JP2006278396A - Processor and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processor and a program capable of easily detecting the tipping of a substrate that may occur when a processed wafer is carried and mounted on a substrate mounting part of a temporary storage part, for preventing damage to the substrate in and after the next process. <P>SOLUTION: The processor comprises a placement stage on which a transportation container is placed in which a plurality of substrates w are stored, a process chamber to apply a specified process to the substrate w, a temporary storage 5 comprising a substrate mounting part 23 on which a plurality of processed substrates w are mounted in multistages, a transportation part comprising a transportation arm for transporting the substrates w among the transportation container, process chamber and temporary storage 5 on the placement stage, a vibration sensor 29 for detecting the vibration of the substrate mounting part 23, and a control unit which discriminates abnormal vibration by comparing the current detection value of the vibration sensor 29 with the pre-set, value and stops the transportation arm at abnormal vibration. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、処理装置及びプログラムに係り、特に一時保管部で基板のチッピングを検出する技術に関する。   The present invention relates to a processing apparatus and a program, and more particularly to a technique for detecting chipping of a substrate in a temporary storage unit.

半導体装置の製造においては、被処理基板である例えば半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に各種の処理例えばエッチング処理等を施す工程があり、これらの工程を実行するための処理装置が用いられている。処理装置は、複数枚例えば25枚のウエハを収納した運搬容器であるフープ(Front Opening Unified Pod)を載置するフープ載置台と、前記ウエハに所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数枚のウエハを多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部であるパージストレージと、前記ウエハを前記フープ載置台上のフープ、処理室、及びパージストレージの間で搬送する搬送アームを有する搬送部とを備えている。   In the manufacture of a semiconductor device, there are processes for performing various processes such as an etching process on a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and a processing apparatus for executing these processes is used. Yes. The processing apparatus includes a FOUP mounting table on which a FOUP (Front Opening Unified Pod), which is a transport container storing a plurality of wafers, for example, 25 wafers, a processing chamber for performing a predetermined process on the wafers, and a plurality of processed wafers. A purge storage that is a temporary storage unit having substrate mounting units for mounting a plurality of wafers in multiple stages, and a transfer unit having a transfer arm that transfers the wafer between the hoop on the FOUP mounting table, the processing chamber, and the purge storage. And.

ウエハは処理室内で所定の処理ガス雰囲気下で例えばエッチング処理が施された後、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部に搬送搭載され、このパージストレージ内にて流通排気されている清浄空気により、ウエハの表面近くに残存する処理ガス(以下、残存ガスという。)を取除く(掃気する)ように構成されている。   The wafer is subjected to, for example, an etching process under a predetermined processing gas atmosphere in the processing chamber, and then transferred and mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm, and the clean air circulated and exhausted in the purge storage, A processing gas (hereinafter referred to as residual gas) remaining near the surface of the wafer is removed (scavenged).

ところで、処理装置においては、処理室に設けられた、ウエハを保持するための静電チャックの除電がうまくいかないことにより、ウエハが跳ね上がり、ウエハの位置ズレが生じる場合がある。この位置ズレに起因してウエハが搬送アームにおけるウエハの支持部であるピック部上でも正規の位置からずれた状態で支持されるため、搬送アームによりウエハを基板搭載部に搭載する際にウエハの周縁部の一部分が基板搭載部に衝突し、その衝撃でウエハの周縁部にチッピング(欠け)が生じる場合がある。   By the way, in the processing apparatus, there is a case where the wafer jumps up and the wafer is misaligned due to failure of static elimination of the electrostatic chuck provided in the processing chamber for holding the wafer. Due to this misalignment, the wafer is also supported on the pick part, which is the wafer support part in the transfer arm, in a state shifted from the normal position. Therefore, when the wafer is mounted on the substrate mounting part by the transfer arm, A part of the peripheral portion may collide with the substrate mounting portion, and the impact may cause chipping (chip) at the peripheral portion of the wafer.

ウエハのチッピングは、次工程以降にウエハの破損を招来する恐れがある。特に、熱処理工程において、チッピングが起点となり、ウエハ割れを起こしやすい。フープ4個分のウエハを一度に処理する4ロットバッチ処理式の縦型熱処理装置の場合、ウエハボートにウエハが最大で100枚搭載可能であるが、その最上部でウエハ割れが起こると、ウエハの落下で下段のウエハが次々と破損され、多大な損失を招く可能性がある。   The chipping of the wafer may cause damage to the wafer after the next process. In particular, in the heat treatment process, chipping is the starting point and wafer cracking is likely to occur. In the case of a 4-lot batch process type vertical heat treatment system that processes four wafers at a time, a maximum of 100 wafers can be mounted on a wafer boat. The lower wafers may be damaged one after another by the fall of this, which may cause a great loss.

しかしながら、従来の処理装置においては、ウエハのチッピングを検出する機能を備えていなかった。このため、チッピングを起こしたウエハをエラーなく搬送してフープに収納してしまい、次工程以降でウエハ割れ、ロット不良の原因になる可能性があった。   However, the conventional processing apparatus does not have a function of detecting wafer chipping. For this reason, the chipped wafer is transported without error and stored in the hoop, which may cause wafer cracks and lot defects in subsequent processes.

なお、関連する技術としては、ウエハ搬送装置におけるウエハの支持部としてのツィーザ(ピック部に相当する。)の撓み不良や調整不良等に起因してツィーザがウエハに接触してウエハ表面に傷が付くのを抑制するために、ツィーザに振動センサを設けた半導体製造装置が提案されている(特開2001−223254号公報参照)が、この半導体製造装置においては、ウエハ搬送装置自体の動作に伴う振動とウエハの接触に伴う振動との判別ないし切り分けが難しいだけでなく、ウエハの衝突時にウエハがツィーザ上を滑るため、ツィーザにウエハ衝突時の振動が伝わらない可能性がある。   As a related technique, a tweezer (corresponding to a pick unit) serving as a wafer support unit in a wafer transfer apparatus is damaged by a bend or adjustment failure, and the surface of the wafer is damaged. In order to suppress sticking, a semiconductor manufacturing apparatus in which a vibration sensor is provided in a tweezer has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-223254). In this semiconductor manufacturing apparatus, the operation of the wafer transfer apparatus itself is accompanied. Not only is it difficult to discriminate between vibration and vibration caused by contact with the wafer, but also the wafer slides on the tweezers when the wafer collides, so that the vibration at the time of the wafer collision may not be transmitted to the tweezers.

また、関連する他の技術としては、縦型熱処理装置における搬送体としてのボートに、振動によるパーティク発生を防止するために、振動センサを設けたものも提案されている(韓国特開2001−45630号公報参照)。   As another related technique, a boat provided as a carrier in a vertical heat treatment apparatus with a vibration sensor is proposed in order to prevent the occurrence of partying due to vibration (Korea, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001). No. 45630).

特開2001−223254号公報JP 2001-223254 A 韓国特開2001−45630号公報Korean Patent Laid-Open No. 2001-45630

前述したように、前記処理装置においては、処理室で発生するウエハの位置ズレを検出することができないばかりか、処理室からの処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送、搭載する際に発生するウエハのチッピングを検出することができなかった。このため、チッピングを起こしたウエハをエラーなく搬送してフープに収納してしまい、次工程以降でウエハ割れないしウエハの破損の原因となる可能性があった。   As described above, in the processing apparatus, not only the positional deviation of the wafer generated in the processing chamber cannot be detected, but also the processed wafer from the processing chamber is transported and mounted on the substrate mounting portion of the temporary storage unit. It was not possible to detect the chipping of the wafer that occurred at the time. For this reason, the chipped wafer is transported without error and stored in the hoop, which may cause wafer cracking or wafer breakage in subsequent processes.

