JP2006278396A - Processor and program - Google Patents
Processor and program Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006278396A JP2006278396A JP2005090832A JP2005090832A JP2006278396A JP 2006278396 A JP2006278396 A JP 2006278396A JP 2005090832 A JP2005090832 A JP 2005090832A JP 2005090832 A JP2005090832 A JP 2005090832A JP 2006278396 A JP2006278396 A JP 2006278396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibration
- substrate
- unit
- wafer
- temporary storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
Abstract
Description
本発明は、処理装置及びプログラムに係り、特に一時保管部で基板のチッピングを検出する技術に関する。 The present invention relates to a processing apparatus and a program, and more particularly to a technique for detecting chipping of a substrate in a temporary storage unit.
半導体装置の製造においては、被処理基板である例えば半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に各種の処理例えばエッチング処理等を施す工程があり、これらの工程を実行するための処理装置が用いられている。処理装置は、複数枚例えば25枚のウエハを収納した運搬容器であるフープ(Front Opening Unified Pod)を載置するフープ載置台と、前記ウエハに所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数枚のウエハを多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部であるパージストレージと、前記ウエハを前記フープ載置台上のフープ、処理室、及びパージストレージの間で搬送する搬送アームを有する搬送部とを備えている。 In the manufacture of a semiconductor device, there are processes for performing various processes such as an etching process on a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and a processing apparatus for executing these processes is used. Yes. The processing apparatus includes a FOUP mounting table on which a FOUP (Front Opening Unified Pod), which is a transport container storing a plurality of wafers, for example, 25 wafers, a processing chamber for performing a predetermined process on the wafers, and a plurality of processed wafers. A purge storage that is a temporary storage unit having substrate mounting units for mounting a plurality of wafers in multiple stages, and a transfer unit having a transfer arm that transfers the wafer between the hoop on the FOUP mounting table, the processing chamber, and the purge storage. And.
ウエハは処理室内で所定の処理ガス雰囲気下で例えばエッチング処理が施された後、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部に搬送搭載され、このパージストレージ内にて流通排気されている清浄空気により、ウエハの表面近くに残存する処理ガス(以下、残存ガスという。)を取除く(掃気する)ように構成されている。 The wafer is subjected to, for example, an etching process under a predetermined processing gas atmosphere in the processing chamber, and then transferred and mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm, and the clean air circulated and exhausted in the purge storage, A processing gas (hereinafter referred to as residual gas) remaining near the surface of the wafer is removed (scavenged).
ところで、処理装置においては、処理室に設けられた、ウエハを保持するための静電チャックの除電がうまくいかないことにより、ウエハが跳ね上がり、ウエハの位置ズレが生じる場合がある。この位置ズレに起因してウエハが搬送アームにおけるウエハの支持部であるピック部上でも正規の位置からずれた状態で支持されるため、搬送アームによりウエハを基板搭載部に搭載する際にウエハの周縁部の一部分が基板搭載部に衝突し、その衝撃でウエハの周縁部にチッピング(欠け)が生じる場合がある。 By the way, in the processing apparatus, there is a case where the wafer jumps up and the wafer is misaligned due to failure of static elimination of the electrostatic chuck provided in the processing chamber for holding the wafer. Due to this misalignment, the wafer is also supported on the pick part, which is the wafer support part in the transfer arm, in a state shifted from the normal position. Therefore, when the wafer is mounted on the substrate mounting part by the transfer arm, A part of the peripheral portion may collide with the substrate mounting portion, and the impact may cause chipping (chip) at the peripheral portion of the wafer.
ウエハのチッピングは、次工程以降にウエハの破損を招来する恐れがある。特に、熱処理工程において、チッピングが起点となり、ウエハ割れを起こしやすい。フープ4個分のウエハを一度に処理する4ロットバッチ処理式の縦型熱処理装置の場合、ウエハボートにウエハが最大で100枚搭載可能であるが、その最上部でウエハ割れが起こると、ウエハの落下で下段のウエハが次々と破損され、多大な損失を招く可能性がある。 The chipping of the wafer may cause damage to the wafer after the next process. In particular, in the heat treatment process, chipping is the starting point and wafer cracking is likely to occur. In the case of a 4-lot batch process type vertical heat treatment system that processes four wafers at a time, a maximum of 100 wafers can be mounted on a wafer boat. The lower wafers may be damaged one after another by the fall of this, which may cause a great loss.
しかしながら、従来の処理装置においては、ウエハのチッピングを検出する機能を備えていなかった。このため、チッピングを起こしたウエハをエラーなく搬送してフープに収納してしまい、次工程以降でウエハ割れ、ロット不良の原因になる可能性があった。 However, the conventional processing apparatus does not have a function of detecting wafer chipping. For this reason, the chipped wafer is transported without error and stored in the hoop, which may cause wafer cracks and lot defects in subsequent processes.
