JP2006314864A - Trapping apparatus for exhaust gas - Google Patents

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順二 越智
Daisuke Suzuki
大輔 鈴木
Tatsuya Kimura
達也 木村
Hideki Komori
秀樹 古森
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain an exhaust route of a trapping apparatus for exhaust gas from being clogged locally. <P>SOLUTION: A diffusion plate 13 having the cross-sectional area larger than that of an opening of an exhaust gas introduction port 10 is arranged in a cylindrical housing 5 so that the diffusion plate is opposed to the introduction port 10. Cooling coils 17-22 are arranged between the diffusion plate 13 and a flange 7. The exhaust gas 23 introduced from the introduction port 10 is dispersed conically, made to flow in an upstream zone D along an inner wall of the housing 5 and then flow dispersedly in downstream zones E1-E4 and discharged through a discharge pipe 9 and a discharge port 8. Since the exhaust gas 23 flows dispersedly in the trapping apparatus for exhaust gas, the unreacted gas contained in the exhaust gas 23 is accumulated dispersedly in the trapping apparatus for exhaust gas. As a result, the exhaust route can be restrained from being clogged locally and the service life of the trapping apparatus for exhaust gas can be prolonged. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は排気トラップ装置に関し、特に半導体製造装置から排出される未反応ガスを除去する排気トラップ装置に関する。   The present invention relates to an exhaust trap apparatus, and more particularly to an exhaust trap apparatus that removes unreacted gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus.

半導体装置の製造において、InP(インジウムリン)やAlGaInP(アルミガリウムインジウムリン)などの膜は、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置により成膜される。上記の膜を成膜する際、CVD装置の反応炉から排気ガスが排出される。この排気ガスは、フォスフィン等の未反応ガスを含んでいる。この未反応ガスは、排気トラップ装置により捕集される。   In the manufacture of semiconductor devices, films such as InP (indium phosphide) and AlGaInP (aluminum gallium indium phosphide) are formed by a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus. When forming the above film, exhaust gas is discharged from the reactor of the CVD apparatus. This exhaust gas contains unreacted gas such as phosphine. This unreacted gas is collected by an exhaust trap device.

図5に、従来の排気トラップ装置の断面図を示す。
この排気トラップ装置は、ハウジング31を有している。ハウジング31は、排気ガスの導入口32と、排気ガスの導出口33とを備えている。ハウジング31の内部には、排気ガスを冷却するための冷却コイル34が設けられている。
CVD装置(図示しない)から排出される排気ガスは、導入口32から導入され、導入口直下領域35、上流領域36、下流領域37を経由して、導出口33から排出される。この間、排気ガスは排気トラップ装置内部で冷却される。排気ガスの温度が所定温度まで下がると、未反応ガスの一部が凝固して排気トラップ装置内に堆積物として蓄積される。そして、排気ガスは未反応ガスの濃度を十分に低くした状態で排気トラップ装置から排出される(例えば、特許文献1参照)。
FIG. 5 shows a cross-sectional view of a conventional exhaust trap apparatus.
The exhaust trap device has a housing 31. The housing 31 includes an exhaust gas inlet 32 and an exhaust gas outlet 33. A cooling coil 34 for cooling the exhaust gas is provided inside the housing 31.
Exhaust gas discharged from a CVD apparatus (not shown) is introduced from the introduction port 32, and is discharged from the outlet port 33 via the region 35 immediately below the introduction port, the upstream region 36, and the downstream region 37. During this time, the exhaust gas is cooled inside the exhaust trap device. When the temperature of the exhaust gas is lowered to a predetermined temperature, a part of the unreacted gas is solidified and accumulated as a deposit in the exhaust trap apparatus. And exhaust gas is discharged | emitted from an exhaust trap apparatus in the state which made the density | concentration of unreacted gas low enough (for example, refer patent document 1).

特開平8−290050号公報JP-A-8-290050

上記従来の排気トラップ装置において、排気ガスの通過する経路は直列的な構造であった。このため、排気ガスが上記経路を通過する際、上記経路は堆積物により局所的に閉塞されやすい。そうすると、上記経路の閉塞されていない部分は未反応ガスを捕集する能力があるにも関わらす、排気トラップ装置を交換する必要があった。   In the conventional exhaust trap device, the path through which the exhaust gas passes has a serial structure. For this reason, when the exhaust gas passes through the route, the route is likely to be locally blocked by deposits. As a result, the exhaust trap device had to be replaced even though the non-blocked portion of the path had the ability to collect unreacted gas.

