JP2006309139A - Manufacturing method of stain-proof optical article - Google Patents

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Keiichi Suzuki
慶一 鈴木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make performance of respective stain-proof films formed on respective surfaces of an optical article equivalent. <P>SOLUTION: An object A and an object B denote two members among a support device 80, a cover 82 and a substrate 40. When clearance (a distance) L between the object A and the object B is not more than twice an ion sheath Id, a cation Ic is defeated by suction force with which the object A and the object B are charged negative and is attracted to the object A or the object B and the cation Ic cannot pass between the object A and the object B. Accordingly when the clearance (the distance) L between the object A and the object B is 0.1 times or more the ion sheath Id and not more than twice, the cation cannot reach at rear surfaces of the object A and the object B. Thereby the rear surfaces of the object A and the object B are not sputtered by the cation and thus the stain-proof films or other processing films located at the rear surfaces of the object A and the object B can maintain states before performing the processing. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

プラスチック及びガラス製の光学物品(プラスチック製眼鏡レンズ、光学機器用レンズ、液晶表示装置の基板等の表示板ウィンドウ等)の高性能撥水・防汚処理に関する。   The present invention relates to a high-performance water-repellent / anti-fouling treatment for plastic and glass optical articles (plastic eyeglass lenses, lenses for optical devices, display panel windows such as substrates of liquid crystal display devices).

従来のレンズに反射防止膜その他の蒸着膜等を形成するために使用する成膜装置及び蒸着装置について、真空容器内で蒸着源に対してレンズの保持姿勢を一定に保ち、複数のレンズを反転させてレンズの表裏に反射防止膜を形成する開示がある(例えば、特許文献1)。   For film deposition equipment and vapor deposition equipment used to form an antireflection film and other vapor deposition films on a conventional lens, keep the lens holding posture constant with respect to the vapor deposition source in a vacuum vessel, and invert multiple lenses There is a disclosure of forming an antireflection film on the front and back of the lens (for example, Patent Document 1).

特開2000−303167号公報JP 2000-303167 A

しかしながら、光学物品に防汚性(埃や指の指紋等で表面が汚れた場合に比較的簡単に除去できる性能)を備えるためには、単に真空容器内で蒸着しただけでは防汚膜と光学物品との密着性は得られない。また、眼鏡レンズのような光学物品では、眼鏡レンズの表裏に防汚膜を設ける必要がある。   However, in order to provide an optical article with antifouling properties (performance that can be removed relatively easily when the surface becomes dirty due to dust, finger fingerprints, etc.), the antifouling film and the optical are simply deposited in a vacuum container. Adhesion with the article cannot be obtained. Further, in an optical article such as a spectacle lens, it is necessary to provide an antifouling film on the front and back of the spectacle lens.

この防汚膜と光学物品との密着性を向上するための処理を施してから、眼鏡レンズの一面に防汚膜を形成し、更に眼鏡レンズの他の面に防汚膜と光学物品との密着性を向上するための処理を施す。この処理を行う場合に、先に形成されている防汚膜が、今回の密着性を向上するための処理で発生する正イオンによって部分的に除去されてしまい、防汚性能が損なわれるという課題があった。   After the treatment for improving the adhesion between the antifouling film and the optical article, an antifouling film is formed on one surface of the spectacle lens, and the antifouling film and the optical article are further formed on the other surface of the spectacle lens. A treatment for improving adhesion is performed. When performing this treatment, the antifouling film formed earlier is partially removed by the positive ions generated in the treatment for improving the adhesion, and the antifouling performance is impaired. was there.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光学部品の各被成膜面に形成される防汚膜の性能を同等にすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to equalize the performance of an antifouling film formed on each film formation surface of an optical component.

上記課題を解決するために、本発明では、成膜室内において、複数の被成膜面を有する被成膜体の一面に防汚膜密着性向上処理を施す第1の防汚膜密着性向上処理後に第1の防汚膜を成膜する第1の工程と、前記第1の工程後、前記成膜室内において、前記第1の防汚膜が成膜された前記被成膜体の一面に対して、前記被成膜体の他の被成膜面に防汚膜密着性向上処理を施す第2の防汚膜密着性向上処理後に第2の防汚膜を成膜する第2の工程とを備えた防汚性光学物品の製造方法であって、前記第2の防汚膜密着性向上処理を施す際に、前記第1の工程によって成膜された前記被成膜体を、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材とで覆い、前記被成膜体カバー部材と前記被成膜体保持部材との隙間、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間を、いずれもイオンシースの0.1倍以上、且つ2倍以内とすることを要旨とする。   In order to solve the above problems, in the present invention, in the film forming chamber, the first antifouling film adhesion improvement is performed by applying the antifouling film adhesion improving process to one surface of the film forming body having a plurality of film forming surfaces. A first step of forming a first antifouling film after the treatment; and a surface of the film-deposited body on which the first antifouling film is formed in the film forming chamber after the first step. On the other hand, the second antifouling film is formed after the second antifouling film adhesion improving process for applying the antifouling film adhesion improving process to the other film forming surface of the film forming object. A process for producing an antifouling optical article comprising the steps of: when performing the second antifouling film adhesion improving treatment, the film-formed body formed in the first step; Cover with a film-forming body cover member and a film-forming body holding member, and a gap between the film-forming body cover member and the film-forming body holding member, and hold the film-forming body and the film-forming body. The gap between the wood, both ion sheath of 0.1 times or more, and the subject matter to be doubled within.

これによれば、第1の工程で被成膜体の一面に備えられた第1の防汚膜と、第2の工程で被成膜体の他の被成膜面に備えられた第2の防汚膜との防汚性を同等にすることができる。ここで、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材、及び被成膜体と被成膜体保持部材との隙間を、イオンシースの0.1倍未満に設定しようとすると、各部材間、及び部材と被成膜体との間の相互の接触面に高度な平滑化加工が必要になる、あるいは、可撓性のシール材等が必要になり、加工コストの増大を招き好ましくない。
一方、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間が、イオンシースの2倍を超えると、正イオンの侵入によって第1の防汚層が侵食されるため好ましくない。なお、この侵食メカニズムについては後述する。
According to this, the first antifouling film provided on one surface of the film formation body in the first step and the second antifouling film provided on the other film formation surface of the film formation body in the second step. The antifouling property of the antifouling film can be made equivalent. Here, if the gap between the film formation body cover member and the film formation body holding member and the gap between the film formation body and the film formation body holding member is set to less than 0.1 times the ion sheath, each member A high level of smoothing is required on the contact surfaces between the member and the film-forming body, or a flexible sealing material is required, which increases the processing cost. .
On the other hand, if the gap between the film-forming body cover member and the film-forming body holding member, and the film-forming body and the film-forming body holding member exceeds twice that of the ion sheath, the positive ions enter. Since 1 antifouling layer is eroded, it is not preferable. This erosion mechanism will be described later.

本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1及び第2の防汚膜密着性向上処理はプラズマ処理またはイオンガン処理であることを要旨とする。
これによれば、防汚膜密着性向上処理が、プラズマ処理またはイオンガン処理であることにより、第1の工程で被成膜体の一面に備えられた第1の防汚膜と、第2の工程で被成膜体の他の被成膜面に備えられた第2の防汚膜との防汚性を同等にすることができる。
The gist of the present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first and second antifouling film adhesion improving treatments are plasma treatment or ion gun treatment.
According to this, since the antifouling film adhesion improving process is a plasma process or an ion gun process, the first antifouling film provided on one surface of the film formation target in the first step, and the second antifouling film adhesion improving process The antifouling property of the second antifouling film provided on the other film forming surface of the film forming object can be made equal in the process.

本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜は、真空蒸着法により成膜されていることを要旨とする。   The gist of the present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by a vacuum deposition method. .

これによれば、第1の防汚膜、且つ/又は第2の防汚膜は真空蒸着法により成膜されるので、光学部品の各被成膜面に形成される防汚膜の性能を同等にすることができる。   According to this, since the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by a vacuum deposition method, the performance of the antifouling film formed on each film formation surface of the optical component is improved. Can be equivalent.

本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜且つ/又は前記第2の防汚膜は含フッ素シラン化合物を成膜して形成されたことを要旨とする。   The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the first antifouling film and / or the second antifouling film is formed by forming a fluorine-containing silane compound. To do.

これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜、且つ/又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。   According to this, by forming a first antifouling film and / or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water droplets, tears, sweat, etc. can be easily obtained. Can be wiped off.

本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(1)であることを要旨とする。ただし、一般式(1)中、Rf2は、kが1以上6以下の整数である、−(Ck2k)O−で表される単位を含み、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する2価の基を表す。R3は炭素原子数が1以上8以下の一価炭化水素基であり、Jは加水分解性基又はハロゲン原子を表す。pは0以上2以下の整数を表す。nは1以上5以下の整数を表す。m及びrは2又は3の整数を表す。 The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the fluorine-containing silane compound as the first antifouling film and / or the second antifouling film is represented by the general formula (1). This is the gist. However, in the general formula (1), Rf 2 includes a unit represented by — (C k F 2k ) O—, in which k is an integer of 1 to 6, and is a straight-chain par having no branch. Represents a divalent group having a fluoropolyalkylene ether structure. R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and J represents a hydrolyzable group or a halogen atom. p represents an integer of 0 or more and 2 or less. n represents an integer of 1 to 5. m and r each represents an integer of 2 or 3.

Figure 2006309139
Figure 2006309139

これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。   According to this, by forming a first antifouling film or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water drops, tears, sweat, etc. can be easily wiped off. be able to.

本発明は、防汚性光学物品の製造方法であって、前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(2)であることを要旨とする。ただし、一般式(2)中Rf1はパーフルオロアルキル基、Xは水素、臭素、又はヨウ素、Yは水素又は低級アルキル基、Zはフッ素又はトリフルオロメチル基、R1は水酸基又は加水分解可能な基、R2は水素又は1価の炭化水素基を表す。a、b、c、d、eは0以上の整数で、a+b+c+d+eは少なくとも1以上であり、a、b、c、d、eでくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において限定されない。fは0以上2以下の整数を表す。gは1以上3以下の整数を表す。hは1以上の整数を表す。 The present invention is a method for producing an antifouling optical article, wherein the fluorine-containing silane compound as the first antifouling film and / or the second antifouling film is represented by the general formula (2). This is the gist. In general formula (2), Rf 1 is a perfluoroalkyl group, X is hydrogen, bromine, or iodine, Y is hydrogen or a lower alkyl group, Z is fluorine or a trifluoromethyl group, R 1 is a hydroxyl group or hydrolyzable. R 2 represents hydrogen or a monovalent hydrocarbon group. a, b, c, d and e are integers of 0 or more, a + b + c + d + e is at least 1 or more, and the order of existence of each repeating unit delimited by a, b, c, d and e is not limited in the formula . f represents an integer of 0 or more and 2 or less. g represents an integer of 1 to 3. h represents an integer of 1 or more.

Figure 2006309139
Figure 2006309139

これによれば、撥水性を備えた含フッ素シラン化合物を使用して第1の防汚膜且つ/又は第2の防汚膜を形成することにより、水滴、涙、汗等による汚れを簡単に拭い去ることができる。   According to this, by forming a first antifouling film and / or a second antifouling film using a fluorine-containing silane compound having water repellency, dirt due to water drops, tears, sweat, etc. can be easily obtained. Can be wiped off.

以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明に用いる成膜装置の模式図である。
図1において、成膜装置50は、被成膜体及び光学物品としての基板40が被成膜体保持部材としてのドーム81に載置され、被成膜体カバー部材としてのカバー82で略覆われた支持装置80が、内部を通過可能な3つのチャンバCH1、チャンバCH2及びチャンバCH3を備えている。これらのチャンバCH1〜CH3は順に連結され、支持装置80が搬送装置(図示せず)により搬送される。また、各々のチャンバCH1〜CH3は相互に密封できるようになっている。なお、各チャンバCH1〜CH3は、各真空生成装置52,53,54を備え、真空生成装置52,53,54により各チャンバCH1〜CH3内の圧力が、それぞれ制御される。
FIG. 1 is a schematic view of a film forming apparatus used in the present invention.
In FIG. 1, a film forming apparatus 50 has a film formation body and a substrate 40 as an optical article placed on a dome 81 as a film formation body holding member and substantially covered with a cover 82 as a film formation body cover member. The support device 80 is provided with three chambers CH1, CH2 and CH3 that can pass through the inside. These chambers CH1 to CH3 are sequentially connected, and the support device 80 is transported by a transport device (not shown). Further, the chambers CH1 to CH3 can be sealed from each other. Each chamber CH1 to CH3 is provided with each vacuum generation device 52, 53, and 54, and the pressure in each chamber CH1 to CH3 is controlled by the vacuum generation devices 52, 53, and 54, respectively.

チャンバCH1は、エントランス又はゲートチャンバであり、基板40が載置された支持装置80を、搬入装置によりチャンバCH1内に導入した後、チャンバCH1内を、所定時間、所定の圧力以下に保持することにより、基板40の脱ガスが行われる。なお、チャンバCH1内は、ロータリポンプ52a、ルーツポンプ52b及びクライオポンプ52cを備えた真空生成装置52により、所定の圧力に制御される。   The chamber CH1 is an entrance or gate chamber, and after the support device 80 on which the substrate 40 is placed is introduced into the chamber CH1 by the carry-in device, the inside of the chamber CH1 is held at a predetermined pressure or lower for a predetermined time. As a result, the substrate 40 is degassed. Note that the inside of the chamber CH1 is controlled to a predetermined pressure by a vacuum generation device 52 including a rotary pump 52a, a roots pump 52b, and a cryopump 52c.

チャンバCH2は、いわゆるイオン照射装置付き電子ビーム蒸着装置である。このため、チャンバCH2の内部には、2種類の物質を蒸着するための蒸着源55a,55bと、各蒸着源55a,55bを蒸発させる電子銃56a,56b及び蒸着量を調整する開閉可能なシャッター57a,57bが備えられている。なお、チャンバCH2内は、ロータリポンプ53a、ルーツポンプ53b及びクライオポンプ53cを備えた真空生成装置53により所定の圧力に保持される。   The chamber CH2 is a so-called electron beam evaporation apparatus with an ion irradiation apparatus. Therefore, inside the chamber CH2, vapor deposition sources 55a and 55b for vapor depositing two kinds of substances, electron guns 56a and 56b for evaporating the respective vapor deposition sources 55a and 55b, and an openable / closable shutter for adjusting the vapor deposition amount. 57a and 57b are provided. Note that the inside of the chamber CH2 is maintained at a predetermined pressure by a vacuum generation device 53 including a rotary pump 53a, a roots pump 53b, and a cryopump 53c.

また、チャンバCH2にはプラズマ処理を行うための、高周波プラズマ発生装置51が配設されている。高周波プラズマ発生装置51は、チャンバCH2内にRFコイル60を備え、チャンバCH2の外にRFコイル60に接続されるマッチングボックス61と、マッチングボックス61に接続する高周波発信器62を備えている。また、チャンバCH2は、プラズマ処理時に導入される酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64を備え、これらの酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64は、オートプレッシャーコントローラ65で所定の圧力になるように、マスフローコントローラ66aによって流量が制御される。   The chamber CH2 is provided with a high-frequency plasma generator 51 for performing plasma processing. The high-frequency plasma generator 51 includes an RF coil 60 in the chamber CH2, and includes a matching box 61 connected to the RF coil 60 outside the chamber CH2 and a high-frequency transmitter 62 connected to the matching box 61. Further, the chamber CH2 includes an oxygen gas supply source 63 or an argon gas supply source 64 introduced at the time of plasma processing. These oxygen gas supply source 63 or argon gas supply source 64 is predetermined by an auto pressure controller 65. The flow rate is controlled by the mass flow controller 66a so as to be the pressure.

また、チャンバCH2には防汚膜密着性向上処理を施すためにイオン照射装置90が配設されている。イオン照射装置90は、イオンガン91と、イオンガン91からのイオンの量及び照射時間を制御するDC電源92及びRF電源93と、マスフローコントローラ66bとを備えている。マスフローコントローラ66bは、酸素ガス供給源63、又はアルゴンガス供給源64に接続され、イオン照射時に導入されるそれぞれの気体(酸素、アルゴンガス)の流量を制御する。   Further, an ion irradiation apparatus 90 is disposed in the chamber CH2 in order to perform the antifouling film adhesion improving process. The ion irradiation apparatus 90 includes an ion gun 91, a DC power source 92 and an RF power source 93 that control the amount and irradiation time of ions from the ion gun 91, and a mass flow controller 66b. The mass flow controller 66b is connected to the oxygen gas supply source 63 or the argon gas supply source 64, and controls the flow rate of each gas (oxygen, argon gas) introduced during ion irradiation.

チャンバCH3は、含フッ素シラン化合物(詳細は後述する)を基板40の最表面膜に蒸着することにより防汚膜を形成するチャンバである。チャンバCH3内には、含フッ素シラン化合物が含浸された防汚膜蒸着源59と、例えばハロゲンランプからなる加熱ヒータ68と、補正板67とが配設されている。補正板67は、固定式であり開度を調整することにより、支持装置80に向かって放出される蒸着量を調整する。なお、チャンバCH3内は、ロータリポンプ54a、ルーツポンプ54b及びターボ分子ポンプ54cを備えた真空生成装置54により所定の圧力に保持される。   The chamber CH3 is a chamber for forming an antifouling film by depositing a fluorine-containing silane compound (details will be described later) on the outermost surface film of the substrate 40. In the chamber CH3, an antifouling film deposition source 59 impregnated with a fluorine-containing silane compound, a heater 68 made of, for example, a halogen lamp, and a correction plate 67 are disposed. The correction plate 67 is a fixed type and adjusts the degree of vapor deposition emitted toward the support device 80 by adjusting the opening degree. Note that the inside of the chamber CH3 is maintained at a predetermined pressure by a vacuum generation device 54 including a rotary pump 54a, a roots pump 54b, and a turbo molecular pump 54c.

