JP2006309139A - Manufacturing method of stain-proof optical article - Google Patents
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Abstract
Description
プラスチック及びガラス製の光学物品(プラスチック製眼鏡レンズ、光学機器用レンズ、液晶表示装置の基板等の表示板ウィンドウ等)の高性能撥水・防汚処理に関する。 The present invention relates to a high-performance water-repellent / anti-fouling treatment for plastic and glass optical articles (plastic eyeglass lenses, lenses for optical devices, display panel windows such as substrates of liquid crystal display devices).
従来のレンズに反射防止膜その他の蒸着膜等を形成するために使用する成膜装置及び蒸着装置について、真空容器内で蒸着源に対してレンズの保持姿勢を一定に保ち、複数のレンズを反転させてレンズの表裏に反射防止膜を形成する開示がある(例えば、特許文献1)。 For film deposition equipment and vapor deposition equipment used to form an antireflection film and other vapor deposition films on a conventional lens, keep the lens holding posture constant with respect to the vapor deposition source in a vacuum vessel, and invert multiple lenses There is a disclosure of forming an antireflection film on the front and back of the lens (for example, Patent Document 1).
しかしながら、光学物品に防汚性(埃や指の指紋等で表面が汚れた場合に比較的簡単に除去できる性能)を備えるためには、単に真空容器内で蒸着しただけでは防汚膜と光学物品との密着性は得られない。また、眼鏡レンズのような光学物品では、眼鏡レンズの表裏に防汚膜を設ける必要がある。 However, in order to provide an optical article with antifouling properties (performance that can be removed relatively easily when the surface becomes dirty due to dust, finger fingerprints, etc.), the antifouling film and the optical are simply deposited in a vacuum container. Adhesion with the article cannot be obtained. Further, in an optical article such as a spectacle lens, it is necessary to provide an antifouling film on the front and back of the spectacle lens.
この防汚膜と光学物品との密着性を向上するための処理を施してから、眼鏡レンズの一面に防汚膜を形成し、更に眼鏡レンズの他の面に防汚膜と光学物品との密着性を向上するための処理を施す。この処理を行う場合に、先に形成されている防汚膜が、今回の密着性を向上するための処理で発生する正イオンによって部分的に除去されてしまい、防汚性能が損なわれるという課題があった。 After the treatment for improving the adhesion between the antifouling film and the optical article, an antifouling film is formed on one surface of the spectacle lens, and the antifouling film and the optical article are further formed on the other surface of the spectacle lens. A treatment for improving adhesion is performed. When performing this treatment, the antifouling film formed earlier is partially removed by the positive ions generated in the treatment for improving the adhesion, and the antifouling performance is impaired. was there.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光学部品の各被成膜面に形成される防汚膜の性能を同等にすることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to equalize the performance of an antifouling film formed on each film formation surface of an optical component.
上記課題を解決するために、本発明では、成膜室内において、複数の被成膜面を有する被成膜体の一面に防汚膜密着性向上処理を施す第1の防汚膜密着性向上処理後に第1の防汚膜を成膜する第1の工程と、前記第1の工程後、前記成膜室内において、前記第1の防汚膜が成膜された前記被成膜体の一面に対して、前記被成膜体の他の被成膜面に防汚膜密着性向上処理を施す第2の防汚膜密着性向上処理後に第2の防汚膜を成膜する第2の工程とを備えた防汚性光学物品の製造方法であって、前記第2の防汚膜密着性向上処理を施す際に、前記第1の工程によって成膜された前記被成膜体を、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材とで覆い、前記被成膜体カバー部材と前記被成膜体保持部材との隙間、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間を、いずれもイオンシースの0.1倍以上、且つ2倍以内とすることを要旨とする。 In order to solve the above problems, in the present invention, in the film forming chamber, the first antifouling film adhesion improvement is performed by applying the antifouling film adhesion improving process to one surface of the film forming body having a plurality of film forming surfaces. A first step of forming a first antifouling film after the treatment; and a surface of the film-deposited body on which the first antifouling film is formed in the film forming chamber after the first step. On the other hand, the second antifouling film is formed after the second antifouling film adhesion improving process for applying the antifouling film adhesion improving process to the other film forming surface of the film forming object. A process for producing an antifouling optical article comprising the steps of: when performing the second antifouling film adhesion improving treatment, the film-formed body formed in the first step; Cover with a film-forming body cover member and a film-forming body holding member, and a gap between the film-forming body cover member and the film-forming body holding member, and hold the film-forming body and the film-forming body. The gap between the wood, both ion sheath of 0.1 times or more, and the subject matter to be doubled within.
これによれば、第1の工程で被成膜体の一面に備えられた第1の防汚膜と、第2の工程で被成膜体の他の被成膜面に備えられた第2の防汚膜との防汚性を同等にすることができる。ここで、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材、及び被成膜体と被成膜体保持部材との隙間を、イオンシースの0.1倍未満に設定しようとすると、各部材間、及び部材と被成膜体との間の相互の接触面に高度な平滑化加工が必要になる、あるいは、可撓性のシール材等が必要になり、加工コストの増大を招き好ましくない。
一方、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間が、イオンシースの2倍を超えると、正イオンの侵入によって第1の防汚層が侵食されるため好ましくない。なお、この侵食メカニズムについては後述する。
According to this, the first antifouling film provided on one surface of the film formation body in the first step and the second antifouling film provided on the other film formation surface of the film formation body in the second step. The antifouling property of the antifouling film can be made equivalent. Here, if the gap between the film formation body cover member and the film formation body holding member and the gap between the film formation body and the film formation body holding member is set to less than 0.1 times the ion sheath, each member A high level of smoothing is required on the contact surfaces between the member and the film-forming body, or a flexible sealing material is required, which increases the processing cost. .