本発明は上記課題を解決するためになされたもので、排気トラップ装置において、排気ガスの通過する経路が局所的に閉塞することを抑制し、排気トラップ装置の寿命を長くすることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to suppress the local blockage of a path through which exhaust gas passes in an exhaust trap apparatus and to extend the life of the exhaust trap apparatus. .

本発明に係る排気トラップ装置は、円筒状のハウジングと、前記ハウジングに設けられた排気ガス導入口と、前記ハウジング内部で前記排気ガス導入口と対向するように設けられ、前記ハウジングの内壁と間隙を有し、前記排気ガス導入口の開口断面より大きい板と、前記ハウジングの内部で、前記ハウジングの中心軸の周りに設けられた冷却手段と、前記冷却手段に接続された冷媒供給手段と、前記冷却手段の内側から前記ハウジングの外部に至る管路とを備えたことを特徴とする。
本発明のその他の特徴については、以下において詳細に説明する。
An exhaust trap apparatus according to the present invention is provided with a cylindrical housing, an exhaust gas inlet provided in the housing, and opposed to the exhaust gas inlet inside the housing, and a gap between the inner wall of the housing and the gap A plate larger than the opening cross section of the exhaust gas inlet, a cooling means provided around the central axis of the housing inside the housing, and a refrigerant supply means connected to the cooling means, And a conduit extending from the inside of the cooling means to the outside of the housing.
Other features of the present invention are described in detail below.

本発明によれば、排気トラップ装置において、排気ガスの通過する経路が局所的に閉塞することを抑制し、排気トラップ装置の寿命を長くすることができる。   According to the present invention, in the exhaust trap apparatus, it is possible to suppress the local passage of the path through which the exhaust gas passes and to extend the life of the exhaust trap apparatus.

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において同一または相当する部分には同一符号を付して、その説明を簡略化ないし省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

実施の形態1.
図1は、本実施の形態に係る排気トラップ装置、およびこれを含む半導体製造装置の全体を示す図である。
図1に示す半導体製造装置は、InP(インジウムリン)やAlGaInP(アルミガリウムインジウムリン)などの膜を成膜するためのMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置である。このCVD装置は、反応炉1を有している。反応炉1には、排気トラップ装置2が接続されている。排気トラップ装置2には、スロットルバルブ3が接続されている。スロットルバルブ3には、減圧ポンプ4が接続されている。
上述したInP、AlGaInP等の膜は、反応炉1で成膜される。すると、反応炉1から排気トラップ装置2へ排気ガスが排出される。この排気ガスには、反応炉1で生成された反応生成物や、反応炉1で成膜に寄与しなかった未反応ガス等が含まれている。これらの反応生成物および未反応ガス等(以下、単に「未反応ガス」という)は、排気トラップ装置2で捕集される。さらに、排気ガスはスロットルバルブ3、減圧ポンプ4を経由して、CVD装置の外部へ排出される。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing an entire exhaust trap apparatus according to the present embodiment and a semiconductor manufacturing apparatus including the exhaust trap apparatus.
The semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus for forming a film such as InP (indium phosphide) or AlGaInP (aluminum gallium indium phosphide). This CVD apparatus has a reaction furnace 1. An exhaust trap device 2 is connected to the reaction furnace 1. A throttle valve 3 is connected to the exhaust trap device 2. A pressure reducing pump 4 is connected to the throttle valve 3.
The above-described films such as InP and AlGaInP are formed in the reaction furnace 1. Then, exhaust gas is discharged from the reaction furnace 1 to the exhaust trap device 2. This exhaust gas includes reaction products generated in the reaction furnace 1, unreacted gases that did not contribute to film formation in the reaction furnace 1, and the like. These reaction products and unreacted gas (hereinafter simply referred to as “unreacted gas”) are collected by the exhaust trap device 2. Further, the exhaust gas is discharged to the outside of the CVD apparatus via the throttle valve 3 and the decompression pump 4.

上述した未反応ガスを捕集する方法について説明する。図1に示した反応炉1から排出された排気ガスは、排気トラップ装置2に導入される。この排気ガスは、排気トラップ装置2の内部で冷却される。排気ガスの温度が所定温度以下になると、未反応ガスの一部が堆積物となって装置内部に堆積する。このようにして、排気ガスは、未反応ガスの濃度を下げながら排気トラップ装置2の内部を通過する。そして、未反応ガスの濃度を十分に小さくした状態でCVD装置の外部に排出される。   A method for collecting the above-mentioned unreacted gas will be described. The exhaust gas discharged from the reaction furnace 1 shown in FIG. 1 is introduced into the exhaust trap device 2. The exhaust gas is cooled inside the exhaust trap device 2. When the temperature of the exhaust gas becomes equal to or lower than a predetermined temperature, a part of the unreacted gas becomes a deposit and accumulates inside the apparatus. In this way, the exhaust gas passes through the exhaust trap device 2 while reducing the concentration of the unreacted gas. And it is discharged | emitted outside the CVD apparatus in the state which made the density | concentration of unreacted gas small enough.

