JP2006334238A - Mri装置用送受信素子、mri装置用送受信素子アレイ及び内視鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MRI装置用送受信素子1は、コイル径が1mm以下であって、被検体に核磁気共鳴を起こさせるための高周波磁場を照射するとともに、被検体から発生する核磁気共鳴信号を受信するための送受信コイル12と、送受信コイル12と共に共振回路を構成するコンデンサ13と、共振回路の開閉を行うスイッチ14と、送受信コイル12により受信された核磁気共鳴信号を処理するための少なくともフィルタ16を含む。
【選択図】図1
Description
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るMRI装置用送受信素子の斜視図である。図1に示すように、MRI装置用送受信素子1は、半導体基板11の基板面上に、回路素子あるいは回路としての、送受信コイル12、コンデンサ13、スイッチ14、プリアンプ15、周波数フィルタ16及び信号処理回路17が一体に、すなわち1チップに形成されて構成されている。プリアンプ15、周波数フィルタ16及び信号処理回路17は、受信した信号を処理する信号処理手段を構成する。RF信号を処理する回路を、送受信コイル12の近傍に設けることによって、SN比の改善を図っている。シリコン基板である半導体基板11上に、送受信コイル12、コンデンサ13等が半導体製造プロセス技術により形成されている。
コイル12と共に共振回路を構成するコンデンサ13の一端13aには、スイッチ14の一端が接続されている。スイッチ14は、例えば、MEMS技術を用いて形成されたRFスイッチである。そのスイッチ14の他端は、増幅手段であるプリアンプ15に接続されている。これは、コイル12で検出したNMR信号をできるだけ早く増幅し、微弱信号に乗るノイズの影響を低減し、コイルによって検出されたNMR信号を高いSN比で計測するためである。なお、コンデンサ13は、可変コンデンサでも良い。
このように、コイル12の近傍にRF信号を処理する回路素子および回路を設け、SN比を改善している。
計測部であるコイルを従来コイルの約1/100程度である1mm×1mm以下の大きさとし、1個を平面上あるいは曲面上に配置し、あるいは、複数個をライン状あるいはマトリックス状に配置する。
つまり、ボクセルを小さくすることによって落ちてしまったSN比を向上させるためには、コイル12とボクセルとの距離を近づけることが最も効果的であることがわかる。また、コイル12の直径とボクセルからコイル12までの距離の比を固定した場合には、コイル12の直径を小さくすることがSN比向上のためには有効であることがわかる。つまり、コイルとボクセルとの距離を従来の約1/100である1mm以下まで近づけることによって、従来の約1/100の分解能である1μmの分解能でMRI画像を取得することが可能となる。
アクチュエータ機構は、これらの実現手段に拘わらず、コイルに方向可変機能を持たせることができれば、その手段は問わない。
次に、第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態は、MRI装置用送受信素子を、薄いフィルム上に形成した点が、第1の実施の形態のMRI装置用送受信素子と異なる。例えば、図1のMRI装置用送受信素子において、コイル等が形成される基板の厚さを、数十μmにすることによって、コイル等を薄いフィルム上に形成した点に特徴がある。なお、第1の実施の形態と同じ構成要素については、同一の符号を付して説明は省略し、主として異なる事項を説明する。
そして、図7に示すように、コイル12の一端12bの接続用開口部54をフォトリソグラフィ加工技術により形成する。なお、絶縁膜53は、印刷法によって形成してもよく、その場合、膜厚は、約10μmである。さらになお、ポリイミドの絶縁膜の代わりに、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を、プラズマCVD方式により形成してもよい。
次に、第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態は、MRI装置用送受信素子において、コイルとコイル以外の構成要素を別々の基板に形成し、コイル以外の構成要素であるフィルタ、プリアンプ等が形成された基板上に、コイルが形成された基板を積層化するように設けた点が、第1の実施の形態のMRI装置用送受信素子と異なる。なお、第1の実施の形態と同じ構成要素については、同一の符号を付して説明は省略し、主として異なる事項を説明する。
すなわち、計測部であるコイルを従来の約1/100程度である1mm×1mm以下の大きさとし、平面上あるいは曲面上に複数個アレイ状に配置する。
図15から図17の内視鏡を用いると、内視鏡画像とMRI画像を組み合わせた画像の取得が可能となる。
Claims (16)
- コイル径が1mm以下であって、被検体に核磁気共鳴を起こさせるための高周波磁場を照射するとともに、前記被検体から発生する核磁気共鳴信号を受信するための送受信コイルと、
該送受信コイルと共に共振回路を構成するコンデンサと、
該共振回路の開閉を行うスイッチ手段と、
前記送受信コイルにより受信された核磁気共鳴信号を処理するための少なくともフィルタを含む信号処理手段とを含むMRI装置用送受信素子。 - 前記送受信コイルは、半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項1記載のMRI装置用送受信素子。
- さらに、前記コンデンサと、前記スイッチ手段と、前記信号処理手段とが前記半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項2記載のMRI装置用送受信素子。
- 前記送受信コイルは、第1の半導体基板上に形成され、前記コンデンサと、前記スイッチ手段と、前記信号処理手段とが第2の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項1記載のMRI装置用送受信素子。
- 前記送受信コイルのコイル面は、該コイル面の周辺の前記半導体基板の表面に対する、前記コイル面の角度が可変であることを特徴とする請求項2又は請求項3記載のMRI装置用送受信素子。
- 前記送受信コイルのコイル面は、該コイル面の周辺の前記第1の半導体基板の表面に対する、前記コイル面の角度が可変であることを特徴とする請求項4記載のMRI装置用送受信素子。
- 前記送受信コイルは、可撓性フィルム上に形成されていることを特徴とする請求項1記載のMRI装置用送受信素子。
- 前記コンデンサと、前記スイッチ手段と、前記信号処理手段とが半導体基板上に形成され、
前記送受信コイルが形成された前記可撓性フィルム上に前記半導体基板を搭載、あるいは、前記送受信コイルが形成された前記可撓性フィルムを前記半導体基板上に搭載したことを特徴とする請求項7記載のMRI装置用送受信素子。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の前記MRI装置用送受信素子を、アレイ状に配置したことを特徴とするMRI装置用送受信素子アレイ。
- 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の前記MRI装置用送受信素子を、内視鏡挿入部の先端部に配置したことを特徴とする内視鏡。
- 前記MRI装置用送受信素子は、前記内視鏡挿入部の前記先端部の周囲に設けられていることを特徴とする請求項10記載の内視鏡。
- 前記MRI装置用送受信素子は、前記内視鏡挿入部の前記先端部の先端面に設けられていることを特徴とする請求項10記載の内視鏡。
- 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の前記MRI装置用送受信素子を、内視鏡挿入部の先端部に配置したことを特徴とするカテーテル。
- 前記MRI装置用送受信素子は、前記内視鏡挿入部の前記先端部の周囲に設けられていることを特徴とする請求項13記載のカテーテル。
- 前記MRI装置用送受信素子は、前記内視鏡挿入部の前記先端部の先端面に設けられていることを特徴とする請求項13記載のカテーテル。
- コイル径が1mm以下であって、被検体から発生する核磁気共鳴信号を受信するための受信コイルと、
該受信コイルと共に共振回路を構成するコンデンサと、
前記受信コイルにより受信された核磁気共鳴信号を処理するための少なくともフィルタを含む信号処理手段とを含むMRI装置用受信素子。
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