図2は、基板40の防汚膜のプロセスを説明する第1の工程と第2の工程のフローチャート図である。
第1の工程は、基板40の一面に防汚膜を備える工程であり、第2の工程は、基板40の他の一面に防汚膜を備える工程である。第1の工程のステップS1では、複数の被成膜面を有する被成膜体としての基板40の一面を揃えて、被成膜体保持部材としてのドーム81にひとつ以上並べてセットする。並べる方法については後述する。
FIG. 2 is a flowchart of the first process and the second process for explaining the process of the antifouling film on the substrate 40.
The first step is a step of providing an antifouling film on one surface of the substrate 40, and the second step is a step of providing an antifouling film on the other surface of the substrate 40. In step S1 of the first process, one surface of the substrate 40 as a film formation body having a plurality of film formation surfaces is aligned, and one or more are set side by side on the dome 81 as a film formation body holding member. The method of arranging will be described later.

ステップS2では、基板40がセットされたドーム81を成膜室としての蒸着装置に載置する。ドーム81は略半円形を成し蒸着装置の蒸着源から距離が略均等になるような曲率を有している。   In step S2, the dome 81 on which the substrate 40 is set is placed on a vapor deposition apparatus as a film forming chamber. The dome 81 is substantially semicircular and has a curvature such that the distance from the vapor deposition source of the vapor deposition apparatus is substantially uniform.

ステップS3では、基板表面を清浄化するためにプラズマ処理が行われる。プラズマ中の正イオンが基板表面をスパッタすることで表面の汚染物質を除去し、次工程の反射防止膜との密着性を向上させる。   In step S3, plasma processing is performed to clean the substrate surface. The positive ions in the plasma sputter the substrate surface to remove surface contaminants and improve the adhesion with the antireflection film in the next step.

ステップS4では、反射防止膜の蒸着が行われる。   In step S4, an antireflection film is deposited.

ステップS5では、プラズマ処理が行われる。第1の防汚膜密着性向上処理としてのプラズマ処理は、基板40の表面を活性化させるものであり、発生した正イオンが基板40の表面をスパッタする。これによって基板40の表面が活性化し、この後の工程で蒸着される物質との密着性を向上することができる処理である。このプラズマ処理の際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。   In step S5, plasma processing is performed. The plasma treatment as the first antifouling film adhesion improving treatment activates the surface of the substrate 40, and the generated positive ions sputter the surface of the substrate 40. In this process, the surface of the substrate 40 is activated, and the adhesion with the substance to be deposited in the subsequent process can be improved. During the plasma processing, the dome 81 is rotated to equalize the quality among the plurality of substrates 40.

ステップS6では、防汚性物質の蒸着が行われる。防汚性物質が蒸着され成膜されて形成された第1の防汚膜は、含フッ素シラン化合物である。この含フッ素シラン化合物の詳細については後述する。この防汚性物質が蒸着される際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。   In step S6, an antifouling substance is deposited. The first antifouling film formed by depositing and depositing an antifouling substance is a fluorine-containing silane compound. Details of the fluorine-containing silane compound will be described later. When the antifouling substance is deposited, the dome 81 is rotated to equalize the quality among the plurality of substrates 40.

ステップS7では、ドーム81を蒸着装置から取り出す。これまでの工程によって、被成膜体としての基板40の被成膜面としての一面に含フッ素シラン化合物からなる第1の防汚膜が成膜されて形成される。   In step S7, the dome 81 is taken out from the vapor deposition apparatus. Through the steps so far, the first antifouling film made of the fluorine-containing silane compound is formed and formed on one surface as the film formation surface of the substrate 40 as the film formation body.

次に、第2の工程のステップS8では、第1の工程のステップS7の状態の基板40を裏返して再びドーム81に並べてセットする。このことにより、第1の工程で成膜されて形成された第1の防汚膜は、イオンガン又は蒸着源に対して裏側に位置することになる。   Next, in step S8 of the second process, the substrate 40 in the state of step S7 of the first process is turned over and set again on the dome 81. As a result, the first antifouling film formed by the film formation in the first step is positioned on the back side with respect to the ion gun or the evaporation source.

ステップS9では、基板40がセットされたドーム81にカバー82をセットする。被成膜体カバー部材としてのカバー82は、第1の工程で成膜されて形成された第1の防汚膜を、被成膜体保持部材としてのドーム81と、被成膜体カバー部材としてのカバー82と、の間で覆う機能を有している。各部材間の隙間は、イオンシースの0.1倍から2倍の範囲内となっている。しかしながら、被成膜体保持部材としてのドーム81と被成膜体カバー部材としてのカバー82との間の隙間を皆無にして覆うことはかなり困難であった。また、基板40をドーム81にセットする場合も同様に基板40とドーム81或いは基板40と基板40を保持するリング(詳細は後述する)との間の隙間を皆無にすることは困難であった。   In step S9, the cover 82 is set on the dome 81 on which the substrate 40 is set. The cover 82 as the film formation body cover member is formed by using the first antifouling film formed by the film formation in the first step, the dome 81 as the film formation body holding member, and the film formation body cover member. And a cover 82 as a cover. The gap between the members is in the range of 0.1 to 2 times that of the ion sheath. However, it is quite difficult to cover the dome 81 as the film formation body holding member and the cover 82 as the film formation body cover member without any gap. Similarly, when the substrate 40 is set on the dome 81, it is difficult to eliminate the gap between the substrate 40 and the dome 81 or between the substrate 40 and a ring (details will be described later). .

なお、基板40の一面に防汚膜を備える第1の工程のフローチャートにおいて、カバー82をセットする工程を示していないが、第1の工程でドームにカバーをセットしても何ら支障はない。その場合には、ドームにカバーをセットする工程が、ステップS1とステップS2との間に設定される。   Although the step of setting the cover 82 is not shown in the flowchart of the first step of providing the antifouling film on one surface of the substrate 40, there is no problem even if the cover is set on the dome in the first step. In that case, the process of setting the cover on the dome is set between step S1 and step S2.

ステップS10では、基板40とカバー82がセットされたドーム81を蒸着装置に載置する。   In step S10, the dome 81 on which the substrate 40 and the cover 82 are set is placed on the vapor deposition apparatus.

ステップS11では、基板表面を清浄化するためにプラズマ処理が行われる。プラズマ中の正イオンが基板表面をスパッタすることで表面の汚染物質を除去し、次工程の反射防止膜との密着性を向上させる。   In step S11, plasma processing is performed to clean the substrate surface. The positive ions in the plasma sputter the substrate surface to remove surface contaminants and improve the adhesion with the antireflection film in the next step.

ステップS12では、反射防止膜の蒸着が行われる。   In step S12, an antireflection film is deposited.

ステップS13では、プラズマ処理が行われる。ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。この第2の防汚膜密着性向上処理としてのプラズマ処理の際に、被成膜体保持部材としてのドーム81と被成膜体カバー部材としてのカバー82、及び被成膜体としての基板40と被成膜体保持部材としてのドーム81との間にイオンシース(後述する)の2倍を超える隙間がある場合は、正イオンがその隙間を通過して、第1の工程で成膜して形成された第1の防汚膜がスパッタされて、部分的に第1の防汚膜が欠落した部分が発生する。   In step S13, plasma processing is performed. By rotating the dome 81, it is possible to equalize the quality among the plurality of substrates 40. During the plasma treatment as the second antifouling film adhesion improving treatment, the dome 81 as the film formation body holding member, the cover 82 as the film formation body cover member, and the substrate 40 as the film formation body. And a dome 81 serving as a deposition target holding member, a positive ion passes through the gap and forms a film in the first step. The first antifouling film formed in this way is sputtered, and a portion where the first antifouling film is partially lost is generated.

この部分的に第1の防汚膜が欠落すると、基板40の第1の防汚膜を形成した面と他の面に形成された防汚膜(第2の防汚膜)とで防汚性に違いが発生する。具体的には、第1の防汚膜に付着した指紋等の汚れを拭き取る際に、第2の防汚膜の拭き取り性よりも劣ることとなる。   If the first antifouling film is partially lost, the antifouling is caused by the surface of the substrate 40 on which the first antifouling film is formed and the antifouling film (second antifouling film) formed on the other surface. A difference occurs in gender. Specifically, when wiping off dirt such as fingerprints attached to the first antifouling film, the wiping property of the second antifouling film is inferior.

ステップS14では、防汚性物質の蒸着が行われる。防汚性物質が蒸着され成膜されて形成された第2の防汚膜は、含フッ素シラン化合物である。この含フッ素シラン化合物の詳細については後述する。この防汚性物質が蒸着される際に、ドーム81を回動させることによって複数の基板40間での品質の均等化を図ることができる。   In step S14, an antifouling substance is deposited. The second antifouling film formed by depositing and depositing an antifouling substance is a fluorine-containing silane compound. Details of the fluorine-containing silane compound will be described later. When the antifouling substance is deposited, the dome 81 is rotated to equalize the quality among the plurality of substrates 40.

ステップS15では、ドーム81を蒸着装置から取り出す。これまでの各工程を経て、基板40の各被成膜面に防汚性を備えた防汚膜が形成される。   In step S15, the dome 81 is taken out from the vapor deposition apparatus. Through each of the steps so far, an antifouling film having antifouling properties is formed on each film formation surface of the substrate 40.

図3(a)は、プラズマ中での浮遊電極表面の電位を説明する模式図であり、(b)は、浮遊電極としてのドーム81、カバー82、複数の基板40とイオンとの関係を説明する模式図であり、(c)、(d)は、イオンシースと浮遊電極の物体間の隙間(距離)との関係における正イオンの挙動を説明する模式図である。   FIG. 3A is a schematic diagram for explaining the potential of the surface of the floating electrode in the plasma, and FIG. 3B shows the relationship between the dome 81, the cover 82, the plurality of substrates 40 and the ions as the floating electrode. (C), (d) is a schematic diagram explaining the behavior of positive ions in the relationship between the ion sheath and the gap (distance) between the objects of the floating electrode.

図3(a)では、支持装置80と装着されている全ての部材及びカバー82は、成膜装置50のチャンバCH2の中では電気的に浮いた状態で浮遊電極となっている。プラズマ中に置かれた浮遊電極は電子の過剰流入で負に帯電し、表面近傍にイオンシースが形成される。シース内の正イオンはイオンシース内の電場で浮遊電極に向かって直角に加速され浮遊電極に注入される。したがって、シース内の正イオンは全ての方向から浮遊電極に向かって加速されて向かうことになる。   In FIG. 3A, all the members and the cover 82 attached to the support device 80 are floating electrodes in an electrically floating state in the chamber CH <b> 2 of the film forming device 50. The floating electrode placed in the plasma is negatively charged by excessive inflow of electrons, and an ion sheath is formed near the surface. Positive ions in the sheath are accelerated at right angles toward the floating electrode by an electric field in the ion sheath and injected into the floating electrode. Therefore, the positive ions in the sheath are accelerated toward the floating electrode from all directions.

この状態を、模式的に示した図3(a)では、支持装置80に装着されている全ての部材及びカバー82の全ての面或いは隣接する空間においてイオンシースが形成される。浮遊電極の表面でマイナスの電位が最大となり、その表面から遠ざかる程、空間電荷は弱まっていき距離dに至ってその空間電荷は略ゼロとなる。   In FIG. 3A schematically showing this state, an ion sheath is formed on all the members mounted on the support device 80 and all the surfaces of the cover 82 or adjacent spaces. The negative potential is maximized on the surface of the floating electrode, and as the distance from the surface increases, the space charge weakens and reaches the distance d, and the space charge becomes substantially zero.

この状態を数式で表すと次のようになる。
プラズマの中に置かれた物体表面での現象として、電位Vpのプラズマの中に浮遊電極電圧Vfの物体を置いた場合に、物体に入射するイオン粒子束密度Imは、イオンの粒子密度Ni(個/cm3)とイオン粒子の平均速度Viによって、以下のように表される。
Im=1/4×Ni×Vi (個/cm2)・・・・・(数式1)
また、電子粒子束密度Dmは、電子の粒子密度Ne(個/cm3)と電子粒子の平均速度Veとによって、以下のように表される。
Dm=1/4×Ne×Ve (個/cm2)・・・・・(数式2)
イオン粒子の平均速度Viは、ボルツマン定数KBとイオンの粒子の温度Tiとイオンの粒子の質量Miとによって、以下の(数式3)のように表せる。
This state is expressed as follows.
As a phenomenon on the surface of the object placed in the plasma, when an object having a floating electrode voltage Vf is placed in the plasma having the potential Vp, the ion particle flux density Im incident on the object is expressed by the ion particle density Ni ( Pcs / cm 3 ) and the average velocity Vi of the ion particles are expressed as follows.
Im = 1/4 × Ni × Vi (pieces / cm 2 ) (Equation 1)
The electron particle bundle density Dm is expressed as follows by the electron particle density Ne (number / cm 3 ) and the average velocity Ve of the electron particles.
Dm = 1/4 × Ne × Ve (pieces / cm 2 ) (Equation 2)
Average speed Vi of the ion particles, by mass Mi temperature Ti and ions of the particles of the Boltzmann constant K B and the ion of the particles, expressed as the following (Formula 3).

Figure 2006309139
また、電子粒子の平均速度Veは、ボルツマン定数KBと電子の粒子の温度Teと電子の粒子の質量Meとによって、以下の(数式4)のように表せる。
Figure 2006309139
The average speed Ve of the electronic particles by a mass Me of the temperature Te and electron particle Boltzmann constant K B and electron particle, expressed as the following (Formula 4).

Figure 2006309139
Figure 2006309139

物理的に、Me<<Miであり、非熱平衡プラズマの場合は、Te>Tiであることから、Ve>>Viとなる。また、Ne=Niであるため、Im<Dmとなる。
また、電子粒子束の過剰流入により浮遊電極の表面は負に帯電する。負に帯電した浮遊電極に正イオンが衝突して、浮遊電極の表面をスパッタする。
Physically, Me << Mi, and in the case of non-thermal equilibrium plasma, Te >> Ti, so Ve >> Vi. Further, since Ne = Ni, Im <Dm.
Further, the surface of the floating electrode is negatively charged due to excessive inflow of the electron particle bundle. Positive ions collide with the negatively charged floating electrode, and the surface of the floating electrode is sputtered.

図3(b)に、支持装置80、カバー82及び基板40に対して、正イオンが加速されて向かっている所を示している。この場合に、支持装置80、カバー82及び基板40とのそれぞれの間に隙間がある場合、それぞれの隙間(距離)L1〜L6について前述したイオンシースとの関係を図3(c)で説明する。ここで、本発明では、図3(a)で示した、距離dをイオンシースIdと定義する。   FIG. 3B shows a place where positive ions are accelerated toward the support device 80, the cover 82, and the substrate 40. In this case, when there are gaps between the support device 80, the cover 82, and the substrate 40, the relationship between the gaps (distances) L1 to L6 and the ion sheath described above will be described with reference to FIG. . Here, in the present invention, the distance d shown in FIG. 3A is defined as an ion sheath Id.

図3(c)では、支持装置80、カバー82及び基板40のいずれかの部材を物体Aと物体Bとした場合に、その物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍より大きい場合は、正イオンIaは、物体Aと物体Bとが負に帯電している吸引力に勝って、物体Aと物体Bとの間を通過してしまう。通過した正イオンIaは、物体A及び物体Bの裏面に到達する。到達した正イオンIaは、物体A及び物体Bの裏面に加速されて衝突し、物体A及び物体Bの裏面はこの正イオンによってスパッタされることになる。   In FIG. 3C, when any member of the support device 80, the cover 82, and the substrate 40 is the object A and the object B, the gap (distance) L between the object A and the object B is the ion sheath Id. When it is larger than twice, the positive ion Ia passes between the object A and the object B by overcoming the attractive force in which the object A and the object B are negatively charged. The positive ions Ia that have passed reach the back surfaces of the object A and the object B. The reached positive ions Ia are accelerated and collide with the back surfaces of the object A and the object B, and the back surfaces of the object A and the object B are sputtered by the positive ions.

物体Aと物体Bとの隙間(距離)Lが、変化せずにそのままの場合は、正イオンIaと同様な経路をたどって、次の正イオンIbが物体A及び物体Bの裏面に到達して引き続きスパッタすることになる。このように、正イオンは次から次へと物体A及び物体Bの裏面に到達して継続してスパッタすることになる。   When the gap (distance) L between the object A and the object B remains unchanged and follows the same path as the positive ion Ia, the next positive ion Ib reaches the back surfaces of the object A and the object B. Will continue to sputter. In this way, the positive ions reach the back surfaces of the object A and the object B from one to the next and are continuously sputtered.

図3(d)では、支持装置80、カバー82及び基板40のいずれかの部材を物体Aと物体Bとした場合に、その物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍以内の場合は、正イオンIcは、物体Aと物体Bとが負に帯電している吸引力に負けて、物体A又は物体Bに引き寄せられて、物体Aと物体Bとの間を通過することができない。
したがって、物体Aと物体Bとの隙間(距離)LがイオンシースIdの2倍以内の場合は、正イオンは物体A及び物体Bの裏面に到達することができない。このことは、物体A及び物体Bの裏面は、正イオンにスパッタされることなく、物体A及び物体Bの裏面にある防汚膜或いは他の処理膜はこの処理を施す以前の状態を維持することができる。
In FIG. 3D, when any member of the support device 80, the cover 82, and the substrate 40 is the object A and the object B, the gap (distance) L between the object A and the object B is the ion sheath Id. In the case of less than 2 times, the positive ion Ic is attracted to the object A or the object B by being attracted to the object A or the object B, and is attracted to the object A or the object B, and is attracted between the object A and the object B. Can't pass.
Therefore, when the gap (distance) L between the object A and the object B is within twice the ion sheath Id, positive ions cannot reach the back surfaces of the object A and the object B. This means that the back surfaces of the object A and the object B are not sputtered by positive ions, and the antifouling film or other treatment film on the back surface of the object A and the object B maintains the state before this treatment is performed. be able to.

Figure 2006309139
ここで、電子の粒子密度Neと電極電位Vsに対するイオンシースIdの量を具体的に計算して表したものが表1である。この表1の中で二点鎖線で示した内部が実際に本実施例での使用範囲である。このことから、物体A及び物体Bとの隙間(距離)Lを2mm以内にすることによって、例え隙間があっても正イオンに物体A及び物体Bの裏面をスパッタされることはなく、物体A及び物体Bの裏面にある防汚膜或いは他の処理膜はこの処理を施す以前の状態を維持することができる。
Figure 2006309139
Here, Table 1 shows the specific calculation of the amount of the ion sheath Id with respect to the electron particle density Ne and the electrode potential Vs. The inside indicated by the two-dot chain line in Table 1 is actually the range of use in this embodiment. Therefore, by setting the gap (distance) L between the object A and the object B within 2 mm, the back surface of the object A and the object B is not sputtered by positive ions even if there is a gap. In addition, the antifouling film or other treatment film on the back surface of the object B can maintain the state before the treatment.

次に、防汚膜形成の詳細を説明する。
図4は、ドーム81に基板40をセットしカバー82をセットした部分断面図である。なお、図4は、基板40を反転して凸面を下にした第2の工程におけるセット状態を示している。
Next, details of the antifouling film formation will be described.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view in which the substrate 40 is set on the dome 81 and the cover 82 is set. FIG. 4 shows a set state in the second step in which the substrate 40 is inverted and the convex surface is faced down.

被成膜体保持部材としてのドーム81には、複数の基板40がセットできるように孔81a,81bが基板40に対応した数だけ配設されている。この孔81a,81bは、電子銃56a,56bの方向に向けて略開口されていて、基板40へ蒸着される膜の均一性が図られている。この孔81a,81bには、被成膜体保持部材としての枠83a,83bがそれぞれ配設されている。また、枠83a,83bには、リング84で周囲を持着された基板40が、凸面を下方に向けて挿着されている。このようにして、複数の基板40がセットされたドーム81は、ドーム81を回動するための回動部85に挿着されている。   The dome 81 serving as the film-forming member holding member is provided with a number of holes 81 a and 81 b corresponding to the substrate 40 so that a plurality of substrates 40 can be set. The holes 81a and 81b are substantially opened in the direction of the electron guns 56a and 56b, and the uniformity of the film deposited on the substrate 40 is achieved. In the holes 81a and 81b, frames 83a and 83b are provided as film-forming member holding members, respectively. Further, the substrate 40, the periphery of which is held by the ring 84, is inserted into the frames 83a and 83b with the convex surface facing downward. In this way, the dome 81 on which the plurality of substrates 40 are set is inserted into the rotating portion 85 for rotating the dome 81.

また、複数の基板40がセットされたドーム81の上方には、被成膜体カバー部材としてのカバー82が覆うように装着され、ドーム81に螺着されている。その中心部にはφ180mmの円形の開口部82aがある。これは、蒸着膜厚モニタ用の受光部のためであり、さらにハンドリングの際の手のひっかけとしても使用する。この開口部82aとドーム81の上面には約20mmの隙間が存在する。この隙間には、シール材86が取り付けられている。隙間をシール材86で塞ぐことによって、プラズマ処理時及びイオンガン処理時にドーム81上部に正イオンが侵入することを防止することができる。   Further, a cover 82 as a film-forming body cover member is mounted above the dome 81 on which the plurality of substrates 40 are set, and is screwed to the dome 81. At the center is a circular opening 82a with a diameter of 180 mm. This is for the light-receiving part for monitoring the deposited film thickness, and is also used as a hand hook for handling. There is a gap of about 20 mm between the opening 82 a and the upper surface of the dome 81. A sealing material 86 is attached to the gap. By closing the gap with the sealing material 86, it is possible to prevent positive ions from entering the upper portion of the dome 81 during plasma processing and ion gun processing.

基板40として、プラスチック基板41の上にハードコート膜42が形成された眼鏡用プラスチックレンズ(セイコーエプソン株式会社製:セイコースーパーソブリン)を凹面を下にして、支持装置80のドーム81にセットし、その上にカバー82を被せた。   As a substrate 40, a plastic lens for spectacles (manufactured by Seiko Epson Corporation: Seiko Super Sovereign) having a hard coat film 42 formed on a plastic substrate 41 is set on the dome 81 of the support device 80 with the concave surface down. A cover 82 was placed thereon.

次に、チャンバCH1で脱ガスした後、チャンバCH2において、アルゴン100%ガスを導入し、圧力を4.0×10-2Paに制御しつつ、高周波プラズマ発生装置51でプラズマを発生させた。プラズマ発生条件は、13.56MHz、400Wで、1分間処理を行った。これは、基板40と反射防止膜43の密着性を向上させるために、基板表面を清浄化することを目的としている。 Next, after degassing in the chamber CH1, 100% argon gas was introduced into the chamber CH2, and plasma was generated by the high-frequency plasma generator 51 while controlling the pressure to 4.0 × 10 −2 Pa. Plasma generation conditions were 13.56 MHz and 400 W, and the treatment was performed for 1 minute. This is intended to clean the substrate surface in order to improve the adhesion between the substrate 40 and the antireflection film 43.

引き続き、SiO2とZrO2の膜を交互に蒸着し、これらの膜からなる反射防止膜43を形成した。この反射防止膜43の最上膜は、SiO2膜である。引き続き、チャンバ内に酸素100%ガスを導入し、圧力を4.0×10-2Paに制御しつつ、高周波プラズマ発生装置でプラズマを発生させた。プラズマ発生条件は、13.56MHz、400Wで、2分間処理を行った。これは、反射防止膜43の表面を活性化させ、防汚膜44との化学結合を促進させることを目的としている(いずれも後述する図6参照)。 Subsequently, SiO 2 and ZrO 2 films were alternately deposited to form an antireflection film 43 composed of these films. The uppermost film of the antireflection film 43 is a SiO 2 film. Subsequently, 100% oxygen gas was introduced into the chamber, and plasma was generated by a high-frequency plasma generator while controlling the pressure to 4.0 × 10 −2 Pa. Plasma generation conditions were 13.56 MHz and 400 W, and the treatment was performed for 2 minutes. This is intended to activate the surface of the antireflection film 43 and promote chemical bonding with the antifouling film 44 (see FIG. 6 described later).

その後、チャンバCH3に支持装置80を移動して防汚膜44を形成した。防汚膜蒸着源59として、信越化学工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(製品名KY−130)を用いた。下記の一般式(1)で示す。   Subsequently, the antifouling film 44 was formed by moving the support device 80 to the chamber CH3. As the antifouling film deposition source 59, a fluorine-containing organosilicon compound (product name KY-130) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used. It is represented by the following general formula (1).

Figure 2006309139
ただし、一般式(1)中、Rf2は、kが1以上6以下の整数である、−(Ck2k)O−で表される単位を含み、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する2価の基を表す。R3は炭素原子数が1以上8以下の一価炭化水素基であり、Jは加水分解性基又はハロゲン原子を表す。pは0以上2以下の整数を表す。nは1以上5以下の整数を表す。m及びrは2又は3の整数を表す。
Figure 2006309139
However, in the general formula (1), Rf 2 includes a unit represented by — (C k F 2k ) O—, in which k is an integer of 1 to 6, and is a straight-chain par having no branch. Represents a divalent group having a fluoropolyalkylene ether structure. R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and J represents a hydrolyzable group or a halogen atom. p represents an integer of 0 or more and 2 or less. n represents an integer of 1 to 5. m and r each represents an integer of 2 or 3.

ここで、KY−130を、フッ素系溶剤(住友スリーエム株式会社製:ノベックHFE−7200)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。   Here, KY-130 is diluted with a fluorine-based solvent (Sumitomo 3M Co., Ltd .: Novec HFE-7200) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. This was set as an antifouling film deposition source 59 in the chamber CH3.

成膜中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ68として使用し、防汚膜蒸着源59のペレットを600℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は3分である。防汚膜44を形成後、支持装置80をチャンバCH3から取り出し、基板40を反転して凸面を下にして支持装置80のドーム81にセットし、カバー82を被せた。カバー82の中心の開口部82aには、シール材86(図4参照)が取り付けられている。その後、再び上記と同様の処理を行うことによって、基板40の両面に防汚膜44を形成した。   During film formation, a halogen lamp was used as the heater 68 and the pellet of the antifouling film deposition source 59 was heated to 600 ° C. to evaporate the fluorine-containing organosilicon compound. The deposition time is 3 minutes. After the antifouling film 44 was formed, the support device 80 was taken out from the chamber CH3, the substrate 40 was inverted and set on the dome 81 of the support device 80 with the convex surface down, and the cover 82 was covered. A sealing material 86 (see FIG. 4) is attached to the opening 82a at the center of the cover 82. Thereafter, the same process as described above was performed again to form the antifouling film 44 on both surfaces of the substrate 40.