図2(a)は、図1に示した排気トラップ装置2の断面図である。まず、この装置の構成について説明する。
この排気トラップ装置は、ハウジング5を有している。ハウジング5は、A−A’を中心軸とする円筒形状である。ハウジング5の両端には、それぞれフランジ6、7が設けられている。ハウジング5の中央部の側面には、B−B’を中心軸として、導出口8が設けられている。ハウジング5の内部でA−A’を中心軸として、導出口8に導出管9が接続されている。フランジ6と対向するように、導出管9の一方の開口端9aが配置されている。フランジ7と対向するように、導出管の他方の開口端9bが配置されている。フランジ6には、A−A’を中心軸とする導入口10が設けられている。また、フランジ6に冷却水導入口11、冷却水導出口12が設けられている。ハウジング5の内部で、冷却水導入口11、冷却水導出口12に拡散板13が接続されている。拡散板13の端部は、フランジ7の方向に折り曲げられている。拡散板13は、導入口10と対向している。拡散板13の導入口10と対向する部分は導入口10の開口断面より大きく、ハウジング5の開口断面よりも小さい。フランジ7に冷却水導入口14、冷却水導出口15が設けられている。ハウジング5の内部で、フランジ7に整流板16が設けられている。
拡散板13の端部に接触するように、冷却コイル17が固定されている。冷却コイル17は、中心軸A−A’を囲むように円筒状に配置されている。冷却コイル17の内側で、中心軸A−A’を囲むように、冷却コイル18が円筒状に配置されている。冷却コイル18の内側で、中心軸A−A’を囲むように、冷却コイル19が円筒状に配置されている。冷却コイル17、18、19は互いに接続されている。中心軸B−B’を挟んで、冷却コイル17、18、19と対称の位置に、それぞれ冷却コイル20、21、22が円筒状に配置されている。冷却コイル20は、整流板16の端部に接触するように固定されている。冷却コイル20、21、22は、互いに接続されている。
FIG. 2A is a cross-sectional view of the exhaust trap device 2 shown in FIG. First, the configuration of this apparatus will be described.
The exhaust trap device has a housing 5. The housing 5 has a cylindrical shape with AA ′ as the central axis. At both ends of the housing 5, flanges 6 and 7 are provided, respectively. On the side surface of the central portion of the housing 5, an outlet 8 is provided with BB ′ as the central axis. A lead-out pipe 9 is connected to the lead-out port 8 with AA ′ as the central axis inside the housing 5. One open end 9 a of the outlet pipe 9 is disposed so as to face the flange 6. The other open end 9 b of the outlet pipe is disposed so as to face the flange 7. The flange 6 is provided with an introduction port 10 having AA ′ as a central axis. The flange 6 is provided with a cooling water inlet 11 and a cooling water outlet 12. A diffusion plate 13 is connected to the cooling water inlet 11 and the cooling water outlet 12 inside the housing 5. The end of the diffusion plate 13 is bent in the direction of the flange 7. The diffusion plate 13 faces the introduction port 10. The portion of the diffusion plate 13 that faces the inlet 10 is larger than the opening cross section of the inlet 10 and smaller than the opening cross section of the housing 5. A cooling water inlet 14 and a cooling water outlet 15 are provided in the flange 7. Inside the housing 5, a rectifying plate 16 is provided on the flange 7.
A cooling coil 17 is fixed so as to contact the end of the diffusion plate 13. The cooling coil 17 is arranged in a cylindrical shape so as to surround the central axis AA ′. Inside the cooling coil 17, the cooling coil 18 is arranged in a cylindrical shape so as to surround the central axis AA ′. Inside the cooling coil 18, a cooling coil 19 is arranged in a cylindrical shape so as to surround the central axis AA ′. The cooling coils 17, 18, and 19 are connected to each other. Cooling coils 20, 21, and 22 are arranged in a cylindrical shape at positions symmetrical to the cooling coils 17, 18, and 19 with the central axis BB ′ in between. The cooling coil 20 is fixed so as to be in contact with the end of the rectifying plate 16. The cooling coils 20, 21, and 22 are connected to each other.

