JP2006310349A - System and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

System and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2006310349A
JP2006310349A JP2005127579A JP2005127579A JP2006310349A JP 2006310349 A JP2006310349 A JP 2006310349A JP 2005127579 A JP2005127579 A JP 2005127579A JP 2005127579 A JP2005127579 A JP 2005127579A JP 2006310349 A JP2006310349 A JP 2006310349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
data
semiconductor device
controller
vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005127579A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Tokunaga
謙二 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2005127579A priority Critical patent/JP2006310349A/en
Publication of JP2006310349A publication Critical patent/JP2006310349A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of quick treatment by detecting abnormality when carrying a wafer automatically in a process for manufacturing a semiconductor device. <P>SOLUTION: There are provided a wafer 17 for measurement having a vibration sensor, a memory for holding data detected by the vibration sensor, and a communication circuit for transmitting the data held by the memory; a controller 18 having a communication circuit for receiving the transmitted data, and a comparison circuit for comparing the received data with reference ones; and a FOUP 16 for storing the wafer 17 for measurement. Vibration waveform data that are measured by the wafer 17 for measurement and are being conveyed are fetched by the controller 18 by radio, and the controller 18 detects the abnormality in conveyance for generating an alarm. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の製造システム及び製造方法に関し、特に、ウエハ搬送時の異常を検知するシステムに適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing system and a manufacturing method, and more particularly to a technique effective when applied to a system for detecting an abnormality during wafer transfer.

半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの大型化に伴い、ウエハ搬送部の調整ずれ、ウエハ衝突によるウエハ割れが発生している。   In the manufacturing process of a semiconductor device, along with an increase in the size of a semiconductor wafer, misalignment of a wafer transfer unit and wafer cracking due to wafer collision have occurred.

従来、ウエハ搬送時の異常を検知するには、目視、音での確認が行われていた。また、更に詳細に調べる時は、ウエハに振動計を取付け、製造装置内のロボットでウエハを搬送させ、振動計で測定したデータをレコーダのメモリに記録し、その記録されたデータの波形を、後で人が確認し、振動の大小、搬送系の正常・異常等を判断していた。   Conventionally, visual and sound confirmations have been performed to detect abnormalities during wafer transfer. When examining in more detail, attach a vibration meter to the wafer, transport the wafer with a robot in the manufacturing apparatus, record the data measured by the vibration meter in the memory of the recorder, and record the waveform of the recorded data. Later, a person checked to determine whether the vibration was normal or abnormal.

ところで、前記のようなウエハ搬送時の異常を検知する技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。   By the way, as a result of examination by the present inventor on the technique for detecting an abnormality during wafer conveyance as described above, the following has been clarified.

例えば、ウエハに取付けられた振動計とレコーダとの間には配線が存在し、真空チャンバー等の中までは確認することが出来ない。また、振動計による測定後、人による正常・異常の判断が必要であり、その後、製造装置を止める等するため、短時間で処理することが出来ない。また、振動測定するまでのセットアップ、測定後のデータ確認に時間・手間を要する。   For example, wiring exists between the vibrometer attached to the wafer and the recorder, and the inside of the vacuum chamber or the like cannot be confirmed. In addition, after measurement with the vibrometer, it is necessary to determine whether the person is normal or abnormal, and then the manufacturing apparatus is stopped, so that processing cannot be performed in a short time. In addition, it takes time and effort to set up vibration measurement and check the data after measurement.

そこで、本発明の目的は、半導体装置の製造工程において、ウエハ搬送時の異常を自動で検知し、短時間で処理することができる技術を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique capable of automatically detecting an abnormality during wafer transfer and processing in a short time in a semiconductor device manufacturing process.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明による半導体装置の製造システムは、振動センサと、その振動センサで検知したデータを保持するメモリと、そのメモリに保持されたデータを送信する通信回路とを備えた測定用ウエハと、送信されたデータを受信する通信回路と、受信したデータと基準データとを比較する比較回路とを備えたコントローラと、測定用ウエハを収容するウエハ容器とを有するものである。   That is, a semiconductor device manufacturing system according to the present invention includes a vibration sensor, a memory that holds data detected by the vibration sensor, and a measurement wafer that includes a communication circuit that transmits the data held in the memory, The controller includes a communication circuit that receives transmitted data, a comparison circuit that compares the received data with reference data, and a wafer container that houses a measurement wafer.

