｍで直径が４インチのガラスからなる透明基板５に、ドライエッチング等を用いて回折格子３を形成した後、透明基板５の主面（上面）５１の上にフォトリソグラフ工程及びめっき工程を用いて所定の形状のヒートシンク５３及び半導体レーザ素子１を搭載する台座５２を形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように樹脂膜４３が形成された光学素子２を透明基板５の所定の位置にアライメントして重ね合わせた後、加圧状態で加熱処理を行うことにより、光学素子２を透明基板５に樹脂膜４３を介在させして固着する。

次に、図６（ｃ）に示すように素子形成基板６０の裏面６２側から、ドライエッチング技術を用いて素子形成基板６０を１００μｍの厚さだけ除去する。この後は、第１の実施形態と同様の方法により、各素子に分割し、半導体レーザ素子１を台座５３の上に固着した後、パッケージに封止して光半導体装置を得る。

なお、第１及び第２の実施形態において、基板上に形成する凸部を光学素子としたが、基板凸部をＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイス用のパッケージ外枠として利用することもできる。例えば、ダイアフラム構造を形成した基板を筐体によりパッケージする際に、ダイアフラムを保護する筐体基板に凸部を設け、設けた凸部の上に樹脂膜を形成することにより、ダイアフラム形成基板と筐体基板とを容易に固着することが可能となりパッケージ化できる。

また、形成した樹脂膜を接合膜として用いる例を示したが、基板凸部上に微細構造を作製するためのエッチングマスクに用いる樹脂膜についても同様に形成することができる。

本発明の樹脂膜の形成方法は、表面に凹凸を有する基板の凸部の上面に、所定の形状及び膜厚を有する樹脂膜を容易に形成する方法を実現できるという効果を有し、樹脂膜の形成方法等として有用である。また、凸部に均一な樹脂膜を形成する必要がある光半導体装置の製造方法等にも適用できる。

本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る樹脂膜の製造方法及び光半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。

符号の説明

１ 半導体レーザ素子
２ 光学素子
３ 回折格子
５ 透明基板
２０ 第１の素子形成基板
２１ 第１の素子形成基板の素子形成面（上面）
２２ 第１の素子形成基板の裏面
２３ 熱酸化膜
２４ 熱酸化膜
２５ 犠牲膜
２６ 接合膜
２７ 取り付け面
２８ 斜面
３０ 第２の素子形成基板
４０ 樹脂膜形成基板
４１ 樹脂膜形成基板の主面（上面）
４２ 犠牲膜
４３ 樹脂膜
５１ 透明基板の主面（上面）
５２ 台座
５３ ヒートシンク
６０ 素子形成基板
６１ 素子形成基板の素子形成面（上面）
６２ 素子形成基板の裏面
７０ ダイシングソー
８０ 遮蔽マスク
８１ 反射膜

Claims (10)

1. 凸部を有する第１の基板を準備する工程（ａ）と、
   第２の基板の上に犠牲膜及び樹脂膜を順次形成した後、形成した樹脂膜をパターニングする工程（ｂ）と、
   前記第１の基板の前記凸部の上に前記樹脂膜を貼り合わせる工程（ｃ）と、
   前記工程（ｃ）よりも後に、前記犠牲膜を除去することにより前記第２の基板を前記樹脂膜から剥離する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする樹脂膜の形成方法。
2. 前記工程（ｂ）よりも後に、前記犠牲膜の上に残留した前記樹脂膜の残渣を除去する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂膜の形成方法。
3. 前記樹脂膜は、ベンゾシクロブテン樹脂からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂膜の形成方法。
4. 前記犠牲膜は、ポリメチルグルタルイミド樹脂からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の樹脂膜の形成方法。
5. 前記工程（ｄ）において、前記犠牲膜は、レジスト剥離液又は有機溶媒を含む溶液を用いてエッチングして除去することを特徴とする請求項４に記載の樹脂膜の形成方法。
6. 前記犠牲膜は、ゲルマニウムからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の樹脂膜の形成方法。
7. 前記工程（ｄ）において、前記犠牲膜は、過酸化水素水を含む溶液を用いてエッチングして除去することを特徴とする請求項６に記載の樹脂膜の形成方法。
8. 前記工程（ａ）において、前記第１の基板の上の前記凸部は、光を反射する光学反射膜を有する複数の光学素子であり、
   前記工程（ｃ）において、前記光学素子の上面に前記第２の基板の前記樹脂膜を貼り合わせることを特徴とする特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の樹脂膜の形成方法。
9. 第１の基板の上に、それぞれが光を反射する光学反射膜を有する複数の光学素子を形成する工程（ａ）と、
   第２の基板の上に犠牲膜及び樹脂膜を順次形成した後、形成した樹脂膜をパターニングする工程（ｂ）と、
   前記第１の基板の前記各光学素子の上面に前記樹脂膜を貼り合わせる工程（ｃ）と、
   前記工程（ｃ）よりも後に、前記犠牲膜を除去することにより前記第２の基板を前記樹脂膜から剥離する工程（ｄ）と、
   光半導体素子を搭載した第３の基板を準備する工程（ｅ）と、
   前記各光学素子を前記第３の基板に前記樹脂膜を介在させて固着する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
10. 前記工程（ｂ）よりも後に、前記犠牲膜の上に残留した前記樹脂膜の残渣を除去する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項９に記載の光半導体装置の製造方法。
    

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