上述した冷却コイル17、18、19の配置について詳細に説明する。
図2(b)は、図2(a)に示した冷却コイル17、18、19の一部を拡大した図である。ハウジング5−冷却コイル17間の間隔をd1、冷却コイル17−18間の間隔をd2、冷却コイル18−19間の間隔をd3、冷却コイル19−導出管9間の間隔をd4とする。例えば、d1>d2=d3>d4となるように配置する。
このように、ハウジング5と冷却コイル17との間隔d1が、上記d2、d3、d4よりも相対的に大きくなるように配置されている。
The arrangement of the cooling coils 17, 18, and 19 will be described in detail.
FIG. 2B is an enlarged view of a part of the cooling coils 17, 18 and 19 shown in FIG. The interval between the housing 5 and the cooling coil 17 is d1, the interval between the cooling coils 17-18 is d2, the interval between the cooling coils 18-19 is d3, and the interval between the cooling coil 19 and the outlet tube 9 is d4. For example, it arrange | positions so that it may become d1> d2 = d3> d4.
Thus, the space | interval d1 of the housing 5 and the cooling coil 17 is arrange | positioned so that it may become relatively larger than said d2, d3, d4.

次に、上記排気トラップ装置の内部を冷却するための冷却ユニットについて説明する。冷却ユニットは、上述した複数の冷却コイルと、これらを冷却するための循環系統からなっている。循環系統は冷却水導入口11、冷却水導出口12、および拡散板13からなる。冷却水導入口11から冷却水が導入されると、拡散板13の内部、冷却水導出口12を経由して排出される。上述したように、拡散板13は冷却コイル17に接触し、冷却コイル17、18、19は互いに接続されている。このため、冷却水が拡散板13の内部を通過する際に、冷却コイル17、18、19を冷却することができる。このようにして、冷却コイル17、18、19、冷却水導入口11、冷却水導出口12、および拡散板13が、1系統の冷却ユニットで構成されている。同様に、冷却コイル20、21、22、冷却水導入口14、冷却水導出口15、および整流板16が、1系統の冷却ユニットで構成されている。
これらの冷却ユニットにより、排気トラップ装置内部の温度を低くすることができる。
Next, a cooling unit for cooling the inside of the exhaust trap device will be described. The cooling unit includes the above-described plurality of cooling coils and a circulation system for cooling them. The circulation system includes a cooling water inlet 11, a cooling water outlet 12, and a diffusion plate 13. When cooling water is introduced from the cooling water inlet 11, it is discharged through the inside of the diffusion plate 13 and the cooling water outlet 12. As described above, the diffusion plate 13 contacts the cooling coil 17, and the cooling coils 17, 18, and 19 are connected to each other. For this reason, when the cooling water passes through the inside of the diffusion plate 13, the cooling coils 17, 18, and 19 can be cooled. Thus, the cooling coils 17, 18, 19, the cooling water inlet 11, the cooling water outlet 12, and the diffusion plate 13 are configured by one system cooling unit. Similarly, the cooling coils 20, 21, 22, the cooling water inlet 14, the cooling water outlet 15, and the rectifying plate 16 are constituted by a single cooling unit.
With these cooling units, the temperature inside the exhaust trap device can be lowered.

次に、図2(a)に示した排気トラップ装置を用いて、排気ガスに含まれる未反応ガスを捕集する過程を説明する。
まず、図1に示した反応炉1から、排気トラップ装置2に排気ガスが排出される。次に、図2(a)に示すように、導入口10から、排気ガス23が導入口直下領域Cに導入される。このガスは中心軸A−A’から離れるように、拡散板13の外側方向に向かって、円錐状に分散して流れる。この間、排気ガス23の一部は導入口直下領域Cで冷却され、堆積物となる。
このとき、排気ガス23は導入口直下領域Cから広い領域に分散しながら冷却される。これにより、堆積物が導入口直下領域Cに集中して生成されるのを防ぐことができる。従って、この領域に蓄積される堆積物により導入口10が局所的に閉塞されるのを防ぐことができる。
Next, a process of collecting unreacted gas contained in the exhaust gas using the exhaust trap device shown in FIG. 2A will be described.
First, exhaust gas is discharged from the reaction furnace 1 shown in FIG. Next, as shown in FIG. 2A, the exhaust gas 23 is introduced from the introduction port 10 into the region C immediately below the introduction port. This gas flows in a conical manner toward the outer side of the diffusion plate 13 so as to be away from the central axis AA ′. During this time, a part of the exhaust gas 23 is cooled in the region C immediately below the inlet and becomes a deposit.
At this time, the exhaust gas 23 is cooled while being dispersed in a wide area from the area C immediately below the inlet. Thereby, it is possible to prevent the deposits from being concentrated and generated in the region C immediately below the inlet. Therefore, it is possible to prevent the inlet 10 from being locally blocked by deposits accumulated in this region.

