JP2006313945A - Manufacturing method of multilayer wiring board, component for connection between wiring films, and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, a wiring film connecting member used therefor, and a method for manufacturing the same.
多層配線基板の配線膜間接続を行なう手法については特開2001−326459等により各種提案が為されているが、従来からある手法の一つとして、例えば銅から成るバンプを使用する手法がある。図26を引用してこの手法を簡単に説明すると次の通りである。
(A)先ず、図26(A)に示すように、多層金属板1を用意する。該多層金属板1は、例えば厚さ100μmの銅箔から成るバンプ形成用金属層2の一方の主面に、厚さ例えば1μmのニッケルから成るエッチングストップ層3を介して、厚さ例えば18μmの銅箔から成る配線膜形成用金属層4を積層して成るものである。
Various proposals have been made by JP-A-2001-326459 for a technique for connecting wiring films of a multilayer wiring board, and one conventional technique is, for example, a technique using bumps made of copper. This method will be briefly described with reference to FIG.
(A) First, as shown in FIG. 26 (A), a multilayer metal plate 1 is prepared. The multilayer metal plate 1 has a thickness of, for example, 18 μm, on one main surface of a bump forming
(B)次に、図26(B)に示すように、この多層金属板1のバンプ形成用金属層2を選択的エッチングして、配線膜間接続用のバンプ2aを形成する。
(C)このエッチングが済んだら、図26(C)に示すように、バンプ2a及び配線膜形成用金属層4の形成材料である銅をマスクとして、エッチングストップ層3に対するエッチングを行う。
(D)次いで、図26(D)に示すように、バンプ2aの形成面に、例えば熱硬化性樹脂から成る絶縁膜5を、該バンプ2aの頂部が露出するように接着する。
(E)しかる後、図26(E)に示すように、多層金属板1のバンプ2aの頂部が突出する側の面に、例えば銅から成る配線膜形成用金属薄板6を臨ませる。
(B) Next, as shown in FIG. 26 (B), the bump forming
(C) After this etching is completed, as shown in FIG. 26C, the
(D) Next, as shown in FIG. 26D, the
(E) After that, as shown in FIG. 26 (E), a wiring film forming metal thin plate 6 made of, for example, copper is allowed to face the surface of the multilayer metal plate 1 on which the tops of the
(F)次に、図26(F)に示すように、配線膜形成用金属薄板6を上記バンプ2aに接続して該バンプ2a形成面側に積層する。
(G)次に、多層金属板1の配線膜形成用金属層4と上記配線膜形成用金属薄板6とを選択的エッチングによってパターニングし、配線膜4a、6aを形成する。これにより、図26(G)に示すように、多層配線基板7が出来上がり、配線膜4aが上層の配線膜、配線膜6aが下層の配線膜となる。更に層数を多くする場合は、例えば多層配線基板7の上に図26(D)に示す状態の配線基板を積層する。
(G) Next, the wiring film forming
上記従来の手法では、多層金属板1を使用する。この多層金属板1は、上述したとおり、例えば銅・ニッケル・銅の3層構造で、単なる銅箔のような汎用品ではなく特注品である。このため単価が高い。また、上記従来の手法では、1回目はバンプ2aを形成するためのエッチング、2回目はエッチングストップ層3を除去するためのエッチングと、少なくとも2回、種類の異なるエッチングを行なう必要がある。このためその分の工数が掛かり、選択的にエッチングする為にエッチング材料も異なりエッチング材料費も掛かる。
In the conventional method, the multilayer metal plate 1 is used. As described above, the multilayer metal plate 1 has a three-layer structure of, for example, copper, nickel, and copper, and is not a general-purpose product such as a simple copper foil but a custom-made product. Therefore, the unit price is high. Further, in the conventional method, it is necessary to perform different types of etching at least twice, that is, etching for forming the
上記従来の技術では、層数を多くする場合、例えば配線膜形成用金属層4にエッチングで配線膜4aを形成してから図26(D)に示す状態の配線基板を積層し、その配線膜形成用金属層4aにエッチングで次の配線膜4aを形成してから図26(D)に示す状態の次の配線基板を積層するといった手順を繰り返す必要があり、一度に所要の層数を重ねて一括してプレスするというようなことはできなかった。
In the conventional technique, when the number of layers is increased, for example, the wiring film 4a is formed on the wiring film forming
また、上記従来の手法では、図27に示すように、バンプ形成用金属層2にバンプに対応したエッチングレジストパターン8を形成し、このパターン8をマスクとしてエッチンを行ないバンプ2aを形成するが、この場合、エッチングの深さとの関係で、各エッチングレジストパターン8の直径は或る値以下にすることはできず、また各エッチングレジストパターン8の間にも或る値以上の隙間Gを設けておく必要がある。
このため、エッチングレジストパターン8のピッチ、言い換えればバンプ2aのピッチは或る値以下にはすることはできず、例えば金属層の厚みが0.1mmの時0.4mmPが限界となっている(このときバンプの裾部分の直径は0.15mm)。
In the conventional method, as shown in FIG. 27, an etching resist pattern 8 corresponding to the bump is formed on the bump forming
For this reason, the pitch of the etching resist pattern 8, in other words, the pitch of the
また、上記従来の手法では、形成されるバンプ2aを支承するために配線膜形成用金属層4はコンベアでの搬送に耐え得る厚みが必要であり,極端に薄くなることは処理中にしわ、傷、破れが生じ実質的に採用できない。サブトラクト法より微細化の可能なセミアディティブ法を採用することは絶縁膜5の両側に3〜5μ程度の厚みの金属箔が利用できれば好都合であるが、配線層を3〜5μ程度の厚みにすることは上述の理由で困難だった。
また、上記従来の手法では、バンプ2aを高くした場合にバンプ2aのいわば裾の部分の直径も必然的に大きくなる。このため、バンプ2aを高くした状態では、バンプ2aのピッチをある程度以下にすることはできなかった。
In the conventional method, the
Further, in the above conventional method, when the
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、一度に所要の層数を重ね一括してプレスすることも可能な、或いは、エッチングレジストパターンのピッチの限界より更に小さなピッチでバンプを配置することができる、或いは絶縁膜の両側にセミアディティブ法により微細な配線パターンを形成することも可能な、或いはバンプを高くしてもファインピッチが維持できる、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法を提供することにある。 The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to stack the required number of layers at once and press them together, or to arrange the bumps at a pitch smaller than the limit of the pitch of the etching resist pattern. Or a method of manufacturing a multilayer wiring board that can form a fine wiring pattern on both sides of an insulating film by a semi-additive method, or can maintain a fine pitch even if bumps are raised An object of the present invention is to provide a wiring film connecting member and a method of manufacturing the same.
請求項1の多層配線基板の製造方法は、キャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: preparing a plurality of substantially conical bumps on one main surface of a carrier; and providing an insulating film for interlayer insulation on the one main surface of the carrier. The insulating film itself is laminated so as to penetrate the bumps, the wiring film forming metal foil is laminated on the surface of the insulating film opposite to the carrier, the carrier is removed, and the insulating film The wiring film forming metal foil different from the wiring film forming metal foil is laminated on the surface from which the carrier is removed, and the bump, the insulating film, and the two wiring film forming metal foils are integrated. .
請求項2の多層配線基板の製造方法は、層間絶縁膜となるキャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該キャリア、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項3の多層配線基板の製造方法は、一つの配線膜形成用金属箔の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、別の配線膜形成用金属箔の一方の主面に、層間絶縁用の絶縁膜を積層し、該絶縁膜に上記複数のバンプと対応する複数のバンプ対応孔を形成した部材とを用意し、上記二つの部材を、上記一方の部材の各バンプが他方の部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位置整合するように位置合わせして積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
The method for producing a multilayer wiring board according to
請求項4の多層配線基板の製造方法は一つの型の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、層間絶縁用の絶縁膜の一方の主面に別の型を積層し、該型に上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成した部材を用意し、上記バンプを形成した部材のそのバンプを形成した側に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上記バンプ対応孔と上記バンプとの対応するもの同士が位置整合するようにあてがい、上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにし、上記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a multilayer wiring board comprising: laminating a member having a plurality of bumps formed on one main surface of one mold and another mold on one main surface of an insulating film for interlayer insulation; A member in which a bump corresponding hole corresponding to the bump is formed is prepared, and the insulating film of another member is provided on the side on which the bump is formed on the member on which the bump is formed. Are applied so that the corresponding parts are aligned with each other, and pressure is applied to the two molds so that the insulating film penetrates the bumps, and after removing the two molds, both surfaces of the insulating film are applied. A metal foil for forming a wiring film is stacked on the insulating film, the bump, and the two metal foils for forming a wiring film.
請求項5の多層配線基板の製造方法は、請求項4記載の多層配線基板の製造方法において、上記バンプ対応孔を形成した上記型として、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにした後、上記二つの型の取り去りの際、上記樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去ることを特徴とする。
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項6の多層配線基板の製造方法は、バンプ形成用金属箔の一方の主面側からハーフエッチングすることにより複数のハーフバンプを形成する工程と、上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッチングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、上記バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、を有することを特徴とする。 The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6 includes a step of forming a plurality of half bumps by half-etching from one main surface side of the bump forming metal foil, and the one main surface of the bump forming metal foil. A step of laminating an insulating film for interlayer insulation on the surface so as to be penetrated by the half bump, a step of laminating a metal foil for forming a wiring film connected to the half bump on the surface of the insulating layer, and the bump Forming a plurality of half-bumps that are integrated with the half-bumps by half-etching from the other main surface side of the metal foil for forming, and forming an interlayer on the other main surface of the metal foil for bump-forming Laminating an insulating film for insulation so as to be penetrated by the half bump, and laminating a metal foil for forming a wiring film connected to the half bump on the surface of the insulating layer And having a step.