また、本発明による半導体装置の製造方法は、振動センサと、その振動センサで検知したデータを保持するメモリとを備えた測定用ウエハを使用し、振動センサで検知したデータを測定用ウエハ内のメモリに保存しながら、ウエハ容器内から処理室内へ搬送して戻す搬送し、搬送中の振動データを、無線通信によりコントローラに取り込み、取り込んだ搬送中の振動データと基準データとを比較し、所定のしきい値を超えた場合にアラームを発生するものである。   In addition, the semiconductor device manufacturing method according to the present invention uses a measurement wafer including a vibration sensor and a memory for holding data detected by the vibration sensor, and the data detected by the vibration sensor is stored in the measurement wafer. Transfer to the processing chamber from the wafer container and return to the processing chamber while storing in the memory, capture the vibration data being transferred to the controller via wireless communication, compare the acquired vibration data during transfer with the reference data, An alarm is generated when the threshold value is exceeded.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

(1)ウエハ搬送系の調子について問題が無いか否かを、簡便に確認することができる。   (1) It is possible to easily confirm whether or not there is a problem with the condition of the wafer transfer system.

(2)ウエハ搬送系の位置ずれによるウエハへの衝撃が定期的に、簡単に測定することができ、異常な状態で製品ウエハを処理する事が無くなるため、歩留向上、ウエハ割れ防止に有効である。   (2) Impact on the wafer due to wafer transfer system misalignment can be measured easily and regularly, eliminating the need to process product wafers in abnormal conditions, which is effective in improving yield and preventing wafer cracking. It is.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

図1は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造システムの概略構成を示す図、図2は図1の製造装置内におけるウエハ搬送経路の一例を示す図、図3は図1のFOUP(ウエハ用密閉型容器)のOHT(Overhead Hoist Transfer)による自動搬送機構の一例を示す図、図4は図1のFOUPの外観構成を示す図、図5は図1の測定用ウエハの外観構成を示す図、図6は図5のチップの構成を示すブロック図、図7は図1のコントローラの構成を示すブロック図、図8は図5の測定用ウエハで測定したウエハ搬送時の振動測定例を示す波形図、図9は図7のコントローラによるウエハ搬送時の異常検出方法を示す図である。   1 is a diagram showing a schematic configuration of a semiconductor device manufacturing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an example of a wafer transfer path in the manufacturing device of FIG. 1, and FIG. 3 is a FOUP of FIG. FIG. 4 is a view showing an example of an automatic transfer mechanism by OHT (Overhead Hoist Transfer) of (sealed container for wafer), FIG. 4 is a view showing an external structure of the FOUP of FIG. 1, and FIG. 5 is an external structure of the measurement wafer of FIG. FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the chip of FIG. 5, FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the controller of FIG. 1, and FIG. 8 is a vibration measurement during wafer transfer measured with the measurement wafer of FIG. FIG. 9 is a waveform diagram showing an example, and FIG. 9 is a diagram showing an abnormality detection method during wafer transfer by the controller of FIG.

まず、図1により、本実施の形態に係る半導体装置の製造システムの構成の一例を説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造システムは、例えば、製造装置10、FOUP16、測定用ウエハ17、コントローラ18などから構成される。この製造システムは、測定用ウエハ17、コントローラ18をFOUP16内に収納し、自動で測定用ウエハ17の搬送・振動測定、正常・異常の判断を行うシステムである。   First, an example of the configuration of a semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment includes, for example, a manufacturing apparatus 10, a FOUP 16, a measurement wafer 17, a controller 18, and the like. This manufacturing system is a system in which the measurement wafer 17 and the controller 18 are accommodated in the FOUP 16 and the conveyance / vibration measurement of the measurement wafer 17 and the determination of normality / abnormality are automatically performed.

製造装置10は、半導体装置の製造に利用されるエッチング装置や成膜装置などの製造装置とされ、例えば、ロードポート11、ファクトリーインターフェイス(FI)ロボット12、ロードロック(L/L)13、内部ロボット14、チャンバ(処理室)15などから構成される。   The manufacturing apparatus 10 is a manufacturing apparatus such as an etching apparatus or a film forming apparatus used for manufacturing a semiconductor device. For example, a load port 11, a factory interface (FI) robot 12, a load lock (L / L) 13, an internal The robot 14 and the chamber (processing chamber) 15 are configured.

ロードポート11は、製造装置10の入口及び出口であり、処理されるウエハを収容したFOUP16などのウエハ容器が載せられるものである。   The load port 11 is an inlet and an outlet of the manufacturing apparatus 10 and is used for placing a wafer container such as a FOUP 16 containing a wafer to be processed.

FIロボット12は、処理されるウエハをFOUP16から取り出し、L/L13を介して内部ロボット14へと搬送するものである。   The FI robot 12 takes out a wafer to be processed from the FOUP 16 and transfers it to the internal robot 14 via the L / L 13.