次に、排気ガス23はフランジ7に向かって、冷却コイル17とハウジング5との間、冷却コイル20とハウジング5との間(以下、「上流領域D」という)を分散して流れる。
排気ガス23は上流領域Dを流れる間に、冷却コイル17、20により冷却される。そして、未反応ガスの一部は堆積物となり、ハウジング5の内壁や冷却コイル17、20の表面に蓄積される。このとき、排気ガス23はハウジング5の内壁に沿って分散して流れるため、上流領域Dが局所的に閉塞することを抑制できる。
また、図2(b)で示したように、ハウジング5−冷却コイル17間の間隔d1は、d2、d3、d4よりも相対的に大きくなるように配置されている。このため、上流領域Dに蓄積できる堆積物の量を多くすることができる。これにより、上流領域Dが局所的に閉塞することを、さらに効果的に抑制できる。
Next, the exhaust gas 23 flows toward the flange 7 between the cooling coil 17 and the housing 5 and between the cooling coil 20 and the housing 5 (hereinafter referred to as “upstream region D”).
The exhaust gas 23 is cooled by the cooling coils 17 and 20 while flowing through the upstream region D. A part of the unreacted gas becomes a deposit and accumulates on the inner wall of the housing 5 and the surfaces of the cooling coils 17 and 20. At this time, since the exhaust gas 23 flows in a distributed manner along the inner wall of the housing 5, it is possible to prevent the upstream region D from being locally blocked.
Further, as shown in FIG. 2B, the interval d1 between the housing 5 and the cooling coil 17 is disposed to be relatively larger than d2, d3, and d4. For this reason, the amount of deposits that can be accumulated in the upstream region D can be increased. Thereby, it can suppress more effectively that upstream field D obstruct | occludes locally.

次に、排気ガス23は、整流板16に設けられたホール16aを経由して、整流板16と中心軸A−A’との間の領域(以下、「下流領域E1」という)を流れる。そして排気ガス23は開口端9bから導出管9、導出口8を経由して排出される。また、上流領域Dを流れる排気ガス23の一部は、中心軸B−B’付近で分岐する。さらにその一部は冷却コイル20−21間、冷却コイル21−22間、冷却コイル22−導出管9間の領域(以下、「下流領域E2」という)に分散して流れる。これらの排気ガスは下流領域E1を経由して開口端9b、導出管9、導出口8を経由して排出される。また、中心軸B−B’付近で分岐した排気ガス23のうち、下流領域E2側に分岐しない残りの分は、冷却コイル17−18間、冷却コイル18−19間、冷却コイル19−導出管9間の領域(以下「下流領域E3」という)に流れる。これらの排気ガスは、拡散板13の両端部と中心軸A−A’との間の領域(以下、「下流領域E4」という)を経由して開口端9a、導出管9、導出口8を経由して排出される。
排気ガス23は、下流領域E1〜E4を流れる間に、冷却コイル18、19、21、22により冷却される。そして、未反応ガスの一部は堆積物となり、これらの冷却コイルや導出管9の表面に蓄積される。このとき、排気ガス23はE1〜E4の各領域に分散して流れる。さらにそれらの排気ガスは、各領域の冷却コイル間、冷却コイル−導出管9間を分散して流れる。これにより、下流領域E1〜E4に蓄積される堆積物を分散させることができる。従って、下流領域E1〜E4が局所的に閉塞することを抑制できる。
Next, the exhaust gas 23 flows through a region (hereinafter referred to as “downstream region E1”) between the rectifying plate 16 and the central axis AA ′ via a hole 16 a provided in the rectifying plate 16. The exhaust gas 23 is discharged from the opening end 9b via the outlet pipe 9 and the outlet port 8. A part of the exhaust gas 23 flowing in the upstream region D branches near the central axis BB ′. Furthermore, a part thereof flows in a distributed manner between the cooling coils 20-21, between the cooling coils 21-22, and between the cooling coil 22 and the outlet pipe 9 (hereinafter referred to as “downstream region E2”). These exhaust gases are discharged via the downstream end E1 via the open end 9b, the lead-out pipe 9, and the lead-out port 8. Further, of the exhaust gas 23 branched near the central axis BB ′, the remaining portions not branched to the downstream region E2 side are between the cooling coils 17-18, between the cooling coils 18-19, and between the cooling coil 19 and the outlet pipe. It flows in a region between 9 (hereinafter referred to as “downstream region E3”). These exhaust gases pass through a region between the both ends of the diffusion plate 13 and the central axis AA ′ (hereinafter referred to as “downstream region E4”) through the opening end 9a, the outlet pipe 9, and the outlet port 8. It is discharged via.
The exhaust gas 23 is cooled by the cooling coils 18, 19, 21, and 22 while flowing through the downstream areas E1 to E4. A part of the unreacted gas becomes a deposit and accumulates on the surfaces of the cooling coil and the outlet tube 9. At this time, the exhaust gas 23 flows in a distributed manner in each region E1 to E4. Further, these exhaust gases flow in a distributed manner between the cooling coils in each region and between the cooling coils and the outlet pipe 9. Thereby, the deposit accumulated in the downstream areas E1 to E4 can be dispersed. Therefore, it can suppress that the downstream area | regions E1-E4 obstruct | occlude locally.