請求項7の配線膜間接続用部材の製造方法は、バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層する工程と、前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された第1の部材を形成する工程と、該第1の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部が露出するように積層し第2の部材を形成する工程と、該第2の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜間接続用部材を形成する工程と、前記バンプ形成用金属層とは別のバンプ形成用金属層に前記キャリヤ層とは別のキャリヤ層を積層する工程と、前記別のバンプ形成用金属層の前記別のキャリヤ層が積層された面とは反対の面に前記レジストパターンとは別のレジストパターンを形成する工程と、前記別のレジストパターンをマスクとして前記別のバンプ形成用金属層をエッチングし前記別のキャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された別の第1の部材を形成する工程と、該別の第1の部材のバンプの頂部が前記一つの配線膜間接続用部材の絶縁膜から露出するように該別の第1の部材と前記一つの配線膜間接続用部材とを積層し前記第2の部材とは別の第2の部材を形成する工程と、該第2の部材から前記別のキャリヤ層を除去し略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材を形成する工程と、を有することを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a wiring film connecting member comprising: a step of laminating a carrier layer on a bump forming metal layer; and a surface opposite to the surface of the bump forming metal layer on which the carrier layer is laminated. Forming a resist pattern; etching the bump-forming metal layer using the resist pattern as a mask to form a first member having substantially cone-shaped bumps projecting from the carrier layer; and Forming a second member by laminating an insulating film on the member so that the top of the bump is exposed from the insulating film, and removing the carrier layer from the second member for connecting one wiring film Forming a member; laminating a carrier layer different from the carrier layer on a bump forming metal layer different from the bump forming metal layer; and Carrier layer is stacked Forming a resist pattern different from the resist pattern on a surface opposite to the formed surface, and etching the other bump-forming metal layer using the another resist pattern as a mask to substantially form the other carrier layer. A step of forming another first member on which the conical bump is protruded, and a top portion of the bump of the other first member is exposed from the insulating film of the one wiring film connecting member. Laminating the other first member and the one wiring film connecting member to form a second member different from the second member; and from the second member to the other carrier And a step of removing a layer and forming a new inter-wiring-film connecting member in which substantially conical bumps are embedded in an insulating film.
請求項8の多層配線基板の製造方法は、 略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された配線膜間接続用部材に導電膜を形成する工程と、該導電膜の上にメッキにより配線パターンを形成する工程と、クイックエッチングにより前記導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。
請求項9の配線膜間接続用部材は、略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された部材が複数枚、夫々のバンプが重なるように積層されていることを特徴とする。
The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 8 includes: a step of forming a conductive film on a member for connecting between wiring films in which substantially conical bumps are embedded in an insulating film; and a wiring pattern by plating on the conductive film And a step of removing the conductive film by quick etching.
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a member for connecting between wiring films, wherein a plurality of members each having a substantially conical bump embedded in an insulating film are laminated so that the bumps overlap each other.
請求項1の多層配線基板の製造方法によれば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したキャリアの一方の主面に形成した層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層した後、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、その除去面に別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化するので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができる。従って、その分コストが低く抑えられる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, an insulating film for interlayer insulation formed on one main surface of a carrier in which a plurality of substantially conical bumps are formed on one main surface, the insulating film itself Is laminated so as to penetrate the bumps, and then a metal foil for wiring film formation is laminated on the surface of the insulating film opposite to the carrier, the carrier is removed, and another wiring film is formed on the removal surface. Since the above metal foil is laminated to integrate the bump, insulating film, and two metal foils for forming a wiring film, a wiring board having a wiring film on both sides is used as a general-purpose product, such as a cheap copper foil. Can be manufactured as. Accordingly, the cost can be kept low accordingly.
そして、2つの配線膜形成用金属箔銅箔を2回に分けて別々のプレスにより積層するので、1回目の積層の際には層間絶縁用絶縁膜とキャリアとの二つの部材によりバンプ相互の位置関係を規定してその配線膜形成用金属箔に一体化することができ、バンプ相互間の位置関係のずれを極めて小さくすることができる。そして、そのバンプ相互の位置関係が上記配線膜形成用金属箔により規定された状態で別の配線膜形成用金属箔のプレスによる積層を行うので、その位置関係についての高い精度を維持しながら配線基板の形成ができるのである。 And, since the two metal foil copper foils for wiring film formation are laminated by separate presses in two times, the two layers of the insulating film for interlayer insulation and the carrier are used in the first lamination. The positional relationship can be defined and integrated with the metal foil for forming the wiring film, and the deviation of the positional relationship between the bumps can be extremely reduced. Then, the lamination of the metal foil for forming another wiring film is performed in a state where the positional relationship between the bumps is defined by the metal foil for forming the wiring film, so that the wiring is maintained while maintaining high accuracy with respect to the positional relationship. A substrate can be formed.
請求項2の多層配線基板の製造方法によれば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成した層間絶縁膜となるキャリアを用意し、更に該バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して一体化するので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができる。従って、その分コストが低く抑えられる。そして、キャリアをそのまま層間絶縁膜として用いるので、キャリアを無駄にしなくて済み、延いては、材料費の節減を図ることができる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項3の多層配線基板の製造方法によれば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができるのみならず、配線膜形成用金属箔にバンプを形成した部材に積層する層間絶縁用の絶縁膜に予め上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成しておくので、該絶縁膜を積層する際に、該絶縁膜がバンプにスムーズに貫通され、その際に生じる絶縁膜形成材料によるゴミ、カスによる汚染をより少なくすることができる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項4の多層配線基板の製造方法によれば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができるのみならず、層間絶縁用絶縁膜を、バンプ対応孔を形成した型を介して、バンプのある配線膜形成用金属箔に上記バンプ対応孔と上記バンプとを位置整合した状態でプレスして積層するので、該絶縁膜を積層する際に、該絶縁膜がバンプ対応孔を有する型とバンプとにより鋭く貫通され、その際に生じる絶縁膜形成材料により生じるゴミ、カスを低減することができ、汚染をより少なくすることができる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項5の多層配線基板の製造方法によれば、請求項10記載の多層配線基板の製造方法において、バンプ対応孔を形成した型として、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、該樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去るようにするので、樹脂フィルムを取り去ることにより型を貫通に際して生じたゴミもろとも取り去ることができる。従って、よりゴミ、カスを低減することができ、汚染をより少なくすることができる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to
請求項6の多層配線基板の製造方法によれば、バンプをその配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くすることができる。即ち、通常、選択的エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッチング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バンプの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が大きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、本多層配線基板の製造方法によれば、厚いバンプ形成用銅箔の両面からのハーフエッチング(異時又は同時のハーフエッチング)によりハーフバンプを形成し、二つのハーフバンプの組み合わせにより一つのバンプを形成することとするので、少ないサイドエッチング量で高いバンプを形成することができるのである。 According to the multilayer wiring board manufacturing method of the sixth aspect, the bumps can be made high without restricting increasing the arrangement density. That is, the selective etching usually involves side etching, and the side etching amount is approximately proportional to the etching depth. Therefore, the side etching amount is increased as the bumps are higher, and the integration density is lowered. However, according to the manufacturing method of this multilayer wiring board, half bumps are formed by half etching (different or simultaneous half etching) from both sides of a thick bump forming copper foil, and one half bump is formed by combining two half bumps. Since bumps are formed, high bumps can be formed with a small amount of side etching.
請求項7の配線膜間接続用部材の製造方法によれば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができ、その分コストが低く抑えられるのみならず、エッチングレジストパターンのピッチの限界を越えて更に小さなピッチでバンプを配置することができるという効果がある。 According to the method for manufacturing a member for connecting wiring films according to claim 7, a wiring board having wiring films on both surfaces can be manufactured using a normal copper foil or the like that is inexpensive as a general-purpose product, and the cost accordingly. Not only can be kept low, but also the bumps can be arranged with a smaller pitch beyond the limit of the pitch of the etching resist pattern.
請求項8の多層配線基板の製造方法によれば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができ、その分コストが低く抑えられるのみならず、絶縁膜の両側にセミアディティブ法の特徴である微細パターンを形成することができるという効果がある。
請求項9の配線膜間接続用部材によれば、バンプを高くしてもファインピッチを維持することができるという効果がある。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 8, a wiring board having wiring films on both sides can be manufactured using a normal copper foil or the like which is inexpensive as a general-purpose product, and the cost is reduced accordingly. In addition, there is an effect that a fine pattern which is a feature of the semi-additive method can be formed on both sides of the insulating film.
According to the wiring film connecting member of the ninth aspect, there is an effect that the fine pitch can be maintained even if the bumps are raised.
本発明の最良の形態は、例えば樹脂からなるキャリアの一方の主面に、例えば銅からなる略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の例えば樹脂からなる絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に例えば銅からなる配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の例えば銅からなる配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化するというものである。 In the best mode of the present invention, for example, one main surface of a carrier made of resin is prepared by forming a plurality of substantially conical bumps made of, for example, copper, and interlayer insulation is formed on the one main surface of the carrier. An insulating film made of resin, for example, is laminated so that the insulating film itself penetrates the bumps, and a metal foil for forming a wiring film made of copper, for example, is laminated on the surface of the insulating film opposite to the carrier. And removing the carrier, and laminating a wiring film forming metal foil made of, for example, copper different from the wiring film forming metal foil on the surface of the insulating film from which the carrier has been removed, Two metal foils for forming a wiring film are integrated.
