JP2006303487A - Method for detecting edge bead removal line of wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for detecting an edge bead removal line of a wafer with the improved detection of the wafer. <P>SOLUTION: In order to determined an edge bead removal line 17 of a wafer 10, a first line or an edge is detected in the edge area 19 of the wafer 10. A first line area and a second line area are determined on both sides of these lines. Structures in these edge areas are compared with each other. As a result of comparison, it is decided whether the edge bead removal line 17 is present or not. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、請求項１のプレアンブル部分に従うウェーハ上のエッジビード除去線（ＥＢＲ線）を検出する方法に関する。   The present invention relates to a method for detecting an edge bead removal line (EBR line) on a wafer according to the preamble portion of claim 1.

半導体製造では、ウェーハは多数の処理ステップの製造プロセスの際に連続して処理される。複数の同様な反復構造要素、いわゆる型がウェーハ上に製造される。集積度が増加すると、ウェーハに形成される構造の品質は増加した要求に従う。形成された構造の質を証明し、欠陥を検出するために、品質に関する要件、部品の精度及び再現性、水を操作する工程ステップも対応して厳しくなる。   In semiconductor manufacturing, wafers are processed continuously during the manufacturing process of multiple processing steps. A plurality of similar repeating structural elements, so-called molds, are produced on the wafer. As the degree of integration increases, the quality of the structure formed on the wafer follows increased demand. In order to prove the quality of the formed structure and detect defects, the quality requirements, the accuracy and reproducibility of the parts, and the process steps for manipulating the water are correspondingly strict.

製造工程の際、通常フォトレジスト層がいわゆるスピン工程で適用される。フォトレジストはウェーハの近く又は中央に適用され、その表面上のウェーハを回転させて広げられる。この工程により、フォトレジストはウェーハのエッジ、いわゆるエッジビードに集まる。エッジビードは残りのフォトレジスト層より何倍も厚い。その後の工程ステップにおける製造工程と製造すべき集積回路（ＩＣ）の機能に負の影響を与えるのを防ぐために、これらエッジビードは取り除かれなければならない。しかしながら、このためにはエッジビードを確実に検出しなければならない。これが、ウェーハの製造の際、エッジビードの除去が標準工程として統合されている理由である。   During the manufacturing process, a photoresist layer is usually applied in a so-called spin process. The photoresist is applied near or in the center of the wafer and is spread by rotating the wafer on its surface. This process collects the photoresist at the edge of the wafer, the so-called edge bead. The edge bead is many times thicker than the remaining photoresist layer. These edge beads must be removed to prevent negative effects on the manufacturing process and the function of the integrated circuit (IC) to be manufactured in subsequent process steps. However, for this purpose, edge beads must be detected reliably. This is the reason why edge bead removal is integrated as a standard process during wafer manufacture.

エッジビードをよりよく検出し除去する方法が、例えば特許文献１に開示されている。この文献には、ウェーハのシリコン層と適用されたフォトレジスト層のコントラストが特別な照明を用いることで改良されることが示されている。これを行うために、ウェーハは、シリコンのブルースター角又はフォトレジスト層の近傍でｓ偏光及びｐ偏光により別個に照らされなければならない。次いで、コントラストを改善するために、反射したｓ偏光放射の画像と反射したｐ偏光放射の画像との差が評価される。   A method for better detecting and removing edge beads is disclosed in, for example, Patent Document 1. This document shows that the contrast between the silicon layer of the wafer and the applied photoresist layer can be improved by using special illumination. To do this, the wafer must be illuminated separately by s-polarized light and p-polarized light in the vicinity of the Brewster angle of silicon or the photoresist layer. The difference between the reflected s-polarized radiation image and the reflected p-polarized radiation image is then evaluated to improve the contrast.

通常先の加工ステップからの構造はウェーハ上にすでにあるので、従来技術の方法を用いて、複数の線又はエッジが生じたグレースケール画像において検出される。しかしながら、これらが常に疑いなくその原因と関連しているとは限らない。特に、ある線又はエッジを疑いなくエッジビード除去線と認識することは可能でない。   Since the structure from the previous processing step is usually already on the wafer, prior art methods are used to detect in the grayscale image where multiple lines or edges have occurred. However, these are not always undoubtedly associated with their causes. In particular, it is not possible to recognize a certain line or edge as an edge bead removal line without doubt.

米国特許出願公開２００４／０２２３１４１号明細書US Patent Application Publication No. 2004/0223141

ゆえに、本発明の目的は、ウェーハの検出性が改良されるウェーハのエッジビード除去線を検出する方法を提供することである。   Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for detecting edge bead removal lines on a wafer that improves the detectability of the wafer.

この目的は、請求項１に従う特徴を有するウェーハのエッジビード除去線を検出する方法により本発明により達成される。   This object is achieved according to the invention by a method for detecting an edge bead removal line of a wafer having the features according to claim 1.

ゆえに、本発明に従う方法では、暗視野画像を用いて適切な方法でウェーハのエッジは特にリニアアレーカメラなどの適切な検出器に映される。ウェーハエッジにある線は検出され、エッジビード除去線を識別することができる決定プロセスが続く。これは、フォトレジストがスペクトルの可視範囲において透明であるため下にある構造が見えるという事実を利用する。線（境界線）又はエッジの両側の領域が定められ、線又はエッジの両側のこれら領域に含まれる構造が比較される。構造の相関から、エッジビード除去線が存在するかどうか結論付けることが可能である。エッジビード除去線が存在する場合は、フォトレジストの下にある構造は線の一方の側から線の他方の側まで続くからである。   Thus, in the method according to the invention, the edge of the wafer is projected onto a suitable detector, such as a linear array camera, in a suitable manner using dark field images. Lines at the wafer edge are detected, followed by a decision process that can identify edge bead removal lines. This takes advantage of the fact that the underlying structure is visible because the photoresist is transparent in the visible range of the spectrum. Regions on both sides of the line (boundary line) or edge are defined and the structures contained in these regions on both sides of the line or edge are compared. From the structure correlation, it is possible to conclude whether an edge bead removal line exists. This is because if there is an edge bead removal line, the structure under the photoresist continues from one side of the line to the other side of the line.

本発明の好ましい実施形態では、線の両側の領域における強度プロフィール（強度パターン）が検出され、必要ならば標準化され、互いに相関（関連）付けられる。標準化のタイプは使用される検出器のタイプに依存し、特にスペクトルの標準化を有する。２つの重なったフォトレジスト層又は透明層上のフォトレジスト層が検出に悪い影響を与えるのを防ぐために、標準化を閾値により制限することができる。好ましくは、閾値を超えるとエッジビード除去線が存在しないと決定される。   In a preferred embodiment of the invention, intensity profiles (intensity patterns) in the regions on both sides of the line are detected, normalized if necessary and correlated (associated) with each other. The type of normalization depends on the type of detector used and has in particular spectral normalization. In order to prevent two overlapping photoresist layers or a photoresist layer on a transparent layer from adversely affecting detection, normalization can be limited by a threshold. Preferably, it is determined that no edge bead removal line exists when the threshold is exceeded.

本方法はある線を比較から選択的に排除することで改良される。これは特に、線又はエッジがフォトレジスト層の構造に起因すると決定されるときに行われる。   The method is improved by selectively excluding certain lines from the comparison. This is particularly done when it is determined that the line or edge is due to the structure of the photoresist layer.

本発明に従う方法を用いて、検出された線又はエッジがエッジビード除去線であるかどうかに関してそれらを明確に分類することができる。   Using the method according to the invention, they can be clearly classified as to whether the detected lines or edges are edge bead removal lines.

本発明の別な利点及び有利な実施形態は付属の図面及びその説明のサブジェクトマターであり、明確さのために図面は正確な縮尺率でない。   Another advantage and advantageous embodiment of the present invention is the subject matter of the accompanying drawings and their description, and for the sake of clarity the drawings are not to scale.

図１ａ及び１ｂは、平面及び側面から見たウェーハ上のエッジビード除去線を検出するための測定構造を概略的に示す。ウェーハエッジ１２を有するウェーハ１０が回転ステージ１４に位置している。ウェーハエッジ１２は検査装置１６の下で回転する。ここで、ウェーハエッジ１２は画像検出器により映される。基本的に、明視野、暗視野又は専門のコントラスト技術などの顕微鏡検査法から知られた方法が画像法として使用できる。しかしながら、検出すべきウェーハ上の線又はエッジを特に強調する方法が使用されるのが好ましい。例えば、これは暗視野画像により実行される。例えば、リニアアレーカメラが検査装置１６として使用できる。フォトレジスト層１０はウェーハ１０に設けられる。フォトレジスト層１１はウェーハ１２のエッジに届かず、これによりエッジビード除去線１７ができる。フォトレジスト層１１は、エッジビード除去線１７と共に検出器１６を通って回転する。   1a and 1b schematically show a measurement structure for detecting edge bead removal lines on a wafer as seen from the plane and side. A wafer 10 having a wafer edge 12 is located on a rotary stage 14. The wafer edge 12 rotates under the inspection device 16. Here, the wafer edge 12 is projected by an image detector. In principle, methods known from microscopy such as bright field, dark field or specialized contrast techniques can be used as imaging methods. However, it is preferred to use a method that specifically emphasizes the lines or edges on the wafer to be detected. For example, this is performed with a dark field image. For example, a linear array camera can be used as the inspection device 16. The photoresist layer 10 is provided on the wafer 10. The photoresist layer 11 does not reach the edge of the wafer 12, thereby creating an edge bead removal line 17. The photoresist layer 11 rotates through the detector 16 along with the edge bead removal line 17.

エッジビード除去線を検出するための方法ステップの順序が図２のフローチャートに概略的に示されている。先ず、前記のように、エッジ領域１９は検査装置１６を用いてステップ１８において映される。ステップ２０では、映されたエッジ領域１９における線の検出が行われる。それぞれの検出された線のために、線領域がステップ２２において決定される。次にステップ２４では、構造の比較が行われる。それぞれの線の両側にある線領域の決定は図３に関連してより密接に説明することにする。ステップ２４では、線の両側の構造がそれぞれ比較される。ここで、互いに所定の構造の関係があるかどうか確認される。この場合（イエスの場合）、ステップ２６においてその線がエッジビード除去線であると決定される。所定の命令の関係がステップ２４で決定されない場合、ステップ２８において全ての線又はエッジのために比較が実行されたかどうか確認される。当てはまらない場合（ノーの場合）、線カウンターは１増加し、ステップ２４において次の線のために構造比較が実行される。構造比較が全ての決定された線のために実行された後、複数のエッジビード除去線が決定されたかどうかステップ３０においてチェックされる。ノーの場合、連続する方法ステップの端３４に達する。複数のエッジビード除去線が検出された場合、ウェーハ１０のウェーハエッジ１２まで最小の距離を有する線がエッジビード除去線としてステップ３２において決定される。   The sequence of method steps for detecting edge bead removal lines is schematically illustrated in the flowchart of FIG. First, as described above, the edge region 19 is imaged in step 18 using the inspection device 16. In step 20, a line in the projected edge area 19 is detected. For each detected line, a line area is determined in step 22. Next, in step 24, the structure is compared. The determination of the line regions on either side of each line will be described more closely in connection with FIG. In step 24, the structures on both sides of the line are each compared. Here, it is confirmed whether or not there is a predetermined structural relationship with each other. In this case (yes), it is determined in step 26 that the line is an edge bead removal line. If the predetermined instruction relationship is not determined in step 24, it is checked in step 28 whether a comparison has been performed for all lines or edges. If not (no), the line counter is incremented by 1 and a structural comparison is performed for the next line in step 24. After the structure comparison has been performed for all determined lines, it is checked in step 30 whether a plurality of edge bead removal lines have been determined. If no, the end 34 of the continuous method step is reached. If multiple edge bead removal lines are detected, the line having the smallest distance to the wafer edge 12 of the wafer 10 is determined in step 32 as the edge bead removal line.

図３は、様々な線領域における標準化された強度の決定を概略的に示す。ウェーハエッジ１２は検査装置１６の下で回転する。ここで、ウェーハエッジ１２は画像検出器に映される。線領域４８と線領域５０では、検出器はそれぞれの線を幾らかガウス形を有する強度ピークとして検出する。それぞれの強度ピークは縦線の形式で示された標準化された強度として示されている。線領域４８における線の検査の際、線はウェーハエッジ１２の方向に延び、線が検出すべき線の位置を超えて延びる場合、この線は標準化された「１」に記号（ここでは○）を用いて示される。線領域５０における線の検査では、線はウェーハエッジ１２の方向又は見つけるべき線若しくはエッジの方向に延びる。線が検出すべき線又はエッジの位置まで延びる場合、この線は標準化された「１」に記号（ここでは×）で示される。   FIG. 3 schematically shows the standardized intensity determination in various line regions. The wafer edge 12 rotates under the inspection device 16. Here, the wafer edge 12 is projected on the image detector. In line region 48 and line region 50, the detector detects each line as an intensity peak having a somewhat Gaussian shape. Each intensity peak is shown as a normalized intensity shown in the form of a vertical line. When inspecting a line in the line region 48, the line extends in the direction of the wafer edge 12, and if the line extends beyond the position of the line to be detected, this line is marked with a standardized "1" (here a circle). Is indicated using. For inspection of a line in line area 50, the line extends in the direction of wafer edge 12 or in the direction of the line or edge to be found. If the line extends to the position of the line or edge to be detected, this line is indicated by a standardized “1” with a symbol (here, x).

前記の連続する方法ステップは、ステップ２４の前に全ての線のために検査されるべき線領域の決定を有すると説明した。もちろん、いったん構造比較が前の線のために実行された後、それぞれの線のためにこのステップを実行することも可能である。   The foregoing method steps have been described as having a determination of the line area to be inspected for all lines prior to step 24. Of course, it is also possible to perform this step for each line once a structural comparison has been performed for the previous line.

ステップ１８を実行した後、ウェーハの映されたエッジ領域の線又はエッジ画像は電子式に存在する。図４は、暗視野画像によるこのような得られたウェーハ画像の概略例を示す。線１２はウェーハエッジを示す。検出されたウェーハのエッジ領域にある、ウェーハ上に検出された構造３７も見られる。図２のステップ２０において説明したように、エッジビード除去線検出はこの画像に基づいて実行され、よく知られた方法も本質的に使用できる。   After performing step 18, a line or edge image of the projected edge region of the wafer is present electronically. FIG. 4 shows a schematic example of such a wafer image obtained with a dark field image. Line 12 represents the wafer edge. Also seen is a structure 37 detected on the wafer in the edge region of the detected wafer. As described in step 20 of FIG. 2, edge bead removal line detection is performed based on this image, and well-known methods can be used in essence.

結果が例として図５に概略的に示されている。線又はエッジ３８，４０，４２及び４４が線検出２０により決定される。線の決定の後、これらの線又はエッジ３８，４０，４２，４４のどれがエッジビード除去線１７に対応するか決定されなければならない。本発明によれば、ウェーハ１０に適用されるフォトレジスト層１１がスペクトルの可視範囲で透明であるというフォトレジスト層１１の特徴的構成が使用される。これは、フォトレジスト層１１の下にある構造３６が認識できることを意味する。エッジビード除去線があるかどうかを決定するために、それぞれの線の一方の側に定められた線領域４６の構造３６の比較が実行される。線領域４６は常に一方の側の第１線領域４８と他方の側の第２線領域５０に区分され、それぞれの線又はエッジ３８，４０，４２，４４が境界である。両側の線領域にある構造３６の比較から類似の程度、すなわち相関が決定される。この相関に基づいて、検出された線がエッジビード除去線１７であるかどうかが決定される。これは、エッジビード除去線１７の場合は、エッジビード除去線１７の下にある構造３６が線又はエッジの一方の側から他方の側まで続いているからである。これは、全ての線又はほとんど全ての線が標準化された強度の「１」に両方の記号を有していなければならないことを意味する。   The results are shown schematically in FIG. 5 as an example. Lines or edges 38, 40, 42 and 44 are determined by line detection 20. After the determination of the lines, it must be determined which of these lines or edges 38, 40, 42, 44 corresponds to the edge bead removal line 17. According to the present invention, a characteristic configuration of the photoresist layer 11 is used in which the photoresist layer 11 applied to the wafer 10 is transparent in the visible range of the spectrum. This means that the structure 36 under the photoresist layer 11 can be recognized. In order to determine if there is an edge bead removal line, a comparison of the structure 36 of the line region 46 defined on one side of each line is performed. The line area 46 is always divided into a first line area 48 on one side and a second line area 50 on the other side, each line or edge 38, 40, 42, 44 being a boundary. A degree of similarity, i.e. a correlation, is determined from a comparison of the structures 36 in the line regions on both sides. Based on this correlation, it is determined whether the detected line is an edge bead removal line 17. This is because, in the case of edge bead removal line 17, structure 36 under edge bead removal line 17 continues from one side of the line or edge to the other. This means that all lines or almost all lines must have both symbols at the standardized intensity “1”.

エッジビード除去線の実際の存在を決定するために、強度プロフィールが、一方の側の線領域４８と他方の側の線領域５０の両方から記録された画像から切り抜かれる。２つの切り抜かれた強度プロフィールは類似関数を用いて互いに比較され、それで両側の構造の類似の程度を示す相関が得られる。フォトレジスト層１１は幾らか強度を吸収するので、プロフィールはフォトレジストの面で少し暗くなる可能性がある。それゆえ、プロフィールを標準化する必要があり、例えば、標準量として最大強度又は線領域の平均強度が使用される。   In order to determine the actual presence of the edge bead removal line, the intensity profile is cropped from the image recorded from both the line area 48 on one side and the line area 50 on the other side. The two cut out intensity profiles are compared to each other using a similarity function, thus obtaining a correlation indicating the degree of similarity of the structures on both sides. Since the photoresist layer 11 absorbs some strength, the profile can be a little dark on the side of the photoresist. It is therefore necessary to standardize the profile, for example the maximum intensity or the average intensity of the line area is used as a standard quantity.

図６ａは線４４の結果を示し、図６ｂは線４２の結果を示し、図６ｃは線４０の結果を示し、図６ｄは線３８の結果を示す。相関の程度は「１」上に両方の記号を有する線の数に起因する。「１」上に２つの記号を有する線又はエッジが多くなればなるほど、相関は益々１の値に集中し、従って個々の線領域における構造３６はより似ている。図６ａ〜ｄから、線又はエッジ４２及び４４の良くない相関があり、それでこれらの線又はエッジはエッジビード除去線１７でないことが分かる。図６ｃ及びｄに示された相関値は良好な適合を示し、それで線又はエッジ３８及び４０はエッジビード除去線であると結論付けられる。ゆえに、それぞれの線又はエッジ３８，４０，４２，４４の両側における構造の相関の程度に基づいて、エッジビード除去線１７があるかどうかの決定がなされる。この相関が決定されるべきある閾値を超える場合、その線はおそらくエッジビード除去線１７である。理論的には、エッジビード除去線が下にある層の構造エッジの上側に正確に延びることがあり得るが、これはあまり起こりそうもなく、このケースは基本的に無視してよい。   6a shows the result of line 44, FIG. 6b shows the result of line 42, FIG. 6c shows the result of line 40, and FIG. 6d shows the result of line 38. The degree of correlation is due to the number of lines having both symbols on “1”. The more lines or edges that have two symbols on “1”, the more concentrated the correlation is at a value of 1, so the structure 36 in the individual line regions is more similar. From FIGS. 6 a-d it can be seen that there is a bad correlation of lines or edges 42 and 44, so that these lines or edges are not edge bead removal lines 17. It can be concluded that the correlation values shown in FIGS. 6c and d show a good fit, so lines or edges 38 and 40 are edge bead removal lines. Therefore, a determination is made whether there is an edge bead removal line 17 based on the degree of correlation of the structures on either side of each line or edge 38, 40, 42, 44. If this correlation exceeds a certain threshold to be determined, the line is probably an edge bead removal line 17. Theoretically, the edge bead removal line can extend exactly above the structural edge of the underlying layer, but this is unlikely to occur and this case can be essentially ignored.

検出された線がエッジビード除去線でなく酸化物層であるという別な基本的な可能性がある。それも透明だからである。その層構造はそれぞれのウェーハのために知られているので、酸化物の存在はこの理由のために部分的に排除されうる。酸化物層が存在する可能性がまだある場合、本発明によりデータの量を実質的に減らすことが可能である。この場合、検出された層がフォトレジスト層であるか又は酸化物層であるかどうかを決定することだけが最終的に問題になる。これは例えばエッジビード除去線１７と識別された線の付加的な次の検査によりなされる。   There is another basic possibility that the detected line is an oxide layer rather than an edge bead removal line. It is also transparent. Since the layer structure is known for each wafer, the presence of oxide can be partly excluded for this reason. If there is still a possibility that an oxide layer is present, the present invention can substantially reduce the amount of data. In this case, it is ultimately only a matter of determining whether the detected layer is a photoresist layer or an oxide layer. This is done, for example, by an additional subsequent inspection of the line identified as edge bead removal line 17.

エッジビード除去線を見つける本発明に従う方法は、残りの方法から障害としてのある構造要素３６を除外することで改良される。これを説明するために、エッジビード除去線４０の調査から除外された２つの構造要素５２，５３が図７に例として示されている。実際は、構造要素５３は相関の決定にもっと干渉し、ゆえに構造要素５２以上に結果を悪くする。構造要素５２，５３がエッジビード除去線１７の決定から除外され、すなわち相関係数の決定の場合、線４０のための図８に示されるような優れた適合が得られる。基本的に、フォトレジスト層１１自体が線又はエッジの解析を妥協又は悪くする構造を有することもありうる。しかしながら、付加的な解析法により、フォトレジスト構造の存在はエッジビード除去線１７の決定から除外される。この目的のため、比較領域、すなわち一方の面の線領域４８又は他方の面の線領域５０にある線が解析から除外され、それでそれらは相関結果に影響しない。   The method according to the invention for finding edge bead removal lines is improved by excluding the obstructing structural element 36 from the remaining methods. To illustrate this, two structural elements 52 and 53 excluded from the investigation of the edge bead removal line 40 are shown as an example in FIG. In practice, the structural element 53 interferes more with the determination of the correlation and therefore worse than the structural element 52. The structural elements 52, 53 are excluded from the determination of the edge bead removal line 17, i.e. in the case of the determination of the correlation coefficient, an excellent fit as shown in FIG. Basically, the photoresist layer 11 itself may have a structure that compromises or degrades the analysis of lines or edges. However, additional analysis methods exclude the presence of the photoresist structure from the determination of the edge bead removal line 17. For this purpose, the lines in the comparison region, ie the line region 48 on one side or the line region 50 on the other side, are excluded from the analysis so that they do not affect the correlation result.

２つの非構造化層が互いに重なっている場合は結果が悪化している可能性を考慮しなければならない。しかしながら、通常これらの層は強度の増大とスペクトル情報のために識別できる。これらの重なった層を解析から除外するために、標準化の領域は例えば閾値を導入して制限される。この閾値を超えると、線はエッジビード除去線１７でなく、２つの非構造の重なった平面であると考えられる。   If two unstructured layers overlap each other, the possibility of worsening results must be taken into account. However, usually these layers can be distinguished for increased intensity and spectral information. In order to exclude these overlapping layers from the analysis, the area of normalization is limited, for example by introducing a threshold. Beyond this threshold, the line is considered not two edge bead removal lines 17 but two unstructured overlapping planes.

本発明に従う方法により、フォトレジストで完全に覆われた線もエッジビード除去線として検出されるので、それらがエッジビード除去線１７として識別されるのを排除しなければならない。これは図２のステップ３２ですでに説明したように、ウェーハエッジ１２まで最小距離を有するその線だけをエッジビード除去線として識別することでなされる。   With the method according to the invention, lines completely covered with photoresist are also detected as edge bead removal lines, so that they must be excluded from being identified as edge bead removal lines 17. This is done by identifying only that line having the smallest distance to the wafer edge 12 as an edge bead removal line, as already described in step 32 of FIG.

ウェーハ上のエッジビード除去線を検出するための測定構造を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the measurement structure for detecting the edge bead removal line on a wafer. 本発明に従う連続する方法ステップを概略的に示す図である。Fig. 4 schematically shows successive method steps according to the invention. 様々な線領域における標準化された強度の決定を概略的に示す図である。FIG. 6 schematically illustrates a standardized intensity determination in various line regions. 暗視野画像のウェーハエッジの周りの領域を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the area | region around the wafer edge of a dark field image. 線及び線領域の決定を概略的に示す図である。It is a figure which shows the determination of a line | wire and a line area | region roughly. 複数の線領域内の線の決定を示す図であり、各線領域における線及びエッジがウェーハエッジと平行に延びる線と交差する。FIG. 5 is a diagram illustrating determination of lines in a plurality of line regions, where lines and edges in each line region intersect lines extending parallel to the wafer edge. 干渉線を概略的に示す図である。It is a figure which shows an interference line roughly. エッジビード除去線の識別をもたらす相関を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a correlation that provides identification of an edge bead removal line.

符号の説明Explanation of symbols

１０ ウェーハ
１１ フォトレジスト層
１２ ウェーハエッジ
１４ 回転ステージ
１６ 検出器
１７ エッジビード除去線
１８ ステップ
１９ エッジ領域
２０ ステップ
２２ ステップ
２４ ステップ
２６ ステップ
２８ ステップ
３０ ステップ
３２ ステップ
３４ 端
３６ 構造
３７ 構造
３８ エッジ
４０ エッジ
４２ エッジ
４４ エッジ
４６ 線領域
４８ 線領域
５０ 線領域
５２ 構造要素
５３ 構造要素 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 11 Photoresist layer 12 Wafer edge 14 Rotating stage 16 Detector 17 Edge bead removal line 18 Step 19 Edge area 20 Step 22 Step 24 Step 26 Step 28 Step 30 Step 32 Step 34 End 36 Structure 37 Structure 38 Edge 40 Edge 42 Edge 44 Edge 46 Line area 48 Line area 50 Line area 52 Structural element 53 Structural element

Claims (10)

ウェーハのエッジが検出器に映される、ウェーハのエッジビード除去線を検出するための方法にして、
ウェーハのエッジ領域における複数の線又はエッジを検出し、
それぞれの線又はエッジの両側の第１線領域及び第２線領域を定め、
第１線領域の構造と第２線領域の構造を決定し、互いに比較し、
比較の結果から、線又はエッジの１つがエッジビード除去線であるかどうかを決定する
方法。 In the method for detecting the edge bead removal line of the wafer, the edge of the wafer is reflected on the detector,
Detect multiple lines or edges in the edge area of the wafer,
Define a first line area and a second line area on either side of each line or edge;
Determine the structure of the first line region and the structure of the second line region, compare each other,
A method of determining from the result of the comparison whether one of the lines or edges is an edge bead removal line. 第１強度プロフィールが第１線領域から決定され、第２強度プロフィールが第２線領域から決定され、類似関数を用いて第１強度プロフィールと第２強度プロフィールが関連付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The first intensity profile is determined from the first line region, the second intensity profile is determined from the second line region, and the first intensity profile and the second intensity profile are related using a similarity function. The method according to 1. 第１強度プロフィールと第２強度プロフィールが特に最大強度又はプロフィールの平均強度に標準化されることを特徴とする請求項２に記載の方法。   3. A method according to claim 2, characterized in that the first intensity profile and the second intensity profile are normalized in particular to the maximum intensity or the average intensity of the profile. プロフィールを検出するために、検査装置、特にＣＣＤセンサーが使用され、検査装置に依存してプロフィールがスペクトルにより標準化されることを特徴とする請求項３に記載の方法。   Method according to claim 3, characterized in that an inspection device, in particular a CCD sensor, is used to detect the profile, and depending on the inspection device, the profile is normalized by the spectrum. 標準化が実行される領域が閾値により制限され、閾値を超えると、エッジビード除去線が存在しないと決定されることを特徴とする請求項３に記載の方法。   4. The method of claim 3, wherein the region in which normalization is performed is limited by a threshold, and when the threshold is exceeded, it is determined that there is no edge bead removal line. エッジビード除去線が存在するかどうかを決定するために、次の検査が実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the following test is performed to determine if an edge bead removal line is present: 線が選択的に比較から除外されることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the line is selectively excluded from the comparison. 線又はエッジがフォトレジスト層の構造に起因すると決定されると、これらの線又はエッジが比較から除外されることを特徴とする請求項７に記載の方法。   8. The method of claim 7, wherein if the lines or edges are determined to be due to the structure of the photoresist layer, these lines or edges are excluded from the comparison. 複数のエッジビード除去線が決定されたときに、ウェーハのエッジまで最小距離を有する一本の線又はエッジがエッジビード除去線として決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method of claim 1, wherein when a plurality of edge bead removal lines are determined, a single line or edge having a minimum distance to the edge of the wafer is determined as an edge bead removal line. ウェーハのエッジ領域が、特に暗視野画像により検査装置に光学的に映されることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the edge region of the wafer is optically reflected on the inspection device, in particular by means of a dark field image.
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