なお、関連する技術としては、ウエハ搬送装置におけるウエハの支持部としてのツィーザ(ピック部に相当する。)の撓み不良や調整不良等に起因してツィーザがウエハに接触してウエハ表面に傷が付くのを抑制するために、ツィーザに振動センサを設けた半導体製造装置が提案されている(特開2001−223254号公報参照)が、この半導体製造装置においては、ウエハ搬送装置自体の動作に伴う振動とウエハの接触に伴う振動との判別ないし切り分けが難しいだけでなく、ウエハの衝突時にウエハがツィーザ上を滑るため、ツィーザにウエハ衝突時の振動が伝わらない可能性がある。 As a related technique, a tweezer (corresponding to a pick unit) serving as a wafer support unit in a wafer transfer apparatus is damaged by a bend or adjustment failure, and the surface of the wafer is damaged. In order to suppress sticking, a semiconductor manufacturing apparatus in which a vibration sensor is provided in a tweezer has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-223254). In this semiconductor manufacturing apparatus, the operation of the wafer transfer apparatus itself is accompanied. Not only is it difficult to discriminate between vibration and vibration caused by contact with the wafer, but also the wafer slides on the tweezers when the wafer collides, so that the vibration at the time of the wafer collision may not be transmitted to the tweezers.
また、関連する他の技術としては、縦型熱処理装置における搬送体としてのボートに、振動によるパーティク発生を防止するために、振動センサを設けたものも提案されている(韓国特開2001−45630号公報参照)。 As another related technique, a boat provided as a carrier in a vertical heat treatment apparatus with a vibration sensor is proposed in order to prevent the occurrence of partying due to vibration (Korea, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001). No. 45630).
前述したように、前記処理装置においては、処理室で発生するウエハの位置ズレを検出することができないばかりか、処理室からの処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送、搭載する際に発生するウエハのチッピングを検出することができなかった。このため、チッピングを起こしたウエハをエラーなく搬送してフープに収納してしまい、次工程以降でウエハ割れないしウエハの破損の原因となる可能性があった。 As described above, in the processing apparatus, not only the positional deviation of the wafer generated in the processing chamber cannot be detected, but also the processed wafer from the processing chamber is transported and mounted on the substrate mounting portion of the temporary storage unit. It was not possible to detect the chipping of the wafer that occurred at the time. For this reason, the chipped wafer is transported without error and stored in the hoop, which may cause wafer cracking or wafer breakage in subsequent processes.
本発明は、前記事情を考慮してなされたものであり、処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる処理装置及びプログラムを提供することを目的とする。また、本発明の目的は、処理室又は搬送系路上で発生した基盤の位置ずれを容易に検出することができる処理装置及びプログラムを提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and can easily detect chipping of a substrate that may occur when a processed wafer is transported and mounted on a substrate mounting portion of a temporary storage unit. An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a program capable of preventing the substrate from being damaged after the next step. It is another object of the present invention to provide a processing apparatus and a program that can easily detect a positional shift of a substrate that has occurred in a processing chamber or a transfer system path.
前記目的を達成するために、本発明のうち、請求項1記載の処理装置は、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数の基板を多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部と、前記基板を前記載置台上の運搬容器、処理室、及び一時保管部の間で搬送する搬送アームを有する搬送部と、前記基板搭載部の振動を検出する振動センサと、該振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる制御部とを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the processing apparatus according to
請求項2の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記一時保管部が、該一時保管部内に流入する清浄空気を排気して基板周囲の残存ガスを掃気するパージストレージであることを特徴とする。
The processing apparatus according to
請求項3の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記基板搭載部が、基板の周縁部を保持する保持溝を多段に有する複数本の耐熱性材料からなる支柱と、各支柱の内部に設けられ支柱を所定温度に加熱する加熱部材とを備えたことを特徴とする。
The processing apparatus according to
請求項4の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記振動センサから出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部を備えたことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the processing apparatus according to the first aspect, further comprising a data collection and recording unit that collects and records data output from the vibration sensor over time.
請求項5記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる搬送アーム停止モジュールとを有することを特徴とする。
The program according to
請求項6記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により基板にチッピングを起こしたことを検出するチッピング検出モジュールとを有することを特徴とする。
The program according to
請求項7記載のプログラムは、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上で基板の位置ずれが発生したことを検出する位置ずれ検出モジュールとを有することを特徴とする。 The program according to claim 7 is a program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module that detects a generated vibration using a vibration sensor, a determination module that determines whether or not the vibration is abnormal by comparing a current detection value of the vibration sensor with a preset setting value, And a misregistration detection module for detecting that the misregistration of the substrate has occurred on the processing chamber or the transfer path.