以下、本発明の詳細を図示実施例に基いて説明する。
図1(A)〜(H)は第1の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法を工程順に示す断面図ものである。
Hereinafter, the details of the present invention will be described based on illustrated embodiments.
FIGS. 1A to 1H show a first embodiment, and are sectional views showing a method of forming a multilayer wiring board in the order of steps.
(A)先ずバンプ形成用金属層たる銅箔12に接着剤を介してあるいは直接ラミネートすることにより、キャリヤ層たる第1の樹脂フィルム13を積層(接着)する(図1(A))。銅箔12の厚さは任意で、形成しようとするバンプ14の高さに対応して定められるが、例えば厚さ100μmとされる。なお、第1の樹脂フィルム13に代え、例えばアルミニウムなどから成る金属箔をキャリヤ層として銅箔12に積層しても良い。
(A) First, a
(B)次に、銅箔12の二面のうち前記第1の樹脂フィルム13が積層された面ではない方の面に、バンプ形成のためのエッチングレジストパターン16を形成する(図1(B))。
(C)次に、このエッチングレジストパターン16をマスクとして、銅箔12をエッチングする。
(B) Next, an etching resist
(C) Next, the
これで、第1の樹脂フィルム13に略コニーデ状のバンプ14が突設された第1の部材17が形成される(図1(C))。バンプ14の大きさは任意であるが、例えば高さ100μmの場合、頂部の直径100μm、裾の部分の直径150μmなどとされる。
Thus, the
(D)次に、配線板の絶縁膜に相当する絶縁膜たる第2の樹脂フィルム18を第1の部材17のバンプ14が突設されている側から当設する(図1(D))。この第2の樹脂フィルム18の厚さも任意であるが、例えば50μmとされる。また、素材としては熱可塑性樹脂、例えば液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂または熱硬化性樹脂のBステージ状態のエポキシプリプレグなども好適である。
(E)次に、バンプ14の頂部が露出するように、この第2の樹脂フィルム18に第1の部材17を積層して第2の部材19を形成する(図1(E))。
(D) Next, a
(E) Next, the
尚、第2の樹脂フィルム18の第1の部材17への積層は、具体的には例えば図2(A)〜(C)に示すような手順で行なう。即ち、先ず第2の樹脂フィルム18を第1の部材17のバンプ14が突設されている側から当接する(図2(A))。次いで、この第2の樹脂フィルム18を砥石21でこする(図2(B))。これにより、バンプ14の頂部にあたる部分の樹脂が研磨除去され、第2の樹脂フィルム18に食い込んで行き、やがてこの第2の樹脂フィルム18を突き破り、バンプ14の頂部が第2の樹脂フィルム18から露出した状態になる。なお、砥石21の代りに研磨ローラ等を用いても良い。
In addition, the lamination | stacking to the
(F)次に、バンプが樹脂フィルム18に食い込み、保持されたら、この第2の部材19から第1の樹脂フィルム13を剥離する(図1(F))。これで略コニーデ状のバンプ14が絶縁膜たる第2の樹脂フィルム18に埋設配置された配線膜間接続用部材22が形成される。尚、図1(F)に示すような配線膜間接続用部材22、即ち、略コニーデ状のバンプ14の裾の部分(基部)が第2の樹脂フィルムから突出する配線膜間接続用部材22ではなく、図1((F‘)に示すような配線膜間接続用部材22、即ち、バンプ14の頂部が第2の樹脂フィルム18から突出する配線膜間接続用部材22を得るようにすることもできる。
(F) Next, when the bumps bite into the
図3(A)〜(C)はその図1(F‘)に示すような配線膜間接続用部材22を得る方法を示す。具体的には、図3(A)に示す状態(図1(C)に示す状態と同じ)にし、その後、第2の樹脂フィルム18に弾力性のあるシート、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、紙、ポリ塩化ビニデンあるいはゴムのシート70を配置し、全面をプレスして図3(B)に示す状態にし、その後、そのシート70及び第1樹脂フィルム13を除去して図3(C)に示す状態にする。すると、図1(F’)に示す配線膜間接続用部材22を得ることができる。
3A to 3C show a method of obtaining the wiring
また、樹脂フィルム18として、予めドリルあるいはパンチングあるいはレーザ光で、穴をあける方法により、所定位置に穴あけしたものを用いて図1(F’)に示す配線膜間接続用部材22を得るようにしても良い。図4(A)〜(C)はそのような配線膜間接続用部材22を得る方法を示すものである。即ち、図1(D)に示す工程、図2に示す工程では第2の樹脂フィルム18として孔のないものを用意するが、本方法では、図4(A)に示すように、各バンプ14に対応する位置に、そのバンプ14の少なくとも基部(裾野部分)の径よりも小さい径の孔71を形成したものを第2の樹脂フィルム18として用意する。
Further, as the
その後、その第2の樹脂フィルム18をバンプ14が形成された第1の樹脂フィルム13上に、その各孔71と各バンプ14を対応するように位置合わせして常温下による圧着、或いは熱圧着により、一体化する。図4(B)はその一体化後の状態を示す。しかる後、図4(C)に示すように、第1の樹脂フィルム13を剥離する。このような方法によっても図1(F’)に示すような配線膜間接続用部材22を得ることができる。
After that, the
次に、図1(F)に示す工程の次の工程(G)から説明を続ける。
(G)2枚の配線膜形成用銅箔23を配線膜間接続用部材22の両側から当接する(図1(G))。
(H)次に、これら配線膜形成用銅箔23及び配線膜間接続用部材22を、例えば液晶ポリマーの場合300゜C以上の高温でプレスする(図1(H))。これにより、各配線膜形成用銅箔23と同じ銅からなるバンプ14とは、同種金属同士ということで堅固に接合し(Cu−Cu接合)、良好な導通状態が実現される。
Next, the description will be continued from the step (G) next to the step shown in FIG.
(G) The two copper foils 23 for wiring film formation are contacted from both sides of the wiring film connecting member 22 (FIG. 1G).
(H) Next, the wiring film forming
(変形例)
図5(A)〜(C)は第1の実施例の変形例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)先ず、図5(A)に示すように、三層構造の樹脂フィルム18aを用意する。該樹脂フィルム18aは、芯材を成すポリイミドフィルム181の両面に熱可塑性ポリイミド或いはエポキシ変性熱硬化接着材等熱圧着のできるポリイミドフィルム182、182を接着してなるものである。本変形例は、層間絶縁膜となる第2の樹脂フィルム18に代えて三層構造の樹脂フィルム18aを用いることが図1に示す第1の実施例の製造方法との違いの一つである。
(Modification)
FIGS. 5A to 5C show modifications of the first embodiment, and are cross-sectional views sequentially showing the steps of the method of manufacturing the wiring board.
(A) First, as shown in FIG. 5A, a
(B)次に、図5(B)に示すように、配線膜形成用銅箔23の一方の主面にバンプ14、14、・・・を形成した部材17aを、そのバンプ14、14、・・で上記三層構造の樹脂フィルム18aを貫通するように該樹脂フィルム18aの一方の主面に積層して熱圧着する。尚、上記部材17aは、例えば、樹脂フィルム上にバンプ形成用の銅箔を積層し、該銅箔を選択的にエッチングし、その後、配線膜形成用銅箔を上記樹脂フィルムと反対側の面に加圧して積層し、しかる後、該樹脂フィルムを除去するというような方法でつくることができる。
(B) Next, as shown in FIG. 5 (B), a
(C)次に、図5(C)に示すように、樹脂フィルム18aの上記配線膜形成用銅箔23が積層された側と反対側の面に、別の配線膜形成用銅箔23を積層し熱圧着する。すると、変形例の配線基板11’ができる。このように、図1に示す配線基板11には図5(C)に示すような変形例11’がある。
(C) Next, as shown in FIG. 5C, another wiring film forming
なお、配線膜形成用銅箔23及び配線膜間接続用部材22等に対するプレスは、例えば図6に示すように二つの高温ローラ24の間を通す形で実行しても良い。こうするとプレスが連続的に実行され、生産効率を高めることが可能になる。このあと、従来の場合と同様に配線膜形成用銅箔23をエッチングし、所要の配線パターンを形成する(不図示。図26(G)に示す従来の多層配線基板のようになる。)。なお、図1(G)、(H)に示す工程において図1(F)に示す配線膜間接続用部材22に代えて、図1(F’)に示す配線膜間接続用部材22を用いるようにしても良いことはいうまでもない。また、図5に示す変形例或いはそれより後で述べる各種積層についても図6に示すローラを用いることができる。
In addition, you may perform the press with respect to the
図7(A)〜(E)は本発明の第2の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)図1(A)〜(C)に示す方法によって図1(C)に示す第1の部材17をつくる。13は第1の樹脂フィルム、14は該第1の樹脂フィルム13に突設された略コニーデ状のバンプである。
FIGS. 7A to 7E show a second embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing the steps of the method for manufacturing a wiring board.