On the other hand, if the gap between the film-forming body cover member and the film-forming body holding member, and the film-forming body and the film-forming body holding member exceeds twice that of the ion sheath, the positive ions enter. Since 1 antifouling layer is eroded, it is not preferable. This erosion mechanism will be described later.
本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1及び第2の防汚膜密着性向上処理はプラズマ処理またはイオンガン処理であることを要旨とする。
これによれば、防汚膜密着性向上処理が、プラズマ処理またはイオンガン処理であることにより、第1の工程で被成膜体の一面に備えられた第1の防汚膜と、第2の工程で被成膜体の他の被成膜面に備えられた第2の防汚膜との防汚性を同等にすることができる。
The gist of the present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first and second antifouling film adhesion improving treatments are plasma treatment or ion gun treatment.
According to this, since the antifouling film adhesion improving process is a plasma process or an ion gun process, the first antifouling film provided on one surface of the film formation target in the first step, and the second antifouling film adhesion improving process The antifouling property of the second antifouling film provided on the other film forming surface of the film forming object can be made equal in the process.
本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜は、真空蒸着法により成膜されていることを要旨とする。 The gist of the present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by a vacuum deposition method. .
これによれば、第1の防汚膜、且つ/又は第2の防汚膜は真空蒸着法により成膜されるので、光学部品の各被成膜面に形成される防汚膜の性能を同等にすることができる。 According to this, since the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by a vacuum deposition method, the performance of the antifouling film formed on each film formation surface of the optical component is improved. Can be equivalent.
本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜且つ/又は前記第2の防汚膜は含フッ素シラン化合物を成膜して形成されたことを要旨とする。 The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by forming a fluorine-containing silane compound. To do.
これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜、且つ/又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。 According to this, by forming a first antifouling film and / or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water droplets, tears, sweat, etc. can be easily obtained. Can be wiped off.
本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(1)であることを要旨とする。ただし、一般式(1)中、Rf2は、kが1以上6以下の整数である、−(CkF2k)O−で表される単位を含み、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する2価の基を表す。R3は炭素原子数が1以上8以下の一価炭化水素基であり、Jは加水分解性基又はハロゲン原子を表す。pは0以上2以下の整数を表す。nは1以上5以下の整数を表す。m及びrは2又は3の整数を表す。 The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the fluorine-containing silane compound as the first antifouling film and / or the second antifouling film is represented by the general formula (1). This is the gist. However, in the general formula (1), Rf 2 includes a unit represented by — (C k F 2k ) O—, in which k is an integer of 1 to 6, and is a straight-chain par having no branch. Represents a divalent group having a fluoropolyalkylene ether structure. R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and J represents a hydrolyzable group or a halogen atom. p represents an integer of 0 or more and 2 or less. n represents an integer of 1 to 5. m and r each represents an integer of 2 or 3.
これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。 According to this, by forming a first antifouling film or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water drops, tears, sweat, etc. can be easily wiped off. be able to.
本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(2)であることを要旨とする。ただし、一般式(2)中Rf1はパーフルオロアルキル基、Xは水素、臭素、又はヨウ素、Yは水素又は低級アルキル基、Zはフッ素又はトリフルオロメチル基、R1は水酸基又は加水分解可能な基、R2は水素又は1価の炭化水素基を表す。a、b、c、d、eは0以上の整数で、a+b+c+d+eは少なくとも1以上であり、a、b、c、d、eでくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において限定されない。fは0以上2以下の整数を表す。gは1以上3以下の整数を表す。hは1以上の整数を表す。 The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the fluorine-containing silane compound as the first antifouling film and / or the second antifouling film is represented by the general formula (2). This is the gist. In general formula (2), Rf 1 is a perfluoroalkyl group, X is hydrogen, bromine, or iodine, Y is hydrogen or a lower alkyl group, Z is fluorine or a trifluoromethyl group, R 1 is a hydroxyl group or hydrolyzable. R 2 represents hydrogen or a monovalent hydrocarbon group. a, b, c, d and e are integers of 0 or more, a + b + c + d + e is at least 1 or more, and the order of existence of each repeating unit delimited by a, b, c, d and e is not limited in the formula . f represents an integer of 0 or more and 2 or less. g represents an integer of 1 to 3. h represents an integer of 1 or more.
これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜且つ/又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。 According to this, by forming a first antifouling film and / or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water drops, tears, sweat, etc. can be easily obtained. Can be wiped off.
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明に用いる成膜装置の模式図である。
図1において、成膜装置50は、被成膜体及び光学物品としての基板40が被成膜体保持部材としてのドーム81に載置され、被成膜体カバー部材としてのカバー82で略覆われた支持装置80が、内部を通過可能な3つのチャンバCH1、チャンバCH2及びチャンバCH3を備えている。これらのチャンバCH1〜CH3は順に連結され、支持装置80が搬送装置(図示せず)により搬送される。また、各々のチャンバCH1〜CH3は相互に密封できるようになっている。なお、各チャンバCH1〜CH3は、各真空生成装置52,53,54を備え、真空生成装置52,53,54により各チャンバCH1〜CH3内の圧力が、それぞれ制御される。
FIG. 1 is a schematic view of a film forming apparatus used in the present invention.
In FIG. 1, a
チャンバCH1は、エントランス又はゲートチャンバであり、基板40が載置された支持装置80を、搬入装置によりチャンバCH1内に導入した後、チャンバCH1内を、所定時間、所定の圧力以下に保持することにより、基板40の脱ガスが行われる。なお、チャンバCH1内は、ロータリポンプ52a、ルーツポンプ52b及びクライオポンプ52cを備えた真空生成装置52により、所定の圧力に制御される。
The chamber CH1 is an entrance or gate chamber, and after the
チャンバCH2は、いわゆるイオン照射装置付き電子ビーム蒸着装置である。このため、チャンバCH2の内部には、2種類の物質を蒸着するための蒸着源55a,55bと、各蒸着源55a,55bを蒸発させる電子銃56a,56b及び蒸着量を調整する開閉可能なシャッター57a,57bが備えられている。なお、チャンバCH2内は、ロータリポンプ53a、ルーツポンプ53b及びクライオポンプ53cを備えた真空生成装置53により所定の圧力に保持される。
The chamber CH2 is a so-called electron beam evaporation apparatus with an ion irradiation apparatus. Therefore, inside the chamber CH2,
また、チャンバCH2にはプラズマ処理を行うための、高周波プラズマ発生装置51が配設されている。高周波プラズマ発生装置51は、チャンバCH2内にRFコイル60を備え、チャンバCH2の外にRFコイル60に接続されるマッチングボックス61と、マッチングボックス61に接続する高周波発信器62を備えている。また、チャンバCH2は、プラズマ処理時に導入される酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64を備え、これらの酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64は、オートプレッシャーコントローラ65で所定の圧力になるように、マスフローコントローラ66aによって流量が制御される。
The chamber CH2 is provided with a high-
また、チャンバCH2には防汚膜密着性向上処理を施すためにイオン照射装置90が配設されている。イオン照射装置90は、イオンガン91と、イオンガン91からのイオンの量及び照射時間を制御するDC電源92及びRF電源93と、マスフローコントローラ66bとを備えている。マスフローコントローラ66bは、酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64に接続され、イオン照射時に導入されるそれぞれの気体(酸素、アルゴンガス)の流量を制御する。
Further, an
チャンバCH3は、含フッ素シラン化合物(詳細は後述する)を基板40の最表面膜に蒸着することにより防汚膜を形成するチャンバである。チャンバCH3内には、含フッ素シラン化合物が含浸された防汚膜蒸着源59と、例えばハロゲンランプからなる加熱ヒータ68と、補正板67とが配設されている。補正板67は、固定式であり開度を調整することにより、支持装置80に向かって放出される蒸着量を調整する。なお、チャンバCH3内は、ロータリポンプ54a、ルーツポンプ54b及びターボ分子ポンプ54cを備えた真空生成装置54により所定の圧力に保持される。
The chamber CH3 is a chamber for forming an antifouling film by depositing a fluorine-containing silane compound (details will be described later) on the outermost surface film of the
図2は、基板40の防汚膜のプロセスを説明する第1の工程と第2の工程のフローチャート図である。
第1の工程は、基板40の一面に防汚膜を備える工程であり、第2の工程は、基板40の他の一面に防汚膜を備える工程である。第1の工程のステップS1では、複数の被成膜面を有する被成膜体としての基板40の一面を揃えて、被成膜体保持部材としてのドーム81にひとつ以上並べてセットする。並べる方法については後述する。
FIG. 2 is a flowchart of the first process and the second process for explaining the process of the antifouling film on the
The first step is a step of providing an antifouling film on one surface of the
ステップS2では、基板40がセットされたドーム81を成膜室としての蒸着装置に載置する。ドーム81は略半円形を成し蒸着装置の蒸着源から距離が略均等になるような曲率を有している。
In step S2, the
ステップS3では、基板表面を清浄化するためにプラズマ処理が行われる。プラズマ中の正イオンが基板表面をスパッタすることで表面の汚染物質を除去し、次工程の反射防止膜との密着性を向上させる。 In step S3, plasma processing is performed to clean the substrate surface. The positive ions in the plasma sputter the substrate surface to remove surface contaminants and improve the adhesion with the antireflection film in the next step.
ステップS4では、反射防止膜の蒸着が行われる。 In step S4, an antireflection film is deposited.
ステップS5では、プラズマ処理が行われる。第1の防汚膜密着性向上処理としてのプラズマ処理は、基板40の表面を活性化させるものであり、発生した正イオンが基板40の表面をスパッタする。これによって基板40の表面が活性化し、この後の工程で蒸着される物質との密着性を向上することができる処理である。このプラズマ処理の際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。
In step S5, plasma processing is performed. The plasma treatment as the first antifouling film adhesion improving treatment activates the surface of the
ステップS6では、防汚性物質の蒸着が行われる。防汚性物質が蒸着され成膜されて形成された第1の防汚膜は、含フッ素シラン化合物である。この含フッ素シラン化合物の詳細については後述する。この防汚性物質が蒸着される際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。
In step S6, an antifouling substance is deposited. The first antifouling film formed by depositing and depositing an antifouling substance is a fluorine-containing silane compound. Details of the fluorine-containing silane compound will be described later. When the antifouling substance is deposited, the
ステップS7では、ドーム81を蒸着装置から取り出す。これまでの工程によって、被成膜体としての基板40の被成膜面としての一面に含フッ素シラン化合物からなる第1の防汚膜が成膜されて形成される。
In step S7, the
次に、第2の工程のステップS8では、第1の工程のステップS7の状態の基板40を裏返して再びドーム81に並べてセットする。このことにより、第1の工程で成膜されて形成された第1の防汚膜は、イオンガン又は蒸着源に対して裏側に位置することになる。
Next, in step S8 of the second process, the
ステップS9では、基板40がセットされたドーム81にカバー82をセットする。被成膜体カバー部材としてのカバー82は、第1の工程で成膜されて形成された第1の防汚膜を、被成膜体保持部材としてのドーム81と、被成膜体カバー部材としてのカバー82と、の間で覆う機能を有している。各部材間の隙間は、イオンシースの0.1倍から2倍の範囲内となっている。しかしながら、被成膜体保持部材としてのドーム81と被成膜体カバー部材としてのカバー82との間の隙間を皆無にして覆うことはかなり困難であった。また、基板40をドーム81にセットする場合も同様に基板40とドーム81或いは基板40と基板40を保持するリング(詳細は後述する)との間の隙間を皆無にすることは困難であった。
In step S9, the
なお、基板40の一面に防汚膜を備える第1の工程のフローチャートにおいて、カバー82をセットする工程を示していないが、第1の工程でドームにカバーをセットしても何ら支障はない。その場合には、ドームにカバーをセットする工程が、ステップS1とステップS2との間に設定される。
Although the step of setting the
ステップS10では、基板40とカバー82がセットされたドーム81を蒸着装置に載置する。
In step S10, the
ステップS11では、基板表面を清浄化するためにプラズマ処理が行われる。プラズマ中の正イオンが基板表面をスパッタすることで表面の汚染物質を除去し、次工程の反射防止膜との密着性を向上させる。 In step S11, plasma processing is performed to clean the substrate surface. The positive ions in the plasma sputter the substrate surface to remove surface contaminants and improve the adhesion with the antireflection film in the next step.
ステップS12では、反射防止膜の蒸着が行われる。 In step S12, an antireflection film is deposited.
ステップS13では、プラズマ処理が行われる。ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。この第2の防汚膜密着性向上処理としてのプラズマ処理の際に、被成膜体保持部材としてのドーム81と被成膜体カバー部材としてのカバー82、及び被成膜体としての基板40と被成膜体保持部材としてのドーム81との間にイオンシース(後述する)の2倍を超える隙間がある場合は、正イオンがその隙間を通過して、第1の工程で成膜して形成された第1の防汚膜がスパッタされて、部分的に第1の防汚膜が欠落した部分が発生する。
In step S13, plasma processing is performed. By rotating the
この部分的に第1の防汚膜が欠落すると、基板40の第1の防汚膜を形成した面と他の面に形成された防汚膜(第2の防汚膜)とで防汚性に違いが発生する。具体的には、第1の防汚膜に付着した指紋等の汚れを拭き取る際に、第2の防汚膜の拭き取り性よりも劣ることとなる。
If the first antifouling film is partially lost, the antifouling is caused by the surface of the
ステップS14では、防汚性物質の蒸着が行われる。防汚性物質が蒸着され成膜されて形成された第2の防汚膜は、含フッ素シラン化合物である。この含フッ素シラン化合物の詳細については後述する。この防汚性物質が蒸着される際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。
In step S14, an antifouling substance is deposited. The second antifouling film formed by depositing and depositing an antifouling substance is a fluorine-containing silane compound. Details of the fluorine-containing silane compound will be described later. When the antifouling substance is deposited, the
ステップS15では、ドーム81を蒸着装置から取り出す。これまでの各工程を経て、基板40の各被成膜面に防汚性を備えた防汚膜が形成される。
In step S15, the
図3(a)は、プラズマ中での浮遊電極表面の電位を説明する模式図であり、(b)は、浮遊電極としてのドーム81、カバー82、複数の基板40とイオンとの関係を説明する模式図であり、(c)、(d)は、イオンシースと浮遊電極の物体間の隙間(距離)との関係における正イオンの挙動を説明する模式図である。
FIG. 3A is a schematic diagram for explaining the potential of the surface of the floating electrode in the plasma, and FIG. 3B shows the relationship between the
図3(a)では、支持装置80と装着されている全ての部材及びカバー82は、成膜装置50のチャンバCH2の中では電気的に浮いた状態で浮遊電極となっている。プラズマ中に置かれた浮遊電極は電子の過剰流入で負に帯電し、表面近傍にイオンシースが形成される。シース内の正イオンはイオンシース内の電場で浮遊電極に向かって直角に加速され浮遊電極に注入される。したがって、シース内の正イオンは全ての方向から浮遊電極に向かって加速されて向かうことになる。
In FIG. 3A, all the members and the
この状態を、模式的に示した図3(a)では、支持装置80に装着されている全ての部材及びカバー82の全ての面或いは隣接する空間においてイオンシースが形成される。浮遊電極の表面でマイナスの電位が最大となり、その表面から遠ざかる程、空間電荷は弱まっていき距離dに至ってその空間電荷は略ゼロとなる。
In FIG. 3A schematically showing this state, an ion sheath is formed on all the members mounted on the
この状態を数式で表すと次のようになる。
プラズマの中に置かれた物体表面での現象として、電位Vpのプラズマの中に浮遊電極電圧Vfの物体を置いた場合に、物体に入射するイオン粒子束密度Imは、イオンの粒子密度Ni(個/cm3)とイオン粒子の平均速度Viによって、以下のように表される。
Im=1/4×Ni×Vi (個/cm2)・・・・・(数式1)
また、電子粒子束密度Dmは、電子の粒子密度Ne(個/cm3)と電子粒子の平均速度Veとによって、以下のように表される。
Dm=1/4×Ne×Ve (個/cm2)・・・・・(数式2)
イオン粒子の平均速度Viは、ボルツマン定数KBとイオンの粒子の温度Tiとイオンの粒子の質量Miとによって、以下の(数式3)のように表せる。
This state is expressed as follows.
As a phenomenon on the surface of the object placed in the plasma, when an object having a floating electrode voltage Vf is placed in the plasma having the potential Vp, the ion particle flux density Im incident on the object is expressed by the ion particle density Ni ( Pcs / cm 3 ) and the average velocity Vi of the ion particles are expressed as follows.
Im = 1/4 × Ni × Vi (pieces / cm 2 ) (Equation 1)
The electron particle bundle density Dm is expressed as follows by the electron particle density Ne (number / cm 3 ) and the average velocity Ve of the electron particles.
Dm = 1/4 × Ne × Ve (pieces / cm 2 ) (Equation 2)
Average speed Vi of the ion particles, by mass Mi temperature Ti and ions of the particles of the Boltzmann constant K B and the ion of the particles, expressed as the following (Formula 3).
