JP2006309738A - Wireless chip and electronic device having wireless chip - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wireless chip which can improve the mechanical strength and has high durability. <P>SOLUTION: The wireless chip includes a chip having a field-effect transistor, an antenna having a dielectric layer and a plurality of conductive layers holding the dielectric layer between them, and a conductive layer for connecting the chip and the antenna. Further, the wireless chip includes a chip having a field-effect transistor, an antenna having a dielectric layer and a plurality of conductive layers holding the dielectric layer between them, a sensor apparatus, a conductive layer for connecting the chip and the antenna, and a conductive layer connecting the chip and the sensor apparatus. Moreover, the wireless chip includes a chip having a field-effect transistor, an antenna having a dielectric layer and a plurality of conductive layers holding the dielectric layer between them, a battery, a conductive layer for connecting the chip and the antenna, and a conductive layer connecting the chip and the battery. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、無線通信によりデータを交信することができる無線チップ及び無線チップを有する電子機器に関する。 The present invention relates to a wireless chip capable of communicating data by wireless communication and an electronic device having the wireless chip.

近年、複数の回路及びアンテナで構成される無線チップの開発が進められている。このような無線チップは、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RF(Radio Frequency)タグ、無線タグ、電子タグ、RFID(Radio Frequency Identification)タグとよばれ、既に一部の市場で導入されている。   In recent years, development of a wireless chip including a plurality of circuits and antennas has been advanced. Such wireless chips are called ID tags, IC tags, IC chips, RF (Radio Frequency) tags, wireless tags, electronic tags, and RFID (Radio Frequency Identification) tags, and have already been introduced in some markets. .

現在実用化されているこれらの無線チップの多くは、シリコン等の半導体基板を用いた回路(IC(Integrated Circuit)チップとも呼ばれる)とアンテナとを有する。当該アンテナは、印刷法、導電性薄膜をエッチングする方法、メッキ方式等の手法により形成されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平9−1970号公報
Many of these wireless chips currently in practical use have a circuit (also called an IC (Integrated Circuit) chip) using a semiconductor substrate such as silicon and an antenna. The antenna is formed by a printing method, a method of etching a conductive thin film, a plating method, or the like (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-9-1970

上記手法により形成されるアンテナは、薄膜又は厚膜である。紙やプラスチックなどのフレキシブルな素材に取り付けられたアンテナは、折れや曲げに弱くアンテナの一部が断線しやすい。また、このようなアンテナを有する無線チップは、耐久性が低いという問題がある。   The antenna formed by the above method is a thin film or a thick film. An antenna attached to a flexible material such as paper or plastic is vulnerable to bending and bending, and part of the antenna is easily disconnected. In addition, a wireless chip having such an antenna has a problem of low durability.

本発明は上述した問題を鑑み、機械的強度を高めることができる無線チップを提供する。また、耐久性の高い無線チップを提供する。さらには、無線チップを有する物品の提供を課題とする。   In view of the above-described problems, the present invention provides a wireless chip that can increase mechanical strength. In addition, a highly durable wireless chip is provided. Furthermore, it is an object to provide an article having a wireless chip.

本発明の一は、電界効果トランジスタを有するチップと、誘電体層及び当該誘電体層を挟持する複数の導電層を有するアンテナと、チップ及びアンテナを接続する導電層とを有する無線チップである。 One embodiment of the present invention is a wireless chip including a chip including a field effect transistor, an antenna including a dielectric layer and a plurality of conductive layers sandwiching the dielectric layer, and a conductive layer connecting the chip and the antenna.

また、本発明の一は、電界効果トランジスタを有するチップと、誘電体層及び当該誘電体層を挟持する複数の導電層を有するアンテナと、センサ装置と、チップ及びアンテナを接続する導電層と、チップ及びセンサ装置を接続する導電層とを有する無線チップである。なお、チップ、アンテナ、及びセンサ装置は、配線基板に実装されている。さらには、チップ及びセンサ装置は、配線基板においてアンテナの反対側に実装されている。 Another aspect of the present invention is a chip having a field effect transistor, an antenna having a dielectric layer and a plurality of conductive layers sandwiching the dielectric layer, a sensor device, a conductive layer connecting the chip and the antenna, A wireless chip having a chip and a conductive layer connecting the sensor device. Note that the chip, the antenna, and the sensor device are mounted on a wiring board. Furthermore, the chip and the sensor device are mounted on the opposite side of the antenna on the wiring board.

また、本発明の一は、電界効果トランジスタを有するチップと、誘電体層及び当該誘電体層を挟持する複数の導電層を有するアンテナと、電池と、チップ及びアンテナを接続する導電層と、チップ及び電池を接続する導電層とを有する無線チップである。なお、チップ、アンテナ、及び電池は、配線基板に実装されている。さらには、チップ及び電池は、配線基板においてアンテナの反対側に実装されている。 According to another aspect of the present invention, a chip including a field effect transistor, an antenna including a dielectric layer and a plurality of conductive layers sandwiching the dielectric layer, a battery, a conductive layer connecting the chip and the antenna, and the chip And a conductive chip connecting the battery. Note that the chip, the antenna, and the battery are mounted on a wiring board. Furthermore, the chip and the battery are mounted on the opposite side of the antenna on the wiring board.

また、本発明の一は、電界効果トランジスタを有するチップと、誘電体層及び当該誘電体層を挟持する複数の導電層を有するアンテナと、電池と、センサ装置と、チップ及びアンテナを接続する導電層と、チップ及び電池を接続する導電層と、チップ及びセンサ装置を接続する導電層とを有する無線チップである。なお、チップ、アンテナ、センサ装置、及び電池は、配線基板に実装されている。さらには、チップ、センサ装置、及び電池は、配線基板においてアンテナの反対側に実装されている。 According to another aspect of the present invention, a chip having a field effect transistor, an antenna having a dielectric layer and a plurality of conductive layers sandwiching the dielectric layer, a battery, a sensor device, and a conductive material for connecting the chip and the antenna are provided. A wireless chip having a layer, a conductive layer connecting the chip and the battery, and a conductive layer connecting the chip and the sensor device. The chip, antenna, sensor device, and battery are mounted on a wiring board. Furthermore, the chip, the sensor device, and the battery are mounted on the opposite side of the antenna on the wiring board.

なお、アンテナにおいて誘電体層を挟持する複数の導電層は、それぞれ放射電極及び接地体として機能する。   Note that the plurality of conductive layers sandwiching the dielectric layer in the antenna function as a radiation electrode and a grounding body, respectively.

また、アンテナの誘電体層は、セラミックス又は有機樹脂、セラミックスと有機樹脂の混合物で形成される。セラミックスの代表例としては、アルミナ、ガラス、フォルステライト、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛、二オブ酸リチウム、及びチタン酸ジルコン鉛が挙げられる。また、誘電体層の代表例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ビニルベンジル、及びポリフマレートが挙げられる。 The dielectric layer of the antenna is formed of ceramic or organic resin, or a mixture of ceramic and organic resin. Representative examples of ceramics include alumina, glass, forsterite, barium titanate, lead titanate, strontium titanate, lead zirconate, lithium diobate, and lead zirconate titanate. Representative examples of the dielectric layer include epoxy resin, phenol resin, polybutadiene resin, bismaleimide triazine resin, vinyl benzyl, and polyfumarate.

また、本発明の一は、上記無線チップを有する電子機器である。電子機器の代表例としては、液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、携帯電話、プリンター、カメラ、パーソナルコンピュータ、スピーカ装置、ヘッドホン、ナビゲーション装置、ETC用車載器、及び電子鍵等が挙げられる。 Another embodiment of the present invention is an electronic device including the above wireless chip. Typical examples of electronic devices include liquid crystal display devices, EL display devices, television devices, mobile phones, printers, cameras, personal computers, speaker devices, headphones, navigation devices, on-board devices for ETC, and electronic keys. .

また、パッチアンテナは機械強度が高いため、繰り返し使用することが可能である。よって、耐久性が高く、リターナブル容器のようにリサイクル可能な容器に設けることが可能である。 Further, since the patch antenna has high mechanical strength, it can be used repeatedly. Therefore, it can be provided in a highly recyclable container such as a returnable container.

また、センサ装置を有する無線チップは、センサ装置で検知した情報を、リーダライタを用いて読み出すことが可能である。このため、物品の品質情報や保管状況を管理することが可能である。 In addition, a wireless chip including a sensor device can read information detected by the sensor device using a reader / writer. For this reason, it is possible to manage quality information and storage status of articles.

また、電池を有する無線チップは、自発的にリーダライタへ信号を送信することが可能である。また、リーダライタとの通信距離を長くすることが可能である。 In addition, a wireless chip having a battery can spontaneously transmit a signal to a reader / writer. In addition, the communication distance with the reader / writer can be increased.

また、電池及びセンサ装置を有する無線チップは、センサ装置で検知した情報を自発的に外部に送信することが可能である。このため、検知した情報をリアルタイムでデータベースに蓄積することが可能である。 In addition, a wireless chip including a battery and a sensor device can spontaneously transmit information detected by the sensor device to the outside. For this reason, the detected information can be stored in the database in real time.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

(実施の形態1)
本発明の無線チップの一実施の形態を図1に示す。図1は無線チップの断面図である。
(Embodiment 1)
One embodiment of a wireless chip of the present invention is shown in FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of a wireless chip.

本実施の形態の無線チップは、電界効果トランジスタを有するチップ101と、アンテナ(以下、パッチアンテナ103と示す。)とが導電層102a、102bによって接続される。具体的には、電界効果トランジスタを有するチップ101表面に形成される接続端子104aとパッチアンテナの給電体層113とが導電層102aで接続され、電界効果トランジスタを有するチップ101表面に形成される接続端子104bと、パッチアンテナの接地体として機能する導電層112とが導電層102bにより接続される。また、パッチアンテナ103と電界効果トランジスタを有するチップ101との接続部分は、アンダーフィル104で充填されてもよい。 In the wireless chip of this embodiment, a chip 101 having a field effect transistor and an antenna (hereinafter referred to as a patch antenna 103) are connected by conductive layers 102a and 102b. Specifically, the connection terminal 104a formed on the surface of the chip 101 having the field effect transistor and the feeder layer 113 of the patch antenna are connected by the conductive layer 102a, and the connection formed on the surface of the chip 101 having the field effect transistor. Terminal 104b and conductive layer 112 functioning as a grounding body of the patch antenna are connected by conductive layer 102b. Further, the connection portion between the patch antenna 103 and the chip 101 having the field effect transistor may be filled with an underfill 104.

パッチアンテナ103は、誘電体層110と、誘電体層110の一表面に形成される第1の導電層111と、誘電体層110を介して第1の導電層111に対向し、且つ誘電体層110の他表面に形成される第2の導電層112と、給電体層113とを有する。第1の導電層111は、放射電極として機能する。また、第2の導電層112は接地体として機能する。給電体層113は、第1の導電層111と第2の導電層112と接触しないように設けられている。また、給電体層113を介して、パッチアンテナから電界効果トランジスタを有するチップ、又は電界効果トランジスタを有するチップからパッチアンテナへ給電が行われる。なお、給電体層113の代わりに給電点を用いて給電を行ってもよい。 The patch antenna 103 includes a dielectric layer 110, a first conductive layer 111 formed on one surface of the dielectric layer 110, the first conductive layer 111 facing the dielectric layer 110, and a dielectric material. A second conductive layer 112 formed on the other surface of the layer 110 and a power feeding layer 113 are provided. The first conductive layer 111 functions as a radiation electrode. Further, the second conductive layer 112 functions as a grounding body. The power feeding layer 113 is provided so as not to contact the first conductive layer 111 and the second conductive layer 112. In addition, power is supplied from the patch antenna to the chip having the field effect transistor or from the chip having the field effect transistor to the patch antenna through the power supply layer 113. Note that power feeding may be performed using a power feeding point instead of the power feeding body layer 113.

ここで、パッチアンテナの構造について説明する。 Here, the structure of the patch antenna will be described.