以上説明した排気トラップ装置の構成によれば、排気ガスがこの装置内部を通過する経路を分散させることができ、上記経路が局所的に閉塞することを抑制できる。これにより、排気トラップ装置の寿命を長くすることができる。   According to the configuration of the exhaust trap apparatus described above, it is possible to disperse the path through which the exhaust gas passes through the inside of the apparatus, and to suppress the local blockage of the path. Thereby, the lifetime of the exhaust trap device can be extended.

なお、図2(a)に示した排気トラップ装置は、ハウジング5からフランジ6、7を脱着して、冷却コイル17〜22を容易に取り出すことができる。これにより、排気トラップ装置の冷却コイルに生成された堆積物の洗浄やメンテナンスを容易に行うことができる。   The exhaust trap device shown in FIG. 2A can easily take out the cooling coils 17 to 22 by detaching the flanges 6 and 7 from the housing 5. Thereby, cleaning and maintenance of the deposit generated in the cooling coil of the exhaust trap device can be easily performed.

次に、本実施の形態の変形例について説明する。
図2(a)に示した排気トラップ装置の冷却コイル17、18、19は互いに接続され、これらを含む冷却ユニットは1系統で構成されている。また、冷却コイル20、21、22が互いに接続され、これらを含む冷却ユニットは1系統で構成されている。これに対して、冷却コイル17、18、19を互いに独立させ、各冷却コイルがそれぞれ独立した冷却ユニットに含まれるようにしても良い。同様に、冷却コイル20、21、22を互いに独立させ、各冷却コイルがそれぞれ独立した冷却ユニットに含まれるようにしても良い。
上記構成とすることにより、図2(a)に示した上流領域D、下流領域E1〜E4の温度をそれぞれ独立に制御することができる。これにより、排気トラップ装置の内部における排気ガス23のコンダクタンス(流れやすさ)を、それぞれの領域ごとに制御することができる。従って、排気ガスの種類、未反応ガス濃度により各冷却ユニットに最適な温度を与えて、排気トラップ装置の寿命を長くすることができる。
Next, a modification of the present embodiment will be described.
The cooling coils 17, 18, and 19 of the exhaust trap apparatus shown in FIG. 2 (a) are connected to each other, and the cooling unit including these is constituted by one system. Moreover, the cooling coils 20, 21, and 22 are connected to each other, and the cooling unit including these is configured as one system. On the other hand, the cooling coils 17, 18, and 19 may be made independent from each other so that each cooling coil is included in an independent cooling unit. Similarly, the cooling coils 20, 21, and 22 may be made independent from each other, and each cooling coil may be included in an independent cooling unit.
By setting it as the said structure, the temperature of the upstream area | region D and downstream area | region E1-E4 shown to Fig.2 (a) can each be controlled independently. Thereby, the conductance (ease of flow) of the exhaust gas 23 inside the exhaust trap device can be controlled for each region. Therefore, the optimum temperature can be given to each cooling unit according to the type of exhaust gas and the concentration of unreacted gas, and the life of the exhaust trap device can be extended.

実施の形態2.
図3は、本実施の形態に係る排気トラップ装置の断面図である。ここでは、実施の形態1と異なる構成を中心に説明する。
図3に示すように、冷却コイル17の直径が、フランジ6から離れるに従い大きくなるように、テーパー状に配置されている。冷却コイル17の内側で、A−A’を中心軸として、冷却コイル18がテーパー状に配置されている。冷却コイル18の内側で、A−A’を中心軸として、冷却コイル19がテーパー状に配置されている。それぞれの冷却コイルは、ハウジング5との間隔が、中心軸B−B’に近いほど狭くなっている。
中心軸B−B’を挟んで、冷却コイル17、18、19と対称の位置に、それぞれ冷却コイル20、21、22が配置されている。それぞれの冷却コイルは、ハウジング5との間隔が、中心軸B−B’に近いほど狭くなっている。
その他の構成については、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the exhaust trap apparatus according to the present embodiment. Here, the configuration different from that of the first embodiment will be mainly described.
As shown in FIG. 3, the cooling coil 17 is arranged in a tapered shape so that the diameter increases as the distance from the flange 6 increases. Inside the cooling coil 17, the cooling coil 18 is tapered with AA ′ as the central axis. Inside the cooling coil 18, a cooling coil 19 is tapered with AA ′ as the central axis. Each cooling coil becomes narrower as the distance from the housing 5 is closer to the central axis BB ′.
Cooling coils 20, 21, and 22 are arranged at positions symmetrical to the cooling coils 17, 18, and 19 with the central axis BB 'in between. Each cooling coil becomes narrower as the distance from the housing 5 is closer to the central axis BB ′.
Since other configurations are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