本発明は、前記事情を考慮してなされたものであり、処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる処理装置及びプログラムを提供することを目的とする。また、本発明の目的は、処理室又は搬送系路上で発生した基盤の位置ずれを容易に検出することができる処理装置及びプログラムを提供することにある。   The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and can easily detect chipping of a substrate that may occur when a processed wafer is transported and mounted on a substrate mounting portion of a temporary storage unit. An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a program capable of preventing the substrate from being damaged after the next step. It is another object of the present invention to provide a processing apparatus and a program that can easily detect a positional shift of a substrate that has occurred in a processing chamber or a transfer system path.

前記目的を達成するために、本発明のうち、請求項1記載の処理装置は、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数の基板を多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部と、前記基板を前記載置台上の運搬容器、処理室、及び一時保管部の間で搬送する搬送アームを有する搬送部と、前記基板搭載部の振動を検出する振動センサと、該振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる制御部とを備えたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, the processing apparatus according to claim 1 of the present invention includes a mounting table on which a transport container storing a plurality of substrates is mounted, a processing chamber for performing a predetermined process on the substrates, A temporary storage unit having a substrate mounting unit for mounting a plurality of processed substrates in multiple stages, and a transfer unit having a transfer arm for transferring the substrate between the transport container on the mounting table, the processing chamber, and the temporary storage unit. A vibration sensor for detecting vibration of the board mounting portion, and a current detection value by the vibration sensor is compared with a preset setting value to determine whether or not the vibration is abnormal. And a control unit for stopping the transfer arm.

請求項2の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記一時保管部が、該一時保管部内に流入する清浄空気を排気して基板周囲の残存ガスを掃気するパージストレージであることを特徴とする。   The processing apparatus according to claim 2 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the temporary storage unit is a purge storage that exhausts clean air flowing into the temporary storage unit to scavenge residual gas around the substrate. Features.

請求項3の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記基板搭載部が、基板の周縁部を保持する保持溝を多段に有する複数本の耐熱性材料からなる支柱と、各支柱の内部に設けられ支柱を所定温度に加熱する加熱部材とを備えたことを特徴とする。   The processing apparatus according to claim 3 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate mounting portion includes a plurality of supporting columns made of a heat-resistant material having multiple holding grooves for holding the peripheral edge of the substrate, and And a heating member provided inside for heating the support column to a predetermined temperature.

請求項4の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記振動センサから出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部を備えたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the processing apparatus according to the first aspect, further comprising a data collection and recording unit that collects and records data output from the vibration sensor over time.

請求項5記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる搬送アーム停止モジュールとを有することを特徴とする。   The program according to claim 5 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module that detects a generated vibration using a vibration sensor, a determination module that determines whether or not the vibration is abnormal by comparing a current detection value by the vibration sensor and a preset setting value, and abnormal vibration; A transfer arm stop module that stops the transfer arm when it is determined.

請求項6記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により基板にチッピングを起こしたことを検出するチッピング検出モジュールとを有することを特徴とする。   The program according to claim 6 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module that detects a generated vibration using a vibration sensor, a determination module that determines whether or not the vibration is abnormal by comparing a current detection value of the vibration sensor with a preset setting value, And a chipping detection module for detecting that chipping has occurred in the substrate by the determination.

請求項7記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上で基板の位置ずれが発生したことを検出する位置ずれ検出モジュールとを有することを特徴とする。   The program according to claim 7 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module that detects a generated vibration using a vibration sensor, a determination module that determines whether or not the vibration is abnormal by comparing a current detection value of the vibration sensor with a preset setting value, And a misregistration detection module for detecting that the misregistration of the substrate has occurred on the processing chamber or the transfer path.

請求項1記載の処理装置によれば、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数の基板を多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部と、前記基板を前記載置台上の運搬容器、処理室、及び一時保管部の間で搬送する搬送アームを有する搬送部と、前記基板搭載部の振動を検出する振動センサと、該振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アームの搬送動作を停止させる制御部とを備えているため、処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。   According to the processing apparatus of claim 1, a mounting table for mounting a transport container storing a plurality of substrates, a processing chamber for performing a predetermined process on the substrates, and a plurality of processed substrates are mounted in multiple stages. A temporary storage unit having a substrate mounting unit, a transfer unit having a transfer arm for transferring the substrate between the transport container, the processing chamber, and the temporary storage unit on the mounting table, and vibration of the substrate mounting unit are detected. A vibration sensor and a control unit that compares the current detection value by the vibration sensor with a preset setting value to determine whether or not the vibration is abnormal, and stops the transfer operation of the transfer arm when it is determined as abnormal vibration; Therefore, it is possible to easily detect chipping of a substrate that may occur when a processed wafer is transported and mounted on the substrate mounting part of the temporary storage unit, and prevents damage to the substrate after the next process. can do.

請求項2の処理装置によれば、前記一時保管部が、該一時保管部内に流入する清浄空気を排気して基板周囲の残存ガスを掃気するパージストレージであるため、処理済みの基板周囲の残存ガスによる基板の変質ないし汚染を防止することができる。   According to the processing apparatus of claim 2, since the temporary storage unit is a purge storage that exhausts clean air flowing into the temporary storage unit and scavenges residual gas around the substrate, the residual around the processed substrate Deterioration or contamination of the substrate due to gas can be prevented.

請求項3の処理装置によれば、前記基板搭載部が、基板の周縁部を保持する保持溝を多段に有する複数本の耐熱性材料からなる支柱と、各支柱の内部に設けられ支柱を所定温度に加熱する加熱部材とを備えているため、処理済みの基板周囲の残存ガスによる基板搭載部への反応副生成物の付着を抑制し、クリーニング周期の短縮化が図れる。   According to the processing apparatus of claim 3, the substrate mounting portion includes a plurality of heat-resistant material columns having holding grooves for holding the peripheral edge of the substrate in multiple stages, and the columns provided inside each column are predetermined. Since a heating member for heating to a temperature is provided, adhesion of reaction by-products to the substrate mounting portion due to residual gas around the processed substrate can be suppressed, and the cleaning cycle can be shortened.

請求項4の処理装置によれば、前記振動センサから出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部を備えているため、どの基板がいつチッピングを起こしたかを容易に解析することができる。   According to the processing apparatus of claim 4, since the data collection and recording unit that collects and records the data output from the vibration sensor over time is provided, it is possible to easily analyze which substrate has caused chipping and when. it can.

請求項5記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる搬送アーム停止モジュールとを有しているため、処理済みの基板を一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができると共に搬送アームを停止させることができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。   The program according to claim 5 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and mounting the substrate when mounting the substrate on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module for detecting vibration generated from a part using a vibration sensor, a determination module for comparing whether a current detection value by the vibration sensor and a preset set value are abnormal vibrations, Since it has a transfer arm stop module that stops the transfer arm when it is determined as vibration, chipping of the substrate that may occur when the processed substrate is transferred and mounted on the substrate mounting portion of the temporary storage unit While being able to detect easily, a conveyance arm can be stopped and the failure | damage of the board | substrate after the following process can be prevented.

請求項6記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により基板にチッピングを起こしたことを検出するチッピング検出モジュールとを有しているため、処理済みの基板を一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。   The program according to claim 6 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and mounting the substrate when mounting the substrate on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module for detecting vibration generated from a part using a vibration sensor, a determination module for comparing whether a current detection value by the vibration sensor and a preset set value are abnormal vibrations, Since it has a chipping detection module that detects that chipping has occurred on the substrate by the vibration determination, the substrate that may be generated when the processed substrate is transported and mounted on the substrate mounting portion of the temporary storage unit Chipping can be easily detected, and damage to the substrate after the next step can be prevented.

請求項7記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上で基板の位置ずれが発生したことを検出する位置ずれ検出モジュールとを有しているため、処理室又は搬送系路上で発生した基板の位置ずれを容易に検出することができる。   The program according to claim 7 is a program for causing a computer to execute transport of a substrate to a temporary storage unit by a transport arm, and mounting the substrate when mounting the substrate on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transport arm A vibration detection module for detecting vibration generated from a part using a vibration sensor, a determination module for comparing whether a current detection value by the vibration sensor and a preset set value are abnormal vibrations, Since it has a misalignment detection module that detects the occurrence of misalignment of the substrate on the processing chamber or the transport path based on the vibration determination, the misalignment of the substrate generated on the processing chamber or the transport path can be easily performed. Can be detected.

以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を基に詳述する。図1は本発明の実施の形態に係る処理装置の概略構成を示す平面図である。   The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

図1において、1は被処理基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという。)wを一枚ずつ搬送して所定の処理を施す枚葉式の処理装置である。この処理装置1は、複数例えば25枚のウエハwを収納した運搬容器としてのフープ2を載置する載置台である複数例えば4つのフープ載置台3と、前記ウエハwに所定の処理例えばエッチング処理を施すプロセスユニット(処理室)を含む3つのプロセスシップ4A,4B,4Cと、処理済みの複数枚のウエハwを多段に搭載して一時的に保管する一時保管部としてのパージストレージ5と、前記ウエハwを前記フープ載置台3上のフープ2、プロセスシップ4A〜4C、及びパージストレージ5の間で搬送する搬送部であるローダーユニット6とを備えている。プロセスシップ4A〜4Cは、プロセスユニット7,8,9とロードロックユニット10,11,12からなっている。   In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a single-wafer processing apparatus that transfers a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) w, which is a substrate to be processed, one by one to perform a predetermined process. The processing apparatus 1 includes a plurality of, for example, four hoop mounting tables 3 on which a hoop 2 serving as a transport container storing a plurality of, for example, 25 wafers w is mounted, and a predetermined process such as an etching process on the wafer w. Three process ships 4A, 4B, and 4C including process units (processing chambers) for performing a process, and a purge storage 5 as a temporary storage unit for temporarily storing a plurality of processed wafers w mounted in multiple stages, A loader unit 6, which is a transfer unit that transfers the wafer w between the FOUP 2 on the FOUP mounting table 3, the process ships 4 </ b> A to 4 </ b> C, and the purge storage 5. The process ships 4A to 4C are composed of process units 7, 8, 9 and load lock units 10, 11, 12.

前記プロセスシップ4A〜4Cは、ウエハwに所定の処理を施す処理室例えば真空処理室としてのプロセスユニット7,8,9と、該プロセスユニット7〜9にウエハwを受け渡す搬送アーム(図示省略)を内蔵するロードロックユニット10,11,12とを有する。プロセスユニット7〜9は、円筒状の処理室容器(チャンバ)と、該チャンバ内の配置された上部電極及び下部電極とを有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハにエッチング処理例えば反応性イオンエッチング処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハをクーロン力等によって保持する静電チャックをその頂部に有する。   The process ships 4A to 4C include process units 7, 8, 9 as processing chambers for performing predetermined processing on the wafer w, for example, vacuum processing chambers, and a transfer arm (not shown) for transferring the wafer w to the process units 7-9. ) Built-in load lock units 10, 11, and 12. The process units 7 to 9 each have a cylindrical processing chamber container (chamber) and upper and lower electrodes arranged in the chamber, and the distance between the upper and lower electrodes is etched on the wafer. For example, an appropriate interval for performing the reactive ion etching process is set. The lower electrode has an electrostatic chuck on its top for holding the wafer by Coulomb force or the like.

プロセスユニット7〜9では、チャンバ内に処理ガスを導入し、電極で電界を発生させることにより処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハwに反応性イオンエッチング処理を施す。また、プロセスユニット7〜9では、チャンバ内に腐食性ガス(例えばNH)とHFを導入し、電界を用いないでCOR(Chemical Oxide Removal)処理によってウエハwに等方性エッチング処理を施す。プロセスシップ4A〜4Cでは、ローダーユニット6の内部圧力は大気圧に維持される一方、プロセスユニット7〜9の内部圧力は真空に維持される。このため、ロードロックユニット10〜12は、ローダードユニットとの連結部にゲートバルブ13,14,15を備えると共に、プロセスユニット7〜9との連結部にゲートバルブ16,17,18を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成されている。 In the process units 7 to 9, a processing gas is introduced into the chamber, an electric field is generated at the electrode, and the processing gas is turned into plasma to generate ions and radicals. The ions and radicals are used to perform reactive ion etching on the wafer w. Apply. In the process units 7 to 9, a corrosive gas (for example, NH 3 ) and HF are introduced into the chamber, and an isotropic etching process is performed on the wafer w by a COR (Chemical Oxide Removal) process without using an electric field. In the process ships 4A to 4C, the internal pressure of the loader unit 6 is maintained at atmospheric pressure, while the internal pressure of the process units 7 to 9 is maintained at vacuum. For this reason, the load lock units 10 to 12 include the gate valves 13, 14, and 15 at the connection portion with the loader unit, and the gate valves 16, 17, and 18 at the connection portion with the process units 7 to 9. Is configured as a vacuum preliminary transfer chamber whose internal pressure can be adjusted.

ローダーユニット6は、横方向に長尺の箱状をなし、内部にはフィルタを介して清浄空気が上方から導入されている。ローダーユニット6は、内部に配置された搬送アーム機構18と、フープ載置台3と対応する一方の側壁(前面部)に配置されたウエハの投入口としての4つのロードポート19とを有する。ロードポートは3つでも良く、また、量産クリーンルームに適宜対応し拡張して4つ以上でも良い。前記3つのプロセスシップ7〜9はローダーユニット6の他方の側壁(背面部)に接続されている。前記搬送アーム機構18は、ローダーユニット6内に長手方向に配置したガイドレール(図示省略)に沿って電磁石駆動による往復移動可能なx軸移動部と、該x軸移動部上に昇降可能に設けられたz軸移動部を介して水平旋回可能な旋回台と、該旋回台上に設けられ半径方向ないし水平方向へ伸縮可能な多関節型の搬送アーム20とを有する。   The loader unit 6 has a box shape that is long in the lateral direction, and clean air is introduced into the interior from above via a filter. The loader unit 6 includes a transfer arm mechanism 18 disposed inside, and four load ports 19 serving as wafer loading ports disposed on one side wall (front surface portion) corresponding to the hoop mounting table 3. The number of load ports may be three, or four or more may be expanded corresponding to a mass production clean room. The three process ships 7 to 9 are connected to the other side wall (back surface portion) of the loader unit 6. The transfer arm mechanism 18 is provided with an x-axis moving part that can reciprocate by electromagnet drive along a guide rail (not shown) arranged in the longitudinal direction in the loader unit 6, and can be moved up and down on the x-axis moving part. And a multi-joint type transport arm 20 provided on the swivel base and capable of extending and contracting in the radial direction or the horizontal direction.

搬送アーム20は先端にウエハwを支持するピック部21を有する。図2は搬送アームのピック部を示す図で、(a)は平面図、(b)は正面図である。ピック部21は例えばセラミックス製の平面U字状の薄板からなり、その上面部にはウエハwの周縁部に接してウエハを所定位置(正規の位置)に位置決めするための複数例えば4つのテーパー状の規制ピン22を有する。通常は規制ピン22により規制されてウエハwはピック部21上に水平に支持される。ところが、例えばプロセスユニット7〜9における静電チャックの除電がうまくいかなかった等の原因によりウエハwが位置ずれを起こし、その位置ずれ状態のままウエハwが搬送アーム20のピック部21に支持されると、図2の(b)に仮想線で示すようにウエハwは一側方へ突出した状態或いは一側方へ突出して傾斜した状態に支持されることがある。   The transfer arm 20 has a pick portion 21 that supports the wafer w at the tip. 2A and 2B are views showing a pick portion of the transfer arm, where FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a front view. The pick portion 21 is made of, for example, a ceramic U-shaped thin plate, and a plurality of, for example, four tapered shapes for positioning the wafer at a predetermined position (regular position) in contact with the peripheral portion of the wafer w on the upper surface thereof. The regulation pin 22 is provided. Normally, the wafer w is regulated by the regulation pins 22 and supported horizontally on the pick unit 21. However, the wafer w is displaced due to, for example, the electrostatic chuck in the process units 7 to 9 being unsuccessful, and the wafer w is supported by the pick unit 21 of the transfer arm 20 in the displaced state. Then, as indicated by a virtual line in FIG. 2B, the wafer w may be supported in a state of projecting to one side or in a state of projecting to one side and being inclined.

前記パージストレージ5はローダーユニット6の長手方向の一端に接続されている。また、ローダーユニット6の長手方向の一端には、フープ2からローダーユニット6内に搬入されたウエハwの位置をプリアライメントするオリエンタ55も接続されており、該オリエンタ55と前記パージストレージ5は上下に重なるように配置されている(図7参照)。オリエンタ55とパージストレージ5は、どちらが上下になっていても良く、相対的に上下関係になっている。上下にウエハwは搬送アームによりオリエンタ55にも搬送される。   The purge storage 5 is connected to one end of the loader unit 6 in the longitudinal direction. An orienter 55 for pre-aligning the position of the wafer w carried into the loader unit 6 from the hoop 2 is also connected to one end of the loader unit 6 in the longitudinal direction. The orienter 55 and the purge storage 5 are (See FIG. 7). Either the orienter 55 and the purge storage 5 may be up and down, and are relatively in a vertical relationship. The wafer w is transferred to the orienter 55 by the transfer arm vertically.

搬送アーム20はフープ2内に多段に収納された25枚のウエハwを搬送可能なように25ピッチのストロークで昇降可能であるが、パージストレージ5の上にオリエンタがある分、パージストレージ5におけるウエハwの搭載枚数が19枚に制限されている。なお、ローダーユニット6の長手方向の一端にオリエンタを配置し、ローダーユニット6の長手方向の他端にパージストレージ5を配置すれば、当該パージストレージ5は25枚のウエハを搭載可能に構成することができる。   The transfer arm 20 can be moved up and down with a 25-pitch stroke so as to be able to transfer 25 wafers w stored in multiple stages in the FOUP 2. The number of mounted wafers w is limited to 19. If an orienter is disposed at one end of the loader unit 6 in the longitudinal direction and the purge storage 5 is disposed at the other end of the loader unit 6 in the longitudinal direction, the purge storage 5 is configured so that 25 wafers can be mounted. Can do.

図3はパージストレージの概略構成を示す平面図であり、図4は基板搭載部の要部を概略的に示す正面図である。パージストレージ5は、ローダユニット6側の一端が開口された箱状をなし、内部に複数例えば19枚のウエハwを多段に搭載する基板搭載部23を有する。該基板搭載部23は、ウエハwの周縁部を保持する保持溝24を多段に有する複数本例えば4本のセラミックス製の支柱25と、各支柱25の内部に設けられ支柱25を所定温度に加熱する加熱部材としての棒状ヒータ26とを備えている。支柱25はパージストレージ5内に設置されるベースプレート27上に立設されている。   FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the purge storage, and FIG. 4 is a front view schematically showing a main part of the substrate mounting portion. The purge storage 5 has a box shape in which one end on the loader unit 6 side is opened, and has a substrate mounting portion 23 for mounting a plurality of, for example, 19 wafers w in multiple stages. The substrate mounting portion 23 includes a plurality of, for example, four ceramic columns 25 having holding grooves 24 for holding the peripheral edge of the wafer w, and the columns 25 provided inside each column 25 to heat the columns 25 to a predetermined temperature. And a rod-shaped heater 26 as a heating member. The column 25 is erected on a base plate 27 installed in the purge storage 5.

基板搭載部23は、処理後のウエハwの周囲に残存する残存ガスの接触により反応副生成物が付着堆積するのを抑制し、パージストレージ5のクリーニング周期を長くするために、支柱25が棒状ヒータ26により所定の温度例えば60℃程度に加熱されている。この加熱温度に耐え得るように支柱25は耐熱性を有する材料例えばセラミックスによって形成されている。支柱を形成する耐熱性材料としては、セラミックス以外に、例えば炭素棒、石英ガラス、ガラス繊維強化ポリエチレンテレフタレート(GF−PET)、耐熱性樹脂(含香族ポリアミド、PES、PEEK、PEK、LCP、熱可塑性PI、超耐熱性ケイ素ポリマー、PCT樹脂、母材にナノ粒子、ナノチューブ、ナノホーン等のナノフィラーを添加して複合化したナイロン系ナノコンポジット)でも良い。支柱25は、反り変形が生じにくいように、両側に保持溝24が略対称に設けられていることが好ましい。   In the substrate mounting portion 23, in order to prevent the reaction by-product from adhering and depositing due to the contact of the residual gas remaining around the wafer w after processing, and to extend the cleaning cycle of the purge storage 5, the support column 25 has a rod shape. The heater 26 is heated to a predetermined temperature, for example, about 60 ° C. The support column 25 is formed of a heat-resistant material such as ceramics so as to withstand this heating temperature. As the heat-resistant material for forming the support, in addition to ceramics, for example, carbon rod, quartz glass, glass fiber reinforced polyethylene terephthalate (GF-PET), heat-resistant resin (aromatic polyamide, PES, PEEK, PEK, LCP, heat Plastic PI, super heat-resistant silicon polymer, PCT resin, and nylon-based nanocomposite obtained by adding nanofillers such as nanoparticles, nanotubes, and nanohorns to the base material. The support columns 25 are preferably provided with holding grooves 24 substantially symmetrically on both sides so that warpage deformation hardly occurs.

パージストレージ5は、ローダユニット6側から流入する清浄空気を排気するための排気口28を有し、清浄空気と共にウエハ周囲の残存ガスを掃気するようになっている。前記排気口28は除外装置を備えた工場排気系に接続されている。   The purge storage 5 has an exhaust port 28 for exhausting clean air flowing from the loader unit 6 side, and scavenges residual gas around the wafer together with the clean air. The exhaust port 28 is connected to a factory exhaust system equipped with an exclusion device.

前述したように搬送アーム20のピック部21にウエハwが一側方へ突出して支持されている場合、そのウエハwを基板搭載部23に搭載する際に、図4に仮想線で示すようにウエハwの周縁部の一部分が基板搭載部23に接触ないし衝突し、その衝撃でウエハの周縁部にピッチングが発生する場合がある。そこで、基板搭載部23から発生する振動を検出してウエハwのピッチングを検出するために、基板搭載部23には該基板搭載部23の振動を検出する振動センサ29が設けられている。   As described above, when the wafer w is supported on the pick part 21 of the transfer arm 20 so as to protrude to one side, when the wafer w is mounted on the substrate mounting part 23, as indicated by a virtual line in FIG. A part of the peripheral portion of the wafer w may contact or collide with the substrate mounting portion 23, and the impact may cause pitching at the peripheral portion of the wafer. Therefore, in order to detect the vibration generated from the substrate mounting portion 23 and detect the pitching of the wafer w, the substrate mounting portion 23 is provided with a vibration sensor 29 that detects the vibration of the substrate mounting portion 23.

搬送アーム20によるウエハwの支持、搬送ないし移載動作時の振動加速度は2m/s以下であるのに比して、ウエハwが基板搭載部23に衝突した時の振動加速度は20m/s以上と大きな差がある(S/N比が大きい)ため、基板搭載部23におけるウエハwの衝突、延いては該衝突によるウエハwのピッチングの発生を容易に検出することができる。振動センサによる検出値は振動加速度に限られず、振動時の周波数成分を検知し、設定値と比較しても良い。 Supporting the wafer w by the transfer arm 20, the vibration acceleration at the time of conveyance or transfer operation compared to at 2m / s 2 or less, the vibration acceleration at which the wafer w collides with the substrate mounting portion 23 is 20 m / s Since there is a large difference of 2 or more (the S / N ratio is large), it is possible to easily detect the collision of the wafer w in the substrate mounting portion 23, and hence the occurrence of pitching of the wafer w due to the collision. The value detected by the vibration sensor is not limited to vibration acceleration, and a frequency component during vibration may be detected and compared with a set value.

前記処理装置1は、前記振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20の動作を停止させる制御部であるアームコントローラ30を備えている。前記振動センサ29は各支柱25の基部(下部)側に取付けられていることが好ましい。また、腐食性を有する残存ガスから振動センサ29を保護するために、振動センサ29には保護カバー31が設けられていることが好ましい。振動センサ29は、光学センサと異なり、保護カバー31をつけても検出可能で反応副生成物の付着による影響も受けにくいという利点を有する。   The processing device 1 compares the current detection value by the vibration sensor 29 with a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and stops the operation of the transfer arm 20 when it is determined as abnormal vibration. An arm controller 30 as a control unit is provided. The vibration sensor 29 is preferably attached to the base (lower) side of each column 25. Further, in order to protect the vibration sensor 29 from residual gas having corrosive properties, the vibration sensor 29 is preferably provided with a protective cover 31. Unlike the optical sensor, the vibration sensor 29 has an advantage that it can be detected even when the protective cover 31 is attached and is not easily affected by adhesion of reaction byproducts.

各振動センサ29からの検出信号(出力信号)はセンサアンプ32に入力され、該センサアンプ32にて現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して検出値が設定値を超えているか否かにより異常振動(NG)か否か(OK)を判定する。センサアンプ32からの出力信号はインターフェースボード33を介してアームコントローラ30にデジタル信号で入力され、異常振動の場合、搬送アーム20を停止させるインターロックがかかるシステムになっている。この時、同時に警報が作動するよう構成されていても良い。インターフェースボード33においては、ORゲート、保持・リセット回路及びマスクを含む。マスクは例えば搬送アーム20の伸張時にのみ信号を通すように設定されている。   A detection signal (output signal) from each vibration sensor 29 is input to the sensor amplifier 32, and the sensor amplifier 32 compares the current detection value with a preset setting value to determine whether the detection value exceeds the setting value. It is determined whether it is abnormal vibration (NG) or not (OK). An output signal from the sensor amplifier 32 is input as a digital signal to the arm controller 30 via the interface board 33, and in the case of abnormal vibration, an interlock is applied to stop the transfer arm 20. At this time, an alarm may be activated at the same time. The interface board 33 includes an OR gate, a holding / resetting circuit, and a mask. For example, the mask is set so as to pass a signal only when the transfer arm 20 is extended.

前記処理装置1は、3つのプロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット6の長手方向の一端に配置されたオペレーションコントローラ40とを備えている。オペレーションコントローラ40は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)からなる表示部を有し、該表示部は処理装置1の各構成要素の動作状況を表示する。   The processing apparatus 1 includes a system controller that controls the operation of the three process ships 4A to 4C and the loader unit 6, and an operation controller 40 that is disposed at one end of the loader unit 6 in the longitudinal direction. The operation controller 40 includes a display unit made up of, for example, an LCD (Liquid Crystal Display), and the display unit displays the operation status of each component of the processing apparatus 1.

図5は図1の処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。図5に示すように、システムコントローラは、EC(Equipment Controller)41と、4つのMC(Module Controller)42,43,44,45と、EC41及びMC42〜45を接続するスイッチングハブ46とを備えている。該システムコントローラは、EC41からLAN(Local Area Network)を介して処理装置1が設置されている工場全体の製造工程を管理するMES(Manufacturing Execution System)としてのホストコンピュータ47に接続されている。ホストコンピュータ47はシステムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム(図示省略)にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。   FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a system controller in the processing apparatus of FIG. As shown in FIG. 5, the system controller includes an EC (Equipment Controller) 41, four MC (Module Controllers) 42, 43, 44, and 45, and a switching hub 46 that connects the EC 41 and MCs 42 to 45. Yes. The system controller is connected from the EC 41 to a host computer 47 as a MES (Manufacturing Execution System) that manages the manufacturing process of the entire factory where the processing apparatus 1 is installed via a LAN (Local Area Network). The host computer 47 cooperates with the system controller to feed back real-time information related to the process in the factory to the core business system (not shown), and makes a determination regarding the process in consideration of the load of the entire factory.

EC41は、各MC42〜45を統括して処理装置全体の動作を制御する主制御部(マスタ制御部)である。また、EC41は、CPU、RAM、HDD等を有し、オペレーションコントローラ40においてユーザ等によって指定されたウエハの処理方法すなわちレシピに対応するプログラムに応じてCPUが、各MC42〜45に制御信号を送信することより、各プロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御する。   The EC 41 is a main control unit (master control unit) that controls each of the MCs 42 to 45 to control the operation of the entire processing apparatus. The EC 41 has a CPU, RAM, HDD, and the like, and the CPU transmits a control signal to each of the MCs 42 to 45 in accordance with a wafer processing method designated by the user or the like in the operation controller 40, that is, a program corresponding to the recipe. Thus, the operations of the process ships 4A to 4C and the loader unit 6 are controlled.

前記スイッチングハブ46は、EC41からの制御信号に応じてEC41の接続先としてのMC42〜45を切り替える。MC42〜45は、各プロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御する副制御部(スレーブ制御部)である。各MC42〜45は、GHOSTネットワークを介して各I/O(入出力)モジュール48にそれぞれ接続されている。GHOST(general High-Speed Optimum Scalable Transceiver)と称されるLSIによって実現されるネットワークである。GHOSTネットワークでは、MC42〜45がマスタに該当し、I/Oモジュール48がスレーブに該当する。   The switching hub 46 switches the MCs 42 to 45 as connection destinations of the EC 41 according to a control signal from the EC 41. MCs 42 to 45 are sub-control units (slave control units) that control the operations of the process ships 4 </ b> A to 4 </ b> C and the loader unit 6. Each MC 42 to 45 is connected to each I / O (input / output) module 48 via a GHOST network. This is a network realized by an LSI called GHOST (general high-speed optimal scalable transceiver). In the GHOST network, MCs 42 to 45 correspond to masters, and the I / O module 48 corresponds to slaves.

I/Oモジュール48は、ローダーユニット6の各構成要素(エンドデバイス)に接続された複数のI/O部49を有し、エンドデバイスへの制御信号及びエンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。GHOSTネットワークには、I/O部49におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するI/Oボードも接続されている。   The I / O module 48 includes a plurality of I / O units 49 connected to each component (end device) of the loader unit 6, and transmits a control signal to the end device and an output signal from the end device. . An I / O board that controls input / output of digital signals, analog signals, and serial signals in the I / O unit 49 is also connected to the GHOST network.

図5のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがEC41に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたI/O部49がモジュール化されてI/Oモジュール48を構成し、該I/Oモジュール48がMC42〜45及びスイッチングハブ46を介してEC41に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。   In the system controller of FIG. 5, the I / O unit 49 connected to the plurality of end devices is modularized to form the I / O module 48 without the plurality of end devices being directly connected to the EC 41. Since the I / O module 48 is connected to the EC 41 via the MCs 42 to 45 and the switching hub 46, the communication system can be simplified.

また、EC41のCPUが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたI/O部のアドレス、及び当該I/O部を含むI/Oモジュールのアドレスを参照し、MC42〜45のGHOSTが制御信号におけるI/O部のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ46やMC42〜45がCPUに制御信号の送信先の問合せを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。   The control signal transmitted by the CPU of the EC 41 refers to the address of the I / O unit connected to the desired end device and the address of the I / O module including the I / O unit. By referring to the address of the I / O unit in the control signal by GHOST, it is possible to eliminate the need for the switching hub 46 and MCs 42 to 45 to inquire the CPU about the transmission destination of the control signal. Transmission can be realized.

また、システムコントローラは、前記振動センサ29から出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部としてのデータ収集サーバ50を備えている。この場合、振動センサ29から出力されるデータである検出信号はセンサアンプ32からアナログ信号として取り出されてI/O部49に入力され、ネットワークを介してデータ収集サーバ50に入力される。   The system controller also includes a data collection server 50 as a data collection / recording unit that collects and records data output from the vibration sensor 29 over time. In this case, the detection signal, which is data output from the vibration sensor 29, is extracted as an analog signal from the sensor amplifier 32, input to the I / O unit 49, and input to the data collection server 50 via the network.

以上のように構成された処理装置1によれば、複数のウエハwを収納したフープ2を載置するフープ載置台3と、前記ウエハwに所定の処理を施すプロセスユニットを含むプロセスシップ4A〜4Cと、処理済みの複数のウエハwを多段に搭載する基板搭載部23を有するパージストレージ5と、前記ウエハwを前記フープ載置台3上のフープ2、プロセスユニットを含むプロセスシップ4A〜4C、及びパージストレージ5の間で搬送する搬送アーム20を有するローダーユニット6と、前記基板搭載部23の振動を検出する振動センサ29と、該振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20の動作を停止させるアームコントローラ20とを備えているため、処理済みのウエハwをパージストレージ5の基板搭載部23に搬送搭載する際に発生することがあるウエハwのチッピングを容易に検出することができ、次工程以降のウエハwの破損を防止することができる。次工程がバッチ処理式の縦型熱処理装置による熱処理工程である場合、1回のチッピング検出にて最大、ウエハ100枚の損失を防ぐことが可能となる。   According to the processing apparatus 1 configured as described above, a process ship 4A to 4H includes a FOUP mounting table 3 on which a FOUP 2 storing a plurality of wafers w is mounted, and a process unit that performs a predetermined process on the wafer w. 4C, a purge storage 5 having a substrate mounting portion 23 for mounting a plurality of processed wafers w in multiple stages, a hoop 2 on the hoop mounting table 3, and process ships 4A to 4C including process units. And a loader unit 6 having a transfer arm 20 for transferring between the purge storage 5, a vibration sensor 29 for detecting vibration of the substrate mounting portion 23, a current detection value by the vibration sensor 29, and a preset set value, And an arm controller 20 that stops the operation of the transfer arm 20 when the abnormal vibration is determined. Therefore, chipping of the wafer w that may occur when the processed wafer w is transported and mounted on the substrate mounting portion 23 of the purge storage 5 can be easily detected, and the wafer w is damaged after the next process. Can be prevented. When the next process is a heat treatment process by a batch processing type vertical heat treatment apparatus, it is possible to prevent loss of 100 wafers at the maximum by one chipping detection.

また、前記パージストレージ5は、該パージストレージ5内に流入する清浄空気を排気してウエハ周囲の残存ガスを掃気するようになっているため、処理済みのウエハをフープに戻す前にウエハ周囲の残存ガスを取除くことができ、処理済みのウエハ周囲の残存ガスによるウエハの変質ないし汚染を防止することができる。更に、前記基板搭載部23が、ウエハwの周縁部を保持する保持溝24を多段に有する複数本のセラミックス製の支柱25と、各支柱25の内部に設けられ支柱25を所定温度に加熱する棒状ヒータ26とを備えているため、処理済みのウエハ周囲の残存ガスによる基板搭載部23への反応副生成物の付着を抑制し、クリーニング周期の短縮化が図れる。また、前記振動センサ29から出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部としてのデータ収集サーバ50を備えているため、どのウエハwがいつチッピングを起こしたかを容易に解析することが可能となる。   The purge storage 5 exhausts the clean air flowing into the purge storage 5 and scavenges the residual gas around the wafer. Therefore, before returning the processed wafer to the hoop, Residual gas can be removed, and alteration or contamination of the wafer due to residual gas around the processed wafer can be prevented. Further, the substrate mounting portion 23 heats the support posts 25 to a predetermined temperature provided in a plurality of ceramic support posts 25 having multiple holding grooves 24 for holding the peripheral edge of the wafer w, and the support posts 25 provided inside each support post 25. Since the rod-shaped heater 26 is provided, the adhesion of reaction by-products to the substrate mounting portion 23 due to residual gas around the processed wafer can be suppressed, and the cleaning cycle can be shortened. In addition, since the data collection server 50 is provided as a data collection / recording unit that collects and records data output from the vibration sensor 29 over time, it is possible to easily analyze which wafer w has caused chipping. It becomes possible.

本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウエアのプログラム又は該プログラムを記録した記録媒体(記憶媒体)をEC41に供給し、EC41のCPUが記録媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。この場合、記録媒体から読み出されたプログラム事態が前述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラム及び該プログラムを記録した記録媒体は本発明を構成する。   An object of the present invention is to supply a software program for realizing the functions of the above-described embodiments or a recording medium (storage medium) on which the program is recorded to the EC 41, and the CPU of the EC 41 stores the program stored on the recording medium. It is also achieved by reading and executing. In this case, the program situation read from the recording medium realizes the functions of the above-described embodiment, and the program and the recording medium on which the program is recorded constitute the present invention.

搬送アーム20によるパージストレージ5へのウエハwの搬送をコンピュータに実行させるプログラムにおいては、搬送アーム20によりパージストレージ5の基板搭載部23にウエハwを搭載する際に基板搭載部23から発生する振動を振動センサ29により検出する振動検出モジュールと、前記振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20を停止させる搬送アーム停止モジュールとを有する。該プログラムによれば、処理済みのウエハをパージストレージ5の基板搭載部23に搬送搭載する際に発生することがあるウエハwのチッピングを容易に検出することができると共に搬送アーム20を停止させることができ、次工程以降のウエハwの破損を防止することができる。   In the program for causing the computer to transfer the wafer w to the purge storage 5 by the transfer arm 20, vibration generated from the substrate mounting portion 23 when the transfer arm 20 mounts the wafer w on the substrate mounting portion 23 of the purge storage 5. When the vibration sensor 29 detects abnormal vibration, a determination module that compares the current detection value by the vibration sensor 29 with a preset value and determines whether or not the vibration is abnormal. A transfer arm stop module for stopping the transfer arm 20. According to the program, it is possible to easily detect the chipping of the wafer w that may occur when the processed wafer is transferred and mounted on the substrate mounting portion 23 of the purge storage 5 and to stop the transfer arm 20. It is possible to prevent the wafer w from being damaged after the next process.

なお、プログラムを供給するための記録媒体としては、例えばフロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、磁気テープ等を用いることができる。また、プログラムをネットワークを介してダウンロードしても良い。   As a recording medium for supplying the program, for example, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW Magnetic tape or the like can be used. The program may be downloaded via a network.

プログラムの他の例としては、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部にウエハを搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサにより検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定によりウエハにチッピングを起こしたことを間接的に検出するチッピング検出モジュールとを有するものであっても良い。該プログラムによれば、処理済みのウエハをパージストレージの基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがあるウエハのチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。   As another example of the program, a vibration detection module that detects vibration generated from the substrate mounting portion when the wafer is mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm, and a current detection value by the vibration sensor And a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and a chipping detection module that indirectly detects that chipping has occurred on the wafer due to the determination of abnormal vibration. May be. According to this program, it is possible to easily detect chipping of a wafer that may occur when a processed wafer is transported and mounted on a substrate mounting portion of a purge storage, and to prevent damage to the substrate after the next process. be able to.

また、プログラムの他の例としては、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部にウエハを搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュール(振動検出ステップ)と、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上でウエハの位置ずれが発生したことを間接的に検出する位置ずれ検出モジュール(位置ずれ検出ステップ)とを有するものであってもよい。該プログラムによれば、処理室又は搬送系路上で発生したウエハの位置ずれを容易に検出することができる。   As another example of the program, there is a vibration detection module (vibration detection step) that uses a vibration sensor to detect vibration generated from the substrate mounting portion when a wafer is mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm. A determination module that compares the current detection value by the vibration sensor with a preset set value to determine whether or not there is abnormal vibration, and a wafer position shift occurs on the processing chamber or the transfer path due to the abnormal vibration determination It may have a misregistration detection module (misregistration detection step) that indirectly detects this. According to the program, it is possible to easily detect the positional deviation of the wafer generated on the processing chamber or the transfer system path.

図6は本発明の実施の形態に係る処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図6においては、図1の処理装置における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。   FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a modified example of the processing apparatus according to the embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same components as those in the processing apparatus of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図6において、処理装置100は、平面縦長六角形のトランスファユニット60と、該トランスファユニット60の周囲において放射状に配置された6つのプロセスユニット61,62,63,64,65,66、ローダーユニット6と、該ローダーユニット6及びトランスファユニット60の間に配置され、ローダーユニット6及びトランスファユニット60を連結する2つのロードロックユニット67,68とを備えている。トランスファユニット60及び各プロセスユニット61〜66は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット60と各プロセスユニット61〜66とは、それぞれゲートバルブ70,71,72,73,74,75を介して接続されている。   In FIG. 6, the processing apparatus 100 includes a plane vertically long hexagonal transfer unit 60, six process units 61, 62, 63, 64, 65, 66, and a loader unit 6 that are arranged radially around the transfer unit 60. And two load lock units 67 and 68 that are arranged between the loader unit 6 and the transfer unit 60 and connect the loader unit 6 and the transfer unit 60. The internal pressure of the transfer unit 60 and each process unit 61 to 66 is maintained in a vacuum, and the transfer unit 60 and each process unit 61 to 66 are respectively connected through gate valves 70, 71, 72, 73, 74, and 75. It is connected.

処理装置100では、ローダーユニット6の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット60の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロードロックユニット67,68は、それぞれトランスファユニット60との連結部と、ローダーユニット6との連結部とにゲートバルブ76,77,78,79を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備室として構成されている。また、ロードロックユニット67,68は、ローダーユニット6及びトランスファユニット60の間において受け渡されるウエハwを一時的に載置するための上はウエハ載置台80,81を有する。   In the processing apparatus 100, the internal pressure of the loader unit 6 is maintained at atmospheric pressure, while the internal pressure of the transfer unit 60 is maintained at vacuum. Therefore, each load lock unit 67, 68 can be adjusted in its internal pressure by providing gate valves 76, 77, 78, 79 at the connecting portion with the transfer unit 60 and the connecting portion with the loader unit 6, respectively. It is configured as a vacuum preparatory chamber. The load lock units 67 and 68 have wafer mounting tables 80 and 81 for temporarily mounting the wafer w transferred between the loader unit 6 and the transfer unit 60.

各プロセスユニット61〜66は、それぞれ処理が施されるウエハを載置するウエハ載置台82,83,84,85,86,87を有する。トランスファユニット60は、2つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット90を備えている。該搬送アームユニット90は、トランスファユニット60内に長手方向に配設されたガイドレール91に沿って移動し、各プロセスユニット61〜66やロードロックユニット67,68の間においてウエハwを搬送するようになっている。この処理装置100においても図1の処理装置1と同様の効果がを奏することができる。   Each of the process units 61 to 66 includes wafer mounting tables 82, 83, 84, 85, 86, and 87 on which wafers to be processed are mounted. The transfer unit 60 includes a transfer arm unit 90 composed of two SCARA arm type transfer arms. The transfer arm unit 90 moves along a guide rail 91 disposed in the longitudinal direction in the transfer unit 60 so as to transfer the wafer w between the process units 61 to 66 and the load lock units 67 and 68. It has become. This processing apparatus 100 can achieve the same effects as the processing apparatus 1 of FIG.

図8は処理装置における一連の処理フローを説明するための図で、(a)は通常の場合のフローチャートであり、(b)は異常検知の場合のフローチャートである。通常の場合、図8の(a)に示すように、搬送アーム20によりフープ2内からウエハwを位置合わせ機構であるオリエンタに搬送し(S1)、ウエハwの向き(すなわちオリフラ又はノッチの位置)を合わせ、該ウエハをプロセスシップに搬送し(S2)、エッチング等の所定の処理を行い、処理済みのウエハwをパージストレージ5に搬送し(S3)、ウエハwに吸着しているガスの掃気処理を行い、ウエハwをフープ2に搬送する(S4)。   FIG. 8 is a diagram for explaining a series of processing flows in the processing apparatus. FIG. 8A is a flowchart in a normal case, and FIG. 8B is a flowchart in the case of abnormality detection. In the normal case, as shown in FIG. 8A, the wafer w is transferred from the FOUP 2 to the orienter as the alignment mechanism by the transfer arm 20 (S1), and the direction of the wafer w (that is, the position of the orientation flat or notch). ), The wafer is transferred to a process ship (S2), a predetermined process such as etching is performed, the processed wafer w is transferred to the purge storage 5 (S3), and the gas adsorbed on the wafer w is transferred. A scavenging process is performed, and the wafer w is transferred to the FOUP 2 (S4).

処理装置が正常に動作している場合には、ローダーユニット6のMC42並びにEC41は通常モードとして上述のような工程が行われる。一方、ウエハが一時保管部に正常に載置されず、異常を生じた場合には工程が変わる。この工程に関して図8の(b)を参照して説明すると、例えばプロセスシップ4A〜4Cにおいて何らかの原因でウエハwに位置ずれが発生した場合、搬送アーム20によりウエハwをパージストレージ5に搬送搭載する際にウエハの一部が基板搭載部23に衝突し、その時の衝撃(振動加速度、振動周波数など)から振動センサ29により異常振動が検出される(S4)と、センサアンプ32から異常振動を判定した信号(NG)がアームコントローラ30に出力され、該アームコントローラ30は異常モードを選択して搬送アーム20の駆動を一時的に停止し、ローダーユニット6のMC42EC並びにECはメンテナンスモードに変更される(S5)。   When the processing apparatus is operating normally, the MC 42 and the EC 41 of the loader unit 6 perform the above-described processes in the normal mode. On the other hand, if the wafer is not normally placed on the temporary storage unit and an abnormality occurs, the process changes. This process will be described with reference to FIG. 8B. For example, when the wafer w is misaligned for some reason in the process ships 4A to 4C, the wafer w is transferred to the purge storage 5 by the transfer arm 20. When a part of the wafer collides with the substrate mounting portion 23 and abnormal vibration is detected by the vibration sensor 29 from the impact (vibration acceleration, vibration frequency, etc.) at that time (S4), the sensor amplifier 32 determines the abnormal vibration. The signal (NG) is output to the arm controller 30. The arm controller 30 selects the abnormal mode and temporarily stops driving the transfer arm 20, and the MC 42EC and EC of the loader unit 6 are changed to the maintenance mode. (S5).

メンテナンスモードになると、搬送アーム20は、当該異常ウエハを当初予定していたフープには搬送せず、別のフープに搬送して回収する(S6)。この場合、ダミーウエハが待機しているダミーフープ、ダミーストッカ(図示省略)に一時的に退避させるようにしても良い。或いは異常のウエハは作業員が取り出すようにしても良い。メンテナンスモードでは、自動的にオートセットアップ処理を行って圧力、処理ガスの流量、温度、電力などの処理条件値を自動的に検査し、正常値(初期設定値)に復帰させるようにしても良い。   In the maintenance mode, the transfer arm 20 does not transfer the abnormal wafer to the originally planned FOUP, but transfers it to another FOUP and collects it (S6). In this case, the dummy wafer may be temporarily retracted to a dummy hoop or dummy stocker (not shown) in which the dummy wafer is waiting. Alternatively, an abnormal wafer may be taken out by an operator. In the maintenance mode, auto-setup processing is automatically performed to automatically inspect processing condition values such as pressure, processing gas flow rate, temperature, and power, and to return to normal values (initial setting values). .

以上、本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、処理装置におけるプロセスユニットとしては、CVD処理等を施すものであっても良く、常圧処理を行うものであっても良い。   As mentioned above, although embodiment thru | or example of this invention has been explained in full detail with drawing, this invention is not limited to the said embodiment thru | or example, Various in the range which does not deviate from the summary of this invention. Design changes can be made. For example, as a process unit in the processing apparatus, a CVD process or the like may be performed, or a normal pressure process may be performed.

本発明の実施の形態に係る処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 搬送アームのピック部を示す図で、(a)は平面図、(b)は正面図である。It is a figure which shows the pick part of a conveyance arm, (a) is a top view, (b) is a front view. パージストレージの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of purge storage. 基板搭載部の要部を概略的に示す正面図である。It is a front view which shows roughly the principal part of a board | substrate mounting part. 図1の処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the system controller in the processing apparatus of FIG. 本発明の実施の形態に係る処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the modification of the processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. ローダーユニットの一側部を概略的に示す図である。It is a figure which shows the one side part of a loader unit roughly. 処理装置における一連の処理フローを説明するための図で、(a)は通常の場合のフローチャートであり、(b)は異常検知の場合のフローチャートである。It is a figure for demonstrating a series of processing flows in a processing apparatus, (a) is a flowchart in the normal case, (b) is a flowchart in the case of abnormality detection.

符号の説明Explanation of symbols

1,100 処理装置
w 半導体ウエハ(基板)
2 フープ(運搬容器)
3 フープ載置台(載置台)
5 パージストレージ(一時保管部)
6 ローダーユニット(搬送部)
7〜9 プロセスユニット(処理室)
20 搬送アーム
23 基板搭載部
24 保持溝
25 支柱
26 棒状ヒータ(加熱部材)
29 振動センサ
30 アームコントローラ(制御部)
50 データ収集記録部
61〜66 プロセスユニット(処理室)
1,100 Processing equipment w Semiconductor wafer (substrate)
2 Hoop (conveying container)
3 Hoop mounting table (mounting table)
5 Purge storage (temporary storage)
6 Loader unit (conveyance unit)
7-9 Process unit (processing chamber)
20 Transfer arm 23 Substrate mounting portion 24 Holding groove 25 Post 26 Rod heater (heating member)
29 Vibration sensor 30 Arm controller (control unit)
50 Data collection and recording unit 61-66 Process unit (processing room)

Claims (7)

複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数の基板を多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部と、前記基板を前記載置台上の運搬容器、処理室、及び一時保管部の間で搬送する搬送アームを有する搬送部と、前記基板搭載部の振動を検出する振動センサと、該振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる制御部とを備えたことを特徴とする処理装置。   A mounting table for mounting a transport container storing a plurality of substrates; a processing chamber for performing a predetermined process on the substrates; a temporary storage unit having a substrate mounting unit for mounting a plurality of processed substrates in multiple stages; A transport unit having a transport arm for transporting the substrate between the transport container on the mounting table, the processing chamber, and the temporary storage unit, a vibration sensor for detecting vibration of the substrate mounting unit, and current detection by the vibration sensor A processing apparatus comprising: a control unit that compares a value with a preset set value to determine whether or not the vibration is abnormal, and stops the transfer arm when the vibration is determined to be abnormal. 前記一時保管部は、該一時保管部内に流入する清浄空気を排気して基板周囲の残存ガスを掃気するパージストレージであることを特徴とする請求項1記載の処理装置。   The processing apparatus according to claim 1, wherein the temporary storage unit is a purge storage that exhausts clean air flowing into the temporary storage unit to scavenge residual gas around the substrate. 前記基板搭載部は、基板の周縁部を保持する保持溝を多段に有する複数本の耐熱性材料からなる支柱と、各支柱の内部に設けられ支柱を所定温度に加熱する加熱部材とを備えたことを特徴とする請求項1記載の処理装置。   The substrate mounting section includes a plurality of support columns made of a heat-resistant material having multiple holding grooves for holding the peripheral edge of the substrate, and a heating member that is provided inside each support column and heats the support column to a predetermined temperature. The processing apparatus according to claim 1. 前記振動センサから出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部を備えたことを特徴とする請求項1記載の処理装置。   The processing apparatus according to claim 1, further comprising a data collection and recording unit that collects and records data output from the vibration sensor over time. 搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる搬送アーム停止モジュールとを有することを特徴とするプログラム。   A program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and using a vibration sensor to generate vibration from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module that detects the vibration, a determination module that compares the current detection value of the vibration sensor with a preset setting value to determine whether or not the vibration is abnormal, and stops the transfer arm when the vibration is determined to be abnormal And a transfer arm stop module. 搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により基板の周縁部に損傷を起こしたことを検出する基板損傷検出モジュールとを有することを特徴とするプログラム。   A program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and using a vibration sensor to generate vibration from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module to be detected, a determination module that compares the current detection value of the vibration sensor with a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and damage to the peripheral edge of the substrate due to the determination of abnormal vibration And a board damage detection module for detecting occurrence of the problem. 搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上で基板の位置ずれが発生したことを検出する位置ずれ検出モジュールとを有することを特徴とするプログラム。
A program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and using a vibration sensor to generate vibration from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module to be detected, a determination module for comparing the current detection value by the vibration sensor with a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and on the processing chamber or the transfer path by the determination of abnormal vibration And a misregistration detection module for detecting that the misregistration of the substrate has occurred.
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