JP2006292456A - Device and method for inspection of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の検査装置および検査方法に関し、特にBGA型ICパッケージに代表される半導体装置の外部電極を形成する球状電極と接触し検査する半導体装置の検査装置および検査方法に関する。 The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for a semiconductor device, and more particularly to an inspection apparatus and an inspection method for a semiconductor device that contact and inspect a spherical electrode forming an external electrode of a semiconductor device represented by a BGA type IC package.
近年、半導体装置の下面より半球形に突出した半田ボールにより外部端子を形成したいわゆるBGA型パッケージが使われている。 In recent years, so-called BGA type packages in which external terminals are formed by solder balls protruding in a hemispherical shape from the lower surface of a semiconductor device have been used.
従来このようなBGA型パッケージの検査ソケットにおいては、テスト用ではスプリングプローブが一般的に用いられる。 Conventionally, in such a BGA type inspection socket, a spring probe is generally used for testing.
スプリングプロープはプロープ先端が自在に回転する構造となっている。 The spring probe has a structure in which the tip of the probe rotates freely.
半導体装置の高機能化や高周波化さらに低電圧化にともない、安定した電気特性検査を実施するために半導体装置の外部端子と検査基板とを接続する接触子の間で発生する接触抵抗を低く安定させる事が求められる。 As semiconductor devices have higher functionality, higher frequency, and lower voltage, the contact resistance generated between the contacts connecting the external terminals of the semiconductor device and the test board is kept low and stable in order to carry out stable electrical characteristic inspection. It is required to make it.
また、半導体装置の検査工程では、高温検査(バーイン検査)、DC検査、最終検査と複数回の検査を実施している。また、近年、半導体装置の高機能化に伴って、検査項目の増加する傾向となり、検査する回数が多くなっている。 In the semiconductor device inspection process, high temperature inspection (burn-in inspection), DC inspection, and final inspection are performed a plurality of times. Further, in recent years, with the increase in functionality of semiconductor devices, the number of inspection items tends to increase, and the number of inspections increases.
検査用ソケットにおける端子構造としての発明として特許文献1があり、従来のスプリングプローブの構造の一例を図11に示す。
スプリングプローブ30は、ケース8内に装填された金属で形成された導体チューブ4内にその軸方向両端に配置された摺動可能なプランジャ5a,5bを備えている。このプランジャ5a,5bは端子同士の対向面に配置されているばね7によって突出習性を付与されて導体チューブ4の内面に接触しながら移動することができ、互いに対向する。チューブ開口部11はかしめにより狭搾されて、プランジャ5a,5bは、軸方向に摺動自在でしかも大径部12a,12bが抜け出ることなしにボール側接触部6が突出するように構成される。
The
半導体装置を検査する時は、BGAパッケージ1を上から加圧し検査基板13と導通をとる。
When inspecting the semiconductor device, the
スプリングプローブ30のチューブ4はケース8内で回転可能であるとともに、チューブ4に装着したプランジャ5a,5bでも回転可能な構造である。
The
以上の構造から、スプリングプローブでは、半田ボールの接触する位置は不特定な位置であると同時、複数検査を実施すると同じ位置への接触を繰り返すことが発生する。
しかしながら、複数回検査を実施することにより、半導体装置の半田バンプに接触子の痕がつき、半導体装置の外部端子と検査基板を接続する、接触子の間における接触抵抗が増加する。 However, by performing the inspection a plurality of times, contact marks are formed on the solder bumps of the semiconductor device, and the contact resistance between the contacts connecting the external terminals of the semiconductor device and the inspection substrate increases.