(A) The
ここで、簡単に、図1(A)〜(C)に示す方法を説明する。バンプ形成用金属層たる銅箔12にキャリヤ層たる第1の樹脂フィルム13を積層(接着)し、銅箔12の二面のうち前記第1の樹脂フィルム13が積層された面ではない方の面に、バンプ形成のためのエッチングレジストパターン16を形成し、その後、このエッチングレジストパターン16をマスクとして、銅箔12をエッチングする。すると、図7(A)[図1(C)]に示す第1の部材17が出来上がる。
Here, the method shown in FIGS. 1A to 1C will be briefly described. The
(B)次に、配線板の絶縁膜に相当する絶縁膜たる第2の樹脂フィルム18を第1の部材17のバンプ14が突設されている側から当接し、バンプ14の頂部が露出するように、この第2の樹脂フィルム18に第1の部材17を積層して第2の部材19を形成する。図7(B)はその第2の部材19形成後の状態を示す。この場合、第2の樹脂フィルム18を第1の樹脂フィルム13に密着するように積層する。それは、例えば、前述の図4(A)、(B)に示す方法により、容易に為し得る。
(B) Next, the
(C)次に、配線膜形成用銅箔23aを、第2の部材19の第1の樹脂フィルム13が形成された側と反対側にあてがい、該樹脂フィルム13にプレスすることにより積層する。図7(C)はその積層後の状態を示す。
(D)次に、図7(D)に示すように、第1の樹脂フィルム13を剥離する。
(E)その後、その樹脂フィルム13を剥離した面に配線膜形成用銅箔23bをあてがい、その状態で第2の部材19にプレスにより積層する。すると、図7(E)に示すように、第2の実施例の多層配線基板11aが出来上がる。
(C) Next, the wiring film forming
(D) Next, as shown in FIG. 7D, the
(E) Thereafter, the
このように、第2の部材19に対して樹脂フィルム13を除去することなく、該フィルム13の反対側のみに配線膜形成用銅箔23aをプレスし、その後、樹脂フィルム13を除去し、しかる後、その除去した面に2枚目の配線膜形成用銅箔23bをプレスするのは、図1に示す第1の実施例のように部材に対して両方の面側から配線膜形成用銅箔23、23をプレスにより積層する場合に比較して、バンプ14、14の形成位置のバラツキを少なくすることができるからである。
Thus, without removing the
即ち、図1に示す実施例のように、一度に2枚の銅箔23、23を両側からプレスして部材と一体化すると、プレス時におけるバンプ14、14、・・・相互の位置関係が第2の樹脂フィルム18のみによって保持されているに過ぎないので、プレス時に加わる衝撃的加圧力により僅かながらずれが生じ、バンプ14、14、・・・の形成位置に僅かながらバラツキが生じる。従って、バンプ14、14、・・・の位置精度が相当に高いことが要求される場合には、その要求に応えることが難しい場合がある。
That is, as in the embodiment shown in FIG. 1, when the two copper foils 23, 23 are pressed from both sides at a time and integrated with the member, the positional relationship between the
しかし、図7に示す実施例のように、2枚の銅箔23a、23bを2回に分けて別々のプレスにより積層すると、1回目の積層の際には第1の樹脂フィルム13と第2の樹脂フィルム28の2枚の樹脂フィルムによりバンプ14、14、・・・相互の位置関係を規定することができ、バンプ14、14、・・・相互間の位置関係のずれを極めて小さくすることができる。そして、そのバンプ14、14、・・・相互の位置関係が銅箔23aにより規定された状態で銅箔23bのプレスによる積層を行うので、その位置関係についての高い精度を維持しながら配線基板11aの形成ができるのである。従って、工程数が増えるも、バンプ14、14、・・・相互間の位置精度が極めて高いことを要求される場合には、図7に示す製造方法により製造すれば良く、位置精度はそこそこの高さで良く、製造工程を減らして製造コストの低減に対する要求が強い場合には、図1に示す製造方法により製造すればよい。
However, as in the embodiment shown in FIG. 7, when the two
図8(A)〜(D)は本発明の第3の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)図1(A)〜(C)に示すのと同じ方法により、図8(A)に示す、第1の部材17をつくる。13は樹脂フィルム、14、14、・・・は銅からなるバンプである。尚、該樹脂フィルム13は当初はバンプ14、14、・・・の形成にあたっての台としての役割を果たすが、後で層間絶縁膜としての役割を果たし、除去されない。
FIGS. 8A to 8D show a third embodiment of the present invention, and are cross-sectional views sequentially showing the steps of a method for manufacturing a wiring board.
(A) The
(B)次に、樹脂フィルム13の下側に図示しないクッション材を置き、加圧することにより,バンプ14、14、・・・をその樹脂フィルム13を貫通させる。図8(B)はその貫通した状態を示す。これによりその樹脂フィルム13を層間絶縁膜として使用することが可能となる。尚、上記クッション材としては発泡剤、例えば発泡ポリプロピレン、発泡ウレタン、厚手の紙、ゴムシート等が好適である。
(C)次に、図8(C)に示すように、2枚の配線膜形成用銅箔23を配線膜間接続用部材22の両側から当接する。
(B) Next, a cushion material (not shown) is placed on the lower side of the
(C) Next, as shown in FIG. 8C, two wiring film forming copper foils 23 are brought into contact from both sides of the inter-wiring
(D)その後、これら配線膜形成用銅箔23及び配線膜間接続用部材22を高温でプレスする。これにより図8(D)に示すような配線基板11bができる。本配線基板11bの前述の配線基板11及び11aとの違いは、バンプ14、14、・・・の形成の際に台として用いた樹脂フィルム13を、バンプ14、14、・・・形成後も除去することなく層間絶縁膜として用いることにあり、それ故、樹脂フィルム13を無駄に使うことを回避することができ、延いては材料費の節減を図ることができる。
(D) Thereafter, the wiring film forming
図9(A)〜(E)は本発明の第4の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)配線膜形成用銅箔23上に層間絶縁膜となる樹脂フィルム(例えばポリイミド或いはLCPからなる)18を積層した片面銅張り積層板を用意し、該積層板の層間絶縁膜となる樹脂フィルム18の銅箔23を積層した側と反対側の面に保護フィルム13を貼る。図9(A)はその保護フィルム13を貼った後の状態を示す。ここで、保護フィルム13は後で行うデスミア処理によるアタックや表面汚れを防止するために貼られるものである。尚、配線膜形成用銅箔23上の樹脂18としてポリイミド樹脂を用い、更に、該樹脂18として熱可塑性ポリイミド或いはエポキシ変性の熱硬化性接着剤など熱圧着のできるポリイミドを用いるようにしても良い。この例では、熱圧着により保護フィルム13を形成するのである。
FIGS. 9A to 9E show a fourth embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing steps of a method for manufacturing a wiring board.
(A) A single-sided copper-clad laminate in which a resin film (for example, made of polyimide or LCP) 18 serving as an interlayer insulating film is laminated on the wiring film forming
(B)次に、上記保護フィルム13及び樹脂フィルム18にレーザビームによる選択的にバンプ対応孔を形成する。18hはそのバンプ対応孔であり、後でバンプが嵌挿される。その後、デスミア処理を施す。具体的には、レーザビームによる孔開け後、そのバンプ対応孔18hの内底面に露出する銅箔23表面上に残存する有機物を、例えば過マンガン酸カリ溶液等で除去するものである。また、オゾン、プラズマ、サンドブラスト、液体ホーミング等によりドライデスミアをするようにしても良い。図9(B)はその孔開け及びデスミア処理を施した後の状態を示す。尚、レーザビームによる孔開けを行うのではなく、樹脂フィルム18として感光性を付与した樹脂フィルムを用い、露光、現像により選択的に孔開けを行うことによりバンプ対応孔18hを形成するようにしても良い。
(B) Next, bump-corresponding holes are selectively formed in the
(C)次に、図9(C)に示すように、保護フィルム13を除去する。
(D)次に、配線膜形成用銅箔23の一方の主面にバンプ14、14、・・・を形成した部材17aを用意し、該部材17aを、その各バンプ14、14、・・・が上記積層体(銅箔23に樹脂フィルム18を積層してなる積層体)のバンプ対応孔18h、18h、・・・と対応するように位置合わせして積層体の孔形成面に臨ませる。図9(D)はその部材17を積層体に臨ませた状態を示す。
(C) Next, as shown in FIG. 9C, the
(D) Next, a
(E)その後、上記部材17aと上記積層体をプレスにより積層すると、上記樹脂フィルム18を層間絶縁膜とし、その各バンプ対応孔18h、18h、・・・にバンプ14、14、・・・が位置した配線基板11cが出来上がる。図9(E)はその配線基板11cを示す。
(E) Thereafter, when the
このような方法によっても配線基板を得ることができる。このような方法によれば、樹脂フィルム18にバンプ14、14、・・・と対応してそれが通バンプ対応孔18h、18h、・・・を形成したので、バンプ14、14、・・・を樹脂フィルム18中に押し込んで嵌挿する際に生じる樹脂フィルム18によるゴミ、カスによる汚染を軽減することができる。
A wiring board can also be obtained by such a method. According to such a method, the
尚、上位部材17aは、図1(A)〜(C)に示す方法で形成した部材17を用意し、その各バンプ14、14、・・・を対応するバンプ対応孔18h、18h、・・・に嵌合した状態にし、その後、樹脂フィルム13[図1(A)〜(C)における第1の樹脂フィルム13参照]のプレス前にその樹脂フィルム13を剥がし、更に、配線膜形成用銅箔23を重ね、その後、プレスすることによって得ることができる。
As the
また、図9(A)における保護フィルム13としてフォトレジストからなるものを用い、これを感光及び現像することによりパターニングし、そのパターニングされた保護フィルム13をマスクとして樹脂フィルム18をエッチングすることによりバンプ対応孔18h、18h、・・・を形成するようにしても良い。また、本実施例において、樹脂フィルム18として多孔質ポリイミド樹脂(例えば日東電工製)を用いるようにしても良い。というのは、多孔質であることからバンプ14、14、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。即ち、上述したように、多孔性でない通常の樹脂だと、バンプ14、14、・・・で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂が歪み、ゴミ、カスが生じそれが汚染源になるからであり、そのため、前述のように、クリーニング処理が必要となる。しかるに、貫通性が良好だと汚染が少なく、クリーニング処理が簡単で済む、ないしは、不要となる。ところで、多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
Further, the
図10(A)〜(G)は本発明の第5の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。(A)先ず、図10(A)に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム18上に、上型80を積層したものを用意する。該上型80は、金属(例えばSUS等)或いは樹脂からなり、後述するバンプ(14、14、・・・)と対応したバンプ対応孔82、82、・・・を有する。尚、該バンプ対応孔82、82、・・・は、例えば、樹脂フィルム18上に接着された上型80上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストを露光及び現像することによりパターニングしてマスク膜とし、このフォトレジストからなるマスク膜をマスクとして上型80をエッチングすることにより形成することができる。尤も、上型80のバンプ対応孔82、82、・・・の形成は、上型80を樹脂フィルム18上に接着しない段階で行うようにしても良い。
FIGS. 10A to 10G show a fifth embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing the steps of a method for manufacturing a wiring board. (A) First, as shown in FIG. 10 (A), a laminate is prepared in which an
(B)次に、図10(B)に示すように、金属(例えばSUS等)或いは樹脂からなる下型84上にバンプ14、14、・・・を形成した部材17bを用意し、その部材17bのバンプ14、14、・・・形成面の上方に、上記上型80を樹脂フィルム18が下側を向く向きで、且つ各バンプ対応孔82、82、・・・が対応するバンプ14、14、・・・と位置が整合するように位置合わせして臨ませる。
(C)次に、図10(C)に示すように、上記上型80を上記下型84側に加圧して、上記樹脂フィルム18がバンプ14、14、・・・により貫通された状態にする。
(B) Next, as shown in FIG. 10B, a member 17b in which bumps 14, 14,... Are formed on a
(C) Next, as shown in FIG. 10C, the
(D)次に、図10(D)に示すように、上型80を取り去る。尚、ここで、この貫通により樹脂のゴミ、カス等が生じ、それにより樹脂フィルム18表面が汚染されるので、この加圧工程の終了後、クリーニングすることが好ましい。
(E)次に、図10(E)に示すように、下型84を取り去る。
(F)次に、図10(F)に示すように、バンプ14、14、・・・により貫通された樹脂フィルム18の両面に配線膜形成用銅箔23、23を臨ませる。
(G)その後、該配線膜形成用銅箔23、23をその樹脂フィルム18に加圧して積層する。すると、配線基板11dができ上がる。
(D) Next, as shown in FIG. 10 (D), the
(E) Next, as shown in FIG. 10 (E), the
(F) Next, as shown in FIG. 10 (F), the copper foils 23 and 23 for forming a wiring film are allowed to face both surfaces of the
(G) Thereafter, the copper foils 23 and 23 for forming a wiring film are pressed and laminated on the
尚、本実施例においても、上記第4の実施例におけると同様に、樹脂フィルム18として多孔質ポリイミド樹脂(例えば日東電工製)を用いるようにしても良い。
(変形例)
Also in this embodiment, as in the fourth embodiment, a porous polyimide resin (for example, manufactured by Nitto Denko) may be used as the
(Modification)
図11(A)〜(E)は上記図10に示す製造方法の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
(A)先ず、図11(A)に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム18上に上型80aを形成したものを用意する。この上型80aは材料は金属(例えばSUS)或いは樹脂からなる点で、図10に示す製造方法の場合と同じであるが、その場合よりも厚さの薄いものを用いる。具体的には、バンプ14の高さから樹脂フィルム18の厚さを減じた程度の厚さしか有しないものを用いる。
11A to 11E are cross-sectional views showing the main part of the modification of the manufacturing method shown in FIG. 10 in the order of steps.
(A) First, as shown in FIG. 11 (A), an
(B)次に、図11(B)に示すように、上型80aにバンプ14、14、・・・と対応するバンプ対応孔82a、82a、・・・を形成する。バンプ対応孔82a、82a、・・・の形成方法は図10に示す製造方法と同じでよい。
(C)次に、上記上型80a上に、接着剤付きフィルム86を接着する。88はフィルム86の本体、90は接着剤である。この接着剤付きフィルム86は後の工程で樹脂フィルム18をバンプ14、14、・・・で貫通することにより樹脂によるゴミ、カスで汚染されることを軽減するためのものである。
(B) Next, as shown in FIG. 11B, bump corresponding
(C) Next, the adhesive-attached
そして、その接着剤付きフィルム86、それに接着された上型80a及び樹脂フィルム18を,部材17b[下型84の一方の主面にバンプ14、14、・・・が形成されたもの:図10(B)参照]のバンプ14、14、・・・形成面上に、バンプ対応孔82a、82a、・・・がバンプ14、14、・・・と位置が整合するよう位置合わせして臨ませる。図11(C)はその臨ませた状態を示す。
(D)次に、上記上型80を上記下型84に加圧して、上記樹脂フィルム18がバンプ14、14、・・・により貫通された状態にする。図11(D)はその状態を示す。尚、この貫通により樹脂のゴミ、カス等が生じると一応はいえる。
Then, the
(D) Next, the
(E)次に、上記接着剤付きフィルム86を、接着剤90により該フィルム86に接着された上型80aもろとも除去する。すると、上記貫通により生じた樹脂のゴミ、カス等が接着剤付きフィルム86及び上型80aと共に除かれ、樹脂によるゴミ、カス等による配線基板の汚染がほとんどなくなる。図11(E)はその接着剤付きフィルム86及び上型80aの除去後の状態を示す。その後、図10(E)〜(G)に示したと同じ方法で、配線基板11dを得る。このような製造方法によれば、上述したように、樹脂によるゴミ、カス等による配線基板の汚染がほとんどなくなるので、その点で図10に示す方法よりも優れていると言える。
尚、本変形例においても、より汚染を軽減するために、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム18として、多孔質ポリイミド樹脂(例えば日東電工製)を用いるようにしても良い。
(E) Next, the
In this modification as well, in order to further reduce contamination, a porous polyimide resin (for example, manufactured by Nitto Denko) may be used as the
図12(A)〜(E)は本発明の第6の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。本実施例は、図10、図11に示す実施例のものよりもバンプ高さを例えば2倍以上と高くしたものである。
(A)先ず、図12(A)に示すように、得ようとするバンプ高さ(例えば100μm)より適宜厚い(例えば150μm)バンプ形成用銅箔110を用意する。
FIGS. 12A to 12E show a sixth embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing steps of a method of manufacturing a wiring board. In the present embodiment, the bump height is, for example, twice or more higher than that of the embodiment shown in FIGS.
(A) First, as shown in FIG. 12A, a bump forming
(B)次に、図12(B)に示すように、上記バンプ形成用銅箔110の一方の主面から選択的にハーフエッチング(例えば75μmのエッチング)することによりハーフバンプ14a、14a、・・・を形成する。
(C)次に、上記バンプ形成用銅箔110のハーフバンプ14a、14a、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム112を、該ハーフバンプ14a、14a、・・・によって貫通されるように積層し、更に、配線膜形成用銅箔114をその樹脂フィルム112及びハーフバンプ14a、14a、・・・側の面にプレスして一体化する。図12(C)はそのプレスによる一体化後の状態を示す。
(B) Next, as shown in FIG. 12B,
(C) Next, a
(D)次に、上記バンプ形成用銅箔110を他方の面(ハーフバンプ14a形成面と反対側の面)から選択的にハーフエッチング(約75μmのエッチング)することにより上記ハーフバンプ14a、14a、・・・と一体化してバンプ14、14、・・・を成すハーフバンプ14b、14b、・・・を形成する。図12(D)は該ハーフバンプ14b形成後の状態を示す。
(E)上記バンプ形成用銅箔110のハーフバンプ14b、14b、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム112を、該ハーフバンプ14b、14b、・・・によって貫通されるように積層し、更に、配線膜形成用銅箔114をその樹脂フィルム112及びハーフバンプ14b、14b、・・・側の面にプレスして一体化する。図12(E)はそのプレスによる一体化後の状態を示す。
(D) Next, the half bumps 14a, 14a are selectively etched by half etching (about 75 μm etching) from the other surface (surface opposite to the surface on which the half bumps 14a are formed). Are formed as
(E) A
このような配線基板11hは、バンプ14を、その配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くすることができる。即ち、バンプ14の高さが50μm程度の低い配線基板が要求される場合もあれば、それより高い例えば100μm程度のバンプの配線基板が要求される場合もある。高いバンプの配線基板は、厚い銅箔をベースとしてそれを選択的にエッチングすることにより形成することができるが、通常、選択的エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッチング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バンプの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が大きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、厚いバンプ形成用銅箔110の両面からのハーフエッチング(異時又は同時のハーフエッチング)によりハーフバンプ(14a、14b)を形成し、二つのハーフバンプ(14a、14b)の組み合わせにより一つのバンプ14を形成することとすれば、少ないサイドエッチング量で高いバンプ14、14、・・・を形成することができる。従って、バンプ14を、その配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くした配線基板11を得ることができる。
In such a
図13(A)〜(C)は本発明の第7の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。この実施例は、バンプ14のピッチについての限界を、複数回の部材の積層で打破しようとするものである。
(A)先ず、第1の実施例の工程の一部、即ち、図1の(A)〜(F)までを実行し、一つの配線膜間接続用部材22を形成する(図13(A))。
FIGS. 13A to 13C show a seventh embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing the steps of a method for manufacturing a wiring board. In this embodiment, the limit on the pitch of the
(A) First, a part of the steps of the first embodiment, that is, steps (A) to (F) of FIG. 1 are executed to form one wiring film connecting member 22 (FIG. 13A). )).