図5は、基板40とリング84と枠83との関係を示す斜視図である。
基板40は、リング84に付勢されて装着され、枠83に挿着される。リング84は、1枚の弾性を備えた板状のものを一部が二重に巻き付くように成形する。成形されたリング84の内径は基板40の外形よりも小さい径に成形する。基板40をリング84に装着する際は、リング84に記載されている方向に付勢して、リング84の内径を大きくして基板40を挿着する。
FIG. 5 is a perspective view showing the relationship among the substrate 40, the ring 84 and the frame 83.
The substrate 40 is urged and attached to the ring 84 and is inserted into the frame 83. The ring 84 is formed such that a part of a plate having elasticity is wound twice. The inner diameter of the formed ring 84 is smaller than the outer shape of the substrate 40. When the substrate 40 is mounted on the ring 84, the substrate 40 is inserted by energizing in the direction described in the ring 84 to increase the inner diameter of the ring 84.

基板40の上端40aをリング84の上端84aに合わせて挿着することにより、蒸着源55a,55bと複数の基板40との距離を均一にすることができる。また、リング84は1枚の弾性を備えた厚み1mm以下の板状なもののため、基板40とリング84との間の隙間は1mm以下になる。すなわち、イオンシースIdの2倍より隙間は小さくなっている。また、リング84と枠83とは隙間が1mm以下になるように設定されているため、イオンシースIdの2倍より隙間は小さくなっている。   By inserting the upper end 40a of the substrate 40 in accordance with the upper end 84a of the ring 84, the distance between the vapor deposition sources 55a, 55b and the plurality of substrates 40 can be made uniform. Further, since the ring 84 is a single plate having a thickness of 1 mm or less and having elasticity, the gap between the substrate 40 and the ring 84 is 1 mm or less. That is, the gap is smaller than twice the ion sheath Id. Further, since the gap between the ring 84 and the frame 83 is set to be 1 mm or less, the gap is smaller than twice the ion sheath Id.

また、リング84に突出して設けられた4個の突出部84b〜84eの下面が、枠83の上面83cに接触した状態で、リング84及び基板40の紙面での上下方向の位置が決まるようになっている。また、枠83の外周には傾きを有する縁83dが設けられ、ドーム81の曲率に合わせてそれぞれの枠83の縁83dの傾きが調整されて、基板40が蒸着源55a,55bの方向に向くようになっている。   Further, the vertical positions of the ring 84 and the substrate 40 on the paper surface are determined in a state in which the lower surfaces of the four projecting portions 84b to 84e provided to project from the ring 84 are in contact with the upper surface 83c of the frame 83. It has become. In addition, an edge 83d having an inclination is provided on the outer periphery of the frame 83, and the inclination of the edge 83d of each frame 83 is adjusted according to the curvature of the dome 81, so that the substrate 40 faces in the direction of the vapor deposition sources 55a and 55b. It is like that.

本実施例は、チャンバCH3において、前記実施例1と異なるフッ素含有有機ケイ素化合物を防汚膜44として蒸着したものである。   In this example, a fluorine-containing organosilicon compound different from that in Example 1 was deposited as the antifouling film 44 in the chamber CH3.

防汚膜蒸着源59として、ダイキン工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(オプツールDSX)を用いた。下記の一般式(2)で示す。   As the antifouling film deposition source 59, a fluorine-containing organosilicon compound (OPTOOL DSX) manufactured by Daikin Industries, Ltd. was used. It is represented by the following general formula (2).

Figure 2006309139
ただし、一般式(2)中Rf1はパーフルオロアルキル基、Xは水素、臭素、又はヨウ素、Yは水素又は低級アルキル基、Zはフッ素又はトリフルオロメチル基、R1は水酸基又は加水分解可能な基、R2は水素又は1価の炭化水素基を表す。a、b、c、d、eは0以上の整数で、a+b+c+d+eは少なくとも1以上であり、a、b、c、d、eでくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において限定されない。fは0以上2以下の整数を表す。gは1以上3以下の整数を表す。hは1以上の整数を表す。
Figure 2006309139
In general formula (2), Rf 1 is a perfluoroalkyl group, X is hydrogen, bromine, or iodine, Y is hydrogen or a lower alkyl group, Z is fluorine or a trifluoromethyl group, R 1 is a hydroxyl group or hydrolyzable. R 2 represents hydrogen or a monovalent hydrocarbon group. a, b, c, d and e are integers of 0 or more, a + b + c + d + e is at least 1 or more, and the order of existence of each repeating unit delimited by a, b, c, d and e is not limited in the formula . f represents an integer of 0 or more and 2 or less. g represents an integer of 1 to 3. h represents an integer of 1 or more.

オプツールDSXを、フッ素系溶剤(ダイキン工業株式会社製:デムナムソルベント)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。他は、実施例1と同様である。   Optool DSX is diluted with a fluorine-based solvent (Daikin Kogyo Co., Ltd .: demnum solvent) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. It was set in the chamber CH3 as the dirty film deposition source 59. Others are the same as in the first embodiment.

本実施例は、プラスチック基板41の上にハードコート膜42を形成し、さらにその上に反射防止膜43を形成し、最表面に防汚膜44を形成したものである。
図6は、基板40の部分断面図である。
基板40として、プラスチック基板41の上にハードコート膜42が形成された眼鏡用プラスチックレンズ(セイコーエプソン株式会社製:セイコースーパーソブリン)を凹面を下にして、支持装置80のドーム81にセットし、その上にカバー82を被せた。カバー82の中心の開口部82aには、シール材86(図4参照)が取り付けられている。
In this embodiment, a hard coat film 42 is formed on a plastic substrate 41, an antireflection film 43 is further formed thereon, and an antifouling film 44 is formed on the outermost surface.
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the substrate 40.
As a substrate 40, a plastic lens for spectacles (manufactured by Seiko Epson Corporation: Seiko Super Sovereign) having a hard coat film 42 formed on a plastic substrate 41 is set on the dome 81 of the support device 80 with the concave surface down. A cover 82 was placed thereon. A sealing material 86 (see FIG. 4) is attached to the opening 82a at the center of the cover 82.

次に、チャンバCH1で脱ガスした後、チャンバCH2において、イオンガン91に酸素100%ガスを35SCCMに制御して導入し、イオンを照射した。イオン照射条件は、周波数13.56MHz、RF450W、加速電圧500V、サプレッサー電圧300V、で90秒間処理を行った。処理時の圧力は4×10-3Paであった。これは、基板40と反射防止膜43の密着性を向上させるために、基板40の表面を清浄化するのを目的としている。 Next, after degassing in the chamber CH1, in the chamber CH2, a 100% oxygen gas was introduced into the ion gun 91 in a controlled manner to 35 SCCM, and ions were irradiated. As ion irradiation conditions, treatment was performed for 90 seconds at a frequency of 13.56 MHz, RF 450 W, acceleration voltage 500 V, and suppressor voltage 300 V. The pressure during the treatment was 4 × 10 −3 Pa. The purpose of this is to clean the surface of the substrate 40 in order to improve the adhesion between the substrate 40 and the antireflection film 43.

引き続き、SiO2とTiO2の膜を交互に蒸着し、これらの膜からなる反射防止膜43を成形した。この反射防止膜43の最上膜は、SiO2膜である。また、TiO2蒸着は、イオンアシスト蒸着により、行った。この際のイオン照射条件は、上記と同じである。 Subsequently, SiO 2 and TiO 2 films were alternately deposited, and an antireflection film 43 made of these films was formed. The uppermost film of the antireflection film 43 is a SiO 2 film. Further, TiO 2 deposition, by ion-assisted deposition was performed. The ion irradiation conditions at this time are the same as described above.

反射防止膜43の蒸着終了後、イオンガン91に酸素100%ガスを35SCCMに制御して導入し、イオンを照射した。照射時間が2分間となった他は、上記と同じ条件である。これは、反射防止膜43の表面を活性化させ、防汚膜44との化学結合を促進させることを目的としている。   After the deposition of the antireflection film 43 was completed, 100% oxygen gas was introduced into the ion gun 91 while controlling it at 35 SCCM, and ions were irradiated. The conditions are the same as above except that the irradiation time is 2 minutes. The purpose of this is to activate the surface of the antireflection film 43 and promote chemical bonding with the antifouling film 44.

その後、チャンバCH3に支持装置80を移動して防汚膜44を形成した。防汚膜蒸着源59として、信越化学工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(製品名KY−130、一般式(2))を用いた。ここで、KY−130を、フッ素系溶剤(住友スリーエム株式会社製:ノベックHFE−7200)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。   Subsequently, the antifouling film 44 was formed by moving the support device 80 to the chamber CH3. As the antifouling film deposition source 59, a fluorine-containing organosilicon compound (product name KY-130, general formula (2)) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used. Here, KY-130 is diluted with a fluorine-based solvent (Sumitomo 3M Co., Ltd .: Novec HFE-7200) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. This was set as an antifouling film deposition source 59 in the chamber CH3.

成膜中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ68として使用し、防汚膜蒸着源59のペレットを600℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は3分である。   During film formation, a halogen lamp was used as the heater 68 and the pellet of the antifouling film deposition source 59 was heated to 600 ° C. to evaporate the fluorine-containing organosilicon compound. The deposition time is 3 minutes.

防汚膜44を形成後、支持装置80をチャンバCH3から取り出し、基板40を反転して凸面を下にして支持装置80のドーム81にセットし、カバー82を被せ、再び上記と同様の処理を行うことによって、基板40の両面に防汚膜44を形成した。   After the antifouling film 44 is formed, the support device 80 is taken out from the chamber CH3, and the substrate 40 is inverted and set on the dome 81 of the support device 80 with the convex surface down, covered with the cover 82, and the same processing as above is performed again. By performing, the antifouling film | membrane 44 was formed on both surfaces of the board | substrate 40. FIG.

本実施例は、チャンバCH3において、前記実施例3と異なるフッ素含有有機ケイ素化合物を防汚膜44として蒸着したものである。
防汚膜蒸着源59として、ダイキン工業株式会社製のフッ素含有有機ケイ素化合物(オプツールDSX、一般式(1))を用いた。オプツールDSXを、フッ素系溶剤(ダイキン工業株式会社製:デムナムソルベント)に希釈して固形分濃度3%溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに1g含浸させ乾燥させたものを防汚膜蒸着源59としてチャンバCH3にセットした。他は、実施例3と同様である。
In this embodiment, a fluorine-containing organosilicon compound different from that in Embodiment 3 is deposited as the antifouling film 44 in the chamber CH3.
As the antifouling film deposition source 59, a fluorine-containing organosilicon compound (OPTOOL DSX, general formula (1)) manufactured by Daikin Industries, Ltd. was used. Optool DSX is diluted with a fluorine-based solvent (Daikin Kogyo Co., Ltd .: demnum solvent) to prepare a 3% solid content solution, and 1 g of this is impregnated into a porous ceramic pellet and dried. It was set in the chamber CH3 as the dirty film deposition source 59. Others are the same as in the third embodiment.

(比較例1)
第2の工程において、カバー82の中心の開口部82aにシール材86を取り付けていないものを使用した比較例である。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 1)
In the second step, a comparative example is used in which the seal member 86 is not attached to the opening 82a at the center of the cover 82. Others are the same as Example 1.

(比較例2)
第2の工程において、カバー82の中心の開口部82aにシール材86を取り付けていないものを使用した比較例である。他は、実施例2と同じである。
(Comparative Example 2)
In the second step, a comparative example is used in which the seal member 86 is not attached to the opening 82a at the center of the cover 82. Others are the same as in the second embodiment.

(比較例3)
第2の工程において、カバー82を使用しなかった比較例である。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 3)
This is a comparative example in which the cover 82 is not used in the second step. Others are the same as Example 1.

(比較例4)
第2の工程において、カバー82を使用しなかった比較例である。他は、実施例2と同じである。
(Comparative Example 4)
This is a comparative example in which the cover 82 is not used in the second step. Others are the same as in the second embodiment.

(比較例5)
第2の工程において、カバー82を使用した比較例であり、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間を、2.5mm〜3mm程度に設定した。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 5)
The second step is a comparative example using the cover 82, and the gaps between the cover 82, the dome 81, and the substrate 40 are set to about 2.5 mm to 3 mm. Others are the same as Example 1.

(比較例6)
第2の工程において、カバー82を使用した比較例であり、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間を、真空用可撓性材料(例えば、デュポン株式会社製、商品名:バイトン(登録商標))を用いて、0.1mm未満となるようにシールした。他は、実施例1と同じである。
(Comparative Example 6)
In the second step, a cover 82 is used as a comparative example, and the gaps between the cover 82, the dome 81 and the substrate 40 are formed by using a vacuum flexible material (for example, DuPont, trade name: Viton ( (Registered trademark)) and sealed to be less than 0.1 mm. Others are the same as Example 1.

前記実施例1〜実施例4と比較例1〜比較例6で製作された基板40の表面における防汚性の性能を比較した。防汚性の性能を比較する方法として、基板40の表面に、黒色油性マーカー(「ハイマッキーケア」ゼブラ株式会社製)により約4cmの直線を引き、インクの弾き状態によって下記の基準にて防汚性の性能を判定した。
○:インクが1本の線状又は点状になる。
△:インクが部分的に弾く。
×:はっきりと線が引ける。
The antifouling performance on the surface of the substrate 40 manufactured in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 6 was compared. As a method of comparing the antifouling performance, a straight line of about 4 cm is drawn on the surface of the substrate 40 with a black oil marker (“Himackey Care” manufactured by Zebra Co., Ltd.), and the antifouling performance is prevented according to the following criteria depending on the ink repelling state. Dirty performance was determined.
◯: The ink becomes one line or dot.
Δ: The ink is partially repelled.
X: A line can be drawn clearly.

その評価結果について、下記の表2に示す。   The evaluation results are shown in Table 2 below.

Figure 2006309139
Figure 2006309139

シール材86付きカバー82を使用した場合の凹面(第1の防汚膜)のインクはじき性は凸面(第2の防汚膜)と同様に良好な性能を保っている。   The ink repellency of the concave surface (first antifouling film) in the case of using the cover 82 with the sealing material 86 maintains good performance in the same manner as the convex surface (second antifouling film).

一方、シール材86が付いてないカバー82を使用した場合及びカバー82を使用しなかった場合は、凸面(第2の防汚膜)に対して凹面(第1の防汚膜)のはじき性の低下が認められる。   On the other hand, when the cover 82 without the sealing material 86 is used and when the cover 82 is not used, the repellency of the concave surface (first antifouling film) with respect to the convex surface (second antifouling film). Decrease is observed.

カバー82を使用しなかった場合(比較例3,4)は、凹面のはじき性の低下が更に著しくなった。   In the case where the cover 82 was not used (Comparative Examples 3 and 4), the decrease in the repellency of the concave surface was further remarkable.

カバー82を使用した場合であっても、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれの隙間が2mmを超える場合(比較例5)は、凹面(第1の防汚膜)のはじき性の低下が著しいものとなった。   Even when the cover 82 is used, if the gap between the cover 82, the dome 81, and the substrate 40 exceeds 2 mm (Comparative Example 5), the repellency of the concave surface (first antifouling film) is reduced. Became remarkable.

カバー82を使用した上で、カバー82とドーム81と基板40とのそれぞれのすべての隙間を0.1mm未満とした場合(比較例6)は、凹面(第1の防汚膜)のインクはじき性は凸面(第2の防汚膜)と同様に良好な性能を保っている。しかし、すべての隙間を0.1mm未満とするためには、真空用可撓性材料(例えば、デュポン株式会社製、商品名:バイトン(登録商標))を多量に使用する必要があり、作業的にも、コストの面でも見合わないものであった。   When the cover 82 is used and all the gaps between the cover 82, the dome 81, and the substrate 40 are less than 0.1 mm (Comparative Example 6), the ink on the concave surface (first antifouling film) is repelled. As with the convex surface (second antifouling film), the property keeps good performance. However, in order to make all the gaps less than 0.1 mm, it is necessary to use a large amount of vacuum flexible material (for example, DuPont, trade name: Viton (registered trademark)). However, it was not worth the cost.

この結果から、シール材86付きカバー82を使用することによって、基板40の第1の防汚膜としての凹面と第2の防汚膜としての凸面のインクのはじき性、すなわち防汚性を等しく良好に保てることが確認できた。   From this result, by using the cover 82 with the sealing material 86, the ink repellency of the concave surface as the first antifouling film and the convex surface as the second antifouling film of the substrate 40, that is, the antifouling property is equal. It was confirmed that it could be kept well.

本発明に用いる成膜装置の模式図。The schematic diagram of the film-forming apparatus used for this invention. 基板40の防汚膜のプロセスを説明する第1の工程と第2の工程のフローチャート図。The flowchart figure of the 1st process and 2nd process explaining the process of the antifouling film | membrane of the board | substrate 40. FIG. (a)は、イオン照射装置90からイオンが照射された場合の浮遊電極表面の電位を説明する模式図であり、(b)は、浮遊電極としてのドーム81、カバー82、複数の基板40とイオンとの関係を説明する模式図であり、(c)、(d)は、イオンシースと浮遊電極の物体間の隙間(距離)との関係における正イオンの挙動を説明する模式図。(A) is a schematic diagram explaining the electric potential of the floating electrode surface when ion is irradiated from the ion irradiation apparatus 90, (b) is the dome 81 as a floating electrode, the cover 82, the some board | substrate 40, and It is a schematic diagram explaining the relationship with ion, (c), (d) is a schematic diagram explaining the behavior of the positive ion in the relationship with the clearance gap (distance) between the objects of an ion sheath and a floating electrode. ドーム81に基板40をセットしカバー82をセットした部分断面図。FIG. 4 is a partial cross-sectional view in which a substrate 40 is set on a dome 81 and a cover 82 is set. 基板40とリング84と枠83との関係を示す斜視図。The perspective view which shows the relationship between the board | substrate 40, the ring 84, and the frame 83. FIG. 基板40の部分断面図。FIG.

符号の説明Explanation of symbols

40…被成膜体としての基板、40a,84a…上端、41…プラスチック基板、42…ハードコート膜、43…反射防止膜、44…防汚膜、50…成膜装置、51…高周波プラズマ発生装置、52,53,54…真空生成装置、52a,53a,54a…ロータリポンプ、52b,53b,54b…ルーツポンプ、52c,53c…クライオポンプ、54c…ターボ分子ポンプ、55a,55b…蒸着源、56a,56b…電子銃、57a,57b…シャッター、59…防汚膜蒸着源、60…RFコイル、61…マッチングボックス、62…高周波発信器、63…素ガス供給源、64…アルゴンガス供給源、65…オートプレッシャーコントローラ、66a,66b…マスフローコントローラ、67…補正板、68…加熱ヒータ、80…支持装置、81…被成膜体保持部材としてのドーム、81a,81b…孔、82…被成膜体カバー部材としてのカバー、82a…開口部、83,83a,83b…被成膜体保持部材としての枠、83c…上面、83d…縁、84…リング、84b,84c,84e,84h…突出部、85…回動部、86…シール材、90…イオン照射装置、91…イオンガン、92…DC電源、93…RF電源、A,B…物体、CH1,CH2,CH3…チャンバ、Id…イオンシース、d…距離、Dm…電子粒子束密度、Ia,Ib,Ic…正イオン、Im…イオン粒子束密度、KB…ボルツマン定数、L,L1〜L6…隙間(距離)、Me…電子の粒子の質量、Mi…イオンの粒子の質量、Ne…電子の粒子密度、Ni…イオンの粒子密度、Te…電子の粒子の温度、Ti…イオンの粒子の温度、Ve…電子粒子の平均速度、Vf…浮遊電極電圧、Vi…イオン粒子の平均速度。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 ... Substrate as a film-forming body, 40a, 84a ... Upper end, 41 ... Plastic substrate, 42 ... Hard coat film, 43 ... Antireflection film, 44 ... Antifouling film, 50 ... Film-forming device, 51 ... High frequency plasma generation Apparatus, 52, 53, 54 ... Vacuum generator, 52a, 53a, 54a ... Rotary pump, 52b, 53b, 54b ... Roots pump, 52c, 53c ... Cryo pump, 54c ... Turbo molecular pump, 55a, 55b ... Deposition source, 56a, 56b ... electron gun, 57a, 57b ... shutter, 59 ... antifouling film deposition source, 60 ... RF coil, 61 ... matching box, 62 ... high frequency transmitter, 63 ... elementary gas supply source, 64 ... argon gas supply source 65 ... Auto pressure controller, 66a, 66b ... Mass flow controller, 67 ... Correction plate, 68 ... Heating heater, 80 ... Support Device: 81: Dome as film-forming body holding member, 81a, 81b ... Hole, 82: Cover as film-forming body cover member, 82a ... Opening, 83, 83a, 83b ... As film-forming body holding member Frame, 83c ... upper surface, 83d ... edge, 84 ... ring, 84b, 84c, 84e, 84h ... projection, 85 ... rotating part, 86 ... sealing material, 90 ... ion irradiation device, 91 ... ion gun, 92 ... DC Power source, 93 ... RF power source, A, B ... Object, CH1, CH2, CH3 ... Chamber, Id ... Ion sheath, d ... Distance, Dm ... Electron particle flux density, Ia, Ib, Ic ... Positive ion, Im ... Ion particle Bundle density, K B ... Boltzmann constant, L, L1 to L6 ... gap (distance), Me ... mass of electron particles, Mi ... mass of ion particles, Ne ... density of electron particles, Ni ... particle density of ions, Te ... Electronic Temperature of the child, Ti ... temperature of ion particles, Ve ... average velocity of the electron particles, Vf ... floating electrode voltage, the average rate of Vi ... ion particles.

Claims (6)

成膜室内において、複数の被成膜面を有する被成膜体の一面に防汚膜密着性向上処理を施す第1の防汚膜密着性向上処理後に第1の防汚膜を成膜する第1の工程と、
前記第1の工程後、前記成膜室内において、前記第1の防汚膜が成膜された前記被成膜体の一面に対して、前記被成膜体の他の被成膜面に防汚膜密着性向上処理を施す第2の防汚膜密着性向上処理後に第2の防汚膜を成膜する第2の工程とを備えた防汚性光学物品の製造方法であって、
前記第2の防汚膜密着性向上処理を施す際に、前記第1の工程によって成膜された前記被成膜体を、被成膜体カバー部材と被成膜体保持部材とで覆い、前記被成膜体カバー部材と前記被成膜体保持部材との隙間、及び前記被成膜体と前記被成膜体保持部材との隙間を、いずれもイオンシースの0.1倍以上、且つ2倍以内とすることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。
In the film formation chamber, the first antifouling film is formed after the first antifouling film adhesion improving process for performing the antifouling film adhesion improving process on one surface of the film forming body having a plurality of film forming surfaces. A first step;
After the first step, in the film formation chamber, the surface of the film formation target on which the first antifouling film has been formed is protected against the other film formation surface of the film formation target. A method for producing an antifouling optical article comprising a second step of forming a second antifouling film after the second antifouling film adhesion improving process for performing the fouling film adhesion improving process,
When performing the second antifouling film adhesion improving process, the film-formed body formed in the first step is covered with a film-formed body cover member and a film-formed body holding member, The gap between the film formation body cover member and the film formation body holding member and the gap between the film formation body and the film formation body holding member are each 0.1 times or more of the ion sheath, and A method for producing an antifouling optical article, characterized in that it is within 2 times.
請求項1に記載の前記第1及び第2の防汚膜密着性向上処理が、プラズマ処理またはイオンガン処理であることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。   The method for producing an antifouling optical article, wherein the first and second antifouling film adhesion improving treatments according to claim 1 are plasma treatment or ion gun treatment. 請求項1または請求項2に記載の前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜が、真空蒸着法により成膜されていることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。   An antifouling optical article, wherein the first antifouling film according to claim 1 or 2 and / or the second antifouling film is formed by a vacuum deposition method. Production method. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜が、含フッ素シラン化合物を成膜して形成されたことを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。   The first antifouling film according to any one of claims 1 to 3 and / or the second antifouling film is formed by forming a fluorine-containing silane compound. A method for producing an antifouling optical article. 請求項4に記載の前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(1)で表されることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。
ただし、一般式(1)中、Rf2は、kが1以上6以下の整数である、−(Ck2k)O−で表される単位を含み、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する2価の基を表す。R3は炭素原子数が1以上8以下の一価炭化水素基であり、Jは加水分解性基又はハロゲン原子を表す。pは0以上2以下の整数を表す。nは1以上5以下の整数を表す。m及びrは2又は3の整数を表す。
Figure 2006309139
The antifouling property, wherein the fluorine-containing silane compound as the first antifouling film according to claim 4 and / or the second antifouling film is represented by the general formula (1). A method for manufacturing an optical article.
However, in the general formula (1), Rf 2 includes a unit represented by — (C k F 2k ) O—, in which k is an integer of 1 to 6, and is a straight-chain par having no branch. Represents a divalent group having a fluoropolyalkylene ether structure. R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and J represents a hydrolyzable group or a halogen atom. p represents an integer of 0 or more and 2 or less. n represents an integer of 1 to 5. m and r each represents an integer of 2 or 3.
Figure 2006309139
請求項4に記載の前記第1の防汚膜、且つ/又は前記第2の防汚膜としての前記含フッ素シラン化合物が、一般式(2)で表されることを特徴とする防汚性光学物品の製造方法。
ただし、一般式(2)中Rf1はパーフルオロアルキル基、Xは水素、臭素、又はヨウ素、Yは水素又は低級アルキル基、Zはフッ素又はトリフルオロメチル基、R1は水酸基又は加水分解可能な基、R2は水素又は1価の炭化水素基を表す。a、b、c、d、eは0以上の整数で、a+b+c+d+eは少なくとも1以上であり、a、b、c、d、eでくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において限定されない。fは0以上2以下の整数を表す。gは1以上3以下の整数を表す。hは1以上の整数を表す。
Figure 2006309139
The antifouling property, wherein the first antifouling film according to claim 4 and / or the fluorine-containing silane compound as the second antifouling film is represented by the general formula (2). A method for manufacturing an optical article.
In general formula (2), Rf 1 is a perfluoroalkyl group, X is hydrogen, bromine, or iodine, Y is hydrogen or a lower alkyl group, Z is fluorine or a trifluoromethyl group, R 1 is a hydroxyl group or hydrolyzable. R 2 represents hydrogen or a monovalent hydrocarbon group. a, b, c, d and e are integers of 0 or more, a + b + c + d + e is at least 1 or more, and the order of existence of each repeating unit delimited by a, b, c, d and e is not limited in the formula . f represents an integer of 0 or more and 2 or less. g represents an integer of 1 to 3. h represents an integer of 1 or more.
Figure 2006309139
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