これは、半田ボール端子に、半田ボール端子より硬い接触子が当たることにより、半田ボール端子が変形するとともに、接触子に半田が付着し、両方に酸化膜が発生すると考えられる。さらに変形した半田ボール端子に、接触子が当った場合、接触圧力を得られないとともに、付着した半田により酸化膜が堆積し除去できなくなることによるものであると考えられる。 This is presumably because when the contact that is harder than the solder ball terminal hits the solder ball terminal, the solder ball terminal is deformed and solder adheres to the contact and an oxide film is generated on both. Further, it is considered that when the contact is applied to the deformed solder ball terminal, the contact pressure cannot be obtained and the oxide film is deposited by the attached solder and cannot be removed.
図12に半導体装置の外部端子に材質SnAgCuで形成された半田ボール端子に対しプランジャにBeCu材を使用したプランジャで接触回数と接触抵抗値を収集したグラフを示す。接触回数に比例して抵抗値の増加していることが判明する。この接触抵抗の増加により、正確な検査ができない問題点があった。 FIG. 12 shows a graph in which the number of contacts and the contact resistance value are collected with a plunger using a BeCu material as a plunger against a solder ball terminal formed of the material SnAgCu on the external terminal of the semiconductor device. It turns out that the resistance value increases in proportion to the number of contacts. Due to this increase in contact resistance, there is a problem that accurate inspection cannot be performed.
したがって、本発明の目的は、半導体装置のバンプ電極と接触子との接触回数が増加することでバンプ電極と接触子の接触抵抗が増加することを抑制することができる半導体装置の検査装置および検査方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus and inspection capable of suppressing an increase in the contact resistance between the bump electrode and the contact due to an increase in the number of contacts between the bump electrode and the contact in the semiconductor device. Is to provide a method.
上記課題を解決するために本発明の請求項1記載の半導体装置の検査装置は、外部端子にバンプ電極を備えた半導体装置の電気的検査を行うために前記バンプ電極に接触し、バンプ電極より硬い接触子と、前記接触子を収納するソケット本体とを備えた半導体装置の検査装置であって、前記接触子が前記バンプ電極のいくつかの特定の位置に接触することができる。
In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor device inspection apparatus according to
請求項2記載の半導体装置の検査装置は、請求項1記載の半導体装置の検査装置において、前記接触子は前記バンプ電極に接触するプランジャを有し、前記ソケット本体に前記プランジャを貫通し摺動する穴を設けた上蓋ガイドプレートを設け、前記プランジャの先端は、中心から四角部に向けて突起した形状に形成されるとともに、対角線の交点角度が所定角度に形成され、前記上蓋ガイドプレートは、前記穴の径方向が前記所定角度以上異なる複数の種類を有する。
3. The semiconductor device inspection apparatus according to
請求項3記載の半導体装置の検査装置は、外部端子にバンプ電極を備えた半導体装置の電気的検査を行うために前記バンプ電極に接触し、バンプ電極より硬い接触子を備えた半導体装置の検査ソケットであって、前記バンプ電極と前記接触子の接触位置を変えることができる。
4. The semiconductor device inspection apparatus according to
請求項4記載の半導体装置の検査装置は、請求項3記載の半導体装置の検査装置において、前記接触子は、前記ソケット本体に収納される導体チューブと、前記導体チューブに周方向に位置決めされた状態で挿入され前記バンプ電極に接触するプランジャとを有し、前記導体チューブの側面に接して進退自在に前記ソケット本体に配置されることで前記導体チューブを回転可能としたワイヤを設けた。
The semiconductor device inspection apparatus according to
請求項5記載の半導体装置の検査装置は、請求項3記載の半導体装置の検査装置において、前記接触子は、螺旋状の案内部を内周面の円周上の所定角度の範囲に設けた導体チューブと、前記導体チューブ内に配置されるばねと、前記ばねにより付勢された状態で前記導体チューブに挿入され前記バンプ電極に接触するプランジャとを有し、前記プランジャに、前記案内部に案内され外周面の円周上に配置される複数の突起部を設けた。
The semiconductor device inspection apparatus according to
請求項6記載の半導体装置の検査方法は、請求項1記載の半導体装置の検査装置を使用する複数の検査工程で、前記バンプ電極と前記接触子の接触位置を特定する。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a semiconductor device, wherein a contact position between the bump electrode and the contact is specified in a plurality of inspection steps using the semiconductor device inspection apparatus according to the first aspect.
請求項7記載の半導体装置の検査方法は、請求項3記載の半導体装置の装置を使用する検査工程で、前記バンプ電極と前記接触子が接触する毎に、固定された量、前記バンプ電極と前記接触子の接続点が移動する。
The method for inspecting a semiconductor device according to
本発明の請求項1記載の半導体装置の検査装置によれば、接触子がバンプ電極のいくつかの特定の位置に接触できるので、バンプ電極と接触子との間の接触抵抗の変動を抑制することができ、正確な検査が行える。 According to the inspection apparatus for a semiconductor device according to the first aspect of the present invention, the contact can contact several specific positions of the bump electrode, so that fluctuation in contact resistance between the bump electrode and the contact is suppressed. Accurate inspection.
請求項2では、プランジャの先端は、中心から四角部に向けて突起した形状に形成されるとともに、対角線の交点角度が所定角度に形成され、上蓋ガイドプレートは、穴の径方向が所定角度以上異なる複数の種類を有するので、上蓋ガイドプレートを変えることにより、プランジャがバンプ電極のいくつかの特定の位置に接触することができる。 According to a second aspect of the present invention, the distal end of the plunger is formed in a shape protruding from the center toward the square portion, the intersection angle of the diagonal lines is formed at a predetermined angle, and the radial direction of the hole of the upper lid guide plate is equal to or larger than the predetermined angle. Since there are different types, the plunger can contact several specific positions of the bump electrode by changing the top lid guide plate.
本発明の請求項3記載の半導体装置の検査装置によれば、バンプ電極と接触子の接触位置を変えることができるので、検査での接触抵抗を低く抑えることができる。 According to the semiconductor device inspection apparatus of the third aspect of the present invention, since the contact position between the bump electrode and the contact can be changed, the contact resistance in the inspection can be kept low.
請求項4では、接触子のプランジャが導体チューブに周方向に位置決めされ、導体チューブの側面に接して移動可能にソケット本体に配置されることで導体チューブを回転可能としたワイヤを設けたので、ワイヤを動かすことにより接触子が回転し、バンプ電極とプランジャの接触位置を変えることができる。
In
請求項5では、接触子の導体チューブの内周面の円周上の所定角度の範囲に螺旋状の案内部を設け、プランジャに、案内部に案内され外周面の円周上に配置される複数の突起部を設けたので、例えばプランジャが下降することにより突起部が案内部に嵌合し、プランジャが上昇する時に突起部が案内部に案内されることで、バンプ電極とプランジャの接触位置を変えることができる。 According to a fifth aspect of the present invention, a spiral guide portion is provided in a range of a predetermined angle on the circumference of the inner peripheral surface of the conductor tube of the contact, and the plunger is guided by the guide portion and arranged on the circumference of the outer peripheral surface. Since a plurality of protrusions are provided, for example, when the plunger is lowered, the protrusion is fitted to the guide part, and when the plunger is raised, the protrusion part is guided to the guide part, so that the contact position between the bump electrode and the plunger Can be changed.
本発明の請求項6記載の半導体装置の検査方法によれば、請求項1記載の半導体装置の検査装置を使用する複数の検査工程で、バンプ電極と接触子の接触位置を特定するので、検査工程ごとに、重ならない特定の接触位置となり、検査での接触抵抗を低く抑えることができる。 According to the semiconductor device inspection method of the sixth aspect of the present invention, the contact position between the bump electrode and the contact is specified in a plurality of inspection steps using the semiconductor device inspection apparatus according to the first aspect. Each process has a specific contact position that does not overlap, and the contact resistance in the inspection can be kept low.
本発明の請求項7記載の半導体装置の検査方法によれは、請求項3記載の半導体装置の装置を使用する検査工程で、バンプ電極と接触子が接触する毎に、固定された量、バンプ電極と接触子の接続点が移動するので、再検査時等、検査の回数ごとに、接触子の接触抵抗の影響を受けることなく、検査歩留まりの向上が期待できる。 According to a method for inspecting a semiconductor device according to a seventh aspect of the present invention, in the inspection step using the semiconductor device according to the third aspect, a fixed amount of bumps are provided each time the bump electrode contacts the contact. Since the connection point between the electrode and the contact moves, the inspection yield can be expected to be improved without being affected by the contact resistance of the contact for each number of inspections such as during re-inspection.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を図1〜図5に基づいて説明する。図1(a)は本発明の第1の実施形態の半導体装置の検査装置の平面図、(b)は断面図、(c)は分解斜視図、図2(a)は第1の実施形態における接触子の平面図、(b)は正面図、(c−1)および(c−2)および(c−3)先端部平面詳細図、図4は先端部分解視野図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings (first embodiment).
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A is a plan view of a semiconductor device inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view, FIG. 1C is an exploded perspective view, and FIG. 2A is a first embodiment. FIG. 4B is a front view, FIG. 4B is a front view, FIG. 4C is a front end detail view, and FIG.
図1および図2に示すように、外部端子にバンプ電極2を備えた半導体装置1の電気的検査を行うためにバンプ電極2に接触し、バンプ電極2より硬い接触子3と、接触子を収納するソケット本体8とを備えている。また、接触子3はバンプ電極2に接触するプランジャ5を有し、ソケット本体8にプランジャ5を貫通し摺動する穴20を設けた上蓋ガイドプレート9を設けている。プランジャ5の先端は、中心から四角部に向けて突起した形状に形成されるとともに、対角線の交点角度θ1が所定角度に形成され、上蓋ガイドプレート9は、穴20の径方向が所定角度以上異なる複数の種類を有する。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, in order to perform electrical inspection of the
この場合、BGAパッケージ(半導体装置)1の外部電極に当接するスプリングプローブ(接触子)3において、半田ボール2の接触する接触部6は、縦方向長さY1より横方向長さX1の小さい寸法に形成され、先端は4箇所の突起したクラウン状に形成している。このとき、半田ボール2と接触するプランジャ5の対角の交点角度θ1は22.5°で形成することにより180°で4箇所の接触点が確保でき、4工程まで新しい接触点での検査が実施可能となる。
In this case, in the spring probe (contactor) 3 that contacts the external electrode of the BGA package (semiconductor device) 1, the
半田ボールのピッチが0.5mmの場合、導体チューブ3の外形を0.4mmとし、
プランジャ5が貫通する導体チューブ3の開口径を0.25mmとした場合、
Y1=0.25mm、X1=Y1/2=0.125mmで構成した場合、
プランジャ先端は寸法は
X2=0.25mm×sin(22.5/2)=0.049mm≒0.05mm
Y2=0.25mm×cos(22.5°/2)=0.245mm≒0.25mm
となり、横方向長さX2は約0.05mmで縦方向長さY2は端子径となる。
When the pitch of the solder balls is 0.5 mm, the outer shape of the
When the opening diameter of the
When configured with Y1 = 0.25 mm and X1 = Y1 / 2 = 0.125 mm,
Plunger tip dimension is X2 = 0.25mm × sin (22.5 / 2) = 0.049mm ≒ 0.05mm
Y2 = 0.25 mm × cos (22.5 ° / 2) = 0.245 mm≈0.25 mm
The horizontal length X2 is about 0.05 mm, and the vertical length Y2 is the terminal diameter.
スプリングプローブ3はケース(ソケット本体)8に収納され、上蓋ガイドプレート9を外枠301で押さえ込み、ねじ302でケース8に固定し、導体チューブ4がケース8に収納される。
The
上蓋ガイドプレート9は縦横大きさの異なる接触子3の先端が貫通し、摺動し、尚且つ、回転しない構造となる。これにより半田ボール2に接触する位置を特定の位置とする検査ソケットを得ることができる。
The upper
次にこのソケットを使用した半導体装置の検査方法に関して説明する。 Next, a method for inspecting a semiconductor device using this socket will be described.
一般的な半導体装置が組立終了から梱包出荷までの工程を図5に示す。半導体装置の外部端子に複数回接触する場合を図3〜図5を参照し説明する。図3(aー1〜3)は本発明の第1の実施形態における上蓋ガイドプレートの種類を示す説明図、(bー1〜3)は半田ボールの接触位置を示す説明図、図4は本発明の実施形態における接触子のプランジャを示す斜視図である。 FIG. 5 shows a process from the end of assembly of a general semiconductor device to package shipment. A case where the external terminal of the semiconductor device is contacted a plurality of times will be described with reference to FIGS. 3 (a-1 to 3) is an explanatory view showing the type of the upper lid guide plate in the first embodiment of the present invention, (b-1 to 3) is an explanatory view showing the contact position of the solder ball, and FIG. It is a perspective view which shows the plunger of the contactor in embodiment of this invention.
図3(aー1〜3)に示すように、穴20の方向が所定角度、この場合45度、90度異なる上蓋ガイドプレート9を複数製作する。
As shown in FIG. 3 (a-1 to 3), a plurality of upper
図3〜5に示すように、第1の検査工程(特性検査1)では、図3(a-1)の上蓋ガイドプレート9を使用し、図3(b-1)の半田ボールの接触部401の位置にプランジャ5の接触部402を当て、検査を実施する。
As shown in FIGS. 3 to 5, in the first inspection process (characteristic inspection 1), the upper
第2の検査工程(特性検査2)では、図3(a-2)の上蓋ガイドプレート9を使用し、図3(b-2)の半田ボールの接触部401の位置にプランジャ5の接触部402を当て、検査を実施する。
In the second inspection step (characteristic inspection 2), the upper
第3の検査工程(特性検査3)では、図3(a-3)の上蓋ガイドプレート9を使用し、図3(b-3)の半田ボールの接触部401の位置にプランジャ5の接触部402を当て、検査を実施する。
In the third inspection step (characteristic inspection 3), the upper
第4の検査工程(最終検査)では、図3(a-4)の上蓋ガイドプレート9を使用し、図3(b-4)の半田ボールの接触部401の位置にプランジャ5の接触部402を当て、検査を実施する。
In the fourth inspection step (final inspection), the upper
それぞれの第1、第2、第3、第4の検査工程において、重ならない特定の接触位置となり、安定した検査が実施できる。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態を図6〜図8に基づいて説明する。図6(a)は本発明の第2の実施形態の半導体装置の検査装置の分解斜視図、(b)は断面図、(c)は平面図、図7は第2の実施形態における接触子の分解斜視図である。
In each of the first, second, third, and fourth inspection steps, a specific contact position that does not overlap is obtained, and stable inspection can be performed.
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A is an exploded perspective view of a semiconductor device inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 6B is a cross-sectional view, FIG. 7C is a plan view, and FIG. 7 is a contact in the second embodiment. FIG.
図6および図7に示すように、外部端子にバンプ電極2を備えた半導体装置1(図1参照)の電気的検査を行うためにバンプ電極2に接触し、バンプ電極2より硬い接触子3と、接触子3を収納するソケット本体8とを備えている。また、接触子3は、ソケット本体8に収納される導体チューブ4と、導体チューブ4に周方向に位置決めされた状態で挿入されバンプ電極2に接触するプランジャ5aとを有し、導体チューブ4の側面に接して進退自在に配置されることで導体チューブ4を回転可能としたワイヤ504を設けている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
この場合、スプリングプロープ(接触子)3の構成として、検査基板の接触するプランジャ5bと一体の導体チューブ4を有し、その中にばね7を配置し、半田ボールと接触するプランジャ5aを配置して構成される。導体チューブ部4には垂直に切れ込み溝501を備え、プランジャ5aは、導体チューブ4の切れ込みに嵌合する突起部502を備える。
In this case, the spring probe (contactor) 3 has a
上記スプリングプローブピン3は上蓋ガイドプレート9とケース(ソケット本体)8に収納される。
The
また、X方向503に配置されるスプリングプローブ3間に、弾性体をコーティングした金属ワイヤ504を1列置きに配置する、これによりスプリングプロープ3の回転は固定される。金属ワイヤ504は操作レバー505に接続される。
Further, every other row of
次にこのソケットを使用した半導体装置の検査方法に関して説明する。図6にその動作を示す。図6に示すように、操作レバー505を動かすことにより、金属ワイヤ504が動き、金属ワイヤ504の接したスプリングプローブ3が回転する。導体チューブ部外径を0.4mmとしたとき、45°回転させる場合、円周率より
0.4mm×3.14×45°/360°≒0.16mm
操作すればよい。これらにより半導体装置の半田ボールとプランジャの接触位置を変えることができる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態を図9および図10に基づいて説明する。図9(a)は本発明の第3の実施形態における接触子の斜視図、(b)は内部説明図、(c)はプランジャの正面図、(d)は台座の正面図、(e)はプランジャと台座の接触部分の説明図、(f)はプランジャと台座の接触部分が回転する説明図、図10(a)は本発明の第3の実施形態の半導体装置の検査装置の断面図、(b)は平面図である。
Next, a method for inspecting a semiconductor device using this socket will be described. FIG. 6 shows the operation. As shown in FIG. 6, by moving the
Just operate. By these, the contact position of the solder ball and plunger of the semiconductor device can be changed.
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9A is a perspective view of a contact in the third embodiment of the present invention, FIG. 9B is an internal explanatory view, FIG. 9C is a front view of a plunger, FIG. 9D is a front view of a pedestal, and FIG. Is an explanatory view of the contact portion between the plunger and the pedestal, (f) is an explanatory view in which the contact portion between the plunger and the pedestal rotates, and FIG. 10 (a) is a cross-sectional view of the semiconductor device inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. , (B) is a plan view.
本実施形態においても、半田ボールの接触後に次の接触位置を変更する。すなわち、図9および図10に示すように、接触子3は、螺旋状の案内部702を内周面の円周上の所定角度の範囲に設けた導体チューブ4と、導体チューブ4内に配置されるばね7と、ばね7により付勢された状態で導体チューブ4に挿入されバンプ電極2に接触するプランジャ5とを有し、プランジャ5に、案内部702に案内され外周面の円周上に配置される複数の突起部703を設けている。
Also in this embodiment, the next contact position is changed after the contact of the solder ball. That is, as shown in FIGS. 9 and 10, the
この場合、スプリングプロープ(接触子)3の構成として、導体チューブ4の中に、検査基板13の接触するプランジャ5bとばね7を配置し、ばね7と半田ボール2と接触するプランジャ5aの間に台座701が配置される。導体チューブ4は螺旋状の開口を含む溝(案内部)702を設ける。
In this case, as a configuration of the spring probe (contactor) 3, a
螺旋状の溝702は、360°/(突起部703の数)から120°以上の角度、形成される。
The
被検査パッケージ側プランジャ5aには導体チューブ4の内部に、円周上に配置された突起部703を持つ。導体チューブ4の側面の突起704を持ち、ソケット本体8に設けられた溝801により回転しない構造とする。
The package-
上記スプリングプローブ3は上蓋ガイドプレート9によりケース8内部に収納される。
The
スプリングプローブ3は、BAGパッケージ1が下降し半田ボール2とプランジャ5aも下降する。プランジャ5aが下降することにより、台座701によりプランジャ5aの突起部703は導体チューブ4の溝702側に移動し、台座701により突起部703は溝702に嵌合する状態となる。
In the
BGAパッケージ1の半田ボール2とプランジャ5aの接触が開放され、スプリングプローブ3が上昇する時、突起部703は螺旋状の溝702に沿い回転しながら上昇する。
When the contact between the
プランジャ5a先端が、4分割されたクラウン形状で形成された場合、突起部703は3箇所設ける。これにより連続して同じ半導体装置を検査する場合に、スプリングプローブ3は3回まで、異なった位置で半田ボール2との接触が行うことができる。
When the tip of the
また、突起部703を増やすことにより、新たな接触部を増やすことが可能となる。 Moreover, it becomes possible to increase a new contact part by increasing the projection part 703.
尚、上記実施形態についてBGA検査のスプリングプローブについて説明したが、板ばね式プローブピンなど、半田ボールより固い端子に適用可能で、検査工程ごとに接触する位置を変えることにより適用可能である。 Although the spring probe for BGA inspection has been described in the above embodiment, it can be applied to a terminal harder than a solder ball, such as a leaf spring type probe pin, and can be applied by changing the contact position for each inspection process.
以上説明したように、本発明に係る半導体装置の検査装置および検査方法は、半導体装置を製造・検査する方法などに有用である。 As described above, the inspection apparatus and inspection method for a semiconductor device according to the present invention are useful for a method for manufacturing and inspecting a semiconductor device.
1 BGAパッケージ
2 半田ボール
3 スプリングプローブ
4 導体チューブ
5,5a,5b プランジャ
6 ボール接触部
7 ばね
8 ケース
9 上蓋ガイドプレート
10 突起部
11 チューブ開口部
12a,12b 大径部
13 検査基板
301 外枠
302 ねじ
501 切れ込み溝
502 突起部
503 X方向
504 金属ワイヤ
505 操作レバー
701 台座
702 螺旋状の溝
703 突起部
704 突起
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記ソケット本体に前記プランジャを貫通し摺動する穴を設けた上蓋ガイドプレートを設け、
前記プランジャの先端は、中心から四角部に向けて突起した形状に形成されるとともに、対角線の交点角度が所定角度に形成され、前記上蓋ガイドプレートは、前記穴の径方向が前記所定角度以上異なる複数の種類を有する請求項1記載の半導体装置の検査装置。 The contact has a plunger that contacts the bump electrode;
An upper lid guide plate provided with a hole that passes through and slides through the plunger in the socket body,
The distal end of the plunger is formed in a shape protruding from the center toward the square part, the intersection angle of diagonal lines is formed at a predetermined angle, and the radial direction of the hole of the upper lid guide plate is different from the predetermined angle or more The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1, wherein the apparatus has a plurality of types.
前記導体チューブの側面に接して進退自在に配置されることで前記導体チューブを回転可能としたワイヤを設けた請求項3記載の半導体装置の検査装置。 The contact has a conductor tube accommodated in the socket body, and a plunger that is inserted in a circumferentially positioned state in the conductor tube and contacts the bump electrode,
4. The inspection apparatus for a semiconductor device according to claim 3, further comprising a wire that is disposed in contact with a side surface of the conductor tube so as to be movable forward and backward.
前記プランジャに、前記案内部に案内され外周面の円周上に配置される複数の突起部を設けた請求項3記載の半導体装置の検査装置。 The contactor includes a conductor tube having a spiral guide portion provided in a range of a predetermined angle on the circumference of the inner peripheral surface, a spring disposed in the conductor tube, and a state in which the contact is biased by the spring. A plunger inserted into the conductor tube and in contact with the bump electrode;
The semiconductor device inspection apparatus according to claim 3, wherein the plunger is provided with a plurality of protrusions that are guided by the guide portion and arranged on a circumference of an outer peripheral surface.
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