次に、同じく第1の実施例の工程の一部、即ち、図1の(A)〜(C)までを実行し、別の第1の部材32を形成する(図13(A))。なお、ここで「別の」と断わったのは、上記一つの配線膜間接続用部材22を形成する途中でも第1の部材17が形成されるため(上記図1の(A)〜(F)の途中の(C))、これとは別に形成する第1の部材であるということを明確にするためである(以下同じ。)。
Next, a part of the steps of the first embodiment, that is, (A) to (C) of FIG. 1 are executed to form another first member 32 (FIG. 13 (A)). Here, the reason for refusing “another” is that the
(B)次に、この両者を図13(A)に示すような位置関係で重ね、別の第1の部材32のバンプ14の頂部が一つの配線膜間接続用部材22の第2の樹脂フィルム18から露出するように、この別の第1の部材32と一つの配線膜間接続用部材22とを積層する。これで別の第2の部材33が形成される(図13(B))。
(4)次に、この別の第2の部材33から別の第1の樹脂フィルム34を除去する。これで、略コニーデ状のバンプ14が第2の樹脂フィルム18に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材31が形成される(図13(C))。
(B) Next, both of them are overlapped in the positional relationship as shown in FIG. 13A, and the top of the
(4) Next, the other
この新たな配線膜間接続用部材31のバンプ14のP(:ピッチ)は例えば0.2mmPであり、元になった一つの配線膜間接続用部材22及び別の第1の部材32の各バンプ14のピッチ、例えば0.4mmPの半分となる。なお、積層の向きであるが、例えば図14に示す配線膜間接続用部材36のように、バンプ14の向きが隣同士反対になるように積層しても良い。また、積層の回数も、上記第2の実施例の配線膜間接続用部材31のように1回に限られるものではなく、2回、3回と行なっても良い。また、別の第1の部材32と一つの配線膜間接続用部材22とでバンプ14の直径が異なっていても良い。
The P (: pitch) of the
図15(A)、(B)は本発明の第8の実施例を示すもので、配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。この実施例は一括プレスで多層配線基板41を形成するというものである。
(A)先ず、例えば4枚の各両面配線基板42〜45の間に、3枚の各配線膜間接続用部材46〜48を配置する(図15(A))。
FIGS. 15A and 15B show an eighth embodiment of the present invention, and are sectional views showing a method of manufacturing a wiring board in the order of steps. In this embodiment, the
(A) First, for example, three wiring
(B)次に、これらを高温で一括プレスする。これにより、多層配線基板41が完成する(図15(B))。この場合、4枚の各両面配線基板42〜45は第1の実施例の工程の全部を実行し更に配線膜形成用銅箔23へのパターニングをすることで形成され、3枚の各配線膜間接続用部材46〜48は、第1の実施例の工程の一部(図1(A)〜(F))を実行することで形成される。
(B) Next, these are collectively pressed at high temperature. Thereby, the
図16(A)〜(E)は本発明の第9の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)図16(A)に示すように、三層構造の金属積層体90を用意する。該三層構造の金属積層体90は、例えば100μm程度の厚さのバンプ形成用の銅箔92の表面に、例えば厚さ0.1程度のニッケルからなるエッチングバリア層92を介して配線膜形成用の厚さ例えば18μm程度の銅箔94を積層してなるものである。
FIGS. 16A to 16E show a ninth embodiment of the present invention and are sectional views sequentially showing the steps of a method of manufacturing a wiring board.
(A) As shown in FIG. 16A, a three-layered
(B)上記銅箔94に対する選択的エッチング(フォトレジストを塗布し、該フォトレジストを露光、現像することによりパターニングし、そのパターニングしたフォトレジストをマスクとするエッチング)によりパターニングし、更に、そのパターニングされた銅箔94をマスクとしてエッチングバリア層92をエッチングし、しかる後、樹脂フィルム98を、三層構造の金属積層体90の銅箔94及びエッチングバリア層92側の表面に接着する。図16(B)はその接着後の状態を示す。該樹脂フィルム98として熱や紫外線によって接着力が消失し、且つ、樹脂が他のフィルムに転写しないという性質を有するもの(例えば熱により、粘着性が消失するシートとして、日東電工製、品名:リバアルファ)を使用する。
(B) Selective etching for the copper foil 94 (patterning is performed by applying a photoresist, exposing and developing the photoresist, and then using the patterned photoresist as a mask), and then patterning the pattern. The
(C)次に、図16(C)に示すように、上記バンプ形成用銅箔92をその裏面(下面)側から選択的にエッチングすることによりバンプ14、14、・・・を形成する。
(D)次に、図16(D)に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム18を、上記バンプ14、14、・・・に貫通されるようにして上記樹脂フィルム98に積層した状態にする。
(C) Next, as shown in FIG. 16C, bumps 14, 14,... Are formed by selectively etching the bump forming
(D) Next, as shown in FIG. 16 (D), a state in which the
(E)次に、上記樹脂フィルム98に対して例えば紫外線を照射してその接着力を奪い、除去する。図16(E)はその樹脂フィルム98が除去されてできた配線基板11eを示す。この配線基板11eは、配線基板11、11a〜11dとは配線膜が一方の主面にのみ形成されるという点で大きく異なっている。
(E) Next, the
図17(A)、(B)はそのような配線基板11dを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
(A)先ず、図17(A)に示すように、所定枚数の配線基板11d、11d、・・・を用意し、所定の位置関係で重ね合わせる。
17A and 17B show an example of a manufacturing method in which a large number of
(A) First, as shown in FIG. 17A, a predetermined number of
(B)次に、図17(B)に示すように、上記重ね合わされた所定枚数の配線基板11d、11d、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このように、一方の主面のみに配線膜が形成された配線基板11dを多数枚積層して一体化することによっても高集積度多層配線基板を得ることができる。
(B) Next, as shown in FIG. 17 (B), the predetermined number of
図18(A)〜(E)は本発明の第10の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)先ず、図18(A)に示すように、配線膜形成用銅箔23を接着シート100の一方の主面に接着したものを用意する。
(B)次に、図18(B)に示すように、上記配線膜形成用銅箔23を例えばフォトエッチングによりパターニングすることにより配線膜を形成する。
FIGS. 18A to 18E show a tenth embodiment of the present invention and are sectional views sequentially showing the steps of a method for manufacturing a wiring board.
(A) First, as shown in FIG. 18A, a wiring film forming
(B) Next, as shown in FIG. 18B, the wiring film forming
(C)次に、図18(C)に示すように、上記各配線膜23、23、・・・上に導電ペース膜からなるバンプ14a、14a、・・・を形成する。導電ペーストは、銀或いは銅等の金属粉とバインダと溶剤を混合してペースト化したものである。
(D)次に、図18(D)に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム18を、上記バンプ14a、14a、・・・に貫通されるようにして上記接着シート100に接着した状態にする。
(C) Next, as shown in FIG. 18C, bumps 14a, 14a,... Made of a conductive pace film are formed on the
(D) Next, as shown in FIG. 18D, a state in which the
(E)その後、上記接着シート100を除去する。それにより、図18(E)はその接着シート100が除去されてできた配線基板11fを示す。この配線基板11fは、配線基板11、11a〜11dとは配線膜が一方の主面にのみ形成されるという点で大きく異なっており、また、バンプ14aが導電ペーストから形成されるという点で、配線基板11、11a〜11eの何れとも異なる。
(E) Thereafter, the
図19(A)、(B)はそのような配線基板11fを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
(A)先ず、図19(A)に示すように、所定枚数の配線基板11f、11f、・・・を用意し、所定の位置関係で重ね合わせる。
19A and 19B show an example of a manufacturing method in which a large number of such wiring boards 11f are stacked to obtain a highly integrated multilayer wiring board.
(A) First, as shown in FIG. 19A, a predetermined number of wiring boards 11f, 11f,... Are prepared and overlapped in a predetermined positional relationship.