請求項1記載の処理装置によれば、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に所定の処理を施す処理室と、処理済みの複数の基板を多段に搭載する基板搭載部を有する一時保管部と、前記基板を前記載置台上の運搬容器、処理室、及び一時保管部の間で搬送する搬送アームを有する搬送部と、前記基板搭載部の振動を検出する振動センサと、該振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アームの搬送動作を停止させる制御部とを備えているため、処理済みのウエハを一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。
According to the processing apparatus of
請求項2の処理装置によれば、前記一時保管部が、該一時保管部内に流入する清浄空気を排気して基板周囲の残存ガスを掃気するパージストレージであるため、処理済みの基板周囲の残存ガスによる基板の変質ないし汚染を防止することができる。
According to the processing apparatus of
請求項3の処理装置によれば、前記基板搭載部が、基板の周縁部を保持する保持溝を多段に有する複数本の耐熱性材料からなる支柱と、各支柱の内部に設けられ支柱を所定温度に加熱する加熱部材とを備えているため、処理済みの基板周囲の残存ガスによる基板搭載部への反応副生成物の付着を抑制し、クリーニング周期の短縮化が図れる。
According to the processing apparatus of
請求項4の処理装置によれば、前記振動センサから出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部を備えているため、どの基板がいつチッピングを起こしたかを容易に解析することができる。
According to the processing apparatus of
請求項5記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アームを停止させる搬送アーム停止モジュールとを有しているため、処理済みの基板を一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができると共に搬送アームを停止させることができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。
The program according to
請求項6記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により基板にチッピングを起こしたことを検出するチッピング検出モジュールとを有しているため、処理済みの基板を一時保管部の基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがある基板のチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。
The program according to
請求項7記載のプログラムによれば、搬送アームによる一時保管部への基板の搬送をコンピュータに実行させるプログラムであって、搬送アームにより一時保管部の基板搭載部に基板を搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上で基板の位置ずれが発生したことを検出する位置ずれ検出モジュールとを有しているため、処理室又は搬送系路上で発生した基板の位置ずれを容易に検出することができる。 The program according to claim 7 is a program for causing a computer to execute transport of a substrate to a temporary storage unit by a transport arm, and mounting the substrate when mounting the substrate on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transport arm A vibration detection module for detecting vibration generated from a part using a vibration sensor, a determination module for comparing whether a current detection value by the vibration sensor and a preset set value are abnormal vibrations, Since it has a misalignment detection module that detects the occurrence of misalignment of the substrate on the processing chamber or the transport path based on the vibration determination, the misalignment of the substrate generated on the processing chamber or the transport path can be easily performed. Can be detected.
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を基に詳述する。図1は本発明の実施の形態に係る処理装置の概略構成を示す平面図である。 The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
図1において、1は被処理基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという。)wを一枚ずつ搬送して所定の処理を施す枚葉式の処理装置である。この処理装置1は、複数例えば25枚のウエハwを収納した運搬容器としてのフープ2を載置する載置台である複数例えば4つのフープ載置台3と、前記ウエハwに所定の処理例えばエッチング処理を施すプロセスユニット(処理室)を含む3つのプロセスシップ4A,4B,4Cと、処理済みの複数枚のウエハwを多段に搭載して一時的に保管する一時保管部としてのパージストレージ5と、前記ウエハwを前記フープ載置台3上のフープ2、プロセスシップ4A〜4C、及びパージストレージ5の間で搬送する搬送部であるローダーユニット6とを備えている。プロセスシップ4A〜4Cは、プロセスユニット7,8,9とロードロックユニット10,11,12からなっている。
In FIG. 1,
前記プロセスシップ4A〜4Cは、ウエハwに所定の処理を施す処理室例えば真空処理室としてのプロセスユニット7,8,9と、該プロセスユニット7〜9にウエハwを受け渡す搬送アーム(図示省略)を内蔵するロードロックユニット10,11,12とを有する。プロセスユニット7〜9は、円筒状の処理室容器(チャンバ)と、該チャンバ内の配置された上部電極及び下部電極とを有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハにエッチング処理例えば反応性イオンエッチング処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハをクーロン力等によって保持する静電チャックをその頂部に有する。
The
プロセスユニット7〜9では、チャンバ内に処理ガスを導入し、電極で電界を発生させることにより処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハwに反応性イオンエッチング処理を施す。また、プロセスユニット7〜9では、チャンバ内に腐食性ガス(例えばNH3)とHFを導入し、電界を用いないでCOR(Chemical Oxide Removal)処理によってウエハwに等方性エッチング処理を施す。プロセスシップ4A〜4Cでは、ローダーユニット6の内部圧力は大気圧に維持される一方、プロセスユニット7〜9の内部圧力は真空に維持される。このため、ロードロックユニット10〜12は、ローダードユニットとの連結部にゲートバルブ13,14,15を備えると共に、プロセスユニット7〜9との連結部にゲートバルブ16,17,18を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成されている。
In the process units 7 to 9, a processing gas is introduced into the chamber, an electric field is generated at the electrode, and the processing gas is turned into plasma to generate ions and radicals. The ions and radicals are used to perform reactive ion etching on the wafer w. Apply. In the process units 7 to 9, a corrosive gas (for example, NH 3 ) and HF are introduced into the chamber, and an isotropic etching process is performed on the wafer w by a COR (Chemical Oxide Removal) process without using an electric field. In the process ships 4A to 4C, the internal pressure of the
ローダーユニット6は、横方向に長尺の箱状をなし、内部にはフィルタを介して清浄空気が上方から導入されている。ローダーユニット6は、内部に配置された搬送アーム機構18と、フープ載置台3と対応する一方の側壁(前面部)に配置されたウエハの投入口としての4つのロードポート19とを有する。ロードポートは3つでも良く、また、量産クリーンルームに適宜対応し拡張して4つ以上でも良い。前記3つのプロセスシップ7〜9はローダーユニット6の他方の側壁(背面部)に接続されている。前記搬送アーム機構18は、ローダーユニット6内に長手方向に配置したガイドレール(図示省略)に沿って電磁石駆動による往復移動可能なx軸移動部と、該x軸移動部上に昇降可能に設けられたz軸移動部を介して水平旋回可能な旋回台と、該旋回台上に設けられ半径方向ないし水平方向へ伸縮可能な多関節型の搬送アーム20とを有する。
The
搬送アーム20は先端にウエハwを支持するピック部21を有する。図2は搬送アームのピック部を示す図で、(a)は平面図、(b)は正面図である。ピック部21は例えばセラミックス製の平面U字状の薄板からなり、その上面部にはウエハwの周縁部に接してウエハを所定位置(正規の位置)に位置決めするための複数例えば4つのテーパー状の規制ピン22を有する。通常は規制ピン22により規制されてウエハwはピック部21上に水平に支持される。ところが、例えばプロセスユニット7〜9における静電チャックの除電がうまくいかなかった等の原因によりウエハwが位置ずれを起こし、その位置ずれ状態のままウエハwが搬送アーム20のピック部21に支持されると、図2の(b)に仮想線で示すようにウエハwは一側方へ突出した状態或いは一側方へ突出して傾斜した状態に支持されることがある。
The
前記パージストレージ5はローダーユニット6の長手方向の一端に接続されている。また、ローダーユニット6の長手方向の一端には、フープ2からローダーユニット6内に搬入されたウエハwの位置をプリアライメントするオリエンタ55も接続されており、該オリエンタ55と前記パージストレージ5は上下に重なるように配置されている(図7参照)。オリエンタ55とパージストレージ5は、どちらが上下になっていても良く、相対的に上下関係になっている。上下にウエハwは搬送アームによりオリエンタ55にも搬送される。
The
搬送アーム20はフープ2内に多段に収納された25枚のウエハwを搬送可能なように25ピッチのストロークで昇降可能であるが、パージストレージ5の上にオリエンタがある分、パージストレージ5におけるウエハwの搭載枚数が19枚に制限されている。なお、ローダーユニット6の長手方向の一端にオリエンタを配置し、ローダーユニット6の長手方向の他端にパージストレージ5を配置すれば、当該パージストレージ5は25枚のウエハを搭載可能に構成することができる。
The
図3はパージストレージの概略構成を示す平面図であり、図4は基板搭載部の要部を概略的に示す正面図である。パージストレージ5は、ローダユニット6側の一端が開口された箱状をなし、内部に複数例えば19枚のウエハwを多段に搭載する基板搭載部23を有する。該基板搭載部23は、ウエハwの周縁部を保持する保持溝24を多段に有する複数本例えば4本のセラミックス製の支柱25と、各支柱25の内部に設けられ支柱25を所定温度に加熱する加熱部材としての棒状ヒータ26とを備えている。支柱25はパージストレージ5内に設置されるベースプレート27上に立設されている。
FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the purge storage, and FIG. 4 is a front view schematically showing a main part of the substrate mounting portion. The
基板搭載部23は、処理後のウエハwの周囲に残存する残存ガスの接触により反応副生成物が付着堆積するのを抑制し、パージストレージ5のクリーニング周期を長くするために、支柱25が棒状ヒータ26により所定の温度例えば60℃程度に加熱されている。この加熱温度に耐え得るように支柱25は耐熱性を有する材料例えばセラミックスによって形成されている。支柱を形成する耐熱性材料としては、セラミックス以外に、例えば炭素棒、石英ガラス、ガラス繊維強化ポリエチレンテレフタレート(GF−PET)、耐熱性樹脂(含香族ポリアミド、PES、PEEK、PEK、LCP、熱可塑性PI、超耐熱性ケイ素ポリマー、PCT樹脂、母材にナノ粒子、ナノチューブ、ナノホーン等のナノフィラーを添加して複合化したナイロン系ナノコンポジット)でも良い。支柱25は、反り変形が生じにくいように、両側に保持溝24が略対称に設けられていることが好ましい。
In the substrate mounting portion 23, in order to prevent the reaction by-product from adhering and depositing due to the contact of the residual gas remaining around the wafer w after processing, and to extend the cleaning cycle of the
パージストレージ5は、ローダユニット6側から流入する清浄空気を排気するための排気口28を有し、清浄空気と共にウエハ周囲の残存ガスを掃気するようになっている。前記排気口28は除外装置を備えた工場排気系に接続されている。
The
前述したように搬送アーム20のピック部21にウエハwが一側方へ突出して支持されている場合、そのウエハwを基板搭載部23に搭載する際に、図4に仮想線で示すようにウエハwの周縁部の一部分が基板搭載部23に接触ないし衝突し、その衝撃でウエハの周縁部にピッチングが発生する場合がある。そこで、基板搭載部23から発生する振動を検出してウエハwのピッチングを検出するために、基板搭載部23には該基板搭載部23の振動を検出する振動センサ29が設けられている。
As described above, when the wafer w is supported on the
搬送アーム20によるウエハwの支持、搬送ないし移載動作時の振動加速度は2m/s2以下であるのに比して、ウエハwが基板搭載部23に衝突した時の振動加速度は20m/s2以上と大きな差がある(S/N比が大きい)ため、基板搭載部23におけるウエハwの衝突、延いては該衝突によるウエハwのピッチングの発生を容易に検出することができる。振動センサによる検出値は振動加速度に限られず、振動時の周波数成分を検知し、設定値と比較しても良い。
Supporting the wafer w by the
前記処理装置1は、前記振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20の動作を停止させる制御部であるアームコントローラ30を備えている。前記振動センサ29は各支柱25の基部(下部)側に取付けられていることが好ましい。また、腐食性を有する残存ガスから振動センサ29を保護するために、振動センサ29には保護カバー31が設けられていることが好ましい。振動センサ29は、光学センサと異なり、保護カバー31をつけても検出可能で反応副生成物の付着による影響も受けにくいという利点を有する。
The
各振動センサ29からの検出信号(出力信号)はセンサアンプ32に入力され、該センサアンプ32にて現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して検出値が設定値を超えているか否かにより異常振動(NG)か否か(OK)を判定する。センサアンプ32からの出力信号はインターフェースボード33を介してアームコントローラ30にデジタル信号で入力され、異常振動の場合、搬送アーム20を停止させるインターロックがかかるシステムになっている。この時、同時に警報が作動するよう構成されていても良い。インターフェースボード33においては、ORゲート、保持・リセット回路及びマスクを含む。マスクは例えば搬送アーム20の伸張時にのみ信号を通すように設定されている。
A detection signal (output signal) from each
前記処理装置1は、3つのプロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット6の長手方向の一端に配置されたオペレーションコントローラ40とを備えている。オペレーションコントローラ40は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)からなる表示部を有し、該表示部は処理装置1の各構成要素の動作状況を表示する。
The
図5は図1の処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。図5に示すように、システムコントローラは、EC(Equipment Controller)41と、4つのMC(Module Controller)42,43,44,45と、EC41及びMC42〜45を接続するスイッチングハブ46とを備えている。該システムコントローラは、EC41からLAN(Local Area Network)を介して処理装置1が設置されている工場全体の製造工程を管理するMES(Manufacturing Execution System)としてのホストコンピュータ47に接続されている。ホストコンピュータ47はシステムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム(図示省略)にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a system controller in the processing apparatus of FIG. As shown in FIG. 5, the system controller includes an EC (Equipment Controller) 41, four MC (Module Controllers) 42, 43, 44, and 45, and a
EC41は、各MC42〜45を統括して処理装置全体の動作を制御する主制御部(マスタ制御部)である。また、EC41は、CPU、RAM、HDD等を有し、オペレーションコントローラ40においてユーザ等によって指定されたウエハの処理方法すなわちレシピに対応するプログラムに応じてCPUが、各MC42〜45に制御信号を送信することより、各プロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御する。
The
前記スイッチングハブ46は、EC41からの制御信号に応じてEC41の接続先としてのMC42〜45を切り替える。MC42〜45は、各プロセスシップ4A〜4C及びローダーユニット6の動作を制御する副制御部(スレーブ制御部)である。各MC42〜45は、GHOSTネットワークを介して各I/O(入出力)モジュール48にそれぞれ接続されている。GHOST(general High-Speed Optimum Scalable Transceiver)と称されるLSIによって実現されるネットワークである。GHOSTネットワークでは、MC42〜45がマスタに該当し、I/Oモジュール48がスレーブに該当する。
The switching
I/Oモジュール48は、ローダーユニット6の各構成要素(エンドデバイス)に接続された複数のI/O部49を有し、エンドデバイスへの制御信号及びエンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。GHOSTネットワークには、I/O部49におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するI/Oボードも接続されている。
The I /
図5のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがEC41に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたI/O部49がモジュール化されてI/Oモジュール48を構成し、該I/Oモジュール48がMC42〜45及びスイッチングハブ46を介してEC41に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
In the system controller of FIG. 5, the I /
また、EC41のCPUが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたI/O部のアドレス、及び当該I/O部を含むI/Oモジュールのアドレスを参照し、MC42〜45のGHOSTが制御信号におけるI/O部のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ46やMC42〜45がCPUに制御信号の送信先の問合せを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
The control signal transmitted by the CPU of the
また、システムコントローラは、前記振動センサ29から出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部としてのデータ収集サーバ50を備えている。この場合、振動センサ29から出力されるデータである検出信号はセンサアンプ32からアナログ信号として取り出されてI/O部49に入力され、ネットワークを介してデータ収集サーバ50に入力される。
The system controller also includes a
以上のように構成された処理装置1によれば、複数のウエハwを収納したフープ2を載置するフープ載置台3と、前記ウエハwに所定の処理を施すプロセスユニットを含むプロセスシップ4A〜4Cと、処理済みの複数のウエハwを多段に搭載する基板搭載部23を有するパージストレージ5と、前記ウエハwを前記フープ載置台3上のフープ2、プロセスユニットを含むプロセスシップ4A〜4C、及びパージストレージ5の間で搬送する搬送アーム20を有するローダーユニット6と、前記基板搭載部23の振動を検出する振動センサ29と、該振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定し、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20の動作を停止させるアームコントローラ20とを備えているため、処理済みのウエハwをパージストレージ5の基板搭載部23に搬送搭載する際に発生することがあるウエハwのチッピングを容易に検出することができ、次工程以降のウエハwの破損を防止することができる。次工程がバッチ処理式の縦型熱処理装置による熱処理工程である場合、1回のチッピング検出にて最大、ウエハ100枚の損失を防ぐことが可能となる。
According to the
また、前記パージストレージ5は、該パージストレージ5内に流入する清浄空気を排気してウエハ周囲の残存ガスを掃気するようになっているため、処理済みのウエハをフープに戻す前にウエハ周囲の残存ガスを取除くことができ、処理済みのウエハ周囲の残存ガスによるウエハの変質ないし汚染を防止することができる。更に、前記基板搭載部23が、ウエハwの周縁部を保持する保持溝24を多段に有する複数本のセラミックス製の支柱25と、各支柱25の内部に設けられ支柱25を所定温度に加熱する棒状ヒータ26とを備えているため、処理済みのウエハ周囲の残存ガスによる基板搭載部23への反応副生成物の付着を抑制し、クリーニング周期の短縮化が図れる。また、前記振動センサ29から出力されるデータを経時的に収集記録するデータ収集記録部としてのデータ収集サーバ50を備えているため、どのウエハwがいつチッピングを起こしたかを容易に解析することが可能となる。
The
本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウエアのプログラム又は該プログラムを記録した記録媒体(記憶媒体)をEC41に供給し、EC41のCPUが記録媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。この場合、記録媒体から読み出されたプログラム事態が前述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラム及び該プログラムを記録した記録媒体は本発明を構成する。
An object of the present invention is to supply a software program for realizing the functions of the above-described embodiments or a recording medium (storage medium) on which the program is recorded to the
搬送アーム20によるパージストレージ5へのウエハwの搬送をコンピュータに実行させるプログラムにおいては、搬送アーム20によりパージストレージ5の基板搭載部23にウエハwを搭載する際に基板搭載部23から発生する振動を振動センサ29により検出する振動検出モジュールと、前記振動センサ29による現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動と判定した時に前記搬送アーム20を停止させる搬送アーム停止モジュールとを有する。該プログラムによれば、処理済みのウエハをパージストレージ5の基板搭載部23に搬送搭載する際に発生することがあるウエハwのチッピングを容易に検出することができると共に搬送アーム20を停止させることができ、次工程以降のウエハwの破損を防止することができる。
In the program for causing the computer to transfer the wafer w to the
なお、プログラムを供給するための記録媒体としては、例えばフロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、磁気テープ等を用いることができる。また、プログラムをネットワークを介してダウンロードしても良い。 As a recording medium for supplying the program, for example, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW Magnetic tape or the like can be used. The program may be downloaded via a network.
プログラムの他の例としては、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部にウエハを搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサにより検出する振動検出モジュールと、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定によりウエハにチッピングを起こしたことを間接的に検出するチッピング検出モジュールとを有するものであっても良い。該プログラムによれば、処理済みのウエハをパージストレージの基板搭載部に搬送搭載する際に発生することがあるウエハのチッピングを容易に検出することができ、次工程以降の基板の破損を防止することができる。 As another example of the program, a vibration detection module that detects vibration generated from the substrate mounting portion when the wafer is mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm, and a current detection value by the vibration sensor And a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and a chipping detection module that indirectly detects that chipping has occurred on the wafer due to the determination of abnormal vibration. May be. According to this program, it is possible to easily detect chipping of a wafer that may occur when a processed wafer is transported and mounted on a substrate mounting portion of a purge storage, and to prevent damage to the substrate after the next process. be able to.
また、プログラムの他の例としては、搬送アームによりパージストレージの基板搭載部にウエハを搭載する際に基板搭載部から発生する振動を振動センサを用いて検出する振動検出モジュール(振動検出ステップ)と、前記振動センサによる現在の検出値と予め設定した設定値とを比較して異常振動か否かを判定する判定モジュールと、異常振動の判定により処理室又は搬送経路上でウエハの位置ずれが発生したことを間接的に検出する位置ずれ検出モジュール(位置ずれ検出ステップ)とを有するものであってもよい。該プログラムによれば、処理室又は搬送系路上で発生したウエハの位置ずれを容易に検出することができる。 As another example of the program, there is a vibration detection module (vibration detection step) that uses a vibration sensor to detect vibration generated from the substrate mounting portion when a wafer is mounted on the substrate mounting portion of the purge storage by the transfer arm. A determination module that compares the current detection value by the vibration sensor with a preset set value to determine whether or not there is abnormal vibration, and a wafer position shift occurs on the processing chamber or the transfer path due to the abnormal vibration determination It may have a misregistration detection module (misregistration detection step) that indirectly detects this. According to the program, it is possible to easily detect the positional deviation of the wafer generated on the processing chamber or the transfer system path.
図6は本発明の実施の形態に係る処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図6においては、図1の処理装置における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。 FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a modified example of the processing apparatus according to the embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same components as those in the processing apparatus of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
図6において、処理装置100は、平面縦長六角形のトランスファユニット60と、該トランスファユニット60の周囲において放射状に配置された6つのプロセスユニット61,62,63,64,65,66、ローダーユニット6と、該ローダーユニット6及びトランスファユニット60の間に配置され、ローダーユニット6及びトランスファユニット60を連結する2つのロードロックユニット67,68とを備えている。トランスファユニット60及び各プロセスユニット61〜66は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット60と各プロセスユニット61〜66とは、それぞれゲートバルブ70,71,72,73,74,75を介して接続されている。
In FIG. 6, the
処理装置100では、ローダーユニット6の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット60の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロードロックユニット67,68は、それぞれトランスファユニット60との連結部と、ローダーユニット6との連結部とにゲートバルブ76,77,78,79を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備室として構成されている。また、ロードロックユニット67,68は、ローダーユニット6及びトランスファユニット60の間において受け渡されるウエハwを一時的に載置するための上はウエハ載置台80,81を有する。
In the
各プロセスユニット61〜66は、それぞれ処理が施されるウエハを載置するウエハ載置台82,83,84,85,86,87を有する。トランスファユニット60は、2つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット90を備えている。該搬送アームユニット90は、トランスファユニット60内に長手方向に配設されたガイドレール91に沿って移動し、各プロセスユニット61〜66やロードロックユニット67,68の間においてウエハwを搬送するようになっている。この処理装置100においても図1の処理装置1と同様の効果がを奏することができる。
Each of the
図8は処理装置における一連の処理フローを説明するための図で、(a)は通常の場合のフローチャートであり、(b)は異常検知の場合のフローチャートである。通常の場合、図8の(a)に示すように、搬送アーム20によりフープ2内からウエハwを位置合わせ機構であるオリエンタに搬送し(S1)、ウエハwの向き(すなわちオリフラ又はノッチの位置)を合わせ、該ウエハをプロセスシップに搬送し(S2)、エッチング等の所定の処理を行い、処理済みのウエハwをパージストレージ5に搬送し(S3)、ウエハwに吸着しているガスの掃気処理を行い、ウエハwをフープ2に搬送する(S4)。
FIG. 8 is a diagram for explaining a series of processing flows in the processing apparatus. FIG. 8A is a flowchart in a normal case, and FIG. 8B is a flowchart in the case of abnormality detection. In the normal case, as shown in FIG. 8A, the wafer w is transferred from the
処理装置が正常に動作している場合には、ローダーユニット6のMC42並びにEC41は通常モードとして上述のような工程が行われる。一方、ウエハが一時保管部に正常に載置されず、異常を生じた場合には工程が変わる。この工程に関して図8の(b)を参照して説明すると、例えばプロセスシップ4A〜4Cにおいて何らかの原因でウエハwに位置ずれが発生した場合、搬送アーム20によりウエハwをパージストレージ5に搬送搭載する際にウエハの一部が基板搭載部23に衝突し、その時の衝撃(振動加速度、振動周波数など)から振動センサ29により異常振動が検出される(S4)と、センサアンプ32から異常振動を判定した信号(NG)がアームコントローラ30に出力され、該アームコントローラ30は異常モードを選択して搬送アーム20の駆動を一時的に停止し、ローダーユニット6のMC42EC並びにECはメンテナンスモードに変更される(S5)。
When the processing apparatus is operating normally, the
メンテナンスモードになると、搬送アーム20は、当該異常ウエハを当初予定していたフープには搬送せず、別のフープに搬送して回収する(S6)。この場合、ダミーウエハが待機しているダミーフープ、ダミーストッカ(図示省略)に一時的に退避させるようにしても良い。或いは異常のウエハは作業員が取り出すようにしても良い。メンテナンスモードでは、自動的にオートセットアップ処理を行って圧力、処理ガスの流量、温度、電力などの処理条件値を自動的に検査し、正常値(初期設定値)に復帰させるようにしても良い。
In the maintenance mode, the
以上、本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、処理装置におけるプロセスユニットとしては、CVD処理等を施すものであっても良く、常圧処理を行うものであっても良い。 As mentioned above, although embodiment thru | or example of this invention has been explained in full detail with drawing, this invention is not limited to the said embodiment thru | or example, Various in the range which does not deviate from the summary of this invention. Design changes can be made. For example, as a process unit in the processing apparatus, a CVD process or the like may be performed, or a normal pressure process may be performed.
1,100 処理装置
w 半導体ウエハ(基板)
2 フープ(運搬容器)
3 フープ載置台(載置台)
5 パージストレージ(一時保管部)
6 ローダーユニット(搬送部)
7〜9 プロセスユニット(処理室)
20 搬送アーム
23 基板搭載部
24 保持溝
25 支柱
26 棒状ヒータ(加熱部材)
29 振動センサ
30 アームコントローラ(制御部)
50 データ収集記録部
61〜66 プロセスユニット(処理室)
1,100 Processing equipment w Semiconductor wafer (substrate)
2 Hoop (conveying container)
3 Hoop mounting table (mounting table)
5 Purge storage (temporary storage)
6 Loader unit (conveyance unit)
7-9 Process unit (processing chamber)
20 Transfer arm 23
29
50 Data collection and recording unit 61-66 Process unit (processing room)
Claims (7)
A program for causing a computer to transfer a substrate to a temporary storage unit by a transfer arm, and using a vibration sensor to generate vibration from the substrate mounting unit when the substrate is mounted on the substrate mounting unit of the temporary storage unit by the transfer arm. A vibration detection module to be detected, a determination module for comparing the current detection value by the vibration sensor with a preset setting value to determine whether or not there is abnormal vibration, and on the processing chamber or the transfer path by the determination of abnormal vibration And a misregistration detection module for detecting that the misregistration of the substrate has occurred.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005090832A JP2006278396A (en) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | Processor and program |
US11/356,985 US20060215347A1 (en) | 2005-03-28 | 2006-02-21 | Processing apparatus and recording medium |
KR1020060026756A KR100745001B1 (en) | 2005-03-28 | 2006-03-24 | Processing apparatus and computer-readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005090832A JP2006278396A (en) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | Processor and program |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006278396A true JP2006278396A (en) | 2006-10-12 |
Family
ID=37212886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005090832A Pending JP2006278396A (en) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | Processor and program |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006278396A (en) |
KR (1) | KR100745001B1 (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123793A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Shimadzu Corp | Cluster type vacuum treatment apparatus |
WO2010010688A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 株式会社アルバック | Action monitoring system for treating device |
JP2011138835A (en) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Canon Anelva Corp | Transfer vibration monitoring device, vacuum processing apparatus, and transfer vibration monitoring method |
JP2014057070A (en) * | 2007-06-21 | 2014-03-27 | Nikon Corp | Wafer bonding method, wafer bonding apparatus, and wafer holder |
KR20150082171A (en) | 2012-11-07 | 2015-07-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Processing method and processing device |
KR20150115734A (en) | 2013-02-04 | 2015-10-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate transport device |
US10593575B2 (en) | 2013-04-29 | 2020-03-17 | GlobalFoundries, Inc. | System and method for monitoring wafer handling and a wafer handling machine |
JP2021061415A (en) * | 2020-12-16 | 2021-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Pick, transport device, and plasma processing system |
CN112786428A (en) * | 2016-07-14 | 2021-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | Pickup, transfer device, and plasma processing system |
JP2023044214A (en) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing method, substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, and program |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5921200B2 (en) * | 2012-01-05 | 2016-05-24 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, degenerate operation program, and production list creation program |
KR101648435B1 (en) * | 2015-01-08 | 2016-08-16 | (주)티티에스 | Wafer Damage Protect Device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060027626A (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | Purge storage of semiconductor device fabrication equipment |
-
2005
- 2005-03-28 JP JP2005090832A patent/JP2006278396A/en active Pending
-
2006
- 2006-03-24 KR KR1020060026756A patent/KR100745001B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014057070A (en) * | 2007-06-21 | 2014-03-27 | Nikon Corp | Wafer bonding method, wafer bonding apparatus, and wafer holder |
JP2009123793A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Shimadzu Corp | Cluster type vacuum treatment apparatus |
KR101585620B1 (en) * | 2008-07-24 | 2016-01-14 | 가부시키가이샤 알박 | Action monitoring system for treating device |
WO2010010688A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 株式会社アルバック | Action monitoring system for treating device |
US8688246B2 (en) | 2008-07-24 | 2014-04-01 | Ulvac, Inc. | Operation monitoring system for processing apparatus |
JP5373793B2 (en) * | 2008-07-24 | 2013-12-18 | 株式会社アルバック | Operation monitoring system for processing equipment |
JP2011138835A (en) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Canon Anelva Corp | Transfer vibration monitoring device, vacuum processing apparatus, and transfer vibration monitoring method |
US9865488B2 (en) | 2012-11-07 | 2018-01-09 | Tokyo Electron Limited | Processing method and processing apparatus |
KR20150082171A (en) | 2012-11-07 | 2015-07-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Processing method and processing device |
KR20150115734A (en) | 2013-02-04 | 2015-10-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate transport device |
US9953853B2 (en) | 2013-02-04 | 2018-04-24 | Tokyo Electron Limited | Substrate transport apparatus |
US10593575B2 (en) | 2013-04-29 | 2020-03-17 | GlobalFoundries, Inc. | System and method for monitoring wafer handling and a wafer handling machine |
CN112786428A (en) * | 2016-07-14 | 2021-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | Pickup, transfer device, and plasma processing system |
JP2021061415A (en) * | 2020-12-16 | 2021-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Pick, transport device, and plasma processing system |
JP7157127B2 (en) | 2020-12-16 | 2022-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Picks, transfer equipment and plasma processing systems |
JP2023044214A (en) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing method, substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, and program |
JP7288486B2 (en) | 2021-09-17 | 2023-06-07 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing method, substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program |
US11841343B2 (en) | 2021-09-17 | 2023-12-12 | Kokusai Electric Corporation | Method of processing substrate, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor processing apparatus, and recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100745001B1 (en) | 2007-08-02 |
KR20060103852A (en) | 2006-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006278396A (en) | Processor and program | |
US20060215347A1 (en) | Processing apparatus and recording medium | |
JP6582676B2 (en) | Load lock device and substrate processing system | |
US7266418B2 (en) | Substrate processing apparatus, history information recording method, history information recording program, and history information recording system | |
CN105529293B (en) | Front end module of equipment for transferring wafer and method for transferring wafer | |
JP4839101B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing condition examination method, and storage medium | |
JP2018037559A (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
JP2008135517A (en) | Controller and controlling method of substrate processor, and storage medium storing control program | |
KR100874278B1 (en) | Substrate Processing Unit, Method of Changing Substrate Processing Condition, and Storage Media | |
KR102413131B1 (en) | Hybrid substrate processing system for dry and wet process and substrate processing method thereof | |
JP2012069542A (en) | Vacuum processing system | |
JP5433290B2 (en) | Substrate storage method and control device | |
JP4653875B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US20110224818A1 (en) | Substrate processing apparatus, method for modifying substrate processing conditions and storage medium | |
JP5571122B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for controlling substrate processing apparatus | |
JP2014036025A (en) | Vacuum processing apparatus or operation method of vacuum processing apparatus | |
JP5268659B2 (en) | Substrate storage method and storage medium | |
KR100916141B1 (en) | Aligner chamber and substrate processing equipment of multi chamber type having the same | |
JP2011018908A (en) | Substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4359109B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2011054679A (en) | Substrate processor | |
JP2006284059A (en) | Treatment device, fan filter unit monitoring control system and program | |
TW201543599A (en) | Vertical heat treatment apparatus | |
JP2004119627A (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus | |
WO2024018986A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |