JP2006312148A - 分子マクロクラスターの形成方法と高分子薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体基板上への分子マクロクラスターの形成方法であって、少くとも次の手順を含むこととする。
<A>表面に水素結合性の官能基を持たない固体基板に水素結合性の官能基を持つ化合物を吸着させ、表面が水素結合性の官能基で覆われた分子膜を形成し、
<B>非水素結合性の溶媒と水素結合性の化合物との溶液を前記分子膜と接触させ、水素結合性の化合物が水素結合で組織化された分子マクロクラスターを形成させる。
【選択図】なし
Description
コロイドおよび界面化学討論会講演要旨集、Vol.55, p.355 (2002年)
<B>非水素結合性の溶媒と水素結合性の化合物との溶液を前記分子膜と接触させ、水素結合性の化合物が水素結合で組織化された分子マクロクラスターを形成させる。
HS−R−X
(式中のRは炭化水素鎖を示し、Xは、−OH、−COOH、−CONH2、−CONHR0、−NH2、−NHR0を示し、R0は炭化水素基を示す。)
で表わされる1種以上のものである。
HS−R−X
で示されるものがある。ここでRは炭化水素鎖であって、鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素鎖や、脂環式環あるいは芳香環を含む炭化水素鎖等であってよい。たとえば−(CH2)n−:n=5〜14等のものが例示される。
水素結合性の官能基の一つである水素基を有する化合物としてHS(CH2)10CH2OH、HSCH2CH2OHをそれぞれ吸着した金基板と、非水素結合性の官能基であるメチル基を有する化合物としてHS(CH2)17CH3を修飾した金基板を作製した。これら3種類の金基板をエタノール/シクロヘキサン混合溶液に浸漬して、各々の濃度で表面プラズモン共鳴がおきる共鳴角を測定した。図1には、HS(CH2)10CH2OH、HSCH2CH2OH、HS(CH2)17CH3で修飾した金基板に対するΔθのエタノール/シクロヘキサン混合溶液中でのエタノール濃度依存性を示した。ここで、Δθは、シクロヘキサンの表面プラズモンの共鳴角とエタノール/シクロヘキサン混合溶液中の表面プラズモンの共鳴角の差である。非水素結合性の官能基であるメチル基で表面が覆われた金基板のΔθの変化量は、2mol%で0.2度であった。これに対し、水素結合性の官能基である水酸基で表面が覆われた金基板のΔθの変化量は0.55〜0.7度であった。Δθは、エタノールマクロクラスターの厚みと混合溶液の屈折率の違いを反映している。この事から、非水素結合性の官能基であるメチル基で表面が覆われた場合、エタノール濃度2.0mol%での、Δθである0.2度は、殆どエタノールマクロクラスターが形成されていないことに相当する。一方、水素結合性である水酸基で表面が覆われた場合、エタノール濃度2.0mol%での、Δθである0.55〜0.7度は、表面に形成されたエタノールマクロクラスターの厚みは、6.5〜7.5nmに相当する。以上のことから、水素結合性の官能基のひとつである水酸基で覆われた表面は、分子マクロクラスターを形成することに有効であることが示された。したがって、水素結合性の官能基で覆われた表面に分子マクロクラスターを形成できることが示された。
水素結合性の官能基の一つであるカルボキシル基を有する化合物として、HS(CH2)10COOH、HSCH2COOHをそれぞれ修飾した金基板と非水素結合性の官能基であるメチル基を有する化合物であるHS(CH2)17CH3で修飾した金基板を作製した。これら3種類の金基板をエタノール/シクロヘキサン混合溶液に浸漬して、各々の濃度で表面プラズモン共鳴がおきる共鳴角を測定した。図2にHS(CH2)10COOH、HSCH2COOH、HS(CH2)17CH3で修飾した金基板に対するΔθのエタノール/シクロヘキサン混合溶液中でのエタノール濃度依存性を示した。ここで、Δθは、シクロヘキサンの表面プラズモンの共鳴角とエタノール/シクロヘキサン混合溶液中の表面プラズモンの共鳴角の差である。非水素結合性の官能基であるメチル基で表面が覆われた金基板のΔθの変化量は、2mol%で0.2度であった。これに対し、水素結合性の官能基であるカルボキシル基で表面が覆われた金基板のΔθの変化量は0.55〜0.7度であった。Δθは、エタノールマクロクラスターの厚みと混合溶液の屈折率の違いを反映している。この事から、非水素結合性の官能基であるメチル基で修飾した表面の場合、Δθである0.2度は、殆どエタノールマクロクラスターが形成されていないことに相当する。一方、水素結合性の官能基であるカルボキシル基で修飾した表面の場合、Δθである0.55〜0.7度は、形成されたエタノールマクロクラスターの厚みは、6.5〜7.5nmに相当する。以上のことから、水素結合性の官能基のひとつであるカルボキシル基で覆われた表面は、分子マクロクラスターを形成することに有効であることが示された。したがって、水素結合性の官能基で覆われた表面に分子マクロクラスターを形成できることが示された。
水素結合性の官能基の一つであるカルボキシル基を有する化合物として、HS(CH2)10COOHで修飾した金基板を用意した。この水素結合性の官能基であるカルボキシル基で表面が覆われた金基板を、アクリル酸濃度が0.1mol%のアクリル酸/シクロヘキサン混合溶液中に浸漬した。この溶液に重合開始剤となるAIBNを加えた。そして、この金基板が浸漬された混合溶液に光照射すると、光重合により、高分子であるポリアクリル酸が金基板表面に固定化された。図3に、エリプソメーターによって測定された、金基板の表面に固定化されたポリアクリル酸の膜厚の位置依存性を示した。金基板に固定化されたポリアクリル酸の膜厚は、最大値11.3nm、最小値8.6nm、平均値9.6±0.6nmであった。以上の結果より、水素結合性の官能基のひとつであるカルボキシル基で覆われた表面に高分子膜を固定化できることが示された。したがって、水素結合性の官能基で覆われた表面に、高分子膜を固定化できることが示された。
Claims (6)
- 固体基板上への分子マクロクラスターの形成方法であって、少くとも次の手順を含むことを特徴とする分子マクロクラスターの形成方法。
<A>表面に水素結合性の官能基を持たない固体基板に水素結合性の官能基を持つ化合物を吸着させ、表面が水素結合性の官能基で覆われた分子膜を形成し、
<B>非水素結合性の溶媒と水素結合性の化合物との溶液を前記分子膜と接触させ、水素結合性の化合物が水素結合で組織化された分子マクロクラスターを形成させる。 - 手順<A>において、表面に水素結合性の官能基を持たない固体基板が金もしくは金薄膜表面を有する固体であって、その表面に吸着される水素結合性の官能基を持つ化合物が次式
HS−R−X
(式中のRは炭化水素鎖を示し、Xは、−OH、−COOH、−CONH2、−CONHR0、−NH2、−NHR0を示し、R0は炭化水素基を示す。)
で表わされる1種以上のものであることを特徴とする請求項1の分子マクロクラスターの形成方法。 - 手順<B>において、非水素結合性の溶媒は非極性溶媒または低極性溶媒であって、水素結合性の化合物は、アルコール、カルボン酸、カルボン酸アミド、アミンのうちの1種以上であることを特徴とする請求項1または2の分子マクロクラスターの形成方法。
- 請求項1から3のうちのいずれかの方法において、手順<B>での水素結合性の化合物は重合性のモノマーであることを特徴とする分子マクロクラスターの形成方法。
- 請求項4の方法により形成した分子マクロクラスターにおいて、重合性モノマーを重合反応させて高分子薄膜を生成させることを特徴とする高分子薄膜の製造方法。
- 光重合性のモノマーの分子マクロクラスターに光照射して高分子薄膜を生成させることを特徴とする請求項5の高分子薄膜の製造方法。
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JP2008213096A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Japan Science & Technology Agency | ナノ粒子集積体の製造方法およびナノ粒子集積体 |
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