上記構成の排気トラップ装置によれば、上流領域Dにおける排気ガス23のコンダクタンスが減少する。このため、上流領域Dにおいて、冷却コイルに接触させる時間を長くすることができる。これにより、排気ガス23に含まれる未反応ガスの凝固点が低い場合や、未反応ガスの濃度が低い場合に、堆積物が下流領域E1〜E4に集中して生成されるのを防ぐことができる。従って、排気トラップ装置の寿命を長くすることができる。   According to the exhaust trap device having the above configuration, the conductance of the exhaust gas 23 in the upstream region D is reduced. For this reason, in the upstream area | region D, the time made to contact a cooling coil can be lengthened. Thereby, when the freezing point of the unreacted gas contained in the exhaust gas 23 is low or when the concentration of the unreacted gas is low, it is possible to prevent the deposit from being concentrated in the downstream regions E1 to E4. . Therefore, the life of the exhaust trap device can be extended.

実施の形態3.
図4(a)は、本実施の形態に係る排気トラップ装置の断面図である。また、図4(b)は、図4(a)の中心軸A−A’の方向からの側面図である。ここでは、実施の形態1と異なる構成を中心に説明する。
本実施の形態に係る排気トラップ装置は、図4(a)に示すように、ハウジング5の側面で、B−B’を挟んで対称の位置に、導入口10a、10bが設けられている。図4(b)に示すように、導入口10a、10bは、それぞれの開口部の中心軸がハウジング5の中心軸A−A’と交わらないように設けられている。なお、本実施の形態に係る排気トラップ装置には、図2に示した導入口10、即ちフランジ6に位置する導入口10は設けられていない。その他の構成については、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4A is a cross-sectional view of the exhaust trap apparatus according to the present embodiment. FIG. 4B is a side view from the direction of the central axis AA ′ in FIG. Here, the configuration different from that of the first embodiment will be mainly described.
As shown in FIG. 4A, the exhaust trap apparatus according to the present embodiment is provided with introduction ports 10a and 10b on the side surface of the housing 5 at symmetrical positions with respect to BB ′. As shown in FIG. 4B, the introduction ports 10 a and 10 b are provided so that the central axis of each opening does not intersect with the central axis AA ′ of the housing 5. Note that the exhaust trap apparatus according to the present embodiment is not provided with the introduction port 10 shown in FIG. Since other configurations are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

次に、上記排気トラップ装置を用いて排気ガスを捕集する方法について説明する。
まず、排気トラップ装置の導入口10a、10bから排気ガスが導入される。すると、図4(a)に示すように、排気ガスの渦対流24が発生する。この渦対流24は、渦巻き状に上流領域Dを循環する。そして、上流領域Dを循環する排気ガスの一部は、下流領域E1〜E4、導出管9、および導出口8を経由して排出される。
排気ガスを上記のように通過させることにより、図2で示した場合と比較して、上流領域Dにおいて排気ガスが冷却コイルと接触する時間を長くすることができる。これにより、排気ガスに含まれる未反応ガスの凝固点が低い場合や、未反応ガスの濃度が低い場合には、堆積物が下流領域E1〜E4に集中して生成されるのを防ぐことができる。従って、排気トラップ装置の寿命を長くすることができる。
Next, a method for collecting exhaust gas using the exhaust trap device will be described.
First, exhaust gas is introduced from the inlets 10a and 10b of the exhaust trap device. Then, as shown in FIG. 4A, a vortex convection 24 of the exhaust gas is generated. The vortex convection 24 circulates in the upstream region D in a spiral shape. A part of the exhaust gas circulating in the upstream region D is discharged via the downstream regions E1 to E4, the outlet pipe 9, and the outlet port 8.
By passing the exhaust gas as described above, it is possible to lengthen the time for the exhaust gas to contact the cooling coil in the upstream region D as compared with the case shown in FIG. Thereby, when the freezing point of the unreacted gas contained in the exhaust gas is low, or when the concentration of the unreacted gas is low, it is possible to prevent the deposit from being concentrated in the downstream regions E1 to E4. . Therefore, the life of the exhaust trap device can be extended.

実施の形態1に係る排気トラップ装置を含むCVD装置の全体図。1 is an overall view of a CVD apparatus including an exhaust trap apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係る排気トラップ装置の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the exhaust trap device according to the first embodiment. 実施の形態2に係る排気トラップ装置の断面図。Sectional drawing of the exhaust trap apparatus which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態3に係る排気トラップ装置の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an exhaust trap device according to a third embodiment. 従来の排気トラップ装置の断面図。Sectional drawing of the conventional exhaust trap apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 反応炉、2 排気トラップ装置、3 スロットルバルブ、4 減圧ポンプ、5 ハウジング、6,7 フランジ、8 導出口、9 導出管、10導入口、11,14 冷却水導入口、13 拡散板、12,15 冷却水導出口、16 整流板、17〜22 冷却コイル、23 排気ガス、24 (排気ガスの)渦対流。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reactor, 2 Exhaust trap device, 3 Throttle valve, 4 Pressure reduction pump, 5 Housing, 6,7 Flange, 8 Outlet, 9 Outlet, 10 Inlet, 11,14 Cooling water introduction, 13 Diffusion plate, 12 , 15 Cooling water outlet, 16 Current plate, 17-22 Cooling coil, 23 Exhaust gas, 24 Vortex convection (exhaust gas).

Claims (6)

円筒状のハウジングと、
前記ハウジングに設けられた排気ガス導入口と、
前記ハウジング内部で前記排気ガス導入口と対向するように設けられ、前記ハウジングの内壁と間隙を有し、前記排気ガス導入口の開口断面より大きい板と、
前記ハウジングの内部で、前記ハウジングの中心軸の周りに設けられた冷却手段と、
前記冷却手段に接続された冷媒供給手段と、
前記冷却手段の内側から前記ハウジングの外部に至る管路と、
を備えたことを特徴とする排気トラップ装置。
A cylindrical housing;
An exhaust gas inlet provided in the housing;
A plate provided inside the housing so as to face the exhaust gas inlet, having a gap with the inner wall of the housing, and having a larger opening cross section than the exhaust gas inlet;
Cooling means provided around the central axis of the housing within the housing;
Refrigerant supply means connected to the cooling means;
A conduit from the inside of the cooling means to the outside of the housing;
An exhaust trap device comprising:
円筒状のハウジングと、
前記ハウジングの側面に、開口部の中心軸が前記ハウジングの中心軸と交わらないように設けられた排気ガス導入口と、
前記ハウジングの一方の底面と他方の底面との間で、前記ハウジングの中心軸の周りに設けられた冷却手段と、
前記冷却手段に接続された冷媒供給手段と、
前記冷却手段の内側から前記ハウジングの外部に至る管路と、
を備えたことを特徴とする排気トラップ装置。
A cylindrical housing;
An exhaust gas inlet provided on a side surface of the housing so that the central axis of the opening does not intersect the central axis of the housing;
A cooling means provided around a central axis of the housing between one bottom surface and the other bottom surface of the housing;
Refrigerant supply means connected to the cooling means;
A conduit from the inside of the cooling means to the outside of the housing;
An exhaust trap device comprising:
前記冷却手段は、直径が異なる複数の円筒状のコイルを前記ハウジングの同心軸上に配置したものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の排気トラップ装置。   The exhaust trap apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cooling means includes a plurality of cylindrical coils having different diameters arranged on a concentric shaft of the housing. 前記冷却手段は、直径が異なるコイルごとに、独立した冷媒供給手段に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の排気トラップ装置。   The exhaust trap apparatus according to claim 3, wherein the cooling means is connected to an independent refrigerant supply means for each coil having a different diameter. 前記コイルは、前記ハウジングの一方の底面側と、他方の底面側とに、それぞれ設けられていることを特徴とする請求項3又は4に記載の排気トラップ装置。   The exhaust trap apparatus according to claim 3 or 4, wherein the coil is provided on one bottom surface side and the other bottom surface side of the housing. 前記一方の底面側と、前記他方の底面側とにそれぞれ設けられた前記コイルの直径は、前記それぞれの側の底面から離れるに従い大きくなっていることを特徴とする請求項5に記載の排気トラップ装置。   6. The exhaust trap according to claim 5, wherein a diameter of each of the coils provided on the one bottom surface side and the other bottom surface side increases as the distance from the bottom surface on each side increases. apparatus.
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