(B)次に、図19(B)に示すように、上記重ね合わされた所定枚数の配線基板11f、11f、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このように、一方の主面のみに配線膜が形成され、バンプ14aが導電ペーストからなる配線基板11fを多数枚積層して一体化することによっても高集積度多層配線基板を得ることができる。
(B) Next, as shown in FIG. 19 (B), the predetermined number of wiring boards 11f, 11f,... Thus, a highly integrated multilayer wiring board can also be obtained by forming a wiring film only on one main surface and stacking and integrating a large number of wiring boards 11f with
図20(A)〜(D)は本発明の第11の実施例を示すもので、多層配線基板を形成する方法の工程を順に示す断面図であり、この実施例は、配線膜間接続用部材22の両面にセミアディティブ法で配線パターンを形成するものである。
(A)先ずアルミニウムキャリヤ52に担持されている厚さ3μmの銅箔53を配線膜間接続用部材22の両面に積層プレスし、一体化する(図20(A))。
FIGS. 20A to 20D show an eleventh embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view sequentially showing the steps of a method for forming a multilayer wiring board. A wiring pattern is formed on both surfaces of the
(A) First, a
(B)次にエッチングでアルミニウムキャリヤ52を剥離し、配線膜間接続用部材22の両面に積層された銅箔53を露出させる(図20(B))。
(C)次に、所要のパターンの逆のメッキレジストを形成し(図示せず)、これら銅箔53を導電膜として、夫々の銅箔53の表面にメッキにより配線パターン54を形成し、メッキレジストを剥離する(図20(C))。
(B) Next, the
(C) Next, a plating resist reverse to the required pattern is formed (not shown). Using these copper foils 53 as conductive films,
(D)次に、クイックエッチングで前記3μmの銅箔53をエッチング除去する。この際、パターン54は同時にエッチングを受けるが若干量であり、パターンとしては支障はない。これにより、両面に配線パターン54を備えた多層配線基板51が完成する(図20(D))。
(D) Next, the 3
尚、樹脂フィルム18として多孔質ポリイミド樹脂(例えば日東電工製)を用いると良い。というのは、多孔質であることからバンプ14、14、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。即ち、多孔性でない通常の樹脂だと、バンプ14、14、・・・で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂が歪み、ゴミ、カスが生じそれが汚染源となる。しかるに、多孔質の樹脂フィルムを用いると、貫通性がよいので、そのような汚染が少ないのである。尚、多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
A porous polyimide resin (for example, manufactured by Nitto Denko) may be used as the
図21(A)、(B)は第12の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図であり、この実施例はバンプ14を2段重ねにするものである。
(A)先ず、配線膜間接続用部材22を2枚重ねて配置すると共に配線膜となる銅箔23をその上下に配置する(図21(A))。
FIGS. 21A and 21B show a twelfth embodiment, which is a cross-sectional view sequentially showing the steps of the method for forming a multilayer wiring board. In this embodiment, bumps 14 are stacked in two stages. is there.
(A) First, two wiring
(B)次に、これらを一括して高温でプレスする。これでバンプ14が2段重ねにされた多層配線基板61が完成する(図21(B))。元来、バンプを高くしたい場合には、バンプ形成用金属層12の厚みを単に増加させると、バンプの頂部の直径が同じであってもバンプが高い分、裾の直径は大きくなり、結果として、バンプのピッチが大きくならざるを得ない。しかし、この第5の実施例のようにバンプ14を重ねるという手法を用いると、個々のバンプ14の高さが無い分、夫々のバンプ14の裾の部分の直径は細い侭に維持され、結果として、バンプ14のピッチを小さい侭に維持できる。なお、上記実施例においては、2段に重ねるようにしていたが、さらに多段に重ねることも可能である。
(B) Next, these are collectively pressed at high temperature. Thus, the
図22(A)〜(D)は本発明の第13の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
(A)先ず、図22(A)に示すように、三層構造の金属積層体90を用意する。該三層構造の金属積層体90は、例えば100μm程度の厚さのバンプ形成用の銅箔92の表面に、例えば厚さ0.1μm程度のニッケルからなるエッチングバリア層94を介して配線膜形成用の厚さ例えば9μm程度の銅箔96を積層してなるものである。
FIGS. 22A to 22D show a thirteenth embodiment of the present invention and are cross-sectional views sequentially showing steps of a method of manufacturing a wiring board.
(A) First, as shown in FIG. 22A, a three-layer
(B)次に、上記金属積層体90のバンプ形成用の銅箔92に対して選択的エッチング処理を施すことにより図22(B)に示すように、バンプ14、14、・・・を形成する。この場合、上記エッチングバリア層94が配線膜形成用銅箔96のエッチングを阻む。その後、バンプ14、14、・・・間が該エッチングバリア層94を介して電気的に接続された状態を回避するために、該バンプ14、14、・・・をマスクとして該エッチングバリア層94を選択的に除去する。
(B) Next, as shown in FIG. 22B, bumps 14, 14,... Are formed by subjecting the
(C)次に、層間絶縁膜となる、例えばポリイミド樹脂膜或いは熱硬化樹脂等の樹脂膜98を、バンプ14、14、・・・に貫通されるようにして上記積層体90のバンプ形成面に積層する。図22(C)はその積層された状態を示す。
(D)その後、上記配線膜形成用銅箔96に対する選択的エッチング処理を施すことにより、図22(D)に示すように配線膜96を形成して配線基板11hを形成する。
(C) Next, a bump-forming surface of the laminate 90 is formed such that a
(D) Thereafter, a selective etching process is performed on the wiring film forming
上記配線基板11hは、例えばベアチップあるいはウェハバーンインテスト用のコンタクタとして最適である。図23は該配線基板11hをウェハバーンイン用コンタクタとして使用している状態を示す断面図であり、同図において、100は半導体ウェハ、102、102、・・・はそのI/O電極、104はテスト回路側のコネクタ、16、106、・・・はその端子で、該端子106、106、・・・とウェハ100の電極102、102、・・・との間にコンタクタとして配線基板11hが介在し、その間の電気的接続状態をバーンインテストの間維持する。
The
尚、上記ポリイミド樹脂として多孔質ポリイミド樹脂(例えば日東電工製)を用いても良い。というのは、多孔質であることからバンプ14、14、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
A porous polyimide resin (for example, manufactured by Nitto Denko) may be used as the polyimide resin. This is because, since it is porous, the penetrability by the
図24(A)〜(D)は第14の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。本実施例は、配線膜間接続用部材22として、各バンプ14の上下両端部が第2の樹脂フィルム18上下両面から突出したものを用い、その部材22の上下両面に絶縁性樹脂フィルム72の一方の表面に配線膜73を形成したものを2枚積層して両面に配線膜73を有する多層配線基板を得る方法である。
FIGS. 24A to 24D show a fourteenth embodiment and sequentially show the steps of the method of forming the multilayer wiring board. In this embodiment, as the wiring
(A)図24(A)に示すように、シート(絶縁性であっても金属であっても良い)72に配線膜となる例えば銅等の金属箔73を積層したものを用意する。
(B)次に、上記金属箔73を選択的にエッチングすることによりパターニングして配線膜73を形成する(図24(B)。これにより片面のみに配線膜73が形成された片面配線板74を得る。
(A) As shown in FIG. 24A, a sheet (which may be insulative or metal) 72 is laminated with a
(B) Next, the
(C)次に、図24(C)に示すように、配線膜間接続用部材として、各バンプ14の上下両端部が第2の樹脂フィルム18上下両面から突出したもの22と、図24(A)、(B)に示すようにして得た片面配線板74を2枚用意し、その配線膜間接続用部材22の両面に、上記片面配線板74、74を、その配線膜73を部材22側を向く向きにして臨ませ、位置合わせ(バンプ14と、各片面配線板74及び74の配線膜73及び73との間の位置関係を所定通りにする位置合わせ)して臨ませる。
(C) Next, as shown in FIG. 24C, the upper and lower ends of each
(D)次に、常温下或いは熱圧着により上記配線膜間接続用部材22及び片面配線板74、74を一体化する。すると、各片面配線板74の配線膜73の表面と第2の樹脂フィルム18の表面とが同一平面上に位置するように一体化した、即ち、配線膜73をその表面が樹脂フィルム18の表面と同一平面上に位置するように埋め込んだ両面に配線膜43を有する多層配線基板を得る。その後、上記上下両面のシート72、72の剥離して除去する。図24(D)はその剥離後の状態を示す。
(D) Next, the wiring
図24(D)に示す両面配線を有する多層配線基板は、配線膜73のある両面に凹凸がないので、即ち、平坦なので、反りがでにくく、ソルダーレジスト膜の形成が容易になり、ソルダーレジスト膜の欠陥も生じにくく、良好なソルダーレジスト膜の形成が可能になる。また、このような多層配線基板に他の一又は複数の配線基板を積層してより層数の覆い多層配線基板を得るような場合に、その多層配線基板として両面が平坦なものを用いることはその積層を容易にし、信頼性、品質を高める要因になる。
The multilayer wiring board having the double-sided wiring shown in FIG. 24D has no unevenness on both sides with the
図25(A)〜(C)は第15の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。本実施例は、コアとなる配線基板としてスルーホールを有する多層配線基板を用意し、その両面に、バンプを有する配線間接続部材を積層し、その表面の金属箔を選択的にエッチングして配線膜を形成するというものである。
(A)図25(A)に示すように、コアとなる多層配線基板としてスルーホールを有するもの75と、図1(G)に示す配線膜間接続用部材22を2枚と、配線膜となる金属箔23を2枚用意し、コアとなる多層配線基板75の両面に配線膜間接続用部材22、22を位置合わせして臨ませ、更に、その配線膜間接続用部材22、22の外側に金属箔23、23を臨ませる。
FIGS. 25A to 25C show a fifteenth embodiment and sequentially show the steps of a method for forming a multilayer wiring board. In this embodiment, a multi-layer wiring board having through holes is prepared as a wiring board to be a core, inter-wiring connecting members having bumps are laminated on both surfaces, and the metal foil on the surface is selectively etched to perform wiring. A film is formed.
(A) As shown in FIG. 25 (A), a
ここで、上記コアとなる配線基板75について説明する。77は絶縁板、78は該絶縁板77に形成された貫通孔、79は該貫通孔77の表面に形成された、上下配線間接続用配線膜で、例えばメッキ膜からなり、所謂スルーホール、ビアホール形成技術として公知の技術により形成することができる。
(B)次に、上記コアとなるスルーホールを有する多層配線基板75と、配線膜間接続用部材22を2枚と、配線膜となる金属箔23を2枚を、常温下における圧着或いは加熱による圧着により、図25(B)に示すように一体化する。
Here, the
(B) Next, the
(C)次に、図25(C)に示すように、上下両面の金属箔23、23をフォトエッチングすることにより配線膜とする。これにより、4層の配線基板が出来上がる。
このような、実施の形態によれば、コアとして従来の一般的な方法により製造された機械的強度を充分に確保できる多層配線基板75を用い、それに上記配線膜間接続用部材22、22を利用した多層配線化技術を適用して、厚くて強度の強い多層配線基板を得ることができる。
(C) Next, as shown in FIG. 25C, the metal foils 23, 23 on both the upper and lower surfaces are photoetched to form a wiring film. As a result, a four-layer wiring board is completed.
According to such an embodiment, the
本発明は、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法に広く産業上の利用可能性がある。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has wide industrial applicability to a multilayer wiring board manufacturing method, a wiring film connecting member used therefor, and a manufacturing method therefor.
11…多層配線基板、12…銅箔、13…第1の樹脂フィルム、14…バンプ、
16…エッチングレジストパターン、17…第1の部材、
18…第2の樹脂フィルム(層間絶縁用絶縁膜)、19…第2の部材、
21…砥石、22…配線膜間接続用部材、23…配線膜形成用金属(銅)箔、
24…高温ローラ、31…配線膜間接続用部材、32…別の第1の部材、
33…別の第2の部材、34…別の第1の樹脂フィルム、36…配線膜間接続用部材、 41…多層配線基板、42〜45…両面配線基板、46〜48…配線膜間接続用部材、
51…多層配線基板、52…アルミニウムキャリヤ、53…銅箔、54…配線パターン、 61…多層配線基板、72…キャリア、73…銅箔、
75…スルーホールを有する配線板。80…型(上型)、82…バンプ対応孔、
84…型(下型)、86…接着剤付き樹脂、110…バンプ形成用金属箔、
112…層間絶縁用絶縁膜、114…配線膜形成用金属箔。
DESCRIPTION OF
16 ... etching resist pattern, 17 ... first member,
18 ... 2nd resin film (insulating film for interlayer insulation), 19 ... 2nd member,
21 ... Grinding stone, 22 ... Member for connecting between wiring films, 23 ... Metal (copper) foil for forming wiring films,
24 ... high temperature roller, 31 ... member for connecting between wiring films, 32 ... another first member,
33 ... Another second member, 34 ... Another first resin film, 36 ... Wiring film connecting member, 41 ... Multi-layer wiring board, 42-45 ... Double-sided wiring board, 46-48 ... Wiring film connecting Materials,
51 ... Multilayer wiring board, 52 ... Aluminum carrier, 53 ... Copper foil, 54 ... Wiring pattern, 61 ... Multilayer wiring board, 72 ... Carrier, 73 ... Copper foil,
75: A wiring board having through holes. 80 ... mold (upper mold), 82 ... bump corresponding hole,
84 ... Mold (lower mold), 86 ... Resin with adhesive, 110 ... Metal foil for bump formation,
112 ... Insulating film for interlayer insulation, 114 ... Metal foil for forming a wiring film.
Claims (9)
上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、
上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、
上記キャリアを除去し、
上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 Prepare one with multiple conical-shaped bumps on one main surface of the carrier,
Laminating an insulating film for interlayer insulation on the one main surface of the carrier so that the insulating film itself penetrates the bump,
Laminating a metal foil for forming a wiring film on the surface of the insulating film opposite to the carrier,
Remove the carrier,
A wiring film forming metal foil different from the wiring film forming metal foil is laminated on the surface of the insulating film from which the carrier has been removed, and the bump, the insulating film, and the two wiring film forming metal foils are integrated. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
上記バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、
上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該キャリア、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 Prepare one that has a plurality of bumps in the shape of a conical shape on one main surface of the carrier that will be the interlayer insulation film,
The bumps penetrate the carrier,
A method for producing a multilayer wiring board, comprising: laminating a metal foil for forming a wiring film on both surfaces of the carrier, and integrating the carrier, the bump, and the two metal foils for forming a wiring film.
上記二つの部材を、上記一方の部材の各バンプが他方の部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位置整合するように位置合わせして積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A member having a plurality of bumps formed on one main surface of one metal foil for forming a wiring film and an insulating film for interlayer insulation are stacked on one main surface of another metal foil for forming a wiring film. Prepare a member in which a plurality of bump corresponding holes corresponding to the plurality of bumps are formed in the film,
The two members are aligned and laminated so that each bump of the one member is aligned with each corresponding bump hole corresponding to that of the other member, and the bump, insulating film, and two wiring films are formed. A method for producing a multilayer wiring board, comprising integrating a metal foil.
上記バンプを形成した部材のそのバンプを形成した側に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上記バンプ対応孔と上記バンプとの対応するもの同士が位置整合するようにあてがい、
上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにし、
上記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A member having a plurality of bumps formed on one main surface of one mold and another mold on one main surface of an insulating film for interlayer insulation, and corresponding bump holes corresponding to the bumps are formed on the mold. Prepare the parts
Apply the insulating film of the other member to the bump forming side of the member on which the bump is formed so that the corresponding ones of the bump corresponding hole and the bump are aligned with each other,
Applying pressure to the two molds so that the insulating film penetrates the bumps,
After removing the two molds, a metal foil for forming a wiring film is laminated on both surfaces of the insulating film, and the insulating film, the bump, and the two metal foils for forming a wiring film are integrated. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにした後、上記二つの型の取り去りの際、上記樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去る
ことを特徴とする請求項4記載の多層配線基板の製造方法。 As the mold in which the bump-corresponding hole is formed, a type in which a resin film with an adhesive is adhered to the surface opposite to the insulating film of the mold with the adhesive,
After applying pressure to the two molds so that the insulating film penetrates the bumps, when removing the two molds, the mold having the bump corresponding holes is removed by peeling the resin film. It removes through the said adhesive agent. The manufacturing method of the multilayer wiring board of Claim 4 characterized by the above-mentioned.
上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、
上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッチングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、
上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 Forming a plurality of half bumps by half-etching from one main surface side of the metal foil for bump formation;
Laminating an insulating film for interlayer insulation on the one main surface of the bump forming metal foil so as to be penetrated by the half bumps;
Laminating a metal foil for forming a wiring film connected to the half bumps on the surface of the insulating layer;
Forming a plurality of half bumps that form a bump by integrating with the half bump by half etching from the other main surface side of the bump forming metal foil; and
Laminating an insulating film for interlayer insulation on the other main surface of the bump forming metal foil so as to be penetrated by the half bumps;
Laminating a metal foil for forming a wiring film connected to the half bumps on the surface of the insulating layer;
A method for producing a multilayer wiring board, comprising:
前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された第1の部材を形成する工程と、
該第1の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部が露出するように積層し第2の部材を形成する工程と、
該第2の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜間接続用部材を形成する工程と、
前記バンプ形成用金属層とは別のバンプ形成用金属層に前記キャリヤ層とは別のキャリヤ層を積層する工程と、
前記別のバンプ形成用金属層の前記別のキャリヤ層が積層された面とは反対の面に前記レジストパターンとは別のレジストパターンを形成する工程と、
前記別のレジストパターンをマスクとして前記別のバンプ形成用金属層をエッチングし前記別のキャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された別の第1の部材を形成する工程と、
該別の第1の部材のバンプの頂部が前記一つの配線膜間接続用部材の絶縁膜から露出するように該別の第1の部材と前記一つの配線膜間接続用部材とを積層し前記第2の部材とは別の第2の部材を形成する工程と、
該第2の部材から前記別のキャリヤ層を除去し略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線膜間接続用部材の製造方法。 Laminating a carrier layer on the bump forming metal layer;
Forming a resist pattern on a surface opposite to the surface on which the carrier layer of the bump forming metal layer is laminated;
Etching the bump-forming metal layer using the resist pattern as a mask to form a first member in which a substantially cone-shaped bump protrudes from the carrier layer;
Stacking an insulating film on the first member so that the top of the bump is exposed from the insulating film, and forming a second member;
Removing the carrier layer from the second member to form one wiring film connecting member;
Laminating a carrier layer different from the carrier layer on a bump forming metal layer different from the bump forming metal layer;
Forming a resist pattern different from the resist pattern on a surface opposite to the surface on which the another carrier layer of the another bump forming metal layer is laminated;
Etching the other bump forming metal layer using the other resist pattern as a mask to form another first member having substantially conical bumps protruding from the other carrier layer;
The another first member and the one wiring film connecting member are laminated so that the tops of the bumps of the other first member are exposed from the insulating film of the one wiring film connecting member. Forming a second member different from the second member;
Removing the other carrier layer from the second member to form a new inter-wiring film connecting member in which substantially conical bumps are embedded in the insulating film;
A method for producing a member for connecting between wiring films, comprising:
該導電膜の上にメッキにより配線パターンを形成する工程と、
クイックエッチングにより前記導電膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 Forming a conductive film on a wiring film connecting member in which substantially conical bumps are embedded in an insulating film; and
Forming a wiring pattern by plating on the conductive film;
Removing the conductive film by quick etching;
A method for producing a multilayer wiring board, comprising:
ことを特徴とする配線膜間接続用部材。 A member for interconnecting wiring films, wherein a plurality of members each having a substantially conical-shaped bump embedded in an insulating film are laminated so that each bump overlaps.
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KR100894178B1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-22 | 삼성전기주식회사 | Method for manufacturing printed circuit board |
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KR100894180B1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-22 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of printed circuit board |
JP2014501450A (en) * | 2010-12-24 | 2014-01-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Printed circuit board |
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