物理的に、Me<<Miであり、非熱平衡プラズマの場合は、Te>Tiであることから、Ve>>Viとなる。また、Ne=Niであるため、Im<Dmとなる。
また、電子粒子束の過剰流入により浮遊電極の表面は負に帯電する。負に帯電した浮遊電極に正イオンが衝突して、浮遊電極の表面をスパッタする。
Physically, Me << Mi, and in the case of non-thermal equilibrium plasma, Te >> Ti, so Ve >> Vi. Further, since Ne = Ni, Im <Dm.
Further, the surface of the floating electrode is negatively charged due to excessive inflow of the electron particle bundle. Positive ions collide with the negatively charged floating electrode, and the surface of the floating electrode is sputtered.
図3(b)に、支持装置80、カバー82及び基板40に対して、正イオンが加速されて向かっている所を示している。この場合に、支持装置80、カバー82及び基板40とのそれぞれの間に隙間がある場合、それぞれの隙間(距離)L1〜L6について前述したイオンシースとの関係を図3(c)で説明する。ここで、本発明では、図3(a)で示した、距離dをイオンシースIdと定義する。
FIG. 3B shows a place where positive ions are accelerated toward the
図3(c)では、支持装置80、カバー82及び基板40のいずれかの部材を物体Aと物体Bとした場合に、その物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍より大きい場合は、正イオンIaは、物体Aと物体Bとが負に帯電している吸引力に勝って、物体Aと物体Bとの間を通過してしまう。通過した正イオンIaは、物体A及び物体Bの裏面に到達する。到達した正イオンIaは、物体A及び物体Bの裏面に加速されて衝突し、物体A及び物体Bの裏面はこの正イオンによってスパッタされることになる。
In FIG. 3C, when any member of the
物体Aと物体Bとの隙間(距離)Lが、変化せずにそのままの場合は、正イオンIaと同様な経路をたどって、次の正イオンIbが物体A及び物体Bの裏面に到達して引き続きスパッタすることになる。このように、正イオンは次から次へと物体A及び物体Bの裏面に到達して継続してスパッタすることになる。 When the gap (distance) L between the object A and the object B remains unchanged and follows the same path as the positive ion Ia, the next positive ion Ib reaches the back surfaces of the object A and the object B. Will continue to sputter. In this way, the positive ions reach the back surfaces of the object A and the object B from one to the next and are continuously sputtered.
図3(d)では、支持装置80、カバー82及び基板40のいずれかの部材を物体Aと物体Bとした場合に、その物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍以内の場合は、正イオンIcは、物体Aと物体Bとが負に帯電している吸引力に負けて、物体A又は物体Bに引き寄せられて、物体Aと物体Bとの間を通過することができない。
したがって、物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍以内の場合は、正イオンは物体A及び物体Bの裏面に到達することができない。このことは、物体A及び物体Bの裏面は、正イオンにスパッタされることなく、物体A及び物体Bの裏面にある防汚膜或いは他の処理膜はこの処理を施す以前の状態を維持することができる。
In FIG. 3D, when any member of the
Therefore, when the gap (distance) L between the object A and the object B is within twice the ion sheath Id, positive ions cannot reach the back surfaces of the object A and the object B. This means that the back surfaces of the object A and the object B are not sputtered by positive ions, and the antifouling film or other treatment film on the back surface of the object A and the object B maintains the state before this treatment is performed. be able to.
次に、防汚膜形成の詳細を説明する。
図4は、ドーム81に基板40をセットしカバー82をセットした部分断面図である。なお、図4は、基板40を反転して凸面を下にした第2の工程におけるセット状態を示している。
Next, details of the antifouling film formation will be described.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view in which the
被成膜体保持部材としてのドーム81には、複数の基板40がセットできるように孔81a,81bが基板40に対応した数だけ配設されている。この孔81a,81bは、電子銃56a,56bの方向に向けて略開口されていて、基板40へ蒸着される膜の均一性が図られている。この孔81a,81bには、被成膜体保持部材としての枠83a,83bがそれぞれ配設されている。また、枠83a,83bには、リング84で周囲を持着された基板40が、凸面を下方に向けて挿着されている。このようにして、複数の基板40がセットされたドーム81は、ドーム81を回動するための回動部85に挿着されている。
The
また、複数の基板40がセットされたドーム81の上方には、被成膜体カバー部材としてのカバー82が覆うように装着され、ドーム81に螺着されている。その中心部にはφ180mmの円形の開口部82aがある。これは、蒸着膜厚モニタ用の受光部のためであり、さらにハンドリングの際の手のひっかけとしても使用する。この開口部82aとドーム81の上面には約20mmの隙間が存在する。この隙間には、シール材86が取り付けられている。隙間をシール材86で塞ぐことによって、プラズマ処理時及びイオンガン処理時にドーム81上部に正イオンが侵入することを防止することができる。
Further, a
基板40として、プラスチック基板41の上にハードコート膜42が形成された眼鏡用プラスチックレンズ(セイコーエプソン株式会社製:セイコースーパーソブリン)を凹面を下にして、支持装置80のドーム81にセットし、その上にカバー82を被せた。
As a
次に、チャンバCH1で脱ガスした後、チャンバCH2において、アルゴン100%ガスを導入し、圧力を4.0×10-2Paに制御しつつ、高周波プラズマ発生装置51でプラズマを発生させた。プラズマ発生条件は、13.56MHz、400Wで、1分間処理を行った。これは、基板40と反射防止膜43の密着性を向上させるために、基板表面を清浄化することを目的としている。
Next, after degassing in the chamber CH1, 100% argon gas was introduced into the chamber CH2, and plasma was generated by the high-
引き続き、SiO2とZrO2の膜を交互に蒸着し、これらの膜からなる反射防止膜43を形成した。この反射防止膜43の最上膜は、SiO2膜である。引き続き、チャンバ内に酸素100%ガスを導入し、圧力を4.0×10-2Paに制御しつつ、高周波プラズマ発生装置でプラズマを発生させた。プラズマ発生条件は、13.56MHz、400Wで、2分間処理を行った。これは、反射防止膜43の表面を活性化させ、防汚膜44との化学結合を促進させることを目的としている(いずれも後述する図6参照)。
Subsequently, SiO 2 and ZrO 2 films were alternately deposited to form an
その後、チャンバCH3に支持装置80を移動して防汚膜44を形成した。防汚膜蒸着源59として、信越化学工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(製品名KY−130)を用いた。下記の一般式(1)で示す。
Subsequently, the
ここで、KY−130を、フッ素系溶剤(住友スリーエム株式会社製:ノベックHFE−7200)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。
Here, KY-130 is diluted with a fluorine-based solvent (Sumitomo 3M Co., Ltd .: Novec HFE-7200) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. This was set as an antifouling
成膜中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ68として使用し、防汚膜蒸着源59のペレットを600℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は3分である。防汚膜44を形成後、支持装置80をチャンバCH3から取り出し、基板40を反転して凸面を下にして支持装置80のドーム81にセットし、カバー82を被せた。カバー82の中心の開口部82aには、シール材86(図4参照)が取り付けられている。その後、再び上記と同様の処理を行うことによって、基板40の両面に防汚膜44を形成した。
During film formation, a halogen lamp was used as the
図5は、基板40とリング84と枠83との関係を示す斜視図である。
基板40は、リング84に付勢されて装着され、枠83に挿着される。リング84は、1枚の弾性を備えた板状のものを一部が二重に巻き付くように成形する。成形されたリング84の内径は基板40の外形よりも小さい径に成形する。基板40をリング84に装着する際は、リング84に記載されている方向に付勢して、リング84の内径を大きくして基板40を挿着する。
FIG. 5 is a perspective view showing the relationship among the
The
基板40の上端40aをリング84の上端84aに合わせて挿着することにより、蒸着源55a,55bと複数の基板40との距離を均一にすることができる。また、リング84は1枚の弾性を備えた厚み1mm以下の板状なもののため、基板40とリング84との間の隙間は1mm以下になる。すなわち、イオンシースIdの2倍より隙間は小さくなっている。また、リング84と枠83とは隙間が1mm以下になるように設定されているため、イオンシースIdの2倍より隙間は小さくなっている。
By inserting the upper end 40a of the
また、リング84に突出して設けられた4個の突出部84b〜84eの下面が、枠83の上面83cに接触した状態で、リング84及び基板40の紙面での上下方向の位置が決まるようになっている。また、枠83の外周には傾きを有する縁83dが設けられ、ドーム81の曲率に合わせてそれぞれの枠83の縁83dの傾きが調整されて、基板40が蒸着源55a,55bの方向に向くようになっている。
Further, the vertical positions of the
本実施例は、チャンバCH3において、前記実施例1と異なるフッ素含有有機ケイ素化合物を防汚膜44として蒸着したものである。
In this example, a fluorine-containing organosilicon compound different from that in Example 1 was deposited as the
防汚膜蒸着源59として、ダイキン工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(オプツールDSX)を用いた。下記の一般式(2)で示す。
As the antifouling
オプツールDSXを、フッ素系溶剤(ダイキン工業株式会社製:デムナムソルベント)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。他は、実施例1と同様である。
Optool DSX is diluted with a fluorine-based solvent (Daikin Kogyo Co., Ltd .: demnum solvent) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. It was set in the chamber CH3 as the dirty
本実施例は、プラスチック基板41の上にハードコート膜42を形成し、さらにその上に反射防止膜43を形成し、最表面に防汚膜44を形成したものである。
図6は、基板40の部分断面図である。
基板40として、プラスチック基板41の上にハードコート膜42が形成された眼鏡用プラスチックレンズ(セイコーエプソン株式会社製:セイコースーパーソブリン)を凹面を下にして、支持装置80のドーム81にセットし、その上にカバー82を被せた。カバー82の中心の開口部82aには、シール材86(図4参照)が取り付けられている。
In this embodiment, a
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the
As a
次に、チャンバCH1で脱ガスした後、チャンバCH2において、イオンガン91に酸素100%ガスを35SCCMに制御して導入し、イオンを照射した。イオン照射条件は、周波数13.56MHz、RF450W、加速電圧500V、サプレッサー電圧300V、で90秒間処理を行った。処理時の圧力は4×10-3Paであった。これは、基板40と反射防止膜43の密着性を向上させるために、基板40の表面を清浄化するのを目的としている。
Next, after degassing in the chamber CH1, in the chamber CH2, a 100% oxygen gas was introduced into the
引き続き、SiO2とTiO2の膜を交互に蒸着し、これらの膜からなる反射防止膜43を成形した。この反射防止膜43の最上膜は、SiO2膜である。また、TiO2蒸着は、イオンアシスト蒸着により、行った。この際のイオン照射条件は、上記と同じである。
Subsequently, SiO 2 and TiO 2 films were alternately deposited, and an
反射防止膜43の蒸着終了後、イオンガン91に酸素100%ガスを35SCCMに制御して導入し、イオンを照射した。照射時間が2分間となった他は、上記と同じ条件である。これは、反射防止膜43の表面を活性化させ、防汚膜44との化学結合を促進させることを目的としている。
After the deposition of the
その後、チャンバCH3に支持装置80を移動して防汚膜44を形成した。防汚膜蒸着源59として、信越化学工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(製品名KY−130、一般式(2))を用いた。ここで、KY−130を、フッ素系溶剤(住友スリーエム株式会社製:ノベックHFE−7200)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。
Subsequently, the
成膜中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ68として使用し、防汚膜蒸着源59のペレットを600℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は3分である。
During film formation, a halogen lamp was used as the
防汚膜44を形成後、支持装置80をチャンバCH3から取り出し、基板40を反転して凸面を下にして支持装置80のドーム81にセットし、カバー82を被せ、再び上記と同様の処理を行うことによって、基板40の両面に防汚膜44を形成した。
After the
本実施例は、チャンバCH3において、前記実施例3と異なるフッ素含有有機ケイ素化合物を防汚膜44として蒸着したものである。
防汚膜蒸着源59として、ダイキン工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(オプツールDSX、一般式(1))を用いた。オプツールDSXを、フッ素系溶剤(ダイキン工業株式会社製:デムナムソルベント)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。他は、実施例3と同様である。
In this embodiment, a fluorine-containing organosilicon compound different from that in Embodiment 3 is deposited as the
As the antifouling
(比較例1)
第2の工程において、カバー82の中心の開口部82aにシール材86を取り付けていないものを使用した比較例である。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 1)
In the second step, a comparative example is used in which the
(比較例2)
第2の工程において、カバー82の中心の開口部82aにシール材86を取り付けていないものを使用した比較例である。他は、実施例2と同じである。
(Comparative Example 2)
In the second step, a comparative example is used in which the
(比較例3)
第2の工程において、カバー82を使用しなかった比較例である。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 3)
This is a comparative example in which the
(比較例4)
第2の工程において、カバー82を使用しなかった比較例である。他は、実施例2と同じである。
(Comparative Example 4)
This is a comparative example in which the
(比較例5)
第2の工程において、カバー82を使用した比較例であり、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間を、2.5mm〜3mm程度に設定した。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 5)
The second step is a comparative example using the
(比較例6)
第2の工程において、カバー82を使用した比較例であり、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間を、真空用可撓性材料(例えば、デュポン株式会社製、商品名:バイトン(登録商標))を用いて、0.1mm未満となるようにシールした。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 6)
In the second step, a
前記実施例1〜実施例4と比較例1〜比較例6で製作された基板40の表面における防汚性の性能を比較した。防汚性の性能を比較する方法として、基板40の表面に、黒色油性マーカー(「ハイマッキーケア」ゼブラ株式会社製)により約4cmの直線を引き、インクの弾き状態によって下記の基準にて防汚性の性能を判定した。
○:インクが1本の線状又は点状になる。
△:インクが部分的に弾く。
×:はっきりと線が引ける。
The antifouling performance on the surface of the
◯: The ink becomes one line or dot.
Δ: The ink is partially repelled.
X: A line can be drawn clearly.
その評価結果について、下記の表2に示す。 The evaluation results are shown in Table 2 below.
シール材86付きカバー82を使用した場合の凹面(第1の防汚膜)のインクはじき性は凸面(第2の防汚膜)と同様に良好な性能を保っている。
The ink repellency of the concave surface (first antifouling film) in the case of using the
一方、シール材86が付いてないカバー82を使用した場合及びカバー82を使用しなかった場合は、凸面(第2の防汚膜)に対して凹面(第1の防汚膜)のはじき性の低下が認められる。
On the other hand, when the
カバー82を使用しなかった場合(比較例3,4)は、凹面のはじき性の低下が更に著しくなった。
In the case where the
カバー82を使用した場合であっても、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間が2mmを超える場合(比較例5)は、凹面(第1の防汚膜)のはじき性の低下が著しいものとなった。
Even when the
カバー82を使用した上で、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれのすべての隙間を0.1mm未満とした場合(比較例6)は、凹面(第1の防汚膜)のインクはじき性は凸面(第2の防汚膜)と同様に良好な性能を保っている。しかし、すべての隙間を0.1mm未満とするためには、真空用可撓性材料(例えば、デュポン株式会社製、商品名:バイトン(登録商標))を多量に使用する必要があり、作業的にも、コストの面でも見合わないものであった。
When the
この結果から、シール材86付きカバー82を使用することによって、基板40の第1の防汚膜としての凹面と第2の防汚膜としての凸面のインクのはじき性、すなわち防汚性を等しく良好に保てることが確認できた。
From this result, by using the
40…被成膜体としての基板、40a,84a…上端、41…プラスチック基板、42…ハードコート膜、43…反射防止膜、44…防汚膜、50…成膜装置、51…高周波プラズマ発生装置、52,53,54…真空生成装置、52a,53a,54a…ロータリポンプ、52b,53b,54b…ルーツポンプ、52c,53c…クライオポンプ、54c…ターボ分子ポンプ、55a,55b…蒸着源、56a,56b…電子銃、57a,57b…シャッター、59…防汚膜蒸着源、60…RFコイル、61…マッチングボックス、62…高周波発信器、63…素ガス供給源、64…アルゴンガス供給源、65…オートプレッシャーコントローラ、66a,66b…マスフローコントローラ、67…補正板、68…加熱ヒータ、80…支持装置、81…被成膜体保持部材としてのドーム、81a,81b…孔、82…被成膜体カバー部材としてのカバー、82a…開口部、83,83a,83b…被成膜体保持部材としての枠、83c…上面、83d…縁、84…リング、84b,84c,84e,84h…突出部、85…回動部、86…シール材、90…イオン照射装置、91…イオンガン、92…DC電源、93…RF電源、A,B…物体、CH1,CH2,CH3…チャンバ、Id…イオンシース、d…距離、Dm…電子粒子束密度、Ia,Ib,Ic…正イオン、Im…イオン粒子束密度、KB…ボルツマン定数、L,L1〜L6…隙間(距離)、Me…電子の粒子の質量、Mi…イオンの粒子の質量、Ne…電子の粒子密度、Ni…イオンの粒子密度、Te…電子の粒子の温度、Ti…イオンの粒子の温度、Ve…電子粒子の平均速度、Vf…浮遊電極電圧、Vi…イオン粒子の平均速度。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記第1の工程後、前記成膜室内において、前記第1の防汚膜が成膜された前記被成膜体の一面に対して、前記被成膜体の他の被成膜面に防汚膜密着性向上処理を施す第2の防汚膜密着性向上処理後に第2の防汚膜を成膜する第2の工程とを備えた防汚性光学物品の製造方法であって、
前記第2の防汚膜密着性向上処理を施す際に、前記第1の工程によって成膜された前記被成膜体を、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材とで覆い、前記被成膜体カバー部材と前記被成膜体保持部材との隙間、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間を、いずれもイオンシースの0.1倍以上、且つ2倍以内とすることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。 In the film formation chamber, the first antifouling film is formed after the first antifouling film adhesion improving process for performing the antifouling film adhesion improving process on one surface of the film forming body having a plurality of film forming surfaces. A first step;
After the first step, in the film formation chamber, the surface of the film formation target on which the first antifouling film has been formed is protected against the other film formation surface of the film formation target. A method for producing an antifouling optical article comprising a second step of forming a second antifouling film after the second antifouling film adhesion improving process for performing the fouling film adhesion improving process,
When performing the second antifouling film adhesion improving process, the film-formed body formed in the first step is covered with a film-formed body cover member and a film-formed body holding member, The gap between the film formation body cover member and the film formation body holding member and the gap between the film formation body and the film formation body holding member are each 0.1 times or more of the ion sheath, and A method for producing an antifouling optical article, characterized in that it is within 2 times.
ただし、一般式(1)中、Rf2は、kが1以上6以下の整数である、−(CkF2k)O−で表される単位を含み、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する2価の基を表す。R3は炭素原子数が1以上8以下の一価炭化水素基であり、Jは加水分解性基又はハロゲン原子を表す。pは0以上2以下の整数を表す。nは1以上5以下の整数を表す。m及びrは2又は3の整数を表す。
However, in the general formula (1), Rf 2 includes a unit represented by — (C k F 2k ) O—, in which k is an integer of 1 to 6, and is a straight-chain par having no branch. Represents a divalent group having a fluoropolyalkylene ether structure. R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and J represents a hydrolyzable group or a halogen atom. p represents an integer of 0 or more and 2 or less. n represents an integer of 1 to 5. m and r each represents an integer of 2 or 3.
ただし、一般式(2)中Rf1はパーフルオロアルキル基、Xは水素、臭素、又はヨウ素、Yは水素又は低級アルキル基、Zはフッ素又はトリフルオロメチル基、R1は水酸基又は加水分解可能な基、R2は水素又は1価の炭化水素基を表す。a、b、c、d、eは0以上の整数で、a+b+c+d+eは少なくとも1以上であり、a、b、c、d、eでくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において限定されない。fは0以上2以下の整数を表す。gは1以上3以下の整数を表す。hは1以上の整数を表す。
In general formula (2), Rf 1 is a perfluoroalkyl group, X is hydrogen, bromine, or iodine, Y is hydrogen or a lower alkyl group, Z is fluorine or a trifluoromethyl group, R 1 is a hydroxyl group or hydrolyzable. R 2 represents hydrogen or a monovalent hydrocarbon group. a, b, c, d and e are integers of 0 or more, a + b + c + d + e is at least 1 or more, and the order of existence of each repeating unit delimited by a, b, c, d and e is not limited in the formula . f represents an integer of 0 or more and 2 or less. g represents an integer of 1 to 3. h represents an integer of 1 or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005094768 | 2005-03-29 | ||
JP2005362850A JP2006309139A (en) | 2005-03-29 | 2005-12-16 | Manufacturing method of stain-proof optical article |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006309139A true JP2006309139A (en) | 2006-11-09 |
Family
ID=37476046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005362850A Withdrawn JP2006309139A (en) | 2005-03-29 | 2005-12-16 | Manufacturing method of stain-proof optical article |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006309139A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011208238A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hoya Corp | Vapor deposition apparatus |
JP2012031494A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Ulvac Japan Ltd | Method and device for forming film |
KR20120019794A (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-07 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Anti-pollution coating layer and method for manufacturing the same |
JP2012215652A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokai Kogaku Kk | Dyeing method for plastic lens for spectacles |
WO2020027037A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 日本電産株式会社 | Coating method, optical component, and lens assembly |
CN111996497A (en) * | 2019-05-27 | 2020-11-27 | 华为技术有限公司 | Anti-fouling film layer, electronic equipment workpiece, display screen, shell and electronic equipment |
-
2005
- 2005-12-16 JP JP2005362850A patent/JP2006309139A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011208238A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hoya Corp | Vapor deposition apparatus |
JP2012031494A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Ulvac Japan Ltd | Method and device for forming film |
KR20120019794A (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-07 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Anti-pollution coating layer and method for manufacturing the same |
KR101691376B1 (en) * | 2010-08-27 | 2017-01-02 | 코닝정밀소재 주식회사 | Anti-pollution coating layer and method for manufacturing the same |
JP2012215652A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokai Kogaku Kk | Dyeing method for plastic lens for spectacles |
WO2020027037A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 日本電産株式会社 | Coating method, optical component, and lens assembly |
CN112513682A (en) * | 2018-07-31 | 2021-03-16 | 日本电产株式会社 | Coating method, optical element and lens assembly |
CN111996497A (en) * | 2019-05-27 | 2020-11-27 | 华为技术有限公司 | Anti-fouling film layer, electronic equipment workpiece, display screen, shell and electronic equipment |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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