パッチアンテナの誘電体層110は、セラミックス、有機樹脂、又はセラミックスと有機樹脂の混合物等で形成することができる。セラミックスの代表例としては、アルミナ、ガラス、フォルステライト等が挙げられる。さらには、複数のセラミックスを混合して用いてもよい。また、高い誘電率を得るためには、誘電体層110を、強誘電体材料で形成することが好ましい。強誘電体材料の代表例としては、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸鉛(PbTiO)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、ジルコン酸鉛(PbZrO)、二オブ酸リチウム(LiNbO)、チタン酸ジルコン鉛(PZT)等が挙げられる。さらには、複数の強誘電体材料を混合して用いてもよい。 The dielectric layer 110 of the patch antenna can be formed of ceramics, organic resin, a mixture of ceramics and organic resin, or the like. Representative examples of ceramics include alumina, glass, forsterite and the like. Further, a plurality of ceramics may be mixed and used. In order to obtain a high dielectric constant, the dielectric layer 110 is preferably formed of a ferroelectric material. Typical examples of the ferroelectric material include barium titanate (BaTiO 3 ), lead titanate (PbTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), lead zirconate (PbZrO 3 ), lithium diobate (LiNbO 3 ). And lead zirconate titanate (PZT). Further, a plurality of ferroelectric materials may be mixed and used.

また、有機樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を適宜用いる。有機樹脂の代表例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリブタジエン樹脂、BTレジン、ビニルベンジル、ポリフマレート、フッ化樹脂等の樹脂材料を用いることができる。さらには、複数の有機樹脂材料を混合して用いてもよい。 As the organic resin, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is used as appropriate. As a typical example of the organic resin, a resin material such as an epoxy resin, a phenol resin, a polybutadiene resin, BT resin, vinyl benzyl, polyfumarate, and a fluorinated resin can be used. Furthermore, a plurality of organic resin materials may be mixed and used.

誘電体層110がセラミックスと有機樹脂の混合物で形成される場合、粒子状のセラミックスの粒子を有機樹脂に分散させて形成することが好ましい。このとき、誘電体層110に対して粒子状のセラミックスの含有量は、20体積%以上60体積%以下が好ましい。また、セラミックスの粒径は1〜50μmが好ましい。 When the dielectric layer 110 is formed of a mixture of ceramics and an organic resin, it is preferable to form by dispersing particulate ceramic particles in the organic resin. At this time, the content of the particulate ceramic with respect to the dielectric layer 110 is preferably 20% by volume or more and 60% by volume or less. The particle size of the ceramic is preferably 1 to 50 μm.

誘電体層110の比誘電率は2.6〜150、好ましくは、2.6〜40であることが望ましい。比誘電率の高い強誘電体材料を用いることで、パッチアンテナの容積を小さくすることが可能である。 The relative dielectric constant of the dielectric layer 110 is 2.6 to 150, and preferably 2.6 to 40. By using a ferroelectric material having a high relative dielectric constant, the volume of the patch antenna can be reduced.

パッチアンテナの第1の導電層111、第2の導電層112、給電体層113は、金、銀、銅、パラジウム、白金、アルミニウムから選ばれる金属、又は合金等を用いることができる。また、パッチアンテナの第1の導電層111、第2の導電層112、給電体層113は、印刷法、メッキ法を用いて形成することができる。また、誘電体層に蒸着法、スパッタリング法等で導電膜を成膜した後、導電膜の一部分をエッチングして各導電層を形成することができる。 For the first conductive layer 111, the second conductive layer 112, and the power feeding layer 113 of the patch antenna, a metal selected from gold, silver, copper, palladium, platinum, aluminum, an alloy, or the like can be used. Further, the first conductive layer 111, the second conductive layer 112, and the power feeding layer 113 of the patch antenna can be formed using a printing method or a plating method. In addition, after a conductive film is formed on the dielectric layer by vapor deposition, sputtering, or the like, each conductive layer can be formed by etching a part of the conductive film.

パッチアンテナ103の平面面積としては、数mm×数mm〜数十mm×数十mmであることが好ましい。代表的には、7mm×7mm〜12mm×12mmである。また、パッチアンテナの厚さは、1mm〜15mm、代表的には1.5mm〜5mmである。また、パッチアンテナの形状は、平面が矩形の平板体が好ましいがこれに限定されるものではない。平面が円形の平板体を用いることも可能である。なお、ここでいう平面とは、放射電極として機能する第1の導電層または接地体として機能する第2の導電層が形成されている面である。 The planar area of the patch antenna 103 is preferably several mm × several mm to several tens mm × several tens mm. Typically, it is 7 mm × 7 mm to 12 mm × 12 mm. The patch antenna has a thickness of 1 mm to 15 mm, typically 1.5 mm to 5 mm. Further, the shape of the patch antenna is preferably a flat plate having a rectangular plane, but is not limited thereto. It is also possible to use a flat plate having a circular plane. Here, the plane is a surface on which a first conductive layer functioning as a radiation electrode or a second conductive layer functioning as a grounding body is formed.

パッチアンテナの構造について図5を用いて説明する。 The structure of the patch antenna will be described with reference to FIG.

図5(A)は、放射電極として機能する第1の導電層202と、誘電体層201と、接地体として機能する第2の導電層203と、給電点204と、第1の導電層202、誘電体層201、及び第2の導電層203に設けられたスルーホールに形成され、且つ給電点204に接続する給電体を有するパッチアンテナである。なお、給電体は、給電点204において第1の導電層202と接続するが、第2の導電層203とは接続しない。放射電極として機能する第1の導電層202が、円形であり、且つ点対称となる2つの領域において、縮退分子素子205がある場合、円偏波のアンテナとなる。また、第1の導電層202が円形の場合、パッチアンテナは直偏波のアンテナとなる。 FIG. 5A illustrates a first conductive layer 202 that functions as a radiation electrode, a dielectric layer 201, a second conductive layer 203 that functions as a grounding body, a feeding point 204, and a first conductive layer 202. , A patch antenna having a feeding body formed in through holes provided in the dielectric layer 201 and the second conductive layer 203 and connected to the feeding point 204. Note that the power supply body is connected to the first conductive layer 202 at the power supply point 204, but is not connected to the second conductive layer 203. When the first conductive layer 202 functioning as a radiation electrode is circular and has a degenerate molecular element 205 in two regions that are point-symmetric, a circularly polarized antenna is obtained. In addition, when the first conductive layer 202 is circular, the patch antenna is a linearly polarized antenna.

図5(B)は、放射電極として機能する第1の導電層212と、誘電体層211と、接地体として機能する第2の導電層213と、給電点214と、第1の導電層212、誘電体層211、及び第2の導電層213に設けられたスルーホールに形成され、且つ給電点214に接続する給電体を有するパッチアンテナである。なお、給電体は、給電点214において第1の導電層212と接続するが、第2の導電層213とは接続しない。放射電極として機能する第1の導電層212は、矩形であり、且つ点対称となる2つの角部において、縮退分子素子215がある場合、円偏波のパッチアンテナとなる。また、第1の導電層212が矩形の場合、パッチアンテナは直偏波のパッチアンテナとなる。 FIG. 5B shows a first conductive layer 212 that functions as a radiation electrode, a dielectric layer 211, a second conductive layer 213 that functions as a grounding body, a feeding point 214, and a first conductive layer 212. , A patch antenna having a feeding body formed in through holes provided in the dielectric layer 211 and the second conductive layer 213 and connected to the feeding point 214. Note that the power supply body is connected to the first conductive layer 212 at the power supply point 214, but is not connected to the second conductive layer 213. The first conductive layer 212 functioning as a radiation electrode is a rectangular and is a circularly polarized patch antenna when there are degenerate molecular elements 215 at two corners that are point-symmetric. In addition, when the first conductive layer 212 is rectangular, the patch antenna is a direct-polarized patch antenna.

図5(C)は、放射電極として機能する第1の導電層222と、誘電体層221と、接地体として機能する第2の導電層223と、給電体層224とを有するパッチアンテナである。放射電極として機能する第1の導電層222は、矩形であり、且つ点対称となる2つの角部において、縮退分子素子225を有する円偏波のパッチアンテナである。また、第1の導電層222が縮退分子素子225を有さない矩形の場合、パッチアンテナは直偏波のパッチアンテナとなる。放射電極として機能する第1の導電層222と給電体層224とは、ギャップを介して容量的に結合されている。また、給電体層224は誘電体層の側面に形成されているため、表面実装が可能である。 FIG. 5C illustrates a patch antenna including a first conductive layer 222 that functions as a radiation electrode, a dielectric layer 221, a second conductive layer 223 that functions as a grounding body, and a feeder layer 224. . The first conductive layer 222 functioning as a radiation electrode is a circularly polarized patch antenna having a rectangular shape and having degenerate molecular elements 225 at two corners that are point-symmetric. When the first conductive layer 222 is a rectangle that does not have the degenerate molecular element 225, the patch antenna is a directly polarized patch antenna. The first conductive layer 222 functioning as a radiation electrode and the power feeding layer 224 are capacitively coupled through a gap. Further, since the power feeding layer 224 is formed on the side surface of the dielectric layer, surface mounting is possible.

図5(A)〜図5(C)に示すパッチアンテナは、誘電体層201、211、221の一方の面に接地体として機能する第2の導電層203、213、223が設けられているため、第1の導電層202、212、222側に指向性を有し、第1の導電層側に電波を放射する。 The patch antenna shown in FIGS. 5A to 5C is provided with second conductive layers 203, 213, and 223 that function as a grounding body on one surface of the dielectric layers 201, 211, and 221. Therefore, the first conductive layers 202, 212, and 222 have directivity, and radio waves are radiated to the first conductive layer side.

図5(D)は、放射電極として機能する第1の導電層242と、誘電体層241と、接地体として機能する第2の導電層243と、給電体層244とを有するパッチアンテナである。また、図5(D)に示すように、第1の導電層242において、対角線上に直交スリットが形成されている。すなわち、放射電極として機能する第1の導電層242には、十字の切欠きが設けられている。このため、誘電体層241が十字に露出している。放射電極として機能する第1の導電層242と給電体層244とは、ギャップを介して容量的に結合されている。このような形状のパッチアンテナの代表例としては、CABPB1240、CABPB0730、CABPB0715(TDK製)が挙げられる。また、給電体層244は誘電体層241の側面に形成されているため、表面実装が可能である。このような構造のパッチアンテナは、放射電極として機能する第1の導電層242の直交スリットにより無指向性であるため、全方向へ電波を放射することが可能である。このため、実装場所や設置角度を選ばなくとも良い。このため、電子機器の設計の自由度を広げることが可能である。 FIG. 5D illustrates a patch antenna including a first conductive layer 242 that functions as a radiation electrode, a dielectric layer 241, a second conductive layer 243 that functions as a grounding body, and a power feeding layer 244. . As shown in FIG. 5D, orthogonal slits are formed on the diagonal line in the first conductive layer 242. In other words, the first conductive layer 242 functioning as a radiation electrode is provided with a cross notch. For this reason, the dielectric layer 241 is exposed in a cross shape. The first conductive layer 242 functioning as a radiation electrode and the power feeding layer 244 are capacitively coupled through a gap. Typical examples of patch antennas having such a shape include CABPB 1240, CABPB0730, and CABPB0715 (manufactured by TDK). Further, since the power feeding layer 244 is formed on the side surface of the dielectric layer 241, surface mounting is possible. Since the patch antenna having such a structure is non-directional due to the orthogonal slit of the first conductive layer 242 functioning as a radiation electrode, it can radiate radio waves in all directions. For this reason, it is not necessary to select a mounting place and an installation angle. For this reason, it is possible to expand the freedom degree of design of an electronic device.

また、図5に示すパッチアンテナ以外にも公知のパッチアンテナを用いることが可能である。 In addition to the patch antenna shown in FIG. 5, a known patch antenna can be used.

特に、円偏波のパッチアンテナを用いることで、GPS(Global Positioning System(1.5GHz))、衛星デジタル放送(2.6GHz)等の衛星送受信、無線LAN(Local Area Network)(2.4GHz、5.2GHz)、Bluetooth(商標)(2.4GHz)、UWB(Ultra Wide Band:超広帯域無線)(3〜10GHz)等のPAN(パーソナルエリアネットワーク)の送受信、第3世代のデータ通信、パケット通信等の送受信を行うことができる。 In particular, by using a circularly polarized patch antenna, satellite transmission / reception such as GPS (Global Positioning System (1.5 GHz)) and satellite digital broadcasting (2.6 GHz), wireless LAN (Local Area Network) (2.4 GHz, PAN (Personal Area Network) such as 5.2 GHz), Bluetooth (trademark) (2.4 GHz), UWB (Ultra Wide Band) (3 to 10 GHz), third generation data communication, packet communication Etc. can be transmitted and received.

次に、電界効果トランジスタを有するチップ101について、図4を用いて説明する。 Next, the chip 101 having a field effect transistor will be described with reference to FIG.

図4は電界効果トランジスタを有するチップ101の一部の断面図であり、基板500に素子分離領域501a〜501eが形成され、素子分離領域501a〜501eそれぞれの間に電界効果トランジスタ502が形成される。   FIG. 4 is a cross-sectional view of a part of a chip 101 having field effect transistors. Element isolation regions 501a to 501e are formed on a substrate 500, and a field effect transistor 502 is formed between the element isolation regions 501a to 501e. .

電界効果トランジスタ502は、単結晶半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜503、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極504、単結晶半導体基板におけるソース領域及びドレイン領域505a、505b、ゲート電極上に形成される層間絶縁層508、ソース領域及びドレイン領域505a、505bに接続されるソース配線及びドレイン配線509a、509bを有する。なお、ゲート電極504及びゲート絶縁膜503の側壁に形成されるサイドウォール507a、507bや、単結晶半導体基板においてサイドウォール507a、507bに覆われる低濃度不純物領域506a、506bを有してもよい。 The field effect transistor 502 includes a gate insulating film 503 formed over a single crystal semiconductor substrate, a gate electrode 504 formed over the gate insulating film, source and drain regions 505a and 505b in the single crystal semiconductor substrate, and over the gate electrode. An interlayer insulating layer 508 is formed, and source and drain wirings 509a and 509b connected to the source and drain regions 505a and 505b are provided. Note that sidewalls 507a and 507b formed on the sidewalls of the gate electrode 504 and the gate insulating film 503, or low-concentration impurity regions 506a and 506b covered with the sidewalls 507a and 507b in the single crystal semiconductor substrate may be provided.

基板500は、単結晶半導体基板又は化合物半導体基板であり、代表的には、n型またはp型の単結晶シリコン基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板、SiC基板、サファイヤ基板、又はZnSe基板等が挙げられる。また、SOI基板(Silicon On Insulator)を用いこともできる。本実施形態では、基板500として、n型単結晶シリコン基板を用いる。 The substrate 500 is a single crystal semiconductor substrate or a compound semiconductor substrate, and is typically an n-type or p-type single crystal silicon substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate, SiC substrate, sapphire substrate, ZnSe substrate, or the like. Is mentioned. An SOI substrate (Silicon On Insulator) can also be used. In this embodiment, an n-type single crystal silicon substrate is used as the substrate 500.

素子分離領域501a〜501eは、公知の選択酸化法(LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法)又はトレンチ分離法等を適宜用いて形成することができる。ここでは、素子分離領域501a〜501eとしては、トレンチ分離法により酸化珪素層が形成される。 The element isolation regions 501a to 501e can be formed using a known selective oxidation method (LOCOS (Local Oxidation of Silicon) method) or a trench isolation method as appropriate. Here, as the element isolation regions 501a to 501e, silicon oxide layers are formed by a trench isolation method.

ゲート絶縁膜503は、単結晶半導体基板を熱酸化して形成される。ゲート電極504は、厚さ100〜300nmの多結晶シリコン層や、多結晶シリコン層上にタングステンシリサイド層、モリブデンシリサイド層、コバルトシリサイド層等のシリサイド層を設けた積層構造とすることができる。更には、多結晶シリコン層上に窒化タングステン層及びタングステン層を積層して形成しても良い。 The gate insulating film 503 is formed by thermally oxidizing a single crystal semiconductor substrate. The gate electrode 504 can have a stacked structure in which a polycrystalline silicon layer with a thickness of 100 to 300 nm or a silicide layer such as a tungsten silicide layer, a molybdenum silicide layer, or a cobalt silicide layer is provided over the polycrystalline silicon layer. Further, a tungsten nitride layer and a tungsten layer may be stacked over the polycrystalline silicon layer.

ソース領域及びドレイン領域505a、505bは、pウェル領域にリンが添加されたn領域やnウェル領域にボロンが添加されたp領域を用いることができる。また、低濃度不純物領域506a、506bは、pウェル領域にリンが添加されたn領域やnウェル領域にボロンが添加されたp領域を用いることができる。ここでは、n型単結晶シリコン基板を用いているため、ボロンを基板に添加してp領域からなるソース領域及びドレイン領域、p領域からなる低濃度不純物領域が形成される。なお、ソース領域及びドレイン領域505a、505bに、マンガンシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド、ニッケルシリサイド等のシリサイドを有しても良い。シリサイドをソース領域及びドレイン領域表面に有することにより、ソース配線及びドレイン配線とソース領域及びドレイン領域との接続抵抗を下げることが可能である。 As the source and drain regions 505a and 505b, an n + region in which phosphorus is added to the p well region or a p + region in which boron is added to the n well region can be used. Further, the low concentration impurity regions 506a, 506b is, p-well region phosphorus is added to the n - can be used region - p with boron in the region and n-well region has been added. Since an n-type single crystal silicon substrate is used here, boron is added to the substrate to form a source region and a drain region made of p + regions and a low-concentration impurity region made of p regions. Note that the source and drain regions 505a and 505b may include silicide such as manganese silicide, tungsten silicide, titanium silicide, cobalt silicide, or nickel silicide. By having silicide on the surface of the source region and the drain region, it is possible to reduce the connection resistance between the source wiring and the drain wiring and the source region and the drain region.

サイドウォール507a、507bは、基板上にCVD法により酸化珪素で形成される絶縁層を形成し、該絶縁層をRIE(Reactive ion etching:反応性イオンエッチング)法により異方性エッチングすることで形成できる。   The sidewalls 507a and 507b are formed by forming an insulating layer formed of silicon oxide on a substrate by a CVD method and anisotropically etching the insulating layer by a RIE (Reactive ion etching) method. it can.

層間絶縁層508は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンなどの無機絶縁材料、又はアクリル樹脂及びポリイミド樹脂などの有機絶縁材料で形成する。スピン塗布やロールコーターなど塗布法を用いる場合には、有機溶媒中に溶かされた絶縁膜材料を塗布した後、熱処理により絶縁層を形成される酸化シリコンを用いることもできる。ここでは、層間絶縁層508は酸化珪素を用いて形成する。 The interlayer insulating layer 508 is formed using an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon oxynitride, or an organic insulating material such as an acrylic resin or a polyimide resin. When a coating method such as spin coating or roll coater is used, silicon oxide in which an insulating layer is formed by heat treatment after coating an insulating film material dissolved in an organic solvent can also be used. Here, the interlayer insulating layer 508 is formed using silicon oxide.

ソース配線及びドレイン配線509a、509bは、チタン(Ti)とアルミニウム(Al)の積層構造、モリブデン(Mo)とアルミニウム(Al)との積層構造など、アルミニウム(Al)のような低抵抗材料と、チタン(Ti)やモリブデン(Mo)などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。   The source and drain wirings 509a and 509b are formed of a low resistance material such as aluminum (Al), such as a laminated structure of titanium (Ti) and aluminum (Al), a laminated structure of molybdenum (Mo) and aluminum (Al), and the like. It is preferably formed by a combination with a barrier metal using a refractory metal material such as titanium (Ti) or molybdenum (Mo).

なお、電界効果トランジスタを有するチップ101は、電界効果トランジスタの他に抵抗素子、コンデンサ等を有してもよい。 Note that the chip 101 having a field effect transistor may include a resistance element, a capacitor, and the like in addition to the field effect transistor.

また、層間絶縁層508及びソース配線及びドレイン配線509a、509b上に層間絶縁層511が形成される。層間絶縁層511は層間絶縁層508と同様に形成される。また、層間絶縁層508上には、電界効果トランジスタ502に接続する接続端子512、513を有する。   In addition, an interlayer insulating layer 511 is formed over the interlayer insulating layer 508 and the source and drain wirings 509a and 509b. The interlayer insulating layer 511 is formed in the same manner as the interlayer insulating layer 508. Further, connection terminals 512 and 513 connected to the field effect transistor 502 are provided over the interlayer insulating layer 508.

また、接続端子512、513の一部及び層間絶縁層511を覆う絶縁層514が形成されてもよい。絶縁層514は、保護層として機能するため、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)等で形成されることが好ましい。   In addition, an insulating layer 514 that covers part of the connection terminals 512 and 513 and the interlayer insulating layer 511 may be formed. The insulating layer 514 functions as a protective layer, and is preferably formed using silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), or the like.

パッチアンテナ103と電界効果トランジスタを有するチップ101とを接続する導電層102a、102bは、バンプ、導電性ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電膜等で形成される。また、パンプ及び導電性ペーストを用いてもよい。さらには、バンプ及び異方性導電接着剤、バンプ及び異方性導電膜を用いてもよい。これらの場合、バンプ及び導電性粒子により、導電層と接続端子が接続される。   The conductive layers 102a and 102b that connect the patch antenna 103 and the chip 101 having a field effect transistor are formed of a bump, a conductive paste, an anisotropic conductive adhesive, an anisotropic conductive film, or the like. Further, a pump and a conductive paste may be used. Furthermore, bumps and anisotropic conductive adhesives, bumps and anisotropic conductive films may be used. In these cases, the conductive layer and the connection terminal are connected by the bump and the conductive particles.

異方性導電膜及び異方性導電接着剤は、粒径数nm〜数μm程度の導電性粒子が分散された接着性の有機樹脂であり、有機樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成される。また、これらの元素の多層構造を有する粒子でも良い。更には、樹脂で形成された粒子の表面に、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一金属、若しくは複数の金属で形成される薄膜がコーティングされた導電性粒子を用いてもよい。     An anisotropic conductive film and an anisotropic conductive adhesive are adhesive organic resins in which conductive particles having a particle size of several nm to several μm are dispersed, and examples of the organic resins include epoxy resins and phenol resins. . The conductive particles are formed of one element or a plurality of elements selected from gold, silver, copper, palladium, or platinum. Moreover, the particle | grains which have the multilayer structure of these elements may be sufficient. Furthermore, even if it uses the electroconductive particle by which the surface of the particle | grains formed with resin was coated with the thin film formed with one metal selected from gold | metal | money, silver, copper, palladium, or platinum, or several metals. Good.

アンダーフィル104は、電界効果トランジスタを有するチップ101とパッチアンテナ103の接続部の補強や外部からの水分の浸入保護等の機能を有するものであり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて形成される。     The underfill 104 has functions such as reinforcement of a connection portion between the chip 101 having a field effect transistor and the patch antenna 103 and protection of moisture intrusion from the outside, using an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, or the like. It is formed.

次に、図6を用いて、本実施形態で示す無線チップ900の構成を示す。本実施形態の無線チップ900は、電界効果トランジスタを有するチップ901、及びアンテナ902を有する。   Next, a configuration of the wireless chip 900 described in this embodiment is described with reference to FIG. The wireless chip 900 of this embodiment includes a chip 901 having a field effect transistor and an antenna 902.

電界効果トランジスタを有するチップ901は、演算処理回路部903、メモリ部904、通信回路部905、電源回路部907を備える。メモリ部904は、読み出し専用メモリや、書き換え可能メモリの一方若しくは双方を備えている。メモリ部904は、スタティックRAM(Static RAM)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read−Only Memory)、フラッシュメモリ、有機メモリから選択される1つ又は複数で構成することで、アンテナ902を経由して受信した外部からの情報を随時記録することができる。     A chip 901 having a field effect transistor includes an arithmetic processing circuit portion 903, a memory portion 904, a communication circuit portion 905, and a power supply circuit portion 907. The memory unit 904 includes one or both of a read-only memory and a rewritable memory. The memory unit 904 includes one or more selected from static RAM (Static RAM), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), flash memory, and organic memory, and is received via the antenna 902. Information from outside can be recorded at any time.

なお、有機メモリとは、一対の電極間に有機化合物を有する層を挟んで設けたものをいう。また、有機メモリとは、一対の電極間に有機化合物と無機化合物との混合層を設けたものをいう。有機化合物の代表例としては、電圧印加や光が照射されることにより、結晶状態や導電性、形状が変化する物質が挙げられる。代表的には、光を吸収することによって酸を発生する化合物(光酸発生剤)をドープした共役高分子、正孔輸送性を有する有機化合物、又は電子輸送性を有する有機化合物を用いることができる。 Note that an organic memory is a memory in which a layer having an organic compound is interposed between a pair of electrodes. An organic memory is a memory in which a mixed layer of an organic compound and an inorganic compound is provided between a pair of electrodes. As a typical example of an organic compound, a substance whose crystal state, conductivity, and shape change by voltage application or light irradiation can be given. Typically, a conjugated polymer doped with a compound that generates an acid by absorbing light (a photoacid generator), an organic compound having a hole transporting property, or an organic compound having an electron transporting property is used. it can.

有機メモリは、小型化、薄膜化および大容量化を同時に実現することができるため、メモリ部904を有機メモリで設けることにより、無線チップの小型化、軽量化を達成することができる。   Since the organic memory can simultaneously realize downsizing, thinning, and large capacity, the wireless chip can be reduced in size and weight by providing the memory portion 904 as an organic memory.

なお、メモリ部904の構成を逐次書き込みを可能とするとともに、データが消失しないフローティングゲート構造の記憶素子で構成してもよい。特に、フローティングゲート構造の記憶素子であって、一度だけ書き込み可能な記憶素子を適用することが可能であり、機能を単純化することにより、無線チップを小型化することができる。また、省電力化することができる。   Note that the memory portion 904 may be configured by a storage element having a floating gate structure in which data can be sequentially written and data is not lost. In particular, a memory element having a floating gate structure which can be written only once can be used, and the wireless chip can be reduced in size by simplifying the function. In addition, power can be saved.

通信回路部905は、それぞれ復調回路912、変調回路913を含んでいる。復調回路912は、それぞれアンテナ902を経由して入力される信号を復調して、演算処理回路部903に出力する。信号には、メモリ部904に記憶させる情報を含んでいる。また、メモリ部904から読み出された情報は、演算処理回路部903を通して、それぞれ変調回路913に出力される。変調回路913は、この信号を無線通信可能な信号に変調して、それぞれアンテナ902を介して外部装置に出力する。   The communication circuit unit 905 includes a demodulation circuit 912 and a modulation circuit 913, respectively. The demodulation circuit 912 demodulates signals input via the antenna 902 and outputs the demodulated signals to the arithmetic processing circuit unit 903. The signal includes information to be stored in the memory unit 904. Information read from the memory unit 904 is output to the modulation circuit 913 through the arithmetic processing circuit unit 903. The modulation circuit 913 modulates this signal into a signal capable of wireless communication, and outputs the signal to an external device via the antenna 902.

演算処理回路部903、メモリ部904及び通信回路部905を動作させるのに必要な電力は、アンテナ902を介して供給される。   Electric power necessary for operating the arithmetic processing circuit unit 903, the memory unit 904, and the communication circuit unit 905 is supplied via the antenna 902.

アンテナ902は、リーダ/ライタと呼ばれる外部装置から供給される電磁波を受信して、必要な電力を電源回路部907で発生させている。アンテナ902は通信する周波数帯に応じて適宜設計すれば良い。電磁波の周波数帯は、30〜135kHzまでの長波帯、6〜60MHz(代表的には13.56MHz)の短波帯、400〜950MHzの超短波帯、2〜25GHzのマイクロ波帯などを使用することができる。長波帯や短波帯のアンテナは、ループアンテナによる電磁誘導を利用したものが利用される。その他に相互誘導作用(電磁結合方式)又は静電気による誘導作用(静電結合方式)を利用したものであっても良い。電力は電源回路部907で生成する。アンテナ902はデータ通信用アンテナと、電力供給用アンテナを分離して設けても良い。   The antenna 902 receives electromagnetic waves supplied from an external device called a reader / writer and generates necessary power in the power supply circuit unit 907. The antenna 902 may be appropriately designed according to the frequency band for communication. As the electromagnetic wave frequency band, a long wave band of 30 to 135 kHz, a short wave band of 6 to 60 MHz (typically 13.56 MHz), an ultra short wave band of 400 to 950 MHz, a microwave band of 2 to 25 GHz, or the like may be used. it can. As the long wave band or short wave band antenna, an antenna using electromagnetic induction by a loop antenna is used. In addition, a mutual inductive action (electromagnetic coupling method) or an electrostatic induction action (electrostatic coupling method) may be used. Power is generated by the power supply circuit unit 907. As the antenna 902, a data communication antenna and a power supply antenna may be provided separately.

図6に示すアンテナ902に図1に示すパッチアンテナ103を用い、図6に示す電界効果トランジスタを有するチップ901に図1に示す電界効果トランジスタを有するチップ101を用いることができる。この結果、無線チップの耐久性が高まる。   The patch antenna 103 shown in FIG. 1 can be used for the antenna 902 shown in FIG. 6, and the chip 101 having the field effect transistor shown in FIG. 1 can be used for the chip 901 having the field effect transistor shown in FIG. As a result, the durability of the wireless chip is increased.

(実施の形態2)
本発明の無線チップの一実施の形態を図2に示す。図2は無線チップの断面図である。本実施の形態では、電界効果トランジスタを有するチップと、パッチアンテナと、センサ装置とを有する無線チップの構造について説明する。
(Embodiment 2)
One embodiment of a wireless chip of the present invention is shown in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wireless chip. In this embodiment mode, a structure of a wireless chip including a chip having a field effect transistor, a patch antenna, and a sensor device will be described.

本実施の形態の無線チップは、電界効果トランジスタを有するチップ101が、配線基板121に実装される。具体的には、電界効果トランジスタを有するチップ101表面に形成される接続端子104a〜104cと、配線基板121上に形成される接続端子125a〜125cとがそれぞれ導電層102a〜102cで接続される。 In the wireless chip of this embodiment, a chip 101 having a field effect transistor is mounted on a wiring substrate 121. Specifically, the connection terminals 104a to 104c formed on the surface of the chip 101 having a field effect transistor and the connection terminals 125a to 125c formed on the wiring substrate 121 are connected by conductive layers 102a to 102c, respectively.

また、センサ装置122が配線基板121に実装される。具体的には、センサ装置122表面に形成される接続端子126と、配線基板121上に形成される接続端子127と導電層129で接続される。 In addition, the sensor device 122 is mounted on the wiring board 121. Specifically, the connection terminal 126 formed on the surface of the sensor device 122, the connection terminal 127 formed on the wiring substrate 121, and the conductive layer 129 are connected.

なお、配線基板121上に形成される接続端子125a〜125cと、接続端子127とは、配線基板121に形成される配線や、ビアーホール、スルーホール等に形成される導電層で接続される。即ち、電界効果トランジスタを有するチップ101とセンサ装置122とが電気的に接続される。 Note that the connection terminals 125a to 125c formed on the wiring board 121 and the connection terminal 127 are connected by a conductive layer formed in a wiring formed in the wiring board 121, a via hole, a through hole, or the like. That is, the chip 101 having a field effect transistor and the sensor device 122 are electrically connected.

また、パッチアンテナ103は配線基板121に実装される。具体的には、パッチアンテナ103の給電体層113と配線基板121上に形成される接続端子123aとが、導電層124aで接続され、パッチアンテナの接地体として機能する導電層112と配線基板上に形成される接続端子123bとが導電層124bにより接続される。 The patch antenna 103 is mounted on the wiring board 121. Specifically, the feeder layer 113 of the patch antenna 103 and the connection terminal 123a formed on the wiring substrate 121 are connected by the conductive layer 124a, and the conductive layer 112 functioning as a grounding body of the patch antenna and the wiring substrate. The connection terminal 123b formed on the substrate is connected by the conductive layer 124b.

また、接続端子123aと接続端子125aとは、図示しないが配線基板121のビアーホール、スルーホール等に形成される導電層で接続される。また、接続端子123bと接続端子125bとは、同様に配線基板121のビアーホール、スルーホール等に形成される導電層で接続される。即ち、電界効果トランジスタを有するチップ101とパッチアンテナ103とが電気的に接続される。 Further, although not shown, the connection terminal 123a and the connection terminal 125a are connected by a conductive layer formed in a via hole, a through hole, or the like of the wiring board 121. Similarly, the connection terminal 123b and the connection terminal 125b are connected by a conductive layer formed in a via hole, a through hole, or the like of the wiring board 121. That is, the chip 101 having a field effect transistor and the patch antenna 103 are electrically connected.

ここでは、パッチアンテナ103と電界効果トランジスタを有するチップ101とは、配線基板121の反対側に実装されている。このため、接続端子123a、123bは、配線基板121の一方の面に形成され、接続端子125a、125bは配線基板121の他方の面に形成されている。しかしながら、接続端子123a、123b及び接続端子125a、125bを配線基板121の一方の面に形成し、パッチアンテナ103と電界効果トランジスタを有するチップ101とを、配線基板の一方の面の上に実装してもよい。 Here, the patch antenna 103 and the chip 101 having a field effect transistor are mounted on the opposite side of the wiring substrate 121. For this reason, the connection terminals 123 a and 123 b are formed on one surface of the wiring substrate 121, and the connection terminals 125 a and 125 b are formed on the other surface of the wiring substrate 121. However, the connection terminals 123a and 123b and the connection terminals 125a and 125b are formed on one surface of the wiring substrate 121, and the patch antenna 103 and the chip 101 having a field effect transistor are mounted on one surface of the wiring substrate. May be.

配線基板121は、板状の基板や可撓性基板であり、且つ基板内に複数の配線層を有する多層配線基板を用いる。硬質な配線基板としては、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス、アルミナ、窒化アルミナ等を用いて形成される基板が挙げられる。可撓性を有する配線基板としては、代表的にはTAB(Tape Automated Bonding)基板やFPC(フレキシブルプリント基板)等のポリイミドで形成される基板が挙げられる。 The wiring board 121 is a plate-like board or a flexible board, and a multilayer wiring board having a plurality of wiring layers in the board is used. Examples of the hard wiring board include a board formed using glass epoxy resin, ceramics, alumina, alumina nitride, or the like. Typical examples of the flexible wiring board include a board formed of polyimide such as a TAB (Tape Automated Bonding) board and an FPC (Flexible Printed Board).

配線基板121上に形成される接続端子123a、123b、125a〜125c、127は、銅、金などを用いて形成される。また、それぞれの接続端子は、配線基板121表面及び内部に形成される配線と接続されている。 The connection terminals 123a, 123b, 125a to 125c, and 127 formed on the wiring board 121 are formed using copper, gold, or the like. Each connection terminal is connected to the wiring formed on the surface of the wiring board 121 and inside.

また、パッチアンテナ103と配線基板121との接続部分、電界効果トランジスタを有するチップ101と配線基板121との接続部分、センサ装置122と配線基板121との接続部分は、アンダーフィル114〜116で充填されてもよい。 In addition, a connection portion between the patch antenna 103 and the wiring substrate 121, a connection portion between the chip 101 having a field effect transistor and the wiring substrate 121, and a connection portion between the sensor device 122 and the wiring substrate 121 are filled with underfills 114 to 116. May be.

導電層102c、124a〜124b、129は、実施の形態1に示す導電層102a、102bと同様に形成される。また、アンダーフィル114〜116は、実施の形態1のアンダーフィル104と同様に形成される。 The conductive layers 102c, 124a to 124b, and 129 are formed in the same manner as the conductive layers 102a and 102b described in Embodiment 1. The underfills 114 to 116 are formed in the same manner as the underfill 104 of the first embodiment.

ここで、本発明の無線チップの構成について、図7を参照して説明する。本実施の形態の無線チップは、実施の形態1で示す無線チップに加え、バス910を介して演算処理回路部903に接続するセンサ装置908を有する。また、センサ装置908は、センサ素子906及びセンサ回路909を有する。 Here, the structure of the wireless chip of the present invention will be described with reference to FIG. In addition to the wireless chip described in Embodiment 1, the wireless chip of this embodiment includes a sensor device 908 that is connected to the arithmetic processing circuit portion 903 through a bus 910. The sensor device 908 includes a sensor element 906 and a sensor circuit 909.

センサ装置は、温度、圧力、流量、光、磁気、音波、加速度、湿度、気体成分、液体成分、その他の特性を物理的又は化学的手段により検出することができる装置を用いる。センサ装置908は、センサ素子906とそれを制御するセンサ回路909が含まれている。センサ素子906は低抵抗素子、容量結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱起電力素子、トランジスタ、サーミスタ、ダイオード、静電容量型素子、圧電素子などの素子で形成される。なお、センサ素子906は複数設けてもよく、この場合、複数の物理量または化学量を同時に検出することが可能である。 The sensor device uses a device that can detect temperature, pressure, flow rate, light, magnetism, sound wave, acceleration, humidity, gas component, liquid component, and other characteristics by physical or chemical means. The sensor device 908 includes a sensor element 906 and a sensor circuit 909 that controls the sensor element 906. The sensor element 906 is formed of an element such as a low resistance element, a capacitive coupling element, an inductive coupling element, a photovoltaic element, a photoelectric conversion element, a thermoelectric element, a transistor, a thermistor, a diode, a capacitance element, or a piezoelectric element. The A plurality of sensor elements 906 may be provided. In this case, a plurality of physical quantities or chemical quantities can be detected simultaneously.

また、ここでいう物理量とは、温度、圧力、流量、光、磁気、音波、加速度、湿度等を指し、化学量とは、ガス等の気体成分やイオン等の液体に含まれる成分等の化学物質等を指す。化学量としては、他にも、血液、汗、尿等に含まれる特定の生体物質(例えば、血液中に含まれる血糖値等)等の有機化合物も含まれる。特に、化学量を検出しようとする場合には、必然的にある特定の物質を選択的に検出することになるため、あらかじめ検出素子31に検出したい物質と選択的に反応する物質を設けておく。例えば、生体物質の検出を行う場合には、検出素子31に検出させたい生体物質と選択的に反応する酵素、抗体分子または微生物細胞等を高分子等に固定化して設けておくことが好ましい。ここでは、センサ素子906として、単結晶シリコンを用いて形成される光センサを用いる。 The physical quantity here refers to temperature, pressure, flow rate, light, magnetism, sound wave, acceleration, humidity, etc., and the chemical quantity refers to chemicals such as components contained in gas components such as gases and liquids such as ions. It refers to substances. In addition, the chemical amount includes organic compounds such as specific biological substances (for example, blood glucose level contained in blood) contained in blood, sweat, urine and the like. In particular, when a chemical quantity is to be detected, a specific substance is necessarily selectively detected. Therefore, a substance that selectively reacts with a substance to be detected is provided in advance in the detection element 31. . For example, when detecting a biological substance, it is preferable that an enzyme, an antibody molecule, a microbial cell, or the like that selectively reacts with the biological substance to be detected by the detection element 31 is fixed to a polymer or the like. Here, as the sensor element 906, an optical sensor formed using single crystal silicon is used.

センサ回路909はインピーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し、アナログ/デジタル変換(A/D変換)して演算処理回路部903に信号を出力する。 The sensor circuit 909 detects a change in impedance, reactance, inductance, voltage, or current, performs analog / digital conversion (A / D conversion), and outputs a signal to the arithmetic processing circuit unit 903.

センサ装置908で検知した情報は、バス910及び演算処理回路部903を通して、それぞれ変調回路913に出力される。変調回路913は、この信号を無線通信可能な信号に変調して、それぞれアンテナ902を介して外部装置に出力する。 Information detected by the sensor device 908 is output to the modulation circuit 913 through the bus 910 and the arithmetic processing circuit unit 903, respectively. The modulation circuit 913 modulates this signal into a signal capable of wireless communication, and outputs the signal to an external device via the antenna 902.

また、本実施の形態と実施の形態1を適宜組み合わせることが可能である。 Further, this embodiment and Embodiment 1 can be combined as appropriate.

本実施の形態の無線チップは、センサ装置で検出した情報を外部に送信することが可能である。また、センサ装置で検知した情報を信号化し、アンテナを介して該信号をリーダライタに送信することが可能である。このため、機密性を高めることが可能である。また、センサで検知した情報をメモリ部に記録することが可能であるため、センサ機能を有する装置の小型化が可能である。 The wireless chip of this embodiment can transmit information detected by the sensor device to the outside. Further, it is possible to convert information detected by the sensor device into a signal and transmit the signal to the reader / writer via the antenna. For this reason, it is possible to improve confidentiality. In addition, since information detected by the sensor can be recorded in the memory portion, a device having a sensor function can be downsized.

(実施の形態3)
本発明の無線チップの一実施の形態を図3に示す。図3は無線チップの断面図である。
(Embodiment 3)
One embodiment of a wireless chip of the present invention is shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the wireless chip.

本実施の形態の無線チップは、実施の形態1に示す無線チップに電池を有する無線チップである。具体的には、電界効果トランジスタを有するチップ101表面に形成される接続端子104a〜104cと、配線基板121上に形成される接続端子125a〜125cとがそれぞれ導電層102a〜102cで接続される。 The wireless chip of this embodiment is a wireless chip that includes a battery in the wireless chip described in Embodiment 1. Specifically, the connection terminals 104a to 104c formed on the surface of the chip 101 having a field effect transistor and the connection terminals 125a to 125c formed on the wiring substrate 121 are connected by conductive layers 102a to 102c, respectively.

また、電池141が配線基板121に実装される。具体的には、電池141表面に形成される接続端子142と、配線基板121上に形成される接続端子143とが導電層144で接続される。 In addition, the battery 141 is mounted on the wiring board 121. Specifically, the connection terminal 142 formed on the surface of the battery 141 and the connection terminal 143 formed on the wiring substrate 121 are connected by the conductive layer 144.

なお、配線基板121上に形成される接続端子125a〜125cと、接続端子143とは、配線基板121に形成される配線、ビアーホール、スルーホール等の導電層で接続される。すなわち、電界効果トランジスタを有するチップ101と電池141とが接続される。具体的には、電界効果トランジスタを有するチップ101の電源回路部907と電池141とが接続される。 The connection terminals 125a to 125c formed on the wiring board 121 and the connection terminal 143 are connected by a conductive layer such as a wiring, a via hole, or a through hole formed on the wiring board 121. That is, the chip 101 having a field effect transistor and the battery 141 are connected. Specifically, the power supply circuit unit 907 of the chip 101 having a field effect transistor and the battery 141 are connected.

また、パッチアンテナ103が配線基板121に実装される。具体的には、パッチアンテナ103の給電体層113と配線基板121上に形成される接続端子123aとが、導電層124aで接続され、パッチアンテナの接地体として機能する導電層112と配線基板上に形成される接続端子123bとが導電層124bにより接続される。すなわち、電界効果トランジスタを有するチップ101とパッチアンテナ103とが接続される。 In addition, the patch antenna 103 is mounted on the wiring board 121. Specifically, the feeder layer 113 of the patch antenna 103 and the connection terminal 123a formed on the wiring substrate 121 are connected by the conductive layer 124a, and the conductive layer 112 functioning as a grounding body of the patch antenna and the wiring substrate. The connection terminal 123b formed on the substrate is connected by the conductive layer 124b. That is, the chip 101 having a field effect transistor and the patch antenna 103 are connected.

電池141は、小型であることが好ましく、さらには厚さ0.5mm以下0.1mm以上のシート状であることが望ましい。また電池は、生産容易性から方形が好ましいが、円形や楕円形、さらには多角形でもよい。また、電池141は一次電池でもよく、二次電池でもよい。電池141としては、リチウム電池、好ましくはゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池や、ゲル状電解質を用いる有機ラジカル電池や、リチウムイオン電池等を用いることで、小型化が可能である。 The battery 141 is preferably small, and more preferably in the form of a sheet having a thickness of 0.5 mm or less and 0.1 mm or more. The battery is preferably rectangular from the viewpoint of ease of production, but it may be circular, elliptical, or polygonal. Further, the battery 141 may be a primary battery or a secondary battery. The battery 141 can be miniaturized by using a lithium battery, preferably a lithium polymer battery using a gel electrolyte, an organic radical battery using a gel electrolyte, a lithium ion battery, or the like.

なお、電池141が二次電池である場合は、配線基板121に、単結晶シリコンやアモルファスシリコンを用いた太陽電池や色素増感太陽電池などのように光起電力効果を有する装置を設けることが好ましい。また、荷重又は運動により生じるエネルギーを圧電効果により電気信号に変換する圧電素子を設けても良い。 Note that in the case where the battery 141 is a secondary battery, a device having a photovoltaic effect such as a solar cell using single crystal silicon or amorphous silicon or a dye-sensitized solar cell is provided on the wiring substrate 121. preferable. Further, a piezoelectric element that converts energy generated by a load or movement into an electric signal by a piezoelectric effect may be provided.

また、パッチアンテナ103と配線基板121との接続部分、電界効果トランジスタを有するチップ101と配線基板121との接続部分、電池141と配線基板との接続部分は、アンダーフィル114〜116で充填されてもよい。 In addition, a connection portion between the patch antenna 103 and the wiring substrate 121, a connection portion between the chip 101 having a field effect transistor and the wiring substrate 121, and a connection portion between the battery 141 and the wiring substrate are filled with underfills 114 to 116. Also good.

なお、本実施の形態と実施の形態1を適宜組み合わせることが可能である。また、実施の形態2に示すようなセンサ装置を有する無線チップに、電池141を設けてもよい。 Note that this embodiment and Embodiment 1 can be combined as appropriate. Alternatively, the battery 141 may be provided for a wireless chip including the sensor device as described in Embodiment 2.

電池141を有する無線チップは、自発的にリーダライタへ信号を送信することが可能である。 The wireless chip including the battery 141 can spontaneously transmit a signal to the reader / writer.

本発明の無線チップの用途は広範にわたるが、例えば、乗物類(自転車3901(図11(B)参照)、自動車等)、食品類、植物類、衣類、生活用品類(鞄3900(図11(A)参照)等)、電子機器、検査装置、花火玉(図11(G)参照)等の物品や、動物類、人体に、無線チップ20を設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、EL(Electro Luminescence)表示装置、テレビジョン装置(単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ)、携帯電話3902(図11(C)参照)、プリンター、カメラ、パーソナルコンピュータ、イヤホン付ゴーグル3903(図11(D)参照)、スピーカ装置3904(図11(E)参照)、ヘッドホン3905(図11(F)参照)、ナビゲーション装置、ETC(Electoronic Toll Collection:有料道路等の自動料金収受システム)用車載器、電子鍵等を指す。 The wireless chip of the present invention has a wide range of uses. For example, vehicles (bicycles 3901 (see FIG. 11B), automobiles, etc.), foods, plants, clothing, household goods (類 3900 (FIG. 11 ( A) and the like), electronic devices, inspection devices, fireworks balls (see FIG. 11G) and other articles, animals, and human bodies can be used with the wireless chip 20 provided. Electronic devices include a liquid crystal display device, an EL (Electro Luminescence) display device, a television device (also simply referred to as a television, a television receiver, or a television receiver), a mobile phone 3902 (see FIG. 11C), a printer, Camera, personal computer, goggles with earphones 3903 (see FIG. 11D), speaker device 3904 (see FIG. 11E), headphones 3905 (see FIG. 11F), navigation device, ETC (Electronic Toll Collection: This refers to on-board devices and electronic keys for automatic toll collection systems such as toll roads.

本発明の無線チップ20を鞄3900、自転車3901等に設けることにより、GPSでこれらの所在を検出することが可能である。この結果、盗難された自転車を見つけ出すことが可能である。また、行方不明者の捜索が容易となる。 By providing the wireless chip 20 of the present invention on the eaves 3900, the bicycle 3901, etc., it is possible to detect these locations by GPS. As a result, it is possible to find a stolen bicycle. It also makes it easier to search for missing persons.

また、本発明の無線チップ20を携帯電話3902に実装することにより、情報の送受信及び通話が可能となる。 Further, by mounting the wireless chip 20 of the present invention on the mobile phone 3902, information can be transmitted and received and a call can be made.

また、本発明の無線チップをイヤホン付ゴーグル3903、スピーカ装置3904やヘッドホン3905に実装することにより、オーディオ装置と当該電子機器をコードで接続することなしに、オーディオ装置で再生した音楽を楽しむことが可能である。また、イヤホン付ゴーグル3903に無線チップ20と共に、小型のハードディスク(記憶装置)を設けてもよい。また、無線チップ20に中央処理ユニットを有する場合、オーディオ装置で暗号化した音声信号を、イヤホン付ゴーグル3903、ヘッドホン3905やスピーカ装置3904で受信、復調、増幅することが可能であるため、秘匿性高く音声を聞くことが可能である。また、コードレスのため、イヤホン付ゴーグル3903やヘッドホン3905の装着が容易となり、スピーカ装置3904の設置が容易となる。なお、この場合、イヤホン付ゴーグルやヘッドホン、スピーカ装置は、バッテリーを設けることが好ましい。 In addition, by mounting the wireless chip of the present invention on the goggles with earphones 3903, the speaker device 3904, and the headphones 3905, music played back on the audio device can be enjoyed without connecting the audio device and the electronic device with a cord. Is possible. Further, a small hard disk (storage device) may be provided in the goggles with earphones 3903 together with the wireless chip 20. In addition, when the wireless chip 20 includes a central processing unit, the audio signal encrypted by the audio device can be received, demodulated, and amplified by the goggles with earphones 3903, the headphones 3905, and the speaker device 3904. High voice can be heard. In addition, since it is cordless, it is easy to attach the goggles with earphones 3903 and the headphones 3905, and the speaker device 3904 can be easily installed. In this case, the goggles with headphones, headphones, and speaker device are preferably provided with a battery.

また、本発明の無線チップ20を花火玉3906に設けることにより、花火玉の品質管理を行うことが可能である。具体的には、センサ装置を有する無線チップ20を、花火玉内部に充填された割薬や、花火玉の表面の玉皮に設けることにより、センサ装置で検知した花火玉の湿度、温度等の情報をリーダライタに送信することができる。この結果、花火玉の品質管理を行うこと共に、湿気った花火玉を打ち上げることを回避することが可能であり、不発玉の落下に伴う事故を防止することが可能である。 In addition, by providing the wireless chip 20 of the present invention in the firework ball 3906, the quality control of the firework ball can be performed. Specifically, by providing the wireless chip 20 having the sensor device on the split medicine filled in the inside of the fireworks ball or on the skin of the surface of the firework ball, the humidity, temperature, etc. of the firework ball detected by the sensor device Information can be transmitted to the reader / writer. As a result, it is possible to perform quality control of the firework balls, avoid launching the wet firework balls, and prevent accidents due to falling of the misfire balls.

本発明の無線チップは、プリント基板に実装したり、表面に貼ったり、埋め込んだりして、物品に固定される。例えば、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。また、食品類、植物類、衣類、生活用品類、電子機器等の物品や、動物類、人体に本発明の無線チップを設けることにより、検品システムや検査システム等のシステムの効率化を図ることができる。 The wireless chip of the present invention is fixed to an article by being mounted on a printed board, pasted on a surface, or embedded. For example, a package made of an organic resin is embedded in the organic resin and fixed to each article. In addition, by providing the wireless chip of the present invention to foods, plants, clothing, daily necessities, electronic devices, etc., animals, and human bodies, the efficiency of inspection systems, inspection systems, etc. should be improved. Can do.

次に、本発明の無線チップを実装した電子機器の一態様について図面を参照して説明する。ここで例示する電子機器は携帯電話機であり、筐体2700、2706、パネル2701、ハウジング2702、プリント配線基板2703、操作ボタン2704、バッテリー2705を有する(図12参照)。パネル2701はハウジング2702に脱着自在に組み込まれ、ハウジング2702はプリント配線基板2703に嵌着される。ハウジング2702はパネル2701が組み込まれる電子機器に合わせて、形状や寸法が適宜変更される。プリント配線基板2703には、パッケージングされた複数の半導体装置や本発明の無線チップ2710が実装されている。 Next, one mode of an electronic device on which the wireless chip of the present invention is mounted will be described with reference to the drawings. The electronic device illustrated here is a mobile phone, which includes housings 2700 and 2706, a panel 2701, a housing 2702, a printed wiring board 2703, operation buttons 2704, and a battery 2705 (see FIG. 12). The panel 2701 is detachably incorporated in the housing 2702, and the housing 2702 is fitted on the printed wiring board 2703. The shape and dimensions of the housing 2702 are changed as appropriate in accordance with the electronic device in which the panel 2701 is incorporated. A plurality of packaged semiconductor devices and the wireless chip 2710 of the present invention are mounted on the printed wiring board 2703.

パネル2701は、接続フィルム2708を介して、プリント配線基板2703と接続される。上記のパネル2701、ハウジング2702、プリント配線基板2703は、操作ボタン2704やバッテリー2705と共に、筐体2700、2706の内部に収納される。パネル2701が含む画素領域2709は、筐体2700に設けられた開口窓から視認できるように配置されている。 The panel 2701 is connected to the printed wiring board 2703 through the connection film 2708. The panel 2701, the housing 2702, and the printed wiring board 2703 are housed in the housings 2700 and 2706 together with the operation buttons 2704 and the battery 2705. A pixel region 2709 included in the panel 2701 is arranged so as to be visible from an opening window provided in the housing 2700.

なお、筐体2700、2706は、携帯電話機の外観形状を一例として示したものであり、本実施例に係る電子機器は、その機能や用途に応じて様々な態様に変容しうる。 Note that the housings 2700 and 2706 are examples of the appearance of a mobile phone, and the electronic device according to the present embodiment can be transformed into various modes depending on the function and application.

ここでは、携帯電話機のデータ復調変調回路に代表される高周波回路のブロック図について、図14を用いて説明する。   Here, a block diagram of a high-frequency circuit typified by a data demodulation and modulation circuit of a mobile phone will be described with reference to FIG.

はじめにアンテナで受信した信号をベースバンドユニットへ送り出す工程を説明する。アンテナ301に入力された受信信号は、デュプレクサ302からローノイズアンプ(LNA)303に入力され、所定の信号に増幅される。ローノイズアンプ(LNA)303に入力された受信信号は、バンドバスフィルタ(BPF)304を経てミキサー305に入力される。このミキサー305には、混成回路306からのRF信号が入力され、RF信号成分がバンドバスフィルタ(BPF)307で除去され、復調される。ミキサー305から出力された受信信号は、SAWフィルター308を経てアンプ309で増幅されたのち、ミキサー310に入力される。ミキサー310には、局部発信回路311から所定の周波数の局部発信信号が入力され、所望の周波数に変換され、アンプ312で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニット313に送り出す。なお、アンテナ301、デュプレクサ302、及びローパスフィルタ328をアンテナフロントエンドモジュール331と示す。 First, a process of sending a signal received by the antenna to the baseband unit will be described. The received signal input to the antenna 301 is input from the duplexer 302 to the low noise amplifier (LNA) 303 and amplified to a predetermined signal. The received signal input to the low noise amplifier (LNA) 303 is input to the mixer 305 via the band-pass filter (BPF) 304. An RF signal from the hybrid circuit 306 is input to the mixer 305, and an RF signal component is removed by a band-pass filter (BPF) 307 and demodulated. The reception signal output from the mixer 305 is amplified by the amplifier 309 through the SAW filter 308 and then input to the mixer 310. A local transmission signal having a predetermined frequency is input to the mixer 310 from the local transmission circuit 311, converted to a desired frequency, amplified to a predetermined level by the amplifier 312, and then sent to the baseband unit 313. The antenna 301, the duplexer 302, and the low-pass filter 328 are referred to as an antenna front end module 331.

次に、ベースバンドユニットから送出された信号をアンテナで送信する工程について説明する。ベースバンドユニット313から送出された送信信号は、ミキサー321により混成回路306からのRF信号と混合される。この混成回路306には、電圧制御発信回路(VCO)322が接続されており、所定の周波数のRF信号が供給されるようになっている。 Next, a process of transmitting a signal transmitted from the baseband unit with an antenna will be described. The transmission signal transmitted from the baseband unit 313 is mixed with the RF signal from the hybrid circuit 306 by the mixer 321. A voltage control transmission circuit (VCO) 322 is connected to the hybrid circuit 306 so that an RF signal having a predetermined frequency is supplied.

ミキサー321によりRF変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ(BPF)323を経て、パワーアンプ(PA)324により増幅される。このパワーアンプ(PA)324の出力の一部は、カプラ325から取り出され、減衰器(APC)326で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ(PA)324に入力され、パワーアンプ(PA)324の利得が一定になるように調整される。カプラ325から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ327、ローパスフィルタ(LPF)328、を経て、デュプレクサ302に入力され、これと接続されているアンテナ301から送信される。なお、減衰器(APC)326、パワーアンプ(PA)324、カプラ325、及びアイソレータ327をアイソレータパワーアンプモジュール332と示す。 The transmission signal RF-modulated by the mixer 321 is amplified by a power amplifier (PA) 324 through a band pass filter (BPF) 323. A part of the output of the power amplifier (PA) 324 is taken out from the coupler 325, adjusted to a predetermined level by an attenuator (APC) 326, and then input to the power amplifier (PA) 324 again. PA) 324 is adjusted so that the gain is constant. The transmission signal transmitted from the coupler 325 is input to the duplexer 302 via the isolator 327 for preventing backflow and the low pass filter (LPF) 328, and is transmitted from the antenna 301 connected thereto. The attenuator (APC) 326, the power amplifier (PA) 324, the coupler 325, and the isolator 327 are referred to as an isolator power amplifier module 332.

本発明の無線チップは、上記復調変調回路に代表される高周波回路及びアンテナを有するため、部品の数を低減することが可能である。配線基板に実装される部品の数を低減することが可能であるため、配線基板の面積を縮小することが可能である。この結果、携帯電話を小型化することが可能である。 Since the wireless chip of the present invention includes a high-frequency circuit and an antenna typified by the demodulation and modulation circuit, the number of components can be reduced. Since the number of components mounted on the wiring board can be reduced, the area of the wiring board can be reduced. As a result, the mobile phone can be reduced in size.

次に、検出した生体の機能データを無線で送信することが可能な検査装置の例について、図13を用いて説明する。図13(A)に示す検査装置3950は、保護層がコーティングされたカプセル3952内に本発明の無線チップ3951が設けられている。カプセル3952と無線チップ3951の間には、充填剤3953が満たされていてもよい。 Next, an example of an inspection apparatus capable of wirelessly transmitting detected biological function data will be described with reference to FIG. In the inspection device 3950 shown in FIG. 13A, a wireless chip 3951 of the present invention is provided in a capsule 3952 coated with a protective layer. A filler 3953 may be filled between the capsule 3952 and the wireless chip 3951.

図13(B)に示す検査装置3955は、保護層がコーティングされたカプセル3952内に本発明の無線チップ3951が設けられている。また、無線チップの電極3956がカプセル3952の外側に露出している。カプセル3952と無線チップ3951の間には、充填剤3953が満たされていてもよい。 In the inspection device 3955 shown in FIG. 13B, a wireless chip 3951 of the present invention is provided in a capsule 3952 coated with a protective layer. In addition, the electrode 3956 of the wireless chip is exposed outside the capsule 3952. A filler 3953 may be filled between the capsule 3952 and the wireless chip 3951.

検査装置3950、3955の無線チップ3951は、実施の形態2又は3に示すような、センサ装置を有する無線チップである。センサ装置において、物理量や化学量を測定して生体の機能データを検出する。また、なお、検出した結果を信号変換して、リーダライタへ送信することが可能である。物理量とは、圧力、光、音波等を検出する場合、図13(A)に示すような、電極がカプセル3952の外部に露出してない検査装置3950を用いることができる。また、温度、流量、磁気、加速度、湿度、ガス等の気体成分やイオン等の液体に含まれる成分等の化学物質等を検出する場合、図13(B)に示すような、電極3956がカプセル3952の外部に露出している検査装置3955を用いることが好ましい。 The wireless chip 3951 of the inspection devices 3950 and 3955 is a wireless chip having a sensor device as shown in the second or third embodiment. In the sensor device, physical quantities and chemical quantities are measured to detect functional data of the living body. In addition, the detected result can be converted into a signal and transmitted to the reader / writer. As the physical quantity, when detecting pressure, light, sound wave, or the like, an inspection device 3950 in which the electrode is not exposed to the outside of the capsule 3952 as shown in FIG. In addition, when detecting a chemical substance such as a gas component such as temperature, flow rate, magnetism, acceleration, humidity, gas, or a component contained in a liquid such as ions, an electrode 3956 as a capsule is used as shown in FIG. It is preferable to use an inspection device 3955 exposed to the outside of 3952.

なお、検査装置が体内を撮像する装置である場合、検査装置にLED(Light Emitting Diode)、EL等の発光装置を設けてもよい。この結果、体内を撮像することが可能である。 Note that in the case where the inspection apparatus is an apparatus that images the inside of the body, the inspection apparatus may be provided with a light emitting device such as an LED (Light Emitting Diode) or an EL. As a result, the inside of the body can be imaged.

カプセルの表面に設けられた保護層は、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、窒化珪素、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、又は窒化炭素を含んでいることが好ましい。カプセルや充填材は公知のものを適宜用いる。カプセルに保護層を設けることで、体内でカプセルや無線チップが溶解、変性することを防止することが可能である。 The protective layer provided on the surface of the capsule preferably contains diamond-like carbon (DLC), silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or carbon nitride. Known capsules and fillers are appropriately used. By providing a protective layer on the capsule, it is possible to prevent the capsule and the wireless chip from being dissolved and denatured in the body.

なお、検査装置から検出結果のデータをリーダライタに自発的に送信するためには、センサ装置に、実施の形態3で示すような電池を有する無線チップを用いてもよい。 Note that a wireless chip having a battery as described in Embodiment 3 may be used for the sensor device in order to spontaneously transmit detection result data from the inspection device to the reader / writer.

次に、検査装置の使用方法について説明する。図13(C)に示すように、被験者3962が検査装置3950又は3955を嚥下し、体内腔3963を移動させる。無線チップのセンサ装置が検出した結果を、被験者の近傍に設置されたリーダライタ3961に送信する。リーダライタでは、この結果を受信する。この結果、無線チップを回収せずとも、その場で被験者の生体の機能データを検知することが可能である。また、体内腔及び消化器の様子を撮像することが可能である。 Next, a method for using the inspection apparatus will be described. As shown in FIG. 13C, the subject 3962 swallows the inspection device 3950 or 3955 and moves the body cavity 3963. The result detected by the sensor device of the wireless chip is transmitted to a reader / writer 3961 installed in the vicinity of the subject. The reader / writer receives this result. As a result, it is possible to detect the functional data of the subject's living body on the spot without collecting the wireless chip. Moreover, it is possible to image the state of the body cavity and digestive organs.

また、図13(D)に示すように、被験者3962の体内に検査装置3950又は3955を埋め込むことで、無線チップのセンサ装置が検出した結果を、被験者の近傍に設置されたリーダライタ3964に送信する。この場合、被験者の測定対象部に電極3956が接するように検査装置3955体内に埋め込む。リーダライタでは、この結果を受信する。この受信結果を、生体情報管理コンピュータで記録し、処理することで、被験者の生体情報を管理することが可能である。なお、リーダライタ3964をベッド3960に設けることで、身体機能が不全で、移動が困難な被験者の生体情報を常時検出することが可能であり、被験者の病状、健康状態管理することが可能である。 In addition, as shown in FIG. 13D, the test device 3950 or 3955 is embedded in the body of the subject 3962, and the result detected by the sensor device of the wireless chip is transmitted to the reader / writer 3964 installed in the vicinity of the subject. To do. In this case, it is embedded in the inspection apparatus 3955 so that the electrode 3957 is in contact with the measurement target portion of the subject. The reader / writer receives this result. It is possible to manage the biological information of the subject by recording and processing the reception result by the biological information management computer. In addition, by providing the reader / writer 3964 on the bed 3960, it is possible to always detect the biological information of the subject whose physical function is incomplete and difficult to move, and to manage the medical condition and health state of the subject. .

本実施例は上記実施の形態のいずれかと適宜組み合わせることが可能である。 This example can be combined with any of the above embodiments as appropriate.

本実施例では、センサ装置を有する無線チップにおいて、センサ装置による検知方法及びその検知情報の送受信方法について、図8乃至図10を用いて説明する。 In this embodiment, in a wireless chip having a sensor device, a detection method by the sensor device and a transmission / reception method of the detection information will be described with reference to FIGS.

図8(A)は周囲の明るさ、若しくは光照射の有無を検知するセンサ装置の一例を示している。センサ装置908は、センサ素子906及びセンサ回路909を有する。センサ素子906は、フォトダイオード、フォトトランジスタなどで形成されている。センサ回路909は、センサ駆動回路952、検出回路153及びA/D変換回路954を含んでいる。 FIG. 8A illustrates an example of a sensor device that detects ambient brightness or the presence or absence of light irradiation. The sensor device 908 includes a sensor element 906 and a sensor circuit 909. The sensor element 906 is formed of a photodiode, a phototransistor, or the like. The sensor circuit 909 includes a sensor drive circuit 952, a detection circuit 153, and an A / D conversion circuit 954.

図8(B)は検出回路953を説明する回路図である。リセット用TFT955を導通状態にするとセンサ素子906には逆バイアス電圧が印加される。ここで、センサ素子906のマイナス側端子の電位が電源電圧の電位まで充電される動作を「リセット」と呼ぶ。その後、リセット用TFT955を非導通状態にする。そのとき、センサ素子906の起電力により、時間が経過するに従い電位状態が変化する。すなわち、電源電圧の電位まで充電されていたセンサ素子906のマイナス側端子の電位が、光電変換によって発生した電荷によって除々に低下する。ある一定時間を経過した後、バイアス用TFT957を導通状態とすると、増幅用TFT956を通って出力側に信号が出力される。この場合、増幅用TFT956とバイアス用TFT957は所謂ソースフォロワ回路として動作する。図8(B)ではソースフォロワ回路をnチャネル型TFTで形成した例で示されているが、勿論、pチャネル型TFTでも形成することができる。増幅側電源線958には電源電圧Vddが加えられている。バイアス側電源線959は基準電位0ボルトが与えられている。増幅用TFT956のドレイン側端子は増幅側電源線に接続され、ソース側端子はバイアス用TFT957のドレイン端子に接続されている。バイアス用TFT957のソース側端子はバイアス側電源線959に接続されている。バイアス用TFT957のゲート端子にはバイアス電圧Vbが印加され、このTFTにはバイアス電流Ibが流れる。バイアス用TFT957は基本的には定電流源として動作する。増幅用TFT956のゲート端子には入力電圧Vinが加えられ、ソース端子が出力端子となる。このソースフォロワ回路の入出力関係は、Vout=Vin−Vbとなる。この出力電圧VoutはA/D変換回路954によりデジタル信号に変換する。デジタル信号は演算処理回路部903に出力する。   FIG. 8B is a circuit diagram illustrating the detection circuit 953. When the reset TFT 955 is turned on, a reverse bias voltage is applied to the sensor element 906. Here, an operation in which the potential of the negative terminal of the sensor element 906 is charged to the potential of the power supply voltage is referred to as “reset”. Thereafter, the reset TFT 955 is turned off. At that time, due to the electromotive force of the sensor element 906, the potential state changes with time. That is, the potential of the negative terminal of the sensor element 906 that has been charged to the potential of the power supply voltage gradually decreases due to the charge generated by the photoelectric conversion. When the bias TFT 957 is turned on after a certain time has elapsed, a signal is output to the output side through the amplification TFT 956. In this case, the amplification TFT 956 and the bias TFT 957 operate as a so-called source follower circuit. Although FIG. 8B shows an example in which the source follower circuit is formed of an n-channel TFT, it can of course be formed of a p-channel TFT. A power supply voltage Vdd is applied to the amplification side power supply line 958. The bias-side power supply line 959 is given a reference potential of 0 volts. The drain side terminal of the amplification TFT 956 is connected to the amplification side power supply line, and the source side terminal is connected to the drain terminal of the bias TFT 957. The source side terminal of the bias TFT 957 is connected to the bias side power line 959. A bias voltage Vb is applied to the gate terminal of the bias TFT 957, and a bias current Ib flows through the TFT. The bias TFT 957 basically operates as a constant current source. The input voltage Vin is applied to the gate terminal of the amplifying TFT 956, and the source terminal becomes the output terminal. The input / output relationship of this source follower circuit is Vout = Vin−Vb. This output voltage Vout is converted into a digital signal by the A / D conversion circuit 954. The digital signal is output to the arithmetic processing circuit unit 903.

図9はデータ管理装置401とセンサ装置908を有する無線チップ900との動作を説明するフローチャートである。データ管理装置401は、センサ装置起動信号、データ読み出し信号、データ書き込み信号などの制御信号を送信する。その制御信号を無線チップ900が受信する。無線チップ900は、演算処理回路で制御信号を識別する。そして、センサ素子906を動作させてデータの測定及び記録を行う動作、メモリ部に記録されているデータを読み出す動作、メモリ部にデータを書き込む動作の中からどの動作を行うか判定する。データの測定及び記録を行う動作は、センサ回路909を動作させ、センサ素子906の信号を読み取り、センサ回路909を介して二値化を行い、メモリ部に記録させる作業を行う。データを書き込む動作では、データ管理装置401から送信されたデータをメモリ部904に書き込みを行う。メモリ部に記録されているデータを読み出す動作では、メモリ部904のデータを読み出し、それをデータ管理装置401に送信する動作を行う。回路の動作に必要な電力は、信号の送信と同時に、若しくは随時生成ものとする。   FIG. 9 is a flowchart for explaining the operation of the data management device 401 and the wireless chip 900 having the sensor device 908. The data management device 401 transmits control signals such as a sensor device activation signal, a data read signal, and a data write signal. The wireless chip 900 receives the control signal. The wireless chip 900 identifies a control signal with an arithmetic processing circuit. Then, it is determined which operation is to be performed among the operation of measuring and recording data by operating the sensor element 906, the operation of reading data recorded in the memory unit, and the operation of writing data to the memory unit. In the operation of measuring and recording data, the sensor circuit 909 is operated, the signal of the sensor element 906 is read, binarization is performed via the sensor circuit 909, and the data is recorded in the memory unit. In the operation of writing data, the data transmitted from the data management device 401 is written into the memory unit 904. In the operation of reading the data recorded in the memory unit, the operation of reading the data in the memory unit 904 and transmitting it to the data management device 401 is performed. The power necessary for the operation of the circuit is generated at the same time as signal transmission or at any time.

次に、無線チップのセンサ装置908で検知した情報を、データ管理装置401のリーダライタと送受信するシステムについて、図10を用いて説明する。図10は、本発明の無線チップ900と、無線チップ900の情報の送受信を行うリーダライタ920の一例を示す。リーダライタ920は、アンテナ921と、発信器923、復調回路924、変調回路925を備えた通信回路部922を備えている。その他に演算処理回路部926、外部インターフェース部927を備える。制御信号を暗号化して送受信するには、暗号化/復合化回路部928とメモリ部929を備えておけば良い。電源回路部930は各回路に電力を供給するものであり、外部電源931から供給された電力を各回路へ供給する。   Next, a system for transmitting / receiving information detected by the sensor device 908 of the wireless chip to / from the reader / writer of the data management device 401 will be described with reference to FIG. FIG. 10 illustrates an example of a wireless chip 900 of the present invention and a reader / writer 920 that transmits and receives information of the wireless chip 900. The reader / writer 920 includes an antenna 921, a communication circuit unit 922 including a transmitter 923, a demodulation circuit 924, and a modulation circuit 925. In addition, an arithmetic processing circuit unit 926 and an external interface unit 927 are provided. In order to encrypt and transmit the control signal, an encryption / decryption circuit unit 928 and a memory unit 929 may be provided. The power supply circuit unit 930 supplies power to each circuit, and supplies the power supplied from the external power supply 931 to each circuit.

無線チップ900のセンサ装置908で検知した情報は、演算処理回路部903で処理した後、メモリ部904に保持される。リーダライタ920の変調回路925を介して電波として送られてきた信号942は、無線チップ900のアンテナ902において、電磁誘導により交流の電気信号に変換される。通信回路部905の復調回路912では、該交流の電気信号を復調し、後段の演算処理回路部903に送信する。演算処理回路部903では、入力された信号に従ってメモリ部904に保持されているセンサ装置が検知した情報を呼び出す。そして、演算処理回路部903から変調回路913に信号を送り、変調回路913で交流の電気信号に変調される。そして、該交流の電気信号941をアンテナ902を介して、リーダライタ920のアンテナ921に送信する。   Information detected by the sensor device 908 of the wireless chip 900 is processed by the arithmetic processing circuit unit 903 and then held in the memory unit 904. A signal 942 transmitted as a radio wave via the modulation circuit 925 of the reader / writer 920 is converted into an AC electrical signal by electromagnetic induction in the antenna 902 of the wireless chip 900. The demodulation circuit 912 of the communication circuit unit 905 demodulates the alternating electrical signal and transmits it to the arithmetic processing circuit unit 903 at the subsequent stage. The arithmetic processing circuit unit 903 calls information detected by the sensor device held in the memory unit 904 in accordance with the input signal. Then, a signal is sent from the arithmetic processing circuit unit 903 to the modulation circuit 913, and modulated by the modulation circuit 913 into an AC electrical signal. Then, the AC electrical signal 941 is transmitted to the antenna 921 of the reader / writer 920 via the antenna 902.

リーダライタ920のアンテナ921で受信した交流の電気信号941を、通信回路部922の復調回路924で復調し、後段の演算処理回路部926、外部インターフェース部927に送信する。そして外部インターフェース部927に接続されるディスプレイ、コンピュータなどのデータ管理装置401で、センサ装置が検知した情報を表示する。   An AC electrical signal 941 received by the antenna 921 of the reader / writer 920 is demodulated by the demodulation circuit 924 of the communication circuit unit 922 and transmitted to the subsequent arithmetic processing circuit unit 926 and the external interface unit 927. Information detected by the sensor device is displayed on a data management device 401 such as a display or a computer connected to the external interface unit 927.

本実施例では、温室及び栽培植物の管理システムについて、図15を用いて説明する。 In this embodiment, a management system for greenhouses and cultivated plants will be described with reference to FIG.

図15に示す温室及び栽培植物の管理システムは、温室601〜603それぞれに、無線チップ605〜607を備える。無線チップ605〜607は、電池及びセンサ装置を有する。また、センサ装置は、温度、湿度、照度等を検知するセンサ装置を用いる。 The greenhouse and cultivated plant management system shown in FIG. 15 includes wireless chips 605 to 607 in the greenhouses 601 to 603, respectively. The wireless chips 605 to 607 have a battery and a sensor device. The sensor device uses a sensor device that detects temperature, humidity, illuminance, and the like.

無線チップのセンサ装置で、温室601〜603の温度、湿度、照度等の情報を測定し、測定結果をリーダライタ608に送信する。本実施例の無線チップは、電池を有するため送信距離を長く設定することが可能であるため、リーダライタを温室ごとに設ける必要がなく、リーダライタの数を削減することが可能である。 The sensor device of the wireless chip measures information such as the temperature, humidity, and illuminance of the greenhouses 601 to 603 and transmits the measurement result to the reader / writer 608. Since the wireless chip of this embodiment has a battery and can set a long transmission distance, it is not necessary to provide a reader / writer for each greenhouse, and the number of reader / writers can be reduced.

リーダライタ608は、インターフェース611と接続されており、リーダライタ608で受信した温室の温度、湿度、照度等の情報は、インターフェース611を介して生産者の家、管理センター等のデータベース612に送信される。温度、湿度、照度等の情報は、データベースに蓄積されると共に、生産者の家、管理センター等に備えられた端末613に表示される。 The reader / writer 608 is connected to the interface 611, and information such as the temperature, humidity, and illuminance of the greenhouse received by the reader / writer 608 is transmitted to the database 612 of the producer's house, management center, etc. via the interface 611. The Information such as temperature, humidity, and illuminance is stored in a database and displayed on a terminal 613 provided in a producer's house, management center, or the like.

なお、インターフェース611は、無線チップ605〜607のセンサ装置で検知した情報を外部に送信する情報送受信手段であり、インターネットや電話回線等を用いることができる。 The interface 611 is an information transmission / reception unit that transmits information detected by the sensor devices of the wireless chips 605 to 607 to the outside, and the Internet, a telephone line, or the like can be used.

本発明の無線チップを温室に設けることにより、遠隔で温室の温度、湿度、照度等の情報を、リアルタイムで把握することが可能であると共に、詳細な栽培記録を行うことが可能である。 By providing the wireless chip of the present invention in a greenhouse, it is possible to remotely grasp information such as the temperature, humidity, and illuminance of the greenhouse in real time and to perform detailed cultivation records.

本実施例と上記実施の形態のいずれかを適宜組み合わせることが可能である。 This example and any of the above embodiments can be combined as appropriate.

本発明に係る無線チップを説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る無線チップを説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る無線チップを説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る電界効果トランジスタ効果を有するチップを説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the chip | tip which has the field effect transistor effect based on this invention. 本発明に適応可能なパッチアンテナを説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the patch antenna applicable to this invention. 本発明に係る無線チップを説明する図である。FIG. 10 illustrates a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る無線チップを説明する図である。FIG. 10 illustrates a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る無線チップを説明する図である。FIG. 10 illustrates a wireless chip according to the present invention. 本発明に係る無線チップの動作方法を説明する図である。It is a figure explaining the operation | movement method of the radio | wireless chip based on this invention. 本発明に係る無線チップ及びリーダライタの送受信方法を説明する図である。It is a figure explaining the transmission / reception method of the radio | wireless chip and reader / writer concerning this invention. 本発明の無線チップの応用例を説明する図である。It is a figure explaining the application example of the radio | wireless chip of this invention. 本発明の無線チップの応用例を説明する展開図である。It is an expanded view explaining the application example of the radio | wireless chip of this invention. 本発明の無線チップの応用例を説明する図である。It is a figure explaining the application example of the radio | wireless chip of this invention. 本発明に適応可能な高周波回路を説明する図である。It is a figure explaining the high frequency circuit applicable to this invention. 本発明の無線チップの応用例を説明する図である。It is a figure explaining the application example of the radio | wireless chip of this invention.

Claims (13)

第1の導電層、及び接地体として機能する第2の導電層、並びに前記第1の導電層及び前記第2の導電層に挟持される誘電体層を有するアンテナと、
電界効果トランジスタを有するチップと、
前記アンテナ及び前記チップを接続する第3の導電層と、
を有することを特徴とする無線チップ。
An antenna having a first conductive layer, a second conductive layer functioning as a grounding body, and a dielectric layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer;
A chip having a field effect transistor;
A third conductive layer connecting the antenna and the chip;
A wireless chip comprising:
第1の導電層、及び接地体として機能する第2の導電層、並びに前記第1の導電層及び前記第2の導電層に挟持される誘電体層を有するアンテナと、
配線基板と、
電界効果トランジスタを有するチップと、
センサ装置と、
前記配線基板と前記アンテナを接続する第3の導電層と、
前記配線基板と前記チップとを接続する第4の導電層と、
前記配線基板と前記センサ装置とを接続する第5の導電層と、
を有することを特徴とする無線チップ。
An antenna having a first conductive layer, a second conductive layer functioning as a grounding body, and a dielectric layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer;
A wiring board;
A chip having a field effect transistor;
A sensor device;
A third conductive layer connecting the wiring board and the antenna;
A fourth conductive layer connecting the wiring substrate and the chip;
A fifth conductive layer connecting the wiring board and the sensor device;
A wireless chip comprising:
第1の導電層、及び接地体として機能する第2の導電層、並びに前記第1の導電層及び前記第2の導電層に挟持される誘電体層を有するアンテナと、
配線基板と、
電界効果トランジスタを有するチップと、
センサ装置と、
電池と、
前記配線基板と前記アンテナを接続する第3の導電層と、
前記配線基板と前記チップとを接続する第4の導電層と、
前記配線基板と前記センサ装置とを接続する第5の導電層と、
前記配線基板と前記電池とを接続する第6の導電層と、
を有することを特徴とする無線チップ。
An antenna having a first conductive layer, a second conductive layer functioning as a grounding body, and a dielectric layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer;
A wiring board;
A chip having a field effect transistor;
A sensor device;
Battery,
A third conductive layer connecting the wiring board and the antenna;
A fourth conductive layer connecting the wiring substrate and the chip;
A fifth conductive layer connecting the wiring board and the sensor device;
A sixth conductive layer connecting the wiring board and the battery;
A wireless chip comprising:
請求項3において前記電池と前記チップは前記第4の導電層及び前記第6の導電層を用いて電気的に接続されていることを特徴とする無線チップ。   4. The wireless chip according to claim 3, wherein the battery and the chip are electrically connected using the fourth conductive layer and the sixth conductive layer. 請求項2乃至請求項4のいずれか一項において、前記センサ装置と前記チップは前記第4の導電層及び前記第5の導電層を用いて電気的に接続されていることを特徴とする無線チップ。   5. The wireless device according to claim 2, wherein the sensor device and the chip are electrically connected to each other using the fourth conductive layer and the fifth conductive layer. Chip. 第1の導電層、及び接地体として機能する第2の導電層、並びに前記第1の導電層及び前記第2の導電層に挟持される誘電体層を有するアンテナと、
配線基板と、
電界効果トランジスタを有するチップと、
電池と、
前記配線基板と前記アンテナを接続する第3の導電層と、
前記配線基板と前記チップとを接続する第4の導電層と、
前記配線基板と前記電池とを接続する第5の導電層と、
を有することを特徴とする無線チップ。
An antenna having a first conductive layer, a second conductive layer functioning as a grounding body, and a dielectric layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer;
A wiring board;
A chip having a field effect transistor;
Battery,
A third conductive layer connecting the wiring board and the antenna;
A fourth conductive layer connecting the wiring substrate and the chip;
A fifth conductive layer connecting the wiring board and the battery;
A wireless chip comprising:
請求項6において、前記電池と前記チップは前記第4の導電層及び前記第5の導電層を用いて電気的に接続されていることを特徴とする無線チップ。   7. The wireless chip according to claim 6, wherein the battery and the chip are electrically connected using the fourth conductive layer and the fifth conductive layer. 請求項2乃至請求項7のいずれか一項において、前記アンテナと前記チップは、前記第3の導電層及び前記第4の導電層を用いて電気的に接続されていることを特徴とする無線チップ。   8. The radio according to claim 2, wherein the antenna and the chip are electrically connected to each other using the third conductive layer and the fourth conductive layer. Chip. 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記無線チップは高周波回路を有することを特徴とする無線チップ。   9. The wireless chip according to claim 1, wherein the wireless chip has a high-frequency circuit. 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記誘電体層は、アルミナ、ガラス、フォルステライト、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛、二オブ酸リチウム、及びチタン酸ジルコン鉛から選ばれる一つ又は複数で形成されることを特徴とする無線チップ。   10. The dielectric layer according to claim 1, wherein the dielectric layer comprises alumina, glass, forsterite, barium titanate, lead titanate, strontium titanate, lead zirconate, lithium diobate, and titanium. A wireless chip formed of one or more selected from lead zirconate acid. 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記誘電体層は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ビニルベンジル、及びポリフマレートから選ばれる一つ又は複数で形成されることを特徴とする無線チップ。   11. The dielectric layer according to claim 1, wherein the dielectric layer is formed of one or more selected from an epoxy resin, a phenol resin, a polybutadiene resin, a bismaleimide triazine resin, vinyl benzyl, and polyfumarate. A wireless chip characterized by that. 請求項1乃至請求項11のいずれか一項の無線チップを有する電子機器。   An electronic device comprising the wireless chip according to any one of claims 1 to 11. 請求項12において、前記電子機器は、液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、携帯電話、プリンター、カメラ、パーソナルコンピュータ、イヤホン付ゴーグル、スピーカ装置、ヘッドホン、ナビゲーション装置、又は電子鍵であることを特徴とする電子機器。 13. The electronic device according to claim 12, wherein the electronic device is a liquid crystal display device, an EL display device, a television device, a mobile phone, a printer, a camera, a personal computer, goggles with earphones, a speaker device, headphones, a navigation device, or an electronic key. Electronic equipment characterized by
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