L/L13は、チャンバ15内の真空を保つための入り口である。   L / L 13 is an entrance for maintaining a vacuum in the chamber 15.

内部ロボット14は、処理されるウエハをチャンバ15内へと搬送するものであり、この領域は真空となっている。   The internal robot 14 carries the wafer to be processed into the chamber 15 and this area is in a vacuum.

チャンバ15は、ウエハを処理する処理室であり、真空が保たれている。   The chamber 15 is a processing chamber for processing a wafer, and a vacuum is maintained.

図1では、ウエハ搬送時の振動を測定するため、コントローラ18が内部に設けられているFOUP16がロードポート11上に置かれている。また、FOUP16は、測定用ウエハ17を収容しており、この測定用ウエハ17をロボットで搬送することにより、搬送時の振動を測定する。なお、図1は、FOUP16のドアが開いた状態を示している。   In FIG. 1, a FOUP 16 in which a controller 18 is provided is placed on the load port 11 in order to measure vibration during wafer transfer. Further, the FOUP 16 accommodates a measurement wafer 17, and the measurement wafer 17 is transferred by a robot to measure vibration during transfer. FIG. 1 shows a state where the door of the FOUP 16 is opened.

図2により、製造装置10内のウエハ搬送経路の一例を説明する。図2に示す製造装置10は、処理効率を上げるため、2つのパス(A,B)を有する装置となっている。この製造装置10は、ロードポート11a,11b、FIロボット12a,12b、L/L13a,13b、内部ロボット14、チャンバ15a,15bなどから構成される。   An example of the wafer transfer path in the manufacturing apparatus 10 will be described with reference to FIG. The manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 2 is an apparatus having two paths (A, B) in order to increase processing efficiency. The manufacturing apparatus 10 includes load ports 11a and 11b, FI robots 12a and 12b, L / L 13a and 13b, an internal robot 14, and chambers 15a and 15b.

図2に示したウエハ搬送経路の例では、FIロボット12bがロードポート11bからL/L13bを介して内部ロボット14へウエハを搬送し、内部ロボット14がチャンバ15a又はチャンバ15bへとウエハを搬送する。処理が終了したウエハは、チャンバ15a又はチャンバ15bから内部ロボット14により取り出され、FIロボット12aによりL/L13aを介して取り出され、ロードポート11b上のFOUP16に収容される。   In the example of the wafer transfer path shown in FIG. 2, the FI robot 12b transfers the wafer from the load port 11b to the internal robot 14 via the L / L 13b, and the internal robot 14 transfers the wafer to the chamber 15a or the chamber 15b. . The processed wafer is taken out of the chamber 15a or the chamber 15b by the internal robot 14, taken out by the FI robot 12a via the L / L 13a, and stored in the FOUP 16 on the load port 11b.

図3により、本実施の形態による半導体装置の製造システムにおけるFOUP16の自動搬送機構の一例を説明する。図3では、複数台の製造装置10が示されており、その複数台の製造装置10の間にOHT31が設置されている。OHT31によりFOUP16を各製造装置10へ搬送し、ホイスト機構32によりFOUP16をロードポート11上に載せる。   An example of the automatic transport mechanism of the FOUP 16 in the semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 3, a plurality of manufacturing apparatuses 10 are shown, and an OHT 31 is installed between the plurality of manufacturing apparatuses 10. The FOUP 16 is conveyed to each manufacturing apparatus 10 by the OHT 31, and the FOUP 16 is placed on the load port 11 by the hoist mechanism 32.

図4により、FOUP16の外観構成を説明する。FOUP16は、処理ウエハ及び測定用ウエハ17を収容する密閉型のウエハ容器である。図4に示すように、FOUP16は、FOUPシェル41、FOUPドア42、マッシュルーム43、レジストレーションピン穴44、ラッチキー穴45、マニュアルハンド46、サイドレール47などから構成されている。   The external configuration of the FOUP 16 will be described with reference to FIG. The FOUP 16 is a sealed wafer container that accommodates a processing wafer and a measurement wafer 17. As shown in FIG. 4, the FOUP 16 includes a FOUP shell 41, a FOUP door 42, a mushroom 43, a registration pin hole 44, a latch key hole 45, a manual hand 46, a side rail 47, and the like.

図5により、測定用ウエハ17の外観構成を説明する。測定用ウエハ17の材質は何でもよいが、処理ウエハ(シリコン)と同じ重さのものがよい。図5に示すように、測定用ウエハ17には、振動センサを備えたチップ51が取り付けられている。   The external configuration of the measurement wafer 17 will be described with reference to FIG. The measurement wafer 17 may be made of any material, but preferably has the same weight as the processing wafer (silicon). As shown in FIG. 5, a chip 51 having a vibration sensor is attached to the measurement wafer 17.

図6により、チップ51の構成の一例を説明する。図6に示すように、チップ51は、例えば、振動センサ61、振動波形記録用メモリ62、RF(Radio Frequency)通信回路(第1の通信回路)63、制御回路64、電源65などから構成されている。   An example of the configuration of the chip 51 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, the chip 51 includes, for example, a vibration sensor 61, a vibration waveform recording memory 62, an RF (Radio Frequency) communication circuit (first communication circuit) 63, a control circuit 64, a power supply 65, and the like. ing.

振動センサ61は、振動を検知するセンサである。   The vibration sensor 61 is a sensor that detects vibration.

振動波形記録用メモリ62は、振動センサ61で検知した振動波形データなどを保持するメモリである。   The vibration waveform recording memory 62 is a memory that holds vibration waveform data detected by the vibration sensor 61.

RF通信回路63は、無線通信を行うための回路であり、振動センサ61で検知され振動波形記録用メモリ62に保存されたデータなどを無線で送信するものである。   The RF communication circuit 63 is a circuit for performing wireless communication, and wirelessly transmits data detected by the vibration sensor 61 and stored in the vibration waveform recording memory 62.

制御回路64は、振動測定の開始・終了や通信機能などチップ51の制御を行うものである。   The control circuit 64 controls the chip 51 such as the start / end of vibration measurement and the communication function.

電源65は、チップ51の各回路に電源を供給するものであり、バッテリ(電池)などを含む。   The power supply 65 supplies power to each circuit of the chip 51, and includes a battery (battery).

図7により、コントローラ18の構成を説明する。コントローラ18は、チップ51から搬送中の振動波形データを無線通信で取り込み、基準データと比較して異常を検知するものである。図7に示すように、コントローラ18は、RF通信回路(第2の通信回路)71、振動波形記録用メモリ72、基準波形記録用メモリ73、比較回路74、制御回路75、電源76などから構成されている。   The configuration of the controller 18 will be described with reference to FIG. The controller 18 captures vibration waveform data being transferred from the chip 51 by wireless communication, and compares it with reference data to detect an abnormality. As shown in FIG. 7, the controller 18 includes an RF communication circuit (second communication circuit) 71, a vibration waveform recording memory 72, a reference waveform recording memory 73, a comparison circuit 74, a control circuit 75, a power supply 76, and the like. Has been.

RF通信回路71は、無線通信を行うための回路であり、チップ51から送信された振動波形データを無線で受信するものである。   The RF communication circuit 71 is a circuit for performing wireless communication, and receives the vibration waveform data transmitted from the chip 51 wirelessly.

振動波形記録用メモリ72は、受信した振動波形データを保持するメモリである。   The vibration waveform recording memory 72 is a memory that holds received vibration waveform data.

基準波形記録用メモリ73は、基準となる正常時の振動波形データを保持するメモリである。   The reference waveform recording memory 73 is a memory for holding normal vibration waveform data as a reference.

比較回路74は、振動波形記録用メモリ72に保存されている振動波形データと、基準波形記録用メモリ73に保存されている基準振動波形データとを比較し、所定のしきい値を超えた場合にアラーム信号を発生する回路である。   The comparison circuit 74 compares the vibration waveform data stored in the vibration waveform recording memory 72 with the reference vibration waveform data stored in the reference waveform recording memory 73, and exceeds a predetermined threshold value. This circuit generates an alarm signal.

制御回路75は、波形データの受信、波形データ比較の開始・終了、アラーム信号の発生などコントローラ18全体の制御を行う回路である。   The control circuit 75 is a circuit that controls the entire controller 18 such as reception of waveform data, start / end of waveform data comparison, and generation of an alarm signal.

電源76は、コントローラ18の各回路に電源を供給するものであり、バッテリ(電池)などを含む。   The power supply 76 supplies power to each circuit of the controller 18, and includes a battery (battery).

また、コントローラ18は、製造装置10のロードポート11上で、製造装置10と情報の遣り取りを行う。例えば、測定された振動波形がしきい値を超えた値となった場合、アラーム信号を製造装置10に送り、製造装置10側でもアラームが表示される。   Further, the controller 18 exchanges information with the manufacturing apparatus 10 on the load port 11 of the manufacturing apparatus 10. For example, when the measured vibration waveform exceeds the threshold value, an alarm signal is sent to the manufacturing apparatus 10 and an alarm is also displayed on the manufacturing apparatus 10 side.

図8により、測定用ウエハ17で測定したウエハ搬送時の振動波形データの一例を説明する。図8は、正常時の振動波形データである。横軸は時間、縦軸は振動の強さ(加速度)を示す。   With reference to FIG. 8, an example of vibration waveform data during wafer transfer measured with the measurement wafer 17 will be described. FIG. 8 shows normal vibration waveform data. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents vibration intensity (acceleration).

次に、図1及び図9により、本実施の形態による半導体装置の製造システムを利用した半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、自動で測定用ウエハ17の搬送・振動測定、正常・異常の判断を行うものである。   Next, a semiconductor device manufacturing method using the semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment automatically carries the measurement wafer 17 for conveyance / vibration measurement and determines normality / abnormality.

まず、測定用ウエハ17及びコントローラ18を内蔵したFOUP16の着工指示をする。具体的には、端末装置を用いて入力してIDを指定する。   First, an instruction to start the FOUP 16 including the measurement wafer 17 and the controller 18 is given. Specifically, the ID is specified by inputting using the terminal device.

続いて、FOUP16がロードポート11に運ばれ、振動測定開始のスイッチがオンされる。   Subsequently, the FOUP 16 is carried to the load port 11 and the vibration measurement start switch is turned on.

搬送のみを行うレシピで、測定用ウエハ17をFOUP16から取り出して、チャンバ15へ搬送する。その際、振動センサ61で検知した振動波形データを振動波形記録用メモリ62に保存しながら搬送を行う。   In a recipe for carrying only, the measurement wafer 17 is taken out from the FOUP 16 and carried to the chamber 15. At that time, the vibration waveform data detected by the vibration sensor 61 is transported while being stored in the vibration waveform recording memory 62.

同様にして、測定用ウエハ17をチャンバ15から取り出して、FOUP16内へ搬送する。製造装置10内を搬送された測定用ウエハ17がFOUP16内に戻る。   Similarly, the measurement wafer 17 is taken out from the chamber 15 and transferred into the FOUP 16. The measurement wafer 17 conveyed in the manufacturing apparatus 10 returns to the FOUP 16.

続いて、搬送中の振動データをコントローラ18に取り込み振動波形記録用メモリ72に保存する。コントローラ18において、基準波形記録用メモリ73内の基準波形データと比較を行い、測定した振動データがしきい値を超えている場合は、アラーム信号を製造装置10に出す。コントローラ18と製造装置10との間の信号のやりとりは、ロードポート11で行ってもよい。その場合、通信手段は、無線でも接触式でも光通信でもよい。   Subsequently, the vibration data being conveyed is taken into the controller 18 and stored in the vibration waveform recording memory 72. The controller 18 compares the reference waveform data in the reference waveform recording memory 73 and outputs an alarm signal to the manufacturing apparatus 10 when the measured vibration data exceeds the threshold value. Signal exchange between the controller 18 and the manufacturing apparatus 10 may be performed by the load port 11. In that case, the communication means may be wireless, contact type, or optical communication.

製造装置10は、アラーム信号を受け、製造装置10側でもアラームを出し自動的に停止する。停止は、人が確認してからでもよい。以上の搬送時の振動測定は、例えば、1日に1回行い、搬送機構のチェックを行う。そして、通常の半導体プロセスを実施し、半導体装置を製造する。   The manufacturing apparatus 10 receives the alarm signal and issues an alarm also on the manufacturing apparatus 10 side to automatically stop. The stop may be made after confirmation by a person. The above vibration measurement at the time of conveyance is performed once a day, for example, and the conveyance mechanism is checked. Then, a normal semiconductor process is performed to manufacture a semiconductor device.

図9により、コントローラ18によるウエハ搬送時の異常検出方法を説明する。図9において、横軸は時間(秒)、縦軸は振動の強さ、すなわち加速度(G)を示す。また、一点鎖線及び実線は振動波形データを示し、一点鎖線は正常時の波形、実線は異常時の波形を示す。点線は、しきい値を示し、測定データがこのしきい値を超えた場合に、アラームを発生する。   With reference to FIG. 9, a method for detecting an abnormality during wafer transfer by the controller 18 will be described. In FIG. 9, the horizontal axis represents time (seconds), and the vertical axis represents the strength of vibration, that is, acceleration (G). Also, the alternate long and short dash line and the solid line indicate vibration waveform data, the alternate long and short dash line indicates a waveform when normal, and the solid line indicates a waveform when abnormal. The dotted line indicates a threshold value, and an alarm is generated when the measured data exceeds this threshold value.

したがって、本実施の形態に係る半導体装置の製造システム及び製造方法によれば、振動測定を簡便に行え、その結果をリアルタイムで製造装置にアラームとして挙げる事が可能となる。また、搬送系の調子が問題無いかを、簡便に確認できる。また、搬送系の位置ずれによるウエハへの衝撃が定期的に、簡単に測定でき、異常な状態で製品ウエハを処理する事が無くなるため、歩留向上、ウエハ割れ防止に有効である。   Therefore, according to the semiconductor device manufacturing system and the manufacturing method according to the present embodiment, vibration measurement can be easily performed, and the result can be given as an alarm to the manufacturing apparatus in real time. Further, it can be easily confirmed whether there is no problem in the condition of the transport system. Further, the impact on the wafer due to the displacement of the transfer system can be measured easily and regularly, and it is not necessary to process the product wafer in an abnormal state, which is effective in improving yield and preventing wafer cracking.

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

例えば、前記実施の形態においては、コントローラ18をFOUP16内に設けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、FOUP16の外、すなわち製造装置10内、又は製造装置10の外の端末装置に設けてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the case where the controller 18 is provided in the FOUP 16 has been described. However, the present invention is not limited to this. The terminal is outside the FOUP 16, that is, inside the manufacturing apparatus 10 or outside the manufacturing apparatus 10. You may provide in an apparatus.

また、前記実施の形態においては、振動センサ61を含むチップ51を測定用ウエハ17に取り付けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ロボットのハンドにチップ51を取り付けて、搬送時の異常を検知してもよい。   In the above-described embodiment, the case where the chip 51 including the vibration sensor 61 is attached to the measurement wafer 17 has been described. However, the present invention is not limited to this. An abnormality in time may be detected.

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発明を、その属する技術分野である半導体装置の製造工程におけるウエハに適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、液晶パネルなどに適用することも可能である。   In the above description, the case where the invention mainly made by the present inventor is applied to a wafer in a manufacturing process of a semiconductor device which is a technical field to which the present invention is applied has been described. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to apply to.

本発明は、半導体装置の製造ラインについて適用可能である。   The present invention is applicable to a semiconductor device production line.

本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造システムの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the manufacturing system of the semiconductor device which concerns on one embodiment of this invention. 図1の製造装置内のウエハ搬送経路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the wafer conveyance path | route in the manufacturing apparatus of FIG. 図1のFOUPのOHTによる自動搬送機構の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the automatic conveyance mechanism by OHT of FOUP of FIG. 図1のFOUPの外観構成を示す図である。It is a figure which shows the external appearance structure of FOUP of FIG. 図1の測定用ウエハの外観構成を示す図である、It is a figure which shows the external appearance structure of the wafer for a measurement of FIG. 図5のチップの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the chip | tip of FIG. 図1のコントローラの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the controller of FIG. 図5の測定用ウエハで測定したウエハ搬送時の振動測定例を示す波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram showing an example of vibration measurement at the time of wafer conveyance measured with the measurement wafer of FIG. 5. 図7のコントローラによるウエハ搬送時の異常検出方法を示す図である。It is a figure which shows the abnormality detection method at the time of wafer conveyance by the controller of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 製造装置
11,11a,11b ロードポート
12,12a,12b ファクトリーインターフェイス(FI)ロボット
13,13a,13b ロードロック(L/L)
14 内部ロボット
15,15a,15b チャンバ
17 測定用ウエハ
18 コントローラ
32 ホイスト機構
41 FOUPシェル
42 FOUPドア
43 マッシュルーム
44 レジストレーションピン穴
45 ラッチキー穴
46 マニュアルハンド
47 サイドレール
51 チップ
61 振動センサ
62,72 振動波形記録用メモリ
63,71 RF通信回路
64,75 制御回路
65,76 電源
73 基準波形記録用メモリ
74 比較回路
10 Manufacturing Equipment 11, 11a, 11b Load Ports 12, 12a, 12b Factory Interface (FI) Robots 13, 13a, 13b Load Lock (L / L)
14 Internal robot 15, 15 a, 15 b Chamber 17 Measuring wafer 18 Controller 32 Hoist mechanism 41 FOUP shell 42 FOUP door 43 Mushroom 44 Registration pin hole 45 Latch key hole 46 Manual hand 47 Side rail 51 Chip 61 Vibration sensor 62, 72 Vibration waveform Recording memory 63, 71 RF communication circuit 64, 75 Control circuit 65, 76 Power supply 73 Reference waveform recording memory 74 Comparison circuit

Claims (5)

振動センサと、前記振動センサで検知したデータを保持するメモリと、前記メモリに保持されたデータを送信する第1の通信回路とを備えた測定用ウエハと、
前記第1の通信回路から送信されたデータを受信する第2の通信回路と、前記第2の通信回路で受信したデータと基準データとを比較する比較回路とを備えたコントローラと、
前記測定用ウエハを収容するウエハ容器とを有することを特徴とする半導体装置の製造システム。
A measurement wafer comprising a vibration sensor, a memory for holding data detected by the vibration sensor, and a first communication circuit for transmitting the data held in the memory;
A controller comprising: a second communication circuit that receives data transmitted from the first communication circuit; and a comparison circuit that compares the data received by the second communication circuit with reference data;
A semiconductor device manufacturing system comprising a wafer container for storing the measurement wafer.
請求項1記載の半導体装置の製造システムにおいて、
前記第1の通信回路から前記第2の通信回路へのデータ送信は無線で行われることを特徴とする半導体装置の製造システム。
In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
A system for manufacturing a semiconductor device, wherein data transmission from the first communication circuit to the second communication circuit is performed wirelessly.
請求項1又は2記載の半導体装置の製造システムにおいて、
前記コントローラは、前記比較回路による比較の結果、所定のしきい値を超えた場合にアラーム信号を発生することを特徴とする半導体装置の製造システム。
In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
The semiconductor device manufacturing system, wherein the controller generates an alarm signal when a predetermined threshold value is exceeded as a result of the comparison by the comparison circuit.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造システムにおいて、
前記コントローラは、前記ウエハ容器の内部に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造システム。
In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
The semiconductor device manufacturing system, wherein the controller is provided inside the wafer container.
振動センサと、前記振動センサで検知したデータを保持するメモリとを備えた測定用ウエハを、前記振動センサで検知したデータを前記メモリに保存しながら、ウエハ容器内から処理室内へ搬送する第1の搬送工程と、
前記測定用ウエハを、前記振動センサで検知したデータを前記メモリに保存しながら、前記処理室内から前記ウエハ容器内へ搬送する第2の搬送工程と、
前記メモリに保存された搬送中の振動データを、無線通信により、前記ウエハ容器内に設けられたコントローラに取り込む工程と、
前記コントローラが取り込んだ前記搬送中の振動データと基準データとを比較する工程とを有し、
前記比較の結果、所定のしきい値を超えた場合にアラームを発生することを特徴とする半導体装置の製造方法。
A measurement wafer having a vibration sensor and a memory for holding data detected by the vibration sensor is first transferred from the wafer container to the processing chamber while storing the data detected by the vibration sensor in the memory. The transport process of
A second transfer step of transferring the measurement wafer from the processing chamber into the wafer container while storing the data detected by the vibration sensor in the memory;
Capturing vibration data during transfer stored in the memory into a controller provided in the wafer container by wireless communication;
A step of comparing the vibration data being transferred and the reference data captured by the controller;
As a result of the comparison, an alarm is generated when a predetermined threshold value is exceeded.
JP2005127579A 2005-04-26 2005-04-26 System and method of manufacturing semiconductor device Pending JP2006310349A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005127579A JP2006310349A (en) 2005-04-26 2005-04-26 System and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005127579A JP2006310349A (en) 2005-04-26 2005-04-26 System and method of manufacturing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006310349A true JP2006310349A (en) 2006-11-09

Family

ID=37476937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005127579A Pending JP2006310349A (en) 2005-04-26 2005-04-26 System and method of manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006310349A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807059A (en) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 Method of displaying abnormal state in substrate board treatment and the substrate board treatment
JP2011138835A (en) * 2009-12-26 2011-07-14 Canon Anelva Corp Transfer vibration monitoring device, vacuum processing apparatus, and transfer vibration monitoring method
JP2016146416A (en) * 2015-02-09 2016-08-12 株式会社Screenホールディングス Method and system for substrate processing
JP2017208539A (en) * 2010-06-22 2017-11-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
JP2018129509A (en) * 2017-02-06 2018-08-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
WO2019067128A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Intel Corporation Methods and apparatus for monitoring robot health in manufacturing environments
JP2020174130A (en) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社Sumco Quality evaluation method for semiconductor wafer, evaluation method for housing container of semiconductor wafer, selection method for housing container of semiconductor wafer, evaluation method for transportation route of semiconductor wafer and selection method for transportation route of semiconductor wafer
JP2022520692A (en) * 2018-12-03 2022-04-01 ラム リサーチ コーポレーション Pin lifter test board
DE102019210621B4 (en) 2018-07-18 2024-05-29 Disco Corporation AUTOMATED WORKPIECE TRANSPORT VEHICLE

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807059A (en) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 Method of displaying abnormal state in substrate board treatment and the substrate board treatment
CN102760673A (en) * 2009-02-13 2012-10-31 株式会社日立国际电气 Substrate processing apparatus and method of displaying abnormal state of substrate processing apparatus
KR101235774B1 (en) * 2009-02-13 2013-02-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Substrate processing apparatus and method of displaying abnormal state of substrate processing apparatus
US8483870B2 (en) 2009-02-13 2013-07-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method of displaying abnormal state of substrate processing apparatus
JP2011138835A (en) * 2009-12-26 2011-07-14 Canon Anelva Corp Transfer vibration monitoring device, vacuum processing apparatus, and transfer vibration monitoring method
JP2017208539A (en) * 2010-06-22 2017-11-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10910271B2 (en) 2010-06-22 2021-02-02 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10566238B2 (en) 2010-06-22 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10714390B2 (en) 2010-06-22 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US11621194B2 (en) 2010-06-22 2023-04-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
JP2016146416A (en) * 2015-02-09 2016-08-12 株式会社Screenホールディングス Method and system for substrate processing
JP2018129509A (en) * 2017-02-06 2018-08-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
JP7262170B2 (en) 2017-02-06 2023-04-21 ラム リサーチ コーポレーション Smart vibrating wafer with optional integration with semiconductor processing tools
US10695907B2 (en) 2017-09-29 2020-06-30 Intel Corporation Methods and apparatus for monitoring robot health in manufacturing environments
WO2019067128A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Intel Corporation Methods and apparatus for monitoring robot health in manufacturing environments
DE102019210621B4 (en) 2018-07-18 2024-05-29 Disco Corporation AUTOMATED WORKPIECE TRANSPORT VEHICLE
JP2022520692A (en) * 2018-12-03 2022-04-01 ラム リサーチ コーポレーション Pin lifter test board
JP7341237B2 (en) 2018-12-03 2023-09-08 ラム リサーチ コーポレーション pin lifter test board
JP7081558B2 (en) 2019-04-10 2022-06-07 株式会社Sumco Semiconductor wafer quality evaluation method, semiconductor wafer storage container evaluation method, semiconductor wafer storage container selection method, semiconductor wafer transportation route evaluation method, and semiconductor wafer transportation route selection method.
JP2020174130A (en) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社Sumco Quality evaluation method for semiconductor wafer, evaluation method for housing container of semiconductor wafer, selection method for housing container of semiconductor wafer, evaluation method for transportation route of semiconductor wafer and selection method for transportation route of semiconductor wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006310349A (en) System and method of manufacturing semiconductor device
US10593575B2 (en) System and method for monitoring wafer handling and a wafer handling machine
JP4677517B2 (en) SMIF pod system, portable SMIF pod and method for monitoring the internal environment of a SMIF pod system
TWI604552B (en) Access arbitration system for semiconductor fabrication equipment and methods for using and operating the same
CN107546162B (en) Self-contained metrology wafer carrier system
JP2004031901A (en) Wafer processing apparatus equipped with sensor box
KR20180009059A (en) System and method for parameter monitoring of semiconductor factory automation system
TWI849465B (en) Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
JP2006513583A5 (en)
US20240021453A1 (en) Method of monitoring tool
KR102036252B1 (en) Internal Contamination Monitoring Device for Front Open Unified Pod and Monitoring Method of the Same
CN208753281U (en) FOUP device
US20060235558A1 (en) Method of scavenging intermediate formed by reaction of oxidoreductase with substrate
US8620469B2 (en) Carrier system and method for handling carried object using the same
TWI645162B (en) Environment monitoring system
TW556252B (en) Transportable container including an internal environment monitor
CN207938584U (en) Gas lock and wafer handler
CN111968927A (en) Apparatus for processing wafer and method of operating the same
JP2005524155A (en) Access management method and apparatus, and mobility management method
JP2017174402A (en) Preventive maintenance system and preventive maintenance method
KR20060078822A (en) Counting system of wafer and the method thereof
KR20090055660A (en) Wafer position controlling apparatus using magnetic sensor and method thereof
KR20230024467A (en) Substrate type sensor for measuring condition of process chamber and data collecting system having the same
KR20060025834A (en) System and control method for detecting abnormal state of semiconductor manufactoring equipment and wafer
JP2010182823A (en) Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing system